JPH11219899A - X-ray mask blank, its manufacture, and manufacture of x-ray mask - Google Patents
X-ray mask blank, its manufacture, and manufacture of x-ray maskInfo
- Publication number
- JPH11219899A JPH11219899A JP3435398A JP3435398A JPH11219899A JP H11219899 A JPH11219899 A JP H11219899A JP 3435398 A JP3435398 A JP 3435398A JP 3435398 A JP3435398 A JP 3435398A JP H11219899 A JPH11219899 A JP H11219899A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- ray
- ray mask
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 130
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 48
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 86
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 56
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 37
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 148
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 8
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 3
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N boranylidynetantalum Chemical compound [Ta]#B XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線リソグラフィ
ーに用いるＸ線マスクブランク及びその製造方法並びに
Ｘ線マスクの製造方法等に関する。The present invention relates to an X-ray mask blank used for X-ray lithography, a method for manufacturing the same, a method for manufacturing an X-ray mask, and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体産業において、シリコン基
板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で
必要な微細パターンの転写技術としては、露光用電磁波
として可視光や紫外光を用いて微細パターンを転写する
フォトリソグラフィー法が用いられてきた。2. Description of the Related Art Conventionally, in the semiconductor industry, as a technique for transferring a fine pattern necessary for forming an integrated circuit having a fine pattern on a silicon substrate or the like, a fine pattern using visible light or ultraviolet light as an exposure electromagnetic wave is used. Photolithography techniques for transferring patterns have been used.
【０００３】しかし、近年、半導体技術の進歩ととも
に、超ＬＳＩなどの半導体装置の高集積化が著しく進
み、従来のフォトリソグラフィー法で用いてきた可視光
や紫外光での転写限界を超えた高精度の微細パターンの
転写技術が要求されるに至った。However, in recent years, with the advancement of semiconductor technology, the integration of semiconductor devices such as VLSIs has been remarkably advanced, and high precision exceeding the transfer limit of visible light or ultraviolet light used in the conventional photolithography method has been used. The technology for transferring fine patterns has been required.
【０００４】そして、このような微細パターンの転写を
実現するために、可視光や紫外光よりも波長の短いＸ線
を用いたＸ線リソグラフィー法の開発が進められてい
る。[0004] In order to realize the transfer of such a fine pattern, the development of an X-ray lithography method using X-rays having a shorter wavelength than visible light or ultraviolet light has been promoted.
【０００５】Ｘ線リソグラフィーに用いるＸ線マスクの
構造を図１に示す。FIG. 1 shows the structure of an X-ray mask used for X-ray lithography.
【０００６】同図に示すように、Ｘ線マスク１は、Ｘ線
を透過するＸ線透過膜（メンブレン）１２と、Ｘ線を吸
収するＸ線吸収体パターン１３ａから構成されており、
これらは、シリコンからなる支持基板（支持枠）１１ａ
で支持されている。As shown in FIG. 1, an X-ray mask 1 comprises an X-ray transmitting film (membrane) 12 for transmitting X-rays, and an X-ray absorber pattern 13a for absorbing X-rays.
These are a support substrate (support frame) 11a made of silicon.
Supported by.
【０００７】Ｘ線マスクブランクの構造を図２に示す。
Ｘ線マスクブランク２は、シリコン基板１１上に形成さ
れたＸ線透過膜１２とＸ線吸収体膜１３から構成されて
いる。FIG. 2 shows the structure of an X-ray mask blank.
The X-ray mask blank 2 includes an X-ray transmission film 12 and an X-ray absorber film 13 formed on a silicon substrate 11.
【０００８】Ｘ線透過膜としては、高いヤング率をも
ち、Ｘ線照射に対して優れた耐性をもつ炭化ケイ素など
が一般に用いられ、Ｘ線吸収体膜には、Ｘ線照射に対し
て優れた耐性をもつＴａを含むアモルファス材料が良く
用いられている。As the X-ray transmitting film, silicon carbide or the like having a high Young's modulus and excellent resistance to X-ray irradiation is generally used, and the X-ray absorbing film is excellent in X-ray irradiation. An amorphous material containing Ta having a high resistance is often used.
【０００９】Ｘ線マスクブランク２からＸ線マスク１を
作製するプロセスとしては、例えば、以下の方法が用い
られる。As a process for manufacturing the X-ray mask 1 from the X-ray mask blank 2, for example, the following method is used.
【００１０】Ｘ線マスクブランク２上に所望のパターン
を形成したレジスト膜を配し、このレジストパターンを
マスクとしてドライエッチングを行いＸ線吸収体パター
ンを形成する。その後、裏面に形成されたＸ線透過膜の
うちのウインドウエリア（裏面凹部）に位置する領域部
分の膜をＣＦ4又はＣｌ2をエッチングガスとしたリアク
ティブイオンエッチング（ＲＩＥ）により除去し、残っ
た膜をマスクにして、フッ酸と硝酸の混合液からなるエ
ッチング液によりシリコン基板の裏面をエッチング加工
してＸ線マスク１を得る。A resist film having a desired pattern formed thereon is arranged on the X-ray mask blank 2, and dry etching is performed using the resist pattern as a mask to form an X-ray absorber pattern. Thereafter, the film in the region of the X-ray transmission film formed on the back surface located in the window area (back surface concave portion) is removed by reactive ion etching (RIE) using CF 4 or Cl 2 as an etching gas, and the remaining film is removed. Using the resulting film as a mask, the X-ray mask 1 is obtained by etching the back surface of the silicon substrate with an etching solution comprising a mixture of hydrofluoric acid and nitric acid.
【００１１】この際、レジストには、一般に、電子線ビ
ーム（ＥＢ）レジストを用い、ＥＢ描画法によりパター
ン形成（露光）を行う。In this case, an electron beam (EB) resist is generally used as a resist, and pattern formation (exposure) is performed by an EB drawing method.
【００１２】その場合、レジストパターンとＸ線吸収体
パターンとのサイズのずれ（パターン変換差と呼ぶ）を
なくすために、エッチングマスク層の厚みはできるだけ
薄くする必要がある。したがって、Ｘ線吸収体膜をパタ
ーンニングする際に、Ｘ線吸収体膜のエッチング速度に
対して、エッチングマスク層のエッチング速度が十分に
小さい（高いエッチング選択比をもつ）必要がある。In this case, the thickness of the etching mask layer needs to be as small as possible in order to eliminate a size shift (referred to as a pattern conversion difference) between the resist pattern and the X-ray absorber pattern. Therefore, when patterning the X-ray absorber film, it is necessary that the etching rate of the etching mask layer is sufficiently smaller than the etching rate of the X-ray absorber film (having a high etching selectivity).
【００１３】一方、Ｘ線吸収体膜のエッチングは、マス
ク面内に部分的なエッチング残りを生じることなくウエ
ハ面内で均一なパターン形状を確保するために、Ｘ線吸
収体膜のエッチングに要する時間よりもエッチングを長
く行ういわゆるオーバーエッチングをある程度行う必要
がある。On the other hand, the etching of the X-ray absorber film is required for etching the X-ray absorber film in order to secure a uniform pattern shape on the wafer surface without causing partial etching residue in the mask surface. It is necessary to perform so-called over-etching, in which etching is performed longer than time, to some extent.
【００１４】このオーバーエッチングにより、Ｘ線吸収
体膜の下層であるＸ線透過膜がプラズマに曝されること
になる。例えば、Ｘ線吸収体膜の下層が炭化ケイ素から
なるＸ線透過膜である場合、Ｘ線吸収体膜のエッチング
条件に対して、Ｘ線透過膜のエッチング速度が無視でき
る速度を超えるので、オーバーエッチングによりＸ線透
過膜がエッチングされ、下層のＸ線透過膜の膜厚が減少
するほか、Ｘ線吸収体膜自体のパターン形状の劣化を引
き起こす。Ｘ線透過膜の減少は、Ｘ線アライナーへの装
着時のアライメントに必要な光学透過率の変化やマスク
の位置歪みの増大を招くため、望ましくない。したがっ
て、Ｘ線吸収体膜とＸ線透過膜との間には、Ｘ線吸収体
膜のエッチングに対してエッチングされにくい（高いエ
ッチング選択比をもつ）材料からなるエッチング停止層
を挿入することが望ましい。By this over-etching, the X-ray transmission film, which is the lower layer of the X-ray absorber film, is exposed to plasma. For example, if the lower layer of the X-ray absorber film is an X-ray transmission film made of silicon carbide, the etching rate of the X-ray transmission film exceeds the negligible speed with respect to the etching conditions of the X-ray absorber film. The X-ray transmission film is etched by the etching, so that the thickness of the lower X-ray transmission film is reduced and the pattern shape of the X-ray absorber film itself is deteriorated. Reduction of the X-ray transmission film is not desirable because it causes a change in optical transmittance and an increase in positional distortion of the mask required for alignment at the time of attachment to the X-ray aligner. Therefore, between the X-ray absorber film and the X-ray transmission film, an etching stop layer made of a material that is hardly etched by etching of the X-ray absorber film (has a high etching selectivity) may be inserted. desirable.
