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JPH11284409A - Waveguide type bandpass filter - Google Patents

Waveguide type bandpass filter

Info

Publication number
JPH11284409A
JPH11284409A JP10082184A JP8218498A JPH11284409A JP H11284409 A JPH11284409 A JP H11284409A JP 10082184 A JP10082184 A JP 10082184A JP 8218498 A JP8218498 A JP 8218498A JP H11284409 A JPH11284409 A JP H11284409A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
waveguide
conductor
main conductor
dielectric
side wall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10082184A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Uchimura
弘志 内村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP10082184A priority Critical patent/JPH11284409A/en
Publication of JPH11284409A publication Critical patent/JPH11284409A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 矩形導波管を用いた導波管型帯域通過フィル
タでは、小型化が図れず、生産性も低かった。 【解決手段】 誘電体基板21を挟持する一対の主導体層
22・23と、信号伝送方向に信号波長の2分の1未満の間
隔で主導体層22・23間を電気的に接続して形成された2
列の側壁用貫通導体群24とを具備して成り、主導体層22
・23および側壁用貫通導体群24に囲まれた領域によって
高周波信号を伝送する誘電体導波管線路25の内部に、主
導体層22・23間を電気的に接続して誘導性窓を形成する
複数の貫通導体26が信号伝送方向に管内波長の2分の1
未満の間隔で配設されている導波管型帯域通過フィルタ
である。小型で生産性が高い、良好な特性の導波管型帯
域通過フィルタとなる。
(57) [Summary] [PROBLEMS] In a waveguide type bandpass filter using a rectangular waveguide, miniaturization cannot be achieved and productivity is low. A pair of main conductor layers sandwiching a dielectric substrate (21)
22 formed by electrically connecting the main conductor layers 22 and 23 at an interval of less than half the signal wavelength in the signal transmission direction.
A main conductor layer 22
An electrically inductive window is formed by electrically connecting the main conductor layers 22 and 23 inside the dielectric waveguide line 25 for transmitting a high-frequency signal by the region surrounded by 23 and the through conductor group 24 for the side wall. The plurality of through conductors 26 in the signal transmission direction make up a half of the guide wavelength.
And a waveguide-type band-pass filter disposed at an interval of less than. A waveguide-type bandpass filter having a small size, high productivity, and good characteristics is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、主にマイクロ波お
よびミリ波等の高周波信号を伝送する誘電体導波管線路
を用いた導波管型帯域通過フィルタに関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a waveguide band-pass filter using a dielectric waveguide for transmitting high-frequency signals such as microwaves and millimeter waves.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、マイクロ波やミリ波などの高周波
を用いた移動体通信および車間レーダ等の研究が盛んに
進められている。これらの高周波を利用した技術には特
定の周波数の高周波信号のみを通す帯域通過フィルタが
必要である。
2. Description of the Related Art In recent years, research on mobile communication and inter-vehicle radar using high frequencies such as microwaves and millimeter waves has been actively pursued. These high-frequency techniques require a band-pass filter that passes only a high-frequency signal of a specific frequency.

【0003】高周波用の帯域通過フィルタには様々な構
成のものがあるが、良好な帯域通過特性を有するものと
して矩形導波管を用いた導波管型帯域通過フィルタが知
られている。これには、例えば図6および図7に概略斜
視図で示すような構造のものがある。
There are various types of high-frequency band-pass filters, and a waveguide-type band-pass filter using a rectangular waveguide is known as having a good band-pass characteristic. These include, for example, those having the structure shown in schematic perspective views in FIGS.

【0004】図6に示した構造のものは、矩形導波管1
の内部に誘導性窓を形成する複数の金属棒等のショート
ピン2(2a〜2e)を垂直に管内波長λgの2分の1
未満の間隔d(d<λg/2)で信号伝送方向に配置す
ることによって帯域通過フィルタを形成したものであ
る。
[0004] The structure shown in FIG.
The short pins 2 (2a to 2e) such as a plurality of metal rods forming an inductive window inside the inside are vertically connected to a half of the guide wavelength λg.
A bandpass filter is formed by arranging in the signal transmission direction at an interval d (d <λg / 2) less than.

【0005】この構造によれば、導波管のほぼ中央部に
あるショートピン2cあるいはショートピン群2a〜2
eにより、導波管の幅は遮断波長の2分の1以下に分断
される。その結果、ショートピン2により導波管を伝播
してきた電磁波は反射されるので、同図中に示した領域
1 〜L4 は電気的に閉じた空間とみなすことができ
る。この閉じた空間は固有の共振モードを持ち、その長
さdがλg/2のとき最も低い周波数で共振を起こす共
振器として機能する。図6に示した構造の場合、ショー
トピン2による壁で形成された4つの共振器が導波管に
直列に結合しているものとみなすことができる。
According to this structure, the short pin 2c or the short pin groups 2a to 2
By e, the width of the waveguide is divided into half or less of the cutoff wavelength. As a result, the electromagnetic wave propagating through the waveguide by short pins 2 is reflected, region L 1 ~L 4 shown in the figure may be regarded as electrically closed space. This closed space has a unique resonance mode, and functions as a resonator that resonates at the lowest frequency when the length d is λg / 2. In the case of the structure shown in FIG. 6, it can be considered that four resonators formed by the wall by the short pins 2 are coupled in series to the waveguide.

【0006】前述したように、図6における左方の入力
側から導波管1を伝播してきた電磁波はショートピン2
aにより伝播できなくなるが、その電磁波の周波数が前
述した共振器の持つ固有の共振周波数と一致した場合に
はショートピン2aの間(誘導性窓)から電磁的な結合
によって共振領域L1 にエネルギーが流入する。同様に
して、L1 からL2 へ、L2 からL3 へ、L3 からL4
へとエネルギーが伝播し、導波管1の図6における右方
の出力側からはまた電磁波として伝播する。従って、固
有の周波数を持つ電磁波のみがこれらの構造による領域
を通過することができ、これにより帯域通過フィルタと
して動作するものである。
As described above, the electromagnetic wave propagating through the waveguide 1 from the left input side in FIG.
Although it can not be transmitted by a, natural resonance frequency as the energy from between the short pins 2a in the case of a match (inductive window) in the resonance region L 1 by electromagnetic coupling with the frequency of the electromagnetic waves of the resonator mentioned above Flows in. Similarly, from L 1 to L 2, from L 2 to L 3, L 4 from L 3
Energy propagates from the right output side in FIG. 6 of the waveguide 1 again as an electromagnetic wave. Therefore, only the electromagnetic wave having a specific frequency can pass through the region of these structures, thereby operating as a band-pass filter.

