JPH11233403A - ステージの調整方法、及び該方法を使用する走査型露光装置 - Google Patents
ステージの調整方法、及び該方法を使用する走査型露光装置Info
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- JPH11233403A JPH11233403A JP10027999A JP2799998A JPH11233403A JP H11233403 A JPH11233403 A JP H11233403A JP 10027999 A JP10027999 A JP 10027999A JP 2799998 A JP2799998 A JP 2799998A JP H11233403 A JPH11233403 A JP H11233403A
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レチクル等が載置されたステージを所定の走
査方向に駆動すると共に、ほぼその走査方向に細長い移
動鏡を用いてそのステージの非走査方向への位置を制御
する場合に、その移動鏡の反射面をその走査方向に平行
に設定する。 【解決手段】 粗動ステージ上に機械的なリンク機構を
持つこと無く、レチクルを保持する微動ステージ4が載
置され、微動ステージ4はリニアモータ21XA,21
XB等によって駆動される。微動ステージ4の走査方向
(Y方向)の位置はレーザビームLRR,LRLによっ
て計測され、非走査方向(X方向)の位置は移動鏡8X
に入射するレーザビームLRXによって計測されてい
る。微動ステージ4をストッパー24A,24Bに付勢
した状態でY方向に距離Lだけ移動したときの、レーザ
ビームLRXによる計測値の差分Δxより、移動鏡8X
の傾斜角θを算出し、その傾斜角θを相殺するように微
動ステージ4を回転する。
査方向に駆動すると共に、ほぼその走査方向に細長い移
動鏡を用いてそのステージの非走査方向への位置を制御
する場合に、その移動鏡の反射面をその走査方向に平行
に設定する。 【解決手段】 粗動ステージ上に機械的なリンク機構を
持つこと無く、レチクルを保持する微動ステージ4が載
置され、微動ステージ4はリニアモータ21XA,21
XB等によって駆動される。微動ステージ4の走査方向
(Y方向)の位置はレーザビームLRR,LRLによっ
て計測され、非走査方向(X方向)の位置は移動鏡8X
に入射するレーザビームLRXによって計測されてい
る。微動ステージ4をストッパー24A,24Bに付勢
した状態でY方向に距離Lだけ移動したときの、レーザ
ビームLRXによる計測値の差分Δxより、移動鏡8X
の傾斜角θを算出し、その傾斜角θを相殺するように微
動ステージ4を回転する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素
子、液晶表示素子、又は薄膜磁気ヘッド等を製造するた
めのリソグラフィ工程中でマスクパターンをウエハ等の
基板上に転写する際に使用されるステップ・アンド・ス
キャン方式等の走査型露光装置、及びこの走査型露光装
置で使用されるステージの調整方法に関する。
子、液晶表示素子、又は薄膜磁気ヘッド等を製造するた
めのリソグラフィ工程中でマスクパターンをウエハ等の
基板上に転写する際に使用されるステップ・アンド・ス
キャン方式等の走査型露光装置、及びこの走査型露光装
置で使用されるステージの調整方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子等を製造する工程中
で、マスクとしてのレチクルのパターンを縮小投影光学
系を介して、基板としてのレジストが塗布されたウエハ
(又はガラスプレート等)上の各ショット領域に転写す
るために、ステッパー等の一括露光型の投影露光装置が
多用されていた。この一括露光型の投影露光装置では、
レチクルは位置調整を行える程度に変位できればよいた
め、レチクルを保持、及び位置決めするためのレチクル
ステージは、一例としてレチクルベース上で例えば送り
ねじ方式で直交する2方向に微動できると共に、所定の
角度範囲内で回転できるように構成されていた。
で、マスクとしてのレチクルのパターンを縮小投影光学
系を介して、基板としてのレジストが塗布されたウエハ
(又はガラスプレート等)上の各ショット領域に転写す
るために、ステッパー等の一括露光型の投影露光装置が
多用されていた。この一括露光型の投影露光装置では、
レチクルは位置調整を行える程度に変位できればよいた
め、レチクルを保持、及び位置決めするためのレチクル
ステージは、一例としてレチクルベース上で例えば送り
ねじ方式で直交する2方向に微動できると共に、所定の
角度範囲内で回転できるように構成されていた。
【0003】また、例えばレチクル交換時には、レチク
ルの上方に配置されているレチクルアライメント顕微鏡
によって、レチクル上のアライメントマークと、ウエハ
の位置決めを行うウエハステージ上に形成されている所
定の基準マークとの位置ずれ量が検出され、この位置ず
れ量が所定の許容範囲内に収まるようにレチクルステー
ジの位置決めが行われていた。その後、一括露光型では
レチクルステージが静止した状態で、例えば1ロットの
ウエハに順次露光が行われるため、露光中にレチクルス
テージの位置決め精度が劣化することはなかった。
ルの上方に配置されているレチクルアライメント顕微鏡
によって、レチクル上のアライメントマークと、ウエハ
の位置決めを行うウエハステージ上に形成されている所
定の基準マークとの位置ずれ量が検出され、この位置ず
れ量が所定の許容範囲内に収まるようにレチクルステー
ジの位置決めが行われていた。その後、一括露光型では
レチクルステージが静止した状態で、例えば1ロットの
ウエハに順次露光が行われるため、露光中にレチクルス
テージの位置決め精度が劣化することはなかった。
【0004】
【発明が解決しようする課題】これに対して、近年、半
導体デバイス等の一層の微細化及びチップ面積の拡大等
に対応するため、レチクルとウエハとを投影光学系に対
して同期して移動することにより、投影光学系の有効フ
ィールドより広い範囲のショット領域への露光が可能な
ステップ・アンド・スキャン方式のような走査露光型の
投影露光装置(走査型露光装置)が開発されている。こ
のような走査型露光装置においては、露光中にレチクル
を一定速度で所定方向に連続移動する必要があると共
に、ウエハステージ(ウエハ)との同期誤差を所定の許
容範囲内に収める必要があるため、レチクルステージ
は、レチクルを一定速度で広いストロークに亘って連続
移動する機能と、レチクルを直交する2方向、及び回転
方向に所定範囲内で微動する機能とを備える必要があ
る。
導体デバイス等の一層の微細化及びチップ面積の拡大等
に対応するため、レチクルとウエハとを投影光学系に対
して同期して移動することにより、投影光学系の有効フ
ィールドより広い範囲のショット領域への露光が可能な
ステップ・アンド・スキャン方式のような走査露光型の
投影露光装置(走査型露光装置)が開発されている。こ
のような走査型露光装置においては、露光中にレチクル
を一定速度で所定方向に連続移動する必要があると共
に、ウエハステージ(ウエハ)との同期誤差を所定の許
容範囲内に収める必要があるため、レチクルステージ
は、レチクルを一定速度で広いストロークに亘って連続
移動する機能と、レチクルを直交する2方向、及び回転
方向に所定範囲内で微動する機能とを備える必要があ
る。
【0005】そこで、一例として走査型露光装置のレチ
クルステージを、レチクルを所定の走査方向に一定速度
で移動する粗動ステージと、この粗動ステージ上に載置
されてこの粗動ステージに対して所定範囲で微動できる
微動ステージとから構成することが検討されている。こ
の場合、後者の微動ステージ上にレチクルが載置され
る。そして、微動ステージ上には、ほぼその走査方向に
長く伸びた移動鏡を固定しておき、この移動鏡とこれに
対向して配置されたレーザ干渉計とによって、その微動
ステージ(ひいてはレチクル)のその走査方向に直交す
る非走査方向への変位を計測することが検討されてい
る。この場合、その微動ステージがその走査方向に移動
した場合に、その移動鏡の反射面の位置が非走査方向に
次第にずれるのを防止するためには、その移動鏡の反射
面は、その走査方向に平行に設定する必要がある。
クルステージを、レチクルを所定の走査方向に一定速度
で移動する粗動ステージと、この粗動ステージ上に載置
されてこの粗動ステージに対して所定範囲で微動できる
微動ステージとから構成することが検討されている。こ
の場合、後者の微動ステージ上にレチクルが載置され
る。そして、微動ステージ上には、ほぼその走査方向に
長く伸びた移動鏡を固定しておき、この移動鏡とこれに
対向して配置されたレーザ干渉計とによって、その微動
ステージ(ひいてはレチクル)のその走査方向に直交す
る非走査方向への変位を計測することが検討されてい
る。この場合、その微動ステージがその走査方向に移動
した場合に、その移動鏡の反射面の位置が非走査方向に
次第にずれるのを防止するためには、その移動鏡の反射
面は、その走査方向に平行に設定する必要がある。
【0006】即ち、走査露光時に、その移動鏡の反射面
がその走査方向に平行でない場合には、その移動鏡はそ
のレーザ干渉計に対して非走査方向に次第に変位してし
まうため、逆にその微動ステージの非走査方向の位置
(レーザ干渉計によって計測される位置)を一定に維持
しようとすると、その微動ステージはその粗動ステージ
に対して非走査方向に変位してしまい、レチクルを目標
位置に位置決めするのが困難となる。更に、その微動ス
テージが非走査方向に変位する速度は、粗動ステージの
走査速度に比例して大きくなるという不都合もある。
がその走査方向に平行でない場合には、その移動鏡はそ
のレーザ干渉計に対して非走査方向に次第に変位してし
まうため、逆にその微動ステージの非走査方向の位置
(レーザ干渉計によって計測される位置)を一定に維持
しようとすると、その微動ステージはその粗動ステージ
に対して非走査方向に変位してしまい、レチクルを目標
位置に位置決めするのが困難となる。更に、その微動ス
テージが非走査方向に変位する速度は、粗動ステージの
走査速度に比例して大きくなるという不都合もある。
【0007】そのため、例えば投影露光装置の稼働を開
始する際、又はレチクル交換時等に何らかの方法でその
移動鏡の反射面をその走査方向に平行に設定する工程を
設けることが望ましい。また、そのように移動鏡の反射
面をその走査方向に平行に設定する方法は、再現性を有
し、かつ容易に使用できる方法であることが望まれる。
始する際、又はレチクル交換時等に何らかの方法でその
移動鏡の反射面をその走査方向に平行に設定する工程を
設けることが望ましい。また、そのように移動鏡の反射
面をその走査方向に平行に設定する方法は、再現性を有
し、かつ容易に使用できる方法であることが望まれる。
【0008】本発明は斯かる点に鑑み、位置決め対象物
が載置されたステージを所定方向(走査方向)に駆動す
ると共に、ほぼその所定方向に沿って長い移動鏡を用い
てそのステージのその所定方向に交差する方向(非走査
方向)への位置を制御する場合に、その移動鏡の反射面
を容易にその所定方向に平行に設定できるステージの調
整方法を提供することを目的とする。
が載置されたステージを所定方向(走査方向)に駆動す
ると共に、ほぼその所定方向に沿って長い移動鏡を用い
てそのステージのその所定方向に交差する方向(非走査
方向)への位置を制御する場合に、その移動鏡の反射面
を容易にその所定方向に平行に設定できるステージの調
整方法を提供することを目的とする。
【0009】更に本発明は、そのようなステージの調整
方法を使用できる走査型露光装置を提供することをも目
的とする。
方法を使用できる走査型露光装置を提供することをも目
的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明による第1のステ
ージの調整方法は、マスク(R)、又は基板(W)が載
置された状態で所定方向に駆動されるステージ(4)
と、このステージに固定された移動鏡(8X)と、この
