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JPH11160059A - Measuring apparatus for film thickness - Google Patents

Measuring apparatus for film thickness

Info

Publication number
JPH11160059A
JPH11160059A JP32476297A JP32476297A JPH11160059A JP H11160059 A JPH11160059 A JP H11160059A JP 32476297 A JP32476297 A JP 32476297A JP 32476297 A JP32476297 A JP 32476297A JP H11160059 A JPH11160059 A JP H11160059A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
substrate
film thickness
cassette
stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP32476297A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3647622B2 (en
Inventor
Yoshio Shimizu
好男 清水
Hiroyuki Yasui
弘行 保井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP32476297A priority Critical patent/JP3647622B2/en
Publication of JPH11160059A publication Critical patent/JPH11160059A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3647622B2 publication Critical patent/JP3647622B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a measuring apparatus by which the deviation of a wafer is corrected mechanically before the wafer which is taken out from a cassette is delivered to a stage. SOLUTION: A measuring apparatus for a film thickness is constituted so as to be provided with mounting stages 1 on which wafer cassettes 11, 12 are mounted, with an indexer part 2 by which a semiconductor wafer is taken in and out with reference to the wafer cassettes 11, 12 and with a measuring part 3 which measures the film thickness of the semiconductor wafer. An indexer robot 21 and a center adjusting device 22 are installed at the indexer part 2. The deviation of the semiconductor wafer which is taken out by the indexer robot 21 is corrected by the center adjusting device 22. A pair of chucks 221 are installed at the center adjusting device 22. The semiconductor wafer which is taken out is sandwiched between, and held by, the chucks 221. Thereby, the deviation of the semiconductor wafer with reference to a hand 211 is corrected.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路作
成用のフォトマスク基板、半導体ウエハや液晶表示装置
用のガラス基板などの基板上に形成された透明薄膜の膜
厚を測定する膜厚測定装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film thickness measuring method for measuring the thickness of a transparent thin film formed on a substrate such as a photomask substrate for producing a semiconductor integrated circuit, a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device. It concerns the device.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウエハ等の基板上に形成された透
明薄膜の膜厚を測定する膜厚測定装置として、本願出願
人は、特開平8−320389号公報に開示されるよう
な装置を提案し出願している。
2. Description of the Related Art As a film thickness measuring apparatus for measuring the thickness of a transparent thin film formed on a substrate such as a semiconductor wafer, the present applicant has proposed an apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-320389. And filed.

【0003】この装置は、半導体ウエハ(以下、ウエハ
と略す)に形成された薄膜の膜厚を測定する装置で、ウ
エハカセットを載置する載置部と、搬送手段であるロー
ダと、ウエハの偏心を検出するプリアライメント部と、
膜厚測定のための光学系を内蔵した測定ヘッドと、該測
定ヘッドによる被測定ウエハを保持する測定ステージと
を備えている。
This apparatus measures the thickness of a thin film formed on a semiconductor wafer (hereinafter abbreviated as "wafer"). The apparatus includes a mounting portion for mounting a wafer cassette, a loader as a transfer means, and a wafer loading device. A pre-alignment unit for detecting eccentricity,
The measuring head includes an optical system for measuring a film thickness, and a measuring stage for holding a wafer to be measured by the measuring head.

【0004】この装置によれば、ローダによってカセッ
トから取出されたウエハは、まず、ローダによりプリア
ライメント部に移載されて偏心検出(プリアライメン
ト)が行われた後、測定ヘッド直下の所定の測定位置に
配置されて膜厚測定が行われる。そして、膜厚測定が終
了すると、上記ローダにより測定ステージから取上げら
れてウエハカセットに収納されるようになっている。
According to this apparatus, a wafer taken out of a cassette by a loader is first transferred to a pre-alignment unit by the loader, and eccentricity detection (pre-alignment) is performed. It is arranged at a position and the film thickness is measured. When the film thickness measurement is completed, the film is picked up from the measurement stage by the loader and stored in a wafer cassette.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記のような装置にお
いては、搬送中等にカセット内でウエハが移動すること
があり、カセットからのウエハの取出しの際に、ウエハ
がずれた状態、すなわち、ローダに対するウエハの中心
位置が理論上の位置からずれた状態で取出される場合が
ある。しかし、このようなウエハのずれは、例えば、ウ
エハの適切な受渡しを阻害する一つの要因となるため、
できるだけ早い段階で修正しておく方が好ましい。
In the above-described apparatus, the wafer may move in the cassette during transportation or the like. When the wafer is taken out of the cassette, the wafer is shifted, that is, the loader is moved. May be taken out with the center position of the wafer with respect to the theoretical position deviated from the theoretical position. However, such a wafer shift is, for example, one of the factors that hinders proper delivery of the wafer,
It is preferable to make corrections as early as possible.

【0006】また、ウエハのプリアライメントでは、通
常、専用のステージ上に保持したウエハを該ステージと
一体に回転させながら、その周縁の変位をセンサで検出
することにより行われるが、ウエハの上記のようなずれ
が大きいと、当然、ウエハ周縁の変位量も大きくなる。
そのため、ウエハ周縁の変位量がセンサによる検出幅を
超えるとプリアライメントが不可能になるという不都合
を招くこととなる。一方、このようなウエハのずれを考
慮して、比較的広い検出幅を持ったセンサを用いること
も考えられるが、この場合にはプリアライメント部の大
型化やコストアップを招くことになり必ずしも得策では
ない。従って、プリアライメントを行う前に、上記のよ
うなウエハのずれをある程度修正できる方が都合がよ
い。
In general, wafer pre-alignment is performed by detecting the displacement of the peripheral edge of a wafer held on a dedicated stage by a sensor while rotating the wafer integrally with the stage. If such a deviation is large, the amount of displacement of the peripheral edge of the wafer naturally becomes large.
Therefore, when the displacement amount of the wafer peripheral edge exceeds the detection width of the sensor, a disadvantage that the pre-alignment becomes impossible is caused. On the other hand, it is conceivable to use a sensor having a relatively wide detection width in consideration of such a wafer shift, but in this case, the size of the pre-alignment unit is increased and the cost is increased. is not. Therefore, it is more convenient to be able to correct the above-mentioned misalignment of the wafer to some extent before performing the pre-alignment.

