JPH11295499A - Johannson-type analyzing crystal - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ヨハンソン型分光
結晶に関する。[0001] The present invention relates to a Johansson-type dispersive crystal.
【0002】[0002]
【従来の技術】ヨハンソン型分光結晶は電子プローブマ
イクロアナライザ(EPMA)等において用いられてい
るが、従来は、図7に示すように、ローランド円の半径
をRとしたとき、その表面が曲率半径が2Rの円筒面の
一部となされた結晶取付台1に結晶2を湾曲させて取り
付け、結晶を曲率半径Rの円筒面に沿って削ることによ
って形成されている。2. Description of the Related Art A Johansson-type spectroscopic crystal is used in an electron probe microanalyzer (EPMA) or the like. Conventionally, as shown in FIG. Is formed by bending a crystal 2 on a crystal mount 1 formed as a part of a cylindrical surface of 2R, and cutting the crystal along a cylindrical surface having a radius of curvature R.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ヨハンソン型分光結晶は結晶の取付面が一つであるた
め、分光結晶に対するX線入射の立体角を大きくしよう
とすると、分光中心から離れるに従って結晶の厚みを著
しく厚くする必要があるが、このような厚い結晶を湾曲
させて加工するのには自ずと限界があり、立体角を大き
くすることは難しいものであった。However, since the conventional Johansson-type dispersive crystal has only one mounting surface for the crystal, if the solid angle of X-ray incidence on the dispersive crystal is increased, the crystal becomes farther away from the spectral center. However, there is a limit in naturally processing such a thick crystal by bending it, and it is difficult to increase the solid angle.
【0004】特に、X線入射角が小さく、X線発生点と
分光結晶との距離が小さい場合には、分光中心が結晶表
面の中心と一致しないので、このような場合には、図8
に示すような1次粒子線ビーム側にずれた非対称結晶を
用いるのが望ましく、このような非対称結晶を用いるこ
とによって分光特性が改善されることが知られている
が、このような非対称結晶では図8に示すように、1次
粒子線ビームから離れた方の結晶の厚みを著しく厚くす
る必要がある。しかし、上述したと同じく、厚い結晶を
湾曲加工することは難しく、非対称結晶を実現すること
は非常に困難である。In particular, when the X-ray incidence angle is small and the distance between the X-ray generation point and the spectral crystal is small, the spectral center does not coincide with the center of the crystal surface.
It is desirable to use an asymmetric crystal shifted to the primary particle beam side as shown in (1), and it is known that the spectral characteristics are improved by using such an asymmetric crystal. As shown in FIG. 8, it is necessary to remarkably increase the thickness of the crystal away from the primary particle beam. However, as described above, it is difficult to bend a thick crystal, and it is very difficult to realize an asymmetric crystal.
【0005】そこで、本発明は、厚みの厚い結晶を用い
る必要が無く、立体角を大きくすることができ、しかも
非対称結晶をも容易に実現できるヨハンソン型分光結晶
を提供することを目的とするものである。Accordingly, an object of the present invention is to provide a Johansson-type spectroscopic crystal which does not need to use a thick crystal, can increase the solid angle, and can easily realize an asymmetric crystal. It is.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のヨハンソン型分光結晶は、結晶取付台の
結晶取付面が、所定の曲率半径の複数の円筒面部分が所
定の高さのステップで階段状に形成され、その階段状に
なされている結晶取付面に結晶が取り付けられてなるこ
とを特徴とする。In order to achieve the above object, in a Johansson type crystal according to the present invention, a crystal mounting surface of a crystal mounting base has a plurality of cylindrical surface portions having a predetermined radius of curvature having predetermined heights. The step is formed in a step-like manner in the step, and the crystal is attached to the crystal attachment surface formed in the step-like shape.
