JPH11238900A - 集光型太陽光発電装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 集光型太陽光発電装置においては入射光によ
る集光型太陽光発電装置内の発熱による光電変換装置の
温度上昇により出力電力の低下を低減もしくは防止す
る。 【解決手段】 受光面１と反射面２とで囲まれた空間内
に少なくとも装置の一部が位置するように設置された光
電変換装置３と、前記空間を充填している媒体を有する
集光型太陽光発電装置において、前記光電変換装置３の
前記空間内に位置する部分のすべての点から前記受光面
までの最短距離７が、前記媒体の熱伝導率をｋ（Ｗ/ｍ・
℃）とした場合にｋ×２０÷６００÷２（ｍ）以下とな
る構造を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は集光型太陽光発電装
置及び集光型太陽光発電モジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】受光面と反射面とで囲まれた空間内に少
なくとも装置の一部が位置するように設置された光電変
換装置と、前記空間を充填している媒体を有する集光型
太陽光発電装置は、例えば、特表平６-５１１６０２号
公報に記載されている。また、「13TH EUROPEAN PHOTOV
OLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE、23-27 OCTOBER 199
5、NICE FRANCE、pp.1483〜1486、表題 “PROTOTYPE PHO
TOVOLTAIC ROOF TILES”」の文献に記載されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】前記従来技術では、入
射光による集光型太陽光発電装置内の発熱による光電変
換装置の温度上昇についての検討を行っていない。太陽
光発電装置は通常は屋外に設置され、最大で１ｋＷ/ｍ²
の太陽光線が入射する。この光は主に光電変換装置に吸
収されるため、太陽光線のエネルギーのうち光電変換に
よって外部に電力として取り出されるエネルギーを差し
引いた分のほとんどが光電変換装置内で熱に変わる。こ
のため、集光型太陽光発電装置内に設置された光電変換
装置の温度が上昇し出力電力の低下などを招くという問
題があった。

【０００４】本発明の目的は、集光型太陽光発電装置に
おいて、光電変換装置の温度上昇による出力電力の低下
を低減もしくは防止することが可能な技術を提供するこ
とにある。

【０００５】本願の前記ならびにその他の目的及び新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。

【０００７】（１）受光面と反射面とで囲まれた空間内
に少なくとも装置の一部が位置するように設置された光
電変換装置と、前記空間を充填している媒体を有する集
光型太陽光発電装置において、前記光電変換装置の前記
空間内に位置する部分のすべての点から前記受光面まで
の最短距離を、前記媒体の熱伝導率をｋ（Ｗ/ｍ・℃）と
した場合にｋ×２０÷６００÷２（ｍ）以下としたもの
である。

【０００８】（２）集光型太陽光発電装置において、前
記光電変換装置の前記空間内に位置する部分のすべての
点から前記反射面までの最短距離を、前記媒体の熱伝導
率をｋ（Ｗ/ｍ・℃）とした場合にｋ×２０÷６００÷２
（ｍ）以下としたものである。

【０００９】（３）集光型太陽光発電装置において、前
記光電変換装置の前記空間内に位置する部分のすべての
点から前記受光面又は反射面までの最短距離を、前記媒
体の熱伝導率をｋ（Ｗ/ｍ・℃）とした場合にｋ×１０÷
６００÷２（ｍ）以下としたものである。

【００１０】（４）集光型太陽光発電装置において、前
記光電変換装置の前記空間内に位置する部分のすべての
点から前記受光面及び反射面までの最短距離を、前記媒
体の熱伝導率をｋ（Ｗ/ｍ・℃）とした場合にそれぞれｋ
×２０÷６００（ｍ）以下とするものである。

【００１１】（５）集光型太陽光発電装置において、前
記光電変換装置の前記空間内に位置する部分のすべての
点から前記受光面及び反射面までの最短距離を、前記媒
体の熱伝導率をｋ（Ｗ/ｍ・℃）とした場合にｋ×１０÷
６００（ｍ）以下としたものである。

【００１２】（６）集光型太陽光発電装置において、前
記光電変換装置の前記空間内に位置する表面上のすべて
の点から前記反射面までの最短距離を、前記光電変換装
置の電流が流れる部分のシート抵抗をρ、動作電圧を
Ｖ、電流密度をＪとして、（０.１×１６×Ｖ）/（Ｊ×
ρ）の平方根以下としたものである。

【００１３】（７）集光型太陽光発電装置において、前
記光電変換装置の前記空間内に位置する表面上のすべて
の点から前記反射面までの最短距離を、前記光電変換装
置の電流が流れる部分のシート抵抗をρ、動作電圧を
Ｖ、電流密度をＪとして、（０.０５×１６×Ｖ）/（Ｊ
×ρ）の平方根以下としたものである。

【００１４】（８）前記（１）乃至（７）のうちいずれ
か１つの集光型太陽光発電装置を複数個モジュール化し
たものである。

【００１５】（９）前記（８）の集光型太陽光発電モジ
ュールにおいて、前記反射鏡に充填された前記媒体は前
記複数個の集光型太陽光発電装置間で連続している。

【００１６】前述の手段によれば、集光型太陽光発電装
置の寸法を集光型太陽光発電装置内に設置された光電変
換装置と受光面との位置関係、及び光電変換装置と反射
面との位置関係が適正になるように設定するので、光電
変換装置の温度上昇を所定の範囲に制御することができ
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態及び具体
的な実施例について図面を用いて詳細に説明する。

【００１８】本実施形態を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する場合がある。

【００１９】図１〜図６は本発明の実施形態に係る集光
型太陽光発電装置の概要構成を示す模式図であり、１は
受光面、２は反射面、３は光電変換装置、４は入射光、
５はカバーガラス裏面、１０は第１の媒体である。

【００２０】本実施形態に係る集光型太陽光発電装置
は、図１及び図２に示すような３次元回転体構造を持つ
反射面２と板状の光電変換装置３を組み合わせた構造、
図３及び図４に示すような３次元回転体構造を持つ反射
面２と塊状の光電変換装置３を組み合わせた構造、図５
及び図６に示すような傾斜反射面やシリンドリカルな反
射面２と板状の光電変換装置３を組み合わせた構造等の
種々の形状をした構造のものがある。

