JPH11163183A - 電子部品 - Google Patents
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- JPH11163183A JPH11163183A JP9331986A JP33198697A JPH11163183A JP H11163183 A JPH11163183 A JP H11163183A JP 9331986 A JP9331986 A JP 9331986A JP 33198697 A JP33198697 A JP 33198697A JP H11163183 A JPH11163183 A JP H11163183A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 第１，第２のケース材を接合して密閉された
内部空間を構成してなる電子部品において、内部空間の
機密性に優れ、従って耐湿特性に優れた電子部品をう
る。 【解決手段】 少なくとも一方がメッキ可能な樹脂によ
り構成された第１，第２のケース材１，２を接合し、凹
部１ａにより密閉された内部空間を構成してなり、内部
空間に電極３ａ〜３ｃなどを有する回路が構成されてい
る電極において、第１，第２のケース材１，２の接合
を、第１のケース材１の接合面に形成されたメッキ層７
と、第２のケース材２の接合面に形成されたメッキ層８
とを半田層９を介して接合してなり、かつ内部の回路
を、貫通孔に半田が充填されたスルーホール電極６ａ〜
６ｆを介して外部電極５ａ〜５ｆに接続してなる電子部
品。
内部空間を構成してなる電子部品において、内部空間の
機密性に優れ、従って耐湿特性に優れた電子部品をう
る。 【解決手段】 少なくとも一方がメッキ可能な樹脂によ
り構成された第１，第２のケース材１，２を接合し、凹
部１ａにより密閉された内部空間を構成してなり、内部
空間に電極３ａ〜３ｃなどを有する回路が構成されてい
る電極において、第１，第２のケース材１，２の接合
を、第１のケース材１の接合面に形成されたメッキ層７
と、第２のケース材２の接合面に形成されたメッキ層８
とを半田層９を介して接合してなり、かつ内部の回路
を、貫通孔に半田が充填されたスルーホール電極６ａ〜
６ｆを介して外部電極５ａ〜５ｆに接続してなる電子部
品。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば圧電フィル
タ装置や半導体装置などのような封止パッケージ構造を
備えた電子部品に関し、より詳細には、複数のケース材
を接合することにより回路構成部分が密閉空間内に封止
されている構造を備えた電子部品の改良に関する。
タ装置や半導体装置などのような封止パッケージ構造を
備えた電子部品に関し、より詳細には、複数のケース材
を接合することにより回路構成部分が密閉空間内に封止
されている構造を備えた電子部品の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば圧電フィルタ装置や半導体装置な
どでは、電子部品素子を含む回路がケース内に封止され
ており、ケース外表面に形成された外部電極と電気的に
接続されている。この種のケース構造の一例が、実開平
４−１５２４３号公報に開示されている。
どでは、電子部品素子を含む回路がケース内に封止され
ており、ケース外表面に形成された外部電極と電気的に
接続されている。この種のケース構造の一例が、実開平
４−１５２４３号公報に開示されている。
【０００３】上記先行技術に記載のケース構造を、図１
１を参照して説明する。図１１に示すように、凹部５１
ａを有する樹脂ケース５１と、合成樹脂よりなる平板状
の蓋材５２とを用いてケースが構成されている。凹部５
１ａ内には、電子部品素子５３が固定されている。
１を参照して説明する。図１１に示すように、凹部５１
ａを有する樹脂ケース５１と、合成樹脂よりなる平板状
の蓋材５２とを用いてケースが構成されている。凹部５
１ａ内には、電子部品素子５３が固定されている。
【０００４】また、樹脂ケース５１には、金属端子５４
ａ〜５４ｄが取り付けられている。金属端子５４ａ〜５
４ｄは、それぞれ、凹部５１ａ内から樹脂ケース５１外
に引き出されている。これらの金属端子５４ａ〜５４ｄ
は、樹脂ケース５１を構成する樹脂と共にインサート成
形法により一体に形成されている。電子部品素子５３
は、ボンディングワイア５５ａ〜５５ｄにより、金属端
子５４ａ〜５４ｄに電気的に接続されている。
ａ〜５４ｄが取り付けられている。金属端子５４ａ〜５
４ｄは、それぞれ、凹部５１ａ内から樹脂ケース５１外
に引き出されている。これらの金属端子５４ａ〜５４ｄ
は、樹脂ケース５１を構成する樹脂と共にインサート成
形法により一体に形成されている。電子部品素子５３
は、ボンディングワイア５５ａ〜５５ｄにより、金属端
子５４ａ〜５４ｄに電気的に接続されている。
【０００５】他方、樹脂ケース５１の開口周辺の上面部
分には、メッキ層５６が形成されており、他方、蓋材５
２の下面にもメッキ層５７が形成されている。メッキ層
５６，５７は、半田５８により接合されている。
分には、メッキ層５６が形成されており、他方、蓋材５
２の下面にもメッキ層５７が形成されている。メッキ層
５６，５７は、半田５８により接合されている。
【０００６】すなわち、この先行技術に記載の電子部品
では、樹脂ケース５１と蓋材５２とが、それぞれの接合
面にメッキ層５６，５７を形成し、半田５８により接合
することにより、凹部５１ａ内が密閉されており、この
ような密閉構造を採用しているため、封止性に優れてい
るとされている。
では、樹脂ケース５１と蓋材５２とが、それぞれの接合
面にメッキ層５６，５７を形成し、半田５８により接合
することにより、凹部５１ａ内が密閉されており、この
ような密閉構造を採用しているため、封止性に優れてい
るとされている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属端
子５４ａ〜５４ｄは、インサート成形法により樹脂ケー
ス５１と一体に構成されているが、樹脂ケース５１と金
属端子５４ａ〜５４ｄとの界面の気密性が必ずしも十分
