JPH11251803A - Band stop dielectric filter, dielectric duplexer and communication machine device - Google Patents
Band stop dielectric filter, dielectric duplexer and communication machine deviceInfo
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- JPH11251803A JPH11251803A JP10043784A JP4378498A JPH11251803A JP H11251803 A JPH11251803 A JP H11251803A JP 10043784 A JP10043784 A JP 10043784A JP 4378498 A JP4378498 A JP 4378498A JP H11251803 A JPH11251803 A JP H11251803A
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
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- H01P1/2084—Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure with dielectric resonators
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、通信基地局などで
使用される帯域阻止誘電体フィルタ、誘電体デュプレク
サおよび通信機装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a band-stop dielectric filter, a dielectric duplexer, and a communication device used in a communication base station or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の帯域阻止誘電体フィルタを、図
8、図9に基づいて説明する。図8は、従来の帯域阻止誘
電体フィルタ110の斜視図であり、図9は底面図である。
帯域阻止誘電体フィルタ110は、導電層を有するキャビ
ティ121内に二本の誘電体柱122を交差するように配置し
たセラミックからなる誘電体共振器120と、金属ケース1
30と、基板140とから構成されている。この金属ケース1
30と、導電性を有するキャビティ121によって遮蔽空洞
が構成される。2. Description of the Related Art A conventional band-stop dielectric filter is shown in FIG.
This will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a perspective view of a conventional band-stop dielectric filter 110, and FIG. 9 is a bottom view.
The band-stop dielectric filter 110 includes a dielectric resonator 120 made of ceramic in which two dielectric columns 122 are arranged so as to intersect in a cavity 121 having a conductive layer, and a metal case 1.
30 and a substrate 140. This metal case 1
The shielding cavity is constituted by 30 and the cavity 121 having conductivity.
【０００３】なお、金属ケース130は上部ケースと下部
ケースとからなるが、図8においては内部構造を示すた
めに上部ケースは図示していない。下部ケース130には
外部との信号入出力用の外部コネクタ131が取り付けら
れている。基板140は、絶縁基板の両面に銅膜141などを
成膜することにより形成されており、その一部をエッチ
ングすることによりストリップライン142が形成されて
いる。このストリップライン142は、λ/4波長線路とし
ての役割を果たし、その両端と前記外部コネクタ131の
中心導体132とが接続されている。基板140は、ストリッ
プライン142と下部ケース130とが直接接しないように、
下部ケース130の上面側に、ストリップライン142を下部
ケース130と対向させるように配置している。Although the metal case 130 is composed of an upper case and a lower case, the upper case is not shown in FIG. 8 to show the internal structure. An external connector 131 for inputting and outputting signals to and from the outside is attached to the lower case 130. The substrate 140 is formed by forming a copper film 141 or the like on both surfaces of an insulating substrate, and a strip line 142 is formed by etching a part thereof. The strip line 142 serves as a λ / 4 wavelength line, and both ends thereof are connected to the center conductor 132 of the external connector 131. Substrate 140, so that the strip line 142 and the lower case 130 do not directly contact,
The strip line 142 is arranged on the upper surface side of the lower case 130 so as to face the lower case 130.
【０００４】またストリップライン142には、外部結合
手段としての外部結合用ループ133の一端が接続されて
いる。外部結合用ループ133は、基板140から上側略垂直
方向に延び、外部結合用ループ133の他端は、基板140下
面のエッチング部143およびストリップライン142以外の
銅膜141（アース部）に接続されている。基板140の上面
においては、外部結合用ループ133貫挿部周辺の銅膜141
が除去され、この除去部とほぼ同じ大きさの孔を有する
アース板134が基板140上に配置されている。そして、ア
ース板134は、前記下部ケース130の内側面に取り付けら
れ、電気的に接続されている。The strip line 142 is connected to one end of an external coupling loop 133 as external coupling means. The external coupling loop 133 extends substantially vertically upward from the substrate 140, and the other end of the external coupling loop 133 is connected to a copper film 141 (earth portion) other than the etching portion 143 and the strip line 142 on the lower surface of the substrate 140. ing. On the upper surface of the substrate 140, the copper film 141 around the outer coupling loop 133 insertion portion is provided.
Is removed, and an earth plate 134 having a hole having substantially the same size as the removed portion is disposed on the substrate 140. The ground plate 134 is attached to the inner surface of the lower case 130 and is electrically connected.
【０００５】このように構成されている帯域阻止誘電体
フィルタ110では、一方の外部コネクタ131より入力され
た信号が、二つの外部結合用ループ133及びストリップ
ライン142に流れる。これにより外部結合用ループ133で
はそれぞれ磁界を発生し、二つのうちそれぞれ対応する
外部結合用ループ133と誘電体柱122とが磁界結合する。
その後、出力側外部コネクタから誘電体柱122に対応す
る周波数を除いた信号が出力される。こうして帯域阻止
誘電体フィルタ110は、誘電体柱122の大きさによって規
定される共振周波数帯域を阻止する二段の帯域阻止誘電
体フィルタとして機能する。In the thus configured band-stop dielectric filter 110, a signal input from one external connector 131 flows through two external coupling loops 133 and a strip line 142. As a result, a magnetic field is generated in each of the outer coupling loops 133, and the corresponding outer coupling loop 133 and the dielectric pillar 122 are magnetically coupled to each other.
Thereafter, a signal excluding the frequency corresponding to the dielectric pillar 122 is output from the output side external connector. Thus, the band-stop dielectric filter 110 functions as a two-stage band-stop dielectric filter that blocks a resonance frequency band defined by the size of the dielectric column 122.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、誘電体共振
器の共振周波数および無負荷Ｑはキャビティおよび誘電
体柱の大きさによって決まる。ここで、誘電体共振器の
開口面から見て横方向を幅、奥行き方向を厚み、キャビ
ティと誘電体柱との接する面間を高さとすると、次のよ
うな関係になる。The resonance frequency and the no-load Q of the dielectric resonator are determined by the size of the cavity and the dielectric column. Here, assuming that the width in the lateral direction as viewed from the opening surface of the dielectric resonator, the thickness in the depth direction, and the height between the surfaces where the cavity and the dielectric pillar contact each other, the following relationship is obtained.