【0007】なお、前述した共振領域L1 〜L4 は、結
合のための誘導性窓があるため、それらの長さdは一般
にλg/2よりも短くなる。
Since the above-described resonance regions L 1 to L 4 have an inductive window for coupling, their length d is generally shorter than λg / 2.

【0008】また、図7に示した構造のものは、矩形導
波管1の内部に誘導性窓(誘導性壁)を形成する複数の
金属板等のショート板3を同じく垂直に管内波長λgの
2分の1未満の間隔d(d<λg/2)で信号伝送方向
に配置することによって帯域通過フィルタを形成したも
のである。
In the structure shown in FIG. 7, a short plate 3 such as a plurality of metal plates forming an inductive window (inductive wall) inside a rectangular waveguide 1 is similarly vertically arranged with a guide wavelength λg. Are arranged in the signal transmission direction at an interval d (d <λg / 2) of less than one half of the bandpass filter to form a band-pass filter.

【0009】これによれば、ショート板3とそれによる
誘導性窓が前述したショートピン2およびその隙間と全
く同様に働くことにより帯域通過フィルタとなるもので
ある。
According to this, the short plate 3 and the inductive window formed by the short plate 3 function in exactly the same manner as the short pins 2 and the gaps therebetween, thereby forming a bandpass filter.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】このような構造を持っ
た従来の矩形導波管による帯域通過フィルタは、高周波
信号に対する帯域通過特性は優れるものの、作製時の加
工が難しいという問題点があった。このため、生産性が
低くその結果コストが高くなるという問題点があった。
A conventional band-pass filter using a rectangular waveguide having such a structure has a problem that although it has excellent band-pass characteristics for high-frequency signals, it is difficult to process at the time of fabrication. . For this reason, there was a problem that productivity was low and as a result the cost was high.

【0011】また、矩形導波管そのもののサイズが大き
いため、これを用いた帯域通過フィルタも大きなものと
なり、移動体通信および車間レーダ等に利用するための
小型化が困難であるという問題点もあった。
Further, since the size of the rectangular waveguide itself is large, a band-pass filter using the same is also large, and it is difficult to reduce the size of the rectangular waveguide for use in mobile communication and inter-vehicle radar. there were.

【0012】本発明は上記事情に鑑みて案出されたもの
であり、その目的は、生産性が高く小型化にも対応でき
る導波管型帯域通過フィルタを提供することにある
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a waveguide band-pass filter which has high productivity and can cope with miniaturization.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の問
題点に対して検討を重ねた結果、従来の矩形導波管に代
えて、図4および図5にそれぞれ概略斜視図で示すよう
な、一対の主導体層に挟持された誘電体基板中に信号伝
送方向に信号波長の2分の1未満の間隔で主導体層間を
電気的に接続して形成された2列の側壁用貫通導体群に
より導波管の側壁を形成した誘電体導波管線路(特開平
6−53711 号ならびに特願平8−229925号参照)
を用い、その誘電体導波管線路の内部に誘導性窓を形成
するショートピンに相当する複数の貫通導体を形成して
信号伝送方向に管内波長の2分の1未満の間隔で配設す
ることにより、誘電体導波管線路を用いて図6ならびに
図7に示した構造と同様の導波管型帯域通過フィルタを
製造できることを見出した。
The present inventors have repeatedly studied the above problems, and as a result, are shown in schematic perspective views in FIGS. 4 and 5, respectively, in place of the conventional rectangular waveguide. For two rows of side walls formed by electrically connecting the main conductor layers at intervals of less than half the signal wavelength in the signal transmission direction in the dielectric substrate sandwiched between a pair of main conductor layers A dielectric waveguide line having a waveguide sidewall formed by a group of through conductors (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-53711 and Japanese Patent Application No. 8-229925).
And a plurality of through conductors corresponding to short pins forming an inductive window are formed inside the dielectric waveguide line, and are disposed at intervals of less than half the guide wavelength in the signal transmission direction. As a result, it has been found that a waveguide type bandpass filter similar to the structure shown in FIGS. 6 and 7 can be manufactured using the dielectric waveguide line.

【0014】本発明の導波管型帯域通過フィルタは、誘
電体基板を挟持する一対の主導体層と、信号伝送方向に
信号波長の2分の1未満の間隔で前記主導体層間を電気
的に接続して形成された2列の側壁用貫通導体群とを具
備して成り、前記主導体層および側壁用貫通導体群に囲
まれた領域によって高周波信号を伝送する誘電体導波管
線路の内部に、前記主導体層間を電気的に接続して誘導
性窓を形成する複数の貫通導体が前記信号伝送方向に管
内波長の2分の1未満の間隔で配設されていることを特
徴とするものである。
The waveguide band-pass filter according to the present invention is characterized in that a pair of main conductor layers sandwiching a dielectric substrate are electrically connected between the main conductor layers at an interval of less than half the signal wavelength in the signal transmission direction. And a two-row side wall penetrating conductor group formed to be connected to the main conductor layer and a region surrounded by the side wall penetrating conductor group. Inside, a plurality of through conductors that electrically connect the main conductor layers to form an inductive window are arranged at intervals of less than half a guide wavelength in the signal transmission direction. Is what you do.

【0015】また、本発明の導波管型帯域通過フィルタ
は、上記構成において、前記主導体層間に、前記側壁用
貫通導体群と電気的に接続された副導体層が前記主導体
層と平行に形成されていることを特徴とするものであ
る。
In the above-mentioned structure, a sub-conductor layer electrically connected to the side wall penetrating conductor group may be parallel to the main conductor layer between the main conductor layers. It is characterized by being formed in.

【0016】さらに、本発明の導波管型帯域通過フィル
タは、副導体層が形成された上記構成の導波管型帯域通
過フィルタにおいて、前記副導体層が、前記誘電体導波
管線路の内部に延設されて前記貫通導体と電気的に接続
され、該貫通導体と共に前記誘導性窓を形成しているこ
とを特徴とするものである。
Further, in the waveguide type band pass filter according to the present invention, in the waveguide type band pass filter having the above-mentioned structure, wherein the sub conductor layer is formed, the sub conductor layer is formed of the dielectric waveguide line. It extends inside and is electrically connected to the through conductor, and forms the inductive window together with the through conductor.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の導波管型帯域通過
フィルタについて図面を参照しながら説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a waveguide type bandpass filter according to the present invention will be described with reference to the drawings.