【0007】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたものであり、カセットから取出した基板をステージ
に受渡すのに先立って基板のずれを機械的に修正するこ
とができる膜厚測定装置を提供することを目的としてい
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and a film thickness measuring apparatus capable of mechanically correcting a displacement of a substrate before transferring a substrate taken out of a cassette to a stage. It is intended to provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、カセットから取出した基板をステージに
受渡し所定の測定位置に位置決めして膜厚測定を行う膜
厚測定装置において、上記カセットから基板を取出し、
上記ステージに受渡す移送手段と、基板の上記ステージ
への受渡しに先立って上記移送手段により上記カセット
から取出され、さらに修正位置に搬送された基板を、そ
の周囲から挾持して上記移送手段に対する基板の位置を
修正する位置修正手段とを設けたものである(請求項
1)。
According to the present invention, there is provided a film thickness measuring apparatus for transferring a substrate taken out of a cassette to a stage, positioning the substrate at a predetermined measuring position, and measuring a film thickness. Take out the substrate from the cassette,
Transfer means for transferring the substrate to the stage, and a substrate taken out of the cassette by the transfer means prior to transfer of the substrate to the stage and further conveyed to the correction position. And a position correcting means for correcting the position of (1).

【0009】この装置によれば、カセットから取出され
た基板は、修正位置に搬送され、ここで、位置修正手段
によりその周囲から挾持されて位置修正が行われた後、
ステージへと受渡される。そのため、取出された基板が
移送手段の理論上の位置からずれている場合には、その
ようなずれが修正されてステージに受渡される。
According to this apparatus, the substrate taken out of the cassette is transported to a correction position, where the substrate is clamped from the periphery thereof by the position correction means to correct the position.
Delivered to the stage. Therefore, when the taken-out substrate is displaced from the theoretical position of the transfer means, such a displacement is corrected and transferred to the stage.

【0010】このような構成において、特定位置に向か
って進退可能な複数のチャック部材と、各チャック部材
を均等に移動させる移動手段とを上記位置修正手段に設
け、予め設定された基板中心位置が上記特定位置と一致
するように、上記カセットから取出した基板を上記修正
位置に搬送するようにすれば(請求項2)、移送手段に
対する基板中心のずれを修正することが可能となる。
In such a configuration, a plurality of chuck members capable of moving back and forth toward a specific position and moving means for uniformly moving each chuck member are provided in the position correcting means, and a predetermined substrate center position is set. If the substrate taken out of the cassette is conveyed to the correction position so as to coincide with the specific position (claim 2), it is possible to correct the displacement of the substrate center with respect to the transfer means.

【0011】この場合には、一定距離だけ各チャック部
材を進退させるように上記移動手段を構成するととも
に、各チャック部材に、サイズの異なる複数種類の基板
に対応した基板端面への当り部を上下複数段に設け、さ
らにチャック部材を搬送手段に支持された基板に対して
相対的に上下動可能に構成するのが好ましい(請求項
3)。このようにすれば、基板をそのサイズに対応した
当り部に対応させた状態で各チャック部材により基板を
挾持することで、単一の機構でサイズの異なる複数種類
の基板の位置修正を行うことが可能となる。
In this case, the moving means is configured to advance and retreat each chuck member by a predetermined distance, and each chuck member is provided with a vertical contact portion with respect to a substrate end surface corresponding to a plurality of types of substrates having different sizes. It is preferable that the chuck member is provided in a plurality of stages, and the chuck member is configured to be vertically movable relative to the substrate supported by the transfer means. In this manner, the position of a plurality of types of substrates having different sizes can be corrected with a single mechanism by holding the substrate between the chuck members in a state where the substrate corresponds to the contact portion corresponding to the size. Becomes possible.

【0012】また、請求項1乃至3のいずれかに記載の
装置において、上記カセットに収納されている基板の飛
び出し量を検出可能な検出手段を設けるようにすれば
(請求項4)、不適切な位置修正が行われるのを未然に
防止することが可能となる。
Further, in the apparatus according to any one of claims 1 to 3, if a detecting means capable of detecting the amount of protrusion of the substrate stored in the cassette is provided (claim 4), the apparatus is inappropriate. This makes it possible to prevent an inappropriate position correction from being performed.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を用いて説明する。図1は本発明に係る膜厚測定装置を
示す斜視図である。この図に示す膜厚測定装置は、半導
体ウエハに形成された薄膜の膜厚を測定する装置であ
り、ウエハカセットを載置する載置ステージ1と、ウエ
ハカセットに対してウエハを出し入れするインデクサ部
2と、ウエハの膜厚を測定する測定部3とを備えてい
る。この実施の形態にかかる膜厚測定装置では、上記イ
ンデクサ部2を中心として、その周囲に上記載置ステー
ジ1及び測定部3が配置されたレイアウト構成となって
いる。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a film thickness measuring apparatus according to the present invention. The film thickness measuring device shown in FIG. 1 is a device for measuring the film thickness of a thin film formed on a semiconductor wafer, and includes a mounting stage 1 for mounting a wafer cassette, and an indexer section for moving a wafer into and out of the wafer cassette. 2 and a measuring unit 3 for measuring the film thickness of the wafer. The film thickness measuring apparatus according to this embodiment has a layout configuration in which the above-described placement stage 1 and the measuring unit 3 are arranged around the indexer unit 2.

