JPH11214368A - ウェーハの平坦化方法とその装置 - Google Patents
ウェーハの平坦化方法とその装置Info
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- JPH11214368A JPH11214368A JP3045498A JP3045498A JPH11214368A JP H11214368 A JPH11214368 A JP H11214368A JP 3045498 A JP3045498 A JP 3045498A JP 3045498 A JP3045498 A JP 3045498A JP H11214368 A JPH11214368 A JP H11214368A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＳＯＩウェーハのＳＯＩ活性層の厚さ均一性
を改善するために用いられるＰＡＣＥ法によるウェーハ
の平坦化方法において、ウェーハの外周部のみ活性層の
厚さが他中央部と比較して薄くなる問題を解消できる手
段。 【解決手段】 ウェーハ表面に設けた単結晶シリコン層
厚みを所定厚みにする際、被処理ウェーハを載置するス
テージに所要ウェーハ厚みに相当する深さのリセスを設
けるか、あるいは被処理ウェーハの外周に所要ウェーハ
厚みに相当する厚みのリングを配置することにより、ウ
ェーハの周縁部の該層厚みが薄くなることを防止し、高
精度の平坦度を得ることができる。
を改善するために用いられるＰＡＣＥ法によるウェーハ
の平坦化方法において、ウェーハの外周部のみ活性層の
厚さが他中央部と比較して薄くなる問題を解消できる手
段。 【解決手段】 ウェーハ表面に設けた単結晶シリコン層
厚みを所定厚みにする際、被処理ウェーハを載置するス
テージに所要ウェーハ厚みに相当する深さのリセスを設
けるか、あるいは被処理ウェーハの外周に所要ウェーハ
厚みに相当する厚みのリングを配置することにより、ウ
ェーハの周縁部の該層厚みが薄くなることを防止し、高
精度の平坦度を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、シリコンウェー
ハなどのウェーハ表面を局部的にプラズマエッチングし
て所要のウェーハの平坦度を得るウェーハの平坦化方法
と装置の改良に係り、例えばウェーハ表面に設けた単結
晶シリコン層厚みを所定厚みにする際、被処理ウェーハ
を載置するステージに所要ウェーハ厚みに相当する深さ
のリセスを設けるか、同様厚みのリングを配置すること
により、ウェーハの周縁部の該層厚みが薄くなることを
防止し、高精度の平坦度を得るウェーハの平坦化方法と
その装置に関する。
ハなどのウェーハ表面を局部的にプラズマエッチングし
て所要のウェーハの平坦度を得るウェーハの平坦化方法
と装置の改良に係り、例えばウェーハ表面に設けた単結
晶シリコン層厚みを所定厚みにする際、被処理ウェーハ
を載置するステージに所要ウェーハ厚みに相当する深さ
のリセスを設けるか、同様厚みのリングを配置すること
により、ウェーハの周縁部の該層厚みが薄くなることを
防止し、高精度の平坦度を得るウェーハの平坦化方法と
その装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェーハ上に形成した酸化膜絶
縁層の上に、さらに高品質な単結晶シリコン層、すなわ
ちＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏ
ｒ）活性層を均一に形成した構造を有するＳＯＩウェー
ハは素子間分離を非常に容易にするため、デバイスの高
集積化、低消費電力化、高速化が期待でき、一部では実
用化が進んでいる。
縁層の上に、さらに高品質な単結晶シリコン層、すなわ
ちＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏ
ｒ）活性層を均一に形成した構造を有するＳＯＩウェー
ハは素子間分離を非常に容易にするため、デバイスの高
集積化、低消費電力化、高速化が期待でき、一部では実
用化が進んでいる。
【０００３】ＳＯＩウェーハのＳＯＩ活性層の厚みは、
素子構造により異なり、例えば高速用ＣＭＯＳでは０．
１μｍまたはそれ以下、Ｂｉ‐ＣＭＯＳでは０．５〜
１．０μｍ、バイポーラでは１〜５μｍ、大電力用やセ
ンサ用として数μｍ以上が要求されている。
