JPH11256056A - Benzopyrromethene-metal chelate compound and optical recording medium containing the sane - Google Patents
Benzopyrromethene-metal chelate compound and optical recording medium containing the saneInfo
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、新規なベンゾピロ
メテン金属キレート化合物、及びこれを用いた、従来に
比較して高密度に記録および再生可能な光記録媒体に関
する。The present invention relates to a novel benzopyrromethene metal chelate compound and an optical recording medium using the same, which can record and reproduce data at a higher density than before.
【0002】[0002]
【従来の技術】現在、CDと比較して大容量な光記録媒
体として、容量4.7GBであるDVDが開発され、商
品化されている。DVDは再生専用媒体であるので、こ
の容量に見合った記録再生可能な光記録媒体が望まれて
いる。その中でも、追記型のものはDVD−Rと呼ぶ。2. Description of the Related Art At present, a DVD having a capacity of 4.7 GB has been developed and commercialized as an optical recording medium having a larger capacity than a CD. Since a DVD is a read-only medium, an optical recording medium capable of recording and reproducing data corresponding to the capacity is desired. Among them, the write-once type is called DVD-R.
【0003】DVDでは高密度記録を行うためにレーザ
ー光の発振波長が630nm〜680nm近傍とCDの
場合より短波長化している。このような短波長用途の有
機色素系光記録媒体の色素としては、シアニン、アゾ、
ベンゾピラン、ベンゾジフラノン、インジゴ、ジオキサ
ジン、ポルフィリン系色素等が提案されており、特開平
4−74690号公報、特開平5−38878号公報、
特開平6−40161号公報、特開平6−40162号
公報、特開平6−199045号公報、特開平6−33
6086号公報、特開平7−76169号公報、特開平
7−125441号公報、特開平7−262604号公
報、特開平9−156218号公報、特開平9−193
544号公報、特開平9−193545号公報、特開平
9−193547号公報、特開平9−194748号公
報、特開平9−202052号公報、特開平9−267
562号公報、特開平9−274732号公報等がある
が、耐久性の問題や、特に短波長用途に固有の問題、例
えば、絞られたレーザー光で小さいピットを開けるべき
ところが、周りへの影響が大きく分布の大きいピットに
なり、ジッターが大きくなったり、半径方向へのクロス
トークが悪化する、あるいはピットが極端に小さくなっ
て十分な変調度がとれない、などについてはなんら解決
されていないのが現状である。[0003] In order to perform high-density recording in DVDs, the oscillation wavelength of laser light is shorter than 630 nm to 680 nm as compared with CDs. Dyes of such organic dye-based optical recording media for short wavelength use include cyanine, azo,
Benzopyran, benzodifuranone, indigo, dioxazine, porphyrin dyes and the like have been proposed, JP-A-4-74690, JP-A-5-38878,
JP-A-6-40161, JP-A-6-40162, JP-A-6-199045, JP-A-6-33
6086, JP-A-7-76169, JP-A-7-125441, JP-A-7-262604, JP-A-9-156218, JP-A-9-193
544, JP-A-9-193545, JP-A-9-193747, JP-A-9-194748, JP-A-9-202052, JP-A-9-267
562, JP-A-9-274732 and the like, there is a problem of durability, especially a problem specific to a short wavelength application, for example, a place where a small pit should be opened with a narrowed laser beam has an influence on surroundings. There is no solution to the problem of large pits with large distribution, increased jitter, worse crosstalk in the radial direction, or extremely small pits and insufficient modulation. Is the current situation.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、新規
なベンゾピロメテン金属キレート化合物、及びこれを含
有する、波長520〜690nmの短波長レーザーでの
記録および再生が可能な高密度記録に適した光記録媒体
を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a novel benzopyrromethene metal chelate compound which is suitable for high-density recording capable of recording and reproducing with a short wavelength laser having a wavelength of 520 to 690 nm. An optical recording medium is provided.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明は、 下記一般式(1)で示されるベンゾピロメテン系化合
物と金属イオンとのベンゾピロメテン金属キレート化合
物、Means for Solving the Problems The present inventors have made intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, completed the present invention. That is, the present invention provides a benzopyrromethene metal chelate compound of a benzopyrromethene compound represented by the following general formula (1) and a metal ion:
【0006】[0006]
【化4】 Embedded image
【0007】[式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、
R7、R8及びR9は各々独立に水素原子、ハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、カ
ルボキシル基、スルホン酸基、炭素数1〜20のアルキ
ル基、ハロゲノアルキル基、アルコキシアルキル基、ア
ルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アリールオキシ
基、ジアルキルアミノアルコキシ基、アルキルチオアル
コキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルキ
ルアミノカルボニル基、ジアルキルアミノカルボニル
基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニル
アミノ基、アリールアミノカルボニル基、アリールオキ
シカルボニル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロア
リール基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニ
ルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル
基、アルコキシカルボニルアルコキシカルボニル基、ア
ルキルカルボニルアルコキシカルボニル基、モノ(ヒド
ロキシアルキル)アミノカルボニル基、ジ(ヒドロキシ
アルキル)アミノカルボニル基、モノ(アルコキシアル
キル)アミノカルボニル基、ジ(アルコキシアルキル)
アミノカルボニル基または炭素数2〜20のアルケニル
基を表す。但し、R2とR3は結合して芳香環を形成して
も良い。] 下記一般式(2)で示される記載のベンゾピロメテ
ン金属キレート化合物、[Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 ,
R 7 , R 8 and R 9 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, a hydroxy group, an amino group, a carboxyl group, a sulfonic acid group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenoalkyl group, Alkoxyalkyl group, alkoxy group, alkoxyalkoxy group, aryloxy group, dialkylaminoalkoxy group, alkylthioalkoxy group, acyl group, alkoxycarbonyl group, alkylaminocarbonyl group, dialkylaminocarbonyl group, alkylcarbonylamino group, arylcarbonylamino group , Arylaminocarbonyl, aryloxycarbonyl, aralkyl, aryl, heteroaryl, alkylthio, arylthio, alkenyloxycarbonyl, aralkyloxycarbonyl, alkoxycarbonyl Alkoxycarbonyl group, alkylcarbonylalkoxycarbonyl group, mono (hydroxyalkyl) aminocarbonyl group, di (hydroxyalkyl) aminocarbonyl group, mono (alkoxyalkyl) aminocarbonyl group, di (alkoxyalkyl)
Represents an aminocarbonyl group or an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms. However, R 2 and R 3 may combine to form an aromatic ring. A benzopyrromethene metal chelate compound represented by the following general formula (2):
【0008】[0008]
【化5】 [式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8及び
R9は前記一般式(1)と同じ意味を表し、Mはニッケ
ル、コバルト、鉄、ルテニウム、ロジウム、パラジウ
ム、銅、オスミウム、イリジウム、白金、マンガンまた
は亜鉛を表す。]Embedded image [Wherein, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 and R 9 have the same meaning as in the general formula (1), and M represents nickel, cobalt, iron , Ruthenium, rhodium, palladium, copper, osmium, iridium, platinum, manganese or zinc. ]
【0009】下記一般式(3)で示されるベンゾピロ
メテン金属キレート化合物、A benzopyrromethene metal chelate compound represented by the following general formula (3):
【0010】[0010]
【化6】 Embedded image
【0011】[式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、
R7、R8及びR9は前記一般式(1)と同じ意味を表
し、R10及びR11は各々独立にハロゲン原子、炭素数1
〜20のアルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテ
ロアリール基、又はアルコキシ基を表す。]Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 ,
R 7 , R 8 and R 9 have the same meaning as in the above formula (1), and R 10 and R 11 each independently represent a halogen atom,
To 20 alkyl groups, aralkyl groups, aryl groups, heteroaryl groups, or alkoxy groups. ]
【0012】基板上に、少なくとも記録層及び反射層
を有する光記録媒体において、記録層中に、〜のい
ずれかに記載のベンゾピロメテン金属キレート化合物を
含有する光記録媒体、 波長520〜690nmの範囲から選択されるレーザ
ー光に対して記録及び再生が可能である記載の光記録
媒体、に関するものである。An optical recording medium having at least a recording layer and a reflective layer on a substrate, wherein the recording layer contains the benzopyrromethene metal chelate compound according to any of the above, and a wavelength of 520 to 690 nm. The present invention relates to an optical recording medium described in which recording and reproduction can be performed with respect to a selected laser beam.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】本発明の記録層に含有される一般
式(1)で示されるベンゾピロメテン系化合物と金属イ
オンとのベンゾピロメテン金属キレート化合物の具体例
をつぎに述べる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Specific examples of a benzopyrromethene metal chelate compound of a benzopyrromethene compound represented by the general formula (1) and a metal ion contained in the recording layer of the present invention will be described below.