【００２１】前記図１に示すようなコーン型の回転体反
射面２と三角形の板状の光電変換装置３を持つ集光型太
陽光発電装置、及び図５に示すようなプリズムの斜面の
平面（同図（ｃ））やこの面に設けられた溝面（同図
（ｄ））に反射面を持ち、長方形の板状の光電変換装置
２を持つ集光型太陽光発電装置においてはその断面が図
７（ａ）のようになる。

【００２２】また、図１及び図５に示すような集光型太
陽光発電装置の受光面が、例えば、外側へ飛び出した円
レンズ又はシリンドリカルレンズの場合は、その断面が
図７（ｂ）のようになる。これらの形状を持つ集光型太
陽光発電装置においては、受光面１、反射面２、媒体１
０からなる集光装置内に設置された光電変換装置３で発
生した熱を受光面側の自然対流や強制対流による冷却風
１１や冷却水等により冷却する。また、反射面側でも同
様に冷却風１6や冷却水等により冷却することができ
る。この場合、媒体１０の熱伝導率が小さいと光電変換
装置３で発生した熱が受光面１又は反射面２に到達する
ための熱抵抗が大きく、受光面１及び反射面２の温度と
光電変換装置３との温度差が大きくなる。

【００２３】受光面１側からのみ冷却する場合、前記温
度差による光電変換装置３の温度上昇を∂Ｔ、媒体１０
の熱伝導率をｋ、光電変換装置３の前記空間内に位置す
る部分のすべての点から受光面１までの最短距離７のな
かの最も大きいものをＬ_fとすると、集光型太陽光発電
装置の断面形状によって若干の増減はあるものの図１〜
６に示す構造体に三角形に近い断面構造をもつ場合につ
いてシミュレーションを行った結果、集光倍率が２から
１０倍程度では、∂Ｔはほぼ

【００２４】

【数１】 ∂Ｔ＝（２×Ｌ_f×Ｑ）/ｋ となり、Ｌ_fについて書き換えると、

【００２５】

【数２】 Ｌ_f=ｋ×∂Ｔ/（２×Ｑ） となった。ここで、Ｑは受光面１に入射する光線の単位
面積当たりの強度である。

【００２６】太陽光線の強度は南中時の法線面では最大
で約１０００Ｗ/ｍ²である。しかし、このような値が得
られることは年間で数日しかなく、通常は晴天日でも８
００Ｗ/ｍ²程度である。また、この太陽光線の約２０％
は、光電変換装置３で電気エネルギーに変換して外部に
取り出される。さらに、入射光の一部は集光型太陽光発
電装置で捕獲されずに装置外に逃げてしまう。このた
め、光電変換装置３で発生する熱量は、晴天日の南中時
で受光面１の単位面積あたり６００Ｗ/ｍ²程度となる。

【００２７】半導体材料からなる光電変換装置を用いた
場合、この温度が同じであれば、集光型太陽光発電装置
の出力電圧は非集光型にくらべて高くなる。この割り合
いは、図８に示すように、非追尾集光型太陽光発電装置
で最も効率の良い４倍集光で約４０ｍＶである。この集
光した光の照射による光電変換装置３の温度上昇により
逆に出力電力が低下する。この割り合いは、図９に示す
ように、約２ｍＶ/℃であり、２０℃の温度上昇で出力
電圧が約４０ｍＶ低下する。

【００２８】したがって、集光により上昇する出力電圧
４０ｍＶを有効に利用するためには、温度上昇での出力
電圧降下を極力抑制する必要がある。例えば、温度上昇
による電圧降下が集光での電圧上昇（４０ｍＶ）と同じ
かそれよりも小さくするためには、光電変換装置の温度
上昇は２０℃以下とする必要がある。

【００２９】前記媒体１０の熱伝導率をｋ（Ｗ/ｍ・℃）
とした場合に前記の長さＬ_fは、

【００３０】

【数３】 Ｌ_f≦ｋ×２０/（２×６００）（ｍ） となる。例えば、媒体１０がガラスからなる場合はｋは
約０.９（Ｗ/ｍ・℃）であるので、

【００３１】

【数４】 Ｌ_f≦０.９×２０/（２×６００）＝０.０１５（ｍ） となる。媒体１０がアクリルからなる場合はｋは約０.
２（Ｗ/ｍ・℃）であるので、

【００３２】

【数５】 Ｌ_f≦０.２×２０/（２×６００）＝０.００３３（ｍ） となる。

【００３３】また、反射面側２からのみ冷却する場合、
光電変換装置３の前記空間内に位置する部分のすべての
点から反射面２までの最短距離８のなかで最も長いもの
をＬ_rとすると、集光型太陽光発電装置の断面形状によ
って若干の増減はあるものの図１〜図６に示す構造体に
三角形に近い断面構造をもつ場合についてシミュレーシ
ョンを行った結果、集光倍率が２から１０倍程度では、
∂Ｔはほぼ

【００３４】

【数６】 ∂Ｔ＝（２×Ｌ_r×Ｑ）/ｋ となった。Ｌ_rについて書き換えると、

【００３５】

【数７】 Ｌ_r=ｋ×∂Ｔ/（２×Ｑ） となる。よって、例えば、光電変換装置３の温度上昇を
２０℃以下にするためには、前記媒体１０の熱伝導率を
ｋ（Ｗ/ｍ・℃）とした場合にＬ_rは、

【００３６】

【数８】 Ｌ_r≦ｋ×２０/（２×６００）（ｍ） となる。例えば、媒体１０がガラスからなる場合はｋは
約０.９（Ｗ/ｍ・℃）であるので、

【００３７】

【数９】 Ｌ_r≦０.９×２０/（２×６００）＝０.０１５（ｍ） となる。媒体１０がアクリルからなる場合はｋは約０.
２（Ｗ/ｍ・℃）であるので、

【００３８】

【数１０】 Ｌ_r≦０.２×２０/（２×６００）＝０.００３３（ｍ） となる。

【００３９】図７では反射面２の外側が外気にさらされ
ている構造について示しているが、図１０に示すように
反射面２の外側に外壁１７がある構造においてもＬ_rは
少なくとも前記の条件を満たす必要がある。