でなかった。従って、得られた電子部品の耐湿性は必ず
しも十分ではなかった。
子５４ａ〜５４ｄは、インサート成形法により樹脂ケー
ス５１と一体に構成されているが、樹脂ケース５１と金
属端子５４ａ〜５４ｄとの界面の気密性が必ずしも十分
でなかった。従って、得られた電子部品の耐湿性は必ず
しも十分ではなかった。
【０００８】本発明の目的は、複数のケース材を接合す
ることにより密閉空間が構成されている電子部品におい
て、密閉空間の封止性に優れており、十分な耐湿性を有
する電子部品を提供することにある。
ることにより密閉空間が構成されている電子部品におい
て、密閉空間の封止性に優れており、十分な耐湿性を有
する電子部品を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、第１，第２のケース材を接合することにより密閉空
間が構成されている電子部品であって、少なくとも一方
がメッキ可能な樹脂により構成されている第１，第２の
ケース材と、メッキ可能な樹脂よりなるケース材の接合
面に形成されているメッキ層と、第１，第２のケース材
を接合している半田層と、前記第１，第２のケース材の
少なくとも一方において前記密閉空間内に形成されてい
る回路と、メッキ可能な樹脂よりなるケース材に形成さ
れており、かつ一端が前記回路に接続されており、他端
がケース材外表面に至るように形成されているスルーホ
ール電極と、前記ケース材の外表面に形成されており前
記スルーホール電極に接続された外部電極とを備えるこ
とを特徴とする。
は、第１，第２のケース材を接合することにより密閉空
間が構成されている電子部品であって、少なくとも一方
がメッキ可能な樹脂により構成されている第１，第２の
ケース材と、メッキ可能な樹脂よりなるケース材の接合
面に形成されているメッキ層と、第１，第２のケース材
を接合している半田層と、前記第１，第２のケース材の
少なくとも一方において前記密閉空間内に形成されてい
る回路と、メッキ可能な樹脂よりなるケース材に形成さ
れており、かつ一端が前記回路に接続されており、他端
がケース材外表面に至るように形成されているスルーホ
ール電極と、前記ケース材の外表面に形成されており前
記スルーホール電極に接続された外部電極とを備えるこ
とを特徴とする。
【００１０】なお、本明細書において、上記回路とは、
複数の回路素子を接続して所定の機能を発揮するものに
限らず、１つの電子部品素子、例えば圧電共振子や半導
体素子を外部との接続のための電極に接続した構成をも
含むものとする。
複数の回路素子を接続して所定の機能を発揮するものに
限らず、１つの電子部品素子、例えば圧電共振子や半導
体素子を外部との接続のための電極に接続した構成をも
含むものとする。
【００１１】さらに、請求項２に記載のように、上記ス
ルーホール電極の貫通孔に半田が充填される。また、請
求項３に記載の発明は、第１，第２のケース材を接合す
ることにより密閉空間が構成されている電子部品であっ
て、少なくとも一方がメッキ可能な樹脂により構成され
ている第１，第２のケース材と、メッキ可能な樹脂より
なるケース材の接合面に形成されているメッキ層と、第
１，第２のケース材を接合している半田層と、前記第
１，第２のケース材の少なくとも一方において前記密閉
空間内に形成されている回路と、前記第１または第２の
ケース材のうちメッキ可能な樹脂より構成されているケ
ース材の外表面に形成されており、かつ回路を構成する
電極と、該ケース材を介して該電極に表裏対向されてい
る外部電極とを備え、ここでは回路が容量結合により前
記外部電極と接続されている。
ルーホール電極の貫通孔に半田が充填される。また、請
求項３に記載の発明は、第１，第２のケース材を接合す
ることにより密閉空間が構成されている電子部品であっ
て、少なくとも一方がメッキ可能な樹脂により構成され
ている第１，第２のケース材と、メッキ可能な樹脂より
なるケース材の接合面に形成されているメッキ層と、第
１，第２のケース材を接合している半田層と、前記第
１，第２のケース材の少なくとも一方において前記密閉
空間内に形成されている回路と、前記第１または第２の
ケース材のうちメッキ可能な樹脂より構成されているケ
ース材の外表面に形成されており、かつ回路を構成する
電極と、該ケース材を介して該電極に表裏対向されてい
る外部電極とを備え、ここでは回路が容量結合により前
記外部電極と接続されている。
【００１２】請求項４に記載の発明では、上記回路がメ
ッキにより形成された電極及び配線パターンを含む。ま
た、請求項５に記載の発明では、上記回路が、上記密閉
空間に配置された電子部品素子を含む。
ッキにより形成された電極及び配線パターンを含む。ま
た、請求項５に記載の発明では、上記回路が、上記密閉
空間に配置された電子部品素子を含む。
【００１３】請求項６に記載の発明では、メッキ可能な
樹脂よりなるケース材が誘電体からなり、回路を構成す
る電極と、該電極と誘電体層を介して重なり合うように
形成された容量取出し電極とを有するため、上記電極及
び容量取出し電極によりコンデンサが構成される。
樹脂よりなるケース材が誘電体からなり、回路を構成す
る電極と、該電極と誘電体層を介して重なり合うように
形成された容量取出し電極とを有するため、上記電極及
び容量取出し電極によりコンデンサが構成される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の非限定的な実施例
を挙げることにより、本発明を明らかにする。
を挙げることにより、本発明を明らかにする。
【００１５】図１は、本発明の第１の実施例に係る電子
部品を説明するための分解斜視図である。本発明の電子
部品では、矩形の凹部１ａを有する第１のケース材１
と、凹部１ａを密閉するために第１のケース材１に接合
される平板状の第２のケース材２とを有する。
部品を説明するための分解斜視図である。本発明の電子
部品では、矩形の凹部１ａを有する第１のケース材１
と、凹部１ａを密閉するために第１のケース材１に接合
される平板状の第２のケース材２とを有する。
【００１６】第１のケース材１は、合成樹脂により構成