【0014】R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8
及びR9はの具体例としては、水素原子;ニトロ基;シ
アノ基;ヒドロキシ基;アミノ基;カルボキシル基;ス
ルホン基;フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン原
子;メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso−プ
ロピル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、sec−
ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、iso−ペ
ンチル基、2−メチルブチル基、1−メチルブチル基、
neo−ペンチル基、1,2−ジメチルプロピル基、
1,1−ジメチルプロピル基、cyclo−ペンチル
基、n−ヘキシル基、4−メチルペンチル基、3−メチ
ルペンチル基、2−メチルペンチル基、1−メチルペン
チル基、3,3−ジメチルブチル基、2,3−ジメチル
ブチル基、1,3−ジメチルブチル基、2,2−ジメチ
ルブチル基、1,2−ジメチルブチル基、1,1−ジメ
チルブチル基、3−エチルブチル基、2−エチルブチル
基、1−エチルブチル基、1,2,2−トリメチルブチ
ル基、1,1,2−トリメチルブチル基、1−エチル−
2−メチルプロピル基、cyclo−ヘキシル基、n−
ヘプチル基、2−メチルヘキシル基、3−メチルヘキシ
ル基、4−メチルヘキシル基、5−メチルヘキシル基、
2,4−ジメチルペンチル基、n−オクチル基、2−エ
チルヘキシル基、2,5−ジメチルヘキシル基、2,
5,5−トリエチルペンチル基、2,4−ジメチルヘキ
シル基、2,2,4−トリメチルペンチル基、n−ノニ
ル基、3,5,5−トリメチルヘキシル基、n−デシル
基、4−エチルオクチル基、4−エチル−4,5−ジメ
チルヘキシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、
1,3,5,7−テトラメチルオクチル基、4−ブチル
オクチル基、6,6−ジエチルオクチル基、n−トリデ
シル基、6−メチル−4−ブチルオクチル基、6,6−
ジエチルオクチル基、n−テトラデシル基、n−ペンタ
デシル基、3,5−ジメチルヘプチル基、2,6−ジメ
チルヘプチル基、2,4−ジメチルヘプチル基、2,
2,5,5−テトラメチルヘキシル基、1−cyclo
−ペンチル−2,2−ジメチルプロピル基、1−cyc
lo−ヘキシル−2,2−ジメチルプロピル基等の炭素
数1〜20の直鎖、分岐又は環状のアルキル基;R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8
And R 9 are, for example, a hydrogen atom; a nitro group; a cyano group; a hydroxy group; an amino group; a carboxyl group; a sulfone group; a halogen atom of fluorine, chlorine, bromine or iodine; Propyl group, iso-propyl group, n-butyl group, iso-butyl group, sec-
Butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, iso-pentyl group, 2-methylbutyl group, 1-methylbutyl group,
neo-pentyl group, 1,2-dimethylpropyl group,
1,1-dimethylpropyl group, cyclo-pentyl group, n-hexyl group, 4-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 1-methylpentyl group, 3,3-dimethylbutyl group, 2,3-dimethylbutyl group, 1,3-dimethylbutyl group, 2,2-dimethylbutyl group, 1,2-dimethylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 3-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 1,2,2-trimethylbutyl group, 1,1,2-trimethylbutyl group, 1-ethyl-
2-methylpropyl group, cyclo-hexyl group, n-
Heptyl group, 2-methylhexyl group, 3-methylhexyl group, 4-methylhexyl group, 5-methylhexyl group,
2,4-dimethylpentyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, 2,5-dimethylhexyl group, 2,
5,5-triethylpentyl group, 2,4-dimethylhexyl group, 2,2,4-trimethylpentyl group, n-nonyl group, 3,5,5-trimethylhexyl group, n-decyl group, 4-ethyloctyl Group, 4-ethyl-4,5-dimethylhexyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group,
1,3,5,7-tetramethyloctyl group, 4-butyloctyl group, 6,6-diethyloctyl group, n-tridecyl group, 6-methyl-4-butyloctyl group, 6,6-
Diethyloctyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, 3,5-dimethylheptyl group, 2,6-dimethylheptyl group, 2,4-dimethylheptyl group, 2,
2,5,5-tetramethylhexyl group, 1-cyclo
-Pentyl-2,2-dimethylpropyl group, 1-cyc
a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as a lo-hexyl-2,2-dimethylpropyl group;
【0015】クロロメチル基、ジクロロメチル基、フル
オロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロ
エチル基、ノナフルオロブチル基等のハロゲノアルキル
基;メトキシエチル基、エトキシエチル基、iso−プ
ロピルオキシエチル基、3−メトキシプロピル基、2−
メトキシブチル基等のアルコキシアルキル基;メトキシ
基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキ
シ基、n−ブトキシ基、iso−ブトキシ基、sec−
ブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペントキシ基、is
o−ペントキシ基、neo−ペントキシ基、n−ヘキシ
ルオキシ基、n−ドデシルオキシ基等のアルコキシ基;
メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、3−(is
o−プロピルオキシ)プロピルオキシ基等のアルコキシ
アルコキシ基;フェノキシ基、2−メチルフェノキシ
基、4−メチルフェノキシ基、4−t−ブチルフェノキ
シ基、2−メトキシフェノキシ基、4−iso−プロピ
ルフェノキシ基等のアリールオキシ基;2−ジメチルア
ミノエトキシ基、2−(2−ジメチルアミノエトキシ)
エトキシ基、4−ジメチルアミノブトキシ基、1−ジメ
チルアミノプロパン−2−イルオキシ基、3−ジメチル
アミノプロポキシ基、2−ジメチルアミノ−2−メチル
プロポキシ基、2−ジエチルアミノエトキシ基、2−
(2−ジエチルアミノエトキシ)エトキシ基、3−ジエ
チルアミノプロポキシ基、1−ジエチルアミノプロポキ
シ基、2−ジ−iso−プロピルアミノエトキシ基、2
−ジ−n−ブチルアミノアミノエトキシ基等の直鎖又は
分岐のジアルキルアミノアルコキシ基;Halogenoalkyl groups such as chloromethyl group, dichloromethyl group, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group and nonafluorobutyl group; methoxyethyl group, ethoxyethyl group, iso-propyloxyethyl group; 3-methoxypropyl group, 2-
Alkoxyalkyl groups such as methoxybutyl group; methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, iso-butoxy group, sec-
Butoxy group, t-butoxy group, n-pentoxy group, is
alkoxy groups such as o-pentoxy group, neo-pentoxy group, n-hexyloxy group, n-dodecyloxy group;
Methoxyethoxy group, ethoxyethoxy group, 3- (is
an alkoxyalkoxy group such as an o-propyloxy) propyloxy group; a phenoxy group, a 2-methylphenoxy group, a 4-methylphenoxy group, a 4-t-butylphenoxy group, a 2-methoxyphenoxy group, a 4-iso-propylphenoxy group Aryloxy group such as 2-dimethylaminoethoxy group and 2- (2-dimethylaminoethoxy)
Ethoxy group, 4-dimethylaminobutoxy group, 1-dimethylaminopropan-2-yloxy group, 3-dimethylaminopropoxy group, 2-dimethylamino-2-methylpropoxy group, 2-diethylaminoethoxy group, 2-
(2-diethylaminoethoxy) ethoxy, 3-diethylaminopropoxy, 1-diethylaminopropoxy, 2-di-iso-propylaminoethoxy, 2
A linear or branched dialkylaminoalkoxy group such as -di-n-butylaminoaminoethoxy group;
【0016】2−メチルチオエトキシ基、2−エチルチ
オエトキシ基、2−n−プロピルチオエトキシ基、2−
iso−プロピルチオエトキシ基、2−n−ブチルチオ
エトキシ基、2−iso−ブチルチオエトキシ基等のア
ルキルチオアルコキシ基;ホルミル基、アセチル基、エ
チルカルボニル基、n−プロピルカルボニル基、iso
−プロピルカルボニル基、n−ブチルカルボニル基、n
−ペンチルカルボニル基、iso−ペンチルカルボニル
基、neo−ペンチルカルボニル基、2−メチルブチル
カルボニル基、ニトロベンジルカルボニル基等のアシル
基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、イ
ソプロピルオキシカルボニル基、2,4−ジメチルブチ
ルオキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;メ
チルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、
n−プロピルアミノカルボニル基、n−ブチルアミノカ
ルボニル基、n−ヘキシルアミノカルボニル基等のアル
キルアミノカルボニル基;フェニルカルボニルアミノ
基、4−エチルフェニルカルボニルアミノ基、3−ブチ
ルフェニルカルボニルアミノ基等のアリールカルボニル
アミノ基;ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミ
ノカルボニル基、ジ−n−プロピルアミノカルボニル
基、ジ−n−ブチルアミノカルボニル基、N−メチル−
N−シクロヘキシルアミノカルボニル基等のジアルキル
アミノカルボニル基;2-methylthioethoxy group, 2-ethylthioethoxy group, 2-n-propylthioethoxy group, 2-
alkylthioalkoxy groups such as iso-propylthioethoxy group, 2-n-butylthioethoxy group and 2-iso-butylthioethoxy group; formyl group, acetyl group, ethylcarbonyl group, n-propylcarbonyl group, iso
-Propylcarbonyl group, n-butylcarbonyl group, n
