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JPH11174415A - Electro-optical device - Google Patents

Electro-optical device

Info

Publication number
JPH11174415A
JPH11174415A JP34005497A JP34005497A JPH11174415A JP H11174415 A JPH11174415 A JP H11174415A JP 34005497 A JP34005497 A JP 34005497A JP 34005497 A JP34005497 A JP 34005497A JP H11174415 A JPH11174415 A JP H11174415A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electro
signal
optical device
liquid crystal
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP34005497A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazunori Katakura
一典 片倉
Kiyoshi Miura
聖志 三浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP34005497A priority Critical patent/JPH11174415A/en
Publication of JPH11174415A publication Critical patent/JPH11174415A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To attain fine display under a temperature condition over a wide range by changing a scanning selection signal supply period and an erasing signal supply period in accordance with temperature information. SOLUTION: An erasing signal Se is a voltage pulse to be supplied to each scanning electrode and a voltage wave height value Ve is a negative pulse with a variable pulse width. A scanning selection signal Ss is supplied to a scanning electrode selected after the supply of the signal Se and a scanning non-selection signal Sn is supplied to an unselected scanning electrode and becomes reference voltage in one horizontal scanning period 1H. A writing information signal Iw generates a combined waveform Vw to be impressed to a selected pixel and a non-writing information signal In generates a non- writing synthetic waveform Vn to be impressed to a pixel. These information signals Iw, In are exclusively selected in accordance with picture information to be displayed and supplied to respective information electrodes. When one horizontal scanning period is fixed and the length of the scanning selection signal supply period is changed in accordance with the temperature, fine display can be obtained even over a wide temperature range.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置等に用い
られる電気光学装置に関するものであり、特にカイラル
スメクチック相を呈する相転移系列を示すカイラルスメ
クチック液晶を用いた電気光学装置に関する。
The present invention relates to an electro-optical device used for a display device or the like, and more particularly to an electro-optical device using a chiral smectic liquid crystal exhibiting a phase transition series exhibiting a chiral smectic phase.

【0002】[0002]

【従来の技術】旧来、電気光学素子として例えば、ネマ
ティック液晶を用いたTN型およびSTN型の液晶表示
素子が知られている。しかしこれらの液晶表示素子は、
電気光学効果の応答速度がmsオーダと遅いため、高速
駆動を行おうとすると、画面に乱れが生じたり、コント
ラストが低下したりするという欠点があり、表示可能な
容量に限界があった。そこで、近年、次世代の液晶表示
素子として、強誘電性あるいは反強誘電性液晶を用いた
液晶表示素子の実用化が検討されている。
2. Description of the Related Art For example, TN type and STN type liquid crystal display devices using a nematic liquid crystal have been known as electro-optical devices. However, these liquid crystal display elements
Since the response speed of the electro-optical effect is as slow as the order of ms, there is a drawback that the screen is disturbed or the contrast is reduced when high-speed driving is attempted, and the displayable capacity is limited. Therefore, in recent years, practical use of a liquid crystal display device using a ferroelectric or antiferroelectric liquid crystal has been studied as a next-generation liquid crystal display device.

【0003】1975年に、R.B.Meyerらは分
子の対称性の議論から、光学活性な分子が分子長軸に対
して垂直な方向に双極子モーメントを持っていればカイ
ラルスメクチックC相(SmC* 相)で強誘電性を示す
ことを予想し、DOBAMBC(2−methylbu
tyl p−〔p−(decyloxybenzyli
dene)−amino〕−cinnamate)を合
成し、液晶において初めて強誘電性を確認することに成
功した(R.B.Meyer,L.Liebert,
L.Strzelecki and P.Kelle
r:J.Phys.(Paris)36(1975)L
69.参照)。
[0003] In 1975, R. B. From the discussion of molecular symmetry, Meyer et al. Show that chiral smectic C phase (SmC * phase) exhibits ferroelectricity if an optically active molecule has a dipole moment in a direction perpendicular to the long axis of the molecule. Is expected, DOBAMBC (2-methylbu
tyl p- [p- (decyloxybenzyli
denene-amino] -cinnamate) and succeeded in confirming the ferroelectricity of a liquid crystal for the first time (RB Meyer, L. Lierbert,
L. Strzelecki and P.S. Kelle
r: J. Phys. (Paris) 36 (1975) L
69. reference).

【0004】ここで、強誘電性を示すSmC* 相の構造
について説明する。SmC* 相では、層内における液晶
分子の重心位置は無秩序であるが、図27(a)中にコ
ーン101として模式的に示すように、液晶分子の長軸
(ダイレクタ102)は、スメクティック層を区切る層
面103の法線である層法線zに対して一定の角度θだ
け傾いている。なお、ダイレクタ102の傾く方向は層
から層へ僅かずつずれ、この結果、液晶分子の配向は螺
旋構造をなしている。螺旋のピッチ(ヘリカルピッチ)
は1μm程度であり、約1nmの層間隔よりはるかに大
きい。
Here, the structure of the SmC * phase exhibiting ferroelectricity will be described. In the SmC * phase, the position of the center of gravity of the liquid crystal molecules in the layer is disordered. However, as schematically shown as a cone 101 in FIG. 27A, the major axis of the liquid crystal molecules (director 102) is different from that of the smectic layer. It is inclined by a fixed angle θ with respect to a layer normal z which is a normal of the layer surface 103 to be separated. The direction in which the director 102 tilts slightly shifts from layer to layer. As a result, the orientation of the liquid crystal molecules has a helical structure. Spiral pitch (helical pitch)
Is on the order of 1 μm, which is much larger than the layer spacing of about 1 nm.

【0005】このような分子配列をもつ相は、強誘電性
のカイラルスメクチック液晶だけでなく、反強誘電性カ
イラルスメクチック液晶においても確認されている
(A.D.L.Chandani,T.Hagiwar
a,Y.Suzuki,Y.Ouchi,H.Take
zoe and A.Fukuda:Jpn.J.Ap
pl.Phys.27(1988)L729.参照)。
反強誘電性液晶の中にも、光学純度を変化させるとSm
* 相が出現したり、また、MHPOBC(4−(1−
methylheptyloxycarbonyl)p
henyl 4’−octyloxybiphenyl
−4−carboxylate)のように、光学純度1
00%のR体やS体の場合でもSmC* 相が出現するも
のも存在するClarkとLagerwallは、セル
厚が1μm程度(螺旋のピッチと同程度)以下になる
と、この螺旋構造が消滅し、図27(b)に示すよう
に、各層の分子104が印加される電界に応じて双安定
状態のいずれかをとることを発見し、表面安定化型強誘
電性液晶表示素子(SSFLC:surface st
abilized ferroelectric li
quid crystal)を提案した。これは、特開
昭56−107216号公報、および米国特許第436
7924号明細書等に開示されている。なお、図27
(b)では、分子104に印加されている電界の向き
は、紙面に対して垂直かつ紙面裏側から表側へ向かう方
向である。そして、分子104の電気双極子モーメント
は、同図(b)において各分子内に示すように、印加電
界の向きにすべて揃う。
A phase having such a molecular arrangement has been confirmed not only in a ferroelectric chiral smectic liquid crystal but also in an antiferroelectric chiral smectic liquid crystal (ADL Chandiani, T. Hagiwari).
a, Y. Suzuki, Y .; Ouchi, H .; Take
Zooe and A. Fukuda: Jpn. J. Ap
pl. Phys. 27 (1988) L729. reference).
In antiferroelectric liquid crystals, when the optical purity is changed, Sm
A C * phase appears, or MHPOBC (4- (1-
methylheptyloxycarbonyl) p
henyl 4'-octyloxybiphenyl
−4-carboxylate), optical purity 1
Clark and Lagerwall, in which a SmC * phase also appears even in the case of 00% R-form or S-form, have a spiral structure that disappears when the cell thickness becomes less than about 1 μm (about the same as the pitch of the spiral). As shown in FIG. 27B, it has been found that the molecules 104 of each layer take one of the bistable states in accordance with the applied electric field, and the surface-stabilized ferroelectric liquid crystal display device (SSFLC: surface first) has been discovered.
available ferroelectric li
liquid crystal). This is disclosed in JP-A-56-107216 and U.S. Pat.
No. 7924 and the like. FIG. 27
In (b), the direction of the electric field applied to the molecule 104 is a direction perpendicular to the plane of the paper and from the back side of the paper to the front side. The electric dipole moments of the molecules 104 are all aligned in the direction of the applied electric field as shown in each molecule in FIG.

【0006】図28を参照しながらその動作原理につい
て説明する。上述したように、薄セルとして形成された
SSFLCの分子104は、同図に示すとおり、印加さ
れる電界の方向に応じて、状態AおよびBの2つの安定
状態のいずれかをとる。なお、同図に示す状態Aでは、
分子104に印加されている電界の向きは、同図の紙面
に対して垂直かつ紙面表側から裏側へ向かっており、状
態Bでは、紙面の対して垂直かつ紙面裏側から表側へ向
かう方向である。
The principle of operation will be described with reference to FIG. As described above, the SSFLC molecule 104 formed as a thin cell assumes one of two stable states A and B depending on the direction of the applied electric field, as shown in FIG. In the state A shown in FIG.
The direction of the electric field applied to the molecule 104 is perpendicular to the plane of the drawing and goes from the front side to the back side of the drawing. In the state B, the direction is perpendicular to the plane of the drawing and goes from the back side to the front side of the drawing.

【0007】このため、直交する2枚の偏光子の間に、
例えば状態Bのときの分子長軸が偏光子の一方の方向
(同図中に矢印で示す方向111)と平行になるよう
に、SSFLCセルを配置することにより、状態Aの場
合には光が透過されて明状態となり、状態Bの場合には
光が遮断されて暗状態となる。すなわち、印加電界の方
向を切り替えることによって、白黒の表示を行うことが
可能となる。
Therefore, between two orthogonal polarizers,
For example, by arranging the SSFLC cells such that the long axis of the molecule in the state B is parallel to one direction of the polarizer (the direction 111 indicated by the arrow in the figure), the light in the state A The light is transmitted and becomes a bright state, and in the case of state B, the light is shut off and becomes a dark state. In other words, by switching the direction of the applied electric field, black and white display can be performed.

