JPH11175407A - System setting data protection circuit - Google Patents
System setting data protection circuitInfo
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- JPH11175407A JPH11175407A JP33549497A JP33549497A JPH11175407A JP H11175407 A JPH11175407 A JP H11175407A JP 33549497 A JP33549497 A JP 33549497A JP 33549497 A JP33549497 A JP 33549497A JP H11175407 A JPH11175407 A JP H11175407A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、パーソナルコンピ
ュータのシステム設定データを保存する半導体メモリ部
に対するプログラムの誤動作による不正なデータの書込
みを防止してシステム設定データを保護するシステム設
定データ保護回路に関する。近年のパーソナルコンピュ
ータは、システム設定データをバッテリバックアップさ
れた不揮発性記憶メモリよりなる半導体メモリ部に保存
している。ところが、これらの半導体メモリ部はユーザ
プログラムなどから容易に書込みが可能となっているた
め、プログラムの誤動作により不正なデータが書き込ま
れ、最悪の場合システムの起動ができなくなることもあ
る。したがって、このような不具合の発生を防止するこ
とができるシステム設定データ保護回路の開発が要望さ
れている。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a system setting data protection circuit for protecting a system setting data by preventing illegal data writing due to a malfunction of a program to a semiconductor memory section for storing system setting data of a personal computer. In recent personal computers, system setting data is stored in a semiconductor memory unit including a battery-backed nonvolatile storage memory. However, since these semiconductor memory units can be easily written from a user program or the like, incorrect data is written due to a malfunction of the program, and in the worst case, the system cannot be started. Therefore, there is a demand for the development of a system setting data protection circuit that can prevent such a problem from occurring.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のシステム設定データ保護回路とし
ては、例えば図12に示すようなものがある(特開昭6
3−58700号公報、参照)。図12において、10
1は書込制御部、102は書込制御部101から書込み
アドレス103および書込みデータ104が入力する不
揮発性メモリである。書込制御部101と不揮発性メモ
リ102との間には書込信号ライン105が設けられ、
書込信号ライン105には書込指示信号の供給の許可ま
たは禁止を切り換える切換手段としてのディップスイッ
チ106が設けられている。このディップスイッチ10
6により不揮発性メモリ102の記憶内容の変更時以外
不揮発性メモリ102に書込指示信号が供給されないよ
うにしている。2. Description of the Related Art As a conventional system setting data protection circuit, for example, there is one as shown in FIG.
3-58700 gazette). In FIG. 12, 10
Reference numeral 1 denotes a write control unit; and 102, a nonvolatile memory to which a write address 103 and write data 104 are input from the write control unit 101. A write signal line 105 is provided between the write control unit 101 and the nonvolatile memory 102,
The write signal line 105 is provided with a dip switch 106 as switching means for switching between permission and prohibition of supply of the write instruction signal. This dip switch 10
6 prevents the writing instruction signal from being supplied to the nonvolatile memory 102 except when the storage content of the nonvolatile memory 102 is changed.
【0003】また、他の従来例としては、例えば図13
に示すようなものがある(特開平2−93746号公
報、参照)。図13において、111はCPU、112
はCPU111を制御する制御プログラムが格納された
ROM、113は書込みメモリとしてのRAM、114
はメモリプロテクトスイッチ、115はナンド回路、1
16はアンド回路、117,118はオア回路である。
メモリプロテクトスイッチ114によりRAM114の
所定領域への書込みが禁止されている場合には従来同様
にRAM113の所定領域に対する書込みを禁止し、一
方、メモリプロテクトスイッチ114がRAM113の
所定領域に対する書込みを許可している状態において
は、CPU111により書込みが必要な期間のみRAM
113の所定領域に対する書込みを許可する。Another conventional example is shown in FIG.
(See JP-A-2-93746). In FIG. 13, reference numeral 111 denotes a CPU;
Is a ROM in which a control program for controlling the CPU 111 is stored, 113 is a RAM as a write memory, 114
Is a memory protect switch, 115 is a NAND circuit, 1
16 is an AND circuit, 117 and 118 are OR circuits.
When writing to a predetermined area of the RAM 114 is prohibited by the memory protect switch 114, writing to the predetermined area of the RAM 113 is prohibited as in the related art, while writing to the predetermined area of the RAM 113 is permitted by the memory protect switch 114. In the state where the CPU 111
Writing to a predetermined area 113 is permitted.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のシステム設定データ保護回路にあっては、図
12および図13の場合においても記憶内容のシステム
設定データ保護機構として半導体メモリへの書込みの許
可と禁止の切換えを行う切換スイッチを設けているが、
ユーザの誤操作により切換スイッチが切り換えられて書
込み可能な状態になっていることに気付かずにシステム
を運用してしまうことがあった。However, in such a conventional system setting data protection circuit, even in the case of FIG. 12 and FIG. There is a changeover switch that switches between permission and prohibition,
In some cases, the user operates the system without noticing that the changeover switch has been switched by an erroneous operation of the user and is in a writable state.