Acyl groups such as -pentylcarbonyl group, iso-pentylcarbonyl group, neo-pentylcarbonyl group, 2-methylbutylcarbonyl group and nitrobenzylcarbonyl group; methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, isopropyloxycarbonyl group, 2,4- An alkoxycarbonyl group such as a dimethylbutyloxycarbonyl group; a methylaminocarbonyl group, an ethylaminocarbonyl group,
alkylaminocarbonyl groups such as n-propylaminocarbonyl group, n-butylaminocarbonyl group and n-hexylaminocarbonyl group; aryl groups such as phenylcarbonylamino group, 4-ethylphenylcarbonylamino group and 3-butylphenylcarbonylamino group Carbonylamino group; dimethylaminocarbonyl group, diethylaminocarbonyl group, di-n-propylaminocarbonyl group, di-n-butylaminocarbonyl group, N-methyl-
A dialkylaminocarbonyl group such as an N-cyclohexylaminocarbonyl group;
【0017】アセチルアミノ基、エチルカルボニルアミ
ノ基、ブチルカルボニルアミノ基等のアルキルカルボニ
ルアミノ基;フェニルアミノカルボニル基、4−メチル
フェニルアミノカルボニル基、2−メトキシフェニルア
ミノカルボニル基、4−n−プロピルフェニルアミノカ
ルボニル基等のアリールアミノカルボニル基;フェノキ
シカルボニル基、2−メチルフェノキシカルボニル基、
4−メトキシフェニルカルボニル基、4−t−ブチルフ
ェノキシカルボニル基等のアリールオキシカルボニル
基;ベンジル基、ニトロベンジル基、シアノベンジル
基、ヒドロキシベンジル基、メチルベンジル基、トリメ
チルベンジル基、ジクロロベンジル基、メトキシベンジ
ル基、エトキシベンジル基、トリフルオロベンジル基、
ナフチルメチル基、ニトロナフチルメチル基、シアノナ
フチルメチル基、トリフルオロメチルナフチルメチル基
等のアラルキル基;Alkylcarbonylamino groups such as acetylamino group, ethylcarbonylamino group and butylcarbonylamino group; phenylaminocarbonyl group, 4-methylphenylaminocarbonyl group, 2-methoxyphenylaminocarbonyl group and 4-n-propylphenyl An arylaminocarbonyl group such as an aminocarbonyl group; a phenoxycarbonyl group, a 2-methylphenoxycarbonyl group,
Aryloxycarbonyl groups such as 4-methoxyphenylcarbonyl group and 4-t-butylphenoxycarbonyl group; benzyl group, nitrobenzyl group, cyanobenzyl group, hydroxybenzyl group, methylbenzyl group, trimethylbenzyl group, dichlorobenzyl group, methoxy Benzyl group, ethoxybenzyl group, trifluorobenzyl group,
Aralkyl groups such as naphthylmethyl group, nitronaphthylmethyl group, cyanonaphthylmethyl group, trifluoromethylnaphthylmethyl group;
【0018】フェニル基、ニトロフェニル基、シアノフ
ェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル基、
ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、ジクロロ
フェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル
基、トリフルオロメチルフェニル基、N,N−ジメチル
アミノフェニル基、ナフチル基、ニトロナフチル基、シ
アノナフチル基、ヒドロキシナフチル基、メチルナフチ
ル基、トリフルオロメチルナフチル基等のアリール基;
ピロリル基、チエニル基、フラニル基、オキサゾイル
基、イソオキサゾイル基、オキサジアゾイル基、イミダ
ゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチアゾイル
基、イミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチ
アゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフラニル
基、インドリル基等のヘテロアリール基;メチルチオ
基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基、iso−プロ
ピルチオ基、n−ブチルチオ基、iso−ブチルチオ
基、sec−ブチルチオ基、t−ブチルチオ基、n-ペン
チルチオ基、iso−ペンチルチオ基、2−メチルブチ
ルチオ基、1−メチルブチルチオ基、neo−ペンチル
チオ基、1,2−ジメチルプロピルチオ基、1,1−ジ
メチルプロピルチオ基等のアルキルチオ基;フェニルチ
オ基、4−メチルフェニルチオ基、2−メトキシフェニ
ルチオ基、4−t−ブチルフェニルチオ基等のアリール
チオ基;Phenyl, nitrophenyl, cyanophenyl, hydroxyphenyl, methylphenyl,
Dimethylphenyl, trimethylphenyl, dichlorophenyl, methoxyphenyl, ethoxyphenyl, trifluoromethylphenyl, N, N-dimethylaminophenyl, naphthyl, nitronaphthyl, cyanonaphthyl, hydroxynaphthyl, methyl Aryl groups such as naphthyl group and trifluoromethylnaphthyl group;
Pyrrolyl group, thienyl group, furanyl group, oxazoyl group, isoxazoyl group, oxadiazoyl group, imidazoyl group, benzoxazoyl group, benzothiazoyl group, imidazoyl group, benzooxazoyl group, benzothiazoyl group, benzimidazoyl group, benzofuranyl Groups, heteroaryl groups such as an indolyl group; methylthio group, ethylthio group, n-propylthio group, iso-propylthio group, n-butylthio group, iso-butylthio group, sec-butylthio group, t-butylthio group, n-pentylthio group An alkylthio group such as an iso-pentylthio group, a 2-methylbutylthio group, a 1-methylbutylthio group, a neo-pentylthio group, a 1,2-dimethylpropylthio group, a 1,1-dimethylpropylthio group; a phenylthio group, 4-methylphenylthio Group, 2-methoxyphenyl thio group, an arylthio group such as 4-t-butylphenyl thio group;
【0019】アリルオキシカルボニル基、2−ブテノキ
シカルボニル基等のアルケニルオキシカルボニル基;ベ
ンジルオキシカルボニル基、フェネチルオキシカルボニ
ル基等のアラルキルオキシカルボニル基;メトキシカル
ボニルメトキシカルボニル基、エトキシカルボニルメト
キシカルボニル基、n−プロポキシカルボニルメトキシ
カルボニル基、イソプロポキシカルボニルメトキシカル
ボニル基等のアルコキシカルボニルアルコキシカルボニ
ル基;メチルカルボニルメトキシカルボニル基、エチル
カルボニルメトキシカルボニル基等のアルキルカルボニ
ルアルコキシカルボニル基;ヒドロキシエチルアミノカ
ルボニル基、2−ヒドロキシプロピルアミノカルボニル
基、3−ヒドロキシプロピルアミノカルボニル基等のモ
ノ(ヒドロキシアルキル)アミノカルボニル基;ジ(ヒ
ドロキシエチル)アミノカルボニル基、ジ(2−ヒドロ
キシプロピル)アミノカルボニル基、ジ(3-ヒドロキ
シプロピル)アミノカルボニル基等のジ(ヒドロキシア
ルキル)アミノカルボニル基;Alkenyloxycarbonyl groups such as allyloxycarbonyl group and 2-butenoxycarbonyl group; aralkyloxycarbonyl groups such as benzyloxycarbonyl group and phenethyloxycarbonyl group; methoxycarbonylmethoxycarbonyl group and ethoxycarbonylmethoxycarbonyl group; alkoxycarbonylalkoxycarbonyl groups such as n-propoxycarbonylmethoxycarbonyl group and isopropoxycarbonylmethoxycarbonyl group; alkylcarbonylalkoxycarbonyl groups such as methylcarbonylmethoxycarbonyl group and ethylcarbonylmethoxycarbonyl group; hydroxyethylaminocarbonyl group and 2-hydroxy Mono (hydroxyamino) groups such as propylaminocarbonyl group and 3-hydroxypropylaminocarbonyl group; Kill) aminocarbonyl group; di (hydroxyethyl) aminocarbonyl group, di (2-hydroxypropyl) aminocarbonyl group, di (3-hydroxypropyl) di (hydroxyalkyl) aminocarbonyl group such as an amino group;
【0020】メトキシメチルアミノカルボニル基、メト
キシエチルアミノカルボニル基、エトキシメチルアミノ
カルボニル基、エトキシエチルアミノカルボニル基、プ
ロポキシメチルアミノカルボニル基、エトキシエチルア
ミノカルボニル基、プロポキシエチルアミノカルボニル
基等のモノ(アルコキシアルキル)アミノカルボニル
基;ジ(メトキシエチル)アミノカルボニル基、ジ(エ
トキシメチル)アミノカルボニル基、ジ(エトキシエチ
ル)アミノカルボニル基、ジ(プロポキシエチル)アミ
ノカルボニル基等のジ(アルコキシアルキル)アミノカ
ルボニル基;ビニル基、プロペニル基、1−ブテニル
基、iso−ブテニル基、1−ペンテニル基、2−ペン
テニル基、2−メチル−1−ブテニル基、3−メチル−
1−ブテニル基、2−メチル−2−ブテニル基、2,2
−ジシアノビニル基、2−シアノ−2−メチルカルボキ
シルビニル基、2−シアノ−2−メチルスルホンビニル
基等の炭素数2〜20のアルケニル等が挙げられる。Mono (alkoxyalkyl) such as methoxymethylaminocarbonyl, methoxyethylaminocarbonyl, ethoxymethylaminocarbonyl, ethoxyethylaminocarbonyl, propoxymethylaminocarbonyl, ethoxyethylaminocarbonyl, propoxyethylaminocarbonyl, etc. ) Aminocarbonyl group; di (alkoxyalkyl) aminocarbonyl group such as di (methoxyethyl) aminocarbonyl group, di (ethoxymethyl) aminocarbonyl group, di (ethoxyethyl) aminocarbonyl group, di (propoxyethyl) aminocarbonyl group A vinyl group, a propenyl group, a 1-butenyl group, an iso-butenyl group, a 1-pentenyl group, a 2-pentenyl group, a 2-methyl-1-butenyl group, a 3-methyl-
1-butenyl group, 2-methyl-2-butenyl group, 2,2
Alkenyl having 2 to 20 carbon atoms such as -dicyanovinyl group, 2-cyano-2-methylcarboxylvinyl group, and 2-cyano-2-methylsulfonevinyl group.
