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JPH11142852A - Liquid crystal element and production of this liquid crystal element - Google Patents

Liquid crystal element and production of this liquid crystal element

Info

Publication number
JPH11142852A
JPH11142852A JP30474997A JP30474997A JPH11142852A JP H11142852 A JPH11142852 A JP H11142852A JP 30474997 A JP30474997 A JP 30474997A JP 30474997 A JP30474997 A JP 30474997A JP H11142852 A JPH11142852 A JP H11142852A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
uniaxial alignment
film
alignment film
substrates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30474997A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuhito Kodera
泰人 小寺
Hirohide Munakata
博英 棟方
Makoto Kojima
誠 小嶋
Fumikazu Kobayashi
史和 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP30474997A priority Critical patent/JPH11142852A/en
Publication of JPH11142852A publication Critical patent/JPH11142852A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the nonuniformity of the alignment state of chiral smectic liquid crystals. SOLUTION: A uniaxial alignment layer 7 is subjected to a rubbing treatment in a production process, by which a uniaxial alignment characteristic is imparted to liquid crystal molecules. A material of which the change in the dispersion term of the surface energy by the occurrence of film peeling attains <=4 dyne/cm by the rubbing treatment is used for the uniaxial alignment layer 7. Then, even if the film peeling is locally induced by the rubbing treatment, the difference in the surface energy between the part where the film peeling occurs and the part where the film peeling does not occur is small and the nonuniformity of the alignment state of the chiral smectic liquid crystals is lessened.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、一般的には、カイ
ラルスメクチック液晶を備えた液晶素子及び該液晶素子
の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention generally relates to a liquid crystal device having a chiral smectic liquid crystal and a method for manufacturing the liquid crystal device.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶分子の屈折率異方性を利用して偏光
素子との組み合わせにより透過光線を制御するようにし
た液晶素子が、クラーク(Clark)及びラガーウォ
ル(Lagerwall)により提案されている(特開
昭56−107216号公報、米国特許第436792
4号明細書等)。
2. Description of the Related Art A liquid crystal element in which transmitted light is controlled by combining with a polarizing element by utilizing the refractive index anisotropy of liquid crystal molecules has been proposed by Clark and Lagerwall (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open (Kokai) No. 2002-209, 1988). JP-A-56-107216, U.S. Pat.
No. 4 specification).

【0003】この液晶素子に用いられるカイラルスメク
チック液晶は、一般に特定の温度域において、非らせん
構造のカイラルスメクチックC相(SmC* )又はH相
(SmH* )を有し、この状態において、加えられる電
界に応答して第1の光学的安定状態と第2の光学的安定
状態のいずれかを取り、且つ電界の印加のないときはそ
の状態を維持する性質、すなわち双安定性を有し、また
電界の変化に対する応答も速やかであり、高速ならびに
記憶型の素子用の液晶として、広い利用が期待されてい
る。
The chiral smectic liquid crystal used in this liquid crystal element generally has a non-helical structure chiral smectic C phase (SmC * ) or H phase (SmH * ) in a specific temperature range, and is added in this state. Has a property of taking one of a first optically stable state and a second optically stable state in response to an electric field and maintaining the state when no electric field is applied, that is, has bistable stability; It responds quickly to changes in the electric field, and is expected to be widely used as a liquid crystal for high-speed and storage devices.

【0004】なお、この液晶素子は、走査電極及び信号
電極からなるマトリクス電極を備えており、走査電極に
は走査信号が順次印加され、信号電極には、走査信号に
同期して情報信号が印加され、カイラルスメクチック液
晶がマルチプレクシング駆動されるようになっている。
The liquid crystal element has a matrix electrode composed of a scanning electrode and a signal electrode. A scanning signal is sequentially applied to the scanning electrode, and an information signal is applied to the signal electrode in synchronization with the scanning signal. Then, the chiral smectic liquid crystal is driven by multiplexing.

【0005】ところで、このような液晶素子において
は、少なくとも一方の基板に一軸配向膜を形成すると共
に該配向膜に一軸配向処理を施して液晶分子を良好に配
向させる必要がある。かかる一軸配向処理方法として
は、ラビング処理法、斜め蒸着法、及びイオンビーム法
等の種々の方法があるが、ラビング処理法は、ラビング
布を一軸配向膜に擦りつけるだけで良く、作業が簡単で
あることから、一般的に用いられている。
In such a liquid crystal device, it is necessary to form a uniaxial alignment film on at least one of the substrates and to perform a uniaxial alignment treatment on the alignment film to properly align the liquid crystal molecules. As such a uniaxial orientation method, there are various methods such as a rubbing treatment method, an oblique vapor deposition method, and an ion beam method. The rubbing treatment method requires only rubbing a rubbing cloth against a uniaxial orientation film, and the work is simple. Therefore, it is generally used.