【0005】その結果、システム設定データの保護を充
分に行うことができないという問題が生じていた。本発
明は、このような従来の問題に鑑みてなされたものであ
って、システム設定データの保護を向上させることがで
きるシステム設定データ保護回路を提供することを目的
とする。As a result, there has been a problem that the system setting data cannot be sufficiently protected. The present invention has been made in view of such a conventional problem, and has as its object to provide a system setting data protection circuit capable of improving protection of system setting data.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、図1に示すように構成する。請求項1の
発明は、バッテリによりバックアップされる半導体メモ
リ部16内に保存されているシステム設定データを保護
するシステム設定データ保護回路において、前記半導体
メモリ部16への書込信号の許可と禁止の切換えがユー
ザにより任意に変更可能なスイッチ手段17と、電源投
入時またはハードウェアリセット時の前記スイッチ手段
17の状態を保持する状態記憶手段18と、前記書込信
号と該状態記憶手段18の出力が入力し前記半導体メモ
リ部16に対する書込みの許可と禁止を切換制御する切
換制御手段19と、を備える。In order to achieve this object, the present invention is configured as shown in FIG. According to a first aspect of the present invention, there is provided a system setting data protection circuit for protecting system setting data stored in a semiconductor memory unit 16 backed up by a battery, wherein permission and prohibition of a write signal to the semiconductor memory unit 16 are set. Switch means 17 for which switching can be arbitrarily changed by a user, state storage means 18 for holding the state of the switch means 17 at power-on or hardware reset, and the write signal and output of the state storage means 18 And a switching control means 19 for switching between permitting and prohibiting writing to the semiconductor memory unit 16 when the data is inputted.
【0007】請求項2の発明は、請求項1記載のシステ
ム設定データ保護回路において、電源投入時またはハー
ドウェアリセット時に前記状態記憶手段18の出力を判
別する判別手段と、該判別手段が前記半導体メモリ部1
6に対する書込みが許可されていることを判別したとき
は警告を通知する警告通知手段と、を設けた。According to a second aspect of the present invention, in the system setting data protection circuit according to the first aspect, a discriminating means for discriminating an output of the state storage means 18 when power is turned on or a hardware reset, and wherein the discriminating means is the semiconductor Memory unit 1
And a warning notifying unit for notifying a warning when it is determined that writing to the No. 6 is permitted.
【0008】このような構成を備えた本発明によれば、
誤ってスイッチ手段17に触れるなどユーザのスイッチ
手段17の誤操作があっても、電源投入時またはハード
ウェアリセット時のスイッチ手段17の状態を保持し、
半導体メモリ部16に対する書込みの許可および禁止を
切換え制御するので、電源を再投入するかリセットスイ
ッチを再度オンにするまでは、半導体メモリ部16に対
する書込みの禁止は保持され、システム設定データの保
護を向上させることができる。According to the present invention having such a configuration,
Even if the user operates the switch unit 17 erroneously, such as touching the switch unit 17 by mistake, the state of the switch unit 17 at the time of turning on the power or resetting the hardware is maintained.
Since writing permission and prohibition of writing to the semiconductor memory unit 16 are controlled by switching, the prohibition of writing to the semiconductor memory unit 16 is maintained until the power is turned on again or the reset switch is turned on again, thereby protecting the system setting data. Can be improved.
【0009】また、システムの起動時に半導体メモリ部
16への書込みが許可されていることを判別したいとき
は、警告を発してユーザに注意を促すため、システム設
定データの保護を向上させることができる。When it is desired to determine that writing to the semiconductor memory unit 16 is permitted at the time of system startup, a warning is issued to alert the user, so that protection of system setting data can be improved. .
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】図2は本発明のシステム設定デー
タ保護回路が用いられるパーソナルコンピュータを示す
図である。図2において、1はCPUであり、CPU1
にはバス2を介してROM3およびRAM4が接続され
ている。ROM3内には制御プログラムなどが格納さ
れ、RAM4は作業領域などに用いられる。また、CP
U1にはインタフェース部5,6,7を介して表示部
8、プリンタ9、およびキーボードなどの入力部10が
それぞれ接続されている。FIG. 2 is a diagram showing a personal computer in which a system setting data protection circuit according to the present invention is used. In FIG. 2, reference numeral 1 denotes a CPU;
Are connected to a ROM 3 and a RAM 4 via a bus 2. A control program and the like are stored in the ROM 3, and the RAM 4 is used as a work area. Also, CP
A display unit 8, a printer 9, and an input unit 10 such as a keyboard are connected to U1 via interface units 5, 6, and 7, respectively.
【0011】また、CPU1には、不揮発性メモリより
なるRAM11が接続され、RAM11には例えば起動
デバイス選択データなどのシステム設定データが保存さ
れる。このため、RAM11はバッテリ12によりバッ
クアップされる。RAM11に対してはRAM11内に
保存されているシステム設定データを保護するためシス
テム設定データ保護回路13が設けられている。システ
ム設定データ保護回路13には、リセットスイッチ14
が接続され、リセットスイッチ14をオンにすると、リ
セット信号がシステム設定データ保護回路13に出力さ
れる。また、電源投入スイッチ15をオンしたときも、
リセット信号がシステム設定データ保護回路13に出力
される。The CPU 1 is connected to a RAM 11 composed of a non-volatile memory. The RAM 11 stores system setting data such as boot device selection data. Therefore, the RAM 11 is backed up by the battery 12. The RAM 11 is provided with a system setting data protection circuit 13 for protecting system setting data stored in the RAM 11. The system setting data protection circuit 13 includes a reset switch 14
Is connected, and when the reset switch 14 is turned on, a reset signal is output to the system setting data protection circuit 13. Also, when the power switch 15 is turned on,
A reset signal is output to the system setting data protection circuit 13.
【0012】図3は本発明の第1の実施形態に係るシス
テム設定データ保護回路13の構成例を示す図である。
図3において、16は不揮発性メモリとしての半導体メ
モリ部(RAM)であり、半導体メモリ部16はバッテ
リ12にバックアップされ、システム設定データ、例え
ば起動デバイス選択データなどが保存される。半導体メ
モリ部16にはアドレス信号、読出信号、書込信号が入
力し、読出信号によりアドレス信号が示す領域からデー
タが読み出され、書込信号によりアドレス信号が示す領
域にデータが書き込まれる。FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of the system setting data protection circuit 13 according to the first embodiment of the present invention.
