JPH1065467A - フィルタ付き低雑音増幅器 - Google Patents
フィルタ付き低雑音増幅器Info
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- JPH1065467A JPH1065467A JP8220940A JP22094096A JPH1065467A JP H1065467 A JPH1065467 A JP H1065467A JP 8220940 A JP8220940 A JP 8220940A JP 22094096 A JP22094096 A JP 22094096A JP H1065467 A JPH1065467 A JP H1065467A
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- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2053—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities the coaxial cavity resonators being disposed parall to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/602—Combinations of several amplifiers
- H03F3/604—Combinations of several amplifiers using FET's
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier
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- Power Engineering (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 雑音指数を改善し低コストを実現するため、
アイソレータを用いないフィルタ付き低雑音増幅器を提
供する。 【解決手段】 入力端子１０１とフィルタ１３１の一端
子を接続する。フィルタ１３１の他端子と第１の３ｄＢ
ハイブリッド回路１０３を接続する。第１の３ｄＢハイ
ブリッド回路１０３をそれぞれ第１の増幅回路１０５、
第２の増幅回路１０６と接続する。そして、第１の増幅
回路１０５と第２の増幅回路１０６をそれぞれ第２の３
ｄＢハイブリッド回路１０４と接続する。第２の３ｄＢ
ハイブリッド回路１０４と出力端子１０２を接続する。
第１の３ｄＢハイブリッド回路１０３、第２の３ｄＢハ
イブリッド回路１０４のそれぞれ一端子は終端抵抗１１
３、１１４を介して接地する。
アイソレータを用いないフィルタ付き低雑音増幅器を提
供する。 【解決手段】 入力端子１０１とフィルタ１３１の一端
子を接続する。フィルタ１３１の他端子と第１の３ｄＢ
ハイブリッド回路１０３を接続する。第１の３ｄＢハイ
ブリッド回路１０３をそれぞれ第１の増幅回路１０５、
第２の増幅回路１０６と接続する。そして、第１の増幅
回路１０５と第２の増幅回路１０６をそれぞれ第２の３
ｄＢハイブリッド回路１０４と接続する。第２の３ｄＢ
ハイブリッド回路１０４と出力端子１０２を接続する。
第１の３ｄＢハイブリッド回路１０３、第２の３ｄＢハ
イブリッド回路１０４のそれぞれ一端子は終端抵抗１１
３、１１４を介して接地する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として自動車電
話や携帯電話などの移動体通信システムの基地局に使用
するフィルタ付き低雑音増幅器に関するものである。
話や携帯電話などの移動体通信システムの基地局に使用
するフィルタ付き低雑音増幅器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話など移動体通信の急速な
普及により移動体通信基地局の需要が増加しており、そ
れにともなってそこで用いられる低雑音増幅器の高性能
化、低価格化が要求されている。
普及により移動体通信基地局の需要が増加しており、そ
れにともなってそこで用いられる低雑音増幅器の高性能
化、低価格化が要求されている。
【０００３】以下に図面を参照しながら、従来のフィル
タ付き低雑音増幅器の一例について説明する。
タ付き低雑音増幅器の一例について説明する。
【０００４】図１２は従来のフィルタ付き低雑音増幅器
のブロック図を示すものである。図１２において、６０
１は入力端子、６０２は出力端子、６０３はフィルタ、
６０４はアイソレータ、６０５は入力側整合回路、６０
６は増幅素子、６０７は出力側整合回路である。以下そ
の動作について説明する。
のブロック図を示すものである。図１２において、６０
１は入力端子、６０２は出力端子、６０３はフィルタ、
６０４はアイソレータ、６０５は入力側整合回路、６０
６は増幅素子、６０７は出力側整合回路である。以下そ
の動作について説明する。
【０００５】基地局共用器中で用いられる低雑音増幅器
は、低雑音特性を必要とするため、入力側整合回路は雑
音指数が最小となるように設計される。一方、この低雑
