JPH11254313A - Wafer's both face grinding device - Google Patents
Wafer's both face grinding deviceInfo
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- JPH11254313A JPH11254313A JP6127698A JP6127698A JPH11254313A JP H11254313 A JPH11254313 A JP H11254313A JP 6127698 A JP6127698 A JP 6127698A JP 6127698 A JP6127698 A JP 6127698A JP H11254313 A JPH11254313 A JP H11254313A
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、インゴットから切り出
されたウェーハをラッピング加工し、表面性状に優れた
ウェーハを製造する両面ラップ方法及び装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a double-sided lapping method and apparatus for lapping a wafer cut from an ingot to produce a wafer having excellent surface properties.
【0002】[0002]
【従来の技術】インゴットをスライスして得られたウェ
ーハには、厚み,平坦度,平滑度等にバラツキがある。
ウェーハは、バラツキを除去し半導体デバイスの作り込
みに好適な表面状態とするため、ラッピング,ポリッシ
ング,仕上げ研磨等の工程を経て製品化される。代表的
なラッピングや表面研磨等では、キャリアに保持した複
数のウェーハを下定盤の上に配置し、上定盤と下定盤と
の間にウェーハを挟み、ウェーハの両面を同時に加工す
る方式が採用されている。この方式では、下定盤の中心
に位置するサンギアの回りにウェーハが公転及び自転し
ながら加工されるため、均一な表面仕上りが得られる。
しかし、被加工物であるウェーハが大口径になるに従っ
て極端に規模の大きな装置が必要になり、設備負担及び
メンテナンスにかかる負担が大きくなる。また、加工さ
れるウェーハの厚みを揃える必要があるが、複数のウェ
ーハの出来具合が異なるため平均的制御しか行えない。2. Description of the Related Art Wafers obtained by slicing ingots have variations in thickness, flatness, smoothness, and the like.
Wafers are commercialized through processes such as lapping, polishing, and finish polishing in order to remove variations and bring the surface into a state suitable for fabrication of semiconductor devices. In typical lapping and surface polishing, a method is adopted in which multiple wafers held by a carrier are placed on a lower platen, the wafer is sandwiched between the upper and lower platens, and both sides of the wafer are processed simultaneously. Have been. In this method, the wafer is processed while revolving and rotating around a sun gear located at the center of the lower platen, so that a uniform surface finish can be obtained.
However, as the diameter of the wafer to be processed increases, an extremely large-scale apparatus is required, and the burden on equipment and the burden on maintenance increase. Further, it is necessary to make the thicknesses of the wafers to be processed uniform, but only the average control can be performed because the quality of the plurality of wafers is different.
【0003】他方、1枚のウェーハから切り出される半
導体チップの個数を考慮すると、大口径のウェーハほど
生産性の面で有利といえる。そこで、本発明者等は、設
備の大型化を招くことなく大口径のウェーハを表面加工
できる装置を開発し、特願平9−180881号として
出願した。先願で提案した装置は、図1に示すように基
準側ラップ機構10と移動側ラップ機構20とを水平方
向又は垂直方向に対向させ、ラッピングされるウェーハ
1を両ラップ機構10と20との間に位置させている。
基準側ラップ機構10は、基準回転軸11の端部に円盤
12を取り付け、円盤12にリング状の定盤13を固定
している。リング状定盤13は、基準回転軸11に伝達
される動力で矢印a方向に回転する。移動側ラップ機構
20は、移動回転軸21の端部に円盤22を取り付け、
円盤22にリング状の定盤23を固定している。リング
状定盤23は、基準側のリング状定盤13と同一の面積
をもっており、移動回転軸21に伝達される動力で矢印
b方向に回転する。On the other hand, considering the number of semiconductor chips cut out from one wafer, it can be said that a wafer having a larger diameter is more advantageous in terms of productivity. Therefore, the present inventors have developed an apparatus capable of processing a large-diameter wafer without increasing the size of the equipment, and have filed an application as Japanese Patent Application No. Hei 9-180881. In the apparatus proposed in the prior application, as shown in FIG. 1, the reference side wrapping mechanism 10 and the moving side wrapping mechanism 20 are opposed to each other in the horizontal or vertical direction, and the wafer 1 to be wrapped is It is located between.
