JPH11297924A - Semiconductor module and socket, and hybrid integrated circuit device - Google Patents
Semiconductor module and socket, and hybrid integrated circuit deviceInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気配線の長さを短縮して寄生成分を減少さ
せる。
【解決手段】 メモリーモジュール10は、複数個のバ
ンプ12が一主面に突設されたチップ11が長方形の板
形状に形成されたホルダ13の主面上に前記バンプ12
群と反対側の主面に当接されて固定されており、ホルダ
13の両短辺には左右の被保持部15、16がそれぞれ
形成されている。外部記憶装置はメモリーモジュール1
0が複数枚並べられて配線基板に配され被保持部15、
16を保持部で保持されて実装される。
【効果】 各バンプ自体でメモリーモジュールの外部端
子を構成できるため、メモリーモジュールの寄生容量や
インダクタンスを排除でき、メモリーモジュールを使用
した外部記憶装置において、電気信号波形の歪を抑制で
きる。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To reduce the length of electric wiring to reduce parasitic components. SOLUTION: The memory module 10 has a plurality of bumps 12 protruding on one main surface, and a chip 11 formed on a main surface of a holder 13 formed in a rectangular plate shape.
The holder 13 is in contact with and fixed to the main surface opposite to the group, and left and right held portions 15 and 16 are formed on both short sides of the holder 13. External storage device is memory module 1
0 is arranged on the wiring board with a plurality of
16 is held by the holding unit and mounted. [Effect] Since the external terminals of the memory module can be constituted by the bumps themselves, the parasitic capacitance and inductance of the memory module can be eliminated, and the distortion of the electric signal waveform can be suppressed in the external storage device using the memory module.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体モジュール
およびソケット並びに混成集積回路装置、特に、半導体
モジュールの接続技術に関し、例えば、メモリーモジュ
ールに利用して有効なものに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor module, a socket, and a hybrid integrated circuit device, and more particularly to a connection technique for a semiconductor module, and more particularly to a technique effective for a memory module.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のメモリーモジュールは次のように
構成されているのが一般的である。すなわち、機能的に
はメモリーとして構成されパッケージ的には表面実装形
パッケージに構成された半導体装置が複数台、長方形に
形成された配線基板の第1主面および第2主面上に実装
されており、各半導体装置が配線基板の一端辺に配列さ
れた複数個の端子に電気的に接続されている。2. Description of the Related Art A conventional memory module is generally constructed as follows. That is, a plurality of semiconductor devices that are functionally configured as memories and packaged and configured as surface mount packages are mounted on the first and second main surfaces of a rectangular wiring board. Each of the semiconductor devices is electrically connected to a plurality of terminals arranged on one end of the wiring board.
【0003】一般に、メモリーモジュールは出荷や入荷
の際に電気的特性検査を受ける。この際、メモリーモジ
ュールは電気的特性検査を実行するテスタにソケットを
介して電気的に接続される。[0003] Generally, a memory module undergoes an electrical characteristic test at the time of shipment or receipt. At this time, the memory module is electrically connected via a socket to a tester for performing an electrical characteristic test.
【0004】なお、メモリーモジュールを述べてある例
としては、特開平8−139232号公報がある。[0004] Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-139232 discloses an example in which a memory module is described.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ようなメモリーモジュールにおいては、配線基板に比較
的長い電気配線が敷設されているため、信号伝播に対し
てインピーダンスマッチングを確保するのが困難にな
り、高いデータレートを実現することができないという
問題点があることが、本発明者によって明らかにされ
た。However, in the above-described memory module, since relatively long electric wiring is laid on the wiring board, it is difficult to ensure impedance matching for signal propagation. It has been found by the present inventors that there is a problem that a high data rate cannot be realized.
【0006】本発明の目的は、電気配線の長さを短縮す
ることができる半導体モジュールを提供することにあ
る。An object of the present invention is to provide a semiconductor module capable of reducing the length of an electric wiring.
【0007】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。[0007] The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。The outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application is as follows.
【0009】すなわち、半導体モジュールは、複数個の
バンプが一主面に突設された半導体装置が四辺形の板形
状に形成されたホルダの主面上に、前記バンプ群と反対
側の主面に当接されて固定されており、前記ホルダの互
いに対向する一対の端辺には一対の被保持部がそれぞれ
形成されていることを特徴とする。In other words, the semiconductor module comprises a semiconductor device having a plurality of bumps protruding from one main surface thereof, and a semiconductor device formed in a quadrilateral plate shape on a main surface opposite to the bump group. The holder is provided with a pair of held portions formed on a pair of opposed sides of the holder.
【0010】この半導体モジュールが接続されるソケッ
トは、前記ホルダよりも大きい四辺形に形成された本体
を備えており、この本体の互いに対向する一対の端辺に
は前記被保持部を保持する一対の保持部がそれぞれ形成
され、前記本体の一主面における両保持部の間には前記
各バンプと電気的に接続する複数個のコンタクトが形成
されていることを特徴とする。The socket to which the semiconductor module is connected has a main body formed in a quadrilateral larger than the holder, and a pair of opposing ends of the main body have a pair of holding sides for holding the held portion. And a plurality of contacts electrically connected to the respective bumps are formed between the two holding portions on one main surface of the main body.