【0018】図4および図5は、それぞれ本発明の導波
管型帯域通過フィルタに用いる誘電体導波管線路の構成
を示す概略斜視図である。これらの図において、11は
誘電体基板、12・13は誘電体基板11を挟持する一対の主
導体層、14は信号伝送方向に信号波長の2分の1未満の
間隔で主導体層12・13間を電気的に接続して形成された
2列の側壁用貫通導体群である。
FIGS. 4 and 5 are schematic perspective views showing the structure of a dielectric waveguide used in the waveguide type bandpass filter of the present invention. In these figures, reference numeral 11 denotes a dielectric substrate, 12 and 13 denote a pair of main conductor layers sandwiching the dielectric substrate 11, and 14 denotes a main conductor layer 12 and 12 at an interval of less than half the signal wavelength in the signal transmission direction. 13 are two rows of through-hole conductor groups for side walls formed by electrically connecting between 13.

【0019】図4および図5によれば、所定の厚みaの
誘電体基板11を挟持する位置に一対の主導体層12・13が
形成されており、主導体層12・13は誘電体基板11の少な
くとも導波管線路形成位置を挟む上下面に形成されてい
る。また、主導体層12・13間には主導体層12と13とを電
気的に接続するスルーホール導体やビアホール導体等の
貫通導体が多数設けられ、2列の側壁用貫通導体群14を
形成している。
According to FIGS. 4 and 5, a pair of main conductor layers 12 and 13 are formed at positions sandwiching a dielectric substrate 11 having a predetermined thickness a. 11 are formed on the upper and lower surfaces sandwiching at least the waveguide line forming position. A large number of through conductors such as through-hole conductors and via-hole conductors for electrically connecting the main conductor layers 12 and 13 are provided between the main conductor layers 12 and 13, forming two rows of side wall through conductor groups 14. doing.

【0020】2列の側壁用貫通導体群14は、所定間隔
(幅)bをもって、信号伝送方向に信号波長の2分の1
未満の所定間隔cをもって形成されており、これにより
この誘電体導波管線路における側壁を形成している。
The two rows of penetrating conductor groups 14 for the side walls have a predetermined interval (width) b and are 1 of the signal wavelength in the signal transmission direction.
It is formed with a predetermined distance c smaller than the above, thereby forming a side wall in the dielectric waveguide line.

【0021】ここで、誘電体基板11の厚みaすなわち一
対の主導体層12・13間の間隔に対する制限は特にない
が、シングルモードで用いる場合には間隔bに対して2
分の1程度または2倍程度とすることがよく、図4およ
び図5の例では誘電体導波管のH面とE面に当たる部分
がそれぞれ主導体層12・13と側壁用貫通導体群14で形成
され、間隔bに対して厚みaを2倍程度とすれば、誘電
体導波管のE面とH面に当たる部分がそれぞれ主導体層
12・13と側壁用貫通導体群14で形成されることとなる。
また、間隔cが信号波長(遮断波長)の2分の1未満の
間隔に設定されることで側壁用貫通導体群14が電気的な
壁を形成している。
Here, there is no particular limitation on the thickness a of the dielectric substrate 11, that is, the distance between the pair of main conductor layers 12 and 13.
4 and 5, the portions corresponding to the H and E planes of the dielectric waveguide are the main conductor layers 12 and 13 and the through conductor groups 14 for the side walls, respectively. If the thickness a is about twice as large as the interval b, the portions corresponding to the E-plane and the H-plane of the dielectric waveguide are respectively the main conductor layers.
12 and 13 and the through conductor group 14 for the side wall.
Further, the interval c is set to be less than half the signal wavelength (cutoff wavelength), so that the side wall through conductor group 14 forms an electrical wall.

【0022】平行に配置された一対の主導体層12・13間
にはTEM波が伝播できるため、側壁用貫通導体群14の
間隔cが信号波長すなわち遮断波長λcよりも大きい
と、この導波管線路に電磁波を給電しても、ここで作ら
れる疑似的な導波管に沿って伝播しない。しかし、側壁
用貫通導体群14の間隔cが遮断波長λcよりも小さい
と、電磁波は導波管線路に対して垂直方向に伝播するこ
とができず、反射しながら導波管線路の信号伝送方向に
伝播される。その結果、図4および図5の構成によれ
ば、一対の主導体層12・13および2列の側壁用貫通導体
群14によって囲まれる断面積がa×bのサイズの領域が
誘電体導波管線路15となる。
Since a TEM wave can propagate between a pair of main conductor layers 12 and 13 arranged in parallel, if the distance c between the side wall penetrating conductor groups 14 is larger than the signal wavelength, that is, the cutoff wavelength λc, this waveguide is formed. Even if an electromagnetic wave is supplied to the pipe line, the electromagnetic wave does not propagate along the pseudo waveguide formed here. However, if the distance c between the side wall through conductor groups 14 is smaller than the cutoff wavelength λc, the electromagnetic wave cannot propagate in a direction perpendicular to the waveguide line, and reflects while transmitting the signal in the signal transmission direction of the waveguide line. Is propagated to As a result, according to the configurations shown in FIGS. 4 and 5, a region having a cross-sectional area of a × b size surrounded by the pair of main conductor layers 12 and 13 and the two rows of penetrating conductor groups for side walls 14 is a dielectric waveguide. It becomes the pipe line 15.

【0023】なお、図5における16は側壁用貫通導体群
14の各列を形成する貫通導体同士を電気的に接続する、
主導体層12・13と平行に形成された副導体層であり、所
望により適宜形成される。このような副導体層16を形成
することにより、誘電体導波管線路15の内部から見ると
線路の側壁は側壁用貫通導体群14と副導体層16とによっ
て細かな格子状になり、線路からの電磁波の遮蔽効果を
さらに高めることができる。
In FIG. 5, reference numeral 16 denotes a through conductor group for a side wall.
Electrically connecting through conductors forming each row of 14,
This is a sub-conductor layer formed in parallel with the main conductor layers 12 and 13, and is appropriately formed as desired. By forming such a sub-conductor layer 16, when viewed from the inside of the dielectric waveguide line 15, the side wall of the line becomes a fine lattice shape by the side wall through conductor group 14 and the sub-conductor layer 16, and The effect of shielding electromagnetic waves from the object can be further enhanced.