【0008】SSFLCでは、自発分極と電場とが直接
相互作用するために、通常のネマティック液晶における
誘電異方性を用いたスイッチングとは異なって、電界に
対してmsオーダ以上の高速応答が可能である。また、
SSFLCは、双安定状態のいずれかに一旦スイッチす
ると、電界が消滅してもその状態を保ついわゆるメモリ
性を持つことから、常に電圧を印加する必要はない。
In the SSFLC, spontaneous polarization and an electric field directly interact with each other, so that, unlike ordinary switching using dielectric anisotropy in a nematic liquid crystal, a high-speed response on the order of ms or more to an electric field is possible. is there. Also,
Once the SSFLC switches to one of the bistable states, the SSFLC has a so-called memory property that maintains the state even when the electric field disappears. Therefore, it is not necessary to always apply a voltage.

【0009】以上のように、SSFLC型の液晶表示素
子は、高速応答性とメモリ性という特徴を利用すること
により、1走査線ごとに高速で表示内容を書き込んでゆ
くことができ、単純マトリクス駆動で大容量のディスプ
レイを実現することが可能となり、壁掛けテレビへの応
用も期待されている。
As described above, the SSFLC-type liquid crystal display element can write display contents at high speed for each scanning line by utilizing the characteristics of high-speed response and memory characteristics, and can perform simple matrix driving. It has become possible to realize a large-capacity display, and is expected to be applied to a wall-mounted television.

【0010】こうした液晶表示素子の駆動方法は、米国
特許第4655561号や、米国特許第4836656
号に詳しく開示されている。
[0010] Such a driving method of the liquid crystal display element is disclosed in US Patent No. 4,655,561 and US Patent No. 4,836,656.
The details are disclosed in the issue.

【0011】又、こうした液晶表示素子の製造方法又は
液晶の配向技術は、米国特許第4639089号や米国
特許第4778259号、米国特許第5189536号
に詳しく開示されている。
[0011] Such a method of manufacturing a liquid crystal display element or a technique of aligning liquid crystal is disclosed in detail in US Patent Nos. 4,639,089, 4,778,259 and 5,189,536.

【0012】そして、上記表示素子に適した液晶材料
は、米国特許第4681404号、米国特許第4714
323号、米国特許第5120466号に詳しく開示さ
れている。
A liquid crystal material suitable for the display device is disclosed in US Pat. No. 4,681,404 and US Pat.
No. 323, U.S. Pat. No. 5,120,466.

【0013】また、FLCは、誘電率異方性が正のもの
と負のものとの2種類に分類することができ、誘電率異
方性の正負によって、スイッチング(配向状態の変化)
を生じさせる駆動電圧のパルス幅(τ)とパルス波高値
(V)との関係、すなわちτ−V特性が異なっている。
The FLC can be classified into two types, that is, positive and negative in dielectric anisotropy, and switching (change of alignment state) is performed depending on whether the dielectric anisotropy is positive or negative.
Are different in the relationship between the pulse width (τ) of the driving voltage and the pulse peak value (V), that is, the τ-V characteristic.

【0014】モノパルス印加時の理想的な駆動特性を例
にとると、FLCに印加される駆動パルスのパルス幅と
パルス波高値との組合せが、図29(a)および(b)
に示すしきい値特性曲線(τ−V曲線)よりも上の領域
に属する場合はスイッチングが起こる一方、上記特性曲
線よりも下の領域に属する場合はスイッチングは起こら
ない。例えば、正の誘電率異方性を有するFLCにおい
て、同図(a)に示す一定のパルス幅τ1を持つ駆動パ
ルスが印加されたとすると、この駆動パルスのパルス波
高値が同図(a)に示すVoff(Voff=Vth−Vd )の
場合はスイッチングが起こらず、Von(Von=Vth+V
d )の場合にスイッチングが起こる。
Taking an example of an ideal driving characteristic when a monopulse is applied, the combination of the pulse width and the pulse peak value of the driving pulse applied to the FLC is shown in FIGS. 29 (a) and 29 (b).
In the region above the threshold characteristic curve ([tau] -V curve), switching occurs. On the other hand, in the region below the characteristic curve, switching does not occur. For example, assuming that a drive pulse having a constant pulse width τ1 shown in FIG. 2A is applied to an FLC having a positive dielectric anisotropy, the pulse crest value of the drive pulse becomes as shown in FIG. In the case of V off (V off = V th −V d ), no switching occurs and V on (V on = V th + V)
Switching occurs in case d ).

【0015】同図(a)および(b)を比較することか
ら明らかなように、正の誘電率異方性を有するFLCで
は、駆動パルスのパルス波高値が高くなるほどスイッチ
ングに必要なパルス幅は単調に小さくなってゆく。これ
に対して、負の誘電率異方性を有するFLCでは、スイ
ッチングに必要なパルス幅が極小値となるパルス波高値
(Vmin )が存在するといういわゆるτ−Vmin 特性を
有すると共に、このVmin を境として低電圧側よりも高
電圧側におけるグラフの勾配が急崚となる。
As is apparent from a comparison of FIGS. 1A and 1B, in the FLC having a positive dielectric anisotropy, the pulse width required for switching becomes higher as the pulse height of the driving pulse becomes higher. It gets smaller monotonically. On the other hand, FLC having a negative dielectric anisotropy has a so-called τ-V min characteristic in which a pulse peak value (V min ) at which a pulse width required for switching has a minimum value exists, and than the low voltage side gradient of the graph in the high-voltage side becomes Kyu崚the V min as a boundary.

【0016】このため、負の誘電率異方性を有するFL
Cにおいては、同図(b)に示す一定のパルス幅τ2
持つ駆動パルスが印加されたとすると、この駆動パルス
のパルス波高値が同図(b)に示すVoff1(Voff1=V
th1 −Vd )あるいはVon2(Von2 =Vth2 +Vd
の場合はスイッチングが起こらず、Von1 (Von1 =V
th1 +Vd )あるいはVoff2(Voff2=Vth2 +Vd
の場合にスイッチングが起こる。
Accordingly, FL having a negative dielectric anisotropy has
In C, assuming that a drive pulse having a constant pulse width τ 2 shown in FIG. 4B is applied, the pulse peak value of this drive pulse becomes V off1 (V off1 = V
th1 -V d) or V on2 (V on2 = V th2 + V d)
In the case of, no switching occurs and V on1 (V on1 = V
th1 + V d) or V off2 (V off2 = V th2 + V d)
Switching occurs in the case of

【0017】つまり、負の誘電率異方性を有するFLC
は、上記のVoff1およびVon1 の関係のように、選択期
間に画素に印加される非書き込み電圧(FLCがスイッ
チングを起こさないパルス波高値)が書き込み電圧(F
LCがスイッチングを起こすパルス波高値)よりも低く
なるような駆動パルスによる低電圧駆動法と、この逆
に、上記のVoff2およびVon2 の関係のように、非書き
込み電圧が書き込み電圧よりも高くなるような高電圧駆
動法とによって駆動することができる。
That is, FLC having negative dielectric anisotropy
, Like the relationship between the above V off1 and V on1, non-writing voltage (FLC does not cause the switching pulse height) is the write voltage applied to the pixel in the selection period (F
A low-voltage drive method using a drive pulse that is lower than the pulse peak value at which LC causes switching, and conversely, the non-write voltage is higher than the write voltage, as in the relationship between V off2 and V on2 described above. It can be driven by such a high voltage driving method.

【0018】なお、前記したように、Vmin よりも高電
圧側のグラフの勾配が急峻であることから、高電圧駆動
法は、非書き込み電圧に対する応答速度と書き込み電圧
に対する応答速度との差が大きいため、単位パルス幅
(スロット時間)の許容範囲を広くとることができると
いう利点を有している。
[0018] Incidentally, as described above, since than V min gradient of the graph of the high-voltage side is steep, high voltage driving method, the difference between the response speed to the response speed and the writing voltage for the non-writing voltage Since it is large, there is an advantage that the allowable range of the unit pulse width (slot time) can be widened.

【0019】こうしたVmin 、τmin を示す液晶材料を
用いた表示装置は、特開平1−214824号公報、特
開平1−214825号公報、特開平1−222228
号公報に詳しく開示されている。
A display device using a liquid crystal material exhibiting such V min and τ min is disclosed in JP-A-1-214824, JP-A-1-214825, and JP-A-122228.
This is disclosed in detail in the official gazette.

【0020】又、特開平9−127483号公報には、
上記液晶材料を用いた表示素子の駆動法が記載されてい
る。この駆動法は、比較的広い範囲の温度条件下で良好
な表示特性を示すものの未だ不充分なものである。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-127483 discloses that
A driving method of a display element using the above liquid crystal material is described. This driving method shows good display characteristics under a relatively wide range of temperature conditions, but is still insufficient.

【0021】一方、特開平8−101372号公報に
は、温度条件に応じて画素に印加される電圧とパルス帳
を、温度上昇に伴って電圧の変化の割合が大きくなり、
且つ電圧波高値が低くなるように制御し、温度の上昇に
伴ってパルス幅の変化の割合が小さくなり、且つパルス
幅が小さくなるように制御する駆動信号の温度補償方法
が記されている。
On the other hand, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-101372 discloses that a voltage applied to a pixel and a pulse book according to a temperature condition increase a rate of change of the voltage with a rise in temperature.
In addition, there is described a temperature compensation method of a drive signal in which the voltage peak value is controlled to be low, and the rate of change of the pulse width is reduced as the temperature rises, and the pulse width is controlled to be reduced.

【0022】[0022]

【発明が解決しようとする課題】このように、従来のカ
イラルスメクチック液晶を用いた電気光学装置では、印
加電圧のパルス幅が電圧波高値を、温度が数℃変化する
毎に細かく変更しなければならず、又可変範囲を2乃至
3桁としなければならない。従って、電気光学素子を駆
動する駆動回路の設計や駆動回路を制御する制御回路の
設計を複雑にし、高コスト化の原因となっていた。特に
低温条件下では、一水平走査期間が長くなり過ぎて、低
フレーム周波数によるフリッカ発生という問題も生じて
くる。又、一水平走査期間が温度によって変化すること
は動画の表示特性を低下させることになる。
As described above, in the conventional electro-optical device using the chiral smectic liquid crystal, the pulse width of the applied voltage must change the voltage peak value finely every time the temperature changes by several degrees Celsius. And the variable range must be two or three digits. Therefore, the design of the drive circuit for driving the electro-optical element and the design of the control circuit for controlling the drive circuit are complicated, which has caused a cost increase. In particular, under a low temperature condition, one horizontal scanning period becomes too long, which causes a problem that flicker occurs due to a low frame frequency. Further, a change in one horizontal scanning period depending on the temperature lowers the display characteristics of a moving image.