【0011】また、前記した半導体モジュールが実装さ
れた混成集積回路装置は、前記半導体モジュールが複数
枚並べられる大きさの四辺形に形成された配線基板を備
えており、この配線基板の互いに対向する一対の端辺に
は前記被保持部を保持する複数組の保持部がそれぞれ形
成されており、この配線基板の一主面には前記各バンプ
と接触する複数本の電気配線が敷設されていることを特
徴とする。Further, the hybrid integrated circuit device on which the above-mentioned semiconductor module is mounted includes a wiring board formed in a quadrilateral having a size in which a plurality of the semiconductor modules are arranged, and the wiring boards are opposed to each other. A plurality of sets of holding portions for holding the held portions are formed on a pair of end sides, respectively, and a plurality of electric wirings in contact with the bumps are laid on one main surface of the wiring board. It is characterized by the following.
【0012】前記した混成集積回路装置において、半導
体モジュールは各バンプが配線基板の電気配線に直接的
に接触されることによって電気的に接続されるため、例
えば、配線基板上のメモリーコントローラから各半導体
モジュールまでの伝送路を短縮することができ、信号伝
播に対するインピーダンスマッチングを簡単に確保する
ことができ、高いデータレートを実現することができ
る。In the hybrid integrated circuit device described above, the semiconductor modules are electrically connected by the respective bumps being in direct contact with the electrical wiring of the wiring board. The transmission path to the module can be shortened, impedance matching for signal propagation can be easily ensured, and a high data rate can be realized.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】以下、図面に即して本発明の一実
施の形態を説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0014】本実施形態において、本発明に係る半導体
モジュールは、メモリーモジュールとして構成されてい
る。図1に示されているように、メモリーモジュール1
0はメモリー素子を含む集積回路(以下、集積回路とい
う。)が作り込まれた半導体装置としての半導体チップ
(以下、チップという。)11と、絶縁材料が使用され
て長方形の板形状に形成されたホルダ13とを備えてい
る。In this embodiment, the semiconductor module according to the present invention is configured as a memory module. As shown in FIG.
Reference numeral 0 denotes a semiconductor chip (hereinafter, referred to as a chip) 11 as a semiconductor device in which an integrated circuit including a memory element (hereinafter, referred to as an integrated circuit) is formed, and a rectangular plate formed by using an insulating material. And a holder 13.
【0015】チップ11は複数個(本実施形態において
は2個とする。)が用意されている。チップ11はIC
の製造工程における所謂前工程においてシリコンウエハ
の状態で集積回路が作り込まれ、長方形の板形状にダイ
シング形成されている。チップ11の集積回路が作り込
まれた側のアクティブエリア側主面(以下、第1主面と
いう。)11aには、複数個のバンプ12がマトリック
ス形状に配置されて突設されている。例えば、バンプ1
2は金(Au)ボールを溶着したり、金線を使用したネ
イルヘッド式ワイヤボンディングによって形成すること
ができる。A plurality of chips 11 (two chips in this embodiment) are prepared. Chip 11 is an IC
In a so-called pre-process in the manufacturing process, an integrated circuit is formed in a state of a silicon wafer, and is formed by dicing into a rectangular plate shape. A plurality of bumps 12 are arranged and projected in a matrix form on an active area side main surface (hereinafter, referred to as a first main surface) 11a on the side where the integrated circuit of the chip 11 is formed. For example, bump 1
2 can be formed by welding a gold (Au) ball or by nail head type wire bonding using a gold wire.
【0016】ホルダ13はセラミックやガラスエポキシ
樹脂等の絶縁材料が使用されて、チップ11の2個分よ
りも大きい長方形の板形状に形成されている。ホルダ1
3の一主面(以下、第1主面という。)13aには窪み
14が複数個(本実施形態においては2個とする。)、
一列に並べられて凹まされている。各窪み14は断面が
台形の穴形状に形成されており、窪み14の底面に相当
する台形の短辺の長さはチップ11の大きさに設定され
ている。窪み14の深さはチップ11の厚さよりも小さ
く設定されている。The holder 13 is made of an insulating material such as ceramic or glass epoxy resin, and is formed in a rectangular plate shape larger than two chips 11. Holder 1
A plurality of dents 14 (two in the present embodiment) are formed in one principal surface (hereinafter, referred to as a first principal surface) 13a of each of the three.
It is lined up and recessed. Each depression 14 is formed in a trapezoidal hole shape in cross section, and the length of the short side of the trapezoid corresponding to the bottom surface of the depression 14 is set to the size of the chip 11. The depth of the depression 14 is set smaller than the thickness of the chip 11.
