JPH11109918A - 有機elディスプレイ装置 - Google Patents
有機elディスプレイ装置Info
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- JPH11109918A JPH11109918A JP9271260A JP27126097A JPH11109918A JP H11109918 A JPH11109918 A JP H11109918A JP 9271260 A JP9271260 A JP 9271260A JP 27126097 A JP27126097 A JP 27126097A JP H11109918 A JPH11109918 A JP H11109918A
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Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 輝度を一定値に補正して所望の表示を行う。
【解決手段】 表示部3が1画面を表示する毎に、駆動
信号発生手段12が発生するページ切換信号を駆動信号
検出手段13としてのカウンターでカウントし、このカ
ウンター値から表示部3の点灯時間を得る。演算制御手
段17は、得られた点灯時間に応じて、表示部3の輝度
が設定手段14で設定された設定値となる補正量(駆動
電圧又は駆動電流)を演算し、この演算された補正量に
応じた制御信号を制御信号出力手段18から駆動手段1
9に出力して駆動手段19の駆動を制御し、陽極2の駆
動電圧又は駆動電流を可変制御する。
信号発生手段12が発生するページ切換信号を駆動信号
検出手段13としてのカウンターでカウントし、このカ
ウンター値から表示部3の点灯時間を得る。演算制御手
段17は、得られた点灯時間に応じて、表示部3の輝度
が設定手段14で設定された設定値となる補正量(駆動
電圧又は駆動電流)を演算し、この演算された補正量に
応じた制御信号を制御信号出力手段18から駆動手段1
9に出力して駆動手段19の駆動を制御し、陽極2の駆
動電圧又は駆動電流を可変制御する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、蛍光性有機化合物
を含む薄膜を陰極と陽極の間に挟んだ構造を有し、前記
薄膜に電子および正孔を注入して再結合させることによ
り励起子(エキシトン)を生成させ、この励起子が失活
する際の光の放出(蛍光・燐光)を利用して所望の表示
を行う有機EL(エレクトロルミネッセンス)ディスプ
レイ装置に関する。
を含む薄膜を陰極と陽極の間に挟んだ構造を有し、前記
薄膜に電子および正孔を注入して再結合させることによ
り励起子(エキシトン)を生成させ、この励起子が失活
する際の光の放出(蛍光・燐光)を利用して所望の表示
を行う有機EL(エレクトロルミネッセンス)ディスプ
レイ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般的な有機ELディスプレイ装置は、
例えばMg:Ag、Al:Li等の金属電極による陰極
と、ITO(Indium Tin Oxide)からなる透明電極によ
る陽極との間に、有機蛍光体薄膜による発光層と有機正
孔輸送層の2層が積層されて複数ドットのマトリクス形
状による素子を構成しており、陽極の外側にはガラス基
板が配設されている。
例えばMg:Ag、Al:Li等の金属電極による陰極
と、ITO(Indium Tin Oxide)からなる透明電極によ
る陽極との間に、有機蛍光体薄膜による発光層と有機正
孔輸送層の2層が積層されて複数ドットのマトリクス形
状による素子を構成しており、陽極の外側にはガラス基
板が配設されている。
【0003】この有機ELディスプレイ装置では、有機
蛍光体薄膜による発光層に対し、各電極(陰極、陽極)
から電子と正孔を注入する。そして、上述したように、
電子と正孔を再結合させることにより励起子を生成させ
る。この励起子が失活する際の光の放出により所定のド
ットが発光して所望の表示がなされる。このときの発光
はガラス基板側から観測される。
蛍光体薄膜による発光層に対し、各電極(陰極、陽極)
から電子と正孔を注入する。そして、上述したように、
電子と正孔を再結合させることにより励起子を生成させ
る。この励起子が失活する際の光の放出により所定のド
ットが発光して所望の表示がなされる。このときの発光
はガラス基板側から観測される。
【0004】ところで、無機EL素子で構成したディス
プレイ装置では、その寿命も10万時間を越え、輝度の
低下がほとんど見られない。これに対し、有機EL素子
で構成したディスプレイ装置では、例えば300cd/
m2 の輝度で発光させると、1万時間程度が限界であっ
た。このことは、図4の寿命特性に示すように、動作中
における1cm2 当たりの電流量が増すに連れ、時間の
経過と共に輝度の低下の度合いが増すことからも判る。
プレイ装置では、その寿命も10万時間を越え、輝度の
低下がほとんど見られない。これに対し、有機EL素子
で構成したディスプレイ装置では、例えば300cd/
m2 の輝度で発光させると、1万時間程度が限界であっ
た。このことは、図4の寿命特性に示すように、動作中
における1cm2 当たりの電流量が増すに連れ、時間の
経過と共に輝度の低下の度合いが増すことからも判る。
【0005】このように、有機ELディスプレイ装置で
は、輝度の低下が時間の経過と共に顕著に現れ、動作中
における輝度の低下が最大の課題とされている。
は、輝度の低下が時間の経過と共に顕著に現れ、動作中
における輝度の低下が最大の課題とされている。
【0006】ところで、上記有機ELディスプレイ装置
を発光させる具体的な駆動方法として、特開平4−14
794号公報、特開平7−134558号公報、特開平
6−301355号公報、特開平8−180972号公
報等に開示されるものが知られている。
を発光させる具体的な駆動方法として、特開平4−14
794号公報、特開平7−134558号公報、特開平
6−301355号公報、特開平8−180972号公
報等に開示されるものが知られている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしなから、上記い
ずれの公報に示す駆動方法も素子自体の耐久性を改善す
るためものであったり、モレ発光等の表示上の改善を目
的としたものであり、上記駆動方法を有機ELディスプ
レイ装置に採用したとしても以下に示すような問題点が
あった。 (1)実用的な輝度と表示容量で、10000時間以上
の輝度半減寿命を得るのには、極めて限られた構造、材
料のデバイスとなり、技術的に大きく制限される。 (2)必要最小限の輝度が決まっている場合、寿命を考
慮して初期的な輝度を高く設定しなければならず、エネ
ルギー効率が悪い。 (3)輝度の変動が大きいと使用できないアプリケーシ
