JPH11204430A - Wafer processing device - Google Patents
Wafer processing deviceInfo
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- JPH11204430A JPH11204430A JP10018302A JP1830298A JPH11204430A JP H11204430 A JPH11204430 A JP H11204430A JP 10018302 A JP10018302 A JP 10018302A JP 1830298 A JP1830298 A JP 1830298A JP H11204430 A JPH11204430 A JP H11204430A
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- lift pin
- processing
- processing chamber
- processing apparatus
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、LCD基板の塗布
・現像処理システムにおいて、疎水化処理、加熱処理、
または冷却処理を施す基板処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coating and developing system for an LCD substrate, and
Alternatively, the present invention relates to a substrate processing apparatus that performs a cooling process.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、液晶表示ディスプレイ(LC
D)装置の製造工程においては、LCD基板(ガラス基
板)上に例えばITO(Indium Tin Oxi
de)の薄膜や電極パターン等を形成するために、半導
体製造工程において用いられるものと同様なフォトリソ
グラフィ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォト
レジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施
されている。例えば、被処理体であるLCD基板を、洗
浄装置にて洗浄した後、LCD基板にアドヒージョン処
理装置にて疎水化処理を施し、冷却処理装置にて冷却し
た後、レジスト塗布装置にてフォトレジスト膜すなわち
感光膜を塗布形成する。そして、フォトレジスト膜を熱
処理装置にて加熱してベーキング処理(プリベーク)を
施した後、露光装置にて所定のパターンを露光し、そし
て、露光後のLCD基板を現像装置にて現像液を塗布し
て所定のパターンを形成した後に、ベーキング処理(ポ
ストベーク)を施して高分子化のための熱変成、LCD
基板とパターンとの密着性を強化している。2. Description of the Related Art Generally, a liquid crystal display (LC) is used.
D) In a device manufacturing process, for example, ITO (Indium Tin Oxi) is formed on an LCD substrate (glass substrate).
de) In order to form a thin film, an electrode pattern and the like, a circuit pattern and the like are reduced and transferred to a photoresist by using a photolithography technique similar to that used in a semiconductor manufacturing process, and a series of development processes are performed. Processing has been applied. For example, after cleaning an LCD substrate, which is an object to be processed, by a cleaning device, the LCD substrate is subjected to a hydrophobic treatment by an adhesion processing device, cooled by a cooling processing device, and then subjected to a photoresist film by a resist coating device. That is, a photosensitive film is formed by coating. Then, the photoresist film is heated by a heat treatment device to perform a baking process (pre-bake), and then a predetermined pattern is exposed by an exposure device, and a developing solution is applied to the exposed LCD substrate by a developing device. After a predetermined pattern is formed, a baking treatment (post-bake) is performed to perform thermal denaturation for polymerization, LCD
This enhances the adhesion between the substrate and the pattern.
【0003】このような処理システムにおいて、LCD
基板へのレジスト液の密着性を良好にするため実施して
いるアドヒージョン処理は、処理室内に載置された基板
にHMDSガスを供給して熱処理を行うことにより、親
水性の基板の表面を疎水性に変化させる処理であり、具
体的には、基板下地のOH結合を化学的に分離し、水分
を除去することができる。In such a processing system, an LCD
Adhesion processing, which is performed to improve the adhesion of the resist solution to the substrate, is performed by supplying HMDS gas to the substrate placed in the processing chamber and performing heat treatment to make the surface of the hydrophilic substrate hydrophobic. This is a process that changes the OH bond, specifically, it can chemically separate the OH bond of the substrate base and remove moisture.
【0004】このアドヒージョン処理においては、まず
基板を載置台上に載置し、処理室内を排気し、処理室内
にHMDSガスを導入してHMDSを基板に塗布してい
る。この処理の終了後、HMDS雰囲気が大気中へ放出
されないように、排気機構によりHMDSガスを強制的
に排出するとともに、処理室内にN2ガスのような置換
ガスを導入し、配管内および処理室内をパージしてい
る。In this adhesion treatment, a substrate is first placed on a mounting table, the processing chamber is evacuated, and HMDS gas is introduced into the processing chamber to apply HMDS to the substrate. After the completion of this process, the HMDS gas is forcibly exhausted by an exhaust mechanism so as to prevent the HMDS atmosphere from being released into the atmosphere, and a replacement gas such as N 2 gas is introduced into the processing chamber. Has been purged.
【0005】この処理室内に基板を搬入する際には、図
6に示すようなリフトピン駆動機構により載置台に載置
されている。すなわち、基板Gを加熱するための加熱プ
レート101に形成された複数の孔102に、複数のリ
フトピン103の上部が通挿されている。このリフトピ
ン103の下端は、図示しない駆動機構により昇降され
る支持部材104に取付けられている。これにより、支
持部材104が昇降されると、リフトピン103が昇降
し、搬入された基板Gを受け取って加熱プレート101
上に載置すると共に、処理終了後、基板Gを搬出位置ま
で持ち上げるようになっている。When a substrate is carried into the processing chamber, it is mounted on a mounting table by a lift pin driving mechanism as shown in FIG. That is, the upper portions of the plurality of lift pins 103 are inserted into the plurality of holes 102 formed in the heating plate 101 for heating the substrate G. The lower end of the lift pin 103 is attached to a support member 104 that is moved up and down by a drive mechanism (not shown). As a result, when the support member 104 is moved up and down, the lift pins 103 are moved up and down to receive the loaded substrate G and
The substrate G is placed on the top and after the processing is completed, the substrate G is lifted to the unloading position.
