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JPH11163699A - Output buffer circuit - Google Patents

Output buffer circuit

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Publication number
JPH11163699A
JPH11163699A JP9330163A JP33016397A JPH11163699A JP H11163699 A JPH11163699 A JP H11163699A JP 9330163 A JP9330163 A JP 9330163A JP 33016397 A JP33016397 A JP 33016397A JP H11163699 A JPH11163699 A JP H11163699A
Authority
JP
Japan
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circuit
mos transistor
output
output buffer
type mos
Prior art date
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Granted
Application number
JP9330163A
Other languages
Japanese (ja)
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JP3654484B2 (en
Inventor
Kenji Nuga
謙治 奴賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kawasaki Steel Corp filed Critical Kawasaki Steel Corp
Priority to JP33016397A priority Critical patent/JP3654484B2/en
Publication of JPH11163699A publication Critical patent/JPH11163699A/en
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Publication of JP3654484B2 publication Critical patent/JP3654484B2/en
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an output buffer circuit capable of facilitating circuit design and effectively reducing noise. SOLUTION: This circuit is provided with the driver 14 of the output final stage of an open drain type. Further, it is provided with a charge-up circuit 16 for charging up a control signal line for controlling the ON/OFF of the driver 14 of the output final stage corresponding to output signals Vin from an internal circuit, a first discharge circuit 18 for discharging the control signal line exclusively of the charge-up circuit 16 corresponding to the output signals Vin from the internal circuit and at least one second discharge circuit 20 for discharging the control signal line exclusively of the charge-up circuit 16 by the control of the first discharge circuit 18.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、スルーレート制御
機能を有するオープンドレイン型あるいはオープンソー
ス型の出力バッファ回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an open drain type or open source type output buffer circuit having a slew rate control function.

【0002】[0002]

【従来の技術】GTL(ガニング・トランシーバ・ロジ
ック)やGTL+等の高速インターフェースでは、オー
プンドレイン型やオープンソース型の出力バッファ回路
が用いられている。このような高速の出力バッファ回路
においては、例えばオーバーシュートやリンギング等の
ノイズの発生を防止するために、スルーレート制御機能
を備えることが従来より公知である。以下、スルーレー
ト制御機能を有する従来の出力バッファ回路について説
明する。
2. Description of the Related Art High-speed interfaces such as GTL (Gunning Transceiver Logic) and GTL + use open-drain or open-source output buffer circuits. It is conventionally known that such a high-speed output buffer circuit has a slew rate control function in order to prevent generation of noise such as overshoot or ringing. Hereinafter, a conventional output buffer circuit having a slew rate control function will be described.

【0003】図4は、従来の出力バッファ回路の一例の
構成回路図である。同図に示す出力バッファ回路36
は、特開平4−225275号公報に開示のスルーレー
ト制御機能を有するオープンドレイン型の出力バッファ
回路であって、基本的に、プリドライバ38および出力
最終段のドライバ40を有する。また、プリドライバ3
8は、チャージアップ回路42、ディスチャージ回路4
4、フィードバック回路46を有する。
FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of a conventional output buffer circuit. The output buffer circuit 36 shown in FIG.
Is an open drain type output buffer circuit having a slew rate control function disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-225275, and basically includes a pre-driver 38 and a driver 40 at the final output stage. Also, pre-driver 3
8 is a charge-up circuit 42, a discharge circuit 4
4. It has a feedback circuit 46.

【0004】この出力バッファ回路36において、ま
ず、チャージアップ回路42は、内部回路からの出力信
号であるノードVinに応じて、出力最終段のドライバ
40のオンオフを制御するノードAをチャージアップす
るもので、図示例においては、P型MOSトランジスタ
(以下、PMOSという)48が用いられている。この
PMOS48のソースは電源に接続され、そのゲートは
ノードVinに接続され、そのドレインはノードAに接
続されている。
In the output buffer circuit 36, first, a charge-up circuit 42 charges up a node A for controlling on / off of a driver 40 at an output final stage according to a node Vin which is an output signal from an internal circuit. In the illustrated example, a P-type MOS transistor (hereinafter, referred to as PMOS) 48 is used. The source of the PMOS 48 is connected to the power supply, the gate is connected to the node Vin, and the drain is connected to the node A.

【0005】これに対して、ディスチャージ回路44
は、内部回路からの出力信号であるノードVinに応じ
て、上述するチャージアップ回路42とは排他的にノー
ドAをディスチャージするもので、図示例においては、
N型MOSトランジスタ(以下、NMOSという)50
が用いられている。このNMOS50のソースはグラン
ドに接続され、そのゲートはノードVinに接続され、
そのドレインはノードAに接続されている。
On the other hand, the discharge circuit 44
Discharges the node A exclusively from the above-described charge-up circuit 42 in accordance with a node Vin which is an output signal from an internal circuit. In the illustrated example,
N-type MOS transistor (hereinafter referred to as NMOS) 50
Is used. The source of the NMOS 50 is connected to the ground, the gate is connected to the node Vin,
Its drain is connected to node A.

【0006】また、フィードバック回路46は、出力最
終段のドライバ40の出力をノードAにフィードバック
するもので、図示例では、入出力端子(ソースまたはド
レイン)が出力端子VoutとノードAとの間に直列接
続された2つのNMOS52,54、および、ノードA
とノードB(NMOS54のゲート)との間に直列接続
された遅延回路となる2つのインバータ56,58を有
する。また、NMOS52のゲートはノードVinに接
続されている。
The feedback circuit 46 feeds back the output of the driver 40 at the final output stage to the node A. In the illustrated example, the input / output terminal (source or drain) is connected between the output terminal Vout and the node A. Two NMOSs 52 and 54 connected in series and a node A
And two inverters 56 and 58 serving as delay circuits connected in series between the inverter and a node B (gate of the NMOS 54). The gate of the NMOS 52 is connected to the node Vin.