【0023】比較的、温度による駆動への影響が少ない
τ−Vmin 特性を有する液晶の場合は、米国特許第49
02107号に記されているように、AC電圧をその周
波数を温度に応じて変えながら印加するという方法が知
られているが、この方法も上記設計の複雑化、高コスト
化を解決出来る手法とは云い難い。
In the case of a liquid crystal having a τ- Vmin characteristic in which the influence of temperature on driving is relatively small, US Pat.
As described in Japanese Patent No. 02107, there is known a method of applying an AC voltage while changing its frequency in accordance with the temperature. However, this method is also a method capable of solving the above-mentioned complicated design and high cost. It is hard to say.

【0024】本発明は、駆動回路や制御回路の設計が容
易な電気光学装置を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to provide an electro-optical device in which a drive circuit and a control circuit can be easily designed.

【0025】本発明の別の目的は、低コストで製造出来
る電気光学装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide an electro-optical device which can be manufactured at low cost.

【0026】本発明の他の目的は、幅広い範囲の温度条
件下で良好な表示を行い得る電気光学装置を提供するこ
とにある。
Another object of the present invention is to provide an electro-optical device capable of performing a good display under a wide range of temperature conditions.

【0027】[0027]

【課題を解決するための手段】本発明は、走査電極群と
情報電極群とを有する一対の基板と該基板間に配された
カイラルスメクチック液晶とを有する電気光学素子と、
該走査電極群に走査選択信号を供給する走査電極駆動回
路と、該情報電極群に情報信号を供給する情報電極駆動
回路と、を有する電気光学装置において、該情報信号に
より定められる一水平走査期間を一定として、該走査選
択信号の供給期間を温度情報に応じて変更するように該
走査電極駆動回路を動作せしめる手段と、走査選択信号
の供給に先立って消去信号を該走査電極に印加し、該消
去信号の供給期間を温度情報に応じて変更するように該
走査電極駆動回路を動作せしめる手段とを有することを
特徴とする。
According to the present invention, there is provided an electro-optical element having a pair of substrates having a scanning electrode group and an information electrode group, and a chiral smectic liquid crystal disposed between the substrates.
In an electro-optical device having a scan electrode drive circuit for supplying a scan selection signal to the scan electrode group and an information electrode drive circuit for supplying an information signal to the information electrode group, one horizontal scanning period defined by the information signal Means for operating the scan electrode drive circuit so as to change the supply period of the scan selection signal according to the temperature information, and applying an erase signal to the scan electrode prior to the supply of the scan selection signal, Means for operating the scan electrode drive circuit so as to change the supply period of the erase signal according to the temperature information.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】図1は、本発明に用いられる各種
信号波形を示す。消去信号Seは各走査電極に供給され
る電圧パルスであり電圧波高値Veパルス幅可変の負パ
ルスである。走査選択信号Ssは、消去信号Seが供給
された後選択された走査電極に供給される波形を示して
おり、基準電圧からなる前半部分と電圧波高値Vsとパ
ルス幅τの正のパルスからなる後半部分からなる。
FIG. 1 shows various signal waveforms used in the present invention. The erasing signal Se is a voltage pulse supplied to each scanning electrode, and is a negative pulse with a variable voltage peak value Ve pulse width. The scanning selection signal Ss indicates a waveform supplied to the selected scanning electrode after the erasing signal Se is supplied, and includes a first half composed of a reference voltage, a voltage peak value Vs, and a positive pulse having a pulse width τ. Consists of the second half.

【0029】走査非選択信号Snは、選択されていない
走査電極に供給される波形を示しており、一水平走査期
間(1H)中基準電圧となっている。
The scan non-selection signal Sn indicates a waveform supplied to a non-selected scan electrode, and is a reference voltage during one horizontal scanning period (1H).

【0030】書き込み用情報信号Iwは、走査選択信号
Ssと協働して選択された画素に印加される合成波形V
wを生成する為の信号であり、情報電極に供給される。
The write information signal Iw is a composite waveform V applied to the selected pixel in cooperation with the scan selection signal Ss.
This is a signal for generating w and supplied to the information electrode.

【0031】非書き込み用情報信号Inは、走査選択信
号Ssと協働して画素に印加される非書き込み用合成波
形Vnを生成する為の信号であり、情報信号に供給され
る。
The non-writing information signal In is a signal for generating a non-writing composite waveform Vn applied to the pixel in cooperation with the scanning selection signal Ss, and is supplied to the information signal.

【0032】2つの情報信号Iw、Inは表示すべき画
像情報に応じて、互いに排他的に選択されて情報電極に
供給される。
The two information signals Iw and In are mutually exclusive selected according to the image information to be displayed and supplied to the information electrodes.

【0033】ここでは、走査非選択信号Snの電圧レベ
ルVcを基準として各電圧レベルを示している。
Here, each voltage level is shown with reference to the voltage level Vc of the scanning non-selection signal Sn.

【0034】本発明の特徴の1つは、情報信号によって
定められる一水平走査期間を一定とし、走査選択信号の
供給期間を変化させることにある。即ち、図1の例で
は、正のパルスのパルス幅を変化させてパルスの立ち下
がりタイミングを次の一水平走査期間(1H2 )終了時
まで遅くすることが出来るようになっている。
One of the features of the present invention resides in that one horizontal scanning period defined by the information signal is kept constant and the supply period of the scanning selection signal is changed. That is, in the example of FIG. 1, the pulse fall timing can be delayed until the end of the next horizontal scanning period (1H 2 ) by changing the pulse width of the positive pulse.

【0035】この供給期間の長さを、温度に応じて変更
することにより、広い範囲の温度条件下でも良好な表示
を行うことが出来る。
By changing the length of the supply period according to the temperature, good display can be performed even under a wide range of temperature conditions.

【0036】具体的には、後述するように、温度が比較
的高い条件下では、パルス巾を短くして、パルスの立ち
下がりが水平走査期間1H1 の終了と同期させる。
[0036] More specifically, as described below, at relatively high under temperature, by shortening the pulse width, the fall of the pulse is synchronized with the end of the horizontal scanning period IH 1.

【0037】一方、温度が比較的低い条件下では、パル
ス巾を長くして、パルスの立ち下がりが次の水平走査期
間(1H2 )の終了と同期させる。
On the other hand, under conditions where the temperature is relatively low, the pulse width is increased, and the falling of the pulse is synchronized with the end of the next horizontal scanning period (1H 2 ).

【0038】加えて、本発明のもう1つの特徴点は、一
水平走査期間を一定として、消去信号Seの供給期間
(パルス幅)を温度に応じて変化させることである。更
には、走査選択信号の供給期間(パルス巾)と対応して
変化させることが好ましいものである。
In addition, another feature of the present invention is that the supply period (pulse width) of the erase signal Se is changed according to the temperature while one horizontal scanning period is fixed. Further, it is preferable to change it in accordance with the supply period (pulse width) of the scanning selection signal.

【0039】消去信号の供給期間は、1水平走査期間以
上とすべきであり、より好ましくは2水平走査期間以上
4水平走査期間以下の範囲内から温度に応じて選択出来
るようにするとよい。
The supply period of the erasing signal should be one horizontal scanning period or more, and more preferably, it can be selected from the range of two horizontal scanning periods to four horizontal scanning periods in accordance with the temperature.

【0040】図1では走査選択信号Ssの正パルス幅を
τの1.5倍とし、且つ次の水平走査期間1H2 におけ
る情報信号が前の水平走査期間1H1 と同じである場合
の波形を併せて破線で示している。本発明においては、
水平走査期間の前半のパルスが正であるか負であるか及
びそれに続く後半のパルス波高値が小さいか大きいかの
組み合わせによって、液晶の反転(スイッチング)と非
反転(非スイッチング)を選択できる。これは、用いる
液晶がτ−Vmin 特性を有するからである。
[0040] The positive pulse width of FIG. 1, the scanning selection signal Ss is set to 1.5 times the tau, and the waveform of the case where the information signal in the next horizontal scanning period IH 2 is the same as the horizontal scanning period IH 1 before In addition, it is indicated by a broken line. In the present invention,
Inversion (switching) and non-inversion (non-switching) of the liquid crystal can be selected by a combination of whether the pulse in the first half of the horizontal scanning period is positive or negative and the peak value of the pulse in the latter half is small or large. This is because the liquid crystal used has τ-V min characteristics.

【0041】図2は、負の誘電率異方性を示す液晶材料
のしきい値特性曲線の一例である。CH0は、一対の電
極間に負の誘電率異方性を示す液晶を配し、その電極間
に図1の走査選択信号Ssと同じ単純な矩形の電圧パル
スを印加した時のしきい値を示す特性曲線であり、CH
1は図1の書き込み用合成信号Vwと同じ信号を印加し
た時のしきい値を示す特性曲線、CH2は図1の非書き
込み合成信号Vnと同じ信号を印加した時のしきい値を
示す特性曲線である。いずれもパルス幅τがある電圧波
高値Vsにおいて極小値(最小値)をとる為、このよう
な特性をτ−Vmin 特性という。それぞれの特性曲線C
H0、CH1、CH2より上方となる領域にあたるパル
ス幅と電圧の信号を与えると、液晶はスイッチングを生
じ、下方となる領域にあたるパルス幅と電圧の信号を与
えると液晶はスイッチングしない。
FIG. 2 is an example of a threshold characteristic curve of a liquid crystal material exhibiting negative dielectric anisotropy. CH0 arranges liquid crystal exhibiting negative dielectric anisotropy between a pair of electrodes, and sets a threshold value when a simple rectangular voltage pulse same as the scan selection signal Ss of FIG. 1 is applied between the electrodes. FIG.
1 is a characteristic curve showing a threshold value when the same signal as the write composite signal Vw in FIG. 1 is applied, and CH2 is a characteristic curve showing a threshold value when the same signal as the non-write composite signal Vn in FIG. 1 is applied. It is a curve. In any case, since the pulse width τ has a minimum value (minimum value) at a voltage peak value Vs, such a characteristic is called a τ- Vmin characteristic. Each characteristic curve C
When a signal of a pulse width and a voltage corresponding to an area above H0, CH1, and CH2 is applied, the liquid crystal performs switching, and when a signal of a pulse width and a voltage corresponding to an area below it is applied, the liquid crystal does not switch.