移動鏡に計測用の光ビームを照射することによってこの
移動鏡のその所定方向に交差する方向の位置を検出する
干渉計(9X)とを用いて、そのマスク及びその基板を
同期して移動することにより、そのマスクのパターンを
その基板上に転写する走査型露光装置のそのステージの
調整方法において、ステージ(4)をその所定方向に駆
動して干渉計(9X)の計測値の変化量を計測し、この
変化量に基づいて移動鏡(8X)の反射面がその所定方
向に実質的に平行になるようにステージ(4)の回転角
を設定するものである。
ージの調整方法は、マスク(R)、又は基板(W)が載
置された状態で所定方向に駆動されるステージ(4)
と、このステージに固定された移動鏡(8X)と、この
移動鏡に計測用の光ビームを照射することによってこの
移動鏡のその所定方向に交差する方向の位置を検出する
干渉計(9X)とを用いて、そのマスク及びその基板を
同期して移動することにより、そのマスクのパターンを
その基板上に転写する走査型露光装置のそのステージの
調整方法において、ステージ(4)をその所定方向に駆
動して干渉計(9X)の計測値の変化量を計測し、この
変化量に基づいて移動鏡(8X)の反射面がその所定方
向に実質的に平行になるようにステージ(4)の回転角
を設定するものである。
【0011】斯かる本発明によれば、例えば図4(a)
に示すように、ステージ(4)をその所定方向(走査方
向)に距離Lだけ移動したときの、干渉計の計測値の変
化量Δxが計測されるため、移動鏡(8X)の反射面の
その所定方向への傾斜角θ(rad)は、近似的にΔx
/Lで求められる。これ以降は、ステージ(4)をその
傾斜角θを相殺するように回転することで、図4(b)
に示すように、移動鏡(8X)の反射面はその所定方向
に平行になり、走査露光時にステージ(4)の位置が次
第に非走査方向にずれることがなくなる。
に示すように、ステージ(4)をその所定方向(走査方
向)に距離Lだけ移動したときの、干渉計の計測値の変
化量Δxが計測されるため、移動鏡(8X)の反射面の
その所定方向への傾斜角θ(rad)は、近似的にΔx
/Lで求められる。これ以降は、ステージ(4)をその
傾斜角θを相殺するように回転することで、図4(b)
に示すように、移動鏡(8X)の反射面はその所定方向
に平行になり、走査露光時にステージ(4)の位置が次
第に非走査方向にずれることがなくなる。
【0012】ただし、図4(a)のように、ステージ
(4)をその所定方向に距離Lだけ移動する場合、移動
鏡(8X)の姿勢を所定の固定された状態に維持する必
要がある。これに関して、ステージ(4)が例えば図5
に示すように、送りねじ方式でサーボ系を構成して駆動
される場合、送りねじは駆動されない状態では静止して
いるため、そのサーボ系をオフにして送りねじ用の駆動
モータを停止させればよい。このためには、そのサーボ
系に、随時オン状態とオフ状態とを切り換えることがで
きる機能が備えられていればよい。
(4)をその所定方向に距離Lだけ移動する場合、移動
鏡(8X)の姿勢を所定の固定された状態に維持する必
要がある。これに関して、ステージ(4)が例えば図5
に示すように、送りねじ方式でサーボ系を構成して駆動
される場合、送りねじは駆動されない状態では静止して
いるため、そのサーボ系をオフにして送りねじ用の駆動
モータを停止させればよい。このためには、そのサーボ
系に、随時オン状態とオフ状態とを切り換えることがで
きる機能が備えられていればよい。
【0013】次に、本発明による第2のステージの調整
方法は、マスク(R)、又は基板(W)が載置された状
態で所定方向に駆動されるステージ(4)と、このステ
ージに固定された移動鏡(8X)と、この移動鏡に計測
用の光ビームを照射することによってこの移動鏡のその
所定方向に交差する方向の位置を検出する干渉計(9
X)とを用いて、そのマスク及びその基板を同期して移
動することにより、そのマスクのパターンをその基板上
に転写する走査型露光装置のそのステージの調整方法に
おいて、ステージ(4)をその所定方向(Y方向)に交
差する方向(X方向)に沿って所定の機械的な基準部材
(24A,24B)側に付勢した状態で、ステージ
(4)をその所定方向に駆動して干渉計(9X)の計測
値の変化量を計測し、この変化量に基づいて移動鏡(8
X)の反射面がその所定方向に実質的に平行になるよう
にステージ(4)の回転角を設定するものである。
方法は、マスク(R)、又は基板(W)が載置された状
態で所定方向に駆動されるステージ(4)と、このステ
ージに固定された移動鏡(8X)と、この移動鏡に計測
用の光ビームを照射することによってこの移動鏡のその
所定方向に交差する方向の位置を検出する干渉計(9
X)とを用いて、そのマスク及びその基板を同期して移
動することにより、そのマスクのパターンをその基板上
に転写する走査型露光装置のそのステージの調整方法に
おいて、ステージ(4)をその所定方向(Y方向)に交
差する方向(X方向)に沿って所定の機械的な基準部材
(24A,24B)側に付勢した状態で、ステージ
(4)をその所定方向に駆動して干渉計(9X)の計測
値の変化量を計測し、この変化量に基づいて移動鏡(8
X)の反射面がその所定方向に実質的に平行になるよう
にステージ(4)の回転角を設定するものである。
【0014】斯かる本発明においても、例えば図4
(a)に示すように、ステージ(4)をその所定方向
(走査方向)に距離Lだけ移動したときの、干渉計の計
測値の変化量Δxに基づいて、移動鏡(8X)の反射面
のその所定方向への傾斜角θが算出されるため、ステー
ジ(4)をその傾斜角θを相殺するように回転すること
で、移動鏡(8X)の反射面はその所定方向に平行にな
る。
(a)に示すように、ステージ(4)をその所定方向
(走査方向)に距離Lだけ移動したときの、干渉計の計
測値の変化量Δxに基づいて、移動鏡(8X)の反射面
のその所定方向への傾斜角θが算出されるため、ステー
ジ(4)をその傾斜角θを相殺するように回転すること
で、移動鏡(8X)の反射面はその所定方向に平行にな
る。
【0015】更に、本発明では、そのステージ(4)は
例えばその下のステージ(3)に対して機械的なリンク
機構を有することなく自由に変位できるように載置さ
れ、かつその変位はリニアモータ等によって非接触に行
われるような場合を想定している。この場合に、移動鏡
(8X)の姿勢を所定の固定された状態に維持して、ス
テージ(4)をその所定方向に所定距離だけ移動するに
は、そのステージ(4)の変位領域を規定するためのス
トッパー等よりなる機械的な基準部材(24A,24
B)を設けておけばよい。そして、そのリニアモータ等
によってステージ(4)を基準部材(24A,24B)
側に軽い負荷で押しつけておくことによって、ステージ
(4)、ひいては移動鏡(8X)の姿勢は容易に、かつ
安定に所定の状態に固定されて、その傾斜角θを高精度
に計測できる。
例えばその下のステージ(3)に対して機械的なリンク
機構を有することなく自由に変位できるように載置さ
れ、かつその変位はリニアモータ等によって非接触に行
われるような場合を想定している。この場合に、移動鏡
(8X)の姿勢を所定の固定された状態に維持して、ス
テージ(4)をその所定方向に所定距離だけ移動するに
は、そのステージ(4)の変位領域を規定するためのス
トッパー等よりなる機械的な基準部材(24A,24
B)を設けておけばよい。そして、そのリニアモータ等
によってステージ(4)を基準部材(24A,24B)
側に軽い負荷で押しつけておくことによって、ステージ
(4)、ひいては移動鏡(8X)の姿勢は容易に、かつ
安定に所定の状態に固定されて、その傾斜角θを高精度
に計測できる。
【0016】これらの場合において、ステージ(4)
を、その所定方向に移動する粗動ステージ(3)に対し
て所定範囲で2次元的に移動自在に設置し、走査露光の
ためにそのマスクとその基板とを同期移動する際には、
粗動ステージ(3)をその所定方向に移動してもよい。
このように粗動ステージ(3)と、ステージ(4)(微
動ステージ)とを組み合わせることで、走査露光時に一
定速度での走査、及びマスクと基板との同期誤差の補正
をそれぞれ高精度に、かつ簡単な制御シーケンスで実行
できる。
を、その所定方向に移動する粗動ステージ(3)に対し
て所定範囲で2次元的に移動自在に設置し、走査露光の
ためにそのマスクとその基板とを同期移動する際には、
粗動ステージ(3)をその所定方向に移動してもよい。
このように粗動ステージ(3)と、ステージ(4)(微
動ステージ)とを組み合わせることで、走査露光時に一
定速度での走査、及びマスクと基板との同期誤差の補正
をそれぞれ高精度に、かつ簡単な制御シーケンスで実行
できる。
【0017】次に、本発明による走査型露光装置は、所
定方向に駆動される粗動ステージ(3)と、この粗動ス
テージに対して所定範囲内で2次元的に移動自在に配置
されると共に、マスク(R)、又は基板(W)が載置さ
れる微動ステージ(4)と、この微動ステージに固定さ
れた移動鏡(8X)と、この移動鏡に計測用の光ビーム
を照射することによってこの移動鏡のその所定方向に交
差する方向の位置を検出する干渉計(9X)とを用い
て、そのマスク及びその基板を同期して移動することに
より、そのマスクのパターンをその基板上に転写する走
査型露光装置において、粗動ステージ(3)に対して微
動ステージ(4)を相対的に静止させた状態で、粗動ス
テージ(3)をその所定方向に所定間隔だけ駆動する前
後の干渉計(9X)の計測値の変化量に基づいて、移動
鏡(8X)の反射面のその所定方向に対する傾斜角を算
出する演算系(11)と、走査露光時にその演算系で算
出される傾斜角を相殺するように微動ステージ(4)の
回転角を設定する制御系(10)と、を有するものであ
る。
定方向に駆動される粗動ステージ(3)と、この粗動ス
テージに対して所定範囲内で2次元的に移動自在に配置
されると共に、マスク(R)、又は基板(W)が載置さ
れる微動ステージ(4)と、この微動ステージに固定さ
れた移動鏡(8X)と、この移動鏡に計測用の光ビーム
を照射することによってこの移動鏡のその所定方向に交
差する方向の位置を検出する干渉計(9X)とを用い
て、そのマスク及びその基板を同期して移動することに
より、そのマスクのパターンをその基板上に転写する走
査型露光装置において、粗動ステージ(3)に対して微
動ステージ(4)を相対的に静止させた状態で、粗動ス
テージ(3)をその所定方向に所定間隔だけ駆動する前
後の干渉計(9X)の計測値の変化量に基づいて、移動
鏡(8X)の反射面のその所定方向に対する傾斜角を算
出する演算系(11)と、走査露光時にその演算系で算
出される傾斜角を相殺するように微動ステージ(4)の
回転角を設定する制御系(10)と、を有するものであ
る。
【0018】斯かる本発明によれば、演算系(11)に
よって移動鏡(8X)の傾斜角が算出されるため、これ
に基づいて微動ステージ(4)の回転角を設定すること
で、本発明のステージの調整方法が実施できる。
よって移動鏡(8X)の傾斜角が算出されるため、これ
に基づいて微動ステージ(4)の回転角を設定すること
で、本発明のステージの調整方法が実施できる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
につき図面を参照して説明する。本例は、ステップ・ア
ンド・スキャン方式の投影露光装置のレチクルステージ
に本発明を適用したものである。図1は、本例の投影露
光装置を示し、この図1において露光時には、露光光
源、照度分布を均一化するためのオプティカル・インテ
グレータ、視野絞り、及びコンデンサレンズ等を含む照
明光学系1からの露光光ILにより、レチクルR上のパ
ターン領域PA(図2参照)内の細長い矩形の照明領域
20が照明され、その照明領域20内のパターンの像が
投影光学系PLを介して、フォトレジストが塗布された
ウエハ5上の矩形の露光領域に投影倍率β(βは例えば
1/4,1/5等)で縮小投影される。以下、投影光学
系PLの光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平
面内で図1の紙面に平行にX軸を、図1の紙面に垂直に