【0007】出力最終段のドライバ40は、ノードAに
応じて出力端子Voutを駆動するもので、図示例で
は、オープンドレイン型のNMOS60が用いられてい
る。NMOS60のソースはグランドに接続され、その
ゲートはノードAに接続され、そのドレインは出力端子
Voutに接続されている。また、出力端子Voutは
終端抵抗Rtを介して終端電源VTTに接続され、出力
端子Voutが接続される伝送路34は所定の電位に終
端されている。
The driver 40 at the final output stage drives the output terminal Vout according to the node A. In the illustrated example, an open drain type NMOS 60 is used. The source of the NMOS 60 is connected to the ground, the gate is connected to the node A, and the drain is connected to the output terminal Vout. The output terminal Vout is connected to a terminating power supply VTT via a terminating resistor Rt, and the transmission line 34 to which the output terminal Vout is connected is terminated at a predetermined potential.

【0008】次に、図5に示すグラフを参照しながら、
この出力バッファ回路36の動作について説明する。こ
こで、図5のグラフは、出力最終段のドライバ40であ
るNMOS60がオンからオフに変化する場合のノード
Aの電位の変化を表すもので、図中縦軸はノードAの電
位(V)、横軸は時間(t)を示す。
Next, referring to the graph shown in FIG.
The operation of the output buffer circuit 36 will be described. Here, the graph of FIG. 5 shows a change in the potential of the node A when the NMOS 60, which is the driver 40 at the final output stage, changes from on to off. , The horizontal axis indicates time (t).

【0009】この出力バッファ回路36においては、ノ
ードVinがローレベルからハイレベルに遷移する時、
すなわち、出力端子Voutがローレベルからハイレベ
ルに遷移する時にスルーレート制御機能が動作する。図
示例の出力バッファ回路36において、まず、ノードV
inがローレベルの時は、チャージアップ回路42のP
MOS48がオン、ディスチャージ回路44のNMOS
50がオフになっている。
In the output buffer circuit 36, when the node Vin changes from low level to high level,
That is, the slew rate control function operates when the output terminal Vout changes from low level to high level. In the illustrated output buffer circuit 36, first, the node V
When in is at a low level, P
MOS 48 is on, NMOS of discharge circuit 44
50 is off.

【0010】すなわち、ノードAは、チャージアップ回
路42のPMOS48を介してチャージアップされ、出
力最終段のドライバ40であるNMOS60は完全にオ
ンしている。この時、出力端子Voutはローレベル、
すなわち、終端抵抗RtとNMOS60のオン抵抗との
抵抗分割によって決定される電位になっている。また、
ノードBもハイレベルとなっており、フィードバック回
路46のNMOS52はオフ、NMOS54はオンにな
っている。
That is, the node A is charged up through the PMOS 48 of the charge-up circuit 42, and the NMOS 60, which is the driver 40 at the final output stage, is completely turned on. At this time, the output terminal Vout is low level,
That is, the potential is determined by the resistance division of the terminating resistance Rt and the ON resistance of the NMOS 60. Also,
The node B is also at the high level, the NMOS 52 of the feedback circuit 46 is off, and the NMOS 54 is on.

【0011】この状態で、ノードVinがローレベルか
らハイレベルに遷移すると、チャージアップ回路42の
PMOS48がオフ、ディスチャージ回路44のNMO
S50、フィードバック回路46のNMOS52がオン
になる。この時、ノードAは、NMOS50を介してデ
ィスチャージされ、ハイレベルからローレベルに遷移す
るが、ノードBは、ノードAのローレベルがインバータ
56,58を経て伝搬する遅延時間の後、ハイレベルか
らローレベルに遷移する。
In this state, when the node Vin changes from the low level to the high level, the PMOS 48 of the charge-up circuit 42 is turned off, and the NMO of the discharge circuit 44 is turned off.
S50, the NMOS 52 of the feedback circuit 46 is turned on. At this time, the node A is discharged via the NMOS 50 and transitions from the high level to the low level. However, the node B changes from the high level after a delay time in which the low level of the node A propagates through the inverters 56 and 58. Transition to low level.

【0012】すなわち、遅延回路となるインバータ5
6,58の遅延時間に相当する時間(T)の間は、フィ
ードバック回路46のNMOS52,54がオンとな
り、出力端子VoutとノードAとが電気的に接続され
るため、ノードAは、終端抵抗RtとNMOS50,5
2,54のオン抵抗の抵抗分割によって決定される中間
電位(V0)となり、出力最終段のドライバ40である
NMOS60は完全にはオフしない。従って、NMOS
60は急激にはオフしない。
That is, the inverter 5 serving as a delay circuit
During a time (T) corresponding to the delay time of 6, 58, the NMOSs 52, 54 of the feedback circuit 46 are turned on and the output terminal Vout is electrically connected to the node A. Rt and NMOS50,5
The intermediate potential (V0) determined by the resistance division of the on-resistances of the transistors 2, 54 does not completely turn off the NMOS 60, which is the driver 40 at the final output stage. Therefore, NMOS
60 does not turn off suddenly.

【0013】インバータ56,58の遅延時間に相当す
る時間の後、ノードBがローレベルになると、フィード
バック回路46のNMOS54がオフとなり、出力端子
VoutとノードAとを接続するフィードバックの経路
が遮断される。このため、ノードAの電位は、ディスチ
ャージ回路44のNMOS50を介してディスチャージ
され、完全にローレベルとなるため、出力最終段のドラ
イバ40であるNMOS60は完全にオフする。
When the node B goes low after a time corresponding to the delay time of the inverters 56 and 58, the NMOS 54 of the feedback circuit 46 is turned off, and the feedback path connecting the output terminal Vout and the node A is cut off. You. Therefore, the potential of the node A is discharged via the NMOS 50 of the discharge circuit 44 and becomes completely low level, so that the NMOS 60 which is the driver 40 of the final output stage is completely turned off.