The reference side lap mechanism 10 has a disk 12 attached to an end of a reference rotation shaft 11, and a ring-shaped surface plate 13 fixed to the disk 12. The ring-shaped surface plate 13 rotates in the direction of arrow a by the power transmitted to the reference rotation shaft 11. The moving side lap mechanism 20 attaches a disk 22 to an end of a moving rotary shaft 21,
A ring-shaped surface plate 23 is fixed to the disk 22. The ring-shaped surface plate 23 has the same area as the ring surface surface plate 13 on the reference side, and rotates in the direction of the arrow b by the power transmitted to the moving rotary shaft 21.
【0004】リング状定盤13と23との回転方向を逆
にすることにより、定盤13,23に加わる力を等しく
し、ウェーハ1の両面に同一の摩擦力を発生させる。ま
た、ウェーハ1に加わる回転トルクは、ウェーハ1の表
裏で相殺され、結果として定盤13,23の加工面1
4,24でウェーハ1が加圧保持される。加工面14,
24には、必要に応じて適宜のコーティングを施すこと
ができる。たとえば、クロスを貼り付けた加工面14,
24は、鏡面研磨に使用することも可能である。移動側
ラップ機構20のリング状定盤23は、圧力機構(図示
せず)により矢印c方向に移動自在となっている。これ
により、加工面は、摩耗に応じて矢印c方向に移動さ
れ、移動量に拘らずウェーハ1に加わる加圧力が一定に
保たれる。ウェーハ1には、表裏両面に配置したウェー
ハ回転支持機構30の駆動ローラ31,31・・により
矢印d方向の回転が与えられる。By reversing the rotation direction of the ring-shaped bases 13 and 23, the forces applied to the bases 13 and 23 are made equal, and the same frictional force is generated on both surfaces of the wafer 1. Further, the rotational torque applied to the wafer 1 is offset between the front and back of the wafer 1, and as a result, the processing surface 1 of the
At 4 and 24, the wafer 1 is held under pressure. Machining surface 14,
24 can be appropriately coated as needed. For example, the processing surface 14,
24 can also be used for mirror polishing. The ring-shaped surface plate 23 of the moving-side lap mechanism 20 is movable in the direction of arrow c by a pressure mechanism (not shown). As a result, the processed surface is moved in the direction of arrow c in accordance with the wear, and the pressure applied to the wafer 1 is kept constant regardless of the amount of movement. The wafer 1 is rotated in the direction of arrow d by the drive rollers 31, 31,... Of the wafer rotation support mechanism 30 arranged on both the front and back surfaces.
【0005】回転しているウェーハ1の姿勢は、ウェー
ハ1のエッジに接触して回転するガイドローラ32によ
り安定化される。これにより、予め設定された位置関係
でウェーハ1がリング状定盤13,23に圧接し、設定
条件下でウェーハ1が加工面14,24でラッピングさ
れる。表面加工中のウェーハ1に対し、基準回転軸11
及び移動回転軸21に形成されている貫通孔16,26
から砥粒懸濁スラリーAが空洞部15,25を経て供給
され、ラッピング,研磨等の表面加工に使用される。砥
粒懸濁スラリーAは、表面加工で発生した加工屑と共に
リング状定盤13,23に設けた溝(図示せず)及びリ
ング状定盤13,23とウェーハ1との隙間から外部に
排出される。The attitude of the rotating wafer 1 is stabilized by a guide roller 32 which rotates in contact with the edge of the wafer 1. As a result, the wafer 1 is pressed against the ring-shaped surface plates 13 and 23 in a predetermined positional relationship, and the wafer 1 is wrapped on the processing surfaces 14 and 24 under the set conditions. The reference rotation axis 11
And through holes 16, 26 formed in the moving rotary shaft 21
Is supplied through the cavities 15, 25 and used for surface processing such as lapping and polishing. The abrasive suspension A is discharged to the outside together with the processing waste generated by the surface processing from the grooves (not shown) provided on the ring-shaped surface plates 13 and 23 and the gap between the ring-shaped surface plates 13 and 23 and the wafer 1. Is done.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】図1のラッピング装置
は、ウェーハ1の口径のほぼ半分に等しい直径をもつリ
ング状定盤13,23を用いてウェーハ1を加工するこ
とから、大きな口径のウェーハ1に対しても大きな定盤
13,23を必要とすることなく、従来のラッピング装
置に比較して設備の大型化が大幅に抑えられる。また、
ウェーハ1を枚葉加工するため、複数のウェーハを同時