【0007】[0007]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ実施の形
態について説明する。図1は本発明に係るヨハンソン型
分光結晶の一実施形態の断面を示す図であり、結晶取付
台1の取付表面には、それぞれが円筒面の一部をなす複
数の結晶取付面が階段状に形成されている。図1(a)
ではP1 ,P2 ,P3 ,P4 の4つの結晶取付面が階段
状に形成されている。そして、図1(a)では4つの結
晶取付面P1 ,P2 ,P3 ,P4 を形成する円筒面は同
心となされている。従って、隣り合う結晶取付面を形成
する円筒面部分の曲率半径の差をrとし、第1の結晶取
付面P1 が曲率半径2Rの円筒面の一部をなすものとす
ると、第2の結晶取付面P2 は曲率半径が(2R−r)
の円筒面の一部をなし、第3の結晶取付面P3 は曲率半
径が(2R−2r)の円筒面の一部をなし、第4の結晶
取付面P4 は曲率半径が(2R−3r)の円筒面の一部
をなしている。なお、図中、Oは分光中心を示す。ま
た、Rはローランド円の半径である。この点に関しては
以下同じである。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a cross section of an embodiment of a Johansson type crystal according to the present invention. On a mounting surface of a crystal mounting base 1, a plurality of crystal mounting surfaces each forming a part of a cylindrical surface are stepped. Is formed. FIG. 1 (a)
In the figure, four crystal mounting surfaces P 1 , P 2 , P 3 and P 4 are formed stepwise. In FIG. 1A, the cylindrical surfaces forming the four crystal mounting surfaces P 1 , P 2 , P 3 , and P 4 are concentric. Therefore, when the difference between the radius of curvature of the cylindrical surface portion forming the crystal mounting surface adjacent the r, the first crystal mounting surface P 1 is intended to be part of the cylindrical surface of radius of curvature 2R, the second crystal mounting surface P 2 is the radius of curvature (2R-r)
, The third crystal mounting surface P 3 forms a part of a cylindrical surface having a radius of curvature of (2R−2r), and the fourth crystal mounting surface P 4 has a radius of curvature of (2R−2). 3r) is a part of the cylindrical surface. In the drawing, O indicates a spectral center. R is the radius of the Roland circle. This is the same in the following.
【0008】分光結晶を作成する場合には、図1(a)
に示す結晶取付台1のそれぞれの結晶取付面P1 ,P
2 ,P3 ,P4 に、図1(b)に示すように結晶K1 ,
K2 ,K3 ,K4 を貼り付け、これらの結晶K1 ,K
2 ,K3 ,K4 を図1(c)の破線で示すように曲率半
径Rの円筒面に沿って削ればよい。In the case of forming a spectral crystal, FIG.
The crystal mounting surfaces P 1 and P 1 of the crystal mounting table 1 shown in FIG.
2, P 3, the P 4, the crystal K 1 as shown in FIG. 1 (b),
K 2 , K 3 and K 4 are pasted, and these crystals K 1 , K
2 , K 3 , and K 4 may be cut along a cylindrical surface having a radius of curvature R as shown by a broken line in FIG.
【0009】以上のようであるので、このヨハンソン型
分光結晶によれば、各結晶取付面に貼り付ける結晶の厚
みは全てrでよく、従来のように分光中心から離れるに
従って厚みを厚くする必要はないので、上述した湾曲加
工の難しさの問題は生じないものである。また、図1で
は分光結晶は分光中心Oに関して対称となされている
が、図1(d)に示すように一部のみを用いて非対称結
晶や、分光中心が結晶面内にない分光結晶を作製するこ
とも可能である。As described above, according to this Johansson-type spectral crystal, the thickness of the crystal attached to each crystal mounting surface may be all r, and it is not necessary to increase the thickness as the distance from the spectral center increases as in the conventional case. Therefore, the above-described problem of difficulty in bending processing does not occur. In FIG. 1, the spectral crystal is symmetrical with respect to the spectral center O. However, as shown in FIG. 1D, an asymmetric crystal or a spectral crystal having no spectral center in the crystal plane is manufactured using only a part thereof. It is also possible.
【0010】次に、結晶取付台1の設計について説明す
る。ここでは図2に示す3つの結晶取付面を有する結晶
取付台を設計する場合を考える。図2では3つの結晶取
付面を形成する円筒面は同心であるとし、隣り合う結晶
取付面を形成する円筒面部分の曲率半径の差をrとす
る。Next, the design of the crystal mount 1 will be described. Here, the case of designing a crystal mounting base having three crystal mounting surfaces shown in FIG. 2 is considered. In FIG. 2, the cylindrical surfaces forming the three crystal mounting surfaces are concentric, and the difference between the radii of curvature of the cylindrical surface portions forming the adjacent crystal mounting surfaces is r.
