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JPH11195563A - Apparatus and method for separating sample and manufacture of substrate - Google Patents

Apparatus and method for separating sample and manufacture of substrate

Info

Publication number
JPH11195563A
JPH11195563A JP36101697A JP36101697A JPH11195563A JP H11195563 A JPH11195563 A JP H11195563A JP 36101697 A JP36101697 A JP 36101697A JP 36101697 A JP36101697 A JP 36101697A JP H11195563 A JPH11195563 A JP H11195563A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
substrate
pair
separation
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP36101697A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazutaka Yanagida
一隆 柳田
Kazuaki Omi
和明 近江
Kiyobumi Sakaguchi
清文 坂口
Takao Yonehara
隆夫 米原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP36101697A priority Critical patent/JPH11195563A/en
Priority to SG1998005839A priority patent/SG70141A1/en
Priority to SG200100215A priority patent/SG87916A1/en
Priority to US09/211,757 priority patent/US6418999B1/en
Priority to TW87120972A priority patent/TW429464B/en
Priority to DE1998627459 priority patent/DE69827459T2/en
Priority to EP19980310462 priority patent/EP0925888B1/en
Priority to AT98310462T priority patent/ATE281909T1/en
Priority to AU98190/98A priority patent/AU717785B2/en
Priority to KR10-1998-0058984A priority patent/KR100366722B1/en
Publication of JPH11195563A publication Critical patent/JPH11195563A/en
Priority to US10/151,527 priority patent/US6521078B2/en
Priority to US10/318,231 priority patent/US6860963B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus for separating a substrate having a porous layer at the porous layer therefrom. SOLUTION: A bonding substrate 101, having a porous layer 101b is supported by substrate supporting portions 120 and 150, while being rotated. High-velocity and high-pressure water (jet) is jetted from a nozzle 102, and the resultant jet is passed into the bonding substrate 101. While the supporting portions 120, 150 permit the bonding substrate 101 to warp in the vicinity of the central portion of the bonding substrate 101 by the action of the water pressure injected thereinto, they hold the bonding substrate 101 so as to limit the degree of the warpage. In this way, a force from inside toward the outside (separating force) with respect to the bonding substrate 101 is efficiently acted thereon, and the bonding substrate 101 is prevented from cracking.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、試料の分離装置及
びその方法並びに基板の製造方法に係り、特に、内部に
脆弱な層を有する板状の試料を該脆弱な層で分離する分
離装置及びその方法、該装置において使用する試料の支
持装置、並びに、該分離装置を使用した基板の製造方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus and a method for separating a sample, and a method for manufacturing a substrate. More particularly, the present invention relates to an apparatus and a method for separating a plate-shaped sample having a fragile layer therein by the fragile layer. The present invention relates to a method, a device for supporting a sample used in the device, and a method for manufacturing a substrate using the separation device.

【0002】[0002]

【従来の技術】絶縁層上に単結晶Si層を有する基板と
して、SOI(silicon on insulator)構造を有する基
板(SOI基板)が知られている。このSOI基板を採
用したデバイスは、通常のSi基板では達成し得ない数
々の優位点を有する。この優位点としては、例えば、以
下のものが挙げられる。 (1)誘電体分離が容易で高集積化に適している。 (2)放射線耐性に優れている。 (3)浮遊容量が小さく、素子の動作速度の高速化が可
能である。 (4)ウェル工程が不要である。 (5)ラッチアップを防止できる。 (6)薄膜化による完全な空乏型電解効果トランジスタ
の形成が可能である。
2. Description of the Related Art As a substrate having a single crystal Si layer on an insulating layer, a substrate (SOI substrate) having an SOI (silicon on insulator) structure is known. Devices using this SOI substrate have a number of advantages that cannot be achieved with a normal Si substrate. The advantages include, for example, the following. (1) Dielectric separation is easy and suitable for high integration. (2) Excellent radiation resistance. (3) The stray capacitance is small, and the operation speed of the element can be increased. (4) No well step is required. (5) Latch-up can be prevented. (6) A complete depletion type field effect transistor can be formed by thinning.

【0003】SOI構造は、上記のような様々な優位点
を有するため、ここ数十年、その形成方法に関する研究
が進められてきた。
[0003] Since the SOI structure has various advantages as described above, research on a forming method thereof has been advanced in recent decades.

【0004】SOI技術としては、古くは、単結晶サフ
ァイア基板上にSiをCVD(化学気層成長)法でヘテ
ロエピタキシ成長させて形成するSOS(silicon on s
apphire)技術が知られている。このSOS技術は、最
も成熟したSOI技術として一応の評価を得たものの、
Si層と下地のサファイア基板との界面における格子不
整合による大量の結晶欠陥の発生、サファイア基板を構
成するアルミニウムのSi層への混入、基板の価格、大
面積化への遅れ等の理由により実用化が進んでいない。
As an SOI technique, SOS (silicon on s) is conventionally formed by forming Si on a single crystal sapphire substrate by heteroepitaxial growth by a CVD (chemical vapor deposition) method.
apphire) technology is known. Although this SOS technology has gained a reputation as the most mature SOI technology,
Practical due to large number of crystal defects due to lattice mismatch at the interface between the Si layer and the underlying sapphire substrate, mixing of aluminum constituting the sapphire substrate into the Si layer, cost of the substrate, delay in increasing the area, etc. Has not progressed.

【0005】SOS技術に次いで、SIMOX(separa
tion by ion implanted oxygen)技術が登場した。この
SIMOX技術に関して、結晶欠陥の低減や製造コスト
の低減等を目指して様々な方法が試みられてきた。この
方法としては、基板に酸素イオンを注入して埋め込み酸
化層を形成する方法、酸化膜を挟んで2枚のウェハを貼
り合わせて一方のウェハを研磨又はエッチングして、薄
い単結晶Si層を酸化膜上に残す方法、更には、酸化膜
が形成されたSi基板の表面から所定の深さに水素イオ
ンを打ち込み、他方の基板と貼り合わせた後に、加熱処
理等により該酸化膜上に薄い単結晶Si層を残して、貼
り合わせた基板(他方の基板)を剥離する方法等が挙げ
られる。
Following SOS technology, SIMOX (separa
tion by ion implanted oxygen) technology has emerged. With respect to the SIMOX technology, various methods have been attempted with the aim of reducing crystal defects and reducing manufacturing costs. As this method, a method of implanting oxygen ions into a substrate to form a buried oxide layer, bonding two wafers with an oxide film interposed therebetween, and polishing or etching one of the wafers to form a thin single-crystal Si layer A method of leaving on an oxide film, furthermore, hydrogen ions are implanted at a predetermined depth from the surface of the Si substrate on which the oxide film is formed, and after bonding with the other substrate, a thin film is formed on the oxide film by heat treatment or the like. A method of removing the bonded substrate (the other substrate) while leaving the single crystal Si layer, or the like can be given.

【0006】本出願人は、特開平5−21338号にお
いて、新たなSOI技術を開示した。この技術は、多孔
質層が形成された単結晶半導体基板上に非多孔質単結晶
層(SiO2)を形成した第1の基板を、絶縁層(Si
2)を介して第2の基板に貼り合わせ、その後、多孔
質層で両基板を分離し、第2の基板に非多孔質単結晶層
を移し取るものである。この技術は、SOI層の膜厚均
一性が優れていること、SOI層の結晶欠陥密度を低減
し得ること、SOI層の表面平坦性が良好であること、
高価な特殊仕様の製造装置が不要であること、数100
Å〜10μm程度の範囲のSOI膜を有するSOI基板
を同一の製造装置で製造可能なこと等の点で優れてい
る。
The present applicant has disclosed a new SOI technique in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-21338. According to this technique, a first substrate in which a non-porous single-crystal layer (SiO 2 ) is formed on a single-crystal semiconductor substrate in which a porous layer is formed is separated from an insulating layer (Si).
O 2 ) is applied to the second substrate, the two substrates are separated by a porous layer, and the non-porous single crystal layer is transferred to the second substrate. This technique has excellent thickness uniformity of the SOI layer, can reduce the crystal defect density of the SOI layer, has good surface flatness of the SOI layer,
Eliminates the need for expensive special equipment
It is excellent in that an SOI substrate having an SOI film in the range of about Å to 10 μm can be manufactured by the same manufacturing apparatus.

【0007】更に、本出願人は、特開平7−30288
9号において、上記の第1の基板と第2の基板とを貼り
合わせた後に、第1の基板を破壊することなく第2の基
板から分離し、その後、分離した第1の基板の表面を平
滑にして再度多孔質層を形成し、これを再利用する技術
を開示した。この技術は、第1の基板を無駄なく使用で
きるため、製造コストを大幅に低減することができ、製
造工程も単純であるという優れた利点を有する。
[0007] Further, the applicant of the present invention has disclosed Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-30288.
In No. 9, after the first substrate and the second substrate are bonded to each other, the first substrate is separated from the second substrate without breaking, and then the separated surface of the first substrate is removed. A technique has been disclosed in which a porous layer is formed again after smoothing and reused. This technique has excellent advantages that the first substrate can be used without waste, so that the manufacturing cost can be greatly reduced and the manufacturing process is simple.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記の技術において
は、貼り合わせた2枚の基板を分離する際に、両基板の
破損がなく、また、パーティクルの発生による基板や製
造装置等の汚染が少ないことが要求される。
In the above technique, when the two substrates are separated from each other, there is no damage to both substrates, and there is little contamination of the substrate and the manufacturing apparatus due to generation of particles. Is required.

【0009】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであり、基板等の試料の分離に好適な分離装置及びそ
の方法、該分離装置において使用する試料の支持装置、
並びに、該分離装置を使用した基板の製造方法を提供す
ることを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and a separation apparatus and method suitable for separating a sample such as a substrate, a sample supporting apparatus used in the separation apparatus,
It is another object of the present invention to provide a method for manufacturing a substrate using the separation device.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明に係る試料の分離
装置は、内部に脆弱な層を有する板状の試料を該脆弱な
層で分離する分離装置であって、試料に向けて流体を噴
射する噴射部と、試料を両側から挟むようにして保持す
る一対の保持部とを備え、前記一対の保持部は、前記噴
射部から噴射され試料内部に注入された流体の圧力によ
り該試料が2枚に分かれるようにして反ることを許容す
る一方で、その反り量を制限することを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION A sample separation apparatus according to the present invention is a separation apparatus for separating a plate-shaped sample having a fragile layer therein by the fragile layer, wherein a fluid is directed toward the sample. An ejecting unit for ejecting the sample, and a pair of holding units for holding the sample so as to sandwich the sample from both sides; the pair of holding units are configured such that two samples of the sample are formed by the pressure of the fluid ejected from the ejecting unit and injected into the sample. It is characterized in that it is allowed to bend in such a way that it is divided into two, while limiting the amount of warpage.