【0017】ホルダ13の両短辺には一対の被保持部1
5、16がそれぞれ形成されており、両被保持部15、
16は雌テーパ形状にそれぞれ形成されている。すなわ
ち、両被保持部15、16の互いに対向する側面は第1
主面13a側に向かって次第に拡大するテーパ形状に形
成されている。所謂逆差しを防止するために、左側の被
保持部15と右側の被保持部16とは互いに非対称形に
形成されている。すなわち、左側の被保持部15の幅は
右側の被保持部16の幅よりも狭く設定されている。On both short sides of the holder 13, a pair of held parts 1
5 and 16 are respectively formed, and both held portions 15,
16 are each formed in a female taper shape. That is, the opposing side surfaces of the held portions 15 and 16 are the first
It is formed in a tapered shape gradually expanding toward the main surface 13a. In order to prevent so-called reverse insertion, the left held portion 15 and the right held portion 16 are formed asymmetrically with each other. That is, the width of the left held portion 15 is set smaller than the width of the right held portion 16.
【0018】ホルダ13の各窪み14の底面にはチップ
11の第1主面11aと反対側の第2主面11bが当接
されて接着材層17によってそれぞれ固定されており、
各チップ11のバンプ12群の先端部はホルダ13の第
1主面13aから突出した状態になっている。この際、
チップ11は窪み14の底面のエッジによって位置決め
されるため、適正に保持された状態になる。先端部がホ
ルダ13の第1主面13aから突出したバンプ12自体
がチップ11の外部端子を実質的に構成した状態になっ
ているため、ホルダ13には外部端子およびチップ11
を外部端子に電気的に接続するための電気配線が敷設さ
れていない。A second main surface 11b of the chip 13 opposite to the first main surface 11a is in contact with the bottom surface of each recess 14 of the holder 13 and is fixed by an adhesive layer 17, respectively.
The tips of the bumps 12 of each chip 11 protrude from the first main surface 13 a of the holder 13. On this occasion,
Since the chip 11 is positioned by the edge of the bottom surface of the recess 14, the chip 11 is properly held. Since the bumps 12 whose tips protrude from the first main surface 13a of the holder 13 are in a state substantially constituting the external terminals of the chip 11, the external terminals and the chip 11
There is no electrical wiring to electrically connect to the external terminal.
【0019】以上のように構成されたメモリーモジュー
ル10は選別検査やバーンイン検査等を受ける場合に
は、図2に示されているソケット20を介してテスティ
ングボード等に電気的に接続される。ソケット20はエ
ポキシ樹脂等の絶縁材料が用いられて一体成形されたソ
ケット本体21を備えている。ソケット本体21はメモ
リーモジュール10のホルダ13よりも若干大きめの長
方形の平板形状に形成されている。ソケット本体21の
長方形における両短辺には左右で一対の保持部22、2
3が上向きにそれぞれ突設されている。両保持部22、
23は雄テーパ形状にそれぞれ形成されており、メモリ
ーモジュール10の被保持部15、16の雌テーパ形状
にそれぞれ対応されている。すなわち、両保持部22、
23の互いに対向する側面は上方に向かって次第に縮小
するテーパ形状に形成されている。但し、所謂逆差しを
防止するために、左側の保持部22と右側の保持部23
とは互いに非対称形に形成されている。すなわち、左側
の保持部22の幅は右側の保持部23の幅よりも狭く設
定されている。The memory module 10 configured as described above is electrically connected to a testing board or the like via the socket 20 shown in FIG. 2 when undergoing a screening test or a burn-in test. The socket 20 includes a socket body 21 integrally formed using an insulating material such as an epoxy resin. The socket body 21 is formed in a rectangular flat plate slightly larger than the holder 13 of the memory module 10. On both short sides of the rectangle of the socket body 21, a pair of holding portions 22,
3 project upward. Both holding parts 22,
Reference numerals 23 are each formed in a male taper shape, and correspond to the female taper shapes of the held portions 15 and 16 of the memory module 10, respectively. That is, both holding parts 22,
The opposing side surfaces of the 23 are formed in a tapered shape that gradually decreases upward. However, in order to prevent so-called reverse insertion, the left holding portion 22 and the right holding portion 23
Are asymmetrical to each other. That is, the width of the left holding portion 22 is set smaller than the width of the right holding portion 23.
【0020】両保持部22、23の上にはガイド溝2
4、24がそれぞれ形成されており、両ガイド溝24、
24には押さえ板25、25が左右方向に摺動自在に支
持されている。両押さえ板25、25は両ガイド溝2
4、24を左右方向に摺動して内側に突出することによ
り、メモリーモジュール10を上から押さえるようにな
っている。Guide grooves 2 are provided on both holding portions 22 and 23.
4 and 24 are formed respectively, and both guide grooves 24,
Pressing plates 24 support holding plates 25, 25 slidably in the left-right direction. Both holding plates 25, 25 have both guide grooves 2
The memory module 10 is pressed from above by sliding the sliders 4 and 24 in the left-right direction and projecting inward.
【0021】ソケット本体21の上面における両保持部
22、23の間には、メモリーモジュール10の各バン
プ12と電気的に接続する複数個のコンタクト26が形
成されている。コンタクト26群は異方性導電部材27
によって形成されている。異方性導電部材27はゴムま
たは樹脂等の弾性体27aの内部に導電性を有するピン
27bが多数本、互いに絶縁された状態で厚さ方向に植
え込まれることにより構成されており、バンプ12がピ
ン27bの上端において接触すると、接触したピン27
bだけがバンプ12に電気的に接続された状態になる。A plurality of contacts 26 that are electrically connected to the respective bumps 12 of the memory module 10 are formed between the two holding portions 22 and 23 on the upper surface of the socket body 21. The contact group 26 is an anisotropic conductive member 27
Is formed by The anisotropic conductive member 27 is formed by implanting a large number of conductive pins 27b in the thickness direction in a state of being insulated from each other inside an elastic body 27a such as rubber or resin. Is contacted at the upper end of the pin 27b, the contacted pin 27
Only b is electrically connected to the bump 12.