素子構造により異なり、例えば高速用ＣＭＯＳでは０．
１μｍまたはそれ以下、Ｂｉ‐ＣＭＯＳでは０．５〜
１．０μｍ、バイポーラでは１〜５μｍ、大電力用やセ
ンサ用として数μｍ以上が要求されている。
【０００４】ＳＯＩウェーハを製造する方法としては種
々提案されているが、代表的なＳＯＩウェーハとして
は、貼り合わせＳＯＩ基板とＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａ
ｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ）
ウェーハがある。
々提案されているが、代表的なＳＯＩウェーハとして
は、貼り合わせＳＯＩ基板とＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａ
ｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ）
ウェーハがある。
【０００５】貼り合わせ方法は、図３に示すごとく、Ｓ
ＯＩ活性層となるボンドウェーハ１を熱酸化して酸化膜
２を設け、酸化膜のないベースウェーハ３と室温で貼り
合わせた後、結合強度を高めるため結合アニールを酸化
雰囲気で行い、その後、ボンドウェーハ１を研削、研磨
により薄膜化することにより、貼り合わせＳＯＩウェー
ハ４を作製している。
ＯＩ活性層となるボンドウェーハ１を熱酸化して酸化膜
２を設け、酸化膜のないベースウェーハ３と室温で貼り
合わせた後、結合強度を高めるため結合アニールを酸化
雰囲気で行い、その後、ボンドウェーハ１を研削、研磨
により薄膜化することにより、貼り合わせＳＯＩウェー
ハ４を作製している。
【０００６】貼り合わせたボンドウェーハ１を研削、研
磨により薄膜化するため、ＳＯＩ活性層が比較的厚い場
合は安定的に得られるが、０．１μｍまたはそれ以下の
厚みに制御するのは困難であるとされてきた。
磨により薄膜化するため、ＳＯＩ活性層が比較的厚い場
合は安定的に得られるが、０．１μｍまたはそれ以下の
厚みに制御するのは困難であるとされてきた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】貼り合わせ法により得
られたＳＯＩウェーハは、従来の研削研磨法によって表
面のＳＯＩ活性層が１〜５μｍに薄膜化されるが、その
膜厚をさらに薄膜化し、膜厚の均一性を改善する方法が
求められている。
られたＳＯＩウェーハは、従来の研削研磨法によって表
面のＳＯＩ活性層が１〜５μｍに薄膜化されるが、その
膜厚をさらに薄膜化し、膜厚の均一性を改善する方法が
求められている。
【０００８】近年、シリコン層の厚い部分を局部的にエ
ッチングできる方法として、プラズマを用いたＰＡＣＥ
（ｐｌａｓｍａ ａｓｓｉｓｔｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｅｔｃｈｉｎｇ）法が提案（特開平５−１６００７
４、特開平９−２５２１００）されている。
ッチングできる方法として、プラズマを用いたＰＡＣＥ
（ｐｌａｓｍａ ａｓｓｉｓｔｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｅｔｃｈｉｎｇ）法が提案（特開平５−１６００７
４、特開平９−２５２１００）されている。
【０００９】詳述すると、従来の研削研磨法によって得
られた面の厚さむらは、可視光の干渉じまを利用して、
二次元のＣＣＤとの組み合わせにより高速で測定が可能
であることから、図４に示すごとく、予め計測したＳＯ
Ｉウェーハ４のＳＯＩ活性層の厚さ分布をコンピュータ
に入力し、厚さむらの大きさに応じて、例えば、プラズ
マを低真空で閉じ込めたヘッドノズル５に対してウェー
ハ４の移動速度を調整するもので、ヘッドノズルの直径
は精度と生産性から適宜選定される。また逆にヘッドノ
ズル５をウェーハ４上で移動させることもできる。
られた面の厚さむらは、可視光の干渉じまを利用して、
二次元のＣＣＤとの組み合わせにより高速で測定が可能
であることから、図４に示すごとく、予め計測したＳＯ
Ｉウェーハ４のＳＯＩ活性層の厚さ分布をコンピュータ
に入力し、厚さむらの大きさに応じて、例えば、プラズ
マを低真空で閉じ込めたヘッドノズル５に対してウェー
ハ４の移動速度を調整するもので、ヘッドノズルの直径
は精度と生産性から適宜選定される。また逆にヘッドノ