【0014】上記載置ステージ1は、図示の例では二つ
設けられており、各ステージ1には、複数枚のウエハを
多段に収納したウエハカセット11,12が、それぞれ
収納口をインデクサ部2に臨ませた状態で載置されてい
る。各載置ステージ1には、ウエハカセット11,12
の収納口部分を挟んで光の照射部131と受光部132
とを上下に備えたウエハの飛び出し検知センサ13が設
けられており、ウエハカセット11,12の収納口部分
から一定量以上ウエハが飛び出して、照射部131から
の照射光がこのウエハによって遮断されると、このよう
な異常なウエハの飛び出し状態が検知されて、後記モニ
ターを介して作業者にその旨が報知されるようになって
いる。つまり、ウエハが一定量以上飛び出していると、
後述する中心調整装置22によるウエハの位置修正が適
切に行われない場合があるため、そのような事態を未然
に防止すべくウエハの異常な飛び出しを検知するように
なっている。
In the illustrated example, two mounting stages 1 are provided. Each stage 1 has wafer cassettes 11 and 12 storing a plurality of wafers in multiple stages, each of which has a storage opening in an indexer section 2. It is placed in a state of facing. Each mounting stage 1 has a wafer cassette 11, 12
Irradiating part 131 and light receiving part 132
Is provided above and below, and a predetermined amount or more of wafers are ejected from the storage openings of the wafer cassettes 11 and 12, and irradiation light from the irradiation unit 131 is blocked by the wafers. In such a case, such an abnormal wafer jumping out state is detected, and the operator is notified of the fact through a monitor described later. In other words, if the wafer is protruding beyond a certain amount,
Since the correction of the position of the wafer by the later-described center adjustment device 22 may not be performed properly, abnormal jumping out of the wafer is detected to prevent such a situation from occurring.

【0015】上記インデクサ部2には、ウエハの搬送手
段であるインデクサロボット21(移送手段)と、該イ
ンデクサロボット21により上記ウエハカセット11,
12から取出されたウエハの中心位置修正(センタリン
グ)を行う中心調整装置22(位置修正手段)とが設け
られている。
The indexer section 2 has an indexer robot 21 (transfer means) as a means for transferring wafers, and the wafer cassette 11 and the wafer cassette 11 by the indexer robot 21.
A center adjusting device 22 (position correcting means) for correcting (centering) the center position of the wafer taken out of the wafer 12 is provided.

【0016】インデクサロボット21は、上下動可能な
水平多関節型のロボットからなり、そのアーム先端には
ウエハを保持するための薄板状のハンド211が装着さ
れている。ハンド211の表面には、吸引孔212が開
口しており、該吸引孔212を介して負圧が供給される
ことにより、ハンド211によってウエハを吸着、保持
するようになっている。なお、本実施の形態では、ハン
ド211の先端部分に吸引孔212が一つ設けられてお
り、理論上は、この吸引孔212の中心でウエハ中心を
吸着した状態でウエハをウエハカセット11,12に対
して出し入れするようにインデクサロボット21が制御
されるようになっている。
The indexer robot 21 is a horizontally articulated robot that can move up and down, and a thin plate-like hand 211 for holding a wafer is mounted at the end of the arm. A suction hole 212 is opened on the surface of the hand 211, and a negative pressure is supplied through the suction hole 212 so that the hand 211 sucks and holds the wafer. In the present embodiment, one suction hole 212 is provided at the distal end of the hand 211, and theoretically, the wafers are loaded into the wafer cassettes 11 and 12 with the center of the suction hole 212 at the center of the wafer. The indexer robot 21 is controlled so that the robot moves in and out of the robot.

【0017】中心調整装置22は、接離可能な一対のチ
ャック221を備えており、上記ウエハカセット11,
12から取出されたウエハを上記チャック221により
径方向に挾持することにより、ハンド211に対するウ
エハの位置を機械的に修正するように構成されている。
なお、この中心調整装置22の具体的な構成については
後に詳述する。
The center adjusting device 22 includes a pair of chucks 221 that can be separated from each other, and the wafer cassette 11,
The position of the wafer with respect to the hand 211 is mechanically corrected by clamping the wafer taken out from the chuck 12 in the radial direction by the chuck 221.
The specific configuration of the center adjusting device 22 will be described later in detail.

【0018】測定部3は、被測定ウエハの保持部分とな
る測定ステージ4と、この測定ステージ4の上部に配置
される膜厚測定のための測定ヘッド5とを有している。
The measuring section 3 has a measuring stage 4 serving as a holding portion for a wafer to be measured, and a measuring head 5 arranged on the measuring stage 4 for measuring a film thickness.

【0019】測定ステージ4には、ウエハを移動可能に
保持する六軸テーブル41と、プリアライメント用セン
サ47と、ウエハを待機させるための補助ステージ48
とが設けられている。
The measurement stage 4 includes a six-axis table 41 for movably holding a wafer, a pre-alignment sensor 47, and an auxiliary stage 48 for holding the wafer on standby.
Are provided.

【0020】六軸テーブル41は、ウエハを吸着保持す
るための円盤状の保持プレート411と、これを六軸方
向、すなわち、X軸、Y軸、Z軸及びこれら各軸回り
(θY方向、θX方向,θ方向)に変位可能に支持する
支持機構412から構成されており、保持プレート41
1を上記各方向に移動させながら補助ステージ48との
間でウエハの受渡しを行うとともに、上記測定ヘッド5
及びプリアライメント用センサ47の所定の測定位置に
ウエハを配置するように構成されている。
The six-axis table 41 has a disk-shaped holding plate 411 for holding a wafer by suction, and holds the disk in a six-axis direction, ie, an X-axis, a Y-axis, a Z-axis, and around these axes (θY direction, θX direction). The holding plate 41 includes a supporting mechanism 412 that supports the holding plate 41 so as to be displaceable in the
The wafer is transferred to and from the auxiliary stage 48 while the wafer 1 is moved in each of the above directions.
In addition, the wafer is arranged at a predetermined measurement position of the pre-alignment sensor 47.