【0024】また、これらの態様では側壁用貫通導体群
14は2列に形成したが、この側壁用貫通導体群14を4列
あるいは6列に配設して、側壁用貫通導体群14による疑
似的な導体壁を2重・3重に形成することにより、導体
壁からの電磁波の漏れをより効果的に防止することがで
きる。
In these embodiments, the through conductor group for the side wall is used.
Although 14 is formed in two rows, the through conductor groups 14 for side walls are arranged in four rows or six rows, and pseudo conductor walls formed by the through conductor groups 14 for side walls are formed in two or three layers. Thereby, leakage of electromagnetic waves from the conductor wall can be more effectively prevented.

【0025】上記の誘電体導波管線路によれば、誘電体
導波管による伝送線路となるので、その導波管サイズは
誘電体基板11の比誘電率をεとすると通常の導波管の1
/√εの大きさになる。従って、誘電体基板11を比誘電
率εの大きい材料によって構成するほど、導波管サイズ
は小さくすることができ、高密度に配線が形成される多
層配線基板または半導体素子収納用パッケージあるいは
車間レーダの伝送線路として利用可能な大きさになる。
According to the above-described dielectric waveguide line, since the transmission line is formed by a dielectric waveguide, the size of the waveguide is determined by setting the relative permittivity of the dielectric substrate 11 to ε. Of 1
/ √ε. Therefore, as the dielectric substrate 11 is made of a material having a large relative permittivity ε, the waveguide size can be reduced, and a multilayer wiring board, a semiconductor element housing package, or an inter-vehicle radar on which wiring is formed at high density The transmission line has a size usable as a transmission line.

【0026】なお、側壁用貫通導体群14を構成する貫通
導体は前述のように遮断波長λcの2分の1未満の間隔
cで配設されており、この間隔cは良好な伝送特性を実
現するためには一定の繰り返し間隔とすることが望まし
いが、遮断波長λcの2分の1未満の間隔であれば適宜
変化させたりいくつかの値を組み合わせたりしてもよい
ことは言うまでもない。
As described above, the through conductors forming the side wall through conductor group 14 are arranged at an interval c smaller than half the cutoff wavelength λc, and this interval c realizes good transmission characteristics. In order to achieve this, it is desirable to have a constant repetition interval, but it goes without saying that the interval may be appropriately changed or some value may be combined as long as the interval is less than half the cutoff wavelength λc.

【0027】このような誘電体導波管線路を構成する誘
電体基板11としては、誘電体として機能し高周波信号の
伝送を妨げることのない特性を有するものであればとり
わけ限定するものではないが、伝送線路を形成する際の
精度および製造の容易性の点からは、誘電体基板11はセ
ラミックスからなることが望ましい。
The dielectric substrate 11 constituting such a dielectric waveguide is not particularly limited as long as it functions as a dielectric and has a characteristic that does not hinder transmission of high-frequency signals. The dielectric substrate 11 is desirably made of ceramics from the viewpoint of accuracy in forming the transmission line and easiness of manufacturing.

【0028】このようなセラミックスとしてはこれまで
様々な比誘電率を持つセラミックスが知られているが、
本発明の導波管線路によって高周波信号を伝送するため
には常誘電体であることが望ましい。これは、一般に強
誘電体セラミックスは高周波領域では誘電損失が大きく
伝送損失が大きくなるためである。従って、誘電体基板
11の比誘電率εr は4〜100 程度が適当である。
As such ceramics, ceramics having various relative dielectric constants have been known.
In order to transmit a high-frequency signal by the waveguide line of the present invention, it is desirable that the waveguide line be a paraelectric substance. This is because ferroelectric ceramics generally have large dielectric loss and high transmission loss in a high frequency range. Therefore, the dielectric substrate
It is appropriate that the relative permittivity ε r of 11 is about 4 to 100.

【0029】また、一般に多層配線基板や半導体素子収
納用パッケージあるいは車間レーダに形成される配線層
の線幅は最大でも1mm程度であることから、比誘電率
が100 の材料を用い、上部がH面すなわち磁界が上側の
面に平行に巻く電磁界分布になるように用いた場合、用
いることのできる最小の周波数は15GHzと算出され、
マイクロ波帯の領域でも利用可能となる。一方、一般的
に誘電体基板11として用いられる樹脂からなる誘電体
は、比誘電率εr が2程度であるため、線幅が1mmの
場合、約100 GHz以上でないと利用することができな
いものとなる。
In general, the line width of a wiring layer formed on a multilayer wiring board, a package for housing semiconductor elements or an inter-vehicle radar is at most about 1 mm, so that a material having a relative dielectric constant of 100 is used, and If the plane, ie the magnetic field is used so as to form an electromagnetic field distribution parallel to the upper plane, the minimum frequency that can be used is calculated as 15 GHz,
It can also be used in the microwave band. On the other hand, a dielectric made of a resin generally used as the dielectric substrate 11 has a relative permittivity ε r of about 2, and therefore cannot be used unless the line width is 1 mm or more than about 100 GHz. Becomes

【0030】また、このような常誘電体セラミックスの
中にはアルミナやシリカ等のように誘電正接が非常に小
さなものが多いが、全ての常誘電体セラミックスが利用
可能であるわけではない。誘電体導波管線路の場合は導
体による損失はほとんどなく、信号伝送時の損失のほと
んどは誘電体による損失であり、誘電体による損失α
(dB/m)は下記のように表わされる。 α=27.3×tanδ/〔λ/{1−(λ/λc )2
1/2 〕 式中、tanδ:誘電体の誘電正接 λ :誘電体中の波長 λc :遮断波長 規格化された矩形導波管(WRJシリーズ)形状に準ず
ると、上式中の{1−(λ/λc )2 1/2 は0.75程度
である。
Further, among such paraelectric ceramics, many have very small dielectric loss tangents, such as alumina and silica, but not all paraelectric ceramics can be used. In the case of a dielectric waveguide line, there is almost no loss due to the conductor, and most of the loss during signal transmission is due to the dielectric, and the loss due to the dielectric α
(DB / m) is expressed as follows. α = 27.3 × tan δ / [λ / {1- (λ / λc) 2 }
1/2 ] where tan δ: dielectric loss tangent of the dielectric λ: wavelength in the dielectric λc: cut-off wavelength According to the standardized rectangular waveguide (WRJ series) shape, {1- ( λ / λc) 21/2 is about 0.75.