【００４０】また、受光面１側及び反射面２側の両方か
ら冷却する場合、前記Ｌ_f及びＬ_rは、

【００４１】

【数１１】 Ｌ_f＝ｋ∂Ｔ/Ｑ

【００４２】

【数１２】 Ｌ_r＝ｋ∂Ｔ/Ｑ となり、光電変換装置３の温度上昇∂Ｔが同じであれ
ば、Ｌ_f及びＬ_rは片面側からのみ冷却する場合にくらべ
て２倍大きくなる。例えば、媒体１０がガラスからなる
場合はｋは約０.９（Ｗ/ｍ・℃）であるので、

【００４３】

【数１３】 Ｌ_f≦０.９×２０/６００＝０.０３（ｍ） となる。媒体１０がアクリルからなる場合はｋは約０.
２（Ｗ/ｍ・℃）であるので、

【００４４】

【数１４】 Ｌ_f≦０.２×２０/６００＝０.００６７（ｍ） となる。

【００４５】また、温度上昇による電圧降下分が集光で
の電圧上昇分約４０ｍＶより小さくすることにより、集
光による電圧上昇効果を維持するためには、例えば、電
圧降下分を２０ｍＶとすると、光電変換装置３の温度上
昇は１０℃以下とする必要がある。この場合には受光面
１側からのみ冷却する場合には前記長さＬ_fは、

【００４６】

【数１５】 Ｌ_f≦ｋ×１０/（２×６００）（ｍ） となる。例えば、媒体１０がガラスからなる場合はｋは
約０.９（Ｗ/ｍ・℃）であるので、

【００４７】

【数１６】 Ｌ_f≦０.９×１０/（２×６００）＝０.００７５（ｍ） となる。媒体１０がアクリルからなる場合はｋは約０.
２（Ｗ/ｍ・℃）であるので、

【００４８】

【数１７】 Ｌ_f≦０.２×１０/（２×６００）＝０.００１７（ｍ） となる。反射面２側からのみ冷却する場合も同様に、

【００４９】

【数１８】 Ｌ_r≦ｋ×１０/（２×６００）（ｍ） となる。例えば、媒体１０がガラスからなる場合はｋは
約０.９（Ｗ/ｍ・℃）であるので、

【００５０】

【数１９】 Ｌ_r≦０.９×１０/（２×６００）＝０.００７５（ｍ） となる。媒体１０がアクリルからなる場合はｋは約０.
２（Ｗ/ｍ・℃）であるので、

【００５１】

【数２０】 Ｌ_r≦０.２×１０/（２×６００）＝０.００１７（ｍ） となる。

【００５２】また、受光面１側及び反射面２側の両方か
ら冷却する場合、前記Ｌ_f及びＬ_rは、

【００５３】

【数２１】 Ｌ_f＝ｋ×１０/Ｑ

【００５４】

【数２２】 Ｌ_r＝ｋ×１０/Ｑ となる。例えば、媒体１０がガラスからなる場合はｋは
約０.９（Ｗ/ｍ・℃）であるので、

【００５５】

【数２３】 Ｌ_f≦０.９×１０/６００＝０.０１５
（ｍ） となる。媒体１０がアクリルからなる場合はｋは約０.
２（Ｗ/ｍ・℃）であるので、

【００５６】

【数２４】 Ｌ_f≦０.２×１０/６００＝０.００３３（ｍ） となる。

【００５７】集光型太陽光発電装置又はこれを複数個モ
ジュール化した集光型太陽光発電モジュールを太陽光下
に暴露し冷却風で冷却する場合、夏にはモジュール表面
温度が８０℃近くまで上昇する。この場合、集光型太陽
光発電装置内に設置された光電変換装置温度が上昇し１
００℃近くまで温度が上昇すると、光電変換素子を集光
装置に接着している接着剤やラミネート材、さらには配
線材の劣化が加速されてしまう。この点からも受光面１
及び反射面２の温度と光電変換装置３との温度差を２０
℃以下に望ましくは１０℃以下に抑えることが重要であ
る。

【００５８】これまでの説明では、受光面１及び反射面
２の温度を一定の値として説明したが、集光型太陽光発
電装置の構造や冷却の方法により実際には受光面１や反
射面２に温度分布が発生する場合がある。この場合でも
前記説明での「受光面１の温度」を「受光面１の平均温
度」、「反射面２の温度」を「反射面２の平均温度」と
置き換えればよい。

【００５９】図２に示すような円弧の回転体形状を持つ
反射面２と受光面１より内側に設置された板状の光電変
換装置を持つ集光型太陽光発電装置や、図５に示す構造
の上にカバーガラスを設けた構造を持つ集光型太陽光発
電装置においては、その断面が図１０（ａ）のようにな
る。この受光面が例えば外側へ飛び出した円レンズ又は
シリンドリカルレンズの場合はその断面が図１０（ｂ）
のようになる。この場合も前記と同様に受光面１及び反
射面２と光電変換素子との位置関係を保つ必要がある。

【００６０】すなわち、受光面１側からのみ冷却する場
合は、媒体１０の熱伝導率をｋ（Ｗ/ｍ・℃）とした場合
に前記の長さＬ_fをｋ×１０/（２×６００）(ｍ)以下に
する必要がある。また、反射面２側からのみ冷却する場
合は、前記の長さＬ_rをｋ×１０/（２×６００）(ｍ)以
下にする必要がある。受光面１側及び反射面２側の両方
から冷却する場合、前記Ｌ_f及びＬ_rはｋ×１０/６００
以下でよい。

【００６１】また、少なくとも温度上昇による電圧降下
分が集光での電圧上昇分約４０ｍＶを超えて出力が低下
するのをさけるためには、受光面１側からのみ冷却する
場合には、前記Ｌ_fをｋ×２０/(２×６００)(ｍ)以下
に、反射面２側からのみ冷却する場合には、前記Ｌ_rを
ｋ×２０/(２×６００)(ｍ)以下にする必要がある。