音増幅器は、普通は入力側にアンテナ共用器を接続して
用いられるため、アンテナ共用器中のフィルタの特性を
出すには、フィルタと増幅器との間でインピーダンス整
合がとれていることが必要である。そこでフィルタ６０
３と入力側整合回路６０５との間にアイソレータ６０４
を挿入する。この回路構成を用いることにより、入力端
子６０１においてはインピーダンス整合が成立し、かつ
増幅素子６０６の入力側においては、雑音指数整合が成
立する。
は、低雑音特性を必要とするため、入力側整合回路は雑
音指数が最小となるように設計される。一方、この低雑
音増幅器は、普通は入力側にアンテナ共用器を接続して
用いられるため、アンテナ共用器中のフィルタの特性を
出すには、フィルタと増幅器との間でインピーダンス整
合がとれていることが必要である。そこでフィルタ６０
３と入力側整合回路６０５との間にアイソレータ６０４
を挿入する。この回路構成を用いることにより、入力端
子６０１においてはインピーダンス整合が成立し、かつ
増幅素子６０６の入力側においては、雑音指数整合が成
立する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、インピーダンス整合と雑音指数整合とを
両立させるにはアイソレータを必要とする。アイソレー
タは低雑音増幅器の入力側に挿入されるため、アイソレ
ータの挿入損失がそのまま回路の雑音指数を劣化させ
る。また、アイソレータは非常に高価で、低コストを実
現するには大きな問題となる。
うな構成では、インピーダンス整合と雑音指数整合とを
両立させるにはアイソレータを必要とする。アイソレー
タは低雑音増幅器の入力側に挿入されるため、アイソレ
ータの挿入損失がそのまま回路の雑音指数を劣化させ
る。また、アイソレータは非常に高価で、低コストを実
現するには大きな問題となる。
【０００７】本発明は上記問題点に鑑み、アイソレータ
を用いることなくインピーダンス整合と雑音指数整合を
両立するフィルタ付き低雑音増幅器を提供することを目
的とする。
を用いることなくインピーダンス整合と雑音指数整合を
両立するフィルタ付き低雑音増幅器を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明のフィルタ付き低雑音増幅器は、２つの増幅
回路を並列に配置し、その入出力側にそれぞれ３ｄＢハ
イブリッド回路を接続し、入力側に接続した３ｄＢハイ
ブリッド回路の入力端子の一端にフィルタを接続した構
成にしたものである。
めに本発明のフィルタ付き低雑音増幅器は、２つの増幅
回路を並列に配置し、その入出力側にそれぞれ３ｄＢハ
イブリッド回路を接続し、入力側に接続した３ｄＢハイ
ブリッド回路の入力端子の一端にフィルタを接続した構
成にしたものである。
【０００９】
（実施の形態１）以下本発明の実施の形態１のフィルタ
付き低雑音増幅器について、その構造を図面を参照しな
がら説明する。
付き低雑音増幅器について、その構造を図面を参照しな
がら説明する。
【００１０】図１は本発明の実施の形態１におけるフィ
ルタ付き低雑音増幅器のブロック図、図２は本発明の実
施の形態１におけるフィルタ付き低雑音増幅器の回路図
を示すものである。
ルタ付き低雑音増幅器のブロック図、図２は本発明の実
施の形態１におけるフィルタ付き低雑音増幅器の回路図
を示すものである。
【００１１】図１において、１０１は入力端子、１０２
は出力端子、１０３、１０４は３ｄＢハイブリッド回
路、１０５、１０６は増幅回路、１３１はフィルタであ
る。第１の増幅回路１０５は、入力側整合回路１０７と
増幅素子１０８と出力側整合回路１０９の縦続接続によ
り構成されている。同様に、第２の増幅回路１０６は入
力側整合回路１１０と増幅素子１１１と出力側整合回路
１１２の縦続接続により構成されている。３ｄＢハイブ
リッド回路の端子番号を図３に示すとおりに定義する。
は出力端子、１０３、１０４は３ｄＢハイブリッド回
路、１０５、１０６は増幅回路、１３１はフィルタであ
る。第１の増幅回路１０５は、入力側整合回路１０７と
増幅素子１０８と出力側整合回路１０９の縦続接続によ
り構成されている。同様に、第２の増幅回路１０６は入
力側整合回路１１０と増幅素子１１１と出力側整合回路
１１２の縦続接続により構成されている。３ｄＢハイブ
リッド回路の端子番号を図３に示すとおりに定義する。
【００１２】図２を用いて、本発明の実施の形態１で用
いられるフィルタ１３１の回路構成を説明する。入力端
子１０１と誘電体共振器１４１を結合コンデンサ１５１
を介して接続し、誘電体共振器１４１と誘電体共振器１
４２を結合コンデンサ１５２を介して接続し、誘電体共
振器１４２と誘電体共振器１４３を結合コンデンサ１５
３を介して接続し、誘電体共振器１４３と誘電体共振器
１４４を結合コンデンサ１５４を介して接続し、誘電体
共振器１４４と誘電体共振器１４５を結合コンデンサ１
５５を介して接続し、誘電体共振器１４５と誘電体共振
器１４６を結合コンデンサ１５６、１５７を介して接続
し、結合コンデンサ１５６と１５７の接続部より出力端
子１３４を出している構成になっている。例えば、フィ
ルタ１３１の入出力インピーダンスは５０Ωになってい
る。
いられるフィルタ１３１の回路構成を説明する。入力端