【0031】従って、実用に供し得る伝送損失である−
100 dB/m以下にするには、下記の関係が成立するよ
うに誘電体を選択することが必要である。
Therefore, the transmission loss is practically usable.
In order to make it 100 dB / m or less, it is necessary to select a dielectric so that the following relationship is satisfied.

【0032】f×εr 1/2 ×tanδ≦0.8 式中、fは使用する周波数(GHz)である。F × ε r 1/2 × tan δ ≦ 0.8 where f is a frequency (GHz) to be used.

【0033】このような誘電体基板11としては、例えば
アルミナセラミックスやガラスセラミックス・窒化アル
ミニウムセラミックス等があり、例えばセラミックス原
料粉末に適当な有機溶剤・溶媒を添加混合して泥漿状に
なすとともにこれを従来周知のドクターブレード法やカ
レンダーロール法等を採用してシート状となすことによ
って複数枚のセラミックグリーンシートを得、しかる
後、これらセラミックグリーンシートの各々に適当な打
ち抜き加工を施すとともにこれらを積層し、アルミナセ
ラミックスの場合は1500〜1700℃、ガラスセラミックス
の場合は850 〜1000℃、窒化アルミニウムセラミックス
の場合は1600〜1900℃の温度で焼成することによって製
作される。
Examples of such a dielectric substrate 11 include alumina ceramics, glass ceramics, and aluminum nitride ceramics. For example, an appropriate organic solvent and a solvent are added to and mixed with ceramic raw material powder to form a slurry. A plurality of ceramic green sheets are obtained by forming a sheet by employing a conventionally known doctor blade method or calender roll method, and thereafter, each of these ceramic green sheets is subjected to appropriate punching and laminated. It is manufactured by firing at a temperature of 1500 to 1700 ° C for alumina ceramics, 850 to 1000 ° C for glass ceramics, and 1600 to 1900 ° C for aluminum nitride ceramics.

【0034】また、一対の主導体層12・13としては、例
えば誘電体基板11がアルミナセラミックスから成る場
合、タングステン等の金属粉末に適当なアルミナ・シリ
カ・マグネシア等の酸化物や有機溶剤・溶媒等を添加混
合してペースト状にしたものを厚膜印刷法により少なく
とも伝送線路を完全に覆うようにセラミックグリーンシ
ート上に印刷し、しかる後、約1600℃の高温で焼成し、
厚み10〜15μm以上となるようにして形成する。なお、
金属粉末としては、ガラスセラミックスの場合は銅・金
・銀が、窒化アルミニウムセラミックスの場合はタング
ステン・モリブデンが好適である。また、主導体層12・
13の厚みは一般的に5〜50μm程度とされる。
When the dielectric substrate 11 is made of alumina ceramics, for example, an oxide such as alumina, silica, magnesia, or an organic solvent or a solvent suitable for a metal powder such as tungsten is used as the pair of main conductor layers 12 and 13. What was added and mixed into a paste was printed on a ceramic green sheet by a thick film printing method so as to completely cover at least the transmission line, and then fired at a high temperature of about 1600 ° C.
It is formed so as to have a thickness of 10 to 15 μm or more. In addition,
As the metal powder, copper / gold / silver is preferable for glass ceramics, and tungsten / molybdenum is preferable for aluminum nitride ceramics. The main conductor layer 12
The thickness of 13 is generally about 5 to 50 μm.

【0035】また、側壁用貫通導体群14を構成する貫通
導体としては、例えばビアホール導体やスルーホール導
体等により形成すればよく、その断面形状も製作が容易
な円形の他、矩形や菱形等の多角形であってもよい。こ
れら貫通導体は、例えばセラミックグリーンシートに打
ち抜き加工を施して作製した貫通孔に主導体層12・13と
同様の金属ペーストを埋め込み、しかる後、誘電体基板
11と同時に焼成し形成する。なお、これらの貫通導体は
直径50〜300 μmが適当である。
The through conductor constituting the side wall through conductor group 14 may be formed by, for example, a via-hole conductor or a through-hole conductor. It may be a polygon. These through conductors are, for example, filled with the same metal paste as the main conductor layers 12 and 13 in through holes produced by punching a ceramic green sheet, and then a dielectric substrate
Simultaneously with 11 to form. These through conductors preferably have a diameter of 50 to 300 μm.

【0036】次に、このような誘電体導波管線路を用い
た本発明の導波管型帯域通過フィルタの実施の形態の一
例を図1および図2に基づいて説明する。
Next, an example of an embodiment of the waveguide type bandpass filter of the present invention using such a dielectric waveguide will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG.

【0037】図1は本発明の導波管型帯域通過フィルタ
の実施の形態の一例を示す概略斜視図であり、図2は平
面図である。これらの図において、21は厚みaの誘電体
基板、22および23は誘電体基板21を挟持して形成された
一対の主導体層、24は所定間隔(幅)bでもって信号伝
送方向に信号波長(遮断波長λc)の2分の1未満の間
隔cで主導体層22・23間を電気的に接続して形成された
2列の側壁用貫通導体群、25は一対の主導体層22・23と
2列の側壁用貫通導体群24とで囲まれた領域によって構
成される誘電体導波管線路部である。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing an example of an embodiment of a waveguide band-pass filter of the present invention, and FIG. 2 is a plan view. In these figures, reference numeral 21 denotes a dielectric substrate having a thickness a, 22 and 23 denote a pair of main conductor layers formed to sandwich the dielectric substrate 21, and 24 denotes a signal at a predetermined interval (width) b in a signal transmission direction. Two rows of side wall penetrating conductor groups formed by electrically connecting the main conductor layers 22 and 23 at an interval c of less than half the wavelength (cutoff wavelength λc), 25 is a pair of main conductor layers 22 A dielectric waveguide line portion defined by a region surrounded by 23 and two rows of through-hole conductor groups 24 for side walls.

【0038】これら誘電体基板21、主導体層22・23およ
び側壁用貫通導体群24は、前述の本発明に用いる誘電体
導波管線路と同様にして構成される。
The dielectric substrate 21, the main conductor layers 22 and 23, and the through conductor group 24 for the side wall are configured in the same manner as the above-described dielectric waveguide line used in the present invention.

