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JPH11213328A - Thin film magnetic head chip and assembly - Google Patents

Thin film magnetic head chip and assembly

Info

Publication number
JPH11213328A
JPH11213328A JP1751998A JP1751998A JPH11213328A JP H11213328 A JPH11213328 A JP H11213328A JP 1751998 A JP1751998 A JP 1751998A JP 1751998 A JP1751998 A JP 1751998A JP H11213328 A JPH11213328 A JP H11213328A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
magnetic head
substrate
support
film magnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1751998A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Minami
寛 南
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Victor Company of Japan Ltd filed Critical Victor Company of Japan Ltd
Priority to JP1751998A priority Critical patent/JPH11213328A/en
Publication of JPH11213328A publication Critical patent/JPH11213328A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an assembly of a double azimuth type thin film magnetic head wherein assembling work efficiency is good and the damage of a magnetic head element can be prevented. SOLUTION: This head chip is provided with a first protective substrate 1, a first element layer 2 adjacent to the first protective substrate, a first chip substrate 3 adjacent to a second element layer, a second chip substrate 4 adjacent to the first chip substrate 3, a second element layer 5 adjacent to the second chip substrate 4 and a second protective substrate 6 adjacent to the second element layer 5. The head chip is stuck to a support base 42 having support side leads 71, 72, 73 and 74 composed of FPC wirings 101 and 102.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、VTR等の回転ヘ
ッド型磁気記録再生装置に用いて好適な薄膜磁気ヘッド
チップ及び薄膜磁気ヘッド組立体に係り、特に一つの薄
膜磁気ヘッドチップが2つの独立した磁気ヘッド素子を
有する薄膜磁気ヘッドチップ、及び一つの磁気ヘッド組
立体が2つの独立した磁気ヘッド素子を有する薄膜磁気
ヘッド組立体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin-film magnetic head chip and a thin-film magnetic head assembly suitable for use in a rotary head type magnetic recording / reproducing apparatus such as a VTR. The present invention relates to a thin-film magnetic head chip having the above-described magnetic head element, and a thin-film magnetic head assembly in which one magnetic head assembly has two independent magnetic head elements.

【0002】[0002]

【従来の技術】VTR、DAT等の回転ヘッド型磁気記
録再生装置では、図28に示すような高速回転するシリ
ンダー40に搭載された磁気ヘッド組立体(12,1
3,41)が、記録媒体と対向して配置され、この磁気
ヘッド組立体中の磁気ヘッド素子が記録媒体と摺動して
信号の記録・再生を行う。図28(a)は、シリンダー
40の上面図で、図28(b)は、シリンダー40に搭
載された磁気ヘッド組立体(12,13,41)の状態
を示す断面図である。
2. Description of the Related Art In a rotary head type magnetic recording / reproducing apparatus such as a VTR and a DAT, a magnetic head assembly (12, 1) mounted on a cylinder 40 rotating at a high speed as shown in FIG.
3, 41) are arranged so as to face the recording medium, and the magnetic head element in the magnetic head assembly slides on the recording medium to record and reproduce signals. FIG. 28A is a top view of the cylinder 40, and FIG. 28B is a cross-sectional view showing a state of the magnetic head assemblies (12, 13, 41) mounted on the cylinder 40.

【0003】磁気ヘッド組立体(12,13,41)の
詳細を図29に示す。図29(a)においては、一つの
サポートベース41に2つの薄膜磁気ヘッドチップ(以
下において「ヘッド・チップ」という。)412,41
3が搭載されている。このような、一つのサポートベー
ス41に2つのヘッド・チップを有する薄膜磁気ヘッド
組立体は「ダブルアジマス型薄膜磁気ヘッド組立体」と
称される。
FIG. 29 shows details of the magnetic head assemblies (12, 13, 41). In FIG. 29A, two thin-film magnetic head chips (hereinafter, referred to as “head chips”) 412 and 41 are provided on one support base 41.
3 is installed. Such a thin film magnetic head assembly having two head chips on one support base 41 is called a "double azimuth type thin film magnetic head assembly".

【0004】従来のダブルアジマス型薄膜磁気ヘッド組
立体は、図29(a)に示すように第1のヘッドチップ
412と第2のヘッドチップ413とが「所定の間隔」
を有して互いに対向するようにサポートベース41に貼
り付けられている。第1のヘッドチップ412には第1
の薄膜磁気ヘッド素子(以下において「磁気ヘッド素
子」という。)がマウント(搭載)され、第2のヘッド
チップ413には図示を省略した第2の磁気ヘッド素子
がマウントされている。そして、第1および第2の磁気
ヘッド素子の間の所定の間隔が「H間隔」と定義され
る。通常、第1および第2の磁気ヘッド素子はむき出し
の形で互いに対向している。
In a conventional double azimuth type thin film magnetic head assembly, as shown in FIG.
Are attached to the support base 41 so as to face each other. The first head chip 412 has the first
(Hereinafter referred to as “magnetic head element”), and a second magnetic head element (not shown) is mounted on the second head chip 413. The predetermined interval between the first and second magnetic head elements is defined as "H interval". Usually, the first and second magnetic head elements are exposed to each other in a bare manner.

【0005】図29(b)は第1および第2のヘッドチ
ップ12,13が貼り付けられている第1の主表面とは
反対側の第2の主表面側から見たサポートベース41の
平面図である。第2の主表面には外部電極端子35,3
6,37,38が設けられている。サポートベース41
には配線用の穴70と、サポートベース41を図28に
示すようにシリンダー40に固定するためのネジ穴48
が設けられている。図29(a)に示すように、第1の
ヘッドチップには、第1の磁気ヘッド素子421の薄膜
コイルに接続されるパッドパターン431,432が設
けられている。第2のヘッドチップにも同様なパッドパ
ターンが設けられていることはもちろんである。このパ
ッドパターン431,432には30μmφ程度の太さ
の銅(Cu)線からなるワイヤー61,62が接続さ
れ、サポートベース41の第2の主表面の外部電極端子
35、36まで導かれている。同様に第2のヘッドチッ
プからはワイヤー63,64が、サポートベース41の
第1の主表面側から第2の主表面の外部電極端子37,
38まで導かれている。
FIG. 29B shows a plan view of the support base 41 as viewed from the second main surface side opposite to the first main surface to which the first and second head chips 12 and 13 are attached. FIG. External electrode terminals 35, 3 are provided on the second main surface.
6, 37, and 38 are provided. Support base 41
28, a screw hole 48 for fixing the support base 41 to the cylinder 40 as shown in FIG.
Is provided. As shown in FIG. 29A, the first head chip is provided with pad patterns 431 and 432 connected to the thin film coil of the first magnetic head element 421. Needless to say, a similar pad pattern is provided on the second head chip. Wires 61 and 62 made of a copper (Cu) wire having a thickness of about 30 μmφ are connected to the pad patterns 431 and 432, and are led to the external electrode terminals 35 and 36 on the second main surface of the support base 41. . Similarly, wires 63 and 64 are connected from the second head chip to the external electrode terminals 37 on the second main surface from the first main surface side of the support base 41.
It is led to 38.

【0006】サポートベース41の第1の主表面はシリ
ンダー40への取り付け基準面となるため研磨等の手段
により平坦化されている。図28(b)に示すようにシ
リンダー40の最上面(基準面)には、切り欠き部49
が用意され、第1および第2のヘッドチップ12,13
が、シリンダー40に当たらないように設計されてい
る。図28(a)に示すように、外部電極端子35,3
6,37,38は、シリンダー40に設けられた多芯導
線78のケーブル(芯線)69,68,65,66にそ
れぞれ接続され、このケーブル69,68,65,66
を介して電子回路に接続される。サポートベース41は
雄ネジ58によってシリンダー40に取り付けられる。
したがってシリンダー40には雌ねじ57が切られてい
る。
The first main surface of the support base 41 serves as a reference surface for attachment to the cylinder 40 and is flattened by means such as polishing. As shown in FIG. 28B, a notch 49 is provided on the uppermost surface (reference surface) of the cylinder 40.
Are prepared, and the first and second head chips 12, 13 are provided.
Is designed not to hit the cylinder 40. As shown in FIG. 28A, the external electrode terminals 35, 3
6, 37, 38 are connected to cables (core wires) 69, 68, 65, 66 of a multi-core conductor 78 provided in the cylinder 40, respectively.
To the electronic circuit via The support base 41 is attached to the cylinder 40 by a male screw 58.
Therefore, the female thread 57 is cut in the cylinder 40.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】図29(a)に示した
ように、従来のダブルアジマス型薄膜磁気ヘッド組立体
では、2つの磁気ヘッド素子がそれぞれむき出しになっ
て配置されているため、磁気テープの走行中に磁気ヘッ
ド素子がヘッドチップの非磁性基板より剥がれる等の破
損が生じやすい問題があった。また、第1の磁気ヘッド
素子と第2の磁気ヘッド素子との間に隙間があるため、
磁気テープ走行中に、ごみがついてヘッドの目づまりを
起こしやすい問題があった。
As shown in FIG. 29 (a), in a conventional double azimuth type thin film magnetic head assembly, two magnetic head elements are respectively exposed, so that During the running of the tape, there is a problem that the magnetic head element is liable to be damaged such as peeling off from the non-magnetic substrate of the head chip. Further, since there is a gap between the first magnetic head element and the second magnetic head element,
During the running of the magnetic tape, there is a problem that the head is easily clogged due to dust.

【0008】更に、図29(a)に示したような従来の
ダブルアジマス型薄膜磁気ヘッド組立体では、磁気ヘッ
ド素子が第1のヘッドチップ12もしくは第2のヘッド
チップ13のそれぞれの端部にあるため、磁気ヘッド素
子が摩耗しやすいという欠点を有していた。
Further, in the conventional double azimuth type thin film magnetic head assembly as shown in FIG. For this reason, the magnetic head element has a disadvantage that it is easily worn.

【0009】ところで、磁気ヘッドをサポートベースに
貼り付けてからワイヤーを磁気ヘッドのパッドパターン
に接続することは、一つのサポートベースに1つのヘッ
ド・チップを有するシングル型薄膜磁気ヘッド組立体に
おいてさえ困難である。そして、一つのサポートベース
に2つの薄膜磁気ヘッドチップが搭載されたダブルアジ
マス型薄膜磁気ヘッド組立体では、第1のヘッドチップ
12と第2のヘッドチップ13の間のスペースが狭いた
め、更にこの困難度は飛躍的に増加し、生産性を考えれ
ば、全く不可能な技術であるといえる。このため、ダブ
ルアジマス型薄膜磁気ヘッド組立体の組立に際しては、
まず、ヘッドチップのパッドパターンにワイヤーを接続
してから、このヘッドチップをサポートベースに貼り付
けなければならないこととなる。しかし、ワイヤーのつ
いた状態のヘッドチップをサポートベースに貼り付ける
のは、ぶらぶらしたワイヤーが作業の邪魔をするため、
精度良く貼り付けることができないという問題点を呈す
る。しかも、30μmφ程度のワイヤーは、非常に切れ
やすいので、歩留まりの低下が甚だしく、従来のダブル
アジマス型薄膜磁気ヘッド組立体の生産性は極めて低
い。
By the way, it is difficult to connect the wire to the pad pattern of the magnetic head after attaching the magnetic head to the support base even in a single type thin film magnetic head assembly having one head chip on one support base. It is. In a double azimuth type thin film magnetic head assembly in which two thin film magnetic head chips are mounted on one support base, the space between the first head chip 12 and the second head chip 13 is narrow. The degree of difficulty increases dramatically, and it can be said that this is an absolutely impossible technology in view of productivity. Therefore, when assembling the double azimuth type thin film magnetic head assembly,
First, a wire must be connected to the pad pattern of the head chip, and then this head chip must be attached to the support base. However, sticking the head chip with the wire on the support base is because the hanging wire hinders the work,
It presents a problem that it cannot be attached with high accuracy. In addition, a wire having a diameter of about 30 μmφ is very easily cut, so that the yield is significantly reduced, and the productivity of the conventional double azimuth type thin film magnetic head assembly is extremely low.

【0010】このように、従来のダブルアジマス型ヘッ
ドチップ及びダブルアジマス型薄膜磁気ヘッド組立体
は、多くの問題点を抱えており、これらのダブルアジマ
ス型ヘッドチップ及びダブルアジマス型薄膜磁気ヘッド
組立体を量産することは難しいのが現状である。
As described above, the conventional double azimuth type head chip and double azimuth type thin film magnetic head assembly have many problems, and these double azimuth type head chip and double azimuth type thin film magnetic head assembly are problematic. It is currently difficult to mass-produce.

【0011】そこで本発明は、上記の多くの問題を解決
して、量産可能なダブルアジマス型ヘッドチップ及びダ
ブルアジマス型薄膜磁気ヘッド組立体を提供することを
目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a double azimuth type head chip and a double azimuth type thin film magnetic head assembly which can be mass-produced by solving many of the above problems.

【0012】より具体的には、磁気ヘッド素子がヘッド
チップから剥離することがないダブルアジマス型ヘッド
チップを提供することである。
More specifically, it is an object of the present invention to provide a double azimuth type head chip in which the magnetic head element does not peel off from the head chip.

【0013】本発明の他の目的は、ヘッド走行中にゴミ
の付着や目づまりの心配のないダブルアジマス型ヘッド
チップを提供することである。
It is another object of the present invention to provide a double azimuth type head chip which is free from the possibility of dust adhering and clogging during head running.

【0014】本発明のさらに他の目的は、ヘッド摩耗が
少ないダブルアジマス型ヘッドチップを提供することで
ある。
It is still another object of the present invention to provide a double azimuth type head chip with less head wear.

【0015】本発明のさらに他の目的は、H間隔の決定
が、容易且つ確実なダブルアジマス型ヘッドチップを提
供することである。
Still another object of the present invention is to provide a double azimuth type head chip in which the H interval can be easily and reliably determined.

【0016】本発明のさらに他の目的は、磁気ヘッド素
子がヘッドチップから剥離することがないダブルアジマ
ス型薄膜磁気ヘッド組立体を提供することである。
Still another object of the present invention is to provide a double azimuth type thin film magnetic head assembly in which a magnetic head element does not peel off from a head chip.

【0017】本発明のさらに他の目的は、ヘッド走行中
にゴミの付着や目づまりの心配のないダブルアジマス型
薄膜磁気ヘッド組立体を提供することである。
Still another object of the present invention is to provide a double azimuth type thin-film magnetic head assembly which is free from dust and clogging while the head is running.

【0018】本発明のさらに他の目的は、ヘッド摩耗が
少ないダブルアジマス型薄膜磁気ヘッド組立体を提供す
ることである。
Still another object of the present invention is to provide a double azimuth type thin film magnetic head assembly which has less head wear.

【0019】本発明のさらに他の目的は、H間隔の決定
が、容易且つ確実なダブルアジマス型薄膜磁気ヘッド組
立体を提供することである。
Still another object of the present invention is to provide a double azimuth type thin film magnetic head assembly in which the H interval can be easily and reliably determined.

【0020】本発明のさらに他の目的は、ヘッドチップ
をサポートベースに貼り付ける作業がしやすく、しかも
ヘッドチップの貼り付け精度が高いダブルアジマス型薄
膜磁気ヘッド組立体およびシングル型薄膜磁気ヘッド組
立体を提供することである。
Still another object of the present invention is to provide a double azimuth type thin film magnetic head assembly and a single type thin film magnetic head assembly in which the operation of attaching a head chip to a support base is easy and the attachment accuracy of the head chip is high. It is to provide.

【0021】本発明のさらに他の目的は、サポートベー
スが、導電体、非導電体のいずれであっても、サポート
側リードとサポートベースとの間の電気的な絶縁が容易
で、組立体の設計が容易となるダブルアジマス型薄膜磁
気ヘッド組立体およびシングル型薄膜磁気ヘッド組立体
を提供することである。
Still another object of the present invention is to provide an easy-to-use electrical insulation between a support-side lead and a support base regardless of whether the support base is conductive or non-conductive. An object of the present invention is to provide a double azimuth type thin film magnetic head assembly and a single type thin film magnetic head assembly which can be easily designed.

【0022】本発明のさらに他の目的は、サポート側リ
ードとチップ側リードとの電気的接続が、容易且つ確実
なダブルアジマス型薄膜磁気ヘッド組立体およびシング
ル型薄膜磁気ヘッド組立体を提供することである。
Still another object of the present invention is to provide a double azimuth type thin film magnetic head assembly and a single type thin film magnetic head assembly in which electrical connection between a support side lead and a chip side lead is easy and reliable. It is.

【0023】本発明のさらに他の目的は、製造歩留まり
が高く、量産性に優れたダブルアジマス型薄膜磁気ヘッ
ド組立体およびシングル型薄膜磁気ヘッド組立体を提供
することである。
Still another object of the present invention is to provide a double azimuth type thin film magnetic head assembly and a single type thin film magnetic head assembly having a high production yield and excellent mass productivity.

【0024】[0024]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第1の特徴は、第1の保護基板と、この第
1の保護基板に隣接した第1の素子層と、この第1の素
子層に隣接した第1のチップ基板と、この第1のチップ
基板に隣接した第2のチップ基板と、この第2のチップ
基板に隣接した第2の素子層と、この第2の素子層に隣
接した第2の保護基板とから少なくとも構成されたヘッ
ド・チップであることである。ここで、「ヘッド・チッ
プ」とは、冒頭で定義したように薄膜磁気ヘッドチップ
の意である。第1の素子層は、第1磁気ヘッド素子を有
し、第2の素子層は第2の磁気ヘッド素子を有してい
る。
In order to achieve the above object, a first feature of the present invention is that a first protective substrate, a first element layer adjacent to the first protective substrate, A first chip substrate adjacent to one element layer, a second chip substrate adjacent to the first chip substrate, a second element layer adjacent to the second chip substrate, And a second protection substrate adjacent to the element layer. Here, "head chip" means a thin film magnetic head chip as defined at the beginning. The first element layer has a first magnetic head element, and the second element layer has a second magnetic head element.

【0025】上記本発明の第1の特徴に係る構造によれ
ば、第1の素子層に隣接して第1の保護基板が、第2の
素子層に隣接して第2の保護基板が配置されることにな
る。即ち、第1磁気ヘッド素子および第2の磁気ヘッド
素子は露出していず、第1及び第2の保護基板により保
護されている。従って、これらの磁気ヘッド素子は剥離
することがなく、また、ヘッド走行中にこれらの磁気ヘ
ッド素子にゴミが付いたり、目づまりをする心配がな
い。また、第1及び第2の素子層の間に第1及び第2の
保護基板があるので、ヘッドチップや、磁気ヘッド素子
の摩耗が少なくなる。
According to the structure of the first aspect of the present invention, the first protective substrate is disposed adjacent to the first element layer, and the second protective substrate is disposed adjacent to the second element layer. Will be done. That is, the first magnetic head element and the second magnetic head element are not exposed and are protected by the first and second protection substrates. Therefore, these magnetic head elements do not peel off, and there is no fear that the magnetic head elements become dusty or clogged while the head is running. Further, since the first and second protection substrates are provided between the first and second element layers, wear of the head chip and the magnetic head element is reduced.

【0026】更に、本発明の第1の特徴に係る構造によ
れば、第1及び第2の素子層の間に挟まれた第1及び第
2のチップ基板の厚みでH間隔を決めることができるの
で、H間隔が高精度になる。また、ダブルアジマス型ヘ
ッドチップの組立が容易になる。より具体的には、第1
のチップ基板の厚みおよび第2のチップ基板の厚みを、
それぞれH間隔の1/2以下に選定することが好まし
い。
Further, according to the structure of the first aspect of the present invention, the H interval is determined by the thickness of the first and second chip substrates sandwiched between the first and second element layers. Since it is possible, the H interval becomes highly accurate. Further, assembling of the double azimuth type head chip is facilitated. More specifically, the first
The thickness of the chip substrate and the thickness of the second chip substrate,
It is preferable to select each of them not more than 1/2 of the H interval.