加工する従来法で必要であったウェーハの厚みを揃える
ことが不要になり、個々のウェーハの出来具合に応じた
制御も可能となる。本発明は、先願で提案したラッピン
グ装置を更に改良したものであり、定盤の加工面を一方
向に偏角運動可能にすることにより、ウェーハ面に定盤
の加工面を常にフィットさせ、ウェーハ表面にあるソー
マークや不規則な微小ウネリを除去し、滑らかな表面を
もつウェーハを製造することを目的とする。The lapping apparatus shown in FIG. 1 processes the wafer 1 by using the ring-shaped surface plates 13 and 23 having a diameter substantially equal to the half of the diameter of the wafer 1. Therefore, the lapping apparatus shown in FIG. As compared with the conventional lapping apparatus, the size of the equipment can be greatly suppressed without requiring the large surface plates 13 and 23 for the one. Also,
Since the wafer 1 is processed one by one, it is not necessary to make the thicknesses of the wafers uniform in the conventional method of processing a plurality of wafers at the same time, and it is possible to perform control according to the condition of each individual wafer. The present invention is a further improvement of the lapping device proposed in the prior application, and allows the processing surface of the surface plate to be deflected in one direction, so that the processing surface of the surface plate is always fitted to the wafer surface, An object of the present invention is to remove a saw mark and irregular minute undulations on a wafer surface and to manufacture a wafer having a smooth surface.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の両面枚葉加工装
置は、その目的を達成するため、砥粒懸濁スラリーを供
給する貫通孔が形成された基準回転軸の先端に、ウェー
ハの半径にほぼ等しい外径をもつリング状定盤を設けた
基準側ラップ機構と、砥粒懸濁スラリーを供給する貫通
孔が形成された移動回転軸の先端に基準側のリング状定
盤と同じ形状のリング状定盤を設けた移動側ラップ機構
と、移動回転軸を回転可能に支持し、ウェーハの面と平
行な方向に延びる偏角軸を備えた偏角軸受けと、基準回
転軸を回転可能に支持する回転軸受けとを備えており、
ウェーハの中心からエッジに至る範囲の両面にリング状
定盤が押し当てられることを特徴とする。In order to achieve the object, a double-sided single-wafer processing apparatus of the present invention has a wafer radius at a tip of a reference rotating shaft having a through-hole for supplying an abrasive suspension slurry. The reference side lap mechanism with a ring-shaped surface plate having an outer diameter almost equal to the above, and the same shape as the reference-side ring-shaped surface plate at the tip of the moving rotary shaft having a through hole for supplying the abrasive suspension slurry A movable side lap mechanism with a ring-shaped surface plate, a movable bearing that rotatably supports the movable rotary shaft, and a deflected bearing with a deflected axis extending in a direction parallel to the wafer surface, and a reference rotary shaft rotatable. And a rotating bearing to support the
The ring-shaped surface plate is pressed against both surfaces in a range from the center to the edge of the wafer.
【0008】[0008]
【実施の形態】本発明に従ったラッピング装置は、可動
側の定盤23が首振り可能になっている以外は図1の装
置と同様であるので、以下の説明では図1を適宜参照す
る。図1に示す枚葉加工装置では、リング状定盤13,
23より大きなウェーハ1が回転する。この条件下でウ
ェーハ1に研磨面を均等な圧力で押し付けるためには、
移動側のリング状定盤23を自在継手を介して取り付け
る必要がある。しかし、ボールジョイントを採用した自
在継手では、リング状定盤23が何れの方向にも揺動可
能となり、リング状定盤23の触れがウェーハ1の表面
形状に悪影響を与え易い。そこで、本発明においては、
図2に示すように偏角軸受け40で可動側の移動回転軸
21を偏角可能に支持し、可動側リング状定盤23をウ
ェーハ1に対向配置させている。偏角軸受け40は、図
2で紙面に直交する方向に延びる偏角軸41を備えてい
る。移動回転軸21は、偏角軸41により紙面に直交す
る方向の傾きが規制され、偏角軸41を中心としてウェ
ーハ1の半径方向(矢印で示す紙面と平行な方向)にの
み向きを変える。固定側の基準回転軸11は、通常の回
転軸受け50で支持され、ウェーハ1と所定の位置関係
で基準側リング状定盤13を維持する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A lapping apparatus according to the present invention is the same as the apparatus shown in FIG. 1 except that the movable platen 23 can swing, so that FIG. 1 will be appropriately referred to in the following description. . In the single-wafer processing apparatus shown in FIG.