子１０１と誘電体共振器１４１を結合コンデンサ１５１
を介して接続し、誘電体共振器１４１と誘電体共振器１
４２を結合コンデンサ１５２を介して接続し、誘電体共
振器１４２と誘電体共振器１４３を結合コンデンサ１５
３を介して接続し、誘電体共振器１４３と誘電体共振器
１４４を結合コンデンサ１５４を介して接続し、誘電体
共振器１４４と誘電体共振器１４５を結合コンデンサ１
５５を介して接続し、誘電体共振器１４５と誘電体共振
器１４６を結合コンデンサ１５６、１５７を介して接続
し、結合コンデンサ１５６と１５７の接続部より出力端
子１３４を出している構成になっている。例えば、フィ
ルタ１３１の入出力インピーダンスは５０Ωになってい
る。
【００１３】次に、図２を用いて本発明の実施の形態１
におけるフィルタ付き低雑音増幅器の回路構成を説明す
る。入力端子１０１とフィルタ１３１の一端を接続し、
フィルタ１３１の他端と第１の３ｄＢハイブリッド回路
１０３の第１の端子を接続し、第１の３ｄＢハイブリッ
ド回路１０３の第３の端子を第１の入力側整合回路１０
７を介して第１の増幅回路用増幅素子１０８の入力側と
接続し、第１の３ｄＢハイブリッド回路１０３の第４の
端子を第２の入力側整合回路１１０を介して第２の増幅
回路用増幅素子１１１の入力側と接続し、第１の増幅回
路用増幅素子１０８の出力側を第１の出力側整合回路１
０９を介して第２の３ｄＢハイブリッド回路１０４の第
１の端子を接続し、第２の増幅回路用増幅素子１１１の
出力側を第２の出力側整合回路１１２を介して第２の３
ｄＢハイブリッド回路１０４の第２の端子を接続し、第
２の３ｄＢハイブリッド回路１０４の第４の端子と出力
端子１０２を接続する。第１の３ｄＢハイブリッド回路
１０３の第２の端子は終端抵抗１１３を介して、第２の
３ｄＢハイブリッド回路１０４の第３の端子は終端抵抗
１１４を介してそれぞれ接地する。
におけるフィルタ付き低雑音増幅器の回路構成を説明す
る。入力端子１０１とフィルタ１３１の一端を接続し、
フィルタ１３１の他端と第１の３ｄＢハイブリッド回路
１０３の第１の端子を接続し、第１の３ｄＢハイブリッ
ド回路１０３の第３の端子を第１の入力側整合回路１０
７を介して第１の増幅回路用増幅素子１０８の入力側と
接続し、第１の３ｄＢハイブリッド回路１０３の第４の
端子を第２の入力側整合回路１１０を介して第２の増幅
回路用増幅素子１１１の入力側と接続し、第１の増幅回
路用増幅素子１０８の出力側を第１の出力側整合回路１
０９を介して第２の３ｄＢハイブリッド回路１０４の第
１の端子を接続し、第２の増幅回路用増幅素子１１１の
出力側を第２の出力側整合回路１１２を介して第２の３
ｄＢハイブリッド回路１０４の第２の端子を接続し、第
２の３ｄＢハイブリッド回路１０４の第４の端子と出力
端子１０２を接続する。第１の３ｄＢハイブリッド回路
１０３の第２の端子は終端抵抗１１３を介して、第２の
３ｄＢハイブリッド回路１０４の第３の端子は終端抵抗
１１４を介してそれぞれ接地する。
【００１４】本実施の形態で用いているフィルタの構造
を図４に示す上面図を用いて説明する。なお、図４に示
す回路は図２のフィルタ部回路の構造図であるので、同
一構成部分には同一番号を付してある。図４において、
２０１はアルミナ基板、２２１〜２２６は接続金具、３
０１はシールド、接地用筐体、３０２、３０３は仕切
り、３０４は共振器接地用カバーであり、例えば３０１
〜３０４は銅メッキの上に銀メッキを施した鉄を用い
る。また、誘電体共振器１４１〜１４６には先端開放円
筒型誘電体同軸共振器を用い、結合コンデンサ１５１〜
１５７にはアルミナ基板２０１に銅パターン２１１〜２
１８で形成したコンデンサを用い、入力端子１０１には
Ｎ型コネクタを用いる。また、誘電体共振器の外導体の
アースを強くとるため、また外部電磁界からのシールド
をしっかりとするために、図５に示すような上蓋３１１
をかぶせる構造にする。
を図４に示す上面図を用いて説明する。なお、図４に示
す回路は図２のフィルタ部回路の構造図であるので、同
一構成部分には同一番号を付してある。図４において、
２０１はアルミナ基板、２２１〜２２６は接続金具、３
０１はシールド、接地用筐体、３０２、３０３は仕切
り、３０４は共振器接地用カバーであり、例えば３０１
〜３０４は銅メッキの上に銀メッキを施した鉄を用い
る。また、誘電体共振器１４１〜１４６には先端開放円
筒型誘電体同軸共振器を用い、結合コンデンサ１５１〜
１５７にはアルミナ基板２０１に銅パターン２１１〜２
１８で形成したコンデンサを用い、入力端子１０１には
Ｎ型コネクタを用いる。また、誘電体共振器の外導体の
アースを強くとるため、また外部電磁界からのシールド
をしっかりとするために、図５に示すような上蓋３１１
をかぶせる構造にする。
【００１５】また、図２において例えば３ｄＢハイブリ
ッド回路１０３、１０４には図６に示すようなテフロン
基板上に形成された分布定数線路を用い、増幅素子１０
８、１１１にはＧａＡｓＦＥＴを用い、整合回路１０
７、１０９、１１０、１１２にはコイルとコンデンサで
構成された回路を用いる。第１の入力側整合回路１０７
と第２の入力側整合回路１１０は同一の回路構成とし、
同様に第１の出力側整合回路１０８と第２の出力側整合