ズル５をウェーハ４上で移動させることもできる。
【００１０】このＰＡＣＥ法は、シリコンに対して反応
ガスにＳＦ6が使用され、一般のプラズマエッチングに
対してエッチング速度が非常に大きいこと、プラズマ発
生の真空度が高いこと、また高周波電力が極端に小さい
ため結晶にダメージを与えない点が特徴である。
ガスにＳＦ6が使用され、一般のプラズマエッチングに
対してエッチング速度が非常に大きいこと、プラズマ発
生の真空度が高いこと、また高周波電力が極端に小さい
ため結晶にダメージを与えない点が特徴である。
【００１１】このＰＡＣＥ技術によってＳＯＩ活性層の
厚さ均一性は大幅に改善されたが、ＳＯＩウェーハの周
縁部のみ活性層の厚さが他中央部と比較して薄くなる傾
向が見られる問題が新たに生じた。
厚さ均一性は大幅に改善されたが、ＳＯＩウェーハの周
縁部のみ活性層の厚さが他中央部と比較して薄くなる傾
向が見られる問題が新たに生じた。
【００１２】この発明は、ＳＯＩウェーハのＳＯＩ活性
層の厚さ均一性を改善するために用いられるＰＡＣＥ法
によるウェーハの平坦化方法において、ウェーハの外周
部のみ活性層の厚さが他中央部と比較して薄くなる問題
を解消できるウェーハの平坦化方法とその装置の提供を
目的としている。
層の厚さ均一性を改善するために用いられるＰＡＣＥ法
によるウェーハの平坦化方法において、ウェーハの外周
部のみ活性層の厚さが他中央部と比較して薄くなる問題
を解消できるウェーハの平坦化方法とその装置の提供を
目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】発明者らは、ＰＡＣＥ法
によるウェーハの平坦化方法において、ＳＯＩウェーハ
の周縁部のみ活性層の厚さが他中央部と比較して薄くな
る傾向について種々検討した結果、ウェーハ周縁部にお
けるエッチングレートが高くなるのは、プラズマがウェ
ーハ周縁部から離れ難くなるためであり、ヘッドノズル
とウェーハエッジとの距離がステージとの距離より小さ
いことから起こることを知見した。
によるウェーハの平坦化方法において、ＳＯＩウェーハ
の周縁部のみ活性層の厚さが他中央部と比較して薄くな
る傾向について種々検討した結果、ウェーハ周縁部にお
けるエッチングレートが高くなるのは、プラズマがウェ
ーハ周縁部から離れ難くなるためであり、ヘッドノズル
とウェーハエッジとの距離がステージとの距離より小さ
いことから起こることを知見した。
【００１４】発明者らは、上記の知見についてさらに検
討したところ、ウェーハ表面とステージを平面に配置で
きるように、ウェーハ厚みの分だけステージにリセスを
つけるか、あるいはウェーハ外周にその厚みと同等のリ
ングを配置することにより、ウェーハエッジでも中心部
におけるエッチングレートと同等にすることができるこ
とを知見し、この発明を完成した。
討したところ、ウェーハ表面とステージを平面に配置で
きるように、ウェーハ厚みの分だけステージにリセスを
つけるか、あるいはウェーハ外周にその厚みと同等のリ
ングを配置することにより、ウェーハエッジでも中心部
におけるエッチングレートと同等にすることができるこ
とを知見し、この発明を完成した。
【００１５】すなわち、この発明は、ノズル内部に反応
ガスを導入して発生させたプラズマにて、ヘッドノズル
と相対移動するウェーハ表面をエッチングして所要のウ
ェーハの平坦度を得るウェーハの平坦化方法において、
被処理ウェーハを載置してヘッドノズルと相対移動する
ステージに、ウェーハ表面とステージ表面が同一平面化
できるように、例えば、ウェーハの厚みをｄ、エッチン
グ量をｒとすると、リセスの深さＤがｄ≧Ｄ≧ｄ−ｒで
あるような、少なくとも処理後の所要ウェーハ厚みに相
当する深さのリセスを設けてエッチングするか、あるい
は被処理ウェーハの外周に所要ウェーハ厚みに相当する
厚みのリングを配置してエッチングすることを特徴とす
るウェーハの平坦化方法である。
ガスを導入して発生させたプラズマにて、ヘッドノズル
と相対移動するウェーハ表面をエッチングして所要のウ
ェーハの平坦度を得るウェーハの平坦化方法において、
被処理ウェーハを載置してヘッドノズルと相対移動する
ステージに、ウェーハ表面とステージ表面が同一平面化
できるように、例えば、ウェーハの厚みをｄ、エッチン
グ量をｒとすると、リセスの深さＤがｄ≧Ｄ≧ｄ−ｒで
あるような、少なくとも処理後の所要ウェーハ厚みに相