【0011】分光中心Oを原点としてx−yの直交座標
をとった場合、結晶取付台を設計するためには、図のQ
1 〜Q8 の8点の座標が分かればよい。Q1 は第1の結
晶取付面の右端の点であり、Q2 は第2の結晶取付面の
左端であり、Q3 は第2の結晶取付面の右端であり、Q
4 は第3の結晶取付面の左端である。そして、図2にお
いてはQ1 とQ5 、Q2 とQ6 、Q3 とQ7 、Q4 とQ
8 は、それぞれy軸に関して対称である。When the xy orthogonal coordinates are set with the spectral center O as the origin, in order to design the crystal mount, Q
1 the coordinates of the eight points to Q 8 may knowing. Q 1 is the right end point of the first crystal mounting surface, Q 2 is the left end of the second crystal mounting surface, Q 3 is the right end of the second crystal mounting surface,
4 is the left end of the third crystal mounting surface. In FIG. 2, Q 1 and Q 5 , Q 2 and Q 6 , Q 3 and Q 7 , Q 4 and Q
8 are each symmetric about the y-axis.
【0012】この場合、図3に示すように、4つの円C
0 ,C1 ,C2 ,C3 を考える。円C0 は結晶面を定め
る円であり、その半径はR、中心は(0,R)である。
円C1 は第1の結晶取付面を定める円であり、その半径
は2R、中心は(0,2R)である。円C2 は第2の結
晶取付面を定める円であり、その半径は(2R−r)、
中心は(0,2R)である。円C3 は第3の結晶取付面
を定める円であり、その半径は(2R−2r)、中心は
(0,2R)である。従って、各円C0 ,C1,C2 ,
C3 の方程式はそれぞれ(1)〜(4)のようである。In this case, as shown in FIG.
0, consider the C 1, C 2, C 3 . The circle C 0 is a circle defining a crystal plane, the radius is R, and the center is (0, R).
The circle C 1 is a circle that defines the first crystal mounting surface, and has a radius of 2R and a center of (0, 2R). Circle C 2 is the circle defining the second crystal mounting surface, the radius (2R-r),
The center is (0,2R). Circle C 3 is a circle defining the third crystal mounting surface, the radius (2R-2r), the center is (0,2R). Therefore, each circle C 0 , C 1 , C 2 ,
Equation of C 3 are as respectively (1) to (4).
【0013】 x2+(y−R)2=R2 …(1) x2+(y−2R)2=(2R)2 …(2) x2+(y−2R)2=(2R−r)2 …(3) x2+(y−2R)2=(2R−2r)2 …(4) まず、点Q2 は円C0 と円C2 との交点であるから、点
Q2 の座標は(1)式と(3)式の連立方程式を解くことで求
めることができる。そして、点Q2 の座標を(x2,
y2)とすると、点Q1 は点Q2 からx軸に引いた垂線
と円C1 の交点であるから、点Q1 の座標を(x1,
y1)とすると、 x1 =x2 …(5) y1 =−((2R)2−x2 2)1/2+2R …(6) となる。同様に、点Q4 は円C0 と円C3 との交点であ
るから、点Q4 の座標は(1)式と(4)式の連立方程式を解
くことで求めることができる。そして、点Q4 の座標を
(x4,y4)とすると、点Q3 は点Q4 からx軸に引い
た垂線と円C2 の交点であるから、点Q3 の座標を(x
3,y3)とすると、 x3 =x4 …(7) y3 =−((2R−2r)2−x4 2)1/2+2R …(8) となる。このようにしてQ1 〜Q4 の座標が求められ
る。このことから、図2のQ5 〜Q8 の座標も容易に求
めることができる。これらの点Q5 〜Q8 はQ1 〜Q4
とy軸に関して対称であるからである。X 2 + (y−R) 2 = R 2 (1) x 2 + (y−2R) 2 = (2R) 2 (2) x 2 + (y−2R) 2 = (2R− r) 2 ... (3) x 2 + (y−2R) 2 = (2R−2r) 2 ... (4) First, since the point Q 2 is the intersection of the circle C 0 and the circle C 2 , the point Q 2 Can be obtained by solving the simultaneous equations of equations (1) and (3). Then, the coordinates of the point Q 2 are represented by (x 2 ,
y 2 ), the point Q 1 is the intersection of the circle C 1 and the perpendicular drawn from the point Q 2 to the x-axis, so that the coordinates of the point Q 1 are (x 1 ,
If y 1) to, x 1 = x 2 ... ( 5) y 1 = - ((2R) becomes 2 -x 2 2) 1/2 + 2R ... (6). Similarly, since the point Q 4 are the intersection of the circle C 0 and the circle C 3, the coordinates of the point Q 4 can be obtained by solving the simultaneous equations (1) and (4). Then, when the coordinates of the point Q 4 and (x 4, y 4), since the point Q 3 is a vertical line and the intersection of circle C 2 drawn from the point Q 4 on the x-axis, the coordinates of the point Q 3 (x
3, when y 3) that, x 3 = x 4 ... ( 7) y 3 = - ((2R-2r) becomes 2 -x 4 2) 1/2 + 2R ... (8). Thus the coordinates of Q 1 to Q 4 are determined. Therefore, it is possible to determine easily the coordinate of Q 5 to Q 8 in FIG. These points Q 5 to Q 8 are Q 1 to Q 4
And the y-axis.