【0006】また、加熱プレート101の下側で、リフ
トピン103の周囲には、真空シール105が設けられ
ている。この真空シール105により、処理室内のHM
DSガス等の外部への漏洩が防止されている。[0006] A vacuum seal 105 is provided below the heating plate 101 and around the lift pins 103. The HM in the processing chamber is formed by the vacuum seal 105.
Leakage of DS gas and the like to the outside is prevented.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図6に
示すような処理装置にあっては、基板Gを加熱するため
の加熱プレート101の温度を上昇させると、加熱プレ
ート101の熱膨張により孔102のピッチがずれてし
まうといったことがある。そこで従来はこのような加熱
プレート101の熱膨張に伴う孔ピッチのずれに対応す
るため、孔102とリフトピン103との隙間を大きく
し、孔102のピッチがずれても支障なくリフトピン1
03が昇降できる程度の隙間を形成している。しかし、
このように、孔102の径を大きくすると、その部分で
は基板Gが加熱されないため、基板G上に温度分布のム
ラが発生するといった問題が生じる。However, in the processing apparatus as shown in FIG. 6, when the temperature of the heating plate 101 for heating the substrate G is increased, the holes 102 are expanded due to the thermal expansion of the heating plate 101. May be shifted. Therefore, conventionally, in order to cope with such a shift in the hole pitch due to the thermal expansion of the heating plate 101, the gap between the hole 102 and the lift pin 103 is increased, and even if the pitch of the hole 102 shifts, the lift pin 1
03 is formed such that it can move up and down. But,
As described above, when the diameter of the hole 102 is increased, the substrate G is not heated at that portion, and thus a problem occurs in that the temperature distribution becomes uneven on the substrate G.
【0008】また、アドヒージョン処理装置にあって
は、加熱プレート101を温度上昇させて加熱プレート
101が熱膨張した際、上述した真空シール105がリ
フトピン103との摩擦により磨耗するといったことが
ある。そのため、シール性の劣化を招来しないように、
真空シール105を頻繁に取り替えなければならないと
いった不都合がある。In addition, in the adhesion processing apparatus, when the temperature of the heating plate 101 is increased by heating the heating plate 101, the above-described vacuum seal 105 may be worn due to friction with the lift pins 103. Therefore, in order not to cause deterioration of the sealing property,
There is a disadvantage that the vacuum seal 105 must be replaced frequently.
【0009】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、リフトピンの周囲でのシール性の劣化を招来し
ないとともに、温度変化の際のリフトピンの追随性を良
好にした基板処理装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a substrate processing apparatus which does not cause deterioration of the sealing property around the lift pins and improves the followability of the lift pins when the temperature changes. The purpose is to:
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第1発明は、処理室内のプレートを通挿して昇降機
構により昇降されるリフトピンによって処理室内に搬入
された基板を受け取って前記プレートに載置し、基板へ
の処理が終了した後、前記リフトピンにより基板を処理
室内の搬出位置に持ち上げる基板処理装置であって、前
記リフトピンの周囲に密着するように配置されて処理室
内をシールするためのシール部材と、前記リフトピンの
下端に設けられてリフトピンの側方への移動を許容する
ベアリング部材とを具備することを特徴とする基板処理
装置を提供する。In order to solve the above-mentioned problems, a first aspect of the present invention is to provide a method for receiving a substrate carried into a processing chamber by lift pins which are inserted through a plate in the processing chamber and raised and lowered by an elevating mechanism. And a substrate processing apparatus that lifts the substrate to a carry-out position in the processing chamber by the lift pins after the processing on the substrate is completed. The substrate processing apparatus is disposed so as to be in close contact with the periphery of the lift pins to seal the processing chamber. And a bearing member provided at a lower end of the lift pin to allow the lift pin to move laterally.
【0011】第2発明は、第1発明において、前記ベア
リング部材は、前記昇降機構の支持部材とリフトピンの
下端との間に設けられたリニアベアリングであることを
特徴とする基板処理装置を提供する。A second invention provides the substrate processing apparatus according to the first invention, wherein the bearing member is a linear bearing provided between a support member of the elevating mechanism and a lower end of a lift pin. .
【0012】第3発明は、第1発明または第2発明にお
いて、前記プレートは、基板を加熱するための加熱プレ
ートであることを特徴とする基板処理装置を提供する。A third invention provides the substrate processing apparatus according to the first invention or the second invention, wherein the plate is a heating plate for heating a substrate.
【0013】第4発明は、第1発明ないし第3発明のい
ずれかにおいて、前記処理室内に所定の処理ガスを導入
して、処理室内で疎水化処理を基板に施すことを特徴と
する基板処理装置を提供する。According to a fourth aspect of the present invention, in any one of the first to third aspects, a predetermined processing gas is introduced into the processing chamber, and the substrate is subjected to a hydrophobic treatment in the processing chamber. Provide equipment.
【0014】第5発明は、第1発明ないし第4発明のい
ずれかにおいて、前記リニアピンの下端に、前記ベアリ
ング部材を有して滑動する滑動部材が設けられ、前記昇
降機構の支持部材に、この滑動部材の側方への移動を許
容すると共に移動量の最大限を規制するように滑動部材
を包持する包持部材が固定されていることを特徴とする
基板処理装置を提供する。According to a fifth aspect of the present invention, in any one of the first to fourth aspects, a sliding member having the bearing member is provided at a lower end of the linear pin. Provided is a substrate processing apparatus, characterized in that a holding member for holding the sliding member is fixed so as to allow the sliding member to move laterally and to regulate the maximum amount of movement.