【0027】本発明の第2の特徴は、第1の保護基板
と、この第1の保護基板に隣接した第1の素子層と、こ
の第1の素子層に隣接した第1のチップ基板と、この第
1のチップ基板に隣接した第2のチップ基板と、この第
2のチップ基板に隣接した第2の素子層と、この第2の
素子層に隣接した第2の保護基板とから少なくとも構成
されたヘッド・チップと、このヘッドチップを搭載する
サポートベースとから少なくとも構成された薄膜磁気ヘ
ッド組立体であることである。
A second feature of the present invention is that a first protection substrate, a first element layer adjacent to the first protection substrate, a first chip substrate adjacent to the first element layer, At least a second chip substrate adjacent to the first chip substrate, a second element layer adjacent to the second chip substrate, and a second protection substrate adjacent to the second element layer. The thin-film magnetic head assembly comprises at least a head chip configured and a support base on which the head chip is mounted.

【0028】本発明の第2の特徴に係る構造によれば、
第1の磁気ヘッド素子および第2の磁気ヘッド素子は露
出していず、それぞれ第1及び第2の保護基板により保
護されている。従って、これらの磁気ヘッド素子は剥離
することがなく、また、ヘッド走行中にこれらの磁気ヘ
ッド素子にゴミが付いたり、目づまりをする心配がな
い。また、第1及び第2の素子層の間に第1及び第2の
チップ基板があるので、ヘッドチップや、磁気ヘッド素
子の摩耗が少なくなる。更に、第1及び第2の素子層の
間に挟まれた第1及び第2のチップ基板の厚みでH間隔
を決めることができるので、ダブルアジマス型薄膜磁気
ヘッド組立体の組立が容易になり、H間隔が高精度にな
る。たとえば、第1および第2のチップ基板の厚みを、
それぞれH間隔の1/2以下に選定すればよい。
According to the structure of the second aspect of the present invention,
The first magnetic head element and the second magnetic head element are not exposed, and are protected by the first and second protection substrates, respectively. Therefore, these magnetic head elements do not peel off, and there is no fear that the magnetic head elements become dusty or clogged while the head is running. Further, since the first and second chip substrates are provided between the first and second element layers, wear of the head chip and the magnetic head element is reduced. Further, since the H interval can be determined by the thickness of the first and second chip substrates sandwiched between the first and second element layers, the double azimuth type thin film magnetic head assembly can be easily assembled. , H intervals become highly accurate. For example, the thickness of the first and second chip substrates is
Each may be selected to be equal to or less than 1/2 of the H interval.

【0029】本発明の第2の特徴において、サポートベ
ースの表面に「FPC配線」と称せられるフレキシブル
な金属薄膜からなるサポート側リードパターンを形成す
ることが好ましい。そして、第1および第2の素子層の
表面にそれぞれチップ側リードパターンを形成し、この
FPC配線からなるサポート側リードパターンとチップ
側リードパターンの端部とを互いに接触させ電気的接続
をするようにすればよい。ここで、「FPC配線」と
は、ポリイミド膜等のベースフィルム上にCuメッキ層、
Niメッキ層およびAuメッキ層等を多層に積層して構成し
たフレキシブルな配線層である。このFPC配線からな
るサポート側リードパターンを、サポートベースの表面
にボンドフィルムにより接着し、さらに、ヘッドチップ
をこのサポートベースに貼り付けて構成することが好ま
しい。なお、リードパターンは、真空蒸着法、スパッタ
リング法、CVD法、メッキ法等により形成した薄膜を
フォトリソグラフィー法によりパターニングする「薄膜
技術」、もしくは貴金属粉末とガラス粉末等をバインダ
ーで練り合わせたペーストをスクリーン印刷により塗布
して焼成する「厚膜技術」等により、ヘッドサポートに
密着形成した配線層であっても良い。
According to the second feature of the present invention, it is preferable to form a support-side lead pattern made of a flexible metal thin film called "FPC wiring" on the surface of the support base. Then, a chip-side lead pattern is formed on each of the surfaces of the first and second element layers, and the support-side lead pattern made of the FPC wiring and the end of the chip-side lead pattern are brought into contact with each other to perform electrical connection. What should I do? Here, “FPC wiring” means a Cu plating layer on a base film such as a polyimide film,
It is a flexible wiring layer formed by stacking multiple layers of Ni plating layers, Au plating layers, and the like. It is preferable that the support-side lead pattern made of the FPC wiring is adhered to the surface of the support base with a bond film, and further, a head chip is attached to the support base. Note that the lead pattern is a “thin film technique” in which a thin film formed by a vacuum deposition method, a sputtering method, a CVD method, a plating method, or the like is patterned by a photolithography method, or a paste obtained by kneading a noble metal powder and a glass powder with a binder is screened. It may be a wiring layer that is formed in close contact with the head support by, for example, a “thick film technology” that is applied and baked by printing.

【0030】サポートベースの第1の主表面(表面)に
ヘッドチップが貼りつけられ、第1の主表面に対向する
第2の主表面(裏面)に外部電極端子が設けられている
場合には、FPC配線を用いれば、第1の主表面から、
サポートベースの側面を介して第2の主表面にサポート
側リードパターンを簡単に導くことが出来る。また、サ
ポート側リードをFPC配線で構成すれば、サポートベ
ースは導電体、非導電体のいずれでもかまわない。FP
C配線のベースフィルムにより、サポート側リードとサ
ポートベースとの間は電気的に絶縁されるからである。
したがって、本発明によればダブルアジマス型薄膜磁気
ヘッド組立体およびシングル型薄膜磁気ヘッド組立体の
設計が容易になる。
When the head chip is attached to the first main surface (front surface) of the support base and external electrode terminals are provided on the second main surface (back surface) facing the first main surface. If the FPC wiring is used, from the first main surface,
The support-side lead pattern can be easily guided to the second main surface via the side surface of the support base. In addition, if the support-side lead is configured by FPC wiring, the support base may be either a conductor or a non-conductor. FP
This is because the base film of the C wiring is electrically insulated between the support-side lead and the support base.
Therefore, according to the present invention, the design of the double azimuth type thin film magnetic head assembly and the single type thin film magnetic head assembly becomes easy.

【0031】そして、このサポートベースの表面に設け
られたサポート側リードパターンに対応して、第1およ
び第2の素子層の表面にも、それぞれ磁気ヘッド素子に
電気的に接続されるチップ側「リードパターン」がそれ
ぞれ設けられている。通常複数本のサポート側およびチ
ップ側リードパターンがそれぞれ設けられる。複数のチ
ップ側リードパターンが、サポート側リードパターンに
それぞれ接続されるためには、複数のチップ側リードパ
ターンの端部を、サポート側リードパターンの端部の位
置にそれぞれ合致するように構成すればよい。「リード
パターン」は一定の線幅で伸延する配線部である「リー
ド」とこの配線部の端部に設けられた矩形等の「パッド
パターン」とから構成すればよい。
Then, corresponding to the support-side lead pattern provided on the surface of the support base, the chip-side surface electrically connected to the magnetic head element is also provided on the surfaces of the first and second element layers. A “lead pattern” is provided. Usually, a plurality of support-side and chip-side lead patterns are provided. In order for the plurality of chip-side lead patterns to be connected to the support-side lead patterns, respectively, the ends of the plurality of chip-side lead patterns may be configured to correspond to the positions of the ends of the support-side lead patterns. Good. The “lead pattern” may be composed of a “lead”, which is a wiring portion extending at a constant line width, and a “pad pattern” such as a rectangle provided at an end of the wiring portion.

【0032】このような構成によれば、ヘッドチップの
端子と外部電極端子の間をワイヤー等で接続しなくても
よい。このため、貼り付け作業時にワイヤー等を切断す
る必要がない。また、貼り付け時に邪魔になるものがな
いので、ヘッドチップ貼り付け精度が出しやすくなる。
その結果、ヘッドチップ貼り付け時間が短縮され、ダブ
ルアジマス薄膜磁気ヘッド組立体の製造歩留まりが向上
し、作業効率が大幅に向上する。
According to such a configuration, the terminal of the head chip and the external electrode terminal do not have to be connected by a wire or the like. For this reason, it is not necessary to cut a wire or the like during the attaching operation. In addition, since there is no obstacle during the pasting, the head chip pasting accuracy can be easily obtained.
As a result, the time for attaching the head chip is reduced, the production yield of the double azimuth thin film magnetic head assembly is improved, and the working efficiency is greatly improved.

【0033】特に、本発明の第2の特徴において、第1
および第2の素子層に、接合用凹部や、接合用スリット
部を設けておけば、ダブルアジマス型薄膜磁気ヘッド組
立体の、サポート側リードとチップ側リードとの電気的
接続が、容易且つ確実になる。接合用スリット部は、第
1および第2のチップ基板まで貫通して設ければよい。
接合用凹部は、第1および第2の素子層の内部にその底
部が止まる浅い凹部であっても良く、第1および第2の
チップ基板まで達する深い凹部でも良い。
In particular, in the second aspect of the present invention, the first aspect
In addition, if the bonding recess and the bonding slit are provided in the second element layer, the electrical connection between the support-side lead and the chip-side lead of the double azimuth type thin-film magnetic head assembly can be easily and reliably performed. become. The joining slit portion may be provided so as to penetrate to the first and second chip substrates.
The bonding recess may be a shallow recess whose bottom stops inside the first and second element layers, or may be a deep recess reaching the first and second chip substrates.

【0034】本発明の第3の特徴は、チップ側リードパ
ターン及びこのチップ側リードパターンの端部に設けら
れた凹部(接合用凹部)もしくはスリット部(接合用ス
リット部)を有するヘッドチップと、フレキシブルな金
属薄膜からなるサポート側リードパターンを有するサポ
ートベースとから少なくとも構成され、この凹部もしく
はスリット部にサポート側リードパターンの端部が挿着
されている薄膜磁気ヘッド組立体であることである。
「フレキシブルな金属薄膜」とは、上述したFPC配
線、又はFPC配線に類似な構造の金属薄膜を言う。本
発明の第3の特徴は、ダブルアジマス型薄膜磁気ヘッド
組立体に限定されず、シングル型薄膜磁気ヘッド組立体
でもよい。少なくとも、保護基板と、この保護基板に隣
接した素子層と、この素子層に隣接したチップ基板とを
含めば、シングル型膜磁気ヘッド組立体でもダブルアジ
マス型薄膜磁気ヘッド組立体でもかまわないのである。
A third feature of the present invention is that a head chip having a chip-side lead pattern and a recess (joining recess) or a slit (joining slit) provided at an end of the chip-side lead pattern; And a support base having a support-side lead pattern made of a flexible metal thin film. The thin-film magnetic head assembly has an end of the support-side lead pattern inserted into the recess or slit.
The “flexible metal thin film” refers to the FPC wiring described above or a metal thin film having a structure similar to the FPC wiring. The third feature of the present invention is not limited to the double azimuth type thin film magnetic head assembly, but may be a single type thin film magnetic head assembly. At least the protective substrate, the element layer adjacent to the protective substrate, and the chip substrate adjacent to the element layer may be a single type magnetic head assembly or a double azimuth type thin film magnetic head assembly. .

【0035】本発明の第3の特徴においては、素子層
に、接合用凹部や、接合用スリット部が設けられている
ので、薄膜磁気ヘッド組立体の、サポート側リードとチ
ップ側リードとの電気的接続が、容易且つ確実になる。
さらに、FPC配線を用いているので、第1の主表面か
ら、サポートベースの側面を介して第2の主表面にサポ
ート側リードパターンを簡単に導くことが出来る。ま
た、サポート側リードをFPC配線で構成しているの
で、サポートベースは導電体、非導電体のいずれでもか
まわない。FPC配線のベースフィルムにより、サポー
ト側リードとサポートベースとの間は電気的に絶縁され
るからである。したがって、本発明によればダブルアジ
マス型薄膜磁気ヘッド組立体およびシングル型薄膜磁気
ヘッド組立体の設計が容易になる。
According to the third feature of the present invention, since the bonding recess and the bonding slit are provided in the element layer, the electrical connection between the support-side lead and the chip-side lead of the thin-film magnetic head assembly is provided. Connection is easy and reliable.
Further, since the FPC wiring is used, the support-side lead pattern can be easily guided from the first main surface to the second main surface via the side surface of the support base. Further, since the support-side leads are formed by FPC wiring, the support base may be either a conductor or a non-conductor. This is because the support-side lead and the support base are electrically insulated by the base film of the FPC wiring. Therefore, according to the present invention, the design of the double azimuth type thin film magnetic head assembly and the single type thin film magnetic head assembly becomes easy.

【0036】[0036]

【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一
又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。
ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきで
ある。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals.
However, it should be noted that the drawings are schematic.

【0037】(第1の実施の形態)図1は本発明の第1
の実施の形態に係るダブルアジマス型薄膜磁気ヘッド組
立体の鳥瞰図である。図1に示す本発明の第1の実施の
形態に係る薄膜磁気ヘッド組立体は、第1の保護基板1
と、この第1の保護基板1に隣接した第1の素子層2
と、この第1の素子層2に隣接した第1のチップ基板3
と、この第1のチップ基板3に隣接した第2のチップ基
板4と、この第2のチップ基板4に隣接した第2の素子
層5と、この第2の素子層5に隣接した第2の保護基板
6とからなるヘッド・チップが、サポートベース42に
貼り付けられて構成している。
(First Embodiment) FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
It is a bird's-eye view of the double azimuth type thin film magnetic head assembly according to the embodiment. The thin-film magnetic head assembly according to the first embodiment of the present invention shown in FIG.
And a first element layer 2 adjacent to the first protection substrate 1.
And a first chip substrate 3 adjacent to the first element layer 2.
A second chip substrate 4 adjacent to the first chip substrate 3, a second element layer 5 adjacent to the second chip substrate 4, and a second element layer 5 adjacent to the second element layer 5. A head chip composed of the protective substrate 6 of FIG.

【0038】図1に示すようにサポートベース42は第
1の主表面(表面)及び第2の主表面(裏面)を有し、
第2の主表面には図示を省略した外部電極端子が設けら
れている。そして、第1の主表面から、サポートベース
42の側面を介して第2の主表面にFPC配線101,
102が導かれている。このFPC配線101、102
により、複数のサポート側リード71,72,73,7
4が形成されている。FPC配線101、102は、図
2に示すように、ポリイミド膜等のベースフィルム11
上にCuメッキ層12,13、Niメッキ層14,15およ
びAuメッキ層16,17を構成したフレキシブルな配線
層である。ベースフィルム11は、厚さ10乃至30μ
m、好ましくは12.5μm程度である。Cuメッキ層1
2,13は厚さ10乃至25μm、好ましくは18μm
程度、Niメッキ層14,15は、1乃至10μm、好ま
しくは3ミクロン程度である。また、Auメッキ層16,
17は、厚さ0.05乃至3μm、好ましくは0.1ミ
クロン程度である。
As shown in FIG. 1, the support base 42 has a first main surface (front surface) and a second main surface (back surface).
External electrode terminals, not shown, are provided on the second main surface. Then, from the first main surface, the FPC wiring 101,
102 has been led. The FPC wirings 101 and 102
, A plurality of support-side leads 71, 72, 73, 7
4 are formed. As shown in FIG. 2, the FPC wirings 101 and 102 are made of a base film 11 such as a polyimide film.
It is a flexible wiring layer on which Cu plating layers 12 and 13, Ni plating layers 14 and 15 and Au plating layers 16 and 17 are formed. The base film 11 has a thickness of 10 to 30 μm.
m, preferably about 12.5 μm. Cu plating layer 1
2, 13 have a thickness of 10 to 25 μm, preferably 18 μm
The thickness of the Ni plating layers 14 and 15 is 1 to 10 μm, preferably about 3 μm. In addition, the Au plating layer 16,
17 has a thickness of 0.05 to 3 μm, preferably about 0.1 μm.

【0039】そして、このFPC配線101、102か
ら構成されたサポート側リード71,72,73,74
のそれぞれの一方の端部は、第1および第2の素子層に
設けられたチップ側リード21,22,23,24(チ
ップ側リード23,24は、図3(b)参照)に接続さ
れている。サポート側リード71,72,73,74
の、それぞれの他方の端部は第2の主表面の(図示を省
略した)外部電極端子に導かれている。本発明の第1の
実施の形態は外部電極端子は第2の主表面上に設けられ
ているので、サポートベース42のシリンダーに対する
取り付け基準面は、第2の主表面とは反対側の第1の主
表面になる。サポートベース42の取り付け基準面とな
る第1の主表面は、研磨等の手段により平坦化されてい
る。もちろん、第1の主表面に外部電極端子を設けても
よい。外部電極端子が第1の主表面にあれば、サポート
側リード71,72,73,74はサポートベース42
の側壁を介して第2の主表面まで導く必要が無くなり、
配線が容易になる。この場合はシリンダーに対する取り
付け基準面は第2の主表面ということになる。
The support-side leads 71, 72, 73, 74 composed of the FPC wirings 101, 102
Are connected to chip-side leads 21, 22, 23, 24 provided on the first and second element layers (the chip-side leads 23, 24 are shown in FIG. 3B). ing. Support side leads 71, 72, 73, 74
Of the second main surface are led to external electrode terminals (not shown) on the second main surface. In the first embodiment of the present invention, since the external electrode terminals are provided on the second main surface, the reference mounting surface of the support base 42 with respect to the cylinder is the first reference surface opposite to the second main surface. The main surface of. The first main surface serving as an attachment reference surface of the support base 42 is flattened by means such as polishing. Of course, external electrode terminals may be provided on the first main surface. If the external electrode terminals are on the first main surface, the support-side leads 71, 72, 73, 74
There is no need to guide to the second main surface through the side wall of
Wiring becomes easy. In this case, the reference mounting surface with respect to the cylinder is the second main surface.

【0040】FPC配線101、102から構成された
サポート側リード71,72,73,74の幅は、例え
ば0.1乃至0,15mmである。サポート側リード7
1,72,73,74の相互の間隔は、例えば0.1m
m程度でよい。サポートベース42は導電体、非導電体
のいずれでもかまわない。サポートベース42が導電体
であっても、FPC配線101、102のベースフィル
ム11であるポリイミド膜により、サポート側リード7
1,72,73,74とサポートベース42との間は電
気的に絶縁されるからである。
The width of the support-side leads 71, 72, 73, 74 composed of the FPC wirings 101, 102 is, for example, 0.1 to 0.15 mm. Support side lead 7
The distance between 1, 72, 73 and 74 is, for example, 0.1 m.
m. The support base 42 may be either a conductor or a non-conductor. Even if the support base 42 is a conductor, the support-side leads 7 are formed by the polyimide film that is the base film 11 of the FPC wirings 101 and 102.
This is because the insulation between the bases 1, 72, 73, 74 and the support base 42 is electrically insulated.