【０００７】例えば、キャビティの大きさをそのままに
して、誘電体柱の幅あるいは厚みを大きくすると共振周
波数は低くなる。また、誘電体柱の大きさをそのままに
して、キャビティの幅を大きくすると共振周波数は低く
なる。また、誘電体共振器とその無負荷Ｑの関係におい
ては、誘電体柱の高さを高くすると無負荷Ｑが上がると
いう関係にある。For example, if the width or thickness of the dielectric pillar is increased while the size of the cavity is kept as it is, the resonance frequency decreases. Also, if the width of the cavity is increased while the size of the dielectric column is kept as it is, the resonance frequency decreases. The relationship between the dielectric resonator and its no-load Q is such that the higher the height of the dielectric column, the higher the no-load Q.
【０００８】このように誘電体柱の高さを高くすると、
誘電体共振器の無負荷Ｑが上がるのであるが、誘電体柱
の高さを高くするのに伴ってキャビティも大きくなって
いる。したがって、キャビティ表面の導電層も大きくな
り、そこを流れる実電流の導電層での損失もまた大きく
なっている。この分の損失が、誘電体柱を高くすること
によって得られた無負荷Ｑの上昇を一部相殺する。よっ
て、必要とされる無負荷Ｑを得るためには、誘電体共振
器が大型化するという問題があった。このような理由か
ら、キャビティ表面の導電層を実電流が流れることによ
る損失が無くなるような帯域阻止誘電体フィルタが望ま
れていた。As described above, when the height of the dielectric pillar is increased,
Although the no-load Q of the dielectric resonator increases, the cavity becomes larger as the height of the dielectric column is increased. Accordingly, the conductive layer on the surface of the cavity also becomes large, and the loss of the actual current flowing therethrough in the conductive layer also becomes large. This loss partially offsets the rise in unloaded Q obtained by raising the dielectric column. Therefore, there is a problem that the size of the dielectric resonator becomes large in order to obtain the required no-load Q. For these reasons, there has been a demand for a band-stop dielectric filter that eliminates the loss caused by the flow of a real current through the conductive layer on the cavity surface.
【０００９】また、キャビティ内に二本の誘電体柱を交
差させるように配置したＴＭ二重モード誘電体共振器を
用いた二段の帯域阻止誘電体フィルタの場合、所望され
る共振周波数に応じて二本の同形の誘電体柱が形成され
る。ここで誘電体共振器の無負荷Ｑを上げようとする
と、誘電体柱の高さを高くしなければならなくなり、そ
れに応じてキャビティも高くなる。一方の誘電体柱の高
さを高くすることでキャビティが高くなるということ
は、もう一方の誘電体柱から見るとキャビティの幅が大
きくなるということである。前述のようにキャビティの
幅が大きくなると共振周波数は低くなるので、所定の共
振周波数を得るためには、誘電体柱の幅あるいは厚みを
小さくして共振周波数を高めなければならない。このよ
うに、二段の帯域阻止誘電体フィルタにおいても共振周
波数と無負荷Ｑを個別に設計できないという問題があっ
た。Further, in the case of a two-stage band-stop dielectric filter using a TM double-mode dielectric resonator in which two dielectric columns are arranged so as to intersect in a cavity, the frequency depends on a desired resonance frequency. Thus, two identical dielectric pillars are formed. Here, when trying to increase the no-load Q of the dielectric resonator, the height of the dielectric column must be increased, and the cavity is also increased accordingly. Increasing the cavity height by increasing the height of one dielectric column means that the width of the cavity is increased when viewed from the other dielectric column. As described above, the resonance frequency decreases as the width of the cavity increases. Therefore, in order to obtain a predetermined resonance frequency, the width or thickness of the dielectric column must be reduced to increase the resonance frequency. Thus, there is a problem that the resonance frequency and the no-load Q cannot be individually designed even in the two-stage band-stop dielectric filter.
【００１０】本発明の帯域阻止誘電体フィルタは上記の
問題点を鑑みてなされたものであり、実電流がキャビテ
ィの導電層を流れることで生じる損失を無くし、無負荷
Ｑが高く、低背化を実現した帯域阻止誘電体フィルタ、
帯域阻止誘電体デュプレクサおよび通信機装置を提供す
ることを目的としている。また、共振周波数と無負荷Ｑ
の従属的な関係を弱め、それぞれを個別に設計できる帯
域阻止誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信
機装置を提供することを目的としている。The band-stop dielectric filter of the present invention has been made in view of the above problems, and eliminates the loss caused by the flow of an actual current through the conductive layer of the cavity. Band-stop dielectric filter,
It is an object of the present invention to provide a band-stop dielectric duplexer and a communication device. In addition, resonance frequency and no-load Q
It is an object of the present invention to provide a band-stop dielectric filter, a dielectric duplexer, and a communication device in which the subordinate relations are weakened and each can be individually designed.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の帯域阻止誘電体フィルタは、導電性を有する遮
蔽空洞と、該遮蔽空洞内に配置され、対向する二面に電
極が形成された誘電体共振器と、前記遮蔽空洞内に配置
され、前記誘電体共振器と結合する外部結合手段とを含
んでなる。In order to achieve the above object, a band-stop dielectric filter according to the present invention comprises a shielded cavity having conductivity, an electrode disposed in the shielded cavity, and electrodes formed on two opposing surfaces. And an external coupling means disposed in the shielding cavity and coupled to the dielectric resonator.
【００１２】これにより、従来の帯域阻止誘電体フィル
タで誘電体共振器のキャビティ表面の導電層に流れてい
た実電流が無くなり、そこでの損失が無くなる。そして
その分の無負荷Ｑが相殺されないために、誘電体共振器
の高さをそれほど高くする必要がなくなり、低背化が図
れる。As a result, the actual current flowing through the conductive layer on the cavity surface of the dielectric resonator in the conventional band-stop dielectric filter is eliminated, and the loss there is eliminated. Since the no-load Q is not cancelled, the height of the dielectric resonator does not need to be so high, and the height can be reduced.
【００１３】また、請求項2に係る帯域阻止誘電体フィ
ルタは、前記誘電体共振器が、前記遮蔽空洞内に並置さ
れている。In a band-stop dielectric filter according to a second aspect, the dielectric resonator is juxtaposed in the shielding cavity.