In FIG. 3, reference numeral 16 denotes a semiconductor memory unit (RAM) as a nonvolatile memory. The semiconductor memory unit 16 is backed up by the battery 12 and stores system setting data, for example, boot device selection data. An address signal, a read signal, and a write signal are input to the semiconductor memory unit 16, data is read from a region indicated by the address signal by the read signal, and data is written to a region indicated by the address signal by the write signal.
【0013】半導体メモリ部16はユーザのプログラム
などから容易に書込みが可能になっているため、プログ
ラムの誤動作により不正なデータが書き込まれ、最悪の
場合にはシステムの起動ができなくなることがある。こ
のため、不正なデータが書き込まれないように、システ
ム設定データ保護回路13が設けられている。システム
設定データ保護回路13は、半導体メモリ部16への書
込信号の許可と禁止の切換えがユーザにより任意に変更
可能なスイッチ手段としての切換スイッチ17と、電源
投入時またはハードウェアリセット時の切換スイッチ1
7の状態を保持する状態記憶手段としてのDフリップフ
ロップ18と、書込信号とDフリップフロップ18の出
力が入力し、半導体メモリ部17に要求する書込みの許
可と禁止を切換制御する切換制御手段としてのアンド回
路19により構成される。Since the semiconductor memory unit 16 can be easily written from a user's program or the like, incorrect data is written due to a malfunction of the program, and in the worst case, the system cannot be started. For this reason, a system setting data protection circuit 13 is provided to prevent unauthorized data from being written. The system setting data protection circuit 13 includes a changeover switch 17 as a switch means that allows the user to arbitrarily change the permission and prohibition of the write signal to the semiconductor memory unit 16, and a switch at power-on or at a hardware reset. Switch 1
D flip-flop 18 as state storage means for holding the state of No. 7, and a switching control means for receiving a write signal and an output of the D flip-flop 18 and switching between permission and prohibition of writing requested to the semiconductor memory unit 17 And an AND circuit 19.
【0014】Dフリップフロップ18のD入力端子には
切換スイッチ17をオフにすると、電源VccからのH
レベルの電圧が抵抗20を介して入力し、切換スイッチ
17をオンすると、電源Vccからの電流は抵抗20、
切換スイッチ17を介してグランドに流れ、Lレベルの
電圧が入力する。すなわち、切換スイッチ17をオフに
すると、Dフリップフロップ18のD入力端子にはHレ
ベルが入力し、Q端子のQ出力はLレベルとなり、切換
スイッチ17をオフにすると、Dフリップフロップ18
のD入力端子にはLレベルが入力し、Q端子のQ出力は
Hレベルとなる。When the changeover switch 17 is turned off at the D input terminal of the D flip-flop 18, H from the power supply Vcc is output.
When the level voltage is input via the resistor 20 and the changeover switch 17 is turned on, the current from the power supply Vcc is
The current flows to the ground via the changeover switch 17, and an L-level voltage is input. That is, when the changeover switch 17 is turned off, the H level is inputted to the D input terminal of the D flip-flop 18, the Q output of the Q terminal becomes L level, and when the changeover switch 17 is turned off, the D flip-flop 18
L level is input to the D input terminal, and the Q output of the Q terminal becomes H level.
【0015】Dフリップフロップ18のクロック入力端
子にはリセット信号が入力する。すなわち、リセットス
イッチ14をオンにしたとき、または電源投入スイッチ
15をオンにしたとき、リセット信号がDフリップフロ
ップ18のクロック入力端子に入力する。このリセット
信号がLレベルからHレベルになると、Dフリップフロ
ップ18のD入力端子のD入力によってそのQ出力は決
められる。すなわち、切換スイッチ17がオンでD入力
端子のD入力がLレベルのときは、Q出力はHレベルと
なり、切換スイッチ17がオフでD入力端子のD入力が
Hレベルのときは、Q出力はLレベルとなる。また、リ
セット信号がHレベルからLレベルになると、Q出力は
前の状態を保持する。また、誤って切換スイッチ17に
触れるなどシステムの起動中にユーザの切換スイッチ1
7の誤動作があった場合に、Dフリップフロップ18の
D入力端子のD入力がHレベルからLレベルに切り換え
られても、次のリセット信号がクロック入力端子に入力
するまでは、Q出力はLレベルのままである。A reset signal is input to a clock input terminal of the D flip-flop 18. That is, when the reset switch 14 is turned on or the power-on switch 15 is turned on, a reset signal is input to the clock input terminal of the D flip-flop 18. When the reset signal changes from the L level to the H level, the Q output is determined by the D input of the D input terminal of the D flip-flop 18. That is, when the changeover switch 17 is on and the D input of the D input terminal is at the L level, the Q output is at the H level, and when the changeover switch 17 is off and the D input of the D input terminal is at the H level, the Q output is It becomes L level. When the reset signal changes from the H level to the L level, the Q output holds the previous state. Further, during the start-up of the system, for example, by touching the changeover switch 17 by mistake,
7, when the D input of the D input terminal of the D flip-flop 18 is switched from H level to L level, the Q output remains at L level until the next reset signal is input to the clock input terminal. Remains at the level.