当する深さのリセスを設けてエッチングするか、あるい
は被処理ウェーハの外周に所要ウェーハ厚みに相当する
厚みのリングを配置してエッチングすることを特徴とす
るウェーハの平坦化方法である。
【００１６】また、この発明は、被処理ウェーハを載置
してヘッドノズルと相対移動するステージを有し、ノズ
ル内部に反応ガスを導入して発生させたプラズマにて、
ヘッドノズルと相対移動するウェーハ表面をエッチング
して所要のウェーハの平坦度を得るウェーハの平坦化装
置において、ステージに所要ウェーハ厚みに相当する深
さのリセスが設けられるか、あるいはステージ上に所要
ウェーハ厚みに相当する厚みで内径が被処理ウェーハ外
径より大きなリングが設けられたことを特徴とするウェ
ーハの平坦化装置である。
してヘッドノズルと相対移動するステージを有し、ノズ
ル内部に反応ガスを導入して発生させたプラズマにて、
ヘッドノズルと相対移動するウェーハ表面をエッチング
して所要のウェーハの平坦度を得るウェーハの平坦化装
置において、ステージに所要ウェーハ厚みに相当する深
さのリセスが設けられるか、あるいはステージ上に所要
ウェーハ厚みに相当する厚みで内径が被処理ウェーハ外
径より大きなリングが設けられたことを特徴とするウェ
ーハの平坦化装置である。
【００１７】
【発明の実施の形態】この発明において、ウェーハの平
坦化方法は、前述の図４で説明した公知のＰＡＣＥ法と
呼ばれる、反応ガスを用いてウェーハ表面を局部的にプ
ラズマエッチングする方法のいずれもが採用でき、使用
するプラズマヘッドノズルや反応ガスも、シリコン基板
や種々結晶基板、ガラスなどの被処理ウェーハ種に応じ
て適宜選定され、ヘッドノズルとステージもいずれが可
動側、固定側となる構成であっても採用できる。
坦化方法は、前述の図４で説明した公知のＰＡＣＥ法と
呼ばれる、反応ガスを用いてウェーハ表面を局部的にプ
ラズマエッチングする方法のいずれもが採用でき、使用
するプラズマヘッドノズルや反応ガスも、シリコン基板
や種々結晶基板、ガラスなどの被処理ウェーハ種に応じ
て適宜選定され、ヘッドノズルとステージもいずれが可
動側、固定側となる構成であっても採用できる。
【００１８】反応ガスには、シリコンウェーハの場合に
ＳＦ6、Ｃｌ2等、石英やガラスウェーハの場合には、Ｃ
Ｆ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8 等が使用できる。
ＳＦ6、Ｃｌ2等、石英やガラスウェーハの場合には、Ｃ
Ｆ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8 等が使用できる。
【００１９】この発明において、特徴とするステージ１
０のリセス１１は、図１Ａ，Ｂに示すごとく、被処理ウ
ェーハ外形と相似形で所要深さの凹部からなり、ここで
はノッチウェーハ用のリセス１１であり、リセス１１の
ノッチ１２によりウェーハの回転などが規制されること
から、ウェーハ固定システムは不要となる。また、オリ
エンテーションフラット（ＯＦ）ウェーハの場合は、リ
セスの形状をＯＦウェーハに合うようにフラット部を設
けるとよい。
０のリセス１１は、図１Ａ，Ｂに示すごとく、被処理ウ
ェーハ外形と相似形で所要深さの凹部からなり、ここで
はノッチウェーハ用のリセス１１であり、リセス１１の
ノッチ１２によりウェーハの回転などが規制されること
から、ウェーハ固定システムは不要となる。また、オリ
エンテーションフラット（ＯＦ）ウェーハの場合は、リ
セスの形状をＯＦウェーハに合うようにフラット部を設
けるとよい。
【００２０】上記のごとく、ウェーハ固定システムは不
要であるが、さらに安定に固定するために、リセス１１
の外周部の一部からスライド式のウェーハ固定システム
を取り付けることもできる。
要であるが、さらに安定に固定するために、リセス１１
の外周部の一部からスライド式のウェーハ固定システム
を取り付けることもできる。
【００２１】リセス１１の深さは、エッチング前にウェ
ーハ表面とステージ面が平面になっている場合、エッチ
ング完了後にウェーハ表面とステージ面が平面になって
いる場合、どちらでも、従来方法に比較して、エッジ除
外領域を小さくするのに効果がある。つまり、リセス深
さＤはウェーハの厚みｄ、エッチング量ｒとすると、ｄ
≧Ｄ≧ｄ−ｒが望ましい。
ーハ表面とステージ面が平面になっている場合、エッチ