【0011】上記の分離装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、滑らかな凸状の支持面
を有し、該支持面により試料を保持することが好まし
い。
In the above separation apparatus, it is preferable that at least one of the pair of holding portions has, for example, a smooth convex support surface, and the sample is held by the support surface.

【0012】上記の分離装置において、前記支持面は、
例えば、実質的に球面の一部であることが好ましい。
[0012] In the above separation apparatus, the support surface may include:
For example, it is preferably substantially a part of a spherical surface.

【0013】上記の分離装置において、前記支持面は、
例えば、頂上部を凸面で構成した円錐がなす面であるこ
とが好ましい。
[0013] In the above separating apparatus, the support surface may include:
For example, it is preferable that the top is a surface formed by a cone having a convex surface.

【0014】上記の分離装置において、前記支持面は、
例えば、実質的に円錐台状の面で構成した面であること
が好ましい。
In the above separating apparatus, the support surface may be:
For example, it is preferable that the surface is a substantially frustoconical surface.

【0015】上記の分離装置において、前記支持面は、
例えば、円錐台が数段重なって全体として滑らかな凸形
状を構成する面であることが好ましい。
In the above separating apparatus, the support surface may be:
For example, it is preferable that the surface is a surface in which several truncated cones overlap to form a smooth convex shape as a whole.

【0016】上記の分離装置において、前記支持面は、
例えば、円柱が数段重なって全体として凸形状を構成す
る面であることが好ましい。
In the above separation apparatus, the support surface may include:
For example, it is preferable that the surface is a surface in which several columns overlap to form a convex shape as a whole.

【0017】上記の分離装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、弾性体を含み、試料か
ら受ける力により変形することが好ましい。
In the above separating apparatus, it is preferable that at least one of the pair of holding portions includes, for example, an elastic body and is deformed by a force received from a sample.

【0018】上記の分離装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、少なくとも一部が弾性
体で構成された支持部を有し、該支持部により試料を保
持することが好ましい。
In the above-described separation apparatus, it is preferable that at least one of the pair of holding units has, for example, a support part at least partially composed of an elastic body, and the sample is held by the support part.

【0019】上記の分離装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、試料と接触し得る部分
が弾性体で構成されていることが好ましい。
In the above-described separation apparatus, it is preferable that at least one of the pair of holding portions has, for example, a portion that can come into contact with a sample made of an elastic material.

【0020】上記の分離装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、弾性体からなる環状の
支持部を有することが好ましい。
In the above separating apparatus, it is preferable that at least one of the pair of holding portions has, for example, an annular support portion made of an elastic body.

【0021】上記の分離装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、その本体に弾性体を介
して連結された支持部を有することが好ましい。
In the above separating apparatus, it is preferable that at least one of the pair of holding portions has a support portion connected to the main body thereof via an elastic body, for example.

【0022】上記の分離装置に、試料の面と直交する方
向に設けられた軸を中心にして前記保持部を回転させる
回転機構を更に備えることが好ましい。
[0022] It is preferable that the separation device further includes a rotation mechanism for rotating the holding section about an axis provided in a direction perpendicular to the surface of the sample.

【0023】上記の分離装置に、前記一対の保持部の間
隔を調整する調整機構を更に備えることが好ましい。
It is preferable that the separation device further includes an adjusting mechanism for adjusting a distance between the pair of holding portions.

【0024】上記の分離装置において、前記調整機構
は、流体により試料を分離する際に、例えば、試料を押
圧するように前記一対の保持部の間隔を調整することが
好ましい。
In the above separating apparatus, it is preferable that the adjusting mechanism adjusts the interval between the pair of holding portions so as to press the sample when the sample is separated by a fluid.

【0025】上記の分離装置において、前記調整機構
は、流体により試料を分離する際に、例えば、前記一対
の保持部の間隔を略一定に維持することが好ましい。
In the above separation apparatus, it is preferable that the adjusting mechanism keeps, for example, the interval between the pair of holding portions substantially constant when separating the sample with the fluid.

【0026】上記の分離装置において、前記一対の保持
部は、試料を真空吸着する吸着機構を有することが好ま
しい。
In the above separation apparatus, it is preferable that the pair of holding units have an adsorption mechanism for adsorbing the sample in vacuum.

【0027】上記の分離装置は、脆弱な層として多孔質
層を有する基板を分離する処理に好適である。
The above separation apparatus is suitable for processing for separating a substrate having a porous layer as a fragile layer.

【0028】本発明に係る試料の保持装置は、内部に脆
弱な層を有する板状の試料を該脆弱な層で分離する分離
装置において使用する試料の支持装置であって、試料を
両側から挟むようにして保持する一対の保持部を備え、
前記一対の保持部は、前記分離装置に設けられた噴射部
から噴射され試料内部に注入された流体の圧力により該
試料が2枚に分かれるようにして反ることを許容する一
方で、その反り量を制限することを特徴とする。
The sample holding device according to the present invention is a sample supporting device used in a separation device for separating a plate-shaped sample having a fragile layer therein by the fragile layer, and holds the sample from both sides. Equipped with a pair of holding parts to hold
The pair of holding sections allow the sample to be divided into two pieces by the pressure of the fluid injected from the ejection section provided in the separation device and injected into the sample, and allow the sample to be warped. It is characterized by limiting the amount.

【0029】上記の支持装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、滑らかな凸状の支持面
を有し、該支持面により試料を保持することが好まし
い。
In the above supporting apparatus, it is preferable that at least one of the pair of holding portions has, for example, a smooth convex supporting surface, and the sample is held by the supporting surface.

【0030】上記の支持装置において、前記支持面は、
例えば、実質的に球面の一部であることが好ましい。
In the above supporting device, the supporting surface is
For example, it is preferably substantially a part of a spherical surface.

【0031】上記の支持装置において、前記支持面は、
例えば、頂上部を凸面で構成した円錐がなす面であるこ
とが好ましい。
In the above supporting device, the supporting surface is
For example, it is preferable that the top is a surface formed by a cone having a convex surface.

【0032】上記の支持装置において、前記支持面は、
例えば、実質的に円錐台状の面で構成した面であること
が好ましい。
In the above supporting device, the supporting surface is
For example, it is preferable that the surface is a substantially frustoconical surface.

【0033】上記の支持装置において、前記支持面は、
例えば、円錐台が数段重なって全体として滑らかな凸形
状を構成する面であることが好ましい。
In the above supporting device, the supporting surface is
For example, it is preferable that the surface is a surface in which several truncated cones overlap to form a smooth convex shape as a whole.

【0034】上記の支持装置において、前記支持面は、
例えば、円柱が数段重なって全体として凸形状を構成す
る面であることが好ましい。
In the above support device, the support surface is
For example, it is preferable that the surface is a surface in which several columns overlap to form a convex shape as a whole.

【0035】上記の支持装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、弾性体を含み、試料か
ら受ける力により変形することが好ましい。
In the above support device, it is preferable that at least one of the pair of holding portions includes, for example, an elastic body and is deformed by a force received from the sample.

【0036】上記の支持装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、少なくとも一部が弾性
体で構成された支持部を有し、該支持部により試料を保
持することが好ましい。
In the above-mentioned supporting apparatus, it is preferable that at least one of the pair of holding portions has, for example, a supporting portion at least partially constituted by an elastic body, and the sample is held by the supporting portion.

【0037】上記の支持装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、試料と接触し得る部分
が弾性体で構成されていることが好ましい。
In the above support device, it is preferable that at least one of the pair of holding portions has, for example, a portion that can come into contact with the sample is formed of an elastic body.

【0038】上記に支持装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、弾性体からなる環状の
支持部を有することが好ましい。
In the above support device, it is preferable that at least one of the pair of holding portions has, for example, an annular support portion made of an elastic body.

【0039】上記の支持装置において、前記一対の保持
部の少なくとも一方は、例えば、その本体に弾性体を介
して連結された支持部を有することが好ましい。
In the above-mentioned supporting device, it is preferable that at least one of the pair of holding portions has, for example, a supporting portion connected to its main body via an elastic body.

【0040】上記の支持装置に、試料の面と直交する方
向に設けられた軸を中心にして前記保持部を回転させる
回転機構を更に備えることが好ましい。
[0040] It is preferable that the support device further includes a rotation mechanism for rotating the holding section about an axis provided in a direction perpendicular to the surface of the sample.

【0041】上記の支持装置に、前記一対の保持部の間
隔を調整する調整機構を更に備えることが好ましい。
It is preferable that the support device further includes an adjusting mechanism for adjusting a distance between the pair of holding portions.

【0042】上記の支持装置において、前記調整機構
は、流体により試料を分離する際に、例えば、試料を押
圧するように前記一対の保持部の間隔を調整することが
好ましい。
In the above supporting apparatus, it is preferable that the adjusting mechanism adjusts the interval between the pair of holding portions so as to press the sample when the sample is separated by the fluid.

【0043】上記の支持装置において、前記調整機構
は、流体により試料を分離する際に、例えば、前記一対
の保持部の間隔を略一定に維持することが好ましい。
In the above supporting apparatus, it is preferable that the adjusting mechanism keeps, for example, the interval between the pair of holding portions substantially constant when the sample is separated by the fluid.

【0044】上記の支持装置に、前記一対の保持部は、
試料を真空吸着する吸着機構を有することが好ましい。
In the above-mentioned supporting device, the pair of holding parts are
It is preferable to have an adsorption mechanism for vacuum-adsorbing the sample.

【0045】上記の支持装置は、脆弱な層として多孔質
層を有する基板を支持して、分離処理に供する支持装置
として好適である。
The above-described supporting device is suitable as a supporting device for supporting a substrate having a porous layer as a fragile layer and performing a separation process.

【0046】本発明に係る試料の分離方法は、上記の分
離装置を使用して脆弱な層を有する試料を分離すること
を特徴とする。
A sample separation method according to the present invention is characterized in that a sample having a fragile layer is separated using the above-described separation apparatus.