【0042】つまり、印加する信号の波形を変えること
で、しきい値を満足するパルス幅と電圧の値が変化する
ことを示している。
That is, it is shown that changing the waveform of the applied signal changes the pulse width and the voltage value satisfying the threshold value.

【0043】例えば点PAに担当するパルス幅と電圧と
を有する波形Vw を与えた場合には、特性曲線CH1の
上方領域に点PAが存在する為、液晶はスイッチングす
る。
[0043] When fed a waveform V w with the pulse width and voltage in charge, for example, a point PA, since there is a point PA to the upper region of the characteristic curve CH1, the liquid crystal is switched.

【0044】しかしながら、波形Vnの場合には、点P
Aを満たすパルス幅及び電圧の信号を与えても液晶はス
イッチングしない。なぜなら点PAは特性曲線CH2の
下方領域にある為である。
However, in the case of the waveform Vn, the point P
The liquid crystal does not switch even when a signal having a pulse width and voltage satisfying A is given. This is because the point PA is located below the characteristic curve CH2.

【0045】従って、ある画素の液晶をスイッチングさ
せる時に、特性曲線CH1を示す信号を用い、スイッチ
ングさせない時に特性曲線CH2を示す信号を用い、更
に図2中のハッチングで示した領域の中から各信号のパ
ルス幅と電圧をぶことにより、液晶のスイッチングを制
御することが出来る。
Therefore, when the liquid crystal of a certain pixel is switched, a signal indicating the characteristic curve CH1 is used. When the liquid crystal is not switched, a signal indicating the characteristic curve CH2 is used. Further, each signal is selected from the hatched area in FIG. The switching of the liquid crystal can be controlled by increasing the pulse width and voltage.

【0046】一方、図3は、正の誘電率異方性を示す液
晶材料の駆動特性曲線の一例である。
FIG. 3 shows an example of a driving characteristic curve of a liquid crystal material having a positive dielectric anisotropy.

【0047】CH0’は、一対の電極間に正の誘電率異
方性を示す液晶を配し、その電極間に図1の走査選択信
号Ssと同じ単純な矩形の電圧パルスを印加した時のし
きい値を示す特性曲線であり、CH1’は図1の書き込
み用合成信号Vwを印加した時のしきい値を示す特性曲
線、CH2’は図1の非書き込み合成信号Vnを印加し
た時のしきい値を示す特性曲線である。それぞれの特性
曲線CH0’,CH1’,CH2’より右上方となる領
域にあたるパルス幅と電圧の信号を与えると、液晶はス
イッチングを生じ、左下方となる領域にあたるパルス幅
と電圧の信号を与えると液晶はスイッチングしない。
CH0 'is obtained by disposing a liquid crystal exhibiting positive dielectric anisotropy between a pair of electrodes, and applying a simple rectangular voltage pulse same as the scan selection signal Ss of FIG. 1 between the electrodes. A characteristic curve showing the threshold value, CH1 'is a characteristic curve showing the threshold value when the composite signal for writing Vw of FIG. 1 is applied, and CH2' is a characteristic curve showing the characteristic when the non-write composite signal Vn of FIG. 1 is applied. 6 is a characteristic curve showing a threshold. When a signal of a pulse width and a voltage corresponding to an area on the upper right side of each of the characteristic curves CH0 ', CH1' and CH2 'is applied, the liquid crystal causes switching, and a signal of a pulse width and a voltage corresponding to an area on the lower left side is applied. The liquid crystal does not switch.

【0048】つまり、印加する信号の波形を変えること
で、しきい値を満足するパルス幅と電圧の値が変化する
ことを示している。
That is, it is shown that changing the waveform of the applied signal changes the pulse width and the voltage value satisfying the threshold value.

【0049】例えば点PBに相当するパルス幅と電圧と
を有する波形Vwを与えた場合には、特性曲線CH1’
の左下方領域に点PBが存在する為、液晶はスイッチン
グしない。
For example, when a waveform Vw having a pulse width and a voltage corresponding to the point PB is given, the characteristic curve CH1 '
, The liquid crystal does not switch.

【0050】しかしながら、波形Vnの場合には、点P
Bを満たすパルス幅及び電圧の信号を与えると液晶はス
イッチングを生じる。なぜなら点PBは特性曲線CH
2’の右上方領域にある為である。
However, in the case of the waveform Vn, the point P
When a pulse width and voltage signal satisfying B are applied, the liquid crystal causes switching. Because the point PB has the characteristic curve CH
This is because it is in the upper right area of 2 '.

【0051】従って、ある画素の液晶をスイッチングさ
せる時に、特性曲線CH2’を示す信号を用い、スイッ
チングさせない時に特性曲線CH1’を示す信号を用い
れば、図3中のハッチングで示した領域の中から各信号
のパルス幅と電圧を選ぶことが出来る。
Therefore, if the signal indicating the characteristic curve CH2 'is used when switching the liquid crystal of a certain pixel and the signal indicating the characteristic curve CH1' is used when the liquid crystal is not switched, the region shown by hatching in FIG. The pulse width and voltage of each signal can be selected.

【0052】信号波形Vw,Vnのパルス幅及び電圧を
定める場合、図2の特性であれば、電圧V11を選んだ
時、パルス幅はτ11〜τ12の広い範囲から選ぶことが出
来る。
When the pulse widths and voltages of the signal waveforms Vw and Vn are determined, the pulse width can be selected from a wide range of τ 11 to τ 12 when the voltage V 11 is selected according to the characteristics shown in FIG.

【0053】一方、図3の特性の場合は、電圧V11を選
んだ時のパルス幅の選択可能範囲はτ13〜τ14の狭い範
囲となる。
Meanwhile, in the case of characteristics of Figure 3, the selectable range of the pulse width when you select voltage V 11 becomes narrow range of τ 1314.

【0054】つまり、画素を画像情報に応じてスイッチ
ング又は非スイッチングさせ得る駆動条件の選択範囲
(マージン)は図2の特性を示す液晶の方が大きいこと
になる。又、前述したとおり図2の特性は印加電圧波形
依存性を示すので、本発明に好適に用いられる。
In other words, the selection range (margin) of the driving condition in which the pixel can be switched or non-switched according to the image information is larger in the liquid crystal having the characteristics shown in FIG. Further, as described above, the characteristic of FIG. 2 shows the dependence on the applied voltage waveform, and thus is suitably used in the present invention.

【0055】(走査選択信号のパルス幅変調による温度
補償)前述したマージンは温度によって変化する為に、
まず走査選択信号の正パルスのパルス幅を温度に応じて
変調しなければならない。
(Temperature Compensation by Pulse Width Modulation of Scan Selection Signal) Since the above-mentioned margin changes with temperature,
First, the pulse width of the positive pulse of the scan selection signal must be modulated according to the temperature.

【0056】図4は、本発明に用いられる電気光学素子
としての液晶素子の一画素部を拡大して示している。
FIG. 4 is an enlarged view of one pixel portion of a liquid crystal element as an electro-optical element used in the present invention.

【0057】1a,1bはガラス等の透明基板、2a,
2bはITO等の透明導電膜、3a,3bはマージンを
広げる為に必要に応じて設けられる絶縁膜、4a,4b
は配向膜であり、好ましくは、カイラルスメクチック液
晶がU2ユニフォーム配向したシェブロン層構造が得ら
れるようにラビングされたものを用いるとよい。
Reference numerals 1a and 1b denote transparent substrates such as glass.
2b is a transparent conductive film of ITO or the like, 3a and 3b are insulating films provided as needed to widen margins, 4a and 4b
Is an alignment film, which is preferably rubbed so as to obtain a chevron layer structure in which a chiral smectic liquid crystal is U2 uniform aligned.

【0058】5は強誘電性を示すカイラルスメクチック
液晶である。不図示ではあるが、図4の素子に偏光素子
を組み合わせることにより、液晶分子の配向状態(安定
状態)に応じて光を透過又は遮断できる。
Reference numeral 5 denotes a chiral smectic liquid crystal exhibiting ferroelectricity. Although not shown, light can be transmitted or blocked according to the alignment state (stable state) of the liquid crystal molecules by combining the element in FIG. 4 with a polarizing element.

【0059】ここで、シェブロン層構造を示すカイラル
スメクチック液晶の分子配向について説明する。
Here, the molecular orientation of a chiral smectic liquid crystal having a chevron layer structure will be described.

【0060】図5の(A)C1配向の各状態における基
板間の各位置でのダイレクタの配置を示す模式図であ
る。図中、51〜54は各状態においてダイレクタをコ
ーンの底面に投影し、これを底面方向から見た様子を示
しており、51および52がスプレイ状態、53および
54がユニフォーム状態と考えられるダイレクタの配置
である。同図から分かるとおり、ユニフォームの2状態
53と54においては、上下いずれかの基板界面の液晶
分子の位置がスプレイ状態の位置と入れ替わっている。
図5の(B)は、C2配向を示している。C2配向に
は、界面のスイッチングはなく、内部のスイッチングで
2状態があるC2スプレイ状態(55、56)とC2ユ
ニフォーム状態(57、58)とがある。
FIG. 5A is a schematic view showing the arrangement of directors at various positions between substrates in each state of C1 orientation. In the figure, 51 to 54 show the state where the director is projected on the bottom surface of the cone in each state and this is viewed from the bottom direction. 51 and 52 are the spray state, and 53 and 54 are the uniform state considered to be the uniform state. Arrangement. As can be seen from the figure, in the two states 53 and 54 of the uniform, the position of the liquid crystal molecules at the upper or lower substrate interface is replaced with the position in the spray state.
FIG. 5B shows the C2 orientation. The C2 orientation includes a C2 spray state (55, 56) and a C2 uniform state (57, 58) in which there is no interface switching and there are two states of internal switching.

【0061】本発明においては、このようなC2ユニフ
ォーム配向を用いることが好ましい。C2ユニフォーム
配向については米国特許第4,932,758号、第
5,200,848号及びIDW97,PP.269−
272に詳しく記されている。
In the present invention, it is preferable to use such a C2 uniform orientation. For C2 uniform orientation, see U.S. Patent Nos. 4,932,758 and 5,200,848 and IDW97, PP. 269-
272 is detailed.

【0062】図6は、本発明の電気光学装置を示してお
り、図4に示したような断面構造の画素を有する単純マ
トリクス型の液晶素子10を有している。
FIG. 6 shows an electro-optical device according to the present invention, which has a simple matrix type liquid crystal element 10 having pixels having a sectional structure as shown in FIG.