【0041】第1の素子層2には図3(a)に示すよう
に第1の磁気ヘッド素子51が形成されており、第2の
素子層5には図3(b)に示すように第2の磁気ヘッド
素子52が形成されている。図示を省略するが、第1お
よび第2の磁気ヘッド素子51,52はそれぞれ、薄膜
磁気コアと、この薄膜磁気コアを構成する上部磁極層と
下部磁極層とのコンタクト部(中間磁極層)を周回する
ように配置された薄膜コイル層とを少なくとも有してい
る。図3(a)および(b)に示した記録媒体摺動面と
なる端部には、上部磁極層と下部磁極層の端部がギャッ
プ層を挟んで露出している。
A first magnetic head element 51 is formed on the first element layer 2 as shown in FIG. 3A, and a first magnetic head element 51 is formed on the second element layer 5 as shown in FIG. A second magnetic head element 52 is formed. Although not shown, each of the first and second magnetic head elements 51 and 52 includes a thin-film magnetic core and a contact portion (intermediate pole layer) between the upper magnetic pole layer and the lower magnetic pole layer constituting the thin-film magnetic core. And at least a thin-film coil layer arranged to circulate. 3A and 3B, the ends of the upper magnetic pole layer and the lower magnetic pole layer are exposed with the gap layer interposed therebetween at the ends serving as the recording medium sliding surfaces.

【0042】図3(a)に示すように第1の磁気ヘッド
素子51の薄膜コイル層にはチップ側リード21,22
の一方の端部が接続され、チップ側リードの他方の端部
にはパッドパターン31,32が設けられている。同様
に図3(b)に示すように第2の磁気ヘッド素子52の
薄膜コイル層にはチップ側リード23,24の一方の端
部が接続され、チップ側リードの他方の端部にはパッド
パターン33,34が設けられている。
As shown in FIG. 3A, chip-side leads 21 and 22 are provided on the thin-film coil layer of the first magnetic head element 51.
Are connected to each other, and pad patterns 31 and 32 are provided at the other end of the chip-side lead. Similarly, as shown in FIG. 3B, one end of each of the chip-side leads 23 and 24 is connected to the thin-film coil layer of the second magnetic head element 52, and a pad is connected to the other end of the chip-side lead. Patterns 33 and 34 are provided.

【0043】本発明の第1の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッド組立体においては第1のチップ基板3と第2のチ
ップ基板4とが対向して配置され、両者が互いに接触し
てダブルアジマス型ヘッドチップを構成する。そして、
図1に示したFPC配線101、102から構成された
サポート側リード71,72,73,74の端部のそれ
ぞれに、図3(a)および(b)のパッドパターン3
1,32,33,34が1対1に対応するように空間的
な位置決めがなされている。したがって図3(a)に示
した第1の素子層2上のチップ側リード21,22、パ
ッドパターン31,32は第2の素子層5上のチップ側
リード23,24、パッドパターン33,34と互いに
鏡像関係となるようにパターニングされている。代表的
なチップ側リード21,22,23,24の線幅は20
乃至80μmであり、パッドパターン31,32,3
3,34の寸法は80μm□乃至500μm□である。
In the thin-film magnetic head assembly according to the first embodiment of the present invention, a first chip substrate 3 and a second chip substrate 4 are arranged to face each other, and they are brought into contact with each other to provide a double azimuth. Constituting a die head chip. And
Each of the ends of the support-side leads 71, 72, 73, and 74 composed of the FPC wirings 101 and 102 shown in FIG. 1 is provided with a pad pattern 3 shown in FIGS.
Spatial positioning is performed so that 1, 32, 33, and 34 correspond one-to-one. Therefore, the chip-side leads 21 and 22 and the pad patterns 31 and 32 on the first element layer 2 shown in FIG. 3A are the chip-side leads 23 and 24 and the pad patterns 33 and 34 on the second element layer 5. Are patterned so as to have a mirror image relationship with each other. A typical chip-side lead 21, 22, 23, 24 has a line width of 20.
To 80 μm, and the pad patterns 31, 32, 3
The dimensions of 3, 34 are 80 μm □ to 500 μm □.

【0044】第1のチップ基板3および第2のチップ基
板4の厚みは所望のH間隔が得られるように選定され
る。ここで、第1の磁気ヘッド素子51および第2の磁
気ヘッド素子52の間の距離が「H間隔」と定義され
る。容易にわかるように第1のチップ基板3および第2
のチップ基板4の厚みはそれぞれ、H間隔の1/2以下
の寸法に選ぶことが好ましい。代表的なH間隔は0.6
mm乃至0.8mm前後であり、チップ基板の厚みは
0.3mm以下乃至0.4mm以下の寸法に選定され
る。システムの設計によってはH間隔は1mm以上であ
ってもよく、0.5mm以下でもかまわないことはもち
ろんである。いずれにしてもチップ基板の厚みは所定の
H間隔の1/2以下に選定すればよい。
The thicknesses of the first chip substrate 3 and the second chip substrate 4 are selected so that a desired H interval is obtained. Here, the distance between the first magnetic head element 51 and the second magnetic head element 52 is defined as “H interval”. The first chip substrate 3 and the second
It is preferable that the thickness of each of the chip substrates 4 is selected to be not more than の of the H interval. A typical H interval is 0.6
mm to about 0.8 mm, and the thickness of the chip substrate is selected to be 0.3 mm or less to 0.4 mm or less. Depending on the design of the system, the H interval may be equal to or greater than 1 mm, and may be equal to or less than 0.5 mm. In any case, the thickness of the chip substrate may be selected to be 1 / or less of the predetermined H interval.

【0045】本発明の第1の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッド組立体は、以下のようにすれば製造できる。
The thin-film magnetic head assembly according to the first embodiment of the present invention can be manufactured as follows.

【0046】(イ)まず、図1に示すようなサポートベ
ース42をあらかじめ用意する。例えば、真ちゅう等の
金属ブロック(金属板)を打ち抜き、切断、研削等の公
知の機械的加工手段で成形すればよい。放電加工等を用
いてもよい。さらに、第1の主表面を研磨等により平坦
化する。サポートベース42がセラミックス等の非導電
体である場合は、打ち抜き加工や、レーザ加工、超音波
加工等で成形すればよい。以下において、真ちゅう製サ
ポートベース42であるとして説明する。
(A) First, a support base 42 as shown in FIG. 1 is prepared in advance. For example, a metal block (metal plate) such as brass may be formed by a known mechanical processing means such as punching, cutting, and grinding. Electric discharge machining or the like may be used. Further, the first main surface is flattened by polishing or the like. When the support base 42 is a non-conductive material such as ceramics, it may be formed by punching, laser processing, ultrasonic processing, or the like. In the following, the support base 42 is described as being made of brass.

【0047】(ロ)図2に示したFPC配線101、1
02を、厚さ50μm前後のボンドフィルムを用いて、
サポートベース42上の所定の位置に接着して、サポー
ト側リード71,72,73,74を形成する。
(B) FPC wirings 101, 1 shown in FIG.
02, using a bond film having a thickness of about 50 μm,
The support-side leads 71, 72, 73, 74 are formed by bonding to predetermined positions on the support base 42.

【0048】(ハ)一方、非磁性基板等の第1及び第2
のチップ基板3,4を用意する。この第1のチップ基板
3上に第1の素子層2を、第2のチップ基板4上に第2
の素子層5を形成する。即ち、第1及び第2のチップ基
板3,4上に、薄膜コイル層、薄膜磁気コア、チップ側
リード21,22;23,24及びパッドパターン3
1,32;33,34を形成して、第1および第2の素
子層2,5を形成する。第1および第2の素子層2,5
の形成は、真空蒸着、スパッタリング、CVD等の薄膜
形成技術、フォトリソグラフィ技術、及びRIE等のマ
イクロエッチング技術等の所定のプロセスにより行えば
よい。例えば、チップ側リード21,22;23,24
及びパッドパターン31,32;33,34は、リフト
オフ法を用いて、厚さ0.5乃至3μmの金(Au)薄
膜を真空蒸着してパターニングすればよい。薄膜コイル
層、薄膜磁気コアの上部には酸化膜(SiO2)、窒化
膜(Si34)、ポリイミド膜等の保護膜(パッシベー
ション膜)を形成し、必要ならば、化学的機械研磨(C
MP)等により表面を平坦化すればよい。
(C) On the other hand, the first and second substrates such as a non-magnetic substrate
Are prepared. The first element layer 2 is formed on the first chip substrate 3 and the second element layer 2 is formed on the second chip substrate 4.
Is formed. That is, a thin-film coil layer, a thin-film magnetic core, chip-side leads 21 and 22; 23 and 24, and a pad pattern 3 are formed on the first and second chip substrates 3 and 4.
The first and second element layers 2 and 5 are formed by forming 1, 32; First and second element layers 2 and 5
May be formed by a predetermined process such as a thin film forming technique such as vacuum evaporation, sputtering, or CVD, a photolithography technique, and a microetching technique such as RIE. For example, chip-side leads 21, 22;
The pad patterns 31 and 32; 33 and 34 may be patterned by using a lift-off method to vacuum deposit a gold (Au) thin film having a thickness of 0.5 to 3 μm. A protective film (passivation film) such as an oxide film (SiO 2 ), a nitride film (Si 3 N 4 ), or a polyimide film is formed on the thin film coil layer and the thin film magnetic core. If necessary, a chemical mechanical polishing ( C
MP) or the like to flatten the surface.

【0049】(ニ)次に図3(a)に示すように、第1
の素子層2の上面の一部を第1の保護基板1で覆い、第
1の素子層2と第1の保護基板1とを互いにガラス樹脂
等の接着剤で接着する。この第1のチップ基板3、第1
の素子層2、及び第1の保護基板1からなる多層構造を
切断、研削等の公知の加工手段で成形し、図3(a)に
示すような形状の第1のヘッドチップ111を完成させ
る。同様に、第2の素子層5の上面の一部を第2の保護
基板6で覆い、互いにガラス樹脂等で接着する。この第
2のチップ基板4、第2の素子層5及び第2の保護基板
6からなる多層構造を所定の加工手段で成形し、図3
(b)に示すような形状のヘッドチップ112を完成さ
せる。
(D) Next, as shown in FIG.
A part of the upper surface of the element layer 2 is covered with a first protective substrate 1, and the first element layer 2 and the first protective substrate 1 are bonded to each other with an adhesive such as a glass resin. The first chip substrate 3, the first
The multilayer structure including the element layer 2 and the first protective substrate 1 is formed by a known processing means such as cutting and grinding to complete a first head chip 111 having a shape as shown in FIG. . Similarly, a part of the upper surface of the second element layer 5 is covered with the second protective substrate 6 and bonded to each other with a glass resin or the like. The multilayer structure including the second chip substrate 4, the second element layer 5, and the second protection substrate 6 is formed by a predetermined processing means, and is formed as shown in FIG.
A head chip 112 having a shape as shown in FIG.

【0050】(ホ)FPC配線101、102から構成
されたサポート側リード71,72,73,74の端部
に予備ハンダをする。同様に第1のヘッドチップ111
上のパッドパターン31,32、第2のヘッドチップ1
12上のパッドパターン33,34にも予備ハンダをす
る。
(E) Preliminary solder is applied to the ends of the support-side leads 71, 72, 73, 74 composed of the FPC wirings 101, 102. Similarly, the first head chip 111
Upper pad patterns 31, 32, second head chip 1
Preliminary soldering is also performed on the pad patterns 33 and 34 on the substrate 12.

【0051】(ヘ)そしてサポート側リード71,72
の端部の位置とパッドパターン31,32の位置が合う
ようにして、第1のヘッドチップ111をサポートベー
ス42に瞬間接着剤等の接着手段にて貼り付ける。同様
にサポート側リード73,74の端部の位置とパッドパ
ターン33,34の位置が合うようにして第2のヘッド
チップ112をサポートベース42に貼り付ける。サポ
ート側リード71,72,73,74の端部とパッドパ
ターン31,32,33,34との位置合わせのため
に、適当な合わせマークを用いても良い。
(F) And the support-side leads 71, 72
The first head chip 111 is attached to the support base 42 with an adhesive such as an instantaneous adhesive so that the position of the end portion of the first head chip 111 matches the position of the pad patterns 31 and 32. Similarly, the second head chip 112 is attached to the support base 42 such that the positions of the ends of the support-side leads 73 and 74 and the positions of the pad patterns 33 and 34 match. An appropriate alignment mark may be used to align the ends of the support-side leads 71, 72, 73, 74 with the pad patterns 31, 32, 33, 34.

【0052】(ト)最後に(ヘ)で貼り合わせた薄膜磁
気ヘッド組立体に熱風を送り、予備ハンダ同士を融合さ
せればサポート側リード71,72,73,74とチッ
プ側リード21,22,23,24の電気的接続が得ら
れ、本発明の第1の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド組
立体が完成する。なお、(へ)の接着剤による貼り付け
時に熱風を送り、(ヘ)の工程と(ト)の工程を同時に
行ってもよい。またハンダの代わりにサポート側リード
71,72,73,74の端部とパッドパターン31,
32,33,34との接合部分に金(Au)球を配置し
て熱圧着ボンディング又は超音波ボンディングを行って
もよい。
(G) Finally, hot air is sent to the thin-film magnetic head assembly bonded in (f) to fuse the spare solders with each other, so that the support-side leads 71, 72, 73, 74 and the chip-side leads 21, 22 are formed. , 23, and 24 are obtained, and the thin-film magnetic head assembly according to the first embodiment of the present invention is completed. In addition, the hot air may be sent at the time of bonding with the adhesive (f), and the process (f) and the process (g) may be performed simultaneously. Also, instead of solder, the ends of the support-side leads 71, 72, 73, 74 and the pad pattern 31,
A thermocompression bonding or an ultrasonic bonding may be performed by arranging a gold (Au) sphere at a joint portion with 32, 33, 34.

【0053】以上で本発明の第1の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッド組立体の製造方法が理解されたであろう
が、この他にも図4に示すように、あらかじめ第1のヘ
ッドチップ111と第2のヘッドチップ112とを貼り
合わせてダブルアジマス型ヘッドチップを形成しておい
てから、サポートベース42に貼り付け、電気的な接続
を完成するような製造方法を採用してもよい。
The manufacturing method of the thin-film magnetic head assembly according to the first embodiment of the present invention has been understood above. In addition, as shown in FIG. A manufacturing method may be employed in which a double azimuth type head chip is formed by bonding the second head chip 112 and the second head chip 112 and then bonded to the support base 42 to complete the electrical connection. .

【0054】[第1の変形例]図5は本発明の第1の実
施の形態の変形例に係る薄膜磁気ヘッド組立体の鳥瞰図
である。この変形例(第1の変形例)の特徴はダブルア
ジマス型ヘッドチップの摺動面の形状にある。図1に示
すダブルアジマス型ヘッドチップは2つの曲率面を有
し、第1のチップ基板3と第2のチップ基板4との界面
で曲率が不連続となっているが、図6に示すダブルアジ
マス型ヘッドチップは摺動面が単一の曲率面で構成さ
れ、かかる不連続は存在しない。図1に示す摺動面形状
はH間隔が比較的広い場合に有効で、図5に示す摺動面
形状はH間隔が比較的狭いとき、たとえばH間隔が1m
m以下の場合に有効である。H間隔の大きさにより図1
又は図5の摺動面形状を選択することにより、最適な記
録媒体(磁気テープ)との摺動圧力が得られ、信頼性の
高い記録・再生が可能となる。
[First Modification] FIG. 5 is a bird's-eye view of a thin-film magnetic head assembly according to a modification of the first embodiment of the present invention. The feature of this modified example (first modified example) lies in the shape of the sliding surface of the double azimuth type head chip. The double azimuth type head chip shown in FIG. 1 has two surfaces of curvature, and the curvature is discontinuous at the interface between the first chip substrate 3 and the second chip substrate 4, but the double azimuth head chip shown in FIG. In the azimuth type head chip, the sliding surface is constituted by a single curvature surface, and such discontinuity does not exist. The sliding surface shape shown in FIG. 1 is effective when the H interval is relatively wide, and the sliding surface shape shown in FIG. 5 is effective when the H interval is relatively narrow, for example, when the H interval is 1 m.
It is effective when it is less than m. Fig. 1
Alternatively, by selecting the shape of the sliding surface shown in FIG. 5, an optimal sliding pressure with the recording medium (magnetic tape) can be obtained, and highly reliable recording and reproduction can be performed.

【0055】[第2の変形例]図6は、本発明の第1の
実施の形態の他の変形例(第2の変形例)に係る薄膜磁
気ヘッド組立体の鳥瞰図である。サポート側リード7
1,72,73,74は、必ずしもFPC配線を用いる
必要はない。図6は、FPC配線を用いない場合の例で
ある。図6に示すように、この第2の変形例に係る薄膜
磁気ヘッド組立体は、サポートベース42の第1の主表
面にメッキ配線による複数のサポート側リード81,8
2,83,84が形成されている。サポート側リード8
1,82,83,84のそれぞれの一方の端部には第1
および第2の素子層2,5に設けられたチップ側リード
21,22(23,24)に接続され、他方の端部は図
示を省略した外部電極端子に導かれている。第2の変形
例では、外部電極端子は第1の主表面上に設けられてい
る。この場合、サポートベース42のシリンダーに対す
る取り付け基準面は、第1の主表面とは反対側の第2の
主表面になる。サポートベース42の取り付け基準面と
なる第2の主表面は、研磨等の手段により平坦化されて
いる。
[Second Modification] FIG. 6 is a bird's-eye view of a thin-film magnetic head assembly according to another modification (second modification) of the first embodiment of the present invention. Support side lead 7
1, 72, 73 and 74 do not necessarily need to use FPC wiring. FIG. 6 shows an example in which no FPC wiring is used. As shown in FIG. 6, a thin-film magnetic head assembly according to the second modification includes a plurality of support-side leads 81, 8 formed by plating wiring on a first main surface of a support base.
2, 83, 84 are formed. Support side lead 8
1, 82, 83, 84 have a first end
And the chip-side leads 21 and 22 (23, 24) provided on the second element layers 2 and 5, and the other end is led to an external electrode terminal (not shown). In the second modification, the external electrode terminals are provided on the first main surface. In this case, the reference mounting surface of the support base 42 with respect to the cylinder is a second main surface opposite to the first main surface. The second main surface serving as a reference mounting surface of the support base 42 is flattened by a means such as polishing.

【0056】サポートベース42が導電体である場合は
酸化膜(SiO2)、窒化膜(Si34)、ポリイミド
膜等の絶縁膜をサポート側リードとサポートベース42
との間に挿入し、両者を電気的に絶縁する必要がある。
好ましくは、厚さ100μm程度のポリイミドシートを
導電体のサポートベース42の表面の全面に貼り付け、
この上にメッキ配線によるサポート側リード81,8
2,83,84を形成すればよい。この場合、ポリイミ
ドシートの上に銅(Cu)をリフトオフ法を用いて蒸着
し、下地パターンを形成し、この下地パターンを用い
て、ニッケル(Ni)および金(Au)を選択メッキし
て形成すればよい。Ni/Auメッキ層の厚みは、例え
ば、2乃至10μm、好ましくは2乃至3μmとすれば
よい。このようにサポート側リード81,82,83,
84は必ずしもFPC配線を用いる必要はなく、またメ
ッキ配線に限られるものでもない。メッキ配線以外の、
いわゆる薄膜技術、もしく厚膜技術等により形成した良
導電体の配線パターンでもよい。「薄膜技術」とは、真
空蒸着法、スパッタリング法、CVD法、等により形成
した薄膜をフォトリソグラフィー法により良導電体の配
線パターンを、ヘッドサポートに密着してパターニング
する技術である。また、「厚膜技術」とは、貴金属粉末
とガラス粉末等をバインダーで練り合わせたペーストを
スクリーン印刷により塗布して焼成する等により、良導
電体の配線パターンをヘッドサポートに密着形成する技
術を意味する。
When the support base 42 is a conductor, an insulating film such as an oxide film (SiO 2 ), a nitride film (Si 3 N 4 ), or a polyimide film is used as a support lead and the support base 42.
To be electrically insulated from each other.
Preferably, a polyimide sheet having a thickness of about 100 μm is attached to the entire surface of the conductive support base 42,
On this, the support side leads 81, 8 by plating wiring
2, 83, 84 may be formed. In this case, copper (Cu) is vapor-deposited on the polyimide sheet by using a lift-off method to form a base pattern, and nickel (Ni) and gold (Au) are selectively plated using the base pattern. I just need. The thickness of the Ni / Au plating layer may be, for example, 2 to 10 μm, preferably 2 to 3 μm. Thus, the support-side leads 81, 82, 83,
Reference numeral 84 does not necessarily require the use of FPC wiring, and is not limited to plating wiring. Other than plating wiring,
A good conductor wiring pattern formed by a so-called thin film technique or a thick film technique may be used. The “thin film technology” is a technology in which a thin film formed by a vacuum deposition method, a sputtering method, a CVD method, or the like is patterned by closely attaching a wiring pattern of a good conductor to a head support by a photolithography method. The term "thick film technology" refers to a technology in which a paste obtained by kneading a noble metal powder and a glass powder with a binder is applied by screen printing and then baked to form a good conductor wiring pattern in close contact with the head support. I do.