Y軸を取って説明する。本例での走査露光時のレチクル
R及びウエハWの移動方向(走査方向)は、Y方向であ
る。
につき図面を参照して説明する。本例は、ステップ・ア
ンド・スキャン方式の投影露光装置のレチクルステージ
に本発明を適用したものである。図1は、本例の投影露
光装置を示し、この図1において露光時には、露光光
源、照度分布を均一化するためのオプティカル・インテ
グレータ、視野絞り、及びコンデンサレンズ等を含む照
明光学系1からの露光光ILにより、レチクルR上のパ
ターン領域PA(図2参照)内の細長い矩形の照明領域
20が照明され、その照明領域20内のパターンの像が
投影光学系PLを介して、フォトレジストが塗布された
ウエハ5上の矩形の露光領域に投影倍率β(βは例えば
1/4,1/5等)で縮小投影される。以下、投影光学
系PLの光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平
面内で図1の紙面に平行にX軸を、図1の紙面に垂直に
Y軸を取って説明する。本例での走査露光時のレチクル
R及びウエハWの移動方向(走査方向)は、Y方向であ
る。
【0020】この場合、レチクルRは、微動ステージ4
上に真空吸着等により保持され、微動ステージ4は、粗
動ステージ3上にX方向、Y方向、及び回転方向にそれ
ぞれ所定範囲内でリニアモータ方式で変位できるように
載置され、粗動ステージ3は、レチクルベース5上にY
方向に伸びた2本のエアーガイド6A,6Bに沿ってY
方向に摺動自在に載置されている。粗動ステージ3に固
定された可動子、及び対応してレチクルベース5上に固
定された固定子よりなる2軸のリニアモータ7A,7B
によって、粗動ステージ3はY方向に駆動される。粗動
ステージ3、及び微動ステージ4よりレチクルステージ
2が構成されている。
上に真空吸着等により保持され、微動ステージ4は、粗
動ステージ3上にX方向、Y方向、及び回転方向にそれ
ぞれ所定範囲内でリニアモータ方式で変位できるように
載置され、粗動ステージ3は、レチクルベース5上にY
方向に伸びた2本のエアーガイド6A,6Bに沿ってY
方向に摺動自在に載置されている。粗動ステージ3に固
定された可動子、及び対応してレチクルベース5上に固
定された固定子よりなる2軸のリニアモータ7A,7B
によって、粗動ステージ3はY方向に駆動される。粗動
ステージ3、及び微動ステージ4よりレチクルステージ
2が構成されている。
【0021】また、微動ステージ4上には移動鏡8(こ
れは図2に示すように3軸の移動鏡を代表している)が
配置され、対応してレチクルベース5上に配置されたレ
ーザ干渉計9(これも3軸のレーザ干渉計を代表してい
る)から移動鏡8に計測用のレーザビームが照射され、
レーザ干渉計9によって常時、レチクルベース5に対す
る微動ステージ4のX方向、Y方向及び回転方向の位置
が計測されている。計測結果は、レチクルステージ駆動
系10及び装置全体の動作を統轄制御する主制御系11
に供給されている。
れは図2に示すように3軸の移動鏡を代表している)が
配置され、対応してレチクルベース5上に配置されたレ
ーザ干渉計9(これも3軸のレーザ干渉計を代表してい
る)から移動鏡8に計測用のレーザビームが照射され、
レーザ干渉計9によって常時、レチクルベース5に対す
る微動ステージ4のX方向、Y方向及び回転方向の位置
が計測されている。計測結果は、レチクルステージ駆動
系10及び装置全体の動作を統轄制御する主制御系11
に供給されている。
【0022】また、粗動ステージ3上にも移動鏡として
のコーナーキューブ52L,52R(図2参照)が固定
され、レチクルベース5上には対応してレーザ干渉計5
1L,51R(図2参照)が配置されており、このレー
ザ干渉計51L,51Rで計測される粗動ステージ3の
Y方向の位置CL,CRがレチクルステージ駆動系1
0、及び主制御系11に供給されている。走査露光時
に、レチクルステージ制御系10は、レーザ干渉計51
L,51Rの計測値に基づいてリニアモータ7A,7B
を介して粗動ステージ3を一定速度でY方向に駆動する
と共に、レーザ干渉計9の計測値、及び主制御系11か
らの同期情報に基づいて微動ステージ4を駆動すること
によって、レチクルRとウエハWとの位置ずれ量(同期
誤差)を補正する。
のコーナーキューブ52L,52R(図2参照)が固定
され、レチクルベース5上には対応してレーザ干渉計5
1L,51R(図2参照)が配置されており、このレー
ザ干渉計51L,51Rで計測される粗動ステージ3の
Y方向の位置CL,CRがレチクルステージ駆動系1
0、及び主制御系11に供給されている。走査露光時
に、レチクルステージ制御系10は、レーザ干渉計51
L,51Rの計測値に基づいてリニアモータ7A,7B
を介して粗動ステージ3を一定速度でY方向に駆動する
と共に、レーザ干渉計9の計測値、及び主制御系11か
らの同期情報に基づいて微動ステージ4を駆動すること
によって、レチクルRとウエハWとの位置ずれ量(同期
誤差)を補正する。
【0023】なお、粗動ステージ3用のコーナーキュー
ブ52L,52R、及びレーザ干渉計51L,51Rを
省いて、レーザ干渉計9の計測値のみを用いる構成も可
能である。一方、図1において、ウエハWはウエハホル
ダ12上に真空吸着等によって保持され、ウエハホルダ
12は、ウエハWのZ方向の位置及び傾斜角を制御する
試料台14上に固定され、試料台14はウエハY軸駆動
ステージ15上に載置され、ウエハY軸駆動ステージ1
5はウエハX軸駆動ステージ16上に載置されている。
試料台14、ウエハY軸駆動ステージ15、及びウエハ
X軸駆動ステージ16よりウエハステージ13が構成さ
れ、ウエハY軸駆動ステージ15は例えばリニアモータ
方式で試料台14をY方向に連続移動、及びステップ移
動し、ウエハX軸駆動ステージ16は例えばリニアモー
タ方式で試料台14をX方向にステップ移動する。
ブ52L,52R、及びレーザ干渉計51L,51Rを
省いて、レーザ干渉計9の計測値のみを用いる構成も可
能である。一方、図1において、ウエハWはウエハホル
ダ12上に真空吸着等によって保持され、ウエハホルダ
12は、ウエハWのZ方向の位置及び傾斜角を制御する
試料台14上に固定され、試料台14はウエハY軸駆動
ステージ15上に載置され、ウエハY軸駆動ステージ1
5はウエハX軸駆動ステージ16上に載置されている。
試料台14、ウエハY軸駆動ステージ15、及びウエハ
X軸駆動ステージ16よりウエハステージ13が構成さ
れ、ウエハY軸駆動ステージ15は例えばリニアモータ
方式で試料台14をY方向に連続移動、及びステップ移
動し、ウエハX軸駆動ステージ16は例えばリニアモー
タ方式で試料台14をX方向にステップ移動する。
【0024】試料台14上にも移動鏡17(実際には反
射面が直交する2つの移動鏡よりなる)が固定され、対
応して配置された3軸のレーザ干渉計18によって試料
台14(ウエハW)のX方向、Y方向及び回転方向の位
置が計測され、この計測値はウエハステージ駆動系1
9、及び主制御系11に供給されている。ウエハステー
ジ駆動系19は、レーザ干渉計18の計測値、及び主制
御系11からの制御情報等に基づいてウエハY軸駆動ス
テージ15、及びウエハX軸駆動ステージ16の動作を
制御する。
射面が直交する2つの移動鏡よりなる)が固定され、対
応して配置された3軸のレーザ干渉計18によって試料
台14(ウエハW)のX方向、Y方向及び回転方向の位
置が計測され、この計測値はウエハステージ駆動系1
9、及び主制御系11に供給されている。ウエハステー
ジ駆動系19は、レーザ干渉計18の計測値、及び主制
御系11からの制御情報等に基づいてウエハY軸駆動ス
テージ15、及びウエハX軸駆動ステージ16の動作を
制御する。
【0025】走査露光時には、例えばウエハY軸駆動ス
テージ15を介して試料台14(ウエハW)が矩形の露
光領域に対して+Y方向(又は−Y方向)に一定速度V
Wで走査されるのに同期して、レチクルステージ2内の
粗動ステージ3を介してレチクルRが照明領域20に対
して−Y方向(又は+Y方向)に一定速度VW/β(β
はレチクルからウエハへの投影倍率)で走査される。こ
の際に、一例として主制御系11によってレーザ干渉計
18、及びレーザ干渉計9の計測値に基づいてウエハW
とレチクルRとの同期誤差が求められ、この同期誤差が
レチクルステージ駆動系10に供給され、レチクルステ
ージ駆動系10はその同期誤差を相殺するように微動ス
テージ4をX方向、Y方向、及び回転方向に微動する。
これによって、同期誤差が所定の許容範囲内に収められ
た状態で走査露光が行われる。
テージ15を介して試料台14(ウエハW)が矩形の露
光領域に対して+Y方向(又は−Y方向)に一定速度V
Wで走査されるのに同期して、レチクルステージ2内の
粗動ステージ3を介してレチクルRが照明領域20に対
して−Y方向(又は+Y方向)に一定速度VW/β(β
はレチクルからウエハへの投影倍率)で走査される。こ
の際に、一例として主制御系11によってレーザ干渉計
18、及びレーザ干渉計9の計測値に基づいてウエハW
とレチクルRとの同期誤差が求められ、この同期誤差が
レチクルステージ駆動系10に供給され、レチクルステ
ージ駆動系10はその同期誤差を相殺するように微動ス
テージ4をX方向、Y方向、及び回転方向に微動する。
これによって、同期誤差が所定の許容範囲内に収められ
た状態で走査露光が行われる。
【0026】次に、本例のレチクルステージ2の特に微
動ステージ4の構成につき詳細に説明する。図2は、本
例のレチクルステージ2を示す平面図であり、この図2
において、レチクルベース5上にエアーガイド6A,6
Bに沿ってY方向に移動自在に粗動ステージ3が載置さ
れ、粗動ステージ3は両側にY方向に沿って配置された
2軸のリニアモータ7A,7BによってY方向に駆動さ
れる。また、粗動ステージ3の−Y方向の2箇所の端部
に移動鏡としてのコーナーキューブ52L,52Rが固
定され、コーナーキューブ52L,52Rに対向するよ
うにレチクルベース5上にそれぞれレーザ干渉計51
L,51Rが設置され、レーザ干渉計51L,51Rか
らY軸に平行にコーナーキューブ52L,52Rに照射
されたレーザビームは、それぞれレチクルベース5上に
固定されたミラー53L,53Rで反射されて、再びコ
ーナーキューブ52L,52Rを経てレーザ干渉計51
L,51Rに戻されている。即ち、レーザ干渉計51
L,51Rによってレチクルベース5に対する粗動ステ
ージ3のY方向の位置がそれぞれダブル・パス干渉方式
で検出されている。この場合、粗動ステージ3は、一例
としてレーザ干渉計51L,51Rによって計測される
Y方向の位置CR,CLの差分が一定になるように、リ
ニアモータ7A,7Bを介してY方向に駆動される。こ
れによって、走査露光中の粗動ステージ3の回転が防止
される。
動ステージ4の構成につき詳細に説明する。図2は、本
例のレチクルステージ2を示す平面図であり、この図2
において、レチクルベース5上にエアーガイド6A,6
Bに沿ってY方向に移動自在に粗動ステージ3が載置さ
れ、粗動ステージ3は両側にY方向に沿って配置された
2軸のリニアモータ7A,7BによってY方向に駆動さ
れる。また、粗動ステージ3の−Y方向の2箇所の端部
に移動鏡としてのコーナーキューブ52L,52Rが固
定され、コーナーキューブ52L,52Rに対向するよ
うにレチクルベース5上にそれぞれレーザ干渉計51
L,51Rが設置され、レーザ干渉計51L,51Rか
らY軸に平行にコーナーキューブ52L,52Rに照射
されたレーザビームは、それぞれレチクルベース5上に
固定されたミラー53L,53Rで反射されて、再びコ
ーナーキューブ52L,52Rを経てレーザ干渉計51
L,51Rに戻されている。即ち、レーザ干渉計51
L,51Rによってレチクルベース5に対する粗動ステ
ージ3のY方向の位置がそれぞれダブル・パス干渉方式
で検出されている。この場合、粗動ステージ3は、一例
としてレーザ干渉計51L,51Rによって計測される
Y方向の位置CR,CLの差分が一定になるように、リ
ニアモータ7A,7Bを介してY方向に駆動される。こ
れによって、走査露光中の粗動ステージ3の回転が防止
される。
【0027】また、粗動ステージ3上に例えばエアーベ