【0016】図4は切換スイッチ17をオンにして書込
可としたときのタイムチャートを示す。図4において、
(A)に示すように、切換スイッチ17をオンにする
と、電源Vccからの電源が抵抗20を介して切換スイ
ッチ17からグランドに流れ、Dフリップフロップ18
のD入力端子にはHレベルの電圧が入力しないので、
(B)に示すように、D入力はLレベルとなる。(C)
に示すように、リセットスイッチ14または電源投入ス
イッチ15の操作によるリセット信号がHレベルからL
レベルとなり、その後再びHレベルとなると、(D)に
示すようにDフリップフロップ18のQ出力は、リセッ
ト信号が再びHレベルになるまでは不定であったが、再
びHレベルになると、D入力がLレベルであるため、H
レベルとなる。(E)で示すように、CPU1側の書込
信号がHレベルとなって、アンド回路19に入力する
と、Dフリップフロップ18からのQ出力がHレベルで
あるため、半導体メモリ部16側の書込信号はCPU1
側の書込信号に同期してHレベルとなる。したがって、
半導体メモリ部16へのデータの書込みが可能となる。FIG. 4 shows a time chart when the changeover switch 17 is turned on to enable writing. In FIG.
As shown in (A), when the changeover switch 17 is turned on, the power from the power supply Vcc flows from the changeover switch 17 to the ground via the resistor 20 and the D flip-flop 18
H level voltage is not input to the D input terminal of
As shown in (B), the D input is at the L level. (C)
As shown in the figure, the reset signal by the operation of the reset switch 14 or the power-on switch 15 is changed from H level to L level.
When the reset signal goes high again, the Q output of the D flip-flop 18 is indefinite until the reset signal goes high again as shown in FIG. Is at the L level,
Level. As shown in (E), when the write signal on the CPU 1 side goes to the H level and is input to the AND circuit 19, the Q output from the D flip-flop 18 is at the H level. Input signal is CPU1
It goes high in synchronization with the write signal on the side. Therefore,
Data can be written to the semiconductor memory unit 16.
【0017】図5は切換スイッチ17をオフにして書込
不可としたときのタイムチャートを示す。図5におい
て、(A)に示すように、切換スイッチ17をオフにす
ると、電源VccからのHレベルの電圧がDフリップフ
ロップ18のD入力端子に入力し、(B)に示すように
D入力はHレベルとなる。(C)に示すようにリセット
スイッチ14または電源投入スイッチ15の操作による
リセット信号がHレベルからLレベルとなり、再びHレ
ベルになると、(D)に示すように、Dフリップフロッ
プ18のQ出力はリセット信号が再びHレベルになるま
では不定であるが、再びHレベルになると、D入力がH
レベルであるため、Lレベルになる。(E)に示すよう
に、CPU1側の書込信号がLレベルからHレベルにな
っても、Q出力はLレベルであるため、(F)に示すよ
うに、アンド回路19の出力である半導体メモリ部16
側の書込信号はLレベルのままである。したがって、半
導体メモリ部16には書込信号が入力せず、データの書
込みは禁止される。FIG. 5 shows a time chart when the changeover switch 17 is turned off to make writing impossible. In FIG. 5, when the changeover switch 17 is turned off as shown in FIG. 5A, an H level voltage from the power supply Vcc is input to the D input terminal of the D flip-flop 18, and as shown in FIG. Becomes H level. When the reset signal by the operation of the reset switch 14 or the power-on switch 15 changes from the H level to the L level as shown in (C), and again becomes the H level, the Q output of the D flip-flop 18 becomes as shown in (D). It is indefinite until the reset signal goes high again, but when it goes high again, the D input goes high.
Since it is a level, it becomes an L level. As shown in (E), even if the write signal on the CPU 1 side changes from L level to H level, the Q output is at L level, and therefore, as shown in FIG. Memory unit 16
The write signal on the side remains at the L level. Therefore, no write signal is input to the semiconductor memory unit 16 and data writing is prohibited.
【0018】図6は書込み不可の動作中に間違って切換
スイッチ17がオンになったときのタイムチャートを示
す。図6において、(A)に示すように、切換スイッチ
17がオフの状態のときは、電源VccからのHレベル
の電圧がDフリップフロップ18のD入力端子に入力
し、(B)に示すようにD入力はHレベルの状態となっ
ている。(C)に示すように、電源投入スイッチ15ま
たはリセットスイッチ14がオン状態のときは、リセッ
ト信号はHレベルである。D入力がHレベルであるた
め、(D)に示すようにDフリップフロップ18のQ出
力はLレベルであり、(E)に示すように、CPU1側
の書込信号がHレベルになっても、半導体メモリ部16
側の書込信号はLレベルのままであり、半導体メモリ部
16に対するデータの書込みは禁止されている。FIG. 6 shows a time chart when the changeover switch 17 is turned on by mistake during the write-disabled operation. 6, when the changeover switch 17 is off as shown in FIG. 6A, an H-level voltage from the power supply Vcc is input to the D input terminal of the D flip-flop 18, and as shown in FIG. , The D input is at the H level. As shown in (C), when the power-on switch 15 or the reset switch 14 is on, the reset signal is at the H level. Since the D input is at the H level, the Q output of the D flip-flop 18 is at the L level as shown in (D), and even if the write signal on the CPU 1 side is at the H level as shown in (E). , Semiconductor memory section 16
The write signal on the side remains at the L level, and writing of data to the semiconductor memory unit 16 is prohibited.
