JPH1073941A - Image forming device, image forming method, and electrophotographic photoreceptive member - Google Patents
Image forming device, image forming method, and electrophotographic photoreceptive memberInfo
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Landscapes
- Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、帯電部材に電圧を
印加し、この帯電部材の帯電面を電子写真用光受容部材
に当接させて帯電し、その帯電面に可視光、ライン走査
レーザー光により画像情報の書き込みをして画像形成を
実行する方式の画像形成方法及びそれに使用する装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for applying a voltage to a charging member, bringing the charged surface of the charging member into contact with a light receiving member for electrophotography, and charging the charged surface. The present invention relates to an image forming method of writing image information by light to execute image formation and an apparatus used for the method.
【0002】また、本発明は光等(ここでは広義の光で
あって紫外線、可視光線、赤外線、x線、γ線等を意味
する。)の電磁波に対して感受性のある電子写真用光受
容部材に関する。Further, the present invention relates to a photoreceptor for electrophotography which is sensitive to electromagnetic waves such as light (here, light in a broad sense and means ultraviolet light, visible light, infrared light, x-rays, γ-rays, etc.). Regarding members.
【0003】[0003]
1.画像形成装置 画像形成装置は原稿を複写するいわゆる複写機のみなら
ず、近年需要の伸びの著しいコンピュータ、ワードプロ
セッサの出力手段としてのプリンターを加え広く利用さ
れている。こうしたプリンターは従来のオフィスユース
のみならず、パーソナルユースが増大したため、低コス
ト、メンテナンスフリーといった経済性が重視される。1. 2. Description of the Related Art Image forming apparatuses are widely used in addition to so-called copiers for copying originals, as well as computers, which have been growing in demand in recent years, and printers as output means of word processors. Since such printers have been used not only for conventional office use but also for personal use, economics such as low cost and maintenance free are emphasized.
【0004】さらに、エコロジーの観点から、両面コピ
ー、再生紙利用等、紙の消費低減、画像形成時における
消費電力低減の省エネルギー、オゾン量低減等近隣生物
への影響対策が、経済性と同様の重要度で求められてい
る。Furthermore, from the viewpoint of ecology, measures to reduce the consumption of paper such as double-sided copying and recycled paper, to save energy by reducing the power consumption during image formation, and to reduce the amount of ozone, etc., are the same as economical measures. Required by importance.
【0005】従来の帯電方式の主流であったコロナ帯電
器は、径50〜100μm程度の金属ワイヤーに5〜1
0kV程度の高電圧を印加し、帯電器中雰囲気を電離し
対向物に電荷を付与する。その過程において、ワイヤー
自身も汚れを吸着し、定期的な清掃、交換が必要とな
る。また、コロナ放電に伴い、オゾンの大量発生も問題
である。[0005] Corona chargers, which have been the mainstream of the conventional charging system, use a metal wire having a diameter of about 50 to 100 µm to have a diameter of 5 to 1 m.
A high voltage of about 0 kV is applied to ionize the atmosphere in the charger to apply charges to the opposing object. In the process, the wire itself also absorbs dirt, and requires periodic cleaning and replacement. In addition, a large amount of ozone is also a problem with corona discharge.
【0006】省エネルギーに関しては、光受容部材の加
熱手段の問題もある。As for energy saving, there is also a problem of a heating means for the light receiving member.
【0007】近年使用される電子写真用光受容部材は、
高速大量複写のために連続して使用される。そのため、
オゾンから派生するコロナ生成物が付着することで光受
容部材表面が水分を吸着し易くなり、これが光受容部材
表面の電荷の横流れの原因となり、これにより画像流れ
と言われる画像品質低下を引き起こすことがある。A light-receiving member for electrophotography used in recent years is
Used continuously for high-speed mass copying. for that reason,
The adhesion of the corona product derived from ozone makes it easier for the surface of the light receiving member to adsorb moisture, which causes a lateral flow of charges on the surface of the light receiving member, thereby causing a deterioration in image quality called image deletion. There is.
【0008】このような画像流れを防止するために、実
公平1−34205に記載されているようなヒーターに
よる加熱や、特公平2−38956に記載されているよ
うなマグネットローラーと磁性トナーから形成されたブ
ラシにより光受容部材表面を摺擦しコロナ生成物を取り
除く方法、特開昭61−100780に記載されている
ような弾性ローラーによる光受容部材表面の摺擦でコロ
ナ生成物を取り除く方法等が用いられてきた。In order to prevent such image deletion, heating by a heater as described in JP-B-1-34205 and formation from a magnet roller and magnetic toner as described in JP-B-2-38956 are described. A method for removing corona products by rubbing the surface of the light receiving member with a brush, and a method for removing corona products by rubbing the surface of the light receiving member with an elastic roller as described in JP-A-61-100780 Has been used.
【0009】また、特開昭60−95551号公報に
は、アモルファスシリコン光受容部材の画像品質向上の
ために、光受容部材表面近傍の温度を30乃至40℃に
維持して帯電、露光、現像および転写といった画像形成
工程を行うことにより、光受容部材表面での水分の吸着
による表面抵抗の低下とそれに伴って発生する画像流れ
を防止する技術が開示されている。Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-95551 discloses that in order to improve the image quality of an amorphous silicon photoreceptor member, the temperature near the surface of the photoreceptor member is maintained at 30 to 40.degree. A technique is disclosed in which an image forming process such as transfer is performed to prevent a reduction in surface resistance due to the adsorption of moisture on the surface of the light receiving member and an image deletion caused by the reduction.
【0010】しかし、光受容部材表面を摺擦する方法
は、極めて硬度の高いアモルファスシリコン光受容部材
で使用されるが、装置の小型化や低コスト化に対して困
難な一因となる。[0010] However, the method of rubbing the surface of the light receiving member is used for an amorphous silicon light receiving member having extremely high hardness, but this is one of the difficult factors for reducing the size and cost of the device.
【0011】また、ヒーターによる常時加熱は前述のよ
うに消費電力量の増大を招く。こうしたヒーターの容量
は通常15Wから800W程度と必ずしも大電力量とい
った印象を得ないが、夜間も含め常時通電されているケ
ースがほとんどであり、一日当たりの消費電力として
は、画像形成装置全体の消費電力の5〜15%にも達す
る。[0011] Further, the constant heating by the heater causes an increase in power consumption as described above. Such heaters usually have a capacity of about 15 W to 800 W, which does not always give the impression of a large amount of power. However, in most cases, the heater is always energized even at night, and the power consumption per day is the consumption of the entire image forming apparatus. As much as 5-15% of the electricity.
【0012】また、本発明に類似する形態での外部ヒー
ター加熱方式、すなわち、特開昭59−111179や
特開昭62−278577においても、光受容部材の温
度変動に伴う画像濃度不安定要素の改善についてはなん
らの開示もない。Also, in an external heater heating method in a form similar to the present invention, that is, in JP-A-59-111179 and JP-A-62-278577, an image density unstable element caused by temperature fluctuation of a light receiving member is also disclosed. There is no disclosure of improvement.
【0013】また、こうした画像流れの元凶である前述
オゾンは、画像形成装置周囲の人や生物への健康障害の
おそれもあり、従来からオゾン除去フィルターで分解無
害化して排出していた。特にパーソナルユースの場合、
排出オゾン量は極力低減しなければならない。このよう
に経済面、環境衛生面からも帯電時の発生オゾン量を大
幅に低減する方式が求められている。Further, the above-mentioned ozone, which is a cause of such image deletion, has a risk of harm to humans and organisms around the image forming apparatus. Especially for personal use,
The amount of discharged ozone must be reduced as much as possible. As described above, a method for greatly reducing the amount of ozone generated at the time of charging is demanded from the viewpoint of economy and environmental hygiene.
【0014】こうした状況から、新たな帯電部材、帯電
装置、画像形成装置としての発生オゾン量が皆無、ある
いは低減された帯電装置が求められている。Under these circumstances, there is a demand for a new charging member, a charging device, and a charging device with no or reduced ozone generation as an image forming apparatus.
【0015】2.帯電装置 前述の問題点を解決すべく、各種帯電装置が提案されて
いる。2. Charging Device Various charging devices have been proposed to solve the above-mentioned problems.
【0016】特開昭63−208878に記載されてい
る接触帯電法は、電圧を印加した帯電部材を電子写真用
光受容部材に当接させて被帯電面を所用の電位に帯電す
るもので、帯電部装置として広く利用されているコロナ
帯電装置に比べ、 電子写真用光受容部材面に所望の電位を得るのに必要
とされる印加電圧の低電圧化が図れる、 帯電過程で発生するオゾン量が無乃至極微量であり、
オゾン除去フィルターの必要性がなく、装置の排気系の
構成が簡素化される、 帯電過程で発生するオゾン量が無乃至極微量であるこ
とからオゾン生成物が電子写真用光受容部材表面に付着
し水分を吸収することもなく、終日行われている加熱ヒ
ーターによる除湿の必要性がなくなり、そのため夜間通
電等の電力消費の大幅な低減が図れる、等の長所を有し
ている。In the contact charging method described in JP-A-63-208878, a charged member to which a voltage is applied is brought into contact with an electrophotographic light receiving member to charge a charged surface to a required potential. Compared with the corona charging device widely used as a charging device, the applied voltage required to obtain a desired potential on the electrophotographic light receiving member surface can be reduced. The amount of ozone generated in the charging process Is negligible or very small,
Eliminates the need for an ozone removal filter, simplifies the configuration of the exhaust system of the device, and generates no or very little ozone during the charging process so that ozone products adhere to the surface of the electrophotographic light-receiving member It does not absorb moisture and eliminates the necessity of dehumidification by a heater that is performed all day, thereby greatly reducing electric power consumption such as energization at night.
【0017】そこで例えば、画像形成装置(複写機、レ
ーザービームプリンター)、静電記録装置等の画像形成
装置において、光受容部材、誘電体等の像担持体、その
他の電子写真用光受容部材を帯電処理する手段としてコ
ロナ放電装置に代わるものとして注目されている。Therefore, for example, in an image forming apparatus such as an image forming apparatus (copier, laser beam printer) and an electrostatic recording apparatus, a light receiving member, an image carrier such as a dielectric, and other light receiving members for electrophotography are used. Attention has been paid as an alternative to the corona discharge device as a means for performing the charging treatment.
【0018】接触帯電部材の様々な改善といった試みの
中で、特開昭59−133569号公報等のように、磁
性体と磁性粉体(あるいは粒子)からなる磁気ブラシ状
の接触帯電部材が像担持体に接触、帯電を付与する機構
の新方式が提案されている。In various attempts to improve the contact charging member, a magnetic brush-like contact charging member composed of a magnetic material and magnetic powder (or particles) has been developed as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. S59-133569. A new system of a mechanism for applying contact and charging to a carrier has been proposed.
【0019】図2にその一実施態様を示す。102は像
担持体である感光ドラムであり、矢印Aの時計方向に所
定の周速度(プロセススピード)にて回転駆動されるド
ラム型の電子写真用光受容部材である。101は帯電部
材であり、多極磁性体およびその帯電面に磁性粉体によ
り形成した磁気ブラシ層とからなる。FIG. 2 shows one embodiment. Reference numeral 102 denotes a photosensitive drum as an image carrier, which is a drum-type electrophotographic light receiving member that is driven to rotate at a predetermined peripheral speed (process speed) in a clockwise direction of an arrow A. Reference numeral 101 denotes a charging member, which is composed of a multipolar magnetic body and a magnetic brush layer formed on the charged surface thereof with magnetic powder.
【0020】多極磁性体は、円筒状の、いわゆるマグネ
ットローラーのごとく構成され、通常フェライト磁石、
ゴムマグネット等の磁性材料を用いる。The multipolar magnetic material is constituted like a cylindrical, so-called magnet roller, and is usually a ferrite magnet,
A magnetic material such as a rubber magnet is used.
【0021】磁気ブラシ層は、Cu−Zn−Fe−O系
等の磁性酸化鉄(フェライト)粉、マグネタイト粉、樹
脂中にフェライトやマグネタイト等の磁性材料を分散さ
せたもの、周知の磁性トナー材等が一般的に用いられ
る。The magnetic brush layer is made of a magnetic iron oxide (ferrite) powder such as a Cu-Zn-Fe-O system, a magnetite powder, a material in which a magnetic material such as ferrite or magnetite is dispersed in a resin, a known magnetic toner material. Are generally used.
【0022】該帯電部材の抵抗値は、その使用される環
境、高帯電効率、あるいは該光受容部材の表面層の耐圧
特性等に応じて適宜選択されることが望ましい。通常、
良好な帯電を得るためには、帯電部材の抵抗値が、1×
103 〜1×1012Ωcmなる抵抗を有する必要があ
る。より好ましくは、1×104 〜1×109 Ωcmの
抵抗のときで、良好な帯電特性、および画像流れ等の環
境特性の改善が得られた。It is desirable that the resistance value of the charging member is appropriately selected according to the environment in which the charging member is used, high charging efficiency, pressure resistance characteristics of the surface layer of the light receiving member, and the like. Normal,
In order to obtain good charging, the resistance of the charging member must be 1 ×
It is necessary to have a resistance of 10 3 to 1 × 10 12 Ωcm. More preferably, when the resistance is 1 × 10 4 to 1 × 10 9 Ωcm, good charging characteristics and improvement in environmental characteristics such as image deletion are obtained.
【0023】帯電部材抵抗が1×103 Ωcm未満の場
合は、異常放電、ピンホールが発生し光受容部材が破損
する危険性がある。また、1×1012Ωcm以上の場合
は帯電効率低下、注入による帯電性が低下する。If the resistance of the charging member is less than 1 × 10 3 Ωcm, there is a risk that abnormal discharge and pinholes will occur and the light receiving member will be damaged. On the other hand, if it is 1 × 10 12 Ωcm or more, the charging efficiency is reduced, and the charging property due to injection is reduced.
【0024】帯電部材に対する電圧印加電源は、直流電
圧Vdc単独、あるいはそれに交流電圧(Vac)を重
畳して帯電部材の多極磁性体、磁気ブラシ層に印加され
て、回転駆動されている感光ドラム102の外周面が均
一に帯電される。The voltage applied to the charging member is a DC voltage Vdc alone, or an AC voltage (Vac) superimposed on the DC voltage Vdc and applied to the multipolar magnetic body and the magnetic brush layer of the charging member to rotate and drive the photosensitive drum. The outer peripheral surface of 102 is uniformly charged.
【0025】さらに、画像信号に応じて強度変調される
レーザービームプリンター光が走査されることによって
該感光ドラム上に静電潜像が形成される。この潜像は、
現像材が塗布された現像スリーブによって顕画像化され
た後、転写材上に転写ローラを介して転写される。転写
残トナーは、クリーニングブレードによって感光ドラム
上から除去されると共に該転写像は、不図示の定着装置
によって定着された後、出力される。前述方式により、
像担持体と接触帯電部材の接触性等の特性の向上が図ら
れた。Further, an electrostatic latent image is formed on the photosensitive drum by scanning with a laser beam printer light whose intensity is modulated according to an image signal. This latent image is
After being visualized by a developing sleeve coated with a developing material, the image is transferred onto a transfer material via a transfer roller. The transfer residual toner is removed from the photosensitive drum by a cleaning blade, and the transferred image is output after being fixed by a fixing device (not shown). By the above method,
The characteristics such as the contact property between the image carrier and the contact charging member were improved.
【0026】3.光受容部材 1)アモルファスシリコン系光受容部材(a−Si) 電子写真において、光受容部材における感光層を形成す
る光導電材料としては、高感度でSN比(光電流(I
p)/暗電流(Id))が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性に適合した吸収スペクトルを有すること、光
応答性が早く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時に
おいて人体に対して無害であること、等の特性が要求さ
れる。3. Light-receiving member 1) Amorphous silicon-based light-receiving member (a-Si) In electrophotography, as a photoconductive material for forming a photosensitive layer in the light-receiving member, a high sensitivity and an SN ratio (photocurrent (I
p) / dark current (Id)), having an absorption spectrum suitable for the spectral characteristics of the irradiating electromagnetic wave, fast photoresponse, having a desired dark resistance value, and harmless to the human body during use. Characteristics are required.
【0027】特に、事務機としてオフィスで使用される
画像形成装置内に組み込まれる画像形成装置用光受容部
材の場合には、大量に、かつ長期にわたり複写されるこ
とを考えると、画質、画像濃度の長期安定性も重要な点
である。In particular, in the case of a light receiving member for an image forming apparatus which is incorporated in an image forming apparatus used in an office as an office machine, the image quality and the image density are considered in view of copying in a large amount and for a long time. Is also important.
【0028】このような点に優れた性質を示す光導電材
料に水素化アモルファスシリコン(以下、「a−Si:
H:と表記する)があり、例えば、特公昭60−350
59号公報には画像形成装置用光受容部材としての応用
が記載されている。Hydrogenated amorphous silicon (hereinafter referred to as “a-Si:
H :), for example, Japanese Patent Publication No. 60-350
No. 59 describes an application as a light receiving member for an image forming apparatus.
【0029】このような画像形成装置用光受容部材は、
一般的には、導電性支持体を50℃〜400℃に加熱
し、該支持体上に真空蒸発法、スパッタリング法、イオ
ンプレーティング法、熱CVD法、光CVD法、プラズ
マCVD法等の成膜法によりa−Siからなる光導電層
を形成する。中でもプラズマCVD法、すなわち、原料
ガスを直流または高周波あるいはマイクロ波グロー放電
によって、分解し、支持体上にa−Si堆積膜を形成す
る方法が好適なものとして実用に付されている。また、
特開昭54−83746号公報においては、導電性支持
体と、ハロゲン原子を構成要素として含むa−Si(以
下、「a−Si:X」と表記する)光導電層からなる画
像形成装置用光受容部材が提案されている。当該公報に
おいては、a−Siにハロゲン原子を1乃至40原子%
含有させることにより、耐熱性が高く、画像形成装置用
光受容部材の光導電層として良好な電気的、光学的特性
を得ることができるとしている。[0029] Such a light receiving member for an image forming apparatus includes:
Generally, a conductive support is heated to 50 ° C. to 400 ° C. and formed on the support by a vacuum evaporation method, a sputtering method, an ion plating method, a thermal CVD method, a photo CVD method, a plasma CVD method, or the like. A photoconductive layer made of a-Si is formed by a film method. Among them, a plasma CVD method, that is, a method in which a raw material gas is decomposed by direct current, high frequency, or microwave glow discharge to form an a-Si deposited film on a support has been put to practical use. Also,
JP-A-54-83746 discloses an image forming apparatus comprising a conductive support and an a-Si (hereinafter referred to as "a-Si: X") photoconductive layer containing a halogen atom as a constituent element. Light receiving members have been proposed. In this publication, 1 to 40 atomic% of halogen atoms are contained in a-Si.
It is said that by containing the compound, it has high heat resistance and can obtain good electrical and optical characteristics as a photoconductive layer of a light receiving member for an image forming apparatus.
【0030】また、特開昭57−115556号公報に
は、a−Si堆積膜で構成された光導電層を有する光導
電部材、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光学
的、光導電的特性および耐湿性等の使用環境特性、さら
には経時的安定性について改善を図るため、シリコン原
子を母体としたアモルファス材料で構成された光導電層
上に、シリコン原子および炭素原子を含む非光導電性の
アモルファス材料で構成された表面障壁層を設ける技術
が記載されている。Japanese Patent Application Laid-Open No. S57-115556 discloses a photoconductive member having a photoconductive layer composed of an a-Si deposited film, and the electrical and optical characteristics such as dark resistance, light sensitivity, and light responsiveness. Silicon and carbon atoms on a photoconductive layer composed of an amorphous material based on silicon atoms in order to improve the use environment characteristics such as physical, photoconductive and moisture resistance, and the stability over time. A technique for providing a surface barrier layer made of a non-photoconductive amorphous material containing is described.
【0031】さらに、特開昭60−67951号公報に
は、アモルファスシリコン、炭素、酸素および弗素を含
有してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層する光受
容部材についての技術が記載され、特開昭62−168
161号公報には、表面層として、シリコン原子と炭素
原子と41〜70原子%の水素原子を構成要素として含
む非晶質材料を用いる技術が記載されている。Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-67951 describes a technique for a light receiving member in which a light transmitting insulating overcoat layer containing amorphous silicon, carbon, oxygen and fluorine is laminated. 62-168
Japanese Patent No. 161 describes a technique of using an amorphous material containing silicon atoms, carbon atoms, and 41 to 70 atomic% of hydrogen atoms as constituent elements as a surface layer.
【0032】さらに、特開昭57−158650号公報
には、水素を10〜40原子%含有し、赤外吸収スペク
トルの2100cm-1の吸収ピーク係数の2000cm
-1の吸収ピークの吸収係数に対する比が0.2〜1.7
であるa−Si:Hを光導電層に用いることにより高感
度で高抵抗な画像形成装置用光受容部材が得られること
が記載されている。Furthermore, Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-158650 discloses that an infrared absorption spectrum contains 10 to 40 atomic% of hydrogen and has an absorption peak coefficient of 2000 cm -1 of 2000 cm -1.
The ratio of the absorption peak at -1 to the absorption coefficient is 0.2 to 1.7.
It is described that a high-sensitivity and high-resistance light-receiving member for an image forming apparatus can be obtained by using a-Si: H which is a photoconductive layer.
【0033】これらの技術により、画像形成装置用光受
容部材の電気的、光学的、光導電的特性および使用環境
特性が向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。[0033] These techniques have improved the electrical, optical, photoconductive and operating environment characteristics of the light receiving member for an image forming apparatus, and the image quality has been improved accordingly.
【0034】4.環境対策ヒータ 前述光受容部材の高湿画像流れを防止、除去するため
に、光受容部材内面に熱源を設けることが周知であり、
最も一般的なのは、面状乃至棒状の電熱ヒータを円筒状
光受容部材内面に配設している。4. It is well known to provide a heat source on the inner surface of the light receiving member in order to prevent and remove the high-humidity image flow of the light receiving member.