【0014】以上のようにして図2のQ1 〜Q8 の全て
の点の座標が求められるので結晶取付台を設計すること
ができる。As described above, since the coordinates of all the points Q 1 to Q 8 in FIG. 2 are obtained, the crystal mounting base can be designed.
【0015】以上は、各結晶取付面を形成する円筒面が
同心である場合について説明したが、各結晶取付面の曲
率半径を同一にすることも可能である。その場合の結晶
取付台の設計について説明する。ここでは、隣り合う結
晶取付面を形成する円筒面部分の中心位置はy軸方向に
rだけ差があるものとする。なお、ここでは分光中心O
の一方の側だけについて説明する。In the above, the case where the cylindrical surfaces forming the respective crystal mounting surfaces are concentric has been described, but it is also possible to make the radii of curvature of the respective crystal mounting surfaces the same. The design of the crystal mounting base in that case will be described. Here, it is assumed that the center positions of the cylindrical surface portions forming adjacent crystal mounting surfaces have a difference of r in the y-axis direction. Here, the spectral center O
Only one side will be described.
【0016】分光中心Oを原点としてx−yの直交座標
をとり、図4に示すように、4つの円C0′,C1′,C
2′,C3′を考える。円C0′は結晶面を定める円であ
り、その半径はR、中心は(0,R)である。円C1′
は第1の結晶取付面を定める円であり、その半径は2
R、中心は(0,2R)である。円C2′は第2の結晶
取付面を定める円であり、その半径は2R、中心は
(0,2R+r)である。円C3′は第3の結晶取付面
を定める円であり、その半径は2R、中心は(0,2R
+2r)である。従って、各円C0′,C1′,C2′,
C3′の方程式はそれぞれ(9)〜(12)のようである。Taking the xy orthogonal coordinates with the spectral center O as the origin, as shown in FIG. 4, four circles C 0 ′, C 1 ′, C
Consider 2 ′ and C 3 ′. The circle C 0 ′ is a circle defining the crystal plane, the radius is R, and the center is (0, R). Circle C 1 ′
Is a circle defining the first crystal mounting surface, the radius of which is 2
R, center is (0,2R). The circle C 2 ′ is a circle defining the second crystal mounting surface, and has a radius of 2R and a center of (0, 2R + r). The circle C 3 ′ is a circle defining the third crystal mounting surface, the radius is 2R, and the center is (0, 2R
+ 2r). Therefore, each circle C 0 ′, C 1 ′, C 2 ′,
The equations for C 3 'are as shown in (9) to (12), respectively.
