JPH11120920A - プラズマディスプレイ装置 - Google Patents
プラズマディスプレイ装置Info
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- JPH11120920A JPH11120920A JP27841797A JP27841797A JPH11120920A JP H11120920 A JPH11120920 A JP H11120920A JP 27841797 A JP27841797 A JP 27841797A JP 27841797 A JP27841797 A JP 27841797A JP H11120920 A JPH11120920 A JP H11120920A
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- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明の課題は放電を行わせるセルの誤放電を
低減することにある。 【解決手段】本発明ではＰＤＰのセル内でプラズマを生
成するガスの主成分であるHe,Ne,Ar,Kr,Xe等にO2,N2,CO
2,CF4,H2等のＸｅの準安定状態に比べて低いエネルギー
準位をもった原子または分子を添加する手段を用いる。
低減することにある。 【解決手段】本発明ではＰＤＰのセル内でプラズマを生
成するガスの主成分であるHe,Ne,Ar,Kr,Xe等にO2,N2,CO
2,CF4,H2等のＸｅの準安定状態に比べて低いエネルギー
準位をもった原子または分子を添加する手段を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
イ（以降ＰＤＰとする）装置の放電ガスに関し、更に
は、安定化ガスに関する。
イ（以降ＰＤＰとする）装置の放電ガスに関し、更に
は、安定化ガスに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰの駆動は、例えば特開平４-３３
２４３０に開示されるように、放電の前の予備放電期間
と書き込み期間によって発光させるセルを選択する方式
が一般的であり、この段階で電極上に正確に電荷を形成
する必要がある。しかし、プラズマ中には放電終了後も
励起されたＸｅ*原子が残っており、これがＭｇＯ保護
膜に衝突することによって電子を生成する。このＸｅ*
原子の寿命は非常に長く、予備放電期間や書き込み期間
で要する時間と同程度であるため、放電終了後に生成さ
れた電子は書き込み放電時に電荷の形成を妨害してしま
う。
２４３０に開示されるように、放電の前の予備放電期間
と書き込み期間によって発光させるセルを選択する方式
が一般的であり、この段階で電極上に正確に電荷を形成
する必要がある。しかし、プラズマ中には放電終了後も
励起されたＸｅ*原子が残っており、これがＭｇＯ保護
膜に衝突することによって電子を生成する。このＸｅ*
原子の寿命は非常に長く、予備放電期間や書き込み期間
で要する時間と同程度であるため、放電終了後に生成さ
れた電子は書き込み放電時に電荷の形成を妨害してしま
う。
【０００３】従って、安定した発光という点から必ずし
も満足できる構成ではなかった。
も満足できる構成ではなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は誤放電
を低減することが可能な手段を提供することにある。
を低減することが可能な手段を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題に対して本発明
ではＰＤＰのセル内でプラズマを生成するガスの主成分
であるＨｅ,Ｎｅ,Ａｒ,Ｋｒ,Ｘｅ等にＯ２,Ｎ２,ＣＯ
２,ＣＦ４,Ｈ２等のガスを添加する手段を用いる。
ではＰＤＰのセル内でプラズマを生成するガスの主成分
であるＨｅ,Ｎｅ,Ａｒ,Ｋｒ,Ｘｅ等にＯ２,Ｎ２,ＣＯ
２,ＣＦ４,Ｈ２等のガスを添加する手段を用いる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下図１から図５を用い本発明の
実施形態を説明する。
実施形態を説明する。
