JPH11236387A - 3−セフェム化合物の製造方法 - Google Patents
3−セフェム化合物の製造方法Info
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Cephalosporin Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価なペニシリンを出発原料とする短い反応
工程で容易に誘導し得るハロゲン化β−ラクタム化合物
より、広範囲な抗菌スペクトルを有する有用な抗菌剤の
中間体である3−セフェム化合物を簡便な反応操作、ま
た、工業的に有利な反応条件により容易に製造しうる新
規な技術を提供する。 【解決手段】 一般式(1)で表されるハロゲン化β−
ラクタム化合物を、銅塩及び含窒素複素環式芳香族化合
物存在下、一般式(2)で表されるアルケニルスズ化合
物と反応させて、一般式(3)で表される3−セフェム
化合物を得ることを特徴とする3−セフェム化合物の製
造方法。 【化1】 (式中R1は水素原子等、R2は水素原子等、R3は水素
原子等を示す。R4は置換基を有していてもよいアリー
ル基等を示す。mは0〜2を示す、Xはハロゲン原子を
示す。Yはハロゲン原子または脱離基を示す。) R5SnR6 3 (2) (式中R5は置換基を有していても良い1−もしくは2
−アルケニル基を示す。R6は低級アルキル基を示
す。) 【化2】 (式中R1、R2、R3、R5は前記に同じ。)
工程で容易に誘導し得るハロゲン化β−ラクタム化合物
より、広範囲な抗菌スペクトルを有する有用な抗菌剤の
中間体である3−セフェム化合物を簡便な反応操作、ま
た、工業的に有利な反応条件により容易に製造しうる新
規な技術を提供する。 【解決手段】 一般式(1)で表されるハロゲン化β−
ラクタム化合物を、銅塩及び含窒素複素環式芳香族化合
物存在下、一般式(2)で表されるアルケニルスズ化合
物と反応させて、一般式(3)で表される3−セフェム
化合物を得ることを特徴とする3−セフェム化合物の製
造方法。 【化1】 (式中R1は水素原子等、R2は水素原子等、R3は水素
原子等を示す。R4は置換基を有していてもよいアリー
ル基等を示す。mは0〜2を示す、Xはハロゲン原子を
示す。Yはハロゲン原子または脱離基を示す。) R5SnR6 3 (2) (式中R5は置換基を有していても良い1−もしくは2
−アルケニル基を示す。R6は低級アルキル基を示
す。) 【化2】 (式中R1、R2、R3、R5は前記に同じ。)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は3−セフェム化合物
の製造方法に関する。得られる3−セフェム化合物は、
例えば最新抗生剤要項第9版、p83)に記載の cefix
ime のような広範囲な抗菌スペクトルを有する抗菌剤の
中間体として有用である(特開昭63−20435
号)。
の製造方法に関する。得られる3−セフェム化合物は、
例えば最新抗生剤要項第9版、p83)に記載の cefix
ime のような広範囲な抗菌スペクトルを有する抗菌剤の
中間体として有用である(特開昭63−20435
号)。
【0002】
【従来の技術】3−アルケニルセフェムの合成法として
は、3−ハロゲノメチルセファロスポリン化合物より誘
導した3−ホスホラニリデンメチルセファロスポリン化
合物とカルボニル化合物とのカップリング(Wittig反
応)による3−アルケニルセフェム化合物の合成法が知
られている(例えば、特開昭48−19593号、特開
昭63−307885号、特開平3−120288号な
ど)。しかし、これらの反応では一旦、非常に不安定な
ホスホラニリデンメチルセファロスポリン化合物を経由
しなければならず工業的に有為な方法とはいいがたい。
また、3−トリフルオロメタンスルホニルオキシセフェ
ム(4)或いは3−クロロメチルセフェム(5)と有機
錫化合物とのパラジウム触媒を用いるカップリング反応
が報告されている(ジャーナル オブ オーガニック
ケミストリー、55、p5833〜5847、199
0、特開平1−313483号、特開平3−22019
5号)。
は、3−ハロゲノメチルセファロスポリン化合物より誘
導した3−ホスホラニリデンメチルセファロスポリン化
合物とカルボニル化合物とのカップリング(Wittig反
応)による3−アルケニルセフェム化合物の合成法が知
られている(例えば、特開昭48−19593号、特開
昭63−307885号、特開平3−120288号な
ど)。しかし、これらの反応では一旦、非常に不安定な
ホスホラニリデンメチルセファロスポリン化合物を経由
しなければならず工業的に有為な方法とはいいがたい。
また、3−トリフルオロメタンスルホニルオキシセフェ
ム(4)或いは3−クロロメチルセフェム(5)と有機
錫化合物とのパラジウム触媒を用いるカップリング反応
が報告されている(ジャーナル オブ オーガニック
ケミストリー、55、p5833〜5847、199
0、特開平1−313483号、特開平3−22019
5号)。
【0003】
【化3】 (式中R1、R2、R3は後記に同じ。)
【0004】
【化4】 (式中R1、R2、R3は後記に同じ。)
【0005】しかしこれらの製造方法は、工業的に使用
困難な有機錫化合物を化学量論量以上用いなければなら
ず、また高価なパラジウム触媒を用いなければならない
ばかりではなく、工業的に扱いにくいトリフルオロメタ
ンスルホン酸無水物を用いなければならない等の問題も
抱えている。ペニシリンを出発原料とする3−アルケニ