【0021】プリアライメント用センサ47は、光の照
射部471と受光部472とを所定の検査空間を挟んで
上下に配置したもので、上記検査空間にウエハ端縁部を
介在させた状態でウエハを回転させることにより、プリ
アライメント、すなわち上記保持プレート411の中心
に対するウエハ中心の偏心を検出するようになってい
る。
The pre-alignment sensor 47 has a light irradiation section 471 and a light receiving section 472 arranged vertically above and below a predetermined inspection space. The pre-alignment sensor 47 has a wafer edge in the inspection space. Is rotated, the pre-alignment, that is, the eccentricity of the center of the wafer with respect to the center of the holding plate 411 is detected.

【0022】補助ステージ48は、インデクサ部20と
六軸テーブル41との間に配設されており、図示の例で
は、測定前のウエハを載置した状態で待機させる供給側
ステージ481と、同様にして測定後のウエハを待機さ
せる排出側ステージ482とが並べて設けられている。
各ステージ481,482は、同図に示すように、上記
保持プレート411を介在させるための切欠部分を有し
た略U字型に形成されており、例えば、供給側ステージ
481から六軸テーブル41へのウエハの受渡しは、供
給側ステージ481の上記切欠下方に保持プレート41
1が配置され、供給側ステージ481と保持プレート4
11とが相対的に上下動されることにより行われるよう
になっている。一方、六軸テーブル41から排出側ステ
ージ482へのウエハの受渡しは、これと逆の動作に基
づいて行われるようになっている。
The auxiliary stage 48 is disposed between the indexer unit 20 and the six-axis table 41. In the illustrated example, the auxiliary stage 48 is the same as the supply side stage 481 in which the wafer before measurement is placed on standby. And a discharge-side stage 482 that waits for the wafer after measurement.
Each of the stages 481 and 482 is formed in a substantially U-shape having a cutout for interposing the holding plate 411 as shown in FIG. The delivery of the wafer is performed under the holding plate 41 below the notch of the supply side stage 481.
1, the supply side stage 481 and the holding plate 4
11 is moved up and down relatively. On the other hand, the transfer of the wafer from the six-axis table 41 to the discharge side stage 482 is performed based on the reverse operation.

【0023】なお、図1において、符号31は、作業者
が膜厚測定装置に対して種々のデータや指令などを入力
するために装置の前部に設けられた操作部で、この操作
部31の上方には、作業者に対して種々のメッセージや
情報等を表示するモニター(図示せず)が設けられてい
る。
In FIG. 1, reference numeral 31 denotes an operation section provided at the front of the apparatus for inputting various data and commands to the film thickness measuring apparatus by an operator. A monitor (not shown) for displaying various messages, information, and the like to the worker is provided above the monitor.

【0024】図2乃至図4は、上記中心調整装置22の
具体的な構成を示している。中心調整装置22には、上
述のように一対の上記チャック221が設けられ、各チ
ャックがウエハを挾持すべくX軸方向に接離可能となっ
ている。
FIGS. 2 to 4 show a specific configuration of the center adjusting device 22. FIG. The center adjusting device 22 is provided with the pair of chucks 221 as described above, and each chuck can be moved in and out of the X-axis direction to hold the wafer.

【0025】すなわち、上記中心調整装置22の基台2
2a上には、X軸方向に延びるレール222が固定さ
れ、各チャック221が可動部材223を介してこのレ
ール222にスライド自在に装着されている。また、レ
ール側方においてその中央部分には2つのプーリ224
が軸支され、これら各プーリ224と、レール両端部分
にそれぞれ軸支されたプーリ225とに亘って無端状の
タイミングベルト227が装着されるとともに、これら
タイミングベルト227に各可動部材223がそれぞれ
連結されている。そして、レール端部に位置する一方側
のプーリ225(図2では右側のプーリ225)の軸が
モータ230の出力軸に連結されるとともに、レール中
央部分に位置する各プーリ224の軸にギア228,2
29がそれぞれ装着され、これらギア228,229が
互いに噛合されている。
That is, the base 2 of the center adjusting device 22
A rail 222 extending in the X-axis direction is fixed on 2a, and each chuck 221 is slidably mounted on the rail 222 via a movable member 223. Also, two pulleys 224 are provided at the center of the side of the rail.
And an endless timing belt 227 is mounted over each of the pulleys 224 and the pulleys 225 which are respectively supported at both ends of the rail, and each movable member 223 is connected to each of the timing belts 227. Have been. The shaft of one pulley 225 (right pulley 225 in FIG. 2) located at the end of the rail is connected to the output shaft of the motor 230, and a gear 228 is attached to the shaft of each pulley 224 located at the center of the rail. , 2
The gears 228 and 229 are meshed with each other.

【0026】これにより、上記モータ230が正逆回転
駆動されると、各タイミングベルト227が互いに反対
方向に回転移動し、各チャック221が互いに離間した
退避位置(同図の実線に示す位置)と、各チャック22
1が互いに接近した作動位置(同図の一点鎖線に示す位
置)とに亘って均等にレール222に沿って移動するよ
うになっている。すなわち、上記レール222、可動部
材223、タイミングベルト227及びモータ230等
により本願の移動手段が構成されている。
Thus, when the motor 230 is driven forward and reverse, the timing belts 227 rotate in the opposite directions to each other, and the chucks 221 move to the retracted position (the position shown by the solid line in FIG. 11). , Each chuck 22
1 are evenly moved along the rail 222 over an operating position approaching each other (a position indicated by a dashed line in the drawing). That is, the rail 222, the movable member 223, the timing belt 227, the motor 230, and the like constitute the moving means of the present application.