【００１４】これにより、さらに低背化を図ることがで
きる。Thus, the height can be further reduced.
【００１５】さらに、請求項3に係る帯域阻止誘電体フ
ィルタは、前記誘電体共振器が、前記遮蔽空洞内に重置
されている。Further, in the band-stop dielectric filter according to claim 3, the dielectric resonator is overlapped in the shielding cavity.
【００１６】これにより、従来の帯域阻止誘電体フィル
タに比べて、誘電体共振器のキャビティ表面の導電層に
流れていた実電流が無くなることにより、低背化が図れ
ることに加えて、帯域阻止誘電体フィルタを低面積化す
ることができる。As a result, compared to the conventional band rejection dielectric filter, the real current flowing in the conductive layer on the cavity surface of the dielectric resonator is eliminated, so that the height can be reduced and the band rejection can be achieved. The area of the dielectric filter can be reduced.
【００１７】さらにまた、請求項4に係る帯域阻止誘電
体フィルタは、前記誘電体共振器の対向する二面に形成
される電極の少なくとも一方が、薄膜多層電極によって
形成されている。Further, in the band rejection dielectric filter according to claim 4, at least one of the electrodes formed on two opposing surfaces of the dielectric resonator is formed by a thin film multilayer electrode.
【００１８】これにより、さらに無負荷Ｑが向上する。Thus, the no-load Q is further improved.
【００１９】さらにまた、請求項5に係る誘電体デュプ
レクサは、少なくとも二つの誘電体フィルタと、該誘電
体フィルタのそれぞれに接続される入出力接続用手段
と、前記誘電体フィルタに共通的に接続されるアンテナ
接続用手段とを含んでなる誘電体デュプレクサであっ
て、前記誘電体フィルタの少なくとも一つが前記請求項
1ないし4記載の帯域阻止誘電体フィルタである。Still further, a dielectric duplexer according to a fifth aspect of the present invention provides at least two dielectric filters, input / output connection means connected to each of the dielectric filters, and a common connection to the dielectric filters. Claims: 1. A dielectric duplexer comprising: an antenna connecting means, wherein at least one of the dielectric filters is
5. A band rejection dielectric filter according to 1 to 4.
【００２０】これらにより、低背化が図れ、損失の少な
い誘電体デュプレクサを供給することができる。As a result, a low-profile, low-loss dielectric duplexer can be provided.
【００２１】さらにまた、請求項6に係る通信機装置
は、前記請求項5記載の誘電体デュプレクサと、該誘電
体デュプレクサの少なくとも一つの入出力接続用手段に
接続される送信用回路と、該送信用回路に接続される前
記入出力接続用手段と異なる少なくとも一つの入出力接
続用手段に接続される受信用回路と、前記誘電体デュプ
レクサのアンテナ接続用手段に接続されるアンテナとを
含んでなる。Further, a communication device according to a sixth aspect of the present invention is a communication device, comprising: the dielectric duplexer according to the fifth aspect; a transmission circuit connected to at least one input / output connection means of the dielectric duplexer; Including a receiving circuit connected to at least one input / output connection means different from the input / output connection means connected to a transmission circuit, and an antenna connected to an antenna connection means of the dielectric duplexer Become.
【００２２】これらにより、低背化が図れ、損失の少な
い通信機装置を供給することができる。As a result, it is possible to provide a communication device having a low profile and a small loss.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例である帯域
阻止誘電体フィルタを、図1に基づいて説明する。図1
は、内部の状態を示すために、帯域阻止誘電体フィルタ
10の遮蔽空洞11の蓋部11bを開いた分解斜視図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A band stop dielectric filter according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. Figure 1
Is a band-stop dielectric filter to show the internal state
FIG. 11 is an exploded perspective view of the ten shielding cavities 11 with a lid 11b opened.
【００２４】帯域阻止誘電体フィルタ10は、鉄などの金
属からなる遮蔽空洞11と、対向する二面に電極18を有す
る誘電体共振器12aと、外部結合手段13と、遮蔽空洞11
に取り付けられた入出力用の外部コネクタ14とから構成
されている。すなわち、本実施例においては、二個の誘
電体共振器12aを遮蔽空洞11の本体11a内に並置し、入出
力用の外部コネクタ14をλ/4波長線路16で導通した二段
の帯域阻止誘電体フィルタ10を構成している。The band-stop dielectric filter 10 includes a shielding cavity 11 made of a metal such as iron, a dielectric resonator 12a having electrodes 18 on two opposite surfaces, an external coupling means 13, and a shielding cavity 11.
And an external connector 14 for input / output attached to the device. That is, in the present embodiment, two dielectric resonators 12a are juxtaposed in the main body 11a of the shielding cavity 11, and the two-stage band rejection in which the input / output external connector 14 is conducted by the λ / 4 wavelength line 16 is performed. The dielectric filter 10 is configured.
【００２５】誘電体共振器12aはセラミックにより円柱
状に形成されており、その対向する二面には銀ペースト
の塗布・焼成などによって電極18が形成されている。そ
して遮蔽空洞11の本体11aの内底面に、誘電体共振器12a
の一方の電極面を半田付するなどの手段により接続固定
する。または、ここでは図示しないが、鉄とニッケルの
合金などの金属製のアース板に半田付した後に遮蔽空洞
11内に収納し、アース板と誘電体共振器12aの線膨張係
数を同程度とすると、温度変化に対しての信頼性が向上
する。なお、この実施例において誘電体共振器12aは円
柱状のものを用いているが、角柱状等どのような形状の
ものであっても、従来の帯域阻止誘電体フィルタに比べ
て無負荷Ｑの上昇などの特性上の効果は見られる。しか
しながら、角柱状の誘電体共振器では電極が形成された
対向する二面において、中心から縁端までの距離が一定
距離とならない。そのため、電極縁端において電位差が
生じ、電流が流れる。この電流が流れることによって損
失が発生するので、帯域阻止誘電体フィルタの特性面か
らみると、円柱状の誘電体共振器が望ましい。The dielectric resonator 12a is formed in a cylindrical shape by using ceramic, and electrodes 18 are formed on two opposing surfaces thereof by applying and firing silver paste. And, on the inner bottom surface of the main body 11a of the shielding cavity 11, a dielectric resonator 12a
Is connected and fixed by means such as soldering. Alternatively, although not shown here, the shielding cavity is formed after soldering to a metal ground plate such as an alloy of iron and nickel.