ョン(例えばプリンター用光源等)がある。
ずれの公報に示す駆動方法も素子自体の耐久性を改善す
るためものであったり、モレ発光等の表示上の改善を目
的としたものであり、上記駆動方法を有機ELディスプ
レイ装置に採用したとしても以下に示すような問題点が
あった。 (1)実用的な輝度と表示容量で、10000時間以上
の輝度半減寿命を得るのには、極めて限られた構造、材
料のデバイスとなり、技術的に大きく制限される。 (2)必要最小限の輝度が決まっている場合、寿命を考
慮して初期的な輝度を高く設定しなければならず、エネ
ルギー効率が悪い。 (3)輝度の変動が大きいと使用できないアプリケーシ
ョン(例えばプリンター用光源等)がある。
【0008】そこで、本発明は、上記問題点に鑑みてな
されたものであり、使用する材料、構造、投入する電流
密度に依存する所要輝度によって輝度の低下を概略推定
できることに着目し、輝度を所定値に補正して所望の表
示が行える有機ELディスプレイ装置を提供することを
目的としている。
されたものであり、使用する材料、構造、投入する電流
密度に依存する所要輝度によって輝度の低下を概略推定
できることに着目し、輝度を所定値に補正して所望の表
示が行える有機ELディスプレイ装置を提供することを
目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の発明は、光を放出する表示部としての有
機層が陽極と陰極との間に積層された有機ELディスプ
レイ装置において、前記表示部の輝度の変化を検出し、
この輝度の変化に応じて前記陽極の駆動電圧又は駆動電
流を可変して前記表示部の輝度を一定に補正する輝度補
正手段を備えたことを特徴とする。
め、請求項1の発明は、光を放出する表示部としての有
機層が陽極と陰極との間に積層された有機ELディスプ
レイ装置において、前記表示部の輝度の変化を検出し、
この輝度の変化に応じて前記陽極の駆動電圧又は駆動電
流を可変して前記表示部の輝度を一定に補正する輝度補
正手段を備えたことを特徴とする。
【0010】請求項2の発明は、光を放出する表示部と
しての有機層が陽極と陰極との間に積層された有機EL
ディスプレイ装置において、前記表示部の点灯時間をカ
ウントし、このカウントした点灯時間に応じて前記陽極
の駆動電圧又は駆動電流を可変して前記表示部の輝度を
一定に補正する輝度補正手段を備えたことを特徴とす
る。
しての有機層が陽極と陰極との間に積層された有機EL
ディスプレイ装置において、前記表示部の点灯時間をカ
ウントし、このカウントした点灯時間に応じて前記陽極
の駆動電圧又は駆動電流を可変して前記表示部の輝度を
一定に補正する輝度補正手段を備えたことを特徴とす
る。
【0011】請求項3の発明は、光を放出する表示部と
しての有機層が陽極と陰極との間に積層された有機EL
ディスプレイ装置において、前記表示部を避けた位置に
輝度モニター用の発光部を設け、該発光部の輝度を検出
し、この検出した輝度の低下に応じて前記陽極の駆動電
圧又は駆動電流を可変して前記表示部の輝度を一定に補
正する輝度補正手段を備えたことを特徴とする。
しての有機層が陽極と陰極との間に積層された有機EL
ディスプレイ装置において、前記表示部を避けた位置に
輝度モニター用の発光部を設け、該発光部の輝度を検出
し、この検出した輝度の低下に応じて前記陽極の駆動電
圧又は駆動電流を可変して前記表示部の輝度を一定に補
正する輝度補正手段を備えたことを特徴とする。
【0012】請求項4の発明は、請求項3の有機ELデ
ィスプレイ装置において、前記発光部は、観視面側に反
射層を設け、該反射層に対向する陰極が透光性を有する
電極とされており、前記反射層で反射されて前記陰極を
透過した光を受光検出する受光部を備えたことを特徴と
する。
ィスプレイ装置において、前記発光部は、観視面側に反
射層を設け、該反射層に対向する陰極が透光性を有する
電極とされており、前記反射層で反射されて前記陰極を
透過した光を受光検出する受光部を備えたことを特徴と
する。
【0013】
【発明の実施の形態】図1は本発明による有機ELディ
スプレイ装置の素子構成を示す部分拡大断面図である。
スプレイ装置の素子構成を示す部分拡大断面図である。
【0014】まず、図1に基いて有機ELディスプレイ
装置の素子構成を説明する。有機ELディスプレイ装置
は、矩形状の素子基板1を基部としている。素子基板1
は、絶縁性および透光性を有するガラス基板で構成され
る。素子基板1の一方の面には、所定パターン形状の陽
極2が形成されている。
装置の素子構成を説明する。有機ELディスプレイ装置
は、矩形状の素子基板1を基部としている。素子基板1
は、絶縁性および透光性を有するガラス基板で構成され
る。素子基板1の一方の面には、所定パターン形状の陽
極2が形成されている。
【0015】陽極2は、例えばITO(Indium Tin Oxi
de)等の仕事関数の大きい導電性材料による透明電極で
形成される。陽極2の一部は、素子基板1の端部まで引
き出されて電源に接続されている。
de)等の仕事関数の大きい導電性材料による透明電極で
形成される。陽極2の一部は、素子基板1の端部まで引
き出されて電源に接続されている。
【0016】陽極2の表面には、表示部としての有機層
3が積層形成されている。図1の例では、素子基板1側
から正孔輸送層3a、発光層3b、電子輸送層3cの順
に積層された3層構造で構成される。
3が積層形成されている。図1の例では、素子基板1側
から正孔輸送層3a、発光層3b、電子輸送層3cの順
に積層された3層構造で構成される。
【0017】正孔輸送層3aは、例えばTPDからな
り、陽極2の表面に積層形成されている。発光層3b
は、正孔輸送層3a全体を覆うように、正孔輸送層3a
の表面に積層形成されている。
り、陽極2の表面に積層形成されている。発光層3b
は、正孔輸送層3a全体を覆うように、正孔輸送層3a
の表面に積層形成されている。
【0018】発光層3bの発光材料としては、発光層そ
のものを発光させる場合には、例えばアルミキノリン
(Alq)やジスチルアリーレン系化合物等が使用され
る。又、発光層に別の発光材料(ドーパント)を微量ド
ーピングすることでドーパントを発光させる場合には、
ドーパントとしてキナクリドン(Qd)やレーザ用の色
素等が使用される。
のものを発光させる場合には、例えばアルミキノリン
(Alq)やジスチルアリーレン系化合物等が使用され
る。又、発光層に別の発光材料(ドーパント)を微量ド
ーピングすることでドーパントを発光させる場合には、
ドーパントとしてキナクリドン(Qd)やレーザ用の色
素等が使用される。
【0019】電子輸送層3cは、発光層3bの全体を覆
うように、発光層3bの表面に積層形成されている。電
子輸送層3cは、例えばAlq3 で形成される。
うように、発光層3bの表面に積層形成されている。電
子輸送層3cは、例えばAlq3 で形成される。
【0020】電子輸送層3cの表面には、陰極4が積層