されており、かつ後述するメッキ部分において表面がメ
ッキ可能なように処理されている。第１のケース材１を
構成するための合成樹脂については、特に限定されるわ
けではなく、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂の何れを用
いてもよい。好ましくは、リフロー半田法による半田付
けに際しての耐熱性を考慮したエンジニアリングプラス
チックを用いて図１のケース材１を構成することが望ま
しい。
されており、かつ後述するメッキ部分において表面がメ
ッキ可能なように処理されている。第１のケース材１を
構成するための合成樹脂については、特に限定されるわ
けではなく、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂の何れを用
いてもよい。好ましくは、リフロー半田法による半田付
けに際しての耐熱性を考慮したエンジニアリングプラス
チックを用いて図１のケース材１を構成することが望ま
しい。
【００１７】上記エンジニアリングプラスチックとして
は、例えば、液晶ポリマー、ポリフェニレンサルファイ
ド、エポキシなどを例示することができる。上記熱可塑
性樹脂もしくは熱硬化性樹脂をメッキ可能とするには、
これらの樹脂にメッキ可能とするためのパラジウム触媒
を混練し、ケース材１を成形してもよく、あるいはケー
ス材１の要メッキ部分をパラジウムなどの触媒により処
理してもよい。
は、例えば、液晶ポリマー、ポリフェニレンサルファイ
ド、エポキシなどを例示することができる。上記熱可塑
性樹脂もしくは熱硬化性樹脂をメッキ可能とするには、
これらの樹脂にメッキ可能とするためのパラジウム触媒
を混練し、ケース材１を成形してもよく、あるいはケー
ス材１の要メッキ部分をパラジウムなどの触媒により処
理してもよい。
【００１８】また、第１のケース材１は、平面形状が矩
形であり、かつ内部に矩形の凹部１ａを有するが、第１
のケース材１及び凹部１ａの平面形状については特に限
定されず、円形や、矩形以外の他の多角形状としてもよ
い。
形であり、かつ内部に矩形の凹部１ａを有するが、第１
のケース材１及び凹部１ａの平面形状については特に限
定されず、円形や、矩形以外の他の多角形状としてもよ
い。
【００１９】第１のケース材１の凹部１ａ内において
は、複数の電極３ａ〜３ｃ及び接続電極３ｄ〜３ｆなど
が形成されている。これらの電極３ａ〜３ｃ及び接続電
極３ｄ〜３ｆなどが、凹部１ａの底面１ａ 1 上にメッキ
法により形成されている。また、これらの電極３ａ〜３
ｃ及び接続電極３ｄ〜３ｆなどにより、所望とする回路
が構成されている。
は、複数の電極３ａ〜３ｃ及び接続電極３ｄ〜３ｆなど
が形成されている。これらの電極３ａ〜３ｃ及び接続電
極３ｄ〜３ｆなどが、凹部１ａの底面１ａ 1 上にメッキ
法により形成されている。また、これらの電極３ａ〜３
ｃ及び接続電極３ｄ〜３ｆなどにより、所望とする回路
が構成されている。
【００２０】図２は、第１のケース材１を下面側から見
た斜視図である。図１及び図２から明らかなように、第
１のケース材１の側面１ｂ，１ｃにおいては、中間高さ
位置から下面１ｄに至るように、複数の切欠４ａ〜４ｆ
が形成されている。切欠４ａ〜４ｄ内には、それぞれ、
外部電極５ａ〜５ｆが形成されている。外部電極５ａ〜
５ｆは、切欠４ａ〜４ｆ内から、ケース材１の下面１ｄ
に至るように形成されている。
た斜視図である。図１及び図２から明らかなように、第
１のケース材１の側面１ｂ，１ｃにおいては、中間高さ
位置から下面１ｄに至るように、複数の切欠４ａ〜４ｆ
が形成されている。切欠４ａ〜４ｄ内には、それぞれ、
外部電極５ａ〜５ｆが形成されている。外部電極５ａ〜
５ｆは、切欠４ａ〜４ｆ内から、ケース材１の下面１ｄ
に至るように形成されている。
【００２１】また、外部電極５ａ〜５ｆの下面１ｄに至
っている部分と、前述した凹部１ａ内に形成された電極
３ａ〜３ｃ及び接続電極３ｄ〜３ｆなどが、スルーホー
ル電極６ａ〜６ｆにより電気的に接続されている。
っている部分と、前述した凹部１ａ内に形成された電極
３ａ〜３ｃ及び接続電極３ｄ〜３ｆなどが、スルーホー
ル電極６ａ〜６ｆにより電気的に接続されている。
【００２２】すなわち、上記電極３ａ〜３ｃ及び接続電
極３ｄ〜３ｆなどで構成される回路は、上記スルーホー
ル電極６ａ〜６ｆを介して外部電極５ａ〜５ｆに接続さ
れていることにより、ケース外に引き出されている。
極３ｄ〜３ｆなどで構成される回路は、上記スルーホー
ル電極６ａ〜６ｆを介して外部電極５ａ〜５ｆに接続さ
れていることにより、ケース外に引き出されている。
【００２３】なお、スルーホール電極６ａ〜６ｆは、第
１のケース材１の凹部１ａの底面１ａ1 と下面１ｄとを
貫くように形成された貫通孔の内周面に導電膜をメッキ
により形成することにより構成されている。該スルーホ
ール電極形成後の貫通孔に、さらに半田が充填され、そ
れによって密封性が高められる。
１のケース材１の凹部１ａの底面１ａ1 と下面１ｄとを
貫くように形成された貫通孔の内周面に導電膜をメッキ
により形成することにより構成されている。該スルーホ
ール電極形成後の貫通孔に、さらに半田が充填され、そ
れによって密封性が高められる。
【００２４】図１に戻り、第１のケース材１の凹部１ａ
周辺の矩形枠状の接合面には、メッキ層７が形成されて
いる。他方、第２のケース材２は、本実施例では矩形板
状の合成樹脂板により構成されている。この第２のケー
ス材２を構成する合成樹脂についても、メッキ可能であ
れば熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂の何れを用いてもよ
い。耐熱性を考慮した液晶ポリマーやポリフェニレンサ
ルファイド、エポキシなどのエンジニアリングプラスチ
ックを用いることが望ましい。
周辺の矩形枠状の接合面には、メッキ層７が形成されて
いる。他方、第２のケース材２は、本実施例では矩形板
状の合成樹脂板により構成されている。この第２のケー
ス材２を構成する合成樹脂についても、メッキ可能であ
れば熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂の何れを用いてもよ