ルセフェム化合物の製造法としてアレニルβ−ラクタム
化合物を用いる方法も報告されている〔例えばKant et
al.,Tetrahedron Lettters,33,3563(19
92),Torii et al, Tetrahedron Letters,3
3,7029(1992),又は特開平6−65252
号、特開平7−133279号など〕が、この方法では
不安定なアレニルβ−ラクタム化合物を取り扱う必要が
あり、工業的に有利な製造方法としては数多くの問題点
を抱えている。
困難な有機錫化合物を化学量論量以上用いなければなら
ず、また高価なパラジウム触媒を用いなければならない
ばかりではなく、工業的に扱いにくいトリフルオロメタ
ンスルホン酸無水物を用いなければならない等の問題も
抱えている。ペニシリンを出発原料とする3−アルケニ
ルセフェム化合物の製造法としてアレニルβ−ラクタム
化合物を用いる方法も報告されている〔例えばKant et
al.,Tetrahedron Lettters,33,3563(19
92),Torii et al, Tetrahedron Letters,3
3,7029(1992),又は特開平6−65252
号、特開平7−133279号など〕が、この方法では
不安定なアレニルβ−ラクタム化合物を取り扱う必要が
あり、工業的に有利な製造方法としては数多くの問題点
を抱えている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、安価
なペニシリンを出発原料とする短い反応工程で容易に誘
導し得るハロゲン化β−ラクタム化合物より、広範囲な
抗菌スペクトルを有する有用な抗菌剤の中間体である3
−セフェム化合物を簡便な反応操作、また、工業的に有
利な反応条件により容易に製造しうる新規な技術を提供
することにある。
なペニシリンを出発原料とする短い反応工程で容易に誘
導し得るハロゲン化β−ラクタム化合物より、広範囲な
抗菌スペクトルを有する有用な抗菌剤の中間体である3
−セフェム化合物を簡便な反応操作、また、工業的に有
利な反応条件により容易に製造しうる新規な技術を提供
することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は一般式(1)で
表されるハロゲン化β−ラクタム化合物を、銅塩及び含
窒素複素環式芳香族化合物存在下、一般式(2)で表さ
れるアルケニルスズ化合物と反応させて、一般式(3)
で表される3−セフェム化合物を得ることを特徴とする
3−セフェム化合物の製造方法に係る。
表されるハロゲン化β−ラクタム化合物を、銅塩及び含
窒素複素環式芳香族化合物存在下、一般式(2)で表さ
れるアルケニルスズ化合物と反応させて、一般式(3)
で表される3−セフェム化合物を得ることを特徴とする
3−セフェム化合物の製造方法に係る。
【0008】
【化5】 (式中R1は水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、又は
保護されたアミノ基を示す。R2は水素原子、ハロゲン
原子、低級アルコキシ基、低級アシル基、低級アルキル
基、水酸基又は保護された水酸基を置換基として有する
低級アルキル基、水酸基、又は保護された水酸基を示
す。R3は水素原子又はカルボン酸保護基を示す。R4は
置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有
していてもよい含窒素芳香族複素環基を示す。mは0〜
2を示す、Xはハロゲン原子を示す。Yはハロゲン原子
または脱離基を示す。)
保護されたアミノ基を示す。R2は水素原子、ハロゲン
原子、低級アルコキシ基、低級アシル基、低級アルキル
基、水酸基又は保護された水酸基を置換基として有する
低級アルキル基、水酸基、又は保護された水酸基を示
す。R3は水素原子又はカルボン酸保護基を示す。R4は
置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有
していてもよい含窒素芳香族複素環基を示す。mは0〜
2を示す、Xはハロゲン原子を示す。Yはハロゲン原子
または脱離基を示す。)
【0009】R5SnR6 3 (2) (式中R5は置換基を有していても良い1−もしくは2
−アルケニル基を示す。R6は低級アルキル基を示
す。)
−アルケニル基を示す。R6は低級アルキル基を示
す。)
【0010】
【化6】 (式中R1、R2、R3、R5は前記に同じ。)
【0011】本発明の方法によれば、高価なパラジウム
化合物を必要とせず、また不安定で取り扱いにくいホス
ホラニリデン化合物やアレニルβ−ラクタム化合物を用
いることなく、一般式(3)で表される目的の3−セフ
ェム化合物が容易に合成できる。化合物(1)には炭素
−炭素二重結合に基づくシス体及びトランス体の両方が
存在し、本発明では両方が含まれる。
化合物を必要とせず、また不安定で取り扱いにくいホス
ホラニリデン化合物やアレニルβ−ラクタム化合物を用
いることなく、一般式(3)で表される目的の3−セフ
ェム化合物が容易に合成できる。化合物(1)には炭素
−炭素二重結合に基づくシス体及びトランス体の両方が
存在し、本発明では両方が含まれる。
【0012】本明細書において示される各基は、具体的
には各々次の通りである。ハロゲン原子としては、弗
素、塩素、臭素、ヨウ素などを例示できる。低級アルキ
ル基としては、例えば、メチル、エチル、n−プロピ
ル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、sec−ブチ