Most commonly, a planar or rod-shaped electric heater is disposed on the inner surface of the cylindrical light receiving member.
【0035】[0035]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なアモルファスシリコン光受容部材を用いた画像形成装
置の問題点として、以下の点が挙げられる。Problems to be solved by the image forming apparatus using the above amorphous silicon light receiving member include the following.
【0036】昨今のオフィス状況から求められている、
装置の小型化に対して、上記のような電圧印加式の磁性
粉体をブラシとして用いた帯電装置を用いることで、従
来のようなコロナ帯電装置に比べて小型化が図ることが
できる。そして、オゾンの発生がほとんどない、磁性粉
体をブラシとして用いた帯電装置の採用することで、磁
気ブラシ等が用いたクリーナーによる摺擦をなくして
も、画像流れのない状態を維持することが可能となる。[0036] What is required from the recent office situation,
By using a charging device that uses a magnetic powder of a voltage application type as a brush as described above to reduce the size of the device, the size can be reduced as compared with a conventional corona charging device. By adopting a charging device using a magnetic powder as a brush, which generates almost no ozone, it is possible to maintain a state in which there is no image bleeding even if rubbing by a cleaner used by a magnetic brush or the like is eliminated. It becomes possible.
【0037】しかし、電圧印加式の磁気粉体をブラシと
して用いた帯電装置により帯電させる場合にも、画像濃
度が薄くぼやけた領域ができてしまうという新たな問題
が生じていた。そのような領域をもつ電子写真用光受容
部材を用いた場合には高湿環境下での画像流れが起きや
すいという問題が生じている。However, even when a voltage applying type magnetic powder is charged by a charging device using a brush, there is a new problem that an image density is thin and blurred. When an electrophotographic light-receiving member having such a region is used, there is a problem that image deletion easily occurs in a high-humidity environment.
【0038】さらに、上記のように画像流れの問題を解
決できても、対環境温度の変化により、電子写真特性の
温度依存性(温度特性)が大きいのでは、実公平1−3
4205に記載されているようなヒーターによる精密な
温度制御を行わなければならない。そのため、ヒーター
を取り除くためには、この温度特性を小さくする必要が
ある。また、画像形成装置を小型化するためにもヒータ
ーを取り除くことは必要であり、この意味からも温度特
性を小さくすることは重要な問題である。Further, even if the problem of image deletion can be solved as described above, if the temperature dependence (temperature characteristic) of the electrophotographic characteristic is large due to a change in environmental temperature, it is necessary to consider that the actual image is 1-3.
Precise temperature control by a heater as described in 4205 must be performed. Therefore, in order to remove the heater, it is necessary to reduce the temperature characteristics. In addition, it is necessary to remove the heater in order to reduce the size of the image forming apparatus. In this sense, reducing the temperature characteristics is an important problem.
【0039】また、電子写真装置はプレゼンテーション
資料作製に欠かせない道具として、OHP用トランスペ
アレンシー等の樹脂シートからハガキ等の厚手の紙を含
む様々な複写媒体が用いられるようになってきている。Further, as an indispensable tool for producing presentation materials, various copying media including resin sheets such as transparency for OHP and thick paper such as postcards have been used in electrophotographic apparatuses.
【0040】特に、普通紙に比べて硬質な複写媒体への
複写が頻繁に行われることにより、電子写真用光受容部
材表面に傷が生じ易くなっている。この傷がひどい場合
には、画像上でスジとなって現われたり、帯電せずに画
像が全く複写されないといった問題が生じる。In particular, frequent copying to a copy medium which is harder than plain paper tends to cause scratches on the surface of the light receiving member for electrophotography. If the scratch is severe, problems such as streaks appearing on the image, or the image is not copied at all without being charged.
【0041】この傷を防ぐために、電子写真用光受容部
材の表面層の硬度を上げて耐久性の向上を図ることが望
まれており、従来はシリコン原子含有量に対して炭素原
子含有量を多くすることによって硬度を維持してきた。
また、ダイヤモンドライクな無定形炭素膜を積層するこ
とにより、さらに硬度等総合的に優れた表面層を得られ
るようになってきている。In order to prevent this damage, it is desired to improve the durability by increasing the hardness of the surface layer of the electrophotographic light-receiving member. Hardness has been maintained by doing more.
In addition, by laminating a diamond-like amorphous carbon film, it is becoming possible to obtain a surface layer having more excellent overall hardness and the like.
【0042】特に本発明は、電圧印加式の磁気粉体をブ
ラシとして用いた帯電装置により帯電させる場合におい
て、画像濃度が薄くぼやけた領域ができてしまうという
新たな問題や、そのような領域を持つ電子写真用光受容
部材を用いた場合には高湿環境下での画像の流れが起き
やすいという問題を解決することを第一の目的としたも
のである。In particular, the present invention solves a new problem that an image density becomes thin and blurred when a voltage applying type magnetic powder is charged by a charging device using a brush. It is a first object of the present invention to solve the problem that an image is likely to flow under a high humidity environment when an electrophotographic light receiving member is used.
【0043】さらに、上記で掲げた課題が解決されるよ
うに、電圧印加式の磁気粉体をブラシとして用いた帯電
装置を有する画像形成装置及び画像形成方法ならびに電
子写真用光受容部材を総合的な観点からの一段の改良を
図ることが必要とされている。Further, in order to solve the above-mentioned problems, an image forming apparatus and an image forming method having a charging device using a magnetic powder of a voltage application type as a brush, and a light receiving member for electrophotography are comprehensively provided. There is a need for further improvement from a different viewpoint.
【0044】したがって、上記のような課題を解決され
るように、電圧印加式の磁気粉体をブラシとして用いた
帯電装置を有する画像形成装置および画像形成方法なら
びに電子写真用光受容部材を総合的な観点からの一段の
改良を図ることが必要とされている。Therefore, in order to solve the above problems, an image forming apparatus having a charging device using a magnetic powder of a voltage application type as a brush, an image forming method, and a light receiving member for electrophotography are comprehensively provided. There is a need for further improvement from a different viewpoint.
【0045】[0045]
【課題を解決するための手段】本発明は、下記の手段に
より上記課題を解決することができる。The present invention can solve the above-mentioned problems by the following means.
【0046】即ち、本発明は、少なくとも多極磁性材と
磁性粉体を有する円筒状の帯電部材に電圧を印加し、該
磁性粉体を像担持体であるところの電子写真用光受容部
材に接触させて帯電し、該電子写真用光受容部材上に静
電潜像を形成し、これをトナーによって顕画像化する画
像形成装置において、該電子写真用光受容部材が少なく
とも非単結晶シリコン系の材料で構成された光導電層
と、シリコン原子、炭素原子の少なくとも一方を母体と
した表面層とを有し、該表面層の層厚方向の抵抗値に比
して、最表面の面方向の抵抗値が大きいことを特徴とす
る画像形成装置を提供することにある。That is, in the present invention, a voltage is applied to a cylindrical charging member having at least a multipolar magnetic material and a magnetic powder, and the magnetic powder is applied to an electrophotographic light receiving member which is an image carrier. In an image forming apparatus which is contacted and charged to form an electrostatic latent image on the electrophotographic light receiving member and visualize the electrostatic latent image with toner, the electrophotographic light receiving member is at least a non-single-crystal silicon type. A photoconductive layer composed of the following materials, and a surface layer having at least one of silicon atoms and carbon atoms as a host, and having a surface direction of the outermost surface as compared with the resistance value in the layer thickness direction of the surface layer. An object of the present invention is to provide an image forming apparatus characterized by having a large resistance value.
【0047】また本発明は、前記表面層の層厚方向の抵
抗値に対する最表面の面方向の抵抗値の比が10〜10
00であることを特徴とする画像形成装置を提供するこ
とにある。Further, in the present invention, the ratio of the resistance value in the surface direction of the outermost surface to the resistance value in the layer thickness direction of the surface layer is 10 to 10.
00 is provided.
【0048】また本発明は、前記表面層の層厚方向の抵
抗値が1×1010〜5×1013Ωcmであることを特徴
とする画像形成装置を提供することにある。Another object of the present invention is to provide an image forming apparatus characterized in that the surface layer has a resistance in the thickness direction of 1 × 10 10 to 5 × 10 13 Ωcm.
【0049】また本発明は、前記表面層の最表面の面方
向の抵抗値が1×1012〜2×10 15Ωcmであること
を特徴とする画像形成装置を提供することにある。The present invention also relates to the present invention,
Direction resistance value is 1 × 1012~ 2 × 10 FifteenΩcm
An object of the present invention is to provide an image forming apparatus characterized by the following.
【0050】さらに本発明は、少なくとも非単結晶シリ
コン系の材料で構成された光導電層と、シリコン原子、
炭素原子の少なくとも一方を母体とした表面層とを有す
る電子写真用光受容部材において、該表面層の層厚方向
の抵抗値に対して、該表面層の最表面の面方向の抵抗値
が大きいことを特徴とする電子写真用光受容部材を提供
することにある。The present invention further provides a photoconductive layer made of at least a non-single-crystal silicon-based material,
In a light receiving member for electrophotography having a surface layer having at least one of carbon atoms as a host, the resistance in the surface direction of the outermost surface of the surface layer is larger than the resistance in the thickness direction of the surface layer. An object of the present invention is to provide a light receiving member for electrophotography.
【0051】さらに本発明は、前記表面層の表面層層厚
方向の抵抗値に対する該表面層の最表面の面方向の抵抗
値の比が10〜1000であることを特徴とする前記電
子写真用光受容部材を提供することにある。Further, in the present invention, the ratio of the resistance in the surface direction of the outermost surface of the surface layer to the resistance in the thickness direction of the surface layer of the surface layer is 10 to 1000. It is to provide a light receiving member.
【0052】さらに本発明は、前記表面層の層厚方向の
抵抗値が1×1010〜5×1013Ωcmであることを特
徴とする前記電子写真用光受容部材を提供することにあ
る。The present invention further provides the electrophotographic light-receiving member, wherein the surface layer has a resistance in the thickness direction of 1 × 10 10 to 5 × 10 13 Ωcm.
【0053】さらに本発明は、前記表面層の最表面の面
方向の抵抗値が1×1012〜2×1015Ωcmであるこ
とを特徴とする前記電子写真用光受容部材を提供するこ
とにある。Further, the present invention provides the electrophotographic light-receiving member, wherein the outermost surface of the surface layer has a resistance value in the surface direction of 1 × 10 12 to 2 × 10 15 Ωcm. is there.
【0054】また本発明は、前記光導電層が10〜30
原子%の水素原子を含有し、該光導電層の少なくとも光
の入射する部分における光吸収スペクトルから得られる
指数関数裾の特性エネルギーが50meV以上60me
V以下であることを特徴とする請求項5に記載の電子写
真用光受容部材を提供することにある。Further, in the present invention, the photoconductive layer preferably has a thickness of 10 to 30.
Atomic hydrogen atoms, and the characteristic energy of the exponential function tail obtained from the light absorption spectrum at least in the light incident portion of the photoconductive layer is 50 meV or more and 60 me
V or less, and an object of the present invention is to provide the electrophotographic light-receiving member according to claim 5.
【0055】また本発明は、前記光導電層中に周期律表
第III b族または第Vb族に属する元素の少なくとも一
つを含むことを特徴とする前記電子写真用光受容部材を
提供することにある。Further, the present invention provides the photoreceptor for electrophotography, wherein the photoconductive layer contains at least one element belonging to Group IIIb or Group Vb of the periodic table. It is in.
【0056】また本発明は、前記光導電層中に炭素、酸
素、窒素の少なくとも一つを含むことを特徴とする前記
電子写真用光受容部材を提供することにある。The present invention also provides the light receiving member for electrophotography, wherein the photoconductive layer contains at least one of carbon, oxygen and nitrogen.
【0057】さらに本発明は、前記光受容層がシリコン
原子を母体とする非単結晶材料から成る光導電層と、該
光導電層の表面上に設けた、炭素、酸素、窒素の少なく
とも一つを含むシリコン系非単結晶材料から成る表面層
とから構成されることを特徴とする前記電子写真用光受
容部材を提供することにある。The present invention further provides a photoconductive layer in which the photoreceptive layer is made of a non-single-crystal material containing silicon atoms as a base, and at least one of carbon, oxygen and nitrogen provided on the surface of the photoconductive layer. And a surface layer made of a silicon-based non-single-crystal material containing: a light-receiving member for electrophotography.
【0058】さらに本発明は、前記光受容層が、シリコ
ン原子を母体とし炭素、酸素、窒素の少なくとも一つお
よび周期律表第III b族または第Vb族から選ばれる元
素の少なくとも一つを含む非単結晶材料から成る電荷注
入阻止層と、該電荷注入阻止層の表面上に設けた、シリ
コン原子を母体とする非単結晶材料から成る光導電層
と、該光導電層の表面上に設けた、炭素、酸素、窒素の
少なくとも一つを含むシリコン系非単結晶材料から成る
表面層とから構成されることを特徴とする前記電子写真
用光受容部材を提供することにある。Further, in the present invention, the photoreceptive layer contains a silicon atom as a base material, and contains at least one of carbon, oxygen and nitrogen and at least one element selected from Group IIIb or Vb of the periodic table. A charge injection blocking layer made of a non-single-crystal material, a photoconductive layer provided on the surface of the charge injection blocking layer, made of a non-single-crystal material containing silicon atoms as a base, and provided on the surface of the photoconductive layer A surface layer made of a silicon-based non-single-crystal material containing at least one of carbon, oxygen and nitrogen.
【0059】また本発明は、前記光導電層の層厚が20
〜50μmである前記電子写真用光受容部材を提供する
ことにある。In the present invention, the photoconductive layer preferably has a thickness of 20
The object of the present invention is to provide the electrophotographic light-receiving member having a thickness of about 50 μm.
【0060】さらに本発明は、少なくとも多極磁性材と
磁性粉体を有する円筒状の帯電部材に電圧を印加し、該
磁性粉体を像担持体であるところの電子写真用光受容部
材に接触させて帯電し、該電子写真用光受容部材上に静
電潜像を形成し、これをトナーによって顕画像化する画
像形成方法において、該電子写真用光受容部材が少なく
とも非単結晶シリコン系の材料で構成された光導電層
と、シリコン原子、炭素原子の少なくとも一方を母体と
した表面層とを有し、該表面層の厚膜方向の抵抗値に比
して、最表面の面方向の抵抗値が大きいことを特徴とす
る画像形成方法を提供することにある。Further, in the present invention, a voltage is applied to a cylindrical charging member having at least a multipolar magnetic material and a magnetic powder, and the magnetic powder is brought into contact with an electrophotographic light receiving member as an image carrier. And charging, forming an electrostatic latent image on the electrophotographic light-receiving member, and visualizing the electrostatic latent image with toner, wherein the electrophotographic light-receiving member is at least a non-single-crystal silicon-based. A photoconductive layer made of a material, having a surface layer having at least one of silicon atoms and carbon atoms as a host, and having a resistance in the thickness direction of the surface layer in the surface direction of the outermost surface. An object of the present invention is to provide an image forming method characterized by having a large resistance value.
【0061】さらに本発明は前記表面層の層厚方向の抵
抗値に対する最表面の面方向の抵抗値の比が10〜10
00であることを特徴とする前記の画像形成方法を提供
することにある。Further, in the present invention, the ratio of the resistance value in the surface direction of the outermost surface to the resistance value in the thickness direction of the surface layer is 10 to 10.
00 is provided.
【0062】さらに本発明は、前記表面層の層厚方向の
抵抗値が1×1010〜5×1013Ωcmであることを特
徴とする前記の画像形成方法を提供することにある。The present invention further provides the above-described image forming method, wherein the resistance of the surface layer in the thickness direction is 1 × 10 10 to 5 × 10 13 Ωcm.
【0063】さらに本発明は、前記表面層の最表面の面
方向の抵抗値が1×1012〜2×1015Ωcmであるこ
とを特徴とする前記の画像形成方法を提供することにあ
る。The present invention further provides the above-described image forming method, wherein the outermost surface of the surface layer has a resistance value in the surface direction of 1 × 10 12 to 2 × 10 15 Ωcm.
【0064】[0064]
【発明の実施の形態】電圧印加式の磁気粉体をブラシと
して用いた帯電装置により帯電させる場合に、画像濃度
が薄くぼやけた領域が生じる原因を、帯電時の電荷が最
表面でドリフトすることによるのではないかと考え、電
子写真用光受容部材の最表面の面方向の抵抗値に着目し
て鋭意検討を加えた結果、層厚方向の抵抗値に対して、
面方向の抵抗値が大きくなるように表面層を設計するこ
とにより、磁気粉体をブラシとして用いた帯電装置に対
しての、帯電効率および帯電安定性が大幅に向上し、上
記のような画像濃度の変化を低減することができること
がわかった。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS When a voltage-applied magnetic powder is charged by a charging device using a brush, the cause of the occurrence of a thin and blurred image density is that the charge at the time of charging drifts on the outermost surface. As a result of careful studies focusing on the resistance value in the surface direction of the outermost surface of the electrophotographic light-receiving member, the resistance value in the layer thickness direction,
By designing the surface layer so that the resistance value in the surface direction becomes large, the charging efficiency and charging stability for the charging device using the magnetic powder as a brush are greatly improved, and the image as described above is obtained. It was found that the change in concentration could be reduced.
【0065】また、最表面の面方向の抵抗が表面層層厚
方向の抵抗のおよそ10〜1000倍になるようにする
ことにより、画像濃度が薄くぼやけた領域がほとんど発
生することもなく、高湿環境下での画像流れの問題も改
善できることがわかった。By setting the resistance in the surface direction of the outermost surface to be about 10 to 1000 times the resistance in the thickness direction of the surface layer, almost no blurred region with a low image density is generated, It was found that the problem of image deletion in a humid environment can be improved.
【0066】温度特性を小さくするという問題を解決す
るために、本発明者らは、光導電層のキャリアの挙動に
着目し、a−Siのバンドギャップ内の局在状態分布と
帯電能の温度依存性や光メモリーとの関係について鋭意
検討した結果、光導電層の少なくとも光の入射する部分
において、局在状態分布を制御することにより上記目的
を達成できるという知見を得た。In order to solve the problem of reducing the temperature characteristics, the present inventors focused on the behavior of carriers in the photoconductive layer, and focused on the distribution of localized states in the band gap of a-Si and the temperature of the chargeability. As a result of earnestly examining the dependence and the relationship with the optical memory, it has been found that the above object can be achieved by controlling the localized state distribution at least in the light incident portion of the photoconductive layer.
【0067】すなわち、シリコン原子を母体とし、水素
原子および/またはハロゲン原子を含有する非単結晶材
料で構成された光導電層を有する光受容部材において、
その層構造を特定化するように設計されて作成された光
受容部材は、実用上著しく優れた特性を示すばかりでな
く、従来の光受容部材と比べてみてもあらゆる点におい
て凌駕していること、特に電子写真用の光受容部材とし
て優れた特性を有していることを見いだした。That is, in a light receiving member having a photoconductive layer composed of a non-single-crystal material containing silicon atoms as a base and containing hydrogen atoms and / or halogen atoms,
A light-receiving member designed and made to specify its layer structure not only exhibits remarkably excellent properties in practical use, but also outperforms all other conventional light-receiving members. In particular, they have been found to have excellent properties as a light receiving member for electrophotography.
【0068】ところで、以下で用いる「指数関数裾」と
は、光吸収スペクトルの吸収から低エネルギー側に裾を
引いた吸収スペクトルのことを指す。また、「特性エネ
ルギー」とは、この指数関数裾の傾きである。By the way, the "exponential function tail" used hereinafter refers to an absorption spectrum obtained by subtracting the tail toward the lower energy side from the absorption of the light absorption spectrum. The “characteristic energy” is the slope of the exponential function tail.
【0069】本発明の電子写真用光受容部材は、導電性
支持体と、該導電性支持体の表面上に、シリコン原子を
母体として水素原子および/またはハロゲン原子を含有
する非単結晶材料からなり光導電性を示す光導電層を有
する光受容層とを少なくとも有する電子写真用光受容部
材において、該光導電層が10〜30原子%の水素を含
有し、該光導電層の少なくとも光の入射する部分におけ
る光吸収スペクトルから得られる指数関数裾(アーバッ
クテイル)の特性エネルギーが50〜60meVである
ことを特徴とする。The light-receiving member for electrophotography of the present invention comprises a conductive support and a non-single-crystal material containing a hydrogen atom and / or a halogen atom on a surface of the conductive support. A photoreceptive member having at least a photoreceptive layer having a photoconductive layer exhibiting photoconductivity, wherein the photoconductive layer contains 10 to 30 atomic% of hydrogen, and The characteristic energy of the exponential function tail (Urbak tail) obtained from the light absorption spectrum at the incident portion is 50 to 60 meV.
【0070】さらに本発明の電子写真用光受容部材は、
導電性支持体と、該導電性支持体の表面上に、シリコン
原子を母体として水素原子および/またはハロゲン原子
を含有する非単結晶材料からなり光導電性を示す光導電
層を有する光受容層とを少なくとも有する電子写真用光
受容部材において、該光導電層が10〜30原子%の水
を含有し、該光導電層の赤外吸収スペクトルから得られ
るSi−H2 結合の吸収ピーク係数のSi−H結合の吸
収ピークの吸収係数に対する強度比が0.1〜0.5で
あって、該光導電層の少なくとも光の入射する部分にお
ける光吸収スペクトルから得られる指数関数裾(アーバ
ックテイル)の特性エネルギーが50〜60meVであ
り、かつ該光導電層における局在状態密度が1×1014
cm-3以上1×1016cm-3未満であることを特徴とす
る。Further, the light-receiving member for electrophotography of the present invention comprises:
A photoreceptive layer having a conductive support and a photoconductive layer on the surface of the conductive support and made of a non-single-crystal material containing silicon atoms as a base and containing hydrogen atoms and / or halogen atoms and exhibiting photoconductivity. Wherein the photoconductive layer contains 10 to 30 atomic% of water, and the absorption peak coefficient of the Si—H 2 bond obtained from the infrared absorption spectrum of the photoconductive layer. The intensity ratio of the absorption peak of the Si—H bond to the absorption coefficient is 0.1 to 0.5, and an exponential tail (Urbak tail) obtained from a light absorption spectrum of at least a portion of the photoconductive layer where light enters. ) Is 50 to 60 meV and the density of localized states in the photoconductive layer is 1 × 10 14
cm -3 or more and less than 1 × 10 16 cm -3 .