ング完了後にウェーハ表面とステージ面が平面になって
いる場合、どちらでも、従来方法に比較して、エッジ除
外領域を小さくするのに効果がある。つまり、リセス深
さＤはウェーハの厚みｄ、エッチング量ｒとすると、ｄ
≧Ｄ≧ｄ−ｒが望ましい。
【００２２】また、この発明において、図１Ｃに示すご
とく、被処理ウェーハ４を内周部内に納めるようにした
リング２０をステージ１０上に載置、固定することによ
り、前述ののリセスを設けた構成と同等の作用効果、す
なわち、ウェーハエッジでも中心部におけるエッチング
レートと同等にすることができる。
とく、被処理ウェーハ４を内周部内に納めるようにした
リング２０をステージ１０上に載置、固定することによ
り、前述ののリセスを設けた構成と同等の作用効果、す
なわち、ウェーハエッジでも中心部におけるエッチング
レートと同等にすることができる。
【００２３】ノッチウェーハ用のリングでは、被処理ウ
ェーハ外形と相似形で内周部にノッチを設けることによ
りウェーハの回転などが規制され、ＯＦウェーハ用では
フラット部を設けることによりウェーハの固定が可能と
なる。さらに、リング２０の厚みＴは、リセス１１の深
さと同様にｄ≧Ｔ≧ｄ−ｒが望ましい。リング材質は、
ウェーハと同等のエッチングレートが得られるように同
材質が望ましく、シリコン、石英、ＳｉＣ、さらにはス
テージと同材質を採用できる。
ェーハ外形と相似形で内周部にノッチを設けることによ
りウェーハの回転などが規制され、ＯＦウェーハ用では
フラット部を設けることによりウェーハの固定が可能と
なる。さらに、リング２０の厚みＴは、リセス１１の深
さと同様にｄ≧Ｔ≧ｄ−ｒが望ましい。リング材質は、
ウェーハと同等のエッチングレートが得られるように同
材質が望ましく、シリコン、石英、ＳｉＣ、さらにはス
テージと同材質を採用できる。
【００２４】
【実施例】実施例１ 図１Ａ，Ｂに示すこの発明によるリセスを設けたステー
ジを使用し、図４に示すごとく外径が２５ｍｍのプラズ
マヘッドノズルを用いてＳＯＩウェーハの局所プラズマ
エッチングを行い、ＳＯＩ活性層の平均膜厚１００ｎｍ
に対して±１０ｎｍをデバイス作製許容範囲としてウェ
ーハの平坦化を実施した。
ジを使用し、図４に示すごとく外径が２５ｍｍのプラズ
マヘッドノズルを用いてＳＯＩウェーハの局所プラズマ
エッチングを行い、ＳＯＩ活性層の平均膜厚１００ｎｍ
に対して±１０ｎｍをデバイス作製許容範囲としてウェ
ーハの平坦化を実施した。
【００２５】ステージのリセス深さは、ウェーハの厚み
ｄが７３０μｍ、エッチング量ｒが３μｍとして、７３
０μｍと７２７μｍの２種を設定した。なお、エッチン
グ条件は、ＳＦ6＝１５ｓｃｃｍ、圧力２．９Ｔｏｒ
ｒ、ＲＦ Ｐｏｗｅｒ＝９０Ｗで行った。
ｄが７３０μｍ、エッチング量ｒが３μｍとして、７３
０μｍと７２７μｍの２種を設定した。なお、エッチン
グ条件は、ＳＦ6＝１５ｓｃｃｍ、圧力２．９Ｔｏｒ
ｒ、ＲＦ Ｐｏｗｅｒ＝９０Ｗで行った。
【００２６】また、比較のため、リセスのない平面の従
来のステージを用いて同様に局所プラズマエッチングを
行いウェーハの平坦化を実施した。
来のステージを用いて同様に局所プラズマエッチングを
行いウェーハの平坦化を実施した。
【００２７】図２にこの発明のリセス有りステージでプ
ラズマエッチング加工した後のＳｉ活性層厚みの分布
（黒丸でプロット）と、従来品のリセスなしステージを
用いてプラズマエッチング加工した後のＳｉ活性層厚の
分布（白丸でプロット）を示す。従来のステージだと、
エッジ除外領域１０ｍｍであるのに対し、リセス有りス
テージを用いるとエッジ除外領域を５ｍｍ以下にまでに
低減できる。
ラズマエッチング加工した後のＳｉ活性層厚みの分布
（黒丸でプロット）と、従来品のリセスなしステージを
用いてプラズマエッチング加工した後のＳｉ活性層厚の
分布（白丸でプロット）を示す。従来のステージだと、
エッジ除外領域１０ｍｍであるのに対し、リセス有りス
テージを用いるとエッジ除外領域を５ｍｍ以下にまでに
低減できる。
【００２８】実施例２ 図１Ｃに示すこの発明によるリングを載置したステージ
を使用し、図４に示すごとく外径が２５ｍｍのプラズマ
ヘッドノズルを用いてＳＯＩウェーハの局所プラズマエ
ッチングを行い、ＳＯＩ活性層の平均膜厚１００ｎｍに
対して±１０ｎｍをデバイス作製許容範囲として実施例
１と同様にウェーハの平坦化を実施した。