形成されている。陰極4は、例えばAl、Li、Mg、
Ag、In等の単体金属やMg:Ag、Al:Li等の
合金で形成される。陰極4は、その一部が素子基板1の
端部まで引き出されて電源に接続されている。
形成されている。陰極4は、例えばAl、Li、Mg、
Ag、In等の単体金属やMg:Ag、Al:Li等の
合金で形成される。陰極4は、その一部が素子基板1の
端部まで引き出されて電源に接続されている。
【0021】なお、有機層3としては、図1に示す3層
構造に限られるものではない。例えば、発光層3bをA
lq3 で形成すれば、電子輸送層3cを無くすことがで
き、有機層3は正孔輸送層3aと発光層3bの2層構造
で構成される。又、電子輸送層3cに代えて、例えばL
i、Na、Mg、Ca等の仕事関数の小さい金属材料単
体、Al:Li、Mg:In、Mg:Ag等の仕事関数
の小さい合金からなる電子注入層を設けてもよい。
構造に限られるものではない。例えば、発光層3bをA
lq3 で形成すれば、電子輸送層3cを無くすことがで
き、有機層3は正孔輸送層3aと発光層3bの2層構造
で構成される。又、電子輸送層3cに代えて、例えばL
i、Na、Mg、Ca等の仕事関数の小さい金属材料単
体、Al:Li、Mg:In、Mg:Ag等の仕事関数
の小さい合金からなる電子注入層を設けてもよい。
【0022】このように、上述した陽極2、有機層3、
陰極4の積層構造により素子基板1上に所定パタン形状
(例えば複数ドットによるマトリクス形状)の有機EL
素子5が形成される。
陰極4の積層構造により素子基板1上に所定パタン形状
(例えば複数ドットによるマトリクス形状)の有機EL
素子5が形成される。
【0023】陰極4の上方には、陰極4の表面から所定
間隔をおいて素子基板1と平行に矩形状の封止基板6が
配設されている。封止基板6は、絶縁性を有するガラス
基板等で構成される。封止基板6と素子基板1とは、そ
の外周部分が例えば封着剤により封着されている。これ
により、有機EL素子5を収容した外囲器を構成してい
る。外囲器内には、例えばドライエアやドライ窒素等の
ガスが封入されている。
間隔をおいて素子基板1と平行に矩形状の封止基板6が
配設されている。封止基板6は、絶縁性を有するガラス
基板等で構成される。封止基板6と素子基板1とは、そ
の外周部分が例えば封着剤により封着されている。これ
により、有機EL素子5を収容した外囲器を構成してい
る。外囲器内には、例えばドライエアやドライ窒素等の
ガスが封入されている。
【0024】上記構成の有機ELディスプレイ装置で
は、陽極2と陰極4との間に所定の電圧が印加される
と、有機層3における発光層3bに対し、陽極2より正
孔輸送層3aを介して正孔が注入され、陰極4より電子
輸送層3cを介して電子が注入される。そして、正孔と
電子を再結合させることにより励起子を生成させる。こ
の励起子が失活する際の光の放出により所望の表示がな
される。このときの発光は素子基板1側から観測され
る。
は、陽極2と陰極4との間に所定の電圧が印加される
と、有機層3における発光層3bに対し、陽極2より正
孔輸送層3aを介して正孔が注入され、陰極4より電子
輸送層3cを介して電子が注入される。そして、正孔と
電子を再結合させることにより励起子を生成させる。こ
の励起子が失活する際の光の放出により所望の表示がな
される。このときの発光は素子基板1側から観測され
る。
【0025】図2は上記構成の有機ELディスプレイ装
置における輝度補正手段の第1実施の形態を示すブロッ
ク図である。
置における輝度補正手段の第1実施の形態を示すブロッ
ク図である。
【0026】第1実施の形態の輝度補正手段11は、特
定の構造、材料を使用した有機ELディスプレイ装置で
は、投入する電流密度で寿命特性が概略推定できること
に着目し、動作中の点灯時間をカウントし、このカウン
トした点灯時間に応じ、図4に示す既知の寿命特性曲線
(輝度低下曲線)に対応させて表示部の輝度を補正して
いる。
定の構造、材料を使用した有機ELディスプレイ装置で
は、投入する電流密度で寿命特性が概略推定できること
に着目し、動作中の点灯時間をカウントし、このカウン
トした点灯時間に応じ、図4に示す既知の寿命特性曲線
(輝度低下曲線)に対応させて表示部の輝度を補正して
いる。
【0027】図2に示すように、第1実施の形態の輝度
補正手段11は、駆動信号発生手段12、駆動信号検出
手段13、設定手段14、データ記憶手段15、演算用
データ記憶手段16、演算制御手段17、制御信号出力
手段18、駆動手段19を備えて概略構成される。
補正手段11は、駆動信号発生手段12、駆動信号検出
手段13、設定手段14、データ記憶手段15、演算用
データ記憶手段16、演算制御手段17、制御信号出力
手段18、駆動手段19を備えて概略構成される。
【0028】駆動信号発生手段12は、表示部3が1画
面を表示する毎に、所定のデューティ(例えば周波数6
0Hzであれば、1/60秒)のページ切換信号を発生
している。
面を表示する毎に、所定のデューティ(例えば周波数6
0Hzであれば、1/60秒)のページ切換信号を発生
している。
【0029】駆動信号検出手段13は、駆動信号発生手
段12が発生すページ切換信号のデューティを1/60
秒とすると、1分を計測する為には12ビットのカウン
ターで構成出来る。駆動信号検出手段13としてのカウ
ンターは、駆動信号発生手段12が発生するページ切換
信号をカウントしており、ページ切換信号が入力される
毎に、そのカウント値が1ずつインクリメントされる。
また、カウンターの値は電源がオフしたときにリセット
される。
段12が発生すページ切換信号のデューティを1/60
秒とすると、1分を計測する為には12ビットのカウン
ターで構成出来る。駆動信号検出手段13としてのカウ
ンターは、駆動信号発生手段12が発生するページ切換
信号をカウントしており、ページ切換信号が入力される
毎に、そのカウント値が1ずつインクリメントされる。
また、カウンターの値は電源がオフしたときにリセット
される。
【0030】設定手段14は、例えばボリウム、ディッ
プスイッチ等で構成され、希望する発光輝度の設定値を
アナログ値又はデジタル値で設定している。なお、発光
輝度の設定値がアナログ値で設定される場合には、A/
D変換回路を介してデジタル値に変換された後、演算制
御手段17に入力される。これに対し、発光輝度の設定
値がデジタル値で設定される場合には、そのデジタル値
が演算制御手段17に入力される。
プスイッチ等で構成され、希望する発光輝度の設定値を
アナログ値又はデジタル値で設定している。なお、発光
輝度の設定値がアナログ値で設定される場合には、A/
D変換回路を介してデジタル値に変換された後、演算制
御手段17に入力される。これに対し、発光輝度の設定
値がデジタル値で設定される場合には、そのデジタル値
が演算制御手段17に入力される。
【0031】データ記憶手段15には、駆動信号検出手