【００１５】また、上記のアライメントに必要な光学透
過率を得るために反射防止膜を形成する場合もある。In some cases, an antireflection film is formed in order to obtain an optical transmittance required for the above-mentioned alignment.
【００１６】従来、Ｔａを主成分とするＸ線吸収体膜の
エッチングは、塩素ガスを用いて行われており、このＸ
線吸収体膜に対して高いエッチング選択比を実現できる
エッチングマスク層及びエッチング停止層としては、Ｃ
ｒ又はＣｒＮ膜が良く用いられている。また、Ｗを主成
分とするＸ線吸収体膜のエッチングは、ＳＦ6のような
フッ化物のガスを用いて行われており、このＸ線吸収体
膜に対するエッチングマスク層及びエッチング停止層と
しても、Ｃｒ膜が用いられている。これらのＣｒ又はＣ
ｒＮ膜は、ほとんどの場合スパッタリング法によりＸ線
吸収体膜の上及び／又は下に形成されている。また、反
射防止膜として、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＩＴＯ層等がス
パッタ法によってＸ線吸収体膜の下地に設けられる場合
もある。Conventionally, etching of an X-ray absorber film containing Ta as a main component has been performed using chlorine gas.
The etching mask layer and the etching stop layer that can realize a high etching selectivity with respect to the line absorber film include C
An r or CrN film is often used. Further, the etching of the X-ray absorber film containing W as a main component is performed by using a fluoride gas such as SF 6 , and also serves as an etching mask layer and an etching stop layer for the X-ray absorber film. , Cr films are used. These Cr or C
In most cases, the rN film is formed above and / or below the X-ray absorber film by a sputtering method. Further, as an anti-reflection film, a SiO 2 , Al 2 O 3 , ITO layer, or the like may be provided on a base of the X-ray absorber film by a sputtering method.
【００１７】[0017]
【発明が解決しようとする課題】Ｘ線マスクには、高い
位置精度が要求され、例えば、０．１５μｍのデザイン
ルールパターンを有する１Ｇｂｉｔ−ＤＲＡＭ用のＸ線
マスクでは、２２ｎｍ以下の歪みに抑える必要がある。The X-ray mask is required to have high positional accuracy. For example, in the case of a 1 Gbit-DRAM X-ray mask having a 0.15 μm design rule pattern, it is necessary to suppress the distortion to 22 nm or less. There is.
【００１８】位置歪みは、Ｘ線マスク材料の応力に強く
影響され、Ｘ線吸収体膜や、エッチングマスク層、エッ
チング停止層の応力が高いとその応力によって位置歪み
が誘発される。したがって、Ｘ線吸収体膜、エッチング
マスク層、エッチング停止層は極めて低い応力である必
要がある。The positional distortion is strongly affected by the stress of the X-ray mask material. If the stress of the X-ray absorber film, the etching mask layer and the etching stop layer is high, the positional distortion is induced by the stress. Therefore, the X-ray absorber film, the etching mask layer, and the etching stop layer need to have extremely low stress.
【００１９】具体的には、例えば、ＳｉＣからなるＸ線
透過膜上にエッチング停止層、Ｘ線吸収体膜、エッチン
グマスク層をスパッタ法で順次積層してなるＸ線マスク
ブランクでは、エッチング停止層を約２５０オンク゛ストローム
としたときは２００ＭＰａに、エッチングマスク層を５
００オンク゛ストロームとしたときは約１００ＭＰａに、Ｘ線吸
収体膜は約１０ＭＰａ以下に各膜応力を制御する必要が
ある。この際、当然膜の面内の応力分布も重要なファク
ターである。以上の膜応力は成膜時の基板温度に強く依
存するため、基板加熱を含む温度分布の制御は非常に重
要である。Specifically, for example, in an X-ray mask blank in which an etching stop layer, an X-ray absorber film, and an etching mask layer are sequentially laminated on an X-ray transmission film made of SiC by a sputtering method, an etching stop layer is formed. Is about 250 Å, and the etching mask layer is 5 MPa.
When the thickness is set to 00 angstroms, it is necessary to control each film stress to about 100 MPa and the X-ray absorber film to about 10 MPa or less. At this time, the stress distribution in the plane of the film is also an important factor. Since the above-mentioned film stress strongly depends on the substrate temperature at the time of film formation, control of the temperature distribution including substrate heating is very important.
【００２０】しかしながら、従来法では、基板表面にＣ
Ａ熱電対を埋め込んだ被測定基板（多くの場合Ｓｉウエ
ハー）を用い、あらかじめ所定電流値に対してのＣＡ温
度を測定することによって、その基板ステージの温度特
性の検量線を作成し、その後、スパッタ装置において前
記検量線に基づき基板温度を所定の設定値に管理できる
ようプログラムが設定されている機構（ＰＩＤ温度制御
システム）により所定の設定値に管理することによっ
て、基板温度を管理している。そのため従来法では以下
に示す問題がある。すなわち、従来法では熱電対を用い
て基板温度を測定しているため、スパッタ成膜時のプラ
ズマ中ではノイズが発生するので基板温度を直接測定す
ることができず、プラズマのない非成膜状態で検量線を
作成している。したがって、成膜時のプラズマ中におけ
る実際の基板温度と前記設定温度との間にずれが生じ、
成膜時の正確な基板温度の管理が不十分であった。この
ため、成膜時の応力を所定値に制御することも困難とな
り、応力が大きくなって、後にアニールしても応力の除
去が困難になることがあった。また、従来法では成膜時
の温度分布を管理できないので、膜の面内の応力分布を
制御することができず、低応力化のための厳密な温度制
御が不可能であった。However, in the conventional method, C
Using a substrate to be measured (often a Si wafer) in which an A thermocouple is embedded, a calibration curve of the temperature characteristics of the substrate stage is prepared by measuring the CA temperature for a predetermined current value in advance. In the sputtering apparatus, the substrate temperature is controlled by managing the substrate temperature to a predetermined set value by a mechanism (PID temperature control system) in which a program is set so that the substrate temperature can be controlled to a predetermined set value based on the calibration curve. . Therefore, the conventional method has the following problems. That is, in the conventional method, since the substrate temperature is measured using a thermocouple, noise is generated in plasma at the time of film formation by sputtering, so that the substrate temperature cannot be directly measured. Is used to create a calibration curve. Therefore, a deviation occurs between the actual substrate temperature in the plasma during the film formation and the set temperature,
Accurate control of the substrate temperature during film formation was insufficient. For this reason, it is also difficult to control the stress at the time of film formation to a predetermined value, and the stress increases, and it may be difficult to remove the stress even if annealing is performed later. Further, since the temperature distribution during film formation cannot be controlled by the conventional method, the stress distribution in the plane of the film cannot be controlled, and strict temperature control for reducing stress cannot be performed.
【００２１】本発明は上述した背景の下になされたもの
であり、低応力かつ面内の応力が均一であるスパッタ膜
を得ることができ、したがって、極めて高い位置精度を
有するＸ線マスクを製造できるＸ線マスクブランクの製
造方法等の提供を目的とする。The present invention has been made under the above-mentioned background, and it is possible to obtain a sputtered film having a low stress and a uniform in-plane stress, thereby manufacturing an X-ray mask having extremely high positional accuracy. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an X-ray mask blank that can be used.
【００２２】[0022]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は以下に示す構成としてある。In order to achieve the above object, the present invention has the following arrangement.
【００２３】（構成１）基板上に少なくともＸ線吸収体
膜を含むスパッタ膜を形成する工程を有するＸ線マスク
ブランクの製造方法であって、前記スパッタ膜を形成す
る工程において、スパッタ膜が形成される基板の基板温
度を測定しながらスパッタ成膜を行うことを特徴とする
Ｘ線マスクブランクの製造方法。(Structure 1) A method for manufacturing an X-ray mask blank, comprising a step of forming a sputter film including at least an X-ray absorber film on a substrate, wherein the step of forming the sputter film comprises forming a sputter film. A method for manufacturing an X-ray mask blank, comprising performing sputter film formation while measuring a substrate temperature of a substrate to be formed.