【0057】[第3の変形例]図7は、本発明の第1の
実施の形態のさらに他の変形例に係る薄膜磁気ヘッド組
立体の鳥瞰図である。第2の変形例と同様に、Ni/A
uメッキ層によりサポート側リード85,86,87,
88を設けているが、第2の主表面に外部電極端子を設
けいる。外部電極端子が第2の主表面にあるので、サポ
ート側リード85,86,87,88はサポートベース
42の側壁を介して第2の主表面まで導かれている。こ
の場合はシリンダーに対する取り付け基準面は第1の主
表面ということになる。Ni/Auメッキ層を、このよ
うにサポートベース42の側壁に沿って第2の主表面ま
で導くよりも、前述したFPC配線を貼りつけて第2の
主表面まで導く方が容易なことは明らかであろう。
[Third Modification] FIG. 7 is a bird's-eye view of a thin-film magnetic head assembly according to still another modification of the first embodiment of the present invention. As in the second modification, Ni / A
The support side leads 85, 86, 87,
Although 88 is provided, external electrode terminals are provided on the second main surface. Since the external electrode terminals are on the second main surface, the support-side leads 85, 86, 87, and 88 are guided to the second main surface via the side walls of the support base 42. In this case, the reference mounting surface with respect to the cylinder is the first main surface. It is apparent that it is easier to attach the above-mentioned FPC wiring and lead the Ni / Au plating layer to the second main surface than to lead the Ni / Au plating layer along the side wall of the support base 42 to the second main surface. Will.

【0058】[第4の変形例]図8は、本発明の第1の
実施の形態のさらに他の変形例に係る薄膜磁気ヘッド組
立体の鳥瞰図である。図1に示した第1の保護基板1、
第2の保護基板6よりも大きな第1の保護基板1Lと第
2の保護基板6Lとを用いている。即ち、第4の変形例
に係る薄膜磁気ヘッド組立体は、第1の保護基板1L
と、この第1の保護基板1Lに隣接した第1の素子層2
と、この第1の素子層2に隣接した第1のチップ基板3
と、この第1のチップ基板3に隣接した第2のチップ基
板4と、この第2のチップ基板4に隣接した第2の素子
層5と、この第2の素子層5に隣接した第2の保護基板
6Lとからなるヘッド・チップが、サポートベース42
に貼り付けられて構成している。サポート側リード7
1,72,73,74は、FPC配線101,102を
用いている点では、図1と同様である。
[Fourth Modification] FIG. 8 is a bird's-eye view of a thin-film magnetic head assembly according to still another modification of the first embodiment of the present invention. The first protection substrate 1 shown in FIG.
A first protection substrate 1L and a second protection substrate 6L larger than the second protection substrate 6 are used. That is, the thin-film magnetic head assembly according to the fourth modified example includes a first protection substrate 1L.
And a first element layer 2 adjacent to the first protection substrate 1L.
And a first chip substrate 3 adjacent to the first element layer 2.
A second chip substrate 4 adjacent to the first chip substrate 3, a second element layer 5 adjacent to the second chip substrate 4, and a second element layer 5 adjacent to the second element layer 5. The head chip composed of the protective substrate 6L of FIG.
It is stuck on and configured. Support side lead 7
1, 72, 73 and 74 are the same as those in FIG. 1 in that FPC wirings 101 and 102 are used.

【0059】回転ヘッド型磁気記録再生装置において、
ヘッド数が多い場合は、テープの張力を増さないと、安
定した記録・再生が得られなくなってくる。図8に示す
ような大型の第1の保護基板1Lと第2の保護基板6L
とを用いることにより、摺動面積が増大し、ヘッド・チ
ップの摩耗が抑制され、信頼性の高い記録・再生をする
ことが可能となる。
In a rotary head type magnetic recording / reproducing apparatus,
When the number of heads is large, stable recording and reproduction cannot be obtained unless the tension of the tape is increased. A large first protection substrate 1L and a second protection substrate 6L as shown in FIG.
By using the above, the sliding area is increased, the wear of the head chip is suppressed, and highly reliable recording / reproduction can be performed.

【0060】[第5の変形例]図9は本発明の第1の実
施の形態のさらに他の変形例に係る薄膜磁気ヘッド組立
体の鳥瞰図である。この変形例(第5の変形例)はダブ
ルアジマス型ヘッドチップの摺動面の形状が、第4の変
形例と異なる。図8に示すダブルアジマス型ヘッドチッ
プは2つの曲率面を有し、第1のチップ基板3と第2の
チップ基板4との界面で曲率が不連続となっているが、
図9に示すダブルアジマス型ヘッドチップは摺動面が単
一の曲率面で構成され、かかる不連続は存在しない。図
8に示す摺動面形状はH間隔が比較的広い場合に有効
で、図9に示す摺動面形状はH間隔が比較的狭いときに
有効である。H間隔の大きさにより図8又は図9の摺動
面形状を選択することにより、最適な記録媒体(磁気テ
ープ)との摺動圧力が得られ、同時に、大型の第1の保
護基板1Lと第2の保護基板6Lとを用いているので、
摺動面積が増大し、ヘッド・チップの摩耗が抑制され
る。従って、信頼性の高い記録・再生をすることが可能
となる。
[Fifth Modification] FIG. 9 is a bird's-eye view of a thin-film magnetic head assembly according to still another modification of the first embodiment of the present invention. This modified example (fifth modified example) is different from the fourth modified example in the shape of the sliding surface of the double azimuth type head chip. The double azimuth type head chip shown in FIG. 8 has two curvature surfaces, and the curvature is discontinuous at the interface between the first chip substrate 3 and the second chip substrate 4,
In the double azimuth type head chip shown in FIG. 9, the sliding surface is constituted by a single curvature surface, and such a discontinuity does not exist. The sliding surface shape shown in FIG. 8 is effective when the H interval is relatively wide, and the sliding surface shape shown in FIG. 9 is effective when the H interval is relatively narrow. By selecting the sliding surface shape in FIG. 8 or FIG. 9 according to the size of the H interval, an optimal sliding pressure with the recording medium (magnetic tape) can be obtained, and at the same time, the large first protective substrate 1L and Since the second protection substrate 6L is used,
The sliding area increases, and wear of the head chip is suppressed. Therefore, highly reliable recording and reproduction can be performed.

【0061】(第2の実施の形態)図10は、本発明の
第2の実施の形態に係るダブルアジマス型薄膜磁気ヘッ
ド組立体の鳥瞰図である。図10に示す本発明の第2の
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド組立体は、第1の保護
基板1と、この第1の保護基板1に隣接した第1の素子
層7と、この第1の素子層7に隣接した第1のチップ基
板3と、この第1のチップ基板3に隣接した第2のチッ
プ基板4と、この第2のチップ基板4に隣接した第2の
素子層8と、この第2の素子層8に隣接した第2の保護
基板6を少なくとも有するヘッド・チップがサポートベ
ース42に貼り付けられて構成している。
(Second Embodiment) FIG. 10 is a bird's-eye view of a double azimuth type thin film magnetic head assembly according to a second embodiment of the present invention. The thin-film magnetic head assembly according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. 10 includes a first protection substrate 1, a first element layer 7 adjacent to the first protection substrate 1, A first chip substrate 3 adjacent to the first element layer 7, a second chip substrate 4 adjacent to the first chip substrate 3, and a second element layer 8 adjacent to the second chip substrate 4. And a head chip having at least a second protection substrate 6 adjacent to the second element layer 8 is attached to a support base 42.

【0062】図10に示すサポートベース42は第1の
主表面(表面)側から見た図であるが、第1の主表面に
対向する第2の主表面(裏面)側に図示を省略した外部
電極端子が設けられている。そして、第1の主表面か
ら、サポートベース42の側面を介して第2の主表面に
FPC配線101、102が導かれている。このFPC
配線101、102により、複数のサポート側リード7
1,72,73,74が形成されている。FPC配線1
01、102は、本発明の第1の実施の形態において説
明した図2に示すような構造をしている。即ち、ポリイ
ミド膜等のベースフィルム11上にCuメッキ層12,1
3、Niメッキ層14,15およびAuメッキ層16,17
を構成したフレキシブルな配線層である。そして、この
FPC配線101、102の端部は、短冊形に打ち抜か
れ、サポートベース42の第1の主表面から浮き上がる
ように折り曲げられている。サポートベース42の第1
の主表面から浮き上がったサポート側リード71,7
2,73,74のそれぞれの一方の端部は、第1および
第2の素子層7,8に設けられた凹部(接合用凹部)に
挿入され、チップ側リード21,22,23,24(チ
ップ側リード23,24は、図11(b)参照)に接続
されている。凹部には、導電性接着剤が用いられ、サポ
ート側リード71,72,73,74とチップ側リード
21,22,23,24とが、それぞれ電気的に接続さ
れている。導電性接着剤以外にも、半田付けや、金(Au)
球を用いたボンディングによる電気的接続を行っても良
い。チップ側リード21,22,23,24との接続部
となる部分以外のFPC配線101、102は、広いベ
ースフィルムによりサポートベース42に接着されてい
る。FPC配線101、102のベースフィルムのサポ
ートベース42との接着部は、ボンドフィルムをベース
フィルムの下層に敷いて、ベースフィルムとサポートベ
ース42とを接着している。第1および第2の素子層に
設けられた凹部に挿入されたサポート側リード71,7
2,73,74も、それぞれベースフィルム/Cuメッキ
層/Niメッキ層/Auメッキ層からなる構造である。サポ
ート側リード71,72,73,74の他方の端部は、
第2の主表面側の外部電極端子にFPC配線101、1
02によって導かれている。本発明の第2の実施の形態
は外部電極端子は第2の主表面上に設けられているの
で、サポートベース42のシリンダーに対する取り付け
基準面は、第2の主表面とは反対側の第1の主表面にな
る。もちろん、第1の主表面に外部電極端子を設けても
よい。
The support base 42 shown in FIG. 10 is a view seen from the first main surface (front surface) side, but is not shown on the second main surface (back surface) side facing the first main surface. External electrode terminals are provided. Then, the FPC wirings 101 and 102 are led from the first main surface to the second main surface via the side surface of the support base 42. This FPC
A plurality of support-side leads 7 are provided by the wirings 101 and 102.
1, 72, 73 and 74 are formed. FPC wiring 1
Reference numerals 01 and 102 have structures as shown in FIG. 2 described in the first embodiment of the present invention. That is, a Cu plating layer 12, 1 is formed on a base film 11 such as a polyimide film.
3, Ni plating layers 14, 15 and Au plating layers 16, 17
Is a flexible wiring layer. Then, ends of the FPC wirings 101 and 102 are punched into a strip shape and bent so as to rise from the first main surface of the support base 42. The first of the support base 42
Support-side leads 71, 7 raised from the main surface of
One end of each of 2, 73, 74 is inserted into a recess (bonding recess) provided in the first and second element layers 7, 8, and the chip-side leads 21, 22, 23, 24 ( The chip-side leads 23 and 24 are connected to FIG. 11 (b). A conductive adhesive is used in the recess, and the support-side leads 71, 72, 73, 74 and the chip-side leads 21, 22, 23, 24 are electrically connected to each other. In addition to conductive adhesive, soldering, gold (Au)
Electrical connection by bonding using a sphere may be performed. The FPC wirings 101 and 102 other than the portions to be connected to the chip-side leads 21, 22, 23 and 24 are adhered to the support base 42 with a wide base film. The bonding portion between the FPC wirings 101 and 102 and the support base 42 of the base film is formed by laying a bond film under the base film and bonding the base film and the support base 42. Support-side leads 71, 7 inserted into recesses provided in the first and second element layers
Reference numerals 2, 73, and 74 also have a structure including a base film / Cu plating layer / Ni plating layer / Au plating layer, respectively. The other ends of the support-side leads 71, 72, 73, 74 are
FPC wirings 101, 1 are connected to external electrode terminals on the second main surface side.
02. In the second embodiment of the present invention, since the external electrode terminals are provided on the second main surface, the reference mounting surface of the support base 42 to the cylinder is the first reference surface opposite to the second main surface. The main surface of. Of course, external electrode terminals may be provided on the first main surface.

【0063】FPC配線101、102から構成された
サポート側リード71,72,73,74の幅は、例え
ば0.1乃至0,15mmである。サポート側リード7
1,72,73,74の相互の間隔は、例えば0.1m
m程度でよい。サポートベース42は導電体、非導電体
のいずれでもかまわない。
The width of the support-side leads 71, 72, 73, 74 composed of the FPC wirings 101, 102 is, for example, 0.1 to 0.15 mm. Support side lead 7
The distance between 1, 72, 73 and 74 is, for example, 0.1 m.
m. The support base 42 may be either a conductor or a non-conductor.

【0064】第1の素子層7には図11(a)に示すよ
うに第1の磁気ヘッド素子51が形成されており、第2
の素子層8には図11(b)に示すように第2の磁気ヘ
ッド素子52が形成されている。第1および第2の磁気
ヘッド素子51,52はそれぞれ、薄膜磁気コアと、こ
の薄膜磁気コアを構成する上部磁極層と下部磁極層との
コンタクト部(中間磁極層)を周回するように配置され
た薄膜コイル層とを少なくとも有していることは勿論で
ある。図11(a)および(b)に示した記録媒体摺動
面となる端部には、上部磁極層と下部磁極層の端部がギ
ャップ層を挟んで露出している。図11(a)に示すよ
うに第1の磁気ヘッド素子51の薄膜コイル層にはチッ
プ側リード21,22の一方の端部が接続され、チップ
側リードの他方の端部には接合用凹部221,222が
設けられている。同様に図11(b)に示すように第2
の磁気ヘッド素子52の薄膜コイル層にはチップ側リー
ド23,24の一方の端部が接続され、チップ側リード
の他方の端部には接合用凹部223,224が設けられ
ている。
A first magnetic head element 51 is formed on the first element layer 7 as shown in FIG.
A second magnetic head element 52 is formed on the element layer 8 as shown in FIG. 11B. The first and second magnetic head elements 51 and 52 are arranged so as to go around the thin-film magnetic core and the contact portion (intermediate pole layer) between the upper magnetic pole layer and the lower magnetic pole layer constituting the thin-film magnetic core. Needless to say, at least the thin film coil layer is provided. The ends of the upper magnetic pole layer and the lower magnetic pole layer are exposed with the gap layer interposed therebetween at the ends serving as the recording medium sliding surfaces shown in FIGS. 11 (a) and 11 (b). As shown in FIG. 11A, one end of each of the chip-side leads 21 and 22 is connected to the thin-film coil layer of the first magnetic head element 51, and the other end of the chip-side lead is provided with a bonding recess. 221 and 222 are provided. Similarly, as shown in FIG.
One ends of the chip-side leads 23 and 24 are connected to the thin-film coil layer of the magnetic head element 52, and bonding recesses 223 and 224 are provided at the other ends of the chip-side leads.

【0065】本発明の第2の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッド組立体においては第1のチップ基板3と第2のチ
ップ基板4とが対向して配置され、両者が互いに接触し
てダブルアジマス型ヘッドチップを構成する。そして、
図10に示したように、FPC配線101、102の短
冊形に打ち抜かれた部分であるサポート側リード71,
72,73,74の端部のそれぞれに、図11(a)お
よび(b)の接合用凹部221,222,223,22
4が1対1に対応するように空間的な位置決めがなされ
ている。したがって図11(a)に示した第1の素子層
2上のチップ側リード21,22、接合用凹部221,
222は、第2の素子層5上のチップ側リード23,2
4、接合用凹部223,224と互いに鏡像関係となる
ようにパターニングされている。代表的なチップ側リー
ド21,22,23,24の線幅は20乃至80μmで
あり、接合用凹部221,222,223,224の溝
幅は、チップ側リード21,22,23,24の線幅よ
り若干狭い程度にすればよい。例えば10乃至70μm
とすればよい。接合用凹部221,222,223,2
24の溝の高さは、サポート側リード71,72,7
3,74の線幅より若干広い程度、例えば0.15乃至
0,25mmとすればよい。接合用凹部221,22
2,223,224の溝の深さは、10乃至100μm
程度でよい。
In the thin-film magnetic head assembly according to the second embodiment of the present invention, the first chip substrate 3 and the second chip substrate 4 are arranged to face each other, Constituting a die head chip. And
As shown in FIG. 10, the support-side leads 71, which are portions of the FPC wirings 101, 102 which are punched in a strip shape,
At the ends of 72, 73, 74, respectively, the joining recesses 221, 222, 223, 22 of FIGS.
Spatial positioning is performed so that 4 corresponds to 1: 1. Therefore, the chip-side leads 21 and 22 on the first element layer 2 shown in FIG.
222 denotes chip-side leads 23, 2 on the second element layer 5.
4. Patterned so as to have a mirror image relationship with the joining concave portions 223 and 224. The typical chip-side leads 21, 22, 23, and 24 have a line width of 20 to 80 μm. The width may be slightly smaller than the width. For example, 10 to 70 μm
And it is sufficient. Joining recesses 221, 222, 223, 2
The height of the groove of 24 is the support side lead 71,72,7.
The width may be slightly wider than the line width of 3,74, for example, 0.15 to 0.25 mm. Joining recesses 221 and 22
The depth of the grooves of 2,223,224 is 10 to 100 μm
Degree is fine.

【0066】第1のチップ基板7および第2のチップ基
板8の厚みは所望のH間隔が得られるように選定され
る。容易にわかるように第1のチップ基板3および第2
のチップ基板4の厚みはそれぞれ、H間隔の1/2以下
の寸法に選ぶことが好ましい。代表的なH間隔は0.6
mm乃至0.8mm前後であり、チップ基板の厚みは
0.3mm以下乃至0.4mm以下の寸法に選定され
る。
The thicknesses of the first chip substrate 7 and the second chip substrate 8 are selected so as to obtain a desired H interval. The first chip substrate 3 and the second
It is preferable that the thickness of each of the chip substrates 4 is selected to be not more than の of the H interval. A typical H interval is 0.6
mm to about 0.8 mm, and the thickness of the chip substrate is selected to be 0.3 mm or less to 0.4 mm or less.

【0067】本発明の第2の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッド組立体は、以下のようにすれば製造できる。
The thin-film magnetic head assembly according to the second embodiment of the present invention can be manufactured as follows.