い。耐熱性を考慮した液晶ポリマーやポリフェニレンサ
ルファイド、エポキシなどのエンジニアリングプラスチ
ックを用いることが望ましい。
【００２５】また、第２のケース材２についても、第１
のケース材１に形成されているメッキ層７に対応する位
置に矩形枠状にメッキ層８が第２のケース材２の下面に
形成されている。従って、第２のケース材２について
も、メッキ層８を形成し得るように、触媒等により表面
が電気メッキ可能に処理されている。
のケース材１に形成されているメッキ層７に対応する位
置に矩形枠状にメッキ層８が第２のケース材２の下面に
形成されている。従って、第２のケース材２について
も、メッキ層８を形成し得るように、触媒等により表面
が電気メッキ可能に処理されている。
【００２６】メッキ層７とメッキ層８とが、半田層９に
より接合され、それによって図３に示す本実施例の電子
部品１０が得られる。なお、第２のケース材２について
は、ステンレスやアルミニウムなどの金属により構成し
てもよく、その場合には、第２のケース材２の下面にメ
ッキ層８を形成する必要はない。すなわち、本発明にお
いては、第１，第２のケース材１，２の少なくとも一方
がメッキ可能な樹脂により構成されておればよく、他方
についてはメッキ可能な樹脂ではなく、金属により構成
してもよい。
より接合され、それによって図３に示す本実施例の電子
部品１０が得られる。なお、第２のケース材２について
は、ステンレスやアルミニウムなどの金属により構成し
てもよく、その場合には、第２のケース材２の下面にメ
ッキ層８を形成する必要はない。すなわち、本発明にお
いては、第１，第２のケース材１，２の少なくとも一方
がメッキ可能な樹脂により構成されておればよく、他方
についてはメッキ可能な樹脂ではなく、金属により構成
してもよい。
【００２７】本実施例の電子部品１０では、第１，第２
のケース材１，２を半田層９を用いて接合することよ
り、回路を収納した密閉空間が構成され、メッキ層７，
８及び半田層９により第１，第２のケース材１，２を接
合しているため、内部空間の密閉性を効果的に高め得
る。
のケース材１，２を半田層９を用いて接合することよ
り、回路を収納した密閉空間が構成され、メッキ層７，
８及び半田層９により第１，第２のケース材１，２を接
合しているため、内部空間の密閉性を効果的に高め得
る。
【００２８】加えて、実開平４−１５２４３号公報に開
示されている電子部品では、内部の回路と外部電極とを
金属端子５４ａ〜５４ｄで接続していたため、樹脂と金
属端子との界面により密閉性が損なわれていたのに対
し、本発明は、上記スルーホール電極６ａ〜６ｆを用い
ているため、スルーホール電極６ａ〜６ｆに半田を充填
することにより、内部の回路とケース外に引き出す部分
における密閉性を高められる。
示されている電子部品では、内部の回路と外部電極とを
金属端子５４ａ〜５４ｄで接続していたため、樹脂と金
属端子との界面により密閉性が損なわれていたのに対
し、本発明は、上記スルーホール電極６ａ〜６ｆを用い
ているため、スルーホール電極６ａ〜６ｆに半田を充填
することにより、内部の回路とケース外に引き出す部分
における密閉性を高められる。
【００２９】また、本実施例では、上記凹部１ａにおい
て底面１ａ1 に形成される電極３ａ〜３ｃ及び接続電極
３ｄ〜３ｆなどがメッキにより構成されている。従っ
て、これらの回路を構成する電極３ａ〜３ｆ等とメッキ
層７とを、アディティブ法あるいはサブトラクティブ法
により同一工程により形成することができる。このアデ
ィティブ法及びサブトラクティブ法を、図４及び図５を
参照して説明する。
て底面１ａ1 に形成される電極３ａ〜３ｃ及び接続電極
３ｄ〜３ｆなどがメッキにより構成されている。従っ
て、これらの回路を構成する電極３ａ〜３ｆ等とメッキ
層７とを、アディティブ法あるいはサブトラクティブ法
により同一工程により形成することができる。このアデ
ィティブ法及びサブトラクティブ法を、図４及び図５を
参照して説明する。
【００３０】図４（ａ）〜（ｃ）は、アディティブ法に
より第１のケース材１上に電極３ａ〜３ｃなどを形成す
る工程を説明するための略図的平面図であり、図４
（ｃ）に示す電極３ｇの形成工程を説明する。凹部１ａ
の底面１ａ1 上に、電極３ｇなどの導電膜形成部分以外
の部分に印刷またはフォトエッチングによりレジスト材
１１を塗布する。
より第１のケース材１上に電極３ａ〜３ｃなどを形成す
る工程を説明するための略図的平面図であり、図４
（ｃ）に示す電極３ｇの形成工程を説明する。凹部１ａ
の底面１ａ1 上に、電極３ｇなどの導電膜形成部分以外
の部分に印刷またはフォトエッチングによりレジスト材
１１を塗布する。
【００３１】次に、図４（ｂ）に示すように、凹部１ａ
の底面１ａ1 上に、無電解メッキにより、電極３ｇの平
面形状となるようにメッキ層を形成する。この場合、レ
ジスト１１上にはメッキ膜は付差しない。
の底面１ａ1 上に、無電解メッキにより、電極３ｇの平
面形状となるようにメッキ層を形成する。この場合、レ
ジスト１１上にはメッキ膜は付差しない。
【００３２】次に、電極３ｇを形成した後、レジスト１
１及びレジスト１１上のメッキ膜部分を除去する。この
ようにして、図４（ｃ）に示すように、凹部１ａの底面
１ａ 1 上に電極３ｇを形成することができる。
１及びレジスト１１上のメッキ膜部分を除去する。この
ようにして、図４（ｃ）に示すように、凹部１ａの底面
１ａ 1 上に電極３ｇを形成することができる。
【００３３】サブトラクティブ法では、図５（ａ）〜
（ｃ）に示すように、凹部１ａの底面１ａ1 の全面に無
電解メッキにより導電膜１３を形成する。次に、例えば
電極３ｇ（図５（ｄ）参照）のような回路を構成するた
めの導電膜の形成が必要な部分に、レジスト１４をフォ
ト印刷またはフォトエッチングにより付与する（図５
（ｂ））。しかる後、回路構成部分以外の導電膜１３を
強酸などのエッチャントを用いて除去し（図５
（ｃ））、さらに電極３ｇ上のレジスト１４を剥離する
ことにより、図５（ｄ）に示すように電極３ｇを形成す
ることができる。