【0006】このラビング処理には、通常、10〜10
0μm程度の太さの起毛パイルを有するラビング布が用
いられるが、均一なラビング処理を達成するには、起毛
パイルは10μm程度の細いものが好ましく、かつ多数
の起毛パイルが高密度で植毛されたラビング布を用いる
必要がある。
In this rubbing treatment, usually 10 to 10
A rubbing cloth having a brushed pile having a thickness of about 0 μm is used. In order to achieve a uniform rubbing treatment, a brushed pile having a thickness of about 10 μm is preferable, and a large number of brushed piles are planted at high density. It is necessary to use a rubbing cloth.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、一軸配向膜
3の組成(膜組成)や構造(膜構造)はミクロ的に見れ
ば膜面方向において不均一であるため、ラビング処理を
一軸配向膜3の全面に均一に施したとしても、一軸配向
膜3の表面には膜の剥離が生じる部分と生じない部分と
が混在することとなる。一方、一軸配向膜3における表
面エネルギーの分散項はラビング処理によって膜剥離が
生ずると変化するものであるが、上述のように膜の剥離
が生じる部分と生じない部分とが混在することによって
表面エネルギーが不均一となり、その結果、液晶の配向
状態が不均一になるという問題があった。
Since the composition (film composition) and structure (film structure) of the uniaxially oriented film 3 are not uniform in the direction of the film surface when viewed microscopically, the rubbing treatment is performed on the uniaxially oriented film 3. Even if the film is uniformly applied to the entire surface of the film, a portion where the film is separated and a portion where the film is not separated are mixed on the surface of the uniaxially oriented film 3. On the other hand, the dispersion term of the surface energy in the uniaxially oriented film 3 changes when the film is peeled off by the rubbing treatment. Is non-uniform, and as a result, there is a problem that the alignment state of the liquid crystal becomes non-uniform.

【0008】なお、このラビング処理によって、膜の剥
離が生じた部分においては新たな表面の有機ポリマーの
主鎖が延伸されることとなり、膜の剥離が生じない部分
においては剥離されない表面の有機ポリマーの主鎖が延
伸されることとなる。
By the rubbing treatment, the main chain of the organic polymer on the new surface is stretched in the portion where the film has peeled off, and the organic polymer on the surface where the film has not peeled off in the portion where the film does not peel off Will be stretched.

【0009】そこで、本発明は、液晶の配向状態の不均
一を低減し、表示品位が高い液晶素子を提供することを
目的とするものである。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal device having high display quality by reducing the non-uniformity of the alignment state of the liquid crystal.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は上記事情を考慮
してなされたものであり、所定距離離間して配置される
一対の基板と、これら一対の基板の少なくとも一方の基
板に形成されると共にラビング処理によって液晶分子に
対する一軸配向特性が付与される一軸配向膜と、前記一
対の基板の間に前記一軸配向膜に接するように配置され
たカイラルスメクチック液晶と、を備えた液晶素子にお
いて、前記一軸配向膜は、ラビング処理によって膜剥離
が生ずることによる表面エネルギーの分散項の変化が4
dyne/cm以下である、ことを特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and includes a pair of substrates arranged at a predetermined distance and at least one of the pair of substrates. A liquid crystal device comprising: a uniaxial alignment film provided with uniaxial alignment characteristics for liquid crystal molecules by rubbing treatment; and a chiral smectic liquid crystal disposed between the pair of substrates so as to be in contact with the uniaxial alignment film. In the uniaxially oriented film, the change in the dispersion term of the surface energy due to the peeling of the film by the rubbing treatment is 4%.
dyne / cm or less.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、図1を参照して、本発明の
実施の形態について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIG.

【0012】図1は、本実施の形態に係る液晶素子の構
造を示す図であり、(a) は正面図、(b) は底面図であ
る。
FIGS. 1A and 1B are diagrams showing the structure of a liquid crystal element according to the present embodiment, wherein FIG. 1A is a front view and FIG. 1B is a bottom view.