ル、tert−ブチルなどの直鎖又は分枝状のC1〜C4アル
キル基を例示できる。
には各々次の通りである。ハロゲン原子としては、弗
素、塩素、臭素、ヨウ素などを例示できる。低級アルキ
ル基としては、例えば、メチル、エチル、n−プロピ
ル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、sec−ブチ
ル、tert−ブチルなどの直鎖又は分枝状のC1〜C4アル
キル基を例示できる。
【0013】更にR1で示される保護されたアミノ基と
しては、Theodora W. Greene著の”Protective Gr
oups in Organic Synthesis、1981 by John Wi
ley& Sons. Inc."(以下、単に「文献」という)の
第7章(p218〜287)に記載されている各種の基
の他、フェノキシアセトアミド、p−メチルフェノキシ
アセトアミド、p−メトキシフェノキシアセトアミド、p
−クロロフェノキシアセトアミド、p−ブロモフェノキ
シアセトアミド、フェニルアセトアミド、p−メチルフ
ェニルアセトアミド、p−メトキシフェニルアセトアミ
ド、 p−クロロフェニルアセトアミド、p−ブロモフェ
ニルアセトアミド、フェニルモノクロロアセトアミド、
フェニルジクロロアセトアミド、フェニルヒドロキシア
セトアミド、フェニルアセトキシアセトアミド、α−オ
キソフェニルアセトアミド、チエニルアセトアミド、ベ
ンズアミド、p−メチルベンズアミド、p−t−ブチルベ
ンズアミド、p−メトキシベンズアミド、p−クロロベン
ズアミド、p−ブロモベンズアミド、フェニルグリシル
アミド及びアミノ基の保護されたフェニルグリシルアミ
ド、p−ヒドロキシフェニルグリシルアミド及びアミノ
基及び水酸基の一方又は両方が保護された p−ヒドロキ
シフェニルグリシルアミド等のアミド類、フタルイミ
ド、ニトロフタルイミド等のイミド類を例示できる。フ
ェニルグリシルアミドおよび p−ヒドロキシフェニルグ
リシルアミドのアミノ基の保護基としては、上記文献の
第7章(p218〜287)に記載されている基を例示
できる。又、p−ヒドロキシフェニルグリシルアミドの
水酸基の保護基としては、上記文献の第2章(p10〜
72)に記載されている基を例示できる。
しては、Theodora W. Greene著の”Protective Gr
oups in Organic Synthesis、1981 by John Wi
ley& Sons. Inc."(以下、単に「文献」という)の
第7章(p218〜287)に記載されている各種の基
の他、フェノキシアセトアミド、p−メチルフェノキシ
アセトアミド、p−メトキシフェノキシアセトアミド、p
−クロロフェノキシアセトアミド、p−ブロモフェノキ
シアセトアミド、フェニルアセトアミド、p−メチルフ
ェニルアセトアミド、p−メトキシフェニルアセトアミ
ド、 p−クロロフェニルアセトアミド、p−ブロモフェ
ニルアセトアミド、フェニルモノクロロアセトアミド、
フェニルジクロロアセトアミド、フェニルヒドロキシア
セトアミド、フェニルアセトキシアセトアミド、α−オ
キソフェニルアセトアミド、チエニルアセトアミド、ベ
ンズアミド、p−メチルベンズアミド、p−t−ブチルベ
ンズアミド、p−メトキシベンズアミド、p−クロロベン
ズアミド、p−ブロモベンズアミド、フェニルグリシル
アミド及びアミノ基の保護されたフェニルグリシルアミ
ド、p−ヒドロキシフェニルグリシルアミド及びアミノ
基及び水酸基の一方又は両方が保護された p−ヒドロキ
シフェニルグリシルアミド等のアミド類、フタルイミ
ド、ニトロフタルイミド等のイミド類を例示できる。フ
ェニルグリシルアミドおよび p−ヒドロキシフェニルグ
リシルアミドのアミノ基の保護基としては、上記文献の
第7章(p218〜287)に記載されている基を例示
できる。又、p−ヒドロキシフェニルグリシルアミドの
水酸基の保護基としては、上記文献の第2章(p10〜
72)に記載されている基を例示できる。
【0014】R2で示される低級アルコキシ基として
は、例えば、メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イ
ソプロポキシ、n−ブトキシ、イソブトキシ、sec−ブト
キシ、tert−ブトキシなどの直鎖又は分枝状のC1〜C4
アルコキシ基を例示できる。R2で示される低級アシル
基としては、例えば、ホルミル、アセチル、プロピオニ
ル、ブチリル、イソブチリルなどの直鎖又は分枝状のC
1〜C4アシル基を例示できる。R2で示される水酸基又
は保護された水酸基を置換基として有する低級アルキル
基の保護された水酸基、およびR2で示される保護され
た水酸基の保護基としては、上記文献の第2章(p10
〜72)に記載されている基を例示できる。R2で示さ
れる上記置換低級アルキル基は、水酸基又は上記で示さ
れる保護された水酸基の中から選ばれる同一又は異なる
種類の置換基で、同一又は異なる炭素上に1つ以上置換
されていてもよい。
は、例えば、メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イ
ソプロポキシ、n−ブトキシ、イソブトキシ、sec−ブト
キシ、tert−ブトキシなどの直鎖又は分枝状のC1〜C4
アルコキシ基を例示できる。R2で示される低級アシル
基としては、例えば、ホルミル、アセチル、プロピオニ
ル、ブチリル、イソブチリルなどの直鎖又は分枝状のC