（ｃ）に示すように、凹部１ａの底面１ａ1 の全面に無
電解メッキにより導電膜１３を形成する。次に、例えば
電極３ｇ（図５（ｄ）参照）のような回路を構成するた
めの導電膜の形成が必要な部分に、レジスト１４をフォ
ト印刷またはフォトエッチングにより付与する（図５
（ｂ））。しかる後、回路構成部分以外の導電膜１３を
強酸などのエッチャントを用いて除去し（図５
（ｃ））、さらに電極３ｇ上のレジスト１４を剥離する
ことにより、図５（ｄ）に示すように電極３ｇを形成す
ることができる。
【００３４】なお、図４及び図５では、電極３ｇの形成
工程を説明したが、同一工程において、電極３ａ〜３ｆ
並びにメッキ層７を形成することができる。従って、本
実施例の電子部品では、上記のようにメッキ層７の形成
に際し、密閉空間内に構成される回路も同一工程で形成
することができる。
工程を説明したが、同一工程において、電極３ａ〜３ｆ
並びにメッキ層７を形成することができる。従って、本
実施例の電子部品では、上記のようにメッキ層７の形成
に際し、密閉空間内に構成される回路も同一工程で形成
することができる。
【００３５】上記メッキに際し、電極３ａ〜３ｃ、接続
電極３ｄ〜３ｆ及びメッキ層７を構成する材料について
も特に限定されず、適宜の導電性材料を用いることがで
きる。好ましくは、Ｃｕを全面にメッキした後、パター
ニングし、パターニング後にＮｉ及びＡｕメッキ層をそ
れぞれ積層形成し、Ｃｕメッキ層をＮｉメッキ層及びＡ
ｕメッキ層を積層した構造としてもよい。
電極３ｄ〜３ｆ及びメッキ層７を構成する材料について
も特に限定されず、適宜の導電性材料を用いることがで
きる。好ましくは、Ｃｕを全面にメッキした後、パター
ニングし、パターニング後にＮｉ及びＡｕメッキ層をそ
れぞれ積層形成し、Ｃｕメッキ層をＮｉメッキ層及びＡ
ｕメッキ層を積層した構造としてもよい。
【００３６】加えて、上記電子部品では、凹部１ａ内
に、上記電極３ａ〜３ｃ及び接続電極３ｄ〜３ｆにより
回路が構成されていたが、さらに、例えば圧電共振素子
や積層コンデンサなどの他の電子部品素子を凹部１ａの
底面１ａ1 に実装して、回路を構成してもよい。
に、上記電極３ａ〜３ｃ及び接続電極３ｄ〜３ｆにより
回路が構成されていたが、さらに、例えば圧電共振素子
や積層コンデンサなどの他の電子部品素子を凹部１ａの
底面１ａ1 に実装して、回路を構成してもよい。
【００３７】図６は、本発明の第２の実施例に係る電子
部品を説明するための断面図である。この電子部品で
は、メッキ可能な合成樹脂よりなり、かつ凹部２１ａを
有する第１のケース材２１と、平板状の第２のケース材
２２とによりケースが構成されている。ここでは、第１
のケース材２１の凹部２１ａにおいて、電極２３ａ〜２
３ｃが底面２１ａ1 上に形成されており、かつ電子部品
素子として圧電共振素子２３ｄが取り付けられて、回路
が構成されている。これらの電極２３ａ〜２３ｃのう
ち、電極２３ａ，２３ｃが、外部との接続のための電極
を構成している。
部品を説明するための断面図である。この電子部品で
は、メッキ可能な合成樹脂よりなり、かつ凹部２１ａを
有する第１のケース材２１と、平板状の第２のケース材
２２とによりケースが構成されている。ここでは、第１
のケース材２１の凹部２１ａにおいて、電極２３ａ〜２
３ｃが底面２１ａ1 上に形成されており、かつ電子部品
素子として圧電共振素子２３ｄが取り付けられて、回路
が構成されている。これらの電極２３ａ〜２３ｃのう
ち、電極２３ａ，２３ｃが、外部との接続のための電極
を構成している。
【００３８】また、第１のケース材２１の下面には、電
極２３ａ，２３ｃとケース材を介して表裏対向するよう
に外部電極２４ａ，２４ｂが形成されている。第１のケ
ース材２１が合成樹脂、すなわち絶縁性材料で構成され
ているため、電極２３ａ，２３ｃと、外部電極２４ａ，
２４ｂとで、それぞれ、コンデンサが構成されている。
すなわち、電極２３ａ，２３ｃは、それぞれ、外部電極
２４ａ，２４ｂと容量結合されている。
極２３ａ，２３ｃとケース材を介して表裏対向するよう
に外部電極２４ａ，２４ｂが形成されている。第１のケ
ース材２１が合成樹脂、すなわち絶縁性材料で構成され
ているため、電極２３ａ，２３ｃと、外部電極２４ａ，
２４ｂとで、それぞれ、コンデンサが構成されている。
すなわち、電極２３ａ，２３ｃは、それぞれ、外部電極
２４ａ，２４ｂと容量結合されている。
【００３９】本実施例の電子部品では、使用に際して
は、上記外部電極２４ａ，２４ｂがプリント回路基板な
どの電極ランドに接続される。このように、第１，第２
のケース材にスルーホール電極を設ける代わりに、容量
結合を利用することにより、第１，第２のケース材２
１，２２内の内部空間に構成された回路を外部と電気的
に接続してもよい。
は、上記外部電極２４ａ，２４ｂがプリント回路基板な
どの電極ランドに接続される。このように、第１，第２
のケース材にスルーホール電極を設ける代わりに、容量
結合を利用することにより、第１，第２のケース材２
１，２２内の内部空間に構成された回路を外部と電気的
に接続してもよい。
【００４０】本実施例の電子部品においては、上記容量
結合を利用して外部と接続する回路として、図７（ａ）
に示す回路パターンが、凹部２１ａの底面２１ａ1 上に
形成されている。また、この回路パターンにより構成さ
れる回路を図７（ｂ）に示す。図７（ｂ）から明らかな
ように、圧電共振素子２３ｄが上記容量結合により外部
電極２４ａ，２４ｂに接続されており、それによって、
この部分で容量内蔵型圧電共振子が構成されている。
結合を利用して外部と接続する回路として、図７（ａ）
に示す回路パターンが、凹部２１ａの底面２１ａ1 上に
形成されている。また、この回路パターンにより構成さ
れる回路を図７（ｂ）に示す。図７（ｂ）から明らかな
ように、圧電共振素子２３ｄが上記容量結合により外部
電極２４ａ，２４ｂに接続されており、それによって、
この部分で容量内蔵型圧電共振子が構成されている。
【００４１】第２の実施例の電子部品において、第１，
第２のケース材２１，２２の接合構造については、第１
の実施例の電子部品と同様である。従って、第２の実施