【0022】ソケット本体21の上面には上側端子28
が各バンプ12に対応するようにそれぞれ形成されてお
り、ソケット本体21の下面にはテスタ(図示せず)に
電気的に接続される複数個の下側端子29が形成されて
いる。各上側端子28と各下側端子29とは電気配線3
0によって電気的にそれぞれ接続されている。An upper terminal 28 is provided on the upper surface of the socket body 21.
Are formed so as to correspond to the respective bumps 12, and a plurality of lower terminals 29 electrically connected to a tester (not shown) are formed on the lower surface of the socket body 21. Each upper terminal 28 and each lower terminal 29 are
0 is electrically connected to each other.
【0023】以上のように構成されたソケット20には
メモリーモジュール10が図3に示されているように第
1主面11a側を下向きにした状態で装着される。すな
わち、メモリーモジュール10の左右の被保持部15、
16が左右の保持部22、23に上からそれぞれ嵌合さ
れ、左右の押さえ板25、25が各ガイド溝24に沿っ
て摺動されてメモリーモジュール10のホルダ13の左
右両端部を上からそれぞれ押さえた状態になる。この
際、左右の被保持部15、16および左右の保持部2
2、23が非対称形に形成されているため、所謂逆差し
の発生は防止されることになる。例えば、左側の被保持
部15が右側の保持部23に整合されても両者を嵌合す
ることができない。The memory module 10 is mounted in the socket 20 configured as described above with the first main surface 11a facing downward as shown in FIG. That is, the left and right held portions 15 of the memory module 10,
16 are respectively fitted to the left and right holding portions 22 and 23 from above, and the left and right holding plates 25 and 25 are slid along the respective guide grooves 24 so that the right and left ends of the holder 13 of the memory module 10 are respectively placed from above. It will be in the state of being held down. At this time, the left and right held parts 15, 16 and the left and right holding parts 2
Since the members 2 and 23 are formed in an asymmetric shape, the occurrence of a so-called reverse insertion is prevented. For example, even if the left held portion 15 is aligned with the right held portion 23, they cannot be fitted.
【0024】メモリーモジュール10がソケット20に
装着されると、各バンプ12は異方性導電部材27によ
って構成された各コンタクト26にそれぞれ接触するこ
とによって、テスタに電気的に接続された状態になる。
この際、メモリーモジュール10が弾力性を有する異方
性導電部材27に押さえ板25によって押さえ付けられ
るため、各バンプ12は各コンタクト26に確実に電気
的に接続された状態になる。これにより、メモリーモジ
ュール10の各チップ11はバンプ12、上側端子2
8、電気配線30および下側端子29を通じてテスタの
予め指定された端子にそれぞれ電気的に接続された状態
になる。そして、メモリーモジュール10の各チップ1
1とテスタとの間でテスト信号が交わされることによ
り、所定の電気的特性検査が実施されることになる。When the memory module 10 is mounted on the socket 20, each bump 12 comes into contact with each contact 26 formed by the anisotropic conductive member 27, thereby being electrically connected to the tester. .
At this time, since the memory module 10 is pressed against the anisotropic conductive member 27 having elasticity by the pressing plate 25, each bump 12 is securely connected to each contact 26. As a result, each chip 11 of the memory module 10 has bumps 12 and upper terminals 2
8. The tester is electrically connected to the designated terminal of the tester through the electric wiring 30 and the lower terminal 29. Then, each chip 1 of the memory module 10
When a test signal is exchanged between 1 and the tester, a predetermined electrical characteristic test is performed.
【0025】電気的特性検査が実施されるに際しては、
検査対象物であるメモリーモジュール10はテスタに対
して検査対象物毎に順次交換されることになる。その検
査対象物としてのメモリーモジュール10の交換に際し
ては、ソケット20がテスティングボードに接続された
状態のままで、ソケット20からメモリーモジュール1
0が取り外されることになる。この場合には、両押さえ
板25、25をガイド溝24に沿って摺動させて押さえ
を解除した後に、メモリーモジュール10を上に持ち上
げることにより、メモリーモジュール10はソケット2
0から簡単に取り外すことができる。When an electrical characteristic test is performed,
The memory module 10 to be inspected is sequentially replaced with respect to the tester for each inspection object. When the memory module 10 as the inspection object is replaced, the memory module 1 is removed from the socket 20 while the socket 20 is connected to the testing board.
0 will be removed. In this case, the memory module 10 is lifted up after the holding plates 25, 25 are slid along the guide grooves 24 to release the holding, and the memory module 10
0 can be easily removed.