【0013】この図に明らかなように、本実施の形態に
係る液晶素子Pは、所定距離離間して配置される一対の
基板1,2を備えており、これら一対の基板1,2の少
なくとも一方の基板1には、後述するようにラビング処
理によって液晶分子に対する一軸配向特性が付与される
一軸配向膜3が形成されている。また、これら一対の基
板1,2の間には前記一軸配向膜3に接するようにカイ
ラルスメクチック液晶5が配置されている。
As is apparent from FIG. 1, the liquid crystal element P according to the present embodiment includes a pair of substrates 1 and 2 which are arranged at a predetermined distance from each other. On one substrate 1, a uniaxial alignment film 3 to which uniaxial alignment characteristics for liquid crystal molecules are imparted by a rubbing process as described later is formed. A chiral smectic liquid crystal 5 is disposed between the pair of substrates 1 and 2 so as to be in contact with the uniaxial alignment film 3.

【0014】ところで、前記一軸配向膜3における表面
エネルギーの分散項は、ラビング処理によって膜剥離が
生ずると変化するものであるが、本実施の形態における
一軸配向膜3には、該表面エネルギーの分散項の変化が
4dyne/cm以下となる材質のものを使用してい
る。なお、この一軸配向膜3には、一酸化珪素や二酸化
珪素や酸化アルミニウムや酸化セリウムなどの無機物
や、ポリビニルアルコールやポリイミドやポリイミドア
ミドなどの有機物を用いれば良い。
By the way, the dispersion term of the surface energy in the uniaxially oriented film 3 changes when the film peels off by the rubbing treatment. A material having a term change of 4 dyne / cm or less is used. The uniaxial alignment film 3 may be made of an inorganic material such as silicon monoxide, silicon dioxide, aluminum oxide, or cerium oxide, or an organic material such as polyvinyl alcohol, polyimide, or polyimide amide.

【0015】また、前記一軸配向膜3は両方の基板1,
2に形成しても良いが、この一軸配向膜3を一方の基板
1にのみ形成すると共に、他方の基板2には、液晶分子
に対して非一軸配向特性を有する非一軸配向膜6を形成
するようにしてもよい。ここで、これらの一軸配向膜3
や非一軸配向膜6は有機膜や無機膜にて形成すれば良
い。
Further, the uniaxial alignment film 3 is formed on both substrates 1,
The uniaxial alignment film 3 may be formed only on one substrate 1, and the other substrate 2 may be formed with a non-uniaxial alignment film 6 having non-uniaxial alignment characteristics with respect to liquid crystal molecules. You may make it. Here, these uniaxially oriented films 3
The non-uniaxial alignment film 6 may be formed of an organic film or an inorganic film.

【0016】なお、本明細書における“一軸配向特性”
とは、液晶分子を一軸配向状態(例えば一軸水平配向状
態)にする特性を意味する。
In the present specification, "uniaxial orientation characteristics"
The term means a property of bringing the liquid crystal molecules into a uniaxial alignment state (for example, a uniaxial horizontal alignment state).

【0017】基板1,2は、ガラスやプラスチックにて
形成すれば良い。
The substrates 1 and 2 may be made of glass or plastic.

【0018】また、これらの基板1,2の表面には電極
7,9を形成すれば良い。この電極7,9としては、I
TO(インジウム ティン オキサイド)などの透明導
電体が好ましい。
Further, electrodes 7 and 9 may be formed on the surfaces of these substrates 1 and 2. The electrodes 7 and 9 include I
A transparent conductor such as TO (indium tin oxide) is preferred.

【0019】カイラルスメクチック液晶5としては、S
mC* 相において、そのスメクチック層が基板に対して
垂直に並列するといったブックシェルフ構造、或は垂直
に近いスメクチック層傾きの構造をとる液晶材料を用い
れば良い。このような液晶材料としては、例えば、少な
くとも一つの連鎖中エーテル酸素を持つフルオロカーボ
ン末端鎖と、炭化水素末端鎖とからなるフッ素含有液晶
化合物であって、該末端鎖が中心核によって結合され、
化合物がスメクチック中間相或は潜在的スメクチック相
を示すものを含有する液晶組成物を挙げることができ
る。
The chiral smectic liquid crystal 5 includes S
In the mC * phase, a liquid crystal material having a bookshelf structure in which the smectic layers are vertically arranged in parallel with the substrate or a structure in which the smectic layer is inclined nearly perpendicularly may be used. As such a liquid crystal material, for example, a fluorine-containing liquid crystal compound comprising a fluorocarbon terminal chain having at least one ether oxygen in the chain and a hydrocarbon terminal chain, wherein the terminal chains are bonded by a central nucleus;
A liquid crystal composition containing a compound exhibiting a smectic intermediate phase or a latent smectic phase can be given.

【0020】次に、本実施の形態に係る液晶素子Pの製
造方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the liquid crystal element P according to the present embodiment will be described.