アリングを介して、X方向、Y方向、及び回転方向に変
位できるように微動ステージ4が設置され、この微動ス
テージ4上にレチクルRが吸着保持されている。また、
微動ステージ4上の+X方向の端部にほぼY方向に沿っ
て細長い角柱状のX軸の移動鏡8Xが固定され、移動鏡
8Xの+X方向側の面は反射面とされている。そして、
レチクルベース5上に固定されたX軸のレーザ干渉計9
Xから射出されるレーザビームLRXが、レチクルベー
ス5上に固定されたミラー43によって反射されてX軸
に平行に移動鏡8Xの反射面に照射され、移動鏡8Xで
反射されたレーザビームLRXがミラー43で反射され
てレーザ干渉計9Xに戻されており、レーザ干渉計9X
によってレチクルベース5(ひいては粗動ステージ3)
に対する微動ステージ4のX方向の位置RXが計測され
ている。
アリングを介して、X方向、Y方向、及び回転方向に変
位できるように微動ステージ4が設置され、この微動ス
テージ4上にレチクルRが吸着保持されている。また、
微動ステージ4上の+X方向の端部にほぼY方向に沿っ
て細長い角柱状のX軸の移動鏡8Xが固定され、移動鏡
8Xの+X方向側の面は反射面とされている。そして、
レチクルベース5上に固定されたX軸のレーザ干渉計9
Xから射出されるレーザビームLRXが、レチクルベー
ス5上に固定されたミラー43によって反射されてX軸
に平行に移動鏡8Xの反射面に照射され、移動鏡8Xで
反射されたレーザビームLRXがミラー43で反射され
てレーザ干渉計9Xに戻されており、レーザ干渉計9X
によってレチクルベース5(ひいては粗動ステージ3)
に対する微動ステージ4のX方向の位置RXが計測され
ている。
【0028】更に、微動ステージ4の−Y方向の両端部
にY軸の移動鏡としてのコーナーキューブ8YL,8Y
RがX方向に所定間隔で固定され、左側(+X方向)の
コーナーキューブ8YLに対向するようにレチクルベー
ス5上にY軸のレーザ干渉計9YL及びミラー25Lが
固定され、右側(−X方向)のコーナーキューブ8YR
に対向するようにレチクルベース5上にY軸のレーザ干
渉計9YR及びミラー25Rが固定されている。そし
て、コーナーキューブ8YLにはレーザ干渉計9YLよ
りY軸に平行にレーザビームLRLが照射され、コーナ
ーキューブ8YLで反射されたレーザビームLRLは、
ミラー25Lで反射された後に再びコーナーキューブ8
YLを経てレーザ干渉計9YLに戻されて、レーザ干渉
計9YLで微動ステージ4のコーナーキューブ8YLの
位置でのY方向の位置RLが計測されている。
にY軸の移動鏡としてのコーナーキューブ8YL,8Y
RがX方向に所定間隔で固定され、左側(+X方向)の
コーナーキューブ8YLに対向するようにレチクルベー
ス5上にY軸のレーザ干渉計9YL及びミラー25Lが
固定され、右側(−X方向)のコーナーキューブ8YR
に対向するようにレチクルベース5上にY軸のレーザ干
渉計9YR及びミラー25Rが固定されている。そし
て、コーナーキューブ8YLにはレーザ干渉計9YLよ
りY軸に平行にレーザビームLRLが照射され、コーナ
ーキューブ8YLで反射されたレーザビームLRLは、
ミラー25Lで反射された後に再びコーナーキューブ8
YLを経てレーザ干渉計9YLに戻されて、レーザ干渉
計9YLで微動ステージ4のコーナーキューブ8YLの
位置でのY方向の位置RLが計測されている。
【0029】これと並列に、コーナーキューブ8YRに
レーザ干渉計9YRよりY軸に平行にレーザビームLR
Rが照射され、ここで反射されたレーザビームをミラー
25R、及びコーナーキューブ8YRを介してレーザ干
渉計9YRに戻すことで、レーザ干渉計9YRによって
微動ステージ4のコーナーキューブ8YRの位置でのY
方向の位置RRが計測されている。即ち、レーザ干渉計
9YL,9YRは共にダブルパス干渉方式であり、これ
によって微動ステージ4が回転してもレーザビームLR
L,LRRの位置ずれが生じにくい構成になっている。
更に、微動ステージ4がX方向に変位しても、コーナー
キューブ8YL,8YRにレーザビームが入射している
範囲では正確にY方向の位置検出が行われる。
レーザ干渉計9YRよりY軸に平行にレーザビームLR
Rが照射され、ここで反射されたレーザビームをミラー
25R、及びコーナーキューブ8YRを介してレーザ干
渉計9YRに戻すことで、レーザ干渉計9YRによって
微動ステージ4のコーナーキューブ8YRの位置でのY
方向の位置RRが計測されている。即ち、レーザ干渉計
9YL,9YRは共にダブルパス干渉方式であり、これ
によって微動ステージ4が回転してもレーザビームLR
L,LRRの位置ずれが生じにくい構成になっている。
更に、微動ステージ4がX方向に変位しても、コーナー
キューブ8YL,8YRにレーザビームが入射している
範囲では正確にY方向の位置検出が行われる。
【0030】また、微動ステージ4のX方向の両端に永
久磁石が交互に配置された可動子22R,22Lが固定
され、これらの先端部を外側から覆うように粗動ステー
ジ3上にコイルを含む固定子23R,23Lが固定さ
れ、可動子22R,22L及び固定子23R,23Lよ
りそれぞれY軸のリニアモータ21YR及び21YLが
構成されている。同様に、微動ステージ4のY方向の両
端に配置された永久磁石を含む可動子22A,22B
と、これらの先端部を外側から覆うように粗動ステージ
3上に固定されたコイルを含む固定子23A,23Bと
からそれぞれX軸のリニアモータ21XA及び21XB
が構成されている。
久磁石が交互に配置された可動子22R,22Lが固定
され、これらの先端部を外側から覆うように粗動ステー
ジ3上にコイルを含む固定子23R,23Lが固定さ
れ、可動子22R,22L及び固定子23R,23Lよ
りそれぞれY軸のリニアモータ21YR及び21YLが
構成されている。同様に、微動ステージ4のY方向の両
端に配置された永久磁石を含む可動子22A,22B
と、これらの先端部を外側から覆うように粗動ステージ
3上に固定されたコイルを含む固定子23A,23Bと
からそれぞれX軸のリニアモータ21XA及び21XB
が構成されている。
【0031】そして、Y軸のリニアモータ21YR,2
1YLによって微動ステージ4にそれぞれ+Y方向に推
力FY/2を発生することで、微動ステージ4に全体と
して+Y方向に推力FYが作用して、微動ステージ4は
+Y方向に移動し、同様にX軸のリニアモータ21X
A,21XBによって微動ステージ4にそれぞれ+X方
向に推力FX/2を発生することで、微動ステージ4に
全体として+X方向に推力FXが作用して、微動ステー
ジ4は+X方向に移動する。また、例えばY軸のリニア
モータ21YR,21YLによって微動ステージ4に互
いに逆方向の推力を発生することで、微動ステージ4を
Z軸に平行な所定の軸の周り(θ方向)に回転すること
ができる。この場合、可動子22A,22B,22L,
22Rと対応する固定子23A,23B,23L,23
Rとの間隔には所定のギャップがあるため、微動ステー
ジ4は粗動ステージ3に対してリニアモータ方式で、か
つ非接触にX方向、及びY方向共に数mm程度の範囲
(最大移動可能範囲)内で駆動することができる。
1YLによって微動ステージ4にそれぞれ+Y方向に推
力FY/2を発生することで、微動ステージ4に全体と
して+Y方向に推力FYが作用して、微動ステージ4は
+Y方向に移動し、同様にX軸のリニアモータ21X
A,21XBによって微動ステージ4にそれぞれ+X方
向に推力FX/2を発生することで、微動ステージ4に
全体として+X方向に推力FXが作用して、微動ステー
ジ4は+X方向に移動する。また、例えばY軸のリニア
モータ21YR,21YLによって微動ステージ4に互
いに逆方向の推力を発生することで、微動ステージ4を
Z軸に平行な所定の軸の周り(θ方向)に回転すること
ができる。この場合、可動子22A,22B,22L,
22Rと対応する固定子23A,23B,23L,23
Rとの間隔には所定のギャップがあるため、微動ステー
ジ4は粗動ステージ3に対してリニアモータ方式で、か
つ非接触にX方向、及びY方向共に数mm程度の範囲
(最大移動可能範囲)内で駆動することができる。
【0032】また、本例の粗動ステージ3上には、微動
ステージ4のX方向、Y方向の移動可能範囲を規定する
ための機械的なストッパーも固定されている。即ち、X
軸のリニアモータ21XAの可動子22AをX方向に挟
むように粗動ステージ3上にストッパー24A,25A
が固定され、リニアモータ21XBの可動子22BをX
方向に挟むように粗動ステージ3上にストッパー24
B,25Bが固定されている。この場合、微動ステージ
4を+X方向に駆動すると、可動子22A,22Bがス
トッパー24A,24Bに接触し、微動ステージ4を−
X方向に駆動すると、可動子22A,22Bがストッパ
ー25A,25Bに接触することで、微動ステージ4の
X方向の移動可能範囲が規定されている。同様に、不図
示であるが、Y軸のリニアモータ21YR,21YLの
可動子22R,22LのY方向の移動範囲を規定するス
トッパーも粗動ステージ3上に固定されている。ただ
し、X軸用のストッパー24A,24B,25A,25
BをY軸用のストッパーとして兼用してもよい。
ステージ4のX方向、Y方向の移動可能範囲を規定する
ための機械的なストッパーも固定されている。即ち、X
軸のリニアモータ21XAの可動子22AをX方向に挟
むように粗動ステージ3上にストッパー24A,25A
が固定され、リニアモータ21XBの可動子22BをX
方向に挟むように粗動ステージ3上にストッパー24
B,25Bが固定されている。この場合、微動ステージ
4を+X方向に駆動すると、可動子22A,22Bがス
トッパー24A,24Bに接触し、微動ステージ4を−
X方向に駆動すると、可動子22A,22Bがストッパ
ー25A,25Bに接触することで、微動ステージ4の
X方向の移動可能範囲が規定されている。同様に、不図
示であるが、Y軸のリニアモータ21YR,21YLの
可動子22R,22LのY方向の移動範囲を規定するス
トッパーも粗動ステージ3上に固定されている。ただ
し、X軸用のストッパー24A,24B,25A,25
BをY軸用のストッパーとして兼用してもよい。
【0033】次に、微動ステージ4を駆動するためのリ
ニアモータ21XA,21XB,21YL,21YRの
駆動系につき図3を参照して説明する。以下の説明にお
いて、図2のX軸のレーザ干渉計9Xによって計測され
る微動ステージ4のX方向の位置RXの目標値をR
X* 、Y軸のレーザ干渉計9YR,9YLによって計測
される微動ステージ4のY方向の位置RR,RLの目標
値をそれぞれRR* ,RL * とする。
ニアモータ21XA,21XB,21YL,21YRの
駆動系につき図3を参照して説明する。以下の説明にお
いて、図2のX軸のレーザ干渉計9Xによって計測され
る微動ステージ4のX方向の位置RXの目標値をR
X* 、Y軸のレーザ干渉計9YR,9YLによって計測
される微動ステージ4のY方向の位置RR,RLの目標
値をそれぞれRR* ,RL * とする。
【0034】図3は、微動ステージ4の駆動系を示し、
この図3においては、図1のレチクルステージ駆動系1
0の一部も含まれている。そして、図1の主制御系11
からの同期情報等がマイクロプロセッサよりなる位置設
定部26に供給され、位置設定部26から出力される微
動ステージ4の目標位置RR* ,RL* ,RX* がそれ
ぞれ減算部27R,27L,27Xの加算側入力部に供
給され、減算部27R,27L,27Xの減算側入力部
にそれぞれレーザ干渉計9YR,9YL,9Xで計測さ
れる微動ステージ4の位置RR,RL,RXが供給され
ている。そして、減算部27R,27Lからそれぞれ出
力される微動ステージ4のY方向の位置ずれ量(RR*
−RR)、及び(RL* −RL)は、位置ゲイン部28
R,28Lにおいて位置ゲインKPを乗じることで速度
情報に変換される。位置ゲイン部28R,28Lから出
力される速度情報はそれぞれ減算部29R,29Lの加
算側入力部に供給され、レーザ干渉計9YR,9YLで
計測される位置RR,RLをそれぞれ差分演算部34
R,34Lに通して所定の速度フィードバックゲインK