1〜C4アシル基を例示できる。R2で示される水酸基又
は保護された水酸基を置換基として有する低級アルキル
基の保護された水酸基、およびR2で示される保護され
た水酸基の保護基としては、上記文献の第2章(p10
〜72)に記載されている基を例示できる。R2で示さ
れる上記置換低級アルキル基は、水酸基又は上記で示さ
れる保護された水酸基の中から選ばれる同一又は異なる
種類の置換基で、同一又は異なる炭素上に1つ以上置換
されていてもよい。
【0015】R3で示されるカルボン酸保護基として
は、上記文献の第5章(p152〜192)に記載され
ている各種の基の他、ベンジル基、p−メトキシベンジ
ル基、p−ニトロベンジル基、ジフェニルメチル基、ト
リクロロエチル基、tert−ブチル基等を例示できる。R
4で示される置換基を有していてもよい含窒素芳香族複
素環基の含窒素芳香族複素環基としては、チアゾール−
2−イル、チアジアゾール−2−イル、ベンゾチアゾー
ル−2−イル、オキサゾール−2−イル、ベンゾオキサ
ゾール−2−イル、イミダゾール−2−イル、ベンゾイ
ミダゾール−2−イル、ピリミジル、ピリジル基等を例
示できる。
は、上記文献の第5章(p152〜192)に記載され
ている各種の基の他、ベンジル基、p−メトキシベンジ
ル基、p−ニトロベンジル基、ジフェニルメチル基、ト
リクロロエチル基、tert−ブチル基等を例示できる。R
4で示される置換基を有していてもよい含窒素芳香族複
素環基の含窒素芳香族複素環基としては、チアゾール−
2−イル、チアジアゾール−2−イル、ベンゾチアゾー
ル−2−イル、オキサゾール−2−イル、ベンゾオキサ
ゾール−2−イル、イミダゾール−2−イル、ベンゾイ
ミダゾール−2−イル、ピリミジル、ピリジル基等を例
示できる。
【0016】R4で示されるアリール基または含窒素芳
香族複素環基に置換していてもよい置換基の種類として
は、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アリ
ール基、低級アルキル基、アミノ基、モノ低級アルキル
アミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、メルカプト基、基
R6S−(R6は低級アルキル基又はアリール基)で表さ
れるアルキルチオ基又はアリールチオ基、ホルミルオキ
シ基、基R6COO−(R6は前記に同じ)で表されるア
シルオキシ基、ホルミル基、基R6CO−(R6は前記に
同じ)で表されるアシル基、基R6O−(R6は前記に同
じ)で表されるアルコキシ基又はアリールオキシ基、カ
ルボキシル基、基R6OCO−(R6は前記に同じ)で表
されるアルコキシカルボニル基又はアリールオキシカル
ボニル基などが例示できる。R4におけるアリール基又
は含窒素芳香族複素環基は、上記の置換基から選ばれる
1つ以上の同一又は異なる種類の置換基で置換されてい
てもよい。
香族複素環基に置換していてもよい置換基の種類として
は、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アリ
ール基、低級アルキル基、アミノ基、モノ低級アルキル
アミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、メルカプト基、基
R6S−(R6は低級アルキル基又はアリール基)で表さ
れるアルキルチオ基又はアリールチオ基、ホルミルオキ
シ基、基R6COO−(R6は前記に同じ)で表されるア
シルオキシ基、ホルミル基、基R6CO−(R6は前記に
同じ)で表されるアシル基、基R6O−(R6は前記に同
じ)で表されるアルコキシ基又はアリールオキシ基、カ
ルボキシル基、基R6OCO−(R6は前記に同じ)で表
されるアルコキシカルボニル基又はアリールオキシカル
ボニル基などが例示できる。R4におけるアリール基又
は含窒素芳香族複素環基は、上記の置換基から選ばれる
1つ以上の同一又は異なる種類の置換基で置換されてい
てもよい。
【0017】R5で示される1−もしくは2−アルケニ
ル基としては、例えばビニル、1−メチルビニル、アレ
ニル、1−プロペニル、1−メチル−1−プロペニル、
2−メチル−1−プロペニル、1−ブテニル、1−メチ
ル−1−ブテニル、2−メチル−1−ブテニル、3−メ
チル−1−ブテニル、1,2−ジメチル−1−ブテニ
ル、1,3−ジメチル−1−ブテニル、2,3−ジメチル
−1−ブテニル、スチリル、アリル、2−メチル−2−
プロペニル、2−ブテニル、2−メチル−2−ブテニ
ル、3−メチル−2−ブテニルなどを例示できる。R5
で示される1−もしくは2−アルケニル基に置換してい
てもよい置換基としては、上記R4において説明したア
リール基または含窒素芳香族複素環基に置換しても良い
置換基がすべて使用できる。R5における1−もしくは
2−アルケニル基は、上記の置換基から選ばれる1つ以
上の同一又は異なる種類の置換基で置換されていてもよ
い。
ル基としては、例えばビニル、1−メチルビニル、アレ
ニル、1−プロペニル、1−メチル−1−プロペニル、
2−メチル−1−プロペニル、1−ブテニル、1−メチ
ル−1−ブテニル、2−メチル−1−ブテニル、3−メ
チル−1−ブテニル、1,2−ジメチル−1−ブテニ
ル、1,3−ジメチル−1−ブテニル、2,3−ジメチル
−1−ブテニル、スチリル、アリル、2−メチル−2−
プロペニル、2−ブテニル、2−メチル−2−ブテニ
ル、3−メチル−2−ブテニルなどを例示できる。R5
で示される1−もしくは2−アルケニル基に置換してい