【0026】本実施形態において、本発明に係る混成集
積回路装置は、メモリーモジュール10が複数枚使用さ
れた外部記憶装置40として構成されている。図4およ
び図5に示されているように、外部記憶装置40はプリ
ント配線基板41を備えており、プリント配線基板41
はメモリーモジュール10のホルダ13の長さよりも長
い短辺と、複数枚(本実施形態においては、4枚とす
る。)のメモリーモジュール10が横並びになった状態
の幅よりも長い長辺とを有する長方形の平板形状に形成
されている。In the present embodiment, the hybrid integrated circuit device according to the present invention is configured as an external storage device 40 using a plurality of memory modules 10. As shown in FIGS. 4 and 5, the external storage device 40 includes a printed wiring board 41.
Represents a short side longer than the length of the holder 13 of the memory module 10 and a long side longer than the width of a plurality of (in this embodiment, four) memory modules 10 arranged side by side. It has a rectangular flat plate shape.
【0027】図5に示されているように、プリント配線
基板41の長方形における両長辺には左右で一対の保持
部42、43が複数組(本実施形態においては、4
組)、横並びに配置されて上向きにそれぞれ突設されて
いる。両保持部42、43は雄テーパ形状にそれぞれ形
成されており、メモリーモジュール10の被保持部1
5、16の雌テーパ形状にそれぞれ対応されている。す
なわち、両保持部42、43の互いに対向する側面は上
方に向かって次第に縮小するテーパ形状に形成されてい
る。但し、所謂逆差しを防止するために、左側の保持部
42と右側の保持部43とは互いに非対称形に形成され
ている。すなわち、左側の保持部42の幅は右側の保持
部43の幅よりも狭く設定されている。As shown in FIG. 5, a plurality of sets of a pair of left and right holding portions 42 and 43 are provided on both long sides of the rectangular shape of the printed wiring board 41 (in the present embodiment, 4 sets).
Pairs), arranged side by side and projecting upward. The holding portions 42 and 43 are each formed in a male taper shape, and the holding portion 1 of the memory module 10 is formed.
5 and 16 female tapered shapes respectively. That is, the opposing side surfaces of both holding portions 42 and 43 are formed in a tapered shape that gradually decreases upward. However, in order to prevent so-called reverse insertion, the left holding portion 42 and the right holding portion 43 are formed asymmetrically with each other. That is, the width of the left holding portion 42 is set smaller than the width of the right holding portion 43.
【0028】両保持部42、43の上にはガイド溝4
4、44がそれぞれ形成されており、両ガイド溝44、
44には押さえ板45、45が左右方向に摺動自在に支
持されている。両押さえ板45、45は両ガイド溝4
4、44を左右方向に摺動して内側に突出することによ
り、メモリーモジュール10を上から押さえるようにな
っている。Guide grooves 4 are provided on both holding portions 42 and 43.
4 and 44 are formed respectively, and both guide grooves 44 and 44 are formed.
Pressing plates 44 support holding plates 45, 45 slidably in the left-right direction. Both holding plates 45, 45 are both guide grooves 4
The memory module 10 is pressed from above by sliding the sliders 4 and 44 in the left-right direction and projecting inward.
【0029】プリント配線基板41の上面における両保
持部42、43群の間には、メモリーモジュール10の
各バンプ12と電気的に接続する複数個のコンタクト4
6が形成されている。コンタクト46群は異方性導電部
材47によって形成されている。すなわち、異方性導電
部材47はゴムまたは樹脂等の弾性体47aの内部に導
電性を有するピン47bが多数本、互いに絶縁された状
態で厚さ方向に植え込まれることにより構成されてお
り、バンプ12がピン47bの上端において接触する
と、接触したピン47bだけが電気的に接続された状態
になる。A plurality of contacts 4 electrically connected to each bump 12 of the memory module 10 are provided between the two holding portions 42 and 43 on the upper surface of the printed wiring board 41.
6 are formed. The group of contacts 46 is formed by an anisotropic conductive member 47. That is, the anisotropic conductive member 47 is formed by implanting a large number of conductive pins 47b in the thickness direction in a state of being insulated from each other inside an elastic body 47a such as rubber or resin. When the bump 12 comes into contact at the upper end of the pin 47b, only the contacted pin 47b is electrically connected.
【0030】プリント配線基板41の上面にはメモリー
モジュール側端子48が複数個、各バンプ12に対応す
るようにそれぞれ形成されており、プリント配線基板4
1の下面には終端抵抗素子51およびメモリーコントロ
ーラ52にそれぞれ電気的に接続された電気配線49が
複数本敷設されている。各メモリーモジュール側端子4
8と各電気配線49とは連絡配線50によって電気的に
それぞれ接続されている。A plurality of memory module side terminals 48 are formed on the upper surface of the printed wiring board 41 so as to correspond to the bumps 12, respectively.
A plurality of electric wires 49 electrically connected to the terminating resistance element 51 and the memory controller 52 are laid on the lower surface of 1. Terminal 4 on each memory module side
8 and each electric wiring 49 are electrically connected by a communication wiring 50.