【００２４】（構成２）前記スパッタ膜を形成する工程
において、スパッタ膜が形成される基板の基板温度を測
定すると同時に基板温度を調整しながらスパッタ成膜を
行うことを特徴とする構成１に記載のＸ線マスクブラン
クの製造方法。(Structure 2) A structure according to Structure 1, wherein, in the step of forming the sputter film, the sputter film is formed while measuring the substrate temperature of the substrate on which the sputter film is formed and simultaneously adjusting the substrate temperature. The method for producing an X-ray mask blank according to the above.
【００２５】（構成３）前記基板温度の測定を、基板上
の予め定められた領域内の複数点において行うことを特
徴とする構成１又は２に記載のＸ線マスクブランクの製
造方法。(Structure 3) The method for manufacturing an X-ray mask blank according to Structure 1 or 2, wherein the measurement of the substrate temperature is performed at a plurality of points within a predetermined region on the substrate.
【００２６】（構成４）前記基板温度の測定を、基板を
載置するステージに組み込まれた温度センサーの信号を
検出することにより行うことを特徴とする構成１〜３か
ら選ばれるいずれかに記載のＸ線マスクブランクの製造
方法。(Structure 4) The structure according to any one of structures 1 to 3, wherein the measurement of the substrate temperature is performed by detecting a signal of a temperature sensor incorporated in a stage on which the substrate is mounted. The method for producing an X-ray mask blank according to the above.
【００２７】（構成５）前記温度センサーが、蛍光体セ
ンサーであることを特徴とする構成４に記載のＸ線マス
クブランクの製造方法。(Structure 5) The method for manufacturing an X-ray mask blank according to Structure 4, wherein the temperature sensor is a phosphor sensor.
【００２８】（構成６）前記基板温度を調整を、加熱手
段を複数設けるとともに、各加熱手段の制御手段をそれ
ぞれ独立して設け、基板温度を部分的に調節して行うこ
とを特徴とする構成２〜５から選ばれるいずれかに記載
のＸ線マスクブランクの製造方法。(Structure 6) The structure in which the substrate temperature is adjusted by providing a plurality of heating means and independently controlling the heating means, and by partially adjusting the substrate temperature. The method for producing an X-ray mask blank according to any one of 2 to 5.
【００２９】（構成７）前記スパッタ膜を形成する工程
において、形成するスパッタ膜が、Ｘ線吸収体膜と、該
Ｘ線吸収体膜の上又は下に形成されるエッチング停止
層、反射防止膜及びエッチングマスク層から選ばれる一
種以上の膜であることを特徴とする構成１〜６から選ば
れるいずれか項に記載のＸ線マスクブランクの製造方
法。(Structure 7) In the step of forming the sputtered film, the sputtered film to be formed is an X-ray absorber film, an etching stop layer formed above or below the X-ray absorber film, and an antireflection film. 7. The method for producing an X-ray mask blank according to any one of Configurations 1 to 6, wherein the X-ray mask blank is one or more films selected from an etching mask layer.
【００３０】（構成８）構成１〜７に記載のＸ線マスク
ブランクの製造方法を用いて製造されたことを特徴とす
るＸ線マスクブランク。(Structure 8) An X-ray mask blank manufactured using the method for manufacturing an X-ray mask blank according to any one of Structures 1 to 7.
【００３１】（構成９）構成８に記載のＸ線マスクブラ
ンクを用いて製造されたことを特徴とするＸ線マスク。(Configuration 9) An X-ray mask manufactured using the X-ray mask blank according to Configuration 8.
【００３２】[0032]
【作用】上記構成１によれば、スパッタ膜が形成される
基板の基板温度を測定しながらスパッタ成膜を行うこと
で、成膜中の実際の基板温度を管理できる。また、成膜
時のプラズマ中における実際の基板温度と膜応力との関
係が明らかになり、これに基づき成膜中の実際の基板温
度の管理や膜応力の制御が可能となる。According to the above configuration 1, the actual substrate temperature during the film formation can be managed by performing the sputter film formation while measuring the substrate temperature of the substrate on which the sputter film is formed. Further, the relationship between the actual substrate temperature and the film stress in the plasma during the film formation becomes clear, and based on this, it becomes possible to manage the actual substrate temperature during the film formation and to control the film stress.
【００３３】上記構成２によれば、スパッタ膜が形成さ
れる基板の基板温度を測定すると同時に基板温度を調整
しながらスパッタ成膜を行うことで、成膜時の正確な基
板温度の管理が可能となるとともに、膜応力の厳密な制
御が可能となる。According to the above configuration 2, by performing the sputtering film formation while measuring the substrate temperature of the substrate on which the sputtered film is to be formed and simultaneously adjusting the substrate temperature, it is possible to accurately control the substrate temperature during the film formation. And the film stress can be strictly controlled.
【００３４】上記構成３によれば、基板温度の測定を基
板上の予め定められた領域内の複数点において行うこと
で、成膜時の温度分布の管理が可能となり、膜の面内の
応力分布の制御が可能となる。According to the above configuration 3, by measuring the substrate temperature at a plurality of points in a predetermined region on the substrate, the temperature distribution during film formation can be controlled, and the stress in the film plane can be controlled. The distribution can be controlled.
【００３５】上記構成４によれば、基板温度の測定を、
基板を載置するステージに組み込まれた温度センサーの
信号を検出することにより行うことで、ステージ上には
基板が載置されることから、プラズマの影響を受けにく
く、したがって、成膜時のプラズマ中において基板温度
の測定が可能となる。According to the above configuration 4, the measurement of the substrate temperature is performed by
By detecting the signal of the temperature sensor built into the stage on which the substrate is mounted, the substrate is mounted on the stage, and thus is not easily affected by plasma. The substrate temperature can be measured inside.
【００３６】上記構成５によれば、温度センサーを蛍光
体センサーとすることで、蛍光体センサーはプラズマの
影響を受けないので、成膜時のプラズマ中において基板
温度の正確な測定が可能となる。According to the above configuration 5, since the temperature sensor is a phosphor sensor, the phosphor sensor is not affected by the plasma, so that the substrate temperature can be accurately measured in the plasma during film formation. .
【００３７】上記構成６によれば、加熱手段を複数設け
るとともに、各加熱手段の制御手段をそれぞれ独立して
設け、基板温度を部分的に調節して基板温度を調整を行
うことで、膜の面内の応力分布の制御を行うことが可能
となる。According to the above configuration 6, a plurality of heating means are provided, and control means for each heating means are independently provided, and the substrate temperature is adjusted by partially adjusting the substrate temperature. It is possible to control the stress distribution in the plane.
【００３８】上記構成７によれば、本発明を用いて形成
するスパッタ膜として、Ｘ線吸収体膜に加え、Ｘ線吸収
体膜の上又は下に形成されるエッチング停止層、反射防
止膜及びエッチングマスク層についても本発明を用いて
形成することで、Ｘ線マスクを構成する各膜の応力を低
減し、位置歪みの低減をより高いレベルで図ることがで
きる。According to the above configuration 7, as the sputter film formed by using the present invention, in addition to the X-ray absorber film, the etching stop layer, the antireflection film, By forming the etching mask layer by using the present invention, stress of each film constituting the X-ray mask can be reduced, and positional distortion can be reduced at a higher level.
【００３９】上記構成８によれば、本発明を用いて製造
されたＸ線マスクブランクは、Ｘ線マスクブランクを構
成する各膜の応力が極めて低い。According to the above configuration 8, in the X-ray mask blank manufactured by using the present invention, the stress of each film constituting the X-ray mask blank is extremely low.
【００４０】上記構成９によれば、上記本発明のＸ線マ
スクブランクを用いて製造されたＸ線マスクは、各膜の
応力が極めて低いので、膜応力による位置歪みが少な
く、極めて高い位置精度を有する。According to the ninth aspect, the X-ray mask manufactured by using the X-ray mask blank of the present invention has very low stress of each film, so that the positional distortion due to the film stress is small and the extremely high positional accuracy. Having.
【００４１】以下、本発明を詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail.
【００４２】まず、本発明のＸ線マスクブランクの製造
方法について説明する。First, a method for manufacturing an X-ray mask blank according to the present invention will be described.
【００４３】本発明では、スパッタ膜中に基板温度を測
定しながらスパッタ成膜を行う。この場合、基板温度の
測定方法としては、プラズマの影響を受けにくい基板の
裏面側から、基板と接触又は非接触で温度センサーを用
いて測定する方法が好ましい。具体的には、例えば、ス
パッタリング装置内のプラズマ中で温度を測定するため
に、基板を載置するステージに温度センサー組み込み測
定する方法等が好ましい。In the present invention, a sputter film is formed while measuring the substrate temperature in the sputter film. In this case, as a method for measuring the substrate temperature, a method is preferable in which the temperature is measured using a temperature sensor in contact with or not in contact with the substrate from the back side of the substrate that is not easily affected by plasma. Specifically, for example, in order to measure the temperature in the plasma in the sputtering apparatus, a method in which a temperature sensor is incorporated in a stage on which a substrate is mounted and measurement is preferably performed.