てもよい置換基としては、上記R4において説明したア
リール基または含窒素芳香族複素環基に置換しても良い
置換基がすべて使用できる。R5における1−もしくは
2−アルケニル基は、上記の置換基から選ばれる1つ以
上の同一又は異なる種類の置換基で置換されていてもよ
い。
【0018】X及びYで示されるハロゲン原子としては
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を例示できる。Yで示され
る脱離基としては、置換基を有していてもよい低級アル
キルスルホニルオキシ基(例えばメタンスルホニルオキ
シ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、トリク
ロロメタンスルホニルオキシ基)、芳香族スルホニルオ
キシ基(例えばベンゼンスルホニルオキシ基、トルエン
スルホニルオキシ基)、ハロゲン化スルホニルオキシ基
(例えばフルオロスルホニルオキシ基)、低級アルキル
ホスホリルオキシ基(例えばトリメチルホスホリルオキ
シ基、トリエチルホスホリルオキシ基、トリブチルホス
ホリルオキシ基)、芳香族ホスホリルオキシ基(例えば
トリフェニルホスホリルオキシ基、トリトリルホスホリ
ルオキシ基)等を例示できる。
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を例示できる。Yで示され
る脱離基としては、置換基を有していてもよい低級アル
キルスルホニルオキシ基(例えばメタンスルホニルオキ
シ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、トリク
ロロメタンスルホニルオキシ基)、芳香族スルホニルオ
キシ基(例えばベンゼンスルホニルオキシ基、トルエン
スルホニルオキシ基)、ハロゲン化スルホニルオキシ基
(例えばフルオロスルホニルオキシ基)、低級アルキル
ホスホリルオキシ基(例えばトリメチルホスホリルオキ
シ基、トリエチルホスホリルオキシ基、トリブチルホス
ホリルオキシ基)、芳香族ホスホリルオキシ基(例えば
トリフェニルホスホリルオキシ基、トリトリルホスホリ
ルオキシ基)等を例示できる。
【0019】本発明の出発原料である一般式(1)で表
されるハロゲン化β−ラクタム化合物は、例えば、特開
平8−245573号(USSN 08/732,44
3)に示す方法で製造することができる。即ち一般式
(1)で表される化合物においてY=OHの化合物の、
この水酸基をハロゲン原子または脱離基と置換すること
により一般式(1)で表されるハロゲン化β−ラクタム
化合物が得られる。本発明では一般式(1)で表される
ハロゲン化β−ラクタム化合物を、銅塩及び芳香族アミ
ン存在下、一般式(2)で表されるアルケニルスズ化合
物と反応させることにより、一般式(3)で表されるセ
フェム化合物が得られる。
されるハロゲン化β−ラクタム化合物は、例えば、特開
平8−245573号(USSN 08/732,44
3)に示す方法で製造することができる。即ち一般式
(1)で表される化合物においてY=OHの化合物の、
この水酸基をハロゲン原子または脱離基と置換すること
により一般式(1)で表されるハロゲン化β−ラクタム
化合物が得られる。本発明では一般式(1)で表される
ハロゲン化β−ラクタム化合物を、銅塩及び芳香族アミ
ン存在下、一般式(2)で表されるアルケニルスズ化合
物と反応させることにより、一般式(3)で表されるセ
フェム化合物が得られる。
【0020】一般式(2)で表されるアルケニルスズ化
合物の使用量としては、一般式(1)の化合物1モルに
対して通常1〜10モル、好ましくは2〜5モル使用す
る。銅塩としては、塩化第一銅、臭化第一銅、ヨウ化第
一銅などのハロゲン化第一銅、塩化第二銅、臭化第二
銅、ヨウ化第二銅などのハロゲン化第二銅を例示でき
る。特にハロゲン化第一銅を用いると反応收率が著しく
改善される。銅塩の使用量としては、一般式(1)の化
合物1モルに対して1〜10モル、好ましくは1〜3モ
ル使用する。含窒素複素環式芳香族化合物としては、ピ
リジン、ジピリジン、テルピリジン等のピリジン化合
物、ピリミジン、4−ヒドロキシピリミジン等のピリミ
ジン化合物、キナルジン等のキナルジン化合物、キノリ
ン等のキノリン誘導体、キノキサリン等のキノキサリン
誘導体、ビピラジン、フェナンスロリン等が例示でき
る。
合物の使用量としては、一般式(1)の化合物1モルに
対して通常1〜10モル、好ましくは2〜5モル使用す
る。銅塩としては、塩化第一銅、臭化第一銅、ヨウ化第
一銅などのハロゲン化第一銅、塩化第二銅、臭化第二
銅、ヨウ化第二銅などのハロゲン化第二銅を例示でき
る。特にハロゲン化第一銅を用いると反応收率が著しく
改善される。銅塩の使用量としては、一般式(1)の化
合物1モルに対して1〜10モル、好ましくは1〜3モ
ル使用する。含窒素複素環式芳香族化合物としては、ピ
リジン、ジピリジン、テルピリジン等のピリジン化合
物、ピリミジン、4−ヒドロキシピリミジン等のピリミ
ジン化合物、キナルジン等のキナルジン化合物、キノリ
ン等のキノリン誘導体、キノキサリン等のキノキサリン
誘導体、ビピラジン、フェナンスロリン等が例示でき
る。
【0021】溶媒としては、例えば、ジメチルアセトア
ミド、ジメチルホルムアミド、1−メチル−2−ピロリ
ジノン、ヘキサメチルホスホリックトリアミド等のアミ
ド類、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニト
リル、イソブチロニトリル、バレロニトリル等のニトリ