【0027】上記各チャック221は、同図に示すよう
に平面視で扇形に形成されており、その表面には、径
(サイズ)の異なる複数種類のウエハに対応する円弧状
の当り221a〜221d(当り部)が上下多段に、か
つ径の小さいウエハに対応する当りほど下位側となるよ
うに階段状に形成されている。各当り221a〜221
dの形状は、各チャック221の移動方向中心(特定位
置という)にウエハ中心がある場合のウエハの輪郭とさ
れており、従って、上記特定位置に対してウエハ中心が
ずれている場合には、各チャック221によりウエハが
挾持されることによって、ウエハ中心が特定位置と一致
するようにハンド211上での位置が修正されることと
なる。
Each of the chucks 221 is formed in a fan shape in a plan view as shown in the figure, and its surface has arc-shaped contacts 221a to 221d corresponding to a plurality of types of wafers having different diameters (sizes). The (contact portion) is formed in multiple steps in the upper and lower directions, and is formed in a stepwise manner so that the lower the contact corresponding to a wafer having a smaller diameter, the lower the contact. 221a to 221 for each
The shape of d is the contour of the wafer when the center of the wafer is located at the center (referred to as a specific position) in the movement direction of each chuck 221. Therefore, when the center of the wafer is displaced from the specific position, By holding the wafer by the chucks 221, the position on the hand 211 is corrected so that the center of the wafer coincides with the specific position.

【0028】なお、一方側の可動部材223(図2では
左側の可動部材223)の可動範囲内であってレール2
22の側方部分には、一方側の可動部材223に取付け
られた検出片234を検出するためのセンサ231,2
32がX軸方向に所定の間隔で配設されており、これら
センサ231,232による検出片234の検出によ
り、各チャック221が上記退避位置、あるいは作動位
置にあることが検知されるようになっている。
The rail 2 is located within the movable range of the one movable member 223 (the left movable member 223 in FIG. 2).
22, sensors 231 and 231 for detecting a detection piece 234 attached to one of the movable members 223 are provided.
32 are arranged at predetermined intervals in the X-axis direction, and the detection of the detection piece 234 by the sensors 231 and 232 detects that each chuck 221 is at the retracted position or the operating position. ing.

【0029】次に、上記の膜厚測定装置による膜厚測定
動作について、ウエハの流れを示す図5のタイミングチ
ャートに基づいて説明する。
Next, a film thickness measuring operation by the above film thickness measuring apparatus will be described with reference to a timing chart of FIG. 5 showing a flow of a wafer.

【0030】上記膜厚測定装置では、例えば、図外の搬
送手段によって上記ウエハカセット11,12が載置ス
テージ1上に搬入され、インデクサロボット21によっ
てウエハカセット11又は12からウエハが取出され
る。但し、上記飛び出し検知センサ13によりウエハが
検出された場合、つまり、搬入されたウエハカセット1
1,12内のいずれかのウエハが一定量以上飛び出して
いる場合には、ウエハの取出しは行われず上記モニター
にその旨が表示され、例えば、作業者によってウエハカ
セット11,12が載置し直される等してウエハの飛び
出しがなくなると、ウエハの取出しが行われる。
In the film thickness measuring apparatus, for example, the wafer cassettes 11 and 12 are carried onto the mounting stage 1 by a transfer means (not shown), and the wafer is taken out from the wafer cassette 11 or 12 by the indexer robot 21. However, if a wafer is detected by the pop-out detection sensor 13, that is, the loaded wafer cassette 1
If any one of the wafers 1 and 12 has protruded by a certain amount or more, the removal of the wafer is not performed and the fact is displayed on the monitor. For example, when the operator remounts the wafer cassettes 11 and 12, When the wafer is no longer protruded, for example, the wafer is taken out.

【0031】上記インデクサロボット21によりウエハ
カセット11又は12から取出されたウエハ(一枚目の
ウエハ)は、まず、図5の実線に示すように、中心調整
装置22によりセンタリングされる。
The wafer (first wafer) taken out of the wafer cassette 11 or 12 by the indexer robot 21 is first centered by the center adjusting device 22 as shown by the solid line in FIG.

【0032】このセンタリング動作では、まず、中心調
整装置22の各チャック221が上記退避位置にセット
された状態で、上記特定位置に吸引孔212の中心が一
致するようにインデクサロボット21のハンド211が
作動され、これにより各チャック221の間にウエハが
配置される(図2に示す状態)。この際、ウエハと、該
ウエハに対応するチャック221の当り221a〜22
1d(当り部)とが一致するようにインデクサロボット
21の上下方向の位置が調整される。
In this centering operation, first, with each chuck 221 of the center adjusting device 22 set at the retracted position, the hand 211 of the indexer robot 21 is adjusted so that the center of the suction hole 212 coincides with the specific position. Activated, whereby the wafer is placed between the chucks 221 (the state shown in FIG. 2). At this time, the wafers 221a to 221a contact the chucks 221 corresponding to the wafers.
The position of the indexer robot 21 in the vertical direction is adjusted so that 1d (the contact portion) matches.

【0033】そして、上記チャック221が作動位置へ
と移動することにより、ウエハ中心が上記特定位置と一
致するようにウエハの位置が修正され、その結果、吸引
孔212の中心にウエハ中心が一致するようにハンド2
11上でのウエハの位置が修正されることとなる。な
お、チャック221は、作動位置への移動後、直ちに退
避位置にリセットされる。
When the chuck 221 moves to the operating position, the position of the wafer is corrected so that the center of the wafer coincides with the specific position. As a result, the center of the wafer coincides with the center of the suction hole 212. Hand 2
The position of the wafer on 11 will be corrected. Note that the chuck 221 is reset to the retracted position immediately after moving to the operating position.

【0034】このようなウエハのセンタリング動作にお
いては、例えば、チャック221が上記作動位置に達す
るまでの所定のタイミングで上記ハンド211への負圧
の供給が遮断され、作動位置への到達後、直ちに負圧の
供給が再開される。こうすることで、センタリング動作
時のハンド211に対するウエハの抵抗が低減されチャ
ック221によるセンタリングがスムーズに行われるこ
ととなる。
In such a centering operation of the wafer, for example, the supply of the negative pressure to the hand 211 is interrupted at a predetermined timing until the chuck 221 reaches the operating position, and immediately after reaching the operating position. The supply of the negative pressure is resumed. By doing so, the resistance of the wafer to the hand 211 during the centering operation is reduced, and the centering by the chuck 221 is performed smoothly.