【００４４】温度センサーとしては、蛍光体センサー、
赤外線センサー等が挙げられる。プラズマの影響を受け
にくく測定精度が高く、基板と接触して測定することが
できる蛍光体センサーを用いることが好ましい。蛍光体
センサーにおける基板と接触しない信号の伝送部分はプ
ラズマの影響を避けるためテフロン等で被覆することが
好ましい。蛍光体センサーは、蛍光体の燐光現象を利用
した温度センサーであり、公知の各種蛍光体センサーを
用いることができる。温度センサーとしては、赤外線セ
ンサーを応用したものを用いてもよい。この場合、セン
サー近傍にプラズマによる影響を避けるため遮光用の遮
蔽板を設ける必要がある。As the temperature sensor, a phosphor sensor,
And an infrared sensor. It is preferable to use a phosphor sensor that is hardly affected by plasma, has high measurement accuracy, and can perform measurement in contact with a substrate. It is preferable that the signal transmission portion of the phosphor sensor that does not come into contact with the substrate is covered with Teflon or the like in order to avoid the influence of plasma. The phosphor sensor is a temperature sensor utilizing the phosphorescent phenomenon of the phosphor, and various known phosphor sensors can be used. As the temperature sensor, a sensor to which an infrared sensor is applied may be used. In this case, it is necessary to provide a light shielding plate near the sensor to avoid the influence of plasma.
【００４５】また、温度センサーを複数個設け、基板の
パターンエリア内の複数点の温度を測定することによ
り、パターンエリア内の温度分布を測定することができ
るため、温度分布の管理が可能となる。Further, by providing a plurality of temperature sensors and measuring the temperature at a plurality of points in the pattern area of the substrate, the temperature distribution in the pattern area can be measured, so that the temperature distribution can be managed. .
【００４６】本発明では、基板温度を測定した結果に基
づいて基板温度を調整しながらスパッタ成膜することが
好ましい。その際、測定誤差を考慮すると、測定温度±
２℃以内、好ましくは測定温度±１℃以内に基板温度を
制御できる加熱手段及びその制御手段を用いることが好
ましい。基板の加熱手段としては、抵抗加熱法、ランプ
などによる放射加熱法、ガス加熱法等が挙げられる。In the present invention, it is preferable to form a film by sputtering while adjusting the substrate temperature based on the result of measuring the substrate temperature. At that time, considering the measurement error, the measurement temperature ±
It is preferable to use a heating means capable of controlling the substrate temperature within 2 ° C., preferably within a measurement temperature ± 1 ° C., and a control means therefor. Examples of the means for heating the substrate include a resistance heating method, a radiation heating method using a lamp or the like, a gas heating method, and the like.
【００４７】また、パターンの位置精度が最も優れてい
るとされている均一な応力分布とするためには、加熱手
段を複数の設けるとともに、各加熱手段の制御手段をそ
れぞれ独立して設け、基板温度を部分的に調節可能にす
ればよい。具体的には、例えば、基板ステージ内部を複
数の加熱ブロックに分割して、抵抗加熱法又はハロゲン
ランプなどによる放射加熱法によって個別の加熱ブロッ
ク毎に温度を制御すればよい。In order to obtain a uniform stress distribution which is considered to have the best pattern positional accuracy, a plurality of heating means are provided, and control means for each heating means are provided independently of each other. The temperature may be made partially adjustable. Specifically, for example, the inside of the substrate stage may be divided into a plurality of heating blocks, and the temperature of each heating block may be controlled by a resistance heating method or a radiant heating method using a halogen lamp or the like.
【００４８】成膜中の基板温度の測定、制御の具体例を
以下に示す。A specific example of the measurement and control of the substrate temperature during film formation will be described below.
【００４９】図３は基板ステージの一例を示す断面図で
ある。基板ステージ２０には、蛍光体センサー２１、基
板加熱体２４が設けられている。蛍光体センサー２１は
基板３０の裏面に接触しており、また、信号の伝送路で
ある伝送ファイバー２２はフランジ２３を介して温度検
出部（図示せず）に接続されている。伝送ファイバー２
２としては、センサーの種類に応じセンサーで検知した
信号を伝送できるものであれば特に制限されないが、例
えば、石英ファイバー等のガラスファイバー、プラスチ
ックファイバー等をテフロン樹脂（ＰＦＡ）で被覆した
ものや、ＰＥＴ（ポリテレフタル酸エチレン）からなる
ものの他に、３００℃以上の温度制御を目的とする場合
にはさらにセラミック等の耐熱材料で被覆したもの等を
使用できる。FIG. 3 is a sectional view showing an example of the substrate stage. The substrate stage 20 is provided with a phosphor sensor 21 and a substrate heater 24. The phosphor sensor 21 is in contact with the back surface of the substrate 30, and the transmission fiber 22, which is a signal transmission path, is connected via a flange 23 to a temperature detection unit (not shown). Transmission fiber 2
2 is not particularly limited as long as it can transmit a signal detected by the sensor according to the type of the sensor. For example, a glass fiber such as a quartz fiber, a plastic fiber, or the like coated with Teflon resin (PFA), In addition to a material made of PET (polyethylene terephthalate), a material coated with a heat-resistant material such as ceramic can be used when the temperature is controlled at 300 ° C. or more.
【００５０】図４は基板ステージの他の例を示す平面図
である。同図に示すように、基板ステージ２０の基板載
置面の８箇所に蛍光体センサー２１が設置されており、
温度分布が測定できるようになっている。また、基板ス
テージ２０には同心円状の複数の加熱ブロック２５ａ，
２５ｂ，２５ｃに分割されており、各加熱ブロックには
螺旋状に巻かれたニクロム線２６が配設され、各加熱ブ
ロック毎に個別に温度制御できるようになっている。こ
の場合、ニクロム線による抵抗加熱体に替えて、ランプ
加熱体を用いることも可能である。FIG. 4 is a plan view showing another example of the substrate stage. As shown in the figure, phosphor sensors 21 are installed at eight positions on the substrate mounting surface of the substrate stage 20,
The temperature distribution can be measured. The substrate stage 20 has a plurality of concentric heating blocks 25a,
Each heating block is provided with a spirally wound nichrome wire 26 so that the temperature can be controlled individually for each heating block. In this case, it is also possible to use a lamp heater instead of a resistance heater using a nichrome wire.
【００５１】図５は、基板温度制御系の一例を示すブロ
ック図である。温度センサー、伝送ファイバー及び検出
部２８からなる基板温度測定部と基板加熱手段２７及び
その制御部を含む基板温度制御部２９とを一組とする制
御系を複数組設けている。これにより、各加熱ブロック
毎に個別に温度を測定し制御できるようになっている。
温度センサーが検知した信号は、伝送ファイバー等を介
して検出部２８に伝送される。検出部２８では、伝送フ
ァイバー等を介して検出部に伝送された検知信号（燐光
の減衰信号）から検出部が有する演算機能によって瞬時
に温度を算出する。得られた個々の温度分布の信号は、
基板温度制御部２９にフィードバック信号として伝達す
る。基板温度制御部２９では、得られた基板温度信号を
フィードバック信号として利用し、必要に応じ信号を処
理して基板加熱体２７を制御する。具体的には、例え
ば、各加熱ブロックに配設された蛍光体センサー（測定
誤差は±０．５℃）によって得られた温度差が１度以上
であれば、温度差のあるブロックの基板加熱手段２７の
設定温度を変化させる。FIG. 5 is a block diagram showing an example of the substrate temperature control system. A plurality of control systems are provided, each of which includes a substrate temperature measurement unit including a temperature sensor, a transmission fiber, and a detection unit, and a substrate temperature control unit 29 including a substrate heating unit 27 and its control unit. Thus, the temperature can be individually measured and controlled for each heating block.
The signal detected by the temperature sensor is transmitted to the detection unit 28 via a transmission fiber or the like. The detecting unit 28 instantaneously calculates the temperature from the detection signal (attenuated phosphorescence signal) transmitted to the detecting unit via a transmission fiber or the like by an arithmetic function of the detecting unit. The individual temperature distribution signals obtained are:
The signal is transmitted to the substrate temperature controller 29 as a feedback signal. The substrate temperature control section 29 uses the obtained substrate temperature signal as a feedback signal, processes the signal as needed, and controls the substrate heating element 27. Specifically, for example, if the temperature difference obtained by the phosphor sensor (measurement error is ± 0.5 ° C.) provided in each heating block is 1 degree or more, the substrate heating of the block having the temperature difference is performed. The set temperature of the means 27 is changed.