【0031】以上のように構成された外部記憶装置40
には4枚のメモリーモジュール10が、図4に示されて
いるように第1主面11a側を下向きにした状態で装着
される。すなわち、各メモリーモジュール10における
両被保持部15、16がプリント配線基板における両保
持部42、43に上からそれぞれ嵌合され、各押さえ板
45が各ガイド溝44に沿って摺動されてメモリーモジ
ュール10のホルダ13の左右両端部を上からそれぞれ
押さえた状態になる。この際、左右の被保持部15、1
6および左右の保持部42、43が非対称形に形成され
ているため、所謂逆差しの発生は防止されることにな
る。The external storage device 40 configured as described above
In FIG. 4, four memory modules 10 are mounted with the first main surface 11a facing downward as shown in FIG. That is, the held portions 15 and 16 of each memory module 10 are fitted into the holding portions 42 and 43 of the printed wiring board from above, respectively, and the holding plates 45 are slid along the guide grooves 44 and the memory The left and right ends of the holder 13 of the module 10 are pressed from above. At this time, the left and right held parts 15, 1
6 and the left and right holding portions 42 and 43 are formed in an asymmetric shape, so that the so-called reverse insertion is prevented.
【0032】メモリーモジュール10が外部記憶装置4
0に装着されると、各バンプ12は異方性導電部材47
によって構成された各コンタクト46にそれぞれ接触す
ることによって電気的に接続された状態になるため、各
メモリーモジュール10の各チップ11はバンプ12、
メモリーモジュール側端子48、連絡配線50および電
気配線49を通じて外部記憶装置40の予め指定された
終端抵抗素子51およびメモリーコントローラ52にそ
れぞれ電気的に接続された状態になる。The memory module 10 is connected to the external storage device 4
0, each bump 12 becomes an anisotropic conductive member 47.
Each chip 11 of each memory module 10 is connected to the bump 12,
The memory module side terminal 48, the communication wiring 50, and the electric wiring 49 are electrically connected to the terminating resistance element 51 and the memory controller 52 of the external storage device 40 which are designated in advance.
【0033】すなわち、各メモリーモジュール10は図
6の等価回路図に示されているように電気的に接続され
た状態になる。そして、メモリーモジュール10の各チ
ップ11とメモリーコントローラ52との間で記憶信号
が交わされることにより、外部記憶装置40の機能が発
揮されることになる。That is, each memory module 10 is electrically connected as shown in the equivalent circuit diagram of FIG. The functions of the external storage device 40 are exhibited by exchanging storage signals between each chip 11 of the memory module 10 and the memory controller 52.
【0034】本実施形態に係るメモリーモジュール10
においては、従来のメモリーモジュールにおける外部端
子が各バンプ12自体によって構成されていることによ
り、図6に示されているようにメモリーモジュール10
の寄生容量やインダクタンスが排除されているため、本
実施形態に係る外部記憶装置40においては、記憶信号
波形の歪を抑制することができ、高いデータレートの伝
送を実現することができる。The memory module 10 according to the present embodiment
In FIG. 6, since the external terminals of the conventional memory module are formed by the bumps 12 themselves, as shown in FIG.
Since the parasitic capacitance and inductance of the external storage device 40 are eliminated, the distortion of the storage signal waveform can be suppressed in the external storage device 40 according to the present embodiment, and transmission at a high data rate can be realized.
【0035】前記実施形態によれば次の効果が得られ
る。According to the above embodiment, the following effects can be obtained.
【0036】 複数個のバンプが一主面に突設された
チップを長方形の板形状に形成されたホルダの第1主面
上にバンプ群と反対側の第2主面を当接して固定するこ
とにより、各バンプ自体によってメモリーモジュールに
おける外部端子を構成することができるため、メモリー
モジュールにおける寄生容量やインダクタンスを排除す
ることができる。A chip having a plurality of bumps protruding from one main surface is fixed on a first main surface of a holder formed in a rectangular plate shape by abutting a second main surface opposite to the bump group. This makes it possible to form external terminals of the memory module by the bumps themselves, thereby eliminating parasitic capacitance and inductance in the memory module.
【0037】 ホルダの互いに対向する一対の端辺に
一対の被保持部をそれぞれ形成することにより、メモリ
ーモジュールをソケットを介してテスタに電気的に接続
することができるため、選別検査やバーンイン検査等の
電気的特性検査を簡単に実施することができる。By forming a pair of held portions on a pair of opposed sides of the holder, the memory module can be electrically connected to the tester via the socket, so that a sorting test, a burn-in test, etc. Can be easily inspected.
【0038】 ホルダの互いに対向する一対の端辺に
一対の被保持部をそれぞれ形成することにより、メモリ
ーモジュールを保持部を介してプリント配線基板に簡単
に装着することができるため、外部記憶装置を簡単に構
築することができる。By forming a pair of held portions on a pair of opposed sides of the holder, the memory module can be easily mounted on the printed wiring board via the holding portion, so that the external storage device can be used. Can be easily constructed.
【0039】 前記により、このメモリーモジュー
ルを使用した外部記憶装置においては、記憶信号波形の
歪を抑制することができるため、高いデータレートの伝
送を実現することができる。As described above, in an external storage device using the memory module, distortion of a storage signal waveform can be suppressed, so that transmission at a high data rate can be realized.