【0021】R10及びR11の具体例としては、メチル
基、エチル基、n−プロピル基、iso−プロピル基、
n−ブチル基、iso−ブチル基、sec−ブチル基、
t−ブチル基、n−ペンチル基、iso−ペンチル基、
2−メチルブチル基、1−メチルブチル基、neo−ペ
ンチル基、1,2−ジメチルプロピル基、1,1−ジメ
チルプロピル基、cyclo−ペンチル基、n−ヘキシ
ル基、4−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、
2−メチルペンチル基、1−メチルペンチル基、3,3
−ジメチルブチル基、2,3−ジメチルブチル基、1,
3−ジメチルブチル基、2,2−ジメチルブチル基、
1,2−ジメチルブチル基、1,1−ジメチルブチル
基、3−エチルブチル基、2−エチルブチル基、1−エ
チルブチル基、1,2,2−トリメチルブチル基、1,
1,2−トリメチルブチル基、1−エチル−2−メチル
プロピル基、cyclo−ヘキシル基、n−ヘプチル
基、2−メチルヘキシル基、3−メチルヘキシル基、4
−メチルヘキシル基、5−メチルヘキシル基、2,4−
ジメチルペンチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキ
シル基、2,5−ジメチルヘキシル基、2,5,5−ト
リエチルペンチル基、2,4−ジメチルヘキシル基、
2,2,4−トリメチルペンチル基、n−ノニル基、
3,5,5−トリメチルヘキシル基、n−デシル基、4
−エチルオクチル基、4−エチル−4,5−ジメチルヘ
キシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、1,
3,5,7−テトラメチルオクチル基、4−ブチルオク
チル基、6,6−ジエチルオクチル基、n−トリデシル
基、6−メチル−4−ブチルオクチル基、6,6−ジエ
チルオクチル基、n−テトラデシル基、n−ペンタデシ
ル基、3,5−ジメチルヘプチル基、2,6−ジメチル
ヘプチル基、2,4−ジメチルヘプチル基、2,2,
5,5−テトラメチルヘキシル基、1−cyclo−ペ
ンチル−2,2−ジメチルプロピル基、1−cyclo
−ヘキシル−2,2−ジメチルプロピル基等の炭素数1
〜20の直鎖、分岐または環状のアルキル基;Specific examples of R 10 and R 11 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an iso-propyl group,
n-butyl group, iso-butyl group, sec-butyl group,
t-butyl group, n-pentyl group, iso-pentyl group,
2-methylbutyl group, 1-methylbutyl group, neo-pentyl group, 1,2-dimethylpropyl group, 1,1-dimethylpropyl group, cyclo-pentyl group, n-hexyl group, 4-methylpentyl group, 3-methyl Pentyl group,
2-methylpentyl group, 1-methylpentyl group, 3,3
-Dimethylbutyl group, 2,3-dimethylbutyl group, 1,
3-dimethylbutyl group, 2,2-dimethylbutyl group,
1,2-dimethylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group, 3-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 1,2,2-trimethylbutyl group,
1,2-trimethylbutyl group, 1-ethyl-2-methylpropyl group, cyclo-hexyl group, n-heptyl group, 2-methylhexyl group, 3-methylhexyl group, 4
-Methylhexyl group, 5-methylhexyl group, 2,4-
Dimethylpentyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, 2,5-dimethylhexyl group, 2,5,5-triethylpentyl group, 2,4-dimethylhexyl group,
2,2,4-trimethylpentyl group, n-nonyl group,
3,5,5-trimethylhexyl group, n-decyl group, 4
-Ethyloctyl group, 4-ethyl-4,5-dimethylhexyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group,
3,5,7-tetramethyloctyl group, 4-butyloctyl group, 6,6-diethyloctyl group, n-tridecyl group, 6-methyl-4-butyloctyl group, 6,6-diethyloctyl group, n- Tetradecyl group, n-pentadecyl group, 3,5-dimethylheptyl group, 2,6-dimethylheptyl group, 2,4-dimethylheptyl group, 2,2
5,5-tetramethylhexyl group, 1-cyclo-pentyl-2,2-dimethylpropyl group, 1-cyclo
1 carbon atom such as hexyl-2,2-dimethylpropyl group
-20 linear, branched or cyclic alkyl groups;
【0022】ベンジル基、ニトロベンジル基、シアノベ
ンジル基、ヒドロキシベンジル基、メチルベンジル基、
トリメチルベンジル基、ジクロロベンジル基、メトキシ
ベンジル基、エトキシベンジル基、トリフルオロベンジ
ル基、ナフチルメチル基、ニトロナフチルメチル基、シ
アノナフチルメチル基、トリフルオロメチルナフチルメ
チル基等のアラルキル基;フェニル基、ニトロフェニル
基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチル
フェニル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル
基、ジクロロフェニル基、メトキシフェニル基、エトキ
シフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、N,N
−ジメチルアミノフェニル基、ナフチル基、ニトロナフ
チル基、シアノナフチル基、ヒドロキシナフチル基、メ
チルナフチル基、トリフルオロメチルナフチル基等のア
リール基;Benzyl, nitrobenzyl, cyanobenzyl, hydroxybenzyl, methylbenzyl,
Aralkyl groups such as trimethylbenzyl, dichlorobenzyl, methoxybenzyl, ethoxybenzyl, trifluorobenzyl, naphthylmethyl, nitronaphthylmethyl, cyanonaphthylmethyl, trifluoromethylnaphthylmethyl; phenyl, nitro Phenyl, cyanophenyl, hydroxyphenyl, methylphenyl, dimethylphenyl, trimethylphenyl, dichlorophenyl, methoxyphenyl, ethoxyphenyl, trifluoromethylphenyl, N, N
An aryl group such as a dimethylaminophenyl group, a naphthyl group, a nitronaphthyl group, a cyanonaphthyl group, a hydroxynaphthyl group, a methylnaphthyl group, a trifluoromethylnaphthyl group;
【0023】ピロリル基、チエニル基、フラニル基、オ
キサゾイル基、イソオキサゾイル基、オキサジアゾイル
基、イミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチ
アゾイル基、イミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、
ベンゾチアゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフ
ラニル基、インドリル基等のヘテロアリール基;メトキ
シ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポ
キシ基、n−ブトキシ基、iso−ブトキシ基、sec
−ブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペントキシ基、i
so−ペントキシ基、neo−ペントキシ基、n−ヘキ
シルオキシ基、n−ドデシルオキシ基等のアルコキシ
基;フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン原子を挙げ
ることができる。A pyrrolyl group, a thienyl group, a furanyl group, an oxazoyl group, an isoxazoyl group, an oxadiazoyl group, an imidazoyl group, a benzoxazoyl group, a benzothiazoyl group, an imidazoyl group, a benzoxazoyl group;
Heteroaryl groups such as benzothiazoyl group, benzimidazoyl group, benzofuranyl group, indolyl group; methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, iso-butoxy group, sec.
-Butoxy group, t-butoxy group, n-pentoxy group, i
Alkoxy groups such as so-pentoxy group, neo-pentoxy group, n-hexyloxy group, n-dodecyloxy group; and halogen atoms of fluorine, chlorine, bromine and iodine.
【0024】一般式(1)で示されるベンゾピロメテン
系化合物と一緒にキレート化合物を形成する金属として
は、一般にベンゾピロメテン系化合物とキレート化合物
を形成する能力を有する金属であれば特に制限されない
が、ニッケル、コバルト、鉄、ルテニウム、ロジウム、
パラジウム、銅、オスミウム、イリジウム、白金、マン
ガンまたは亜鉛等の遷移元素やホウ素原子が好ましい。The metal forming a chelate compound together with the benzopyrromethene compound represented by the general formula (1) is not particularly limited as long as it is generally a metal capable of forming a chelate compound with the benzopyrromethene compound. Cobalt, iron, ruthenium, rhodium,
Transition elements such as palladium, copper, osmium, iridium, platinum, manganese or zinc, and boron atoms are preferred.
【0025】本発明の一般式(1)で示されるベンゾピ
ロメテン系化合物と金属イオンとのベンゾピロメテン金
属キレート化合物は、以下のようにして容易に製造する
ことができる。即ち、代表的には、まず、例えば臭化水
素酸や塩化水素等の酸触媒の存在下、一般式(4)で示
される化合物と一般式(5)で示される化合物、または
一般式(6)で示される化合物と一般式(7)で示され
る化合物とを反応させ、一般式(1)で示されるベンゾ
ピロメテン系化合物を製造する。そして、一般式(2)
で示されるベンゾピロメテン金属キレート化合物を製造
するには、得られた一般式(1)で示されるベンゾピロ
メテン系化合物に、ニッケル、コバルト、鉄、ルテニウ
ム、ロジウム、パラジウム、銅、オスミウム、イリジウ
ム、白金、マンガン、亜鉛等の酢酸塩、ハロゲン化物を
反応させる。又、一般式(3)で示されるベンゾピロメ
テン金属キレート化合物を製造するには、得られた一般
式(1)で示されるベンゾピロメテン系化合物に、三フ
ッ化ホウ素酸、三塩化ホウ素酸を反応させたり、さら
に、このようにして得られたR10、R11がハロゲン原子
である化合物に、ナトリウムメトキシド、カリウムエト
キシド等のアルコキシド類、ナトリウムフェノキシド、
ナトリウム−2−メトキシフェノキシド等のフェノキシ
ド類、ブチルマグネシウムブロマイド、ブチルリチウ
ム、フェニルマグネシウムブロマイド等の有機金属試薬
類、メチルメルカプタンナトリウム、4−t−ブチルフ
ェニルチオールナトリウム塩等のチオール塩類などを反
応させ、ハロゲン原子を置換して目的の化合物を得るこ
とができる。The benzopyrromethene metal chelate compound of the present invention represented by the general formula (1) and a metal ion can be easily produced as follows. That is, typically, first, a compound represented by the general formula (4) and a compound represented by the general formula (5) or a compound represented by the general formula (6) in the presence of an acid catalyst such as hydrobromic acid or hydrogen chloride. ) Is reacted with a compound represented by the general formula (7) to produce a benzopyrromethene compound represented by the general formula (1). And the general formula (2)
In order to produce the benzopyrromethene metal chelate compound represented by the formula, nickel, cobalt, iron, ruthenium, rhodium, palladium, copper, osmium, iridium, platinum, manganese are added to the obtained benzopyrromethene compound represented by the general formula (1). , Zinc and other acetates and halides. In order to produce the benzopyrromethene metal chelate compound represented by the general formula (3), the obtained benzopyrromethene compound represented by the general formula (1) is reacted with boron trifluoride or boron trichloride. Further, the thus-obtained compound wherein R 10 and R 11 are a halogen atom may be added to alkoxides such as sodium methoxide and potassium ethoxide, sodium phenoxide,
Reaction of phenoxides such as sodium-2-methoxyphenoxide, butylmagnesium bromide, butyllithium, organometallic reagents such as phenylmagnesium bromide, methylmercaptan sodium, thiol salts such as 4-t-butylphenylthiol sodium salt, and the like, The desired compound can be obtained by substituting the halogen atom.
【0026】[0026]
【化7】 〈式中、R1、R2、R3及びR4は前記に同じ。〉Embedded image Wherein R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are the same as above. 〉
【0027】[0027]
【化8】 〈式中、R5、R6、R7、R8及びR9は前記に同じ。〉Embedded image Wherein R 5 , R 6 , R 7 , R 8 and R 9 are the same as above. 〉
【0028】[0028]
【化9】 〈式中、R1、R2及びR3は前記に同じ。〉Embedded image Wherein R 1 , R 2 and R 3 are the same as above. 〉
【0029】[0029]
【化10】 〈式中、R4、R5、R6、R7、R8及びR9は前記に同
じ。〉Embedded image <In the formula, R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 and R 9 are the same as described above. 〉
【0030】一般式(1)で示されるベンゾピロメテン
系化合物と金属イオンとのベンゾピロメテン金属キレー
ト化合物の具体例としては、表−1及び表−2に示す置
換基及び金属を有する化合物が挙げられる。尚、表−1
及び表−2に示す置換基とは、前記一般式(2)及び
(3)の置換基をそれぞれ示している。Specific examples of the benzopyrromethene metal chelate compound of the benzopyrromethene compound represented by the general formula (1) and a metal ion include compounds having substituents and metals shown in Tables 1 and 2. Table 1
And the substituent shown in Table 2 has shown the substituent of said general formula (2) and (3), respectively.