【００５２】なお、基板温度測定部から、自動的にフィ
ードバック信号を基板温度制御部２９に伝送して温度管
理を行うようにしてもよい（ＰＩＤ温度制御システ
ム）。The temperature control may be performed by automatically transmitting a feedback signal from the substrate temperature measuring section to the substrate temperature control section 29 (PID temperature control system).
【００５３】また、温度センサー及び基板加熱体は何組
設けてもよく、その配置についても任意に設定すること
ができる。例えば、図６に示すように、基板ステージ２
０に蛍光体センサー２１及び基板加熱体２４を組み込ん
でもよい。Any number of sets of the temperature sensor and the substrate heating element may be provided, and the arrangement thereof may be arbitrarily set. For example, as shown in FIG.
0 may incorporate the phosphor sensor 21 and the substrate heating element 24.
【００５４】図７では、基板加熱体２４として抵抗加熱
方式又はランプ加熱方式を用いた場合の基板ステージの
断面図を示している。図８では、基板加熱体としてガス
加熱方式を用いた場合の基板ステージの断面図を示して
いる。この場合、複数のガス流出口から個別に温度制御
されたガスを基板裏面に向けて流出させて、基板温度の
制御を行う。FIG. 7 is a sectional view of a substrate stage when a resistance heating method or a lamp heating method is used as the substrate heating element 24. FIG. 8 is a sectional view of a substrate stage when a gas heating method is used as the substrate heating body. In this case, the gas whose temperature is individually controlled is caused to flow out from the plurality of gas outlets toward the back surface of the substrate to control the substrate temperature.
【００５５】本発明を用いて形成するスパッタ膜として
は、Ｘ線吸収体膜の他に、Ｘ線吸収体膜の下に設けられ
るエッチング停止層、反射防止膜や、Ｘ線吸収体膜の上
に設けられるエッチングマスク層、その他の目的で設け
られる層等が挙げられる。As the sputter film formed by using the present invention, in addition to the X-ray absorber film, an etching stop layer provided under the X-ray absorber film, an antireflection film, and a film formed on the X-ray absorber film. And a layer provided for other purposes.
【００５６】スパッタ膜を形成するスパッタリング方法
は特に制限されないが、例えば、ＲＦマグネトロンスパ
ッタリング法、ＤＣスパッタリング法、ＤＣマグネトロ
ンスパッタリング法などが挙げられる。使用されるスパ
ッタガスとしては、アルゴン、キセノン、クリプトン、
ヘリウムなどの不活性ガス等の他、膜の組成に応じて反
応性ガスを用いてもよい。The sputtering method for forming the sputtered film is not particularly limited, and examples thereof include an RF magnetron sputtering method, a DC sputtering method, and a DC magnetron sputtering method. As the sputtering gas used, argon, xenon, krypton,
In addition to an inert gas such as helium, a reactive gas may be used depending on the composition of the film.
【００５７】Ｘ線吸収体膜の材料は、特に制限されない
が、例えば、Ｔａ、Ｗ等の高融点金属を主成分とする材
料等が挙げられる。具体的には、例えば、ＴａとＢの化
合物［例えばＴａ4Ｂ（Ｔａ：Ｂ＝８：２）や、Ｔａ4Ｂ
以外の組成をもつホウ化タンタルなど］、金属Ｔａ、Ｔ
ａを含むアモルファス材料、Ｔａと他の物質を含むＴａ
系の材料や、金属Ｗ、Ｗと他の物質を含むＷ系の材料等
が挙げられる。なお、Ｘ線照射耐性の観点からはタンタ
ルを主成分とする材料等が好ましい。Although the material of the X-ray absorber film is not particularly limited, for example, a material mainly composed of a high melting point metal such as Ta, W and the like can be used. Specifically, for example, a compound of Ta and B [eg, Ta 4 B (Ta: B = 8: 2) or Ta 4 B
Such as tantalum boride having a composition other than
amorphous material containing a, Ta containing Ta and other substances
And W-based materials including metal W, W and other substances. From the viewpoint of X-ray irradiation resistance, a material containing tantalum as a main component is preferable.
【００５８】タンタルを主成分とするＸ線吸収体材料
は、Ｔａ以外に少なくともＢを含むことが好ましい。こ
れは、Ｔａ及びＢを含むＸ線吸収体膜は、内部応力が小
さく、高純度で不純物を含まず、Ｘ線吸収率が大きい等
の利点を有するからである。また、スパッタリングで成
膜する際のガス圧を制御することで容易に内部応力を制
御できるからである。なお、本発明ではガス圧による応
力制御に加えて、さらに成膜時の温度分布を管理し基板
温度を制御することでより厳密に内部応力を制御でき
る。The X-ray absorber material mainly containing tantalum preferably contains at least B in addition to Ta. This is because the X-ray absorber film containing Ta and B has advantages such as low internal stress, high purity, no impurities, and high X-ray absorption. Also, the internal stress can be easily controlled by controlling the gas pressure when forming a film by sputtering. In the present invention, the internal stress can be more strictly controlled by controlling the temperature distribution during film formation and controlling the substrate temperature in addition to the stress control by the gas pressure.
【００５９】Ｔａ及びＢを含むＸ線吸収体膜におけるＢ
の割合は、１５〜２５原子％とすることが好ましい。Ｘ
線吸収体膜におけるＢの割合が上記範囲を超えると微結
晶の粒径が大きくなりサブミクロンオーダーの微細加工
が難しくなる。なお、Ｘ線吸収体膜におけるＢの割合に
関しては、本願出願人はすでに出願を行っている（特開
平２−１９２１１６号公報）。B in the X-ray absorber film containing Ta and B
Is preferably 15 to 25 atomic%. X
If the proportion of B in the line absorber film exceeds the above range, the grain size of the microcrystal becomes large, and it becomes difficult to perform sub-micron order fine processing. The applicant of the present invention has already filed an application for the ratio of B in the X-ray absorber film (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-192116).
【００６０】タンタルを主成分とするＸ線吸収体材料等
は、アモルファス構造あるいは微結晶構造を有すること
が好ましい。これは、結晶構造（金属構造）であるとサ
ブミクロンオーダーの微細加工が難しく、内部応力が大
きくＸ線マスクに歪みが生じるからである。The X-ray absorber material mainly composed of tantalum preferably has an amorphous structure or a microcrystalline structure. This is because, if the crystal structure (metal structure) is used, it is difficult to perform fine processing on the order of submicrons, and the internal stress is large, causing distortion in the X-ray mask.
【００６１】エッチング停止層及びエッチングマスク層
の材料としては、例えば、クロム、又はクロムに炭素及
び／又は窒素を含む材料、さらにこれらにエッチング選
択比や膜応力に影響を与えない範囲で酸素、フッ素など
の他の元素を添加した材料等が挙げられる。エッチング
停止層及びエッチングマスク層においても、膜組成、ス
パッタガスの全圧、ＲＦパワー、スパッタ装置の種類等
を調節及び選択することで、エッチング選択比や膜応力
の制御が可能である。本発明ではこれらの制御に加え
て、さらに成膜時の温度分布を管理し基板温度を制御す
ることでより厳密に内部応力を制御できる。As the material of the etching stop layer and the etching mask layer, for example, chromium, or a material containing chromium containing carbon and / or nitrogen, and oxygen and fluorine as long as they do not affect the etching selectivity and the film stress. And the like to which other elements are added. Also in the etching stop layer and the etching mask layer, the etching selectivity and the film stress can be controlled by adjusting and selecting the film composition, the total pressure of the sputtering gas, the RF power, the type of the sputtering apparatus, and the like. In the present invention, in addition to these controls, the internal stress can be more strictly controlled by further controlling the temperature distribution during film formation and controlling the substrate temperature.
【００６２】エッチングマスク層の膜厚は、１０〜２０
０ｎｍ、好ましくは１５〜６０ｎｍ、より好ましくは３
０〜５０ｎｍである。エッチングマスク層の膜厚を薄く
すると、垂直な側壁のエッチングマスクパターンが得ら
れるとともにマイクロローディング効果の影響を低減で
きるので、エッチングマスクパターンをマスクとしてＸ
線吸収体材料層をドライエッチングする際のパターン変
換差を低減できる。The thickness of the etching mask layer is 10 to 20
0 nm, preferably 15-60 nm, more preferably 3 nm.
0 to 50 nm. When the thickness of the etching mask layer is reduced, an etching mask pattern on a vertical side wall can be obtained and the influence of the microloading effect can be reduced.