When housed in the housing 11 and the linear expansion coefficient of the earth plate and that of the dielectric resonator 12a are substantially the same, the reliability against a temperature change is improved. In this embodiment, the dielectric resonator 12a has a cylindrical shape. However, the dielectric resonator 12a may have any shape, such as a prism, having a lower unloaded Q compared to a conventional band-stop dielectric filter. Some effects on characteristics such as rising are observed. However, in the prismatic dielectric resonator, the distance from the center to the edge on the two opposing surfaces on which the electrodes are formed is not constant. Therefore, a potential difference occurs at the edge of the electrode, and a current flows. Since loss occurs due to the flow of this current, a columnar dielectric resonator is desirable in view of the characteristics of the band-stop dielectric filter.
【００２６】外部結合手段13は、金属線から形成されて
おり、その一端において外部コネクタ14の中心導体と半
田により接続されている。外部結合手段13は、誘電体共
振器12aと遮蔽空洞11との間の空間に延在するように配
置され、誘電体共振器12aの電極18及び遮蔽空洞11とは
間隔が隔てられており、電気的に接続されていない。The external coupling means 13 is formed of a metal wire, and is connected at one end thereof to the center conductor of the external connector 14 by soldering. The external coupling means 13 is arranged so as to extend in a space between the dielectric resonator 12a and the shielding cavity 11, and the electrode 18 and the shielding cavity 11 of the dielectric resonator 12a are separated from each other, Not electrically connected.
【００２７】外部コネクタ14より入力された信号は、外
部コネクタ14から外部結合手段13に流れ、外部結合手段
13と誘電体共振器12aとの間で容量を発生させる。この
容量により外部結合手段13と誘電体共振器12aは結合
し、誘電体共振器12aの電極18に平行な断面における面
積によって規定される共振周波数で共振する。外部結合
手段13と誘電体共振器12aとの結合の度合いは、両者の
対向する面積や距離によって決まり、面積が大きい程あ
るいは距離が短い程結合は強くなる。したがって、外部
結合手段13の長さや、配置場所を変更することで結合の
度合いを調整することができる。結合の度合いを強める
ことにより広帯域を阻止する誘電体フィルタに、結合の
度合いを弱めることにより狭帯域を阻止する誘電体フィ
ルタに変えることができる。なお、外部結合手段13と誘
電体共振器12aを直接接続すると最も結合が強まり、広
帯域を阻止する誘電体フィルタとなる。The signal input from the external connector 14 flows from the external connector 14 to the external coupling means 13 and
A capacitance is generated between 13 and the dielectric resonator 12a. The external coupling means 13 and the dielectric resonator 12a are coupled by this capacitance, and resonate at a resonance frequency defined by an area of a cross section parallel to the electrode 18 of the dielectric resonator 12a. The degree of coupling between the external coupling means 13 and the dielectric resonator 12a is determined by the areas and distances between them, and the larger the area or the shorter the distance, the stronger the coupling. Therefore, the degree of coupling can be adjusted by changing the length of the external coupling unit 13 or the location of the external coupling unit 13. It can be changed to a dielectric filter that blocks a wide band by increasing the degree of coupling, and a dielectric filter that blocks a narrow band by reducing the degree of coupling. When the external coupling means 13 and the dielectric resonator 12a are directly connected, the coupling is the strongest, and the dielectric filter blocks a wide band.
【００２８】次に、本実施例の誘電体フィルタ10の機能
について説明する。外部コネクタ14から入力された信号
は、外部結合手段13と誘電体共振器12aとの結合を経て
誘電体共振器12aの対向する二面に形成された電極18間
に電界を生じさせる。そして誘電体共振器12aの円周に
沿って磁界が発生し、誘電体共振器12a内に電磁界が集
中した結果、電磁界はＴＭ010モードに近似の分布とな
る。Next, the function of the dielectric filter 10 of the present embodiment will be described. The signal input from the external connector 14 generates an electric field between the electrodes 18 formed on two opposing surfaces of the dielectric resonator 12a through the coupling between the external coupling means 13 and the dielectric resonator 12a. Then, a magnetic field is generated along the circumference of the dielectric resonator 12a, and the electromagnetic field concentrates in the dielectric resonator 12a. As a result, the electromagnetic field has a distribution similar to the TM010 mode.
【００２９】このような構成にすることにより、本発明
の帯域阻止誘電体フィルタ10では、遮蔽空洞11に実電流
がほとんど流れなくなる。そのため、従来の帯域阻止誘
電体フィルタにおいて誘電体共振器のキャビティ表面の
導電層（遮蔽空洞に相当する）を流れることにより発生
していた損失を無くすことができる。また、従来の誘電
体共振器の無負荷Ｑが誘電体柱の高さによって規定され
ていたのと同様に、本発明における無負荷Ｑも誘電体共
振器12aの高さによって規定される。したがって、本発
明においては前記のように損失が低減するので、誘電体
共振器12aの高さをそれ程高くする必要が無くなり、従
来の構造に比べて帯域阻止誘電体フィルタ10を低背化す
ることができる。With such a configuration, in the band-stop dielectric filter 10 of the present invention, an actual current hardly flows through the shielding cavity 11. Therefore, it is possible to eliminate the loss caused by flowing through the conductive layer (corresponding to the shielding cavity) on the cavity surface of the dielectric resonator in the conventional band-stop dielectric filter. Further, just as the no-load Q of the conventional dielectric resonator is defined by the height of the dielectric column, the no-load Q in the present invention is also defined by the height of the dielectric resonator 12a. Therefore, in the present invention, since the loss is reduced as described above, the height of the dielectric resonator 12a does not need to be so high, and the height of the band-stop dielectric filter 10 can be reduced as compared with the conventional structure. Can be.