【0031】[0031]
【表1】 [Table 1]
【0032】[0032]
【表2】 [Table 2]
【0033】本発明の具体的構成について以下に説明す
る。本発明の光記録媒体は図1に示すような貼り合わせ
構造を有している。すなわち、基板1上に記録層2が形
成されており、その上に密着して反射層3が設けられて
おり、さらにその上に接着層4を介して基板5が貼り合
わされている。ただし、記録層2の下または上に別の層
があっても良く、反射層3の上に別の層があっても良
い。The specific configuration of the present invention will be described below. The optical recording medium of the present invention has a bonding structure as shown in FIG. That is, the recording layer 2 is formed on the substrate 1, the reflective layer 3 is provided in close contact with the recording layer 2, and the substrate 5 is bonded thereon via the adhesive layer 4. However, another layer may be provided below or above the recording layer 2, and another layer may be provided above the reflective layer 3.
【0034】基板の材質としては、基本的には記録光お
よび再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカ
ーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メ
チル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹
脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。
これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に
成形される。必要に応じて、基板表面に案内溝やピット
を形成することもある。このような案内溝やピットは、
基板の成形時に付与することが望ましいが、基板の上に
紫外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。通常
DVDとして用いる場合は、厚さ1.2mm程度、直径
80ないし120mm程度の円盤状であり、中央に直径
15mm程度の穴が開いている。Basically, the material of the substrate may be any material as long as it is transparent at the wavelength of the recording light and the reproducing light. For example, polymer materials such as acrylic resins such as polycarbonate resin, vinyl chloride resin and polymethyl methacrylate, polystyrene resins and epoxy resins, and inorganic materials such as glass are used.
These substrate materials are formed into a disk shape by injection molding or the like. If necessary, guide grooves or pits may be formed on the substrate surface. Such guide grooves and pits
It is desirable to apply it at the time of molding the substrate, but it can also be applied using an ultraviolet curable resin layer on the substrate. When used as a normal DVD, it is a disk having a thickness of about 1.2 mm and a diameter of about 80 to 120 mm, and a hole having a diameter of about 15 mm is formed in the center.
【0035】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、その吸収極大が450nm〜
630nm付近に存在する一般式(1)で示されるベン
ゾピロメテン系化合物と金属イオンとのベンゾピロメテ
ン金属キレート化合物を含有する。中でも、520nm
〜690nmより選択される記録および再生レーザー波
長に対して適度な光学定数を有する必要がある。In the present invention, a recording layer is provided on a substrate. The recording layer of the present invention has an absorption maximum of 450 nm or more.
It contains a benzopyrromethene metal chelate compound of a benzopyrromethene compound represented by the general formula (1) present at about 630 nm and a metal ion. Among them, 520 nm
It is necessary to have an appropriate optical constant for a recording and reproducing laser wavelength selected from 6690 nm.
【0036】光学定数は複素屈折率(n+ki)で表さ
れる(iは虚数単位を表す)。式中のn、kは、実数部
nと虚数部kとに相当する係数である。ここでは、nを
屈折率、kを消衰係数とする。The optical constant is represented by a complex refractive index (n + ki) (i represents an imaginary unit). N and k in the expression are coefficients corresponding to the real part n and the imaginary part k. Here, n is a refractive index, and k is an extinction coefficient.
【0037】一般に有機色素の屈折率と消衰係数は大き
な波長依存性を示す。この特徴を考慮して、目的とする
レーザー波長において好ましい光学定数を有する有機色
素を選択し、記録層を成膜することで、高い反射率を有
し、かつ、感度の良い媒体とすることができる。In general, the refractive index and extinction coefficient of an organic dye show a large wavelength dependence. In consideration of this feature, by selecting an organic dye having a preferable optical constant at the target laser wavelength and forming a recording layer, it has a high reflectance, and can be a medium with high sensitivity. it can.
【0038】本発明によれば、記録層に必要な光学定数
は、前記レーザー光の波長において、nが1.8以上、
かつ、kが0.04〜0.40であり、好ましくは、n
が2.0以上で、かつ、kが0.04〜0.20であ
る。nが1.8より小さい値になると正確な信号読み取
りに必要な反射率と信号変調度は得られず、kが0.4
0を越えても反射率が低下して良好な再生信号が得られ
ないだけでなく、再生光により信号が変化しやすく実用
に適さない。この特徴を考慮して、目的とするレーザー
波長において好ましい光学定数を有する有機色素を選択
し記録層を成膜することで、高い反射率を有し、かつ、
感度の良い媒体とすることができる。本発明で使用する
一般式(1)で示されるベンゾピロメテン系化合物と金
属イオンとのベンゾピロメテン金属キレート化合物は、
いずれも上記の好ましい光学定数を有するものである。According to the present invention, the optical constant required for the recording layer is such that n is 1.8 or more at the wavelength of the laser light,
And k is 0.04 to 0.40, preferably n
Is 2.0 or more, and k is 0.04 to 0.20. If n is smaller than 1.8, the reflectance and signal modulation required for accurate signal reading cannot be obtained, and k is 0.4.
If the value exceeds 0, not only is the reflectance lowered and a good reproduction signal cannot be obtained, but also the signal is easily changed by the reproduction light, which is not suitable for practical use. In consideration of this feature, by selecting an organic dye having a preferable optical constant at the target laser wavelength and forming a recording layer, having a high reflectance, and,
A medium with good sensitivity can be obtained. The benzopyrromethene metal chelate compound of the benzopyrromethene compound represented by the general formula (1) and a metal ion used in the present invention is:
All have the above preferred optical constants.
【0039】本発明の光記録媒体を520nm〜690
nmから選択されるレーザー光で再生することは、基本
的には、反射率が20%あれば一応可能であるが、30
%以上の反射率が好ましい。The optical recording medium of the present invention has a thickness of 520 nm to 690.
Reproduction with a laser beam selected from nm is basically possible if the reflectivity is 20%.
% Is preferred.
【0040】また、記録特性などの改善のために、波長4
50nm〜630nmに吸収極大を持ち、520nm〜
690nmでの屈折率が大きい前記以外の色素と混合し
ても良い。具体的には、シアニン系色素、スクアリリウ
ム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色
素、ポルフィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系
色素、インドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チ
オピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニ
ルメタン系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色
素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニ
ン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサ
ジン系色素などがあり、複数の色素の混合であっても良
い。これらの色素の混合割合は、0.1%〜30%程度
である。In order to improve the recording characteristics and the like, the wavelength 4
It has an absorption maximum at 50 nm to 630 nm, and
It may be mixed with other dyes having a large refractive index at 690 nm. Specifically, cyanine dyes, squarylium dyes, naphthoquinone dyes, anthraquinone dyes, porphyrin dyes, tetrapyraporphyrazine dyes, indophenol dyes, pyrylium dyes, thiopyrylium dyes, azurenium dyes, tri There are phenylmethane dyes, xanthene dyes, indazulene dyes, indigo dyes, thioindigo dyes, merocyanine dyes, thiazine dyes, acridine dyes, oxazine dyes, etc. good. The mixing ratio of these dyes is about 0.1% to 30%.
【0041】記録層を成膜する際に、必要に応じて前記
の色素に、クエンチャー、色素分解促進剤、紫外線吸収
剤、接着剤などを混合するか、あるいは、そのような効
果を有する化合物を前記色素の置換基として導入するこ
とも可能である。When forming a recording layer, a quencher, a dye decomposition accelerator, an ultraviolet absorber, an adhesive, or the like may be mixed with the above-mentioned dye, if necessary, or a compound having such an effect. Can be introduced as a substituent of the dye.
【0042】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビスフ
ェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミン
も好適である。Specific examples of the quencher include metals such as acetylacetonate, bisdithio-α-diketone and bisphenyldithiol, bisdithiol, thiocatechol, salicylaldehyde oxime, and thiobisphenolate. Complexes are preferred. Amines are also suitable.
【0043】熱分解促進剤としては、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナート系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。Examples of the thermal decomposition accelerator include metal compounds such as metal anti-knocking agents, metallocene compounds, and acetylacetonate metal complexes.
【0044】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤などを併用することもできる。好まし
いバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、
ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタ
ン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポ
リオレフィンなどが挙げられる。Further, if necessary, a binder, a leveling agent, an antifoaming agent and the like can be used in combination. Preferred binders include polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, nitrocellulose, cellulose acetate,
Ketone resin, acrylic resin, polystyrene resin, urethane resin, polyvinyl butyral, polycarbonate, polyolefin and the like can be mentioned.
【0045】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良
い。When a recording layer is formed on a substrate, in order to improve the solvent resistance, reflectance, recording sensitivity, etc. of the substrate,
A layer made of an inorganic substance or a polymer may be provided on the substrate.
【0046】ここで、記録層における一般式(1)で示
されるベンゾピロメテン系化合物と金属イオンとのベン
ゾピロメテン金属キレート化合物の含有量は、30%以
上、好ましくは60%以上である。尚、実質的に100
%であることも好ましい。Here, the content of the benzopyrromethene metal chelate compound of the benzopyrromethene compound represented by the general formula (1) and the metal ion in the recording layer is at least 30%, preferably at least 60%. In addition, substantially 100
% Is also preferable.
【0047】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布
法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げら
れるが、スピンコート法が簡便で好ましい。The method for providing the recording layer includes, for example, a coating method such as a spin coating method, a spraying method, a casting method, and a dipping method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, and a vacuum vapor deposition method. Is preferred.