【０００７】図２は本発明を適用するＰＤＰの構造の一
部を示す分解斜視図であり、前面ガラス基板２１の下面
には透明な共通電極（以降Ｘ電極と称す）２２-１乃至
２２-２と、透明な独立電極（以降Ｙ電極と称す）２３-
１乃至２３-２を付設する。また、Ｘ電極２２-１乃至２
２-２とＹ電極２３-１乃至２３-２には、それぞれＸバ
ス電極２４-１乃至２４-２とＹバス電極２５-１乃至２
５-２を積層付設する。さらに、Ｘ電極２２-１乃至２２
-２、Ｙ電極２３-１乃至２３-２、Ｘバス電極２４-１乃
至２４-２、Ｙバス電極２５-１乃至２５-２を誘電体２
６によって被覆し、ＭｇＯ等の保護層２７を付設する。
部を示す分解斜視図であり、前面ガラス基板２１の下面
には透明な共通電極（以降Ｘ電極と称す）２２-１乃至
２２-２と、透明な独立電極（以降Ｙ電極と称す）２３-
１乃至２３-２を付設する。また、Ｘ電極２２-１乃至２
２-２とＹ電極２３-１乃至２３-２には、それぞれＸバ
ス電極２４-１乃至２４-２とＹバス電極２５-１乃至２
５-２を積層付設する。さらに、Ｘ電極２２-１乃至２２
-２、Ｙ電極２３-１乃至２３-２、Ｘバス電極２４-１乃
至２４-２、Ｙバス電極２５-１乃至２５-２を誘電体２
６によって被覆し、ＭｇＯ等の保護層２７を付設する。
【０００８】一方、背面ガラス基板２８の上面には、Ｘ
電極２２-１乃至２２-２、Ｙ電極２３-１乃至２３-２と
直角に立体交差する電極（以降Ａ電極と称す）２９を付
設し、該Ａ電極２９を誘電体３０によって被覆し、該誘
電体３０の上に隔壁３１をＡ電極２９と平行に設ける。
さらに、隔壁３１の壁面と誘電体３０の上面によって形
成される凹領域のうちＡ電極２９を挟む部分の内側に蛍
光体３２を塗布する。
電極２２-１乃至２２-２、Ｙ電極２３-１乃至２３-２と
直角に立体交差する電極（以降Ａ電極と称す）２９を付
設し、該Ａ電極２９を誘電体３０によって被覆し、該誘
電体３０の上に隔壁３１をＡ電極２９と平行に設ける。
さらに、隔壁３１の壁面と誘電体３０の上面によって形
成される凹領域のうちＡ電極２９を挟む部分の内側に蛍
光体３２を塗布する。
【０００９】図３は図２中の矢印Ｄ１の方向から見たＰ
ＤＰの断面図であり、画素の最小単位であるセル１個を
示している。
ＤＰの断面図であり、画素の最小単位であるセル１個を
示している。
【００１０】図３より、Ａ電極２９は２つの隔壁３１の
中間に位置し前面ガラス基板２１と背面ガラス基板２
８、隔壁３１に囲まれた放電空間３３にはプラズマを生
成するためのガスを充填する。
中間に位置し前面ガラス基板２１と背面ガラス基板２
８、隔壁３１に囲まれた放電空間３３にはプラズマを生
成するためのガスを充填する。
【００１１】尚、放電空間３３は隔壁３１により空間的
に区切られることもあるし、隔壁３１と前面ガラス基板
２１の放電空間側面との間に間隙を設け空間的に連続に
することもある。
に区切られることもあるし、隔壁３１と前面ガラス基板
２１の放電空間側面との間に間隙を設け空間的に連続に
することもある。
【００１２】図４は図２中の矢印Ｄ２の方向からみたＰ
ＤＰの断面図であり、１個のセルを示している。セルの
境界は概略点線で示す位置である。図４より、３は電
子、４は正イオン、５は正壁電荷、６は負壁電荷を示
す。
ＤＰの断面図であり、１個のセルを示している。セルの
境界は概略点線で示す位置である。図４より、３は電
子、４は正イオン、５は正壁電荷、６は負壁電荷を示
す。
【００１３】図４には、例としてＡ電極２９、Ｙ電極２
３-１に＋の電圧を、X電極２２-１に−の電圧を印加し
た模式図を表している。この状態で、放電空間に電子３
及び正イオン４が残っていると、正壁電荷５及び負壁電
荷６を消去し、書き込みを阻害する。
３-１に＋の電圧を、X電極２２-１に−の電圧を印加し
た模式図を表している。この状態で、放電空間に電子３
及び正イオン４が残っていると、正壁電荷５及び負壁電
荷６を消去し、書き込みを阻害する。
【００１４】図５は図２に示したＰＤＰに１枚の画を表
示するのに要する１フィールド期間の動作を示す図であ
り、１ＴＶフィールド期間４０は複数のサブフィールド
４１乃至４８に分割され、各サブフィールドは（b）に
示すように予備放電期間４９、発光セルを規定する書き
込み放電期間５０、発光表示期間５１からなる。波形５