Fを乗じて得られる速度情報は、減算部29R,29L
の減算側入力部に供給される。
この図3においては、図1のレチクルステージ駆動系1
0の一部も含まれている。そして、図1の主制御系11
からの同期情報等がマイクロプロセッサよりなる位置設
定部26に供給され、位置設定部26から出力される微
動ステージ4の目標位置RR* ,RL* ,RX* がそれ
ぞれ減算部27R,27L,27Xの加算側入力部に供
給され、減算部27R,27L,27Xの減算側入力部
にそれぞれレーザ干渉計9YR,9YL,9Xで計測さ
れる微動ステージ4の位置RR,RL,RXが供給され
ている。そして、減算部27R,27Lからそれぞれ出
力される微動ステージ4のY方向の位置ずれ量(RR*
−RR)、及び(RL* −RL)は、位置ゲイン部28
R,28Lにおいて位置ゲインKPを乗じることで速度
情報に変換される。位置ゲイン部28R,28Lから出
力される速度情報はそれぞれ減算部29R,29Lの加
算側入力部に供給され、レーザ干渉計9YR,9YLで
計測される位置RR,RLをそれぞれ差分演算部34
R,34Lに通して所定の速度フィードバックゲインK
Fを乗じて得られる速度情報は、減算部29R,29L
の減算側入力部に供給される。
【0035】そして、減算部29R,29Lから出力さ
れる速度誤差情報は、それぞれ速度ゲイン部30R,3
0Lにおいて速度ゲインKVを乗じることで電圧情報に
変換され、この電圧情報は、電圧加速度変換部31R,
31Lにおいて変換係数Kaを乗じることで加速度情報
に変換され、これらの加速度情報は座標変換部32に供
給される。電圧加速度変換部31R,31Lから出力さ
れる加速度情報は、それぞれ図2のコーナーキューブ8
YR,8YLの位置で必要とされるY方向の加速度を示
しており、この加速度が座標変換部32において、それ
ぞれY軸のリニアモータ21YR,21YLで必要とな
る推力に変換され、これらの推力がパワーアンプ33に
供給される。これに応じて、パワーアンプ33からリニ
アモータ21YR,21YLの固定子23R,23Lの
コイルにその推力を発生するための電流が供給される。
そして、リニアモータ21YR,21YLによって駆動
される微動ステージ4のY方向の実際の位置RR,RL
をレーザ干渉計9YR,9YLを介してフィードバック
することによって、微動ステージ4のレーザ干渉計9Y
R,9YLによって計測されるY方向の位置が目標位置
RR* ,RL* に近付いていく。
れる速度誤差情報は、それぞれ速度ゲイン部30R,3
0Lにおいて速度ゲインKVを乗じることで電圧情報に
変換され、この電圧情報は、電圧加速度変換部31R,
31Lにおいて変換係数Kaを乗じることで加速度情報
に変換され、これらの加速度情報は座標変換部32に供
給される。電圧加速度変換部31R,31Lから出力さ
れる加速度情報は、それぞれ図2のコーナーキューブ8
YR,8YLの位置で必要とされるY方向の加速度を示
しており、この加速度が座標変換部32において、それ
ぞれY軸のリニアモータ21YR,21YLで必要とな
る推力に変換され、これらの推力がパワーアンプ33に
供給される。これに応じて、パワーアンプ33からリニ
アモータ21YR,21YLの固定子23R,23Lの
コイルにその推力を発生するための電流が供給される。
そして、リニアモータ21YR,21YLによって駆動
される微動ステージ4のY方向の実際の位置RR,RL
をレーザ干渉計9YR,9YLを介してフィードバック
することによって、微動ステージ4のレーザ干渉計9Y
R,9YLによって計測されるY方向の位置が目標位置
RR* ,RL* に近付いていく。
【0036】これと並列に、減算部27Xから出力され
る微動ステージ4のX方向の位置ずれ量(RX* −R
X)は、位置ゲイン部28Xにおいて位置ゲインKPX
を乗じることで速度情報に変換される。位置ゲイン部2
8Xから出力される速度情報は、速度ゲイン部30Xに
おいて速度ゲインGVを乗じることで電圧情報に変換さ
れる。なお、この間に速度のフィードバック回路を設け
てもよい。そして、速度ゲイン部30Xから出力される
電圧情報は、電圧加速度変換部31Xにおいて変換係数
KaXを乗じることで推力(加速度情報)に変換され、
この推力はパワーアンプ33Xに供給される。これに応
じて、パワーアンプ33XからX軸の一方のリニアモー
タ21XAの固定子23Aのコイルにその推力を発生す
るための電流が供給される。また、X軸の他方のリニア
モータ21XBの固定子23Bのコイルにも、固定子2
3Aのコイルに供給される電流と同じ電流が供給され
る。そして、リニアモータ21XA,21XBによって
駆動される微動ステージ4のX方向の実際の位置RXを
レーザ干渉計9Xを介してフィードバックすることによ
って、微動ステージ4のレーザ干渉計9Xによって計測
されるX方向の位置が目標位置RX* に近付いていく。
る微動ステージ4のX方向の位置ずれ量(RX* −R
X)は、位置ゲイン部28Xにおいて位置ゲインKPX
を乗じることで速度情報に変換される。位置ゲイン部2
8Xから出力される速度情報は、速度ゲイン部30Xに
おいて速度ゲインGVを乗じることで電圧情報に変換さ
れる。なお、この間に速度のフィードバック回路を設け
てもよい。そして、速度ゲイン部30Xから出力される
電圧情報は、電圧加速度変換部31Xにおいて変換係数
KaXを乗じることで推力(加速度情報)に変換され、
この推力はパワーアンプ33Xに供給される。これに応
じて、パワーアンプ33XからX軸の一方のリニアモー
タ21XAの固定子23Aのコイルにその推力を発生す
るための電流が供給される。また、X軸の他方のリニア
モータ21XBの固定子23Bのコイルにも、固定子2
3Aのコイルに供給される電流と同じ電流が供給され
る。そして、リニアモータ21XA,21XBによって
駆動される微動ステージ4のX方向の実際の位置RXを
レーザ干渉計9Xを介してフィードバックすることによ
って、微動ステージ4のレーザ干渉計9Xによって計測
されるX方向の位置が目標位置RX* に近付いていく。
【0037】また、図3のパワーアンプ33,33Xに
は出力電流を0にするための制御信号を位置設定部26
から供給できるように構成されている。そのように出力
電流を0にすることによって、実質的に本例のサーボ系
をオフにすることができる。さて、図2に戻り、本例の
微動ステージ4(ひいてはレチクルR)のX方向の位置
は、レーザ干渉計9Xによって計測される移動鏡8Xの
位置に基づいて制御されているが、粗動ステージ3がY
方向に移動したときに、微動ステージ4の位置が次第に
X方向にずれないようにするためには、移動鏡8Xの反
射面を粗動ステージ3の走査方向(Y方向)に平行に設
定しておく必要がある。そこで、以下では移動鏡8Xの
反射面をその走査方向に平行に設定するための方法の一
例につき、図2及び図4を参照して説明する。
は出力電流を0にするための制御信号を位置設定部26
から供給できるように構成されている。そのように出力
電流を0にすることによって、実質的に本例のサーボ系
をオフにすることができる。さて、図2に戻り、本例の
微動ステージ4(ひいてはレチクルR)のX方向の位置
は、レーザ干渉計9Xによって計測される移動鏡8Xの
位置に基づいて制御されているが、粗動ステージ3がY
方向に移動したときに、微動ステージ4の位置が次第に
X方向にずれないようにするためには、移動鏡8Xの反
射面を粗動ステージ3の走査方向(Y方向)に平行に設
定しておく必要がある。そこで、以下では移動鏡8Xの
反射面をその走査方向に平行に設定するための方法の一
例につき、図2及び図4を参照して説明する。
【0038】[第1工程]先ず、図2において、リニア
モータ7A,7Bを駆動して、粗動ステージ3を300
mm程度の移動ストローク中の−Y方向の端部に移動す
る。その後、粗動ステージ3を+Y方向に10mm程度
移動した後に静止させて、リニアモータ21XA,21
XBを駆動して、微動ステージ4を粗動ステージ3に対
して+X方向に移動する。そして、微動ステージ4がそ
れ以上+X方向に移動しなくなった状態、即ちリニアモ
ータ21XA,21XBの可動子22A,22Bがスト
ッパー24A,24Bに接触した状態から、更にリニア
モータ21XA,21XBによって微動ステージ4に2
N(ニュートン)程度の+X方向への推力FXを与え
て、ストッパー24A,24Bに微動ステージ4を付勢
する。このためには、図3の駆動系において、例えば減
算部27Xに供給するX方向の目標位置RL* を、実際
にレーザ干渉計9Xで計測される位置RXに所定のオフ
セットを加算した値とすればよい。これによって、微動
ステージ4のX方向への位置制御は行われないとみなす
ことができる。
モータ7A,7Bを駆動して、粗動ステージ3を300
mm程度の移動ストローク中の−Y方向の端部に移動す
る。その後、粗動ステージ3を+Y方向に10mm程度
移動した後に静止させて、リニアモータ21XA,21
XBを駆動して、微動ステージ4を粗動ステージ3に対
して+X方向に移動する。そして、微動ステージ4がそ
れ以上+X方向に移動しなくなった状態、即ちリニアモ
ータ21XA,21XBの可動子22A,22Bがスト
ッパー24A,24Bに接触した状態から、更にリニア
モータ21XA,21XBによって微動ステージ4に2
N(ニュートン)程度の+X方向への推力FXを与え
て、ストッパー24A,24Bに微動ステージ4を付勢
する。このためには、図3の駆動系において、例えば減
算部27Xに供給するX方向の目標位置RL* を、実際
にレーザ干渉計9Xで計測される位置RXに所定のオフ
セットを加算した値とすればよい。これによって、微動
ステージ4のX方向への位置制御は行われないとみなす
ことができる。
【0039】図4(a)の実線は、そのように微動ステ
ージ4がストッパー24A,24Bに付勢された状態を
示し、この図4(a)において、移動鏡8Xは微動ステ
ージ4(粗動ステージ3)の走査方向であるY方向に対
して傾斜角θで傾斜しているものとする。この状態で、
図2のレーザ干渉計9YR,9YLによって計測される
微動ステージ4のY方向の位置RR1,RL1、及びレ
ーザ干渉計9Xによって計測される微動ステージ4のX
方向の位置RX1を図1の主制御系11で記憶する。ま
た、図2のレーザ干渉計51R,51Lで計測される粗
動ステージ3のY方向の位置CR1,CL1も主制御系
11で記憶する。
ージ4がストッパー24A,24Bに付勢された状態を
示し、この図4(a)において、移動鏡8Xは微動ステ
ージ4(粗動ステージ3)の走査方向であるY方向に対
して傾斜角θで傾斜しているものとする。この状態で、
図2のレーザ干渉計9YR,9YLによって計測される
微動ステージ4のY方向の位置RR1,RL1、及びレ
ーザ干渉計9Xによって計測される微動ステージ4のX
方向の位置RX1を図1の主制御系11で記憶する。ま
た、図2のレーザ干渉計51R,51Lで計測される粗
動ステージ3のY方向の位置CR1,CL1も主制御系
11で記憶する。
【0040】[第2工程]これ以降は走査露光時と同様
に、レーザ干渉計51R,51Lで計測される粗動ステ
ージ3のY方向の位置CR,CLの差分(CR−CL)
が、第1工程で計測された位置の差分(CR1−CL
1)となるように、リニアモータ7A,7Bを介して粗
動ステージ3を+Y方向にほぼ280mm程度駆動す
る。この際に、微動ステージ4側のY軸のリニアモータ
21YR,21YLは、レーザ干渉計9YR,9YLで
計測される位置RR,RLの差分(RR−RL)が第1
工程で計測された差分(RR1−RL1)となるよう
に、かつそれらの位置の平均値(RR+RL)/2と粗
動ステージ3のY方向の位置の平均値(CR+CL)/
2との差分が、第1工程での平均値(RR1+RL1)
/2と平均値(CR1+CL1)/2との差分に合致す
るように駆動する。これによって、図4(a)に二点鎖
線で示すように、微動ステージ4は回転角が変化しない
状態で+Y方向に所定の距離Lだけ移動して位置4Aに
達する。この状態で、図2のレーザ干渉計9YR,9Y
Lによって計測される微動ステージ4のY方向の位置R
R3,RL3、及びレーザ干渉計9Xによって計測され