【0071】一般的に、a−Si:Hのバンドギャップ
内には、Si−Si結合の構造的な乱れに基づくテイル
(裾)準位と、Siの未結合手(ダングリングボンド)
等の構造欠陥に起因する深い準位が存在する。これらの
準位は電子、正孔の捕獲、再結合中心として働き素子の
特性を低下させる原因になることが知られている。Generally, in the band gap of a-Si: H, a tail (tail) level based on a structural disorder of a Si-Si bond and a dangling bond of Si are formed.
And other deep levels due to structural defects. It is known that these levels function as trapping and recombination centers for electrons and holes, and cause deterioration of device characteristics.
【0072】このようなバンドギャップ中の局在準位の
状態を測定する方法として、一般に深い準位分光法、等
温容量過渡分光法、光熱偏向分光法、光音響分光法、一
定光電流法等が用いられている。中でも一定光電流法
[Constant Photocurrent Methodo:以後、「CPM」と
略記する]は、a−Si:Hの局在準位に基づくサブギ
ャップ光吸収スペクトルを簡便に測定する方法として有
用である。As a method for measuring the state of the localized level in such a band gap, generally, deep level spectroscopy, isothermal capacity transient spectroscopy, photothermal deflection spectroscopy, photoacoustic spectroscopy, constant photocurrent method, etc. Is used. Above all, the constant photocurrent method (hereinafter abbreviated as “CPM”) is useful as a method for easily measuring the subgap light absorption spectrum based on the localized level of a-Si: H.
【0073】本発明者らは、CPMによって測定された
サブバンドギャップ光吸収スペクトリから求められる指
数関数裾(アーバックテイル)の特性エネルギー(以
下、「Eu」と略記する)や局在状態密度(以下、「D
OS」と略記する)と感光体特性との相関を種々の条件
にわたって調べた結果、EuおよびDOSがa−Si感
光体の温度特性や光メモリーと密接な関係にあることを
見いだし、本発明を完成するに至った。The present inventors have proposed a characteristic energy (hereinafter abbreviated as “Eu”) of an exponential function tail (Urbuck tail) obtained from a sub-bandgap optical absorption spectrum measured by CPM and a localized state density (hereinafter referred to as “Eu”). Hereinafter, "D
As a result of examining the correlation between the photoconductor characteristics and the photoconductor characteristics under various conditions, it was found that Eu and DOS were closely related to the temperature characteristics of the a-Si photoconductor and the optical memory. It was completed.
【0074】ドラムヒーター等で感光体を加熱したとき
に帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリア
が帯電時の電界に引かれてバンド裾の局在準位やバンド
ギャップ内の深い局在準位への捕獲、放出を繰り返しな
がら表面に走行し、表面電荷を打ち消してしまうことが
挙げられる。このとき、帯電器を通過する間に表面に到
達したキャリアについては帯電能の低下にはほとんど影
響がないが、深い準位に捕獲されたキャリアは、帯電器
を通過した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すため
に温度特性として観測される。また、帯電器を通過した
後に熱励起されたキャリアも表面電荷を打ち消し帯電能
の低下を引き起こす。したがって、感光体の使用温度領
域における熱励起キャリアの生成を抑え、なおかつキャ
リアの走行性を向上させることが温度特性の向上のため
に必要である。The reason why the charging ability is reduced when the photosensitive member is heated by a drum heater or the like is that the thermally excited carrier is attracted by the electric field at the time of charging, and the localized level at the band base or the deep level within the band gap. It travels to the surface while repeating capture and emission to a state, and cancels the surface charge. At this time, the carrier that has reached the surface while passing through the charger has little effect on the reduction of the charging ability, but the carrier captured at a deep level reaches the surface after passing through the charger. It is observed as a temperature characteristic to cancel the surface charge. Carriers that are thermally excited after passing through the charger also cancel the surface charge and cause a reduction in charging ability. Therefore, it is necessary to suppress the generation of thermally excited carriers in the operating temperature range of the photoconductor and to improve the traveling properties of the carriers in order to improve the temperature characteristics.
【0075】したがって、本発明のごとくEuおよびD
OSを制御することにより、熱励起キャリアの生成が抑
えられ、なおかつ熱励起キャリアや光キャリアが局在準
位に捕獲される割合を小さくすることができるためにキ
ャリアの走行性が著しく改善される。Therefore, as in the present invention, Eu and D
By controlling the OS, the generation of thermally excited carriers is suppressed, and the rate at which the thermally excited carriers and optical carriers are trapped in the localized levels can be reduced, so that the traveling properties of the carriers are significantly improved. .
【0076】その結果、感光体の使用温度領域での温度
特性が飛躍的に改善され、感光体の使用環境に対する安
定性が向上し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の
高い高品質の画像を安定して得ることができる。As a result, the temperature characteristics of the photoreceptor in the operating temperature range are remarkably improved, the stability of the photoreceptor in the use environment is improved, and a high quality image with a clear halftone and high resolution is obtained. Can be obtained stably.
【0077】さらにSi−H2 結合とSi−H結合に起
因する吸収ピークの吸収強度比を特定することにより、
光受容部材の面内でのキャリアの走行性が均一化され、
その結果、ハーフトーン画像における微細な濃度差いわ
ゆるガサツキを低減することができる。Further, by specifying the absorption intensity ratio of the absorption peak caused by the Si—H 2 bond and the Si—H bond,
The traveling property of the carrier in the plane of the light receiving member is made uniform,
As a result, it is possible to reduce a minute difference in density in a halftone image, that is, so-called roughness.
【0078】故に、上記の構成をとるように設計された
本発明の電子写真用光受容部材は、前記した諸問題点の
全てを解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、画像品質、耐久性および使用環境性を示す。Therefore, the electrophotographic light-receiving member of the present invention designed to have the above-described structure can solve all of the above-mentioned problems, and has excellent electrical, optical, and photoconductive properties. It shows the characteristics, image quality, durability and environment of use.
【0079】さらに、従来の表面層に比べて水分の吸着
が小さくなっており、従来の帯電形式のようにコロナ帯
電によるオゾン生成物が発生しないため、オゾン生成物
による「高湿流れ」対策が不要になり、温度特性も従来
に比べて小さくできたためドラムヒーターも除去され、
装置の小型化がより可能になると共に、夜間通電や消費
電力が低減されエコロジーの点からも有効である。Further, since the adsorption of water is smaller than that of the conventional surface layer, and no ozone product is generated by corona charging as in the conventional charging system, a countermeasure against “high humidity flow” by the ozone product is taken. It became unnecessary, and the temperature characteristics were made smaller than before, so the drum heater was also removed,
This makes it possible to reduce the size of the apparatus, and at the same time, reduces power consumption and power consumption at night, which is effective in terms of ecology.
【0080】以下さらに詳しく、作用について述べる。The operation will be described in more detail below.
【0081】[帯電部材]本発明の要所を説明する、図
1にそれぞれ本発明にかかる帯電部材と電子写真用光受
容部材の概略を示してある。図1において、100は本
発明にかかる接触型帯電部材、101−1は接触型帯電
部材の上記帯電キャリアからなる磁気ブラシ層、101
−2は接触型帯電部材のローラー状の多極磁性体(形状
により以下マグローラーと称する)、102は接触型帯
電部材と光受容部材との距離(ギャップ)を規制するス
ペーサー、103は光受容部材等の電子写真用光受容部
材である。[Charging Member] FIG. 1 schematically illustrates a charging member and a light receiving member for electrophotography according to the present invention. In FIG. 1, 100 is a contact-type charging member according to the present invention, 101-1 is a magnetic brush layer made of the above-described charge carrier of the contact-type charging member, 101
Reference numeral -2 denotes a roller-type multi-pole magnetic material of a contact-type charging member (hereinafter, referred to as a mag roller) depending on the shape. It is a light receiving member for electrophotography such as a member.
【0082】接触型帯電部材のマグローラー101−2
は、通常フェライト磁石等の金属や、プラスティックマ
グネット、等の多極構成が可能な磁性体を用いている。
その磁力線密度はその使用するプロセススピード、印加
電圧と非帯電部の電位差による電界、電子写真用光受容
部材の誘電率や表面性等多くの要因により異なりそれら
の条件に応じて適宜選択されるものであるが、該マグロ
ーラー101−2の表面から1mmの距離において測定
される、磁極位置における磁力線密度で500ガウス
(G)以上が好ましい。より好ましくは1000G以上
である。Mag Roller 101-2 of Contact Type Charging Member
Usually, a metal such as a ferrite magnet, a magnetic material such as a plastic magnet, and the like, which can have a multipolar configuration, are used.
The magnetic line density varies depending on many factors such as the process speed used, the electric field due to the applied voltage and the potential difference between the uncharged portions, the permittivity and surface properties of the electrophotographic light-receiving member, and is appropriately selected according to those conditions. However, the magnetic field line density at the magnetic pole position, measured at a distance of 1 mm from the surface of the mag roller 101-2, is preferably 500 gauss (G) or more. More preferably, it is 1000 G or more.
【0083】像担持体とマグローラー100−2の最近
接間隙は、光受容部材の回転方向における該磁気ブラシ
層101−1の接触幅(以下ニップと称する)を安定に
制御するため、コロ102やスペーサ等、適宜な方法
で、適宜な距離に設定される必要がある。該距離は50
〜2000μmの範囲が好ましく、より好ましくは10
0〜1000μmである。その他にニップ調整用の機構
を設けてもよい。The closest gap between the image bearing member and the mag roller 100-2 is provided with a roller 102 for stably controlling the contact width (hereinafter referred to as a nip) of the magnetic brush layer 101-1 in the rotation direction of the light receiving member. It is necessary to set an appropriate distance by an appropriate method such as a spacer or a spacer. The distance is 50
To 2000 μm, more preferably 10 μm.
0 to 1000 μm. In addition, a mechanism for adjusting the nip may be provided.
【0084】該帯電部材の、上記帯電キャリアからなる
磁気ブラシ層102は、一般にフェライト、マグネタイ
ト等の磁性粉体、周知のトナーのキャリア、あるいは磁
性体と樹脂からなるトナーを使用する。The magnetic brush layer 102 of the charging member made of the above-mentioned charged carrier is generally made of a magnetic powder such as ferrite or magnetite, a well-known toner carrier, or a toner made of a magnetic material and a resin.
【0085】該磁性粉体の粒径は一般に1乃至100μ
m以下のものが用いられるが、画質に支障がなければさ
らに大粒径の粉体を使用してもよい。また、粒径は均一
なものを用いてもよいし、流動性向上のため異なる粒径
の帯電キャリアを混合して使用してもよい。The particle size of the magnetic powder is generally 1 to 100 μm.
m or less, but a powder having a larger particle size may be used as long as the image quality is not affected. In addition, a charge carrier having a uniform particle size may be used, or charge carriers having different particle sizes may be mixed and used for improving fluidity.
【0086】また、図4に示すように、該磁気ブラシ層
の抵抗は帯電効率を良好に保持し、一方でリークポチ
や、光受容部材表面の微小欠陥から、帯電部材長軸方向
で電位が低下してしまうことの防止等のために1×10
3 〜1×1012Ωcmなる抵抗を有することが好まし
い。より好ましくは1×104 〜1×109 Ωcmであ
る。As shown in FIG. 4, the resistance of the magnetic brush layer keeps the charging efficiency good, while the potential decreases in the major axis direction of the charging member due to leak spots and minute defects on the surface of the light receiving member. 1 × 10 to prevent
It is preferable to have a resistance of 3 to 1 × 10 12 Ωcm. More preferably, it is 1 × 10 4 to 1 × 10 9 Ωcm.
【0087】上記、マグローラーについて述べたが、帯
電部材としては磁性体を内蔵したスリーブ状のもの(形
状より、以下帯電スリーブと称する)を用いてもよい。Although the mag roller has been described above, a sleeve having a built-in magnetic material (hereinafter referred to as a charging sleeve) may be used as the charging member.
【0088】該抵抗値の測定は、HIOKI社製のMΩ
テスターで250〜1kVの印加電圧における測定に行
った。光受容部材等の電子写真用光受容部材102は従
来のものと同じものでもよいが、必要に応じて後述する
新規な光受容部材を用いる。The resistance value was measured using an MΩ manufactured by HIOKI.
The measurement was performed with a tester at an applied voltage of 250 to 1 kV. The light receiving member 102 for electrophotography such as a light receiving member may be the same as a conventional one, but a new light receiving member described later is used as necessary.
【0089】[光受容部材]前述問題を解決するため
に、本発明者らは温度依存性が小さく、表面耐久性に優
れた表面層をもち、かつ表面層層厚方向の抵抗値に対し
て、該表面層の最表面の面方向の抵抗値が大きい電子写
真用光受容部材を用い、長期にわたり極めて好適な画像
安定化が達成されることを見いだした。[Light Receiving Member] In order to solve the above-mentioned problem, the present inventors have a surface layer having small temperature dependency and excellent surface durability, and have a resistance value in the thickness direction of the surface layer. Using an electrophotographic light-receiving member having a large resistance in the surface direction of the outermost surface of the surface layer, it has been found that extremely suitable image stabilization can be achieved over a long period of time.
【0090】[アモルファスシリコン系光受容部材(a
−Si)]本発明に用いた好適な光受容部材の一形態で
あるアモルファスシリコン系光受容部材(以下「a−S
i光受容部材」と称する)について以下に述べる。[Amorphous silicon-based light receiving member (a
-Si)] Amorphous silicon-based light receiving member (hereinafter referred to as “a-S”), which is an embodiment of a preferable light receiving member used in the present invention.
The "i-light receiving member" will be described below.
【0091】本発明にかかるa−Si系光受容部材は周
知の、導電性支持体と、シリコン原子を母体とする非単
結晶材料からなる光導電層を有する感光層と、シリコン
原子、炭素原子の少なくとも一方を母体とした表面層と
から構成され、必要に応じて特性を向上させたものを用
いる。The a-Si-based light receiving member according to the present invention includes a well-known conductive support, a photosensitive layer having a photoconductive layer made of a non-single-crystal material having silicon atoms as a base, silicon atoms and carbon atoms. And a surface layer having at least one of them as a base material and having improved characteristics as necessary.
【0092】本発明に用いられるa−Si系光受容部材
を有する電子写真用光受容部材は、帯電能の温度依存性
をはじめ、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特
性、画像品質、耐久性および使用環境特性を示す。The electrophotographic light-receiving member having the a-Si-based light-receiving member used in the present invention has extremely excellent electrical, optical and photoconductive properties and image quality, including temperature dependency of charging ability. , Durability and use environment characteristics.
【0093】以下、図面にしたがって本発明の光導電部
材について詳細に説明する。Hereinafter, the photoconductive member of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【0094】図5は、本発明の画像形成装置用光受容部
材の層構成を説明するための模式的構成図である。FIG. 5 is a schematic configuration diagram for explaining the layer configuration of the light receiving member for an image forming apparatus according to the present invention.
【0095】図5(a)に示す画像形成装置用光受容部
材600は、光受容部材用としての支持体601の上
に、感光層602と表面層604が設けられている。該
感光層602はa−Si:H,Xからなり光導電性を有
する光導電層603で構成されている。A light receiving member 600 for an image forming apparatus shown in FIG. 5A has a photosensitive layer 602 and a surface layer 604 provided on a support 601 for a light receiving member. The photosensitive layer 602 is composed of a photoconductive layer 603 made of a-Si: H, X and having photoconductivity.
【0096】図5(b)は、本発明の画像形成装置用光
受容部材の他の層構成を説明するための模式的構成図で
ある。図5(b)に示す画像形成装置用光受容部材60
0は、光受容部材用としての支持体601の上に、感光
層602が設けられている。該感光層602はa−S
i:H,Xからなり光導電層を有する光導電層603
と、シリコン原子、炭素原子の少なくとも一方を母体と
した表面層604と、表面層604と光導電層603の
間に積層された中間層605とから構成されている。FIG. 5B is a schematic configuration diagram for explaining another layer configuration of the light receiving member for an image forming apparatus of the present invention. The light receiving member 60 for an image forming apparatus shown in FIG.
In No. 0, a photosensitive layer 602 is provided on a support 601 for a light receiving member. The photosensitive layer 602 is a-S
i: Photoconductive layer 603 made of H and X and having a photoconductive layer
And a surface layer 604 having at least one of silicon atoms and carbon atoms as a host, and an intermediate layer 605 laminated between the surface layer 604 and the photoconductive layer 603.
【0097】中間層の機能については、さまざまなもの
があり、例をあげると、 1)表面層(604)と光導電層(603)という組成
及び構造の異なる層を堆積する時の密着性を向上させる
役割を果たす。 2)1とほぼ同様な機能であるが、構造の緩衝層の構成
をとって603から604に滑らかにつながる機能。 3)表面側からの電荷の注入を阻止する層とする。 4)積極的にフォトキャリアを発生させる増感層とす
る。 などがあり、その役割に応じて、適宜、構造、組成や構
成等を選択する必要がある。There are various functions of the intermediate layer. For example, 1) adhesion between layers having different compositions and structures of the surface layer (604) and the photoconductive layer (603) is determined. Play a role to improve. 2) The function is almost the same as 1 but has a structure of a buffer layer having a structure and smoothly connects from 603 to 604. 3) A layer for preventing charge injection from the surface side. 4) A sensitizing layer for positively generating photocarriers. It is necessary to appropriately select the structure, composition, configuration, and the like according to the role.
【0098】図5(c)は、本発明の画像形成装置用光
受容部材の他の層構成を説明するための模式的構成図で
ある。図5(c)に示す画像形成装置用光受容部材60
0は、光受容部材用としての支持体601の上に、感光
層602が設けられている。該感光層602はa−S
i:H,Xからなり光導電性を有する光導伝層603
と、シリコン原子、炭素原子の少なくとも一方を母体と
した表面層604と、アモルファスシリコン系電荷注入
阻止層606とから構成されている。FIG. 5C is a schematic configuration diagram for explaining another layer configuration of the light receiving member for an image forming apparatus of the present invention. The light receiving member 60 for an image forming apparatus shown in FIG.
In No. 0, a photosensitive layer 602 is provided on a support 601 for a light receiving member. The photosensitive layer 602 is a-S
i: Photoconductive layer 603 made of H and X and having photoconductivity
, A surface layer 604 having at least one of silicon atoms and carbon atoms as a host, and an amorphous silicon-based charge injection blocking layer 606.
【0099】図5(d)は本発明の画像形成装置用光受
容部材のさらに他の層構成を説明するための模式的構成
図である。図5(d)に示す画像形成装置用光受容部材
600は、光受容部材用としての支持体601の上に、
感光層602が設けられている。該感光層602は光導
電層603を構成するa−Si:H,Xからなる電荷発
生層607ならびに電荷輸送層608と、シリコン原
子、炭素原子の少なくとも一方を母体とした表面層60
4とから構成されている。FIG. 5D is a schematic structural view for explaining still another layer constitution of the light receiving member for an image forming apparatus of the present invention. A light receiving member 600 for an image forming apparatus shown in FIG. 5D is provided on a support 601 for a light receiving member.
A photosensitive layer 602 is provided. The photosensitive layer 602 includes a charge generation layer 607 and a charge transport layer 608 made of a-Si: H, X constituting the photoconductive layer 603 and a surface layer 60 having at least one of silicon atoms and carbon atoms as a host.
And 4.
【0100】[光導電層]本発明において、その目的を
効果的に達成するために支持体601上に、必要に応じ
て下引き層(不図示)上に形成され、感光層602の一
部を構成する光導電層603は真空堆積膜形成法によっ
て、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの
数値条件が設定されて作成される。具体的には、例えば
グロー放電法(低周波CVD法、高周波CVD法または
マイクロ波CVD法等の交流放電CVD法、あるいは直
流放電CVD法等)、スパッタリング法、真空蒸着法、
イオンプレーティング法、光CVD法、熱CVD法等の
数々の薄膜堆積法によって形成することができる。これ
らの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程
度、製造規模、作成される画像形成装置用光受容部材に
所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用さ
れるが、所望の特性を有する画像形成装置用光受容部材
を製造するに当たっての条件の制御が比較的容易である
ことからしてグロー放電法、特にRF帯、μW帯または
VHF帯の電源周波数を用いた高周波グロー放電法が好
適である。[Photoconductive Layer] In the present invention, a part of the photosensitive layer 602 is formed on a support 601 and, if necessary, on an undercoat layer (not shown) in order to effectively achieve the object. The photoconductive layer 603 constituting is formed by a vacuum deposition film formation method with appropriately setting numerical conditions of film formation parameters so as to obtain desired characteristics. Specifically, for example, a glow discharge method (an AC discharge CVD method such as a low-frequency CVD method, a high-frequency CVD method or a microwave CVD method, or a DC discharge CVD method), a sputtering method, a vacuum deposition method,
It can be formed by various thin film deposition methods such as an ion plating method, a photo CVD method, and a thermal CVD method. These thin film deposition methods are appropriately selected and adopted depending on factors such as manufacturing conditions, the degree of load under capital investment, the manufacturing scale, and the characteristics desired for the light receiving member for an image forming apparatus to be manufactured. The glow discharge method, especially the high frequency glow using the power frequency in the RF band, the μW band or the VHF band, is relatively easy to control the conditions for manufacturing the light receiving member for an image forming apparatus having the characteristics described above. The discharge method is preferred.