【0035】こうしてセンタリングが行われたウエハ
は、次いでインデクサロボット21から供給側ステージ
481へと受渡され、さらに該供給側ステージ481か
ら六軸テーブル41の保持プレート411に受渡され
る。そして、プリアライメント用センサ47によるウエ
ハの検出(プリアライメント)が行われた後、ウエハが
測定ヘッド5直下の所定の測定位置に配置されて膜厚測
定が行われる。
The wafer thus centered is then transferred from the indexer robot 21 to the supply stage 481, and further transferred from the supply stage 481 to the holding plate 411 of the six-axis table 41. After the wafer is detected (pre-aligned) by the pre-alignment sensor 47, the wafer is placed at a predetermined measurement position immediately below the measurement head 5 and the film thickness is measured.

【0036】このように一枚目のウエハのプリアライメ
ント及び膜厚測定が行われている間、図5の一点鎖線に
示すように、上記インデクサロボット21によってウエ
ハカセット11又は12から次のウエハ(二枚目のウエ
ハ)が取出され、中心調整装置22によるセンタリング
が行われて供給側ステージ481に載置される。
While the pre-alignment and the film thickness measurement of the first wafer are being performed, the indexer robot 21 moves the next wafer from the wafer cassette 11 or 12 by the indexer robot 21 as shown by the dashed line in FIG. The second wafer is taken out, centered by the center adjustment device 22, and mounted on the supply stage 481.

【0037】一枚目のウエハの膜厚測定が終了すると、
該ウエハが六軸テーブル41から排出側ステージ482
に受渡され、その後、インデクサロボット21により排
出側ステージ482から取上げられてウエハカセット1
1又は12に収納される。こうして、一枚目のウエハの
膜厚測定の全工程が終了する。
When the measurement of the film thickness of the first wafer is completed,
The wafer is moved from the six-axis table 41 to the discharge-side stage 482.
The wafer cassette 1 is then picked up from the discharge side stage 482 by the indexer robot 21 and transferred to the wafer cassette 1.
1 or 12. Thus, all the steps of measuring the film thickness of the first wafer are completed.

【0038】なお、上記のように一枚目のウエハが排出
側ステージ482に移載されると、保持プレート411
が排出側ステージ482側へと移動され、待機中のウエ
ハが排出側ステージ482から六軸テーブル41に受渡
される。そして、一枚目のウエハと同様にして、二枚目
のウエハのプリアライメント及び膜厚測定が順次行われ
るとともに、その最中に、図中、破線で示すようにイン
デクサロボット21により次のウエハ(3枚目のウエ
ハ)がウエハカセット11又は12から取出される。
When the first wafer is transferred to the discharge-side stage 482 as described above, the holding plate 411
Is moved to the discharge side stage 482 side, and the waiting wafer is transferred from the discharge side stage 482 to the six-axis table 41. Then, in the same manner as the first wafer, pre-alignment and film thickness measurement of the second wafer are sequentially performed, and during that, the next wafer is moved by the indexer robot 21 as shown by a broken line in the figure. (The third wafer) is taken out of the wafer cassette 11 or 12.

【0039】こうして以後同様に、ウエハのプリアライ
メント及び膜厚測定と、ウエハカセット11又は12に
対するウエハの出し入れが並行して行われつつ、各ウエ
ハカセット11,12に収納されたウエハの膜厚測定が
行われることとなる。
In the same manner, the pre-alignment of the wafer and the measurement of the film thickness and the transfer of the wafer into and out of the wafer cassette 11 or 12 are performed in parallel, and the film thickness of the wafer stored in each of the wafer cassettes 11 and 12 is measured. Will be performed.

【0040】以上説明したように、上記の膜厚測定装置
では、インデクサ部2に中心調整装置22を設け、ウエ
ハカセット11又は12から取出したウエハのずれ(す
なわちハンド211に対するウエハのずれ)を修正して
測定部3へと受渡すようにしているので、このようなウ
エハのずれに起因した例えばウエハの脱落等を有効に防
止して、ウエハの受渡しを適切に行うことができる。
As described above, in the above-described film thickness measuring apparatus, the center adjusting device 22 is provided in the indexer section 2 to correct the displacement of the wafer taken out of the wafer cassette 11 or 12 (ie, the displacement of the wafer with respect to the hand 211). Then, the wafer is transferred to the measurement unit 3, so that the wafer can be appropriately transferred, for example, by effectively preventing the wafer from dropping due to such misalignment of the wafer.

【0041】しかも、ずれを修正して測定部3へとウエ
ハを受渡すことで、プリアライメントの際のウエハ回転
に伴うウエハ周縁の変位量を小さくすることができるの
で、検出幅の比較的狭いプリアライメント用センサ47
を用いてプリアライメントを行うことが可能である。従
って、プリアライメント用センサ47の大型化に起因し
た装置の大型化やコストアップを抑えながらプリアライ
メントを適切に行うことができるという利点もある。
Further, by transferring the wafer to the measuring section 3 after correcting the displacement, the displacement of the wafer periphery due to the rotation of the wafer during the pre-alignment can be reduced, so that the detection width is relatively narrow. Pre-alignment sensor 47
Can be used to perform pre-alignment. Therefore, there is an advantage that pre-alignment can be appropriately performed while suppressing an increase in size and cost of the apparatus due to an increase in the size of the pre-alignment sensor 47.