【００３０】また、共振周波数は誘電体共振器12aの電
極18に平行な断面における面積により、無負荷Ｑは主に
誘電体共振器12aの高さにより、それぞれ規定され、両
者間で影響を与え合う関係がほぼ解消される。よって、
共振周波数と無負荷Ｑを所望の値に応じて個別に設計す
ることができるため、設計の自由度が高まり、帯域阻止
誘電体フィルタ10の製造が容易になる。The resonance frequency is defined by the area of the cross section parallel to the electrode 18 of the dielectric resonator 12a, and the no-load Q is mainly determined by the height of the dielectric resonator 12a. The fit is almost eliminated. Therefore,
Since the resonance frequency and the no-load Q can be individually designed according to desired values, the degree of freedom in design is increased, and the manufacture of the band-stop dielectric filter 10 is facilitated.
【００３１】次に本発明の第二の実施例を、図2、図3に
基づいて説明する。なお、図2は第一の実施例を示した
図1と同様に、内部の状態を示すために、帯域阻止誘電
体フィルタ20の遮蔽空洞21の蓋部21bを開いた分解斜視
図である。さらに、図3は、図2におけるＸ−Ｘ線断面図
である。また、先の実施例と同一部には同符号を付し、
詳細な説明は省略する。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is an exploded perspective view of the band-stopping dielectric filter 20 with the cover 21b of the shielding cavity 21 opened to show the internal state, similarly to FIG. 1 showing the first embodiment. FIG. 3 is a sectional view taken along line XX in FIG. The same parts as those in the previous embodiment are denoted by the same reference numerals,
Detailed description is omitted.
【００３２】図2に示す帯域阻止誘電体フィルタ20は、
金属製の遮蔽空洞21と、対向する二面に薄膜多層電極28
が形成された円柱状の誘電体共振器12bと、外部結合手
段13とから構成されている。また、遮蔽空洞21には入出
力用の外部コネクタ14が取り付けられており、外部コネ
クタ14同士は、金属線17により導通されている。The band-stop dielectric filter 20 shown in FIG.
A metal shielding cavity 21 and a thin-film multilayer electrode 28 on two opposing surfaces
Are formed of a cylindrical dielectric resonator 12b in which is formed, and external coupling means 13. Further, an input / output external connector 14 is attached to the shielding cavity 21, and the external connectors 14 are electrically connected to each other by a metal wire 17.
【００３３】外部コネクタ14より入力された信号は、外
部コネクタ14の中心導体に半田により接続された金属線
17から外部結合手段13に流れる。半田付けにより遮蔽空
洞21の本体21aの内底面に接続された誘電体共振器12b
の、接続されていない電極側と遮蔽空洞21との間の空間
に延在するように配置された外部結合手段13は、容量に
より誘電体共振器12bと結合する。そして、誘電体共振
器12bの薄膜多層電極28に平行な断面における面積によ
り規定された共振周波数で共振し、この共振周波数を阻
止する帯域阻止誘電体フィルタとして機能する。The signal input from the external connector 14 is a metal wire connected to the center conductor of the external connector 14 by soldering.
From 17 flows to the external coupling means 13. Dielectric resonator 12b connected to the inner bottom surface of body 21a of shielding cavity 21 by soldering
The external coupling means 13 arranged so as to extend in the space between the unconnected electrode side and the shielding cavity 21 is coupled to the dielectric resonator 12b by a capacitance. Then, the dielectric resonator 12b resonates at a resonance frequency defined by an area in a cross section parallel to the thin-film multilayer electrode 28, and functions as a band rejection dielectric filter that blocks the resonance frequency.
【００３４】この実施例においては、図3の断面図に示
すように、誘電体共振器12bの対向する二面に電極層26
と誘電体層27を交互に積層した薄膜多層電極28を形成し
ている。薄膜多層電極28を使用すると、電極部における
損失を減少させることができる。したがって、単層の銀
電極などを使用する場合よりも無負荷Ｑが上昇する。こ
の結果、第一の実施例の帯域阻止誘電体フィルタ10より
も、同一の無負荷Ｑではさらに低背化することができ
る。In this embodiment, as shown in the sectional view of FIG. 3, the electrode layer 26 is provided on two opposing surfaces of the dielectric resonator 12b.
And a dielectric layer 27 are alternately laminated to form a thin-film multilayer electrode 28. The use of the thin film multilayer electrode 28 can reduce the loss in the electrode section. Therefore, the no-load Q is higher than when a single-layer silver electrode or the like is used. As a result, the height can be further reduced with the same no-load Q as compared with the band-stop dielectric filter 10 of the first embodiment.
【００３５】もちろん、第一の実施例の二段の帯域阻止
誘電体フィルタの電極に薄膜多層電極を用いることによ
り、同様の効果が得られる。Of course, the same effect can be obtained by using a thin film multilayer electrode as the electrode of the two-stage band-stop dielectric filter of the first embodiment.
【００３６】さらに、本発明の第三の実施例である帯域
阻止誘電体フィルタを、図4、5に基づいて説明する。な
お、図4は本実施例の帯域阻止誘電体フィルタの分解斜
視図であり、図5は図4におけるY−Y線断面図である。な
お、先の実施例と同一部には同符号を付し、詳細な説明
は省略する。Further, a band stop dielectric filter according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is an exploded perspective view of the band stop dielectric filter of the present embodiment, and FIG. 5 is a sectional view taken along line YY in FIG. The same parts as those in the previous embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.
【００３７】図4、5に示すように本実施例の帯域阻止誘
電体フィルタ30は、鉄に銀メッキを施し、表裏面に凹部
が形成された遮蔽空洞31と、対向する二面に薄膜多層電
極28が形成された円柱状の誘電体共振器12bと、銅板に
銀メッキを施したアース板32と、金属線からなる外部結
合手段13と、遮蔽空洞31に取り付けられた外部コネクタ
14とから構成されている。As shown in FIGS. 4 and 5, the band-stop dielectric filter 30 of this embodiment has a shielding cavity 31 in which iron is silver-plated and a concave portion is formed on the front and back surfaces, and a thin film multilayer on two opposite surfaces. A cylindrical dielectric resonator 12b on which an electrode 28 is formed, an earth plate 32 in which a copper plate is silver-plated, an external coupling means 13 made of a metal wire, and an external connector attached to the shielding cavity 31
It consists of fourteen.