【0014】これにより、伝送路34はハイレベル、す
なわち、終端電源VTTおよび終端抵抗Rtによって所
定の電位にチャージアップされる。このように、図示例
の出力バッファ回路36によれば、フィードバック回路
46を備えていることにより、出力最終段のドライバ4
0であるNMOS60がオンからオフに遷移する時のオ
ーバーシュートやグランドバウンスを抑制することがで
きるとしている。
Thus, the transmission line 34 is charged to a high level, that is, charged up to a predetermined potential by the terminating power supply VTT and the terminating resistor Rt. As described above, according to the output buffer circuit 36 in the illustrated example, since the feedback circuit 46 is provided, the driver 4 at the final output stage is provided.
It is stated that overshoot and ground bounce when the NMOS 60 which is 0 transitions from on to off can be suppressed.

【0015】このように、出力バッファ回路36におい
ては、フィードバック回路46のインバータ56,58
の遅延時間を利用して、出力端子Voutを出力最終段
のドライバ40であるNMOS60のゲートに電気的に
接続し、フィードバックの経路を構成することによって
スルーレートを制御している。従って、出力バッファ回
路36においては、インバータ56,58の遅延時間の
調整が非常に重要である。
As described above, in the output buffer circuit 36, the inverters 56 and 58 of the feedback circuit 46 are provided.
The output terminal Vout is electrically connected to the gate of the NMOS 60, which is the driver 40 at the final output stage, by using the delay time of (1), and the slew rate is controlled by forming a feedback path. Therefore, in the output buffer circuit 36, the adjustment of the delay time of the inverters 56 and 58 is very important.

【0016】しかしながら、インバータ56,58の遅
延時間は、プロセス、電圧、温度等の変動の影響を受け
て大きく変動するため、十分なスルーレートの効果が得
られない場合があるという問題があった。また、出力端
子Voutの波形がノードAにフィードバックされるた
め、出力端子Voutに発生するノイズの影響を出力最
終段のドライバ40のNMOS60が受けてしまい、そ
れがまた新たなノイズを発生させてしまうという欠点も
あった。
However, since the delay times of the inverters 56 and 58 fluctuate greatly under the influence of fluctuations in process, voltage, temperature and the like, there is a problem that a sufficient slew rate effect may not be obtained. . Further, since the waveform of the output terminal Vout is fed back to the node A, the effect of noise generated at the output terminal Vout is received by the NMOS 60 of the driver 40 at the final stage of the output, which again generates new noise. There was also a disadvantage.

【0017】また、出力バッファ回路36においては、
フィードバックの経路が構成された時、適切なスルーレ
ート効果を得るためのノードAの抵抗分割による中間電
位を得るために、NMOS52,54のトランジスタサ
イズを比較的大きくする必要がある。従って、NMOS
52,54のゲート容量が大きくなり、インバータ58
やノードVinを駆動する内部回路の負荷容量が増大す
る等、回路設計が難しいという問題点もあった。
In the output buffer circuit 36,
When a feedback path is configured, the transistor size of the NMOSs 52 and 54 needs to be relatively large in order to obtain an intermediate potential by dividing the resistance of the node A to obtain an appropriate slew rate effect. Therefore, NMOS
The gate capacitances of the inverters 58 and 54 are increased.
There is also a problem that circuit design is difficult, for example, the load capacity of an internal circuit for driving the node Vin increases.

【0018】[0018]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
従来技術に基づく問題点をかえりみて、回路設計が容易
で、効果的にノイズを低減することができる出力バッフ
ァ回路を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an output buffer circuit in which the circuit design is easy and the noise can be effectively reduced in view of the problems based on the prior art. is there.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、スルーレート制御機能を有するオープン
ドレイン型の出力バッファ回路であって、前記オープン
ドレイン型の出力最終段のドライバと、内部回路からの
出力信号に応じて、前記出力最終段のドライバのオンオ
フを制御する制御信号線をチャージアップするチャージ
アップ回路と、前記内部回路からの出力信号に応じて、
前記チャージアップ回路とは排他的に前記制御信号線を
ディスチャージする第1のディスチャージ回路と、この
第1のディスチャージ回路の制御により、前記チャージ
アップ回路とは排他的に前記制御信号線をディスチャー
ジする少なくとも1つの第2のディスチャージ回路とを
有することを特徴とする出力バッファ回路を提供するも
のである。
In order to achieve the above object, the present invention provides an open drain type output buffer circuit having a slew rate control function, wherein the open drain type output last stage driver comprises: In response to an output signal from an internal circuit, a charge-up circuit that charges up a control signal line that controls on / off of the driver at the final stage of output, and in response to an output signal from the internal circuit,
A first discharge circuit for discharging the control signal line exclusively with the charge-up circuit, and at least discharging the control signal line exclusively with the charge-up circuit by controlling the first discharge circuit; And an output buffer circuit having one second discharge circuit.

【0020】ここで、前記第1のディスチャージ回路
は、ゲートに前記内部回路の出力信号が接続され、ドレ
インが前記制御信号線に接続された第1のN型MOSト
ランジスタと、この第1のN型MOSトランジスタのソ
ースに一方の端子が接続され、他方の端子がグランドに
接続された抵抗素子とを有し、前記第2のディスチャー
ジ回路は、ゲートが、このトランジスタが導通する電位
にバイアスされ、ソースが前記制御信号線に接続された
P型MOSトランジスタと、ゲートが前記第1のN型M
OSトランジスタと前記抵抗素子との接続点に接続さ
れ、ドレインが前記P型MOSトランジスタのドレイン
に接続され、ソースがグランドに接続された第2のN型
MOSトランジスタとを有するのが好ましい。
Here, in the first discharge circuit, a first N-type MOS transistor having a gate connected to an output signal of the internal circuit and a drain connected to the control signal line; A resistor element having one terminal connected to the source of the type MOS transistor and the other terminal connected to the ground, the second discharge circuit having a gate biased to a potential at which the transistor conducts; A source is a P-type MOS transistor connected to the control signal line, and a gate is the first N-type M transistor.
It is preferable to have a second N-type MOS transistor connected to a connection point between an OS transistor and the resistance element, a drain connected to the drain of the P-type MOS transistor, and a source connected to the ground.