【0048】スピンコート法などの塗布法を用いる場合
には、一般式(1)で示されるベンゾピロメテン系化合
物と金属イオンとのベンゾピロメテン金属キレート化合
物を1〜40重量%、好ましくは3〜30重量%となる
ように溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用いる
が、この際、溶媒は基板にダメージを与えないものを選
ぶことが好ましい。例えば、メタノール、エタノール、
イソプロピルアルコール、オクタフルオロペンタノー
ル、アリルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセロ
ソルブ、テトラフルオロプロパノールなどのアルコール
系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シク
ロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキ
サン、ジメチルシクロヘキサンなどの脂肪族または脂環
式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼンなど
の芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、
テトラクロロエタン、ジブロモエタンなどのハロゲン化
炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテ
ル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサンなどのエーテ
ル系溶媒、アセトン、3-ヒドロキシ-3-メチル-2-ブタノ
ンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどの
エステル系溶媒、水などが挙げられる。これらは単独で
用いても良く、あるいは、複数混合しても良い。When a coating method such as a spin coating method is used, 1 to 40% by weight, preferably 3 to 30% by weight of a benzopyrromethene metal chelate compound of a benzopyrromethene compound represented by the general formula (1) and a metal ion is used. A coating solution dissolved or dispersed in a solvent is used so that the solvent is preferably selected so as not to damage the substrate. For example, methanol, ethanol,
Alcohol solvents such as isopropyl alcohol, octafluoropentanol, allyl alcohol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, and tetrafluoropropanol; aliphatics and fats such as hexane, heptane, octane, decane, cyclohexane, methylcyclohexane, ethylcyclohexane, and dimethylcyclohexane Cyclic hydrocarbon solvents, toluene, xylene, aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, carbon tetrachloride, chloroform,
Halogenated hydrocarbon solvents such as tetrachloroethane and dibromoethane, ether solvents such as diethyl ether, dibutyl ether, diisopropyl ether and dioxane; ketone solvents such as acetone and 3-hydroxy-3-methyl-2-butanone; acetic acid Examples include ester solvents such as ethyl and methyl lactate, and water. These may be used alone or in combination.
【0049】なお、必要に応じて、記録層の色素を高分
子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。If necessary, the dye for the recording layer may be dispersed in a polymer thin film or the like.
【0050】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。When a solvent that does not damage the substrate cannot be selected, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, a vacuum vapor deposition method, or the like is effective.
【0051】色素層の膜厚は、特に限定するものではな
いが、好ましくは50nm〜300nmである。色素層
の膜厚を50nmより薄くすると、熱拡散が大きいため
記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号振幅
が小さくなる。また、膜厚が300nmより厚い場合は
反射率が低下し、再生信号特性が悪化する。The thickness of the dye layer is not particularly limited, but is preferably 50 nm to 300 nm. If the thickness of the dye layer is less than 50 nm, recording cannot be performed due to large thermal diffusion, or a recording signal will be distorted and the signal amplitude will be small. On the other hand, when the film thickness is larger than 300 nm, the reflectivity decreases and the reproduction signal characteristics deteriorate.
【0052】次に記録層の上に、好ましくは50nm〜
300nmの厚さの反射層を形成する。反射層の材料と
しては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例え
ば、Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、P
t、Ta、CrおよびPdの金属を単独あるいは合金に
して用いることが可能である。この中でもAu、Al、
Agは反射率が高く反射層の材料として適している。こ
れ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、M
g、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、F
e、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、Ga、In、S
i、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Biなどの金属お
よび半金属を挙げることができる。また、Auを主成分
とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため
好適である。ここで主成分というのは含有率が50%以
上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈
折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層と
して用いることも可能である。Next, on the recording layer, preferably 50 nm
A reflective layer having a thickness of 300 nm is formed. As a material of the reflection layer, a material having sufficiently high reflectance at the wavelength of the reproduction light, for example, Au, Al, Ag, Cu, Ti, Cr, Ni, P
The metals t, Ta, Cr and Pd can be used alone or as an alloy. Among them, Au, Al,
Ag has a high reflectance and is suitable as a material for the reflective layer. In addition, the following may be included. For example, M
g, Se, Hf, V, Nb, Ru, W, Mn, Re, F
e, Co, Rh, Ir, Zn, Cd, Ga, In, S
Metals and metalloids such as i, Ge, Te, Pb, Po, Sn, Bi and the like can be mentioned. Further, those containing Au as a main component are preferable because a reflection layer having high reflectance can be easily obtained. Here, the main component means a component having a content of 50% or more. It is also possible to form a multilayer film by alternately stacking low-refractive-index thin films and high-refractive-index thin films with a material other than a metal, and use it as a reflective layer.
【0053】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。As a method of forming the reflection layer, for example,
Examples include a sputtering method, an ion plating method, a chemical vapor deposition method, and a vacuum vapor deposition method. In addition, a known inorganic or organic intermediate layer or adhesive layer may be provided on the substrate or below the reflective layer to improve the reflectance, the recording characteristics, and the adhesion.
【0054】さらに、反射層の上の保護層の材料として
は反射層を外力から保護するものであれば特に限定しな
い。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げること
ができる。また、無機物質としては、SiO2、Si3N
4、MgF2、SnO2などが挙げられる。熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を
塗布し、乾燥することによって形成することができる。
紫外線硬化性樹脂は、そのままもしくは適当な溶媒に溶
解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外
線を照射して硬化させることによって形成することがで
きる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンア
クリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアク
リレートなどのアクリレート樹脂を用いることができ
る。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良
く、1層だけでなく多層膜にして用いても良い。The material of the protective layer on the reflective layer is not particularly limited as long as it protects the reflective layer from external force. As organic substances, thermoplastic resins, thermosetting resins,
An electron beam curable resin, an ultraviolet curable resin, and the like can be given. Further, as the inorganic substance, SiO 2 , Si 3 N
4 , MgF 2 , SnO 2 and the like. A thermoplastic resin, a thermosetting resin, or the like can be formed by dissolving in a suitable solvent, applying a coating solution, and drying.
The ultraviolet curable resin can be formed by preparing a coating solution as it is or by dissolving it in an appropriate solvent, applying the coating solution, and irradiating ultraviolet rays to cure the resin. As the ultraviolet curable resin, for example, acrylate resins such as urethane acrylate, epoxy acrylate, and polyester acrylate can be used. These materials may be used alone or as a mixture, and may be used not only as a single layer but also as a multilayer film.
【0055】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。As a method for forming the protective layer, a coating method such as a spin coating method or a casting method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, or the like is used as in the case of the recording layer. Of these, the spin coating method is preferable.
【0056】保護層の膜厚は、一般には0.1μm〜1
00μmの範囲であるが、本発明においては、3μm〜
30μmであり、より好ましくは5μm〜20μmであ
る。The thickness of the protective layer is generally 0.1 μm to 1 μm.
In the present invention, the range is from 3 μm to
It is 30 μm, more preferably 5 μm to 20 μm.
【0057】保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を
行うこともできる。A label or the like can be further printed on the protective layer.
【0058】また、反射層面に保護シートまたは基板を
貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向さ
せ、光記録媒体2枚を貼り合わせるなどの手段を用いて
も良い。Further, a means such as bonding a protective sheet or a substrate to the surface of the reflective layer, or bonding two optical recording media with the surfaces of the reflective layers facing each other such that they face each other may be used.
【0059】また、基板鏡面側に、表面保護やごみ等の
付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成
膜しても良い。Further, an ultraviolet curable resin, an inorganic thin film, or the like may be formed on the mirror surface of the substrate to protect the surface and prevent adhesion of dust and the like.
【0060】本発明でいう波長520nm〜690nm
のレーザーは、特に制限はないが、例えば、可視光領域
の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波長633
nmのヘリウムネオンレーザー、最近開発されている波
長680、650、635nm付近の高出力半導体レー
ザー、波長532nmの高調波変換YAGレーザーなど
が挙げられる。本発明では、これらから選択される1波
長または複数波長において高密度記録および再生が可能
となる。The wavelength of 520 to 690 nm in the present invention
The laser is not particularly limited. For example, a dye laser capable of selecting a wavelength in a wide range of a visible light region or a wavelength of 633 is used.
helium-neon laser, high-power semiconductor lasers with wavelengths of around 680, 650, and 635 nm, and a harmonic conversion YAG laser with a wavelength of 532 nm. According to the present invention, high-density recording and reproduction can be performed at one wavelength or a plurality of wavelengths selected from these.
【0061】[0061]
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。EXAMPLES Examples of the present invention will be shown below, but the present invention is not limited by these examples.
【0062】[実施例1] ベンゾピロメテン金属キレ
ート化合物(2−1)の合成 窒素気流下、塩化メチレン210mLに2−ベンゾイル
−3−フェニルインドール4.99g及び2,4−ジメ
チル−3−エチルピロール2.05gを溶解し、オキシ
塩化リン2.66gを滴下した後、還流温度で22時間
撹拌した。室温まで冷却した後、n−ヘキサン2Lへ排
出し、濾過する。濾液を濃縮して下記構造式(1−a)
で示される化合物3.38gを得た。Example 1 Synthesis of Benzopyrromethene Metal Chelate Compound (2-1) Under a nitrogen stream, 4.99 g of 2-benzoyl-3-phenylindole and 2,4-dimethyl-3-ethylpyrrole in 210 mL of methylene chloride. After dissolving 2.5 g of phosphorus oxychloride dropwise, the mixture was stirred at reflux temperature for 22 hours. After cooling to room temperature, discharge into 2 L of n-hexane and filter. The filtrate is concentrated to give the following structural formula (1-a)
3.38 g of the compound represented by were obtained.
【0063】[0063]
【化11】 Embedded image
【0064】次に、エタノール500mLに式(1−
a)で示される化合物3.38gを溶解し、酢酸ナトリ
ウム25.56g及び亜鉛(II)アセチルアセトネート
一水和物9.95gを加えて、還流温度で2時間30分
撹拌した。濃縮後、トルエンにて抽出し、水洗後、トル
エンを留去し、アルミナクロマトグラフィー(クロロホ
ルム)にて精製し下記構造式(2−1)で示される化合
物61mgを得た。Next, the formula (1-
3.38 g of the compound represented by a) was dissolved, 25.56 g of sodium acetate and 9.95 g of zinc (II) acetylacetonate monohydrate were added, and the mixture was stirred at the reflux temperature for 2 hours and 30 minutes. After concentration, extraction with toluene, washing with water, toluene was distilled off, and the residue was purified by alumina chromatography (chloroform) to obtain 61 mg of a compound represented by the following structural formula (2-1).