【0042】また、上記装置では、飛び出し検知センサ
13によりウエハカセット11,12からのウエハの飛
び出しを検知し、一定量以上ウエハが飛び出している場
合には、ハンド211によるウエハの取出しを行わない
ようにしているので、上記中心調整装置22によるウエ
ハのずれ修正をより適切に行うことができるという利点
もある。すなわち、ウエハカセット11,12からウエ
ハが一定量以上飛び出している状態のままで該ウエハが
取出されると、例えば、図2において、ウエハの中心が
吸引孔212中心からY軸方向に大きくずれた状態とな
り、例えば、各チャック221による挾持の際に、ウエ
ハに適切な力が作用せず、その結果、適切な位置修正が
行われない虞れがある。しかし、上記のように飛び出し
検知センサ13によりウエハの異常な飛び出しを検知す
ることで、そのような事態の発生を未然に防止すること
ができ、ウエハのずれを適切に修正することができる。
Further, in the above-described apparatus, the jump-out detection sensor 13 detects the jump-out of the wafer from the wafer cassettes 11 and 12, and if the wafer has jumped out by a predetermined amount or more, the hand 211 does not take out the wafer. Therefore, there is also an advantage that the shift of the wafer by the center adjusting device 22 can be corrected more appropriately. That is, if the wafer is taken out from the wafer cassettes 11 and 12 with a certain amount of protrusion from the wafer cassettes 11 and 12, for example, in FIG. 2, the center of the wafer is largely shifted in the Y-axis direction from the center of the suction hole 212. In this state, for example, when the chucks 221 hold the wafer, an appropriate force does not act on the wafer, and as a result, there is a possibility that an appropriate position correction may not be performed. However, by detecting an abnormal protrusion of the wafer by the protrusion detection sensor 13 as described above, such a situation can be prevented from occurring beforehand, and the displacement of the wafer can be appropriately corrected.

【0043】なお、上記実施の形態の中心調整装置22
では、モータ駆動によりタイミングベルト227を回転
移動させ、このタイミングベルト227にチャック22
1を取り付けることによって各チャック221を移動さ
せるようにしているが、例えば、エアシリンダによって
各チャック221を進退させたり、あるいはボールねじ
機構を採用して各チャック221を進退させるようにし
てもよい。
The center adjusting device 22 of the above embodiment is used.
Then, the timing belt 227 is rotated by a motor drive, and the chuck 22 is attached to the timing belt 227.
Although each chuck 221 is moved by attaching the chuck 1, for example, each chuck 221 may be moved forward and backward by an air cylinder, or each chuck 221 may be moved forward and backward by using a ball screw mechanism.

【0044】また、上記中心調整装置22では、上記作
動位置と退避位置との二位置間でチャック221を変位
させるため、径の異なる複数種類のウエハに対応した当
り221a〜221dを上下多段に形成したチャック2
21を用いることで、径の異なる複数種類のウエハのセ
ンタリングを可能としているが、例えば、モータ230
としてステッピングモータを用いてチャック221の位
置を多段階に変位させるようにすれば、単一の当りで径
の異なる複数種類のウエハのセンタリングを行うことが
可能となるので、そのような構成を採用するようにして
もよい。この場合には、上記チャック221として、例
えば平面視でV字型等、ウエハ周縁部に部分的に当接可
能な当りを備えたチャックを適用するようにすればよ
い。
In the center adjusting device 22, since the chuck 221 is displaced between the operating position and the retracted position, hits 221a to 221d corresponding to a plurality of kinds of wafers having different diameters are formed in multiple stages. Chuck 2
Although the centering of a plurality of types of wafers having different diameters is possible by using the
If the position of the chuck 221 is displaced in multiple stages by using a stepping motor, it is possible to center a plurality of types of wafers having different diameters in a single contact. You may make it. In this case, as the chuck 221, for example, a chuck having a contact that can partially contact the peripheral portion of the wafer, such as a V-shape in plan view, may be used.

【0045】また、上記中心調整装置22のチャック2
21では、階段状の当り221a〜221dを設けるよ
うにしているが、例えば、平板状に形成したチャック表
面に、各種ウエハの当りとして高さの異なるピン部材等
を立設するようにしても構わない。つまり、チャック2
21や当り221a〜221dの具体的な形状等は、各
チャック221によりウエハを挾持して適切にセンタリ
ングを行えるように適宜選定するようにすればよい。
The chuck 2 of the center adjusting device 22
In the step 21, the steps 221a to 221d are provided. However, for example, pin members or the like having different heights may be erected on the surface of the chuck formed in a flat plate shape so as to hit various wafers. Absent. That is, chuck 2
The specific shape and the like of the contact 21 and the contacts 221a to 221d may be appropriately selected so that the wafer can be sandwiched by the chucks 221 and the centering can be appropriately performed.

【0046】[0046]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、カセッ
トから取出した基板をステージに受渡して膜厚測定を行
う膜厚測定装置において、移送手段によりカセットから
取出された基板を修正位置に搬送し、ここで、位置修正
手段によりその周囲から挾持して移送手段に対する基板
の位置を機械的に修正した後、該基板をステージに受渡
すようにしたので、基板の脱落等を確実に回避して基板
の受渡しを適切に行うことができる。また、プリアライ
メント部の大型化やコストアップを招くことなく、適切
に基板のプリアライメントを行うことができる。
As described above, according to the present invention, in a film thickness measuring apparatus for measuring a film thickness by transferring a substrate taken out of a cassette to a stage, the substrate taken out of the cassette by a transfer means is transported to a correction position. Here, since the position of the substrate relative to the transfer means is mechanically corrected by being pinched from the periphery thereof by the position correcting means and then the substrate is transferred to the stage, the dropping of the substrate and the like can be reliably avoided. The substrate can be properly delivered. Further, it is possible to appropriately perform the pre-alignment of the substrate without increasing the size of the pre-alignment unit and increasing the cost.

【0047】特に、この構成において、特定位置に向か
って進退可能な複数のチャック部材と、各チャック部材
を均等に移動させる移動手段とを上記位置修正手段に設
け、予め設定された基板中心位置が上記特定位置と一致
するように、上記カセットから取出した基板を上記修正
位置に搬送するようにすれば、移送手段に対する基板中
心のずれを修正することができる。
In particular, in this configuration, a plurality of chuck members capable of moving back and forth toward a specific position and moving means for uniformly moving each chuck member are provided in the position correcting means, and a predetermined substrate center position is set. If the substrate taken out of the cassette is transported to the correction position so as to coincide with the specific position, it is possible to correct the displacement of the substrate center with respect to the transfer means.