段13から得られる桁上がり、又はカウンターマッチの
回数が常時更新記憶される。更に説明すると、データ記
憶手段15は、現在のカウンター値を保持しており、こ
の現在のカウンター値に、次回(電源オフ後の再投入
時)の発光開始後に駆動信号検出手段13から入力され
るカウンター値が累積できるように、例えば電池等のパ
ックアップ機能を持つメモリ(RAM)、EEPRO
M、フラッシュメモリ等で構成される。
段13から得られる桁上がり、又はカウンターマッチの
回数が常時更新記憶される。更に説明すると、データ記
憶手段15は、現在のカウンター値を保持しており、こ
の現在のカウンター値に、次回(電源オフ後の再投入
時)の発光開始後に駆動信号検出手段13から入力され
るカウンター値が累積できるように、例えば電池等のパ
ックアップ機能を持つメモリ(RAM)、EEPRO
M、フラッシュメモリ等で構成される。
【0032】演算用データ記憶手段16は、ROM、E
EPROM、フラッシュメモリ等で構成される。この演
算用データ記憶手段16には、表示部3の輝度を一定値
に補正するために必要な駆動電圧又は駆動電流を得るた
めの演算プログラムやデータ(例えば図4に示す電流量
に応じた寿命特性のデータ、その近似式)等が予め記憶
されている。
EPROM、フラッシュメモリ等で構成される。この演
算用データ記憶手段16には、表示部3の輝度を一定値
に補正するために必要な駆動電圧又は駆動電流を得るた
めの演算プログラムやデータ(例えば図4に示す電流量
に応じた寿命特性のデータ、その近似式)等が予め記憶
されている。
【0033】演算制御手段17は、表示部3の輝度が設
定手段14で設定した設定値となるように、データ記憶
手段15に記憶されたカウンター値から得られる表示部
3の点灯時間と、演算用データ記憶手段16に記憶され
たデータとに基いて表示部3の輝度の補正量(補正駆動
電圧又は補正駆動電流)を演算している。
定手段14で設定した設定値となるように、データ記憶
手段15に記憶されたカウンター値から得られる表示部
3の点灯時間と、演算用データ記憶手段16に記憶され
たデータとに基いて表示部3の輝度の補正量(補正駆動
電圧又は補正駆動電流)を演算している。
【0034】例えば有機EL素子5を5mA/cm2 で
駆動している場合、輝度の設定値が100%で、カウン
ター値から得られる表示部3の点灯時間が200時間と
すると、演算用データ記憶手段16に記憶された図4の
寿命特性のデータから実際の輝度が95%と判断され
る。そして、輝度95%を100%にするために必要な
陽極2の駆動電圧(又は駆動電流)が補正量として演算
され設定される。
駆動している場合、輝度の設定値が100%で、カウン
ター値から得られる表示部3の点灯時間が200時間と
すると、演算用データ記憶手段16に記憶された図4の
寿命特性のデータから実際の輝度が95%と判断され
る。そして、輝度95%を100%にするために必要な
陽極2の駆動電圧(又は駆動電流)が補正量として演算
され設定される。
【0035】制御信号出力手段18は、例えばD/A変
換回路で構成され、演算制御手段17で演算された補正
量に応じた制御信号を駆動手段19に出力している。
換回路で構成され、演算制御手段17で演算された補正
量に応じた制御信号を駆動手段19に出力している。
【0036】駆動手段19は、制御信号出力手段18に
より出力制御可能なボリウム構造を有しており、制御信
号出力手段18からの制御信号に応じて陽極2の駆動電
圧又は駆動電流を可変している。
より出力制御可能なボリウム構造を有しており、制御信
号出力手段18からの制御信号に応じて陽極2の駆動電
圧又は駆動電流を可変している。
【0037】上記構成による輝度補正手段11では、表
示部3が1画面を表示する毎に発生するページ切換信号
をカウントし、このカウンター値から点灯時間が得ら
れ、この点灯時間に応じて、表示部3の輝度が設定値
(例えば100%(初期輝度))となるように陽極2の
駆動電圧又は駆動電流が可変制御される。これにより、
表示部3の輝度が設定値に補正される。
示部3が1画面を表示する毎に発生するページ切換信号
をカウントし、このカウンター値から点灯時間が得ら
れ、この点灯時間に応じて、表示部3の輝度が設定値
(例えば100%(初期輝度))となるように陽極2の
駆動電圧又は駆動電流が可変制御される。これにより、
表示部3の輝度が設定値に補正される。
【0038】なお、上記輝度補正手段11において、設
定手段14を省き、希望する表示部3の輝度のデータを
演算用データ記憶手段17に予め記憶しておき、表示部
3がこの記憶されたデータの輝度になるように陽極2の
駆動電圧又は駆動電流を可変制御する構成としてもよ
い。
定手段14を省き、希望する表示部3の輝度のデータを
演算用データ記憶手段17に予め記憶しておき、表示部
3がこの記憶されたデータの輝度になるように陽極2の
駆動電圧又は駆動電流を可変制御する構成としてもよ
い。
【0039】次に、図3は輝度補正手段の第2実施の形
態を示すブロック図である。
態を示すブロック図である。
【0040】第2実施の形態の輝度補正手段21は、実
際に使用する表示部3の表示の妨げにならない位置で、
表示部3とは別に輝度モニター用の発光部22を素子基
板1上に設け、このモニター用発光部22の輝度を測定
し、その測定結果に応じて表示部3の輝度を補正してい
る。
際に使用する表示部3の表示の妨げにならない位置で、
表示部3とは別に輝度モニター用の発光部22を素子基
板1上に設け、このモニター用発光部22の輝度を測定
し、その測定結果に応じて表示部3の輝度を補正してい
る。
【0041】図3に示すように、第2実施の形態の輝度
補正手段21は、相対輝度測定手段23、設定手段2
4、データ変換手段25、比較制御手段26、制御信号
出力手段27、駆動手段28を備えて構成される。
補正手段21は、相対輝度測定手段23、設定手段2
4、データ変換手段25、比較制御手段26、制御信号
出力手段27、駆動手段28を備えて構成される。
【0042】相対輝度測定手段23は、モニター用発光
部22、受光測定部29を備えて構成される。モニター
用発光部22は、表示部3とは別に素子基板1に形成さ
れた陽極31上に有機層(例えば表示部3と同様の正孔
輸送層、発光層、電子輸送層の3層構造)32が積層形
成され、更に有機層32上に陰極33が積層形成されて
いる。
部22、受光測定部29を備えて構成される。モニター
用発光部22は、表示部3とは別に素子基板1に形成さ
れた陽極31上に有機層(例えば表示部3と同様の正孔
輸送層、発光層、電子輸送層の3層構造)32が積層形
成され、更に有機層32上に陰極33が積層形成されて
いる。
【0043】図5乃至図8は相対輝度測定手段23の構
成例を示している。図5及び図6に示す構成において、
モニター用発光部22の有機層32から放出される光
は、表示部3の観視方向、すなわち、素子基板1の前面