回路１１１も同一の回路構成とする。
ッド回路１０３、１０４には図６に示すようなテフロン
基板上に形成された分布定数線路を用い、増幅素子１０
８、１１１にはＧａＡｓＦＥＴを用い、整合回路１０
７、１０９、１１０、１１２にはコイルとコンデンサで
構成された回路を用いる。第１の入力側整合回路１０７
と第２の入力側整合回路１１０は同一の回路構成とし、
同様に第１の出力側整合回路１０８と第２の出力側整合
回路１１１も同一の回路構成とする。
【００１６】以上のように構成されたフィルタ付き低雑
音増幅器について、その動作を説明する。
音増幅器について、その動作を説明する。
【００１７】移動体通信用基地局で用いられる受信系増
幅器は低雑音特性を要求されるため、入力側整合回路は
雑音指数が最小となるように設計される。一方、このよ
うな受信系増幅器は、通常は入力側にアンテナ共用器を
接続して用いられる。そのため、アンテナ共用器中のフ
ィルタの特性を出すには、フィルタと増幅器との間でイ
ンピーダンス整合がとれている必要がある。つまり、イ
ンピーダンス整合と雑音指数整合が両立していなければ
ならない。
幅器は低雑音特性を要求されるため、入力側整合回路は
雑音指数が最小となるように設計される。一方、このよ
うな受信系増幅器は、通常は入力側にアンテナ共用器を
接続して用いられる。そのため、アンテナ共用器中のフ
ィルタの特性を出すには、フィルタと増幅器との間でイ
ンピーダンス整合がとれている必要がある。つまり、イ
ンピーダンス整合と雑音指数整合が両立していなければ
ならない。
【００１８】本実施の形態の回路においては、第１の３
ｄＢハイブリッド回路１０３の端子３、４においては雑
音指数整合はとれているが、インピーダンス整合はとれ
ておらず、そのためそれぞれそこで反射波が生じる。し
かし、第１の３ｄＢハイブリッド回路１０３の端子３、
４において生じた反射波は全て端子２へ流れ、入力端子
である端子１へは流れない。そのため３ｄＢハイブリッ
ド回路の端子１から見るとインピーダンス整合がとれて
いることになる。本実施の形態の回路では、フィルタの
性能も低雑音増幅器の性能も劣化していない。すなわち
アイソレータを用いることなく、インピーダンス整合と
雑音指数整合が両立したフィルタ付き低雑音増幅器を実
現している。
ｄＢハイブリッド回路１０３の端子３、４においては雑
音指数整合はとれているが、インピーダンス整合はとれ
ておらず、そのためそれぞれそこで反射波が生じる。し
かし、第１の３ｄＢハイブリッド回路１０３の端子３、
４において生じた反射波は全て端子２へ流れ、入力端子
である端子１へは流れない。そのため３ｄＢハイブリッ
ド回路の端子１から見るとインピーダンス整合がとれて
いることになる。本実施の形態の回路では、フィルタの
性能も低雑音増幅器の性能も劣化していない。すなわち
アイソレータを用いることなく、インピーダンス整合と
雑音指数整合が両立したフィルタ付き低雑音増幅器を実
現している。
【００１９】本実施の形態におけるフィルタ付き低雑音
増幅器の雑音指数特性と従来例におけるフィルタ付き低
雑音増幅器の雑音指数特性を（表１）に示す。
増幅器の雑音指数特性と従来例におけるフィルタ付き低
雑音増幅器の雑音指数特性を（表１）に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】（表１）から明らかなように本実施の形態
における雑音指数特性は従来例における雑音指数特性に
比較して優れている。
における雑音指数特性は従来例における雑音指数特性に
比較して優れている。
【００２２】以上のように本実施の形態によれば、並列
に配置された２つの増幅回路と、その入力側、出力側に
それぞれ３ｄＢハイブリッド回路を接続した回路構成を
用いることにより、アイソレータを用いることなく、イ
ンピーダンス整合と雑音指数整合を満足するフィルタ付
き低雑音増幅器を構成することができ、アイソレータを
用いたフィルタ付き低雑音増幅器よりも優れた雑音指数
特性を有するフィルタ付き低雑音増幅器を構成すること
ができる。アイソレータを用いないということは、その
分の低コスト化を図ることができる。また、増幅回路に
用いる増幅素子にＧａＡｓＦＥＴを用いることや、３ｄ
Ｂハイブリッド回路１０３、１０４にテフロン基板を用
いた分布定数線路を用いることにより、低雑音特性を実
現している。さらに、増幅回路を並列接続構成とするこ
とにより、低歪み特性も実現することができる。
に配置された２つの増幅回路と、その入力側、出力側に
それぞれ３ｄＢハイブリッド回路を接続した回路構成を
用いることにより、アイソレータを用いることなく、イ
ンピーダンス整合と雑音指数整合を満足するフィルタ付
き低雑音増幅器を構成することができ、アイソレータを
用いたフィルタ付き低雑音増幅器よりも優れた雑音指数
特性を有するフィルタ付き低雑音増幅器を構成すること
ができる。アイソレータを用いないということは、その
分の低コスト化を図ることができる。また、増幅回路に
用いる増幅素子にＧａＡｓＦＥＴを用いることや、３ｄ
Ｂハイブリッド回路１０３、１０４にテフロン基板を用
いた分布定数線路を用いることにより、低雑音特性を実
現している。さらに、増幅回路を並列接続構成とするこ