【0101】グロー放電法によって光導電層603を形
成するには、基本的には周知のごとくシリコン原子(S
i)を供給し得るSi供給用の原料ガスと、水素原子
(H)を供給し得るH供給用の原料ガスまたは/および
ハロゲン原子(X)を供給し得るX供給用の原料ガス
を、内部が減圧にし得る反応容器に所望のガス状態で導
入して、該反応容器内にグロー放電を生起させ、予め所
定の位置に設置されるてある所定の支持体601上にa
−Si:H,Xからなる層を形成すればよい。In order to form the photoconductive layer 603 by the glow discharge method, it is basically known that silicon atoms (S
a source gas for supplying Si that can supply i), a source gas for supplying H that can supply hydrogen atoms (H), and / or a source gas for supplying X that can supply halogen atoms (X), Is introduced in a desired gas state into a reaction vessel which can be decompressed to generate a glow discharge in the reaction vessel, and a is placed on a predetermined support 601 previously set at a predetermined position.
A layer made of -Si: H, X may be formed.
【0102】また、シリコン原子の未結合手を補償し、
層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を向上
させるために、光導電層603中に水素原子または/お
よびハロゲン原子が含有されることが必要であるが、水
素原子またはハロゲン原子の含有量、または水素原子と
ハロゲン原子の和の含有量はシリコン原子と水素原子ま
たは/およびハロゲン原子の和に対して10〜30原子
%、より好ましくは15〜25原子%とされるのが望ま
しい。Further, the dangling bonds of silicon atoms are compensated,
In order to improve the layer quality, in particular, the photoconductivity and the charge retention characteristics, it is necessary that the photoconductive layer 603 contain hydrogen atoms and / or halogen atoms. The amount, or the content of the sum of hydrogen atoms and halogen atoms, is preferably 10 to 30 atom%, more preferably 15 to 25 atom%, based on the sum of silicon atoms and hydrogen atoms and / or halogen atoms.
【0103】そして、形成される光導電層603中に水
素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御を
一層容易になるように図り、本発明の目的を達成する膜
特性を得るために、これらのガスにさらにH2 および/
またはHeあるいは水素原子を含む珪素化合物のガスも
所望量混合して層形成することが必要である。また、各
ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合して
も差し支えないものである。Then, hydrogen atoms are structurally introduced into the formed photoconductive layer 603 so that the introduction ratio of hydrogen atoms can be more easily controlled, and a film characteristic which achieves the object of the present invention is obtained. For this reason, these gases additionally contain H 2 and / or
Alternatively, it is necessary to form a layer by mixing a desired amount of He or a silicon compound gas containing a hydrogen atom. Further, each gas is not limited to a single species, and a plurality of species may be mixed at a predetermined mixture ratio.
【0104】また本発明において使用されるハロゲン原
子供給用の原料ガスとして有効なのは、例えばハロゲン
ガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のま
たはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げるこ
とができる。The source gas for supplying a halogen atom used in the present invention is, for example, a gaseous or gaseous gas such as a halogen gas, a halide, an interhalogen compound containing a halogen, or a silane derivative substituted with a halogen. The obtained halogen compounds are preferred. Further, a gaseous or gasifiable silicon hydride compound containing a halogen atom, which contains a silicon atom and a halogen atom as constituent elements, can also be mentioned as an effective compound.
【0105】本発明において好適に使用し得るハロゲン
化合物としては、具体的には弗素ガス(F2 )、Br
F,ClF,ClF3 ,BrF3 ,BrF5 ,IF3 ,
IF7等のハロゲンまたはハロゲン間化合物を挙げるこ
とができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆる
ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には、例えば、SiF4 ,Si2 F6 等の弗化珪素が
好ましいものとして挙げることができる。Examples of the halogen compound that can be suitably used in the present invention include fluorine gas (F 2 ), Br
F, ClF, ClF 3 , BrF 3 , BrF 5 , IF 3 ,
And a halogen or interhalogen compound of the IF 7 or the like. As a silicon compound containing a halogen atom, that is, a silane derivative substituted with a so-called halogen atom, specifically, for example, silicon fluoride such as SiF 4 or Si 2 F 6 can be preferably mentioned.
【0106】光導電層603中に含有される水素原子ま
たは/およびハロゲン原子の量を制御するには、例えば
支持体601の温度、水素原子または/およびハロゲン
原子を含有させるために使用される原料物質の反応容器
内へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。In order to control the amount of hydrogen atoms and / or halogen atoms contained in the photoconductive layer 603, for example, the temperature of the support 601 and the raw material used for containing hydrogen atoms and / or halogen atoms are used. What is necessary is just to control the amount of the substance introduced into the reaction vessel, the discharge power and the like.
【0107】本発明においては、光導電層603には必
要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好
ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層603中に
万遍なく均一に分布した状態で含有されてもよいし、あ
るいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部
分があってもよい。In the present invention, it is preferable that the photoconductive layer 603 contain atoms for controlling conductivity as necessary. The atoms that control the conductivity may be contained in the photoconductive layer 603 in a state of being distributed uniformly and evenly, or there may be a part that is contained in the layer thickness direction in a non-uniform distribution state. Is also good.
【0108】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
p型伝導特性を与える周期律表III b族に属する原子
(以後「第III b族原子」と略記する)またはn型伝導
特性を与える周期律表Vb族に属する原子(以後「第V
b族原子」と略記する)を用いることができる。第III
b族原子としては、具体的には硼素(B)、アルミニウ
ム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、
タリウム(Tl)等があり、特に、B,Al,Gaが好
適である。特に第Vb族原子としては具体的には燐
(P)、砒素(As)、アンチモン(Sb)、ビスマス
(Bi)等があり、特にP,Asが好適である。Examples of the atoms for controlling the conductivity include so-called impurities in the semiconductor field.
An atom belonging to Group IIIb of the periodic table giving p-type conduction properties (hereinafter abbreviated as "IIIb group atom") or an atom belonging to Group Vb of the periodic table giving n-type conduction properties (hereinafter "V
abbreviated as “group b atom”). III
As the group b atom, specifically, boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In),
There are thallium (Tl) and the like, and B, Al and Ga are particularly preferable. Particularly, the group Vb atom specifically includes phosphorus (P), arsenic (As), antimony (Sb), bismuth (Bi) and the like, and P and As are particularly preferable.
【0109】光導電層103に含有される伝導性を制御
する原子の含有量としては、好ましくは1×10-2〜1
×103 原子ppm、より好ましのは5×10-2〜5×
10 2 原子ppm、最適には1×10-1〜1×102 原
子ppmとされるのが望ましい。Controlling the conductivity contained in photoconductive layer 103
The content of the atoms to be-2~ 1
× 10Three Atomic ppm, more preferably 5 × 10-2~ 5x
10 Two Atomic ppm, optimally 1 × 10-1~ 1 × 10Two original
Desirably, it is ppm.
【0110】伝導性を制御する原子、例えば第III b族
原子あるいは第Vb族原子を構造的に導入するには、層
形成の際に、第III b族原子導入用の原料物質あるいは
第Vb族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中
に、光導電層103を形成するための他のガスと共に導
入してやればよい。第III b族原子導入用の原料物質あ
るいは第Vb族原子導入用の原料物質となり得るものと
しては、常温常圧でガス状または、少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。ガス化し得るとは単なるガス状になる意味より広
く、例えば塩化アルミニウムのように昇華するのでは、
昇華させて水素ガスやヘリウムガス等のキャリアガスで
装置内に導入する方法もガス化の概念に含まれる。In order to structurally introduce an atom for controlling conductivity, for example, a group IIIb atom or a group Vb atom, a source material for introducing a group IIIb atom or a group Vb atom should be used during layer formation. A raw material for introducing atoms may be introduced in a gaseous state into the reaction vessel together with another gas for forming the photoconductive layer 103. As a raw material for introducing a Group IIIb atom or a raw material for introducing a Group Vb atom, a gaseous substance at room temperature and normal pressure or a substance which can be easily gasified at least under layer forming conditions is employed. It is desirable. Being able to gasify is broader than just being gaseous, for example, sublimation like aluminum chloride,
The method of sublimation and introduction into the apparatus with a carrier gas such as hydrogen gas or helium gas is also included in the concept of gasification.
【0111】そのような第III b族原子導入用の原料物
質としては具体的には、硼素原子導入用としては、B2
H6 ,B4 H10,B5 H11,B6 H10,B6 H12,B10
H14等の水素化硼素、BF3 ,BCl3 ,BBr3 等の
ハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、AlCl3 ,
GaCl3 ,Ga(CH3 )3 ,InCl3 ,TlCl
3 等も挙げることができる。As the raw material for introducing a Group IIIb atom, specifically, for introducing a boron atom, B 2
H 6, B 4 H 10, B 5 H 11, B 6 H 10, B 6 H 12, B 10
Borohydride such as H 14, BF 3, BCl 3 , BBr boron halides such as 3. In addition, AlCl 3 ,
GaCl 3 , Ga (CH 3 ) 3 , InCl 3 , TlCl
3 etc. can also be mentioned.
【0112】第Vb族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としてはOH3 ,P2
H4 等の水素化燐、PH4 I,PF3 ,PF5 ,PCl
3 ,PCl5 ,PBr3 ,PBr5 ,PI3 等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、AsH3 ,AsF3 ,A
sCl3 ,AsBr3 ,AsF5 ,SbH3 ,SbF
3 ,SbF5 ,SbCl3 ,SbCl5 ,BiH3 ,B
iCl3 ,BiBr3 等も第Vb族原子導入用の出発物
質の有効なものとして挙げることができる。Effective as a starting material for introducing group Vb atoms
Used for introducing phosphorus atoms is OHThree , PTwo
HFour Phosphorus hydride, PHFour I, PFThree , PFFive , PCl
Three , PClFive , PBrThree , PBrFive , PIThree Such as haloge
Phosphorus nitride. In addition, AsHThree , AsFThree , A
sClThree , AsBrThree , AsFFive , SbHThree , SbF
Three , SbFFive , SbClThree , SbClFive , BiHThree , B
iClThree , BiBrThree Are also starting materials for introducing group Vb atoms
It can be cited as an effective one of quality.
【0113】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてH2 および/またはHeに
より希釈して使用してもよい。Further, these raw materials for introducing atoms for controlling conductivity may be diluted with H 2 and / or He if necessary.
【0114】さらには本発明においては、光導電層60
3に炭素原子および/または酸素原子および/または窒
素原子を含有されることも有効である。炭素原子および
/または酸素原子および/または窒素原子の含有量はシ
リコン原子、炭素原子、酸素原子および窒素原子の和に
対して、好ましくは1×10-5〜10原子%、より好ま
しくは1×10-4〜8原子%、最適には1×10-3〜5
原子%が好ましい。Further, in the present invention, the photoconductive layer 60
It is also effective that 3 contains a carbon atom and / or an oxygen atom and / or a nitrogen atom. The content of the carbon atom and / or the oxygen atom and / or the nitrogen atom is preferably 1 × 10 −5 to 10 atom%, more preferably 1 ×, based on the sum of the silicon atom, the carbon atom, the oxygen atom and the nitrogen atom. 10 -4 to 8 atomic%, optimally 1 × 10 -3 to 5
Atomic% is preferred.
【0115】炭素原子および/または酸素原子および/
または窒素原子は、光導電層中に万遍なく均一に含有さ
れてもよいし、光導電層の層厚方向に含有量が変化する
ような不均一な分布をもたせた部分であってもよい。A carbon atom and / or an oxygen atom and / or
Alternatively, the nitrogen atom may be uniformly contained in the photoconductive layer, or may be a portion having a non-uniform distribution such that the content changes in the thickness direction of the photoconductive layer. .
【0116】本発明において、光導電層603の層厚は
所望の電子写真特性が得られることおよび経済的効果等
の点から適宜所望にしたがって決定され、好ましくは2
0〜50μm、より好ましくは23〜45μm、最適に
は25〜40μmとされるのが望ましい。In the present invention, the layer thickness of the photoconductive layer 603 is appropriately determined as desired from the viewpoint of obtaining desired electrophotographic characteristics and economical effects.
It is desirable that the thickness be 0 to 50 μm, more preferably 23 to 45 μm, and most preferably 25 to 40 μm.
【0117】さらに、支持体601の温度は、層設計に
したがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、
好ましくは200〜350℃、より好ましくは230〜
330℃、最適には250〜310℃とするのが望まし
い。Further, the optimum temperature of the support 601 is appropriately selected according to the layer design.
Preferably from 200 to 350 ° C, more preferably from 230 to
It is desirable that the temperature be 330 ° C., optimally 250 to 310 ° C.
【0118】光導電層を形成するための支持体温度、ガ
ス圧等の条件は通常は独立的別々に決められるものでは
なく、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互
的か有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望まし
い。The conditions for forming the photoconductive layer, such as the temperature of the support and the gas pressure, are not usually determined independently and separately, but are mutually or organically determined to form a photoreceptor having desired characteristics. It is desirable to determine the optimal value based on the relevance.
【0119】[表面層]本発明においては、上記のよう
にして支持体601上に形成された光導電層603のさ
らに上に、表面層604を形成する。光導電層603を
成膜した後に、光導電層603と同様に、例えばグロー
放電法(低周波CVD法、高周波CVD法またはマイク
ロ波CVD法等の交流放電CVD法、あるいは直流CV
D法等)スパッタリング法、イオンプレーティング法、
真空蒸着法等の数々の薄膜堆積法によって表面層を形成
することができる。これらの薄膜堆積法は、製造条件、
設備資本投資下の負荷程度、製造規模、作成される電子
写真用光受容部材に所望される特性等の要因によって適
宜選択されて採用されるが、本発明の表面層を製造する
には、グロー放電法が好適である。[Surface Layer] In the present invention, a surface layer 604 is formed on the photoconductive layer 603 formed on the support 601 as described above. After forming the photoconductive layer 603, similarly to the photoconductive layer 603, for example, a glow discharge method (an AC discharge CVD method such as a low-frequency CVD method, a high-frequency CVD method or a microwave CVD method, or a DC CV method).
D method, etc.) sputtering method, ion plating method,
The surface layer can be formed by various thin film deposition methods such as a vacuum evaporation method. These thin film deposition methods depend on manufacturing conditions,
It is appropriately selected and adopted depending on factors such as the load under capital investment, the production scale, and the characteristics desired for the electrophotographic light-receiving member to be produced. The discharge method is preferred.
【0120】その際に支持体温度を成膜の進行に伴って
徐々に昇温させると共に、Si原子含有原料ガスに対す
るC原子含有原料ガスの割合を増加させる。それに加え
て、印加するパワーを減少させることにより本発明の表
面層を得ることができる。At this time, the temperature of the support is gradually increased with the progress of film formation, and the ratio of the C-atom-containing source gas to the Si-atom-containing source gas is increased. In addition, the surface layer of the present invention can be obtained by reducing the applied power.
【0121】この表面層604は自由表面609を有
し、層厚方向の抵抗に対して最表面の面方向の抵抗が大
きく、かつ面方向でのムラを少なくすると共に硬度を向
上することにより、多極磁性材と磁性粉体を有する円筒
状の帯電部材に電圧を印加し該磁性粉体を像担持体であ
るところの電子写真用光受容部材に接触させて帯電させ
る形式に適し、耐久性と感度を向上させ、さらに耐湿
性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特
性において本発明の目的を達成するために設けられる。The surface layer 604 has a free surface 609, has a large resistance in the surface direction of the outermost surface with respect to the resistance in the layer thickness direction, reduces unevenness in the surface direction, and improves hardness. Suitable for a type in which a voltage is applied to a cylindrical charging member having a multipolar magnetic material and a magnetic powder, and the magnetic powder is charged by contacting the magnetic powder with an electrophotographic light receiving member as an image carrier. To improve the sensitivity and the characteristics of moisture resistance, continuous repeated use, electrical pressure resistance, and use environment.
【0122】この表面層604は、シリコン原子、炭素
原子の少なくとも一方を母体とした水素化非晶質材料で
構成された層である。The surface layer 604 is a layer composed of a hydrogenated amorphous material having at least one of silicon atoms and carbon atoms as a base.
【0123】本発明の表面層の形成において使用される
シリコン原子(Si)供給用ガスとなり得る物質として
は、SiH4 ,Si2 H6 ,Si3 H8 ,Si4 H10等
のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素(シラン
類)が有効に使用されるものとして挙げられ、さらに層
作成時の取り扱い易さ、Si供給効率のよさ等の点でS
iH4 ,Si2 H6 が好ましいものとして挙げられる。
また、これらのSi供給用の原料ガスを必要に応じてH
2 ,He,Ar,Ne等のガスにより希釈して使用して
もよい。Examples of the substance that can be a gas for supplying silicon atoms (Si) used in forming the surface layer of the present invention include those in a gas state such as SiH 4 , Si 2 H 6 , Si 3 H 8 , and Si 4 H 10. Or silicon hydrides (silanes) which can be gasified can be used effectively. Further, in terms of ease of handling at the time of forming a layer, high supply efficiency of Si, etc.
iH 4 and Si 2 H 6 are preferred.
Further, if necessary, these source gases for supplying Si may be converted to H
It may be used after being diluted with a gas such as 2 , He, Ar, or Ne.
【0124】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
CH4 ,C2 H2 ,C2 H6 ,C3H8 ,C4 H10等の
ガス状態の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用
されるものとして挙げられ、さらに層作成時の取り扱い
易さ、Si供給効率のよさ等の点でCH4 ,C2 H2 ,
C2 H6 が好ましいものとして挙げられる。また、これ
らのC供給用の原料ガスを必要に応じてH2 、He,A
r,Ne等のガスにより希釈して使用してもよい。さら
に、本発明において、表面層604を形成する際に稀釈
ガスを使用する場合、稀釈ガスとしては、アルゴン(A
r),ヘリウム(He)等が挙げられる。Examples of the substance that can serve as a carbon supply gas include:
The gaseous hydrocarbons such as CH 4 , C 2 H 2 , C 2 H 6 , C 3 H 8 , and C 4 H 10 , or gasifiable hydrocarbons can be used effectively. CH 4 , C 2 H 2 ,
C 2 H 6 is preferred. Further, these raw material gases for supplying C may be replaced with H 2 , He,
It may be diluted with a gas such as r or Ne before use. Further, in the present invention, when a diluent gas is used when forming the surface layer 604, argon (A) is used as the diluent gas.
r), helium (He) and the like.
【0125】本発明による表面層604は、その要求さ
れる特性が所望の通りに与えられるように注意深く形成
される。すなわち、Si,C,Hを構成要素とする物質
はその形成条件によって構造的には結晶からアモルファ
スまでの形態をとり、電気物性的には導電性から半導体
性、絶縁性までの間の性質を、また、光導電的性質から
非光導電的性質までの間の性質を各々示すので、本発明
においては、目的に応じた所望の特性を有するa−(S
ixCyHz)が形成されるように、所望にしたがって
その形成条件の選択が厳密になされる。The surface layer 604 according to the present invention is carefully formed so that its required properties are provided as desired. In other words, a material containing Si, C, and H as components is structurally from crystalline to amorphous depending on the formation conditions, and has electrical properties ranging from conductive to semiconductive and insulating. In addition, since each property between photoconductive property and non-photoconductive property is shown, in the present invention, a- (S
ixCyHz) is strictly selected for its formation conditions as desired.
【0126】本発明では光導電層603の表面a−(S
ixCyHz)からなる表面層604を形成する際、層
形成中の支持体温度は、成膜の進行に伴って徐々に昇温
させることが重要である。In the present invention, the surface a- (S
When the surface layer 604 made of (ixCyHz) is formed, it is important that the temperature of the support during layer formation be gradually increased as the film formation proceeds.
【0127】本発明における目的が効果的に達成される
ための表面層604を形成する際の支持体温度としては
表面層604の形成法に合わせて適時最適範囲が選択さ
れて、表面層604の形成が実行されるが、成膜初期の
温度が通常の場合、200〜270℃とされるのが望ま
しいものである。表面層604の形成には、その成膜に
したがって少なくとも支持体温度を昇温させる必要があ
る。しかし、その昇温率は、2.0℃/min以上にな
らないようにしなけらばならない。また、その昇温率
は、成膜終期において支持体温度が270〜400℃の
間に入るように、成膜速度とも関連付けて適宜調節する
ことが望ましい。As the temperature of the support for forming the surface layer 604 for effectively achieving the object of the present invention, an optimal range is appropriately selected according to the method of forming the surface layer 604. Although the formation is performed, it is desirable that the temperature is 200 to 270 ° C. when the initial temperature of the film formation is normal. To form the surface layer 604, it is necessary to raise the temperature of the support at least in accordance with the film formation. However, the rate of temperature rise must not exceed 2.0 ° C./min. Further, it is desirable that the rate of temperature increase be appropriately adjusted in association with the film formation rate so that the temperature of the support is in the range of 270 to 400 ° C. at the end of the film formation.
【0128】昇温率が0℃/min未満の場合には、最
表面での構造緩和が少なく、表面から数原子の層部分の
構造が稠密になり易くさらに面方向での構造の乱れが増
加する。その結果として表面層層厚方向の抵抗に対して
表面層の最表面の面方向の抵抗が小さい領域が生じてし
まい、硬度や感度と共に高次で両立することは困難であ
る。また、昇温率が2.0℃/minより大きくなる
と、、膜成長に対して温度変化が大きくなり過ぎるため
に、膜中に歪みを生じ易くなり、硬度不足のためドラム
傷や最悪の場合剥れが生じる等の初期特性の劣化が起こ
る。When the rate of temperature rise is less than 0 ° C./min, the structural relaxation on the outermost surface is small, the structure of the layer portion of several atoms from the surface tends to be dense, and the disorder of the structure in the plane direction increases. I do. As a result, a region in which the resistance in the surface direction of the outermost surface of the surface layer is smaller than the resistance in the thickness direction of the surface layer is generated. On the other hand, if the temperature rise rate is higher than 2.0 ° C./min, the temperature change becomes too large with respect to the film growth, so that the film tends to be distorted. Initial characteristics such as peeling are deteriorated.