1a側で取り出される。受光測定部29は、モニター用
発光部22と対向して素子基板1の前面1a側に設けら
れる例えば光導電セル(CdS)、フォトトランジスタ
等の光電変換素子29aを有している。光電変換素子2
9aは、モニター用発光部22から放出されて素子基板
1を透過してくる光を受光し、受光した光の強度に応じ
た電気信号(例えば電圧)に変換する。受光測定部29
は、積分回路又はピークホールド回路を備えており、光
電変換素子29aで受光検出された光の強度に応じた電
気信号の積分値又はピーク値をデータ変換手段25に出
力している。
成例を示している。図5及び図6に示す構成において、
モニター用発光部22の有機層32から放出される光
は、表示部3の観視方向、すなわち、素子基板1の前面
1a側で取り出される。受光測定部29は、モニター用
発光部22と対向して素子基板1の前面1a側に設けら
れる例えば光導電セル(CdS)、フォトトランジスタ
等の光電変換素子29aを有している。光電変換素子2
9aは、モニター用発光部22から放出されて素子基板
1を透過してくる光を受光し、受光した光の強度に応じ
た電気信号(例えば電圧)に変換する。受光測定部29
は、積分回路又はピークホールド回路を備えており、光
電変換素子29aで受光検出された光の強度に応じた電
気信号の積分値又はピーク値をデータ変換手段25に出
力している。
【0044】図7及び図8に示す構成において、モニタ
ー用発光部22の陰極33がストライプ状に形成されて
おり、その他の構成は図5と同一である。陰極33の形
状は、光が透過する形状であればよく、ストライプ形状
の他、メッシュ、ドット形状に形成してもよい。モニタ
ー用発光部22と対向して素子基板1の前面1aには、
例えばAl等の金属薄膜による反射層34が形成されて
いる。モニター用発光部22と対向して封止基板6の背
面6aには、光電変換素子29aが設けられている。こ
れにより、観視者が直接目にする素子基板1の前面1a
側に大きな取付スペースを必要とせずに設けることがで
きる。
ー用発光部22の陰極33がストライプ状に形成されて
おり、その他の構成は図5と同一である。陰極33の形
状は、光が透過する形状であればよく、ストライプ形状
の他、メッシュ、ドット形状に形成してもよい。モニタ
ー用発光部22と対向して素子基板1の前面1aには、
例えばAl等の金属薄膜による反射層34が形成されて
いる。モニター用発光部22と対向して封止基板6の背
面6aには、光電変換素子29aが設けられている。こ
れにより、観視者が直接目にする素子基板1の前面1a
側に大きな取付スペースを必要とせずに設けることがで
きる。
【0045】上述した図7の構成では、モニター用発光
部22から放出された光を一度観視側に取り出し、その
光を反射層34で反射させて外囲器内部に戻し、モニタ
ー用発光部22の陰極の隙間から透過した光を光電変換
素子29aで受光検出している。
部22から放出された光を一度観視側に取り出し、その
光を反射層34で反射させて外囲器内部に戻し、モニタ
ー用発光部22の陰極の隙間から透過した光を光電変換
素子29aで受光検出している。
【0046】なお、図7における陰極33は、反射層3
4で反射された光が透過するように薄膜金属で形成して
もよい。
4で反射された光が透過するように薄膜金属で形成して
もよい。
【0047】設定手段24は、例えばボリウム等で構成
され、希望する表示部3の発光輝度に応じた設定値をア
ナログ値で設定しており、この設定値はデータ変換手段
25に入力される。なお、設定手段24を例えばディッ
プスイッチ等で構成し、希望する表示部3の発光輝度の
設定値をデジタル値で設定する場合には、そのデジタル
値がデータ変換手段25に入力される。
され、希望する表示部3の発光輝度に応じた設定値をア
ナログ値で設定しており、この設定値はデータ変換手段
25に入力される。なお、設定手段24を例えばディッ
プスイッチ等で構成し、希望する表示部3の発光輝度の
設定値をデジタル値で設定する場合には、そのデジタル
値がデータ変換手段25に入力される。
【0048】データ変換手段25は、例えば2つのA/
D変換回路25a,25bで構成され、一方のA/D変
換回路25aでは、相対輝度測定手段23からのアナロ
グ測定値をデジタル値に変換して比較制御手段26に出
力している。他方のA/D変換回路25bでは、設定手
段24からのアナログ設定値をデジタル値に変換して比
較制御手段26に出力している。
D変換回路25a,25bで構成され、一方のA/D変
換回路25aでは、相対輝度測定手段23からのアナロ
グ測定値をデジタル値に変換して比較制御手段26に出
力している。他方のA/D変換回路25bでは、設定手
段24からのアナログ設定値をデジタル値に変換して比
較制御手段26に出力している。
【0049】比較制御手段26は、データ変換手段25
から入力される測定値と設定値とを比較し、その差が無
くなるように制御信号出力手段27を制御している。
から入力される測定値と設定値とを比較し、その差が無
くなるように制御信号出力手段27を制御している。
【0050】制御信号出力手段27は、例えばD/A変
換回路で構成され、比較制御手段26の制御により駆動
手段28を駆動するための制御信号を駆動手段27に出
力している。
換回路で構成され、比較制御手段26の制御により駆動
手段28を駆動するための制御信号を駆動手段27に出
力している。
【0051】駆動手段28は、制御信号出力手段27に
より出力制御可能なボリウム構造を有しており、制御信
号出力手段27からの制御信号に応じて陽極2の駆動電
圧又は駆動電流を可変している。
より出力制御可能なボリウム構造を有しており、制御信
号出力手段27からの制御信号に応じて陽極2の駆動電
圧又は駆動電流を可変している。
【0052】上記構成による輝度補正手段21では、表
示部3とは別に設けられたモニター用発光部22による
測定値と、設定手段24による設定値とを比較し、その
差が無くなる方向に陽極2の駆動電圧又は駆動電流が可
変制御される。例えば測定値が設定値よりも小さけれ
ば、陽極2の駆動電圧を上昇させるか、又は陽極2の駆
動電流を増加させる制御を行なう。これに対し、測定値
が設定値よりも大きければ、陽極2の駆動電圧を下降さ
せるか、又は陽極2の駆動電流を減少させる制御を行な
う。
示部3とは別に設けられたモニター用発光部22による
測定値と、設定手段24による設定値とを比較し、その
差が無くなる方向に陽極2の駆動電圧又は駆動電流が可
変制御される。例えば測定値が設定値よりも小さけれ
ば、陽極2の駆動電圧を上昇させるか、又は陽極2の駆
動電流を増加させる制御を行なう。これに対し、測定値
が設定値よりも大きければ、陽極2の駆動電圧を下降さ
せるか、又は陽極2の駆動電流を減少させる制御を行な
う。
【0053】なお、上記第2実施の形態では、アナログ
値による測定値及び設定値をデジタル値に変換した後、