【0019】ここで、(A)に示すように、切換スイッ
チ17に触れるなどユーザの切換スイッチ17の誤動作
があると、切換スイッチ17はオフからオンになる。し
たがって、(B)に示すように、Dフリップフロップ1
8のD入力はHレベルからLレベルになる。このとき、
(C)に示すように、リセット信号がHレベルのとき
は、Dフリップフロップ18のQ出力は変化せず、Lレ
ベルのままである。したがって、(E)に示すようにC
PU1側の書込信号がHレベルとなっても半導体メモリ
部16側の書込信号はLレベルのままであり、半導体メ
モリ部16へのデータの書込みは禁止された状態のまま
である。Here, as shown in FIG. 2A, when the user operates the changeover switch 17 erroneously by touching the changeover switch 17, the changeover switch 17 is turned on from off. Therefore, as shown in FIG.
The D input 8 changes from H level to L level. At this time,
As shown in (C), when the reset signal is at the H level, the Q output of the D flip-flop 18 does not change and remains at the L level. Therefore, as shown in FIG.
Even if the write signal on the PU1 side goes to the H level, the write signal on the semiconductor memory section 16 remains at the L level, and writing of data to the semiconductor memory section 16 remains prohibited.
【0020】リセット信号がHレベルからLレベルにな
っても、Q出力はLレベルの状態が保持される。その
後、リセット信号がLレベルから再びHレベルになる
と、D入力がLレベルであるため、Q出力はHレベルと
なり、このときCPU1側の書込信号がHレベルになる
と、半導体メモリ部16側の書込信号もHレベルとな
り、データの書込みが許可される。このように、ユーサ
の誤操作があっても、リセット信号がHレベルからLレ
ベルとなり、再びHレベルになるまでは、半導体メモリ
部16に対する書込みの禁止は保持される。その結果、
システム設定データの保護を向上させることができる。Even when the reset signal changes from H level to L level, the state of the Q output is maintained at L level. Thereafter, when the reset signal changes from the L level to the H level again, the D output is at the L level, so that the Q output is at the H level. At this time, when the write signal on the CPU 1 side is at the H level, the semiconductor memory unit 16 side The write signal also goes high, and data writing is permitted. As described above, even if the user performs an erroneous operation, the prohibition of writing to the semiconductor memory unit 16 is maintained until the reset signal changes from the H level to the L level and changes to the H level again. as a result,
The protection of the system setting data can be improved.
【0021】図7は本発明の第2の実施形態を示す図で
ある。図7において、Dフリップフロップ18のQ出力
が入力するインバータ回路21が設けられ、インバータ
回路21と電源Vccとの間には抵抗22と発光ダイオ
ード23が直列に接続されている。インバータ回路21
は、電源投入スイッチ15をオンしたとき、またはリセ
ットスイッチ14をオンしたとき、状態記憶手段として
のDフリップフロップ18のQ出力がHレベルかLレベ
ルかを判別する判別手段としての機能を有する。FIG. 7 is a view showing a second embodiment of the present invention. In FIG. 7, an inverter circuit 21 to which the Q output of the D flip-flop 18 is input is provided, and a resistor 22 and a light emitting diode 23 are connected in series between the inverter circuit 21 and the power supply Vcc. Inverter circuit 21
Has a function as a discriminating means for discriminating whether the Q output of the D flip-flop 18 as the state storage means is at the H level or the L level when the power-on switch 15 or the reset switch 14 is turned on.
【0022】また、発光ダイオード23は、インバータ
回路21の出力がLレベルのとき、半導体メモリ部16
に対する書込みが許可されていることを警告する警告通
知手段としての機能を有する。Dフリップフロップ18
のQ出力がHレベルのときは、インバータ回路21はH
レベルの入力を反転してLレベルを出力する。インバー
タ回路21の出力がLレベルになると、電源Vccから
電流が抵抗22を介して発光ダイオード23に流れ、発
光ダイオード23は発光して半導体メモリ部16に対す
る書込みが許可されていることを警告する。その他の構
成は図3と同様になっている。When the output of the inverter circuit 21 is at L level, the light emitting diode 23
It has a function as a warning notifying unit for warning that writing to is permitted. D flip-flop 18
Is at H level, the inverter circuit 21 is at H level.
The level input is inverted and the L level is output. When the output of the inverter circuit 21 becomes L level, a current flows from the power supply Vcc to the light emitting diode 23 via the resistor 22, and the light emitting diode 23 emits light to warn that writing to the semiconductor memory unit 16 is permitted. Other configurations are the same as those in FIG.
【0023】こうして、システムの起動時に半導体メモ
リ部16への書込みが許可されている場合には警告を発
してユーザに注意を促す。その結果、システム設定デー
タの保護を向上させることができる。図8は本発明の第
3の実施形態を示す図である。図8において、Dフリッ
プフロップ18のQ出力が入力するスリーステートバッ
ファ24が設けられ、スリーステートバッファ24はC
PU1からのリード信号により導通してDフリップフロ
ップ18のQ出力をCPU1に出力する。CPU1は、
電源投入スイッチ15をオンしたとき、またはリセット
スイッチ14をオンしたとき、状態記憶手段としてのD
フリップフロップ18のQ出力をスリーステートバッフ
ァ24を介してHレベルかLレベルかを判別する判別手
段としての機能を有し、半導体メモリ部16に対する書
込みが許可されている場合を示すHレベルを判別したと
きは、警告通知手段としての表示部8に警告を表示させ
る。As described above, when writing to the semiconductor memory unit 16 is permitted at the time of starting the system, a warning is issued to alert the user. As a result, protection of system setting data can be improved. FIG. 8 is a diagram showing a third embodiment of the present invention. In FIG. 8, a three-state buffer 24 to which the Q output of the D flip-flop 18 is input is provided.