る微動ステージ4のX方向の位置RX3を主制御系11
で記憶する。
に、レーザ干渉計51R,51Lで計測される粗動ステ
ージ3のY方向の位置CR,CLの差分(CR−CL)
が、第1工程で計測された位置の差分(CR1−CL
1)となるように、リニアモータ7A,7Bを介して粗
動ステージ3を+Y方向にほぼ280mm程度駆動す
る。この際に、微動ステージ4側のY軸のリニアモータ
21YR,21YLは、レーザ干渉計9YR,9YLで
計測される位置RR,RLの差分(RR−RL)が第1
工程で計測された差分(RR1−RL1)となるよう
に、かつそれらの位置の平均値(RR+RL)/2と粗
動ステージ3のY方向の位置の平均値(CR+CL)/
2との差分が、第1工程での平均値(RR1+RL1)
/2と平均値(CR1+CL1)/2との差分に合致す
るように駆動する。これによって、図4(a)に二点鎖
線で示すように、微動ステージ4は回転角が変化しない
状態で+Y方向に所定の距離Lだけ移動して位置4Aに
達する。この状態で、図2のレーザ干渉計9YR,9Y
Lによって計測される微動ステージ4のY方向の位置R
R3,RL3、及びレーザ干渉計9Xによって計測され
る微動ステージ4のX方向の位置RX3を主制御系11
で記憶する。
【0041】[第3工程]主制御系11によって、上記
の計測データより移動鏡8Xの走査方向に対する傾斜角
θを計算する。即ち、先ず微動ステージ4がY方向に移
動した距離Lは次のようになる。 L=(RL3+RR3)/2−(RL1+RR1)/2 (1) また、微動ステージ4がY方向に距離Lだけ移動する際
のレーザ干渉計9Xによる計測値の差分、即ち移動鏡8
XのレーザビームLRXの照射点のX方向への変位量Δ
xは(X1−X3)であるため、傾斜角θ(rad)は
近似的に次のようになる。
の計測データより移動鏡8Xの走査方向に対する傾斜角
θを計算する。即ち、先ず微動ステージ4がY方向に移
動した距離Lは次のようになる。 L=(RL3+RR3)/2−(RL1+RR1)/2 (1) また、微動ステージ4がY方向に距離Lだけ移動する際
のレーザ干渉計9Xによる計測値の差分、即ち移動鏡8
XのレーザビームLRXの照射点のX方向への変位量Δ
xは(X1−X3)であるため、傾斜角θ(rad)は
近似的に次のようになる。
【0042】θ=(X1−X3)/L (2) 次に、コーナーキューブ8YR,8YLに照射されるレ
ーザビームLRR,LRLのX方向の間隔をSとして、
その傾斜角θを、コーナーキューブ8YR,8YLの位
置でのY方向の位置RR,RLの差分(RL−RR)に
換算すると、近似的に次のようになる。
ーザビームLRR,LRLのX方向の間隔をSとして、
その傾斜角θを、コーナーキューブ8YR,8YLの位
置でのY方向の位置RR,RLの差分(RL−RR)に
換算すると、近似的に次のようになる。
【0043】RL−RR=S・θ (3) 従って、移動鏡8Xの反射面を微動ステージ4の走査方
向(Y方向)に平行に設定して、微動ステージ4が走査
方向に移動しても微動ステージ4の非走査方向(X方
向)の位置が変化しないように、図2のレーザ干渉計9
YR,9YLの計測値RR,RLを用いて位置制御をす
るためには、それらの計測値RL及びRRの目標位置R
L* ,RR* の差分が(3)式の値になればよいことに
なる。
向(Y方向)に平行に設定して、微動ステージ4が走査
方向に移動しても微動ステージ4の非走査方向(X方
向)の位置が変化しないように、図2のレーザ干渉計9
YR,9YLの計測値RR,RLを用いて位置制御をす
るためには、それらの計測値RL及びRRの目標位置R
L* ,RR* の差分が(3)式の値になればよいことに
なる。
【0044】そこで、これまでの計測値RL及びRRの
目標位置をRL* ,RR* として、補正後の目標位置を
RL**,RR**とすると、補正後の目標位置を次のよう
に設定することによって、移動鏡8Xの傾斜角θが0に
設定されることになる。 RL**=RL* +(S・θ)/2 (4) RR**=RR* −(S・θ)/2 (5) そこで、主制御系11は、図3の位置設定部26に
(2)式の傾斜角θの情報を供給し、これに応じて位置
設定部26は減算部27L,27Rに供給する目標位置
RL* ,RR* を(4)式、(5)式で補正された後の
目標位置RL**,RR**で置き換える。この回転補正を
実行した後に、図2の粗動ステージ3を駆動して微動ス
テージ4をY方向に走査する際には、図4(b)に示す
ように、移動鏡8Xの反射面は走査方向に平行であるた
め、走査中に微動ステージ4が次第にX方向にずれるこ
とがなくなる。従って、レチクルRとウエハWとの重ね
合わせ精度が高精度に維持される。
目標位置をRL* ,RR* として、補正後の目標位置を
RL**,RR**とすると、補正後の目標位置を次のよう
に設定することによって、移動鏡8Xの傾斜角θが0に
設定されることになる。 RL**=RL* +(S・θ)/2 (4) RR**=RR* −(S・θ)/2 (5) そこで、主制御系11は、図3の位置設定部26に
(2)式の傾斜角θの情報を供給し、これに応じて位置
設定部26は減算部27L,27Rに供給する目標位置
RL* ,RR* を(4)式、(5)式で補正された後の
目標位置RL**,RR**で置き換える。この回転補正を
実行した後に、図2の粗動ステージ3を駆動して微動ス
テージ4をY方向に走査する際には、図4(b)に示す
ように、移動鏡8Xの反射面は走査方向に平行であるた
め、走査中に微動ステージ4が次第にX方向にずれるこ
とがなくなる。従って、レチクルRとウエハWとの重ね
合わせ精度が高精度に維持される。
【0045】なお、実際には上記の第1工程〜第3工程
はオープンループの工程であるため、回転補正後の移動
鏡8Xの反射面が実際に走査方向に平行になっているか
どうかを確認することが望ましい。そこで、上記の第1
工程〜第3工程までの動作を実行して移動鏡8Xの傾斜
角を補正した後、再び第1工程〜第3工程までを実行し
て移動鏡8Xの走査方向に対する傾斜角θを計測して、
この傾斜角θの補正を行い、以下第3工程で算出される
移動鏡8Xの傾斜角θが所定の許容量以下になるまで、
第1工程〜第3工程を繰り返すようにしてもよい。これ
によって、移動鏡8Xの傾斜角θが実際に許容量以下に
なるため、レチクルRとウエハWとの重ね合わせ精度も
所定の許容範囲内に収めることができる。
はオープンループの工程であるため、回転補正後の移動
鏡8Xの反射面が実際に走査方向に平行になっているか
どうかを確認することが望ましい。そこで、上記の第1
工程〜第3工程までの動作を実行して移動鏡8Xの傾斜
角を補正した後、再び第1工程〜第3工程までを実行し
て移動鏡8Xの走査方向に対する傾斜角θを計測して、
この傾斜角θの補正を行い、以下第3工程で算出される
移動鏡8Xの傾斜角θが所定の許容量以下になるまで、
第1工程〜第3工程を繰り返すようにしてもよい。これ
によって、移動鏡8Xの傾斜角θが実際に許容量以下に
なるため、レチクルRとウエハWとの重ね合わせ精度も
所定の許容範囲内に収めることができる。
【0046】次に、本発明の第2の実施の形態につき図
5を参照して説明する。図1の実施の形態では微動ステ
ージ4は、機械的なリンク機構を持つことなくリニアモ
ータ方式で駆動されたのに対して、本例の微動ステージ
4は送りねじ方式で駆動される点が異なっている。以下
では、本例のレチクルステージの構成につき説明する
が、図5において図2に対応する部分には同一符号を付
してその詳細説明は省略する。
5を参照して説明する。図1の実施の形態では微動ステ
ージ4は、機械的なリンク機構を持つことなくリニアモ
ータ方式で駆動されたのに対して、本例の微動ステージ
4は送りねじ方式で駆動される点が異なっている。以下
では、本例のレチクルステージの構成につき説明する
が、図5において図2に対応する部分には同一符号を付
してその詳細説明は省略する。
【0047】図5は、本例のステップ・アンド・スキャ
ン方式の投影露光装置のレチクルステージ側の機構を示
し、この図5において、粗動ステージ3はレチクルベー
ス5上にY方向に移動自在に配置され、粗動ステージ3
上にエアーベアリングを介してXY平面内で変位できる
ように微動ステージ4が載置され、微動ステージ4上に
レチクルRが吸着保持され、粗動ステージ3及び微動ス
テージ4よりレチクルステージ2が構成されている。本
例においても、微動ステージ4の+X方向の上端にほぼ
Y方向に伸びた移動鏡8Xが固定され、レチクルベース
5上のレーザ干渉計9Xによって移動鏡8X(微動ステ
ージ4)のX方向の位置RXが計測されている。また、
微動ステージ4上の−Y方向の両端部に固定されたコー
ナーキューブ8YR,8YL、及びレチクルベース5上
のレーザ干渉計9YR,9YLによってダブルパス方式
で微動ステージ4のY方向の位置RR,RLが計測され
ている。なお、図5においては、図2に示されている粗
動ステージ3用のレーザ干渉計51L,51Rは図示を
省略している。
ン方式の投影露光装置のレチクルステージ側の機構を示
し、この図5において、粗動ステージ3はレチクルベー
ス5上にY方向に移動自在に配置され、粗動ステージ3
上にエアーベアリングを介してXY平面内で変位できる
ように微動ステージ4が載置され、微動ステージ4上に
レチクルRが吸着保持され、粗動ステージ3及び微動ス
テージ4よりレチクルステージ2が構成されている。本
例においても、微動ステージ4の+X方向の上端にほぼ
Y方向に伸びた移動鏡8Xが固定され、レチクルベース
5上のレーザ干渉計9Xによって移動鏡8X(微動ステ
ージ4)のX方向の位置RXが計測されている。また、
微動ステージ4上の−Y方向の両端部に固定されたコー
ナーキューブ8YR,8YL、及びレチクルベース5上
のレーザ干渉計9YR,9YLによってダブルパス方式
で微動ステージ4のY方向の位置RR,RLが計測され
ている。なお、図5においては、図2に示されている粗
動ステージ3用のレーザ干渉計51L,51Rは図示を
省略している。
【0048】また、本例ではX方向に微動ステージ4を
変位させるために、粗動ステージ3上に駆動モータ41
Xが設置され、レーザ干渉計9YR,9YLからのレー
ザビームLRR,LRLにそれぞれ平行に微動ステージ
4をY方向に変位させるために、粗動ステージ3上に駆
動モータ41YR及び41YLが設置されている。駆動
モータ41X,41YR,41YLはそれぞれ回転速度
検出用のタコジェネレータを備えた回転モータであり、
一例として先端の丸い送りねじを微動ステージ4に対し
て進退させるものである。そして、微動ステージ4をそ
れぞれ駆動モータ41X,41YR,41YL側に付勢
するために、粗動ステージ3上にばね部材を含む付勢機
構42X,42YR,42YLも設けられている。従っ
て、駆動モータ41X,41YR,41YLでそれぞれ
送りねじを進退させることによって、粗動ステージ3に
対してX方向、Y方向に所定範囲(例えば数mm)内で
微動ステージ4を変位させることができる。更に、駆動
モータ41YR及び41YLでの変位量を異ならしめる
ことによって、所定範囲で微動ステージ4を回転させる
こともできる。このように微動ステージ4が変位して
も、コーナーキューブ8YR,8YLではレーザビーム
が入射面に収まっている範囲で正確に位置検出を行うこ
とができる。
変位させるために、粗動ステージ3上に駆動モータ41
Xが設置され、レーザ干渉計9YR,9YLからのレー
ザビームLRR,LRLにそれぞれ平行に微動ステージ
4をY方向に変位させるために、粗動ステージ3上に駆
動モータ41YR及び41YLが設置されている。駆動
モータ41X,41YR,41YLはそれぞれ回転速度
検出用のタコジェネレータを備えた回転モータであり、
一例として先端の丸い送りねじを微動ステージ4に対し
て進退させるものである。そして、微動ステージ4をそ
れぞれ駆動モータ41X,41YR,41YL側に付勢
するために、粗動ステージ3上にばね部材を含む付勢機
構42X,42YR,42YLも設けられている。従っ
て、駆動モータ41X,41YR,41YLでそれぞれ
送りねじを進退させることによって、粗動ステージ3に