２は従来技術による書き込み放電期間５０に於ける１本
のＡ電極に印加する電圧波形、波形５３はＸ電極に印加
する電圧波形、５４、５５はＹ電極のｉ番目と（ｉ＋
１）番目に印加する電圧波形であり、それぞれの電圧を
Ｖ０，Ｖ１，Ｖ２（Ｖ）とする。
示するのに要する１フィールド期間の動作を示す図であ
り、１ＴＶフィールド期間４０は複数のサブフィールド
４１乃至４８に分割され、各サブフィールドは（b）に
示すように予備放電期間４９、発光セルを規定する書き
込み放電期間５０、発光表示期間５１からなる。波形５
２は従来技術による書き込み放電期間５０に於ける１本
のＡ電極に印加する電圧波形、波形５３はＸ電極に印加
する電圧波形、５４、５５はＹ電極のｉ番目と（ｉ＋
１）番目に印加する電圧波形であり、それぞれの電圧を
Ｖ０，Ｖ１，Ｖ２（Ｖ）とする。
【００１５】図５より、Ｙ電極のｉ行目にスキャンパル
ス５６が印加された時、Ａ電極２９との交点に位置する
セルで書き込み放電が起こる。
ス５６が印加された時、Ａ電極２９との交点に位置する
セルで書き込み放電が起こる。
【００１６】又、Ｙ電極のｉ行目にスキャンパルス５６
が印加された時、Ａ電極２９がグランド電位であれば書
き込み放電は起こらず、そのセルは非発光セルとなる。
が印加された時、Ａ電極２９がグランド電位であれば書
き込み放電は起こらず、そのセルは非発光セルとなる。
【００１７】このように、書き込み放電期間５０に於い
てＹ電極にはスキャンパルスが１回印加され、Ａ電極２
９にはスキャンパルスに対応して発光セルではＶ０、非
発光セルではグランド電位となる。
てＹ電極にはスキャンパルスが１回印加され、Ａ電極２
９にはスキャンパルスに対応して発光セルではＶ０、非
発光セルではグランド電位となる。
【００１８】以上、本発明を適用するＰＤＰ構成の一例
を示した。
を示した。
【００１９】図１は本発明の実施例を示した図であり、
放電終了後に於ける荷電粒子の様子を表している。図１
中で１は準安定Ｘｅ原子Ｘｅ*、２は中性ガス分子又は
原子、３は電子、４は正イオンである。又、Ｘｅ*１、
電子３より伸びる矢印は、各々の粒子の運動方向を表し
ている。
放電終了後に於ける荷電粒子の様子を表している。図１
中で１は準安定Ｘｅ原子Ｘｅ*、２は中性ガス分子又は
原子、３は電子、４は正イオンである。又、Ｘｅ*１、
電子３より伸びる矢印は、各々の粒子の運動方向を表し
ている。
【００２０】放電終了後の原子、電子の状態について、
一般的なＰＤＰのガス組成であるＸｅ、Ｎｅ混合ガスの
場合を用いて説明する。一例として、ガス圧は３００Ｔ
ｏｒｒ、Ｘｅ分圧は約１８Ｔｏｒｒを仮定する。プラズ
マ中で、多数のＮｅは準安定状態Ｎｅ*あるいは正イオ
ンＮｅ+として存在する。同様に多くのＸｅもＸｅ*ある
いはＸｅ+として存在している。そして、Ｎｅ+は０.３
３μｓ、 Ｎｅ*は０.０２３〜０.０７８μｓで内部エネ
ルギーをＸｅ+与える。さらに、このＸｅ+は０.１μｓ
程度でほとんどＸ電極２２-１乃至２２-２、 Ｙ電極２
３-１乃至２３-２、 Ａ電極２９に吸収され、一部のＸ
ｅ+は電子と再結合してＸｅ**あるいはＸｅ*となる。電
子は、１００Ｖ程度の電圧を印加すれば、ｎｓ以下のオ
ーダーで電極に吸収される。
一般的なＰＤＰのガス組成であるＸｅ、Ｎｅ混合ガスの
場合を用いて説明する。一例として、ガス圧は３００Ｔ
ｏｒｒ、Ｘｅ分圧は約１８Ｔｏｒｒを仮定する。プラズ
マ中で、多数のＮｅは準安定状態Ｎｅ*あるいは正イオ
ンＮｅ+として存在する。同様に多くのＸｅもＸｅ*ある
いはＸｅ+として存在している。そして、Ｎｅ+は０.３
３μｓ、 Ｎｅ*は０.０２３〜０.０７８μｓで内部エネ
ルギーをＸｅ+与える。さらに、このＸｅ+は０.１μｓ
程度でほとんどＸ電極２２-１乃至２２-２、 Ｙ電極２
３-１乃至２３-２、 Ａ電極２９に吸収され、一部のＸ
ｅ+は電子と再結合してＸｅ**あるいはＸｅ*となる。電
子は、１００Ｖ程度の電圧を印加すれば、ｎｓ以下のオ
ーダーで電極に吸収される。
【００２１】次に、このような寿命を持つ粒子がＰＤＰ
の駆動に影響するかどうかを調べるために、ＰＤＰにお
ける放電サイクルについて説明する。図５に示したよう
にＰＤＰでは１ＴＶフィールド４０（１/６０ｓ＝１６.
