JPH11212118A

JPH11212118A - アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH11212118A
Application number: JP1375298A
Authority: JP
Inventors: Hisafumi Saito; 尚史斉藤
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1998-01-27
Filing date: 1998-01-27
Publication date: 1999-08-06

Abstract

(57)【要約】【課題】明るく高コントラストを有するアクティブマ
トリクス型液晶表示装置およびその製造方法を提供す
る。【解決手段】基板１上にベースコート膜２、活性層
３、ゲート絶縁膜４、ゲート電極５を所定の形状に形成
する。活性層３にはソース領域およびドレイン領域６と
チャネル領域７とを形成する。その後、全面に層間絶縁
膜８を形成し、コンタクトホール９を開口して、ソース
電極１０およびドレイン電極１１を形成する。この後、
全面に平坦化膜１２を形成し、コンタクトホール１３を
開口する。続いて、平坦化膜１２の画素電極１５が形成
されていない領域をエッチングにより掘り下げ、凹部１
６を形成する。次に、全面に黒色の樹脂を塗布し、コン
タクトホール１３および凹部１６を黒色の樹脂で埋め
る。そして、全面をエッチバックして画素電極１５の表
面を露出させることで、ＴＦＴ上に遮光膜１８を形成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴと称する）等のスイッチング素子を用い
たアクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造
方法に関するものであり、特に画素用スイッチング素子
と画素用スイッチング素子を駆動するための駆動回路と
を同一基板上に形成したドライバ一体型のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置およびその製造方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】近年、薄型で軽量、かつ低消費電力であ
る利点を有するディスプレイとして液晶表示装置が注目
を集めている。中でも、各画素毎にＴＦＴ等のスイッチ
ング素子を設け、各画素を制御するようにしたアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置は、解像度に優れ、鮮明な
画像が得られる等の理由から特に注目されている。

【０００３】従来のスイッチング素子としては、非晶質
シリコン薄膜を用いたＴＦＴが知られており、このＴＦ
Ｔを搭載したアクティブマトリクス型液晶表示装置が数
多く商品化されている。

【０００４】現在、この非晶質シリコン薄膜を用いたＴ
ＦＴに代わるスイッチング素子として、画素電極を駆動
させるための画素用ＴＦＴと、その画素用ＴＦＴを駆動
させるための駆動回路とを、一つの基板上に一体形成す
ることができる可能性が有る多結晶シリコン薄膜を用い
たＴＦＴを形成する技術に大きな期待が寄せられてい
る。

【０００５】多結晶シリコン薄膜は、従来のＴＦＴに用
いられている非晶質シリコン薄膜に比べて高移動度を有
しており、高性能なＴＦＴを形成することが可能であ
る。画素用ＴＦＴを駆動させるための駆動回路を一つの
安価なガラス基板上に一体形成することが実現される
と、従来に比べ、製造コストが大幅に低減されることに
なる。

【０００６】このような多結晶シリコンＴＦＴの活性層
となる多結晶シリコン薄膜をガラス基板上に作製する技
術としては、ガラス基板上に非晶質シリコン薄膜を堆積
した後、６００℃程度の温度で数時間〜数十時間熱処理
して結晶化させる固相成長法、エキシマレーザー等のパ
ルスレーザー光を照射して、その部分の非晶質シリコン
薄膜を瞬時に熔融させて再結晶化させるレーザー結晶化
法等の方法が提案されている。

【０００７】このアクティブマトリクス型液晶表示装置
には、画素電極にＩＴＯ等の透明導電性薄膜を用いた透
過型液晶表示装置と、画素電極に金属膜等からなる反射
電極を用いた反射型液晶表示装置とが有る。

【０００８】本来、液晶表示装置は自発光型のディスプ
レイではないため、透過型液晶表示装置の場合には、液
晶表示装置の背後に照明装置、所謂バックライトを配置
して、そこから入射される光によって表示を行ってい
る。また、反射型液晶表示装置の場合には、外部からの
入射光を反射電極によって反射させることで表示を行っ
ている。

【０００９】反射型液晶表示装置は、バックライトを使
用しないため、消費電力は極めて小さいが、使用環境ま
たは使用条件、即ち周囲の明るさ等によって表示の明る
さおよびコントラストが左右されてしまうという問題を
有している。一方、透過型液晶表示装置の場合は、前述
のようにバックライトを用いて表示を行うため、消費電
力は大きくなるものの、周囲の明るさ等にさほど影響さ
れることなく、明るく、高いコントラストを有する表示
を行える利点がある。

【００１０】ところで、前述のようなＩＴＯ等の透明導
電性薄膜または金属膜等からなる画素電極は、ＴＦＴの
ドレイン電極に接続され、隣接するゲート配線およびソ
ース配線と短絡しないように、これらと一定の間隔を有
するように形成される。

【００１１】近年では、画素電極の有効面積を拡大する
ために、図１１に示すように、ＴＦＴ５１上を含む基板
５２全面に、ポリイミド樹脂またはアクリル樹脂からな
る平坦化膜５３を形成し、平坦化膜５３に開口したコン
タクトホール５４を介して、ＴＦＴ５１のドレイン電極
５５と平坦化膜５３上に形成された画素電極５６とを接
続する保護膜上画素電極構造（以下、ピクセル・オン・
パッシ構造と呼ぶ）が提案されている。尚、図１１にお
いて、５７はソース電極を示している。

【００１２】この方法によると、画素電極５６は平坦化
膜５３によってゲート配線およびソース配線と絶縁され
ることになるため、画素電極５６の端部をゲート配線お
よびソース配線の上方に配置することが可能となり、画
素電極５６の有効面積、即ち開口率を拡大することがで
きるようになる。また、平坦化膜５３は、ＴＦＴ５１、
ゲート配線およびソース配線に起因する段差を容易に平
坦化することができるため、液晶層５８の配向の乱れを
極めて少なくする効果を有している。