【0068】(イ)まず、図10に示すようなサポート
ベース42をあらかじめ用意する。例えば、所定の金属
ブロック(金属板)を打ち抜き、切断、研削等の公知の
機械的加工手段で成形すればよい。放電加工等を用いて
もよい。さらに、第1の主表面を研磨等により平坦化す
る。サポートベース42がセラミックス等の非導電体で
ある場合は、打ち抜き加工や、レーザ加工、超音波加工
等で成形すればよい。以下において、金属製サポートベ
ース42であるとして説明する。
(A) First, a support base 42 as shown in FIG. 10 is prepared in advance. For example, a predetermined metal block (metal plate) may be formed by a known mechanical processing means such as punching, cutting, and grinding. Electric discharge machining or the like may be used. Further, the first main surface is flattened by polishing or the like. When the support base 42 is a non-conductive material such as ceramics, it may be formed by punching, laser processing, ultrasonic processing, or the like. Hereinafter, the metal support base 42 will be described.

【0069】(ロ)FPC配線101、102を、所定
の形状となるようにプレスで打ち抜く。そして、図10
に示すように、FPC配線101、102をサポートベ
ース42上の所定の位置に接着する。接着には厚さ50
μm前後のボンドフィルムを用いればよい。この際、短
冊形に打ち抜かれたFPC配線101、102の先端部
には、ボンドフィルムが付かないように注意し、この先
端部を折り曲げ、サポート側リード71,72,73,
74の端部をサポートベース42から浮かせる。
(B) The FPC wirings 101 and 102 are punched out into a predetermined shape by a press. And FIG.
As shown in (1), the FPC wirings 101 and 102 are bonded to predetermined positions on the support base 42. 50 thickness for bonding
A bond film of about μm may be used. At this time, be careful not to attach a bond film to the tips of the FPC wirings 101 and 102 punched in the form of strips, and bend the tips so that the support-side leads 71, 72, 73,
The end of 74 is lifted off the support base 42.

【0070】(ハ)一方、非磁性基板等の第1及び第2
のチップ基板3,4を用意する。この第1のチップ基板
3上に第1の素子層7を、第2のチップ基板4上に第2
の素子層8を形成する。即ち、第1及び第2のチップ基
板3,4上に、薄膜コイル層、薄膜磁気コア、チップ側
リード21,22;23,24等を形成して、第1およ
び第2の素子層7,8を形成する。第1および第2の素
子層7,8の形成は、本発明の第1の実施の形態と同様
な、薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッ
チング技術等の所定のプロセスにより行えばよい。例え
ば、チップ側リード21,22;23,24は、リフト
オフ法を用いて、厚さ0.5乃至3μmの金(Au)薄
膜を真空蒸着してパターニングすればよい。薄膜コイル
層、薄膜磁気コアの上部には酸化膜(SiO2)、窒化
膜(Si34)、ポリイミド膜等の保護膜(パッシベー
ション膜)を形成し、必要ならば、化学的機械研磨(C
MP)等により表面を平坦化すればよい。
(C) On the other hand, the first and second substrates such as a non-magnetic substrate
Are prepared. A first element layer 7 is formed on the first chip substrate 3 and a second element layer 7 is formed on the second chip substrate 4.
Is formed. That is, a thin-film coil layer, a thin-film magnetic core, chip-side leads 21, 22, 23, 24, etc. are formed on the first and second chip substrates 3, 4, and the first and second element layers 7, 8 is formed. The first and second element layers 7 and 8 may be formed by a predetermined process such as a thin film formation technique, a photolithography technique, and an etching technique, similar to the first embodiment of the present invention. For example, the chip-side leads 21 and 22; 23 and 24 may be patterned by vacuum evaporation of a gold (Au) thin film having a thickness of 0.5 to 3 μm using a lift-off method. A protective film (passivation film) such as an oxide film (SiO 2 ), a nitride film (Si 3 N 4 ), or a polyimide film is formed on the thin film coil layer and the thin film magnetic core. If necessary, a chemical mechanical polishing ( C
MP) or the like to flatten the surface.

【0071】(ニ)次に図11(a)に示すように、第
1の素子層7の上面の一部を第1の保護基板1で覆い、
第1の素子層7と第1の保護基板1とを互いにガラス樹
脂等の接着剤で接着する。この第1のチップ基板3、第
1の素子層7、及び第1の保護基板1からなる多層構造
を切断、研削等の公知の加工手段で成形する。続いて、
イオンミリング、リアクティブイオンエッチング(RI
E)等のドライエッチング技術、もしくはレーザ加工、
超音波加工、放電加工等により接合用凹部221,22
2を開口し、図11(a)に示すような形状の第1のヘ
ッドチップ121を完成させる。同様に、第2の素子層
8の上面の一部を第2の保護基板6で覆い、互いにガラ
ス樹脂等で接着する。この第2のチップ基板4、第2の
素子層5及び第2の保護基板6からなる多層構造を所定
の加工手段で成形し、更に接合用凹部223,224を
開口し、図11(b)に示すような形状のヘッドチップ
122を完成させる。
(D) Next, as shown in FIG. 11A, a part of the upper surface of the first element layer 7 is covered with the first protection substrate 1,
The first element layer 7 and the first protection substrate 1 are bonded to each other with an adhesive such as a glass resin. The multilayer structure including the first chip substrate 3, the first element layer 7, and the first protection substrate 1 is formed by a known processing means such as cutting and grinding. continue,
Ion milling, reactive ion etching (RI
E) etc. dry etching technology or laser processing,
Joining recesses 221 and 22 by ultrasonic machining, electric discharge machining, etc.
2 is completed to complete a first head chip 121 having a shape as shown in FIG. Similarly, a part of the upper surface of the second element layer 8 is covered with the second protective substrate 6 and bonded to each other with a glass resin or the like. A multilayer structure composed of the second chip substrate 4, the second element layer 5, and the second protection substrate 6 is formed by a predetermined processing means, and further, bonding recesses 223, 224 are opened, and FIG. The head chip 122 having the shape shown in FIG.

【0072】(ホ)FPC配線101、102の短冊形
の端部となるサポート側リード71,72,73,74
の先端部および接合用凹部221,222,223,2
24の周辺部に予備ハンダ、もしくは導電性接着剤の塗
布をする。導電性接着剤でサポート側リード71,7
2,73,74とチップ側リード21,22,23,2
4との電気的接続をするのであれば、接合用凹部22
1,222,223,224の内部に導電性接着剤を塗
布しておいてもよい。
(E) Support-side leads 71, 72, 73, 74 which are strip-shaped ends of the FPC wirings 101, 102.
Tip and joining recesses 221, 222, 223, 2
Preliminary solder or conductive adhesive is applied to the periphery of 24. Support-side leads 71, 7 with conductive adhesive
2, 73, 74 and chip-side leads 21, 22, 23, 2
4 for electrical connection with the bonding recess 22.
A conductive adhesive may be applied inside 1, 222, 223, 224.

【0073】(ヘ)サポート側リード71,72の端部
の位置と接合用凹部221,222の位置が合うように
して、第1のヘッドチップ121をサポートベース42
に瞬間接着剤等の接着手段にて貼り付ける。同様にサポ
ート側リード73,74の端部の位置と接合用凹部22
3,224の位置が合うようにして第2のヘッドチップ
122をサポートベース42に貼り付ける。接合用凹部
221,222,223,224との位置合わせのため
に、適当な合わせマークを用いても良い。そしてサポー
ト側リード71,72の端部を折り曲げて、接合用凹部
221,222に挿入する。同様にサポート側リード7
3,74の端部を折り曲げて接合用凹部223,224
に挿入する。なお、サポート側リード71,72,7
3,74の端部を先に接合用凹部221,222,22
3,224に挿入した状態で、第1のヘッドチップ12
1および第2のヘッドチップ122をサポートベース4
2に貼り付けるような手順でも良い。
(F) The first head chip 121 is attached to the support base 42 such that the positions of the ends of the support-side leads 71 and 72 match the positions of the joining recesses 221 and 222.
Is adhered by an adhesive means such as an instant adhesive. Similarly, the positions of the ends of the support-side leads 73 and 74 and the joint recess 22
The second head chip 122 is attached to the support base 42 so that the positions of 3, 224 match. An appropriate alignment mark may be used for alignment with the joining recesses 221, 222, 223, and 224. Then, the ends of the support-side leads 71 and 72 are bent and inserted into the joining recesses 221 and 222. Similarly, support side lead 7
3, 74 are bent at their ends to form joint recesses 223, 224.
Insert The support-side leads 71, 72, 7
3 and 74 are joined first with the joining recesses 221, 222 and 22.
3 and 224, the first head chip 12
Support base 4 for first and second head chips 122
A procedure such as pasting to step 2 may be used.

【0074】(ト)最後に(ヘ)で貼り合わせた薄膜磁
気ヘッド組立体に熱風を送り、予備ハンダ同士を融合、
もしくは導電性接着剤による接着を行えば、サポート側
リード71,72,73,74とチップ側リード21,
22,23,24の電気的接続が得られ、本発明の第2
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド組立体が完成する。
なお、(へ)の接着剤による貼り付け時に熱風を送り、
(ヘ)の工程と(ト)の工程を同時に行ってもよい。
(G) Finally, hot air is sent to the thin-film magnetic head assembly bonded in (f) to fuse the preliminary solders together.
Alternatively, if bonding with a conductive adhesive is performed, the support-side leads 71, 72, 73, 74 and the chip-side leads 21,
22, 23, and 24 electrical connections are obtained,
The thin film magnetic head assembly according to the embodiment is completed.
In addition, hot air is sent at the time of pasting with the adhesive of (f),
The step (f) and the step (g) may be performed simultaneously.

【0075】以上で本発明の第2の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッド組立体の製造方法が理解されたであろう
が、この他にも図12に示すように、あらかじめ第1の
ヘッドチップ121と第2のヘッドチップ122とを貼
り合わせてダブルアジマス型ヘッドチップを形成してお
いてから、サポートベース42に貼り付け、電気的な接
続を完成するような製造方法を採用してもよい。また、
第1のヘッドチップ121および第2のヘッドチップ1
22をサポートベース42に接着後、FPC配線10
1、102を、サポートベース42に接着して、その後
サポート側リード71,72,73,74とチップ側リ
ード21,22,23,24との電気的接続を取るよう
な工程順でもよい。
Although the method of manufacturing the thin film magnetic head assembly according to the second embodiment of the present invention has been understood above, in addition to the first head chip as shown in FIG. A manufacturing method may be employed in which a double azimuth-type head chip is formed by bonding the second head chip 122 to the second head chip 122, and then bonded to the support base 42 to complete electrical connection. . Also,
First head chip 121 and second head chip 1
After bonding the FPC wiring 22 to the support base 42,
1, 102 may be adhered to the support base 42, and then the electrical connection between the support-side leads 71, 72, 73, 74 and the chip-side leads 21, 22, 23, 24 may be performed.

【0076】図10は、導電性接着剤でサポート側リー
ド71,72,73,74とチップ側リード21,2
2,23,24との電気的接続した場合のダブルアジマ
ス型薄膜磁気ヘッド組立体の鳥瞰図であるが、図13
は、半田付け後の本発明の第2の実施の形態に係るダブ
ルアジマス型薄膜磁気ヘッド組立体の鳥瞰図である。接
合用凹部221,222に設けられた半田91,92を
誇張して示しているが、半田91,92は、極薄くつけ
ればよい。
FIG. 10 shows support-side leads 71, 72, 73, 74 and chip-side leads 21, 21 with conductive adhesive.
FIG. 13 is a bird's-eye view of the double azimuth-type thin-film magnetic head assembly when electrically connected to 2, 23, and 24;
FIG. 9 is a bird's-eye view of a double azimuth type thin-film magnetic head assembly according to a second embodiment of the present invention after soldering. Although the solders 91 and 92 provided in the joining recesses 221 and 222 are exaggerated, the solders 91 and 92 may be extremely thin.

【0077】[第1の変形例]図14は本発明の第2の
実施の形態の変形例に係る薄膜磁気ヘッド組立体の鳥瞰
図である。この変形例(第1の変形例)の特徴はダブル
アジマス型ヘッドチップの摺動面の形状にある。図10
および13に示すダブルアジマス型ヘッドチップは2つ
の曲率面を有し、第1のチップ基板3と第2のチップ基
板4との界面で曲率が不連続となっているが、図14に
示すダブルアジマス型ヘッドチップは摺動面が単一の曲
率面で構成され、かかる不連続は存在しない。図10お
よび13に示す摺動面形状はH間隔が比較的広い場合に
有効で、図14に示す摺動面形状はH間隔が比較的狭い
とき、たとえばH間隔が1mm以下の場合に有効であ
る。H間隔の大きさにより図10および13又は図14
の摺動面形状を選択することにより、最適な記録媒体
(磁気テープ)との摺動圧力が得られ、信頼性の高い記
録・再生が可能となる。
[First Modification] FIG. 14 is a bird's-eye view of a thin-film magnetic head assembly according to a modification of the second embodiment of the present invention. The feature of this modified example (first modified example) lies in the shape of the sliding surface of the double azimuth type head chip. FIG.
The double azimuth type head chip shown in FIGS. 13 and 13 has two curvature surfaces, and the curvature is discontinuous at the interface between the first chip substrate 3 and the second chip substrate 4, but the double azimuth head chip shown in FIG. In the azimuth type head chip, the sliding surface is constituted by a single curvature surface, and such discontinuity does not exist. The sliding surface shape shown in FIGS. 10 and 13 is effective when the H interval is relatively wide, and the sliding surface shape shown in FIG. 14 is effective when the H interval is relatively narrow, for example, when the H interval is 1 mm or less. is there. 10 and 13 or FIG. 14 depending on the size of the H interval.
By selecting the shape of the sliding surface, an optimal sliding pressure with the recording medium (magnetic tape) can be obtained, and highly reliable recording / reproducing becomes possible.

【0078】[第2の変形例]図15は、本発明の第2
の実施の形態の他の変形例に係る薄膜磁気ヘッド組立体
の鳥瞰図である。図10および13に示した第1の保護
基板1、第2の保護基板6よりも大きな第1の保護基板
1Lと第2の保護基板6Lとを用いている。即ち、第2
の変形例に係る薄膜磁気ヘッド組立体は、第1の保護基
板1Lと、この第1の保護基板1Lに隣接した第1の素
子層7と、この第1の素子層7に隣接した第1のチップ
基板3と、この第1のチップ基板3に隣接した第2のチ
ップ基板4と、この第2のチップ基板4に隣接した第2
の素子層8と、この第2の素子層8に隣接した第2の保
護基板6Lとからなるヘッド・チップが、サポートベー
ス42に貼り付けられて構成している。FPC配線10
1、102の端部が、短冊形に打ち抜かれ、サポートベ
ース42の第1の主表面から浮き上がり、この浮き上が
ったサポート側リード71,72,73,74のそれぞ
れの端部が、第1および第2の素子層に設けられた凹部
に挿入されている点では、図10および13と同様であ
る。
[Second Modification] FIG. 15 shows a second modification of the present invention.
FIG. 21 is a bird's-eye view of a thin-film magnetic head assembly according to another modification of the embodiment. A first protection substrate 1L and a second protection substrate 6L which are larger than the first protection substrate 1 and the second protection substrate 6 shown in FIGS. 10 and 13 are used. That is, the second
The thin film magnetic head assembly according to the modification of the first embodiment includes a first protection substrate 1L, a first element layer 7 adjacent to the first protection substrate 1L, and a first element layer 7 adjacent to the first element layer 7. Chip substrate 3, a second chip substrate 4 adjacent to the first chip substrate 3, and a second chip substrate 4 adjacent to the second chip substrate 4
And a second protection substrate 6L adjacent to the second element layer 8, a head chip is attached to the support base 42. FPC wiring 10
1 and 102 are punched in a strip shape and lifted up from the first main surface of the support base 42. It is the same as FIGS. 10 and 13 in that it is inserted into the recess provided in the second element layer.

【0079】図15に示すような大型の第1の保護基板
1Lと第2の保護基板6Lとを用いることにより、摺動
面積が増大し、ヘッド・チップの摩耗が抑制され、信頼
性の高い記録・再生をすることが可能となる。テープの
張力を増しても、ヘッド・チップの摩耗が抑制されるの
で、ヘッド数が多い回転ヘッド型磁気記録再生装置にお
いて有効な摺動面形状である。従って、安定した記録・
再生が得られる。
By using the large first protection substrate 1L and the second protection substrate 6L as shown in FIG. 15, the sliding area increases, the wear of the head chip is suppressed, and the reliability is high. Recording and reproduction can be performed. Even if the tension of the tape is increased, the wear of the head chip is suppressed, so that the sliding surface shape is effective in a rotary head type magnetic recording / reproducing apparatus having a large number of heads. Therefore, a stable record
Reproduction is obtained.

【0080】[第3の変形例]図16は本発明の第2の
実施の形態のさらに他の変形例に係る薄膜磁気ヘッド組
立体の鳥瞰図である。この変形例(第3の変形例)はダ
ブルアジマス型ヘッドチップの摺動面の形状が、第2の
変形例と異なる。図15に示すダブルアジマス型ヘッド
チップは2つの曲率面を有し、第1のチップ基板3と第
2のチップ基板4との界面で曲率が不連続となっている
が、図16に示すダブルアジマス型ヘッドチップは摺動
面が単一の曲率面で構成され、かかる不連続は存在しな
い。図15に示す摺動面形状はH間隔が比較的広い場合
に有効で、図16に示す摺動面形状はH間隔が比較的狭
いときに有効である。H間隔の大きさにより図15又は
図16の摺動面形状を選択することにより、最適な記録
媒体(磁気テープ)との摺動圧力が得られ、同時に、大
型の第1の保護基板1Lと第2の保護基板6Lとを用い
ているので、摺動面積が増大し、ヘッド・チップの摩耗
が抑制される。従って、更に信頼性の高い記録・再生を
することが可能となる。
[Third Modification] FIG. 16 is a bird's-eye view of a thin-film magnetic head assembly according to still another modification of the second embodiment of the present invention. This modified example (third modified example) differs from the second modified example in the shape of the sliding surface of the double azimuth type head chip. The double azimuth type head chip shown in FIG. 15 has two surfaces of curvature, and the curvature is discontinuous at the interface between the first chip substrate 3 and the second chip substrate 4, but the double azimuth head chip shown in FIG. In the azimuth type head chip, the sliding surface is constituted by a single curvature surface, and such discontinuity does not exist. The sliding surface shape shown in FIG. 15 is effective when the H interval is relatively wide, and the sliding surface shape shown in FIG. 16 is effective when the H interval is relatively narrow. By selecting the sliding surface shape of FIG. 15 or FIG. 16 according to the size of the H interval, an optimal sliding pressure with the recording medium (magnetic tape) can be obtained, and at the same time, the large first protective substrate 1L and Since the second protection substrate 6L is used, the sliding area increases, and wear of the head chip is suppressed. Therefore, it is possible to perform recording and reproduction with higher reliability.

【0081】(第3の実施の形態)図17は本発明の第
3の実施の形態に係るダブルアジマス型薄膜磁気ヘッド
組立体の鳥瞰図である。図17に示す本発明の第3の実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッド組立体は、第1の保護基
板1と、この第1の保護基板1に隣接した第1の素子層
9と、この第1の素子層9に隣接した第1のチップ基板
3と、この第1のチップ基板3に隣接した第2のチップ
基板4と、この第2のチップ基板4に隣接した第2の素
子層10と、この第2の素子層10に隣接した第2の保
護基板6とからなるヘッド・チップが、サポートベース
42に貼り付けられて構成している。第1および第2の
素子層9,10には、図18に示すようなスリット部2
31,232,233,234が設けられている点が本
発明の第2の実施の形態とは異なる。
(Third Embodiment) FIG. 17 is a bird's-eye view of a double azimuth thin film magnetic head assembly according to a third embodiment of the present invention. The thin-film magnetic head assembly according to the third embodiment of the present invention shown in FIG. 17 includes a first protection substrate 1, a first element layer 9 adjacent to the first protection substrate 1, A first chip substrate 3 adjacent to the first element layer 9, a second chip substrate 4 adjacent to the first chip substrate 3, and a second element layer 10 adjacent to the second chip substrate 4. And a second protection substrate 6 adjacent to the second element layer 10, a head chip is attached to a support base 42. The first and second element layers 9 and 10 have slit portions 2 as shown in FIG.
The difference from the second embodiment of the present invention lies in that 31, 32, 233 and 234 are provided.