７ｍｓ）を複数の異なる発光回数を持つサブフィールド
４１乃至４８に分割することによって階調を表現する。
そして、前述したように各サブフィールドは予備放電期
間４９、書き込み放電期間５０、発光表示期間５１をも
つ。図５のようにサブフィールドを８つに分割したとき
には、予備放電期間４９と書き込み放電期間５０を合わ
せた時間は約１.８ｍｓであり、実際に発光している発
光表示期間５１は短くとも約１０μｓ以上である。従っ
て、前述した１μｓ以下の現象は放電に影響を与えな
い。
の駆動に影響するかどうかを調べるために、ＰＤＰにお
ける放電サイクルについて説明する。図５に示したよう
にＰＤＰでは１ＴＶフィールド４０（１/６０ｓ＝１６.
７ｍｓ）を複数の異なる発光回数を持つサブフィールド
４１乃至４８に分割することによって階調を表現する。
そして、前述したように各サブフィールドは予備放電期
間４９、書き込み放電期間５０、発光表示期間５１をも
つ。図５のようにサブフィールドを８つに分割したとき
には、予備放電期間４９と書き込み放電期間５０を合わ
せた時間は約１.８ｍｓであり、実際に発光している発
光表示期間５１は短くとも約１０μｓ以上である。従っ
て、前述した１μｓ以下の現象は放電に影響を与えな
い。
【００２２】しかし、Ｘｅ*の寿命は約１.８５ｍｓと非
常に長く、また中性粒子であるため予備放電期間４９で
消去することもできない。さらに、Ｘｅ**も０.０１７
〜０.０５５μｓでＸｅ*になるため、投入されたエネル
ギーはＸｅ+がＸ電極２２-１乃至２２-２、Ｙ電極２３-
１乃至２３-２、Ａ電極２９に吸収された分を除くと、
最終的にＸｅ*に集中する。また、 Ｘｅ*は電子による
直接励起によっても多数生成されているのでその数は非
常に多い。その結果、Ｘｅ*は図１に示すようにＭｇＯ
保護層２７に衝突し、２次電子を放出してしまう。この
２次電子は、放電には至らないまでも、中性粒子と衝突
する事によって荷電粒子（電子、イオン）を増加させる
可能性もある。こうして、放電終了後に生じる荷電粒子
が予備放電期間４９や書き込み放電期間５０に形成しよ
うとしている壁電荷を消去する。
常に長く、また中性粒子であるため予備放電期間４９で
消去することもできない。さらに、Ｘｅ**も０.０１７
〜０.０５５μｓでＸｅ*になるため、投入されたエネル
ギーはＸｅ+がＸ電極２２-１乃至２２-２、Ｙ電極２３-
１乃至２３-２、Ａ電極２９に吸収された分を除くと、
最終的にＸｅ*に集中する。また、 Ｘｅ*は電子による
直接励起によっても多数生成されているのでその数は非
常に多い。その結果、Ｘｅ*は図１に示すようにＭｇＯ
保護層２７に衝突し、２次電子を放出してしまう。この
２次電子は、放電には至らないまでも、中性粒子と衝突
する事によって荷電粒子（電子、イオン）を増加させる
可能性もある。こうして、放電終了後に生じる荷電粒子
が予備放電期間４９や書き込み放電期間５０に形成しよ
うとしている壁電荷を消去する。
【００２３】こうした問題の対策として、Ｘｅ*より低
いエネルギー準位をもった安定化ガスを利用する。すな
わち、Ｘｅ*のエネルギーを安定化ガスに与え、Ｘｅ*の
失活を促すのである。安定化ガスは分子なので低エネル
ギー準位を持ち、ＭｇＯ界面の仕事関数以下にその内部
エネルギー下げることが可能であり、２次電子の放出が
低減できる。Ｘｅ*の準安定準位のエネルギーは、低い
ほうからＥＭ１=８.３２ｅＶとＥＭ２=９.４５ｅＶであ
る。従って、安定化ガスの特性としては、ＥＭ２又はＥ
Ｍ１以下の電子エネルギー準位を有していることが必要
である。
いエネルギー準位をもった安定化ガスを利用する。すな
わち、Ｘｅ*のエネルギーを安定化ガスに与え、Ｘｅ*の
失活を促すのである。安定化ガスは分子なので低エネル
ギー準位を持ち、ＭｇＯ界面の仕事関数以下にその内部
エネルギー下げることが可能であり、２次電子の放出が
低減できる。Ｘｅ*の準安定準位のエネルギーは、低い
ほうからＥＭ１=８.３２ｅＶとＥＭ２=９.４５ｅＶであ
る。従って、安定化ガスの特性としては、ＥＭ２又はＥ