例に係る電子部品においても、第１，第２のケース材２
１，２２で構成される内部空間の密封性が高められると
共に、外部との接続のために上記容量結合を利用してい
るため、外部電極との接続構造による密閉性の低下も生
じない。
第２のケース材２１，２２の接合構造については、第１
の実施例の電子部品と同様である。従って、第２の実施
例に係る電子部品においても、第１，第２のケース材２
１，２２で構成される内部空間の密封性が高められると
共に、外部との接続のために上記容量結合を利用してい
るため、外部電極との接続構造による密閉性の低下も生
じない。
【００４２】（変形例）第１の実施例では、第１のケー
ス材として、上方に開いた凹部１ａを有する第１のケー
ス材１を用いたが、図８に示すように、平板状の第１の
ケース材３１に、回路を構成するための電極３３ａ〜３
３ｃを形成し、下方に開いた開口３２ａを有する第２の
ケース材３２を接合した構造であってもよい。図８に示
す電子部品においても、第１，第２のケース材３１，３
２の接合は、メッキ可能な合成樹脂よりなる第１のケー
ス材３１の上面にメッキ層３４を形成し、メッキ可能な
合成樹脂よりなる第２のケース材３２の下方開口周辺の
接合面にメッキ層３５を形成し、両メッキ層３４，３５
を半田層３６で接合することにより行われている。
ス材として、上方に開いた凹部１ａを有する第１のケー
ス材１を用いたが、図８に示すように、平板状の第１の
ケース材３１に、回路を構成するための電極３３ａ〜３
３ｃを形成し、下方に開いた開口３２ａを有する第２の
ケース材３２を接合した構造であってもよい。図８に示
す電子部品においても、第１，第２のケース材３１，３
２の接合は、メッキ可能な合成樹脂よりなる第１のケー
ス材３１の上面にメッキ層３４を形成し、メッキ可能な
合成樹脂よりなる第２のケース材３２の下方開口周辺の
接合面にメッキ層３５を形成し、両メッキ層３４，３５
を半田層３６で接合することにより行われている。
【００４３】また、第２のケース材３２として、金属キ
ャップを用いる場合には、第２のケース材３２側のメッ
キ層３５を形成せずともよい。さらに、第１のケース材
２１内には、電極３３ｂと樹脂層（誘電体層）を介して
重なり合うように、内部電極３３ｄが形成されて、コン
デンサが構成されている。内部電極３３ｄはスルーホー
ル電極６ａに接続されている。
ャップを用いる場合には、第２のケース材３２側のメッ
キ層３５を形成せずともよい。さらに、第１のケース材
２１内には、電極３３ｂと樹脂層（誘電体層）を介して
重なり合うように、内部電極３３ｄが形成されて、コン
デンサが構成されている。内部電極３３ｄはスルーホー
ル電極６ａに接続されている。
【００４４】また、図９に示す変形例のように、第１，
第２のケース材３７，３８の何れについても、相手方に
向かって開いた凹部３７ａ，３８ａを有する第１，第２
のケース材３７，３８を用いてもよい。
第２のケース材３７，３８の何れについても、相手方に
向かって開いた凹部３７ａ，３８ａを有する第１，第２
のケース材３７，３８を用いてもよい。
【００４５】さらに、図１０に示すように、第１のケー
ス材１に代えて、上方に開いた凹部３９ａを有するだけ
でなく、下方に開いた凹部３９ｂをも有する第１のケー
ス材３９を用いてもよい。この場合、第１のケース材３
９の下方に凹部３９ｂが形成されているため、スルーホ
ール電極６ａ，６ｄに接続された外部電極４０ａ，４０
ｂは、第１のケース材３９の凹部３９ｂの側壁３９ｃの
外側面に至るように延ばされている。なお、ケース材３
９の上方の接合面にはメッキ層４２が形成されている。
また、第２のケース材４１は金属板により構成されてい
るため、半田層４３に直接接合されている。
ス材１に代えて、上方に開いた凹部３９ａを有するだけ
でなく、下方に開いた凹部３９ｂをも有する第１のケー
ス材３９を用いてもよい。この場合、第１のケース材３
９の下方に凹部３９ｂが形成されているため、スルーホ
ール電極６ａ，６ｄに接続された外部電極４０ａ，４０
ｂは、第１のケース材３９の凹部３９ｂの側壁３９ｃの
外側面に至るように延ばされている。なお、ケース材３
９の上方の接合面にはメッキ層４２が形成されている。
また、第２のケース材４１は金属板により構成されてい
るため、半田層４３に直接接合されている。
【００４６】なお、図８〜図１０に示した第１，第２の
ケース材の変形例については、図６に示した第２の実施
例にも同様に適用することができる。上述した実施例で
は、メッキ可能な樹脂よりなるケース材を第１，第２の
ケース材の少なくとも一方に用いたが、この場合、メッ
キ可能な樹脂よりなるケース材を、誘電体セラミック粉
末や磁性体セラミック粉末を分散させた複合材料で構成
し、該複合材料からなるケース材の表面や内部に適宜の
電極を形成することにより、ケース材にコンデンサやイ
ンダクタなどの様々な機能を与えてもよい。また、スル
ーホール電極は、凹部１ａの内側面からケース材１の外
側面に至るように形成してもよい。
ケース材の変形例については、図６に示した第２の実施
例にも同様に適用することができる。上述した実施例で
は、メッキ可能な樹脂よりなるケース材を第１，第２の
ケース材の少なくとも一方に用いたが、この場合、メッ
キ可能な樹脂よりなるケース材を、誘電体セラミック粉
末や磁性体セラミック粉末を分散させた複合材料で構成
し、該複合材料からなるケース材の表面や内部に適宜の
電極を形成することにより、ケース材にコンデンサやイ
ンダクタなどの様々な機能を与えてもよい。また、スル
ーホール電極は、凹部１ａの内側面からケース材１の外
側面に至るように形成してもよい。
【００４７】
【発明の効果】請求項１に記載の発明に係る電子部品で
は、第１，第２のケース材の少なくとも一方がメッキ可
能な樹脂により構成されており、メッキ可能な樹脂より
なるケース材の接合面にメッキ層が形成されており、第
１，第２のケース材が半田層により接合されている。従
って、第１，第２のケース材の接合界面の密封性が高め
られる。
は、第１，第２のケース材の少なくとも一方がメッキ可
能な樹脂により構成されており、メッキ可能な樹脂より
なるケース材の接合面にメッキ層が形成されており、第