【００１３】しかしながら、前述の方法では、ＴＦＴ５
１、ゲート配線およびソース配線に起因する段差を平坦
にするために、平坦化膜５３を１μｍ以上、例えば２〜
４μｍの厚みに形成する必要がある。そのため、画素電
極５６とドレイン電極５５とを接続するために開口する
コンタクトホール５４による段差が大きなものとなり、
画素電極５６とドレイン電極５５との接続が良好に行わ
れないことがある。また、平坦化膜５３を形成すること
によってＴＦＴ５１、ゲート配線およびソース配線に起
因する段差は低減されるものの、コンタクトホール５４
に起因する段差が画素電極５６の表面にも反映され、画
素電極５６の一部の領域に大きな段差が生じて液晶層５
８の配向の乱れが発生し、表示品位の低下を引き起こす
ことになる。

【００１４】そこで、図１２に示すように、例えば特公
平１−３５３５１号公報または特開平４−２２０６２５
号公報に開示されているような、コンタクトホール５４
部分に平坦化膜５３の表面とほぼ同じ高さとなるよう
に、金属等の導電体５９を設ける方法が提案されてい
る。

【００１５】これを製造する方法は、ドレイン電極５５
上に金属等からなる導電体５９を形成し、ＴＦＴ５１等
の段差を平坦化する平坦化膜５３を形成した後、導電体
５９の表面が露出するように平坦化膜５３をエッチング
して、画素電極５６を接続する方法がある。尚、図１２
において、５２は基板、５７はソース電極を示してい
る。

【００１６】一方、ピクセル・オン・パッシ構造のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置によると、画素電極が
ゲート配線およびソース配線の上に重なるように形成さ
れるため、ゲート配線およびソース配線がブラックマト
リクスを兼ねることになり、画素電極とゲート配線およ
びソース配線との間隙を遮光するためのブラックマトリ
クスを対向基板側に配置する必要がなくなる。つまり、
ピクセル・オン・パッシ構造のアクティブマトリクス型
液晶表示装置では、ブラックマトリクスはＴＦＴの上方
のごく一部に設けるだけでよく、開口率を極めて高くす
ることが可能なのである。ＴＦＴ上のブラックマトリク
スは、ＴＦＴに不要な光が入射しないようにしてＴＦＴ
の特性を安定させるという目的も有している。

【００１７】図１３に示すように、近年ではこうしたピ
クセル・オン・パッシ構造の特徴を活かし、ＴＦＴ５１
上に直接ブラックマトリクス６０を形成して、対向基板
側にはブラックマトリクスを設けない方式も考えられて
いる。尚、図１３において、５２は基板、５３は平坦化
膜、５４はコンタクトホール、５５はドレイン電極、５
６は画素電極、５７はソース電極を示している。

【００１８】このような技術は、例えば特開平１−６８
７２９号公報、特開平４−２５３０２８号公報または特
開平８−１２２７６１号公報等に開示されている。特開
平１−６８７２９号公報には、ＴＦＴ上に樹脂等からな
る遮光膜を形成することが提案されており、特開平４−
２５３０２８号公報には、ＴＦＴ上の樹脂絶縁膜を着色
することによって遮光膜にすることが提案されている。
そして、特開平８−１２２７６１号公報には、反射電極
を形成した後、黒色樹脂を塗布し、反射電極の表面が露
出するまで黒色樹脂を研磨することによって遮光膜を形
成することが提案されている。これらの方法によると、
対向基板側にブラックマトリクスを設ける必要がなくな
る。

【００１９】また、画素用ＴＦＴと、それを駆動させる
ための駆動回路とを、一つの基板上に一体形成するドラ
イバモノリシック型液晶表示装置の場合には、駆動回路
を構成するＴＦＴの特性を安定させるために、画素用Ｔ
ＦＴと同様に遮光膜を設けることが知られている。この
ような技術は、例えば特開平５−１２７１９０号公報、
特開平８−２２０１６号公報または特許第２５８０６１
７号公報等に開示されている。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】前述したように、基板
表面の形状は、液晶層の配向に乱れを生じさせる大きな
要因となっている。基板表面に凹凸が存在すると、その
部分で液晶層の配向に乱れが生じることになるのであ
る。

【００２１】最近では、前述したピクセル・オン・パッ
シ構造によって、ＴＦＴ、ゲート配線およびソース配線
による段差が緩和され、平坦化膜が形成された時点では
基板表面には殆ど凹凸が存在しない。しかし、画素電極
の膜厚分の段差、および画素電極とドレイン電極とを接
続するためのコンタクトホールによる窪みが形成され
る。画素電極の膜厚分の段差はせいぜい数千Å程度であ
るが、コンタクトホールによる窪みは数μｍであり、画
素電極の膜厚分の段差とは比較にならない程のものであ
る。

【００２２】また、ドレイン電極と画素電極との接続を
良好なものとするためには、コンタクトホールをテーパ
ー形状に加工すればよいが、ＴＦＴの微細化に伴い、コ
ンタクトホールの寸法も微細化していることから、極端
なテーパー形状加工が行えない状況にある。つまり、テ
ーパー形状に加工するとコンタクトホールの寸法が大き
くなってしまうのである。コンタクトホールの寸法が大
きくなると、前述のようにコンタクトホールの窪みが画
素電極の表面にも反映され、画素電極の一部の領域に大
きな段差が生じて液晶層の配向の乱れが発生し、表示品
位の低下を引き起こすことになる。特に、画素電極のサ
イズが微細な場合には影響が顕著となる。

【００２３】例えば、画素電極のサイズが２５μｍ×２
５μｍであり、コンタクトホールの寸法が５μｍ×５μ
ｍであったとすると、コンタクトホールが画素電極に占
める割合は４％である。コンタクトホールの開口工程で
は、エッチングによる寸法シフトが発生しやすく、完成
時にコンタクトホールの寸法が１０μｍ×１０μｍであ
ったとすると、コンタクトホールが画素電極に占める割
合は１６％にまで達してしまうことになる。このような
状況では、ドレイン電極と画素電極との良好な接続を維
持しつつ、コンタクトホールの段差に起因する不都合を
解消することは容易なことではない。