【0129】成膜初期温度が200℃より低くなると、
シリコン原子および/または炭素原子と水素原子が光導
電層表面での成長過程で最適な結合が成されにくくな
り、ダングリングボンドの多い部分が表面層光導電層界
面近傍に生じることになり、本発明の目的である透明度
と硬度を高次で両立させるということには不適である。
また、成膜初期温度が270℃より高くなると、残留電
位の上昇傾向が見られ、290℃よりも高温になるとさ
らにその傾向が強くなる。When the initial film forming temperature is lower than 200 ° C.,
It is difficult for silicon atoms and / or carbon atoms and hydrogen atoms to be optimally bonded during the growth process on the surface of the photoconductive layer, and many dangling bonds are formed near the interface of the surface photoconductive layer. It is unsuitable for the purpose of the invention to achieve both higher transparency and higher hardness.
When the initial film forming temperature is higher than 270 ° C., the residual potential tends to increase. When the initial temperature is higher than 290 ° C., the tendency is further increased.
【0130】また、成膜終期温度が270℃より低い本
発明の効果が得られないのは、表面層成膜表面でシリコ
ン原子および/または炭素原子のダングリングボンドへ
の結合が効果的になされずに、未結合手のままかあるい
は水素による補償や水素の取り込みが増加し水素含有量
の多い部分を生じ易くなることにより硬度の向上が認め
られないと考えられる。成膜終期温度が400℃より高
くなると、硬度がやや低下する傾向を示し、耐久後のド
ラム表面には傷が目立つようになる。これは、成長表面
原子における水素終端の割合が低くなり、膜中に極微細
な孔をもつために硬度が落ちてくるものと考えられる。In addition, the effect of the present invention in which the film formation final temperature is lower than 270 ° C. cannot be obtained because silicon atoms and / or carbon atoms are effectively bonded to dangling bonds on the surface layer formation surface. However, it is considered that no improvement in hardness is observed because uncombined hands remain or compensation due to hydrogen and the incorporation of hydrogen increase to easily generate a portion containing a large amount of hydrogen. If the final temperature of the film formation is higher than 400 ° C., the hardness tends to decrease slightly, and the surface of the drum after the endurance becomes noticeable. This is considered to be due to the fact that the proportion of hydrogen termination in the growth surface atoms is reduced, and the hardness is reduced due to the presence of extremely fine holes in the film.
【0131】層を構成する原子の組成比の微妙な制御や
層厚の制御が他の方法に比べて比較的容易であること等
のためにグロー放電法やスパッタリング法の採用が有利
であるが、これらの層形成法で表面層604を形成する
場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電
パワー、ガス圧が作成されるa−(SixCyHz)の
特性を左右する重要な因子の一つである。The employment of the glow discharge method or the sputtering method is advantageous because the delicate control of the composition ratio of the atoms constituting the layer and the control of the layer thickness are relatively easy as compared with other methods. When the surface layer 604 is formed by these layer forming methods, the discharge power and the gas pressure at the time of forming the layer are important in determining the characteristics of a- (SixCyHz) to be formed in the same manner as the temperature of the support. Is one of the important factors.
【0132】本発明における目的が達成されるための特
性を有するa−(SixCyHz)が効果的に作成され
るための放電パワー条件としては、グロー放電法におい
て支持体1個当たり、通常、10〜800W、好適には
20〜500Wとされるのが好ましい。そして、表面層
成膜初期は、50〜500Wとされるのが望ましいもの
である。成膜中に連続的に放電パワーを減少させること
が必要であるが、成膜最後において放電パワーが10〜
400Wの間に入るように、放電パワーの減少を適宜調
整することが望ましい。The discharge power condition for effectively producing a- (SixCyHz) having the characteristics for achieving the object of the present invention is usually 10 to 10 per support in the glow discharge method. It is preferably 800 W, preferably 20-500 W. It is desirable that the power is set to 50 to 500 W at the beginning of the surface layer film formation. It is necessary to continuously reduce the discharge power during film formation, but the discharge power is 10 to 10 at the end of film formation.
It is desirable to appropriately adjust the reduction of the discharge power so as to fall within 400 W.
【0133】印加電圧の周波数としては、通常はDC〜
10GHz、好適には1MHz〜5GHz,最適には1
0MHz〜3GHzとされるのが望ましい。さらに、こ
の範囲の周波数を複数同時に印加することも有効であ
る。The frequency of the applied voltage is usually DC to
10 GHz, preferably 1 MHz to 5 GHz, optimally 1
It is desirable that the frequency be 0 MHz to 3 GHz. Further, it is also effective to simultaneously apply a plurality of frequencies in this range.
【0134】堆積室内のガス圧は通常0.001〜3T
orr、好適には0.005〜2Torr、最適には
0.01〜1Torr程度されるのが望ましい。The gas pressure in the deposition chamber is usually 0.001 to 3 T
orr, preferably about 0.005 to 2 Torr, and most preferably about 0.01 to 1 Torr.
【0135】本発明においては、表面層604を形成す
るための支持体温度、ガス圧、放電パワーの望ましい数
値範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、これら
の層形成ファクターは、独立的に別々に決められるもの
ではなく、所望特性のa−(SixCyHz)からなる
表面層604が形成されるように相互的有機的関連性に
基づいて、各層形成ファクターの最適値が決められるの
が望ましい。In the present invention, the desirable numerical ranges of the temperature of the support, the gas pressure, and the discharge power for forming the surface layer 604 include the values in the above-described ranges. Rather than being determined separately, it is desirable that the optimum value of each layer forming factor be determined based on the mutual organic relationship so that the surface layer 604 made of a- (SixCyHz) having desired characteristics is formed.
【0136】本発明の電子写真光湯用部材における表面
層604に含有されるシリコン原子、炭素原子、水素原
子の量は、表面層604の作製条件と同様、本発明の目
的を達成する所望の特性が得られる表面層604が形成
される重要な因子である。The amounts of silicon atoms, carbon atoms, and hydrogen atoms contained in the surface layer 604 in the member for electrophotographic light bath of the present invention are determined in the same manner as the conditions for forming the surface layer 604, so as to achieve the object of the present invention. This is an important factor in forming the surface layer 604 where characteristics can be obtained.
【0137】すなわち、先のa−(SixCyHz)の
表示で行えば本発明において効果を得るためにはxが0
〜0.5、好適には0〜0.45、最適には0〜0.
4、yは0.3〜1.0、好適には0.35〜0.8
5、最適には0.4〜0.8、zは0.20〜0.7、
好適には0.25〜0.6であるのが望ましい。That is, if the display is performed with the display of a- (SixCyHz), x is 0 to obtain the effect of the present invention.
-0.5, preferably 0-0.45, optimally 0-0.
4, y is 0.3 to 1.0, preferably 0.35 to 0.8
5, optimally 0.4-0.8, z is 0.20-0.7,
Preferably, it is 0.25 to 0.6.
【0138】本発明の電子写真用光受容部材における表
面層604に含有される水素原子の量は、構成原子の総
量に対して通常の場合40〜70原子%、好適には40
〜60原子%であるのが望ましい。これらの水素含有量
の範囲内で形成される光受容部材は、実際面において従
来にない格段に優れたものとして十分適用させ得るもの
である。In the light receiving member for electrophotography of the present invention, the amount of hydrogen atoms contained in the surface layer 604 is usually 40 to 70 atomic%, preferably 40 to 70 atomic%, based on the total amount of the constituent atoms.
Desirably, it is about 60 atomic%. The light-receiving member formed within the above range of the hydrogen content can be sufficiently applied as an unprecedentedly excellent one in practical terms.
【0139】すなわち、a−(SixCyHz)で構成
される表面層内に存在する欠陥(主にシリコン原子や炭
素原子のダングリングボンド)は電子写真用光受容部材
としての特性に悪影響を及ぼすことが知られている。例
えば自由表面609から電荷の注入による帯電特性の劣
化や、使用環境、例えば高い湿度のもとで表面構造が変
化することによる帯電特性の変動、さらにコロナ帯電時
や光照射時に光導電層により表面層に電荷が注入され、
前記表面層内の欠陥に電荷がトラップされることにより
繰り返し使用時の残像現象の発生等がこの悪影響として
挙げられる。That is, defects (mainly dangling bonds of silicon atoms and carbon atoms) existing in the surface layer composed of a- (SixCyHz) may adversely affect the characteristics as a light receiving member for electrophotography. Are known. For example, deterioration of charging characteristics due to injection of charge from the free surface 609, fluctuation of charging characteristics due to a change in the surface structure under a use environment, for example, high humidity, and a surface caused by the photoconductive layer during corona charging or light irradiation. Charge is injected into the layer,
The adverse effect is, for example, the occurrence of an afterimage phenomenon at the time of repeated use due to the trapping of charges by defects in the surface layer.
【0140】しかしながら表面層内の水素含有量を40
原子%以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に減
少し、その結果、前記問題点は全て解消し、従来に比べ
て電気的特性面および高速連続使用性において飛躍的な
向上が図れることができる。However, when the hydrogen content in the surface layer is 40
By controlling the atomic percentage or more, the defects in the surface layer are greatly reduced, and as a result, all of the above-mentioned problems are solved, and the electrical characteristics and high-speed continuous usability can be dramatically improved as compared with the related art. be able to.
【0141】一方、前記表面層中の水素含有量が71原
子%以上になると表面層の硬度が低下するために、繰り
返し使用に耐えられない。したがって、表面層中の水素
含有量を前記の範囲内に制御することが格段に優れた所
望の電子写真特性を得る上で非常に重要な因子の1つで
ある。表面層中の水素含有量は、H2 ガスの流量、支持
体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。On the other hand, when the hydrogen content in the surface layer is 71 atomic% or more, the hardness of the surface layer is reduced, so that the surface layer cannot withstand repeated use. Therefore, controlling the hydrogen content in the surface layer within the above-mentioned range is one of the very important factors in obtaining a very excellent desired electrophotographic property. The hydrogen content in the surface layer can be controlled by the flow rate of the H 2 gas, the temperature of the support, the discharge power, the gas pressure, and the like.
【0142】さらに本発明の表面層中に弗素原子を微量
含有させることも、耐環境性、耐久性に対して効果を示
し、特に水分の吸着防止に対して有効である。表面層中
の弗素含有量を1原子%以上の範囲に制御することで表
面層内のシリコン原子と炭素原子の結合の発生をより効
果的に達成することが可能となる。さらに、膜中の弗素
原子の働きとして、コロナ等のダメージによるシリコン
原子と炭素原子の結合の切断を効果的に防止することが
可能となる。Further, the inclusion of a very small amount of fluorine atoms in the surface layer of the present invention also has an effect on environmental resistance and durability, and is particularly effective in preventing moisture adsorption. By controlling the fluorine content in the surface layer to a range of 1 atomic% or more, it becomes possible to more effectively achieve the generation of the bond between silicon atoms and carbon atoms in the surface layer. Further, as a function of the fluorine atoms in the film, it is possible to effectively prevent the bond between the silicon atom and the carbon atom from being broken due to damage such as corona.
【0143】一方、表面層中の弗素含有量が70原子%
を越えると表面層内の構成原子同志(ex.SiとSi
とSi,CとC)の結合の切断を防止する効果がほとん
ど認められなくなる。さらに、過剰の弗素原子が表面層
中のキャリアの走行性を阻害するため、残留電位や画像
メモリーが顕著に認められてくる。したがって、表面層
中の弗素含有量を1原子%以上70原子%以下の範囲内
に制御することが格段に優れた所望の電子写真特性を得
る上で非常に重要な因子の1つである。表面層中の弗素
含有量は、四弗素化珪素、四弗化炭素等の弗素原子含有
ガスの流量、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によっ
て制御し得る。On the other hand, the fluorine content in the surface layer was 70 atomic%.
Is exceeded, the constituent atoms in the surface layer (ex. Si and Si
And the effect of preventing the breaking of the bond between Si, C and C) is hardly recognized. Furthermore, since excess fluorine atoms hinder the mobility of carriers in the surface layer, remnant potential and image memory are remarkably observed. Therefore, controlling the fluorine content in the surface layer within the range of 1 atomic% to 70 atomic% is one of the very important factors in obtaining a much better desired electrophotographic characteristic. The fluorine content in the surface layer can be controlled by the flow rate of a fluorine atom-containing gas such as silicon tetrafluoride or carbon tetrafluoride, the temperature of the support, the discharge power, the gas pressure, and the like.
【0144】また、本発明では表面層604中に前記の
原子以外に微量(1原子%以下)であれば他のいかなる
原子を含有することも可能である。In the present invention, the surface layer 604 may contain any other atom in addition to the above-mentioned atoms in a trace amount (1 at% or less).
【0145】本発明では、表面層中の炭素原子の結合状
態が非常に重要な構成要素となっている。本発明が効果
を得るためには、炭素原子の結合がSP3結合のものが
全炭素原子20%以上、100%以下にすることがより
効果的である。In the present invention, the bonding state of carbon atoms in the surface layer is a very important component. In order to obtain the effect of the present invention, it is more effective that the total number of carbon atoms is 20% or more and 100% or less when the number of carbon atoms is SP3.
【0146】表面層中の組成および結合の状態が上述の
範囲からはずれると、表面層の強度、透明度、耐久性、
耐候性等の面でいずれかの弊害が発生すると同時に、本
発明の効果も大幅に低下してしまう。When the composition and bonding state in the surface layer deviate from the above ranges, the strength, transparency, durability,
At the same time, any adverse effect occurs in terms of weather resistance and the like, and the effect of the present invention is significantly reduced.
【0147】本発明は、シリコン原子を含む場合には、
炭素原子との結合を少なくとも1つもつシリコン原子が
表面層中のシリコン原子の50%以上100%以下、好
ましくは60%以上、100%以下であることが望まし
い。最表面では70%以上、100%以下になるように
表面層中で分布させる上で、なおかつ最表面に向かって
炭素原子の含有量が増加するように設計する場合に最も
有効であり、本発明の効果を顕著に示すものである。In the present invention, when a silicon atom is contained,
It is desirable that the number of silicon atoms having at least one bond to a carbon atom is 50% or more and 100% or less, preferably 60% or more and 100% or less of the silicon atoms in the surface layer. The present invention is most effective in distributing in the surface layer so as to be 70% or more and 100% or less on the outermost surface and when designing so that the content of carbon atoms increases toward the outermost surface. The effect of (1) is remarkably exhibited.
【0148】本発明における表面層604の膜厚の数値
範囲は、本発明の目的を効果的に達成するように所期の
目的に応じて適宜所望にしたがって決められる。The numerical range of the film thickness of the surface layer 604 in the present invention is appropriately determined according to the intended purpose so as to effectively achieve the object of the present invention.
【0149】また表面層604の膜厚は、光導伝層60
3の層厚との関係においても、各の層領域に要求された
特性に応じた有機的な関連性のもとに所望にしたがって
適宜決定される必要がある。さらに加え得るに、生産性
や量産性を加味した経済性の点においても考慮されるの
が望ましい。The thickness of the surface layer 604 depends on the thickness of the photoconductive layer 60.
The relationship with the layer thickness of 3 also needs to be appropriately determined as desired based on organic relevance according to the characteristics required for each layer region. In addition, it is desirable that consideration be given to the economic efficiency in consideration of productivity and mass productivity.
【0150】本発明における表面層604の層厚として
は、通常500オングストローム〜10μm、好適には
800オングストローム〜5μm、最適には1000オ
ングストローム〜2μmとされるのが望ましいものであ
る。すなわち、500オングストロームよりも薄いと本
発明の効果が十分に得られず、さらに光受容部材を使用
中に摩耗等の理由により表面層が失われてしまう場合も
ある。また、層厚が10μmを越えると残留電位の増加
等の電子写真特性の低下が見られる。The layer thickness of the surface layer 604 in the present invention is usually 500 Å to 10 μm, preferably 800 Å to 5 μm, and most preferably 1000 Å to 2 μm. That is, if the thickness is less than 500 angstroms, the effect of the present invention cannot be sufficiently obtained, and the surface layer may be lost due to abrasion or the like during use of the light receiving member. On the other hand, when the layer thickness exceeds 10 μm, a decrease in electrophotographic characteristics such as an increase in residual potential is observed.
【0151】本発明における電子写真用光受容部材60
0の光導電層の層厚としては、目的に適合させて所望に
したがって適宜決定される。The electrophotographic light receiving member 60 of the present invention
The layer thickness of the photoconductive layer of 0 is appropriately determined as desired according to the purpose.
【0152】本発明においては、光導電層603と表面
層604の層厚の和は、光導電層603と表面層604
に付与される特性が有効に生かされて本発明の目的が効
果的に達成されるように光導電層603と表面層604
との層厚関係において適宜所望にしたがって決められる
ものであり、好ましくは、表面層604の膜厚に対して
光導電層603の層厚が数〜数千倍、好適には数十〜数
百倍となるようにされるのが好ましいものである。In the present invention, the sum of the thicknesses of the photoconductive layer 603 and the surface layer 604 is determined by the sum of the photoconductive layer 603 and the surface layer 604.
The photoconductive layer 603 and the surface layer 604 are used so that the properties imparted to the photoconductive layer are effectively utilized and the object of the present invention is effectively achieved.
The thickness of the photoconductive layer 603 is preferably several to several thousand times the thickness of the surface layer 604, preferably several tens to several hundreds. Preferably, it is doubled.
【0153】また、本発明の表面層604と光導電層6
03との間に炭素原子含有量が光導電層603に向かっ
て大きく減少するように変化する領域を設けてもよい。
これにより表面層と光導電層の界面での反射光による干
渉の影響をより少なくすることができる。The surface layer 604 of the present invention and the photoconductive layer 6
A region in which the carbon atom content changes so as to greatly decrease toward the photoconductive layer 603 may be provided between the first region and the third region.
Thereby, the influence of interference due to reflected light at the interface between the surface layer and the photoconductive layer can be further reduced.
【0154】[電荷注入阻止層]本発明の画像形成装置
用光受容部材においては、導電性支持体と光導電層との
間に、導電性支持体側からの電荷の注入を阻止する働き
のある電荷注入阻止層を設けるのが、一層効果的であ
る。すなわち、電荷注入阻止層は感光層が一定極性の帯
電処理をその自由表面に受けた際、支持体側より光導電
層側に電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆の
極性の帯電処理を受けた際にはそのような機能は発揮さ
れない、いわゆる極性依存性を有している。[Charge Injection Blocking Layer] In the photoreceptor member for an image forming apparatus of the present invention, a function is provided between the conductive support and the photoconductive layer to prevent charge injection from the conductive support side. Providing a charge injection blocking layer is more effective. That is, the charge injection blocking layer has a function of preventing charge from being injected from the support side to the photoconductive layer side when the photosensitive layer is subjected to a charging treatment of a fixed polarity on its free surface. Such a function is not exhibited when it is subjected to a charging treatment, that is, it has a polarity dependency.
【0155】そのような機能を付与するために、電荷注
入阻止層には伝導性を制御する原子を光導電層に較べ比
較的多く含有させる。該層に含有される伝導性を制御す
る原子は、該層中に万遍なく均一に分布されてもよい
し、あるいは層厚方向には万遍なく含有されていはいる
が、不均一に分布する状態で含有している部分があって
もよい。分布濃度が不均一な場合には、支持体側に多く
分布するように含有させるのが好適である。いずれの場
合にも支持体の表面と平行面の方向においては、均一な
分布で万遍なく含有されることが面方向における特性の
均一化を図る点からも必要である。In order to provide such a function, the charge injection blocking layer contains a relatively large number of atoms for controlling conductivity as compared with the photoconductive layer. The atoms controlling the conductivity contained in the layer may be uniformly distributed in the layer, or may be uniformly distributed in the thickness direction of the layer but not uniformly distributed. There may be a part contained in the state where it does. When the distribution concentration is non-uniform, it is preferable that the compound be contained so as to be distributed more on the support side. In any case, in the direction parallel to the surface of the support, it is necessary to be uniformly contained in a uniform distribution in order to make the characteristics in the plane direction uniform.
【0156】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、「第III 族原子」 または 「第V
族原子」を用いることができる。As the atoms for controlling the conductivity contained in the charge injection blocking layer, there may be mentioned so-called impurities in the field of semiconductors.
Group atom "can be used.
【0157】本発明において、電荷注入阻止層の層厚は
所望の電子写真特性が得られること、および経済的効果
等の点から好ましくは0.1〜5μm、より好ましくは
0.3〜4μm、最適には0.5〜3μmとされるのが
望ましい。In the present invention, the thickness of the charge injection blocking layer is preferably from 0.1 to 5 μm, more preferably from 0.3 to 4 μm, from the viewpoints of obtaining desired electrophotographic characteristics and economic effects. Most preferably, it is 0.5 to 3 μm.
【0158】本発明においては、電荷注入阻止層を形成
するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持
体温度の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げら
れるが、これらの層作成ファクターは通常は独立的に別
々に決められるものではなく、所望の特性を有する表面
層を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて各層
作成ファクターの最適値を決めるのが望ましい。In the present invention, the desirable ranges of the mixing ratio of the diluent gas, the gas pressure, the discharge power, and the temperature of the support for forming the charge injection blocking layer include the above-mentioned ranges. Is usually not independently determined separately, but it is desirable to determine an optimum value of each layer forming factor based on mutual and organic relations to form a surface layer having desired properties.