対してX方向、Y方向に所定範囲(例えば数mm)内で
微動ステージ4を変位させることができる。更に、駆動
モータ41YR及び41YLでの変位量を異ならしめる
ことによって、所定範囲で微動ステージ4を回転させる
こともできる。このように微動ステージ4が変位して
も、コーナーキューブ8YR,8YLではレーザビーム
が入射面に収まっている範囲で正確に位置検出を行うこ
とができる。
【0049】また、不図示であるが、粗動ステージ3上
には微動ステージ4のX方向、Y方向の移動可能範囲を
規定するための複数のリミットスイッチも配置されてい
る。これらのリミットスイッチは、例えば駆動モータ4
1X,41YR,41YLの送りねじの近傍に配置され
ている。また、本例のレチクルステージ2の微動ステー
ジ4の駆動系の構成は、図3の第1の実施の形態の駆動
系の構成とほぼ同じである。ただし、本例では図3の減
算部29R,29Lの減算側入力部に供給される速度情
報は、駆動モータ41YR,41YLのタコジェネレー
タで検出される回転速度情報となっている。また、X軸
用の駆動系の位置ゲイン部28Xと速度ゲイン部30X
との間にも、X軸の駆動モータ41Xのタコジェネレー
タで検出される回転速度情報をフィードバックするため
の減算部が付加されている。また、図3において、固定
子23R,23L,23Aがそれぞれ図5の駆動モータ
41YR,41YL,41Xに置き換えられている。な
お、位置ゲインや速度ゲインの値は異なるが、それ以外
の構成は第1の実施の形態と同様である。
には微動ステージ4のX方向、Y方向の移動可能範囲を
規定するための複数のリミットスイッチも配置されてい
る。これらのリミットスイッチは、例えば駆動モータ4
1X,41YR,41YLの送りねじの近傍に配置され
ている。また、本例のレチクルステージ2の微動ステー
ジ4の駆動系の構成は、図3の第1の実施の形態の駆動
系の構成とほぼ同じである。ただし、本例では図3の減
算部29R,29Lの減算側入力部に供給される速度情
報は、駆動モータ41YR,41YLのタコジェネレー
タで検出される回転速度情報となっている。また、X軸
用の駆動系の位置ゲイン部28Xと速度ゲイン部30X
との間にも、X軸の駆動モータ41Xのタコジェネレー
タで検出される回転速度情報をフィードバックするため
の減算部が付加されている。また、図3において、固定
子23R,23L,23Aがそれぞれ図5の駆動モータ
41YR,41YL,41Xに置き換えられている。な
お、位置ゲインや速度ゲインの値は異なるが、それ以外
の構成は第1の実施の形態と同様である。
【0050】次に、本例のレチクルステージにおいて、
移動鏡8Xの反射面を微動ステージ4(粗動ステージ
3)の走査方向(Y方向)に平行に設定するための方法
の一例につき、図4及び図5を参照して説明する。な
お、図4は第1の実施の形態の動作説明に供する図であ
るが、以下では図4中の微動ステージ4、移動鏡8X、
及びコーナーキューブ8YR,8YLを本例のステージ
系であるものとして説明する。
移動鏡8Xの反射面を微動ステージ4(粗動ステージ
3)の走査方向(Y方向)に平行に設定するための方法
の一例につき、図4及び図5を参照して説明する。な
お、図4は第1の実施の形態の動作説明に供する図であ
るが、以下では図4中の微動ステージ4、移動鏡8X、
及びコーナーキューブ8YR,8YLを本例のステージ
系であるものとして説明する。
【0051】[第1工程]先ず、図5において、リニア
モータ7A,7Bを駆動して、粗動ステージ3を300
mm程度の移動ストローク中の−Y方向の端部に移動す
る。その後、粗動ステージ3を+Y方向に10mm程度
移動した後に静止させる。そして、微動ステージ4の回
転角を固定するために、駆動モータ41X,41YL,
41YRのサーボ系をオフにする。このためには、図3
に対応する本例の駆動系において、位置設定部26から
の指令に基づいて、パワーアンプ33及び33Xの出力
を強制的に0にすればよい。
モータ7A,7Bを駆動して、粗動ステージ3を300
mm程度の移動ストローク中の−Y方向の端部に移動す
る。その後、粗動ステージ3を+Y方向に10mm程度
移動した後に静止させる。そして、微動ステージ4の回
転角を固定するために、駆動モータ41X,41YL,
41YRのサーボ系をオフにする。このためには、図3
に対応する本例の駆動系において、位置設定部26から
の指令に基づいて、パワーアンプ33及び33Xの出力
を強制的に0にすればよい。
【0052】この結果、図4(a)に示すように、微動
ステージ4が静止状態となり、この状態で図5のレーザ
干渉計9YR,9YLによって計測される微動ステージ
4のY方向の位置RR1,RL1、及びレーザ干渉計9
Xによって計測される微動ステージ4のX方向の位置R
X1を図1の主制御系11で記憶する。 [第2工程]これ以降は図2に示すレーザ干渉計51
R,51Lで計測される粗動ステージ3のY方向の位置
CR,CLの差分(CR−CL)が、第1工程の静止状
態で計測された位置の差分を維持するように、図5のリ
ニアモータ7A,7Bを介して粗動ステージ3を+Y方
向にほぼ280mm程度駆動する。この結果、微動ステ
ージ4は回転角が変化しない状態で+Y方向に所定の距
離Lだけ移動して位置4Aに達する。この状態で、図5
のレーザ干渉計9YR,9YLによって計測される微動
ステージ4のY方向の位置RR3,RL3、及びレーザ
干渉計9Xによって計測される微動ステージ4のX方向
の位置RX3を主制御系11で記憶する。
ステージ4が静止状態となり、この状態で図5のレーザ
干渉計9YR,9YLによって計測される微動ステージ
4のY方向の位置RR1,RL1、及びレーザ干渉計9
Xによって計測される微動ステージ4のX方向の位置R
X1を図1の主制御系11で記憶する。 [第2工程]これ以降は図2に示すレーザ干渉計51
R,51Lで計測される粗動ステージ3のY方向の位置
CR,CLの差分(CR−CL)が、第1工程の静止状
態で計測された位置の差分を維持するように、図5のリ
ニアモータ7A,7Bを介して粗動ステージ3を+Y方
向にほぼ280mm程度駆動する。この結果、微動ステ
ージ4は回転角が変化しない状態で+Y方向に所定の距
離Lだけ移動して位置4Aに達する。この状態で、図5
のレーザ干渉計9YR,9YLによって計測される微動
ステージ4のY方向の位置RR3,RL3、及びレーザ
干渉計9Xによって計測される微動ステージ4のX方向
の位置RX3を主制御系11で記憶する。
【0053】[第3工程]主制御系11によって、上記
の計測データより移動鏡8Xの走査方向に対する傾斜角
θを計算する。即ち、先ず微動ステージ4がY方向に移
動した距離Lは次のようになる。これより、移動鏡8X
の傾斜角θ(rad)は近似的に次のようになる。
の計測データより移動鏡8Xの走査方向に対する傾斜角
θを計算する。即ち、先ず微動ステージ4がY方向に移
動した距離Lは次のようになる。これより、移動鏡8X
の傾斜角θ(rad)は近似的に次のようになる。
【0054】 L=(RL3+RR3)/2−(RL1+RR1)/2 (6) θ=(X1−X3)/L (7) 次に、コーナーキューブ8YR,8YLに照射されるレ
ーザビームLRR,LRLのX方向の間隔をSとして、
その傾斜角θを、コーナーキューブ8YR,8YLの位
置でのY方向の位置RR,RLの差分(RL−RR)に
換算すると、近似的に次のようになる。
ーザビームLRR,LRLのX方向の間隔をSとして、
その傾斜角θを、コーナーキューブ8YR,8YLの位
置でのY方向の位置RR,RLの差分(RL−RR)に
換算すると、近似的に次のようになる。
【0055】RL−RR=S・θ (8) そして、第1の実施の形態と同様に、微動ステージ4が
走査方向に移動しても微動ステージ4の非走査方向(X
方向)の位置が変化しないようにするために、図5のレ
ーザ干渉計9YR,9YLの計測値RR,RLのこれま
での目標位置をRL* ,RR* 、補正後の目標位置をR
L**,RR**として、補正後の目標位置を次のように設
定する。
走査方向に移動しても微動ステージ4の非走査方向(X
方向)の位置が変化しないようにするために、図5のレ
ーザ干渉計9YR,9YLの計測値RR,RLのこれま
での目標位置をRL* ,RR* 、補正後の目標位置をR
L**,RR**として、補正後の目標位置を次のように設
定する。
【0056】 RL**=RL* +(S・θ)/2 (9) RR**=RR* −(S・θ)/2 (10) そこで、図3の位置設定部26は、減算部27L,27
Rに供給する目標位置RL* ,RR* を(9)式、(1
0)式で補正された後の目標位置RL**,RR **で置き
換える。この回転補正を実行した後に、図5の粗動ステ
ージ3を駆動して微動ステージ4をY方向に走査する際
には、図4(b)に示すように、移動鏡8Xの反射面は
走査方向に平行であるため、走査中に微動ステージ4が
次第にX方向にずれることがなくなる。従って、レチク
ルRとウエハWとの重ね合わせ精度が高精度に維持され
る。
Rに供給する目標位置RL* ,RR* を(9)式、(1
0)式で補正された後の目標位置RL**,RR **で置き
換える。この回転補正を実行した後に、図5の粗動ステ
ージ3を駆動して微動ステージ4をY方向に走査する際
には、図4(b)に示すように、移動鏡8Xの反射面は
走査方向に平行であるため、走査中に微動ステージ4が
次第にX方向にずれることがなくなる。従って、レチク
ルRとウエハWとの重ね合わせ精度が高精度に維持され
る。
【0057】なお、実際には上記の第1工程〜第3工程
まではオープンループの工程であるため、回転補正後の
移動鏡8Xの反射面が実際に走査方向に平行になってい
るかどうかを確認することが望ましい。そこで、上記の
第1工程〜第3工程までの動作を実行して移動鏡8Xの
傾斜角を補正した後、再び第1工程〜第3工程までを実
行して移動鏡8Xの走査方向に対する傾斜角θを計測し
て、この傾斜角θの補正を行い、以下第3工程で算出さ
れる移動鏡8Xの傾斜角θが所定の許容量以下になるま
で、第1工程〜第3工程を繰り返すようにしてもよい。
これによって、移動鏡8Xの傾斜角θが実際に許容範囲
内に収められる。
まではオープンループの工程であるため、回転補正後の
移動鏡8Xの反射面が実際に走査方向に平行になってい
るかどうかを確認することが望ましい。そこで、上記の
第1工程〜第3工程までの動作を実行して移動鏡8Xの
傾斜角を補正した後、再び第1工程〜第3工程までを実
行して移動鏡8Xの走査方向に対する傾斜角θを計測し
て、この傾斜角θの補正を行い、以下第3工程で算出さ
れる移動鏡8Xの傾斜角θが所定の許容量以下になるま
で、第1工程〜第3工程を繰り返すようにしてもよい。
これによって、移動鏡8Xの傾斜角θが実際に許容範囲
内に収められる。
【0058】なお、上記の実施の形態は本発明をレチク
ルステージ側に適用したものであるが、本発明はウエハ
ステージ側にも適用できることは明きらかである。この
ように本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
ルステージ側に適用したものであるが、本発明はウエハ
ステージ側にも適用できることは明きらかである。この
ように本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【0059】
【発明の効果】本発明の第1、又は第2のステージの調
整方法によれば、ステージを実際に所定方向(走査方
向)に駆動したときの干渉計の計測値の変化量を計測
し、この計測結果に基づいて移動鏡の回転角(傾斜角)
を補正しているため、マスク、又は基板等の位置決め対
象物が載置されたステージをその所定方向に駆動する際
に、ほぼその所定方向に沿って長い移動鏡を用いてその
ステージのその所定方向に交差する方向(非走査方向)
への位置を制御する場合に、その移動鏡の反射面を容易
にその所定方向に平行に設定できる利点がある。従っ
て、走査露光時にマスクと基板とが非走査方向に次第に
位置ずれすることがなく、重ね合わせ精度が向上する。
逆に、本発明によってそのステージを回転させた場合
に、そのステージで生じる位置の計測誤差の量を正確に