【００６２】また、受光面１側及び反射面２側の両方か
ら冷却する場合は、前記Ｌ_f及びＬ_rはｋ×２０/６００
以下でよい。この説明においては、媒体１０の熱伝導率
をｋ(Ｗ/ｍ・℃)としたが、図１０のように第２の媒体９
と第１の媒体１０からなる場合のように熱伝導率の異な
る複数の媒体を持つ場合は、前記説明における熱伝導率
ｋとしてそれぞれの媒体の熱伝導率をそれぞれの媒体の
容積割り合いで平均化した値を用いて前記計算値を算出
すればよい。例えば、第１の媒体１０の容積が０.０１
(ｍ³)で熱伝導率が１.０(Ｗ/ｍ・℃)、第２の媒体９の容
積が０.００２(ｍ³)で熱伝導率が０.２(Ｗ/ｍ・℃)であ
れば、平均の熱伝達率はｋ＝(０.０１×１.０＋０.００
２×０.２)/(０.０１+０.００２)＝０.８７(Ｗ/ｍ・℃)
となる。

【００６３】図６に示すような斜面及び円筒の一部を反
射面２に持ち、受光面１に平行に設置された板状の光電
変換装置３を持ち、その上にカバーガラスを設けた構造
を持つ集光型太陽光発電装置においては、その断面が図
１１（ａ）のようになる。この受光面１が例えば外側へ
飛び出したシリンドリカルレンズの場合はその断面が図
１１（ｂ）のようになる。この場合も前記と同様に受光
面１及び反射面２と光電変換装置３との位置関係を保つ
必要がある。

【００６４】すなわち、受光面１側からのみ冷却する場
合は、媒体１０および媒体９の平均の熱伝導率をｋ（Ｗ
/ｍ・℃）とした場合に、前記の長さＬ_fをｋ×１０/(２
×６００)(ｍ)以下にする必要がある。また、反射面側
からのみ冷却する場合は、前記の長さＬ_rをｋ×１０/
(２×６００)(ｍ）以下にする必要がある。受光面１側
及び反射面２側の両方から冷却する場合、前記Ｌ_f及び
Ｌ_rはｋ×１０/６００以下でよい。

【００６５】また、少なくとも温度上昇による電圧降下
分が集光での電圧上昇分約４０ｍＶを超えて出力が低下
するのをさけるためには、受光面側からのみ冷却する場
合には前記Ｌ_fをｋ×２０/(２×６００)(ｍ)以下に、反
射面からのみ冷却する場合には前記Ｌ_rをｋ×２０/(２
×６００)(ｍ)以下にする必要がある。また、受光面１
側及び反射面２側の両方から冷却する場合は、前記Ｌ_f
及びＬ_rはｋ×２０/６００以下でよい。図７では反射面
２の外側が外気にさらされている構造について示してい
るが、図１２に示すように反射面２の外側に外壁１７が
ある構造においてもＬ_rは少なくとも上記の条件を満た
す必要がある。

【００６６】図３及び図４に示すような回転体構造の反
射面２を持ち、球状や直方体状の塊状の光電変換装置を
持つ集光型太陽光発電装置においては、その断面が図１
３や図１４のようになる。この場合も前記と同様に受光
面１及び反射面２と光電変換装置３との位置関係を保つ
必要がある。

【００６７】すなわち、受光面１側からのみ冷却する場
合は、媒体１０の熱伝導率をｋ（Ｗ/ｍ・℃）とした場合
に少なくとも温度上昇による電圧降下分が集光での電圧
上昇分約４０ｍＶを超えて出力が低下するのをさけるた
めには、受光面１側からのみ冷却する場合には前記Ｌ_f
をｋ×２０/(２×６００)(ｍ）以下に、反射面２からの
み冷却する場合には前記Ｌ_rをｋ×２０/(２×６００)
(ｍ)以下にする必要がある。また、受光面１側及び反射
面２側の両方から冷却する場合は、前記Ｌ_f及びＬ_rはｋ
×２０/６００以下でよい。また、電圧降下を２０ｍＶ
とすると温度上昇を１０℃以下とする必要がある。この
場合は前記の長さＬ_fをｋ×１０/(２×６００)(ｍ)以下
にする必要がある。また、反射面２側からのみ冷却する
場合は、前記の長さL_rをｋ×１０/(２×６００)(ｍ)以
下にする必要がある。受光面１側及び反射面２側の両方
から冷却する場合、前記Ｌ_f及びＬ_rはｋ×１０/６００
以下でよい。

【００６８】図１及び図２に示す構造においては、光電
変換装置３を含む断面がそれぞれ図１５及び図１６のよ
うになる。また、図５に示す構造においては、光電変換
装置を含む断面が図１７(ｂ）のようになる。これらの
場合、電極を光電変換装置３の表面の反射面２の外部に
位置する部分１３に設けることによりシャドーイングロ
スを低減することができる。

【００６９】この場合は、電極が光電変換装置３の外周
部にのみ形成されるため光電変換装置３で発生した電流
は、電極に到達するために光電変換装置３内を流れる必
要がある。この場合の電気抵抗による電力損は、光電変
換装置３のサイズが大きくなるにつれて増大する。よっ
て、前記損失を低減するためには光電変換装置３のサイ
ズを一定の値以下に制限する必要がある。

【００７０】一般に光電変換装置３の設計においては、
前記損失を光電変換装置３による発電量の１０％以下に
することにより光電変換効率を高くすることができる。
このためには前記光電変換装置３の、前記空間内に位置
し、前記電流が流れる部分のすべての点から前記反射面
２までの最短距離１２を、前記光電変換装置３の電流が
流れる部分のシート抵抗をρ（Ω/□）、動作電圧を
Ｖ、電流密度をＪ（Ａ／ｍ²）として、(０.１×１６×
Ｖ)/(Ｊ×ρ)の平方根以下とする必要がある。また、望
ましくは前記損失を光電変換装置３による発電量の５％
以下にすることが重要であり、このためには前記最短距
離１２を(０.０５×１６×Ｖ)/(Ｊ×ρ)の平方根以下と
する必要がある。

【００７１】ここで、電流密度Ｊとは光電変換装置３
の、前記空間内に位置し、前記電流が流れる部分の任意
の面への投影面積の最大のもので発生電流を割った値で
ある。また、シート抵抗とは、上記投影面積が最大とな
る投影面に沿って測定した前記空間内に位置する部分の
平均のシート抵抗である。