【0159】また、本発明の画像形成装置用光受容部材
においては、支持体601と光導電層603あるいは電
荷注入阻止層105との間の密着性の一層の向上を図る
目的で、例えば、Si3 N4 ,SiO2 ,SiO,ある
いはシリコン原子を母体とし、水素原子および/または
ハロゲン原子と、炭素原子および/または酸素原子およ
び/または窒素原子とを含む非晶質材料等で構成される
密着層を設けてもよい。さらに、前述のごとく、支持体
からの反射光による干渉模様の発生を防止するために光
吸収層を設けてもよい。In the light receiving member for an image forming apparatus of the present invention, for the purpose of further improving the adhesiveness between the support 601 and the photoconductive layer 603 or the charge injection blocking layer 105, for example, Si is used. 3 N 4 , SiO 2 , SiO, or a close contact composed of an amorphous material or the like containing a silicon atom as a base and a hydrogen atom and / or a halogen atom, and a carbon atom and / or an oxygen atom and / or a nitrogen atom. A layer may be provided. Further, as described above, a light absorbing layer may be provided in order to prevent the occurrence of an interference pattern due to light reflected from the support.
【0160】以上述べてきた、課題を解決するための手
段および作用を単独、組み合わせて用いることにより、
優れた効果を引き出すことが可能である。By using the means and actions for solving the problems described above singly or in combination,
It is possible to bring out an excellent effect.
【0161】図5(a)〜(d)にその例を示す。図2
の102は像担持体である感光体ドラムであり、矢印X
の時計方向に所定の周速度(プロセススピード)にて回
転駆動されるドラム型の電子写真用光受容部材である。FIGS. 5A to 5D show examples. FIG.
Reference numeral 102 denotes a photosensitive drum serving as an image carrier, and an arrow X
Is a drum type electrophotographic light receiving member that is driven to rotate clockwise at a predetermined peripheral speed (process speed).
【0162】該光受容部材の表面層の膜厚方向の抵抗値
は、その電荷保持能、帯電効率等の電気的特性を良好に
有し、電圧により表面層が損傷する、いわゆるピンホー
ルリークを防止するために、1×1010〜5×1013Ω
cmなる抵抗を有することが望ましい。より好ましくは
1×1012〜5×1013Ωcmである。該抵抗値の測定
はHIOKI社製のMΩテスター250〜1kVの印加
電圧における測定にて行った。The resistance of the surface layer of the light receiving member in the thickness direction has good electric characteristics such as charge retention ability and charging efficiency, and a so-called pinhole leak, which damages the surface layer by voltage. 1 × 10 10 to 5 × 10 13 Ω to prevent
cm. More preferably, it is 1 × 10 12 to 5 × 10 13 Ωcm. The measurement of the resistance value was performed by measuring at an applied voltage of 250 to 1 kV, an MΩ tester manufactured by HIOKI.
【0163】101は前記帯電キャリアを用いた接触型
帯電部材であり、多極磁性体およびその面上に形成した
帯電キャリアよりな成るブラシ層とからなる。該ブラシ
層は、前述のごとくCu−Zn系フェライトやMn−Z
n系のフェライト等の磁性フェライトや磁性マグネタイ
ト、ピロール等の樹脂中に磁性粉体を分散させたもの、
磁性トナーのキャリア等の磁性粒子を含む帯電キャリア
で構成される。Reference numeral 101 denotes a contact-type charging member using the above-described charged carrier, which comprises a multipolar magnetic material and a brush layer formed on the surface thereof and made of the charged carrier. The brush layer is made of Cu—Zn based ferrite or Mn—Z as described above.
Magnetic powder dispersed in a resin such as magnetic ferrite, magnetic magnetite, pyrrole such as n-type ferrite,
It is composed of a charged carrier containing magnetic particles such as a carrier of a magnetic toner.
【0164】該帯電部材101のブラシ層の抵抗値は、
図4で示されるように良好な帯電効率を保持するため、
さらにピンホール防止のためにHIOKI社(メーカ
ー)製のMΩテスターで250〜1kVの印加電圧にお
ける測定にて、1×103 〜1×1012Ωmなる抵抗を
有することが好ましい。より好ましくは1×104 〜1
×109 Ωmである。The resistance value of the brush layer of the charging member 101 is as follows:
As shown in FIG. 4, to maintain good charging efficiency,
Further in measurement at HIOKI Co. (Manufacturers) made 250~1kV the applied voltage MΩ tester for pinhole prevention, it is preferable to have a 1 × 10 3 ~1 × 10 12 Ωm becomes resistance. More preferably, 1 × 10 4 to 1
× 10 9 Ωm.
【0165】帯電部材101には不図示の電圧印加手段
が付随し、該電圧印加手段により直流電圧Vdcあるい
は交流を重畳した電圧Vdc+Vacが帯電部材の帯電
キャリアからなるブラシ層に印加されて、回転駆動され
ている光受容部材102の外周面が均一に帯電される。The charging member 101 is provided with voltage applying means (not shown). The voltage applying means applies a DC voltage Vdc or a voltage Vdc + Vac on which an AC is superimposed to a brush layer made of a charging carrier of the charging member. The outer peripheral surface of the light receiving member 102 is uniformly charged.
【0166】像担持体であるところの光受容部材102
と接触帯電部材101の最近接間隙は、そのニップ制御
のために50〜2000μmの範囲にスペーサー(不図
示)等安定的に設定されることが好ましく、より好まし
くは100〜1000μmである。その他にニップ調整
用の機構を設けてもよい。Light receiving member 102 which is an image carrier
It is preferable that the nearest gap between the contact charging member 101 and the contact charging member 101 is set stably such as a spacer (not shown) in the range of 50 to 2000 μm for the nip control, and more preferably 100 to 1000 μm. In addition, a mechanism for adjusting the nip may be provided.
【0167】さらに、画像信号に応じて強度変調される
レーザービームプリンター光等の、画像信号付与手段1
03が走査されることによって該感光ドラム上に静電潜
像が形成される。この潜像は、トナー等の現像剤が塗布
された現像スリーブ104によって顕画像化された後、
転写材P上に転写装置106(a)を介して転写される
転写残トナーは、クリーニングブレード120によって
感光ドラム上から除去されると共に該転写像は、不図示
の定着装置によって定着された後、出力される。Further, an image signal providing means 1 such as a laser beam printer light intensity-modulated according to the image signal.
By scanning 03, an electrostatic latent image is formed on the photosensitive drum. This latent image is visualized by a developing sleeve 104 coated with a developer such as toner,
The untransferred toner transferred onto the transfer material P via the transfer device 106 (a) is removed from the photosensitive drum by the cleaning blade 120, and the transferred image is fixed by a fixing device (not shown). Is output.
【0168】実験例1 図3に示すRF−PCVD法による画像形成装置用光受
容部材の製造装置を用いて、直径108mmのサンプル
ホルダーにガラス基板(コーニング社7059)をセッ
トし、表1に示す条件で種々の表面層を作製した。サン
プル上にCrの櫛型電極を蒸着して面方向抵抗を測定し
た。Experimental Example 1 A glass substrate (Corning Co., Ltd. 7059) was set on a sample holder having a diameter of 108 mm using the apparatus for manufacturing a light receiving member for an image forming apparatus by the RF-PCVD method shown in FIG. Various surface layers were produced under the conditions. A comb-shaped electrode of Cr was deposited on the sample, and the surface resistance was measured.
【0169】[0169]
【表1】 [Table 1]
【0170】[0170]
【表2】 実験例2 図3に示すRF−PCVD法による画像形成装置用光受
容部材の製造装置を用いて、直径108mmのサンプル
ホルダーにガラス基板(コーニング社7059)をセッ
トし、表3に示す条件で種々の表面層を作製した。サン
プル上にCr櫛型電極を蒸着して面方向抵抗を測定し
た。[Table 2] Experimental Example 2 A glass substrate (Corning Co., Ltd. 7059) was set on a sample holder having a diameter of 108 mm using the apparatus for manufacturing a light receiving member for an image forming apparatus by the RF-PCVD method shown in FIG. Was produced. A Cr comb electrode was deposited on the sample, and the surface resistance was measured.
【0171】[0171]
【表3】 [Table 3]
【0172】[0172]
【表4】 以上実験例1,2に結果より、支持体温度が300℃を
越えると抵抗が下降し、Si原子含有原料ガスに対する
C原子含有原料ガスの割合が増加することで抵抗が上昇
する傾向を示している。また、印加するパワーが小さい
方が抵抗が大きいこともわかった。[Table 4] From the results of Experimental Examples 1 and 2 above, the resistance decreases when the temperature of the support exceeds 300 ° C., and the resistance tends to increase due to the increase in the ratio of the C atom-containing source gas to the Si atom-containing source gas. I have. It was also found that the smaller the applied power, the higher the resistance.
【0173】[実験例3]図3に示すRF−PCVD法
による画像形成装置用光受容部材の製造装置を用い、直
径108mmの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダ
ー上に、表5に示す条件で種々の表面層を成膜した。ガ
ス流量、支持体温度および放電パワーの変化は、成膜開
始と共に成膜終了まで滑らかに連続的に変化させた。そ
の後、表面層上にCrを蒸着して層厚方向の抵抗を測定
した。[Experimental Example 3] Using the apparatus for manufacturing a light receiving member for an image forming apparatus by the RF-PCVD method shown in FIG. Was formed. Changes in gas flow rate, support temperature and discharge power were smoothly and continuously changed from the start of film formation to the end of film formation. Thereafter, Cr was deposited on the surface layer, and the resistance in the layer thickness direction was measured.
【0174】また、直径108mmの鏡面加工を施した
アルミニウムシリンダー上に、表7に示す条件で電荷注
入阻止層、光導電層を作製し、さらに表5の表面層から
なる光受容部材を作製した。On a mirror-finished aluminum cylinder having a diameter of 108 mm, a charge injection blocking layer and a photoconductive layer were prepared under the conditions shown in Table 7, and a light receiving member comprising the surface layer shown in Table 5 was prepared. .
【0175】[0175]
【表5】 [Table 5]
【0176】[0176]
【表6】 以上の結果より、層厚方向の抵抗値に対して、面方向の
抵抗値が大きくなるようにするためには、支持体温度を
成膜の進行に伴って少なくとも徐々に昇温させるか、S
i原子含有原料ガスに対するC原子含有原料ガスの割合
を増加させる、と同時に印加するパワーを減少させるこ
とにより達成できることがわかった。[Table 6] From the above results, in order to increase the resistance value in the plane direction with respect to the resistance value in the layer thickness direction, it is necessary to raise the support temperature at least gradually as the film formation proceeds,
It has been found that this can be achieved by increasing the ratio of the C-atom-containing source gas to the i-atom-containing source gas and, at the same time, reducing the applied power.
【0177】[0177]
【表7】 作製した感光体を従来のコロナ帯電方式の画像形成装置
(キャノン製NP6060をテスト用に改造)にセット
し、帯電能の温度依存性(温度特性)、メモリーならび
に画像欠陥を評価した。[Table 7] The prepared photoreceptor was set in a conventional corona charging type image forming apparatus (NP6060 manufactured by Canon Inc. was modified for testing), and the temperature dependency (temperature characteristics) of charging ability, memory and image defects were evaluated.
【0178】温度特性は、感光体の温度を室温から約4
5℃まで変えて帯電能を測定し、このときの温度1℃当
たりの帯電能の変化を測定し、2V/deg以下を合格
と判定した。The temperature characteristic is such that the temperature of the photoreceptor is changed from room temperature to about 4 degrees.
The charging ability was measured by changing the temperature to 5 ° C., and the change in the charging ability per 1 ° C. of the temperature was measured, and 2 V / deg or less was determined to be acceptable.
【0179】また、メモリー、画像欠陥および画像流れ
については、画像を目視により判定し、1:非常に良
好、2:良好、3:実用上問題なし、4:実用上やや難
ありの4段階にランク分けした。Regarding the memory, image defect and image deletion, the image was judged by visual observation. 1: Very good, 2: Good, 3: No problem in practical use, 4: Fair in practical use Ranked.
【0180】残留電位を測定し、表面層の電気特性を評
価した。15V以下を1:非常に良好、25V以下を
2:良好、50V未満を3:実用問題なし、50V以上
を4:実用上やや難ありの4段階にランク分けした。The residual potential was measured, and the electrical properties of the surface layer were evaluated. 15V or less was rated as 1: very good, 25V or less as 2: good, less than 50V as 3: no practical problem, and 50V or more as 4: practically somewhat difficult.
【0181】評価結果は表8に示す。Table 8 shows the evaluation results.
【0182】[0182]
【表8】 従来のコロナ帯電方式では、全ての評価において良好な
特性を示した。[Table 8] The conventional corona charging method showed good characteristics in all evaluations.
【0183】画像欠陥に関してSiH4 /CH4 比の小
さいものがややその他ものに比べて画像欠陥が生じ易い
傾向を示した。Regarding image defects, those having a small SiH 4 / CH 4 ratio tended to cause image defects more easily than others.
【0184】またさらに、光導電層のSiH4 ,H2 等
のガス流量およびRFパワー、内圧、支持体温度を種々
変化させて、3−Cの表面層を積層させた電子写真用光
受容部材を作製し、温度特性およびメモリーについて評
価した。またドラムとは別に、その光導電層と同じ処方
でガラス基板(コーニング社製7059)上に堆積さ
せ、指数関数裾の特性エネルギー局在状態密度について
測定した。Further, a photoreceptor member for electrophotography having a 3-C surface layer laminated by varying the gas flow rate of SiH 4 , H 2, etc., RF power, internal pressure, and support temperature of the photoconductive layer. Was prepared, and the temperature characteristics and the memory were evaluated. Separately from the drum, the film was deposited on a glass substrate (7059, manufactured by Corning Incorporated) with the same prescription as that of the photoconductive layer, and the characteristic energy localized state density at the exponential function tail was measured.
【0185】そして、温度特性ランクと指数関数裾の特
性エネルギーとの関係について評価した。評価結果は図
6に示す。Then, the relationship between the temperature characteristic rank and the characteristic energy of the exponential function tail was evaluated. The evaluation results are shown in FIG.
【0186】温度特性は、感光体の温度を室温から約4
5℃まで変えて帯電能を測定し、このときの温度1℃当
たりの帯電能の変化を測定し、1V/deg以下のラン
ク1、2V/deg以下をランク2、5V/deg以下
のランク3、5V/deg以上をランク4と評価した。The temperature characteristic is such that the temperature of the photosensitive member is changed from room temperature to about 4 ° C.
The charging ability was measured by changing the temperature up to 5 ° C., and the change in charging ability per 1 ° C. temperature was measured. Rank 1 for 1 V / deg or less, Rank 2 for 2 V / deg or less, Rank 3 for 5 V / deg or less. , 5 V / deg or more was evaluated as rank 4.
【0187】次に作製した光受容部材、帯電部材を図2
に示したような画像形成装置にセットして環境対策ヒー
ター122はOFFにして帯電能の温度依存性(温度特
性)、メモリーならびに画像欠陥を評価した。Next, the light receiving member and the charging member thus manufactured are shown in FIG.
Was set in the image forming apparatus as shown in FIG. 1 and the environmental measure heater 122 was turned off to evaluate the temperature dependency (temperature characteristic) of the charging ability, the memory and the image defect.
【0188】帯電部材100への印加電圧条件は、60
0Vdc。プロセススピードは250mm/secで行
った。また、磁気ブラシすなわち帯電部材は光受容部材
と同方向、すなわち光受容部材との当接面で反対方向に
進行するように60rpmの回転速度で回転させた(当
接面では各々逆方向に進行している)。The condition of the voltage applied to the charging member 100 is 60
0 Vdc. The process speed was 250 mm / sec. Further, the magnetic brush, that is, the charging member was rotated at a rotation speed of 60 rpm so as to proceed in the same direction as the light receiving member, that is, in the opposite direction at the contact surface with the light receiving member (the contact surfaces respectively proceed in opposite directions). doing).
【0189】また、帯電部材中の帯電キャリア量の変化
による画質への影響を分離するため、ニップ幅等の帯電
部材条件を一定にするように、耐久中に適宜帯電キャリ
アの補給を行った。In order to separate the influence on the image quality due to the change in the amount of the charged carrier in the charging member, the charged carrier was appropriately replenished during the running so as to keep the charging member conditions such as the nip width constant.
【0190】温度特性は、光受容部材の温度を室温から
約45℃まで変えて帯電能を測定し、このときの温度1
℃当たりの帯電能の変化を測定し、2V/deg以下を
合格と判定した。The temperature characteristic was measured by changing the temperature of the light receiving member from room temperature to about 45 ° C. and measuring the charging ability.
The change in charging ability per ° C was measured, and a value of 2 V / deg or less was determined to be acceptable.
【0191】また、メモリー、画像欠陥および画像流れ
については、画像を目視により判定し、1:非常に良
好、2:良好、3:実用上問題なし、4:実用上やや難
ありの4段階にランク分けした。Regarding the memory, image defect and image deletion, the image was visually judged. 1: Very good, 2: Good, 3: Practically no problem, 4: Practically somewhat difficult Ranked.
【0192】また、画像濃度が薄くぼやけた領域の比率
を調べるために、高湿環境下での画像流れを起こす面積
を測定し、光受容部材の面積に占める割合の大きさで評
価した。1:常に良好(5%未満)、2:良好(5%〜
10%未満)、3:実用上問題なし(10%〜20%未
満)、4:実用上難あり(20%以上)の4ランクに分
けた。Further, in order to examine the ratio of the region where the image density was thin and blurred, the area where image deletion occurred in a high humidity environment was measured, and the ratio to the area of the light receiving member was evaluated. 1: always good (less than 5%) 2: good (5% to
(Less than 10%), 3: practically no problem (10% to less than 20%), 4: practically difficult (20% or more).
【0193】残留電位を測定し、表面層の電気特性を評
価した。15V以下を1:非常に良好、25V以下を
2:良好、50V未満を3:実用上問題なし、50V以
上を4:実用上やや難ありの4段階にランク分けした。The residual potential was measured, and the electrical properties of the surface layer were evaluated. 15V or less was rated as 1: very good, 25V or less was 2: good, less than 50V was 3: no practical problem, and 50V or more was 4: good practically.
【0194】さらに、帯電効率として磁気ブラシの印加
電圧に対する帯電0.3秒後の光受容部材の帯電電位の
割合で評価した。1:90%以上、2:80%以上、
3:70%以上の3ランクとした。評価結果は表9に示
す。Further, the charging efficiency was evaluated by the ratio of the charging potential of the light receiving member 0.3 seconds after charging to the voltage applied to the magnetic brush. 1: 90% or more, 2: 80% or more,
3: Three ranks of 70% or more. Table 9 shows the evaluation results.
【0195】[0195]
【表9】 この実験から、表面層層厚方向の抵抗値に対する該表面
層の最表面の面方向の抵抗値の比が10〜1000にす
ることが本発明の効果を得るためにより有効であること
がわかった。10未満では本発明の効果が現われない。
また、1000以上になると表面層部分での残留電位が
大きくなってくる。[Table 9] From this experiment, it was found that setting the ratio of the resistance value in the surface direction of the outermost surface of the surface layer to the resistance value in the thickness direction of the surface layer to 10 to 1000 is more effective for obtaining the effects of the present invention. . If it is less than 10, the effect of the present invention does not appear.
On the other hand, when it exceeds 1,000, the residual potential in the surface layer portion increases.
【0196】使用した接触型帯電部材101の条件を以
下に示す。The conditions of the contact-type charging member 101 used are shown below.
【0197】多極磁性体は、該ローラー状多極磁性体に
前記の帯電キャリアを付着した状態でφ22mmのロー
ラ状になるように構成した。その磁力線密度は前述のご
とく制御される。本実施例では磁極数12極、時局部表
面での磁力線密度は前述の如き測定にて1000〜30
00Gaussのものを作製した。The multipolar magnetic material was formed into a roller shape having a diameter of 22 mm with the charged carrier adhered to the roller-shaped multipolar magnetic material. The magnetic line density is controlled as described above. In this embodiment, the number of magnetic poles is 12, and the magnetic field line density on the local surface is 1000 to 30 by the measurement as described above.
00 Gauss was manufactured.
【0198】ブラシ層は、5乃至25μmの磁性酸化鉄
等と1乃至5μmの小粒径マグ等の磁性粉を、所定の比
で混合したものを帯電キャリアとして使用した。該帯電
キャリアは前述のごとく、一般にトナーに利用される周
知のキャリアと同成分のものでもよいし、複数の成分を
混合して使用してもよい。また、その粒径は均一であっ
ても、また異なる粒径のものを混合して用いてもよい。As the brush layer, a mixture of magnetic iron such as magnetic iron oxide of 5 to 25 μm and magnetic powder of small particle size of 1 to 5 μm in a predetermined ratio was used as a charge carrier. As described above, the charged carrier may have the same component as a known carrier generally used for toner, or may be used by mixing a plurality of components. Further, the particle diameter may be uniform, or a mixture of different particle diameters may be used.
【0199】また、本実施例ではニップ幅を6乃至7m
mとした。In this embodiment, the nip width is set to 6 to 7 m.
m.
【0200】実験例4 図3に示すRF−PCVD法による画像形成装置用光受
容部材の製造装置を用い、直径108mmの鏡面加工を
施したアルミニウムシリンダー上に、表10に示す条件
で電荷注入阻止層、光導電層、表面層からなる光受容部
材を作製した。表面層の成膜において、ガス流量、支持
体温度および放電パワーの変化は、成膜開始と共に成膜
終了まで滑らかに連続的に変化させた。Experimental Example 4 Using the apparatus for manufacturing a light receiving member for an image forming apparatus by the RF-PCVD method shown in FIG. 3, charge injection was prevented under the conditions shown in Table 10 on a mirror-finished aluminum cylinder having a diameter of 108 mm. A light receiving member comprising a layer, a photoconductive layer and a surface layer was prepared. In the formation of the surface layer, changes in the gas flow rate, the support temperature, and the discharge power were smoothly and continuously changed from the start of the film formation to the end of the film formation.
【0201】さらに光導電層のSiH4 とH2 との混合
比ならびに放電電力を変えることによって、種々の光受
容部材を作製した。Further, various light receiving members were manufactured by changing the mixing ratio of SiH 4 and H 2 and the discharge power of the photoconductive layer.