【００３８】誘電体共振器12bの薄膜多層電極28が形成
された一方の面には、段差部および半田付用の孔を有す
るアース板32が半田付されている。そして、アース板32
が遮蔽空洞31の本体31aと蓋部31bとに挟まれることによ
り、誘電体共振器12bは遮蔽空洞31の表裏面の凹部に配
置されることとなる。An earth plate 32 having a step portion and a hole for soldering is soldered to one surface of the dielectric resonator 12b on which the thin film multilayer electrode 28 is formed. And the earth plate 32
Is sandwiched between the main body 31a of the shielding cavity 31 and the lid 31b, so that the dielectric resonator 12b is arranged in the concave portion on the front and back surfaces of the shielding cavity 31.
【００３９】また、外部結合手段13の一端は、遮蔽空洞
31に取り付けられた外部コネクタ14の中心導体に接続さ
れ、遮蔽空洞31と誘電体共振器12bとの間に延在してい
る。さらに、外部コネクタ14の中心導体同士はλ/4波長
線路16により接続されている。One end of the external coupling means 13 is provided with a shielding cavity.
It is connected to the center conductor of the external connector 14 attached to 31 and extends between the shield cavity 31 and the dielectric resonator 12b. Further, the center conductors of the external connector 14 are connected by a λ / 4 wavelength line 16.
【００４０】このような構成を有する帯域阻止誘電体フ
ィルタ30では、外部コネクタ14より入力された信号は、
外部コネクタ14から外部結合手段13に流れ、外部結合手
段13と誘電体共振器12bとの間で容量を発生させる。こ
の容量により外部結合手段13と誘電体共振器12bは結合
し、誘電体共振器12bの薄膜多層電極28に平行な断面に
おける面積によって規定される共振周波数で共振する。
そして、この周波数帯域を阻止する二段の帯域阻止誘電
体フィルタとして機能する。In the band-stop dielectric filter 30 having such a configuration, the signal input from the external connector 14 is
It flows from the external connector 14 to the external coupling means 13 and generates a capacitance between the external coupling means 13 and the dielectric resonator 12b. The external coupling means 13 and the dielectric resonator 12b are coupled by this capacitance, and resonate at a resonance frequency defined by an area of the dielectric resonator 12b in a cross section parallel to the thin-film multilayer electrode 28.
Then, it functions as a two-stage band-stop dielectric filter that blocks this frequency band.
【００４１】このように誘電体共振器12bを重置した構
成の帯域阻止誘電体フィルタ30では、遮蔽空洞31に実電
流がほとんど流れなくなるため、従来の帯域阻止誘電体
フィルタにおいて誘電体共振器のキャビティ表面の導電
層（遮蔽空洞に相当する）を流れることにより発生して
いた損失を無くすことができる。したがって、従来の帯
域阻止誘電体フィルタと比較して、同程度の特性を有し
ながら低背化を図ることができる。さらに、実施例1に
比較して低面積化することができるので、使用目的に応
じて実施例1のように誘電体共振器を並置した帯域阻止
誘電体フィルタと、本実施例のように誘電体共振器を重
置した帯域阻止誘電体フィルタとを使い分けることがで
きる。In the band-stop dielectric filter 30 having the configuration in which the dielectric resonators 12b are superposed, almost no actual current flows through the shield cavity 31, so that the conventional band-stop dielectric filter has the same structure as the dielectric resonator. The loss caused by flowing through the conductive layer (corresponding to the shielding cavity) on the cavity surface can be eliminated. Therefore, the height can be reduced while having the same characteristics as those of the conventional band rejection dielectric filter. Furthermore, since the area can be reduced as compared with the first embodiment, a band-stop dielectric filter in which dielectric resonators are juxtaposed as in the first embodiment and a dielectric It is possible to selectively use a band-stop dielectric filter in which a body resonator is superposed.
【００４２】次に本発明の第四の実施例を、図6に基づ
いて説明する。なお、図6は内部の状態を示すために、
誘電体デュプレクサ40における遮蔽空洞41の蓋部41bを
開いた分解斜視図である。また、先の実施例と同一部に
は同符号を付し、詳細な説明は省略する。Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 shows the internal state,
FIG. 4 is an exploded perspective view of the dielectric duplexer 40 with a cover 41b of a shielding cavity 41 opened. The same parts as those in the previous embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.
【００４３】図6に示すように、本実施例の誘電体デュ
プレクサ40は、金属製の遮蔽空洞41と、対向する二面に
電極18が形成され、異なった共振周波数を有する二つの
円柱状の誘電体共振器12a1、12a2と、外部結合手段13と
から構成されている。一方の誘電体共振器12a1で送信用
誘電体フィルタ部29aを構成し、他方の誘電体共振器12a
2で受信用誘電体フィルタ部29bを構成している。遮蔽空
洞41には送信回路接続用外部コネクタ14a、受信回路接
続用外部コネクタ14b、アンテナ接続用外部コネクタ14c
が取り付けられており、送信回路接続用外部コネクタ14
aは、送信用誘電体フィルタ部29aに接続され、受信回路
接続用外部コネクタ14bは、受信用誘電体フィルタ部29b
に接続されている。そして、送信用誘電体フィルタ部29
a、受信用誘電体フィルタ部29b両方にアンテナ接続用外
部コネクタ14cが接続されている。As shown in FIG. 6, the dielectric duplexer 40 of this embodiment has a metal shielding cavity 41 and two cylindrical columns having electrodes 18 formed on two opposing surfaces and having different resonance frequencies. It comprises dielectric resonators 12a1 and 12a2 and external coupling means 13. One dielectric resonator 12a1 constitutes the transmission dielectric filter unit 29a, and the other dielectric resonator 12a
2 constitutes the reception dielectric filter unit 29b. The shielding cavity 41 has an external connector 14a for connecting a transmitting circuit, an external connector 14b for connecting a receiving circuit, and an external connector 14c for connecting an antenna.
Is attached, and the external connector 14
a is connected to the transmitting dielectric filter unit 29a, and the receiving circuit connecting external connector 14b is connected to the receiving dielectric filter unit 29b.
It is connected to the. Then, the transmission dielectric filter unit 29
a, The external connector for antenna connection 14c is connected to both the reception dielectric filter unit 29b.