【0082】図17に示すサポートベース42は第1の
主表面(表面)側から見た図であるが、第1の主表面に
対向する第2の主表面(裏面)側に外部電極端子が設け
られている。そして、第1の主表面から、サポートベー
ス42の側面を介して第2の主表面にFPC配線10
1、102が導かれ、外部電極端子と電気的な接続を取
っている。このFPC配線101、102により、サポ
ート側リード71,72,73,74が形成されてい
る。FPC配線101、102は、本発明の第1の実施
の形態において説明した構造である。即ち、ベースフィ
ルム/Cuメッキ層/Niメッキ層/Auメッキ層の多層構造
からなるフレキシブルな配線である。そして、このFP
C配線101、102の端部は、短冊形に打ち抜かれ、
端部がサポートベース42の第1の主表面から浮き上が
っている。サポートベース42の第1の主表面から浮き
上がったサポート側リード71,72,73,74のそ
れぞれの端部は、第1および第2の素子層9,10に設
けられたスリット部に挿入され、チップ側リード21,
22,23,24(チップ側リード23,24は、図1
8(b)参照)に接続されている。スリット部には、導
電性接着剤が用いられ、サポート側リード71,72,
73,74とチップ側リード21,22,23,24と
が、それぞれ電気的に接続されている。導電性接着剤以
外にも、半田付けや、金(Au)球を用いたボンディングに
よる電気的接続を行っても良い。チップ側リード21,
22,23,24との接続部となる部分以外のFPC配
線101、102は、広いベースフィルムによりサポー
トベース42に接着されている。FPC配線101、1
02のベースフィルムのサポートベース42との接着部
は、ボンドフィルムをベースフィルムの下層に敷いて、
ベースフィルムとサポートベース42とを接着してい
る。第1および第2の素子層に設けられたスリット部に
挿入されたサポート側リード71,72,73,74
も、それぞれベースフィルム/Cuメッキ層/Niメッキ層
/Auメッキ層からなる構造である。サポート側リード7
1,72,73,74の他方の端部は、第2の主表面側
の外部電極端子にFPC配線101、102によって導
かれている。本発明の第3の実施の形態は外部電極端子
は第2の主表面上に設けられているので、サポートベー
ス42のシリンダーに対する取り付け基準面は、第2の
主表面とは反対側の第1の主表面になる。
The support base 42 shown in FIG. 17 is a view as seen from the first main surface (front surface) side. External electrode terminals are provided on the second main surface (rear surface) side opposite to the first main surface. Is provided. Then, the FPC wiring 10 is connected from the first main surface to the second main surface via the side surface of the support base 42.
1, 102 are led and are electrically connected to external electrode terminals. The FPC wirings 101 and 102 form support-side leads 71, 72, 73 and 74. The FPC wirings 101 and 102 have the structure described in the first embodiment of the present invention. That is, it is a flexible wiring having a multilayer structure of a base film / Cu plating layer / Ni plating layer / Au plating layer. And this FP
The ends of the C wirings 101 and 102 are punched in a strip shape,
The end is raised from the first main surface of the support base 42. The respective ends of the support-side leads 71, 72, 73, 74 raised from the first main surface of the support base 42 are inserted into slits provided in the first and second element layers 9, 10, respectively. Chip-side lead 21,
22, 23, 24 (chip-side leads 23, 24 are
8 (b)). A conductive adhesive is used for the slit portion, and the support-side leads 71, 72,
73, 74 and the chip-side leads 21, 22, 23, 24 are electrically connected to each other. In addition to the conductive adhesive, electrical connection may be performed by soldering or bonding using a gold (Au) ball. Chip-side lead 21,
The FPC wirings 101 and 102 other than the portions to be connected to 22, 23 and 24 are bonded to the support base 42 with a wide base film. FPC wiring 101, 1
02, the bonding portion of the base film with the support base 42, the bond film is laid under the base film,
The base film and the support base 42 are bonded. Support-side leads 71, 72, 73, 74 inserted into slits provided in the first and second element layers
Also has a structure composed of a base film / Cu plating layer / Ni plating layer / Au plating layer, respectively. Support side lead 7
The other ends of 1, 72, 73 and 74 are led to external electrode terminals on the second main surface side by FPC wirings 101 and 102. In the third embodiment of the present invention, since the external electrode terminals are provided on the second main surface, the reference mounting surface of the support base 42 with respect to the cylinder is the first reference surface opposite to the second main surface. The main surface of.

【0083】第1の素子層9には図18(a)に示すよ
うに第1の磁気ヘッド素子51が形成されており、第2
の素子層10には図18(b)に示すように第2の磁気
ヘッド素子52が形成されている。第1および第2の磁
気ヘッド素子51,52はそれぞれ、薄膜磁気コアと薄
膜コイル層とを少なくとも有していることは勿論であ
る。図18(a)および(b)に示した記録媒体摺動面
となる端部には、薄膜磁気コアを構成している上部磁極
層と下部磁極層の端部がギャップ層を挟んで露出してい
る。図18(a)に示すように第1の磁気ヘッド素子5
1の薄膜コイル層にはチップ側リード21,22の一方
の端部が接続され、チップ側リードの他方の端部には接
合用スリット部231,232が設けられている。同様
に図18(b)に示すように第2の磁気ヘッド素子52
の薄膜コイル層にはチップ側リード23,24の一方の
端部が接続され、チップ側リードの他方の端部には接合
用スリット部233,234が設けられている。
A first magnetic head element 51 is formed on the first element layer 9 as shown in FIG.
As shown in FIG. 18B, a second magnetic head element 52 is formed on the element layer 10 of FIG. Of course, each of the first and second magnetic head elements 51 and 52 has at least a thin-film magnetic core and a thin-film coil layer. The ends of the upper magnetic pole layer and the lower magnetic pole layer constituting the thin-film magnetic core are exposed at the ends serving as the sliding surfaces of the recording medium shown in FIGS. ing. As shown in FIG. 18A, the first magnetic head element 5
One end of each of the chip-side leads 21 and 22 is connected to one thin-film coil layer, and bonding slits 231 and 232 are provided at the other end of each of the chip-side leads. Similarly, as shown in FIG. 18B, the second magnetic head element 52
One ends of the chip-side leads 23 and 24 are connected to the thin film coil layer, and bonding slits 233 and 234 are provided at the other ends of the chip-side leads.

【0084】本発明の第3の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッド組立体においては第1のチップ基板3と第2のチ
ップ基板4とが対向して配置され、両者が互いに接触し
てダブルアジマス型ヘッドチップを構成する。そして、
図17に示したように、FPC配線101、102の短
冊形に打ち抜かれた部分であるサポート側リード71,
72,73,74の端部のそれぞれに、図18(a)お
よび(b)の接合用スリット部231,232,23
3,234が1対1に対応するように空間的な位置決め
がなされている。したがって図18(a)に示した第1
の素子層9上のチップ側リード21,22、接合用スリ
ット部231,232は、第2の素子層10上のチップ
側リード23,24、接合用スリット部233,234
と互いに鏡像関係となるようにパターニングされてい
る。代表的なチップ側リード21,22,23,24の
線幅は20乃至80μmであり、接合用スリット部23
1,232,233,234の溝幅は、チップ側リード
21,22,23,24の線幅より若干狭い程度にすれ
ばよい。例えば10乃至70μmとすればよい。接合用
スリット部231,232の溝は、第1のチップ基板3
と第1の素子層9とを貫通して設けられ、接合用スリッ
ト部233,234の溝は、第2のチップ基板4と第2
の素子層10とを貫通して設けられている。
In the thin-film magnetic head assembly according to the third embodiment of the present invention, the first chip substrate 3 and the second chip substrate 4 are arranged to face each other, Constituting a die head chip. And
As shown in FIG. 17, the support-side leads 71, which are portions of the FPC wirings 101 and 102 that are punched in a strip shape,
At the ends of 72, 73 and 74, respectively, the joining slits 231, 232 and 23 shown in FIGS.
The spatial positioning is performed so that 3,234 correspond to one-to-one. Therefore, the first signal shown in FIG.
The chip-side leads 21 and 22 and the joining slits 231 and 232 on the element layer 9 of the second element layer are connected to the chip-side leads 23 and 24 and the joining slits 233 and 234 on the second element layer 10.
Are patterned so as to have a mirror image relationship with each other. The typical chip-side leads 21, 22, 23, and 24 have a line width of 20 to 80 μm,
The groove widths of 1, 232, 233, and 234 may be slightly smaller than the line widths of the chip-side leads 21, 22, 23, and 24. For example, the thickness may be 10 to 70 μm. The grooves of the joining slits 231 and 232 are
And the first element layer 9, and the grooves of the joining slit portions 233 and 234 are formed in the second chip substrate 4 and the second chip substrate 4.
Is provided so as to penetrate the element layer 10.

【0085】第1のチップ基板7および第2のチップ基
板8の厚みは所望のH間隔が得られるように選定され
る。容易にわかるように第1のチップ基板3および第2
のチップ基板4の厚みはそれぞれ、H間隔の1/2以下
の寸法に選ぶことが好ましい。代表的なH間隔は0.6
mm乃至0.8mm前後であり、チップ基板の厚みは
0.3mm以下乃至0.4mm以下の寸法に選定され
る。
The thicknesses of the first chip substrate 7 and the second chip substrate 8 are selected so that a desired H interval is obtained. The first chip substrate 3 and the second
It is preferable that the thickness of each of the chip substrates 4 is selected to be not more than の of the H interval. A typical H interval is 0.6
mm to about 0.8 mm, and the thickness of the chip substrate is selected to be 0.3 mm or less to 0.4 mm or less.

【0086】本発明の第3の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッド組立体は、以下のようにすれば製造できる。
The thin-film magnetic head assembly according to the third embodiment of the present invention can be manufactured as follows.

【0087】(イ)まず、図17に示すようなサポート
ベース42をあらかじめ用意する。例えば、所定の金属
板等の導電体又はセラミックス等の非導電体を公知の機
械的加工手段で成形すればよい。さらに、第1の主表面
を研磨等により平坦化する。
(A) First, a support base 42 as shown in FIG. 17 is prepared in advance. For example, a conductor such as a predetermined metal plate or a non-conductor such as ceramics may be formed by known mechanical processing means. Further, the first main surface is flattened by polishing or the like.

【0088】(ロ)FPC配線101、102を、図1
7に示したような所定の形状となるようにプレスで打ち
抜く。そして、厚さ50μm前後のボンドフィルムを用
いて、図17に示すように、サポートベース42上の所
定の位置に接着して、サポート側リード71,72,7
3,74を形成する。この際、短冊形に打ち抜かれたF
PC配線101、102の先端部には、ボンドフィルム
が付かないようにして、先端部を自由にする。
(B) The FPC wirings 101 and 102 are
The sheet is punched by a press so as to have a predetermined shape as shown in FIG. Then, using a bond film having a thickness of about 50 μm, as shown in FIG.
3, 74 are formed. At this time, the F stamped into a strip shape
The tip portions of the PC wirings 101 and 102 are free from the bond film so that the tip portions are free.

【0089】(ハ)一方、非磁性基板等の第1及び第2
のチップ基板3,4を用意する。この第1のチップ基板
3上に第1の素子層9を、第2のチップ基板4上に第2
の素子層10を形成する。即ち、第1及び第2のチップ
基板3,4上に、薄膜コイル層、薄膜磁気コア、チップ
側リード21,22;23,24等を形成して、第1お
よび第2の素子層9,10を形成する。第1および第2
の素子層9,10の形成は、本発明の第1の実施の形態
と同様な、薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術、及
びエッチング技術等の所定のプロセスにより行えばよ
い。例えば、チップ側リード21,22;23,24
は、リフトオフ法を用いて、厚さ0.5乃至3μmの金
(Au)薄膜を真空蒸着してパターニングすればよい。
薄膜コイル層、薄膜磁気コアの上部には酸化膜(SiO
2)、窒化膜(Si34)、ポリイミド膜等の保護膜
(パッシベーション膜)を形成し、必要ならば、化学的
機械研磨(CMP)等により表面を平坦化すればよい。
(C) On the other hand, the first and second substrates such as a non-magnetic substrate
Are prepared. A first element layer 9 is formed on the first chip substrate 3 and a second element layer 9 is formed on the second chip substrate 4.
Is formed. That is, a thin-film coil layer, a thin-film magnetic core, chip-side leads 21, 22, 23, 24, etc. are formed on the first and second chip substrates 3, 4, and the first and second element layers 9, 24 are formed. Form 10. First and second
The element layers 9 and 10 may be formed by a predetermined process such as a thin film forming technique, a photolithography technique, and an etching technique similar to the first embodiment of the present invention. For example, chip-side leads 21, 22;
In this case, a gold (Au) thin film having a thickness of 0.5 to 3 μm may be vacuum-deposited and patterned using a lift-off method.
An oxide film (SiO 2) is formed on the thin film coil layer and the thin film magnetic core.
2 ) A protective film (passivation film) such as a nitride film (Si 3 N 4 ) or a polyimide film is formed, and if necessary, the surface may be planarized by chemical mechanical polishing (CMP) or the like.

【0090】(ニ)次に図18(a)に示すように、第
1の素子層9の上面の一部を第1の保護基板1で覆い、
第1の素子層9と第1の保護基板1とを互いにガラス樹
脂等の接着剤で接着する。この第1のチップ基板3、第
1の素子層9、及び第1の保護基板1からなる多層構造
を切断、研削等の公知の加工手段で成形する。続いて、
外周式のダイヤモンドブレード、ワイヤソー、レーザ加
工、超音波加工、放電加工等のスリット開口手段により
接合用スリット部231,232を開口し、図18
(a)に示すような形状の第1のヘッドチップ131を
完成させる。同様に、第2の素子層10の上面の一部を
第2の保護基板6で覆い、互いにガラス樹脂等で接着す
る。この第2のチップ基板4、第2の素子層10及び第
2の保護基板6からなる多層構造を所定の加工手段で成
形し、更に接合用スリット部233,234を開口し、
図18(b)に示すような形状のヘッドチップ132を
完成させる。
(D) Next, as shown in FIG. 18A, a part of the upper surface of the first element layer 9 is covered with the first protective substrate 1, and
The first element layer 9 and the first protection substrate 1 are bonded to each other with an adhesive such as a glass resin. The multilayer structure including the first chip substrate 3, the first element layer 9, and the first protection substrate 1 is formed by a known processing means such as cutting and grinding. continue,
The joining slit portions 231 and 232 are opened by slit opening means such as an outer peripheral diamond blade, a wire saw, laser processing, ultrasonic processing, electric discharge processing, and the like.
A first head chip 131 having a shape as shown in FIG. Similarly, a part of the upper surface of the second element layer 10 is covered with the second protective substrate 6 and bonded to each other with a glass resin or the like. The multilayer structure including the second chip substrate 4, the second element layer 10, and the second protection substrate 6 is formed by a predetermined processing means, and the joining slit portions 233 and 234 are opened.
A head chip 132 having a shape as shown in FIG. 18B is completed.

【0091】(ホ)FPC配線101、102の短冊形
の端部となるサポート側リード71,72,73,74
の先端部および接合用スリット部231,232,23
3,234の周辺部にも予備ハンダ、もしくは導電性接
着剤の塗布をする。導電性接着剤でサポート側リード7
1,72,73,74とチップ側リード21,22,2
3,24との電気的接続をするのであれば、接合用スリ
ット部231,232,233,234の内部に導電性
接着剤を塗布しておいてもよい。
(E) Support-side leads 71, 72, 73, 74 which are strip-shaped ends of the FPC wirings 101, 102.
Tip and joining slits 231, 232, 23
Preliminary solder or conductive adhesive is also applied to the periphery of 3,234. Support side lead 7 with conductive adhesive
1, 72, 73, 74 and chip-side leads 21, 22, 2
If an electrical connection is made to the bonding slits 3 and 24, a conductive adhesive may be applied to the inside of the joining slits 231, 232, 233 and 234.

【0092】(ヘ)そしてサポート側リード71,72
の端部の位置と接合用スリット部231,232の位置
が合うようにして、第1のヘッドチップ131をサポー
トベース42に瞬間接着剤等の接着手段にて貼り付け
る。同様にサポート側リード73,74の端部の位置と
接合用スリット部233,234の位置が合うようにし
て第2のヘッドチップ132をサポートベース42に貼
り付ける。サポート側リード71,72,73,74の
端部と接合用スリット部231,232,233,23
4との位置合わせのために、適当な合わせマークを用い
ても良い。そしてサポート側リード71,72の端部を
折り曲げて、接合用スリット部231,232に挿入す
る。同様にサポート側リード73,74の端部を折り曲
げて接合用スリット部233,234に挿入する。な
お、先にサポート側リード71,72,73,74の端
部を接合用スリット部231,232,233,234
に、フリーな状態となるようにして、挟み込んで、第1
のヘッドチップ131および第2のヘッドチップ132
をサポートベース42に貼り付けるような手順でも良
い。
(F) And the support-side leads 71, 72
The first head chip 131 is adhered to the support base 42 with an adhesive such as an instant adhesive so that the position of the end of the first head chip 131 and the position of the joining slits 231 and 232 match. Similarly, the second head chip 132 is attached to the support base 42 such that the positions of the ends of the support-side leads 73 and 74 and the positions of the joining slits 233 and 234 match. Ends of the support-side leads 71, 72, 73, 74 and the joining slits 231, 232, 233, 23
For alignment with the position No. 4, an appropriate alignment mark may be used. Then, the ends of the support-side leads 71 and 72 are bent and inserted into the joining slits 231 and 232. Similarly, the ends of the support-side leads 73 and 74 are bent and inserted into the joining slits 233 and 234. First, the ends of the support-side leads 71, 72, 73, 74 are connected to the joining slits 231, 232, 233, 234.
Then, put it in a free state,
Head chip 131 and second head chip 132
May be attached to the support base 42.

【0093】(ト)最後に(ヘ)で貼り合わせた薄膜磁
気ヘッド組立体に熱風を送り、予備ハンダ同士を融合、
もしくは導電性接着剤による接着を行えば、サポート側
リード71,72,73,74とチップ側リード21,
22,23,24の電気的接続が得られ、本発明の第3
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド組立体が完成する。
なお、(へ)の接着剤による貼り付け時に熱風を送り、
(ヘ)の工程と(ト)の工程を同時に行ってもよい。
(G) Finally, hot air is sent to the thin-film magnetic head assembly bonded in (f) to fuse the preliminary solders together.
Alternatively, if bonding with a conductive adhesive is performed, the support-side leads 71, 72, 73, 74 and the chip-side leads 21,
22, 23, and 24 electrical connections are obtained.
The thin film magnetic head assembly according to the embodiment is completed.
In addition, hot air is sent at the time of pasting with the adhesive of (f),
The step (f) and the step (g) may be performed simultaneously.