The pattern conversion difference at the time of dry-etching the line absorber material layer can be reduced.
【００６３】エッチング停止層の膜厚は、５〜１００ｎ
ｍ、好ましくは７〜５０ｎｍ、より好ましくは１０〜３
０ｎｍである。エッチング停止層の膜厚を薄くすると、
エッチング時間が短くできるので、エッチング停止層を
除去する際のＸ線吸収体パターンのエッチングによる形
状変化を低減できる。The thickness of the etching stopper layer is 5 to 100 n
m, preferably 7 to 50 nm, more preferably 10 to 3
0 nm. When the thickness of the etching stop layer is reduced,
Since the etching time can be shortened, it is possible to reduce a change in shape of the X-ray absorber pattern due to etching when removing the etching stop layer.
【００６４】エッチング停止層、エッチングマスク層に
おける膜応力と膜厚との積は、±１×１０4ｄｙｎ／ｃ
ｍ以下であることが好ましい。膜応力と膜厚との積が上
記範囲を超えると、応力による位置歪みが大きく、極め
て高い位置精度を有するＸ線マスクが得られない。The product of the film stress and the film thickness in the etching stop layer and the etching mask layer is ± 1 × 10 4 dyn / c.
m or less. If the product of the film stress and the film thickness exceeds the above range, positional distortion due to the stress is large, and an X-ray mask having extremely high positional accuracy cannot be obtained.
【００６５】本発明で用いる基板としては、シリコン基
板（シリコンウエハ）などの公知の基板が挙げられる。
Ｘ線透過膜としては、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ダイヤモンド薄
膜などが挙げられる。Ｘ線照射耐性等の観点からはＳｉ
Ｃが好ましい。なお、Ｘ線透過膜の膜応力は、５０〜４
００ＭＰａ以下であることが好ましい。また、Ｘ線透過
膜の膜厚は、１〜３μｍ程度であることが好ましい。The substrate used in the present invention includes a known substrate such as a silicon substrate (silicon wafer).
Examples of the X-ray transmission film include SiC, SiN, and a diamond thin film. From the viewpoint of X-ray irradiation resistance, etc., Si
C is preferred. The film stress of the X-ray transmission film is 50 to 4
It is preferably at most 00 MPa. Further, the thickness of the X-ray transmission film is preferably about 1 to 3 μm.
【００６６】Ｘ線マスクブランクにおいては、Ｘ線透過
膜及びＸ線吸収体膜以外の層（膜）を、必要に応じ、設
けることができる。例えば、Ｘ線透過膜とＸ線吸収体膜
との間に、エッチング停止層、密着層、反射防止層、導
電層などを設けることができる。また、Ｘ線吸収体膜上
に、マスク層、保護層、導電層などを設けることができ
る。本発明では、Ｘ線吸収体膜に加え、これらの膜の成
膜時の温度分布を管理し基板温度を制御することで、Ｘ
線マスクブランクを構成する各膜の応力を低減し、Ｘ線
マスクの位置歪みの低減をより高いレベルで図ることが
できる。In the X-ray mask blank, layers (films) other than the X-ray transmission film and the X-ray absorber film can be provided as necessary. For example, an etching stop layer, an adhesion layer, an antireflection layer, a conductive layer, and the like can be provided between the X-ray transmission film and the X-ray absorber film. Further, a mask layer, a protective layer, a conductive layer, and the like can be provided over the X-ray absorber film. In the present invention, in addition to the X-ray absorber films, by controlling the temperature distribution at the time of forming these films and controlling the substrate temperature, X
The stress of each film constituting the line mask blank can be reduced, and the positional distortion of the X-ray mask can be reduced at a higher level.
【００６７】本発明のＸ線マスクは、上記本発明のＸ線
マスクブランクを用いて製造することを特徴とする。こ
こで、Ｘ線マスクブランクの製造工程に関しては特に制
限されず、従来より公知のＸ線マスクの製造工程が適用
できる。The X-ray mask of the present invention is characterized by being manufactured using the X-ray mask blank of the present invention. Here, the manufacturing process of the X-ray mask blank is not particularly limited, and a conventionally known X-ray mask manufacturing process can be applied.
【００６８】例えば、エッチングマスク層のパターニン
グには、レジスト（フォト、電子線）を用いたリソグラ
フィー法（レジスト塗布、露光、現像、エッチング、レ
ジスト剥離、洗浄など）、多層レジスト法、多層マスク
（金属膜／レジスト膜等）法などの公知のパターニング
技術を使用できる。レジストを用いる場合にあっては、
レジストの膜厚は薄い方が好ましく、５０〜１０００ｎ
ｍ、好ましくは１００〜３００ｎｍである。For example, for the patterning of the etching mask layer, a lithography method (resist coating, exposure, development, etching, resist peeling, washing, etc.) using a resist (photo, electron beam), a multilayer resist method, a multilayer mask (metal A known patterning technique such as a film / resist film method can be used. When using resist,
The thickness of the resist is preferably as thin as 50 to 1000 n.
m, preferably 100 to 300 nm.
【００６９】エッチングマスク層及びエッチング停止層
をドライエッチングする際のエッチングガスとしては、
塩素と酸素の混合ガスを用いることが好ましい。これ
は、エッチングガスである塩素に対して酸素を混入させ
た混合ガスによるエッチングを行うことで、Ｔａを主成
分とする材料からなるＸ線吸収体膜のエッチング速度
（エッチングレート）を極端に低下させることができる
ので、Ｔａを主成分とする材料に対するＣｒと炭素及び
／又は窒素を含む材料等のエッチング選択比（Ｃｒ／Ｔ
ａ）を大きくすることが可能となり、塩素ガス単体によ
るエッチングの場合（エッチング選択比は０．１）に比
べ、相対エッチング速度を逆転（１以上に）することが
可能となるからである。The etching gas for dry etching the etching mask layer and the etching stop layer is as follows.
It is preferable to use a mixed gas of chlorine and oxygen. This is because the etching rate (etching rate) of an X-ray absorber film made of a material containing Ta as a main component is extremely reduced by performing etching with a mixed gas in which oxygen is mixed with chlorine as an etching gas. Therefore, the etching selectivity (Cr / T) of a material containing Cr and carbon and / or nitrogen with respect to a material containing Ta as a main component can be obtained.
This is because a) can be increased, and the relative etching rate can be reversed (to 1 or more) as compared with the case of etching using only chlorine gas (etching selectivity is 0.1).
【００７０】ドライエッチング装置としては、プラズマ
エッチング装置、ＩＣＰ（Inductive Coupled Plasma）
エッチング装置、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング：Re
active Ion Etching）装置、反応性イオンビームエッチ
ング（ＲＩＢＥ）装置、スパッタエッチング装置、イオ
ンビームエッチング装置などが使用できる。As a dry etching apparatus, a plasma etching apparatus, an ICP (Inductive Coupled Plasma)
Etching equipment, RIE (Reactive ion etching: Re
An active ion etching (RIE) apparatus, a reactive ion beam etching (RIBE) apparatus, a sputter etching apparatus, an ion beam etching apparatus, and the like can be used.
【００７１】[0071]
【実施例】以下、実施例にもとづき本発明をさらに詳細
に説明する。The present invention will be described below in more detail with reference to examples.
【００７２】実施例１ Ｘ線マスクブランクの製造 図９は本発明の一実施例に係るＸ線マスクブランクの製
造工程を示す断面図である。 Embodiment 1 Manufacturing of X-ray Mask Blank FIG. 9 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of an X-ray mask blank according to one embodiment of the present invention.
【００７３】まず、大きさ３インチφ、厚さ２ｍｍで結
晶方位（１００）のシリコン基板１１の両面に、Ｘ線透
過膜１２として、ジクロロシランとアセチレンを用いて
ＣＶＤ法により厚さ２μｍの炭化ケイ素膜を成膜した
（図９（ａ））。さらに、機械研磨により炭化ケイ素膜
の表面の平坦化を行い、Ｒａ＝１ｎｍ以下の表面粗さを
得た。First, on both surfaces of a silicon substrate 11 having a size of 3 inches φ and a thickness of 2 mm and a crystal orientation of (100), a 2-μm-thick carbonized film was formed by CVD using dichlorosilane and acetylene as X-ray transmitting films 12. A silicon film was formed (FIG. 9A). Further, the surface of the silicon carbide film was flattened by mechanical polishing to obtain a surface roughness of Ra = 1 nm or less.