とにより、低歪み特性も実現することができる。
【００２３】なお、本実施の形態において、３ｄＢハイ
ブリッド回路１０３、１０４を図６に示すようなテフロ
ン基板を用いた分布定数線路で構成したが、これを他の
基板を用いた分布定数線路や、あるいは図７に示す集中
定数素子や、集積化されたチップ３ｄＢハイブリッドで
構成しても構わない。誘電率が高い基板上に分布定数線
路で３ｄＢハイブリッド回路を構成することや、集中定
数素子や集積化されたチップ３ｄＢハイブリッドを用い
ることにより、さらに回路の小型化を図ることができ
る。また、第１の３ｄＢハイブリッド回路に低損失な基
板上に構成された回路を用いることにより、雑音指数特
性のさらなる改善を図ることができる。また、これらを
組み合わせて、第１の３ｄＢハイブリッド回路に低損失
な回路を用い、第２の３ｄＢハイブリッド回路に集積化
されたチップ３ｄＢハイブリッドを用いることにより、
雑音指数特性の改善と、回路の小型化の両方を図ること
ができる。
ブリッド回路１０３、１０４を図６に示すようなテフロ
ン基板を用いた分布定数線路で構成したが、これを他の
基板を用いた分布定数線路や、あるいは図７に示す集中
定数素子や、集積化されたチップ３ｄＢハイブリッドで
構成しても構わない。誘電率が高い基板上に分布定数線
路で３ｄＢハイブリッド回路を構成することや、集中定
数素子や集積化されたチップ３ｄＢハイブリッドを用い
ることにより、さらに回路の小型化を図ることができ
る。また、第１の３ｄＢハイブリッド回路に低損失な基
板上に構成された回路を用いることにより、雑音指数特
性のさらなる改善を図ることができる。また、これらを
組み合わせて、第１の３ｄＢハイブリッド回路に低損失
な回路を用い、第２の３ｄＢハイブリッド回路に集積化
されたチップ３ｄＢハイブリッドを用いることにより、
雑音指数特性の改善と、回路の小型化の両方を図ること
ができる。
【００２４】（実施の形態２）以下本発明の実施の形態
２のフィルタ付き低雑音増幅器について、図面を参照し
ながら説明する。
２のフィルタ付き低雑音増幅器について、図面を参照し
ながら説明する。
【００２５】図８は本発明の実施の形態２におけるフィ
ルタ付き低雑音増幅器のブロック図、図９は本発明の実
施の形態２におけるフィルタ付き低雑音増幅器の回路図
を示すものである。
ルタ付き低雑音増幅器のブロック図、図９は本発明の実
施の形態２におけるフィルタ付き低雑音増幅器の回路図
を示すものである。
【００２６】図８において１３２はアンテナ共用器、１
３３は送信に接続する端子である。図１に示す第１の実
施の形態のブロック図と同一構成部分には同一番号を用
いてある。本実施の形態において第１の実施の形態と異
なる点は、第１の実施の形態の回路において用いられて
いたフィルタの代わりにアンテナ共用器１３２を接続し
ている点である。
３３は送信に接続する端子である。図１に示す第１の実
施の形態のブロック図と同一構成部分には同一番号を用
いてある。本実施の形態において第１の実施の形態と異
なる点は、第１の実施の形態の回路において用いられて
いたフィルタの代わりにアンテナ共用器１３２を接続し
ている点である。
【００２７】図９を用いて、本発明の実施の形態２にお
けるフィルタ付き低雑音増幅器中のアンテナ共用器１３
２の回路構成を説明する。１４１〜１４６は受信フィル
タの誘電体共振器、１５１〜１５７は受信フィルタの結
合コンデンサ、１６１〜１６６は送信フィルタの誘電体
共振器、１７１〜１７７は送信フィルタの結合コンデン
サ、１８１〜１８３は送信フィルタで用いるインダク
タ、１８４〜１８７は送信フィルタで用いるコンデンサ
である。端子１０１から送信フィルタと受信フィルタが
接続されている。送信フィルタ部分の構成は、入力端子
１０１から接地コンデンサ１８４〜１８７と直列インダ
クタ１８１〜１８３が交互に接続された構成の回路と結
合コンデンサ１７１を介して、誘電体共振器１６１を接
続する。誘電体共振器１６１と誘電体共振器１６２を結
合コンデンサ１７１と１７２を介して接続し、誘電体共
振器１６２と誘電体共振器１６３を結合コンデンサ１７
３を介して接続し、誘電体共振器１６３と誘電体共振器
１６４を結合コンデンサ１７４を介して接続し、誘電体
共振器１６４と誘電体共振器１６５を結合コンデンサ１
７５を介して接続し、誘電体共振器１６５と誘電体共振
器１６６を結合コンデンサ１７６を介して接続し、誘電
体共振器１６６と端子１３３を結合コンデンサ１７７を
介して接続する。端子１３３は、例えば５０Ω系の回路
に接続されているか、あるいは５０Ω整合終端されてい
る。受信フィルタ部分の構成は本発明の実施の形態１で
ある図２の構成と同様である。例えば、各端子の入出力
インピーダンスは５０Ωとなっている。
けるフィルタ付き低雑音増幅器中のアンテナ共用器１３
２の回路構成を説明する。１４１〜１４６は受信フィル
タの誘電体共振器、１５１〜１５７は受信フィルタの結
合コンデンサ、１６１〜１６６は送信フィルタの誘電体
共振器、１７１〜１７７は送信フィルタの結合コンデン
サ、１８１〜１８３は送信フィルタで用いるインダク
タ、１８４〜１８７は送信フィルタで用いるコンデンサ
である。端子１０１から送信フィルタと受信フィルタが