【0021】また、前記抵抗素子は、ドレインが前記第
1のN型MOSトランジスタのソースに接続され、ソー
スがグランドに接続された常時オン状態のN型MOSト
ランジスタであるのが好ましい。
Further, it is preferable that the resistance element is an always-on N-type MOS transistor having a drain connected to a source of the first N-type MOS transistor and a source connected to the ground.

【0022】また、本発明は、スルーレート制御機能を
有するオープンソース型の出力バッファ回路であって、
前記オープンソース型の出力最終段のドライバと、内部
回路からの出力信号に応じて、前記出力最終段のドライ
バのオンオフを制御する制御信号線をディスチャージす
るディスチャージ回路と、前記内部回路からの出力信号
に応じて、前記ディスチャージ回路とは排他的に前記制
御信号線をチャージアップする第1のチャージアップ回
路と、この第1のチャージアップ回路の制御により、前
記ディスチャージ回路とは排他的に前記制御信号線をチ
ャージアップする少なくとも1つの第2のチャージアッ
プ回路とを有することを特徴とする出力バッファ回路を
提供するものである。
The present invention is also an open source type output buffer circuit having a slew rate control function,
A driver for the open-source type output final stage, a discharge circuit for discharging a control signal line for controlling on / off of the driver for the output final stage according to an output signal from an internal circuit, and an output signal from the internal circuit. A first charge-up circuit that charges up the control signal line exclusively with the discharge circuit, and the control signal is controlled exclusively by the first charge-up circuit so that the control signal line is exclusively used by the discharge circuit. At least one second charge-up circuit for charging up the line.

【0023】ここで、前記第1のチャージアップ回路
は、ゲートに前記内部回路の出力信号が接続され、ドレ
インが前記制御信号線に接続された第1のP型MOSト
ランジスタと、この第1のP型MOSトランジスタのソ
ースに一方の端子が接続され、他方の端子が電源に接続
された抵抗素子とを有し、前記第2のチャージアップ回
路は、ゲートが、このトランジスタが導通する電位にバ
イアスされ、ソースが前記制御信号線に接続されたN型
MOSトランジスタと、ゲートが前記第1のP型MOS
トランジスタと前記抵抗素子との接続点に接続され、ド
レインが前記N型MOSトランジスタのドレインに接続
され、ソースが電源に接続された第2のP型MOSトラ
ンジスタとを有するのが好ましい。
Here, the first charge-up circuit has a first P-type MOS transistor having a gate connected to an output signal of the internal circuit and a drain connected to the control signal line; A resistance element having one terminal connected to the source of the P-type MOS transistor and the other terminal connected to the power supply, wherein the second charge-up circuit has a gate biased to a potential at which the transistor conducts. A source is connected to the control signal line, an N-type MOS transistor, and a gate is the first P-type MOS transistor.
It is preferable to have a second P-type MOS transistor connected to a connection point between a transistor and the resistance element, a drain connected to a drain of the N-type MOS transistor, and a source connected to a power supply.

【0024】また、前記抵抗素子は、ドレインが前記第
1のP型MOSトランジスタのソースに接続され、ソー
スが電源に接続された常時オン状態のP型MOSトラン
ジスタであるのが好ましい。
Preferably, the resistance element is a normally-on P-type MOS transistor having a drain connected to a source of the first P-type MOS transistor and a source connected to a power supply.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下に、添付の図面に示す好適実
施例に基づいて、本発明の出力バッファ回路を詳細に説
明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an output buffer circuit according to the present invention will be described in detail based on a preferred embodiment shown in the accompanying drawings.

【0026】図1は、本発明の出力バッファ回路の一実
施例の構成回路図である。同図に示す出力バッファ回路
10は、例えばGTLやGTL+等の高速インターフェ
ースで用いられる、オープンドレイン型の出力バッファ
回路の一例を示すもので、基本的に、プリドライバ12
および出力最終段のドライバ14を有する。また、プリ
ドライバ12は、チャージアップ回路16、第1および
第2のディスチャージ回路18,20を有する。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of an output buffer circuit according to the present invention. The output buffer circuit 10 shown in FIG. 1 is an example of an open drain type output buffer circuit used in a high-speed interface such as GTL or GTL +.
And a driver 14 at the final output stage. The pre-driver 12 has a charge-up circuit 16 and first and second discharge circuits 18 and 20.

【0027】出力バッファ回路10において、まず、チ
ャージアップ回路16は、内部回路からの出力信号であ
るノードVinに応じて、出力最終段のドライバ14の
オンオフを制御するノード(制御信号線)Cをチャージ
アップするもので、図示例では、P型MOSトランジス
タ(以下、PMOSという)22が用いられている。こ
のPMOS22のソースは電源に接続され、そのゲート
はノードVinに接続され、そのドレインはノードCに
接続されている。
In the output buffer circuit 10, first, the charge-up circuit 16 sets a node (control signal line) C for controlling on / off of the driver 14 at the final output stage in accordance with a node Vin which is an output signal from an internal circuit. In the illustrated example, a P-type MOS transistor (hereinafter, referred to as PMOS) 22 is used for charging up. The source of the PMOS 22 is connected to the power supply, the gate is connected to the node Vin, and the drain is connected to the node C.

【0028】また、第1のディスチャージ回路18は、
ノードVinに応じて、チャージアップ回路16とは排
他的にノードCをディスチャージするもので、図示例で
は、2つのN型MOSトランジスタ(以下、NMOSと
いう)24,26を有する。NMOS26のソースはグ
ランドに接続され、そのゲートは電源に接続され、その
ドレインはNMOS24のソースに接続されている。ま
た、NMOS24のゲートはノードVinに接続され、
そのドレインはノードCに接続されている。
Further, the first discharge circuit 18
The charge-up circuit 16 discharges the node C exclusively in accordance with the node Vin, and includes two N-type MOS transistors (hereinafter, referred to as NMOS) 24 and 26 in the illustrated example. The source of the NMOS 26 is connected to the ground, the gate is connected to the power supply, and the drain is connected to the source of the NMOS 24. The gate of the NMOS 24 is connected to the node Vin,
Its drain is connected to node C.