【0047】上記の分離方法において、前記噴射部から
噴射させる流体として、例えば水を使用することが好ま
しい。
In the above separation method, it is preferable to use, for example, water as the fluid to be jetted from the jetting section.

【0048】本発明に係る他の分離方法は、一方の面に
多孔質層及び非多孔質層を順に形成した第1の基板の前
記非多孔質層側を第2の基板に貼り合わせてなる基板を
前記多孔質層で分離する分離方法であって、その分離に
際して、上記の分離装置を使用することを特徴とする。
In another separation method according to the present invention, the non-porous layer side of a first substrate having a porous layer and a non-porous layer formed on one surface in this order is bonded to a second substrate. A separation method for separating a substrate by the porous layer, wherein the separation device is used for the separation.

【0049】本発明に係る基板の製造方法は、一方の面
に多孔質層及び非多孔質層を順に形成した第1の基板の
前記非多孔質層側を第2の基板に貼り合せる工程と、貼
り合わせた基板を前記多孔質層で分離する分離工程とを
含む基板の製造方法であって、前記分離工程において、
上記の分離装置を使用することを特徴とする。
The method of manufacturing a substrate according to the present invention comprises the steps of: adhering the non-porous layer side of a first substrate having a porous layer and a non-porous layer formed on one surface in that order to a second substrate; A separation step of separating the bonded substrates by the porous layer, wherein the separation step,
It is characterized by using the above separation device.

【0050】[0050]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の好適な実施の形態を説明する。
Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0051】図14は、本発明の好適な実施の形態に係
るSOI基板の製造を方法を工程順に説明する図であ
る。
FIG. 14 is a view for explaining a method of manufacturing an SOI substrate according to a preferred embodiment of the present invention in the order of steps.

【0052】図14(a)に示す工程では、単結晶Si
基板11を準備して、その表面に陽極化成等により多孔
質Si層12を形成する。次いで、図14(b)に示す
工程では、多孔質Si層12上に非多孔質単結晶Si層
13をエピタキシャル成長法により形成する。これによ
り、第1の基板()が形成される。
In the step shown in FIG.
A substrate 11 is prepared, and a porous Si layer 12 is formed on the surface of the substrate 11 by anodization or the like. Next, in a step shown in FIG. 14B, a non-porous single-crystal Si layer 13 is formed on the porous Si layer 12 by an epitaxial growth method. Thereby, a first substrate () is formed.

【0053】図14(c)に示す工程では、先ず、単結
晶Si基板14の表面に絶縁層(例えば、SiO2層)
15を形成した第2の基板()を準備し、第1の基板
()と第2の基板()とを、非多孔質単結晶Si層
13と絶縁層15とが面するように室温で密着させる。
その後、陽極接合、加圧若しくは熱処理又はこれらを組
合わせた処理により第1の基板()と第2の基板
()とを貼り合わせる。この処理により、非多孔質単
結晶Si層13と絶縁層15が強固に結合される。な
お、絶縁層15は、上記のように単結晶Si基板14側
に形成しても良いし、非多孔質単結晶Si層13上に形
成しても良く、両者に形成しても良く、結果として、第
1の基板と第2の基板を密着させた際に、図14(c)
に示す状態になれば良い。
In the step shown in FIG. 14C, first, an insulating layer (for example, an SiO 2 layer) is formed on the surface of the single crystal Si substrate 14.
A second substrate () on which the first substrate (15) is formed is prepared, and the first substrate () and the second substrate () are separated at room temperature such that the non-porous single-crystal Si layer 13 and the insulating layer 15 face each other. Adhere.
After that, the first substrate () and the second substrate () are bonded to each other by anodic bonding, pressing, heat treatment, or a combination thereof. By this processing, the non-porous single-crystal Si layer 13 and the insulating layer 15 are firmly bonded. The insulating layer 15 may be formed on the single-crystal Si substrate 14 side as described above, may be formed on the non-porous single-crystal Si layer 13, or may be formed on both. When the first substrate and the second substrate are brought into close contact with each other, FIG.
The state shown in FIG.

【0054】図14(d)に示す工程では、貼り合わせ
た2枚の基板を、多孔質Si層12の部分で分離する。
これにより、第2の基板側(''+)は、多孔質Si
層12''/単結晶Si層13/絶縁層15/単結晶Si
基板14の積層構造となる。一方、第1の基板側
(')は、単結晶Si基板11上に多孔質Si層1
2’を有する構造となる。
In the step shown in FIG. 14D, the two bonded substrates are separated at the porous Si layer 12.
Thereby, the second substrate side ("+") is made of porous Si.
Layer 12 ″ / single-crystal Si layer 13 / insulating layer 15 / single-crystal Si
The substrate 14 has a laminated structure. On the other hand, the first substrate side (′) has a porous Si layer 1 on a single-crystal Si substrate 11.
The structure has 2 ′.

【0055】分離後の基板(’)は、残留した多孔質
Si層12’を除去し、必要に応じて、その表面を平坦
化することにより、再び第1の基板()を形成するた
めの単結晶Si基板11として使用される。
The substrate (') after the separation is used to form the first substrate () again by removing the remaining porous Si layer 12' and, if necessary, flattening the surface. Used as a single crystal Si substrate 11.

【0056】貼り合わせた基板を分離した後、図14
(e)に示す工程では、第2の基板側(''+)の表
面の多孔質層12''を選択的に除去する。これにより、
単結晶Si層13/絶縁層15/単結晶Si基板14の
積層構造、すなわち、SOI構造を有する基板が得られ
る。
After separating the bonded substrates, FIG.
In the step shown in (e), the porous layer 12 '' on the surface of the second substrate side ("+") is selectively removed. This allows
A substrate having a stacked structure of single crystal Si layer 13 / insulating layer 15 / single crystal Si substrate 14, that is, a substrate having an SOI structure is obtained.

【0057】この実施の形態においては、図14(d)
に示す工程、すなわち、貼り合わせた2枚の基板(以
下、貼り合わせ基板)を分離する工程において、分離領
域である多孔質Si層に対して、選択的に高圧の液体又
は気体(流体)を噴射することにより該分離領域で基板
を2枚に分離する分離装置を使用する。
In this embodiment, FIG.
In the step shown in (2), that is, in the step of separating two bonded substrates (hereinafter, a bonded substrate), a high-pressure liquid or gas (fluid) is selectively applied to the porous Si layer as a separation region. A separation device that separates the substrate into two in the separation region by spraying is used.

【0058】[分離装置の基本構成]この分離装置は、
ウォータージェット法を適用したものである。一般に、
ウォータジェット法は、水(固い材料を切断する場合に
は研磨材を加える)を高速、高圧の束状の流れにして対
象物に対して噴射して、セラミックス、金属、コンクリ
ート、樹脂、ゴム、木材等の切断、加工、表面の塗膜の
除去、表面の洗浄等を行う方法である(ウォータージェ
ット第1巻1号第4ページ参照)。従来、ウォータージ
ェット法は、主に材料の一部を除去することにより、上
記のような切断、加工、塗膜の除去、表面の洗浄を行う
ことに利用されていた。
[Basic Configuration of Separation Apparatus]
The water jet method was applied. In general,
In the water jet method, water (abrasive material is added when cutting hard material) is jetted at high speed and high pressure in a bundle to the object, and ceramics, metal, concrete, resin, rubber, This is a method of cutting and processing wood and the like, removing a coating film on the surface, cleaning the surface, and the like (see Water Jet Vol. 1, No. 1, page 4). Conventionally, the water jet method has been used for cutting, processing, removing a coating film, and cleaning the surface as described above by mainly removing a part of the material.

【0059】この分離装置は、脆弱な構造部分である貼
り合わせ基板の多孔質層(分離領域)に対して、基板の
面方向に、高速、高圧の流体を束状の流れにして噴射し
て、多孔質層を選択的に崩壊させることにより、多孔質
層の部分で基板を分離するものである。以下では、この
束状の流れを「ジェット」という。また、ジェットを構
成する流体を「ジェット構成媒体」という。ジェット構
成媒体としては、水、アルコール等の有機溶媒、弗酸、
硝酸その他の酸、水酸化カリウムその他のアルカリ、空
気、窒素ガス、炭酸ガス、希ガス、エッチングガスその
他の気体、プラズマ等を使用し得る。
This separating apparatus jets a high-speed, high-pressure fluid in a bundle-like flow in the direction of the surface of the porous layer (separation region) of the bonded substrate, which is a fragile structure, in the plane direction of the substrate. The substrate is separated at the portion of the porous layer by selectively collapsing the porous layer. Hereinafter, this bundled flow is referred to as a “jet”. Further, the fluid constituting the jet is referred to as “jet constituting medium”. As a jet constituting medium, water, an organic solvent such as alcohol, hydrofluoric acid,
Nitric acid and other acids, potassium hydroxide and other alkalis, air, nitrogen gas, carbon dioxide gas, rare gas, etching gas and other gases, plasma and the like can be used.

【0060】この分離装置を半導体装置の製造工程、例
えば貼り合わせ基板の分離工程に適用する場合、ジェッ
ト構成媒体としては、不純物金属やパーティクル等を極
力除去した純水を使用することが好ましい。ただし、こ
の分離工程は完全低温プロセスであるため、必ずしもジ
ェット構成媒体として高純度の水を使用する必要はな
く、分離工程の終了後に基板を洗浄することもできる。
When this separation apparatus is applied to a manufacturing process of a semiconductor device, for example, a separation process of a bonded substrate, it is preferable to use pure water from which impurity metals, particles and the like have been removed as much as possible. However, since this separation step is a completely low-temperature process, it is not always necessary to use high-purity water as a jet constituting medium, and the substrate can be washed after the separation step.

【0061】この分離装置は、貼り合せ基板の側面に表
出した多孔質層(分離領域)に向けてジェットを噴射す
ることにより、多孔質層を外周部分から中心部分に向か
って除去する。これにより、貼り合わせ基板は、その本
体部分に損傷を受けることなく、機械的な強度が脆弱な
分離領域のみが除去され、2枚の基板に分離される。な
お、貼り合わせ基板の側面が何等かの薄い層で覆われ
て、多孔質層が表出していない場合においても、ジェッ
トにより当該層を除去することにより、その後は、前述
と同様にして、貼り合わせ基板を分離することができ
る。
This separation device removes the porous layer from the outer peripheral portion toward the central portion by jetting a jet toward the porous layer (separation region) exposed on the side surface of the bonded substrate. As a result, the bonded substrate is separated into two substrates without damaging the main body portion, removing only the separation region having weak mechanical strength. Note that even when the side surface of the bonded substrate is covered with some thin layer and the porous layer is not exposed, the layer is removed by jetting, and thereafter, the bonding is performed in the same manner as described above. The mating substrate can be separated.