ル類、ジメチルスルホキシドなどが単独または二種以上
混合して用いられてもよく、また上記溶媒を主として、
これに他の通常の溶媒、例えば、蟻酸メチル、蟻酸エチ
ル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、
プロピオン酸エチルなどの低級カルボン酸の低級アルキ
ルエステル類、ジエチルエーテル、エチルプロピルエー
テル、エチルブチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジ
イソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルセロ
ソルブ、ジメトキシエタンなどのエーテル類、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン、アニソール
などの置換もしくは未置換の芳香族炭化水素類、ペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの炭化水素類、
シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シ
クロオクタンなどのシクロアルカン類、ジクロルメタ
ン、クロロホルム、ジクロルエタン、トリクロルエタ
ン、ジブロムエタン、プロピレンジクロライド、四塩化
炭素等のハロゲン化炭化水素類を併用した混合溶媒を用
いることもできる。特に好ましい溶媒としては、ジメチ
ルホルムアミド、1−メチル−2−ピロリジノン、ジメ
チルスルホキシドを主溶媒とする混合溶媒が用いられ
る。これら溶媒の使用量は、一般式(1)の化合物1kg
当たり0.5〜200リットル程度、好ましくは1〜5
0リットル程度とするのがよい。
ミド、ジメチルホルムアミド、1−メチル−2−ピロリ
ジノン、ヘキサメチルホスホリックトリアミド等のアミ
ド類、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニト
リル、イソブチロニトリル、バレロニトリル等のニトリ
ル類、ジメチルスルホキシドなどが単独または二種以上
混合して用いられてもよく、また上記溶媒を主として、
これに他の通常の溶媒、例えば、蟻酸メチル、蟻酸エチ
ル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、
プロピオン酸エチルなどの低級カルボン酸の低級アルキ
ルエステル類、ジエチルエーテル、エチルプロピルエー
テル、エチルブチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジ
イソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルセロ
ソルブ、ジメトキシエタンなどのエーテル類、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン、アニソール
などの置換もしくは未置換の芳香族炭化水素類、ペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの炭化水素類、
シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シ
クロオクタンなどのシクロアルカン類、ジクロルメタ
ン、クロロホルム、ジクロルエタン、トリクロルエタ
ン、ジブロムエタン、プロピレンジクロライド、四塩化
炭素等のハロゲン化炭化水素類を併用した混合溶媒を用
いることもできる。特に好ましい溶媒としては、ジメチ
ルホルムアミド、1−メチル−2−ピロリジノン、ジメ
チルスルホキシドを主溶媒とする混合溶媒が用いられ
る。これら溶媒の使用量は、一般式(1)の化合物1kg
当たり0.5〜200リットル程度、好ましくは1〜5
0リットル程度とするのがよい。
【0022】反応は−10〜80℃、好ましくは0〜5
0℃の範囲で行なわれる。一般式(3)の化合物は、反
応終了後、通常の抽出操作或いは晶析操作を行なうこと
によりほぼ純品として得ることができるが、その他の例
えばクロマトグラフィー等の方法によっても勿論精製す
ることができる。
0℃の範囲で行なわれる。一般式(3)の化合物は、反
応終了後、通常の抽出操作或いは晶析操作を行なうこと
によりほぼ純品として得ることができるが、その他の例
えばクロマトグラフィー等の方法によっても勿論精製す
ることができる。
【0023】
【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明をより詳しく
説明する。 実施例1 一般式(1)の化合物(1a)(R1=フェニルアセト
アミド、R2=H、R3=p−メトキシベンジル、R4=
フェニル、m=2、X=Y=Cl)100mg、塩化第一銅
16mg、ビピリジン 24mgを秤取り、1−メチル−2
−ピロリジノン1mlを加える。これに、一般式(2)の
化合物(2a)〔R6=CH3(CH2)2CH2−, R5=−
CH=CH2〕100mgを加え室温で2時間攪拌反応し
た後、酢酸エチル、5%塩酸を加えて抽出し、有機層を
水、食塩水で洗浄する。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥
し、減圧下溶媒を留去し、得られる濃縮残渣をシリカゲ
ルカラム(ベンゼン/酢酸エチル=8/1)で精製する
と一般式(3)の化合物(3a)(R1=フェニルアセ
トアミド、R2=H、R3=p−メトキシベンジル、R5=