【００４４】このようにして形成された誘電体デュプレ
クサ40においては、送信用誘電体フィルタ部29aの誘電
体共振器12a1の電極18に平行な断面における面積により
規定された共振周波数で共振し、この共振周波数を阻止
する。同様に、受信用誘電体フィルタ部29bの誘電体共
振器12a2の電極18に平行な断面における面積により規定
された共振周波数で共振し、この共振周波数を阻止す
る。こうして送信・受信それぞれで帯域を阻止する誘電
体デュプレクサとして機能する。The dielectric duplexer 40 thus formed resonates at a resonance frequency defined by an area in a cross section parallel to the electrode 18 of the dielectric resonator 12a1 of the transmission dielectric filter portion 29a. Block resonance frequency. Similarly, the reception dielectric filter unit 29b resonates at a resonance frequency defined by an area in a cross section parallel to the electrode 18 of the dielectric resonator 12a2, and blocks the resonance frequency. Thus, it functions as a dielectric duplexer that blocks a band in each of transmission and reception.
【００４５】このような構成を有する誘電体デュプレク
サ40では、遮蔽空洞41に実電流がほとんど流れなくなる
ため、従来の誘電体デュプレクサにおいて誘電体共振器
のキャビティ表面の導電層（遮蔽空洞に相当する）を流
れることにより発生していた損失を無くすことができ
る。したがって、従来の誘電体デュプレクサと比較し
て、同程度の特性を有しながら低背化を図ることができ
る。In the dielectric duplexer 40 having such a configuration, since a real current hardly flows through the shield cavity 41, the conductive layer (corresponding to the shield cavity) on the cavity surface of the dielectric resonator in the conventional dielectric duplexer. Can be eliminated. Therefore, the height can be reduced while having the same characteristics as those of the conventional dielectric duplexer.
【００４６】なお、本実施例においては、送信用誘電体
フィルタ部29aと受信用誘電体フィルタ部29bを、それぞ
れ一つの誘電体共振器12a1、12a2により形成したが、複
数の誘電体共振器を用いて複数段の誘電体デュプレクサ
を形成してもよい。また、電極に薄膜多層電極を用いて
もよい。In this embodiment, the transmitting dielectric filter unit 29a and the receiving dielectric filter unit 29b are formed by one dielectric resonator 12a1 and 12a2, respectively. It may be used to form a multi-stage dielectric duplexer. Further, a thin film multilayer electrode may be used as the electrode.
【００４７】さらにまた、本発明の第五の実施例である
通信機装置を、図7に基づいて説明する。なお、図7は本
実施例の通信機装置の概略図である。Further, a communication device according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a schematic diagram of the communication device of the present embodiment.
【００４８】図7に示すように、本実施例の通信機装置5
0は、誘電体デュプレクサ40と、送信回路51と、受信回
路52と、アンテナ53とから構成されている。ここで誘電
体デュプレクサ40は、先の実施例で示したものであり、
図6における第一誘電体フィルタ部29aと接続される外部
コネクタ14aが、送信回路51に接続されており、第二誘
電体フィルタ部29bと接続される外部コネクタ14bが、受
信回路52に接続されている。また、外部コネクタ14c
は、アンテナ53に接続されている。As shown in FIG. 7, the communication device 5 of this embodiment
Numeral 0 is composed of a dielectric duplexer 40, a transmitting circuit 51, a receiving circuit 52, and an antenna 53. Here, the dielectric duplexer 40 is as shown in the previous embodiment,
The external connector 14a connected to the first dielectric filter unit 29a in FIG. 6 is connected to the transmission circuit 51, and the external connector 14b connected to the second dielectric filter unit 29b is connected to the reception circuit 52. ing. Also, external connector 14c
Are connected to the antenna 53.
【００４９】このような構成にすることにより、同形で
は無負荷Ｑを向上することができ、同無負荷Ｑでは低背
化あるいは低面積化された通信機装置を供給することが
できる。With such a configuration, the no-load Q can be improved in the same shape, and a communication device with a reduced height or reduced area can be supplied with the no-load Q.
【００５０】[0050]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、誘電体共
振器を収納する遮蔽空洞に実電流がほとんど流れなくな
る。したがって、従来その部分で生じていた損失が無く
なり、無負荷Ｑが向上する。その結果、同一の無負荷Ｑ
では、従来の構造に比べて帯域阻止誘電体フィルタ、誘
電体デュプレクサおよび通信機装置を低背化することが
できる。As described above, according to the present invention, the actual current hardly flows through the shielding cavity accommodating the dielectric resonator. Therefore, the loss which has conventionally occurred in that portion is eliminated, and the no-load Q is improved. As a result, the same no-load Q
Thus, the band-stop dielectric filter, the dielectric duplexer, and the communication device can be reduced in height as compared with the conventional structure.
【００５１】また、本発明の二段の帯域阻止誘電体フィ
ルタおよび誘電体デュプレクサでは、共振周波数を誘電
体共振器の電極に平行な断面における面積により調整す
ることができ、無負荷Ｑを主に誘電体共振器の高さによ
って調整することができるため、それぞれの調整を個別
に行うことができる。その結果、誘電体共振器の形状に
おける設計の自由度が増して、製造する際の微妙な調整
の手間が軽減され、容易に所望の特性を有する帯域阻止
誘電体フィルタおよび誘電体デュプレクサを提供するこ
とができる。さらに、従来はＴＭ二重モード誘電体共振
器の互いに交差する誘電体柱同士が結合しないように、
微妙な調整が必要であったが、本発明の二段の帯域阻止
誘電体フィルタでは二個の誘電体共振器が分離されてい
るので、個々に調整することができ、微妙な調整が不必
要となる。Further, in the two-stage band-stop dielectric filter and the dielectric duplexer of the present invention, the resonance frequency can be adjusted by the area in the cross section parallel to the electrode of the dielectric resonator, and the no-load Q is mainly controlled. Since the adjustment can be performed according to the height of the dielectric resonator, each adjustment can be performed individually. As a result, the degree of freedom of design in the shape of the dielectric resonator is increased, the trouble of fine adjustment in manufacturing is reduced, and a bandstop dielectric filter and a dielectric duplexer having desired characteristics can be easily provided. be able to. Further, conventionally, the dielectric columns of the TM dual-mode dielectric resonator that cross each other are not coupled to each other.