を使用し、図４に示すごとく外径が２５ｍｍのプラズマ
ヘッドノズルを用いてＳＯＩウェーハの局所プラズマエ
ッチングを行い、ＳＯＩ活性層の平均膜厚１００ｎｍに
対して±１０ｎｍをデバイス作製許容範囲として実施例
１と同様にウェーハの平坦化を実施した。
【００２９】リングの幅は４０ｍｍ、厚みは７３μｍと
７２７μｍの２種を設定して実施例１と同じエッチング
条件で平坦化を実施したところ、図２と同等のＳｉ活性
層厚の分布が得られ、エッジ除外領域を５ｍｍ以下にま
でに低減できた。
７２７μｍの２種を設定して実施例１と同じエッチング
条件で平坦化を実施したところ、図２と同等のＳｉ活性
層厚の分布が得られ、エッジ除外領域を５ｍｍ以下にま
でに低減できた。
【００３０】実施例３ また、ＳＯＩウェーハに代えて石英ウェーハを使用し、
反応ガスにＣ2Ｆ6を用い、リセスを設けたステージとリ
ングを載置したステージでそれぞれ同様の平坦化を実施
したところ、シリコンウェーハの場合と同様にエッチン
グレートが均一化されてエッジ除外領域を低減できた。
反応ガスにＣ2Ｆ6を用い、リセスを設けたステージとリ
ングを載置したステージでそれぞれ同様の平坦化を実施
したところ、シリコンウェーハの場合と同様にエッチン
グレートが均一化されてエッジ除外領域を低減できた。
【００３１】
【発明の効果】この発明は、ＰＡＣＥ法によるウェーハ
の平坦化方法において、ＳＯＩウェーハの外周部のみＳ
ＯＩ活性層の厚さが他中央部と比較して薄くなる問題を
解消でき、ＳＯＩ活性層の厚み分布の均一度、ウェーハ
のＴＴＶを高精度に制御でき、デバイス作製領域を拡大
できる。
の平坦化方法において、ＳＯＩウェーハの外周部のみＳ
ＯＩ活性層の厚さが他中央部と比較して薄くなる問題を
解消でき、ＳＯＩ活性層の厚み分布の均一度、ウェーハ
のＴＴＶを高精度に制御でき、デバイス作製領域を拡大
できる。
【図１】この発明によるステージの説明図であり、Ａは
正面説明図、Ｂは平面説明図、Ｃはこの発明による他の
ステージの要部縦断説明図である。
正面説明図、Ｂは平面説明図、Ｃはこの発明による他の
ステージの要部縦断説明図である。
【図２】ＳＯＩウェーハの直径方向とＳＯＩ活性層の厚
み分布との関係を示すグラフである。
み分布との関係を示すグラフである。
【図３】ＳＯＩウェーハの製造工程を示すフロー図であ
る。
る。
【図４】ＰＡＣＥ法によるウェーハの平坦化方法を示す
説明図であり、Ａはウェーハの斜視説明図、Ｂはプラズ
マヘッドノズルの縦断説明である。
説明図であり、Ａはウェーハの斜視説明図、Ｂはプラズ
マヘッドノズルの縦断説明である。
１ ボンドウェーハ ２ 酸化膜 ３ ベースウェーハ ４ ＳＯＩウェーハ ５ ヘッドノズル １０ ステージ １１ リセス １２ ノッチ ２０ リング
Claims (5)
- 【請求項１】 ノズル内部に反応ガスを導入して発生さ
せたプラズマにて、ヘッドノズルと相対移動するウェー
ハ表面をエッチングして所要のウェーハの平坦度を得る
ウェーハの平坦化方法において、被処理ウェーハを載置
してヘッドノズルと相対移動するステージに、ウェーハ
表面とステージ表面が同一平面化できるように少なくと
も処理後の所要ウェーハ厚みに相当する深さのリセスを
設けてエッチングするウェーハの平坦化方法。 - 【請求項２】 ノズル内部に反応ガスを導入して発生さ
せたプラズマにて、ヘッドノズルと相対移動するウェー
ハ表面をエッチングして所要のウェーハの平坦度を得る
ウェーハの平坦化方法において、被処理ウェーハを載置
してヘッドノズルと相対移動するステージに、ウェーハ
表面とステージ表面が同一平面化できるように少なくと
も処理後の所要ウェーハ厚みに相当する厚みのリングを
ウェーハ外周に配置してエッチングするウェーハの平坦
化方法。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２において、ステ
ージに設けられたリセスの深さＤまたはリングの厚みＴ
が、ウェーハの厚みをｄ、エッチング量をｒとすると、
ｄ≧Ｄ（Ｔ）≧ｄ−ｒであるウェーハの平坦化方法。 - 【請求項４】 被処理ウェーハを載置してヘッドノズル
と相対移動するステージを有し、ノズル内部に反応ガス
を導入して発生させたプラズマにて、ヘッドノズルと相
対移動するウェーハ表面をエッチングして所要のウェー
ハの平坦度を得るウェーハの平坦化装置において、ステ
ージに所要ウェーハ厚みに相当する深さのリセスが設け