【0015】第6発明は、基板に対して加熱処理、冷却
処理、または疎水化処理を施す基板処理装置であって、
基板の下方に配置され、基板を加熱または冷却するため
のプレートと、前記プレートを通挿して昇降機構により
昇降自在に設けられ、基板を支持するためのリフトピン
と、前記リフトピンの下端に設けられてリフトピンの側
方への移動を許容するベアリング部材とを具備すること
を特徴とする基板処理装置を提供する。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a heating process, a cooling process, or a hydrophobizing process on a substrate,
A plate disposed below the substrate, for heating or cooling the substrate, a lift pin provided for supporting the substrate, and provided at a lower end of the lift pin. A substrate processing apparatus comprising: a bearing member that allows a lift pin to move laterally.
【0016】第1発明によれば、リフトピンの下端に、
リフトピンの側方への移動を許容するベアリング部材が
設けられているため、加熱プレートを温度上昇させて加
熱プレートが熱膨張した際、リフトピンは、加熱プレー
トの熱膨張に追随して側方に移動することができる。そ
のため、リフトピンを通挿するための加熱プレートの孔
を大きくする必要がなく、基板の温度分布のムラを招来
することもなく、また、シール部材がリフトピンとの摩
擦により磨耗するといったことがなく、シール部材の劣
化を招来することがなく、シール部材を頻繁に取り替え
る必要がない。さらに、リフトピンの周囲には、リフト
ピンに密着するようにシール部材が設けられているた
め、処理室内の処理ガスの外部への漏洩が効果的に防止
されている。According to the first invention, at the lower end of the lift pin,
Since a bearing member that allows the lift pin to move to the side is provided, when the temperature of the heating plate rises and the heating plate thermally expands, the lift pin moves to the side following the thermal expansion of the heating plate. can do. Therefore, it is not necessary to enlarge the hole of the heating plate for inserting the lift pins, without causing unevenness in the temperature distribution of the substrate, and without the seal member being worn by friction with the lift pins. There is no need to frequently replace the seal member without deteriorating the seal member. Further, since a seal member is provided around the lift pin so as to be in close contact with the lift pin, leakage of the processing gas in the processing chamber to the outside is effectively prevented.
【0017】第2発明によれば、ベアリング部材は、昇
降機構の支持部材とリフトピンの下端との間に設けられ
たリニアベアリングであるため、リフトピンは、より一
層加熱プレートの熱膨張に追随して側方に移動すること
ができる。According to the second aspect, since the bearing member is a linear bearing provided between the support member of the lifting mechanism and the lower end of the lift pin, the lift pin follows the thermal expansion of the heating plate even more. Can move to the side.
【0018】第3および第4発明によれば、疎水化処理
のための基板処理装置において、リフトピンの周囲での
シール性の劣化を招くことがないと共に、温度変化の際
におけるリフトピンの追随性を極めて良好にすることが
できる。According to the third and fourth aspects of the present invention, in the substrate processing apparatus for the hydrophobizing treatment, the sealability around the lift pins is not deteriorated, and the followability of the lift pins when the temperature changes is improved. It can be very good.
【0019】第5発明によれば、リフトピンの下端に、
ベアリング部材を有して滑動する滑動部材が設けられ、
昇降機構の支持部材に、この滑動部材の側方への移動を
許容するとともに移動量の最大限を規制するように滑動
部材を包持する包持部材が固定されているため、極めて
簡易な構造により、リフトピンの側方への移動機構を実
現することができる。According to the fifth invention, at the lower end of the lift pin,
A sliding member that slides with a bearing member is provided,
An extremely simple structure is provided because the holding member that holds the sliding member is fixed to the support member of the lifting mechanism so as to allow the sliding member to move laterally and to limit the maximum amount of movement. Thus, a mechanism for moving the lift pins to the side can be realized.
【0020】第6発明によれば、疎水化処理のための基
板処理装置、加熱処理のための基板処理装置、または冷
却処理のための基板処理装置において、リフトピンは、
加熱プレートの熱膨張に追随して側方に移動することが
できるため、リフトピンを通挿するための加熱プレート
の孔を大きくする必要がなく、基板の温度分布のムラを
招来することもない。According to the sixth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus for the hydrophobic treatment, the substrate processing apparatus for the heating processing, or the substrate processing apparatus for the cooling processing, the lift pins are
Since it is possible to move laterally following the thermal expansion of the heating plate, it is not necessary to increase the size of the hole in the heating plate through which the lift pins are inserted, and the temperature distribution of the substrate does not become uneven.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明が適用
されるLCD基板の塗布・現像処理システムを示す斜視
図である。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an LCD substrate coating / developing processing system to which the present invention is applied.
【0022】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーシ
ョン1と、基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
2と、カセットステーション1上のカセットCと処理部
2との間でLCD基板の搬送を行うための搬送機構3と
を備えている。そして、カセットステーション1におい
てカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機構3は
カセットの配列方向に沿って設けられた搬送路12上を
移動可能な搬送アーム11とを備え、この搬送アーム1
1によりカセットCと処理部2との間で基板Gの搬送が
行われる。This coating / developing processing system includes a cassette station 1 on which a cassette C accommodating a plurality of substrates G is placed, and a plurality of processing units for performing a series of processes including resist coating and developing on the substrates G. And a transport mechanism 3 for transporting the LCD substrate between the cassette C on the cassette station 1 and the processing unit 2. Then, the cassette C is loaded and unloaded at the cassette station 1. The transport mechanism 3 includes a transport arm 11 movable along a transport path 12 provided along the direction in which the cassettes are arranged.