The wafer 1 larger than 23 rotates. In order to press the polished surface against the wafer 1 with uniform pressure under these conditions,
It is necessary to attach the ring-shaped surface plate 23 on the moving side via a universal joint. However, in a universal joint employing a ball joint, the ring-shaped surface plate 23 can swing in any direction, and the contact of the ring-shaped surface plate 23 tends to adversely affect the surface shape of the wafer 1. Therefore, in the present invention,
As shown in FIG. 2, the movable rotary shaft 21 on the movable side is supported by the deflected bearing 40 so as to be able to be deflected, and the movable-side ring-shaped surface plate 23 is arranged to face the wafer 1. The deflection bearing 40 has a deflection shaft 41 extending in a direction perpendicular to the plane of FIG. The tilt of the moving rotary shaft 21 in the direction orthogonal to the paper surface is restricted by the declination axis 41, and the direction of the rotation is changed only in the radial direction of the wafer 1 (the direction parallel to the paper surface indicated by the arrow) about the deflected axis 41. The fixed-side reference rotation shaft 11 is supported by a normal rotation bearing 50, and maintains the reference-side ring-shaped surface plate 13 in a predetermined positional relationship with the wafer 1.
【0009】偏角軸41により傾きが規制される方向
は、リング状定盤23の加工面24がウェーハ1の面と
摩擦する方向である。そのため、リング状定盤23は、
摩擦力によって左右方向(図2では紙面に直交する方
向)に振れず、ウェーハ1と接する部分でウェーハ1の
半径上の直線と交差する方向に偏角運動可能となる。な
お、図面では本発明の作用・効果を明確にするため、ウ
ェーハ1の厚み変動を誇張している。そのため、リング
状定盤13,23の下側が上側よりも長く描かれている
が、実際には同じ軸方向長さである。リング状定盤23
は、ウェーハ1が回転する円周方向の摩擦による振れが
防止され、ウェーハ1の面にフィットした状態に加工面
24を確保する。その結果、ウェーハ1は、部分的に大
きな加工を受けることがなくなり、図3に示すように中
心からエッジにかけて一様な曲率で湾曲した凸型状,凹
型状又はフラットな平面に加工される。なお、図2の角
度θは、ウェーハ1の表面形状に研磨面が倣うように移
動側回転軸21を傾けたときの傾斜角を示す。The direction in which the inclination is regulated by the deflection axis 41 is the direction in which the processing surface 24 of the ring-shaped surface plate 23 rubs against the surface of the wafer 1. Therefore, the ring-shaped surface plate 23
It does not swing in the left-right direction (the direction perpendicular to the paper surface in FIG. 2) due to the frictional force, and can be deviated in a direction intersecting a straight line on the radius of the wafer 1 at a portion in contact with the wafer 1. In the drawings, the thickness fluctuation of the wafer 1 is exaggerated in order to clarify the operation and effect of the present invention. For this reason, the lower sides of the ring-shaped bases 13 and 23 are drawn longer than the upper sides, but actually have the same axial length. Ring surface plate 23
In the method, the processing surface 24 is secured in a state where the deflection due to the friction in the circumferential direction of the rotation of the wafer 1 is prevented and the wafer 1 is fitted to the surface of the wafer 1. As a result, the wafer 1 is not partially subjected to large processing, and is processed into a convex, concave, or flat plane curved with a uniform curvature from the center to the edge as shown in FIG. The angle θ in FIG. 2 indicates a tilt angle when the moving-side rotation shaft 21 is tilted so that the polished surface follows the surface shape of the wafer 1.