【0202】また、直径108mmの鏡面加工を施した
アルミニウムシリンダー上に表面層だけを成膜し、その
後Crを表面に蒸着した。Further, only the surface layer was formed on a mirror-finished aluminum cylinder having a diameter of 108 mm, and then Cr was deposited on the surface.
【0203】円筒形のサンプルホルダーに設置したガラ
ス基板(コーニング社7059)に最表面層部分の膜を
成膜し、Crの櫛型電極を蒸着した。A film of the outermost layer was formed on a glass substrate (Corning Co., Ltd. 7059) set in a cylindrical sample holder, and a comb electrode of Cr was deposited.
【0204】作製した光受容部材は実験例3で用いた画
像形成装置にセットして実験例3と同様の評価をした。
耐久性も確認するために一万枚の通紙後に再度評価し
た。耐久後の帯電効率の変化から帯電安定性を評価し
た。1:安定性良好、2:実用上問題なし、3:実用上
やや難ありの3段階にランク分けした。評価結果を表1
1に示す。The produced light receiving member was set in the image forming apparatus used in Experimental Example 3 and evaluated in the same manner as in Experimental Example 3.
In order to confirm the durability, evaluation was performed again after passing 10,000 sheets. The charging stability was evaluated from the change in charging efficiency after running. 1: good stability, 2: practically no problem, 3: practically somewhat difficult. Table 1 shows the evaluation results.
It is shown in FIG.
【0205】[0205]
【表10】 表面層の抵抗値の層厚方向、面方向を測定した結果、層
厚方向の抵抗値は7.56×1012Ωcmで、面方向の
抵抗値は1.27×1015Ωcmであった。[Table 10] As a result of measuring the resistance value of the surface layer in the layer thickness direction and the plane direction, the resistance value in the layer thickness direction was 7.56 × 10 12 Ωcm, and the resistance value in the plane direction was 1.27 × 10 15 Ωcm.
【0206】表面層の表面層層厚方向の抵抗値に対する
該表面層の最表面の面方向の抵抗値の比が168であっ
た。The ratio of the resistance value in the surface direction of the outermost surface of the surface layer to the resistance value in the thickness direction of the surface layer of the surface layer was 168.
【0207】以下に説明は光導電層の膜特性を調べる方
法である。The following is a method for examining the film characteristics of the photoconductive layer.
【0208】一方、円筒状のサンプルホルダーに設置し
たガラス基板(コーニング社7059)とSiウェハー
上に、光導電層の作製条件で膜厚約1μmのa−Si膜
を堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはAlの櫛型電極
を蒸着し、CPMにより指数関数裾の特性エネルギー
(Eu)を測定し、Siウェハー上の堆積膜はFTIR
により含有水素量を測定した。On the other hand, an a-Si film having a thickness of about 1 μm was deposited on a glass substrate (Corning Co., Ltd. 7059) and a Si wafer placed in a cylindrical sample holder under the conditions for forming a photoconductive layer. An Al comb electrode was deposited on the deposited film on the glass substrate, and the characteristic energy (Eu) of the exponential function was measured by CPM. The deposited film on the Si wafer was FTIR.
Was used to measure the hydrogen content.
【0209】いずれのサンプルも水素含有量は10〜3
0原子%の間の範囲にあることがわかった。Each sample had a hydrogen content of 10 to 3
It was found to be in the range between 0 atomic%.
【0210】光受容部材の条件は、 a:Euは47meV b:Euは50meV c:Euは52meV d:Euは55meV e:Euは58meV f:Euは64meV である。The conditions of the light receiving member are as follows: a: Eu is 47 meV b: Eu is 50 meV c: Eu is 52 meV d: Eu is 55 meV e: Eu is 58 meV f: Eu is 64 meV.
【0211】[0211]
【表11】 また、表11の結果から、耐久前後で電子写真用光受容
部材の特性画像共に差は見られなかった。[Table 11] From the results in Table 11, no difference was observed between the characteristic images of the electrophotographic light-receiving member before and after the endurance.
【0212】また、サブバンドギャップ光吸収スペクト
ルから得られる指数関数裾の特性エネルギーが50〜6
0meVであることが電子写真特性に対して好適条件で
あることが判明した。The characteristic energy of the exponential function tail obtained from the sub-bandgap light absorption spectrum is 50 to 6
It turned out that 0 meV is a suitable condition for electrophotographic characteristics.
【0213】なお、600Vdc印加で帯電直後でTR
ek社(メーカー)製表面電位計にて測定したところ、
暗状態電位も耐久前後で差は認められなかった。[0213] Immediately after charging by applying 600 Vdc, TR
When measured with a surface potentiometer manufactured by ek (manufacturer),
There was no difference in dark state potential before and after endurance.
【0214】実験例5 本例では、実験例4の表面層に変えて、表面層成膜時の
ガス流量においてSiH4 ガスの流量は一定でCH4 ガ
スの流量だけを変化させた。その他は実験例4と同様に
した。表12に、このときの電子写真用光受容部材の作
製条件を示した。その他は実験例4と同様にした。Experimental Example 5 In this example, instead of the surface layer of Experimental Example 4, the flow rate of the SiH 4 gas was constant and only the flow rate of the CH 4 gas was changed in the gas flow rate during the formation of the surface layer. Others were the same as in Experimental Example 4. Table 12 shows the conditions for producing the electrophotographic light-receiving member at this time. Others were the same as in Experimental Example 4.
【0215】表面層の抵抗値を層厚方向、面方向を測定
した結果、層厚方向の抵抗値は5.58×1011Ωcm
で、面方向の抵抗値は3.32×1014Ωcmであっ
た。As a result of measuring the resistance value of the surface layer in the layer thickness direction and the plane direction, the resistance value in the layer thickness direction was 5.58 × 10 11 Ωcm.
The resistance in the plane direction was 3.32 × 10 14 Ωcm.
【0216】表面層の表面層層厚方向の抵抗値に対する
該表面層の最表面の面方向の抵抗値の比が595であっ
た。The ratio of the resistance in the surface direction of the outermost surface of the surface layer to the resistance in the thickness direction of the surface layer was 595.
【0217】光電導層の物性は水素含有量は26.7原
子%でEuは57.4meVであった。作製した光受容
部材を実験例3と同様にして、光受容部材、帯電部材を
図2に示したような画像形成装置にセットして環境対策
ヒーター122はOFFにして帯電能の温度依存性(温
度特性)、メモリーならびに画像欠陥を評価した。The physical properties of the photoconductive layer were such that the hydrogen content was 26.7 atomic% and Eu was 57.4 meV. The light receiving member and the charging member were set in an image forming apparatus as shown in FIG. 2 in the same manner as in Experimental Example 3, and the environmentally-friendly heater 122 was turned off. Temperature characteristics), memory and image defects were evaluated.
【0218】帯電部材101へ印加電圧条件は、600
Vdc。プロセススピードは250mm/secで行っ
た。また、磁気部ブラシすなわち帯電部材は光受容部材
と同方向、すなわち光受容部材との当接面で反対方向に
進行するように60rpmの回転速度で回転させた(当
接面では各々逆方向に進行している)。The voltage applied to the charging member 101 is 600
Vdc. The process speed was 250 mm / sec. Further, the magnetic brush, that is, the charging member was rotated at a rotation speed of 60 rpm so as to proceed in the same direction as the light receiving member, that is, in the opposite direction at the contact surface with the light receiving member. In progress).
【0219】また、帯電部材中の帯電キャリア量の変化
による画質への影響を分離するため、ニップ幅等の帯電
部材条件を一定にするように、耐久中に適宜帯電キャリ
アの補給を行った。Further, in order to separate the influence on the image quality due to the change in the amount of the charge carrier in the charging member, the charging carrier was appropriately replenished during the running so as to keep the charging member conditions such as the nip width constant.
【0220】温度特性は、光受容部材の温度を室温から
約45℃まで変えて帯電能を測定し、このときの温度1
℃当たりの帯電能の変化を測定して、2V/deg以下
を合格とした。The temperature characteristics were measured by changing the temperature of the light receiving member from room temperature to about 45 ° C. and measuring the charging ability.
The change in the charging ability per ° C was measured, and a value of 2 V / deg or less was judged as acceptable.
【0221】また、メモリー、画像欠陥および画像流れ
については、画像を目視により判定し、1:非常に良
好、2:良好、3:実用上問題なし、4:実用上やや難
ありの4段階にランク分けした。Regarding the memory, image defect and image deletion, the image was visually judged. 1: Very good, 2: Good, 3: No practical problem, 4: Practical difficulty Ranked.
【0222】また、画像濃度が薄くぼやけた領域の比率
を調べるために、高湿環境下での画像流れを起こす面積
を測定し、光受容部材の面積に占める割合の大きさで評
価した。1:常に良好(5%未満)、2:良好(5%〜
10%未満)、3:実用上問題なし(10%〜20%未
満)、4:実用上難あり(20%以上)の4ランクに分
けた。Further, in order to examine the ratio of the region where the image density was thin and blurred, the area where image deletion occurred in a high humidity environment was measured, and the ratio to the area of the light receiving member was evaluated. 1: always good (less than 5%) 2: good (5% to
(Less than 10%), 3: practically no problem (10% to less than 20%), 4: practically difficult (20% or more).
【0223】残留電位を測定し、表面層の電気特性を評
価した。15V以下を1:非常に良好、25V以下を
2:良好、50V未満を3:実用上問題なし、50V以
上を4:実用上やや難ありの4段階にランク分けした。
帯電部材は実験例3で用いたものと同様のものである。
評価結果は表13に示す。The residual potential was measured, and the electrical properties of the surface layer were evaluated. 15V or less was rated as 1: very good, 25V or less was 2: good, less than 50V was 3: no practical problem, and 50V or more was 4: good practically.
The charging member is the same as that used in Experimental Example 3.
Table 13 shows the evaluation results.
【0224】[0224]
【表12】 [Table 12]
【0225】[0225]
【表13】 すなわち、表面層のCH4 ガス流量だけを変化させCH
4 /SiH4 を変化させた場合においても、本発明の表
面層の効果が得られ良好な電子写真特性が得られること
がわかった。[Table 13] That is, by changing only the CH 4 gas flow rate of the surface layer,
It was found that even when 4 / SiH 4 was changed, the effect of the surface layer of the present invention was obtained, and good electrophotographic characteristics were obtained.
【0226】[0226]
【実施例】以下の実施例では、さまざまな光導電層や電
荷注入阻止層、中間層等を用いた層構成の異なる光受容
部材に対しても、本発明の表面層が効果を示すが、本発
明はこれらの実施例に限定されるものではない。EXAMPLES In the following examples, the surface layer of the present invention is effective for photoreceptor members having different layer configurations using various photoconductive layers, charge injection blocking layers, intermediate layers, etc. The present invention is not limited to these examples.
【0227】実施例1 本例では、実験例4の表面層に変えて、表面層成膜時の
ガス流量においてCH 4 ガスの流量は一定でSiH4 ガ
ス流量だけを変化させた。その他は実験例5と同様にし
た。表14に、このときの電子写真用光受容部材の作製
条件を示した。その他は実験例4と同様にした。Example 1 In this example, in place of the surface layer of Experimental Example 4, a surface layer was formed.
CH at gas flow rate Four Gas flow rate is constant and SiHFour Moth
Only the flow rate was changed. Others are the same as in Experimental Example 5.
Was. Table 14 shows the production of the light receiving member for electrophotography at this time.
Conditions are shown. Others were the same as in Experimental Example 4.
【0228】表面層の抵抗値を層厚方向、面方向を測定
した結果、層厚方向の抵抗値は6.87×1011Ωcm
で、面方法の抵抗値は3.14×1013Ωcmであっ
た。As a result of measuring the resistance value of the surface layer in the layer thickness direction and the plane direction, the resistance value in the layer thickness direction was 6.87 × 10 11 Ωcm.
The resistance value of the surface method was 3.14 × 10 13 Ωcm.
【0229】表面層の表面層層厚方向の抵抗値に対する
該表面層の最表面の面方向の抵抗値の比が45.7であ
った。The ratio of the resistance in the surface direction of the outermost surface of the surface layer to the resistance in the thickness direction of the surface layer was 45.7.
【0230】光導電層の物性は水素含有量は25.4原
子%で、Euは56.4meVであった。As for the physical properties of the photoconductive layer, the hydrogen content was 25.4 atomic%, and Eu was 56.4 meV.
【0231】作製した光受容部材を実験例5と同様の評
価をしたところ実験例5と同様に良好な電子写真特性が
得られた。The produced light-receiving member was evaluated in the same manner as in Experimental Example 5. As a result, good electrophotographic characteristics were obtained as in Experimental Example 5.
【0232】すなわち、表面層にSiH4 ガス流量だけ
変化させCH4 /SiH4 比を変化させた場合において
も、本発明の表面層の効果が得られ良好な電子写真特性
がえられることがわかった。That is, even when the CH 4 / SiH 4 ratio is changed by changing the flow rate of the SiH 4 gas in the surface layer, the effect of the surface layer of the present invention can be obtained and good electrophotographic characteristics can be obtained. Was.
【0233】[0233]
【表14】 実施例2 本例では、光導電層と表面層の間に中間層を設けて、電
荷注入阻止層、光導電層、中間層、表面層からなる光受
容部材を作製した。その他は実験例4と同様にした。表
15に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を
示した。その他は実験例5と同様にした。[Table 14] Example 2 In this example, an intermediate layer was provided between the photoconductive layer and the surface layer, and a light receiving member including the charge injection blocking layer, the photoconductive layer, the intermediate layer, and the surface layer was manufactured. Others were the same as in Experimental Example 4. Table 15 shows the conditions for producing the light receiving member for electrophotography at this time. Others were the same as in Experimental Example 5.
【0234】表面層の抵抗値を層厚方向、面方向を測定
した結果、層厚方向の抵抗値は5.58×1011Ωcm
で、面方向の抵抗値は3.32×1013Ωcmであっ
た。As a result of measuring the resistance value of the surface layer in the layer thickness direction and the surface direction, the resistance value in the layer thickness direction was 5.58 × 10 11 Ωcm.
The resistance value in the plane direction was 3.32 × 10 13 Ωcm.
【0235】表面層の表面層層厚方向の抵抗値に対する
該表面層の最表面の面方向の抵抗値の比が59.5であ
った。The ratio of the resistance value in the surface direction of the outermost surface of the surface layer to the resistance value in the surface layer thickness direction of the surface layer was 59.5.
【0236】光導電層の物性は水素含有量は24.8原
子%で、Euは58.2meVであった。As for the physical properties of the photoconductive layer, the hydrogen content was 24.8 atomic%, and Eu was 58.2 meV.
【0237】作製した光受容部材を実験例5と同様の評
価をしたところ実験例5と同様に良好な電子写真特性が
得られた。The produced light-receiving member was evaluated in the same manner as in Experimental Example 5. As a result, good electrophotographic characteristics were obtained as in Experimental Example 5.
【0238】すなわち、中間層を設けた場合において
も、本発明の表面層の効果が得られ良好な電子写真特性
が得られることが判った。That is, it was found that even when an intermediate layer was provided, the effect of the surface layer of the present invention was obtained, and good electrophotographic characteristics were obtained.
【0239】[0239]
【表15】 実施例3 本例では、表面層ガス流量、支持体温度および放電パワ
ーを層厚方向に2段階で変化させて表面層を設けた。表
16に、このときの電子写真用光受容部材の作製条件を
示した。その他は実験例5と同様にした。[Table 15] Example 3 In this example, the surface layer was provided by changing the gas flow rate of the surface layer, the temperature of the support, and the discharge power in two steps in the thickness direction. Table 16 shows the conditions for producing the electrophotographic light-receiving member at this time. Others were the same as in Experimental Example 5.
【0240】表面層の抵抗値を層厚方向、面方向を測定
した結果、層厚方向の抵抗値は9.26×1011Ωcm
で、面方向の抵抗値は3.71×1013Ωcmであっ
た。As a result of measuring the resistance value of the surface layer in the layer thickness direction and the surface direction, the resistance value in the layer thickness direction was 9.26 × 10 11 Ωcm.
The resistance value in the plane direction was 3.71 × 10 13 Ωcm.
【0241】表面層の表面層層厚方向の抵抗値に対する
該表面層の最表面の面方向の抵抗値の比が401であっ
た。The ratio of the resistance value in the surface direction of the outermost surface of the surface layer to the resistance value in the surface layer thickness direction of the surface layer was 401.
【0242】光導電層の物性は水素含有量は25.4原
子%で、Euは59.7meVであった。The physical properties of the photoconductive layer were such that the hydrogen content was 25.4 atomic% and Eu was 59.7 meV.
【0243】作製した光受容部材を実験例5と同様の評
価をしたところ実験例5と同様に良好な電子写真特性が
得られた。When the produced light-receiving member was evaluated in the same manner as in Experimental Example 5, good electrophotographic characteristics were obtained as in Experimental Example 5.
【0244】すなわち、表面層のガス流量、支持体温度
および放電パワーを層厚方向に2段階で変化させた場合
においても、本発明の表面層の効果が得られ良好な電子
写真特性が得られることがわかった。That is, even when the gas flow rate of the surface layer, the temperature of the support and the discharge power are changed in two steps in the thickness direction, the effect of the surface layer of the present invention can be obtained, and good electrophotographic characteristics can be obtained. I understand.
【0245】[0245]
【表16】 実施例4 本例では、実施例3の表面層に変えて、フッ素原子を含
有させた表面層を設けた。表17に、このときの電子写
真用光受容部材の作製条件を示した。その他は実験例5
と同様にした。表面層の抵抗値を層厚方向、面方向を測
定した結果、層厚方向の抵抗値は7.76×1011Ωc
mで、面方向の抵抗値は8.52×1013Ωcmであっ
た。[Table 16] Example 4 In this example, a surface layer containing fluorine atoms was provided instead of the surface layer of Example 3. Table 17 shows the conditions for producing the electrophotographic light-receiving member at this time. Others are experimental example 5.
Same as. As a result of measuring the resistance value of the surface layer in the layer thickness direction and the plane direction, the resistance value in the layer thickness direction was 7.76 × 10 11 Ωc.
m, the resistance in the plane direction was 8.52 × 10 13 Ωcm.
【0246】表面層の表面層層厚方向の抵抗値に対する
該表面層の最表面の面方向の抵抗値の比が110であっ
た。The ratio of the resistance value in the surface direction of the outermost surface of the surface layer to the resistance value in the surface layer thickness direction of the surface layer was 110.
【0247】光導電層の物性は水素含有量は24.4原
子%で、Euは55.4meVであった。Regarding the physical properties of the photoconductive layer, the hydrogen content was 24.4 atomic%, and Eu was 55.4 meV.
【0248】作製した光受容部材を実験例5と同様の評
価をしたところ実験例5と同様に良好な電子写真特性が
得られた。すなわち、表面層にフッ素原子を含有させた
場合においても、本発明の表面層の効果が得られ良好な
電子写真特性が得られることがわかった。When the produced light-receiving member was evaluated in the same manner as in Experimental Example 5, good electrophotographic characteristics were obtained as in Experimental Example 5. That is, it was found that even when a fluorine atom was contained in the surface layer, the effect of the surface layer of the present invention was obtained and good electrophotographic characteristics were obtained.
【0249】[0249]
【表17】 実施例5 本例では、支持体と電荷注入阻止層との間に、支持体か
らの反射光による干渉模様の発生を防止するための光吸
収層としてIR吸収層を設けた。表18に、このときの
電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点は実
験例5と同様とした。[Table 17] Example 5 In this example, an IR absorption layer was provided between a support and a charge injection blocking layer as a light absorption layer for preventing generation of an interference pattern due to light reflected from the support. Table 18 shows the conditions for producing the electrophotographic light-receiving member at this time. Other points were the same as in Experimental Example 5.
【0250】表面層の抵抗値を層厚方向、面方向を測定
した結果、層厚方向の抵抗値は4.19×1012Ωcm
で、面方向の抵抗値は3.83×1014Ωcmであっ
た。表面層の表面層層厚方向の抵抗値に対する該表面層
の最表面の面方向の抵抗値の比が94.1であった。As a result of measuring the resistance value of the surface layer in the layer thickness direction and the surface direction, the resistance value in the layer thickness direction was 4.19 × 10 12 Ωcm.
The resistance value in the plane direction was 3.83 × 10 14 Ωcm. The ratio of the resistance in the surface direction of the outermost surface of the surface layer to the resistance in the thickness direction of the surface layer of the surface layer was 94.1.
【0251】光導電層の物性は水素含有量は24.9原
子%で、Euは54.1meVであった。The physical properties of the photoconductive layer were such that the hydrogen content was 24.9 atomic% and Eu was 54.1 meV.
【0252】作製した光受容部材を実験例5と同様の評
価をしたところ実験例5と同様に良好な電子写真特性が
得られた。When the produced light-receiving member was evaluated in the same manner as in Experimental Example 5, good electrophotographic characteristics were obtained as in Experimental Example 5.
【0253】すなわち、IR吸収層を設けた場合におい
ても、本発明の表面層の効果が得らの比が110であっ
た。That is, even when the IR absorption layer was provided, the ratio of obtaining the effect of the surface layer of the present invention was 110.
【0254】光導電層の物性は水素含有量は24.4原
子%で、Euは55.4meVであった。As for the physical properties of the photoconductive layer, the hydrogen content was 24.4 atomic%, and Eu was 55.4 meV.
【0255】作製した光受容部材を実験例5と同様の評
価をしたところ実験例5と同様に良好な電子写真特性が
得られた。When the produced light-receiving member was evaluated in the same manner as in Experimental Example 5, good electrophotographic characteristics were obtained as in Experimental Example 5.