1, the substrate G is transported between the cassette C and the processing unit 2.
【0023】処理部2は、前段部2aと後段部2bとに
分かれており、それぞれ中央に搬送路ユニット15、1
6を有しており、これら搬送路の両側に各処理ユニット
が配設されている。そして、これらの間には中継部17
が設けられている。The processing section 2 is divided into a front section 2a and a rear section 2b.
6, and each processing unit is disposed on both sides of these transport paths. A relay unit 17 is provided between these.
Is provided.
【0024】前段部2aは、搬送路ユニット15に沿っ
て移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路15
の一方側には、上下2段に積層されてなる2組の加熱処
理ユニット21、ならびにそれに隣接して上下に設けら
れたアドヒージョン処理ユニット22および冷却ユニッ
ト23が配置されており、他方側には洗浄ユニット24
および現像処理ユニット25が配置されている。The front section 2a is provided with a main transport unit 18 movable along the transport path unit 15,
On one side, two sets of heating processing units 21 stacked in two layers vertically, and an adhesion processing unit 22 and a cooling unit 23 provided above and below adjacent thereto are arranged, and on the other side, Cleaning unit 24
And a development processing unit 25.
【0025】一方、後段部2bは、搬送路ユニット16
に沿って移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送
路ユニット16の一方側には、二段積層されてなる3組
の加熱処理ユニット28が配置されており、搬送路ユニ
ット16の他方側には、レジスト塗布ユニット26およ
び基板Gの周辺部のレジストを除去する周辺レジスト除
去ユニット27が配置されている。加熱処理ユニット2
8は、レジストの安定化のためのプリベーク、露光後の
ポストエクスポージャーベーク、および現像後のポスト
ベーク処理を行うものである。なお、後段部2bの後端
には、露光装置(図示せず)との間で基板Gの受け渡し
を行うためのインターフェース部30が設けられてい
る。On the other hand, the rear section 2b is
The main transport device 19 that can move along the path is provided, and on one side of the transport path unit 16, three sets of heat treatment units 28 that are stacked in two stages are arranged, and the other of the transport path unit 16 is On the side, a resist coating unit 26 and a peripheral resist removing unit 27 for removing the resist in the peripheral portion of the substrate G are arranged. Heating unit 2
Reference numeral 8 denotes pre-baking for stabilizing the resist, post-exposure baking after exposure, and post-baking after development. Note that an interface unit 30 for transferring the substrate G to and from an exposure apparatus (not shown) is provided at the rear end of the rear stage unit 2b.
【0026】中継部17には、加熱処理ユニット28に
隣接した位置に、二段積層されてなる冷却処理ユニット
29が設けられており、冷却処理ユニット29に対向す
る位置に、薬液供給ユニット81および搬送装置進入路
82が設けられている。The relay section 17 is provided with a cooling processing unit 29 having a two-tier structure at a position adjacent to the heating processing unit 28, and at a position opposed to the cooling processing unit 29, A transfer device approach path 82 is provided.
【0027】上記主搬送装置18は、搬送機構3のアー
ム11との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、前段
部2aの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、
さらには中継部17との間で基板Gの受け渡しを行う機
能を有している。また、主搬送装置19は中継部17と
の間で基板Gの受け渡しを行うとともに、後段部2bの
各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらには
インターフェース部30との間の基板Gの受け渡しを行
う機能を有している。The main transfer device 18 transfers the substrate G to and from the arm 11 of the transfer mechanism 3, and loads and unloads the substrate G to and from each processing unit in the former stage 2a.
Further, it has a function of transferring the board G to and from the relay section 17. The main transfer device 19 transfers the substrate G to and from the relay unit 17, and loads and unloads the substrate G to and from each of the processing units in the subsequent unit 2 b, and further transfers the substrate G to and from the interface unit 30. Has the function of performing
【0028】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。By consolidating and integrating the processing units in this way, space can be saved and processing efficiency can be improved.
【0029】このように構成される塗布・現像処理シス
テムにおいては、カセットC内の基板Gが、処理部2に
搬送され、処理部2では、まず、洗浄ユニット24によ
り洗浄処理され、加熱処理ユニット21の一つで加熱乾
燥された後、レジストの定着性を高めるためにアドヒー
ジョン処理ユニット22にて疎水化処理され、冷却ユニ
ット23で冷却後、レジスト塗布ユニット26でレジス
トが塗布され、周辺レジスト除去ユニット27で基板G
の周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板G
は、加熱処理ユニット28の一つでプリベーク処理さ
れ、冷却ユニット29で冷却された後、インターフェー
ス部30を介して露光装置に搬送されてそこで所定のパ
ターンが露光される。そして、再びインターフェース部
30を介して搬入され、加熱処理ユニット28の一つで
ポストエクスポージャーベーク処理が施される。その
後、冷却ユニット29で冷却された基板Gは、現像処理
ユニット25で現像処理され、所定の回路パターンが形
成される。現像処理された基板Gは、主搬送装置18お
よび搬送機構3によってカセットステーション1上の所
定のカセットに収容される。In the coating / developing processing system configured as described above, the substrate G in the cassette C is transported to the processing section 2, where the substrate G is first cleaned by the cleaning unit 24, After being heated and dried in one of the components 21, it is subjected to hydrophobic treatment in an adhesion processing unit 22 in order to enhance the fixability of the resist, cooled in a cooling unit 23, and then coated with a resist in a resist coating unit 26 to remove peripheral resist. Substrate G in unit 27
Excess resist on the periphery of the substrate is removed. Then, the substrate G
Is subjected to a pre-baking process in one of the heat treatment units 28, cooled in a cooling unit 29, and then conveyed to an exposure device via an interface unit 30, where a predetermined pattern is exposed. Then, it is carried in again via the interface unit 30 and subjected to post-exposure bake processing in one of the heat processing units 28. After that, the substrate G cooled by the cooling unit 29 is developed by the developing unit 25 to form a predetermined circuit pattern. The developed substrate G is stored in a predetermined cassette on the cassette station 1 by the main transfer device 18 and the transfer mechanism 3.