【0062】主にジェットによる切削力のみによって貼
り合わせ基板を分離するには、例えば1平方cm当たり
数千kgf以上の高圧をジェット構成媒体に加える必要
がある。この場合、貼り合わせ基板の外周部が損傷を受
けることや、分離両域内の内圧が高くなることにより、
貼り合わせ基板が割れることが懸念される。
In order to separate the bonded substrates mainly only by the cutting force of the jet, it is necessary to apply a high pressure of, for example, several thousand kgf per square cm to the jet constituting medium. In this case, the outer peripheral portion of the bonded substrate is damaged, or the internal pressure in both the separation regions is increased,
There is a concern that the bonded substrate may be broken.

【0063】そこで、この懸念を避けるため、ジェット
構成媒体に加える圧力を例えば1平方cm当たり500
kgf程度の低圧にするが好ましい。このように低圧の
ジェットを採用した場合、ジェットを多孔質層に衝突さ
せて、その衝撃により当該多孔質層を切断するというよ
りも、むしろ内部に注入されたジェット構成媒体により
貼り合わせ基板を膨張させて2枚の基板に引き離すこと
により、貼り合わせ基板が分離されることになる。した
がって、切断屑が殆ど発生しない他、基板に与える損傷
も少ない。更に、ジェット構成媒体に研磨材を混ぜる必
要もない。
Therefore, in order to avoid this concern, the pressure applied to the jet forming medium is set to, for example, 500 / cm 2.
The pressure is preferably as low as about kgf. When such a low-pressure jet is employed, the bonded substrate is expanded by the jet-constituting medium injected inside, rather than colliding the jet with the porous layer and cutting the porous layer by the impact. Then, the bonded substrates are separated by separating the substrates from each other. Therefore, cutting chips are hardly generated and damage to the substrate is small. Furthermore, there is no need to mix abrasives with the jet-constituting medium.

【0064】貼り合わせ基板の周辺部においては、上記
の如き貼り合わせ基板を2枚の基板に引き離す効果は、
貼り合わせ基板の外周部に円周方向に沿ってV(凹)型
の溝がある場合に極めて有効に作用する。図15は、V
型の溝の有無による貼り合わせ基板に作用する力を概念
的に示す図である。図15(a)は、V型の溝22を有
する貼り合わせ基板、図15(b)は、V型の溝を有し
ない貼り合わせ基板を示す。
At the periphery of the bonded substrate, the effect of separating the bonded substrate into two substrates as described above is as follows.
This is extremely effective when there is a V-shaped (concave) groove along the circumferential direction in the outer peripheral portion of the bonded substrate. FIG.
It is a figure which shows notionally the force which acts on the bonding board | substrate according to the presence or absence of the groove | channel of a type | mold. FIG. 15A shows a bonded substrate having a V-shaped groove 22, and FIG. 15B shows a bonded substrate having no V-shaped groove.

【0065】図15(a)に示すように、V型の溝22
を有する貼り合わせ基板においては、矢印23のよう
に、貼り合わせ基板の内側から外側に向かって力(以
下、分離力)が加わる。一方、図15(b)に示すよう
に、外周部が凸形状をなす貼り合わせ基板においては、
矢印24に示すように、貼り合わせ基板の外側から内側
に向かって力が加わる。したがって、外周部が凸形状を
なす貼り合わせ基板においては、分離領域である多孔質
層12の外周部がジェット21により除去されない限
り、分離力が作用しない。
As shown in FIG. 15A, a V-shaped groove 22 is formed.
Is applied from the inside to the outside of the bonded substrate (hereinafter, separation force) as indicated by an arrow 23. On the other hand, as shown in FIG. 15B, in a bonded substrate having a convex outer peripheral portion,
As shown by an arrow 24, a force is applied from the outside to the inside of the bonded substrate. Therefore, in the bonded substrate whose outer peripheral portion has a convex shape, the separating force does not act unless the outer peripheral portion of the porous layer 12 which is the separation region is removed by the jet 21.

【0066】また、貼り合わせ基板の外周部の表面に薄
い層が形成されている場合であっても、図15(a)に
示すように、V型の溝22を有する場合には、貼り合わ
せ基板に分離力が作用するため、当該層を容易に破壊す
ることができる。
Even when a thin layer is formed on the surface of the outer peripheral portion of the bonded substrate, as shown in FIG. Since a separating force acts on the substrate, the layer can be easily broken.

【0067】貼り合わせ基板に加わる軸方向への分離力
は、基板の破損等を防ぐため、例えば1平方cm当たり
数百gf程度にすることが好ましい。
The axial separating force applied to the bonded substrate is preferably, for example, about several hundred gf per square cm in order to prevent the substrate from being damaged.

【0068】ジェットを有効に利用するためには、V型
の溝22の開口部の幅W1が、ジェット21の直径dと
同程度又は同程度以上であることが好ましい。例えば、
第1の基板()及び第2の基板()が夫々1mm厚程
度で、貼り合わせ基板が2mm厚程度の場合を考える。
通常V型溝22の開口部の幅W1は1mm程度であるの
で、ジェットの直径は1mm以下であることが好まし
い。一般的なウォータージェット装置では、直径0.1
〜0.5mm程度のジェットが使用されているため、こ
のような一般的なウォータージェット装置(例えば、ウ
ォータージェットノズル)を流用することが可能であ
る。
For effective use of the jet, the width W1 of the opening of the V-shaped groove 22 is preferably equal to or greater than the diameter d of the jet 21. For example,
Consider a case where the first substrate () and the second substrate () are each about 1 mm thick and the bonded substrate is about 2 mm thick.
Since the width W1 of the opening of the V-shaped groove 22 is usually about 1 mm, the diameter of the jet is preferably 1 mm or less. A typical water jet device has a diameter of 0.1
Since a jet of about 0.5 mm is used, such a general water jet device (for example, a water jet nozzle) can be used.

【0069】ここで、ジェットを噴射するノズルの形状
としては、円形の他、種々の形状を採用し得る。例え
ば、スリット状のノズルを採用し、細長い矩形断面のジ
ェットを噴射することにより、ジェットを分離領域に効
率的に挟入(2枚の基板間に差し込むようにして入れ
る)することができる。
Here, as the shape of the nozzle for jetting the jet, various shapes other than a circle can be adopted. For example, by adopting a slit-shaped nozzle and jetting a jet having an elongated rectangular cross section, the jet can be efficiently inserted (inserted between two substrates) into the separation region.

【0070】ジェットの噴射条件は、例えば、分離領域
(例えば、多孔質層)の種類、貼り合わせ基板の外周部
の形状等に応じて決定すればよい。ジェットの噴射条件
として、例えば、ジェット構成媒体に加える圧力、ジェ
ットの走査速度、ノズルの幅又は径(ジェットの径と略
同一)、ノズル形状、ノズルと分離領域との距離、ジェ
ット構成媒体の流量等は、重要なパラメータとなる。
The jet injection conditions may be determined according to, for example, the type of the separation region (for example, the porous layer), the shape of the outer peripheral portion of the bonded substrate, and the like. The jet ejection conditions include, for example, the pressure applied to the jet constituting medium, the scanning speed of the jet, the width or diameter of the nozzle (substantially the same as the diameter of the jet), the nozzle shape, the distance between the nozzle and the separation region, the flow rate of the jet constituting medium. Are important parameters.

【0071】貼り合わせ基板の分離方法には、例えば、
1)貼り合わせ面付近に対して該貼り合わせ面に平行に
ジェットを挟入すると共にノズルを該貼り合わせ面に沿
って走査する方法、2)貼り合わせ面付近に対して該貼
り合わせ面に平行にジェットを挟入すると共に貼り合わ
せ基板を走査する方法、3)貼り合わせ面付近に対して
該貼り合わせ面に平行にジェットを挟入すると共にノズ
ル付近を腰として扇状にジェットを走査する方法、4)
貼り合わせ面付近に対して該貼り合わせ面に平行にジェ
ットを挟入すると共に該貼り合わせ基板の略中心を軸と
して該貼り合わせ基板を回転させる方法(貼り合わせ基
板が円盤状の場合に特に有効)等がある。なお、ジェッ
トは、必ずしも貼り合わせ面に対して完全に平行に噴射
する必要はない。
For the method of separating the bonded substrates, for example,
1) A method in which a jet is inserted parallel to the bonding surface in the vicinity of the bonding surface and the nozzle is scanned along the bonding surface, and 2) The nozzle is parallel to the bonding surface in the vicinity of the bonding surface. 3) a method in which a jet is inserted and a bonded substrate is scanned, and 3) a method in which a jet is inserted in parallel with the bonding surface with respect to the vicinity of the bonding surface and the jet is scanned in a fan shape with the nozzle vicinity as a hip. 4)
A method in which a jet is inserted in the vicinity of the bonding surface in parallel with the bonding surface and the bonded substrate is rotated about the center of the bonded substrate as an axis (particularly effective when the bonded substrate has a disk shape). ). Note that the jet does not necessarily need to be jetted completely parallel to the bonding surface.

【0072】図1は、本発明の好適な実施の形態に係る
分離装置の概略構成を示す図である。この分離装置10
0では、低圧のジェットにより貼り合わせ基板を分離す
べく、貼り合わせ基板に効率的に分離力を作用させる一
方で、その分離力により該貼り合わせ基板が割れること
を防止するようにして該貼り合わせ基板を支持する。具
体的な例を挙げると、この分離装置100は、分離処理
の際に、貼り合わせ基板が、その内部に注入されたジェ
ット構成媒体の圧力により反ることができるようにする
一方で、その反り量を制限するようにして、該貼り合せ
基板を支持する。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a separation apparatus according to a preferred embodiment of the present invention. This separation device 10
In the case of 0, the separating substrate is efficiently applied to the bonded substrate in order to separate the bonded substrate by a low-pressure jet, while the separating substrate is prevented from being broken by the separating force. Support the substrate. As a specific example, the separation apparatus 100 allows the bonded substrate to be warped by the pressure of the jet constituting medium injected therein during the separation processing, The bonded substrate is supported in a limited amount.