【0256】すなわち、表面層にフッ素原子を含有させ
た場合においても、本発明の表面層の効果が得られ良好
な電子写真特性が得られることがわかった。That is, it was found that even when a fluorine atom was contained in the surface layer, the effect of the surface layer of the present invention was obtained, and good electrophotographic characteristics were obtained.
【0257】[0257]
【表18】 実施例5 本例では、支持体と電荷注入阻止層との間に、支持体か
らの反射光による干渉模様の発生を防止するための光吸
収層としてIR吸収層を設けた。表18に、このときの
電子写真用光受容部材の作製条件を示した。他の点は実
験例5と同様とした。[Table 18] Example 5 In this example, an IR absorption layer was provided between a support and a charge injection blocking layer as a light absorption layer for preventing generation of an interference pattern due to light reflected from the support. Table 18 shows the conditions for producing the electrophotographic light-receiving member at this time. Other points were the same as in Experimental Example 5.
【0258】表面層の抵抗値を層厚方向、面方向を測定
した結果、層厚方向の抵抗値は4.19×1012Ωcm
で、面方向の抵抗値は3.83×1014Ωcmであっ
た。As a result of measuring the resistance value of the surface layer in the layer thickness direction and the surface direction, the resistance value in the layer thickness direction was 4.19 × 10 12 Ωcm.
The resistance value in the plane direction was 3.83 × 10 14 Ωcm.
【0259】表面層の表面層層厚方向の抵抗値に対する
該表面層の最表面の面方向の抵抗値の比が94.1であ
った。The ratio of the resistance value in the surface direction of the outermost surface of the surface layer to the resistance value in the thickness direction of the surface layer of the surface layer was 94.1.
【0260】光導電層の物性は水素含有量は24.9原
子%で、Euは54.1meVであった。The physical properties of the photoconductive layer were such that the hydrogen content was 24.9 atomic% and Eu was 54.1 meV.
【0261】作製した光受容部材を実験例5と同様の評
価をしたところ実験例5と同様に良好な電子写真特性が
得られた。When the produced light-receiving member was evaluated in the same manner as in Experimental Example 5, good electrophotographic characteristics were obtained as in Experimental Example 5.
【0262】すなわち、IR吸収層を設けた場合におい
ても、本発明の表面層の効果が得られ良好な電子写真特
性が得られることがわかった。That is, it was found that even when the IR absorption layer was provided, the effect of the surface layer of the present invention was obtained, and good electrophotographic characteristics were obtained.
【0263】[0263]
【表19】 実施例6 本例では、電荷注入阻止層は削除し、光導電層として炭
素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含有する第1の
層領域と実質的に炭素原子を含まない第2の層領域と連
続して形成した。表19に、このときの電子写真用光受
容部材の作製条件を示した。他の点は実施例8と同様と
した。[Table 19] Example 6 In this example, the charge injection blocking layer was omitted, and the first layer region containing carbon atoms in a non-uniform distribution state in the layer thickness direction as the photoconductive layer and the second layer region containing substantially no carbon atoms. Was formed continuously with the layer region of FIG. Table 19 shows the conditions for producing the light receiving member for electrophotography at this time. Other points were the same as in Example 8.
【0264】作製した電子写真用光受容部材を実験例5
と同様の評価をしたところ実験例5と同様に良好な電子
写真特性が得られた。Experimental Example 5
When the same evaluation was made, good electrophotographic characteristics were obtained as in Experimental Example 5.
【0265】すなわち、電荷注入阻止層は削除し、光導
電層として炭素原子を層厚方向に不均一な分布状態で含
有する第1の層領域と実質的に炭素原子を含まない第2
の層領域と連続して形成した場合においても、本発明の
表面層の効果が得られ良好な電子写真特性が得られるこ
とがわかった。That is, the charge injection blocking layer is omitted, and the first layer region containing carbon atoms in a non-uniform distribution state in the layer thickness direction as the photoconductive layer and the second layer region containing substantially no carbon atoms are formed.
It was also found that the effect of the surface layer of the present invention was obtained and good electrophotographic characteristics were obtained even when the layer was formed continuously with the layer region.
【0266】[0266]
【表20】 実施例7 本例では、光導電層と表面層との間に、炭素原子の含有
量を表面層より減らした中間層(下部表面層)を設ける
と同時に、光導電層を、機能分離化して、電荷輸送層と
電荷発生層の2層化を図り設けた。表20にこのときの
電子写真用光受容部材の作製条件を示した。[Table 20] Example 7 In this example, an intermediate layer (lower surface layer) in which the content of carbon atoms was smaller than that of the surface layer was provided between the photoconductive layer and the surface layer. And a charge transport layer and a charge generation layer. Table 20 shows the conditions for producing the light receiving member for electrophotography at this time.
【0267】他の点は実験例5と同様とした。The other points were the same as in Experimental Example 5.
【0268】作製した電子写真用光受容部材を実験例5
と同様の評価をしたところ実験例5と同様に良好な電子
写真特性が得られた。Experimental Example 5
When the same evaluation was made, good electrophotographic characteristics were obtained as in Experimental Example 5.
【0269】すなわち、光導電層と表面層との間に、炭
素原子の含有量を表面層より減らした中間層(下部表面
層)を設けると同時に、光導電層を、機能分離化して、
電荷輸送層と電荷発生層の2層化を図り設けた場合にお
いても、本発明の表面層の効果が得られ良好な電子写真
特性が得られることがわかった。That is, an intermediate layer (lower surface layer) in which the content of carbon atoms is smaller than that of the surface layer is provided between the photoconductive layer and the surface layer.
It was found that even when the charge transport layer and the charge generation layer were provided in two layers, the effect of the surface layer of the present invention was obtained and good electrophotographic characteristics were obtained.
【0270】[0270]
【表21】 [Table 21]
【0271】[0271]
【発明の効果】以上説明したように、本発明は層厚方向
の抵抗値に対して、表方向の抵抗値が大きくなるように
表面層を設計することにより、磁気粉体をブラシとして
用いた帯電装置に対しての、帯電効率および帯電安定性
が大幅に向上し、帯電時の電荷が最表面でドリフトする
ことによる画像濃度の変化を低減することができた。As described above, according to the present invention, the magnetic powder is used as a brush by designing the surface layer so that the resistance in the surface direction is larger than the resistance value in the layer thickness direction. The charging efficiency and the charging stability of the charging device were greatly improved, and the change in image density due to the drift of the charge at the outermost surface during charging could be reduced.
【0272】また、最表面の面方向の抵抗が表面層層厚
方向の抵抗のおよそ10〜1000倍になるようにする
ことにより、画像濃度が薄くぼやけた領域がほとんど発
生することもなく、高湿環境下での画像流れの問題も改
善できた。By setting the resistance in the surface direction of the outermost surface to be about 10 to 1000 times the resistance in the thickness direction of the surface layer, almost no blurred area with a low image density is generated, The problem of image deletion in a humid environment was also improved.
【0273】また、安定性、耐久性が向上した本発明の
表面層により、さらに温度特性や電気的特性を向上させ
た新規な光受容部材を組み合わせることにより、夜間通
電無し、省エネルギー、高画質保持のまま、高湿画像流
れの除去が可能となった。Further, by combining a novel light-receiving member having further improved temperature characteristics and electric characteristics with the surface layer of the present invention having improved stability and durability, there is no power supply at night, energy saving, and high image quality retention. As a result, it was possible to remove the high humidity image flow.
【図1】本発明の帯電装置の配置、構成を説明するため
の模式的構成図である。(a)は断面図、(b)は正面
から見た図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram for explaining the arrangement and configuration of a charging device of the present invention. (A) is sectional drawing, (b) is the figure seen from the front.
【図2】本発明の帯電装置、画像形成装置の好適な実施
態様の一例の構成を説明するための模式的構成図であ
る。FIG. 2 is a schematic configuration diagram illustrating a configuration of an example of a preferred embodiment of a charging device and an image forming apparatus of the present invention.
【図3】本発明の画像形成装置用光受容部材の光受容層
を形成するための装置の一例で、RF帯の高周波を用い
たグロー放電法による画像形成装置用光受容部材の製造
装置の模式的説明図である。FIG. 3 is an example of an apparatus for forming a light receiving layer of a light receiving member for an image forming apparatus according to the present invention. It is a schematic explanatory view.
【図4】本発明の帯電部材の抵抗値および帯電効率の関
係を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the resistance value and the charging efficiency of the charging member of the present invention.
【図5】本発明の画像形成装置用光受容部材の好適な実
施態様例の層構成を説明するための模式的層構成図であ
る。FIG. 5 is a schematic layer configuration diagram for explaining a layer configuration of a preferred embodiment of the light receiving member for an image forming apparatus of the present invention.
【図6】本発明の電子写真用光受容部材における光導電
層のアーバックテイルの特性エネルギー(Eu)と温度
特性との関係を示す図である。FIG. 6 is a view showing the relationship between the characteristic energy (Eu) of the Urbach tail of the photoconductive layer and the temperature characteristic in the photoreceptor member for electrophotography of the present invention.
100 接触型帯電部材 101−1 磁気ブラシ層 101−2 多極磁性体(マグローラー) 102A スペーサー 103A 電子写真用光受容部材 102 電子写真用光受容部材 103 画像信号付与手段 104 現像スリーブ 105 転写紙供給系 106(a) 転写帯電器 106(b) 分離帯電器 107 クリーナー 108 搬送系 109 除電光源 110 ランプ 111 原稿台ガラス 112 原稿 113〜116 ミラー 117 レンスユニット 118 レンズ 119 (ペーパー)転写材ガイド 120 クリーニングブレード 121 レジストローラー 122 環境対策ヒーター P 転写材(コピー用紙等) 3100 堆積装置 3111 反応容器 3112 円筒状支持体 3113 支持体加熱用ヒーター 3114 原料ガス導入管 3115 マチングボックス 3116 原料ガス配管 3117 反応容器リークバルブ 3118 メイン排気バルブ 3119 真空計 3200 原料ガス供給装置 3211〜3216 マスフローコントローラ 3221〜3226 原料ガスボンベ 3231〜3236 原料ガスボンベバルブ 3241〜3246 ガス流入バルブ 3251〜3256 ガス流出バルブ 3261〜3266 圧力調整器 600 光受容部材 601 支持体 602 感光層 603 光導電層 604 表面層 605 中間層 606 電荷注入阻止層 607 電荷発生層 608 電荷輸送層 609 自由表面 図2について、さらに詳しく述べる。図2は複写機の画
像形成プロセスの一例を示す概略図であって、矢印X方
向に回転する、面状内面ヒーター122によって温度コ
ントロールされた、感光体102の周辺には、主帯電器
101、静電潜像形成部位103、現像器104、転写
紙供給系105、転写帯電器106(a)、分離帯電器
106(b)、クリーナー107、搬送系108、除電
光源109等が配設されている。以下、さらに具体例を
もって画像形成プロセスを説明すると、感光体102は
+6〜8kVの高電圧を印加した主帯電器101により
一様に帯電され、これに静電潜像形成部位、すなわちラ
ンプ110から発した光が原稿台ガラス111上に置か
れた原稿112に反射し、ミラー113,114,11
5を経由し、レンズユニット117のレンズ118によ
って結像され、ミラー116を経由し、導かれ投影され
た静電潜像が形成される。この潜像に現像器104から
ネガ極性トナーが供給されてトナー像となる。一方、転
写紙供給系105を通って、レジストローラ121によ
って先端タイミングを調整され、感光体方向に供給され
る転写材Pは+7〜8kVの高圧電圧を印加した転写帯
電器106(a)と感光体102の間隙において背面か
ら、トナーとは反対極性の正電界を与えられ、これによ
って感光体表面のネガ極性トナー像は転写材Pに転移す
る。12〜14kVp−p、300〜600Hzの高圧
AC電圧を印加した分離帯電器106(b)により、転
写材Pは転写紙搬送系108を通って定着装置124に
至り、トナー像は定着されて装置外に排出される。感光
体101上に残留するトナーはクリナーユニット107
のクリーニングブレード120によってかき落され、残
留する静電潜像は除電光源109によって消去される。REFERENCE SIGNS LIST 100 contact type charging member 101-1 magnetic brush layer 101-2 multipolar magnetic body (mag roller) 102A spacer 103A electrophotographic light receiving member 102 electrophotographic light receiving member 103 image signal applying means 104 developing sleeve 105 transfer paper supply System 106 (a) Transfer charger 106 (b) Separation charger 107 Cleaner 108 Transport system 109 Static elimination light source 110 Lamp 111 Platen glass 112 Document 113-116 Mirror 117 Lens unit 118 Lens 119 (Paper) Transfer material guide 120 Cleaning blade Reference Signs List 121 registration roller 122 environmental heater P transfer material (copy paper etc.) 3100 deposition device 3111 reaction vessel 3112 cylindrical support 3113 support heating heater 3114 raw material gas introduction pipe 3115 machin Gas box 3116 raw material gas pipe 3117 reaction vessel leak valve 3118 main exhaust valve 3119 vacuum gauge 3200 raw material gas supply device 3211-216 mass flow controller 3221-226 raw material gas cylinder 3231-236 raw material gas cylinder valve 3241-3246 gas inflow valve 3251-256 gas outflow Valves 3261 to 3266 Pressure regulator 600 Light receiving member 601 Support 602 Photosensitive layer 603 Photoconductive layer 604 Surface layer 605 Intermediate layer 606 Charge injection blocking layer 607 Charge generation layer 608 Charge transport layer 609 Free surface FIG. . FIG. 2 is a schematic view showing an example of an image forming process of a copying machine, in which a main charging device 101 is provided around a photoreceptor 102 which is controlled in temperature by a planar inner surface heater 122 rotating in an arrow X direction. An electrostatic latent image forming portion 103, a developing device 104, a transfer paper supply system 105, a transfer charger 106 (a), a separation charger 106 (b), a cleaner 107, a transport system 108, a static elimination light source 109 and the like are provided. I have. Hereinafter, the image forming process will be described with reference to a specific example. The photoconductor 102 is uniformly charged by the main charger 101 to which a high voltage of +6 to 8 kV is applied. The emitted light is reflected by a document 112 placed on a platen glass 111, and mirrors 113, 114, and 11
5, an image is formed by the lens 118 of the lens unit 117, and the image is guided and projected by the mirror 116 to form an electrostatic latent image. The negative polarity toner is supplied from the developing device 104 to the latent image to form a toner image. On the other hand, the leading end timing is adjusted by the registration roller 121 through the transfer paper supply system 105, and the transfer material P supplied in the direction of the photoconductor is exposed to the transfer charger 106 (a) to which a high voltage of +7 to 8 kV is applied. A positive electric field having a polarity opposite to that of the toner is applied from the back surface in the gap of the body 102, whereby the negative polarity toner image on the surface of the photoconductor is transferred to the transfer material P. The transfer material P reaches the fixing device 124 through the transfer paper transport system 108 by the separation charger 106 (b) to which a high AC voltage of 12 to 14 kVp-p and 300 to 600 Hz is applied, and the toner image is fixed. It is discharged outside. The toner remaining on the photoconductor 101 is transferred to the cleaner unit 107.
The remaining electrostatic latent image scraped off by the cleaning blade 120 is erased by the charge eliminating light source 109.
Claims (12)
構成された光導電層と、シリコン原子、炭素原子の少な
くとも一方を母体とした表面層とを有する電子写真用光
受容部材において、該表面層の層厚方向の抵抗値に対し
て、該表面層の最表面の面方向の抵抗値が大きいことを
特徴とする電子写真用光受容部材。1. An electrophotographic light-receiving member having at least a photoconductive layer made of a non-single-crystal silicon-based material and a surface layer containing at least one of silicon atoms and carbon atoms as a host material. A light-receiving member for electrophotography, wherein the resistance value in the surface direction of the outermost surface of the surface layer is larger than the resistance value in the layer thickness direction.
対する該表面層の最表面の面方向の抵抗値の比が10〜
1000であることを特徴とする請求項1に記載の電子
写真用光受容部材。2. A method according to claim 1, wherein the ratio of the resistance in the surface direction of the outermost surface of the surface layer to the resistance in the thickness direction of the surface layer of the surface layer is 10 to 10.
The light receiving member for electrophotography according to claim 1, wherein the number is 1,000.
010〜5×1013Ωcmであることを特徴とする請求項
1に記載の電子写真用光受容部材。3. The resistance of the surface layer in the thickness direction is 1 × 1.
2. The light receiving member for electrophotography according to claim 1, wherein the light receiving member has a value of 0 10 to 5 × 10 13 Ωcm.
1×1012〜2×1015Ωcmであることを特徴とする
請求項1に記載の電子写真用光受容部材。4. The electrophotographic light-receiving member according to claim 1, wherein the outermost surface of the surface layer has a surface resistance of 1 × 10 12 to 2 × 10 15 Ωcm.
原子を含有し、該光導電層の少なくとも光の入射する部
分における光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の
特性エネルギーが50meV以上60meV以下である
ことを特徴とする請求項1に記載の電子写真用光受容部
材。5. The photoconductive layer contains 10 to 30 atomic% of hydrogen atoms, and characteristic energy of an exponential function tail obtained from a light absorption spectrum in at least a part of the photoconductive layer where light is incident is 50 meV or more and 60 meV. The electrophotographic light-receiving member according to claim 1, wherein:
たは第Vb族に属する元素の少なくとも一つを含むこと
を特徴とする請求項5に記載の電子写真用光受容部材。6. The light-receiving member for electrophotography according to claim 5, wherein the photoconductive layer contains at least one element belonging to Group IIIb or Vb of the periodic table.
なくとも一つを含むことを特徴とする請求項5または6
に記載の電子写真用光受容部材。7. The photoconductive layer contains at least one of carbon, oxygen, and nitrogen.
3. The light receiving member for electrophotography according to item 1.
る非単結晶材料から成る光導電層と、該光導電層の表面
上に設けた、炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを含む
シリコン系非単結晶材料から成る表面層とから構成され
ることを特徴とする請求項5乃至6のいずれか1項に記
載の電子写真用光受容部材。8. A photoconductive layer in which the light receiving layer is made of a non-single-crystal material containing silicon atoms as a base, and silicon containing at least one of carbon, oxygen and nitrogen provided on a surface of the photoconductive layer. The electrophotographic light-receiving member according to any one of claims 5 to 6, comprising a surface layer made of a system non-single-crystal material.
し炭素、酸素、窒素の少なくとも一つおよび周期律表第
III b族または第Vb族から選ばれる元素の少なくとも
一つを含む非単結晶材料から成る電荷注入阻止層と、該
電荷注入阻止層の表面上に設けた、シリコン原子を母体
とする非単結晶材料から成る光導電層と、該光導電層の
表面上に設けた、炭素、酸素、窒素の少なくとも一つを
含むシリコン系非単結晶材料から成る表面層とから構成
されることを特徴とする請求項5乃至6のいずれか1項
に記載の電子写真用光受容部材。9. The light-receiving layer according to claim 1, wherein the light-receiving layer has a silicon atom as a host and at least one of carbon, oxygen, and nitrogen, and
III A charge injection blocking layer made of a non-single crystal material containing at least one element selected from Group b or Group Vb, and a non-single crystal based on silicon atoms provided on the surface of the charge injection blocking layer A photoconductive layer made of a material, and a surface layer made of a silicon-based non-single-crystal material containing at least one of carbon, oxygen, and nitrogen provided on the surface of the photoconductive layer. The light-receiving member for electrophotography according to claim 5.
である請求項1乃至9のいずれか1項に記載の電子写真
用光受容部材。10. The photoconductive layer has a thickness of 20 to 50 μm.
The light receiving member for electrophotography according to claim 1, wherein:
する円筒状の帯電部材に電圧を印加し、該磁性粉体を像
担持体であるところの電子写真用光受容部材に接触させ
て帯電し、該電子写真用光受容部材上に静電潜像を形成
し、これをトナーによって顕画像化する画像形成装置に
おいて、 該電子写真用光受容部材として請求項1乃至10項いず
れか1項に記載の電子写真光受容部材を用いることを特
徴とする画像形成装置。11. A voltage is applied to a cylindrical charging member having at least a multipolar magnetic material and a magnetic powder, and the magnetic powder is charged by contacting the magnetic powder with an electrophotographic light receiving member as an image carrier. 11. An image forming apparatus for forming an electrostatic latent image on the electrophotographic light receiving member and visualizing the electrostatic latent image with toner, wherein the electrophotographic light receiving member is any one of claims 1 to 10. An image forming apparatus, comprising the electrophotographic light-receiving member according to claim 1.
する円筒状の帯電部材に電圧を印加し、該磁性粉体を像
担持体であるところの電子写真用光受容部材に接触させ
て帯電し、該電子写真用光受容部材上に静電潜像を形成
し、これをトナーによって顕画像化する画像形成方法に
おいて、 該電子写真用光受容部材が請求項1乃至10項いずれか
1項に記載光受容部材であることを特徴とする画像形成
方法。12. A voltage is applied to a cylindrical charging member having at least a multipolar magnetic material and a magnetic powder, and the magnetic powder is charged by contacting the magnetic powder with an electrophotographic light receiving member as an image carrier. 11. An image forming method for forming an electrostatic latent image on the light receiving member for electrophotography and visualizing the electrostatic latent image with toner, wherein the light receiving member for electrophotography is any one of claims 1 to 10. 3. The image forming method according to claim 1, wherein the light receiving member is a light receiving member.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23210096A JPH1073941A (en) | 1996-09-02 | 1996-09-02 | Image forming device, image forming method, and electrophotographic photoreceptive member |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP23210096A JPH1073941A (en) | 1996-09-02 | 1996-09-02 | Image forming device, image forming method, and electrophotographic photoreceptive member |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1073941A true JPH1073941A (en) | 1998-03-17 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23210096A Pending JPH1073941A (en) | 1996-09-02 | 1996-09-02 | Image forming device, image forming method, and electrophotographic photoreceptive member |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1073941A (en) |
-
1996
- 1996-09-02 JP JP23210096A patent/JPH1073941A/en active Pending
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