【0030】次に、本実施の形態に係るアドヒージョン
処理ユニット22を説明する。図2は、本実施の形態に
係るアドヒージョン処理ユニットの概略断面図である。Next, the adhesion processing unit 22 according to the present embodiment will be described. FIG. 2 is a schematic sectional view of the adhesion processing unit according to the present embodiment.
【0031】このアドヒージョン処理ユニット22は、
図2に示すように、筐体31を有し、この筐体31内に
は、基板Gにアドヒージョン処理するための処理室32
が形成されている。この処理室32の下側には、基板G
を加熱するための加熱プレート33がその面を水平にし
て配置されいてる。この加熱プレート33には、ヒータ
ー(図示せず)が装着されており、所望の温度に設定可
能となっている。This adhesion processing unit 22
As shown in FIG. 2, a housing 31 is provided. Inside the housing 31, a processing chamber 32 for performing adhesion processing on the substrate G is provided.
Are formed. Under the processing chamber 32, a substrate G
A heating plate 33 for heating the plate is arranged with its surface horizontal. The heating plate 33 is provided with a heater (not shown), and can be set to a desired temperature.
【0032】この加熱プレート33の表面には、複数の
スペーサ34が設けられており、このスペーサ34によ
って基板Gが保持されている。すなわち、プロキシミテ
ィ方式が採用されており、加熱プレート33と基板Gと
の直接の接触を避け、加熱プレート33からの放熱によ
って、基板Gを加熱処理するようになっている。これに
より、加熱プレート33からの基板Gの汚染が防止され
る。各スペーサ34には、支持部材35がねじ止めされ
ており、この支持部材35により基板Gが支持されてい
る。A plurality of spacers 34 are provided on the surface of the heating plate 33, and the substrate G is held by the spacers 34. That is, the proximity method is adopted, and the substrate G is heated by heat radiation from the heating plate 33 while avoiding direct contact between the heating plate 33 and the substrate G. Thereby, contamination of the substrate G from the heating plate 33 is prevented. A support member 35 is screwed to each spacer 34, and the substrate G is supported by the support member 35.
【0033】処理室32には、ガス供給管36が接続さ
れており、このガス供給管36には、処理ガスとしての
HMDSガスおよび置換ガスのN2ガスがバルブ37に
より選択的に通流され、これらのいずれかのガスが処理
室32内に供給されるようになっている。A gas supply pipe 36 is connected to the processing chamber 32, and HMDS gas as a processing gas and N 2 gas as a replacement gas are selectively passed through the gas supply pipe 36 by a valve 37. Any of these gases is supplied into the processing chamber 32.
【0034】また、処理室32には、ガス排気管38が
接続されており、このガス排気管38には、排気ポンプ
39が設けられている。したがって、処理室32内のH
MDSガスまたはN2ガスは、排気ポンプ39により排
気管38を通って排気されるようになっている。Further, a gas exhaust pipe 38 is connected to the processing chamber 32, and an exhaust pump 39 is provided in the gas exhaust pipe 38. Therefore, H in the processing chamber 32
The MDS gas or the N 2 gas is exhausted by an exhaust pump 39 through an exhaust pipe 38.
【0035】また、加熱プレート33の複数の孔41を
通挿して、複数のリフトピン40が昇降自在に設けられ
ている。これらリフトピン40の下部は、昇降機構43
により昇降される支持部材42に当接して支持されてい
る。これにより、昇降機構43によって支持部材42が
上昇されると、リフトピン40は、上昇して、搬入され
た基板Gを受け取り、次いで、若干下降して加熱プレー
ト33上に載置すると共に、アドヒージョン処理終了
後、再び上昇して基板Gを搬出位置まで持ち上げるよう
になっている。A plurality of lift pins 40 are provided so as to be able to move up and down through a plurality of holes 41 of the heating plate 33. The lower part of these lift pins 40 is
And is supported in contact with the support member 42 which is moved up and down by. Thus, when the support member 42 is raised by the lifting mechanism 43, the lift pins 40 are raised to receive the loaded substrate G, and then slightly lowered to be placed on the heating plate 33, and to perform the adhesion process. After the end, the substrate G is raised again to lift the substrate G to the unloading position.
【0036】図3を参照して更に詳細に説明する。図3
は、図2に示すリフトピンを拡大して示す概略断面図で
ある。This will be described in more detail with reference to FIG. FIG.