【0039】また、これらの図中に斜線を施して示した
26は、誘電体導波管線路25の内部に信号伝送方向に管内
波長λgの2分の1未満の間隔d(d<λg/2)で配
設された、主導体層22・23間を電気的に接続して誘導性
窓を形成する複数の貫通導体である。
In these figures, diagonal lines are shown.
Reference numeral 26 designates a gap between the main conductor layers 22 and 23 which is disposed in the dielectric waveguide line 25 in the signal transmission direction at an interval d (d <λg / 2) of less than half the guide wavelength λg. A plurality of through conductors that are electrically connected to form an inductive window.

【0040】本発明によれば、このように誘電体導波管
線路25の内部に誘導性窓を形成する複数の貫通導体26を
管内波長λgの2分の1未満の所定間隔dでもって配設
してそれら貫通導体26の数を調整することにより、一対
の主導体層22・23と2列の側壁用貫通導体群24とにより
構成される誘電体導波管線路25が図6に示した矩形導波
管1に相当し、複数の貫通導体26が図6に示したショー
トピン2に相当するものとなって、図6に示した矩形導
波管を用いた導波管型帯域通過フィルタと全く同じ原理
により同様の導波管型帯域通過フィルタを形成すること
ができる。
According to the present invention, a plurality of through conductors 26 forming an inductive window inside the dielectric waveguide line 25 are arranged at a predetermined interval d less than half the guide wavelength λg. By adjusting the number of the through conductors 26 and adjusting the number of the through conductors 26, a dielectric waveguide line 25 composed of a pair of main conductor layers 22 and 23 and two rows of side wall through conductor groups 24 is shown in FIG. 6 and the plurality of through conductors 26 correspond to the short pins 2 shown in FIG. 6, and a waveguide band pass using the rectangular waveguide shown in FIG. A similar waveguide type bandpass filter can be formed by the same principle as that of the filter.

【0041】このような本発明の導波管型帯域通過フィ
ルタによれば、従来の矩形導波管を用いた導波管型帯域
通過フィルタに比べて、誘電体導波管となって小型に作
製することができるため多層配線基板や半導体素子収納
用パッケージを構成する誘電体基板内に作り込むことが
でき、小型化への対応が容易な導波管型帯域通過フィル
タとなる。しかも、グリーンシート積層法等のシート積
層技術により容易に作製することができるので、生産性
が高く安価な製造が可能な導波管型帯域通過フィルタと
なる。
According to such a waveguide band-pass filter of the present invention, a dielectric waveguide is used, which is smaller than a conventional waveguide band-pass filter using a rectangular waveguide. Since it can be manufactured, it can be built in a dielectric substrate that constitutes a multilayer wiring board or a package for accommodating a semiconductor element, and a waveguide-type bandpass filter that can be easily adapted to miniaturization can be obtained. In addition, since it can be easily manufactured by a sheet laminating technique such as a green sheet laminating method, a waveguide type bandpass filter which has high productivity and can be manufactured at low cost can be obtained.

【0042】本発明の導波管型帯域通過フィルタにおい
て誘導性窓を形成する複数の貫通導体26を配設する場
合、ショートピンとして機能する貫通導体26のそれぞれ
の間隔や本数・大きさ等がフィルタ特性に複雑に関与す
る。このため、要求されるフィルタ特性を満足するよう
に電磁界解析により繰り返し計算することにより、所望
の帯域通過特性を有する導波管型帯域通過フィルタを得
ることとなる。
When a plurality of through conductors 26 forming an inductive window are provided in the waveguide type bandpass filter of the present invention, the distance, number, size, etc., of the through conductors 26 functioning as short pins are determined. Complexly involved in filter characteristics. Therefore, by repeatedly performing calculations by electromagnetic field analysis so as to satisfy the required filter characteristics, a waveguide band-pass filter having desired band-pass characteristics is obtained.

【0043】また、図1および図2に示した導波管型帯
域通過フィルタは、図4に示した誘電体導波管線路に対
して誘導性窓を形成する複数の貫通導体26を配設した構
成となっているが、これにさらに図5に示した誘電体導
波管線路のように、主導体層22・23間に主導体層22・23
と平行に側壁用貫通導体群24と電気的に接続された副導
体層を形成してもよい。そのように副導体層を形成した
場合には、側壁用貫通導体群24により形成される疑似的
な導体壁が電気的な壁としてより強化されるので、電磁
波の伝送特性や遮蔽効果をさらに高めることができ、良
好な帯域通過特性を有する導波管型帯域通過フィルタと
なる。
In the waveguide type bandpass filter shown in FIGS. 1 and 2, a plurality of through conductors 26 forming an inductive window with respect to the dielectric waveguide line shown in FIG. 4 are provided. The main conductor layers 22 and 23 are further provided between the main conductor layers 22 and 23, as in the dielectric waveguide line shown in FIG.
May be formed in parallel with the sub-conductor layer electrically connected to the side wall through conductor group 24. When the sub-conductor layer is formed in such a manner, the pseudo conductor wall formed by the side wall through conductor group 24 is further strengthened as an electric wall, so that the electromagnetic wave transmission characteristics and shielding effect are further enhanced. Thus, a waveguide-type band-pass filter having good band-pass characteristics can be obtained.

【0044】次に、図3に本発明の導波管型帯域通過フ
ィルタの実施の形態の他の例を、図2と同様の平面図で
示す。図3は図2と同じく本発明の導波管型帯域通過フ
ィルタの内部構造を示す平面図であり、図3において図
2と同様の箇所には同じ符号を付してある。
Next, FIG. 3 shows another embodiment of the waveguide band-pass filter of the present invention in a plan view similar to FIG. FIG. 3 is a plan view showing the internal structure of the waveguide band-pass filter of the present invention as in FIG. 2, and the same reference numerals in FIG. 3 denote the same parts as in FIG.