【0048】また、この場合、一定距離だけ各チャック
部材を進退させるように移動手段を構成するとともに、
各チャック部材に、サイズの異なる複数種類の基板に対
応した基板端面への当り部を上下複数段に設け、さらに
チャック部材を搬送手段に支持された基板に対して相対
的に上下動可能に構成するようにすれば、単一の機構で
サイズの異なる複数種類の基板の位置修正を行うことが
できる。
In this case, the moving means is configured to move each chuck member back and forth by a predetermined distance.
Each chuck member is provided with a plurality of upper and lower contact portions for the substrate end surface corresponding to a plurality of types of substrates having different sizes, and furthermore, the chuck member is configured to be movable up and down relative to the substrate supported by the transport means. By doing so, the position of a plurality of types of substrates having different sizes can be corrected by a single mechanism.

【0049】さらに、上記カセットに収納されている基
板の飛び出し量を検出可能な検出手段を設けるようにす
れば、基板の位置修正を適切に行うことができない状態
を事前に検知して、不適切な位置修正を未然に防止する
ことができる。
Further, by providing a detecting means capable of detecting the amount of protrusion of the substrate stored in the cassette, a state in which the position of the substrate cannot be properly corrected is detected in advance, and an inappropriate state is detected. Such a position correction can be prevented beforehand.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る膜厚測定装置を示す斜視概略図で
ある。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing a film thickness measuring apparatus according to the present invention.

【図2】インデクサ部の構成を示す平面略図である。FIG. 2 is a schematic plan view showing a configuration of an indexer unit.

【図3】チャックを移動させるための機構を示す図2に
おけるA−A断面図である。
FIG. 3 is a sectional view taken along line AA in FIG. 2, showing a mechanism for moving a chuck.

【図4】チャックの構成を示す図2のB−B断面図であ
る。
FIG. 4 is a sectional view taken along line BB of FIG. 2 showing a configuration of the chuck.

【図5】膜厚測定装置における半導体ウエハの流れを説
明するタイミングチャートである。
FIG. 5 is a timing chart illustrating a flow of a semiconductor wafer in the film thickness measuring device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 載置ステージ 11,12 ウエハカセット 2 インデクサ部 21 インデクサロボット(移送手段) 22 中心調整装置(位置決め手段) 221 チャック 222 レール 223 可動部材 224,225 プーリ 227 タイミングベルト 228,229 ギア 230 モータ 3 測定部 4 測定ステージ 5 測定ヘッド 41 六軸テーブル 411 保持プレート 412 支持機構 47 プリアライメント用センサ 48 補助ステージ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mounting stage 11, 12 Wafer cassette 2 Indexer part 21 Indexer robot (transfer means) 22 Center adjustment device (positioning means) 221 Chuck 222 Rail 223 Movable member 224, 225 Pulley 227 Timing belt 228, 229 Gear 230 Motor 3 Measurement part 4 Measuring Stage 5 Measuring Head 41 6-Axis Table 411 Holding Plate 412 Support Mechanism 47 Pre-Alignment Sensor 48 Auxiliary Stage

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 カセットから取出した基板をステージに
受渡し所定の測定位置に位置決めして膜厚測定を行う膜
厚測定装置において、上記カセットから基板を取出し、
上記ステージに受渡す移送手段と、基板の上記ステージ
への受渡しに先立って上記移送手段により上記カセット
から取出され、さらに修正位置に搬送された基板を、そ
の周囲から挾持して上記移送手段に対する基板の位置を
修正する位置修正手段とを設けたことを特徴とする膜厚
測定装置。
1. A film thickness measuring device for transferring a substrate taken out of a cassette to a stage and positioning the substrate at a predetermined measurement position to measure a film thickness, taking out the substrate from the cassette,
Transfer means for transferring the substrate to the stage, and a substrate taken out of the cassette by the transfer means prior to transfer of the substrate to the stage and further conveyed to the correction position. And a position correcting means for correcting the position of the film.
【請求項2】 上記位置修正手段は、特定位置に向かっ
て進退可能な複数のチャック部材と、各チャック部材を
均等に移動させる移動手段とを備え、上記移送手段は、
予め設定された基板中心位置が上記特定位置と一致する
ように、上記カセットから取出した基板を上記修正位置
に搬送することを特徴とする請求項1記載の膜厚測定装
置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein the position correcting means includes a plurality of chuck members capable of moving back and forth toward a specific position, and moving means for uniformly moving each of the chuck members.
2. The film thickness measuring apparatus according to claim 1, wherein the substrate taken out of the cassette is transported to the correction position so that a preset substrate center position coincides with the specific position.
【請求項3】 上記移動手段は一定距離だけ各チャック
部材を進退させるものであって、各チャック部材は、サ
イズの異なる複数種類の基板に対応した基板端面への当
り部を上下複数段に有するとともに、搬送手段に支持さ
れた基板に対して相対的に上下動可能に構成されている
ことを特徴とする請求項2記載の膜厚測定装置。
3. The moving means moves the chuck members back and forth by a fixed distance, and each of the chuck members has a plurality of upper and lower stages of contact portions on the substrate end surface corresponding to a plurality of types of substrates having different sizes. 3. The film thickness measuring device according to claim 2, wherein the film thickness measuring device is configured to be vertically movable relative to a substrate supported by the transporting means.
【請求項4】 上記カセットに収納されている基板の飛
び出し量を検出可能な検出手段を設けたことを特徴とす
る請求項1乃至3のいずれかに記載の膜厚測定装置。
4. A film thickness measuring apparatus according to claim 1, further comprising a detecting means capable of detecting an amount of protrusion of the substrate stored in said cassette.
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