【0063】液晶素子10は、その走査電極群11に接
続された走査電極駆動回路13と、その情報電極群12
に接続された情報電極駆動回路14によって駆動され
る。
The liquid crystal element 10 has a scanning electrode driving circuit 13 connected to the scanning electrode group 11 and an information electrode group 12
Is driven by the information electrode drive circuit 14 connected to the power supply.

【0064】駆動電圧発生回路15は、液晶素子10の
各電極に印加される電圧を生成する為の所定の電位の電
圧を発生し、駆動回路13,14に供給する。
The drive voltage generation circuit 15 generates a voltage of a predetermined potential for generating a voltage applied to each electrode of the liquid crystal element 10 and supplies the generated voltage to the drive circuits 13 and 14.

【0065】16は制御回路であり、各駆動回路13,
14の内部にあるスイッチングトランジスタをオン/オ
フさせる為の信号を供給する。又、制御回路16は駆動
電圧発生回路15が発生する電圧レベルを変更する為の
信号を該回路15に供給する。
Reference numeral 16 denotes a control circuit.
A signal for turning on / off the switching transistor provided inside 14 is supplied. The control circuit 16 supplies a signal for changing the voltage level generated by the drive voltage generation circuit 15 to the circuit 15.

【0066】更に、液晶素子17と一体化された温度セ
ンサ、又は液晶素子10に接して、或いはその近くに離
れて配置された温度センサー17からの温度情報に応じ
て、制御回路は回路15の駆動回路15内のスイッチン
グトランジスタのオン/オフを制御する。
Further, in accordance with temperature information from a temperature sensor integrated with the liquid crystal element 17 or a temperature sensor 17 disposed in contact with or near the liquid crystal element 10, the control circuit controls the circuit 15. On / off of the switching transistor in the drive circuit 15 is controlled.

【0067】図7は本発明の走査電極駆動回路の動作一
例を示す図で、説明を容易にする為に2つの出力端子に
係る部分のみ示している。
FIG. 7 is a diagram showing an example of the operation of the scan electrode drive circuit according to the present invention, and only parts relating to two output terminals are shown for ease of explanation.

【0068】論理回路LG1,LG2は電源電圧Vcc
より電力を供給されて動作し、クロックCLK、スター
トパルスSTP、温度補償コントロール信号TCNTに
よりコントロールされる。
The logic circuits LG1 and LG2 are connected to the power supply voltage Vcc.
It operates with more power supplied, and is controlled by a clock CLK, a start pulse STP, and a temperature compensation control signal TCNT.

【0069】スタートパルスSTPが入力され温度補償
コントロール信号TCNT1としてハイレベルのパルス
が供給されると回路LG1は端子φ1 よりハイレベルの
パルスを出力する。スイッチSW11がオンして消去信号
Veが出力端子S1より一本目の走査電極に供給され
る。この時、NORゲートNOR1の出力はローとなり
スイッチSW1 はオフする。又、論理回路LG2の端子
φ11,φ12の出力は共にローレベルの為、スイッチSW
21,SW22もオフである。
[0069] the start pulse STP When a high-level pulse is supplied as a temperature compensating control signal TCNT1 inputted circuit LG1 outputs a pulse of high level from the terminal phi 1. Switch SW 11 is turned on to erase signal Ve is supplied to a single-th scanning electrode from the output terminal S1. At this time, the output of the NOR gate NOR1 is switch SW 1 becomes low is turned off. Since the outputs of the terminals φ 11 and φ 12 of the logic circuit LG2 are both at the low level, the switch SW
21 and SW 22 are also off.

【0070】次にコントロール信号TCNT1が再びハ
イレベルとなり端子φ2 の出力がハイレベルになり、ス
イッチSW12がオンし、消去信号Veが出力端子S2よ
り二本目の走査電極に供給される。端子φ2 の出力がロ
ーレベルになると、NORゲートNOR1の出力はハイ
レベルになりスイッチSW1 がオンして、出力端子S1
には電圧Vcが供給される。
[0070] Then the output of the terminal phi 2 control signal TCNT1 becomes high level again becomes high level, the switch SW 12 is turned on, the erase signal Ve is supplied to two-th scanning electrode from the output terminal S2. When the output terminal phi 2 becomes low level, the output of the NOR gate NOR1 is the switch SW 1 to the high level is turned on, the output terminal S1
Is supplied with a voltage Vc.

【0071】次に端子φ2 の出力がローレベルになると
NORゲートNOR2の出力はハイレベルになり、スイ
ッチSW2 がオンして、出力端子S2から電圧Vcが供
給される。
[0071] Then the output of the terminal phi 2 is the output of the NOR gate NOR2 becomes a low level to a high level, the switch SW 2 is turned on, the voltage Vc supplied from the output terminal S2.

【0072】こうして、消去電圧Ve供給してから所定
期間経過後、論理回路LG2の端子φ11よりハイレベル
のパルスが出力されスイッチSW21がオンして電圧Vs
の走査選択信号が出力端子S1より出力され、一本目の
走査電極に供給される。この時NORゲートNOR1の
出力はローレベルの為スイッチSW1 はオフになる。
[0072] Thus, after a predetermined period of time from the supply erase voltage Ve, the voltage Vs switch SW 21 is high-level pulse from the terminal phi 11 of the logic circuit LG2 output is turned on
Is output from the output terminal S1 and supplied to the first scan electrode. At this time, the output of the NOR gate NOR1 is switch SW 1 because of the low level is turned off.

【0073】同様に端子φ12よりハイレベルのパルスが
出力され、スイッチSW22がオンして二本目の走査電極
に電圧Vsが供給される。電圧Vsの供給期間は温度補
償コントロール信号TCNT2のパルスタイミングによ
り制御される。
[0073] Similarly from the terminal phi 12 of the high level pulse is output, the voltage Vs is supplied to the two-th scanning electrode switch SW 22 is turned on. The supply period of the voltage Vs is controlled by the pulse timing of the temperature compensation control signal TCNT2.

【0074】非選択期間はスイッチSW1 ,SW2 のみ
オンしているので、走査電極は電圧Vcレベルに保持さ
れる。
Since only the switches SW 1 and SW 2 are turned on during the non-selection period, the scanning electrode is maintained at the voltage Vc level.

【0075】図7の(B)はクロックCLK、温度補償
コントロール信号TCNT端子φ1,φ2 ,φ11,φ12
の出力とゲートNOR1,NOR2の出力のタイミング
を示している。TCNTにハイレベルのパルスが供給さ
れるタイミングで端子φ1 ,φ2 が立ち上がるタイミン
グと、端子φ11,φ12の出力パルスが立ち上がるタイミ
ングが決まる。
FIG. 7B shows the clock CLK, the temperature compensation control signal TCNT terminals φ 1 , φ 2 , φ 11 , φ 12
And the timing of the output of the gates NOR1 and NOR2. The timing at which the terminals φ 1 and φ 2 rise and the timing at which the output pulses at the terminals φ 11 and φ 12 rise at the timing when the high-level pulse is supplied to TCNT are determined.

【0076】こうして、パルス巾が図中矢印のように温
度に応じて変調されて温度補償が出来る。
In this manner, the pulse width is modulated according to the temperature as indicated by the arrow in the figure, and the temperature can be compensated.

【0077】以上詳細したとおり本発明において、温度
センサ17からの情報に応じて入力されるコントロール
信号TCNTに従って、スイッチSW11,SW12,SW
21,SW22がそれぞれオンする期間(オン期間)が制御
される。
As described in detail above, according to the present invention, the switches SW 11 , SW 12 , SW 12 according to the control signal TCNT input according to the information from the temperature sensor 17.
The periods (on periods) in which the switches 21 and 22 are turned on are controlled.

【0078】図8は、本発明に用いられる温度により変
調される駆動波形を示している。電位関係は、V1>V
3>VC>V4>V2であり、|V1|>|V2|,|
V2|>|V3|,|V3|=|V4|である。駆動波
形Dは液晶素子の温度が高温(TH)の時に用いられる
波形である。
FIG. 8 shows a drive waveform modulated by temperature used in the present invention. The potential relationship is V1> V
3>VC>V4> V2, | V1 |> | V2 |, |
V2 |> | V3 |, | V3 | = | V4 |. The driving waveform D is a waveform used when the temperature of the liquid crystal element is high (TH).

【0079】まず、ある走査電極上の画素の表示状態を
定める水平走査期間1H1 の前に電圧V2、パルス巾Δ
Tr(1H×2)の消去用の負のパルスSeを走査電極
に供給する。この時、画素には、情報信号がIwである
かInであるかに係りなく、画素の液晶を一方の配向状
態にそろえるに充分なパルス幅と電圧をもつ合成波形V
E1,VE1’が印加される。こうしてパルスSeが供
給された走査線上の全ての画素は暗(又は明)状態にリ
セットされる。次いで所定期間経過後、走査選択信号S
sが走査電極に供給され、これに同期して情報信号Iw
又はInが情報電極に供給される。リセットされた状態
の画素の液晶をスイッチングさせる為の情報信号Iwと
の合成信号Vwは、水平走査信号1H1 前半で電圧V3
の小パルスとその後半の電圧(V1−V3)の大パルス
を含む信号である。
[0079] First, the voltage before the horizontal scanning period IH 1 defining the display state of pixels on a certain scanning electrode V2, a pulse width Δ
A negative pulse Se for erasing Tr (1H × 2) is supplied to the scan electrodes. At this time, regardless of whether the information signal is Iw or In, the pixel has a composite waveform V having a pulse width and voltage sufficient to align the liquid crystal of the pixel in one alignment state.
E1 and VE1 'are applied. Thus, all the pixels on the scanning line to which the pulse Se is supplied are reset to a dark (or bright) state. Next, after a lapse of a predetermined period, the scanning selection signal S
s is supplied to the scanning electrode, and the information signal Iw
Alternatively, In is supplied to the information electrode. The composite signal Vw with the information signal Iw for switching the liquid crystal of the reset pixel is a voltage V3 in the first half of the horizontal scanning signal 1H1.
And a large pulse of the latter half of the voltage (V1-V3).

【0080】リセットされた状態の画素の液晶をスイッ
チングさせない為の情報信号Inとの合成波形Vnは、
電圧V4(<0)の負の小パルスとそれに続く電圧(V
1−V4)の正の大パルスを含む。
The composite waveform Vn with the information signal In for preventing the liquid crystal of the pixel in the reset state from switching is represented by:
A small negative pulse of voltage V4 (<0) followed by a voltage (V
1-V4).