１，第２のケース材が半田層により接合されている。従
って、第１，第２のケース材の接合界面の密封性が高め
られる。
【００４８】加えて、第１，第２のケース材により構成
される内部空間に形成された回路が、メッキ可能な樹脂
よりなるケース材に形成されたスルーホール電極により
ケース材外表面に形成された外部電極に接続されている
ので、また、請求項２に記載の発明では、上記スルーホ
ール電極の貫通孔に半田が充填されているため、金属端
子を合成樹脂とインサート成形により一体化してなる従
来の電極引出し構造に比べて、電極引出し部分における
密封性を高めることができる。
される内部空間に形成された回路が、メッキ可能な樹脂
よりなるケース材に形成されたスルーホール電極により
ケース材外表面に形成された外部電極に接続されている
ので、また、請求項２に記載の発明では、上記スルーホ
ール電極の貫通孔に半田が充填されているため、金属端
子を合成樹脂とインサート成形により一体化してなる従
来の電極引出し構造に比べて、電極引出し部分における
密封性を高めることができる。
【００４９】従って、従来の電子部品に比べて、内部空
間の密封性が高められており、耐湿性がより一層高めら
れた電子部品を提供することが可能となる。請求項３に
記載の発明によれば、第１，第２のケース材の少なくと
も一方がメッキ可能な樹脂により構成されており、メッ
キ可能な樹脂よりなるケース材の接合面にはメッキ層が
形成されており、第１，第２のケース材が半田層を介し
て接合されて、内部空間の密封性が高められていると共
に、内部空間に構成された回路の外部との接続のための
電極が、メッキ可能な樹脂よりなるケース材を介して表
裏対向する外部電極に容量結合されているため、回路を
外部と接続するための電極引出し構造による密封性の低
下が生じ難い。従って、内部空間の密封性に優れ、耐湿
性に優れた電子部品を提供することが可能となる。
間の密封性が高められており、耐湿性がより一層高めら
れた電子部品を提供することが可能となる。請求項３に
記載の発明によれば、第１，第２のケース材の少なくと
も一方がメッキ可能な樹脂により構成されており、メッ
キ可能な樹脂よりなるケース材の接合面にはメッキ層が
形成されており、第１，第２のケース材が半田層を介し
て接合されて、内部空間の密封性が高められていると共
に、内部空間に構成された回路の外部との接続のための
電極が、メッキ可能な樹脂よりなるケース材を介して表
裏対向する外部電極に容量結合されているため、回路を
外部と接続するための電極引出し構造による密封性の低
下が生じ難い。従って、内部空間の密封性に優れ、耐湿
性に優れた電子部品を提供することが可能となる。
【００５０】請求項４に記載の発明では、前記回路がメ
ッキにより形成された電極及び配線パターンを含むた
め、上記第１，第２のケース材を接合するためのメッキ
層の形成と同一工程で上記電極及び配線パターンを形成
することができる。
ッキにより形成された電極及び配線パターンを含むた
め、上記第１，第２のケース材を接合するためのメッキ
層の形成と同一工程で上記電極及び配線パターンを形成
することができる。
【００５１】請求項５に記載の発明では、上記回路が、
内部空間に配置される電子部品素子を含むため、例えば
半導体素子や圧電共振子などの様々な別体の電子部品素
子を内部空間に収納することにより、様々な機能を有
し、しかも耐湿特性に優れた電子部品を容易に提供する
ことが可能となる。
内部空間に配置される電子部品素子を含むため、例えば
半導体素子や圧電共振子などの様々な別体の電子部品素
子を内部空間に収納することにより、様々な機能を有
し、しかも耐湿特性に優れた電子部品を容易に提供する
ことが可能となる。
【００５２】請求項６に記載の発明によれば、メッキ可
能な樹脂よりなるケース材が誘電体よりなり、回路を構
成する電極と該誘電体層を介して重なり合うように配置
された外部電極とを有するため、ケース材を利用してコ
ンデンサを構成することができる。従って、ケース材を
利用してコンデンサを構成し得るため、コンデンサ内蔵
型の様々な電子部品を大型化を招くことなく提供するこ
とが可能となる。
能な樹脂よりなるケース材が誘電体よりなり、回路を構
成する電極と該誘電体層を介して重なり合うように配置
された外部電極とを有するため、ケース材を利用してコ
ンデンサを構成することができる。従って、ケース材を
利用してコンデンサを構成し得るため、コンデンサ内蔵
型の様々な電子部品を大型化を招くことなく提供するこ
とが可能となる。
【図１】本発明の第１の実施例に係る電子部品を説明す
るための分解斜視図。
るための分解斜視図。
【図２】図１に示した実施例で用いられている第１のケ
ース材の下面側から見た斜視図。
ース材の下面側から見た斜視図。
【図３】第１の実施例の電子部品の外観を示す斜視図。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、メッキに際しアディティブ
法により所望のパターンの電極を形成する工程を説明す
るための各模式的平面図。
法により所望のパターンの電極を形成する工程を説明す
るための各模式的平面図。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、メッキに際しサブトラクテ
ィブ法により所望のパターンの電極を形成する工程を説
明するための各模式的平面図。
ィブ法により所望のパターンの電極を形成する工程を説
明するための各模式的平面図。
【図６】本発明の第２の実施例に係る電子部品を説明す
るための断面図。
るための断面図。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施例に係る電子
部品において構成される回路パターン及び回路図を示
す。
部品において構成される回路パターン及び回路図を示
す。
【図８】本発明の第１の実施例に係る電子部品の変形例
を説明するための断面図。
を説明するための断面図。
【図９】本発明の第１の実施例に係る電子部品の他の変
形例を説明するための断面図。
形例を説明するための断面図。
【図１０】本発明の第１の実施例に係る電子部品のさら