【0045】図3は誘電体導波管線路として図5に示し
た副導体層16を有する本発明に係る誘電体導波管線路を
用いて、図7に示した従来の導波管型帯域通過フィルタ
の構成を実現したものである。図3において27は誘電体
導波管線路25の内部に信号伝送方向に管内波長λcの2
分の1未満の間隔dで配設された、主導体層22・23間を
電気的に接続して誘導性窓を形成する複数の貫通導体で
あり、これら複数の貫通導体27は、図7に示したショー
ト板3と同様の誘導性窓を形成するようにして導波管内
に配設されている。
FIG. 3 shows a conventional waveguide type band shown in FIG. 7 using the dielectric waveguide line according to the present invention having the sub-conductor layer 16 shown in FIG. 5 as the dielectric waveguide line. This realizes a configuration of a pass filter. In FIG. 3, reference numeral 27 denotes the inside of the dielectric waveguide 25 in the signal transmission direction, and
A plurality of through conductors, which are arranged at an interval d of less than one part and form an inductive window by electrically connecting between the main conductor layers 22 and 23, and the plurality of through conductors 27 are shown in FIG. Are arranged in the waveguide so as to form an inductive window similar to the short plate 3 shown in FIG.

【0046】また、28は副導体層であり、この例におけ
る副導体層28は、2列の側壁用貫通導体群24とそれぞれ
の列において電気的に接続されているとともに、一対の
主導体層22・23と2列の側壁用貫通導体群24とで囲まれ
た領域によって形成される誘電体導波管線路25の内部に
延設されて誘導性窓を形成する複数の貫通導体27とそれ
ぞれの側壁用貫通導体群24側において電気的に接続さ
れ、この延設された部分により貫通導体27と共に誘導性
窓を形成している。
Reference numeral 28 denotes a sub-conductor layer. In this example, the sub-conductor layer 28 is electrically connected to the two rows of side wall penetrating conductor groups 24 in each row, and includes a pair of main conductor layers. A plurality of through conductors 27 extending inside a dielectric waveguide line 25 formed by a region surrounded by 22 · 23 and two rows of side wall through conductor groups 24 to form an inductive window; Are electrically connected to each other on the side of the side wall through-conductor group 24, and the extended portion forms an inductive window together with the through-conductor 27.

【0047】このように、複数の貫通導体27と、誘電体
導波管線路25の内部に延設されてそれら貫通導体27と電
気的に接続された副導体層28とにより形成した誘導性窓
を管内波長λgの2分の1未満の所定の間隔dで配設す
ることにより、一対の主導体層22・23と2列の側壁用貫
通導体群24とにより構成される誘電体導波管線路25が図
7に示した矩形導波管1に相当し、複数の貫通導体27と
副導体層28とにより形成される誘導性窓が図7に示した
ショート板3に相当するものとなって、図6および図7
に示した導波管型帯域通過フィルタと全く同様の原理に
より、図7に示した矩形導波管を用いた導波管型帯域通
過フィルタと同様の導波管型帯域通過フィルタを形成す
ることができる。
As described above, the inductive window formed by the plurality of through conductors 27 and the sub-conductor layer 28 extended inside the dielectric waveguide 25 and electrically connected to the through conductors 27 is formed. Are arranged at a predetermined interval d that is less than half of the guide wavelength λg, whereby a dielectric waveguide composed of a pair of main conductor layers 22 and 23 and two rows of side wall through conductor groups 24 is formed. The line 25 corresponds to the rectangular waveguide 1 shown in FIG. 7, and the inductive window formed by the plurality of through conductors 27 and the sub-conductor layers 28 corresponds to the short plate 3 shown in FIG. 6 and 7
A waveguide-type bandpass filter similar to the waveguide-type bandpass filter using the rectangular waveguide shown in FIG. 7 is formed on the same principle as the waveguide-type bandpass filter shown in FIG. Can be.

【0048】このような本発明の導波管型帯域通過フィ
ルタによっても、小型化への対応が容易で生産性が高く
安価な製造が可能な導波管型帯域通過フィルタとなる。
The waveguide band-pass filter of the present invention as described above also provides a waveguide band-pass filter that can be easily adapted to miniaturization, has high productivity, and can be manufactured at low cost.

【0049】この例のように誘導性窓を形成する複数の
貫通導体27および副導体層28を配設する場合、前述した
貫通導体26の場合と同様に、要求されるフィルタ仕様を
満足するように解析シミュレータを用いて、所望の帯域
通過特性を有する導波管型帯域通過フィルタを得ること
となる。
In the case where a plurality of through conductors 27 and sub-conductor layers 28 forming an inductive window are provided as in this example, as in the case of the above-described through conductor 26, the required filter specifications are satisfied. By using an analysis simulator, a waveguide band-pass filter having desired band-pass characteristics is obtained.

【0050】なお、複数の貫通導体26・27は、側壁用貫
通導体群24の貫通導体と同様に前述のようにして形成す
ればよい。また、その断面形状は円形に限られず、所望
の帯域通過特性に応じて楕円形や三角形・四角形・多角
形、あるいは平板状としてもよいものである。
The plurality of through conductors 26 and 27 may be formed as described above, similarly to the through conductors of the side wall through conductor group 24. Further, the cross-sectional shape is not limited to a circle, but may be an ellipse, a triangle, a square, a polygon, or a flat plate according to a desired band-pass characteristic.

【0051】なお、本発明は以上の実施の形態の例に限
定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々の変更や改良を施すことは何ら差し支えない。例
えば、以上の例では共振部が4段(L1 〜L4 )のフィ
ルタとしたが、フィルタの仕様に応じて多段のフィルタ
としてもよい。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and that various changes and improvements can be made without departing from the scope of the present invention. For example, in the above example, the filter has four stages (L 1 to L 4 ) of the resonance unit, but a multi-stage filter may be used according to the specifications of the filter.

【0052】[0052]

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の導波管型帯
域通過フィルタによれば、誘電体導波管線路の内部に、
誘電体基板を挟持する一対の主導体層間を電気的に接続
して誘導性窓を形成する複数の貫通導体を信号伝送方向
に管内波長λgの2分の1未満の間隔で配設したことか
ら、誘電体導波管となって従来の矩形導波管を用いた導
波管型帯域通過フィルタに比べて小型に作製することが
できるため多層配線基板等の誘電体基板内に作り込むこ
とができ、小型化への対応が容易な導波管型帯域通過フ
ィルタとなり、しかも、グリーンシート積層法等のシー
ト積層技術により容易に作製することができるので、生
産性が高く安価な製造が可能な導波管型帯域通過フィル
タとなる。
As described above in detail, according to the waveguide band-pass filter of the present invention, the inside of the dielectric waveguide line is
Because a plurality of through conductors that electrically connect the pair of main conductor layers sandwiching the dielectric substrate to form an inductive window are arranged in the signal transmission direction at an interval of less than half the guide wavelength λg. Since it is a dielectric waveguide, it can be made smaller than a conventional waveguide type band-pass filter using a rectangular waveguide, so that it can be built in a dielectric substrate such as a multilayer wiring board. It is a waveguide bandpass filter that can be easily adapted to miniaturization, and can be easily manufactured by a sheet laminating technique such as a green sheet laminating method, so that high productivity and inexpensive manufacturing are possible. It becomes a waveguide type band pass filter.