【0081】駆動波形Eは、中温(TM)の時に用いら
れる波形である。駆動波形Dとの違いは、走査選択信号
Ssの正パルスの立ち下がりが遅れて、パルス巾が駆動
波形Aの信号Ssの2倍に又、消去信号Seのパルス巾
が1.5倍になっている点である。従って、次の水平走
査期間1H2 に画素に印加される合成波形が、駆動波形
Aの場合と相違している。次の水平走査期間1H2 の前
半のパルスの電圧がV1−V4となるかV1−V3とな
るかは、次の水平走査期間1H2 に供給される情報信号
に依存する。同様に次の水平走査期間1H2 の後半のパ
ルスの電圧がV3となるかV4となるかも1H2 の期間
に供給される情報信号に依存する。
The driving waveform E is a waveform used at the time of medium temperature (TM). The difference from the drive waveform D is that the fall of the positive pulse of the scan selection signal Ss is delayed, the pulse width is twice as large as the signal Ss of the drive waveform A, and the pulse width of the erase signal Se is 1.5 times. That is the point. Accordingly, the synthetic waveform applied to the pixel in the next horizontal scanning period IH 2 is different from the case of the driving waveform A. Whether the voltage of the first half of the pulse of the next horizontal scanning period IH 2 is either V1-V3 becomes V1-V4, dependent on the information signal supplied to the next horizontal scanning period IH 2. Similarly dependent on the following information signal voltage in the second half of the pulse of the horizontal scanning period IH 2 is supplied to the period of IH 2 may be either V4 becomes V3.

【0082】駆動波形Fは、低温(TL)の時に用いら
れる波形である。駆動波形Eとの違いは、走査選択信号
Ssの正パルスの立ち下がりが更に遅れてパルス巾が、
駆動波形Bの走査選択信号Ssの正パルスの3倍になる
点である。又、消去信号Seのパルス幅は波形Dの場合
の2倍になっている。
The driving waveform F is a waveform used at a low temperature (TL). The difference from the drive waveform E is that the fall of the positive pulse of the scan selection signal Ss is further delayed and the pulse width is
This is a point that is three times the positive pulse of the scan selection signal Ss of the drive waveform B. The pulse width of the erase signal Se is twice as large as that of the waveform D.

【0083】図9は、駆動波形Dの場合のτ−V特性の
温度依存性を示す。走査選択信号の電圧V1を最小値τ
min となりうるV21と定めた時、液晶素子の温度が高温
の場合のパルス幅選択範囲(マージン)はτ21〜τ22
あり、中温〜低温になるに従ってパルス幅マージンは広
くなるが、パルス幅自体も大きくなってしまっている。
FIG. 9 shows the temperature dependence of the τ-V characteristic in the case of the driving waveform D. The voltage V1 of the scan selection signal is set to the minimum value τ.
When V 21 is determined to be min , the pulse width selection range (margin) when the temperature of the liquid crystal element is high is τ 21 to τ 22 , and the pulse width margin becomes wider as the temperature becomes lower to middle temperature. The width itself has also increased.

【0084】図10は、同様に駆動波形Eの場合のτ−
V特性の温度依存性を示す。
FIG. 10 is a graph similar to FIG.
5 shows the temperature dependence of the V characteristic.

【0085】図11は、駆動波形Fの場合のτ−V特性
の温度依存性を示している。図9〜11の特性を基にし
て、横軸に温度を縦軸に走査選択信号V1をV21に固
定した時に選択可能なパルス幅をプロットしたグラフを
図12に示す。
FIG. 11 shows the temperature dependence of the τ-V characteristic in the case of the driving waveform F. FIG. 12 is a graph plotting selectable pulse widths when the scan selection signal V1 is fixed at V21 on the horizontal axis and temperature on the vertical axis based on the characteristics of FIGS.

【0086】パルス幅ΔTdをT30と固定し、高温条件
下では駆動波形Dを用い、中温条件下では駆動波形E
を、低温条件下では駆動波形Fを用いることによって最
高温のTMP1〜最低温のTMP4までの温度範囲内で
確実に画素のスイッチング又は非スイッチングを定める
ことが出来る。
The pulse width ΔTd is fixed to T 30 , the driving waveform D is used under high temperature conditions, and the driving waveform E is used under medium temperature conditions.
By using the driving waveform F under the low temperature condition, the switching or non-switching of the pixel can be reliably determined within the temperature range from the highest temperature TMP1 to the lowest temperature TMP4.

【0087】例えば、温度TMP1〜TMP2の高温領
域では、駆動波形Dを用い、温度TMP2〜TMP3の
中温領域では駆動波形Eを用い、温度TMP3〜TMP
4の低温領域では駆動波形Fを用いればよい。
For example, the driving waveform D is used in the high temperature region of the temperatures TMP1 to TMP2, and the driving waveform E is used in the middle temperature region of the temperatures TMP2 to TMP3.
In the low temperature region of No. 4, the driving waveform F may be used.

【0088】又、この特性を示す液晶素子の場合は、駆
動波形Eによるマージンと駆動波形Fによるマージンの
重なり部分が大きい為、駆動波形EとFの切替えは温度
TMP5をしきい値としてもよい。
In the case of a liquid crystal element exhibiting this characteristic, since the margin of the drive waveform E and the margin of the drive waveform F overlap greatly, the switching between the drive waveforms E and F may use the temperature TMP5 as the threshold value. .

【0089】パルス幅ΔTdを一定にするということ
は、一水平走査期間即ち一本の走査電極が選択されてい
る期間が一定となり、フレーム周波数が常に一定とな
る。よって、動画の大画面表示が非常に容易になる。
Making the pulse width ΔTd constant means that one horizontal scanning period, that is, a period in which one scanning electrode is selected, is constant, and the frame frequency is always constant. Therefore, large-screen display of a moving image becomes very easy.

【0090】図4に示すような構成の液晶素子を作製し
た。2枚のガラス基板上にそれぞれスパッタリング法に
より厚さ70nmの酸化インジウム錫(ITO)膜を形
成し、その後、スパッタリング法により厚さ120nm
の酸化タンタル(Ta23)膜を形成した。
A liquid crystal device having a structure as shown in FIG. 4 was manufactured. An indium tin oxide (ITO) film having a thickness of 70 nm is formed on each of two glass substrates by a sputtering method, and thereafter, a film having a thickness of 120 nm is formed by a sputtering method.
A tantalum oxide (Ta 2 O 3 ) film was formed.

【0091】この2枚の基板の酸化タンタル膜上にポリ
イミドの前駆体であるポリアミック酸LP−64(東レ
(株)製)のNMP(Nメチルピロリドン):n−BC
(n−ブチルセロソルブ)混合溶液をスピンコートし
た。塗布溶液はNMP:n−BC=2:1の混合溶媒に
LP−64を1重量%となるように調整し、スピン条件
は、45回転/秒で20秒行った。
On the tantalum oxide films of the two substrates, NMP (N-methylpyrrolidone) of polyamic acid LP-64 (manufactured by Toray Industries, Ltd.): n-BC
The (n-butyl cellosolve) mixed solution was spin-coated. The coating solution was prepared by adjusting LP-64 to 1% by weight in a mixed solvent of NMP: n-BC = 2: 1 and spinning at 45 rpm for 20 seconds.

【0092】この基板を、80℃のオーブン中で5分
間、溶媒乾燥を行った後、200℃のオーブン中で1時
間の加熱焼成を行いイミド化した。得られたポリイミド
膜は約10nmの厚さで、この膜をラビング処理して配
向膜とした。ラビングは、直径10cmのローラーに巻
き付けたナイロン製の布を用い、16.7回転/秒、配
向膜表面に対する布の押し込み0.4mm、基板の送り
速度10mm/秒で、同じ方向に二回(片道)のラビン
グを行った。
The substrate was dried in an oven at 80 ° C. for 5 minutes, and then heated and baked in an oven at 200 ° C. for 1 hour to imidize the substrate. The obtained polyimide film was about 10 nm thick, and this film was rubbed to form an alignment film. Rubbing was performed twice in the same direction using a nylon cloth wound around a roller having a diameter of 10 cm, at 16.7 rotations / sec, 0.4 mm of cloth being pressed against the alignment film surface, and a substrate feed rate of 10 mm / sec. One-way rubbing was performed.

【0093】その後、この基板表面に平均粒径1.2μ
mのシリカビーズを0.008重量%で分散させたIP
A(イソプロピルアルコール)溶液を、25回転/秒で
10秒間の条件でスピン塗布し、分布密度300個/m
2 程度のビーズスペーサを散布した。
Then, an average particle size of 1.2 μm
m silica beads dispersed at 0.008% by weight
A (isopropyl alcohol) solution is spin-coated at 25 rpm for 10 seconds, and the distribution density is 300 / m
A bead spacer of about m 2 was sprayed.

【0094】以上のようにして得られた二枚の基板をラ
ビング方向が互いに同じ向きとなるように対向して貼り
合わせ、150℃のオーブン中で90分間熱硬化させ、
セルとした。
The two substrates obtained as described above are bonded together facing each other so that the rubbing directions are the same, and are thermally cured in an oven at 150 ° C. for 90 minutes.
Cell.

【0095】このセルに、ヘキスト社製の誘電率異方性
が負のτ−Vmin 特性を示す強誘電性液晶「FELIX
−016/030」を減圧下(10Pa)、等方相温度
(100℃)で注入し、Sm* C相まで徐冷することに
より液晶素子とした。この液晶に単純な駆形パルスを印
加した時のτ−V特性を図13に示す。
In this cell, a ferroelectric liquid crystal “FELIX” having a negative dielectric constant anisotropy τ-V min characteristic manufactured by Hoechst Co., Ltd.
−016/030 ”was injected under reduced pressure (10 Pa) at an isotropic phase temperature (100 ° C.), and gradually cooled to an Sm * C phase to obtain a liquid crystal element. FIG. 13 shows τ-V characteristics when a simple driving pulse is applied to the liquid crystal.

【0096】又、この液晶の相転移系列他のデータを図
14に示す。
FIG. 14 shows other data of the phase transition series of the liquid crystal.

【0097】こうして得られた液晶素子に図8に示した
ような駆動波形D〜Fを印加して駆動する。
The liquid crystal device thus obtained is driven by applying drive waveforms D to F as shown in FIG.