接続されている。送信フィルタ部分の構成は、入力端子
１０１から接地コンデンサ１８４〜１８７と直列インダ
クタ１８１〜１８３が交互に接続された構成の回路と結
合コンデンサ１７１を介して、誘電体共振器１６１を接
続する。誘電体共振器１６１と誘電体共振器１６２を結
合コンデンサ１７１と１７２を介して接続し、誘電体共
振器１６２と誘電体共振器１６３を結合コンデンサ１７
３を介して接続し、誘電体共振器１６３と誘電体共振器
１６４を結合コンデンサ１７４を介して接続し、誘電体
共振器１６４と誘電体共振器１６５を結合コンデンサ１
７５を介して接続し、誘電体共振器１６５と誘電体共振
器１６６を結合コンデンサ１７６を介して接続し、誘電
体共振器１６６と端子１３３を結合コンデンサ１７７を
介して接続する。端子１３３は、例えば５０Ω系の回路
に接続されているか、あるいは５０Ω整合終端されてい
る。受信フィルタ部分の構成は本発明の実施の形態１で
ある図２の構成と同様である。例えば、各端子の入出力
インピーダンスは５０Ωとなっている。
【００２８】本実施の形態で用いている共用器の構造を
図１０に示す。なお、図１０に示す回路は図９の共用器
部回路の構造図であるので、同一構成部分には同一番号
を付してある。図１０において、２０１、２０２はアル
ミナ基板、２３１は伝送線路、３０１はシールド、接地
用筐体、３０２、３０３、３０５、３０６は仕切り、３
０４、３０７、３０８は接地用カバーであり、例えば３
０１〜３０８は銅メッキの上に銀メッキを施した鉄を用
いる。また、誘電体共振器１４１〜１４６、１６１〜１
６６には先端開放円筒型誘電体同軸共振器を用い、結合
コンデンサ１５１〜１５７、１７１〜１７７にはアルミ
ナ基板に銅パターンで形成したコンデンサを用い、直列
インダクタ１８１〜１８３には空芯コイルを用い、接地
コンデンサ１８４〜１８７にはアルミナ基板の両面に銅
パターンを付けたものを用い、伝送線路２３１には特性
インピーダンスが５０Ωのセミリジッドケーブルを用
い、端子１０１にはＮ型コネクタを用いる。また、本発
明の第１の実施の形態の場合と同様、誘電体共振器の外
導体のアースを強くとるため、また外部電磁界からのシ
ールドをしっかりとするために図１１に示すような上蓋
３１１をかぶせる構造にする。
図１０に示す。なお、図１０に示す回路は図９の共用器
部回路の構造図であるので、同一構成部分には同一番号
を付してある。図１０において、２０１、２０２はアル
ミナ基板、２３１は伝送線路、３０１はシールド、接地
用筐体、３０２、３０３、３０５、３０６は仕切り、３
０４、３０７、３０８は接地用カバーであり、例えば３
０１〜３０８は銅メッキの上に銀メッキを施した鉄を用
いる。また、誘電体共振器１４１〜１４６、１６１〜１
６６には先端開放円筒型誘電体同軸共振器を用い、結合
コンデンサ１５１〜１５７、１７１〜１７７にはアルミ
ナ基板に銅パターンで形成したコンデンサを用い、直列
インダクタ１８１〜１８３には空芯コイルを用い、接地
コンデンサ１８４〜１８７にはアルミナ基板の両面に銅
パターンを付けたものを用い、伝送線路２３１には特性
インピーダンスが５０Ωのセミリジッドケーブルを用
い、端子１０１にはＮ型コネクタを用いる。また、本発
明の第１の実施の形態の場合と同様、誘電体共振器の外
導体のアースを強くとるため、また外部電磁界からのシ
ールドをしっかりとするために図１１に示すような上蓋
３１１をかぶせる構造にする。
【００２９】次に図９を用いて、本実施の形態における
フィルタ付き低雑音増幅器の回路構成を説明する。端子
１０１を上述したアンテナ共用器１３２の一端子に接続
する。アンテナ共用器１３２中の受信フィルタからの端
子１３４を３ｄＢハイブリッド回路１０３の第１の端子
に接続し、第１の３ｄＢハイブリッド回路１０３の第３
の端子を第１の入力側整合回路１０７を介して第１の増
幅回路用増幅素子１０８の入力側と接続し、第１の３ｄ
Ｂハイブリッド回路１０３の第４の端子を第２の入力側
整合回路１１０を介して第２の増幅回路用増幅素子１１
１の入力側と接続し、第１の増幅回路用増幅素子１０８
の出力側を第１の出力側整合回路１０９を介して第２の
３ｄＢハイブリッド回路１０４の第１の端子を接続し、
第２の増幅回路用増幅素子１１１の出力側を第２の出力
側整合回路１１２を介して第２の３ｄＢハイブリッド回
路１０４の第２の端子を接続し、第２の３ｄＢハイブリ
ッド回路１０４の第４の端子と出力端子１０２を接続す
る。第１の３ｄＢハイブリッド回路１０３の第２の端子
は終端抵抗１１３を介して、第２の３ｄＢハイブリッド
回路１０４の第３の端子は終端抵抗１１４を介してそれ
ぞれ接地する。アンテナ共用器１３２中の送信フィルタ
からの端子１３３は、例えば５０Ω系の回路に接続され
ているか、あるいは５０Ω整合終端されている。
フィルタ付き低雑音増幅器の回路構成を説明する。端子
１０１を上述したアンテナ共用器１３２の一端子に接続
する。アンテナ共用器１３２中の受信フィルタからの端
子１３４を３ｄＢハイブリッド回路１０３の第１の端子
に接続し、第１の３ｄＢハイブリッド回路１０３の第３
の端子を第１の入力側整合回路１０７を介して第１の増
幅回路用増幅素子１０８の入力側と接続し、第１の３ｄ
Ｂハイブリッド回路１０３の第４の端子を第２の入力側