【００７２】例えば、図１７に示す構造を持ち、光電変
換装置３が比抵抗１Ω・ｃｍ、厚みが０.０００４
(ｍ）、のｐ型シリコン半導体基板で形成されており、
基板の片側の表面にシート抵抗１００Ω/□のｎ型拡散
層を形成し、ｐｎ接合を利用して光電変換を行う場合を
考える。集光装置の集光倍率が４倍の場合は光電変換装
置３には約１２００Ａ/ｍ²の電流が流れる。また、電圧
はシリコン基板を用いた場合は約０.６Vである。この場
合は光電変換装置３のｐ型基板のシート抵抗は２５Ω/
□である、光電変換装置３内で発生した電流はｎ型層及
びｐ型層を流れて電極へ達する。したがって、前記反射
面までの最短距離１２を、(０.１×１６×０.６)/(１２
００×(１００＋２５))＝６.４×１０~⁶（＝６.４/１０
⁶)の平方根以下、すなわち、０.００２５(ｍ）以下に、
望ましくは(０.０５×１６×０.６)/(１２００×(１０
０＋２５))＝３.２×１０~⁶の平方根以下、すなわち、
０.００１８(ｍ）以下とする必要がある。また、前記ｎ
型拡散層を基板の両側の表面に形成した場合は、それぞ
れのｎ型拡散層を流れる電流密度が半減する。よって、
前記反射面２までの最短距離１２を、(０.１×１６×
０.６)/(１２００×(１００/４＋１００/４＋２５))＝
１.１×１０~⁵の平方根以下、すなわち、０.００３３
(ｍ)以下に、望ましくは(０.０５×１６×０.６)/(１２
００×(１００/４＋１００/４＋２５))＝５.３×１０~⁶
の平方根以下、すなわち０.００２３(ｍ)以下とする必
要がある。このように、複数の部分を電流が通る場合は
前記の式においてそれらの部分のシート抵抗の総和を前
記基板のシート抵抗とする必要がある。また、前記複数
の部分のそれぞれを流れる電流密度が１/ｎとなる場合
は、この部分のシート抵抗をｎ²で割ったものをその部
分のシート抵抗と置き換える必要がある。

【００７３】図３及び図４においては光電変換装置３が
塊状である。この場合はその断面が図１８(ｂ)のように
なる。このような構造においても光電変換装置３の電流
が流れる部分のシート抵抗をρ、動作電圧をＶ、電流密
度をＪとして、(０.１×１６×Ｖ)/(Ｊ×ρ)の平方根以
下とする必要がある。電流が流れる部分が半導体上に形
成された拡散層である場合はその部分のシート抵抗は通
常の定義の通りであるが、塊状の半導体などの場合は電
極を含む断面のなかで最も断面積が大きく、且つ対称性
が最も高い面に投影した面に沿った平均のシート抵抗を
前記電流が流れる部分のシート抵抗とすることによりこ
れまでの説明と同様の式を用いて前記反射面までの最短
距離１２を求めることができる。

【００７４】（実施例１）図１９は本発明の前記実施形
態を用いた実施例１の集光型太陽光発電装置の概略構成
を示す模式図であり、(ａ)は曲線の回転体反射面２を持
つ集光型太陽光発電装置の全体斜視図、(ａ’)は直線の
回転体反射面２を持つ集光型太陽光発電装置の鳥瞰図、
(ｂ)は（ａ）に示す丸印Ｂで囲んだ領域の構成拡大図、
(ｃ)は（ａ）に示す丸印Ｃで囲んだ領域の構成拡大図で
ある。図２０は図１９（ａ）の集光型太陽光発電装置を
用いた集光型太陽光発電モジュールの概略構成を示す図
であり、(ａ)は全体平面図、(ｂ)は（ａ）図に示すＡ−
Ａ’線で切った断面図、(ｃ)は（ａ）図に示すＢ−Ｂ’
線で切った断面図である。

【００７５】本実施例１の集光型太陽光発電装置におい
ては、図１９（ａ）に示す集光型太陽光発電装置を用い
た。反射面２は銀薄膜を真空蒸着法により形成して約９
５％の反射率を持つ鏡面とした。光電変換装置３には板
状のｐ型、比抵抗０.５Ω・cm、厚み４００μmのシリコ
ン半導体基板を用い、その一方の面にシート抵抗１００
Ω/□のｎ型拡散層を形成した。図１９(ｂ)及び同図
(ｃ)に示すように、この光電変換装置３の前記ｎ型拡散
層のある側の反射面２の外側の表面に第１の電極１４を
形成した。また、この反対側に第２の電極１５を形成し
た。受光面１と反射面２で囲まれた部分には媒体として
ガラスを充填した。

【００７６】受光面１側及び反射面２側の両方から冷却
することを考慮すると、前記Ｌ_f及びＬ_rはｋ×∂Ｔ/Ｑ
以下とする必要がある。ガラスの熱伝導率ｋは約０.９
(Ｗ/ｍ・℃)である。よって、∂Ｔを１０℃とするとＬ_f
及びＬ_rは０.９×１０/６００＝０.０１５(ｍ)以下とす
る必要がある。

【００７７】また、抵抗損を低く押さえるために、前記
光電変換装置３の前記空間内に位置する表面上のすべで
の点から前記反射面２までの最短距離を、前記光電変換
装置３の基板のシート抵抗をρ、動作電圧をＶ、電流密
度をＪとして、(０.１×１６×Ｖ)/(Ｊ×ρ)の平方根以
下とする。この例では、ｐ基板及びｎ拡散層を電流が流
れる。集光倍率を４倍に設計すると、電圧Ｖ＝０.６
(Ｖ)、電流密度Ｊ＝１２００Ａ／ｍ²なので、前記最短
距離の最大値は(０.１×１６×０.６)/(１２００×(１
００＋１２.５))＝７.１×１０~⁶の平方根以下、すなわ
ち、０.００２７(ｍ)以下にする。したがって、カバー
ガラスの厚み３ｍｍを考慮して、基板の幅を５ｍｍ、高
さを２.５ｍｍ、反射面２の高さ２４を５ｍｍとした。
これにより、受光面１の温度と光電変換装置３の温度差
を約６℃以下に、反射面２の温度と光電変換装置３の温
度差を約４℃以下に抑えることができた。また、抵抗損
による電力損失を約９％に抑えることができた。