に他の変形例を説明するための断面図。
に他の変形例を説明するための断面図。
【図１１】従来の電子部品のケース構造の一例を示す部
分切欠断面斜視図。
分切欠断面斜視図。
１…第１のケース材 １ａ…凹部 ２…第２のケース材 ３ａ〜３ｃ…回路を構成するための電極 ３ｄ〜３ｆ…回路を構成するための接続電極 ５ａ〜５ｆ…外部電極 ６ａ〜６ｆ…スルーホール電極 ７…メッキ層 ８…メッキ層 ９…半田層 ２１…第１のケース材 ２１ａ…凹部 ２２…第２のケース材 ２３ａ〜２３ｃ…回路を構成するための電極 ２４ａ，２４ｂ…外部電極 ３１…第１のケース材 ３２…第２のケース材 ３３ａ〜３３ｃ…電極 ３４…メッキ層 ３５…メッキ層 ３６…半田層 ３７…第１のケース材 ３８…第２のケース材 ３９…第１のケース材
Claims (6)
- 【請求項１】 第１，第２のケース材を接合することに
より密閉空間が構成されている電子部品であって、 少なくとも一方がメッキ可能な樹脂により構成されてい
る第１，第２のケース材と、 メッキ可能な樹脂よりなるケース材の接合面に形成され
ているメッキ層と、 第１，第２のケース材を接合している半田層と、 前記第１，第２のケース材の少なくとも一方において前
記密閉空間内に形成されている回路と、 メッキ可能な樹脂よりなるケース材に形成されており、
かつ一端が前記回路に接続されており、他端がケース材
外表面に至るように形成されているスルーホール電極
と、 前記ケース材の外表面に形成されており前記スルーホー
ル電極に接続された外部電極とを備えることを特徴とす
る、電子部品。 - 【請求項２】 前記スルーホール電極の貫通孔に半田が
充填されている、請求項１に記載の電子部品。 - 【請求項３】 第１，第２のケース材を接合することに
より密閉空間が構成されている電子部品であって、 少なくとも一方がメッキ可能な樹脂により構成されてい
る第１，第２のケース材と、 メッキ可能な樹脂よりなるケース材の接合面に形成され
ているメッキ層と、 第１，第２のケース材を接合している半田層と、 前記第１，第２のケース材の少なくとも一方において前
記密閉空間内に形成されている回路と、 前記第１または第２のケース材のうちメッキ可能な樹脂
より構成されているケース材の外表面に形成されてお
り、かつ回路を構成する電極と、該ケース材を介して該
電極に表裏対向されている外部電極とを備え、回路が容
量結合により前記外部電極と接続されている、電子部
品。 - 【請求項４】 前記回路がメッキにより形成された電極
を含む、請求項１〜３の何れかに記載の電子部品。 - 【請求項５】 前記回路が、密閉空間に配置された電子
部品素子を備えることを特徴とする、請求項１〜４の何
れかに記載の電子部品。 - 【請求項６】 前記メッキ可能な樹脂よりなるケース材
が誘電体よりなり回路を構成する電極と、誘電体層を介
して重なり合う容量取出し電極とを有する、請求項１〜
５の何れかに記載の電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9331986A JPH11163183A (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9331986A JPH11163183A (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | 電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11163183A true JPH11163183A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18249873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9331986A Pending JPH11163183A (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | 電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11163183A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6518501B1 (en) | 1999-10-26 | 2003-02-11 | Nrs Technologies Inc. | Electronic part and method of assembling the same |
| JP2007046927A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Wacoh Corp | 加速度・角速度センサおよびその製造方法 |
| JP2008011380A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Kyocera Kinseki Corp | 水晶振動子、及びその製造方法、 |
-
1997
- 1997-12-02 JP JP9331986A patent/JPH11163183A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6518501B1 (en) | 1999-10-26 | 2003-02-11 | Nrs Technologies Inc. | Electronic part and method of assembling the same |
| JP2007046927A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Wacoh Corp | 加速度・角速度センサおよびその製造方法 |
| JP2008011380A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Kyocera Kinseki Corp | 水晶振動子、及びその製造方法、 |
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