【0029】第2のディスチャージ回路20は、第1の
ディスチャージ回路18の制御により、チャージアップ
回路16とは排他的にノードCをディスチャージするも
ので、図示例では、PMOS28およびNMOS30を
有する。NMOS30のソースはグランドに接続され、
そのゲートはノードD(NMOS26のドレイン)に接
続され、そのドレインはPMOS28のドレインに接続
されている。また、PMOS28のソースはノードCに
接続され、そのゲートはグランドに接続されている。
The second discharge circuit 20 discharges the node C exclusively from the charge-up circuit 16 under the control of the first discharge circuit 18, and has a PMOS 28 and an NMOS 30 in the illustrated example. The source of the NMOS 30 is connected to the ground,
Its gate is connected to the node D (the drain of the NMOS 26), and its drain is connected to the drain of the PMOS 28. The source of the PMOS 28 is connected to the node C, and the gate is connected to the ground.

【0030】出力最終段のドライバ14は、ノードCに
応じて出力端子Voutを駆動するもので、図示例で
は、オープンドレイン型のNMOS32が用いられてい
る。NMOS32のソースはグランドに接続され、その
ゲートはノードCに接続され、そのドレインは出力端子
Voutに接続されている。また、出力端子Voutは
終端抵抗Rtを介して終端電源VTTに接続され、出力
端子Voutが接続される伝送路34は、例えば1.2
〜2.0Vの電位に終端されている。
The driver 14 at the final output stage drives the output terminal Vout according to the node C. In the illustrated example, an open drain type NMOS 32 is used. The source of the NMOS 32 is connected to the ground, the gate is connected to the node C, and the drain is connected to the output terminal Vout. The output terminal Vout is connected to a terminal power supply VTT via a terminal resistor Rt, and the transmission line 34 to which the output terminal Vout is connected is, for example, 1.2.
It is terminated at a potential of ~ 2.0V.

【0031】なお、本発明は図示例のものに限定され
ず、例えば出力最終段のドライバ14であるNMOS3
2を複数のNMOSに分割した場合にも適用可能であ
る。また、チャージアップ回路16や第1および第2の
ディスチャージ回路18,20を複数に分割し、チャー
ジアップ回路16によるチャージアップの経路を2つ以
上に分けてもよいし、同じように第1および第2のディ
スチャージ回路18,20によるディスチャージの経路
を各々2つ以上に分けてもよい。
It should be noted that the present invention is not limited to the illustrated example.
This can be applied to a case where 2 is divided into a plurality of NMOSs. In addition, the charge-up circuit 16 and the first and second discharge circuits 18 and 20 may be divided into a plurality of parts, and the path of charge-up by the charge-up circuit 16 may be divided into two or more. The discharge paths of the second discharge circuits 18 and 20 may each be divided into two or more paths.

【0032】また、図示例では、第1のディスチャージ
回路18において、ゲートを電源に接続した常時オン状
態のNMOS26を用いているが、これに限定されず、
NMOS26の代わりに抵抗素子を用いることもでき
る。また、図示例では、第2のディスチャージ回路のP
MOS28のゲートをグランドに接続しているが、これ
に限定されず、PMOS28のゲートは、このPMOS
28が導通する電位にバイアスしてあればよい。
In the illustrated example, the first discharge circuit 18 uses the always-on NMOS 26 whose gate is connected to the power supply. However, the present invention is not limited to this.
A resistance element may be used instead of the NMOS 26. Further, in the illustrated example, P
Although the gate of the MOS 28 is connected to the ground, the present invention is not limited to this.
It suffices if the voltage is biased to a potential at which the transistor 28 conducts.

【0033】また、図示例では、オープンドレイン型の
出力バッファ回路の一例を示しているが、これに限定さ
れず、本発明は、オープンソース型の出力バッファ回路
にも適用可能である。例えば、図2に示すように、本発
明を適用するオープンソース型の出力バッファ回路は、
図1に示すオープンドレイン型の出力バッファ回路10
と比較して、電源とグランド、PMOSとNMOS、チ
ャージアップとディスチャージを逆にしたものとなる。
In the illustrated example, an example of an open drain type output buffer circuit is shown. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to an open source type output buffer circuit. For example, as shown in FIG. 2, an open source type output buffer circuit to which the present invention is applied
Open drain type output buffer circuit 10 shown in FIG.
, The power supply and ground, the PMOS and NMOS, and the charge-up and discharge are reversed.

【0034】本発明の出力バッファ回路10は、基本的
に以上のように構成される。次に、図3に示すグラフを
参照しながら、本発明の出力バッファ回路10の動作に
ついて説明する。ここで、図3のグラフは、出力最終段
のドライバ14であるNMOS32がオンからオフに変
化する場合のノードCの電位の変化を表すもので、図中
縦軸はノードCの電位(V)、横軸は時間(t)を示
す。
The output buffer circuit 10 of the present invention is basically configured as described above. Next, the operation of the output buffer circuit 10 of the present invention will be described with reference to the graph shown in FIG. Here, the graph of FIG. 3 shows a change in the potential of the node C when the NMOS 32 which is the driver 14 at the final stage of the output changes from on to off, and the vertical axis in the figure indicates the potential (V) of the node C. , The horizontal axis indicates time (t).

【0035】図示例の出力バッファ回路10において、
まず、ノードVinがローレベルの時は、チャージアッ
プ回路16のPMOS22がオン、第1のディスチャー
ジ回路18のNMOS24がオフになっている。また、
第1のディスチャージ回路18のNMOS26は常にオ
ンであるため、ノードDは、NMOS26を介してディ
スチャージされてローレベルであり、第2のディスチャ
ージ回路20のNMOS30はオフとなっている。
In the output buffer circuit 10 shown in FIG.
First, when the node Vin is at a low level, the PMOS 22 of the charge-up circuit 16 is on and the NMOS 24 of the first discharge circuit 18 is off. Also,
Since the NMOS 26 of the first discharge circuit 18 is always on, the node D is discharged via the NMOS 26 and is at a low level, and the NMOS 30 of the second discharge circuit 20 is off.