【0017】 x2+(y−R)2=R2 …(9) x2+(y−2R)2=(2R)2 …(10) x2+(y−(2R+r))2=(2R)2 …(11) x2+(y−(2R+2r)2=(2R)2 …(12) まず、点Q2′は円C0′と円C2′との交点であるか
ら、点Q2′の座標は(9)式と(11)式の連立方程式を解く
ことで求めることができる。そして、点Q2′の座標を
(x2′,y2′)とすると、点Q1′は点Q2′からx軸
に引いた垂線と円C1′の交点であるから、点Q1′の座
標を(x1′,y1′)とすると、 x1′=x2′ …(13) y1′=−((2R)2−x2′2)1/2+2R …(14) となる。同様に、点Q4′は円C0′と円C3′との交点
であるから、点Q4′の座標は(9)式と(12)式の連立方程
式を解くことで求めることができる。そして、点Q4′
の座標を(x4′,y4′)とすると、点Q3′は点Q4′
からx軸に引いた垂線と円C2′の交点であるから、点
Q3′の座標を(x3′,y3′)とすると、 x3′=x4′ …(15) y3′=−((2R−2r)2−x4′2)1/2+2R …(16) となる。このようにしてQ1′〜Q4′の座標が求めら
れる。このことから、y軸の反対側の点も対称条件から
容易に求めることができる。X 2 + (y−R) 2 = R 2 (9) x 2 + (y−2R) 2 = (2R) 2 (10) x 2 + (y− (2R + r)) 2 = ( 2R) 2 ... (11) x 2 + (y− (2R + 2r) 2 = (2R) 2 ... (12) First, the point Q 2 ′ is the intersection of the circle C 0 ′ and the circle C 2 ′. The coordinates of Q 2 ′ can be obtained by solving the simultaneous equations of equations (9) and (11), and if the coordinates of point Q 2 ′ are (x 2 ′, y 2 ′), the point Q 'because it is the intersection of the point Q 1' 1 'is the point Q 2' perpendicular and the circle C 1 drawn in the x-axis from the coordinates of (x 1 ', y 1') When, x 1 '= x 2 '... (13) y 1' = - a ((2R) 2 -x 2 ' 2) 1/2 + 2R ... a (14) Similarly, the point Q 4.' is the circle C 0 'and the circle C 3' , The coordinates of the point Q 4 ′ can be obtained by solving the simultaneous equations of the equations (9) and (12). , Point Q 4 ′
Is (x 4 ′, y 4 ′), the point Q 3 ′ becomes the point Q 4 ′
Is the point of intersection of the perpendicular drawn to the x-axis and the circle C 2 ′, and if the coordinates of the point Q 3 ′ are (x 3 ′, y 3 ′), x 3 ′ = x 4 ′ (15) y 3 '= - ((2R-2r ) 2 -x 4' becomes 2) 1/2 + 2R ... (16 ). Thus, the coordinates of Q 1 ′ to Q 4 ′ are obtained. From this, the point on the opposite side of the y-axis can be easily obtained from the symmetry condition.
【0018】以上のようにしてQ1′〜Q4′の座標が求
められるので、図5に示すような結晶取付台を設計する
ことができる。図5において、P1′は第1の結晶取付
面であり、図4の円C1′の一部によって定められるも
のである。P2′、P3′は第2、第3の結晶取付面であ
り、それぞれ図4の円C2′,C3′の一部によって定め
られるものである。Since the coordinates of Q 1 ′ to Q 4 ′ are obtained as described above, a crystal mounting table as shown in FIG. 5 can be designed. In FIG. 5, P 1 ′ is the first crystal mounting surface, which is defined by a part of the circle C 1 ′ in FIG. P 2 ′ and P 3 ′ are second and third crystal mounting surfaces, respectively, which are defined by parts of circles C 2 ′ and C 3 ′ in FIG.
【0019】以上のようであるので、このヨハンソン型
分光結晶においても、従来のように分光中心から離れる
に従って厚みを厚くする必要はないので、上述した湾曲
加工の難しさの問題は生じないものである。また、図5
では分光結晶は分光中心Oに関して対称となされている
が、図1(d)に示すと同様に、一部のみを用いて非対
称結晶をすることも可能である。As described above, in this Johansson-type dispersive crystal, it is not necessary to increase the thickness of the Johansson-type dispersive crystal further away from the spectral center as in the prior art, so that the above-described problem of difficulty in bending processing does not occur. is there. FIG.
In FIG. 1, the spectral crystal is symmetrical with respect to the spectral center O. However, as shown in FIG. 1D, it is also possible to form an asymmetrical crystal using only a part thereof.