Although delicate adjustment was required, the two-stage band-stop dielectric filter of the present invention separates the two dielectric resonators, so they can be adjusted individually, and no delicate adjustment is necessary. Becomes
【００５２】さらに、誘電体共振器の対向する二面に形
成される電極を薄膜多層電極によって形成することによ
り単層の電極に比べて電極における損失を低減すること
ができる。したがって無負荷Ｑが向上し、同じ無負荷Ｑ
では、より低背化し、同じ高さでは、より無負荷Ｑを高
めた帯域阻止誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよ
び通信機装置を製造することができる。Further, by forming the electrodes formed on the two opposing surfaces of the dielectric resonator by thin-film multilayer electrodes, it is possible to reduce the loss in the electrodes as compared with a single-layer electrode. Therefore, the no-load Q is improved, and the same no-load Q
Then, it is possible to manufacture a band-stop dielectric filter, a dielectric duplexer, and a communication device having a lower profile and a higher unloaded Q at the same height.
【図１】本発明の帯域阻止誘電体フィルタの分解斜視図
である。FIG. 1 is an exploded perspective view of a bandstop dielectric filter of the present invention.
【図２】本発明の第二の実施例における帯域阻止誘電体
フィルタの分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of a band stop dielectric filter according to a second embodiment of the present invention.
【図３】図2におけるＸ−Ｘ線断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line XX in FIG. 2;
【図４】本発明の第三の実施例における帯域阻止誘電体
フィルタの分解斜視図である。FIG. 4 is an exploded perspective view of a band stop dielectric filter according to a third embodiment of the present invention.
【図５】図4におけるＹ−Ｙ線断面図である。FIG. 5 is a sectional view taken along line YY in FIG. 4;
【図６】本発明の第四の実施例における誘電体デュプレ
クサの分解斜視図である。FIG. 6 is an exploded perspective view of a dielectric duplexer according to a fourth embodiment of the present invention.
【図７】本発明の通信機装置の概略図である。FIG. 7 is a schematic diagram of a communication device of the present invention.
【図８】従来の帯域阻止誘電体フィルタの概略斜視図で
ある。FIG. 8 is a schematic perspective view of a conventional band-stop dielectric filter.
【図９】従来の帯域阻止誘電体フィルタの底面図であ
る。FIG. 9 is a bottom view of a conventional band-stop dielectric filter.
10,20,30 帯域阻止誘電体フィルタ 11,21,31,41 遮蔽空洞 12a,12b12a1,12a2 誘電体共振器 13 外部結合手段 14 外部コネクタ 14a 送信回路接続用外部コネクタ 14b 受信回路接続用外部コネクタ 14c アンテナ接続用外部コネクタ 16 λ/4波長線路 18 銀電極 26 電極層 27 誘電体層 28 薄膜多層電極 29a 送信用誘電体フィルタ部 29b 受信用誘電体フィルタ部 32 アース板 40 誘電体デュプレクサ 50 通信機装置 51 送信回路 52 受信回路 53 アンテナ 10,20,30 Bandstop dielectric filter 11,21,31,41 Shielding cavity 12a, 12b12a1,12a2 Dielectric resonator 13 External coupling means 14 External connector 14a External connector for transmitting circuit connection 14b External connector for receiving circuit connection 14c External connector for antenna connection 16 λ / 4 wavelength line 18 Silver electrode 26 Electrode layer 27 Dielectric layer 28 Thin film multilayer electrode 29a Dielectric filter part for transmission 29b Dielectric filter part for reception 32 Earth plate 40 Dielectric duplexer 50 Communication equipment 51 Transmitting circuit 52 Receiving circuit 53 Antenna
Claims (6)
に配置され、対向する二面に電極が形成された誘電体共
振器と、前記遮蔽空洞内に配置され、前記誘電体共振器
と結合する外部結合手段とを含んでなることを特徴とす
る帯域阻止誘電体フィルタ。1. A shielding cavity having conductivity, a dielectric resonator disposed in the shielding cavity and having electrodes formed on two opposing surfaces, and the dielectric resonator disposed in the shielding cavity. A band-stopping dielectric filter comprising:
置されていることを特徴とする請求項1記載の帯域阻止
誘電体フィルタ。2. The band-stop dielectric filter according to claim 1, wherein said dielectric resonators are juxtaposed in said shielding cavity.
置されていることを特徴とする請求項1記載の帯域阻止
誘電体フィルタ。3. The band-stop dielectric filter according to claim 1, wherein said dielectric resonator is overlapped in said shielding cavity.
れる電極の少なくとも一方が、薄膜多層電極によって形
成されていることを特徴とする請求項1、請求項2または
請求項3記載の帯域阻止誘電体フィルタ。4. The dielectric resonator according to claim 1, wherein at least one of the electrodes formed on two opposing surfaces of said dielectric resonator is formed by a thin-film multilayered electrode. Band-stop dielectric filter.
電体フィルタのそれぞれに接続される入出力接続用手段
と、前記誘電体フィルタに共通的に接続されるアンテナ
接続用手段とを含んでなる誘電体デュプレクサであっ
て、 前記誘電体フィルタの少なくとも一つが前記請求項1な
いし4記載の帯域阻止誘電体フィルタであることを特徴
とする誘電体デュプレクサ。5. A semiconductor device comprising: at least two dielectric filters; input / output connection means connected to each of said dielectric filters; and antenna connection means commonly connected to said dielectric filters. 5. A dielectric duplexer, wherein at least one of the dielectric filters is the band-stop dielectric filter according to any one of claims 1 to 4.
と、該誘電体デュプレクサの少なくとも一つの入出力接
続用手段に接続される送信用回路と、該送信用回路に接
続される前記入出力接続用手段と異なる少なくとも一つ
の入出力接続用手段に接続される受信用回路と、前記誘
電体デュプレクサのアンテナ接続用手段に接続されるア
ンテナとを含んでなることを特徴とする通信機装置。6. A dielectric duplexer according to claim 5, a transmission circuit connected to at least one input / output connection means of said dielectric duplexer, and said input / output connection connected to said transmission circuit. A communication device comprising: a receiving circuit connected to at least one input / output connection means different from the use means; and an antenna connected to an antenna connection means of the dielectric duplexer.
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