【0021】液晶素子Pの製造に際しては、一の基板1
に一軸配向膜3を形成し、この一軸配向膜3にラビング
処理を施して液晶分子に対する一軸配向特性を付与す
る。そして、この一の基板1と他の基板2とを所定距離
離間した状態に貼り合わせ、これらの基板1,2の間
(一軸配向膜3に接する位置)にカイラルスメクチック
液晶を注入する。
In manufacturing the liquid crystal element P, one substrate 1
Then, a uniaxial alignment film 3 is formed, and a rubbing process is performed on the uniaxial alignment film 3 to impart uniaxial alignment characteristics to liquid crystal molecules. Then, the one substrate 1 and the other substrate 2 are bonded to each other with a predetermined distance therebetween, and a chiral smectic liquid crystal is injected between the substrates 1 and 2 (a position in contact with the uniaxial alignment film 3).

【0022】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。
Next, the effect of this embodiment will be described.

【0023】本実施の形態によれば、膜の剥離に伴う表
面エネルギーの分散項γd の変化が4dyne/cm以
下である一軸配向膜3を用いているため、ラビング処理
によって膜の剥離が生じる部分と生じない部分とが混在
するようになったとしても、表面エネルギーをほぼ均一
にでき、液晶5の配向状態を均一にできる。その結果、
液晶素子Pの表示品位が向上される。
According to the present embodiment, since the uniaxially oriented film 3 having a change in the dispersion term γ d of the surface energy of 4 dyne / cm or less due to the peeling of the film is used, the peeling of the film occurs by the rubbing treatment. Even if a portion and a portion that does not occur are mixed, the surface energy can be made substantially uniform, and the alignment state of the liquid crystal 5 can be made uniform. as a result,
The display quality of the liquid crystal element P is improved.

【0024】[0024]

【実施例】(実施例1)本実施例に係る液晶素子Pは、
基板にガラス基板1,2を用いており、これらのガラス
基板1,2の表面には、ITO(インジウム ティン
オキサイド)からなる透明電極7,9を形成した。な
お、これらの透明電極7,9は互いに直交するように配
置した。
Embodiment (Embodiment 1) A liquid crystal element P according to this embodiment is
Glass substrates 1 and 2 are used as substrates, and the surfaces of these glass substrates 1 and 2 are coated with ITO (indium tin).
Oxide) were formed. In addition, these transparent electrodes 7 and 9 were arranged so as to be orthogonal to each other.

【0025】また、一軸配向膜3は、一方のガラス基板
1にのみ、かつ上記透明電極7を覆うように形成した。
なお、この一軸配向膜3は下記構造のポリイミドにて形
成し、
The uniaxial alignment film 3 was formed only on one glass substrate 1 and so as to cover the transparent electrode 7.
The uniaxial alignment film 3 is formed of polyimide having the following structure.

【0026】[0026]

【化1】 その膜厚を約5×103 μmとした。この一軸配向膜3
には後述するようにラビング処理を施すが、本発明者が
表面エネルギーの分散項の値を所定の方法(北崎氏、日
本接着協会誌、8(3)、131〜141(197
2))で測定・算出したところ、ラビング処理前であっ
て膜剥離が無い状態では44.3dyne/cmであ
り、ラビング処理後であって膜剥離があった状態では4
4.5dyne/cmであって、その差は0.2dyn
e/cmであった。
Embedded image The film thickness was about 5 × 10 3 μm. This uniaxial alignment film 3
Is subjected to a rubbing treatment as described later, but the present inventor determines the value of the dispersion term of the surface energy by a predetermined method (Mr. Kitazaki, Journal of the Adhesion Society of Japan, 8 (3), 131-141 (197)
The measured and calculated values in 2)) were 44.3 dyne / cm before the rubbing treatment and no film separation, and 44.3 dyne after the rubbing treatment and film separation.
4.5 dyne / cm and the difference is 0.2 dyn
e / cm.

【0027】さらに、他方のガラス基板3には、透明電
極9を覆うように非一軸配向膜6を形成した。この非一
軸配向膜6は、アンチモンドープのSnO2 超微粒子を
分散させたシリカ膜にて形成し、SnO2 超微粒子の粒
径は約10×103 μmとした。また、非一軸配向膜6
の膜厚は約150×103 μmとした。
Further, a non-uniaxially oriented film 6 was formed on the other glass substrate 3 so as to cover the transparent electrode 9. The non-uniaxially oriented film 6 was formed of a silica film in which antimony-doped SnO 2 ultrafine particles were dispersed, and the particle size of the SnO 2 ultrafine particles was about 10 × 10 3 μm. In addition, the non-uniaxial alignment film 6
Was about 150 × 10 3 μm.