FIG. 3 is a schematic sectional view showing a lift pin shown in FIG. 2 in an enlarged manner.
【0037】リフトピン40は、加熱プレート33の孔
41を通挿する上部材40aと、この上部材40aの下
部が嵌入されていると共に支持部材42に当接する下部
材40bとから構成されている。加熱プレート33の孔
41には、リフトピン40の上部材40aを通挿して摺
動するための複数段の摺動部材45が嵌装されている。
この摺動部材45の下方には、筒状に形成された有底の
リング部材46が取付けられ、このリング部材46の底
部46aには、リフトピン40の上部材40aに密着し
てシールするための真空シール47が取付けられてい
る。The lift pin 40 is composed of an upper member 40a through which the hole 41 of the heating plate 33 is inserted, and a lower member 40b into which the lower part of the upper member 40a is fitted and which comes into contact with the support member 42. In the hole 41 of the heating plate 33, a plurality of slide members 45 for inserting and sliding the upper member 40a of the lift pin 40 are fitted.
Below the sliding member 45, a cylindrical ring member 46 with a bottom is attached, and a bottom portion 46a of the ring member 46 is used for tightly sealing the upper member 40a of the lift pin 40. A vacuum seal 47 is attached.
【0038】この真空シール47は、図4に示すよう
に、リング部材46の底部46aの孔に嵌装された基部
47aと、この基部47aから折曲されてリフトピン4
0の上部材40に密着してシールするためのリップ部4
6aとからなっている。これにより、処理室32内のH
MDSガス等の外部への漏洩を防止するようになってい
る。As shown in FIG. 4, the vacuum seal 47 has a base 47a fitted in a hole in the bottom 46a of the ring member 46, and a lift pin 4 bent from the base 47a.
Lip 4 for tightly sealing the upper member 40
6a. Thereby, H in the processing chamber 32 is
Leakage of MDS gas or the like to the outside is prevented.
【0039】さらに、図3および図5に示すように、リ
フトピン40の下部材40bの下端には、円形の滑動部
材51が設けられており、昇降機構43により昇降され
る支持部材42には、この滑動部材51をその側部およ
び上部で包持する包持部材52が固定されている。As shown in FIGS. 3 and 5, a circular sliding member 51 is provided at the lower end of the lower member 40b of the lift pin 40. A holding member 52 that holds the sliding member 51 on its side and upper part is fixed.
【0040】包持部材52の上壁52aには、リフトピ
ン40の下部材40bを通挿する孔52bが設けられて
いる。この孔52bは、リフトピン40の下部材40b
が側方に移動するとき、この下部材40bに干渉しない
ようになっている。また、包持部材52の側壁52c
は、図5に示すように、滑動部材51が側方に移動する
とき、こ側方への動きを許容するスペースを有すると共
に、滑動部材51の移動の最大限を規制する働きもする
ようになっている。The upper wall 52a of the holding member 52 is provided with a hole 52b through which the lower member 40b of the lift pin 40 is inserted. The hole 52b is provided in the lower member 40b of the lift pin 40.
Does not interfere with the lower member 40b when moving laterally. Also, the side wall 52c of the holding member 52
As shown in FIG. 5, when the sliding member 51 moves to the side, the sliding member 51 has a space that allows the lateral movement, and also has a function of restricting the maximum movement of the sliding member 51. Has become.
【0041】滑動部材51の上面には、包持部材52の
上壁52aと協働してリニアベアリングを構成するピロ
ーボール53が嵌装されていると共に、滑動部材51の
下面には、支持部材42と協働してリニアベアリングを
構成するピローボール53が嵌装されている。これらピ
ローボール53は、図5に示すように、滑動部材51の
上面および下面で、各々、3個ずつ設けられている。A pillow ball 53 forming a linear bearing is fitted on the upper surface of the sliding member 51 in cooperation with the upper wall 52a of the holding member 52, and a supporting member is mounted on the lower surface of the sliding member 51. A pillow ball 53 forming a linear bearing in cooperation with 42 is fitted. As shown in FIG. 5, three pillow balls 53 are provided on the upper surface and the lower surface of the sliding member 51, respectively.
【0042】このように、リフトピン40の下端に、リ
ニアベアリングを構成するピローボール53を有する滑
動部材51が設けられているため、加熱プレート33を
温度上昇させて加熱プレート33が熱膨張した際、リフ
トピン40は、加熱プレート33の熱膨張に追随して容
易に側方に移動することができる。As described above, since the sliding member 51 having the pillow ball 53 constituting the linear bearing is provided at the lower end of the lift pin 40, when the temperature of the heating plate 33 is raised and The lift pins 40 can easily move to the side following the thermal expansion of the heating plate 33.
【0043】したがって、リフトピン40を通挿するた
めの加熱プレート33の孔41の径を大きくする必要が
なく、且つリフトピン40の径を極めて細く、例えば1
〜2mm程度とすることが可能であり、基板Gの温度分
布ムラを有効に防止することができ、また、リフトピン
40の跡が基板Gに転写されてしまう等の不都合を防止
できる。さらに、リフトピン40が加熱プレート33の
熱膨張に追随して容易に側方に移動することができるた
め、真空シール47がリフトピン40との摩擦により磨
耗するといったことがなく、真空シール47の劣化を招
来することがなく、真空シール47を頻繁に取り替える
といった必要がない。Therefore, it is not necessary to increase the diameter of the hole 41 of the heating plate 33 for inserting the lift pin 40, and the diameter of the lift pin 40 is extremely small, for example, 1 mm.