【００７８】この集光型太陽光発電装置を６角形に切り
出し、図２０(ａ)に示すように、多数個を接触させて配
置し、(ｂ)及び(ｃ)に示すように、その上面にカバーガ
ラス１８を設置して集光型太陽光発電モジュールを形成
した。外周部には、アルミ製のフレーム２３を設けた。
断面は大小の回転体の断面が並んいる。主な集光型太陽
光発電装置には第１の配線２１及び第２の配線２２を接
続し、それぞれ直列または並列に結線した。また、図１
９（ａ’）に示す集光型太陽光発電装置を用いた場合も
同様にモジュールを作製することにより同様の効果を得
ることができた。

【００７９】（実施例２）図２１は本発明の前記他の実
施形態を用いた実施例２の集光型太陽光発電装置の概略
構成を示す模式図であり、(ａ)は全体斜視図、(ｂ)は
（ａ）に示す丸印Ｂで囲んだ領域の構成拡大図、(ｃ)は
（ａ）に示す丸印Ｃで囲んだ領域の構成拡大図である。
図２２は図２１の集光型太陽光発電装置を用いた集光型
太陽光発電モジュールの概略構成を示す図であり、(ａ)
は曲線の回転体反射面２を持つ集光型太陽光発電装置の
全体斜視図、(ａ’)直線の回転体反射面２を持つ集光型
太陽光発電装置の全体斜視図、(ｂ)は全体平面図、(ｃ)
は（ｂ）に示すＡ−Ａ’線で切った断面図、(ｄ)は
（ｂ）に示すＢ−Ｂ’線で切った断面図である。

【００８０】まず、集光型太陽光発電装置としては図２
１に示す構造のものを用いた。反射面２は銀薄膜を真空
蒸着法により形成して約９５％の反射率を持つ鏡面とし
た。光電変換装置３には球状のｐ型、比抵抗０.５Ω・
ｃｍのシリコン半導体を用い、その表面の反射面２の内
側部分及びこのこの外側の一部にシート抵抗１００Ω/
□のｎ型拡散層を形成した。この光電変換装置３の前記
ｎ型拡散層の前記反射鏡の外側にある部分の表面に第１
の電極１９を形成した。

【００８１】また、底部のｐ型基板が露出した部分に第
２の電極２０を形成した。受光面１と反射面２で囲まれ
た部分には媒体としてガラスを充填した。受光面１側及
び反射面２側の両方から冷却することを考慮すると、前
記Ｌ_f及びＬ_rはｋ×∂Ｔ/Q以下とする必要がある。ガラ
スの熱伝導率ｋは約０.９(Ｗ/ｍ・℃)である。したがっ
て、少なくとも温度上昇による電圧降下分が集光での電
圧上昇分約４０mVを超えて出力が低下するのをさけるた
めには、∂Ｔを２０℃とする必要がある。よって、Ｌ_f
及びＬ_rは０.９×２０/６００＝０.０３(m)以下とする
必要がある。

【００８２】また、抵抗損を低く押さえるために前記光
電変換装置３の前記空間内に位置する表面上のすべての
点から前記反射面までの最短距離を、前記光電変換装置
３の基板のシート抵抗をρ、動作電圧をＶ、電流密度を
Ｊとして、(０.１×１６×Ｖ)/(Ｊ×ρ)の平方根以下と
する必要がある。この例では、ｐ基板及びｎ拡散層を電
流が流れる。受光部の面積に対する球状光電変換装置の
反射面２内の部分の面積の割り合いを２倍に、すなわ
ち、集光倍率２倍に設計すると、電圧Ｖ＝０.６(Ｖ)、
電流密度Ｊ＝６００Ａ／ｍ²なので、前記最短距離の最
大値は(０.１×１６×０.６)/(６００×１００)＝１.６
×１０~⁵の平方根以下、すなわち、０.００４(ｍ)以下
にする必要がある。よって、カバーガラスの厚み３ｍｍ
を考慮して、球状光電変換装置の半径を３.５ｍｍ、反
射面２の高さ２４を６ｍｍとした。これにより、受光面
１の温度と光電変換装置３の温度差を約９℃以下に、反
射面２の温度と光電変換装置３の温度差を約７℃以下に
抑えることができた。また、抵抗損による電力損失を約
８％に抑えることができた。

【００８３】この集光型太陽光発電装置を６角形に切り
出し、図２２(ｂ)に示すように、多数の６角形の集光型
太陽光発電装置を接触させて配置し、同図(ｃ)及び(ｄ)
に示すように、その上面にカバーガラス１８を設置して
集光型太陽光発電モジュールを形成した。外周部には、
アルミニウム製のフレーム２３を設けた。このように断
面は大小の回転体の断面が並んでいる。主な集光型太陽
光発電装置には第１の配線２１及び第２の配線２２を接
続し、それぞれ直列または並列に結線した。

【００８４】また図２２（ａ’）に示す集光型太陽光発
電装置を用いた場合も同様にモジュールを作製すること
により同様の効果を得ることができる。

【００８５】（実施例３）図２３は本発明の前記他の実
施形態を用いた実施例３の集光型太陽光発電モジュール
の概略構成を示す図であり、図２３において、(ｂ)はそ
の全体平面図、(ｃ)は（ｂ）に示すＡ−Ａ’線で切った
断面図である。

【００８６】本実施例３の集光型太陽光発電モジュール
は、図２３（ａ）に示す構造の集光型太陽光発電装置を
用いた。この集光型太陽光発電装置の反射面２にはＶ溝
を形成し、この表面に銀薄膜を真空蒸着法により形成し
て約９５％の反射率を持つ鏡面とした。光電変換装置３
には板状のｐ型、比抵抗０.５Ω・cm、厚み４００μmの
シリコン半導体基板を用い、その表面の反射鏡２の内側
部分及びこの外側の一部にシート抵抗１００Ω/□のｎ
型拡散層を形成した。この光電変換装置３の前記ｎ型拡
散層の前記反射面２の外側にある部分の表面に第１のバ
スバー電極１９を形成し、内側にはフィンガー電極を形
成した。また、底部のｐ型基板が露出した部分に第２の
電極２０を形成した。