られたウェーハの平坦化装置。 - 【請求項５】 被処理ウェーハを載置してヘッドノズル
と相対移動するステージを有し、ノズル内部に反応ガス
を導入して発生させたプラズマにて、ヘッドノズルと相
対移動するウェーハ表面をエッチングして所要のウェー
ハの平坦度を得るウェーハの平坦化装置において、ステ
ージ上に所要ウェーハ厚みに相当する厚みで内径が被処
理ウェーハ外径より大きなリングが設けられたウェーハ
の平坦化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3045498A JPH11214368A (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | ウェーハの平坦化方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3045498A JPH11214368A (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | ウェーハの平坦化方法とその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214368A true JPH11214368A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=12304364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3045498A Pending JPH11214368A (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | ウェーハの平坦化方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11214368A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142229A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Sumco Corp | 貼合せ基板の製造方法及びその方法で製造された貼合せ基板 |
| JP2009253133A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Shibaura Mechatronics Corp | 半導体ウェーハの平坦化方法、局所プラズマ処理装置及び半導体ウェーハの製造方法 |
| JP2011243997A (ja) * | 2011-07-20 | 2011-12-01 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
| JP2014150284A (ja) * | 2014-04-24 | 2014-08-21 | Shibaura Mechatronics Corp | 局所プラズマ処理装置 |
-
1998
- 1998-01-27 JP JP3045498A patent/JPH11214368A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142229A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Sumco Corp | 貼合せ基板の製造方法及びその方法で製造された貼合せ基板 |
| JP2009253133A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Shibaura Mechatronics Corp | 半導体ウェーハの平坦化方法、局所プラズマ処理装置及び半導体ウェーハの製造方法 |
| JP2011243997A (ja) * | 2011-07-20 | 2011-12-01 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
| JP2014150284A (ja) * | 2014-04-24 | 2014-08-21 | Shibaura Mechatronics Corp | 局所プラズマ処理装置 |
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