It becomes conductive by the read signal from PU1 and outputs the Q output of D flip-flop 18 to CPU1. CPU1
When the power-on switch 15 is turned on or the reset switch 14 is turned on, D
It has a function as a determination means for determining whether the Q output of the flip-flop 18 is at the H level or the L level via the three-state buffer 24, and determines the H level indicating that writing to the semiconductor memory unit 16 is permitted. If so, a warning is displayed on the display unit 8 as a warning notification unit.
【0024】すなわち、Dフリップフロップ18のQ出
力はHレベルのときは、スリーステートバッファ24
は、CPUからのリード信号により導通し、CPU1に
Hレベルを出力し、Q出力がLレベルのときは、CPU
1からのリード信号により導通し、CPU1にLレベル
を出力する。図9はCPU1の処理を説明するフローチ
ャートである。That is, when the Q output of the D flip-flop 18 is at the H level, the three-state buffer 24
Is turned on by a read signal from the CPU, outputs an H level to the CPU 1, and when the Q output is at the L level,
1 is turned on by a read signal from the CPU 1 and outputs an L level to the CPU 1. FIG. 9 is a flowchart for explaining the processing of the CPU 1.
【0025】まず、ステップS1でCPU1はDフリッ
プフロップ18のQ出力がHレベルか否かを判別し、H
レベルのときは、電源投入スイッチ15をオンしたと
き、またはリセットスイッチ15をオンしたときに、半
導体メモリ部16に対する書込みが許可されていると判
断し、ステップS2でCPU1は表示部8に警告を表示
してユーザに注意を促す。Q出力がLレベルのときは、
電源投入スイッチ15をオンしたとき、またはリセット
スイッチ14をオンしたときに、半導体メモリ部16に
対する書込みが禁止されていると判断して、ステップS
3で通常の処理を行う。First, in step S1, the CPU 1 determines whether or not the Q output of the D flip-flop 18 is at the H level.
When the level is at the level, when the power-on switch 15 or the reset switch 15 is turned on, it is determined that writing to the semiconductor memory unit 16 is permitted, and the CPU 1 issues a warning to the display unit 8 in step S2. Display to alert the user. When the Q output is at L level,
When the power-on switch 15 is turned on or the reset switch 14 is turned on, it is determined that writing to the semiconductor memory unit 16 is prohibited, and step S
In step 3, normal processing is performed.
【0026】本実施形態においても、システム設定デー
タの保護を向上させることができる。図10は本発明の
第4の実施形態を示す図である。図10において、16
は不揮発性メモリよりなる半導体メモリ部であり、半導
体メモリ部16はバッテリ12によりバックアップさ
れ、システム設定データを保存する。半導体メモリ部1
6にはアドレス信号、読出信号、書込信号が入力し、デ
ータが読み出され、または書き込まれる。この実施形態
においては、データは書込信号がLレベルのとき、半導
体メモリ部16に書き込まれる。Also in this embodiment, the protection of the system setting data can be improved. FIG. 10 is a diagram showing a fourth embodiment of the present invention. In FIG. 10, 16
Is a semiconductor memory unit composed of a non-volatile memory. The semiconductor memory unit 16 is backed up by the battery 12 and stores system setting data. Semiconductor memory unit 1
6, an address signal, a read signal, and a write signal are input, and data is read or written. In this embodiment, data is written to the semiconductor memory unit 16 when the write signal is at the L level.
【0027】18は電源投入スイッチ15をオンしたと
き、またはリセットスイッチ14をオンしたときのスイ
ッチ手段としての切換スイッチ17の状態を保持する状
態記憶手段としてのDフリップフロップであり、Dフリ
ップフロップ18のD入力端子には切換スイッチ17を
オフにすると、電源VccからのHレベルの電圧が抵抗
20を介して入力し、切換スイッチ17をオンにする
と、電源Vccから電流が抵抗20、切換スイッチ17
を介してグランドに流れ、電源VccからのLレベルの
電圧が入力する。Reference numeral 18 denotes a D flip-flop as state storage means for holding the state of the changeover switch 17 as a switch when the power-on switch 15 is turned on or the reset switch 14 is turned on. When the changeover switch 17 is turned off, an H-level voltage from the power supply Vcc is input to the D input terminal via the resistor 20. When the changeover switch 17 is turned on, a current flows from the power supply Vcc to the resistor 20 and the changeover switch 17.
, And an L level voltage from the power supply Vcc is input.
【0028】Dフリップフロップ18のクロック入力端
子には電源投入スイッチ15をオンしたとき、またはリ
セットスイッチ14をオンしたとき、リセット信号が入
力する。Dフリップフロップ18のQ出力は、リセット
信号がHレベルからLレベルになると、Q出力を保持
し、LレベルからHレベルになると、D入力に応じた出
力となる。A reset signal is input to the clock input terminal of the D flip-flop 18 when the power-on switch 15 is turned on or when the reset switch 14 is turned on. The Q output of the D flip-flop 18 holds the Q output when the reset signal changes from the H level to the L level, and changes to an output corresponding to the D input when the reset signal changes from the L level to the H level.
【0029】25は半導体メモリ部16に対する書込み
の許可および禁止を制御する切換制御手段としてのスリ
ーステートバッファであり、スリーステートバッファ2
5には書込信号が入力し、反転制御端子にはDフリップ
フロップ18のQ出力が入力する。スリーステートバッ
ファ25の出力側と半導体メモリ部16の書込信号入力
端子との間には電源VccからのHレベルの電圧が常時
印加されている。Numeral 25 denotes a three-state buffer as a switching control means for controlling permission and prohibition of writing to the semiconductor memory unit 16, and the three-state buffer 2
The write signal is input to 5, and the Q output of the D flip-flop 18 is input to the inversion control terminal. An H-level voltage from the power supply Vcc is constantly applied between the output side of the three-state buffer 25 and the write signal input terminal of the semiconductor memory unit 16.