−CH=CH2)が63mg得られた(収率89%)。
説明する。 実施例1 一般式(1)の化合物(1a)(R1=フェニルアセト
アミド、R2=H、R3=p−メトキシベンジル、R4=
フェニル、m=2、X=Y=Cl)100mg、塩化第一銅
16mg、ビピリジン 24mgを秤取り、1−メチル−2
−ピロリジノン1mlを加える。これに、一般式(2)の
化合物(2a)〔R6=CH3(CH2)2CH2−, R5=−
CH=CH2〕100mgを加え室温で2時間攪拌反応し
た後、酢酸エチル、5%塩酸を加えて抽出し、有機層を
水、食塩水で洗浄する。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥
し、減圧下溶媒を留去し、得られる濃縮残渣をシリカゲ
ルカラム(ベンゼン/酢酸エチル=8/1)で精製する
と一般式(3)の化合物(3a)(R1=フェニルアセ
トアミド、R2=H、R3=p−メトキシベンジル、R5=
−CH=CH2)が63mg得られた(収率89%)。
【0024】実施例2〜4 実施例1に於て、R5として表1に示す置換基を有する
一般式(2)の化合物を用いて同様の反応を行うと対応
する一般式(3)の化合物(R1=フェニルアセトアミ
ド、R2=H、R3=p−メトキシベンジル、R5 は表1
参照)が得られた。
一般式(2)の化合物を用いて同様の反応を行うと対応
する一般式(3)の化合物(R1=フェニルアセトアミ
ド、R2=H、R3=p−メトキシベンジル、R5 は表1
参照)が得られた。
【0025】
【表1】
【0026】実施例5〜8 実施例1に於て、1−メチル−2−ピロリジノンにかえ
て下記の溶媒を使用した以外は、実施例1と同様に反応
させた結果を表2に示す。
て下記の溶媒を使用した以外は、実施例1と同様に反応
させた結果を表2に示す。
【0027】
【表2】
【0028】実施例9 実施例1に於て、塩化第一銅を臭化第一銅(15mg)に
かえて、実施例1と同様に反応させた結果化合物(3
a)(40mg, 83%)が得られた。化合物(3a)の
1H NMRは実施例1のそれに完全に一致した。 実施例10 実施例1に於て、塩化第一銅を沃化第一銅(15mg)に
かえて、実施例1と同様に反応させた結果化合物(3
a)(35mg,72%)が得られた。化合物(3a)の
1H NMRは実施例1のそれに完全に一致した。 実施例11〜12 実施例1に於て、ビピリジルにかえて種々の含窒素複素
環式芳香族化合物を使用した以外は、実施例1と同様に
反応させた結果を表3に示す。
かえて、実施例1と同様に反応させた結果化合物(3
a)(40mg, 83%)が得られた。化合物(3a)の
1H NMRは実施例1のそれに完全に一致した。 実施例10 実施例1に於て、塩化第一銅を沃化第一銅(15mg)に
かえて、実施例1と同様に反応させた結果化合物(3
a)(35mg,72%)が得られた。化合物(3a)の
1H NMRは実施例1のそれに完全に一致した。 実施例11〜12 実施例1に於て、ビピリジルにかえて種々の含窒素複素
環式芳香族化合物を使用した以外は、実施例1と同様に
反応させた結果を表3に示す。
【0029】
【表3】
【0030】実施例13〜14 実施例1に於て、化合物(1a)にかえて一般式(1)
の化合物(1b)(R 1=フェニルアセトアミド、R2=
H、R3=ジフェニルメチル、R4=フェニル、m=2、
X=Cl、Y=p−トルエンスルホニルオキシ)を用い実
施例1と同様の反応を行うと、対応する一般式(3)の
化合物(R1=フェニルアセトアミド、R2=H、R3=
ジフェニルメチル、R5=は表4参照)が得られた。
の化合物(1b)(R 1=フェニルアセトアミド、R2=
H、R3=ジフェニルメチル、R4=フェニル、m=2、
X=Cl、Y=p−トルエンスルホニルオキシ)を用い実
施例1と同様の反応を行うと、対応する一般式(3)の
化合物(R1=フェニルアセトアミド、R2=H、R3=
ジフェニルメチル、R5=は表4参照)が得られた。
【0031】
【表4】
【0032】実施例15〜16 実施例1に於て、化合物(1a)にかえて一般式(1)
の化合物(1c)(R1=フェニルアセトアミド、R2=
H、R3=p−メトキシベンジル、R4=2−ベンゾチア
ゾリル、m=2、X=Y=Cl)を用い実施例1と同様の
反応を行うと、対応する一般式(3)の化合物(R1=
フェニルアセトアミド、R2=H、R3=ジフェニルメチ
ル、R5=は表5参照)が得られた。
の化合物(1c)(R1=フェニルアセトアミド、R2=
H、R3=p−メトキシベンジル、R4=2−ベンゾチア
ゾリル、m=2、X=Y=Cl)を用い実施例1と同様の
反応を行うと、対応する一般式(3)の化合物(R1=
フェニルアセトアミド、R2=H、R3=ジフェニルメチ
ル、R5=は表5参照)が得られた。
【0033】
【表5】
【0034】実施例17 一般式(1)の化合物(1a)(R1=フェニルアセト
アミド、R2=H、R3=p−メトキシベンジル、R4=
フェニル、m=2、X=Y=Cl)100mg、塩化第一銅
16mg、ビピリジン 24mgを秤取り、1−メチル−2
−ピロリジノン1mlを加える。これに、一般式(2)の
化合物(2b)〔R6=CH3(CH2)2CH2−, R5=−
CH2CH=CH2〕100mgを加え室温で2時間攪拌反
応した後、酢酸エチル、5%塩酸を加えて抽出し、有機
層を水、食塩水で洗浄する。有機層を硫酸ナトリウムで
乾燥し、減圧下溶媒を留去し、得られる濃縮残渣をシリ
カゲルカラム(ベンゼン/酢酸エチル=8/1)で精製
すると一般式(3)の化合物(3i)(R1=フェニル