【００２４】前述した従来の方法は、こうした問題を解
決するための方法を提案したものであり、特公平１−３
５３５１号公報または特開平４−２２０６２５号公報に
示される方法は、ドレイン電極上に金属等からなる導電
体を形成し、ＴＦＴ等の段差を平坦化する平坦化膜を形
成した後、導電体の表面を露出させるようにして、その
部分に画素電極を接続する構成である。そのため、画素
電極の表面は平坦な状態となり、コンタクトホールの段
差に起因する液晶層の配向の乱れ、および画素電極とド
レイン電極との接続不良を低減することができると考え
られる。

【００２５】しかしながら、この方法では、コンタクト
ホール部分にポリイミド樹脂またはアクリル樹脂からな
る平坦化膜の膜厚と同程度の膜厚、即ち２〜４μｍの膜
厚を有する柱状の金属等からなる導電体を形成する必要
が有る。このような導電体を形成するためには、通常は
スパッタリング法またはプラズマＣＶＤ法によって導電
体を成膜することになると考えられるが、膜厚が厚いた
め、成膜に長時間を要したり、成膜途中または成膜後に
膜剥がれが生じたりすることが容易に想像される。ま
た、仮に正常に成膜が完了したとしても、これをエッチ
ングして柱状にパターニングするには、長時間のエッチ
ングを要することになると考えられ、実際には容易なこ
とではない。また、これらの方法はＴＦＴを遮光する機
能を有するものではない。

【００２６】一方、特開平１−６８７２９号公報、特開
平４−２５３０２８号公報または特開平８−１２２７６
１号公報に示される方法は、ＴＦＴ上に遮光膜を形成す
る方法である。

【００２７】特開平１−６８７２９号公報には、金属層
によってコンタクトホール部分を埋め、ＴＦＴ上には不
透明な樹脂等による遮光膜を形成し、この遮光膜をマス
クとして金属層をパターニングする方法が開示されてい
る。この方法によると、コンタクトホール部分は金属層
によって埋められることになるが、逆にこの金属層が画
素電極の表面よりも突出することになる。この金属層は
６０００Å程度の膜厚を有していることが記載されてお
り、さらにこの上に不透明な樹脂等による遮光膜が形成
されると、最終的には１μｍ程度の膜厚となることが十
分に考えられる。画素電極の表面よりも１μｍも突出し
た部分を有していると、その部分で液晶分子の配向が乱
される可能性が非常に高い。

【００２８】特開平４−２５３０２８号公報には、ＴＦ
Ｔ上の樹脂等による平坦化膜を着色することによって遮
光膜を形成する方法が開示されている。この方法による
と、遮光膜は画素電極の表面よりも突出することがない
が、平坦化膜を着色して遮光膜を形成した後に、コンタ
クトホールを開口して画素電極をＴＦＴに接続するもの
であり、コンタクトホールによる凹部を埋めることがで
きない。したがって、依然としてコンタクトホール部分
での液晶分子の配向を良好なものにすることができな
い。

【００２９】特開平８−１２２７６１号公報には、ＴＦ
Ｔに接続される反射電極を形成した後に、黒色樹脂を塗
布し、反射電極の表面が露出するまで黒色樹脂を研磨材
を用いて研磨する方法が開示されている。この方法によ
ると、反射電極間を黒色樹脂で埋めることになる。おそ
らく、コンタクトホール部分も黒色樹脂で埋めることに
なると思われるが、詳細な記載がないためにその点に関
しては不明である。また、このようにして形成された遮
光膜は、反射電極と概ね同じ膜厚であると思われるが、
通常反射電極として形成される金属膜の膜厚は、１００
０Å〜数千Å程度であると考えられ、この膜厚と同程度
の膜厚の黒色樹脂がＴＦＴを遮光するために十分な機能
を有するかどうか不明である。

【００３０】また、特開平５−１２７１９０号公報、特
開平８−２２０１６号公報または特許第２５８０６１７
号公報等は、駆動回路領域上を遮光するものが記載され
ている。これらは、何れも駆動回路領域上のみを遮光す
るものである。即ち、特開平５−１２７１９０号公報ま
たは特開平８−２２０１６号公報に記載されているもの
は、駆動回路が形成された基板面と反対の面側または対
向基板側に遮光層を設けるものであり、特許第２５８０
６１７号公報に記載されているものは、駆動回路領域を
可視領域の光を吸収する有機樹脂からなる保護膜で覆う
ものである。したがって、本発明の主たる目的の一つで
ある画素電極上におけるコンタクトホールに起因する凹
状の窪みを解消し、液晶分子の配向を安定に保つことに
関して、これらの発明は寄与することがないのである。

【００３１】ここで、多結晶シリコン薄膜を活性層に用
いたＴＦＴの特徴について説明する。多結晶シリコン薄
膜は、一般に非晶質シリコン薄膜に比べて感光性が小さ
い。即ち、光が照射されることによって発生する光電流
が、非晶質シリコン薄膜に比べて小さいということであ
る。このような多結晶シリコン薄膜によってＴＦＴを形
成した場合は、ＴＦＴを形成した基板側からバックライ
ト等の光が入射する場合であっても、基板と多結晶シリ
コン薄膜との間に遮光膜を形成する必要はない。つま
り、多結晶シリコン薄膜の場合、バックライトの照度程
度の光による光電流の増加は大きな問題ではないのであ
る。

【００３２】一方、非晶質シリコン薄膜は、バックライ
ト等の蛍光灯の光の波長に特に感度が良好であるため、
逆スタガー型のＴＦＴであることが多い。これは、非晶
質シリコン薄膜に光が照射されることをゲート電極によ
って遮光するためである。

【００３３】以上のように、非晶質シリコン薄膜を活性
層に用いたＴＦＴの場合は、まずバックライトに対する
遮光が必要であり、多結晶シリコン薄膜を活性層に用い
たＴＦＴの場合は、バックライトの光よりも、ＴＦＴの
上方から入射するバックライトよりも強い光に対する遮
光が必要なのである。

【００３４】本発明は、以上のような従来の問題点に鑑
みなされたものであって、明るく高コントラストを有す
るアクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造
方法を提供することを目的としている。