【0030】Dフリップフロップ18のQ出力がLレベ
ルのとき、スリーステートバッファ25は導通し、Q出
力がHレベルのときは、スリーステートバッファ25は
導通しない。スリーステートバッファ25が非導通状態
のときは、書込信号がLレベルになっても、電源Vcc
よりHレベルの電圧が半導体メモリ部16には供給され
ており、書込み禁止の状態になる。Dフリップフロップ
18のQ出力がLレベルのときは、スリーステートバッ
ファ25は導通し、書込信号がLレベルとなると、半導
体メモリ部16は書込み許可の状態になる。When the Q output of D flip-flop 18 is at L level, three-state buffer 25 is conductive, and when the Q output is H level, three-state buffer 25 is not conductive. When three-state buffer 25 is in a non-conductive state, even if the write signal goes low, power supply Vcc
A voltage of a higher H level is supplied to the semiconductor memory unit 16 and the semiconductor memory unit 16 is in a write-protected state. When the Q output of the D flip-flop 18 is at the L level, the three-state buffer 25 conducts, and when the write signal goes to the L level, the semiconductor memory unit 16 enters a write-enabled state.
【0031】図11はユーザが切換スイッチ17を間違
ってオンしたときのタイムチャートを示す。図11にお
いて、(A)に示すように、誤って切換スイッチ17に
触れるなどユーザの誤操作があり、切換スイッチ17が
オフからオンに切り換えられると、(B)に示すよう
に、Dフリップフロップ18のD入力は、Hレベルから
Lレベルになるが、(C)に示すように、リセット信号
はHレベルのままであるため、(D)に示すように、D
フリップフロップ18のQ出力はHレベルのままであ
る。したがって、スリーステートバッファ25は非導通
の状態にあり、(E)に示すように、CPU1側の書込
信号がHレベルからLレベルになっても、(F)に示す
ように、半導体メモリ部16側の書込信号は電源Vcc
からのHレベルの電圧によりHレベルのままであり、半
導体メモリ部16への書込みは禁止される。FIG. 11 shows a time chart when the user turns on the changeover switch 17 by mistake. In FIG. 11, as shown in FIG. 11A, when the user performs an erroneous operation such as touching the changeover switch 17, and the changeover switch 17 is switched from off to on, as shown in FIG. Is changed from the H level to the L level, but as shown in (C), the reset signal remains at the H level.
The Q output of flip-flop 18 remains at the H level. Therefore, the three-state buffer 25 is in a non-conducting state, and even if the write signal on the CPU 1 goes from H level to L level as shown in FIG. The write signal on the 16 side is the power supply Vcc
And remains at the H level due to the H level voltage from, and writing to the semiconductor memory unit 16 is prohibited.
【0032】その後(C)に示すように、リセット信号
がHレベルからLレベルになっても、Q出力はHレベル
のままであり、スリーステートバッファ25は非導通の
状態になり、半導体メモリ部16への書込みは禁止され
る。その後、電源投入スイッチ15を再度オンにするか
またはリセットスイッチ14を再度オンにすると、リセ
ット信号はLレベルからHレベルになり、Q出力はHレ
ベルからLレベルになる。このため、スリーステートバ
ッファ25は導通する。このとき、CPU1側の書込信
号がHレベルからLレベルになると、電源Vccからス
リーステートバッファ25に電流が流れ、半導体メモリ
部16側の書込信号はHレベルからLレベルとなり、半
導体メモリ部16への書込みが許可される。Thereafter, as shown in (C), even if the reset signal changes from the H level to the L level, the Q output remains at the H level, the three-state buffer 25 becomes non-conductive, and the semiconductor memory unit is turned off. Writing to 16 is prohibited. Thereafter, when the power-on switch 15 is turned on again or the reset switch 14 is turned on again, the reset signal changes from L level to H level, and the Q output changes from H level to L level. Therefore, the three-state buffer 25 becomes conductive. At this time, when the write signal on the CPU 1 goes from the H level to the L level, a current flows from the power supply Vcc to the three-state buffer 25, and the write signal on the semiconductor memory unit 16 goes from the H level to the L level. 16 is allowed to be written.
【0033】このように、ユーザの切換スイッチ17の
誤操作があっても、電源投入スイッチ15を再投入する
かリセットスイッチ14を再度オンにするまでは、半導
体メモリ部16への書込みは禁止される。したがって、
システム設定データの保護を向上させることができる。
なお、図10においても図1,図8に示すように、Dフ
リップフロップ18の出力を判別して、システムの起動
時に半導体メモリ部16への書込みが許可されているこ
とを警告するようにしても良いことは言うまでもない。
また、切換スイッチ17としてはオン、オフスイッチを
用いたが、これに限らず、メカニカルスイッチを用いて
も良い。As described above, even if the user operates the changeover switch 17 erroneously, writing to the semiconductor memory unit 16 is prohibited until the power-on switch 15 is turned on again or the reset switch 14 is turned on again. . Therefore,
The protection of the system setting data can be improved.
Also, in FIG. 10, as shown in FIGS. 1 and 8, the output of the D flip-flop 18 is determined to warn that writing to the semiconductor memory unit 16 is permitted at the time of starting the system. Needless to say, it is good.
Further, although the on / off switch is used as the changeover switch 17, the invention is not limited to this, and a mechanical switch may be used.