【0036】従って、ノードCはPMOS22を介して
チャージアップされ、出力最終段のドライバ14である
NMOS32は完全にオンしている。この時、出力端子
Voutはローレベル、すなわち、終端抵抗RtとNM
OS32のオン抵抗との抵抗分割によって決定される電
位、例えば0.1〜0.6Vとなっている。なお、第2
のディスチャージ回路20のPMOS28は、ノードC
がチャージアップされてPMOS28のしきい値電圧
(Vth)よりも高くなるとオンになる。
Accordingly, the node C is charged up through the PMOS 22, and the NMOS 32, which is the driver 14 at the final output stage, is completely turned on. At this time, the output terminal Vout is at low level, that is, the terminating resistance Rt and NM
The potential is determined by resistance division with the on-resistance of the OS 32, for example, 0.1 to 0.6V. The second
The PMOS 28 of the discharge circuit 20 is connected to the node C
Is turned on when it becomes higher than the threshold voltage (Vth) of the PMOS 28.

【0037】この状態で、ノードVinがローレベルか
らハイレベルに遷移すると、チャージアップ回路16の
PMOS22がオフ、第1のディスチャージ回路18の
NMOS24がオンとなり、ノードCは、まず、第1の
ディスチャージ回路18のNMOS24,26を介して
緩やかにディスチャージされる。この時、ノードDは、
NMOS24,26のオン抵抗の抵抗分割によって決定
される中間電位となり、第2のディスチャージ回路20
のNMOS30がオンする。
In this state, when the node Vin changes from the low level to the high level, the PMOS 22 of the charge-up circuit 16 is turned off, the NMOS 24 of the first discharge circuit 18 is turned on, and the node C is connected to the first discharge first. It is discharged slowly via the NMOSs 24 and 26 of the circuit 18. At this time, node D
The intermediate potential is determined by the resistance division of the on-resistance of the NMOSs 24 and 26, and the second discharge circuit 20
NMOS 30 is turned on.

【0038】第2のディスチャージ回路20のNMOS
30がオンすると、ノードCは、第1のディスチャージ
回路18に加えて、第2のディスチャージ回路20のP
MOS28およびNMOS30を介して高速にディスチ
ャージされる。その後、ノードCの電位がPMOS28
のしきい値電圧に近づくにつれて、PMOS28のオン
抵抗が高くなり、それと同時にNMOS30のゲート電
位が下がることでNMOS30のオン抵抗も高くなり、
第2のディスチャージ回路20を介して流れる電流量は
次第に減少する。
The NMOS of the second discharge circuit 20
When the node 30 is turned on, the node C is connected to the P of the second discharge circuit 20 in addition to the first discharge circuit 18.
Discharged at high speed via MOS 28 and NMOS 30. After that, the potential of the node C is
, The on-resistance of the PMOS 28 increases, and at the same time, the on-resistance of the NMOS 30 increases due to the decrease in the gate potential of the NMOS 30,
The amount of current flowing through the second discharge circuit 20 gradually decreases.

【0039】ノードCの電位がPMOS28のしきい値
電圧よりも低くなると、PMOS28がオフとなり、こ
れ以後、ノードCは、第1のディスチャージ回路18だ
けを介して再び緩やかにディスチャージされ、NMOS
32はオフになる。これにより、伝送路34は、終端抵
抗Rtによって所定の電位、例えば1.2〜2.0Vに
チャージアップされる。
When the potential of the node C becomes lower than the threshold voltage of the PMOS 28, the PMOS 28 is turned off. Thereafter, the node C is gradually discharged again only through the first discharge circuit 18, and the NMOS C is discharged.
32 turns off. Thereby, the transmission line 34 is charged up to a predetermined potential, for example, 1.2 to 2.0 V by the terminating resistor Rt.

【0040】このように、本発明の出力バッファ回路1
0においては、出力最終段のドライバ14であるNMO
S32のゲート電圧の変化に対してドレイン電流の変化
(ΔId/ΔVg)が最も大きくなるしきい値電圧付近
までは、第1および第2のディスチャージ回路18,2
0によってノードCを高速にディスチャージし、かつ、
しきい値電圧付近以降は、第1のディスチャージ回路1
8だけでノードCを緩やかにディスチャージして、出力
最終段のドライバ14をオフにしている。
As described above, the output buffer circuit 1 of the present invention
0, the output last stage driver 14
Until the change in drain current (ΔId / ΔVg) becomes close to the threshold voltage where the change in drain current is the largest with respect to the change in gate voltage in S32, the first and second discharge circuits 18 and 2
0 to quickly discharge node C, and
After the vicinity of the threshold voltage, the first discharge circuit 1
8, the node C is gently discharged to turn off the driver 14 at the final output stage.

【0041】従って、本発明の出力バッファ回路10に
よれば、出力バッファ回路の遅延時間の増大を最小限に
抑え、高速動作させることができ、かつ、オーバーシュ
ートやリンギング等のノイズの発生を防止することがで
きる。
Therefore, according to the output buffer circuit 10 of the present invention, an increase in the delay time of the output buffer circuit can be minimized, high-speed operation can be performed, and noise such as overshoot and ringing can be prevented. can do.

【0042】また、本発明の出力バッファ回路は、例え
ば図4に示す従来の出力バッファ回路36のように、出
力端子Voutを出力最終段のドライバのゲートにフィ
ードバックしていないため、外部のノイズの影響を受け
ることがないし、従来の出力バッファ回路36に比べ
て、フィードバックの経路や遅延回路等が必要ないた
め、回路設計が容易で、しかもプロセス、電圧、温度の
変動による影響を受けにくいという利点がある。
Further, the output buffer circuit of the present invention does not feed back the output terminal Vout to the gate of the driver at the output final stage as in the conventional output buffer circuit 36 shown in FIG. It is not affected, and has the advantage that it does not require a feedback path or a delay circuit as compared with the conventional output buffer circuit 36, so that circuit design is easy, and it is less susceptible to variations in process, voltage, and temperature. There is.