【００７４】次いで、上記で説明した装置の基板ステー
ジにＸ線透過膜付き基板を載置し、Ｘ線透過膜１２上
に、タンタル及びホウ素からなるＸ線吸収体膜１３をＲ
Ｆマグネトロンスパッタリング法によって０．５μｍの
厚さで形成した（図９（ｂ））。Next, the substrate with the X-ray transmitting film is placed on the substrate stage of the apparatus described above, and the X-ray absorbing film 13 made of tantalum and boron is
It was formed to a thickness of 0.5 μm by the F magnetron sputtering method (FIG. 9B).
【００７５】なお、スパッタターゲットは、タンタルと
ホウ素を原子数比（Ｔａ／Ｂ）で８／２の割合で含む焼
結体とした。スパッタ条件は、スパッタガス：Ａｒ、Ｒ
Ｆパワー密度：６．５Ｗ／ｃｍ2、スパッタガス圧：
１．０Ｐａとした。The sputter target was a sintered body containing tantalum and boron at an atomic ratio (Ta / B) of 8/2. The sputtering conditions were as follows: sputtering gas: Ar, R
F power density: 6.5 W / cm 2 , sputtering gas pressure:
1.0 Pa was set.
【００７６】上記Ｘ線吸収体膜の成膜の際、基板温度の
測定及び制御を図４で示す方法を用いて、逐次温度分布
及び温度変化をモニターし、その得られた情報に応じ
て、基板加熱の設定を変化させることによって、均一な
温度制御を行った。このように、スパッタ成膜時に基板
裏面からの温度制御を行うことによって、−１５０ＭＰ
ａ±４ＭＰａ以下のＸ線吸収体膜を作成できた。特に、
本実施例では、応力のランダムなバラツキを同心円状に
制御することが容易になった。すなわち同心円状に温度
分布を制御することによって、応力分布も同心円状の分
布に制御することができた。このように、応力分布を同
心円状の分布に制御すると、パターンの位置歪みの制御
を効果的に行うことができる。At the time of forming the X-ray absorber film, the temperature distribution and the temperature change are monitored successively by using the method shown in FIG. 4 to measure and control the substrate temperature, and according to the obtained information, By changing the setting of substrate heating, uniform temperature control was performed. As described above, by controlling the temperature from the back surface of the substrate at the time of forming a film by sputtering, -150 MPa
An X-ray absorber film of a ± 4 MPa or less could be produced. Especially,
In the present embodiment, it is easy to concentrically control the random variation of the stress. That is, by controlling the temperature distribution concentrically, the stress distribution could also be controlled to a concentric distribution. As described above, when the stress distribution is controlled to a concentric distribution, the positional distortion of the pattern can be effectively controlled.
【００７７】続いて、上記基板を上記ステージ上で、２
５０℃、２時間アニーリングを行って、５ＭＰａ以下の
低応力のＸ線吸収体膜１３を得た。Subsequently, the substrate is placed on the stage for 2 hours.
Annealing was performed at 50 ° C. for 2 hours to obtain an X-ray absorber film 13 having a low stress of 5 MPa or less.
【００７８】次に、Ｘ線吸収体膜１３上に、エッチング
マスク層１４としてクロムと窒素を含む膜をＲＦマグネ
トロンスパッタリング法によって０．０５μｍの厚さで
形成した。この結果、１００ＭＰａ以下の低応力のエッ
チングマスク層１４を得た（図９（ｃ））。Next, on the X-ray absorber film 13, a film containing chromium and nitrogen was formed as an etching mask layer 14 to a thickness of 0.05 μm by RF magnetron sputtering. As a result, an etching mask layer 14 having a low stress of 100 MPa or less was obtained (FIG. 9C).
【００７９】なお、スパッタターゲットにはＣｒを用
い、スパッタ条件は、スパッタガス：Ａｒにメタンを７
％混合したガス、ＲＦパワー密度：６．５Ｗ／ｃｍ2、
スパッタガス圧：１．２Ｐａとした。The sputtering target was Cr, and the sputtering conditions were as follows: sputtering gas: Ar and methane
% Mixed gas, RF power density: 6.5 W / cm 2 ,
Sputter gas pressure: 1.2 Pa.
【００８０】Ｘ線マスクの製造及び評価 上記で得られたＸ線マスクブランクを用いて、Ｘ線マス
クを製造した。 Production and Evaluation of X-Ray Mask An X-ray mask was produced using the X-ray mask blank obtained above.
【００８１】具体的には、まず、Ｘ線マスクブランク上
に塗布した電子線レジストに最小線幅０．１０μｍを含
むラインアンドスペース（以下、Ｌ＆Ｓと記す）パター
ンを電子線描画し、湿式現像によって電子線レジストパ
ターンを形成した。この電子線レジストパターンをマス
クとして、ＩＣＰ（inductive coupled plasma）エッチ
ング装置を用いて、コイルパワー２００Ｗ、バイアス１
０Ｗのエッチング条件下、基板部分を１０℃に冷却しな
がら塩素と酸素の混合ガス（塩素：２５ｓｃｃｍ、酸
素：５ｓｃｃｍ）にてエッチングマスク層のエッチング
を行い、エッチングマスクパターンを得た。このエッチ
ングマスクパターンをマスクとして、ＩＣＰドライエッ
チング装置を用い、エッチングガスとして塩素を用いエ
ッチングマスクパターンのパターニングと同様の条件
で、Ｘ線吸収体膜のエッチングを行い、次いでエッチン
グマスクパターンを除去し、Ｘ線吸収体パターンを形成
してＸ線マスクを得た。Specifically, first, a line and space (hereinafter, referred to as L & S) pattern including a minimum line width of 0.10 μm is drawn by an electron beam on an electron beam resist applied on an X-ray mask blank, and wet development is performed. An electron beam resist pattern was formed. Using this electron beam resist pattern as a mask, an ICP (inductively coupled plasma) etching apparatus was used to obtain a coil power of 200 W and a bias of 1.
The etching mask layer was etched with a mixed gas of chlorine and oxygen (chlorine: 25 sccm, oxygen: 5 sccm) while cooling the substrate to 10 ° C. under 0 W etching conditions to obtain an etching mask pattern. Using this etching mask pattern as a mask, an X-ray absorber film is etched under the same conditions as those of the etching mask pattern using chlorine as an etching gas using an ICP dry etching apparatus, and then the etching mask pattern is removed. An X-ray mask was obtained by forming an X-ray absorber pattern.
【００８２】上記で得られたＸ線マスクの位置歪みを座
標測定機により評価した結果、１Ｇｂｉｔ−ＤＲＡＭ用
のＸ線マスクに要求される２２ｎｍ以下の位置歪みであ
り、高い位置精度が実現できることを確認した。The positional distortion of the X-ray mask obtained above was evaluated by a coordinate measuring machine. As a result, the positional distortion of 22 nm or less required for an X-ray mask for 1 Gbit-DRAM was obtained, and high positional accuracy could be realized. confirmed.
【００８３】以上好ましい実施例をあげて本発明を説明
したが、本発明は上記実施例に限定されるものではな
い。Although the present invention has been described with reference to the preferred embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments.
【００８４】例えば、温度センサー及び基板加熱体は実
施例で使用したものに限定されない。For example, the temperature sensor and the substrate heater are not limited to those used in the embodiments.
【００８５】また、Ｘ線マスクの形状等に応じて応力等
を制御すべき範囲が異なるので、それに合わせて温度セ
ンサー及び基板加熱体の配置等を設計することができ
る。Further, since the range in which stress and the like are to be controlled varies depending on the shape and the like of the X-ray mask, the arrangement of the temperature sensor and the substrate heater can be designed in accordance with the range.
【００８６】[0086]
【発明の効果】以上説明したように本発明のＸ線マスク
ブランクの製造方法によれば、低応力かつ面内の応力が
均一であるスパッタ膜を得ることができ、したがって、
極めて高い位置精度を有するＸ線マスクを製造できる。As described above, according to the method of manufacturing an X-ray mask blank of the present invention, a sputtered film having low stress and uniform in-plane stress can be obtained.
An X-ray mask having extremely high positional accuracy can be manufactured.
【図１】Ｘ線マスクの構造を説明するための断面図であ
る。FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a structure of an X-ray mask.
【図２】Ｘ線マスクブランクを説明するための断面図で
ある。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an X-ray mask blank.
【図３】基板ステージの一例を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating an example of a substrate stage.
【図４】基板ステージの他の例を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing another example of the substrate stage.
【図５】基板温度制御系の一例を示すブロック図であ
る。FIG. 5 is a block diagram illustrating an example of a substrate temperature control system.
【図６】基板ステージの他の例を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing another example of the substrate stage.
【図７】基板ステージの他の例を示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing another example of the substrate stage.
【図８】基板ステージの他の例を示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing another example of the substrate stage.