【0028】一方、これらのガラス基板1,2の間に
は、平均粒径が2.6μmのシリカビーズからなるスペ
ーサ(不図示)を配置し、このスペーサによって両ガラ
ス基板1,2の間隙寸法を規定した。
On the other hand, a spacer (not shown) made of silica beads having an average particle size of 2.6 μm is arranged between these glass substrates 1 and 2, and this spacer is used to make a gap between the two glass substrates 1 and 2. Stipulated.

【0029】また、これらのガラス基板1,2の間隙に
は、図1(a) に示す形状にシール材10を配置し、この
シール材10によって両ガラス基板1,2を貼り合わせ
た。なお、シール材10にはエポキシ樹脂の接着剤を使
用した。また、図中の符号11は、カイラルスメクチッ
ク液晶5を注入するための注入口である。
Further, a sealing material 10 having a shape shown in FIG. 1A was disposed in the gap between the glass substrates 1 and 2, and the two glass substrates 1 and 2 were bonded by the sealing material 10. Note that an epoxy resin adhesive was used for the sealing material 10. Reference numeral 11 in the figure denotes an injection port for injecting the chiral smectic liquid crystal 5.

【0030】さらに、液晶5にはポリフッ素系のものを
用いた。なお、下記各化合物をA,B1 ,B2 ,B3
Cで表わした場合、液晶5におけるそれらの重量比A/
1/B2 /B3 /Cを80/3/3/4/5とした。
なお、該組成物の25℃での自発分極は26nC/cm
2 、20℃での層傾き角δは0°、チルト角は27°で
あった。
Further, a polyfluorinated liquid crystal 5 was used. The following compounds are represented by A, B 1 , B 2 , B 3 ,
C, their weight ratio in the liquid crystal 5 A /
Was B 1 / B 2 / B 3 / C of 80/3/3/4/5.
The spontaneous polarization of the composition at 25 ° C. was 26 nC / cm.
2. The layer inclination angle δ at 20 ° C. was 0 °, and the tilt angle was 27 °.

【0031】[0031]

【化2】 次に、液晶素子Pの製造方法について説明する。Embedded image Next, a method for manufacturing the liquid crystal element P will be described.

【0032】まず、スパッタ法によってガラス基板1,
2の表面に100×103 μmの厚さのITO膜を形成
し、これをホトリソ法によってパターニングして透明電
極7,9を形成した。
First, a glass substrate 1 was formed by sputtering.
On the surface of No. 2, an ITO film having a thickness of 100 × 10 3 μm was formed, and this was patterned by photolithography to form transparent electrodes 7 and 9.

【0033】次に、一方のガラス基板1の表面には、透
明電極7を覆うようにスピンナーにてポリイミド膜を塗
布し、これに加熱焼成処理を施して一軸配向膜3を形成
した。そして、この一軸配向膜3の表面を、直径約15
μmのナイロンパイルからなるラビング布にて擦り、ラ
ビング処理を施した。
Next, a polyimide film was applied to the surface of one of the glass substrates 1 by a spinner so as to cover the transparent electrode 7, and was subjected to a heating and baking treatment to form a uniaxially oriented film 3. Then, the surface of the uniaxial alignment film 3 has a diameter of about 15
A rubbing treatment was performed by rubbing with a rubbing cloth made of a nylon pile of μm.

【0034】また、他方のガラス基板3には、アンチモ
ンドープのSnO2 超微粒子を分散させたシリカ溶液を
スピンナーによって塗布し、これに加熱乾燥処理を施し
て非一軸配向膜6を形成した。なお、この非一軸配向膜
6にはラビング処理を施さなかった。
On the other glass substrate 3, a silica solution in which antimony-doped SnO 2 ultrafine particles were dispersed was applied by a spinner, and this was heated and dried to form a non-uniaxially oriented film 6. The non-uniaxial alignment film 6 was not subjected to a rubbing process.

【0035】そして、一方のガラス基板1にスペーサを
散布すると共に他方のガラス基板3にシール材10を塗
布し、これらのガラス基板1,2を貼り合わせた。
Then, spacers were scattered on one glass substrate 1 and a sealing material 10 was applied on the other glass substrate 3, and these glass substrates 1 and 2 were bonded.

【0036】その後、これらの基板1,2の間にカイラ
ルスメクチック液晶5を注入し、注入口11を封止し
た。
Thereafter, a chiral smectic liquid crystal 5 was injected between the substrates 1 and 2, and the injection port 11 was sealed.