両者を比較して補正量を演算しているが、測定値及び設
定値をアナログ値のままアナログコンパレータにより比
較し、その差が無くなる方向に駆動手段28に入力され
る制御信号を上下させて駆動手段28を駆動制御し、設
定された表示部3の輝度が得られるように、陽極2の駆
動電圧又は駆動電流を可変制御する構成としてもよい。
値による測定値及び設定値をデジタル値に変換した後、
両者を比較して補正量を演算しているが、測定値及び設
定値をアナログ値のままアナログコンパレータにより比
較し、その差が無くなる方向に駆動手段28に入力され
る制御信号を上下させて駆動手段28を駆動制御し、設
定された表示部3の輝度が得られるように、陽極2の駆
動電圧又は駆動電流を可変制御する構成としてもよい。
【0054】従って、上記各実施の形態によれば、下記
に示す効果を奏する。(1)実用的な輝度と表示容量
で、10000時間以上の輝度半減寿命を得られる構
造、材料の選択範囲が広くなり、技術的な汎用性が広が
る。(2)必要最小限の輝度が決まっている場合、寿命
を考慮して初期的な輝度を高く設定する必要がなくな
り、エネルギー効率が良い。(3)輝度変動が大きいと
使用できないアプリケーションにも使用が可能となる。
(例えばプリンター用光源等)(4)回路(輝度補正手
段11,21を含む(但し、モニター用発光部22、光
電変換素子29a、反射層34を除く))が搭載される
回路基板35側に光電変換素子29aが設けられるの
で、表示面側の素子基板1の前面1aに表出するのは部
分的な反射層34のみとなり、センサー部が観視者の妨
げになることがない。また、光電変換素子34を封止基
板6の背面6aに取り付けるため、モジュールの組立て
が容易となる。
に示す効果を奏する。(1)実用的な輝度と表示容量
で、10000時間以上の輝度半減寿命を得られる構
造、材料の選択範囲が広くなり、技術的な汎用性が広が
る。(2)必要最小限の輝度が決まっている場合、寿命
を考慮して初期的な輝度を高く設定する必要がなくな
り、エネルギー効率が良い。(3)輝度変動が大きいと
使用できないアプリケーションにも使用が可能となる。
(例えばプリンター用光源等)(4)回路(輝度補正手
段11,21を含む(但し、モニター用発光部22、光
電変換素子29a、反射層34を除く))が搭載される
回路基板35側に光電変換素子29aが設けられるの
で、表示面側の素子基板1の前面1aに表出するのは部
分的な反射層34のみとなり、センサー部が観視者の妨
げになることがない。また、光電変換素子34を封止基
板6の背面6aに取り付けるため、モジュールの組立て
が容易となる。
【0055】ところで、上記各実施の形態では、陽極2
の駆動電圧又は駆動電流を可変制御することにより、表
示部3の輝度を補正しているが、ディスプレイ装置とし
ての輝度は電流に依存するため、コントロールし易い駆
動電流を可変制御する方が好ましい。
の駆動電圧又は駆動電流を可変制御することにより、表
示部3の輝度を補正しているが、ディスプレイ装置とし
ての輝度は電流に依存するため、コントロールし易い駆
動電流を可変制御する方が好ましい。
【0056】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、輝度を一定に維持して所望の表示を行なうこと
ができ、具体的には、以下に示す効果を奏する。 (1)実用的な輝度と表示容量で、10000時間以上
の輝度半減寿命を得られる構造、材料の選択範囲が広く
なり、技術的な汎用性が広がる。 (2)必要最小限の輝度が決まっている場合、寿命を考
慮して初期的な輝度を高く設定する必要がなくなり、エ
ネルギー効率が良い。 (3)輝度変動が大きいと使用できないアプリケーショ
ン(例えばプリンター用光源等)にも使用が可能とな
る。 (4)観視方向の反対側に受光素子を設ける構成とすれ
ば、表示面側は部分的な反射層のみとなり、センサー部
が観視者の妨げになることがない。
よれば、輝度を一定に維持して所望の表示を行なうこと
ができ、具体的には、以下に示す効果を奏する。 (1)実用的な輝度と表示容量で、10000時間以上
の輝度半減寿命を得られる構造、材料の選択範囲が広く
なり、技術的な汎用性が広がる。 (2)必要最小限の輝度が決まっている場合、寿命を考
慮して初期的な輝度を高く設定する必要がなくなり、エ
ネルギー効率が良い。 (3)輝度変動が大きいと使用できないアプリケーショ
ン(例えばプリンター用光源等)にも使用が可能とな
る。 (4)観視方向の反対側に受光素子を設ける構成とすれ
ば、表示面側は部分的な反射層のみとなり、センサー部
が観視者の妨げになることがない。
【図1】本発明による有機ELディスプレイ装置の素子
構成を示す部分拡大断面図
構成を示す部分拡大断面図
【図2】同装置における輝度補正手段の第1実施の形態
を示すブロック図
を示すブロック図
【図3】同装置における輝度補正手段の第2実施の形態
を示すブロック図
を示すブロック図
【図4】有機EL素子の寿命特性を示す図
【図5】図3の輝度補正手段における相対輝度測定回路
の光検出構成を示す図
の光検出構成を示す図
【図6】図5の断面図
【図7】(a)相対輝度測定回路の光検出構成の他の構
成例を示す図 (b)同光検出構成の概略斜視図
成例を示す図 (b)同光検出構成の概略斜視図
【図8】図7の断面図
2,31…陽極、3,32…有機層(表示部)、4,3
3…陰極、11,21…輝度補正手段、12…駆動信号
発生手段、13…駆動信号検出手段、14,24…設定
手段、15…データ記憶手段、16…演算用データ記憶
手段、17…演算制御手段、18,27…制御信号出力
手段、19、28…駆動手段、22…モニター用発光
部、23…相対輝度測定手段、25…データ変換手段、
26…比較制御手段、29…受光測定部、34…反射
層。
3…陰極、11,21…輝度補正手段、12…駆動信号
発生手段、13…駆動信号検出手段、14,24…設定
手段、15…データ記憶手段、16…演算用データ記憶
手段、17…演算制御手段、18,27…制御信号出力
手段、19、28…駆動手段、22…モニター用発光
部、23…相対輝度測定手段、25…データ変換手段、
26…比較制御手段、29…受光測定部、34…反射
層。
Claims (4)
- 【請求項1】 光を放出する表示部としての有機層が陽
極と陰極との間に積層された有機ELディスプレイ装置
において、 前記表示部の輝度の変化を検出し、この輝度の変化に応
じて前記陽極の駆動電圧又は駆動電流を可変して前記表
示部の輝度を一定に補正する輝度補正手段を備えたこと
を特徴とする有機ELディスプレイ装置。 - 【請求項2】 光を放出する表示部としての有機層が陽
極と陰極との間に積層された有機ELディスプレイ装置
において、 前記表示部の点灯時間をカウントし、このカウントした
点灯時間に応じて前記陽極の駆動電圧又は駆動電流を可
変して前記表示部の輝度を一定に補正する輝度補正手段