Ｍ１以下の電子エネルギー準位を有していることが必要
である。
【００２４】ここで、プラズマを発生させるためのガス
に対する、該安定化ガスの混合比に関して、プラズマを
発生させるためのガスとしてＮｅ、Ｘｅ混合ガスを用
い、安定化ガスにＯ２を用いた例について示す。上記例
の実験結果によると、Ｏ２を０.１％以上混合した際に
効率が非常に悪くなるという結果が得られている。この
原因はＮｅまたはＸｅからＯ２へのエネルギーの失活が
大きすぎるためであると考えられる。逆に、０.１％以
下の混合比において、効率の大きな減少は見ることがで
きなかった。従ってＮｅ、Ｘｅ混合ガスにＯ２を添加し
た場合、 Ｏ２は０.１％程度の混合率が最善である。し
かし、混合の精度等を考慮した場合、０.０１％程度に
抑えていた方がさらに実用的である。
に対する、該安定化ガスの混合比に関して、プラズマを
発生させるためのガスとしてＮｅ、Ｘｅ混合ガスを用
い、安定化ガスにＯ２を用いた例について示す。上記例
の実験結果によると、Ｏ２を０.１％以上混合した際に
効率が非常に悪くなるという結果が得られている。この
原因はＮｅまたはＸｅからＯ２へのエネルギーの失活が
大きすぎるためであると考えられる。逆に、０.１％以
下の混合比において、効率の大きな減少は見ることがで
きなかった。従ってＮｅ、Ｘｅ混合ガスにＯ２を添加し
た場合、 Ｏ２は０.１％程度の混合率が最善である。し
かし、混合の精度等を考慮した場合、０.０１％程度に
抑えていた方がさらに実用的である。
【００２５】上記内容は紫外線を発生させるためのガ
ス、ベースとなるガス及び安定化ガスに他の元素や複数
の元素を用いた場合にもほぼ同様とみなすことが可能で
ある。
ス、ベースとなるガス及び安定化ガスに他の元素や複数
の元素を用いた場合にもほぼ同様とみなすことが可能で
ある。
【００２６】
【発明の効果】本発明を適用することによって電場では
制御する事が不可能である励起Ｘｅ原子の失活を促すこ
とが可能となり、該励起Ｘｅ原子により生成される２次
電子を抑制し、誤放電の低減が実現できる。
制御する事が不可能である励起Ｘｅ原子の失活を促すこ
とが可能となり、該励起Ｘｅ原子により生成される２次
電子を抑制し、誤放電の低減が実現できる。
【図１】本発明の実施例を示した図
【図２】本発明のプラズマディスプレイパネルの構造の
一部を示す分解斜視図
一部を示す分解斜視図
【図３】図２中の矢印Ｄ１の方向から見たプラズマディ
スプレイパネルの断面図
スプレイパネルの断面図
【図４】図２中の矢印Ｄ２の方向から見たプラズマディ
スプレイパネルの断面図
スプレイパネルの断面図
【図５】１枚の画を構成する１フィールド期間の動作を
示した図
示した図
１…準安定Ｘｅ原子 ２…中性原子又は分子 ３…電子 ４…正イオン ５…正壁電荷 ６…負壁電荷 ２１…前面ガラス基板 ２２-１乃至２２-２…Ｘ電極 ２３-１乃至２３-４８０…Ｙ電極 ２４-１乃至２４-２…Ｘバス電極 ２５-１乃至２５-２…Ｙバス電極 ２６…誘電体 ２７…保護層 ２８…背面ガラス基板 ２９…Ａ電極 ３０…誘電体 ３１…隔壁 ３２…蛍光体 ３３…放電空間 ４０…１ＴＶフィールド ４１乃至４８、４１-１乃至４８-１、４１-２乃至４８-
２…サブフィールド ４９、４９-１、４９-２…予備放電期間 ５０、５０-１、５０-２…書き込み放電期間 ５１…発光表示期間 ５２…１本のＡ電極に印加する電圧波形 ５３…Ｘ電極に印加する電圧波形 ５４…Ｙ電極のｉ番目に印加する電圧波形 ５５…Ｙ電極のｉ＋１番目に印加する電圧波形 ５６…Ｙ電極のｉ行目に印加されるスキャンパルス ５７…Ｙ電極のｉ＋１行目に印加されるスキャンパルス ６０…放電電極 ６１…誘電体 ６２…放電空間