【0010】ウェーハ1の円周方向の摩擦によるリング
状定盤23の揺動の規制による効果は、通常のユニバー
サルジョイントを用いた次の例との比較でも明らかとな
る。すなわち、図4に示すように揺動可能に部材を支持
する継手として代表的なボールジョイント49で移動側
リング状定盤23を支持する場合、リング状定盤23
は、何れの方向にも揺動可能となる。ところが、ウェー
ハ1の加工に際しては、加工面24がウェーハ1の面に
摩擦した状態でリング状定盤23が回転する。リング状
定盤23は、加工面24とウェーハ1との間に発生する
摩擦力によって円周方向(図4において紙面に直交する
方向)に揺動し、リング状定盤23の片側の圧力が増加
し、反対側の圧力が減少する。その結果、ウェーハ1の
半径の中間部でウェーハ1の加工が早く進むことにな
る。このようにして加工されたウェーハ1の表面には、
図5に示すようにリング状定盤23の円弧状外周形状に
対応した窪みがトラックとして形成される。これに対
し、本発明に従ったリング状定盤23は、ウェーハ1の
円周方向に関する触れが規制されているため、外周形状
を加工後のウェーハ1面に転写することがない。また、
ウェーハ1との相対速度が変化しても荷重分布が変わら
ないため、加工中の平坦度制御が可能となり、目標形状
をもつウェーハに精度良く加工し上げできる。The effect of the regulation of the swing of the ring-shaped surface plate 23 due to the friction in the circumferential direction of the wafer 1 becomes clear even in comparison with the following example using a normal universal joint. That is, as shown in FIG. 4, when the movable side ring-shaped surface plate 23 is supported by a typical ball joint 49 as a joint that supports the member so as to be able to swing, the ring-shaped surface plate 23
Can swing in any direction. However, when processing the wafer 1, the ring-shaped platen 23 rotates with the processing surface 24 rubbing against the surface of the wafer 1. The ring-shaped surface plate 23 swings in a circumferential direction (a direction perpendicular to the paper surface in FIG. 4) due to a frictional force generated between the processing surface 24 and the wafer 1, and the pressure on one side of the ring-shaped surface plate 23 is reduced. Increases and the pressure on the opposite side decreases. As a result, the processing of the wafer 1 progresses quickly at an intermediate portion of the radius of the wafer 1. On the surface of the wafer 1 thus processed,
As shown in FIG. 5, a depression corresponding to the arc-shaped outer peripheral shape of the ring-shaped surface plate 23 is formed as a track. On the other hand, in the ring-shaped surface plate 23 according to the present invention, since the contact in the circumferential direction of the wafer 1 is regulated, the outer peripheral shape is not transferred to the surface of the processed wafer 1. Also,
Even if the relative speed with respect to the wafer 1 changes, the load distribution does not change, so that the flatness can be controlled during the processing and the wafer having the target shape can be processed accurately.
【0011】[0011]
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の枚葉加
工装置においては、被加工物であるウェーハの半径方向
の上の直線と交差する方向に移動側リング状定盤の加工
面を揺動可能にし、ウェーハの円周方向に加工面が振れ
ることを規制している。そのため、ウェーハ面と加工面
との摩擦によってリング状定盤がウェーハの円周方向に
関して振れることがなく、リング状定盤の外周形状がト
ラックとしてウェーハ面に転写されない。したがって、
表面加工されたウェーハは、中心からエッジにかけて一
様な曲率で湾曲した凸状,凹状又はフラットな面をもつ
高品質の製品になる。As described above, in the single-wafer processing apparatus according to the present invention, the processing surface of the movable side ring-shaped surface plate is crossed in a direction intersecting a straight line in the radial direction of the wafer to be processed. It is made swingable and restricts the processing surface from oscillating in the circumferential direction of the wafer. Therefore, the ring-shaped surface plate does not swing in the circumferential direction of the wafer due to friction between the wafer surface and the processing surface, and the outer peripheral shape of the ring-shaped surface plate is not transferred to the wafer surface as a track. Therefore,
The surface-processed wafer becomes a high-quality product having a convex, concave, or flat surface curved with a uniform curvature from the center to the edge.
【図1】 本発明者が先に提案したウェーハ両面の枚葉
加工装置FIG. 1 shows a single-wafer processing apparatus for double-sided wafers proposed by the present inventors.
【図2】 本発明に従って偏角軸受けで支持した移動側
リング状定盤及び回転軸受けで支持した基準側リング状
定盤をウェーハ両面に接触させた状態FIG. 2 shows a state in which a moving-side ring-shaped surface plate supported by a deflection bearing and a reference-side ring-shaped surface plate supported by a rotary bearing are in contact with both surfaces of a wafer according to the present invention.
【図3】 本発明に従った枚葉加工装置で表面加工され
たウェーハの断面形状FIG. 3 is a sectional view of a wafer surface-processed by a single-wafer processing apparatus according to the present invention.
【図4】 比較のためにボールジョイントで支持した移
動側リング状定盤及び回転軸受けで支持した基準側リン
グ状定盤をウェーハ両面に接触させた状態FIG. 4 shows a state in which a moving side ring-shaped surface plate supported by a ball joint and a reference side ring-shaped surface plate supported by a rotary bearing are in contact with both surfaces of a wafer for comparison.