【0037】本実施例によれば、上述した発明の実施の
形態と同様の効果を奏した。なお、液晶素子Pの配向状
態を偏光顕微鏡で観察して欠陥の数を数えたところ、
0.1個/cm2 程度と少なく、均一な配向状態である
ことが分かった。 (実施例2)本実施例においては、一軸配向膜3を下記
構造のポリイミドにて形成した。
According to the present embodiment, the same effects as those of the above-described embodiment of the present invention can be obtained. In addition, when the orientation state of the liquid crystal element P was observed with a polarizing microscope and the number of defects was counted,
It was found that the alignment state was as small as about 0.1 / cm 2 , indicating a uniform alignment state. (Embodiment 2) In this embodiment, the uniaxial alignment film 3 was formed of polyimide having the following structure.

【0038】[0038]

【化3】 また、本発明者がこの一軸配向膜3について表面エネル
ギーの分散項の値を上述と同様の方法で測定・算出した
ところ、ラビング処理前であって膜剥離が無い状態では
43.2dyne/cmであり、ラビング処理後であっ
て膜剥離があった状態では44.7dyne/cmであ
って、その差は1.5dyne/cmであった。
Embedded image The inventor of the present invention measured and calculated the value of the dispersion term of the surface energy for the uniaxially oriented film 3 in the same manner as described above. As a result, before the rubbing treatment and no film peeling, the value was 43.2 dyne / cm. In the state after the rubbing treatment and the film was peeled off, it was 44.7 dyne / cm, and the difference was 1.5 dyne / cm.

【0039】それ以外の構造並びに製造方法は、上記実
施例1と同様とした。
The rest of the structure and the manufacturing method were the same as in the first embodiment.

【0040】本実施例によれば、上述した発明の実施の
形態と同様の効果を奏した。なお、液晶素子Pの配向状
態を偏光顕微鏡で観察して欠陥の数を数えたところ、
0.5個/cm2 程度と少なく、均一な配向状態である
ことが分かった。 (比較例1)ここで、ラビング処理によって膜剥離が生
ずることによる表面エネルギーの分散項の変化が4dy
ne/cm以上である一軸配向膜を用いた場合について
の実験結果を“比較例1”及び“比較例2”として説明
する。
According to this embodiment, the same effects as those of the above-described embodiment of the present invention can be obtained. In addition, when the orientation state of the liquid crystal element P was observed with a polarizing microscope and the number of defects was counted,
It was found to be as small as about 0.5 particles / cm 2 , indicating a uniform alignment state. (Comparative Example 1) Here, the change in the dispersion term of the surface energy due to the peeling of the film caused by the rubbing treatment was 4 dy.
Experimental results in the case where a uniaxial alignment film having a ne / cm or more is used will be described as “Comparative Example 1” and “Comparative Example 2”.

【0041】本比較例においては、一軸配向膜3をLQ
1800(日立化成(株)製)のポリイミドにて形成し
た。なお、本発明者がこの一軸配向膜3について表面エ
ネルギーの分散項の値を上述と同様の方法で測定・算出
したところ、ラビング処理前であって膜剥離が無い状態
では37.1dyne/cmであり、ラビング処理後で
あって膜剥離があった状態では42.4dyne/cm
であって、その差は5.3dyne/cmであった。
In this comparative example, the uniaxial alignment film 3 is
1800 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.). When the present inventor measured and calculated the value of the dispersion term of the surface energy for the uniaxially oriented film 3 in the same manner as described above, it was 37.1 dyne / cm before the rubbing treatment and without film peeling. Yes, 42.4 dyne / cm after rubbing and with film peeling
And the difference was 5.3 dyne / cm.

【0042】それ以外の構造並びに製造方法は、上記実
施例1と同様とした。
Other structures and the manufacturing method were the same as those in the first embodiment.

【0043】本比較例によれば、液晶5の一軸性が部分
的に弱くなり、配向欠陥が多く発生した。なお、液晶素
子Pの配向状態を偏光顕微鏡で観察して欠陥の数を数え
たところ、120個/cm2 程度と多いことが分かっ
た。 (比較例2)本比較例においては、一軸配向膜3をLX
−S401(日立化成(株)製)のポリイミドにて形成
した。なお、本発明者がこの一軸配向膜3について表面
エネルギーの分散項の値を上述と同様の方法で測定・算
出したところ、ラビング処理前であって膜剥離が無い状
態では32.5dyne/cmであり、ラビング処理後
であって膜剥離があった状態では43.3dyne/c
mであって、その差は10.8dyne/cmであっ
た。
According to this comparative example, the uniaxiality of the liquid crystal 5 was partially weakened, and many alignment defects occurred. When the alignment state of the liquid crystal element P was observed with a polarizing microscope and the number of defects was counted, it was found that the number was as large as about 120 / cm 2 . (Comparative Example 2) In this comparative example, the uniaxially oriented film 3 was LX
-S401 (made by Hitachi Chemical Co., Ltd.). The inventor measured and calculated the value of the dispersion term of the surface energy for the uniaxially oriented film 3 by the same method as described above. As a result, before the rubbing treatment and without film peeling, the value was 32.5 dyne / cm. Yes, 43.3 dyne / c after film rubbing and film peeling
m, and the difference was 10.8 dyne / cm.