【0053】また、本発明の導波管型帯域通過フィルタ
によれば、主導体層間に側壁用貫通導体群と電気的に接
続された副導体層を主導体層と平行に形成した場合に
は、側壁用貫通導体群により形成される疑似的な導体壁
が電気的な壁としてより強化されるので、電磁波の伝送
特性や遮蔽効果をさらに高めることができ、良好な帯域
通過特性を有する導波管型帯域通過フィルタとなる。
According to the waveguide bandpass filter of the present invention, when the sub-conductor layer electrically connected to the side wall through conductor group is formed between the main conductor layers in parallel with the main conductor layer. Since the pseudo conductor wall formed by the through conductor group for the side wall is further strengthened as an electrical wall, the transmission characteristics and shielding effect of the electromagnetic wave can be further enhanced, and the waveguide having a good bandpass characteristic can be obtained. It becomes a tubular band-pass filter.

【0054】さらに、本発明の導波管型帯域通過フィル
タによれば、副導体層を誘電体導波管線路の内部に延設
して誘導性窓を形成する貫通導体と電気的に接続し、貫
通導体と共に誘導性窓を形成するようにした場合には、
誘導性窓を形成する導体の部分が多くなるため、導体へ
の電流の集中が緩和され、導体によるエネルギーの損失
が小さくなることから、より優れた特性を有するものと
なる。
Further, according to the waveguide type bandpass filter of the present invention, the sub-conductor layer extends inside the dielectric waveguide line and is electrically connected to the through conductor forming the inductive window. In the case where an inductive window is formed together with the through conductor,
Since the number of conductors forming the inductive window is increased, current concentration on the conductors is reduced, and energy loss due to the conductors is reduced, resulting in more excellent characteristics.

【0055】以上により、本発明によれば、誘電体導波
管線路を用いた導波管型帯域通過フィルタとして、生産
性が高く小型化にも対応できる導波管型帯域通過フィル
タを提供することができた。
As described above, according to the present invention, there is provided a waveguide type band pass filter which is highly productive and can be miniaturized as a waveguide type band pass filter using a dielectric waveguide line. I was able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の導波管型帯域通過フィルタの実施の形
態の一例を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an example of an embodiment of a waveguide band-pass filter of the present invention.

【図2】本発明の導波管型帯域通過フィルタの実施の形
態の一例を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing an example of an embodiment of a waveguide band-pass filter according to the present invention.

【図3】本発明の導波管型帯域通過フィルタの実施の形
態の他の例を示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing another example of the embodiment of the waveguide band-pass filter of the present invention.

【図4】本発明の導波管型帯域通過フィルタに係る誘電
体導波管線路を説明するための斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view for explaining a dielectric waveguide line according to the waveguide band-pass filter of the present invention.

【図5】本発明の導波管型帯域通過フィルタに係る誘電
体導波管線路を説明するための斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view illustrating a dielectric waveguide line according to the waveguide band-pass filter of the present invention.

【図6】従来の導波管型帯域通過フィルタの例を示す斜
視図である。
FIG. 6 is a perspective view showing an example of a conventional waveguide band-pass filter.

【図7】従来の導波管型帯域通過フィルタの他の例を示
す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view showing another example of a conventional waveguide band-pass filter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11、21・・・・・・・・誘電体基板 12、13、22、23・・・・主導体層 14、24・・・・・・・・側壁用貫通導体群 15、25・・・・・・・・誘電体導波管線路 26、27・・・・・・・・貫通導体 16、28・・・・・・・・副導体層 11, 21 ... Dielectric substrate 12, 13, 22, 23 ... Main conductor layer 14, 24 ... Through-hole conductor group for side wall 15, 25 ... ..... Dielectric waveguide lines 26, 27 ...

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 誘電体基板を挟持する一対の主導体層
と、信号伝送方向に信号波長の2分の1未満の間隔で前
記主導体層間を電気的に接続して形成された2列の側壁
用貫通導体群とを具備して成り、前記主導体層および側
壁用貫通導体群に囲まれた領域によって高周波信号を伝
送する誘電体導波管線路の内部に、前記主導体層間を電
気的に接続して誘導性窓を形成する複数の貫通導体が前
記信号伝送方向に管内波長の2分の1未満の間隔で配設
されていることを特徴とする導波管型帯域通過フィル
タ。
A pair of main conductor layers sandwiching a dielectric substrate, and two rows of main conductor layers formed by electrically connecting the main conductor layers at intervals of less than half the signal wavelength in a signal transmission direction. A side wall penetrating conductor group, and electrically connects the main conductor layer to the inside of a dielectric waveguide line transmitting a high-frequency signal by a region surrounded by the main conductor layer and the side wall penetrating conductor group. A plurality of through conductors that are connected to each other to form an inductive window are disposed in the signal transmission direction at an interval of less than half the guide wavelength.
【請求項2】 前記主導体層間に、前記側壁用貫通導体
群と電気的に接続された副導体層が前記主導体層と平行
に形成されていることを特徴とする請求項1記載の導波
管型帯域通過フィルタ。
2. The conductor according to claim 1, wherein a sub-conductor layer electrically connected to said side wall through conductor group is formed between said main conductor layers in parallel with said main conductor layer. Wave tube type band pass filter.
【請求項3】 前記副導体層が、前記誘電体導波管線路
の内部に延設されて前記貫通導体と電気的に接続され、
該貫通導体と共に前記誘導性窓を形成していることを特
徴とする請求項2記載の導波管型帯域通過フィルタ。
3. The sub-conductor layer extends inside the dielectric waveguide and is electrically connected to the through conductor.
3. The waveguide band-pass filter according to claim 2, wherein said inductive window is formed together with said through conductor.
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