【００８７】受光面１と反射面２で囲まれた部分には媒
体としてガラスを充填した。受光面１側及び反射面２側
の両方から冷却することを考慮すると、前記Ｌ_f及びＬ_r
はｋ×∂Ｔ/Ｑ以下とする必要がある。ガラスの熱伝導
率ｋは約０.９(Ｗ/ｍ・℃)である。よって、∂Ｔを１０
℃とすると、Ｌ_f及びＬ_rは０.９×１０/６００＝０.０
１５(ｍ)以下とする必要がある。

【００８８】また、抵抗損を低く押さえるために、前記
光電変換装置３の前記空間内に位置する表面上のすべて
の点から前記反射面２までの最短距離を、前記光電変換
装置３の基板のシート抵抗をρ、動作電圧をＶ、電流密
度をＪとして、(０.１×１６×Ｖ)/(Ｊ×ρ)の平方根以
下とする。この例では、ｐ基板及びｎ拡散層を電流が流
れる。しかし、ｎ拡散層表面にはフィンガーを設けたた
めこの部分の電力損失は考慮する必要がなく基板での抵
抗損のみ考慮すればよい。したがって、集光倍率を４倍
に設計すると、電圧Ｖ＝０.６(Ｖ)、電流密度Ｊ＝１２
００Ａ／ｍ²なので、前記反射面までの最短距離の最大
値を(０.１×１６×Ｖ)/(１２００×１２.５)＝６.４×
１０~⁵の平方根以下、すなわち、０.００８(ｍ)以下に
する必要がある。よって、光電変換装置の高さを７.５
ｍｍ、反射面２の高さ２４を７.５ｍｍとした。これに
より、受光面１の温度と光電変換装置３の温度差を約６
℃以下に、反射面２の温度と光電変換装置３の温度差を
約６℃以下に抑えることができた。また、抵抗損による
電力損失を約９％に抑えることができた。

【００８９】前記集光型太陽光発電装置の多数個を、図
２３(ｂ)に示すように、それぞれ接触させて配置した形
状の集光型太陽光発電モジュールを形成した。この実施
例３では、図２３(ｂ）に示すように、個々の集光型太
陽光発電装置を単に配置するのではなく、すべての集光
型太陽光発電装置の媒体１０がつながった構造を一体整
形することにより個々の集光型太陽光発電装置を配置す
る手間をなくした。外周部には、アルミ製のフレーム２
３を設けた。集光型太陽光発電装置には第１の配線２１
及び第２の配線２２を接続し、それぞれ直列又は並列に
結線した。

【００９０】以上、本発明者がなされた発明について、
実施形態及び実施例に基づいて具体的に説明したが、本
発明は前記実施形態及び実施例に限定されるものではな
く、その要旨を変更しない範囲において種々変更し得る
ことは勿論である。

【００９１】

【発明の効果】以上の説明からわかるように、本発明に
よれば、集光型太陽光発電装置及び集光型太陽光発電モ
ジュールにおける光電変換装置の温度上昇及び抵抗損に
よる出力低下の低減もしくは防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る一実施形態の集光型太陽光発電装
置の概略構成を示す模式図である。

【図２】本発明に係る他の実施形態の集光型太陽光発電
装置の概略構成を示す模式図である。

【図３】本発明に係る他の実施形態の集光型太陽光発電
装置の概略構成を示す模式図である。

【図４】本発明に係る他の実施形態の集光型太陽光発電
装置の概略構成を示す模式図である。

【図５】本発明に係る他の実施形態の他の集光型太陽光
発電装置の概略構成を示す模式図である。

【図６】本発明に係る他の実施形態の他の集光型太陽光
発電装置の概略構成を示す模式図である。

【図７】本発明に係る一実施形態の集光型太陽光発電装
置の作用を説明するための図である。

【図８】本発明に係る他の実施形態の集光型太陽光発電
装置の作用を説明するための図である。

【図９】本発明に係る他の実施形態の集光型太陽光発電
装置の作用を説明するための図である。

【図１０】本発明に係る他の実施形態の集光型太陽光発
電装置の作用を説明するための図である。

【図１１】本発明に係る他の実施形態の集光型太陽光発
電装置の作用を説明するための図である。

【図１２】本発明に係る他の実施形態の集光型太陽光発
電装置の作用を説明するための図である。

【図１３】本発明に係る他の実施形態の集光型太陽光発
電装置の作用を説明するための図である。

【図１４】本発明に係る他の実施形態の集光型太陽光発
電装置の作用を説明するための図である。

【図１５】本発明に係る他の実施形態の集光型太陽光発
電装置の作用を説明するための図である。

【図１６】本発明に係る他の実施形態の集光型太陽光発
電装置の作用を説明するための図である。

【図１７】本発明に係る他の実施形態の集光型太陽光発
電装置の作用を説明するための図である。

【図１８】本発明に係る他の実施形態の集光型太陽光発
電装置の作用を説明するための図である。

【図１９】本発明の前記一実施形態による実施例１の集
光型太陽光発電装置の概略構成を示す模式図である。

【図２０】図１９の集光型太陽光発電装置を用いた集光
型太陽光発電モジュールの概略構成を示す図である。

【図２１】本発明の前記他の実施形態による実施例２の
集光型太陽光発電装置の概略構成を示す模式図である。

【図２２】図２１の集光型太陽光発電装置を用いた集光
型太陽光発電モジュールの概略構成を示す図である。

【図２３】本発明の前記他の実施形態による実施例３の
集光型太陽光発電装置を用いた集光型太陽光発電モジュ
ールの概略構成を示す図である。

【符号の説明】

１…受光面、２…反射面、３…光電変換装置、４…入射
光、５…カバーガラス裏面、７…集光装置内に位置する
光電変換装置のすべての点から受光面までの最短距離、
８，１２…集光装置内に位置する光電変換装置のすべて
の点から反射面までの最短距離、９…第２の媒体、１０
…第１の媒体、１１…受光面側冷却風、１３…光電変換
装置表面で反射面外部に位置する部分、１４，１９…第
１の電極、１５，２０…第２の電極、１６…反射面側冷
却風、１７…反射面外壁、１８…カバーガラス、２１…
第１の配線、２２…第２の配線、２３…フレーム、２４
…反射面の高さ。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１１年３月１５日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【請求項１０】 請求項１乃至９のうちいずれか１項に
記載の集光型太陽光発電装置の複数個をモジュール化し
たことを特徴とする集光型太陽光発電モジュール。