【0044】それ以外の構造並びに製造方法は、上記実
施例1と同様とした。
The other structures and the manufacturing method were the same as in the first embodiment.

【0045】本比較例によれば、液晶5の一軸性が部分
的に弱くなり、配向欠陥が多く発生した。なお、液晶素
子Pの配向状態を偏光顕微鏡で観察して欠陥の数を数え
たところ、220個/cm2 程度と多いことが分かっ
た。 (実施例3)本実施例においては、一軸配向膜3を下記
構造のポリイミドにて形成した。
According to this comparative example, the uniaxiality of the liquid crystal 5 was partially weakened, and many alignment defects occurred. When the orientation state of the liquid crystal element P was observed with a polarizing microscope and the number of defects was counted, it was found that the number was as large as about 220 / cm 2 . (Embodiment 3) In this embodiment, the uniaxial alignment film 3 was formed of polyimide having the following structure.

【0046】[0046]

【化4】 また、本発明者がこの一軸配向膜3について表面エネル
ギーの分散項の値を上述と同様の方法で測定・算出した
ところ、ラビング処理前であって膜剥離が無い状態では
40.5dyne/cmであり、ラビング処理後であっ
て膜剥離があった状態では44.5dyne/cmであ
って、その差は4.0dyne/cmであった。
Embedded image Further, the inventor measured and calculated the value of the dispersion term of the surface energy for the uniaxially oriented film 3 in the same manner as described above, and found that the value was 40.5 dyne / cm before the rubbing treatment and no film peeling. In the state after the rubbing treatment and the film was peeled off, it was 44.5 dyne / cm, and the difference was 4.0 dyne / cm.

【0047】それ以外の構造並びに製造方法は、上記実
施例1と同様とした。
The other structure and manufacturing method were the same as those in the first embodiment.

【0048】本実施例によれば、上述した発明の実施の
形態と同様の効果を奏した。なお、液晶素子Pの配向状
態を偏光顕微鏡で観察して欠陥の数を数えたところ、1
個/cm2 程度と少なく、均一な配向状態であることが
分かった。 (実施例4)本実施例においては、非一軸配向膜6を用
いず、その代わりに一軸配向膜3をガラス基板1,2の
両方に各透明電極7,9を覆うように形成し、各一軸配
向膜3にはラビング処理を施した。なお、一軸配向膜3
には実施例1と同様のものを用いた。
According to this embodiment, the same effects as those of the above-described embodiment of the present invention can be obtained. The number of defects was counted by observing the alignment state of the liquid crystal element P with a polarizing microscope.
Particles / cm 2, which was small, indicating a uniform alignment state. (Embodiment 4) In this embodiment, the non-uniaxial alignment film 6 is not used, and instead, the uniaxial alignment film 3 is formed on both the glass substrates 1 and 2 so as to cover the transparent electrodes 7 and 9, respectively. The uniaxial alignment film 3 was subjected to a rubbing treatment. The uniaxial alignment film 3
The same one as in Example 1 was used.

【0049】それ以外の構造並びに製造方法は、上記実
施例1と同様とした。
The other structure and manufacturing method were the same as those in the first embodiment.

【0050】本実施例によれば、上述した発明の実施の
形態と同様の効果を奏した。なお、液晶素子Pの配向状
態を偏光顕微鏡で観察して欠陥の数を数えたところ、
0.9個/cm2 程度と少なく、均一な配向状態である
ことが分かった。
According to this embodiment, the same effects as those of the above-described embodiment of the present invention can be obtained. In addition, when the orientation state of the liquid crystal element P was observed with a polarizing microscope and the number of defects was counted,
It was found to be as small as about 0.9 / cm 2 , indicating a uniform alignment state.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
カイラルスメクチック液晶の配向状態は均一となり、液
晶素子の表示品位は向上される。
As described above, according to the present invention,
The alignment state of the chiral smectic liquid crystal becomes uniform, and the display quality of the liquid crystal element is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】液晶素子の構造を示す図であり、(a) は正面
図、(b) は底面図。
FIGS. 1A and 1B are diagrams showing a structure of a liquid crystal element, wherein FIG. 1A is a front view and FIG. 1B is a bottom view.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a,1b ガラス基板(基板) 3 一軸配向膜 5 カイラルスメクチック液晶 6 非一軸配向膜 P 液晶素子 1a, 1b Glass substrate (substrate) 3 Uniaxial alignment film 5 Chiral smectic liquid crystal 6 Non-uniaxial alignment film P Liquid crystal element