【0098】この時図15に示すような電圧変調用の温
度補償回路を付加して、温度に応じて走査選択信号Ss
の正のパルス電圧V1が、温度上昇に伴って、大きくな
るように変化させた。
At this time, a temperature compensating circuit for voltage modulation as shown in FIG. 15 is added, and the scan selection signal Ss according to the temperature is added.
The positive pulse voltage V1 was changed so as to increase as the temperature rose.

【0099】図15は本発明に用いられる電圧変調用の
温度補償回路である。
FIG. 15 shows a temperature compensation circuit for voltage modulation used in the present invention.

【0100】サーミスターのような温度センサ17から
の温度情報はアナログデジタルコンバーター17aでデ
ジタルデータに変換されて制御回路17に送られる。
The temperature information from the temperature sensor 17 such as a thermistor is converted into digital data by an analog / digital converter 17a and sent to the control circuit 17.

【0101】制御回路17内では、デジタル化された温
度情報をROM内に格納されている温度補償テーブルの
値と比較し、対応する電圧データをデジタル値で出力す
る。
The control circuit 17 compares the digitized temperature information with the value of the temperature compensation table stored in the ROM, and outputs the corresponding voltage data as a digital value.

【0102】駆動電圧発生回路15内のデジタルアナロ
グコンバータ15aが温度情報に基づいて決められたデ
ジタル電圧データを電圧変調されたアナログ電圧データ
に変換する。
A digital-to-analog converter 15a in the drive voltage generation circuit 15 converts digital voltage data determined based on temperature information into voltage-modulated analog voltage data.

【0103】駆動電圧発生回路15内の比較器15b
は、アナログ電圧データと基準電圧Vpwを入力し、そ
の差分を増幅し、走査選択信号の電圧波高値を定める。
こうして得られた液晶素子駆動用の基準電圧はバッファ
アンプ15Cを介して走査電極駆動回路に出力される。
The comparator 15b in the drive voltage generation circuit 15
Receives analog voltage data and a reference voltage Vpw, amplifies the difference, and determines the voltage peak value of the scan selection signal.
The reference voltage for driving the liquid crystal element thus obtained is output to the scan electrode driving circuit via the buffer amplifier 15C.

【0104】図16は図8中の各パルスの波高値V1,
V2,V3,V4,VCの値と温度の関係を示してい
る。V2,V3,V4,VCは使用条件下の全温度範囲
において一定である。図17は図8中の各パルス幅ΔT
r,ΔTs,1H,ΔTdの値と温度の関係を示してい
る。ΔTrは消去パルスのパルス幅であり、温度上昇と
共にパルス幅が短くなるように11段階に変化させてい
る。
FIG. 16 shows the peak values V1 and V1 of each pulse in FIG.
The relationship between the values of V2, V3, V4, and VC and the temperature is shown. V2, V3, V4, and VC are constant over the entire temperature range under use conditions. FIG. 17 shows each pulse width ΔT in FIG.
The relationship between the values of r, ΔTs, 1H, ΔTd and temperature is shown. ΔTr is the pulse width of the erase pulse, and is changed in 11 steps so that the pulse width becomes shorter as the temperature rises.

【0105】ΔTsは走査選択信号Ssの正パルスのパ
ルス幅であり、温度上昇と共にパルス幅が短くなるよう
に11段階に変化させている。
ΔTs is the pulse width of the positive pulse of the scanning selection signal Ss, and is changed in 11 steps so that the pulse width becomes shorter as the temperature rises.

【0106】一水平走査期間(1H)と情報信号の単位
パルス幅(ΔTd)は全温度範囲内で一定である。
The horizontal scanning period (1H) and the unit pulse width (ΔTd) of the information signal are constant within the entire temperature range.

【0107】図18は本例の液晶素子のτ−V特性の温
度依存性を示す。この特性は駆動波形として図8の駆動
波形Dを用いた場合である。
FIG. 18 shows the temperature dependence of the τ-V characteristic of the liquid crystal element of this example. This characteristic is obtained when the driving waveform D in FIG. 8 is used as the driving waveform.

【0108】温度が高温になるにつれてパルス幅ΔTd
のしきい値の最小値は低下している。
As the temperature rises, the pulse width ΔTd
The minimum value of the threshold value has decreased.

【0109】従って、この波形は低温下の駆動よりも高
温下の駆動に適している。
Therefore, this waveform is more suitable for driving under high temperature than driving under low temperature.

【0110】図19は10℃の時の各駆動波形D〜Fに
よるτ−V特性を示している。
FIG. 19 shows the τ-V characteristics at 10 ° C. for each of the drive waveforms D to F.

【0111】10℃のような低温条件下では、駆動波形
Fが最適であることがわかる。
It can be seen that the driving waveform F is optimal under a low temperature condition such as 10 ° C.

【0112】温度条件を細かく変化させながら各駆動波
形毎にパルス幅を最小にし得る駆動電圧におけるパルス
幅の選択範囲を示したものが図20である。
FIG. 20 shows a selection range of the pulse width at the drive voltage which can minimize the pulse width for each drive waveform while finely changing the temperature condition.

【0113】図20に示すように40℃近傍の高温度条
件下では駆動波形Dを用い、25℃近傍の中温条件下で
は駆動波形Eを用い、10℃近傍の低温度条件下では駆
動波形Fを用いることにより一水平走査期間(1H)を
一定として、温度に応じて電圧を2〜3Vの範囲内で可
変にするだけで、全温度範囲に亘って良好な表示を行う
ことが出来る。
As shown in FIG. 20, the driving waveform D is used under a high temperature condition near 40 ° C., the driving waveform E is used under a medium temperature condition near 25 ° C., and the driving waveform F is used under a low temperature condition near 10 ° C. By using the above method, it is possible to perform a good display over the entire temperature range only by keeping one horizontal scanning period (1H) constant and changing the voltage within the range of 2 to 3 V according to the temperature.

【0114】図17の例ではΔTsの可変段階数を11
段階としたが、駆動波形D〜Fの3段階としてもよい
し、更に液晶素子の使用温度範囲が狭い場合には2段階
とすることもできる。
In the example of FIG. 17, the number of variable steps of ΔTs is 11
Although the number of steps is three, the number of steps may be three, that is, drive waveforms D to F, or the number of steps may be two when the operating temperature range of the liquid crystal element is narrow.

【0115】又、液晶の中にはヘキスト社製の強誘電性
液晶「FELIX−016/100」のように温度が高
くなるにつれて、パルス幅τの極小値が小さくなるとと
もに、それに対応した電圧波高値も小さくなる特性を示
す材料もある。
As the temperature rises, as in the case of the ferroelectric liquid crystal “FELIX-016 / 100” manufactured by Hoechst, the minimum value of the pulse width τ decreases and the voltage wave corresponding to the temperature increases. Some materials exhibit characteristics where the high value is also reduced.

【0116】この一例を図21に示す。FIG. 21 shows an example of this.

【0117】このような液晶材料を用いる場合には、図
16に代えて図22に示すように走査選択信号のパルス
波高値を温度が高くなるに従って低くするように制御す
ることが望ましい。
When such a liquid crystal material is used, it is desirable to control the pulse peak value of the scanning selection signal so as to decrease as the temperature increases as shown in FIG. 22 instead of FIG.

【0118】図23〜図25は、液晶素子の温度が、高
温、中温、低温それぞれの場合に用いられる走査信号と
情報信号の波形及びその時の液晶素子上の各画素の表示
状態を示す。
FIGS. 23 to 25 show the waveforms of the scanning signal and the information signal used when the temperature of the liquid crystal element is high, medium, and low, and the display state of each pixel on the liquid crystal element at that time.

【0119】図26は本発明に用いられる別の駆動波形
を示す。駆動波形Gは高温の場合に好適に用いられる波
形であり、図8に示した駆動波形Dとは、情報信号波形
が異なっている。本例の情報信号波形は最初のΔTd/
2の期間と最初のΔTd/2の期間が同極性のDC補償
パルスとなっており、これら期間の間のΔTdの期間が
画素の表示状態を定めるパルスになっている。
FIG. 26 shows another driving waveform used in the present invention. The drive waveform G is a waveform suitably used in the case of a high temperature, and is different from the drive waveform D shown in FIG. 8 in the information signal waveform. The information signal waveform in this example is the first ΔTd /
The period of 2 and the first period of ΔTd / 2 are DC compensation pulses of the same polarity, and the period of ΔTd between these periods is a pulse that determines the display state of the pixel.

【0120】同様に駆動波形Hは中温時の好適な波形、
駆動波形Iは低温時の好適な波形になっており、それぞ
れ機械的に図8の波形E,Fにそれぞれ対応している。
Similarly, the driving waveform H is a suitable waveform at the time of medium temperature,
The driving waveform I is a suitable waveform at a low temperature, and each mechanically corresponds to the waveforms E and F in FIG.

【0121】以上のとおり、一水平走査期間を一定とし
たまま、走査選択信号のパルス幅ΔTsと消去信号のパ
ルス幅ΔTrを温度に応じて変化させることで、広い温
度範囲に亘って良好な表示を行うことが出来る。
As described above, by changing the pulse width ΔTs of the scanning selection signal and the pulse width ΔTr of the erasing signal in accordance with the temperature while keeping one horizontal scanning period constant, excellent display can be performed over a wide temperature range. Can be performed.

【0122】[0122]

【発明の効果】本発明によれば、一水平走査選択期間を
一定にして温度補償が出来るので、駆動回路や制御回路
の設計が容易になる。
According to the present invention, since temperature compensation can be performed while keeping one horizontal scanning selection period constant, the design of a drive circuit and a control circuit becomes easy.

【0123】こうして、電気光学装置を低コストで製造
できるようになる。
Thus, the electro-optical device can be manufactured at low cost.

【0124】更には、低温条件下でも数十マイクロ秒で
一水平走査が行えるので動画等の表示特性が良好にな
る。
Further, since one horizontal scan can be performed in several tens of microseconds even under low temperature conditions, display characteristics of moving images and the like are improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の電気光学装置に用いられる電気光学素
子の駆動波形の一例を示す図。
FIG. 1 is a diagram showing an example of a driving waveform of an electro-optical element used in an electro-optical device according to the present invention.

【図2】本発明の電気光学装置に用いられる電気光学素
子のしきい値特性を示す図。
FIG. 2 is a diagram showing threshold characteristics of an electro-optical element used in the electro-optical device of the present invention.