【0094】以上で本発明の第3の実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッド組立体の製造方法が理解されたであろう
が、この他にも図19に示すように、あらかじめ第1の
ヘッドチップ131と第2のヘッドチップ132とを貼
り合わせてダブルアジマス型ヘッドチップを形成してお
いてから、サポートベース42に貼り付け、電気的な接
続を完成するような製造方法を採用してもよい。また、
第1のヘッドチップ131および第2のヘッドチップ1
32をサポートベース42に接着後、FPC配線10
1、102を、サポートベース42に接着して、その後
サポート側リード71,72,73,74とチップ側リ
ード21,22,23,24との電気的接続を取るよう
な工程順でもよい。
Although the method of manufacturing the thin-film magnetic head assembly according to the third embodiment of the present invention has been understood above, in addition to the first head chip as shown in FIG. A double azimuth-type head chip may be formed by pasting the 131 and the second head chip 132 together, and then pasting to the support base 42 to complete the electrical connection. . Also,
First head chip 131 and second head chip 1
After bonding the FPC wiring 32 to the support base 42, the FPC wiring 10
1, 102 may be adhered to the support base 42, and then the electrical connection between the support-side leads 71, 72, 73, 74 and the chip-side leads 21, 22, 23, 24 may be performed.

【0095】図17は、導電性接着剤でサポート側リー
ド71,72,73,74とチップ側リード21,2
2,23,24との電気的接続した場合のダブルアジマ
ス型薄膜磁気ヘッド組立体の鳥瞰図であるが、図20
は、半田付け後の本発明の第3の実施の形態に係るダブ
ルアジマス型薄膜磁気ヘッド組立体の鳥瞰図である。接
合用スリット部231,232に設けられた半田91,
92を誇張して示しているが、半田91,92は、極薄
くつければよい。
FIG. 17 shows support-side leads 71, 72, 73, 74 and chip-side leads 21, 21 with conductive adhesive.
FIG. 20 is a bird's-eye view of the double azimuth-type thin-film magnetic head assembly when electrically connected to 2, 23 and 24;
FIG. 11 is a bird's-eye view of a double azimuth type thin-film magnetic head assembly according to a third embodiment of the present invention after soldering. Solder 91 provided in joining slit portions 231 and 232,
Although 92 is exaggerated, the solders 91 and 92 may be extremely thin.

【0096】[第1の変形例]図21は本発明の第3の
実施の形態の変形例に係る薄膜磁気ヘッド組立体の鳥瞰
図である。この変形例(第1の変形例)の特徴はダブル
アジマス型ヘッドチップの摺動面の形状にある。図17
および20に示すダブルアジマス型ヘッドチップは2つ
の曲率面を有し、第1のチップ基板3と第2のチップ基
板4との界面で曲率が不連続となっているが、図21に
示すダブルアジマス型ヘッドチップは摺動面が単一の曲
率面で構成され、かかる不連続は存在しない。図17お
よび20に示す摺動面形状はH間隔が比較的広い場合に
有効で、図21に示す摺動面形状はH間隔が比較的狭い
ときに有効である。H間隔の大きさにより図17および
20又は図21の摺動面形状を選択することにより、最
適な磁気テープとの摺動圧力が得られ、信頼性の高い記
録・再生が可能となる。
[First Modification] FIG. 21 is a bird's-eye view of a thin-film magnetic head assembly according to a modification of the third embodiment of the present invention. The feature of this modified example (first modified example) lies in the shape of the sliding surface of the double azimuth type head chip. FIG.
The double azimuth type head chip shown in FIGS. 20 and 21 has two curvature surfaces, and the curvature is discontinuous at the interface between the first chip substrate 3 and the second chip substrate 4, but as shown in FIG. In the azimuth type head chip, the sliding surface is constituted by a single curvature surface, and such discontinuity does not exist. The sliding surface shape shown in FIGS. 17 and 20 is effective when the H interval is relatively wide, and the sliding surface shape shown in FIG. 21 is effective when the H interval is relatively narrow. By selecting the sliding surface shape of FIG. 17 and FIG. 20 or FIG. 21 according to the size of the H interval, an optimal sliding pressure with the magnetic tape can be obtained, and highly reliable recording / reproducing becomes possible.

【0097】[第2の変形例]図22は、本発明の第3
の実施の形態の他の変形例に係る薄膜磁気ヘッド組立体
の鳥瞰図である。図17および20に示した第1の保護
基板1、第2の保護基板6よりも大きな第1の保護基板
1Lと第2の保護基板6Lとを用いている。即ち、第2
の変形例に係る薄膜磁気ヘッド組立体は、第1の保護基
板1Lと、この第1の保護基板1Lに隣接した第1の素
子層9と、この第1の素子層9に隣接した第1のチップ
基板3と、この第1のチップ基板3に隣接した第2のチ
ップ基板4と、この第2のチップ基板4に隣接した第2
の素子層10と、この第2の素子層10に隣接した第2
の保護基板6Lとからなるヘッド・チップが、サポート
ベース42に貼り付けられて構成している。FPC配線
101、102の短冊形の端部がサポートベース42の
第1の主表面から浮き上がり、この浮き上がった短冊形
の端部に位置するサポート側リード71,72,73,
74が、第1および第2の素子層に設けられたスリット
部に挿入されている点では、図17および20と同様で
ある。
[Second Modification] FIG. 22 shows a third modification of the present invention.
FIG. 21 is a bird's-eye view of a thin-film magnetic head assembly according to another modification of the embodiment. A first protection substrate 1L and a second protection substrate 6L that are larger than the first protection substrate 1 and the second protection substrate 6 shown in FIGS. 17 and 20 are used. That is, the second
The thin-film magnetic head assembly according to the modification of (1) includes a first protection substrate 1L, a first element layer 9 adjacent to the first protection substrate 1L, and a first element layer 9 adjacent to the first element layer 9. Chip substrate 3, a second chip substrate 4 adjacent to the first chip substrate 3, and a second chip substrate 4 adjacent to the second chip substrate 4
Element layer 10 and a second element layer 10 adjacent to the second element layer 10.
And a protection substrate 6L are attached to the support base 42. The strip-shaped ends of the FPC wirings 101 and 102 rise from the first main surface of the support base 42, and the support-side leads 71, 72, 73,
74 is similar to FIGS. 17 and 20 in that it is inserted into a slit provided in the first and second element layers.

【0098】図22に示すような大型の第1の保護基板
1Lと第2の保護基板6Lとを用いることにより、摺動
面積が増大し、ヘッド・チップの摩耗が抑制され、信頼
性の高い記録・再生をすることが可能となる。テープの
張力を増しても、ヘッド・チップの摩耗が抑制されるの
で、ヘッド数が多い回転ヘッド型磁気記録再生装置にお
いて有効な摺動面形状である。従って、安定した記録・
再生が得られる。
By using the large first protection substrate 1L and the second protection substrate 6L as shown in FIG. 22, the sliding area increases, the wear of the head chip is suppressed, and the reliability is high. Recording and reproduction can be performed. Even if the tension of the tape is increased, the wear of the head chip is suppressed, so that the sliding surface shape is effective in a rotary head type magnetic recording / reproducing apparatus having a large number of heads. Therefore, a stable record
Reproduction is obtained.

【0099】[第3の変形例]図23は本発明の第3の
実施の形態のさらに他の変形例に係る薄膜磁気ヘッド組
立体の鳥瞰図である。この変形例(第3の変形例)はダ
ブルアジマス型ヘッドチップの摺動面の形状が、第2の
変形例と異なる。図22に示すダブルアジマス型ヘッド
チップは2つの曲率面を有し、第1のチップ基板3と第
2のチップ基板4との界面で曲率が不連続となっている
が、図23に示すダブルアジマス型ヘッドチップは摺動
面が単一の曲率面で構成され、かかる不連続は存在しな
い。図22に示す摺動面形状はH間隔が比較的広い場合
に有効で、図23に示す摺動面形状はH間隔が比較的狭
いときに有効である。H間隔の大きさにより図22又は
図23の摺動面形状を選択することにより、最適な記録
媒体(磁気テープ)との摺動圧力が得られ、同時に、大
型の第1の保護基板1Lと第2の保護基板6Lとを用い
ているので、摺動面積が増大し、ヘッド・チップの摩耗
が抑制される。従って、更に信頼性の高い記録・再生を
することが可能となる。
[Third Modification] FIG. 23 is a bird's-eye view of a thin-film magnetic head assembly according to still another modification of the third embodiment of the present invention. This modified example (third modified example) differs from the second modified example in the shape of the sliding surface of the double azimuth type head chip. The double azimuth type head chip shown in FIG. 22 has two surfaces of curvature, and the curvature is discontinuous at the interface between the first chip substrate 3 and the second chip substrate 4, but the double azimuth head chip shown in FIG. In the azimuth type head chip, the sliding surface is constituted by a single curvature surface, and such discontinuity does not exist. The sliding surface shape shown in FIG. 22 is effective when the H interval is relatively wide, and the sliding surface shape shown in FIG. 23 is effective when the H interval is relatively narrow. By selecting the shape of the sliding surface in FIG. 22 or FIG. 23 according to the size of the H interval, an optimal sliding pressure with the recording medium (magnetic tape) can be obtained. Since the second protection substrate 6L is used, the sliding area increases, and wear of the head chip is suppressed. Therefore, it is possible to perform recording and reproduction with higher reliability.

【0100】(第4の実施の形態)図24は、本発明の
第4の実施の形態に係るシングル型薄膜磁気ヘッド組立
体の鳥瞰図である。図24に示す本発明の第4の実施の
形態に係る薄膜磁気ヘッド組立体は、保護基板301
と、この保護基板301に隣接した素子層302と、こ
の素子層302に隣接したチップ基板303とを少なく
とも有するシングル・ヘッド・チップがサポートベース
42に貼り付けられて構成している。
(Fourth Embodiment) FIG. 24 is a bird's-eye view of a single type thin film magnetic head assembly according to a fourth embodiment of the present invention. The thin-film magnetic head assembly according to the fourth embodiment of the present invention shown in FIG.
A single head chip having at least an element layer 302 adjacent to the protection substrate 301 and a chip substrate 303 adjacent to the element layer 302 is attached to the support base 42.

【0101】図24に示すサポートベース42は第1の
主表面(表面)側から見た図であるが、第1の主表面に
対向する第2の主表面(裏面)側に図示を省略した外部
電極端子が設けられている。そして、第1の主表面か
ら、サポートベース42の側面を介して第2の主表面に
FPC配線101が導かれている。このFPC配線10
1により、サポート側リード71,72が形成されてい
る。FPC配線101、102は、本発明の第1の実施
の形態において説明した構造をしている。即ち、ベース
フィルム/Cuメッキ層/Niメッキ層/Auメッキ層の多層
構造からなるフレキシブルな配線層である。そして、こ
のFPC配線101の端部は、短冊形に打ち抜かれ、サ
ポートベース42の第1の主表面から浮き上がってい
る。サポートベース42の第1の主表面から浮き上がっ
たサポート側リード71,72の端部は、素子層302
に設けられた凹部(接合用凹部)に挿入され、チップ側
リード321,322に接続されている。凹部には、導
電性接着剤が用いられ、サポート側リード71,72と
チップ側リード321,322とが、それぞれ電気的に
接続されている。導電性接着剤以外にも、半田付けや、
金(Au)球を用いたボンディングによる電気的接続を行っ
ても良い。チップ側リード21,22との接続部以外の
FPC配線101は、広いベースフィルムによりサポー
トベース42に接着されている。FPC配線101のベ
ースフィルムのサポートベース42との接着部は、ボン
ドフィルムをベースフィルムの下層に敷いて、ベースフ
ィルムとサポートベース42とを接着している。素子層
302に設けられた凹部に挿入されたサポート側リード
71,72も、それぞれベースフィルム/Cuメッキ層/
Niメッキ層/Auメッキ層からなる構造である。
The support base 42 shown in FIG. 24 is a view as seen from the first main surface (front surface) side, but is not shown on the second main surface (rear surface) side facing the first main surface. External electrode terminals are provided. Then, the FPC wiring 101 is led from the first main surface to the second main surface via the side surface of the support base 42. This FPC wiring 10
1, support-side leads 71 and 72 are formed. The FPC wirings 101 and 102 have the structure described in the first embodiment of the present invention. That is, it is a flexible wiring layer having a multilayer structure of a base film / Cu plating layer / Ni plating layer / Au plating layer. Then, an end of the FPC wiring 101 is punched in a strip shape, and floats from the first main surface of the support base 42. The ends of the support-side leads 71 and 72 raised from the first main surface of the support base 42 are connected to the element layer 302.
Are connected to the chip-side leads 321 and 322. A conductive adhesive is used for the concave portions, and the support-side leads 71 and 72 and the chip-side leads 321 and 322 are electrically connected to each other. In addition to conductive adhesive, soldering,
Electrical connection by bonding using a gold (Au) ball may be performed. The FPC wiring 101 other than the connection portion with the chip-side leads 21 and 22 is bonded to the support base 42 with a wide base film. The bonding portion between the base film and the support base 42 of the FPC wiring 101 is formed by laying a bond film below the base film and bonding the base film and the support base 42 together. The support-side leads 71 and 72 inserted into the recesses provided in the element layer 302 also have a base film / Cu plating layer /
The structure consists of a Ni plating layer / Au plating layer.

【0102】素子層302には図25に示すように磁気
ヘッド素子351が形成されている。磁気ヘッド素子3
51は、薄膜磁気コアと薄膜コイル層とを少なくとも有
していることは勿論である。図25に示した記録媒体摺
動面となる端部には、薄膜磁気コアの一部をなす上部磁
極層と下部磁極層の端部がギャップ層を挟んで露出して
いる。磁気ヘッド素子351の薄膜コイル層にはチップ
側リード321,322の一方の端部が接続され、チッ
プ側リードの他方の端部には接合用凹部331.332
が設けられている。代表的なチップ側リード21,22
の線幅は20乃至80μmであり、接合用凹部331,
332の溝幅は、チップ側リード21,22の線幅より
若干狭い程度にすればよい。例えば10乃至70μmと
すればよい。接合用凹部331,332の溝の高さは、
サポート側リード71,72の線幅より若干広い程度、
例えば0.15乃至0,25mmとすればよい。接合用
凹部331,332の溝の深さは、10乃至100μm
程度でよい。
A magnetic head element 351 is formed on the element layer 302 as shown in FIG. Magnetic head element 3
Of course, 51 has at least a thin-film magnetic core and a thin-film coil layer. The ends of the upper magnetic pole layer and the lower magnetic pole layer, which form part of the thin-film magnetic core, are exposed across the gap layer at the ends serving as the recording medium sliding surface shown in FIG. One end of each of the chip-side leads 321 and 322 is connected to the thin-film coil layer of the magnetic head element 351, and the other end of each of the chip-side leads is connected to a bonding recess 331.332.
Is provided. Representative chip-side leads 21 and 22
Has a line width of 20 to 80 μm,
The groove width of 332 may be slightly smaller than the line width of the chip-side leads 21 and 22. For example, the thickness may be 10 to 70 μm. The height of the grooves of the joining recesses 331 and 332 is
Slightly wider than the line width of the support-side leads 71 and 72,
For example, it may be 0.15 to 0.25 mm. The depth of the grooves of the joining recesses 331 and 332 is 10 to 100 μm
Degree is fine.

【0103】本発明の第4の実施の形態に係るシングル
型薄膜磁気ヘッド組立体の製造方法は、本発明の第2の
実施の形態に係るダブルアジマス型型薄膜磁気ヘッド組
立体の製造方法と基本的に同一であり、その記載を省略
する。
The method for manufacturing a single type thin film magnetic head assembly according to the fourth embodiment of the present invention is similar to the method for manufacturing a double azimuth type thin film magnetic head assembly according to the second embodiment of the present invention. Basically, the description is omitted.

【0104】(第5の実施の形態)図26は本発明の第
5の実施の形態に係るシングル型薄膜磁気ヘッド組立体
の鳥瞰図である。図26に示す本発明の第5の実施の形
態に係る薄膜磁気ヘッド組立体は、保護基板301と、
この保護基板301に隣接した素子層312と、この素
子層312に隣接したチップ基板303とを少なくとも
有するシングル・ヘッド・チップがサポートベース42
に貼り付けられて構成している。素子層312には、図
27に示すようなスリット部241,242が設けられ
ている点が本発明の第4の実施の形態とは異なる。
(Fifth Embodiment) FIG. 26 is a bird's-eye view of a single type thin film magnetic head assembly according to a fifth embodiment of the present invention. The thin-film magnetic head assembly according to the fifth embodiment of the present invention shown in FIG.
A single head chip having at least an element layer 312 adjacent to the protection substrate 301 and a chip substrate 303 adjacent to the element layer 312 is supported by the support base 42.
It is stuck on and configured. The element layer 312 is different from the fourth embodiment of the present invention in that slit portions 241, 242 as shown in FIG. 27 are provided.

【0105】図26に示すサポートベース42は第1の
主表面(表面)側から見た図であるが、第1の主表面に
対向する第2の主表面(裏面)側に外部電極端子が設け
られている。そして、第1の主表面から、サポートベー
ス42の側面を介して第2の主表面にFPC配線101
が導かれ、外部電極端子と電気的な接続を取っている。
このFPC配線101により、サポート側リード71,
72が形成されている。FPC配線101は、本発明の
第1の実施の形態において説明したベースフィルム/Cu
メッキ層/Niメッキ層/Auメッキ層の多層構造からなる
フレキシブルな配線である。そして、このFPC配線1
01の端部は、短冊形に打ち抜かれ、端部がサポートベ
ース42の第1の主表面から浮き上がっている。サポー
トベース42の第1の主表面から浮き上がったサポート
側リード71,72のそれぞれの端部は、素子層312
に設けられたスリット241,242に挿入され、チッ
プ側リード21,22に接続されている。スリット部2
41,242には、導電性接着剤が用いられ、サポート
側リード71,72とチップ側リード321,322と
が、それぞれ電気的に接続されている。導電性接着剤以
外にも、半田付けや、金(Au)球を用いたボンディングに
よる電気的接続を行っても良い。チップ側リード32
1,322との接続部以外のFPC配線101は、チッ
プ側リード321,322より広いベースフィルムによ
りサポートベース42に接着されている。本発明の第3
の実施の形態は外部電極端子は第2の主表面上に設けら
れているので、サポートベース42のシリンダーに対す
る取り付け基準面は、第2の主表面とは反対側の第1の
主表面になる。
The support base 42 shown in FIG. 26 is a view as seen from the first main surface (front surface) side. External electrode terminals are provided on the second main surface (rear surface) side opposite to the first main surface. Is provided. Then, the FPC wiring 101 is connected to the second main surface from the first main surface via the side surface of the support base 42.
And are electrically connected to the external electrode terminals.
With the FPC wiring 101, the support-side leads 71,
72 are formed. The FPC wiring 101 is made of the base film / Cu described in the first embodiment of the present invention.
Flexible wiring with a multilayer structure of plating layer / Ni plating layer / Au plating layer. And this FPC wiring 1
The end of the support base 42 is punched out in a strip shape, and the end is raised from the first main surface of the support base 42. Each of the ends of the support-side leads 71 and 72 raised from the first main surface of the support base 42 is connected to the element layer 312.
Are connected to chip-side leads 21 and 22. Slit part 2
The conductive adhesive is used for 41 and 242, and the support-side leads 71 and 72 and the chip-side leads 321 and 322 are electrically connected to each other. In addition to the conductive adhesive, electrical connection may be performed by soldering or bonding using a gold (Au) ball. Chip side lead 32
The FPC wiring 101 other than the connection portion with the first and second terminals 322 is bonded to the support base 42 with a base film wider than the chip-side leads 321 and 322. Third of the present invention
In this embodiment, since the external electrode terminals are provided on the second main surface, the reference mounting surface of the support base 42 with respect to the cylinder is the first main surface opposite to the second main surface. .