予測できるため、そのステージの位置ずれ量を容易に補
正することもできる。
整方法によれば、ステージを実際に所定方向(走査方
向)に駆動したときの干渉計の計測値の変化量を計測
し、この計測結果に基づいて移動鏡の回転角(傾斜角)
を補正しているため、マスク、又は基板等の位置決め対
象物が載置されたステージをその所定方向に駆動する際
に、ほぼその所定方向に沿って長い移動鏡を用いてその
ステージのその所定方向に交差する方向(非走査方向)
への位置を制御する場合に、その移動鏡の反射面を容易
にその所定方向に平行に設定できる利点がある。従っ
て、走査露光時にマスクと基板とが非走査方向に次第に
位置ずれすることがなく、重ね合わせ精度が向上する。
逆に、本発明によってそのステージを回転させた場合
に、そのステージで生じる位置の計測誤差の量を正確に
予測できるため、そのステージの位置ずれ量を容易に補
正することもできる。
【0060】また、本発明の第2のステージの調整方法
においては、そのステージを移動する際に機械的な基準
部材にステージを付勢して、回転角が変化しないように
しているため、特にステージが機械的なリンク機構を持
つことなく設置されているような場合に有効である。ま
た、そのステージは、その所定方向に移動する粗動ステ
ージに対して所定範囲で2次元的に移動自在に設置さ
れ、走査露光のためにマスクと基板とを同期移動する際
には、その粗動ステージをその所定方向に移動する場合
には、例えばその粗動ステージは定速移動を行い、その
ステージ(微動ステージ)は同期誤差を補正する程度に
変位させればよいため、制御が容易になる。
においては、そのステージを移動する際に機械的な基準
部材にステージを付勢して、回転角が変化しないように
しているため、特にステージが機械的なリンク機構を持
つことなく設置されているような場合に有効である。ま
た、そのステージは、その所定方向に移動する粗動ステ
ージに対して所定範囲で2次元的に移動自在に設置さ
れ、走査露光のためにマスクと基板とを同期移動する際
には、その粗動ステージをその所定方向に移動する場合
には、例えばその粗動ステージは定速移動を行い、その
ステージ(微動ステージ)は同期誤差を補正する程度に
変位させればよいため、制御が容易になる。
【0061】また、本発明の走査型露光装置によれば、
本発明のステージの調整方法が使用できる。
本発明のステージの調整方法が使用できる。
【図1】本発明の第1の実施の形態の投影露光装置を示
す概略構成図である。
す概略構成図である。
【図2】図1中のレチクルステージを示す平面図であ
る。
る。
【図3】図2のレチクルステージ中の微動ステージ4の
駆動系を示すブロック図である。
駆動系を示すブロック図である。
【図4】(a)は微動ステージ4を走査方向に距離Lだ
け移動する様子を示す図、(b)は微動ステージ4上の
移動鏡8Xの傾斜角を補正した後の状態を示す図であ
る。
け移動する様子を示す図、(b)は微動ステージ4上の
移動鏡8Xの傾斜角を補正した後の状態を示す図であ
る。
【図5】本発明の第2の実施の形態のレチクルステージ
を示す平面図である。
を示す平面図である。
R レチクル PL 投影光学系 W ウエハ 2 レチクルステージ 3 粗動ステージ 4 微動ステージ 5 レチクルベース 8X 移動鏡 8YR,8YL コーナーキューブ 9YR,9YL,9X レーザ干渉計 10 レチクルステージ駆動系 13 ウエハステージ 21YR,21YL,21XA,21XB リニアモー
タ 22R,22L,22A,22B 可動子 23R,23L,23A,23B 固定子 24A,24B,25A,25B ストッパー 26 位置設定部 41X,41YR,41YL 駆動モータ 42X,42YR,42YL 付勢機構
タ 22R,22L,22A,22B 可動子 23R,23L,23A,23B 固定子 24A,24B,25A,25B ストッパー 26 位置設定部 41X,41YR,41YL 駆動モータ 42X,42YR,42YL 付勢機構
Claims (4)
- 【請求項1】 マスク、又は基板が載置された状態で所
定方向に駆動されるステージと、該ステージに固定され
た移動鏡と、該移動鏡に計測用の光ビームを照射するこ
とによって該移動鏡の前記所定方向に交差する方向の位
置を検出する干渉計と、を用いて、前記マスク及び前記
基板を同期して移動することにより、前記マスクのパタ
ーンを前記基板上に転写する走査型露光装置の前記ステ
ージの調整方法において、 前記ステージを前記所定方向に駆動して前記干渉計の計
測値の変化量を計測し、 該変化量に基づいて前記移動鏡の反射面が前記所定方向
に実質的に平行になるように前記ステージの回転角を設
定することを特徴とするステージの調整方法。 - 【請求項2】 マスク、又は基板が載置された状態で所
定方向に駆動されるステージと、該ステージに固定され
た移動鏡と、該移動鏡に計測用の光ビームを照射するこ
とによって該移動鏡の前記所定方向に交差する方向の位
置を検出する干渉計と、を用いて、前記マスク及び前記
基板を同期して移動することにより、前記マスクのパタ
ーンを前記基板上に転写する走査型露光装置の前記ステ
ージの調整方法において、 前記ステージを前記所定方向に交差する方向に沿って所
定の機械的な基準部材側に付勢した状態で、前記ステー
ジを前記所定方向に駆動して前記干渉計の計測値の変化
量を計測し、 該変化量に基づいて前記移動鏡の反射面が前記所定方向
に実質的に平行になるように前記ステージの回転角を設
定することを特徴とするステージの調整方法。 - 【請求項3】 前記ステージは、前記所定方向に移動す
る粗動ステージに対して所定範囲で2次元的に移動自在
に設置され、 走査露光のために前記マスクと前記基板とを同期移動す
る際には、前記粗動ステージを前記所定方向に移動する
ことを特徴とする請求項1、又は2記載のステージの調
整方法。 - 【請求項4】 所定方向に駆動される粗動ステージと、 該粗動ステージに対して所定範囲内で2次元的に移動自
在に配置されると共に、マスク、又は基板が載置される
微動ステージと、 該微動ステージに固定された移動鏡と、 該移動鏡に計測用の光ビームを照射することによって該
移動鏡の前記所定方向に交差する方向の位置を検出する
干渉計と、を用いて、 前記マスク及び前記基板を同期して移動することによ
り、前記マスクのパターンを前記基板上に転写する走査
型露光装置において、 前記粗動ステージに対して前記微動ステージを相対的に
静止させた状態で、前記粗動ステージを前記所定方向に
所定間隔だけ駆動する前後の前記干渉計の計測値の変化
量に基づいて、前記移動鏡の反射面の前記所定方向に対
する傾斜角を算出する演算系と、 走査露光時に前記演算系で算出される傾斜角を相殺する
ように前記微動ステージの回転角を設定する制御系と、
を有することを特徴とする走査型露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10027999A JPH11233403A (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | ステージの調整方法、及び該方法を使用する走査型露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10027999A JPH11233403A (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | ステージの調整方法、及び該方法を使用する走査型露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11233403A true JPH11233403A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12236528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10027999A Withdrawn JPH11233403A (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | ステージの調整方法、及び該方法を使用する走査型露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11233403A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002110530A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置 |
JP2003523567A (ja) * | 2000-01-11 | 2003-08-05 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | アッベ誤差補正装置及び方法 |
JP2006510199A (ja) * | 2002-12-12 | 2006-03-23 | ザイゴ コーポレーション | フォトリソグラフィック露光サイクルの間のステージ・ミラー歪の工程内補正 |
JP2011009396A (ja) * | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
JP5040657B2 (ja) * | 2005-10-24 | 2012-10-03 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法、デバイス組立方法 |
JP2014096456A (ja) * | 2012-11-08 | 2014-05-22 | Canon Inc | ステージ装置及びその調整方法、露光装置並びにデバイス製造方法 |
CN110375658A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-10-25 | 中铁二局集团有限公司 | 一种位移激光测量器安装用快捷校准机构与方法 |
-
1998
- 1998-02-10 JP JP10027999A patent/JPH11233403A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003523567A (ja) * | 2000-01-11 | 2003-08-05 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | アッベ誤差補正装置及び方法 |
JP4860870B2 (ja) * | 2000-01-11 | 2012-01-25 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | アッベ誤差補正装置及び方法 |
JP2002110530A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置 |
JP2006510199A (ja) * | 2002-12-12 | 2006-03-23 | ザイゴ コーポレーション | フォトリソグラフィック露光サイクルの間のステージ・ミラー歪の工程内補正 |
JP5040657B2 (ja) * | 2005-10-24 | 2012-10-03 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法、デバイス組立方法 |
JP2011009396A (ja) * | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
JP2014096456A (ja) * | 2012-11-08 | 2014-05-22 | Canon Inc | ステージ装置及びその調整方法、露光装置並びにデバイス製造方法 |
CN110375658A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-10-25 | 中铁二局集团有限公司 | 一种位移激光测量器安装用快捷校准机构与方法 |
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