【請求項１１】 請求項１０に記載の集光型太陽光発電
モジュールにおいて、前記媒体が前記複数個の集光型太
陽光発電装置間で連続している構造を有することを特徴
とする集光型太陽光発電モジュール。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１２】（６）集光型太陽光発電装置において、前
記光電変換装置は、当該装置の外周部上に形成され、か
つ、前記反射面の外部に位置する電極を有しており、前
記空間内に位置する前記光電変換装置の表面上のすべて
の点から前記光電変換装置内を前記電極に向かって流れ
る電流の経路の最短距離を、前記光電変換装置の電流が
流れる部分のシート抵抗をρ、動作電圧をＶ、電流密度
をＪとして、（０.１×１６×Ｖ）/（Ｊ×ρ）の平方根
以下としたものである。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１３】（７）前記（６）の集光型太陽光発電装置
において、前記最短距離が、前記光電変換装置の電流が
流れる部分のシート抵抗をρ、動作電圧をＶ、電流密度
をＪとして、（０.０５×１６×Ｖ）/（Ｊ×ρ）の平方
根以下としたものである。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１４】（８）前記（１）乃至（７）うちいずれか
１つの集光型太陽光発電装置において、前記光電変換装
置の形状は、板状、直方体状、及び球状かなる群の中か
ら選ばれた一つである。また、前記（１）乃至（７）う
ちいずれか１つの集光型太陽光発電装置において、前記
光電変換装置の形状は板状であり、その表面及び裏面と
前記反射面の間に前記媒体が存在してなる。前記（１）
乃至（８）のうちいずれか１つの集光型太陽光発電装置
を複数個モジュール化したものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村松 信一 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 筒井 謙 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 大塚 寛之 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 宮村 芳徳 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 受光面と反射面とで囲まれた空間内に少
   なくとも装置の一部が位置するように設置された光電変
   換装置と、前記空間を充填している媒体を有する集光型
   太陽光発電装置において、前記光電変換装置の前記空間
   内に位置する部分のすべての点から前記受光面までの最
   短距離が、前記媒体の熱伝導率をｋ（Ｗ/ｍ・℃）とした
   場合にｋ×２０÷６００÷２（ｍ）以下となる構造を有
   することを特徴とする集光型太陽光発電装置。
2. 【請求項２】 受光面と反射面とで囲まれた空間内に少
   なくとも装置の一部が位置するように設置された光電変
   換装置と、前記空間を充填している媒体を有する集光型
   太陽光発電装置において、前記光電変換装置の前記空間
   内に位置する部分のすべての点から前記反射面までの最
   短距離が、前記媒体の熱伝導率をｋ（Ｗ/ｍ・℃）とした
   場合にｋ×２０÷６００÷２（ｍ）以下となる構造を有
   することを特徴とする集光型太陽光発電装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載の集光型太陽光発
   電装置において、前記光電変換装置の前記空間内に位置
   する部分のすべての点から前記受光面又は反射面までの
   最短距離が、前記媒体の熱伝導率をｋ（Ｗ/ｍ・℃）とし
   た場合にｋ×１０÷６００÷２（ｍ）以下となる構造を
   有することを特徴とする集光型太陽光発電装置。
4. 【請求項４】 受光面と反射面とで囲まれた空間内に少
   なくとも装置の一部が位置するように設置された光電変
   換装置と、前記空間を充填している媒体を有する集光型
   太陽光発電装置において、前記光電変換装置の前記空間
   内に位置する部分のすべての点から前記受光面及び反射
   面までの最短距離が、前記媒体の熱伝導率をｋ（Ｗ/ｍ・
   ℃）とした場合にそれぞれｋ×２０÷６００（ｍ）以下
   となる構造を有することを特徴とする集光型太陽光発電
   装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の集光型太陽光発電装置
   において、前記光電変換装置の前記空間内に位置する部
   分のすべての点から前記受光面及び反射面までの最短距
   離が、前記媒体の熱伝導率をｋ（Ｗ/ｍ・℃）とした場合
   にｋ×１０÷６００（ｍ）以下となる構造を有すること
   を特徴とする集光型太陽光発電装置。
6. 【請求項６】 受光面と反射面とで囲まれた空間内に少
   なくともその一部が位置するように設置された光電変換
   装置と、前記空間を充填している媒体を有する集光型太
   陽光発電装置において、前記光電変換装置の前記空間内
   に位置する表面上のすべての点から前記反射面までの最
   短距離が、前記光電変換装置の電流が流れる部分のシー
   ト抵抗をρ、動作電圧をＶ、電流密度をＪとして、
   （０.１×１６×Ｖ）/（Ｊ×ρ）の平方根以下となる構
   造を有することを特徴とする集光型太陽光発電装置。
7. 【請求項７】 請求項６に記載の集光型太陽光発電装置
   において、前記光電変換装置の前記空間内に位置する表
   面上のすべての点から前記反射面までの最短距離が、前
   記光電変換装置の電流が流れる部分のシート抵抗をρ、
   動作電圧をＶ、電流密度をＪとして、（０.０５×１６
   ×Ｖ）/（Ｊ×ρ）の平方根以下となる構造を有するこ
   とを特徴とする集光型太陽光発電装置。
8. 【請求項８】 請求項１乃至７のうちいずれか１項に記
   載の集光型太陽光発電装置の複数個をモジュール化した
   ことを特徴とする集光型太陽光発電モジュール。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の集光型太陽光発電モジ
   ュールにおいて、前記反射鏡に充填された前記媒体が前
   記複数個の集光型太陽光発電装置間で連続している構造
   を有することを特徴とする集光型太陽光発電モジュー
   ル。