を備えたことを特徴とする有機ELディスプレイ装置。 - 【請求項3】 光を放出する表示部としての有機層が陽
極と陰極との間に積層された有機ELディスプレイ装置
において、 前記表示部を避けた位置に輝度モニター用の発光部を設
け、該発光部の輝度を検出し、この検出した輝度の低下
に応じて前記陽極の駆動電圧又は駆動電流を可変して前
記表示部の輝度を一定に補正する輝度補正手段を備えた
ことを特徴とする有機ELディスプレイ装置。 - 【請求項4】 前記発光部は、観視面側に反射層を設
け、該反射層に対向する陰極が透光性を有する電極とさ
れており、 前記反射層で反射されて前記陰極を透過した光を受光検
出する受光部を備えた請求項3記載の有機ELディスプ
レイ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9271260A JPH11109918A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 有機elディスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9271260A JPH11109918A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 有機elディスプレイ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11109918A true JPH11109918A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17497606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9271260A Pending JPH11109918A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 有機elディスプレイ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11109918A (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001013903A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Seiko Instruments Inc | 自発光表示素子駆動装置 |
JP2002169511A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-06-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 自発光装置およびその駆動方法 |
JP2002175041A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-06-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 自発光装置およびその駆動方法 |
JP2002205611A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-23 | Denso Corp | 車両用表示装置 |
JP2005134531A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Nec Corp | 表示装置及び表示方法 |
JP2005275182A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Sony Corp | 焼き付き補正装置、表示装置、画像処理装置、プログラム及び記録媒体 |
JP2006100796A (ja) * | 2004-08-13 | 2006-04-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子を用いた発光装置および発光素子の駆動方法並びに照明器具 |
US7123221B2 (en) | 2002-02-01 | 2006-10-17 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, driving method thereof, and electronic device |
KR100748500B1 (ko) * | 2001-06-14 | 2007-08-13 | 엘지전자 주식회사 | 평판 표시소자의 구동회로 |
US7268499B2 (en) | 2000-09-19 | 2007-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Self light emitting device and method of driving thereof |
JP2007242830A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Sony Corp | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
US7696961B2 (en) | 2000-09-08 | 2010-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Spontaneous light emitting device and driving method thereof |
JP2010141239A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Sony Corp | 画像表示パネル、画像表示装置及び画像表示パネルの製造方法 |
JP2010145573A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2011043729A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Sony Corp | 表示装置および電子機器 |
US8248392B2 (en) | 2004-08-13 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device using light emitting element and driving method of light emitting element, and lighting apparatus |
EP2348792A3 (de) * | 2010-01-23 | 2016-10-12 | Abb Ag | Unterputz-LED-Leuchte |
-
1997
- 1997-10-03 JP JP9271260A patent/JPH11109918A/ja active Pending