【図９】本発明の一実施例に係るＸ線マスクブランクの
製造工程を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the X-ray mask blank according to one embodiment of the present invention.
１ Ｘ線マスク ２ Ｘ線マスクブランク １１ シリコン基板 １１ａ 支持基板（支持枠） １２ Ｘ線透過膜 １３ Ｘ線吸収体膜 １３ａ Ｘ線吸収体パターン １４ エッチングマスク層 ２０ 基板ステージ ２１ 蛍光体センサー ２２ 伝送ファイバー ２３ フランジ ２４ 基板加熱体 ２５ａ，２５ｂ，２５ｃ 加熱ブロック ２６ ニクロム線 ２７ 基板加熱手段 ２８ 検出手段 ２９ 基板温度制御部 ３０ 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 X-ray mask 2 X-ray mask blank 11 Silicon substrate 11a Support substrate (support frame) 12 X-ray transmission film 13 X-ray absorber film 13a X-ray absorber pattern 14 Etching mask layer 20 Substrate stage 21 Fluorescent sensor 22 Transmission fiber 23 Flange 24 Substrate heating body 25a, 25b, 25c Heating block 26 Nichrome wire 27 Substrate heating means 28 Detection means 29 Substrate temperature control unit 30 Substrate
Claims (9)
スパッタ膜を形成する工程を有するＸ線マスクブランク
の製造方法であって、 前記スパッタ膜を形成する工程において、スパッタ膜が
形成される基板の基板温度を測定しながらスパッタ成膜
を行うことを特徴とするＸ線マスクブランクの製造方
法。1. A method for manufacturing an X-ray mask blank, comprising a step of forming a sputter film including at least an X-ray absorber film on a substrate, wherein a sputter film is formed in the step of forming the sputter film. A method for manufacturing an X-ray mask blank, comprising performing sputter film formation while measuring a substrate temperature of a substrate.
て、スパッタ膜が形成される基板の基板温度を測定する
と同時に基板温度を調整しながらスパッタ成膜を行うこ
とを特徴とする請求項１に記載のＸ線マスクブランクの
製造方法。2. The method according to claim 1, wherein in the step of forming the sputtered film, the sputtered film is formed while measuring the substrate temperature of the substrate on which the sputtered film is formed and simultaneously adjusting the substrate temperature. Manufacturing method of X-ray mask blank.
められた領域内の複数点において行うことを特徴とする
請求項１又は２に記載のＸ線マスクブランクの製造方
法。3. The method for manufacturing an X-ray mask blank according to claim 1, wherein the measurement of the substrate temperature is performed at a plurality of points within a predetermined region on the substrate.
ステージに組み込まれた温度センサーの信号を検出する
ことにより行うことを特徴とする請求項１〜３から選ば
れる一項に記載のＸ線マスクブランクの製造方法。4. The method according to claim 1, wherein the measurement of the substrate temperature is performed by detecting a signal of a temperature sensor incorporated in a stage on which the substrate is mounted. Manufacturing method of X-ray mask blank.
あることを特徴とする請求項４に記載のＸ線マスクブラ
ンクの製造方法。5. The method according to claim 4, wherein the temperature sensor is a phosphor sensor.
設けるとともに、各加熱手段の制御手段をそれぞれ独立
して設け、基板温度を部分的に調節して行うことを特徴
とする請求項２〜５から選ばれる一項に記載のＸ線マス
クブランクの製造方法。6. The method according to claim 2, wherein a plurality of heating means are provided, and a control means for each heating means is independently provided to partially adjust the substrate temperature. The method for producing an X-ray mask blank according to any one of Items 1 to 5, wherein
て、形成するスパッタ膜が、Ｘ線吸収体膜と、該Ｘ線吸
収体膜の上又は下に形成されるエッチング停止層、反射
防止膜及びエッチングマスク層から選ばれる一種以上の
膜であることを特徴とする請求項１〜６から選ばれる一
項に記載のＸ線マスクブランクの製造方法。7. In the step of forming the sputtered film, the sputtered film to be formed is an X-ray absorber film, an etching stop layer formed above or below the X-ray absorber film, an antireflection film, and an etching film. The method for producing an X-ray mask blank according to any one of claims 1 to 6, wherein the method is one or more films selected from a mask layer.
クの製造方法を用いて製造されたことを特徴とするＸ線
マスクブランク。8. An X-ray mask blank manufactured using the method for manufacturing an X-ray mask blank according to claim 1.
用いて製造されたことを特徴とするＸ線マスク。9. An X-ray mask manufactured using the X-ray mask blank according to claim 8.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3435398A JPH11219899A (en) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | X-ray mask blank, its manufacture, and manufacture of x-ray mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3435398A JPH11219899A (en) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | X-ray mask blank, its manufacture, and manufacture of x-ray mask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11219899A true JPH11219899A (en) | 1999-08-10 |
Family
ID=12411797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3435398A Pending JPH11219899A (en) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | X-ray mask blank, its manufacture, and manufacture of x-ray mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11219899A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100426249B1 (en) * | 1999-12-06 | 2004-04-08 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | Projection electron-beam lithography masks using advanced materials and membrane size |
| JP2006195200A (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Photomask blank manufacturing method |
| JP2013201227A (en) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Hoya Corp | Manufacturing method of substrate provided with multilayer reflection film for euv lithography, manufacturing method of reflection type mask blank for euv lithography, manufacturing method of reflection type mask for euv lithography, and manufacturing method of semiconductor device |
| JP2021097225A (en) * | 2019-12-13 | 2021-06-24 | セメス株式会社Ｓｅｍｅｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | Thin layer etching apparatus |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP3435398A patent/JPH11219899A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100426249B1 (en) * | 1999-12-06 | 2004-04-08 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | Projection electron-beam lithography masks using advanced materials and membrane size |
| JP2006195200A (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Photomask blank manufacturing method |
| JP2013201227A (en) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Hoya Corp | Manufacturing method of substrate provided with multilayer reflection film for euv lithography, manufacturing method of reflection type mask blank for euv lithography, manufacturing method of reflection type mask for euv lithography, and manufacturing method of semiconductor device |
| JP2021097225A (en) * | 2019-12-13 | 2021-06-24 | セメス株式会社Ｓｅｍｅｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | Thin layer etching apparatus |
| US11772198B2 (en) | 2019-12-13 | 2023-10-03 | Semes Co., Ltd. | Apparatus including laser heating for etching thin layer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5455147B2 (en) | Photomask blank manufacturing method, photomask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method | |
| JP3608654B2 (en) | Phase shift mask blank, phase shift mask | |
| EP0381467A1 (en) | Method of manufacturing an x-ray mask | |
| JP3249948B2 (en) | Phase shift mask blank and phase shift mask | |
| US5291536A (en) | X-ray mask, method for fabricating the same, and pattern formation method | |
| JPH0864524A (en) | Preparation of x-ray absorption mask | |
| WO2006123630A1 (en) | Method for manufacturing phase shift mask blank and method for manufacturing phase shift mask | |
| JPH11219899A (en) | X-ray mask blank, its manufacture, and manufacture of x-ray mask | |
| US20040224526A1 (en) | Method of producing a reflection type mask blank, method of producing a reflection type mask, and method of producing a semiconductor device | |
| JP2004128490A (en) | Manufacturing method of reflective mask blank and reflective mask and manufacturing method of semiconductor device | |
| JPH09180994A (en) | Manufacture of x-ray mask and heater | |
| US6128363A (en) | X-ray mask blank, x-ray mask, and pattern transfer method | |
| JPH10198023A (en) | X-ray exposure mask and its production | |
| TW202307558A (en) | Photomask blank, photomask and method of fabricating a semiconductor element | |
| JP3631017B2 (en) | X-ray mask blank and manufacturing method thereof, and X-ray mask and manufacturing method thereof | |
| JP3119237B2 (en) | X-ray mask, method of manufacturing the same, semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPH09306812A (en) | Manufacture of x-ray mask | |
| JPH11307442A (en) | X-ray mask, x-ray mask blank, and their manufacture | |
| JPH10135130A (en) | X-ray mask blank, its manufacture, and x-ray mask | |
| JP3995784B2 (en) | Dry etching method and X-ray mask manufacturing method | |
| JP3350235B2 (en) | Method of manufacturing X-ray mask and X-ray mask obtained by the method | |
| US5848120A (en) | X-ray mask blank, X-ray mask and pattern transfer method | |
| JP2543927B2 (en) | X-ray mask manufacturing method | |
| JP3364151B2 (en) | X-ray mask and manufacturing method thereof | |
| JP3195328B2 (en) | X-ray mask and method of manufacturing X-ray mask |