【0040】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment, the invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say.
【0041】例えば、ホルダに搭載される半導体装置
は、バンプが直接されたベアチップに限らず、μBGA
(マイクロ・ボール・グリッド・アレイパッケージ)を
備えた半導体装置のようにバンプがパッケージの一主面
に突設された半導体装置であってもよい。For example, the semiconductor device mounted on the holder is not limited to a bare chip on which bumps are directly formed.
A semiconductor device having bumps protruding from one main surface of the package, such as a semiconductor device having a (micro ball grid array package), may be used.
【0042】半導体モジュールはメモリーモジュールと
して構成するに限らず、ロジカルモジュール等に構成し
てもよい。The semiconductor module is not limited to a memory module, but may be a logical module or the like.
【0043】また、混成集積回路装置は外部記憶装置と
して構成するに限らず、マイクロ・コンピュータ等に構
成してもよい。The hybrid integrated circuit device is not limited to being configured as an external storage device, but may be configured as a microcomputer or the like.
【0044】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるメモリ
ーモジュールおよび外部記憶装置に適用した場合につい
て説明したが、それに限定されるものではなく、同一の
基板に同一種類の半導体装置または異なる種類の半導体
装置が複数実装された半導体モジュール、および、当該
半導体モジュールが使用された混成集積回路装置全般お
よびそのソケット並びにその接続技術全般に適用するこ
とができる。In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to a memory module and an external storage device, which are the fields of use, has been described. However, the present invention is not limited to this case. The present invention can be applied to a semiconductor module in which a plurality of semiconductor devices of the same type or different types are mounted on a substrate, a hybrid integrated circuit device using the semiconductor module, a socket thereof, and a connection technology thereof.
【0045】[0045]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。The effects obtained by typical aspects of the invention disclosed in the present application will be briefly described as follows.
【0046】複数個のバンプが一主面に突設された半導
体装置を四辺形の板形状に形成されたホルダの一主面上
にバンプ群と反対側の主面を当接して固定することによ
り、各バンプ自体によって半導体モジュールにおける外
部端子を構成することができるため、半導体モジュール
における寄生容量やインダクタンスを排除することがで
き、この半導体モジュールを使用した混成集積回路装置
において、電気信号波形の歪を抑制することができる。A semiconductor device having a plurality of bumps protruding from one main surface is fixed on one main surface of a holder formed in a quadrilateral plate shape by abutting the main surface opposite to the bump group on the main surface. As a result, the external terminals of the semiconductor module can be constituted by the bumps themselves, so that the parasitic capacitance and inductance of the semiconductor module can be eliminated. In the hybrid integrated circuit device using this semiconductor module, the distortion of the electric signal waveform is reduced. Can be suppressed.
【図1】本発明の一実施形態であるメモリーモジュール
を示しており、(a)は平面図、(b)は左側面図、
(c)は右側面図、(d)は側面断面図である。1A and 1B show a memory module according to an embodiment of the present invention, wherein FIG. 1A is a plan view, FIG. 1B is a left side view,
(C) is a right side view, and (d) is a side sectional view.
【図2】本発明の一実施形態であるソケットを示してお
り、(a)は平面図、(b)は一部切断正面図、(c)
は左側面図、(d)は(b)のd−d線に沿う側面断面
図である。FIGS. 2A and 2B show a socket according to an embodiment of the present invention, wherein FIG. 2A is a plan view, FIG.
Is a left side view, and (d) is a side sectional view along line dd in (b).
【図3】その装着状態を示しており、(a)は平面図、
(b)は一部切断正面図、(c)は(b)のc−c線に
沿う側面断面図、(d)は(b)のd−d線に沿う側面
断面図である。3A and 3B show the mounted state, where FIG. 3A is a plan view,
(B) is a partially cut front view, (c) is a side cross-sectional view along line cc of (b), and (d) is a side cross-sectional view along line dd of (b).
【図4】本発明の一実施形態である外部記憶装置を示し
ており、(a)は一部省略一部切断平面図、(b)は一
部切断正面図である。4A and 4B show an external storage device according to an embodiment of the present invention, in which FIG. 4A is a partially cutaway plan view, and FIG. 4B is a partially cutaway front view.
【図5】そのプリント配線基板を示しており、(a)は
左半分が一部省略平面図で、右半分が一部省略底面図、
(b)は一部切断正面図である。5A and 5B show the printed wiring board, and FIG. 5A is a plan view in which a left half is partially omitted and a right half is a partially omitted bottom view;
(B) is a partially cut front view.
【図6】その等価回路図である。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram thereof.