【0073】この分離装置100は、真空吸着機構を備
えた基板保持部120,150を有し、この基板保持部
120,150により貼り合わせ基板101を両側から
挟むようにして保持する。貼り合わせ基板101は、内
部に脆弱な構成部である多孔質層101bを有し、この
分離装置100により、この多孔質層101bの部分で
2つの基板101a,101cに分離される。この分離
装置100においては、例えば、基板101aが図1に
おける第1の基板側(’)、基板101cが図1にお
ける第2の基板側(''+)になるようにセットす
る。
The separating apparatus 100 has substrate holding parts 120 and 150 provided with a vacuum suction mechanism, and holds the bonded substrate 101 by sandwiching the bonded substrate 101 from both sides. The bonded substrate 101 has a porous layer 101b, which is a fragile component, inside, and is separated into two substrates 101a and 101c at the portion of the porous layer 101b by the separating device 100. In the separation apparatus 100, for example, the substrate 101a is set so as to be on the first substrate side (') in FIG. 1 and the substrate 101c is set on the second substrate side ("+") in FIG.

【0074】基板保持部120,150は、同一の回転
軸上に存在する。基板保持部120は、ベアリング10
8を介して支持台109に回転可能に軸支された回転軸
104の一端に連結され、この回転軸104の他端はモ
ータ110の回転軸に連結されている。したがって、モ
ータ110が発生する回転力により、基板保持部120
に真空吸着された貼り合わせ基板101が回転すること
になる。このモータ110は、貼り合わせ基板101の
分離の際に、不図示の制御器からの命令に従って、指定
された回転速度で回転軸104を回転させる。
The substrate holders 120 and 150 exist on the same rotation axis. The substrate holding unit 120 includes the bearing 10
The rotation shaft 104 is connected to one end of a rotation shaft 104 rotatably supported by a support table 109 via the shaft 8, and the other end of the rotation shaft 104 is connected to a rotation shaft of a motor 110. Therefore, the rotation force generated by the motor 110 causes the substrate holding unit 120 to rotate.
Then, the bonded substrate 101 vacuum-adsorbed to the substrate rotates. The motor 110 rotates the rotation shaft 104 at a designated rotation speed in accordance with a command from a controller (not shown) when the bonded substrate 101 is separated.

【0075】基板保持部150は、ベアリング111を
介して支持台109に摺動可能かつ回転可能に軸支され
た回転軸103の一端に連結され、この回転軸103の
他端は、支持台109に固定されたエアシリンダ112
に連結されている。エアシリンダ112が回転軸103
を押し出すことにより、貼り合わせ基板101は、基板
保持部150によって押圧される。
The substrate holding section 150 is connected to one end of a rotating shaft 103 slidably and rotatably supported by a supporting table 109 via a bearing 111, and the other end of the rotating shaft 103 is connected to the supporting table 109. Air cylinder 112 fixed to
It is connected to. The air cylinder 112 is
Is extruded, the bonded substrate 101 is pressed by the substrate holding unit 150.

【0076】基板支持部120,150は、夫々回転軸
104,103から取り外すことができる。また、基板
支持部120,150には、真空吸着機構として、夫々
1又は複数の吸引部(例えば、環状溝)181,182
が設けられており、この吸引部181,182は、夫々
回転軸104,103中を通して回転シール部104
a,103aに通じている。回転シール部104a,1
03aには、夫々真空ライン104b,103bが連結
されている。これらの真空ライン104b,103bに
は電磁弁が取り付けられており、この電磁弁を制御する
ことにより貼り合わせ基板101の着脱を制御すること
ができる。
The substrate supports 120 and 150 can be removed from the rotating shafts 104 and 103, respectively. In addition, one or a plurality of suction units (for example, annular grooves) 181 and 182 are respectively provided on the substrate support units 120 and 150 as a vacuum suction mechanism.
The suction portions 181 and 182 pass through the rotation shafts 104 and 103, respectively, and
a, 103a. Rotary seal part 104a, 1
03a is connected to vacuum lines 104b and 103b, respectively. An electromagnetic valve is attached to these vacuum lines 104b and 103b, and by controlling this electromagnetic valve, attachment and detachment of the bonded substrate 101 can be controlled.

【0077】基板支持部120,150は、分離処理の
際に分離力が貼り合わせ基板101に効率的に作用する
ように貼り合わせ基板101を保持する。基板保持部1
20,150の具体的な構成例に関しては後述する。
The substrate supporting portions 120 and 150 hold the bonded substrate 101 so that the separating force acts on the bonded substrate 101 efficiently during the separation process. Substrate holder 1
A specific configuration example of 20, 150 will be described later.

【0078】以下、この分離装置100による基板分離
処理に関して説明する。
Hereinafter, the substrate separation processing by the separation apparatus 100 will be described.

【0079】この分離装置100に貼り合わせ基板10
1をセットするには、まず、エアシリンダ112に回転
軸103を収容させることにより、基板保持部120及
び150の夫々の吸着面の間に相応の距離を設ける。次
いで、貼り合せ基板101を位置合せ軸113に貼り合
わせ基板101を載せた後、エアシリンダ112に回転
軸103を押し出させることにより、貼り合わせ基板1
01を押圧して保持する(図1に示す状態)。なお、位
置合せ軸113は、ベアリング105,107を介して
支持台109に回転可能に軸支されている。
The separation substrate 100 is attached to the
In order to set 1, first, the rotation shaft 103 is housed in the air cylinder 112 to provide a corresponding distance between the suction surfaces of the substrate holding units 120 and 150. Next, after the bonded substrate 101 is placed on the positioning shaft 113, the rotating shaft 103 is pushed out by the air cylinder 112, whereby the bonded substrate 1 is formed.
01 is pressed and held (the state shown in FIG. 1). Note that the positioning shaft 113 is rotatably supported by the support table 109 via bearings 105 and 107.

【0080】この実施の形態では、貼り合わせ基板10
1は、真空吸着ではなく、エアシリンダ112による応
圧力により保持される。例えば、その応圧力は、例え
ば、3Kgf程度が好適である。ただし、貼り合せ基板
101を真空吸着により保持することも勿論可能であ
る。ここで、分離処理の際、基板保持部120と基板保
持部150との間隔が略一定に維持されるようにエアシ
リンダ112を制御することが好ましい。
In this embodiment, the bonded substrate 10
1 is held by the pressure applied by the air cylinder 112, not by vacuum suction. For example, the response pressure is preferably, for example, about 3 kgf. However, it is of course possible to hold the bonded substrate 101 by vacuum suction. Here, during the separation process, it is preferable to control the air cylinder 112 so that the distance between the substrate holding unit 120 and the substrate holding unit 150 is maintained substantially constant.

【0081】次に、ポンプ114からノズル102にジ
ェット構成媒体(例えば、水)を送り込み、ノズル10
2から噴射されるジェットが安定するまで待つ。ジェッ
トが安定したら、シャッタ106を開いて、貼り合わせ
基板101の分離領域付近にジェットを挟入させる。こ
の時、モータ110により貼り合わせ基板101を回転
させる。この際、回転軸104、基板保持部120、貼
り合わせ基板101、基板保持部150及び回転軸10
3は一体化して回転する。
Next, a jet forming medium (for example, water) is sent from the pump 114 to the nozzle 102,
Wait until the jet injected from 2 stabilizes. When the jet is stabilized, the shutter 106 is opened, and the jet is inserted near the separation region of the bonded substrate 101. At this time, the bonded substrate 101 is rotated by the motor 110. At this time, the rotating shaft 104, the substrate holding unit 120, the bonded substrate 101, the substrate holding unit 150, and the rotating shaft 10
3 rotates integrally.

【0082】ジェットが挟入されると、貼り合わせ基板
101には、脆弱な構造部である多孔質層101bに連
続的に注入されるジェット構成媒体の圧力による分離力
が作用し、これにより基板101a及び101cを連結
している多孔質層101bが破壊される。この処理によ
り、貼り合わせ基板101は、例えば約2分程で2枚の
基板に分離される。
When the jet is sandwiched, a separation force is exerted on the bonded substrate 101 by the pressure of the jet constituting medium continuously injected into the porous layer 101b, which is a fragile structure. The porous layer 101b connecting 101a and 101c is destroyed. By this processing, the bonded substrate 101 is separated into two substrates in about two minutes, for example.

【0083】貼り合わせ基板101が2枚の基板に分離
されたら、シャッタ106を閉じると共にポンプ114
の動作を停止する。また、モータ110の回転を停止
し、前述の電磁弁を制御することにより、基板保持部1
20、150に夫々分離された基板を真空吸着させる。
When the bonded substrate 101 is separated into two substrates, the shutter 106 is closed and the pump 114
Stop the operation of. Further, by stopping the rotation of the motor 110 and controlling the above-described solenoid valve, the substrate holding unit 1
The separated substrates are vacuum-adsorbed to the substrates 20 and 150, respectively.

【0084】次に、エアシリンダ112に回転軸103
を収容させると、物理的に分離されていた2枚の基板
は、ジェット構成媒体(例えば、水)の表面張力を断っ
て2体に引き離される。
Next, the rotating shaft 103 is attached to the air cylinder 112.
Is accommodated, the two physically separated substrates are separated from each other by breaking the surface tension of the jet constituting medium (for example, water).

【0085】貼り合わせ基板101が割れることを防止
しつつ、該貼り合せ基板に分離力を効率的に作用させる
ためには、基板保持部120及び150の構造を工夫す
る必要がある。この実施の形態では、分離処理の際に、
貼り合わせ基板101が反るための空間を確保すること
により分離力を効率的に作用させる一方で、その反り量
を制限することにより貼り合せ基板101の割れを防止
する。
In order to effectively apply a separating force to the bonded substrate 101 while preventing the bonded substrate 101 from breaking, it is necessary to devise the structure of the substrate holding units 120 and 150. In this embodiment, at the time of the separation process,
While ensuring the space for the bonded substrate 101 to warp, the separating force is effectively applied, while limiting the amount of warpage, the bonded substrate 101 is prevented from cracking.

【0086】以下、好適な基板保持部の構成例を列挙す
る。なお、以下の構成例では、対向する一対の基板保持
部を対称な構造としているが、両者を別個の構造にする
ことも可能である。
Hereinafter, examples of preferred configurations of the substrate holding unit will be listed. In the following configuration example, the pair of opposing substrate holding portions has a symmetric structure, but both may have a separate structure.

【0087】[基板保持部の第1の構成例]図2乃至図
4は、本発明の第1の構成例に係る基板保持部120,
150の構成を示す図である。図2は斜視図、図3は分
離処理の前の状態を示す断面図、図4は分処理中の状態
を示す断面図である。
[First Configuration Example of Substrate Holding Unit] FIGS. 2 to 4 show a substrate holding unit 120 according to a first configuration example of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a second embodiment. FIG. 2 is a perspective view, FIG. 3 is a sectional view showing a state before separation processing, and FIG. 4 is a sectional view showing a state during separation processing.

【0088】この構成例に係る基板保持部120,15
0は、夫々球面の一部で構成された凸面からなる支持面
120a,150aを有する。この支持面120a,1
50aは、貼り合せ基板101が反ることが可能な状態
で該貼り合せ基板101を支持する面であると共に、分
離処理の際に過度に貼り合せ基板101が反ることを制
限する面でもある。ここで、反り量hは、例えば0.1
〜0.5mm程度にすることが好ましい。
The substrate holders 120 and 15 according to this configuration example
Numeral 0 has supporting surfaces 120a and 150a each formed of a part of a spherical surface and formed of a convex surface. This support surface 120a, 1
50a is a surface that supports the bonded substrate 101 in a state where the bonded substrate 101 can warp, and also a surface that restricts excessive warping of the bonded substrate 101 during the separation process. . Here, the warp amount h is, for example, 0.1
It is preferable to set it to about 0.5 mm.

【0089】このような基板保持部120,150を備
えた分離装置100を用いると、貼り合わせ基板101
に対するジェットの挟入(分離処理)を開始した後、約
30秒で、貼り合わせ基板101の外周から支持面12
0a,150aの中心付近まで分離が進行する。この
時、貼り合せ基板101のうち2枚に分離された部分
は、貼り合せ基板101の内部に注入されたジェット構
成媒体の圧力(分離力)により、図4に示すように、夫
々支持面120a,150aに押し付けられる。そし
て、更に分離処理を進めることにより、分離処理の開始
後、約2分で、貼り合せ基板101が完全に分離され
る。
When the separating apparatus 100 having such substrate holding parts 120 and 150 is used, the bonded substrate 101
In about 30 seconds after the insertion of the jet (separation process) with respect to the
Separation proceeds to near the center of 0a, 150a. At this time, the portions of the bonded substrate 101 that are separated into two are respectively supported by the support surfaces 120a as shown in FIG. 4 due to the pressure (separation force) of the jet constituting medium injected into the bonded substrate 101. , 150a. Then, by further performing the separation process, the bonded substrate 101 is completely separated in about two minutes after the start of the separation process.

【0090】このように、貼り合せ基板101が反るこ
とが可能な状態で該貼り合せ基板101を保持すること
により分離力を効率的に作用させることができ、分離処
理を効率的に行うことができる。一方、貼り合せ基板1
01の反り量を制限することにより、分離された基板が
過度に反ることを避け、貼り合せ基板101が割れるこ
とを抑制することができる。
As described above, by holding the bonded substrate 101 in a state where the bonded substrate 101 can warp, the separating force can be efficiently applied, and the separation processing can be performed efficiently. Can be. On the other hand, bonded substrate 1
By limiting the amount of warpage of 01, the separated substrate can be prevented from being excessively warped and the bonded substrate 101 can be prevented from cracking.

【0091】上記のように、貼り合せ基板101に作用
する応力を分散するには、支持面120a,150aが
球面であることが好ましいが、必ずしも接触面を球面で
構成する必要はない。以下、この構成例に係る基板保持
部120,150の変形例として、滑らかな凸状の面で
構成した基板保持部の構成例を挙げる。
As described above, in order to disperse the stress acting on the bonded substrate 101, the support surfaces 120a and 150a are preferably spherical, but the contact surfaces need not necessarily be spherical. Hereinafter, as a modified example of the substrate holding units 120 and 150 according to this configuration example, a configuration example of the substrate holding unit having a smooth convex surface will be described.

【0092】図5乃至図8は、夫々基板保持部120,
150の変形例を示す断面図である。図5に示す基板保
持部121,151は、円錐の頂上部を凸面で構成した
支持面121a,151aを有する。図6に示す基板保
持部122,152は、円錐台の面により構成した支持
面122a,152aを有する。図7に示す基板保持部
123,153は、円錐台を数段重ねて全体として凸状
の面とした支持面123a,153aを有する。図8に
示す基板保持部124,15は、円柱を数段重ねて全体
として凸状の面とした支持面124a,154aを有す
る。
FIGS. 5 to 8 show the substrate holders 120 and 120, respectively.
It is sectional drawing which shows the modification of 150. The substrate holding parts 121 and 151 shown in FIG. 5 have support surfaces 121a and 151a in which the apex of the cone is formed as a convex surface. The substrate holding units 122 and 152 shown in FIG. 6 have support surfaces 122a and 152a formed by frusto-conical surfaces. The substrate holding portions 123 and 153 shown in FIG. 7 have support surfaces 123a and 153a which are formed by stacking several truncated cones and forming convex surfaces as a whole. The substrate holding parts 124 and 15 shown in FIG. 8 have support surfaces 124a and 154a which are formed by stacking a plurality of cylinders and forming convex surfaces as a whole.

【0093】なお、図2乃至図8に示すように、基板保
持部は、貼り合せ基板101の全面を支持し得る直径を
有することが好ましいが、貼り合せ基板101の直径の
2分の1以上の直径とすることにより相応の効果を発揮
する。ただし、本発明は、直径が貼り合せ基板の2分の
1未満の基板保持部を排除するものではない。
As shown in FIGS. 2 to 8, it is preferable that the substrate holding portion has a diameter capable of supporting the entire surface of the bonded substrate 101, but it is more than half the diameter of the bonded substrate 101. With a diameter of, a corresponding effect is exhibited. However, the present invention does not exclude a substrate holding portion having a diameter of less than half of the bonded substrate.

【0094】また、基板保持部は、円盤状であることが
好ましいが、放射状、格子状その他の構造であってもよ
い。
The substrate holding portion is preferably disk-shaped, but may have a radial, grid-like or other structure.

【0095】[基板保持部の第2の構成例]図9及び図
10は、本発明の第2の構成例に係る基板保持部の構成
を示す断面図である。図9は分離処理の前の状態を示す
図、図10は分離処理中の状態を示す図である。なお、
図示の基板保持部125,155は、夫々図1に示す基
板保持部120,150を置換して使用される。
[Second Configuration Example of Substrate Holding Unit] FIGS. 9 and 10 are sectional views showing the configuration of the substrate holding unit according to the second configuration example of the present invention. FIG. 9 is a diagram showing a state before the separation process, and FIG. 10 is a diagram showing a state during the separation process. In addition,
The illustrated substrate holders 125 and 155 are used to replace the substrate holders 120 and 150 shown in FIG. 1, respectively.

【0096】この構成例に係る基板保持部125,15
5は、夫々円盤状の本体125a,155aに、弾性体
(例えば、ゴム)からなる円盤状の支持部125b,1
55bを貼り付けたものである。この支持部125b,
155bは、貼り合せ基板101が反ることが可能な状
態で該貼り合せ基板101を支持する部材であると共
に、分離処理の際に過度に貼り合せ基板101が反るこ
とを制限する部材でもある。ここで、反り量hは、例え
ば0.1〜0.5mm程度にすることが好ましい。
The substrate holders 125 and 15 according to this configuration example
Reference numeral 5 denotes a disk-shaped support portion 125b, 1 made of an elastic body (for example, rubber) on a disk-shaped main body 125a, 155a, respectively.
55b is attached. This support 125b,
155b is a member that supports the bonded substrate 101 in a state where the bonded substrate 101 can warp, and also a member that restricts excessive warping of the bonded substrate 101 during the separation process. . Here, the warp amount h is preferably, for example, about 0.1 to 0.5 mm.

【0097】このような基板保持部125,155を備
えた分離装置100を用いると、貼り合せ基板101
(分離処理)を開始した後、約30秒で、貼り合せ基板
101の外周から中心部付近まで分離が進行する。この
時、貼り合せ基板101のうち2枚に分離された部分
は、貼り合せ基板101の内部に注入されたジェット構
成媒体の圧力(分離力)により、図10に示すように、
V字状に開く。この時の貼り合せ基板101の反り量
は、分離力と支持部125b,155bの抗力とが釣り
合う量となる。そして、更に分離処理を進めることによ
り、分離処理の開始後、約2分で、貼り合せ基板101
が完全に分離される。
When the separation apparatus 100 having such substrate holding portions 125 and 155 is used, the bonded substrate 101
About 30 seconds after the start of the (separation process), the separation proceeds from the outer periphery of the bonded substrate 101 to the vicinity of the center thereof. At this time, the part of the bonded substrate 101 that has been separated into two sheets is caused by the pressure (separation force) of the jet constituting medium injected into the bonded substrate 101, as shown in FIG.
Open in a V-shape. At this time, the amount of warpage of the bonded substrate 101 is an amount that balances the separation force with the resistance of the support portions 125b and 155b. Then, by further performing the separation process, the bonded substrate 101 is obtained in about two minutes after the start of the separation process.
Are completely separated.

【0098】このように貼り合せ基板101が反ること
が可能な状態で該貼り合せ基板101を保持することに
より分離力を効率的に作用させることができ、分離処理
を効率的に行うことができる。一方、貼り合せ基板10
1の反り量を制限することにより、分離された基板が過
度に反ることを避け、貼り合せ基板101が割れること
を抑制することができる。
By holding the bonded substrate 101 in such a state that the bonded substrate 101 can warp, the separating force can be efficiently applied, and the separating process can be performed efficiently. it can. On the other hand, the bonded substrate 10
By limiting the amount of warpage of 1, the separated substrate can be prevented from being excessively warped, and the bonded substrate 101 can be prevented from breaking.

【0099】上記のように、貼り合せ基板101に作用
する応力を分散するためには、支持部125b,155
bの全面を弾性体で構成することが好ましいが、必ずし
も支持部の全面を弾性体で構成する必要はない。また、
前述のように、基板保持部は、貼り合せ基板101の全
面を支持し得る直径を有する好ましいが、貼り合せ基板
101の直径の2分の1以上の直径とすることにより相
応の効果を発揮する。以下、この構成例に係る基板保持
部125b,155bの変形例を挙げる。
As described above, in order to disperse the stress acting on the bonded substrate 101, the support portions 125b, 155
It is preferable that the entire surface of b is formed of an elastic body, but it is not always necessary that the entire surface of the support portion is formed of an elastic body. Also,
As described above, the substrate holding portion preferably has a diameter capable of supporting the entire surface of the bonded substrate 101. However, a diameter equal to or more than half the diameter of the bonded substrate 101 exhibits a corresponding effect. . Hereinafter, modified examples of the substrate holding units 125b and 155b according to this configuration example will be described.

【0100】図11乃至図13は、夫々基板保持部12
5,155の変形例を示す断面図である。図11に示す
基板保持部126,156は、夫々断面が凸型の円盤状
の第1支持部126a,156aに、環状の弾性体(例
えば、ゴム)からなる第2支持部126b,156bを
はめ込んでなる。図12に示す基板保持部127,15
7は、夫々断面が凸型の円盤状の第1支持部127a,
157aに、弾性体(例えば、ゴム)からなるOリング
状の第2支持部127b,157bをはめ込んでなる。
図13に示す基板保持部128,158は、夫々断面が
凸型の本体128a,158aに、一端が本体128
a,158aに連結されたコイルバネ128b,158
bをはめ込み、コイルバネ128b,158bの他端に
連結された環状の支持部128c,158cをはめ込ん
でなる。
FIG. 11 to FIG.
It is sectional drawing which shows the modified example of 5,155. In the substrate holding portions 126 and 156 shown in FIG. 11, the second support portions 126b and 156b made of an annular elastic body (for example, rubber) are fitted into the first support portions 126a and 156a having a convex cross-section. It becomes. The substrate holding units 127 and 15 shown in FIG.
Reference numeral 7 denotes a disk-shaped first support portion 127a having a convex cross section.
O-ring-shaped second support portions 127b and 157b made of an elastic body (for example, rubber) are fitted into 157a.
The substrate holding portions 128 and 158 shown in FIG. 13 have main bodies 128a and 158a having a convex cross section,
a, coil springs 128b, 158 connected to 158a
b, and the annular support portions 128c, 158c connected to the other ends of the coil springs 128b, 158b.

【0101】なお、上記の分離装置は、貼り合せ基板そ
の他の半導体基板のみならず、種々の試料の分離に使用
することができる。
The above-described separation apparatus can be used not only for bonding substrates and other semiconductor substrates, but also for separating various samples.

【0102】以上、特定の実施の形態を挙げて特徴的な
技術的思想を説明したが、本発明は、これらの実施の形
態に記載された事項によって限定されるものではなく、
特許請求の範囲に記載された技術的思想の範囲内におい
て様々な変形をなし得る。
The characteristic technical ideas have been described with reference to the specific embodiments. However, the present invention is not limited to the matters described in these embodiments.
Various modifications can be made within the scope of the technical idea described in the claims.

【0103】[0103]

【発明の効果】本発明は、分離対象の試料の損傷を抑え
ると共に分離処理を効率化することができる。
According to the present invention, it is possible to suppress the damage to the sample to be separated and to increase the efficiency of the separation process.

【0104】また、本発明に拠れば、良好な基板を製造
することができる。
Further, according to the present invention, a good substrate can be manufactured.

【0105】[0105]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の好適な実施の形態に係る分離装置の概
略構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a separation device according to a preferred embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の構成例に係る基板保持部の斜視
図である。
FIG. 2 is a perspective view of a substrate holding unit according to a first configuration example of the present invention.

【図3】本発明の第1の構成例に係る基板保持部の断面
図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a substrate holding unit according to a first configuration example of the present invention.

【図4】本発明の第1の構成例に係る基板保持部の断面
図である。
FIG. 4 is a sectional view of a substrate holding section according to a first configuration example of the present invention.

【図5】本発明の第1の構成例に係る基板保持部の変形
例を示す断面図である。
FIG. 5 is a sectional view showing a modification of the substrate holding unit according to the first configuration example of the present invention.

【図6】本発明の第1の構成例に係る基板保持部の変形
例を示す断面図である。
FIG. 6 is a sectional view showing a modification of the substrate holding unit according to the first configuration example of the present invention.

【図7】本発明の第1の構成例に係る基板保持部の変形
例を示す断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a modification of the substrate holding unit according to the first configuration example of the present invention.

【図8】本発明の第1の構成例に係る基板保持部の変形
例を示す断面図である。
FIG. 8 is a sectional view showing a modification of the substrate holding unit according to the first configuration example of the present invention.

【図9】本発明の第2の構成例に係る基板保持部の変形
例を示す断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a modification of the substrate holding unit according to the second configuration example of the present invention.

【図10】本発明の第2の構成例に係る基板保持部の変
形例を示す断面図である。
FIG. 10 is a sectional view showing a modification of the substrate holding unit according to the second configuration example of the present invention.

【図11】本発明の第2の構成例に係る基板保持部の変
形例を示す断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a modification of the substrate holding unit according to the second configuration example of the present invention.

【図12】本発明の第2の構成例に係る基板保持部の変
形例を示す断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a modification of the substrate holding unit according to the second configuration example of the present invention.

【図13】本発明の第2の構成例に係る基板保持部の変
形例を示す断面図である。
FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating a modification of the substrate holding unit according to the second configuration example of the present invention.

【図14】本発明の好適な実施の形態に係るSOI基板
の製造を方法を工程順に説明する図である。
FIG. 14 is a diagram illustrating a method of manufacturing an SOI substrate according to a preferred embodiment of the present invention in the order of steps.

【図15】V型の溝の有無による貼り合わせ基板に作用
する力を概念的に示す図である。
FIG. 15 is a diagram conceptually showing a force acting on a bonded substrate depending on the presence or absence of a V-shaped groove.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 単結晶Si基板 12,12’,12’’ 多孔質Si層12 13 非多孔質単結晶Si層 14 単結晶Si基板 15 絶縁層 100 基板分離装置 101 貼り合わせ基板 101a 基板 101b 多孔質層 101c 基板 102 ノズル 103,104 回転軸 103a,104a 回転シール部 103b,104b 真空ライン 105,107 ベアリング 106 シャッタ 108,111 ベアリング 109 支持台 110 モータ 112 エアシリンダ 120〜128,150〜158 基板保持部 181,182 吸引部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Single-crystal Si substrate 12, 12 ', 12' 'Porous Si layer 12 13 Non-porous single-crystal Si layer 14 Single-crystal Si substrate 15 Insulating layer 100 Substrate separation device 101 Bonded substrate 101a Substrate 101b Porous layer 101c Substrate 102 Nozzle 103, 104 Rotary shaft 103a, 104a Rotary seal 103b, 104b Vacuum line 105, 107 Bearing 106 Shutter 108, 111 Bearing 109 Support 110 Motor 112 Air cylinder 120-128, 150-158 Substrate holder 181, 182 Suction Department

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米原 隆夫 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Takao Yonehara 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc.

Claims (40)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 内部に脆弱な層を有する板状の試料を該
脆弱な層で分離する分離装置であって、 試料に向けて流体を噴射する噴射部と、 試料を両側から挟むようにして保持する一対の保持部
と、 を備え、前記一対の保持部は、前記噴射部から噴射され
試料内部に注入された流体の圧力により該試料が2枚に
分かれるようにして反ることを許容する一方で、その反
り量を制限することを特徴とする分離装置。
1. A separation device for separating a plate-shaped sample having a fragile layer therein by the fragile layer, the jetting unit jetting a fluid toward the sample, and holding the sample so as to sandwich the sample from both sides. A pair of holding portions, wherein the pair of holding portions allow the sample to be divided into two pieces by the pressure of the fluid injected from the jetting portion and injected into the sample, and to be warped. A separating device for limiting the amount of warpage.
【請求項2】 前記一対の保持部の少なくとも一方は、
滑らかな凸状の支持面を有し、該支持面により試料を保
持することを特徴とする請求項1に記載の分離装置。
2. At least one of the pair of holding parts,
2. The separation device according to claim 1, wherein the separation device has a smooth convex support surface, and the sample is held by the support surface.
【請求項3】 前記支持面は、実質的に球面の一部であ
ることを特徴とする請求項2に記載の分離装置。
3. The separation device according to claim 2, wherein the support surface is substantially a part of a spherical surface.
【請求項4】 前記支持面は、頂上部を凸面で構成した
円錐がなす面であることを特徴とする請求項2に記載の
分離装置。
4. The separation device according to claim 2, wherein the support surface is a surface formed by a cone having a convex top.
【請求項5】 前記支持面は、実質的に円錐台状の面で
構成した面であることを特徴とする請求項2に記載の分
離装置。
5. The separation device according to claim 2, wherein the support surface is a surface formed by a substantially frustoconical surface.
【請求項6】 前記支持面は、円錐台が数段重なって全
体として滑らかな凸形状を構成する面であることを特徴
とする請求項2に記載の分離装置。
6. The separation apparatus according to claim 2, wherein the support surface is a surface having a plurality of truncated cones overlapping one another to form a smooth convex shape as a whole.
【請求項7】 前記支持面は、円柱が数段重なって全体
として凸形状を構成する面であることを特徴とする請求
項2に記載の分離装置。
7. The separation device according to claim 2, wherein the support surface is a surface in which a plurality of columns overlap each other to form a convex shape as a whole.
【請求項8】 前記一対の保持部の少なくとも一方は、
弾性体を含み、試料から受ける力により変形することを
特徴とする請求項1に記載の分離装置。
8. At least one of the pair of holding portions,
The separation device according to claim 1, wherein the separation device includes an elastic body and is deformed by a force received from the sample.
【請求項9】 前記一対の保持部の少なくとも一方は、
少なくとも一部が弾性体で構成された支持部を有し、該
支持部により試料を保持することを特徴とする請求項1
に記載の分離装置。
9. At least one of said pair of holding parts,
2. The apparatus according to claim 1, further comprising a support portion at least partially formed of an elastic body, wherein the support portion holds the sample.
The separation device according to claim 1.
【請求項10】 前記一対の保持部の少なくとも一方
は、試料と接触し得る部分が弾性体で構成されているこ
とを特徴とする請求項1に記載の分離装置。
10. The separation apparatus according to claim 1, wherein at least one of the pair of holding portions has a portion that can come into contact with a sample made of an elastic body.
【請求項11】 前記一対の保持部の少なくとも一方
は、弾性体からなる環状の支持部を有することを特徴と
する請求項1に記載の分離装置。
11. The separation device according to claim 1, wherein at least one of the pair of holding portions has an annular support portion made of an elastic body.
【請求項12】 前記一対の保持部の少なくとも一方
は、その本体に弾性体を介して連結された支持部を有す
ることを特徴とする請求項1に記載の分離装置。
12. The separation device according to claim 1, wherein at least one of the pair of holding portions has a supporting portion connected to a main body thereof via an elastic body.
【請求項13】 試料の面と直交する方向に設けられた
軸を中心にして前記保持部を回転させる回転機構を更に
備えることを特徴とする請求項1乃至請求項12のいず
れか1項に記載の分離装置。
13. The apparatus according to claim 1, further comprising a rotation mechanism configured to rotate the holding section around an axis provided in a direction orthogonal to a surface of the sample. The separation device according to any one of the preceding claims.
【請求項14】 前記一対の保持部の間隔を調整する調
整機構を更に備えることを特徴とする請求項1乃至請求
項13のいずれか1項に記載の分離装置。
14. The separation device according to claim 1, further comprising an adjustment mechanism for adjusting a distance between the pair of holding portions.
【請求項15】 前記調整機構は、流体により試料を分
離する際に、試料を押圧するように前記一対の保持部の
間隔を調整することを特徴とする請求項14に記載の分
離装置。
15. The separation device according to claim 14, wherein the adjusting mechanism adjusts a distance between the pair of holding portions so as to press the sample when the sample is separated by a fluid.
【請求項16】 前記調整機構は、流体により試料を分
離する際に、前記一対の保持部の間隔を略一定に維持す
ることを特徴とする請求項14に記載の分離装置。
16. The separation device according to claim 14, wherein the adjusting mechanism maintains a substantially constant interval between the pair of holding portions when separating the sample with the fluid.
【請求項17】 前記一対の保持部は、試料を真空吸着
する吸着機構を有することを特徴とする請求項1乃至請
求項16のいずれか1項に記載の分離装置。
17. The separation apparatus according to claim 1, wherein the pair of holding units have an adsorption mechanism for adsorbing a sample under vacuum.
【請求項18】 前記試料は、脆弱な層として多孔質層
を有する基板であることを特徴とする請求項1乃至請求
項17のいずれか1項に記載の分離装置。
18. The separation apparatus according to claim 1, wherein the sample is a substrate having a porous layer as a fragile layer.
【請求項19】 内部に脆弱な層を有する板状の試料を
該脆弱な層で分離する分離装置において使用する試料の
支持装置であって、 試料を両側から挟むようにして保持する一対の保持部を
備え、前記一対の保持部は、前記分離装置に設けられた
噴射部から噴射され試料内部に注入された流体の圧力に
より該試料が2枚に分かれるようにして反ることを許容
する一方で、その反り量を制限することを特徴とする支
持装置。
19. A sample support device used in a separation device for separating a plate-shaped sample having a fragile layer therein by the fragile layer, comprising a pair of holding portions for holding the sample so as to sandwich the sample from both sides. While, the pair of holding portions, while allowing the sample to be warped so that the sample is divided into two by the pressure of the fluid injected from the injection unit provided in the separation device and injected into the sample, A support device for limiting the amount of warpage.
【請求項20】 前記一対の保持部の少なくとも一方
は、滑らかな凸状の支持面を有し、該支持面により試料
を保持することを特徴とする請求項19に記載の支持装
置。
20. The support device according to claim 19, wherein at least one of the pair of holding portions has a smooth convex support surface, and the sample is held by the support surface.
【請求項21】 前記支持面は、実質的に球面の一部で
あることを特徴とする請求項20に記載の支持装置。
21. The support device according to claim 20, wherein the support surface is substantially a part of a spherical surface.
【請求項22】 前記支持面は、頂上部を凸面で構成し
た円錐がなす面であることを特徴とする請求項20に記
載の支持装置。
22. The supporting device according to claim 20, wherein the supporting surface is a surface formed by a cone having a convex top.
【請求項23】 前記支持面は、実質的に円錐台状の面
で構成した面であることを特徴とする請求項20に記載
の支持装置。
23. The support device according to claim 20, wherein the support surface is a surface formed by a substantially frustoconical surface.
【請求項24】 前記支持面は、円錐台が数段重なって
全体として滑らかな凸形状を構成する面であることを特
徴とする請求項20に記載の支持装置。
24. The support device according to claim 20, wherein the support surface is a surface in which several truncated cones are overlapped to form a smooth convex shape as a whole.
【請求項25】 前記支持面は、円柱が数段重なって全
体として凸形状を構成する面であることを特徴とする請
求項20に記載の支持装置。
25. The support device according to claim 20, wherein the support surface is a surface in which a plurality of columns overlap each other to form a convex shape as a whole.
【請求項26】 前記一対の保持部の少なくとも一方
は、弾性体を含み、試料から受ける力により変形するこ
とを特徴とする請求項19に記載の支持装置。
26. The supporting device according to claim 19, wherein at least one of the pair of holding portions includes an elastic body, and is deformed by a force received from a sample.
【請求項27】 前記一対の保持部の少なくとも一方
は、少なくとも一部が弾性体で構成された支持部を有
し、該支持部により試料を保持することを特徴とする請
求項19に記載の支持装置。
27. The apparatus according to claim 19, wherein at least one of the pair of holding parts has a supporting part at least partially constituted by an elastic body, and the sample is held by the supporting part. Support device.
【請求項28】 前記一対の保持部の少なくとも一方
は、試料と接触し得る部分が弾性体で構成されているこ
とを特徴とする請求項19に記載の支持装置。
28. The support device according to claim 19, wherein at least one of the pair of holding portions has a portion that can come into contact with a sample made of an elastic body.
【請求項29】 前記一対の保持部の少なくとも一方
は、弾性体からなる環状の支持部を有することを特徴と
する請求項19に記載の支持装置。
29. The supporting device according to claim 19, wherein at least one of the pair of holding portions has an annular supporting portion made of an elastic body.
【請求項30】 前記一対の保持部の少なくとも一方
は、その本体に弾性体を介して連結された支持部を有す
ることを特徴とする請求項19に記載の支持装置。
30. The supporting device according to claim 19, wherein at least one of the pair of holding portions has a supporting portion connected to a main body thereof via an elastic body.
【請求項31】 試料の面と直交する方向に設けられた
軸を中心にして前記保持部を回転させる回転機構を更に
備えることを特徴とする請求項19乃至請求項30のい
ずれか1項に記載の支持装置。
31. The apparatus according to claim 19, further comprising a rotation mechanism configured to rotate the holding section about an axis provided in a direction orthogonal to a surface of the sample. A support device as described.
【請求項32】 前記一対の保持部の間隔を調整する調
整機構を更に備えることを特徴とする請求項19乃至請
求項31のいずれか1項に記載の支持装置。
32. The supporting device according to claim 19, further comprising an adjusting mechanism for adjusting a distance between the pair of holding portions.
【請求項33】 前記調整機構は、流体により試料を分
離する際に、試料を押圧するように前記一対の保持部の
間隔を調整することを特徴とする請求項32に記載の支
持装置。
33. The support device according to claim 32, wherein the adjusting mechanism adjusts a distance between the pair of holding portions so as to press the sample when the sample is separated by a fluid.
【請求項34】 前記調整機構は、流体により試料を分
離する際に、前記一対の保持部の間隔を略一定に維持す
ることを特徴とする請求項32に記載の支持装置。
34. The support device according to claim 32, wherein the adjusting mechanism maintains the distance between the pair of holding portions substantially constant when separating the sample by the fluid.
【請求項35】 前記一対の保持部は、試料を真空吸着
する吸着機構を有することを特徴とする請求項19乃至
請求項34のいずれか1項に記載の支持装置。
35. The supporting device according to claim 19, wherein the pair of holding units have an adsorption mechanism for adsorbing a sample in vacuum.
【請求項36】 前記試料は、脆弱な層として多孔質層
を有する基板であることを特徴とする請求項19乃至請
求項35のいずれか1項に記載の分離装置。
36. The separation apparatus according to claim 19, wherein the sample is a substrate having a porous layer as a fragile layer.
【請求項37】 請求項1乃至請求項18のいずれか1
項に記載の分離装置を使用して脆弱な層を有する試料を
分離することを特徴とする分離方法。
37. Any one of claims 1 to 18
A separation method, comprising separating a sample having a fragile layer using the separation device described in the above section.
【請求項38】 前記噴射部から噴射させる流体として
水を使用することを特徴とする請求項37に記載の分離
方法。
38. The separation method according to claim 37, wherein water is used as the fluid to be jetted from the jetting unit.
【請求項39】 一方の面に多孔質層及び非多孔質層を
順に形成した第1の基板の前記非多孔質層側を第2の基
板に貼り合わせてなる基板を前記多孔質層で分離する分
離方法であって、その分離に際して、請求項1乃至請求
項18のいずれか1項に記載の分離装置を使用すること
を特徴とする分離方法。
39. A substrate formed by laminating a non-porous layer side of a first substrate having a porous layer and a non-porous layer formed on one surface in that order to a second substrate, and separating the substrate by the porous layer A separation method, wherein the separation apparatus according to any one of claims 1 to 18 is used for the separation.
【請求項40】 一方の面に多孔質層及び非多孔質層を
順に形成した第1の基板の前記非多孔質層側を第2の基
板に貼り合せる工程と、貼り合わせた基板を前記多孔質
層で分離する分離工程とを含む基板の製造方法であっ
て、前記分離工程において、請求項1乃至請求項18の
いずれか1項に記載の分離装置を使用することを特徴と
する基板の製造方法。
40. A step of bonding the non-porous layer side of a first substrate, on which a porous layer and a non-porous layer are sequentially formed on one surface, to a second substrate; 19. A method for manufacturing a substrate, comprising: a separation step of separating a substrate by a porous layer, wherein the separation device uses the separation device according to claim 1 in the separation step. Production method.
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