２…サブフィールド ４９、４９-１、４９-２…予備放電期間 ５０、５０-１、５０-２…書き込み放電期間 ５１…発光表示期間 ５２…１本のＡ電極に印加する電圧波形 ５３…Ｘ電極に印加する電圧波形 ５４…Ｙ電極のｉ番目に印加する電圧波形 ５５…Ｙ電極のｉ＋１番目に印加する電圧波形 ５６…Ｙ電極のｉ行目に印加されるスキャンパルス ５７…Ｙ電極のｉ＋１行目に印加されるスキャンパルス ６０…放電電極 ６１…誘電体 ６２…放電空間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水田 尊久 東京都千代田区神田駿河台四丁目６番地株 式会社日立製作所家電・情報メディア事業 本部内 (72)発明者 湯原 章綱 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所マルチメディアシステム開 発本部内 (72)発明者 石垣 正治 東京都千代田区神田駿河台四丁目６番地株 式会社日立製作所家電・情報メディア事業 本部内
Claims (7)
- 【請求項１】プラズマを発生させる手段と、該プラズマ
により紫外線を発生させる手段と、該紫外線により可視
光を発生させる手段を具備し、更に該プラズマを発生さ
せるためのガスを少なくとも構成要素の一部としたプラ
ズマディスプレイ装置に於いて、該プラズマを発生させ
るガスの少なくとも一部として該紫外線を発生させるガ
ス（原子又は分子）を含み、該紫外線を発生させるガス
の準安定準位のエネルギーを低い方から順にE M1,E M2
とし（E M1＜E M2）、 該EM2より低いエネルギーの準位
を有するガス（原子又は分子、以下安定化ガスと呼ぶ）
を該プラズマを発生させるガスに添加することを特徴と
するプラズマディスプレイ装置。 - 【請求項２】請求項１に記載のプラズマディスプレイ装
置に於いて、該EM1より低いエネルギーの準位を有する
ガス（原子又は分子、以下安定化ガスと呼ぶ）を該プラ
ズマを発生させるガスに添加することを特徴とするプラ
ズマディスプレイ装置。 - 【請求項３】請求項１に記載のプラズマディスプレイ装
置に於いて、該紫外線を発生させるガスがXeであること
を特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 【請求項４】請求項１に記載のプラズマディスプレイ装
置に於いて、 該安定化ガスがCO2,N2,O2,CF4,H2のいづれか又はこれら
の混合ガスであることを特徴とするプラズマディスプレ
イ装置。 - 【請求項５】請求項４に記載のプラズマディスプレイ装
置に於いて、 該安定化ガスがO2であり、O2の圧力（分圧）が全圧の
０.１％以下であることを特徴とするプラズマディスプ
レイ装置。 - 【請求項６】請求項４に記載のプラズマディスプレイ装
置に於いて、 該安定化ガスがO2であり、O2の圧力（分圧）が全圧の
０.０１％以下であることを特徴とするプラズマディス
プレイ装置。 - 【請求項７】請求項４に記載のプラズマディスプレイ装
置に於いて、 該安定化ガスがCO2であり、CO2の圧力（分圧）が全圧の
０.１％以下であることを特徴とするプラズマディスプ
レイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27841797A JP3760593B2 (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | プラズマディスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27841797A JP3760593B2 (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | プラズマディスプレイ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11120920A true JPH11120920A (ja) | 1999-04-30 |
| JP3760593B2 JP3760593B2 (ja) | 2006-03-29 |
Family
ID=17597059
Family Applications (1)
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