【００３５】

【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明の請求項１記載のアクティブマトリクス
型液晶表示装置は、スイッチング素子を被覆して表面を
平坦とする平坦化膜が形成され、前記平坦化膜に開口さ
れたコンタクトホールを介して、前記スイッチング素子
と前記平坦化膜上に形成された画素電極とが電気的に接
続されたアクティブマトリクス型液晶表示装置におい
て、前記スイッチング素子が多結晶シリコン薄膜を活性
層として用いたトップゲート型薄膜トランジスタであ
り、前記画素電極同士の隙間および前記コンタクトホー
ルが有色の絶縁膜で埋められていることを特徴としてい
る。

【００３６】請求項２記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、画素用スイッチング素子と前記スイッチ
ング素子を駆動するための駆動回路とが同一基板上に形
成され、前記スイッチング素子と前記駆動回路とを被覆
して表面を平坦とする平坦化膜が形成され、前記平坦化
膜に開口されたコンタクトホールを介して、前記スイッ
チング素子と前記平坦化膜上に形成された画素電極とが
電気的に接続されたアクティブマトリクス型液晶表示装
置において、前記画素電極同士の隙間および前記コンタ
クトホールが有色の絶縁膜で埋められるとともに、前記
駆動回路の上方領域に前記有色の絶縁膜が形成されてい
ることを特徴としている。

【００３７】請求項３記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、請求項１または請求項２記載のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置において、前記有色の絶縁
膜は、前記画素電極に対して自己整合的に形成されてい
ることを特徴としている。

【００３８】請求項４記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、請求項１乃至請求項３記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置において、前記有色の絶縁膜
は、黒色または有色の樹脂材料からなることを特徴とし
ている。

【００３９】請求項５記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、請求項１乃至請求項４記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置において、前記有色の絶縁膜
の表面は、前記画素電極の表面と略同一平面上に位置し
ていることを特徴としている。

【００４０】請求項６記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の製造方法は、画素用スイッチング素子と前
記スイッチング素子を駆動するための駆動回路とを同一
基板上に形成し、前記スイッチング素子と前記駆動回路
とを被覆して表面を平坦とする平坦化膜を形成し、前記
平坦化膜に開口したコンタクトホールを介して、前記ス
イッチング素子と前記平坦化膜上に形成した画素電極と
を電気的に接続するアクティブマトリクス型液晶表示装
置の製造方法において、前記平坦化膜に前記コンタクト
ホールを形成する工程と、前記平坦化膜上に前記画素電
極を形成して前記スイッチング素子と前記画素電極とを
電気的に接続する工程と、前記画素電極同士の隙間およ
び前記コンタクトホールを有色の絶縁膜で埋めるととも
に、前記駆動回路の上方領域に前記有色の絶縁膜を形成
する工程と、を有することを特徴としている。

【００４１】請求項７記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の製造方法は、請求項６記載のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の製造方法において、前記画素
電極をマスクとして用いて前記平坦化膜をエッチング
し、前記画素電極同士の隙間および前記駆動回路の上方
領域の前記平坦化膜に凹部を形成して、前記凹部を前記
有色の絶縁膜によって埋めることを特徴としている。

【００４２】請求項８記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の製造方法は、請求項６または請求項７記載
のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法にお
いて、前記有色の絶縁膜を基板全面に形成し、前記有色
の絶縁膜の表面を一様にエッチングして、前記画素電極
の表面を露出させることを特徴としている。

【００４３】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置によれば、スイッチング素子が多結晶シリコン薄膜
を活性層として用いたトップゲート型薄膜トランジスタ
であり、画素電極同士の隙間およびコンタクトホールが
有色の絶縁膜で埋められていることにより、液晶分子の
配向を乱すことなく良好な表示特性を得ることができ
る。即ち、スイッチング素子、ソース配線およびゲート
配線上に遮光膜を形成すると同時に、コンタクトホール
による窪みをなくして液晶分子の配向を乱すような凹凸
を生じさせないようにできる。さらに、多結晶シリコン
薄膜を活性層に用いたトップゲート型薄膜トランジスタ
の問題点である薄膜トランジスタの上方から入射するバ
ックライトよりも強い光に対する遮光を行うことができ
る。

【００４４】また、画素用スイッチング素子と前記スイ
ッチング素子を駆動するための駆動回路とが同一基板上
に形成され、画素電極同士の隙間およびコンタクトホー
ルが有色の絶縁膜で埋められるとともに、駆動回路の上
方領域に有色の絶縁膜が形成されていることにより、液
晶分子の配向を乱すことなく良好な表示特性を得ること
ができるとともに、駆動回路をシールの下に配置するこ
とが可能となって表示に寄与しない領域を小さくするこ
とができる。即ち、スイッチング素子、ソース配線およ
びゲート配線上に遮光膜を形成すると同時に、コンタク
トホールによる窪みをなくして液晶分子の配向を乱すよ
うな凹凸を生じさせないようにできる。さらに、駆動回
路の上方領域に形成された有色の絶縁膜は表面が平坦で
あるため、この部分に対向基板を貼り合わせるためのシ
ールを配置しても全く差し支えない。したがって駆動回
路をシールの下に配置することが可能となり、表示に寄
与しない領域を小さくすることができる。

【００４５】さらに、有色の絶縁膜が画素電極に対して
自己整合的に形成されていることにより、必要とする箇
所に確実に有色の絶縁膜が形成され、必要とする箇所を
確実に遮光することができる。

【００４６】さらに、有色の絶縁膜が黒色または有色の
樹脂材料からなることにより、アクティブマトリクス基
板の表面の凹凸を容易に平坦にすることができるととも
に、十分な遮光性を持たせることができる。