整合回路１１０を介して第２の増幅回路用増幅素子１１
１の入力側と接続し、第１の増幅回路用増幅素子１０８
の出力側を第１の出力側整合回路１０９を介して第２の
３ｄＢハイブリッド回路１０４の第１の端子を接続し、
第２の増幅回路用増幅素子１１１の出力側を第２の出力
側整合回路１１２を介して第２の３ｄＢハイブリッド回
路１０４の第２の端子を接続し、第２の３ｄＢハイブリ
ッド回路１０４の第４の端子と出力端子１０２を接続す
る。第１の３ｄＢハイブリッド回路１０３の第２の端子
は終端抵抗１１３を介して、第２の３ｄＢハイブリッド
回路１０４の第３の端子は終端抵抗１１４を介してそれ
ぞれ接地する。アンテナ共用器１３２中の送信フィルタ
からの端子１３３は、例えば５０Ω系の回路に接続され
ているか、あるいは５０Ω整合終端されている。
【００３０】本実施の形態の回路においても実施の形態
１の回路と同様、アンテナ共用器中のフィルタと増幅器
との間でインピーダンス整合がとれている。一方、実施
の形態１で述べたように雑音指数整合も満足している。
そのため、アイソレータを用いることなく、アンテナ共
用器中のフィルタの特性を引き出しながら、アイソレー
タを用いた回路よりも低雑音特性を有するアンテナ共用
器付き低雑音増幅器を実現することができる。また、実
施の形態１と同様に低コスト化や低歪み化の効果も得ら
れる。
１の回路と同様、アンテナ共用器中のフィルタと増幅器
との間でインピーダンス整合がとれている。一方、実施
の形態１で述べたように雑音指数整合も満足している。
そのため、アイソレータを用いることなく、アンテナ共
用器中のフィルタの特性を引き出しながら、アイソレー
タを用いた回路よりも低雑音特性を有するアンテナ共用
器付き低雑音増幅器を実現することができる。また、実
施の形態１と同様に低コスト化や低歪み化の効果も得ら
れる。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明は、請求項１、請求
項２記載の構成ともに３ｄＢハイブリッド回路を用いる
ことにより、アイソレータを用いることなくインピーダ
ンス整合と雑音指数整合を両立するフィルタ付き低雑音
増幅器を実現することができる。この構成は、フィルタ
の性能を劣化させることなく、しかもアイソレータを用
いたフィルタ付き低雑音増幅器よりも優れた雑音指数特
性と低歪み特性を有する。又、アイソレータを用いない
ということで、大きなコストダウンを図ることもでき
る。
項２記載の構成ともに３ｄＢハイブリッド回路を用いる
ことにより、アイソレータを用いることなくインピーダ
ンス整合と雑音指数整合を両立するフィルタ付き低雑音
増幅器を実現することができる。この構成は、フィルタ
の性能を劣化させることなく、しかもアイソレータを用
いたフィルタ付き低雑音増幅器よりも優れた雑音指数特
性と低歪み特性を有する。又、アイソレータを用いない
ということで、大きなコストダウンを図ることもでき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１におけるフィルタ付き低
雑音増幅器のブロック図
雑音増幅器のブロック図
【図２】本発明の実施の形態１におけるフィルタ付き低
雑音増幅器の回路図
雑音増幅器の回路図
【図３】本発明の実施の形態における低雑音増幅器中で
用いられる３ｄＢハイブリッド回路の端子番号を定義し
た図
用いられる３ｄＢハイブリッド回路の端子番号を定義し
た図
【図４】本発明の実施の形態１におけるフィルタ付き低
雑音増幅器のフィルタ部分の上面図
雑音増幅器のフィルタ部分の上面図
【図５】本発明の実施の形態１におけるフィルタ付き低
雑音増幅器のフィルタ部分の分解斜視図
雑音増幅器のフィルタ部分の分解斜視図
【図６】本発明の実施の形態１、２における低雑音増幅
器中で用いられる３ｄＢハイブリッド回路を分布定数線
路で実現した図
器中で用いられる３ｄＢハイブリッド回路を分布定数線
路で実現した図
【図７】本発明の実施の形態１、２における低雑音増幅
器中で用いられる３ｄＢハイブリッド回路を集中定数回
路で実現した図
器中で用いられる３ｄＢハイブリッド回路を集中定数回
路で実現した図
【図８】本発明の実施の形態２におけるフィルタ付き低
雑音増幅器のブロック図
雑音増幅器のブロック図
【図９】本発明の実施の形態２におけるフィルタ付き低
雑音増幅器の回路図
雑音増幅器の回路図
【図１０】本発明の実施の形態２におけるフィルタ付き
低雑音増幅器のアンテナ共用器部分の上面図
低雑音増幅器のアンテナ共用器部分の上面図
【図１１】本発明の実施の形態２におけるフィルタ付き
低雑音増幅器のフィルタ部分の分解斜視図
低雑音増幅器のフィルタ部分の分解斜視図
【図１２】従来例の低雑音増幅器のブロック図