【0043】なお、第1のディスチャージ回路18の電
流駆動能力は、要求されるスルーレートに応じて適宜決
めればよく、第2のディスチャージ回路20の電流駆動
能力は、出力バッファ回路の遅延時間の増大を防ぐため
に大きく調整するのが好ましい。また、ゲート電圧の変
化に対してドレイン電流の変化が最も大きくなるゲート
電圧(ノードCの電位)に応じて、第2のディスチャー
ジ回路20のPMOS28のしきい値電圧を適宜調整し
てもよい。
The current driving capability of the first discharge circuit 18 may be appropriately determined according to the required slew rate, and the current driving capability of the second discharge circuit 20 is determined by increasing the delay time of the output buffer circuit. It is preferable to make a large adjustment in order to prevent this. Further, the threshold voltage of the PMOS 28 of the second discharge circuit 20 may be appropriately adjusted according to the gate voltage (potential of the node C) at which the change in the drain current becomes the largest with respect to the change in the gate voltage.

【0044】以上、本発明の出力バッファ回路について
詳細に説明したが、本発明は上記実施例に限定されず、
本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や
変更をしてもよいのはもちろんである。
Although the output buffer circuit of the present invention has been described in detail, the present invention is not limited to the above-described embodiment.
Of course, various improvements and modifications may be made without departing from the spirit of the present invention.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上詳細に説明した様に、本発明の出力
バッファ回路は、例えばオープンドレイン型の出力バッ
ファ回路の場合、基本的に、オープンドレイン型の出力
最終段のドライバと、内部回路からの出力信号に応じ
て、出力最終段のドライバのオンオフを制御する制御信
号線をチャージアップするチャージアップ回路と、内部
回路からの出力信号に応じて、チャージアップ回路とは
排他的に制御信号線をディスチャージする第1のディス
チャージ回路と、第1のディスチャージ回路の制御によ
り、チャージアップ回路とは排他的に制御信号線をディ
スチャージする少なくとも1つの第2のディスチャージ
回路とを備えるものである。本発明の出力バッファ回路
においては、出力最終段のドライバのゲート電圧の変化
に対してドレイン電流の変化が最も大きくなるしきい値
電圧付近までは、第1および第2のディスチャージ回路
によって制御信号線が高速にディスチャージされ、しき
い値電圧付近以降は、第1のディスチャージ回路だけで
制御信号線が緩やかにディスチャージされ、出力最終段
のドライバがオフする。本発明の出力バッファ回路によ
れば、回路設計が容易で、プロセス、電圧、温度の変動
による影響を受けにくく、例えば高速インターフェース
等においても、遅延時間の増大を最小限に抑えながら、
ノイズの発生を効果的に防止することができる。
As described above in detail, the output buffer circuit of the present invention basically includes, in the case of an open drain type output buffer circuit, a driver of an open drain type output last stage and an internal circuit. A charge-up circuit that charges up a control signal line that controls on / off of a driver at an output final stage according to an output signal of the output circuit, and a control signal line that is exclusively used as a charge-up circuit according to an output signal from an internal circuit , And at least one second discharge circuit that discharges a control signal line exclusively from the charge-up circuit under the control of the first discharge circuit. In the output buffer circuit according to the present invention, the control signal line is controlled by the first and second discharge circuits until the change in the drain current becomes close to the threshold voltage at which the change in the drain current becomes the largest with respect to the change in the gate voltage of the driver at the output final stage. Is discharged at a high speed, and after the vicinity of the threshold voltage, the control signal line is slowly discharged only by the first discharge circuit, and the driver at the final output stage is turned off. According to the output buffer circuit of the present invention, circuit design is easy, and it is hardly affected by fluctuations in process, voltage, and temperature. For example, even in a high-speed interface or the like, increase in delay time is minimized.
Generation of noise can be effectively prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の出力バッファ回路の一実施例の構成
回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram illustrating an output buffer circuit according to an embodiment of the present invention;

【図2】 本発明の出力バッファ回路の別の実施例の構
成回路図である。
FIG. 2 is a configuration circuit diagram of another embodiment of the output buffer circuit of the present invention.

【図3】 本発明の出力バッファ回路の動作を表す一実
施例のグラフである。
FIG. 3 is a graph showing an operation of the output buffer circuit according to the embodiment of the present invention.

【図4】 従来の出力バッファ回路の一例の構成回路図
である。
FIG. 4 is a circuit diagram illustrating an example of a conventional output buffer circuit.

【図5】 従来の出力バッファ回路の動作を表す一例の
グラフである。
FIG. 5 is a graph showing an example of the operation of a conventional output buffer circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,36 出力バッファ回路 12,38 プリドライバ 14,40 出力最終段のドライバ 16,42 チャージアップ回路 18,20,44 ディスチャージ回路 22,28,48 P型MOSトランジスタ(PMO
S) 24,26,30,32,50,52,54,60 N
型MOSトランジスタ(NMOS) 34 伝送路 Vin 内部回路からの出力信号 Vout 出力端子 VTT 終端電源 Rt 終端抵抗
10, 36 Output buffer circuit 12, 38 Pre-driver 14, 40 Last output stage driver 16, 42 Charge-up circuit 18, 20, 44 Discharge circuit 22, 28, 48 P-type MOS transistor (PMO
S) 24, 26, 30, 32, 50, 52, 54, 60 N
Type MOS transistor (NMOS) 34 Transmission line Vin Output signal from internal circuit Vout Output terminal VTT Termination power supply Rt Termination resistor