The thickness can be set to about 2 mm, which can effectively prevent unevenness in the temperature distribution of the substrate G, and can prevent inconveniences such as the traces of the lift pins 40 being transferred to the substrate G. Furthermore, since the lift pins 40 can easily move to the side following the thermal expansion of the heating plate 33, the vacuum seal 47 does not wear due to friction with the lift pins 40, and the deterioration of the vacuum seal 47 is reduced. There is no need to frequently replace the vacuum seal 47 without inviting.
【0044】以上はアドヒージョン処理ユニット22に
ついて説明したが、処理ガスを用いない加熱処理ユニッ
ト21,28の加熱プレートも、アドヒージョン処理ユ
ニット22のものと同様の構造を有しているため、この
加熱処理ユニット21,28にも本発明が適用可能であ
り、この場合にも、リフトピンは、加熱プレートの熱膨
張に追随して容易に側方に移動することができる。ま
た、冷却処理ユニット29も、アドヒージョン処理ユニ
ットと同様の構造を有しており、処理ガスを用いずに基
板Gを冷却プレートにより冷却するようになっているた
め、この冷却処理ユニット29にも本発明が適用可能で
あり、この場合には、冷却プレートが冷却により熱収縮
する際、リフトピンがこの冷却プレートの収縮に追随し
て容易に側方に移動することができる。なお、加熱処理
ユニットおよび冷却処理ユニットでは、処理ガスを用い
ないため、真空シール47は必ずしも必要でない。The above description has been given of the adhesion processing unit 22. However, since the heating plates of the heating processing units 21 and 28 which do not use a processing gas also have the same structure as that of the adhesion processing unit 22, The present invention is also applicable to the units 21 and 28, and in this case also, the lift pins can easily move to the side following the thermal expansion of the heating plate. The cooling processing unit 29 also has the same structure as the adhesion processing unit, and the substrate G is cooled by the cooling plate without using the processing gas. The invention is applicable. In this case, when the cooling plate thermally contracts due to cooling, the lift pins can easily move to the side following the contraction of the cooling plate. Note that the processing gas is not used in the heating processing unit and the cooling processing unit, so the vacuum seal 47 is not necessarily required.
【0045】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、図2に示す支持
部材35を用いずにリフトピン40により基板Gを加熱
プレート33から所定距離だけ離間位置に保持する、い
わゆるピンプロキシミティー方式を用いてもよい。It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible. For example, a so-called pin proximity method in which the substrate G is held at a predetermined distance from the heating plate 33 by the lift pins 40 without using the support member 35 shown in FIG. 2 may be used.
【0046】また、リフトピン40下端の滑動部材51
と、昇降機構により昇降される支持部材42との間にリ
ニアベアリングを設けているが、リニアベアリングを用
いずに、滑動部材の材質として、滑りやすい樹脂等、例
えばテフロン、エンジニアリングプラスティック(例え
ば超高分子ポリエチレン)などを利用し、滑動部材自体
が滑る役割を果たすようにしてもよい。The sliding member 51 at the lower end of the lift pin 40
A linear bearing is provided between the sliding member and the supporting member 42 which is raised and lowered by the lifting mechanism. However, without using the linear bearing, a material such as a slippery resin such as Teflon or engineering plastic (for example, (Molecular polyethylene) or the like, and the sliding member itself may play a role of sliding.
【0047】[0047]
【発明の効果】以上説明したように、第1発明によれ
ば、リフトピンは、加熱プレートの熱膨張に追随して側
方に移動することができるため、リフトピンを通挿する
ための加熱プレートの孔を大きくする必要がなく、基板
の温度分布のムラを招来することもなく、また、シール
部材がリフトピンとの摩擦により磨耗するといったこと
がなく、シール部材の劣化を招来することがなく、シー
ル部材を頻繁に取り替える必要がない。さらに、リフト
ピンの周囲には、リフトピンに密着するようにシール部
材が設けられているため、処理室内の処理ガスの外部へ
の漏洩が効果的に防止されている。As described above, according to the first aspect, the lift pins can move to the side following the thermal expansion of the heating plate. There is no need to enlarge the hole, no unevenness in the temperature distribution of the substrate is caused, and the seal member does not wear due to friction with the lift pins, and the seal member is not deteriorated. There is no need to change parts frequently. Further, since a seal member is provided around the lift pin so as to be in close contact with the lift pin, leakage of the processing gas in the processing chamber to the outside is effectively prevented.
【0048】第2発明によれば、ベアリング部材は、昇
降機構の支持部材とリフトピンの下端との間に設けられ
たリニアベアリングであるため、リフトピンは、より一
層加熱プレートの熱膨張に追随して側方に移動すること
ができる。According to the second aspect, since the bearing member is a linear bearing provided between the support member of the lifting mechanism and the lower end of the lift pin, the lift pin further follows the thermal expansion of the heating plate. Can move to the side.
【0049】第3および第4発明によれば、疎水化処理
のための基板処理装置において、リフトピンの周囲での
シール性の劣化を招くことがないと共に、温度変化の際
におけるリフトピンの追随性を極めて良好にすることが
できる。According to the third and fourth aspects of the present invention, in the substrate processing apparatus for the hydrophobizing treatment, the sealability around the lift pins is not deteriorated, and the followability of the lift pins when the temperature changes is improved. It can be very good.