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 史和 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Fumikazu Kobayashi Canon Inc. 3- 30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定距離離間して配置される一対の基板
と、これら一対の基板の少なくとも一方の基板に形成さ
れると共にラビング処理によって液晶分子に対する一軸
配向特性が付与される一軸配向膜と、前記一対の基板の
間に前記一軸配向膜に接するように配置されたカイラル
スメクチック液晶と、を備えた液晶素子において、 前記一軸配向膜は、ラビング処理によって膜剥離が生ず
ることによる表面エネルギーの分散項の変化が4dyn
e/cm以下である、 ことを特徴とする液晶素子。
A pair of substrates arranged at a predetermined distance from each other; a uniaxial alignment film formed on at least one of the pair of substrates and provided with uniaxial alignment characteristics for liquid crystal molecules by a rubbing process; A chiral smectic liquid crystal disposed between the pair of substrates so as to be in contact with the uniaxial alignment film, wherein the uniaxial alignment film has a dispersion term of surface energy due to peeling of the film due to rubbing treatment. Change of 4dyn
e / cm or less.
【請求項2】 前記一軸配向膜が前記一対の基板のうち
の一方の基板にのみ形成され、かつ、 他方の基板には、液晶分子に対して非一軸配向特性を有
する非一軸配向膜を形成した、 ことを特徴とする請求項1に記載の液晶素子。
2. The method according to claim 1, wherein the uniaxial alignment film is formed only on one of the pair of substrates, and a non-uniaxial alignment film having non-uniaxial alignment characteristics on liquid crystal molecules is formed on the other substrate. The liquid crystal device according to claim 1, wherein:
【請求項3】 前記一軸配向膜及び前記非一軸配向膜が
有機膜や無機膜にて形成された、 ことを特徴とする請求項2に記載の液晶素子。
3. The liquid crystal device according to claim 2, wherein the uniaxial alignment film and the non-uniaxial alignment film are formed of an organic film or an inorganic film.
【請求項4】 前記液晶が、少なくとも一つの連鎖中エ
ーテル酸素を持つフルオロカーボン末端鎖と、炭化水素
末端鎖とからなるフッ素含有液晶化合物であって、該末
端鎖が中心核によって結合され、化合物がスメクチック
中間相或は潜在的スメクチック相を示すものを含有する
液晶組成物である、 ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載
の液晶素子。
4. The liquid crystal is a fluorine-containing liquid crystal compound comprising at least one fluorocarbon terminal chain having ether oxygen in the chain and a hydrocarbon terminal chain, wherein the terminal chains are bonded by a central nucleus, and the compound is The liquid crystal device according to any one of claims 1 to 3, wherein the liquid crystal composition contains a liquid crystal composition exhibiting a smectic intermediate phase or a latent smectic phase.
【請求項5】 一の基板に一軸配向膜を形成する工程
と、該一軸配向膜にラビング処理を施して液晶分子に対
する一軸配向特性を付与する工程と、前記一の基板と他
の基板とを所定距離離間した状態に貼り合わせる工程
と、これらの基板の間に前記一軸配向膜に接する位置に
カイラルスメクチック液晶を注入する工程と、を備えた
液晶素子の製造方法において、 前記一軸配向膜は、前記ラビング処理によって膜剥離が
生ずることによる表面エネルギーの分散項の変化が4d
yne/cm以下である、 ことを特徴とする液晶素子の製造方法。
5. A step of forming a uniaxial alignment film on one substrate, a step of subjecting the uniaxial alignment film to rubbing treatment to impart uniaxial alignment characteristics to liquid crystal molecules, and A method of manufacturing a liquid crystal device, comprising: a step of bonding in a state separated by a predetermined distance, and a step of injecting a chiral smectic liquid crystal between these substrates at a position in contact with the uniaxial alignment film, wherein the uniaxial alignment film is The change in the dispersion term of the surface energy due to the film peeling caused by the rubbing treatment is 4d.
yne / cm or less.
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