【0034】[0034]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、誤ってスイッチ手段に触れるなどユーザのスイッチ
手段の誤操作があっても、電源投入時またはハードウェ
アリセット時のスイッチ手段の状態を保持し、半導体メ
モリ部に対する書込みの許可および禁止を切換え制御す
るため、電源を再投入するかリセットスイッチを再度オ
ンにするまでは、半導体メモリ部に対する書込みの禁止
は保持されるので、システム設定データの保護を向上さ
せることができる。As described above, according to the present invention, the state of the switch means at the time of turning on the power or resetting the hardware even when the switch means is erroneously operated by the user such as touching the switch means by mistake. The write-protection of the semiconductor memory unit is retained until the power is turned on again or the reset switch is turned on again in order to switch and control the writing permission and prohibition of the writing to the semiconductor memory unit. Protection can be improved.
【0035】また、システムの起動時に半導体メモリ部
への書込みが許可されていることを判別したいときは、
警告を発してユーザに注意を促すため、システム設定デ
ータの保護を向上させることができる。When it is desired to determine that writing to the semiconductor memory unit is permitted when the system is started,
Since a warning is issued to alert the user, the protection of the system setting data can be improved.
【図1】本発明の原理説明図FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.
【図2】本発明が用いられパーソナルコンピュータを示
す図FIG. 2 shows a personal computer in which the present invention is used.
【図3】本発明の第1の実施形態を示す図FIG. 3 is a diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図4】書込み可のときのタイムチャートFIG. 4 is a time chart when writing is possible.
【図5】書込み不可のときのタイムチャートFIG. 5 is a time chart when writing is disabled.
【図6】書込み不可で切換スイッチをオンにしたときの
タイムチャートFIG. 6 is a time chart when a changeover switch is turned on without writing.
【図7】本発明の第2の実施形態を示す図FIG. 7 is a diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図8】本発明の第3の実施形態を示す図FIG. 8 is a diagram showing a third embodiment of the present invention.
【図9】CPUの処理を示すフローチャートFIG. 9 is a flowchart showing processing of a CPU;
【図10】本発明の第4の実施形態を示す図FIG. 10 shows a fourth embodiment of the present invention.
【図11】図10の動作を説明するタイムチャートFIG. 11 is a time chart for explaining the operation of FIG. 10;
【図12】従来例を示す図FIG. 12 shows a conventional example.
【図13】他の従来例を示す図FIG. 13 is a diagram showing another conventional example.
1:CPU 2:バス 3:ROM 4,11:RAM 5,6,7:インタフェース部 8:表示部 9:プリンタ 10:入力部 12:バッテリ 13:システム設定データ保護回路 14:リセットスイッチ 15:電源投入スイッチ 16:半導体メモリ部 17:切換スイッチ(スイッチ手段) 18:Dフリップフロップ(状態記憶手段) 19:アンド回路(切換制御手段) 20,22:抵抗 21:インバータ回路(判別手段) 23:発光ダイオード(警告通知手段) 24,25:スリーステートバッファ 1: CPU 2: Bus 3: ROM 4, 11: RAM 5, 6, 7: Interface unit 8: Display unit 9: Printer 10: Input unit 12: Battery 13: System setting data protection circuit 14: Reset switch 15: Power supply Closing switch 16: Semiconductor memory unit 17: Changeover switch (switching means) 18: D flip-flop (state storage means) 19: AND circuit (switching control means) 20, 22: Resistor 21: Inverter circuit (discriminating means) 23: Light emission Diodes (warning notification means) 24, 25: three-state buffer
Claims (2)
メモリ部内に保存されているシステム設定データを保護
するシステム設定データ保護回路において、 前記半導体メモリ部への書込信号の許可と禁止の切換え
がユーザにより任意に変更可能なスイッチ手段と、 電源投入時またはハードウェアリセット時の前記スイッ
チ手段の状態を保持する状態記憶手段と、 前記書込信号と該状態記憶手段の出力が入力し前記半導
体メモリ部に対する書込みの許可と禁止を切換制御する
切換制御手段と、を備えたことを特徴とするシステム設
定データ保護回路。1. A system setting data protection circuit for protecting system setting data stored in a semiconductor memory unit backed up by a battery, wherein a user can freely switch between enabling and disabling a write signal to the semiconductor memory unit. Switch means that can be changed to a state, state storage means for holding the state of the switch means at the time of power-on or hardware reset, and writing of the write signal and the output of the state storage means to the semiconductor memory unit. And a switching control means for switching between permission and prohibition of the system setting data protection circuit.
路において、 電源投入時またはハードウェアリセット時に前記状態記
憶手段の出力を判別する判別手段と、 該判別手段が前記半導体メモリ部に対する書込みが許可
されていることを判別したときは警告を通知する警告通
知手段と、を設けたことを特徴とするシステム設定デー
タ保護回路。2. A system setting data protection circuit according to claim 1, wherein said determination means determines the output of said state storage means at the time of power-on or hardware reset, and said determination means permits writing to said semiconductor memory unit. And a warning notifying means for notifying a warning when it is determined that the setting has been performed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33549497A JPH11175407A (en) | 1997-12-05 | 1997-12-05 | System setting data protection circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33549497A JPH11175407A (en) | 1997-12-05 | 1997-12-05 | System setting data protection circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11175407A true JPH11175407A (en) | 1999-07-02 |
Family
ID=18289209
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33549497A Withdrawn JPH11175407A (en) | 1997-12-05 | 1997-12-05 | System setting data protection circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11175407A (en) |
-
1997
- 1997-12-05 JP JP33549497A patent/JPH11175407A/en not_active Withdrawn
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