【図3】電気光学素子のしきい値特性の別の例を示す
図。
FIG. 3 is a diagram showing another example of the threshold characteristics of the electro-optical element.

【図4】本発明に用いられる電気光学素子の構造を示す
模式図。
FIG. 4 is a schematic view showing the structure of an electro-optical element used in the present invention.

【図5】本発明に用いられる電気光学素子の配向を説明
する為の模式図。
FIG. 5 is a schematic diagram for explaining the orientation of an electro-optical element used in the present invention.

【図6】本発明の電気光学装置の一例を示す図。FIG. 6 is a diagram illustrating an example of an electro-optical device according to the invention.

【図7】本発明の電気光学装置に用いられる走査電極駆
動回路の一例を示す回路図。
FIG. 7 is a circuit diagram showing an example of a scan electrode drive circuit used in the electro-optical device of the present invention.

【図8】本発明の電気光学装置に用いられる電気光学素
子の駆動波形の別の例を示す図。
FIG. 8 is a diagram showing another example of the driving waveform of the electro-optical element used in the electro-optical device of the present invention.

【図9】本発明に用いられる電気光学素子のしきい値特
性を示す図。
FIG. 9 is a diagram showing threshold characteristics of an electro-optical element used in the present invention.

【図10】本発明に用いられる電気光学素子のしきい値
特性を示す図。
FIG. 10 is a diagram showing threshold characteristics of an electro-optical element used in the present invention.

【図11】本発明に用いられる電気光学素子のしきい値
特性を示す図。
FIG. 11 is a diagram showing threshold characteristics of an electro-optical element used in the present invention.

【図12】本発明の電気光学装置の駆動マージンの温度
依存性の一例を示す図。
FIG. 12 is a diagram illustrating an example of the temperature dependence of a driving margin of the electro-optical device according to the invention.

【図13】本発明の電気光学装置に用いられる電気光学
素子のしきい値特性を示す図。
FIG. 13 is a diagram illustrating threshold characteristics of an electro-optical element used in the electro-optical device according to the invention.

【図14】本発明の電気光学装置に用いられる液晶の相
転移系列を示す図。
FIG. 14 is a view showing a phase transition series of a liquid crystal used in the electro-optical device of the invention.

【図15】本発明の電気光学装置に用いられる電圧変調
回路の例を示す図。
FIG. 15 is a diagram illustrating an example of a voltage modulation circuit used in the electro-optical device according to the invention.

【図16】本発明の電気光学装置に用いられる電気光学
素子の駆動電圧の一例を示す図。
FIG. 16 is a diagram illustrating an example of a driving voltage of an electro-optical element used in the electro-optical device according to the invention.

【図17】本発明の電気光学装置に用いられる電気光学
素子の駆動電圧パルス幅の一例を示す図。
FIG. 17 is a diagram illustrating an example of a drive voltage pulse width of an electro-optical element used in the electro-optical device according to the invention.

【図18】本発明に用いられる別の電気光学素子のしき
い値特性を示す図。
FIG. 18 is a diagram showing threshold characteristics of another electro-optical element used in the present invention.

【図19】本発明に用いられる別の電気光学素子のしき
い値特性を示す図。
FIG. 19 is a diagram showing threshold characteristics of another electro-optical element used in the present invention.

【図20】本発明の別の電気光学装置の駆動マージンの
温度依存性の一例を示す図。
FIG. 20 is a diagram illustrating an example of the temperature dependence of a drive margin of another electro-optical device according to the invention.

【図21】本発明の電気光学装置に用いられる電気光学
素子のしきい値特性を示す図。
FIG. 21 is a diagram illustrating threshold characteristics of an electro-optical element used in the electro-optical device according to the invention.

【図22】本発明に用いられる別の電気光学素子の駆動
電圧の一例を示す図。
FIG. 22 is a diagram showing an example of a drive voltage of another electro-optical element used in the present invention.

【図23】本発明に用いられる駆動波形の供給タイミン
グを示す図。
FIG. 23 is a diagram showing supply timings of driving waveforms used in the present invention.

【図24】本発明に用いられる駆動波形の供給タイミン
グを示す図。
FIG. 24 is a diagram showing supply timings of driving waveforms used in the present invention.

【図25】本発明に用いられる駆動波形の供給タイミン
グを示す図。
FIG. 25 is a diagram showing supply timings of driving waveforms used in the present invention.

【図26】本発明の電気光学装置に用いられる電気光学
素子の駆動波形の別の例を示す図。
FIG. 26 is a diagram showing another example of the driving waveform of the electro-optical element used in the electro-optical device according to the invention.

【図27】カイラルスメクチック液晶の分子配向を説明
する為の模式図。
FIG. 27 is a schematic diagram for explaining the molecular orientation of a chiral smectic liquid crystal.

【図28】強誘電性カイラルスメクチック液晶の配向を
説明する為の模式図。
FIG. 28 is a schematic view for explaining the orientation of a ferroelectric chiral smectic liquid crystal.

【図29】代表的な2種のカイラルスメクチック液晶を
用いた液晶素子のしきい値特性を示す図。
FIG. 29 shows threshold characteristics of a liquid crystal element using two representative chiral smectic liquid crystals.

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 走査電極群と情報電極群とを有する一対
の基板と該基板間に配されたカイラルスメクチック液晶
とを有する電気光学素子と、該走査電極群に走査選択信
号を供給する走査電極駆動回路と、該情報電極群に情報
信号を供給する情報電極駆動回路と、を有する電気光学
装置において、 該情報信号により定められる一水平走査期間を一定とし
て、該走査選択信号の供給期間を温度情報に応じて変更
するように該走査電極駆動回路を動作せしめる手段と、 該走査選択信号の供給に先立って、消去信号を該走査電
極に印加し、該消去信号の供給期間を温度情報に応じて
変更するように該走査電極駆動回路を動作せしめる手段
と、を有することを特徴とする電気光学装置。
1. An electro-optical element having a pair of substrates having a scanning electrode group and an information electrode group, and a chiral smectic liquid crystal disposed between the substrates, and a scanning electrode for supplying a scanning selection signal to the scanning electrode group. In an electro-optical device having a driving circuit and an information electrode driving circuit for supplying an information signal to the information electrode group, a horizontal scanning period defined by the information signal is fixed, and a supply period of the scanning selection signal is set to a temperature. Means for operating the scan electrode drive circuit so as to change according to the information; and applying an erase signal to the scan electrode prior to the supply of the scan selection signal, and setting a supply period of the erase signal according to the temperature information. Means for operating the scan electrode drive circuit so that the scan electrode drive circuit is changed.
【請求項2】 選択された画素に印加される電圧を温度
情報に応じて変更するように該走査電極駆動回路を動作
せしめる手段を有する請求項1記載の電気光学装置。
2. The electro-optical device according to claim 1, further comprising means for operating the scan electrode drive circuit so as to change a voltage applied to a selected pixel in accordance with temperature information.
【請求項3】 該カイラルスメクチック液晶はシェブロ
ン層構造を有する請求項1記載の電気光学装置。
3. The electro-optical device according to claim 1, wherein the chiral smectic liquid crystal has a chevron layer structure.
【請求項4】 該カイラルスメクチック液晶はC2配向
を呈する請求項1記載の電気光学装置。
4. The electro-optical device according to claim 1, wherein the chiral smectic liquid crystal exhibits a C2 orientation.
【請求項5】 該カイラルスメクチック液晶は、その誘
電率異方性が負である請求項1記載の電気光学装置。
5. The electro-optical device according to claim 1, wherein the chiral smectic liquid crystal has a negative dielectric anisotropy.
【請求項6】 該カイラルスメクチック液晶は、しきい
値特性曲線が極小値を呈する請求項1記載の電気光学装
置。
6. The electro-optical device according to claim 1, wherein the chiral smectic liquid crystal has a minimum value of a threshold characteristic curve.
【請求項7】 該一対の基板の内面には、導電膜と配向
膜との間に絶縁膜が設けられている請求項1記載の電気
光学装置。
7. The electro-optical device according to claim 1, wherein an insulating film is provided between the conductive film and the alignment film on the inner surfaces of the pair of substrates.
【請求項8】 n番目に選択される走査電極に供給され
る走査選択信号とn+1番目に選択される走査電極に供
給される走査選択信号とが時間的にオーバーラップして
供給される請求項1記載の電気光学装置。
8. The scan selection signal supplied to the n-th selected scan electrode and the scan selection signal supplied to the (n + 1) -th selected scan electrode are supplied in time overlap. 2. The electro-optical device according to 1.
【請求項9】 該オーバーラップする期間を温度情報に
応じて変更する請求項8記載の電気光学装置。
9. The electro-optical device according to claim 8, wherein the overlapping period is changed according to the temperature information.
【請求項10】 該走査選択信号の供給に先立って、一
水平走査期間より長い期間中、消去信号を供給する請求
項1記載の電気光学装置。
10. The electro-optical device according to claim 1, wherein an erasing signal is supplied for a period longer than one horizontal scanning period before supplying the scanning selection signal.
【請求項11】 消去信号を供給した後、一水平走査期
間以上経過後に、該走査選択信号を供給する請求項1記
載の電気光学装置。
11. The electro-optical device according to claim 1, wherein the scan selection signal is supplied after a lapse of one horizontal scanning period after the supply of the erase signal.
【請求項12】 画素の光学状態を反転させる為の印加
信号は、一水平走査期間内において、一方極性の第1の
電圧パルスとそれに続く一方極性の第2の電圧パルスを
含み、該第2の電圧パルスの波高値が該第1の電圧パル
スの波高値より大きい請求項1記載の電気光学装置。
12. An application signal for inverting an optical state of a pixel includes a first voltage pulse of one polarity followed by a second voltage pulse of one polarity within one horizontal scanning period. 2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the peak value of the voltage pulse is larger than the peak value of the first voltage pulse.
【請求項13】 画素の光学状態を反転させない印加信
号は、一水平期間内において、反対極性の第3の電圧パ
ルスとそれに続く一方極性の第4の電圧パルスとを含
み、該第4の電圧パルスの波高値が該第3の電圧パルス
の波高値より大きい請求項1又は12記載の電気光学装
置。
13. The applied signal that does not invert the optical state of the pixel includes, within one horizontal period, a third voltage pulse of opposite polarity followed by a fourth voltage pulse of one polarity, and 13. The electro-optical device according to claim 1, wherein a peak value of the pulse is larger than a peak value of the third voltage pulse.
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