【0020】そして、このヨハンソン型分光結晶によれ
ば、図1(d)に示すような非対称結晶を実現すること
ができるので、X線取り出し角αを従来のEPMAに比
較して大きく取ることができる。即ち、従来広く用いら
れている、ローランド円面が試料面に対して垂直な、い
わゆる縦型分光器では、分光結晶へのX線入射角θがX
線取り出し角αよりも大きくなると、X線検出器は思慮
面よりも下側に位置するようになるので、X線検出器と
試料とがぶつかってしまう事態が生じる可能性がある。
従って、大きなθに対して干渉を防ぐためにはX線取り
出し角αを大きくとることが必要であるが、(a)を大
きくすると、今度は分光結晶が電子銃と干渉するように
なる。しかし、図1(d)に示すような非対称型の分光
結晶を用いれば、複数個の結晶を同時に例えば図6に示
すような配置とすることができるので、X線取り出し角
αを実質的に90°付近までとることができ、しかもX
線入射角θを90°近くまでとったとしてもX線検出器
は試料面の下側に位置することはない。According to the Johansson-type spectral crystal, an asymmetric crystal as shown in FIG. 1D can be realized, so that the X-ray extraction angle α can be made larger than that of the conventional EPMA. it can. That is, in a so-called vertical spectroscope in which the Rowland circle surface is perpendicular to the sample surface, which is widely used in the past, the X-ray incident angle θ to the spectral crystal is X
If the X-ray detection angle is larger than the angle α, the X-ray detector will be positioned below the consideration plane, and the X-ray detector may collide with the sample.
Therefore, in order to prevent interference with a large θ, it is necessary to increase the X-ray extraction angle α. However, if (a) is increased, then the spectral crystal will interfere with the electron gun. However, if an asymmetric type of dispersive crystal as shown in FIG. 1D is used, a plurality of crystals can be simultaneously arranged, for example, as shown in FIG. 6, so that the X-ray extraction angle α is substantially reduced. It can take up to around 90 ° and X
The X-ray detector is not located below the sample surface even if the line incident angle θ is set to near 90 °.
【0021】以上、本発明の実施形態について説明した
が、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく種
々の変形が可能である。Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible.
【図1】 本発明に係るヨハンソン型分光結晶の一実施
形態を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing one embodiment of a Johansson-type spectral crystal according to the present invention.
【図2】 本発明に係るヨハンソン型分光結晶の設計を
説明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining the design of a Johansson-type spectral crystal according to the present invention.
【図3】 図2に示すヨハンソン型分光結晶の設計の手
法の例を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining an example of a method of designing the Johansson-type spectral crystal shown in FIG. 2;
【図4】 ヨハンソン型分光結晶の設計の手法の他の例
を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining another example of a method of designing a Johansson-type spectral crystal.
【図5】 図4に示す設計の手法により作成されるヨハ
ンソン型分光結晶の例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing an example of a Johansson-type spectral crystal created by the design method shown in FIG.
【図6】 本発明の効果を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an effect of the present invention.
【図7】 従来のヨハンソン型分光結晶の例を示す図で
ある。FIG. 7 is a diagram showing an example of a conventional Johansson-type spectral crystal.
【図8】 非対称結晶の例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing an example of an asymmetric crystal.
1…結晶取付台。 1. Crystal mounting base.
Claims (1)
半径の複数の円筒面部分が所定の高さのステップで階段
状に形成され、その階段状になされている結晶取付面に
結晶が取り付けられてなることを特徴とするヨハンソン
型分光結晶。1. A crystal mounting surface of a crystal mounting table, wherein a plurality of cylindrical surface portions having a predetermined radius of curvature are formed in steps with a predetermined height in steps, and the crystal mounting surface is formed on the crystal mounting surface formed in steps. A Johansson-type spectroscopic crystal characterized by being attached with.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10094351A JPH11295499A (en) | 1998-04-07 | 1998-04-07 | Johannson-type analyzing crystal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10094351A JPH11295499A (en) | 1998-04-07 | 1998-04-07 | Johannson-type analyzing crystal |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11295499A true JPH11295499A (en) | 1999-10-29 |
Family
ID=14107872
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10094351A Withdrawn JPH11295499A (en) | 1998-04-07 | 1998-04-07 | Johannson-type analyzing crystal |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11295499A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013210377A (en) * | 2003-06-13 | 2013-10-10 | Osmic Inc | Beam adjustment system |
-
1998
- 1998-04-07 JP JP10094351A patent/JPH11295499A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013210377A (en) * | 2003-06-13 | 2013-10-10 | Osmic Inc | Beam adjustment system |
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