【0065】[0065]
【化12】 Embedded image
【0066】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。From the following analysis results, it was confirmed that the substance was the target substance.
【0067】[0067]
【表3】 [Table 3]
【0068】このようにして得られた化合物は、クロロ
ホルム溶液中において506.0nmに極大吸収を示
し、グラム吸光係数は1.411×105mL/g・c
mであった。The compound thus obtained exhibits a maximum absorption at 506.0 nm in a chloroform solution, and has a gram extinction coefficient of 1.411 × 10 5 mL / g · c.
m.
【0069】[実施例2] ベンゾピロメテン金属キレ
ート化合物(3−1)の合成 窒素気流下、塩化メチレン210mLに2−ベンゾイル
−3−フェニルインドール4.99g及び2,4−ジメ
チル−3−エチルピロール2.05gを溶解し、オキシ
塩化リン2.66gを滴下した後、還流温度で22時間
撹拌した。室温まで冷却した後、N,N−ジイソプロピ
ルエチルアミン8.86g及び三フッ化ホウ素ジエチル
エーテル錯体9.73gを加えて、室温で2時間撹拌し
た。濃縮後、トルエンにて抽出し、水洗後、トルエンを
留去し、メタノールにて結晶化して下記構造式(3−
1)で示される化合物0.77gを得た。Example 2 Synthesis of Benzopyrromethene Metal Chelate Compound (3-1) Under a nitrogen stream, 4.99 g of 2-benzoyl-3-phenylindole and 2,4-dimethyl-3-ethylpyrrole were placed in 210 mL of methylene chloride. After dissolving 2.5 g of phosphorus oxychloride dropwise, the mixture was stirred at reflux temperature for 22 hours. After cooling to room temperature, 8.86 g of N, N-diisopropylethylamine and 9.73 g of boron trifluoride diethyl ether complex were added, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. After concentration, extraction with toluene, washing with water, distilling off toluene, crystallization with methanol, and the following structural formula (3-
0.77 g of the compound represented by 1) was obtained.
【0070】[0070]
【化13】 Embedded image
【0071】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。From the following analysis results, it was confirmed that it was the target substance.
【0072】[0072]
【表4】 [Table 4]
【0073】このようにして得られた化合物は、クロロ
ホルム溶液中において523.0nmに極大吸収を示
し、グラム吸光係数は0.915×105mL/g・c
mであった。The compound thus obtained exhibits a maximum absorption at 523.0 nm in a chloroform solution, and has a gram extinction coefficient of 0.915 × 10 5 mL / g · c.
m.
【0074】[実施例3] ベンゾピロメテン金属キレ
ート化合物(3−2)の合成 窒素気流下、塩化メチレン140mLに2−アセチル−
3−メチルインドール4.00g及び1−(4−メチル
フェニル)イソインドール6.95gを溶解し、オキシ
塩化リン5.61gを滴下した後、還流温度で2時間撹
拌した。濃縮後、n−ヘプタン400mLで残渣を洗浄
し、トルエン500mLとN,N−ジイソプロピルエチ
ルアミン16.95g及び三フッ化ホウ素ジエチルエー
テル錯体17.74gを加えて、室温で1時間30分撹
拌した。水洗後、トルエンを留去し、カラムクロマトグ
ラフィー(シリカゲル/トルエン)にて精製し、下記構
造式(3−2)で示される化合物1.91gを得た。Example 3 Synthesis of Benzopyrromethene Metal Chelate Compound (3-2) Under nitrogen stream, 140 mL of methylene chloride was added to 2-acetyl-
After 4.00 g of 3-methylindole and 6.95 g of 1- (4-methylphenyl) isoindole were dissolved, and 5.51 g of phosphorus oxychloride was added dropwise, the mixture was stirred at reflux temperature for 2 hours. After concentration, the residue was washed with 400 mL of n-heptane, 500 mL of toluene, 16.95 g of N, N-diisopropylethylamine and 17.74 g of boron trifluoride diethyl ether complex were added, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour and 30 minutes. After washing with water, toluene was distilled off, and the residue was purified by column chromatography (silica gel / toluene) to obtain 1.91 g of a compound represented by the following structural formula (3-2).
【0075】[0075]
【化14】 Embedded image
【0076】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。From the following analysis results, it was confirmed that the substance was the target substance.
【0077】[0077]
【表5】 [Table 5]
【0078】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において564.0nmに極大吸収を示した。The compound thus obtained showed a maximum absorption at 564.0 nm in a toluene solution.
【0079】[実施例4] ベンゾピロメテン金属キレ
ート化合物(3−3)の合成 窒素気流下、テトラヒドロフラン25mLにグリニャー
ル試薬用マグネシウム0.77gと4−n−ヘキシルブ
ロモベンゼン7.52gを加えて、グリニャール試薬を
調製した。そこへ、前記実施例3で得られた式(3−
2)で示される化合物1.60gを添加した後、室温で
1時間撹拌した。2%塩酸200mLに排出し、トルエ
ンにて抽出し、水洗後、トルエンを留去し、カラムクロ
マトグラフィー(シリカゲル/トルエン:ヘキサン)に
て精製し、下記構造式(3−3)で示される化合物1.
51gを得た。Example 4 Synthesis of Benzopyrromethene Metal Chelate Compound (3-3) Under a nitrogen stream, 0.77 g of magnesium for Grignard reagent and 7.52 g of 4-n-hexylbromobenzene were added to 25 mL of tetrahydrofuran, and the Grignard reagent was added. Was prepared. There, the formula (3-
After adding 1.60 g of the compound represented by 2), the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. Discharged in 200 mL of 2% hydrochloric acid, extracted with toluene, washed with water, distilled off toluene and purified by column chromatography (silica gel / toluene: hexane) to give a compound represented by the following structural formula (3-3) 1.
51 g were obtained.
【0080】[0080]
【化15】 Embedded image
【0081】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。From the following analysis results, the product was confirmed to be the target product.
【0082】[0082]
【表6】 [Table 6]
【0083】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において555.0nmに極大吸収を示し、グ
ラム吸光係数は0.564×105mL/g・cmであ
った。The compound thus obtained exhibited a maximum absorption at 555.0 nm in a toluene solution, and had a gram extinction coefficient of 0.564 × 10 5 mL / g · cm.
【0084】[実施例5]前記実施例3で得られたベン
ゾピロメテン金属キレート化合物(3−2)0.2gを
ジメチルシクロヘキサン10mlに溶解し、色素溶液を
調製した。基板は、ポリカーボネート樹脂製で連続した
案内溝(トラックピッチ:0.8μm)を有する直径1
20mm、厚さ0.6mmの円盤状のものを用いた。Example 5 0.2 g of the benzopyrromethene metal chelate compound (3-2) obtained in Example 3 was dissolved in 10 ml of dimethylcyclohexane to prepare a dye solution. The substrate is made of polycarbonate resin and has a continuous guide groove (track pitch: 0.8 μm) and a diameter of 1 μm.
A disc having a thickness of 20 mm and a thickness of 0.6 mm was used.
【0085】この基板上に色素溶液を回転数1500r
pmでスピンコートし、70℃で3時間乾燥して記録層
を形成した。The dye solution was placed on the substrate at a rotational speed of 1500 r.
pm, and dried at 70 ° C for 3 hours to form a recording layer.
【0086】この記録層の上にバルザース社製スパッタ
装置(CDI−900)を用いてAuをスパッタし、厚
さ100nmの反射層を形成した。スパッタガスには、
アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワ
ー2.5kW、スパッタガス圧1.0×10-2Torr
で行った。Au was sputtered on the recording layer using a sputtering apparatus (CDI-900, manufactured by Balzers) to form a reflective layer having a thickness of 100 nm. Sputter gas includes
Argon gas was used. The sputtering conditions were as follows: a sputtering power of 2.5 kW and a sputtering gas pressure of 1.0 × 10 −2 Torr.
I went in.
【0087】さらに反射層上に紫外線硬化性接着剤SD
−301(大日本インキ化学工業製)をスピンコート
し、その上にポリカーボネート樹脂製で直径120m
m、厚さ0.6mmの円盤状基板をのせた後、紫外線を
照射して貼り合わせた光記録媒体を作製した。Further, an ultraviolet-curable adhesive SD is applied on the reflective layer.
-301 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals) is spin-coated, and a polycarbonate resin having a diameter of 120 m is coated thereon.
After placing a disc-shaped substrate having a thickness of 0.6 mm and a thickness of 0.6 mm, the substrate was laminated by irradiating ultraviolet rays to produce an optical recording medium.
【0088】得られた光記録媒体に、波長635nmで
レンズの開口数が0.6の半導体レーザーヘッドを搭載
したパルステック工業製光ディスク評価装置(DDU−
1000)およびKENWOOD製EFMエンコーダー
を用いて、線速3.8m/s、レーザーパワー10mW
で最短ピット長が0.40μmになるように記録した。
記録後、650nm、635nm赤色半導体レーザーヘ
ッド(レンズの開口数は0.6)を搭載した評価装置を
用いて信号を再生し、反射率、ジッターおよび変調度を
測定した結果、650nm再生で反射率50%、ジッタ
ー9.4%、変調度0.67、635nm再生で反射率
49%、ジッター9.5%、変調度0.66といずれも
良好な値を示した。また、100時間のカーボンアーク
での耐光性試験、並びに80℃、85%の耐湿熱試験後
も変化は見られなかった。An optical disc evaluation device (DDU- manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd.) equipped with a semiconductor laser head having a wavelength of 635 nm and a lens numerical aperture of 0.6 on the obtained optical recording medium.
1000) and KENWOOD EFM encoder, linear velocity 3.8 m / s, laser power 10 mW
The recording was performed so that the shortest pit length was 0.40 μm.
After recording, the signal was reproduced using an evaluation device equipped with a 650 nm and 635 nm red semiconductor laser head (the numerical aperture of the lens was 0.6), and the reflectance, jitter and modulation were measured. 50%, jitter of 9.4%, modulation of 0.67, and reproduction at 635 nm showed excellent values of 49% for reflectance, 9.5% for jitter, and 0.66 for modulation. No change was observed even after the light resistance test with a carbon arc for 100 hours and the heat and humidity resistance test at 80 ° C. and 85%.