【図5】 ボールジョイントを組み込んだ枚葉加工装置
で表面加工されたウェーハの断面形状FIG. 5 is a sectional view of a wafer surface-processed by a single-wafer processing apparatus incorporating a ball joint.
1:ウェーハ 10:基準側ラップ機構 20:移動側ラップ機構
11:基準回転軸 21:移動回転軸 12,22:円盤 13,2
3:リング状定盤 14,24:加工面 15,25:空洞部 16,
26:貫通孔 40:移動側の偏角軸受け 41:偏角軸 49:
ボールジョイント 50:基準側の回転軸受け1: Wafer 10: Reference side lap mechanism 20: Moving side lap mechanism
11: Reference rotation axis 21: Moving rotation axis 12, 22: Disk 13,2
3: ring-shaped surface plate 14, 24: machined surface 15, 25: cavity 16,
26: Through-hole 40: Deflection bearing on the moving side 41: Deflection axis 49:
Ball joint 50: Reference side rotating bearing
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大阪 哲嗣 愛知県刈谷市朝日町一丁目1番地 豊田工 機株式会社内 (72)発明者 石榑 博司 愛知県刈谷市朝日町一丁目1番地 豊田工 機株式会社内 (72)発明者 稲田 豊 愛知県刈谷市朝日町一丁目1番地 豊田工 機株式会社内 (72)発明者 岩井 英樹 愛知県刈谷市朝日町一丁目1番地 豊田工 機株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Tetsuji Osaka 1-1-1, Asahi-cho, Kariya-shi, Aichi Toyota Machine Works Co., Ltd. (72) Inventor Hiroshi Ishigure 1-1-1, Asahi-cho, Kariya-shi, Aichi Toyoda Machine Incorporated (72) Inventor Yutaka Inada 1-1-1, Asahi-machi, Kariya-shi, Aichi Prefecture Inside Toyota Machine Works Co., Ltd. (72) Inventor Hideki Iwai 1-1-1, Asahi-machi, Kariya City, Aichi Prefecture Toyoda Machine Works Co., Ltd.
Claims (1)
成された基準回転軸の先端に、ウェーハの半径にほぼ等
しい外径をもつリング状定盤を設けた基準側ラップ機構
と、砥粒懸濁スラリーを供給する貫通孔が形成された移
動回転軸の先端に基準側のリング状定盤と同じ形状のリ
ング状定盤を設けた移動側ラップ機構と、移動回転軸を
回転可能に支持し、ウェーハの面と平行な方向に延びる
偏角軸を備えた偏角軸受けと、基準回転軸を回転可能に
支持する回転軸受けとを備えており、ウェーハの中心か
らエッジに至る範囲の両面にリング状定盤が押し当てら
れるウェーハの両面枚葉加工装置。A reference-side lap mechanism having a ring-shaped surface plate having an outer diameter substantially equal to the radius of a wafer provided at a tip of a reference rotation shaft having a through-hole for supplying an abrasive suspension slurry; A moving-side lap mechanism in which a ring-shaped surface plate having the same shape as the reference-side ring-shaped surface plate is provided at the tip of a moving rotation shaft having a through-hole for supplying the particle suspension slurry, and the moving rotation shaft can be rotated. It supports and has a deflection bearing with a deflection axis extending in a direction parallel to the surface of the wafer, and a rotation bearing that rotatably supports a reference rotation axis, and has both surfaces in a range from the center to the edge of the wafer. A double-sided single-wafer processing device for wafers against which a ring-shaped surface plate is pressed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6127698A JPH11254313A (en) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | Wafer's both face grinding device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6127698A JPH11254313A (en) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | Wafer's both face grinding device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11254313A true JPH11254313A (en) | 1999-09-21 |
Family
ID=13166535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP6127698A Pending JPH11254313A (en) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | Wafer's both face grinding device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11254313A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001185537A (en) * | 1999-12-22 | 2001-07-06 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | High flatness semiconductor wafer and manufacturing method thereof |
US7867059B2 (en) | 2004-02-05 | 2011-01-11 | Siltronic Ag | Semiconductor wafer, apparatus and process for producing the semiconductor wafer |
-
1998
- 1998-03-12 JP JP6127698A patent/JPH11254313A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001185537A (en) * | 1999-12-22 | 2001-07-06 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | High flatness semiconductor wafer and manufacturing method thereof |
US7867059B2 (en) | 2004-02-05 | 2011-01-11 | Siltronic Ag | Semiconductor wafer, apparatus and process for producing the semiconductor wafer |
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