１０１ 入力端子 １０２ 出力端子 １０３ 第１の３ｄＢハイブリッド回路 １０４ 第２の３ｄＢハイブリッド回路 １０５，１０６ 増幅回路 １０７，１１０ 入力側整合回路 １０８，１１１ 増幅素子 １０９，１１２ 出力側整合回路 １１３，１１４ 終端抵抗 １２１ ３ｄＢハイブリッド回路の第１の端子 １２２ ３ｄＢハイブリッド回路の第２の端子 １２３ ３ｄＢハイブリッド回路の第３の端子 １２４ ３ｄＢハイブリッド回路の第４の端子 １３１ フィルタ １３２ アンテナ共用器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂倉 真 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 石崎 俊雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 上野 伴希 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 中村 俊昭 京都府綴喜郡田辺町大字大住小字浜55番12 号 松下日東電器株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】２つの増幅回路と、前記増幅回路の入力側
に接続された第１の３ｄＢハイブリッド回路と、前記増
幅回路の出力側に接続された第２の３ｄＢハイブリッド
回路と、前記第１の３ｄＢハイブリッド回路の入力端子
の一端に接続されたフィルタを有し、前記第１の３ｄＢ
ハイブリッド回路の入力端子の他端は整合終端し、前記
フィルタの入力端子から信号を入力し、前記第２の３ｄ
Ｂハイブリッド回路の出力端子の一端から信号を出力
し、他端は整合終端したことを特徴とするフィルタ付き
低雑音増幅器。 - 【請求項２】２つの増幅回路と、前記増幅回路の入力側
に接続された第１の３ｄＢハイブリッド回路と、前記増
幅回路の出力側に接続された第２の３ｄＢハイブリッド
回路と、アンテナ接続端子と送信側接続端子と受信側接
続端子を具備するアンテナ共用器からなり、前記第１の
３ｄＢハイブリッド回路の入力端子の一端を整合終端
し、前記第２の３ｄＢハイブリッド回路の出力端子の一
端を整合終端し、前記アンテナ共用器の受信側接続端子
と前記第１の３ｄＢハイブリッド回路の入力端子の他端
を接続し、前記アンテナ共用器のアンテナ接続端子から
信号を入力し、前記第２の３ｄＢハイブリッド回路の出
力端子の他端から信号を出力することを特徴とするフィ
ルタ付き低雑音増幅器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8220940A JPH1065467A (ja) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | フィルタ付き低雑音増幅器 |
| US08/912,122 US6072376A (en) | 1996-08-22 | 1997-08-15 | Filter with low-noise amplifier |
| EP97114267A EP0825710A1 (en) | 1996-08-22 | 1997-08-19 | Filter with amplifier |
| CNB971206341A CN1149702C (zh) | 1996-08-22 | 1997-08-22 | 具有低噪声放大器的滤波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8220940A JPH1065467A (ja) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | フィルタ付き低雑音増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1065467A true JPH1065467A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16758947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8220940A Pending JPH1065467A (ja) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | フィルタ付き低雑音増幅器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6072376A (ja) |
| EP (1) | EP0825710A1 (ja) |
| JP (1) | JPH1065467A (ja) |
| CN (1) | CN1149702C (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030037332A (ko) * | 2001-11-01 | 2003-05-14 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치의 아날로그 비디오 신호 노이즈 보상 방법및 그 회로 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6522196B1 (en) * | 2001-08-20 | 2003-02-18 | Harris Corporation | System and method for improving input return loss in RF amplifiers |
| US6990327B2 (en) * | 2003-04-30 | 2006-01-24 | