JPH11184064A - フォトマスクパターン設計装置および設計方法ならびにフォトマスクパターン設計プログラムを記録した記録媒体 - Google Patents
フォトマスクパターン設計装置および設計方法ならびにフォトマスクパターン設計プログラムを記録した記録媒体Info
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- JPH11184064A JPH11184064A JP34978997A JP34978997A JPH11184064A JP H11184064 A JPH11184064 A JP H11184064A JP 34978997 A JP34978997 A JP 34978997A JP 34978997 A JP34978997 A JP 34978997A JP H11184064 A JPH11184064 A JP H11184064A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 微細加工精度を改善できるよう最適化がなさ
れたマスクパターンが得られるフォトマスクパターン設
計装置および設計方法ならびにフォトマスクパターン設
計プログラムを記録した記録媒体を提供すること。 【解決手段】 ステップＳ１で読み込んだＣＡＤパター
ンデータに対しステップＳ２でデザインルールチェック
を行い、光強度シミュレーションを行うパターン部分を
抽出する。そして、ステップＳ３で抽出したＣＡＤパタ
ーンデータからラスター形式へデータ変換してステップ
Ｓ４で光強度シミュレーションを行う。その後、ステッ
プＳ５で光強度シミュレーションの結果得られた数値デ
ータから所定の値の等高線パターンを抽出し、ステップ
Ｓ６でこの等高線パターンとステップＳ１で読み込んだ
ＣＡＤパターンデータとを重ね合わせ、デザインルール
チェックを行って要補正箇所を抽出し、その要補正箇所
をステップＳ７で補正する。
れたマスクパターンが得られるフォトマスクパターン設
計装置および設計方法ならびにフォトマスクパターン設
計プログラムを記録した記録媒体を提供すること。 【解決手段】 ステップＳ１で読み込んだＣＡＤパター
ンデータに対しステップＳ２でデザインルールチェック
を行い、光強度シミュレーションを行うパターン部分を
抽出する。そして、ステップＳ３で抽出したＣＡＤパタ
ーンデータからラスター形式へデータ変換してステップ
Ｓ４で光強度シミュレーションを行う。その後、ステッ
プＳ５で光強度シミュレーションの結果得られた数値デ
ータから所定の値の等高線パターンを抽出し、ステップ
Ｓ６でこの等高線パターンとステップＳ１で読み込んだ
ＣＡＤパターンデータとを重ね合わせ、デザインルール
チェックを行って要補正箇所を抽出し、その要補正箇所
をステップＳ７で補正する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程中
の回路設計工程において、フォトリソグラフィを最適化
するパターン設計を行うためのフォトマスクパターン設
計装置およびフォトマスクパターン設計方法ならびにフ
ォトマスクパターン設計プログラムを記録した記録媒体
に関する。
の回路設計工程において、フォトリソグラフィを最適化
するパターン設計を行うためのフォトマスクパターン設
計装置およびフォトマスクパターン設計方法ならびにフ
ォトマスクパターン設計プログラムを記録した記録媒体
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体工程の研究開発あるいは開
発試作段階においては、そのプロセスや製造物の特性を
把握し、製造条件に対する特性の予測や評価を仮想的に
実験するための技術としてコンピュータシミュレーショ
ン技術があり、現在では半導体設計に不可欠の技術とし
て利用されている。特に半導体製造技術の中で中心とな
る微細加工技術であるフォトリソグラフィ工程のシミュ
レーション技術は、理論的にも確立しており、研究開発
において欠かせない技術となっている。
発試作段階においては、そのプロセスや製造物の特性を
把握し、製造条件に対する特性の予測や評価を仮想的に
実験するための技術としてコンピュータシミュレーショ
ン技術があり、現在では半導体設計に不可欠の技術とし
て利用されている。特に半導体製造技術の中で中心とな
る微細加工技術であるフォトリソグラフィ工程のシミュ
レーション技術は、理論的にも確立しており、研究開発
において欠かせない技術となっている。
【０００３】フォトリソグラフィのシミュレーションの
中で露光工程のシミュレーションは特に「光強度シミュ
レーション」と称され、投影露光装置（ステッパーとも
称する）を用いてフォトマスクパターン（以降マスクパ
ターンと呼ぶ）をウェハ上に露光転写した場合の投影光
学像の光強度分布を計算により求めるものである。
中で露光工程のシミュレーションは特に「光強度シミュ
レーション」と称され、投影露光装置（ステッパーとも
称する）を用いてフォトマスクパターン（以降マスクパ
ターンと呼ぶ）をウェハ上に露光転写した場合の投影光
学像の光強度分布を計算により求めるものである。
【０００４】光強度シミュレーション技術の基礎となる
理論は、物理理論としてはH.Hopkins らによって確立さ
れた結像光学理論（参考文献としてBorn，Wolf著「光学
の原理II・III」(1975)、または、H.Hopkins；J.Opt.So
c.Am.Vol.47,No.6 ('57),p508〜等がある）があり、コ
ンピュータ計算モデルとしては Linおよび Yeungによる
モデル等がある。また、コンピュータシミュレーション
を行うソフトウェアをシミュレータとも呼ぶ。
理論は、物理理論としてはH.Hopkins らによって確立さ
れた結像光学理論（参考文献としてBorn，Wolf著「光学
の原理II・III」(1975)、または、H.Hopkins；J.Opt.So
c.Am.Vol.47,No.6 ('57),p508〜等がある）があり、コ
ンピュータ計算モデルとしては Linおよび Yeungによる
モデル等がある。また、コンピュータシミュレーション
を行うソフトウェアをシミュレータとも呼ぶ。
【０００５】このようなシミュレーションによって、実
際にリソグラフィを行わなくともウェハ上の露光分布が
推定できるため、リソグラフィ工程の研究開発やデバイ
ス試作において頻繁に光強度シミュレーションが利用さ
れてきた。特に近年は要求される微細加工技術が光によ
る加工の限界にまで達しようとしており、技術的かつコ
スト的にも実際に実験を行ってのデバイス開発が困難に
なってきており、コンピュータを利用するため低コスト
かつ迅速に結果が得られるシミュレーション手法はます
ます重要となっている。
際にリソグラフィを行わなくともウェハ上の露光分布が
推定できるため、リソグラフィ工程の研究開発やデバイ
ス試作において頻繁に光強度シミュレーションが利用さ
れてきた。特に近年は要求される微細加工技術が光によ
る加工の限界にまで達しようとしており、技術的かつコ
スト的にも実際に実験を行ってのデバイス開発が困難に
なってきており、コンピュータを利用するため低コスト
かつ迅速に結果が得られるシミュレーション手法はます
ます重要となっている。
【０００６】また、パターン設計工程においては、前記
光強度シミュレーションではないが従来から論理設計や
回路設計等において所望の電子特性・回路特性を得るた
めに設計シミュレーションが用いられるようになり、現
在は量産工程においてもシミュレーションが不可欠のも
のとなっている。
光強度シミュレーションではないが従来から論理設計や
回路設計等において所望の電子特性・回路特性を得るた
めに設計シミュレーションが用いられるようになり、現
在は量産工程においてもシミュレーションが不可欠のも
のとなっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、現在、リソ
グラフィではよく知られたように、超微細加工技術とし
て位相シフト法などの超解像技術や、光近接効果補正
（ＯＰＣ）技術などが注目されているが、これらの技術
はいずれもマスクパターンの加工が必要である。しかも
この加工ルールは論理回路のデザインルールとは別のも
のであり、リソグラフィ工程の露光条件や工程条件に対
してプロセス条件として設定するものである。このこと
から、マスクパターンを最適化するためにはリソグラフ
ィ工程、少なくとも露光工程を考慮した最適化手段が必
要であり、そのために光強度シミュレーションを利用し
て露光条件に基づくパターンの最適化手段が必要となっ
ていた。
グラフィではよく知られたように、超微細加工技術とし
て位相シフト法などの超解像技術や、光近接効果補正
（ＯＰＣ）技術などが注目されているが、これらの技術
はいずれもマスクパターンの加工が必要である。しかも
この加工ルールは論理回路のデザインルールとは別のも
のであり、リソグラフィ工程の露光条件や工程条件に対
してプロセス条件として設定するものである。このこと
から、マスクパターンを最適化するためにはリソグラフ
ィ工程、少なくとも露光工程を考慮した最適化手段が必
要であり、そのために光強度シミュレーションを利用し
て露光条件に基づくパターンの最適化手段が必要となっ
ていた。
【０００８】しかしながら、実際のＬＳＩ回路パターン
データは非常に複雑かつ膨大であり、数十万〜数百万も
の閉図形で構成されているのが通常であり、将来的には
更に拡大することは確実とされる。このような膨大なデ
ータ量を持つパターンに対して微細加工精度を最適化す
るために、マスクパターン全体について光強度シミュレ
ーションを行うことは時間及びコストの点から実用上不
可能であった。
データは非常に複雑かつ膨大であり、数十万〜数百万も
の閉図形で構成されているのが通常であり、将来的には
更に拡大することは確実とされる。このような膨大なデ
ータ量を持つパターンに対して微細加工精度を最適化す
るために、マスクパターン全体について光強度シミュレ
ーションを行うことは時間及びコストの点から実用上不
可能であった。
【０００９】また、シミュレーションを限られた部分的
領域に対してのみ行う方法もあるが、この方法では人手
によってパターンを抽出しなければならず、量産段階で
の実用は非常に困難であった。さらに、近年の微細加工
の要求を満足するマスクパターンを得るためには、デザ
インルールに則ったパターン設計だけでは困難であっ
た。また、パターンデータ量の問題で全面的なシミュレ
ーションによる最適化を図ることも実用上困難であっ
た。
領域に対してのみ行う方法もあるが、この方法では人手
によってパターンを抽出しなければならず、量産段階で
の実用は非常に困難であった。さらに、近年の微細加工
の要求を満足するマスクパターンを得るためには、デザ
インルールに則ったパターン設計だけでは困難であっ
た。また、パターンデータ量の問題で全面的なシミュレ
ーションによる最適化を図ることも実用上困難であっ
た。
【００１０】そこで本発明は上記の問題点を鑑み、論理
回路のデザインルールを満足したパターン設計がなされ
たマスクパターンから、微細加工精度を改善できるよう
最適化がなされたマスクパターンが得られるフォトマス
クパターン設計装置および設計方法ならびにフォトマス
クパターン設計プログラムを記録した記録媒体を提供す
ることを目的とする。また、上記最適化を効率よく実施
することができるフォトマスクパターン設計装置および
設計方法ならびにフォトマスクパターン設計プログラム
を記録した記録媒体を提供することも目的としている。
回路のデザインルールを満足したパターン設計がなされ
たマスクパターンから、微細加工精度を改善できるよう
最適化がなされたマスクパターンが得られるフォトマス
クパターン設計装置および設計方法ならびにフォトマス
クパターン設計プログラムを記録した記録媒体を提供す
ることを目的とする。また、上記最適化を効率よく実施
することができるフォトマスクパターン設計装置および
設計方法ならびにフォトマスクパターン設計プログラム
を記録した記録媒体を提供することも目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の発明に係るフォトマスクパターン
設計装置は、ＣＡＤシステムにより作成されたフォトマ
スクパターンのＣＡＤパターンデータから、光強度シミ
ュレーションを行うパターン部分のＣＡＤパターンデー
タを抽出するパターンデータ抽出手段と、前記抽出され
たＣＡＤパターンデータに基づいて光強度シミュレーシ
ョンを行い、該抽出されたＣＡＤパターンデータに基づ
くパターン部分の、投影露光後のパターン光強度分布を
求める光強度シミュレーション手段と、前記抽出された
ＣＡＤパターンデータに基づくパターンと前記光強度シ
ミュレーションの結果に基づくパターンとを比較検証
し、補正を必要とする箇所を抽出するパターン比較チェ
ック手段と、前記抽出された要補正箇所において、前記
抽出されたＣＡＤパターンデータに基づくパターンと前
記光強度シミュレーションの結果に基づくパターンとの
差が所定の許容値以下となるように、前記フォトマスク
パターンのＣＡＤパターンデータを補正するパターン補
正手段とを有することを特徴としている。
に、請求項１に記載の発明に係るフォトマスクパターン
設計装置は、ＣＡＤシステムにより作成されたフォトマ
スクパターンのＣＡＤパターンデータから、光強度シミ
ュレーションを行うパターン部分のＣＡＤパターンデー
タを抽出するパターンデータ抽出手段と、前記抽出され
たＣＡＤパターンデータに基づいて光強度シミュレーシ
ョンを行い、該抽出されたＣＡＤパターンデータに基づ
くパターン部分の、投影露光後のパターン光強度分布を
求める光強度シミュレーション手段と、前記抽出された
ＣＡＤパターンデータに基づくパターンと前記光強度シ
ミュレーションの結果に基づくパターンとを比較検証
し、補正を必要とする箇所を抽出するパターン比較チェ
ック手段と、前記抽出された要補正箇所において、前記
抽出されたＣＡＤパターンデータに基づくパターンと前
記光強度シミュレーションの結果に基づくパターンとの
差が所定の許容値以下となるように、前記フォトマスク
パターンのＣＡＤパターンデータを補正するパターン補
正手段とを有することを特徴としている。
【００１２】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載のフォトマスクパターン設計装置において、前記
フォトマスクパターンのＣＡＤパターンデータのうち、
所定値以下の、配線幅、配線間隔、コンタクトホール
径、または、層間目合わせ裕度部分を含む、所定面積の
領域を前記光強度シミュレーションを行うパターン部分
として、そのＣＡＤパターンデータを抽出することを特
徴としている。
に記載のフォトマスクパターン設計装置において、前記
フォトマスクパターンのＣＡＤパターンデータのうち、
所定値以下の、配線幅、配線間隔、コンタクトホール
径、または、層間目合わせ裕度部分を含む、所定面積の
領域を前記光強度シミュレーションを行うパターン部分
として、そのＣＡＤパターンデータを抽出することを特
徴としている。
【００１３】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
に記載のフォトマスクパターン設計装置において、前記
光強度シミュレーション手段は、前記抽出されたＣＡＤ
パターンデータにより表されるフォトマスクパターンの
光強度像を格子状に細分化して、該各格子における光強
度値をラスター配列もしくはマトリックス配列に配置し
たデータに変換するシミュレーション用データ変換手段
を有し、該データ変換手段によって変換されたデータに
基づいて光強度シミュレーションを行うことを特徴とし
ている。
に記載のフォトマスクパターン設計装置において、前記
光強度シミュレーション手段は、前記抽出されたＣＡＤ
パターンデータにより表されるフォトマスクパターンの
光強度像を格子状に細分化して、該各格子における光強
度値をラスター配列もしくはマトリックス配列に配置し
たデータに変換するシミュレーション用データ変換手段
を有し、該データ変換手段によって変換されたデータに
基づいて光強度シミュレーションを行うことを特徴とし
ている。
【００１４】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
に記載のフォトマスクパターン設計装置において、前記
パターン比較チェック手段は、前記光強度シミュレーシ
ョンで得られたパターン光強度分布から所定の光強度値
の等高線を抽出し、その等高線より表されるパターンの
ＣＡＤデータに変換するＣＡＤデータ変換手段を有し、
前記パターンデータ抽出手段により抽出されたＣＡＤパ
ターンデータと該等高線により表されるパターンのＣＡ
Ｄデータとにおいて、両者の配線幅、配線間隔、パター
ンコーナー部、または、コンタクトホール径のいずれか
を比較検証し、当該比較検証を行った箇所の寸法差が、
前記所定の許容値以上である箇所を、前記補正を必要と
する箇所として抽出することを特徴としている。
に記載のフォトマスクパターン設計装置において、前記
パターン比較チェック手段は、前記光強度シミュレーシ
ョンで得られたパターン光強度分布から所定の光強度値
の等高線を抽出し、その等高線より表されるパターンの
ＣＡＤデータに変換するＣＡＤデータ変換手段を有し、
前記パターンデータ抽出手段により抽出されたＣＡＤパ
ターンデータと該等高線により表されるパターンのＣＡ
Ｄデータとにおいて、両者の配線幅、配線間隔、パター
ンコーナー部、または、コンタクトホール径のいずれか
を比較検証し、当該比較検証を行った箇所の寸法差が、
前記所定の許容値以上である箇所を、前記補正を必要と
する箇所として抽出することを特徴としている。
【００１５】また、請求項５に記載の発明に係るフォト
マスクパターン設計方法は、ＣＡＤシステムにより作成
されたフォトマスクパターンのＣＡＤパターンデータか
ら、光強度シミュレーションを行うパターン部分のＣＡ
Ｄパターンデータを抽出する第１の工程と、前記抽出さ
れたＣＡＤパターンデータに基づいて光強度シミュレー
ションを行い、該抽出されたＣＡＤパターンデータに基
づくパターン部分の、投影露光後のパターン光強度分布
を求める第２の工程と、前記抽出されたＣＡＤパターン
データに基づくパターンと前記光強度シミュレーション
の結果に基づくパターンとを比較検証し、補正を必要と
する箇所を抽出する第３の工程と、前記抽出された要補
正箇所において、前記抽出されたＣＡＤパターンデータ
に基づくパターンと前記光強度シミュレーションの結果
に基づくパターンとの差が所定の許容値以下となるよう
に、前記フォトマスクパターンのＣＡＤパターンデータ
を補正する第４の工程とを有することを特徴としてい
る。
マスクパターン設計方法は、ＣＡＤシステムにより作成
されたフォトマスクパターンのＣＡＤパターンデータか
ら、光強度シミュレーションを行うパターン部分のＣＡ
Ｄパターンデータを抽出する第１の工程と、前記抽出さ
れたＣＡＤパターンデータに基づいて光強度シミュレー
ションを行い、該抽出されたＣＡＤパターンデータに基
づくパターン部分の、投影露光後のパターン光強度分布
を求める第２の工程と、前記抽出されたＣＡＤパターン
データに基づくパターンと前記光強度シミュレーション
の結果に基づくパターンとを比較検証し、補正を必要と
する箇所を抽出する第３の工程と、前記抽出された要補
正箇所において、前記抽出されたＣＡＤパターンデータ
に基づくパターンと前記光強度シミュレーションの結果
に基づくパターンとの差が所定の許容値以下となるよう
に、前記フォトマスクパターンのＣＡＤパターンデータ
を補正する第４の工程とを有することを特徴としてい
る。
【００１６】また、請求項６に記載の発明は、請求項５
に記載のフォトマスクパターン設計方法において、前記
第１の工程は、前記フォトマスクパターンのＣＡＤパタ
ーンデータのうち、所定値以下の、配線幅、配線間隔、
コンタクトホール径、または、層間目合わせ裕度部分を
含む、所定面積の領域を前記光強度シミュレーションを
行うパターン部分として、そのＣＡＤパターンデータを
抽出することを特徴としている。
に記載のフォトマスクパターン設計方法において、前記
第１の工程は、前記フォトマスクパターンのＣＡＤパタ
ーンデータのうち、所定値以下の、配線幅、配線間隔、
コンタクトホール径、または、層間目合わせ裕度部分を
含む、所定面積の領域を前記光強度シミュレーションを
行うパターン部分として、そのＣＡＤパターンデータを
抽出することを特徴としている。
【００１７】また、請求項７に記載の発明は、請求項５
に記載のフォトマスクパターン設計方法において、前記
第２の工程は、前記抽出されたＣＡＤパターンデータに
より表されるフォトマスクパターンの光強度像を格子状
に細分化し、該各格子における光強度値をラスター配列
もしくはマトリックス配列に配置したデータに変換し、
該変換されたデータに基づいて光強度シミュレーション
を行うことを特徴としている。
に記載のフォトマスクパターン設計方法において、前記
第２の工程は、前記抽出されたＣＡＤパターンデータに
より表されるフォトマスクパターンの光強度像を格子状
に細分化し、該各格子における光強度値をラスター配列
もしくはマトリックス配列に配置したデータに変換し、
該変換されたデータに基づいて光強度シミュレーション
を行うことを特徴としている。
【００１８】また、請求項８に記載の発明は、請求項５
に記載のフォトマスクパターン設計方法において、前記
第３の工程は、前記光強度シミュレーションで得られた
パターン光強度分布から所定の光強度値の等高線を抽出
し、該抽出した等高線を、その等高線より表されるパタ
ーンのＣＡＤデータに変換し、該等高線により表される
パターンのＣＡＤデータと前記第１の工程で抽出された
ＣＡＤパターンデータとにおいて、両者の配線幅、配線
間隔、パターンコーナー部、または、コンタクトホール
径のいずれかを比較検証し、当該比較検証を行った箇所
の寸法差が、前記所定の許容値以上である箇所を、前記
補正を必要とする箇所として抽出することを特徴として
いる。
に記載のフォトマスクパターン設計方法において、前記
第３の工程は、前記光強度シミュレーションで得られた
パターン光強度分布から所定の光強度値の等高線を抽出
し、該抽出した等高線を、その等高線より表されるパタ
ーンのＣＡＤデータに変換し、該等高線により表される
パターンのＣＡＤデータと前記第１の工程で抽出された
ＣＡＤパターンデータとにおいて、両者の配線幅、配線
間隔、パターンコーナー部、または、コンタクトホール
径のいずれかを比較検証し、当該比較検証を行った箇所
の寸法差が、前記所定の許容値以上である箇所を、前記
補正を必要とする箇所として抽出することを特徴として
いる。
【００１９】また、請求項９に記載の発明は、フォトマ
スクパターンの設計を行うフォトマスクパターン設計プ
ログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒
体であって、該フォトマスクパターン設計プログラム
は、コンピュータに、ＣＡＤシステムにより作成された
フォトマスクパターンのＣＡＤパターンデータから、光
強度シミュレーションを行うパターン部分のＣＡＤパタ
ーンデータを抽出させ、前記抽出させたＣＡＤパターン
データに基づいて光強度シミュレーションを実行させ
て、該抽出させたＣＡＤパターンデータに基づくパター
ン部分の、投影露光後のパターン光強度分布を求めさ
せ、前記抽出されたＣＡＤパターンデータに基づくパタ
ーンと前記光強度シミュレーションの結果に基づくパタ
ーンとを比較検証し、補正を必要とする箇所を抽出さ
せ、前記抽出させた要補正箇所において前記抽出させた
ＣＡＤパターンデータに基づくパターンと前記光強度シ
ミュレーションの結果に基づくパターンとの差が所定の
許容値以下となるように、前記フォトマスクパターンの
ＣＡＤパターンデータを補正させることを特徴としてい
る。
スクパターンの設計を行うフォトマスクパターン設計プ
ログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒
体であって、該フォトマスクパターン設計プログラム
は、コンピュータに、ＣＡＤシステムにより作成された
フォトマスクパターンのＣＡＤパターンデータから、光
強度シミュレーションを行うパターン部分のＣＡＤパタ
ーンデータを抽出させ、前記抽出させたＣＡＤパターン
データに基づいて光強度シミュレーションを実行させ
て、該抽出させたＣＡＤパターンデータに基づくパター
ン部分の、投影露光後のパターン光強度分布を求めさ
せ、前記抽出されたＣＡＤパターンデータに基づくパタ
ーンと前記光強度シミュレーションの結果に基づくパタ
ーンとを比較検証し、補正を必要とする箇所を抽出さ
せ、前記抽出させた要補正箇所において前記抽出させた
ＣＡＤパターンデータに基づくパターンと前記光強度シ
ミュレーションの結果に基づくパターンとの差が所定の
許容値以下となるように、前記フォトマスクパターンの
ＣＡＤパターンデータを補正させることを特徴としてい
る。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の内容を詳述する。図１は本発明のフォトマスクパター
ン設計装置による動作を示すフローチャートである。ま
た、図２は、上記フォトマスクパターン設計装置のハー
ドウェア構成を示すブロック図である。図２において、
１はキーボードやマウス等の入力装置、２はＣＰＵ（中
央処理装置），ＲＯＭ（リードオンリメモリ），ＲＡＭ
（ランダムアクセスメモリ）等で構成され、記憶媒体３
に記録されたフォトマスクパターン設計プログラム（後
述する）に従ってデータ処理を行う処理装置である。
の内容を詳述する。図１は本発明のフォトマスクパター
ン設計装置による動作を示すフローチャートである。ま
た、図２は、上記フォトマスクパターン設計装置のハー
ドウェア構成を示すブロック図である。図２において、
１はキーボードやマウス等の入力装置、２はＣＰＵ（中
央処理装置），ＲＯＭ（リードオンリメモリ），ＲＡＭ
（ランダムアクセスメモリ）等で構成され、記憶媒体３
に記録されたフォトマスクパターン設計プログラム（後
述する）に従ってデータ処理を行う処理装置である。
【００２１】また、２ａは処理装置２に内蔵され、記憶
媒体３に記録されたフォトマスクパターン設計プログラ
ムを読み込むデータ読取装置である。ここで、記憶媒体
３に記憶されているフォトマスクパターン設計プログラ
ムは、パターン検証ツールおよび可視化グラフィックツ
ール（後述する）等の複数の機能を持つツールからなっ
ている。また、記憶媒体３としては、例えば、フロッピ
ーディスク等の磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、半導体メ
モリ等であってもよい。
媒体３に記録されたフォトマスクパターン設計プログラ
ムを読み込むデータ読取装置である。ここで、記憶媒体
３に記憶されているフォトマスクパターン設計プログラ
ムは、パターン検証ツールおよび可視化グラフィックツ
ール（後述する）等の複数の機能を持つツールからなっ
ている。また、記憶媒体３としては、例えば、フロッピ
ーディスク等の磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、半導体メ
モリ等であってもよい。
【００２２】また、４はモニタやプリンタ等、処理装置
２の処理結果を出力する出力装置である。５は目的とす
る回路パターンの設計が行われた後にＣＡＤ（Computer
Aided Design） システムを用いて作成されたフォトマ
スクパターンデータ（以下、ＣＡＤパターンデータとい
う）を記憶した記憶装置である。
２の処理結果を出力する出力装置である。５は目的とす
る回路パターンの設計が行われた後にＣＡＤ（Computer
Aided Design） システムを用いて作成されたフォトマ
スクパターンデータ（以下、ＣＡＤパターンデータとい
う）を記憶した記憶装置である。
【００２３】なお、本実施形態におけるフォトマスクパ
ターン設計装置のハードウェア構成としては、図２に示
したものに限らず、いわゆるワークステーションやパー
ソナルコンピュータ等を用いてもよい。
ターン設計装置のハードウェア構成としては、図２に示
したものに限らず、いわゆるワークステーションやパー
ソナルコンピュータ等を用いてもよい。
【００２４】次に図１および図２を参照して本実施形態
のフォトマスクパターン設計装置による動作を説明す
る。まず、図２の処理装置２は、データ読取装置２ａを
介して記憶媒体３に記憶されたフォトマスクパターン設
計プログラムを読み込み、読み込んだフォトマスクパタ
ーン設計プログラムに従って、図１のステップＳ１以降
の処理を開始する。
のフォトマスクパターン設計装置による動作を説明す
る。まず、図２の処理装置２は、データ読取装置２ａを
介して記憶媒体３に記憶されたフォトマスクパターン設
計プログラムを読み込み、読み込んだフォトマスクパタ
ーン設計プログラムに従って、図１のステップＳ１以降
の処理を開始する。
【００２５】まず、ステップＳ１では、記憶装置５から
目的とする回路パターンのＣＡＤパターンデータを読み
込む。このＣＡＤパターンデータは、通常ストリームデ
ータと呼ばれるＣＡＤ専用のデータ形式で構成されてお
り、これは図形や位置座標の情報の他に半導体工程での
層構成や層名、パターン名等の付加的情報も含まれてい
る。
目的とする回路パターンのＣＡＤパターンデータを読み
込む。このＣＡＤパターンデータは、通常ストリームデ
ータと呼ばれるＣＡＤ専用のデータ形式で構成されてお
り、これは図形や位置座標の情報の他に半導体工程での
層構成や層名、パターン名等の付加的情報も含まれてい
る。
【００２６】次にステップＳ２へ進み、パターン検証ツ
ールによりデザインルールチェックが行われ、後述する
光強度シミュレーションを行うためのパターン部分を抽
出する。ここで、デザインルールチェック（ＤＲＣとも
いう）とは、作成されたフォトマスクパターンデザイン
に対して設計ルール上のクリティカルな部分を含む所定
面積の範囲のＣＡＤパターンデータを抽出することであ
る。また、設計ルール上のクリティカルな部分とは、目
的とする半導体回路の特性や適用するフォトリソグラフ
ィ技術によっても異なるが、所定値以下の配線線幅、配
線間隔、コンタクトホール径、層間目合わせ裕度等を含
む部分が選択されることが多い。
ールによりデザインルールチェックが行われ、後述する
光強度シミュレーションを行うためのパターン部分を抽
出する。ここで、デザインルールチェック（ＤＲＣとも
いう）とは、作成されたフォトマスクパターンデザイン
に対して設計ルール上のクリティカルな部分を含む所定
面積の範囲のＣＡＤパターンデータを抽出することであ
る。また、設計ルール上のクリティカルな部分とは、目
的とする半導体回路の特性や適用するフォトリソグラフ
ィ技術によっても異なるが、所定値以下の配線線幅、配
線間隔、コンタクトホール径、層間目合わせ裕度等を含
む部分が選択されることが多い。
【００２７】次にステップＳ３へ進み、ステップＳ２で
抽出したＣＡＤパターンデータから、光強度シミュレー
ションを行うためのデータ形式である、ラスター形式へ
のデータ変換を行う。変換方法は、まずＣＡＤパターン
データによって表されるフォトマスクパターンの光学像
を格子状に細分化する。この時、光学像は光強度分布と
して表され、各格子における光強度値をラスター配列に
配置する。ただしこの時、光強度値をマトリックス配列
に配置することもできる。また、ラスター配列およびマ
トリックス配列は、どちらも各格子の光強度に対応した
数値データが整然と配置されたものであって、配列が１
次元か２次元かの違いのみである。
抽出したＣＡＤパターンデータから、光強度シミュレー
ションを行うためのデータ形式である、ラスター形式へ
のデータ変換を行う。変換方法は、まずＣＡＤパターン
データによって表されるフォトマスクパターンの光学像
を格子状に細分化する。この時、光学像は光強度分布と
して表され、各格子における光強度値をラスター配列に
配置する。ただしこの時、光強度値をマトリックス配列
に配置することもできる。また、ラスター配列およびマ
トリックス配列は、どちらも各格子の光強度に対応した
数値データが整然と配置されたものであって、配列が１
次元か２次元かの違いのみである。
【００２８】次にステップＳ４では、上記データ変換に
よりラスター形式に配列した各格子の光強度に対応する
数値データに対して、所定の条件で光強度シミュレーシ
ョンを行う。これにより、シミュレーション結果とし
て、投影露光後のパターン光学像の光強度分布に相当す
る各格子毎の数値データが得られる。この光強度分布
は、可視化グラフィックツールを用いてパターンとして
出力装置４に表示し、見ることができる。すなわち、光
強度シミュレーションにより得られた各格子毎の数値デ
ータ（シミュレーション結果）に応じた輝度で、ステッ
プＳ３で細分化した各格子を表示し、これを投影露光後
のパターン光学像として表示する。
よりラスター形式に配列した各格子の光強度に対応する
数値データに対して、所定の条件で光強度シミュレーシ
ョンを行う。これにより、シミュレーション結果とし
て、投影露光後のパターン光学像の光強度分布に相当す
る各格子毎の数値データが得られる。この光強度分布
は、可視化グラフィックツールを用いてパターンとして
出力装置４に表示し、見ることができる。すなわち、光
強度シミュレーションにより得られた各格子毎の数値デ
ータ（シミュレーション結果）に応じた輝度で、ステッ
プＳ３で細分化した各格子を表示し、これを投影露光後
のパターン光学像として表示する。
【００２９】さらにステップＳ５へ進み、光強度シミュ
レーションによって得られた数値データから所定の１つ
の値の等高線パターンを抽出し、これをＣＡＤデータす
なわちストリームデータ形式へとデータ変換する。この
データ変換は、例えば所定の等高線の値を基準値とし
て、ステップＳ４で行った光強度シミュレーションによ
り得られた光強度分布を前記ステップＳ３で細分化した
各格子毎に基準値以上と基準値未満に区分し、格子の外
周に沿って輪郭線を描く。そして格子をＣＡＤデータ上
の平面座標に重ねて、この輪郭線をＣＡＤパターン（Ｃ
ＡＤデータによって表されるパターン）に変換すればよ
い（以下、このＣＡＤパターンに変換された輪郭線を等
高線パターンという）。なお、光強度シミュレーション
によって得られた数値データからＣＡＤデータへの変換
方法は、上述した方法に限定されるものではない。
レーションによって得られた数値データから所定の１つ
の値の等高線パターンを抽出し、これをＣＡＤデータす
なわちストリームデータ形式へとデータ変換する。この
データ変換は、例えば所定の等高線の値を基準値とし
て、ステップＳ４で行った光強度シミュレーションによ
り得られた光強度分布を前記ステップＳ３で細分化した
各格子毎に基準値以上と基準値未満に区分し、格子の外
周に沿って輪郭線を描く。そして格子をＣＡＤデータ上
の平面座標に重ねて、この輪郭線をＣＡＤパターン（Ｃ
ＡＤデータによって表されるパターン）に変換すればよ
い（以下、このＣＡＤパターンに変換された輪郭線を等
高線パターンという）。なお、光強度シミュレーション
によって得られた数値データからＣＡＤデータへの変換
方法は、上述した方法に限定されるものではない。
【００３０】ここで、ステップＳ２で抽出されたフォト
マスクパターンから、ステップＳ５において等高線パタ
ーンが得られるまでの過程を、図３に示す模式図を参照
してさらに説明する。まず、ステップＳ２においてフォ
トマスクパターンＰを含む所定面積の領域が抽出された
とすると、その光学像（図３（ａ）参照）が、ステップ
Ｓ３において、図３（ｂ）に示すように格子状に細分化
される。そして、ステップＳ４で光強度シミュレーショ
ンが行われ、その結果得られた各格子毎の数値データに
応じた（例えば）輝度で出力装置４に表示される（図３
（ｃ）参照）。そして、ステップＳ５において、細分化
した各格子毎に所定の基準値以上と基準値未満に区分
し、格子の外周に沿って輪郭線（ここでは、図３（ｃ）
中、Ｌで示される線とする）が描かれ、この輪郭線Ｌが
ＣＡＤデータへ変換され、等高線パターンとなる（図３
（ｄ）参照）。
マスクパターンから、ステップＳ５において等高線パタ
ーンが得られるまでの過程を、図３に示す模式図を参照
してさらに説明する。まず、ステップＳ２においてフォ
トマスクパターンＰを含む所定面積の領域が抽出された
とすると、その光学像（図３（ａ）参照）が、ステップ
Ｓ３において、図３（ｂ）に示すように格子状に細分化
される。そして、ステップＳ４で光強度シミュレーショ
ンが行われ、その結果得られた各格子毎の数値データに
応じた（例えば）輝度で出力装置４に表示される（図３
（ｃ）参照）。そして、ステップＳ５において、細分化
した各格子毎に所定の基準値以上と基準値未満に区分
し、格子の外周に沿って輪郭線（ここでは、図３（ｃ）
中、Ｌで示される線とする）が描かれ、この輪郭線Ｌが
ＣＡＤデータへ変換され、等高線パターンとなる（図３
（ｄ）参照）。
【００３１】次にステップＳ６において、元のＣＡＤパ
ターンデータ、すなわち、ステップＳ１で読み込んだＣ
ＡＤパターンデータと、ステップＳ５でＣＡＤパターン
データに変換された等高線パターンとを重ね合わせ、パ
ターン検証ツールを用いてデザインルールチェックを行
う。このチェックは元のＣＡＤパターンと光強度シミュ
レーションによる等高線パターンとの差異について比較
照合することが目的である。これによって、両者のパタ
ーンに予め定めた許容値以上の差異がある箇所、すなわ
ちシミュレーションによる結果が本来のパターンと異な
っており、パターン補正を必要とする箇所が抽出され
る。
ターンデータ、すなわち、ステップＳ１で読み込んだＣ
ＡＤパターンデータと、ステップＳ５でＣＡＤパターン
データに変換された等高線パターンとを重ね合わせ、パ
ターン検証ツールを用いてデザインルールチェックを行
う。このチェックは元のＣＡＤパターンと光強度シミュ
レーションによる等高線パターンとの差異について比較
照合することが目的である。これによって、両者のパタ
ーンに予め定めた許容値以上の差異がある箇所、すなわ
ちシミュレーションによる結果が本来のパターンと異な
っており、パターン補正を必要とする箇所が抽出され
る。
【００３２】なお、この時のチェックに用いるデザイン
ルールは特に定めるものではないが、例えば配線線幅や
配線間の間隔、パターンコーナー部、コンタクトホール
径等をチェックすればよい。また、ステップＳ２におい
て用いたデザインルール上のクリティカルな部分と同じ
部分をチェックしてもよい。
ルールは特に定めるものではないが、例えば配線線幅や
配線間の間隔、パターンコーナー部、コンタクトホール
径等をチェックすればよい。また、ステップＳ２におい
て用いたデザインルール上のクリティカルな部分と同じ
部分をチェックしてもよい。
【００３３】そしてステップＳ７では、ステップＳ６で
比較照合した結果、抽出された箇所についてパターン補
正を行う。この際、上記等高線パターンが、元のＣＡＤ
パターンに対して充分近似するように、すなわち両者の
差異が最小となるようにパターン補正がなされる。例え
ば、コンタクトホール径について、ステップＳ６で等高
線パターンとＣＡＤパターンとを比較した結果、等高線
パターンのコンタクトホール径がＣＡＤパターンのもの
よりも小さかった場合、ＣＡＤパターンにおける当該コ
ンタクトホール径を所定の大きさΔφだけ広げ、再度、
ステップＳ３〜Ｓ６の処理を行って、オリジナルのＣＡ
Ｄパターン（コンタクトホール径をΔφだけ広げる前の
元々のＣＡＤパターン）と、再度シミュレーションを行
った結果得られた等高線パターンとを比較する。
比較照合した結果、抽出された箇所についてパターン補
正を行う。この際、上記等高線パターンが、元のＣＡＤ
パターンに対して充分近似するように、すなわち両者の
差異が最小となるようにパターン補正がなされる。例え
ば、コンタクトホール径について、ステップＳ６で等高
線パターンとＣＡＤパターンとを比較した結果、等高線
パターンのコンタクトホール径がＣＡＤパターンのもの
よりも小さかった場合、ＣＡＤパターンにおける当該コ
ンタクトホール径を所定の大きさΔφだけ広げ、再度、
ステップＳ３〜Ｓ６の処理を行って、オリジナルのＣＡ
Ｄパターン（コンタクトホール径をΔφだけ広げる前の
元々のＣＡＤパターン）と、再度シミュレーションを行
った結果得られた等高線パターンとを比較する。
【００３４】そして、以下、等高線パターンとオリジナ
ルのＣＡＤパターンの、コンタクトホール径の差が、前
述した許容値以下となるまで、順次、ＣＡＤパターンの
コンタクトホール径の大きさをΔφずつ広げて行き、そ
の都度、ステップＳ３〜Ｓ６の処理を繰り返す。そし
て、等高線パターンのコンタクトホール径がオリジナル
のＣＡＤパターンのコンタクトホール径に対して許容値
以下となった時のＣＡＤパターンを、リソグラフィ工程
を考慮して最適化補正がなされたフォトマスクパターン
として採用する。
ルのＣＡＤパターンの、コンタクトホール径の差が、前
述した許容値以下となるまで、順次、ＣＡＤパターンの
コンタクトホール径の大きさをΔφずつ広げて行き、そ
の都度、ステップＳ３〜Ｓ６の処理を繰り返す。そし
て、等高線パターンのコンタクトホール径がオリジナル
のＣＡＤパターンのコンタクトホール径に対して許容値
以下となった時のＣＡＤパターンを、リソグラフィ工程
を考慮して最適化補正がなされたフォトマスクパターン
として採用する。
【００３５】次に図４および図５を参照し、ステップＳ
７におけるパターンの補正に関して具体例を挙げて説明
する。図４は、ＣＡＤパターンに対してデザインルール
チェックを行い、抽出されたパターン部分を示す。この
マスクパターンＡでは位相シフト技術を用いており、パ
ターン１０，１２は位相０度、パターン１１は位相１８
０度である。ラインパターンの幅はパターン１０が０．
４μｍ、パターン１１，１２が０．２５μｍである。ラ
インパターン１１のみ位相シフトパターンとした。この
マスクパターンＡについて線幅に関するデザインルール
チェックを行った結果、この部分は設計上のクリティカ
ルな部分として抽出された。
７におけるパターンの補正に関して具体例を挙げて説明
する。図４は、ＣＡＤパターンに対してデザインルール
チェックを行い、抽出されたパターン部分を示す。この
マスクパターンＡでは位相シフト技術を用いており、パ
ターン１０，１２は位相０度、パターン１１は位相１８
０度である。ラインパターンの幅はパターン１０が０．
４μｍ、パターン１１，１２が０．２５μｍである。ラ
インパターン１１のみ位相シフトパターンとした。この
マスクパターンＡについて線幅に関するデザインルール
チェックを行った結果、この部分は設計上のクリティカ
ルな部分として抽出された。
【００３６】図５に、該パターン部分Ａに対して露光波
長２４８ｎｍ、開口数０．５、コヒーレンス度０．３、
焦点誤差０μｍの光学条件で光強度シミュレーションを
行った結果を光強度分布の等高線図として示した。な
お、等高線の値は０．３としており、この値は経験的に
実際のリソグラフィ工程において得られるレジストパタ
ーンとほぼ同等になる条件として考えることができる。
パターン１０’，１１’，１２’はそれぞれ図４のパタ
ーンに対応する。
長２４８ｎｍ、開口数０．５、コヒーレンス度０．３、
焦点誤差０μｍの光学条件で光強度シミュレーションを
行った結果を光強度分布の等高線図として示した。な
お、等高線の値は０．３としており、この値は経験的に
実際のリソグラフィ工程において得られるレジストパタ
ーンとほぼ同等になる条件として考えることができる。
パターン１０’，１１’，１２’はそれぞれ図４のパタ
ーンに対応する。
【００３７】図５のデータをＣＡＤデータに変換し、図
４のパターンデータに対してデザインルールチェックに
よって比較照合した結果、シミュレーションによる等高
線パターン（図５中、ラインパターン１０’，１１’，
１２’）は、いずれも設計パターン１０，１１，１２に
対してやや太くなっていることが示された。このため補
正値として線幅リサイズ量０．０５μｍが検証結果とし
て示され、補正を行った。また、求められた補正値は、
図４に示されるパターン１０，１１，１２の抽出部分の
みならず、抽出されなかった部分、すなわち、抽出はさ
れなかったが、パターン１０，１１，１２の設計パター
ンとしてつながりのある部分に対しても反映される。
４のパターンデータに対してデザインルールチェックに
よって比較照合した結果、シミュレーションによる等高
線パターン（図５中、ラインパターン１０’，１１’，
１２’）は、いずれも設計パターン１０，１１，１２に
対してやや太くなっていることが示された。このため補
正値として線幅リサイズ量０．０５μｍが検証結果とし
て示され、補正を行った。また、求められた補正値は、
図４に示されるパターン１０，１１，１２の抽出部分の
みならず、抽出されなかった部分、すなわち、抽出はさ
れなかったが、パターン１０，１１，１２の設計パター
ンとしてつながりのある部分に対しても反映される。
【００３８】なお、確認のため図５の結果から直接パタ
ーン線幅を計測したところ、パターン１０’の線幅ｗ１
は０．４０μｍ、パターン１１’の線幅ｗ２は０．３０
μｍ、パターン１２’の線幅ｗ３は０．２８μｍと計測
された。各パターンの設計値はそれぞれ０．４μｍ、
０．２５μｍ、０．２５μｍであるから、いずれの線幅
もやや太めになっていることがわかる。
ーン線幅を計測したところ、パターン１０’の線幅ｗ１
は０．４０μｍ、パターン１１’の線幅ｗ２は０．３０
μｍ、パターン１２’の線幅ｗ３は０．２８μｍと計測
された。各パターンの設計値はそれぞれ０．４μｍ、
０．２５μｍ、０．２５μｍであるから、いずれの線幅
もやや太めになっていることがわかる。
【００３９】なお、上述した実施形態において、記録媒
体３に記録されたフォトマスクパターン設計プログラム
は、記憶装置５から読み出したＣＡＤパターンデータに
対して、パターンの最適化を行っていたが、上記フォト
マスクパターン設計プログラムにＣＡＤツールを組み込
み、このＣＡＤツールによって作成したＣＡＤパターン
データに対して、パターンの最適化を行うようにしても
よい。
体３に記録されたフォトマスクパターン設計プログラム
は、記憶装置５から読み出したＣＡＤパターンデータに
対して、パターンの最適化を行っていたが、上記フォト
マスクパターン設計プログラムにＣＡＤツールを組み込
み、このＣＡＤツールによって作成したＣＡＤパターン
データに対して、パターンの最適化を行うようにしても
よい。
【００４０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ＣＡＤ
パターンデータから光強度シミュレーションを行い、こ
れをデータ変換してＣＡＤパターンデータとして比較照
合を行い補正デザインルールを設定できるので、従来の
フォトマスク設計ルールによる設計パターンよりもリソ
グラフィ工程を考慮して最適化したパターン補正を行う
ことができ、微細加工精度が向上したフォトマスクが容
易かつ迅速に作製できる。
パターンデータから光強度シミュレーションを行い、こ
れをデータ変換してＣＡＤパターンデータとして比較照
合を行い補正デザインルールを設定できるので、従来の
フォトマスク設計ルールによる設計パターンよりもリソ
グラフィ工程を考慮して最適化したパターン補正を行う
ことができ、微細加工精度が向上したフォトマスクが容
易かつ迅速に作製できる。
【００４１】しかもデータ量が膨大なパターンに対して
も、デザインルールチェックを設定することによって、
配線の最小線幅、配線間の最小間隔、コンタクトホール
部等、実際に半導体集積回路等を製造した際、製造に用
いたフォトマスクパターンとの差が生じやすい箇所のみ
を抽出して、シミュレーションを行うので、短時間でか
つ自動的に最適化された補正パターンを得ることができ
る。
も、デザインルールチェックを設定することによって、
配線の最小線幅、配線間の最小間隔、コンタクトホール
部等、実際に半導体集積回路等を製造した際、製造に用
いたフォトマスクパターンとの差が生じやすい箇所のみ
を抽出して、シミュレーションを行うので、短時間でか
つ自動的に最適化された補正パターンを得ることができ
る。
【図１】 本発明の一実施形態によるフォトマスク設計
装置における処理内容を示すフローチャートである。
装置における処理内容を示すフローチャートである。
【図２】 同フォトマスク設計装置の構成を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図３】 同フォトマスク設計装置によりＣＡＤパター
ンから等高線パターンが得られるまでの過程を示す模式
図である。
ンから等高線パターンが得られるまでの過程を示す模式
図である。
【図４】 同フォトマスク設計装置により抽出されたＣ
ＡＤパターンを示す図である。
ＡＤパターンを示す図である。
【図５】 図４のＣＡＤパターンに基づいて光強度シミ
ュレーションを行った結果得られた等高線パターンを示
す図である。
ュレーションを行った結果得られた等高線パターンを示
す図である。
１ 入力装置 ２ 処理装置 ２ａ データ読取装置 ３ 記録媒体 ４ 出力装置 ５ 記憶装置 １０，１２ ラインパターン １１ 位相シフトラインパターン １０’，１１’，１２’ 等高線パターン
Claims (9)
- 【請求項１】 ＣＡＤシステムにより作成されたフォト
マスクパターンのＣＡＤパターンデータから、光強度シ
ミュレーションを行うパターン部分のＣＡＤパターンデ
ータを抽出するパターンデータ抽出手段と、 前記抽出されたＣＡＤパターンデータに基づいて光強度
シミュレーションを行い、該抽出されたＣＡＤパターン
データに基づくパターン部分の、投影露光後のパターン
光強度分布を求める光強度シミュレーション手段と、 前記抽出されたＣＡＤパターンデータに基づくパターン
と前記光強度シミュレーションの結果に基づくパターン
とを比較検証し、補正を必要とする箇所を抽出するパタ
ーン比較チェック手段と、 前記抽出された要補正箇所において、前記抽出されたＣ
ＡＤパターンデータに基づくパターンと前記光強度シミ
ュレーションの結果に基づくパターンとの差が所定の許
容値以下となるように、前記フォトマスクパターンのＣ
ＡＤパターンデータを補正するパターン補正手段とを有
することを特徴とするフォトマスクパターン設計装置。 - 【請求項２】 前記データ抽出手段は、 前記フォトマスクパターンのＣＡＤパターンデータのう
ち、所定値以下の、配線幅、配線間隔、コンタクトホー
ル径、または、層間目合わせ裕度部分を含む、所定面積
の領域を前記光強度シミュレーションを行うパターン部
分として、そのＣＡＤパターンデータを抽出することを
特徴とする請求項１に記載のフォトマスクパターン設計
装置。 - 【請求項３】 前記光強度シミュレーション手段は、 前記抽出されたＣＡＤパターンデータにより表されるフ
ォトマスクパターンの光強度像を格子状に細分化して、
該各格子における光強度値をラスター配列もしくはマト
リックス配列に配置したデータに変換するシミュレーシ
ョン用データ変換手段を有し該データ変換手段によって
変換されたデータに基づいて光強度シミュレーションを
行うことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクパ
ターン設計装置。 - 【請求項４】 前記パターン比較チェック手段は、 前記光強度シミュレーションで得られたパターン光強度
分布から所定の光強度値の等高線を抽出し、その等高線
より表されるパターンのＣＡＤデータに変換するＣＡＤ
データ変換手段を有し、 前記パターンデータ抽出手段により抽出されたＣＡＤパ
ターンデータと該等高線により表されるパターンのＣＡ
Ｄデータとにおいて、両者の配線幅、配線間隔、パター
ンコーナー部、または、コンタクトホール径のいずれか
を比較検証し、当該比較検証を行った箇所の寸法差が、
前記所定の許容値以上である箇所を、前記補正を必要と
する箇所として抽出することを特徴とする請求項１に記
載のフォトマスクパターン設計装置。 - 【請求項５】 ＣＡＤシステムにより作成されたフォト
マスクパターンのＣＡＤパターンデータから、光強度シ
ミュレーションを行うパターン部分のＣＡＤパターンデ
ータを抽出する第１の工程と、 前記抽出されたＣＡＤパターンデータに基づいて光強度
シミュレーションを行い、該抽出されたＣＡＤパターン
データに基づくパターン部分の、投影露光後のパターン
光強度分布を求める第２の工程と、 前記抽出されたＣＡＤパターンデータに基づくパターン
と前記光強度シミュレーションの結果に基づくパターン
とを比較検証し、補正を必要とする箇所を抽出する第３
の工程と、 前記抽出された要補正箇所において、前記抽出されたＣ
ＡＤパターンデータに基づくパターンと前記光強度シミ
ュレーションの結果に基づくパターンとの差が所定の許
容値以下となるように、前記フォトマスクパターンのＣ
ＡＤパターンデータを補正する第４の工程とを有するこ
とを特徴とするフォトマスクパターン設計方法。 - 【請求項６】 前記第１の工程は、 前記フォトマスクパターンのＣＡＤパターンデータのう
ち、所定値以下の、配線幅、配線間隔、コンタクトホー
ル径、または、層間目合わせ裕度部分を含む、所定面積
の領域を前記光強度シミュレーションを行うパターン部
分として、そのＣＡＤパターンデータを抽出することを
特徴とする請求項５に記載のフォトマスクパターン設計
方法。 - 【請求項７】 前記第２の工程は、 前記抽出されたＣＡＤパターンデータにより表されるフ
ォトマスクパターンの光強度像を格子状に細分化し、 該各格子における光強度値をラスター配列もしくはマト
リックス配列に配置したデータに変換し、 該変換されたデータに基づいて光強度シミュレーション
を行うことを特徴とする請求項５に記載のフォトマスク
パターン設計方法。 - 【請求項８】 前記第３の工程は、 前記光強度シミュレーションで得られたパターン光強度
分布から所定の光強度値の等高線を抽出し、 該抽出した等高線を、その等高線より表されるパターン
のＣＡＤデータに変換し、 該等高線により表されるパターンのＣＡＤデータと前記
第１の工程で抽出されたＣＡＤパターンデータとにおい
て、両者の配線幅、配線間隔、パターンコーナー部、ま
たは、コンタクトホール径のいずれかを比較検証し、 当該比較検証を行った箇所の寸法差が、前記所定の許容
値以上である箇所を、前記補正を必要とする箇所として
抽出することを特徴とする請求項５に記載のフォトマス
クパターン設計方法。 - 【請求項９】 フォトマスクパターンの設計を行うフォ
トマスクパターン設計プログラムを記録したコンピュー
タ読み取り可能な記録媒体であって、 該フォトマスクパターン設計プログラムは、コンピュー
タに、 ＣＡＤシステムにより作成されたフォトマスクパターン
のＣＡＤパターンデータから、光強度シミュレーション
を行うパターン部分のＣＡＤパターンデータを抽出さ
せ、 前記抽出させたＣＡＤパターンデータに基づいて光強度
シミュレーションを実行させて、該抽出させたＣＡＤパ
ターンデータに基づくパターン部分の、投影露光後のパ
ターン光強度分布を求めさせ、 前記抽出されたＣＡＤパターンデータに基づくパターン
と前記光強度シミュレーションの結果に基づくパターン
とを比較検証し、補正を必要とする箇所を抽出させ、 前記抽出させた要補正箇所において、前記抽出させたＣ
ＡＤパターンデータに基づくパターンと前記光強度シミ
ュレーションの結果に基づくパターンとの差が所定の許
容値以下となるように、前記フォトマスクパターンのＣ
ＡＤパターンデータを補正させることを特徴とするフォ
トマスクパターン設計プログラムを記録したコンピュー
タ読み取り可能な記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34978997A JPH11184064A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | フォトマスクパターン設計装置および設計方法ならびにフォトマスクパターン設計プログラムを記録した記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34978997A JPH11184064A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | フォトマスクパターン設計装置および設計方法ならびにフォトマスクパターン設計プログラムを記録した記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11184064A true JPH11184064A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18406134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34978997A Pending JPH11184064A (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | フォトマスクパターン設計装置および設計方法ならびにフォトマスクパターン設計プログラムを記録した記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11184064A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002093259A1 (fr) * | 2001-05-10 | 2002-11-21 | Sony Corporation | Procede d'evaluation de verification en circuit ouvert a base de regles et procede d'evaluation de modele de verification en circuit ouvert a base de simulation |
| US6647147B1 (en) | 1999-07-15 | 2003-11-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for measuring fine pattern, apparatus for measuring fine pattern, and record medium that can store therein program to measure fine pattern and can be read by using computer |
| JP2006058464A (ja) * | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Toshiba Corp | パタン計測方法、パタン計測装置、フォトマスクの製造方法およびプログラム |
| US7139998B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-11-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photomask designing method, pattern predicting method and computer program product |
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