【0106】素子層312には図26に示すように磁気
ヘッド素子351が形成されている。磁気ヘッド素子3
51は、薄膜磁気コアと薄膜コイル層とを少なくとも有
していることは勿論である。図26に示すように、記録
媒体摺動面となる端部には、薄膜磁気コアを構成してい
る上部磁極層と下部磁極層の端部がギャップ層を挟んで
露出している。磁気ヘッド素子351の薄膜コイル層に
はチップ側リード321,322の一方の端部が接続さ
れ、チップ側リードの他方の端部には接合用スリット部
241,242が設けられている。代表的なチップ側リ
ード321,322の線幅は20乃至80μmであり、
接合用スリット部241,242の溝幅は、チップ側リ
ード321,322の線幅より若干狭い程度にすればよ
い。例えば10乃至70μmとすればよい。接合用スリ
ット部241,242の溝は、チップ基板303と素子
層312とを貫通して設けられている。
A magnetic head element 351 is formed on the element layer 312 as shown in FIG. Magnetic head element 3
Of course, 51 has at least a thin-film magnetic core and a thin-film coil layer. As shown in FIG. 26, the ends of the upper magnetic pole layer and the lower magnetic pole layer constituting the thin-film magnetic core are exposed with the gap layer interposed therebetween at the end serving as the recording medium sliding surface. One ends of the chip-side leads 321 and 322 are connected to the thin-film coil layer of the magnetic head element 351, and bonding slits 241 and 242 are provided at the other ends of the chip-side leads. Typical chip-side leads 321 and 322 have a line width of 20 to 80 μm,
The groove width of the joining slits 241 and 242 may be slightly smaller than the line width of the chip-side leads 321 and 322. For example, the thickness may be 10 to 70 μm. The grooves of the joining slits 241 and 242 are provided to penetrate the chip substrate 303 and the element layer 312.

【0107】本発明の第5の実施の形態に係るシングル
型薄膜磁気ヘッド組立体の製造方法は、本発明の第3の
実施の形態に係るダブルアジマス型型薄膜磁気ヘッド組
立体の製造方法と基本的に同一であり、その記載を省略
する。
The method for manufacturing a single type thin film magnetic head assembly according to the fifth embodiment of the present invention is similar to the method for manufacturing a double azimuth type thin film magnetic head assembly according to the third embodiment of the present invention. Basically, the description is omitted.

【0108】[0108]

【発明の効果】本発明によれば、ダブルアジマス型薄膜
磁気ヘッド組立体を構成する第1及び第2の磁気ヘッド
素子は、機械的強度の高い第1及び第2の保護基板によ
り保護されている。即ち、第1及び第2磁気ヘッド素子
は、外部に露出していないので、第1及び第2の磁気ヘ
ッド素子の剥離が防止される。
According to the present invention, the first and second magnetic head elements constituting the double azimuth type thin film magnetic head assembly are protected by the first and second protective substrates having high mechanical strength. I have. That is, since the first and second magnetic head elements are not exposed to the outside, peeling of the first and second magnetic head elements is prevented.

【0109】また、本発明によれば、第1の素子層及び
第2の素子層の間に、第1及び第2のチップ基板がある
ので、ヘッド走行中におけるゴミ付きや目づまりが防止
され、安定且つ信頼性の高い記録・再生が可能となる。
Further, according to the present invention, since the first and second chip substrates are provided between the first element layer and the second element layer, dust and clogging during running of the head are prevented. Stable and highly reliable recording / reproduction becomes possible.

【0110】更に、本発明によれば、第1の素子層及び
第2の素子層の間に、第1及び第2のチップ基板があ
り、摺動面積が大きくなり、ヘッド摩耗が少なく長寿命
である。
Further, according to the present invention, the first and second chip substrates are provided between the first element layer and the second element layer, the sliding area is increased, the head wear is small, and the life is long. It is.

【0111】更に、本発明によれば、第1及び第2のチ
ップ基板の厚みでH間隔を決めることができるので、ダ
ブルアジマス型薄膜磁気ヘッド組立体の組立作業が容易
になり、H間隔が高精度になる。
Further, according to the present invention, since the H interval can be determined by the thickness of the first and second chip substrates, the assembling work of the double azimuth type thin film magnetic head assembly is facilitated, and the H interval is reduced. High accuracy.

【0112】更に、本発明によれば、ヘッドチップをサ
ポートベースに貼り付ける作業時に、作業の障害になる
ようなものがヘッドチップにぶらぶらと付いていないの
で、ダブルアジマス型薄膜磁気ヘッド組立体およびシン
グル型薄膜磁気ヘッド組立体の組立作業におけるヘッド
チップの貼り付けがしやすく、貼り付け精度が高くな
る。
Furthermore, according to the present invention, when attaching the head chip to the support base, there is no object that hinders the work, and therefore, the double azimuth type thin film magnetic head assembly and The head chip can be easily attached in the assembling work of the single-type thin-film magnetic head assembly, and the attaching accuracy is increased.

【0113】また、サポート側リードをFPC配線で構
成すれば、サポートベースは導電体、非導電体のいずれ
でもかまわない。FPC配線のベースフィルムにより、
サポート側リードとサポートベースとの間は電気的に絶
縁されるからである。したがって、本発明によればダブ
ルアジマス型薄膜磁気ヘッド組立体およびシングル型薄
膜磁気ヘッド組立体の設計が容易になる。
When the support-side leads are formed by FPC wiring, the support base may be either a conductor or a non-conductor. By the base film of FPC wiring,
This is because the support-side lead and the support base are electrically insulated. Therefore, according to the present invention, the design of the double azimuth type thin film magnetic head assembly and the single type thin film magnetic head assembly becomes easy.

【0114】特に、素子層に、接合用凹部や、接合用ス
リット部を設けておけば、ダブルアジマス型薄膜磁気ヘ
ッド組立体およびシングル型薄膜磁気ヘッド組立体の、
サポート側リードとチップ側リードとの電気的接続が、
容易且つ確実になる。
In particular, if a bonding concave portion and a bonding slit portion are provided in the element layer, the double azimuth type thin film magnetic head assembly and the single type thin film magnetic head assembly can be used.
The electrical connection between the support lead and the chip lead
Easy and secure.

【0115】更に、本発明によれば、ワイヤーの断線に
よる不良等が発生しないので、製造歩留まりが高く、量
産性に優れたダブルアジマス型薄膜磁気ヘッド組立体お
よびシングル型薄膜磁気ヘッド組立体を提供することが
できる。
Further, according to the present invention, there is provided a double azimuth type thin film magnetic head assembly and a single type thin film magnetic head assembly which have a high production yield and are excellent in mass productivity, since defects such as wire breakage do not occur. can do.

【0116】特に、接合用凹部や、接合用スリット部に
導電性接着剤を用いることが出来るので、サポート側リ
ードとチップ側リードとの電気的接続が、容易となり、
大量生産に適し、製造単価が安くなる。
In particular, since a conductive adhesive can be used for the joint concave portion and the joint slit portion, electrical connection between the support-side lead and the chip-side lead becomes easy,
Suitable for mass production and low production cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係るダブルアジマ
ス型薄膜磁気ヘッド組立体の鳥瞰図である。
FIG. 1 is a bird's eye view of a double azimuth type thin film magnetic head assembly according to a first embodiment of the present invention.

【図2】FPC配線の構造を示す模式的な断面図であ
る。
FIG. 2 is a schematic sectional view showing a structure of an FPC wiring.

【図3】本発明の第1の実施の形態に係るヘッドチップ
の鳥瞰図である。
FIG. 3 is a bird's-eye view of the head chip according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第1の実施の形態に係るダブルアジマ
ス型ヘッドチップの鳥瞰図である。
FIG. 4 is a bird's-eye view of the double azimuth-type head chip according to the first embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第1の実施の形態の変形例(第1の変
形例)に係るダブルアジマス型薄膜磁気ヘッド組立体の
鳥瞰図である。
FIG. 5 is a bird's-eye view of a double azimuth type thin-film magnetic head assembly according to a modification (first modification) of the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第1の実施の形態の他の変形例(第2
の変形例)に係るダブルアジマス型薄膜磁気ヘッド組立
体の鳥瞰図である。
FIG. 6 shows another modification (second embodiment) of the first embodiment of the present invention.
FIG. 21 is a bird's-eye view of a double azimuth-type thin-film magnetic head assembly according to a modified example of FIG.

【図7】本発明の第1の実施の形態の更に他の変形例
(第3の変形例)に係るダブルアジマス型薄膜磁気ヘッ
ド組立体の鳥瞰図である。
FIG. 7 is a bird's-eye view of a double azimuth type thin-film magnetic head assembly according to yet another modification (third modification) of the first embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第1の実施の形態の更に他の変形例
(第4の変形例)に係るダブルアジマス型薄膜磁気ヘッ
ド組立体の鳥瞰図である。
FIG. 8 is a bird's-eye view of a double azimuth type thin-film magnetic head assembly according to yet another modification (fourth modification) of the first embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第1の実施の形態の更に他の変形例
(第5の変形例)に係るダブルアジマス型薄膜磁気ヘッ
ド組立体の鳥瞰図である。
FIG. 9 is a bird's-eye view of a double azimuth type thin-film magnetic head assembly according to yet another modification (fifth modification) of the first embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第2の実施の形態に係るダブルアジ
マス型薄膜磁気ヘッド組立体の鳥瞰図である。
FIG. 10 is a bird's-eye view of a double azimuth type thin-film magnetic head assembly according to a second embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第2の実施の形態に係るヘッドチッ
プの鳥瞰図である。
FIG. 11 is a bird's-eye view of a head chip according to a second embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第2の実施の形態に係るダブルアジ
マス型ヘッドチップの鳥瞰図である。
FIG. 12 is a bird's-eye view of a double azimuth-type head chip according to a second embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第2の実施の形態に係るダブルアジ
マス型薄膜磁気ヘッド組立体における半田接続を模式的
に説明するための鳥瞰図である。
FIG. 13 is a bird's-eye view for schematically explaining a solder connection in the double azimuth type thin-film magnetic head assembly according to the second embodiment of the present invention.

【図14】本発明の第2の実施の形態の変形例(第1の
変形例)に係るダブルアジマス型薄膜磁気ヘッド組立体
の鳥瞰図である。
FIG. 14 is a bird's-eye view of a double azimuth type thin-film magnetic head assembly according to a modification (first modification) of the second embodiment of the present invention.

【図15】本発明の第2の実施の形態の他の変形例(第
2の変形例)に係るダブルアジマス型薄膜磁気ヘッド組
立体の鳥瞰図である。
FIG. 15 is a bird's-eye view of a double azimuth type thin-film magnetic head assembly according to another modification (second modification) of the second embodiment of the present invention.

【図16】本発明の第2の実施の形態の更に他の変形例
(第3の変形例)に係るダブルアジマス型薄膜磁気ヘッ
ド組立体の鳥瞰図である。
FIG. 16 is a bird's-eye view of a double azimuth-type thin-film magnetic head assembly according to still another modification (third modification) of the second embodiment of the present invention.

【図17】本発明の第3の実施の形態に係るダブルアジ
マス型薄膜磁気ヘッド組立体の鳥瞰図である。
FIG. 17 is a bird's-eye view of a double azimuth type thin-film magnetic head assembly according to a third embodiment of the present invention.

【図18】本発明の第3の実施の形態に係るヘッドチッ
プの鳥瞰図である。
FIG. 18 is a bird's-eye view of a head chip according to a third embodiment of the present invention.

【図19】本発明の第3の実施の形態に係るダブルアジ
マス型ヘッドチップの鳥瞰図である。
FIG. 19 is a bird's-eye view of a double azimuth-type head chip according to a third embodiment of the present invention.

【図20】本発明の第3の実施の形態に係るダブルアジ
マス型薄膜磁気ヘッド組立体における半田接続を模式的
に説明するための鳥瞰図である。
FIG. 20 is a bird's-eye view for schematically explaining a solder connection in a double azimuth type thin-film magnetic head assembly according to a third embodiment of the present invention.

【図21】本発明の第3の実施の形態の変形例(第1の
変形例)に係るダブルアジマス型薄膜磁気ヘッド組立体
の鳥瞰図である。
FIG. 21 is a bird's-eye view of a double azimuth type thin-film magnetic head assembly according to a modification (first modification) of the third embodiment of the present invention.

【図22】本発明の第3の実施の形態の他の変形例(第
2の変形例)に係るダブルアジマス型薄膜磁気ヘッド組
立体の鳥瞰図である。
FIG. 22 is a bird's-eye view of a double azimuth-type thin-film magnetic head assembly according to another modification (second modification) of the third embodiment of the present invention.

【図23】本発明の第2の実施の形態の更に他の変形例
(第3の変形例)に係るダブルアジマス型薄膜磁気ヘッ
ド組立体の鳥瞰図である。
FIG. 23 is a bird's-eye view of a double azimuth-type thin-film magnetic head assembly according to still another modification (third modification) of the second embodiment of the present invention.

【図24】本発明の第4の実施の形態に係るシングル型
薄膜磁気ヘッド組立体の鳥瞰図である。
FIG. 24 is a bird's-eye view of a single type thin-film magnetic head assembly according to a fourth embodiment of the present invention.

【図25】本発明の第4の実施の形態に係るシングル型
ヘッドチップの鳥瞰図である。
FIG. 25 is a bird's-eye view of a single type head chip according to a fourth embodiment of the present invention.

【図26】本発明の第5の実施の形態に係るシングル型
薄膜磁気ヘッド組立体の鳥瞰図である。
FIG. 26 is a bird's-eye view of a single-type thin-film magnetic head assembly according to a fifth embodiment of the present invention.

【図27】本発明の第5の実施の形態に係るシングル型
ヘッドチップの鳥瞰図である。
FIG. 27 is a bird's-eye view of a single type head chip according to a fifth embodiment of the present invention.

【図28】従来の薄膜磁気ヘッド組立体をシリンダーに
取り付けた状態を説明する図である。
FIG. 28 is a diagram illustrating a state in which a conventional thin-film magnetic head assembly is mounted on a cylinder.

【図29】従来の薄膜磁気ヘッド組立体の概略を説明す
る図である。
FIG. 29 is a view schematically illustrating a conventional thin-film magnetic head assembly.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1… 第1の保護基板 2,7,9… 第1の素子層 3… 第2のチップ基板 4… 第2のチップ基板 5,8,10… 第2の素子層 6… 第2の保護基板 11… ベースフィルム 12,13… Cuメッキ層 14,15… Niメッキ層 16,17… Auメッキ層 21,22,23,24,321,322… チップ側
リード 31,32,33,34,431,432… パッドパ
ターン 35,36,37,38… 外部電極端子 40… シリンダー 41,42… サポートベース 48… ネジ穴 49… 切り欠き部 51,421… 第1の磁気ヘッド素子 52… 第2の磁気ヘッド素子 57… 雌ネジ 58… 雄ネジ 61,62,63,64… ワイヤー 65,66,68,69… ケーブル 70… 穴 71,72,73,74… サポート側リード(FPC
配線) 78… 多芯導線 81,82,83,84,85,86,87,88…
サポート側リード(メッキ配線) 91,92… 半田 101,102… FPC配線 111,121,131,412… 第1のヘッドチッ
プ 112,122,132,413… 第2のヘッドチッ
プ 221,222,223,224,331,332…
接続用凹部 231,232,233,234,241,242…
接続用スリット 301… 保護基板 302,312… 素子層 303… チップ基板 351… 磁気ヘッド素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... 1st protective substrate 2, 7, 9 ... 1st element layer 3 ... 2nd chip substrate 4 ... 2nd chip substrate 5, 8, 10 ... 2nd element layer 6 ... 2nd protective substrate 11 Base film 12, 13 Cu plating layer 14, 15 Ni plating layer 16, 17 Au plating layer 21, 22, 23, 24, 321, 322 Chip side leads 31, 32, 33, 34, 431, 432 pad patterns 35, 36, 37, 38 external electrode terminals 40 cylinders 41, 42 support base 48 screw holes 49 cutouts 51, 421 first magnetic head element 52 second magnetic head Element 57 Female screw 58 Male screw 61, 62, 63, 64 Wire 65, 66, 68, 69 Cable 70 Hole 71, 72, 73, 74 Support lead (FPC)
Wiring) 78 Multi-conductor wire 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88 ...
Support-side leads (plating wiring) 91, 92 Solder 101, 102 FPC wiring 111, 121, 131, 412 First head chip 112, 122, 132, 413 Second head chip 221, 222, 223 224, 331, 332 ...
Connection recesses 231,232,233,234,241,242 ...
Connection slit 301 Protection substrate 302, 312 Element layer 303 Chip substrate 351 Magnetic head element

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の保護基板と、該第1の保護基板に
隣接した第1の素子層と、該第1の素子層に隣接した第
1のチップ基板と、該第1のチップ基板に隣接した第2
のチップ基板と、該第2のチップ基板に隣接した第2の
素子層と、該第2の素子層に隣接した第2の保護基板と
から少なくとも構成されたことを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドチップ。
1. A first protection substrate, a first element layer adjacent to the first protection substrate, a first chip substrate adjacent to the first element layer, and the first chip substrate Second adjacent to
A thin film magnetic head chip comprising at least a chip substrate, a second element layer adjacent to the second chip substrate, and a second protection substrate adjacent to the second element layer. .
【請求項2】 第1の保護基板と、該第1の保護基板に
隣接した第1の素子層と、該第1の素子層に隣接した第
1のチップ基板と、該第1のチップ基板に隣接した第2
のチップ基板と、該第2のチップ基板に隣接した第2の
素子層と、該第2の素子層に隣接した第2の保護基板と
から少なくともなるヘッドチップと、 該ヘッドチップを搭載するサポートベースとから少なく
とも構成されたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド組立
体。
2. A first protection substrate, a first element layer adjacent to the first protection substrate, a first chip substrate adjacent to the first element layer, and the first chip substrate Second adjacent to
A head chip comprising at least a chip substrate, a second element layer adjacent to the second chip substrate, and a second protection substrate adjacent to the second element layer; and a support for mounting the head chip. A thin film magnetic head assembly comprising at least a base.
【請求項3】 前記サポートベースの表面にフレキシブ
ルな金属薄膜からなるサポート側リードパターンが形成
され、前記第1および第2の素子層の表面にそれぞれチ
ップ側リードパターンが形成され、該サポート側リード
パターンと該チップ側リードパターンの端部が互いに接
触し電気的接続をしていることを特徴とする請求項2記
載の薄膜磁気ヘッド組立体。
3. A support-side lead pattern made of a flexible metal thin film is formed on the surface of the support base, and a chip-side lead pattern is formed on the surface of the first and second element layers, respectively. 3. The thin-film magnetic head assembly according to claim 2, wherein the pattern and the end of the chip-side lead pattern are in contact with each other and are electrically connected.
【請求項4】 前記チップ側リードパターンの端部に、
凹部もしくはスリット部が設けられ、該凹部もしくはス
リット部に前記サポート側リードパターンの端部が挿着
されていることを特徴とする請求項2又は3に記載の薄
膜磁気ヘッド組立体。
4. An end of the chip-side lead pattern,
4. The thin-film magnetic head assembly according to claim 2, wherein a concave portion or a slit portion is provided, and an end of the support-side lead pattern is inserted into the concave portion or the slit portion.
【請求項5】 チップ側リードパターン及び該チップ側
リードパターンの端部に設けられた凹部もしくはスリッ
ト部を有するヘッドチップと、 フレキシブルな金属薄膜からなるサポート側リードパタ
ーンを有するサポートベースとから少なくとも構成さ
れ、前記凹部もしくはスリット部に前記サポート側リー
ドパターンの端部が挿着されていることを特徴とする薄
膜磁気ヘッド組立体。
5. A head chip having a chip-side lead pattern, a recess or a slit provided at an end of the chip-side lead pattern, and a support base having a support-side lead pattern made of a flexible metal thin film And an end of said support-side lead pattern is inserted into said recess or slit.
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