【００４７】さらに、有色の絶縁膜の表面が画素電極の
表面と略同一平面上に位置していることにより、液晶分
子の配向を乱すような凹凸をなくすことができる。

【００４８】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の製造方法によれば、画素用スイッチング素子と前
記スイッチング素子を駆動するための駆動回路とを同一
基板上に形成するアクティブマトリクス型液晶表示装置
の製造方法において、平坦化膜にコンタクトホールを形
成する工程と、平坦化膜上に画素電極を形成してスイッ
チング素子と画素電極とを電気的に接続する工程と、画
素電極同士の隙間およびコンタクトホールを有色の絶縁
膜で埋めるとともに、駆動回路の上方領域に有色の絶縁
膜を形成する工程と、を有することにより、液晶分子の
配向を乱すことなく良好な表示特性を得ることができる
とともに、駆動回路をシールの下に配置することが可能
となって表示に寄与しない領域を小さくすることができ
る。即ち、スイッチング素子、ソース配線およびゲート
配線上に遮光膜を形成すると同時に、コンタクトホール
による窪みをなくして液晶分子の配向を乱すような凹凸
を生じさせないようにできる。さらに、駆動回路の上方
領域に形成された有色の絶縁膜は表面が平坦であるた
め、この部分に対向基板を貼り合わせるためのシールを
配置しても全く差し支えない。したがって駆動回路をシ
ールの下に配置することが可能となり、表示に寄与しな
い領域を小さくすることができる。

【００４９】さらに、画素電極をマスクとして用いて平
坦化膜をエッチングし、画素電極同士の隙間および駆動
回路の上方領域の平坦化膜に凹部を形成して、凹部を有
色の絶縁膜によって埋めることにより、十分な遮光性を
有する有色の絶縁膜をマスクを用いることなく形成でき
る。

【００５０】さらに、有色の絶縁膜を基板全面に形成
し、有色の絶縁膜の表面を一様にエッチングして、画素
電極の表面を露出させることにより、所望する部分に有
色の絶縁膜をマスクを用いることなく容易に形成でき
る。

【００５１】

【発明の実施の形態】図１乃至図１０を用いて、本発明
の実施の形態について説明する。図１は本発明のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置を構成するアクティブマ
トリクス基板を示す断面図、図２は本発明のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置を構成するアクティブマトリ
クス基板を示す平面図である。尚、図１は図２のＡ−Ａ
線における断面図である。

【００５２】図１および図２に示すように、ガラス等の
基板１上にＳｉＯ₂膜等からなるベースコート膜２を形
成し、ベースコート膜２上にシリコン薄膜からなるＴＦ
Ｔの活性層３を所定の形状に形成する。活性層３上には
ＳｉＯ₂膜等の絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜４を形成
する。ゲート絶縁膜４上にはＡｌ等の金属材料からなる
ゲート電極５を所定の形状に形成する。活性層３には不
純物イオンを注入したソース領域およびドレイン領域６
と、ゲート電極５の下方の領域に不純物イオンを注入し
ていないチャネル領域７とを形成する。

【００５３】その後、全面に絶縁膜を形成して層間絶縁
膜８を形成する。ソース領域およびドレイン領域６の上
方の層間絶縁膜８およびゲート絶縁膜４にはコンタクト
ホール９を開口し、Ａｌ等の金属材料からなるソース電
極１０およびドレイン電極１１を形成して、ソース領域
およびドレイン領域６に接続する。

【００５４】この後、全面にポリイミド樹脂またはアク
リル樹脂等を塗布して平坦化膜１２を形成する。平坦化
膜１２にコンタクトホール１３を開口し、ドレイン電極
１１に電気的に接続するようにＩＴＯ等の透明導電性薄
膜を形成する。そして、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜上に
レジストによるマスクを形成し、ＩＴＯ等の透明導電性
薄膜を所定の形状にパターニングして画素電極１５を形
成する。続いて、この状態で平坦化膜１２の画素電極１
５が形成されていない領域をエッチングにより掘り下
げ、凹部１６を形成する。

【００５５】次に、全面に黒色の樹脂を塗布し、コンタ
クトホール１３および凹部１６を黒色の樹脂で埋める。
そして、全面をエッチバックして画素電極１５の表面を
露出させることで、ＴＦＴ上に遮光膜１８を形成する。
本発明のＴＦＴ上とは、少なくともチャネル領域７を含
む領域であり、ゲート電極５またはソース電極１０を領
域の中に含んでも差し支えない。

【００５６】図示していないが、この後全面に配向膜を
形成し、配向処理を施した後、カラーフィルターおよび
対向電極等を形成した対向基板を貼り合わせ、両基板間
に液晶を注入してアクティブマトリクス型液晶表示装置
を完成させる。

【００５７】本発明によると、黒色の樹脂によってコン
タクトホール１３に起因する凹状の窪み部分を埋めると
ともに、ＴＦＴ上に樹脂による遮光膜１８を有する構成
であるため、画素電極１５の表面に液晶分子の配向を乱
すような凹凸を生じさせることがない。

【００５８】また、本発明はこのような構成のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置を製造するに際し、従来の
アクティブマトリクス型液晶表示装置またはＴＦＴを製
造するために用いられる成膜方法およびエッチング方法
を有効に組み合わせることによって簡便に製造すること
ができるものであり、従来のアクティブマトリクス型液
晶表示装置またはＴＦＴの製造工程になかった特殊な方
法を用いる必要がなく、従来の製造装置をそのまま用い
て製造することができる利点を有している。

【００５９】（実施の形態１）図３および図４を用い
て、本発明に係わるアクティブマトリクス型液晶表示装
置の製造方法の詳細を説明する。図３は実施の形態１に
係わるアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造工程
を示す断面図、図４は図３の続きを示す断面図である。

【００６０】図３（ａ）に示すように、ガラス基板等の
基板１上にＴＦＴを周知の方法によって作製する。作製
方法は概ね以下の通りである。

【００６１】先ず、基板１上にＳｉＯ₂膜等からなるベ
ースコート膜２をスパッタリング法またはプラズマＣＶ
Ｄ法によって形成する。次に、多結晶シリコン薄膜を例
えば３０〜５０ｎｍ程度の膜厚に形成し、所定の形状に
パターニングしてＴＦＴの活性層３とする。

【００６２】次いで、活性層３上にＳｉＯ₂膜等の絶縁
膜を形成してゲート絶縁膜４を形成し、活性層３上には
ゲート絶縁膜４を介してＡｌ等の金属材料からなるゲー
ト電極５を所定の形状に形成する。

【００６３】次いで、活性層３にゲート電極５をマスク
として不純物イオンを注入し、その後注入した不純物イ
オンを活性化するための加熱処理を施して、ソース領域
およびドレイン領域６を形成する。ゲート電極５の下方
の領域には、不純物イオンを注入していないチャネル領
域７を形成する。