アセトアミド、R2=H、R3=p−メトキシベンジル、
R5=−CH2CH=CH2)が57mg得られた(収率7
8%)。
アミド、R2=H、R3=p−メトキシベンジル、R4=
フェニル、m=2、X=Y=Cl)100mg、塩化第一銅
16mg、ビピリジン 24mgを秤取り、1−メチル−2
−ピロリジノン1mlを加える。これに、一般式(2)の
化合物(2b)〔R6=CH3(CH2)2CH2−, R5=−
CH2CH=CH2〕100mgを加え室温で2時間攪拌反
応した後、酢酸エチル、5%塩酸を加えて抽出し、有機
層を水、食塩水で洗浄する。有機層を硫酸ナトリウムで
乾燥し、減圧下溶媒を留去し、得られる濃縮残渣をシリ
カゲルカラム(ベンゼン/酢酸エチル=8/1)で精製
すると一般式(3)の化合物(3i)(R1=フェニル
アセトアミド、R2=H、R3=p−メトキシベンジル、
R5=−CH2CH=CH2)が57mg得られた(収率7
8%)。
【0035】参考例1 本発明の化合物から cefixime への合成ルートを以下に
示す。化合物(3)を五塩化燐/ピリジン試薬と塩化メ
チレンを溶媒に反応を行った後、反応液を−35℃に冷
却し、メタノールで処理すると7−アミノ−3−ビニル
セフェム塩酸塩が生成する。このものにフェノールを加
え45℃にて1時間反応を行うと7−アミノ−3−ビニ
ルセフェム−4−カルボン酸(4)が得られる。このも
のは、特開昭63−20435号に記載の方法によりセ
フキシムへと導くことができる。
示す。化合物(3)を五塩化燐/ピリジン試薬と塩化メ
チレンを溶媒に反応を行った後、反応液を−35℃に冷
却し、メタノールで処理すると7−アミノ−3−ビニル
セフェム塩酸塩が生成する。このものにフェノールを加
え45℃にて1時間反応を行うと7−アミノ−3−ビニ
ルセフェム−4−カルボン酸(4)が得られる。このも
のは、特開昭63−20435号に記載の方法によりセ
フキシムへと導くことができる。
【0036】
【化7】
【0037】
【発明の効果】本発明では、安価なペニシリンを出発原
料とする短い反応工程で容易に誘導し得るハロゲン化β
−ラクタム化合物より、広範囲な抗菌スペクトルを有す
る有用な抗菌剤の中間体である3−セフェム化合物を簡
便な反応操作、また、工業的に有利な反応条件により容
易に製造することができる。
料とする短い反応工程で容易に誘導し得るハロゲン化β
−ラクタム化合物より、広範囲な抗菌スペクトルを有す
る有用な抗菌剤の中間体である3−セフェム化合物を簡
便な反応操作、また、工業的に有利な反応条件により容
易に製造することができる。
Claims (1)
- 【請求項1】 一般式(1)で表されるハロゲン化β−
ラクタム化合物を、銅塩及び含窒素複素環式芳香族化合
物存在下、一般式(2)で表されるアルケニルスズ化合
物と反応させて、一般式(3)で表される3−セフェム
化合物を得ることを特徴とする3−セフェム化合物の製
造方法。 【化1】 (式中R1は水素原子、ハロゲン原子、アミノ基、又は
保護されたアミノ基を示す。R2は水素原子、ハロゲン
原子、低級アルコキシ基、低級アシル基、低級アルキル
基、水酸基又は保護された水酸基を置換基として有する
低級アルキル基、水酸基、又は保護された水酸基を示
す。R3は水素原子又はカルボン酸保護基を示す。R4は
置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有
していてもよい含窒素芳香族複素環基を示す。mは0〜
2を示す、Xはハロゲン原子を示す。Yはハロゲン原子
または脱離基を示す。) R5SnR6 3 (2) (式中R5は置換基を有していても良い1−もしくは2
−アルケニル基を示す。R6は低級アルキル基を示
す。) 【化2】 (式中R1、R2、R3、R5は前記に同じ。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10055982A JPH11236387A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 3−セフェム化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10055982A JPH11236387A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 3−セフェム化合物の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11236387A true JPH11236387A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=13014299
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10055982A Pending JPH11236387A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 3−セフェム化合物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11236387A (ja) |
-
1998
- 1998-02-20 JP JP10055982A patent/JPH11236387A/ja active Pending
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