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001013903A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Seiko Instruments Inc | 自発光表示素子駆動装置 |
JP2002175041A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-06-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 自発光装置およびその駆動方法 |
US8436792B2 (en) | 2000-09-08 | 2013-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Spontaneous light emitting device and driving method thereof |
US9236005B2 (en) | 2000-09-08 | 2016-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Spontaneous light emitting device and driving method thereof |
US7696961B2 (en) | 2000-09-08 | 2010-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Spontaneous light emitting device and driving method thereof |
JP2002169511A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-06-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 自発光装置およびその駆動方法 |
US8686928B2 (en) | 2000-09-19 | 2014-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Self light emitting device and method of driving thereof |
US7268499B2 (en) | 2000-09-19 | 2007-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Self light emitting device and method of driving thereof |
JP2002205611A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-23 | Denso Corp | 車両用表示装置 |
KR100748500B1 (ko) * | 2001-06-14 | 2007-08-13 | 엘지전자 주식회사 | 평판 표시소자의 구동회로 |
US7593008B2 (en) | 2002-02-01 | 2009-09-22 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, driving method thereof, and electronic device |
US7394442B2 (en) | 2002-02-01 | 2008-07-01 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, driving method thereof, and electronic device |
US7123221B2 (en) | 2002-02-01 | 2006-10-17 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus, driving method thereof, and electronic device |
JP2005134531A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Nec Corp | 表示装置及び表示方法 |
JP2005275182A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Sony Corp | 焼き付き補正装置、表示装置、画像処理装置、プログラム及び記録媒体 |
US8248392B2 (en) | 2004-08-13 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device using light emitting element and driving method of light emitting element, and lighting apparatus |
JP2006100796A (ja) * | 2004-08-13 | 2006-04-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子を用いた発光装置および発光素子の駆動方法並びに照明器具 |
JP2007242830A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Sony Corp | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
US8669922B2 (en) | 2008-12-15 | 2014-03-11 | Sony Corporation | Image display panel, image display device, and manufacturing method of the image display panel |
JP2010141239A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Sony Corp | 画像表示パネル、画像表示装置及び画像表示パネルの製造方法 |
JP2010145573A (ja) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2011043729A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Sony Corp | 表示装置および電子機器 |
EP2348792A3 (de) * | 2010-01-23 | 2016-10-12 | Abb Ag | Unterputz-LED-Leuchte |
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