【００６４】その後、全面にＳｉＯ₂またはＳｉＮ_X膜等
を形成して層間絶縁膜８を形成する。そして、ソース領
域およびドレイン領域６の上方の層間絶縁膜８およびゲ
ート絶縁膜４にコンタクトホール９を開口し、Ａｌ等の
金属材料からなるソース電極１０およびドレイン電極１
１を形成してソース領域およびドレイン領域６に接続す
る。このようにしてＴＦＴを製造する。

【００６５】この後、全面にポリイミド樹脂またはアク
リル樹脂等を塗布して平坦化膜１２を形成する。本実施
の形態では、平坦化膜１２としてオプトマーＳＳ（日本
合成ゴム社製）を用いて、２〜４μｍ、例えば最大で２
μｍの厚みになるように塗布形成する。尚、平坦化膜１
２として用いた材料は一例であり、同等の他の材料を用
いても差し支えない。

【００６６】次に、ドレイン電極１１の上方の平坦化膜
１２にコンタクトホール１３を開口する。コンタクトホ
ール１３の開口には、酸素ガスによるドライエッチング
を用いることができる。本実施の形態では、酸素ガス流
量４００ｓｃｃｍ、高周波電力６００Ｗ、ガス圧力２０
ｍＴｏｒｒの条件でエッチングを行い、コンタクトホー
ル１３を形成する。

【００６７】続いて、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜または
Ａｌ等の金属膜を形成し、フォトレジスト１４をマスク
としてパターニングして、所定の形状の画素電極１５を
形成する。

【００６８】次に、図３（ｂ）に示すように、コンタク
トホール１３を形成した方法と同様の方法により、画素
電極１５が形成されていない領域、即ち平坦化膜１２が
露出している領域に凹部１６を形成する。本工程では、
画素電極１５をパターニングする際に用いたフォトレジ
スト１４をマスクとして凹部１６を形成してもよいが、
コンタクトホール１３を開口するエッチング条件では画
素電極１５はほとんどエッチングされることがないの
で、画素電極１５をマスクとして用いることができる。
凹部１６は、平坦化膜１２の膜厚の１／２〜２／３程度
になるように形成したが、全部除去するようにしても差
し支えない。

【００６９】次に、図４（ｃ）に示すように、全面に黒
色の樹脂１７を塗布する。黒色の樹脂１７は、コンタク
トホール１３と凹部１６とによる段差を平坦にする程度
の膜厚でよい。本実施の形態では、黒色の樹脂１７とし
てカラーモザイクＣＫ（富士ハント社製）を用いて、１
〜２μｍ、例えば１μｍの厚みになるように塗布形成す
る。この工程では、黒色の樹脂１７を用いることが最も
好ましいが、黒色の樹脂１７の代わりに、黒色に近い有
色の樹脂膜を用いてもある程度の効果を得ることができ
る。

【００７０】次に、図４（ｄ）に示すように、全面をエ
ッチングして画素電極１５の表面を露出させ、遮光膜１
８を形成する。この工程では、フォトレジスト等のマス
クを用いることなく全面をエッチングする。これをエッ
チバック工程と称している。エッチングには前述の酸素
ガスによるドライエッチングを用いる。本工程により、
コンタクトホール１３に起因する段差を遮光膜１８によ
って埋めると同時に、ＴＦＴの上方領域に樹脂による遮
光膜１８を形成する。

【００７１】本実施の形態では、平坦化膜１２を膜厚方
向に１／２〜２／３程度除去している。即ち、平坦化膜
１２に１〜１．４μｍ程度の深さの凹部１６を形成し、
凹部１６を黒色の樹脂１７で埋めるため、黒色の樹脂１
７が遮光膜１８として機能するための十分な膜厚を確保
することができる。

【００７２】図示していないが、この後全面に配向膜を
形成し、配向処理を施した後、カラーフィルターおよび
対向電極等を形成した対向側基板を貼り合わせ、両基板
間に液晶を注入してアクティブマトリクス型液晶表示装
置を完成する。

【００７３】（実施の形態２）図５を用いて、本発明に
係わる他のアクティブマトリクス型液晶表示装置につい
て説明する。図５は実施の形態２に係わるアクティブマ
トリクス型液晶表示装置を構成するアクティブマトリク
ス基板を示す断面図である。

【００７４】図５に示すように、本実施の形態は、画素
電極がＡｌ等の金属膜によって形成した反射電極１９を
有する反射型液晶表示装置の例を示している。尚、ＴＦ
Ｔの製造工程等は実施の形態１と同様であるため、説明
は省略する。

【００７５】画素電極がＩＴＯ等の透明導電性薄膜の場
合は、ＴＦＴ上に遮光膜１８を形成できるように画素電
極の形状を配慮する必要があるが、本実施の形態のよう
に画素電極にＡｌ等の金属膜からなる反射電極１９を用
いる場合には、反射電極１９によってＴＦＴは遮光され
るため、遮光膜１８を形成する領域は反射電極１９間お
よびコンタクトホール１３となる。反射電極１９間と
は、概ねゲート配線およびソース配線の上の領域とな
る。

【００７６】このように、反射電極１９間に遮光膜１８
を形成することにより、外部から入射した光がバスライ
ンによって反射することで生じるコントラストの低下等
を効果的に抑制することができるため、反射型液晶表示
装置の場合には特に有効である。

【００７７】（実施の形態３）図６乃至図１０を用い
て、本発明に係わる他のアクティブマトリクス型液晶表
示装置について説明する。図６は実施の形態３に係わる
アクティブマトリクス型液晶表示装置を構成するアクテ
ィブマトリクス基板を示す断面図、図７は実施の形態３
に係わるアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造工
程を示す断面図、図８は図７の続きを示す断面図、図９
は実施の形態３に係わるアクティブマトリクス型液晶表
示装置を構成するアクティブマトリクス基板示す平面
図、図１０は実施の形態３に係わるアクティブマトリク
ス型液晶表示装置を示す断面図である。

【００７８】本実施の形態は、図６に示すように、画素
用ＴＦＴ２２と、画素用ＴＦＴ２２を駆動するための駆
動回路２３とを、同一基板上に形成したドライバモノリ
シック型液晶表示装置の例を示したものである。

【００７９】図７（ａ）に示すように、実施の形態１と
同様に画素用ＴＦＴ２２を形成する際に、画素用ＴＦＴ
２２を駆動するためのＴＦＴからなる駆動回路２３を同
時に基板１上に形成する。本実施の形態では、多結晶シ
リコン薄膜を活性層に用いたトップゲート型ＴＦＴにつ
いて説明したが、非晶質シリコン薄膜を活性層に用いた
逆スタガ型ＴＦＴであっても差し支えない。

【００８０】この後、平坦化膜１２およびコンタクトホ
ール１３を実施の形態１と同様に形成する。そして、実
施の形態１と同様に、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜または
Ａｌ等の金属膜を形成し、フォトレジスト１４をマスク
としてパターニングして、所定の形状の画素電極１５を
形成する。

【００８１】次に、図７（ｂ）に示すように、実施の形
態１と同様の方法により、画素電極１５が形成されてい
ない領域、即ち平坦化膜１２が露出している領域に凹部
１６を形成する。本工程では、凹部１６の深さは平坦化
膜１２の膜厚の１／２〜２／３程度になるように形成す
る。駆動回路２３を形成している領域では、マスクとな
る画素電極１５が存在しないため、全域に亙って平坦化
膜１２が膜厚方向に所定の量だけ除去されることにな
る。

【００８２】次に、図８（ｃ）に示すように、全面に黒
色の樹脂１７を塗布する。黒色の樹脂１７は、コンタク
トホール１３と凹部１６による段差を平坦にする程度の
膜厚でよい。本実施の形態では、黒色の樹脂１７として
カラーモザイクＣＫ（富士ハント社製）を用いて、１〜
２μｍ、例えば１μｍの厚みになるように塗布形成す
る。この工程では、黒色の樹脂１７を用いることが最も
好ましいが、黒色の樹脂１７の代わりに黒色に近い有色
の樹脂膜を用いてもある程度の効果を得ることができ
る。

【００８３】次に、図８（ｄ）に示すように、全面をエ
ッチングして画素電極１５の表面を露出させる。この工
程では、フォトレジスト等のマスクを用いることなく全
面をエッチングする。これをエッチバック工程と称して
いる。エッチングには実施の形態１で述べた酸素ガスに
よるドライエッチングを用いる。本工程により、コンタ
クトホール１３に起因する段差が遮光膜１８によって埋
められると同時に、ＴＦＴの上方領域に樹脂による遮光
膜１８を形成する。

【００８４】図９に示すように、表示領域は画素電極１
５以外の部分に遮光膜１８を形成し、表示領域の周辺に
形成される駆動回路領域はその全域に遮光膜１８を形成
している。尚、図９において、表示領域および駆動回路
領域のＴＦＴおよび配線はその細部を省略している。

【００８５】図示していないが、この後全面に配向膜を
形成し、配向処理を施した後、カラーフィルターおよび
対向電極等を形成した対向基板を貼り合わせ、両基板間
に液晶を注入してアクティブマトリクス型液晶表示装置
を完成する。

【００８６】本実施の形態のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、図１０に示すように、駆動回路２３上に
は遮光膜１８を形成しており、その表面は平坦に形成さ
れているため、対向基板２０を貼り合わせるためのシー
ル２１を駆動回路２３の上方に配置しても全く支障がな
い。このように、駆動回路２３をシール２１下に配置す
ることにより、表示に寄与しない領域をより小さくする
ことが可能となって、液晶表示装置の小型化を実現する
ことができる。尚、図１０において、表示領域および駆
動回路領域のＴＦＴおよび配線はその細部を省略してい
る。

【００８７】本実施の形態によると、コンタクトホール
１３に起因する段差を遮光膜１８によって埋めると同時
に、画素用ＴＦＴ２２の上方領域に樹脂による遮光膜１
８を形成する。また、駆動回路２３の上方領域にも同時
に遮光膜１８を形成できるため、駆動回路２３を構成す
るＴＦＴの特性が外部から入射する光によって劣化する
ことを防止できる。さらに、ＴＦＴ上に遮光膜１８を形
成したにもかかわらず、平坦性を維持できるため、後の
対向基板２０の貼り合わせの際にも全く不都合を生じる
ことがない。

【００８８】

【発明の効果】以上の説明のように、本発明のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置によれば、スイッチング素
子が多結晶シリコン薄膜を活性層として用いたトップゲ
ート型薄膜トランジスタであり、画素電極同士の隙間お
よびコンタクトホールが有色の絶縁膜で埋められている
ことにより、液晶分子の配向を乱すことなく良好な表示
特性を得ることができる。さらに、多結晶シリコン薄膜
を活性層に用いたトップゲート型薄膜トランジスタの問
題点である薄膜トランジスタの上方から入射するバック
ライトよりも強い光に対する遮光を行うことができる。

【００８９】また、画素用スイッチング素子と前記スイ
ッチング素子を駆動するための駆動回路とが同一基板上
に形成され、画素電極同士の隙間およびコンタクトホー
ルが有色の絶縁膜で埋められるとともに、駆動回路の上
方領域に有色の絶縁膜が形成されていることにより、液
晶分子の配向を乱すことなく良好な表示特性を得ること
ができるとともに、駆動回路をシールの下に配置するこ
とが可能となって表示に寄与しない領域を小さくするこ
とができる。

【００９０】さらに、有色の絶縁膜が画素電極に対して
自己整合的に形成されていることにより、必要とする箇
所を確実に遮光することができる。

【００９１】さらに、有色の絶縁膜が黒色または有色の
樹脂材料からなることにより、アクティブマトリクス基
板の表面の凹凸を容易に平坦にすることができるととも
に、十分な遮光性を持たせることができる。

【００９２】さらに、有色の絶縁膜の表面が画素電極の
表面と略同一平面上に位置していることにより、液晶分
子の配向を乱すような凹凸をなくすことができる。

【００９３】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の製造方法によれば、画素用スイッチング素子と前
記スイッチング素子を駆動するための駆動回路とを同一
基板上に形成するアクティブマトリクス型液晶表示装置
の製造方法において、平坦化膜にコンタクトホールを形
成する工程と、平坦化膜上に画素電極を形成してスイッ
チング素子と画素電極とを電気的に接続する工程と、画
素電極同士の隙間およびコンタクトホールを有色の絶縁
膜で埋めるとともに、駆動回路の上方領域に有色の絶縁
膜を形成する工程と、を有することにより、液晶分子の
配向を乱すことなく良好な表示特性を得ることができる
とともに、駆動回路をシールの下に配置することが可能
となって表示に寄与しない領域を小さくすることができ
る。

【００９４】さらに、画素電極をマスクとして用いて平
坦化膜をエッチングし、画素電極同士の隙間および駆動
回路の上方領域の平坦化膜に凹部を形成して、凹部を有
色の絶縁膜によって埋めることにより、十分な遮光性を
有する有色の絶縁膜をマスクを用いることなく形成でき
る。

【００９５】さらに、有色の絶縁膜を基板全面に形成
し、有色の絶縁膜の表面を一様にエッチングして、画素
電極の表面を露出させることにより、所望する部分に有
色の絶縁膜をマスクを用いることなく容易に形成でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
を構成するアクティブマトリクス基板を示す断面図であ
る。

【図２】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
を構成するアクティブマトリクス基板を示す平面図であ
る。

【図３】（ａ）および（ｂ）は実施の形態１に係わるア
クティブマトリクス型液晶表示装置の製造工程を示す断
面図である。

【図４】（ｃ）および（ｄ）は図３の続きを示す断面図
である。

【図５】実施の形態２に係わるアクティブマトリクス型
液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板を示
す断面図である。

【図６】実施の形態３に係わるアクティブマトリクス型
液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板を示
す断面図である。

【図７】（ａ）および（ｂ）は実施の形態３に係わるア
クティブマトリクス型液晶表示装置の製造工程を示す断
面図である。

【図８】（ｃ）および（ｄ）は図７の続きを示す断面図
である。

【図９】実施の形態３に係わるアクティブマトリクス型
液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板示す
平面図である。

【図１０】実施の形態３に係わるアクティブマトリクス
型液晶表示装置を示す断面図である。

【図１１】ピクセル・オン・パッシ構造を説明する断面
図である。

【図１２】従来の画素電極の平坦化技術を説明する断面
図である。

【図１３】従来のＴＦＴ上に形成したブラックマトリク
スを説明する断面図である。

【符号の説明】

１基板２ベースコート膜３活性層４ゲート絶縁膜５ゲート電極６ソース領域およびドレイン領域７チャネル領域８層間絶縁膜９コンタクトホール１０ソース電極１１ドレイン電極１２平坦化膜１３コンタクトホール１４フォトレジスト１５画素電極１６凹部１７黒色の樹脂１８遮光膜１９反射電極２０対向基板２１シール２２画素用ＴＦＴ２３駆動回路５１ＴＦＴ５２基板５３平坦化膜５４コンタクトホール５５ドレイン電極５６画素電極５７ソース電極５８液晶層５９導電体６０ブラックマトリクス

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】スイッチング素子を被覆して表面を平坦
とする平坦化膜が形成され、前記平坦化膜に開口された
コンタクトホールを介して、前記スイッチング素子と前
記平坦化膜上に形成された画素電極とが電気的に接続さ
れたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記スイッチング素子が多結晶シリコン薄膜を活性層と
して用いたトップゲート型薄膜トランジスタであり、前
記画素電極同士の隙間および前記コンタクトホールが有
色の絶縁膜で埋められていることを特徴とするアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項２】画素用スイッチング素子と前記スイッチ
ング素子を駆動するための駆動回路とが同一基板上に形
成され、前記スイッチング素子と前記駆動回路とを被覆
して表面を平坦とする平坦化膜が形成され、前記平坦化
膜に開口されたコンタクトホールを介して、前記スイッ
チング素子と前記平坦化膜上に形成された画素電極とが
電気的に接続されたアクティブマトリクス型液晶表示装
置において、前記画素電極同士の隙間および前記コンタクトホールが
有色の絶縁膜で埋められるとともに、前記駆動回路の上
方領域に前記有色の絶縁膜が形成されていることを特徴
とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項３】前記有色の絶縁膜は、前記画素電極に対
して自己整合的に形成されていることを特徴とする請求
項１または請求項２記載のアクティブマトリクス型液晶
表示装置。
【請求項４】前記有色の絶縁膜は、黒色または有色の
樹脂材料からなることを特徴とする請求項１乃至請求項
３記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項５】前記有色の絶縁膜の表面は、前記画素電
極の表面と略同一平面上に位置していることを特徴とす
る請求項１乃至請求項４記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置。
【請求項６】画素用スイッチング素子と前記スイッチ
ング素子を駆動するための駆動回路とを同一基板上に形
成し、前記スイッチング素子と前記駆動回路とを被覆し
て表面を平坦とする平坦化膜を形成し、前記平坦化膜に
開口したコンタクトホールを介して、前記スイッチング
素子と前記平坦化膜上に形成した画素電極とを電気的に
接続するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方
法において、前記平坦化膜に前記コンタクトホールを形成する工程
と、前記平坦化膜上に前記画素電極を形成して前記スイッチ
ング素子と前記画素電極とを電気的に接続する工程と、前記画素電極同士の隙間および前記コンタクトホールを
有色の絶縁膜で埋めるとともに、前記駆動回路の上方領
域に前記有色の絶縁膜を形成する工程と、を有すること
を特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の製
造方法。
【請求項７】前記画素電極をマスクとして用いて前記
平坦化膜をエッチングし、前記画素電極同士の隙間およ
び前記駆動回路の上方領域の前記平坦化膜に凹部を形成
して、前記凹部を前記有色の絶縁膜によって埋めること
を特徴とする請求項６記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の製造方法。
【請求項８】前記有色の絶縁膜を基板全面に形成し、
前記有色の絶縁膜の表面を一様にエッチングして、前記
画素電極の表面を露出させることを特徴とする請求項６
または請求項７記載のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の製造方法。