10…メモリーモジュール(半導体モジュール)、11
…チップ(半導体チップ)、11a…第1主面、11b
…第2主面、12…バンプ、13…ホルダ、13a…第
1主面、14…窪み、15、16…被保持部、17…接
着材層、20…ソケット、21…ソケット本体、22、
23…保持部、24…ガイド溝、25…押さえ板、26
…コンタクト、27…異方性導電部材、27a…弾性
体、27b…ピン、28…上側端子、29…下側端子、
30…電気配線、40…外部記憶装置、41…プリント
配線基板、42、43…保持部、44…ガイド溝、45
…押さえ板、46…コンタクト、47…異方性導電部
材、47a…弾性体、47b…ピン、48…メモリーモ
ジュール側端子、49…電気配線、50…連絡配線、5
1…終端抵抗素子、52…メモリーコントローラ。10: memory module (semiconductor module), 11
... chips (semiconductor chips), 11a ... first main surface, 11b
.. 2nd main surface, 12 ... bump, 13 ... holder, 13a ... 1st main surface, 14 ... dent, 15, 16 ... held part, 17 ... adhesive layer, 20 ... socket, 21 ... socket body, 22,
23 ... holding part, 24 ... guide groove, 25 ... holding plate, 26
... contact, 27 ... anisotropic conductive member, 27a ... elastic body, 27b ... pin, 28 ... upper terminal, 29 ... lower terminal,
Reference numeral 30: electric wiring, 40: external storage device, 41: printed wiring board, 42, 43: holding portion, 44: guide groove, 45
... Pressing plate, 46 contact, 47 anisotropic conductive member, 47a elastic body, 47b pin, 48 memory terminal, 49 electrical wiring, 50 communication wiring, 5
1: Terminating resistance element, 52: Memory controller.
Claims (10)
導体装置が四辺形の板形状に形成されたホルダの主面上
に、前記バンプ群と反対側の主面に当接されて固定され
ており、前記ホルダの互いに対向する一対の端辺には一
対の被保持部がそれぞれ形成されていることを特徴とす
る半導体モジュール。1. A semiconductor device having a plurality of bumps projecting from one main surface thereof is brought into contact with a main surface of a holder formed in a quadrilateral plate shape on a main surface opposite to the bump group. A semiconductor module, wherein a pair of held portions are formed on a pair of opposed sides of the holder, respectively.
れており、その両短辺には前記両被保持部がそれぞれ形
成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体
モジュール。2. The semiconductor module according to claim 1, wherein said holder is formed in a rectangular flat plate shape, and said both held portions are respectively formed on both short sides thereof.
ていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導
体モジュール。3. The semiconductor module according to claim 1, wherein the held portion is formed in a female tapered shape.
集積回路が作り込まれていることを特徴とする請求項
1、2または3に記載の半導体モジュール。4. The semiconductor module according to claim 1, wherein an integrated circuit including a memory element is built in the semiconductor device.
続されるソケットであって、 前記ホルダよりも大きい四辺形に形成された本体を備え
ており、この本体の互いに対向する一対の端辺には前記
被保持部を保持する一対の保持部がそれぞれ形成され、
前記本体の一主面における両保持部の間には前記各バン
プと電気的に接続する複数個のコンタクトが形成されて
いることを特徴とするソケット。5. A socket to which the semiconductor module according to claim 1 is connected, comprising: a main body formed into a quadrilateral larger than the holder; and a pair of opposing ends of the main body. Is formed with a pair of holding parts respectively holding the held part,
A socket, wherein a plurality of contacts electrically connected to the respective bumps are formed between both holding portions on one main surface of the main body.
いることを特徴とする請求項5に記載のソケット。6. The socket according to claim 5, wherein said holding portion is formed in a male taper shape.
て形成されていることを特徴とする請求項5または6に
記載のソケット。7. The socket according to claim 5, wherein the contact is formed of an anisotropic conductive member.
装された混成集積回路装置であって、 前記半導体モジュールが複数枚並べられる大きさの四辺
形に形成された配線基板を備えており、この配線基板の
互いに対向する一対の端辺には前記被保持部を保持する
複数組の保持部がそれぞれ形成されており、この配線基
板の一主面には前記各バンプと接触する複数本の電気配
線が敷設されていることを特徴とする混成集積回路装
置。8. A hybrid integrated circuit device on which the semiconductor module according to claim 1 is mounted, comprising: a wiring board formed in a quadrilateral having a size in which a plurality of the semiconductor modules are arranged. A plurality of sets of holding portions for holding the held portions are respectively formed on a pair of opposing edges of the wiring board, and a plurality of electric contacts in contact with the bumps are formed on one main surface of the wiring board. A hybrid integrated circuit device, wherein wiring is laid.
いることを特徴とする請求項8に記載の混成集積回路装
置。9. The hybrid integrated circuit device according to claim 8, wherein said holding portion is formed in a male taper shape.
ル群の並んだ方向と平行に敷設されていることを特徴と
する請求項8または9に記載の混成集積回路装置。10. The hybrid integrated circuit device according to claim 8, wherein said electric wiring group is laid in parallel with a direction in which said semiconductor module groups are arranged.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10121798A JPH11297924A (en) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | Semiconductor module and socket, and hybrid integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10121798A JPH11297924A (en) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | Semiconductor module and socket, and hybrid integrated circuit device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11297924A true JPH11297924A (en) | 1999-10-29 |
Family
ID=14820191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10121798A Pending JPH11297924A (en) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | Semiconductor module and socket, and hybrid integrated circuit device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11297924A (en) |
-
1998
- 1998-04-15 JP JP10121798A patent/JPH11297924A/en active Pending
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