【0089】〔実施例6〜15〕表−1及び表−2に記
載したベンゾピロメテン金属キレート化合物を用いる以
外は実施例5と同様にして光記録媒体を作製し、記録し
た。記録後、650nmおよび635nm赤色半導体レ
ーザーヘッドを搭載した評価装置を用いて信号を再生
し、反射率、ジッターおよび変調度を測定した結果、い
ずれも良好な値を示した。また、100時間のカーボン
アークでの耐光性試験、並びに80℃、85%の耐湿熱
試験後も変化は見られなかった。Examples 6 to 15 Optical recording media were prepared and recorded in the same manner as in Example 5, except that the benzopyrromethene metal chelate compounds described in Tables 1 and 2 were used. After recording, the signal was reproduced using an evaluation device equipped with 650 nm and 635 nm red semiconductor laser heads, and the reflectance, the jitter and the modulation were measured. No change was observed even after the light resistance test with a carbon arc for 100 hours and the heat and humidity resistance test at 80 ° C. and 85%.
【0090】以上の実施例5〜15において、各光記録
媒体を635nmで記録して、650および635nm
で再生したときの反射率、ジッター、変調度を表−3に
まとめて示す。尚、極大吸収は記録層として成膜した状
態で測定したものである。In the above Examples 5 to 15, each optical recording medium was recorded at 635 nm, and was recorded at 650 and 635 nm.
Table 3 summarizes the reflectivity, jitter, and modulation factor when the data was reproduced by the above-mentioned method. The maximum absorption was measured in a state where the recording layer was formed.
【0091】〔比較例1〕実施例5において、ベンゾピ
ロメテン金属キレート化合物(3−2)、ペンタメチン
シアニン色素NK−2929「1,3,3,1',3',3'-ヘキサ
メチル-2',2'-(4,5,4',5'-ジベンゾ)インドジカルボシ
アニンパークロレート、日本感光色素研究所製」を用い
てテトラフルオロプロパノールに溶解してスピンコート
する以外は同様にして光記録媒体を作製した。作製した
媒体に実施例5と同様に635nm半導体レーザーヘッ
ドを搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置
(DDU−1000)および、KENWOOD製EFM
エンコーダーを用いて、線速度3.8m/s、レーザー
パワー10mWで記録した。記録後、650nmおよび
635nm赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装
置を用いて信号を再生し、反射率、ジッターおよび変調
度を測定した結果、650nm再生で反射率9%、ジッ
ター20%以上、変調度0.13、635nm再生で反
射率9%、ジッター20%以上、変調度0.15と劣っ
ていた。また、100時間のカーボンアークでの耐光性
試験後、信号は劣化し、再生ができなかった。Comparative Example 1 In Example 5, the benzopyrromethene metal chelate compound (3-2) and the pentamethine cyanine dye NK-2929 "1,3,3,1 ', 3', 3'-hexamethyl-2 ' , 2 '-(4,5,4', 5'-dibenzo) indodicarbocyanine perchlorate, manufactured by Japan Photographic Dye Laboratories Co., Ltd. A recording medium was produced. An optical disk evaluation device (DDU-1000) manufactured by Pulstec Industrial having a 635 nm semiconductor laser head mounted on the manufactured medium in the same manner as in Example 5, and an EFM manufactured by KENWOOD
Recording was performed at a linear velocity of 3.8 m / s and a laser power of 10 mW using an encoder. After recording, the signal was reproduced using an evaluation device equipped with 650 nm and 635 nm red semiconductor laser heads, and the reflectance, jitter, and modulation were measured. As a result, the reflectance was 9%, the jitter was 20% or more, and the modulation was 650 nm. The reflectivity was 9%, the jitter was 20% or more, and the modulation factor was 0.15 at 0.13 and 635 nm reproduction. Also, after the light fastness test with a carbon arc for 100 hours, the signal deteriorated and could not be reproduced.
【0092】[0092]
【表7】 [Table 7]
【0093】[0093]
【表8】 [Table 8]
【0094】[0094]
【発明の効果】本発明のベンゾピロメテン金属キレート
化合物を記録層として用いることにより、高密度光記録
媒体として非常に注目されている波長520〜690n
mのレーザーで記録再生が可能で耐久性に優れた追記型
光記録媒体を提供することが可能となる。By using the benzopyrromethene metal chelate compound of the present invention as a recording layer, wavelengths of 520 to 690 n, which are attracting much attention as high-density optical recording media, can be obtained.
It is possible to provide a write-once optical recording medium that can be recorded and reproduced with a laser of m and has excellent durability.
【図1】従来および本発明の光記録媒体の層構成を示す
断面構造図である。FIG. 1 is a cross-sectional structural view showing a layer configuration of an optical recording medium of the related art and the present invention.
1 基板 2 記録層 3 反射層 4 接着層 5 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Recording layer 3 Reflective layer 4 Adhesive layer 5 Substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 熊谷 洋二郎 大阪府八尾市弓削町南1丁目43番地 山本 化成株式会社内 (72)発明者 三沢 伝美 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 西本 泰三 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 塚原 宇 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yojiro Kumagai 1-43, Yuge-cho Minami, Yao-shi, Osaka Yamamoto Kasei Co., Ltd. (72) Inventor Denmi Misawa 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Kanagawa Mitsui Chemicals, Inc. (72) Inventor Taizo Nishimoto 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside Mitsui Chemical Co., Ltd. (72) Inventor U. Tsukahara 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Inside Mitsui Chemicals, Inc.
Claims (5)
メテン系化合物と金属イオンとのベンゾピロメテン金属
キレート化合物。 【化1】 [式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8及び
R9は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、
シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシル基、
スルホン酸基、炭素数1〜20のアルキル基、ハロゲノ
アルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ基、ア
ルコキシアルコキシ基、アリールオキシ基、ジアルキル
アミノアルコキシ基、アルキルチオアルコキシ基、アシ
ル基、アルコキシカルボニル基、アルキルアミノカルボ
ニル基、ジアルキルアミノカルボニル基、アルキルカル
ボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、アリー
ルアミノカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、
アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキ
ルチオ基、アリールチオ基、アルケニルオキシカルボニ
ル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルコキシカル
ボニルアルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルア
ルコキシカルボニル基、モノ(ヒドロキシアルキル)ア
ミノカルボニル基、ジ(ヒドロキシアルキル)アミノカ
ルボニル基、モノ(アルコキシアルキル)アミノカルボ
ニル基、ジ(アルコキシアルキル)アミノカルボニル基
または炭素数2〜20のアルケニル基を表す。但し、R
2とR3は結合して芳香環を形成しても良い。]1. A benzopyrromethene metal chelate compound of a benzopyrromethene compound represented by the following general formula (1) and a metal ion. Embedded image [Wherein, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 and R 9 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group,
Cyano group, hydroxy group, amino group, carboxyl group,
Sulfonic acid group, alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, halogenoalkyl group, alkoxyalkyl group, alkoxy group, alkoxyalkoxy group, aryloxy group, dialkylaminoalkoxy group, alkylthioalkoxy group, acyl group, alkoxycarbonyl group, alkylamino Carbonyl group, dialkylaminocarbonyl group, alkylcarbonylamino group, arylcarbonylamino group, arylaminocarbonyl group, aryloxycarbonyl group,
Aralkyl, aryl, heteroaryl, alkylthio, arylthio, alkenyloxycarbonyl, aralkyloxycarbonyl, alkoxycarbonylalkoxycarbonyl, alkylcarbonylalkoxycarbonyl, mono (hydroxyalkyl) aminocarbonyl, di (hydroxy Represents an alkyl) aminocarbonyl group, a mono (alkoxyalkyl) aminocarbonyl group, a di (alkoxyalkyl) aminocarbonyl group, or an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms. Where R
2 and R 3 may combine to form an aromatic ring. ]
載のベンゾピロメテン金属キレート化合物。 【化2】 [式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8及び
R9は前記一般式(1)と同じ意味を表し、Mはニッケ
ル、コバルト、鉄、ルテニウム、ロジウム、パラジウ
ム、銅、オスミウム、イリジウム、白金、マンガンまた
は亜鉛を表す。]2. The benzopyrromethene metal chelate compound according to claim 1, represented by the following general formula (2). Embedded image [Wherein, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 and R 9 have the same meaning as in the above general formula (1), and M is nickel, cobalt, iron , Ruthenium, rhodium, palladium, copper, osmium, iridium, platinum, manganese or zinc. ]
メテン金属キレート化合物。 【化3】 [式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8及び
R9は前記一般式(1)と同じ意味を表し、R10及びR
11は各々独立にハロゲン原子、炭素数1〜20のアルキ
ル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、
又はアルコキシ基を表す。]3. A benzopyrromethene metal chelate compound represented by the following general formula (3). Embedded image [Wherein, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 and R 9 have the same meaning as in the general formula (1), and R 10 and R
11 is each independently a halogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aralkyl group, an aryl group, a heteroaryl group,
Or an alkoxy group. ]
有する光記録媒体において、記録層中に、請求項1〜3
のいずれかに記載のベンゾピロメテン金属キレート化合
物を含有する光記録媒体。4. An optical recording medium having at least a recording layer and a reflective layer on a substrate, wherein the recording layer comprises
An optical recording medium containing the benzopyrromethene metal chelate compound according to any one of the above.
されるレーザー光に対して記録及び再生が可能である請
求項4記載の光記録媒体。5. The optical recording medium according to claim 4, wherein recording and reproduction can be performed with respect to a laser beam selected from a wavelength range of 520 to 690 nm.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10055390A JPH11256056A (en) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | Benzopyrromethene-metal chelate compound and optical recording medium containing the sane |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11256056A true JPH11256056A (en) | 1999-09-21 |
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ID=12997199
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Country | Link |
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JP (1) | JPH11256056A (en) |
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- 1998-03-06 JP JP10055390A patent/JPH11256056A/en not_active Withdrawn
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