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】スルーレート制御機能を有するオープンド
レイン型の出力バッファ回路であって、 前記オープンドレイン型の出力最終段のドライバと、内
部回路からの出力信号に応じて、前記出力最終段のドラ
イバのオンオフを制御する制御信号線をチャージアップ
するチャージアップ回路と、前記内部回路からの出力信
号に応じて、前記チャージアップ回路とは排他的に前記
制御信号線をディスチャージする第1のディスチャージ
回路と、この第1のディスチャージ回路の制御により、
前記チャージアップ回路とは排他的に前記制御信号線を
ディスチャージする少なくとも1つの第2のディスチャ
ージ回路とを有することを特徴とする出力バッファ回
路。
1. An open drain type output buffer circuit having a slew rate control function, wherein the open drain type output last stage driver and the output last stage driver according to an output signal from an internal circuit. A charge-up circuit for charging up a control signal line for controlling on / off of the first circuit, and a first discharge circuit for discharging the control signal line exclusively with the charge-up circuit in response to an output signal from the internal circuit. By controlling the first discharge circuit,
An output buffer circuit, comprising: at least one second discharge circuit that discharges the control signal line exclusively with the charge-up circuit.
【請求項2】前記第1のディスチャージ回路は、ゲート
に前記内部回路の出力信号が接続され、ドレインが前記
制御信号線に接続された第1のN型MOSトランジスタ
と、この第1のN型MOSトランジスタのソースに一方
の端子が接続され、他方の端子がグランドに接続された
抵抗素子とを有し、 前記第2のディスチャージ回路は、ゲートが、このトラ
ンジスタが導通する電位にバイアスされ、ソースが前記
制御信号線に接続されたP型MOSトランジスタと、ゲ
ートが前記第1のN型MOSトランジスタと前記抵抗素
子との接続点に接続され、ドレインが前記P型MOSト
ランジスタのドレインに接続され、ソースがグランドに
接続された第2のN型MOSトランジスタとを有するこ
とを特徴とする請求項1に記載の出力バッファ回路。
A first N-type MOS transistor having a gate connected to an output signal of the internal circuit and a drain connected to the control signal line; and a first N-type MOS transistor having a drain connected to the control signal line. A resistor element having one terminal connected to the source of the MOS transistor and the other terminal connected to the ground, wherein the second discharge circuit has a gate biased to a potential at which the transistor conducts; Are connected to a connection point between the first N-type MOS transistor and the resistance element, and a drain is connected to a drain of the P-type MOS transistor. 2. The output buffer circuit according to claim 1, further comprising a second N-type MOS transistor having a source connected to the ground.
【請求項3】前記抵抗素子は、ドレインが前記第1のN
型MOSトランジスタのソースに接続され、ソースがグ
ランドに接続された常時オン状態のN型MOSトランジ
スタであることを特徴とする請求項2に記載の出力バッ
ファ回路。
3. The resistance element has a drain connected to the first N
3. The output buffer circuit according to claim 2, wherein the output buffer circuit is an N-type MOS transistor which is connected to the source of the type MOS transistor and whose source is connected to the ground, and which is always on.
【請求項4】スルーレート制御機能を有するオープンソ
ース型の出力バッファ回路であって、 前記オープンソース型の出力最終段のドライバと、内部
回路からの出力信号に応じて、前記出力最終段のドライ
バのオンオフを制御する制御信号線をディスチャージす
るディスチャージ回路と、前記内部回路からの出力信号
に応じて、前記ディスチャージ回路とは排他的に前記制
御信号線をチャージアップする第1のチャージアップ回
路と、この第1のチャージアップ回路の制御により、前
記ディスチャージ回路とは排他的に前記制御信号線をチ
ャージアップする少なくとも1つの第2のチャージアッ
プ回路とを有することを特徴とする出力バッファ回路。
4. An open source type output buffer circuit having a slew rate control function, wherein the open source type output last stage driver and the output last stage driver according to an output signal from an internal circuit. A discharge circuit that discharges a control signal line that controls on / off of a first charge-up circuit that charges up the control signal line exclusively with the discharge circuit in accordance with an output signal from the internal circuit; An output buffer circuit comprising: at least one second charge-up circuit that charges up the control signal line exclusively with the discharge circuit under the control of the first charge-up circuit.
【請求項5】前記第1のチャージアップ回路は、ゲート
に前記内部回路の出力信号が接続され、ドレインが前記
制御信号線に接続された第1のP型MOSトランジスタ
と、この第1のP型MOSトランジスタのソースに一方
の端子が接続され、他方の端子が電源に接続された抵抗
素子とを有し、 前記第2のチャージアップ回路は、ゲートが、このトラ
ンジスタが導通する電位にバイアスされ、ソースが前記
制御信号線に接続されたN型MOSトランジスタと、ゲ
ートが前記第1のP型MOSトランジスタと前記抵抗素
子との接続点に接続され、ドレインが前記N型MOSト
ランジスタのドレインに接続され、ソースが電源に接続
された第2のP型MOSトランジスタとを有することを
特徴とする請求項4に記載の出力バッファ回路。
5. The first charge-up circuit, wherein a first P-type MOS transistor having a gate connected to an output signal of the internal circuit and a drain connected to the control signal line; A resistor element having one terminal connected to the source of the type MOS transistor and the other terminal connected to a power supply, wherein the second charge-up circuit has a gate biased to a potential at which the transistor is conductive. An N-type MOS transistor having a source connected to the control signal line, a gate connected to a connection point between the first P-type MOS transistor and the resistance element, and a drain connected to a drain of the N-type MOS transistor 5. The output buffer circuit according to claim 4, further comprising a second P-type MOS transistor having a source connected to a power supply.
【請求項6】前記抵抗素子は、ドレインが前記第1のP
型MOSトランジスタのソースに接続され、ソースが電
源に接続された常時オン状態のP型MOSトランジスタ
であることを特徴とする請求項5に記載の出力バッファ
回路。
6. The resistance element has a drain connected to the first P
6. The output buffer circuit according to claim 5, wherein the output buffer circuit is a normally-on P-type MOS transistor connected to a source of the type MOS transistor and having a source connected to a power supply.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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