【0050】第5発明によれば、極めて簡易な構造によ
り、リフトピンの側方への移動機構を実現することがで
きる。According to the fifth aspect, a mechanism for moving the lift pins to the side can be realized with an extremely simple structure.
【0051】第6発明によれば、疎水化処理のための基
板処理装置、加熱処理のための基板処理装置、または冷
却処理のための基板処理装置において、リフトピンは、
加熱プレートの熱膨張に追随して側方に移動することが
できるため、リフトピンを通挿するための加熱プレート
の孔を大きくする必要がなく、基板の温度分布のムラを
招来することもない。According to the sixth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus for the hydrophobic treatment, the substrate processing apparatus for the heating processing, or the substrate processing apparatus for the cooling processing, the lift pins are
Since it is possible to move laterally following the thermal expansion of the heating plate, it is not necessary to increase the size of the hole in the heating plate through which the lift pins are inserted, and the temperature distribution of the substrate does not become uneven.
【図1】本発明が適用されるLCD基板の塗布・現像処
理システムを示す斜視図。FIG. 1 is a perspective view showing an LCD substrate coating / developing processing system to which the present invention is applied.
【図2】本実施の形態に係るアドヒージョン処理ユニッ
トの概略断面図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the adhesion processing unit according to the embodiment.
【図3】図2に示すリフトピンを拡大して示す概略断面
図。FIG. 3 is an enlarged schematic cross-sectional view showing a lift pin shown in FIG. 2;
【図4】図3に示すIV部分の拡大図。FIG. 4 is an enlarged view of an IV part shown in FIG. 3;
【図5】図3のV−V線から視た矢視図。FIG. 5 is a view as seen from the line VV in FIG. 3;
【図6】従来のアドヒージョン処理ユニットに用いるリ
フトピンの概略断面図。FIG. 6 is a schematic sectional view of a lift pin used in a conventional adhesion processing unit.
22……アドヒージョン処理装置 32……処理室 33……加熱プレート(プレート) 40……リフトピン 40a……上部材 40b……下部材 42……支持部材 43……昇降機構 47……真空シール(シール部材) 51……滑動部材 52……包持部材 53……ピローボール(リニアベアリング) G……LCD基板 22 Adhesion processing device 32 Processing chamber 33 Heating plate (plate) 40 Lift pin 40a Upper member 40b Lower member 42 Support member 43 Lifting mechanism 47 Vacuum seal (seal) Member) 51: Sliding member 52: Holding member 53: Pillow ball (linear bearing) G: LCD substrate
Claims (6)
により昇降されるリフトピンによって処理室内に搬入さ
れた基板を受け取って前記プレートに載置し、基板への
処理が終了した後、前記リフトピンにより基板を処理室
内の搬出位置に持ち上げる基板処理装置であって、 前記リフトピンの周囲に密着するように配置されて処理
室内をシールするためのシール部材と、 前記リフトピンの下端に設けられてリフトピンの側方へ
の移動を許容するベアリング部材とを具備することを特
徴とする基板処理装置。1. A substrate loaded into a processing chamber is received by a lift pin that is inserted into a plate in the processing chamber and lifted by a lifting mechanism, and is placed on the plate. After the processing on the substrate is completed, the lift pin is used. What is claimed is: 1. A substrate processing apparatus for lifting a substrate to a carry-out position in a processing chamber, comprising: a sealing member disposed so as to be in close contact with a periphery of the lift pin to seal the processing chamber; And a bearing member that allows movement toward the substrate processing apparatus.
支持部材とリフトピンの下端との間に設けられたリニア
ベアリングであることを特徴とする請求項1に記載の基
板処理装置。2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the bearing member is a linear bearing provided between a supporting member of the lifting mechanism and a lower end of a lift pin.
加熱プレートであることを特徴とする請求項1または請
求項2に記載の基板処理装置。3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the plate is a heating plate for heating a substrate.
て、処理室内で疎水化処理を基板に施すことを特徴とす
る請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の基板
処理装置。4. The substrate processing according to claim 1, wherein a predetermined processing gas is introduced into the processing chamber, and the substrate is subjected to a hydrophobic treatment in the processing chamber. apparatus.
グ部材を有して滑動する滑動部材が設けられ、前記昇降
機構の支持部材に、この滑動部材の側方への移動を許容
するとともに移動量の最大限を規制するように滑動部材
を包持する包持部材が固定されていることを特徴とする
請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の基板処
理装置。5. A sliding member having the bearing member and slidably provided at a lower end of the lift pin. The supporting member of the lifting mechanism allows the sliding member to move laterally and reduces the amount of movement. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein a holding member for holding the sliding member is fixed so as to regulate the maximum.
は疎水化処理を施す基板処理装置であって、 基板の下方に配置され、基板を加熱または冷却するため
のプレートと、 前記プレートを通挿して昇降機構により昇降自在に設け
られ、基板を支持するためのリフトピンと、 前記リフトピンの下端に設けられてリフトピンの側方へ
の移動を許容するベアリング部材とを具備することを特
徴とする基板処理装置。6. A substrate processing apparatus for performing a heating process, a cooling process, or a hydrophobizing process on a substrate, the plate processing device being disposed below the substrate for heating or cooling the substrate; A substrate provided with a lift pin for supporting the substrate, the lift pin being provided so as to be able to be inserted and raised by a lifting mechanism, and a bearing member provided at a lower end of the lift pin and allowing the lift pin to move laterally. Processing equipment.
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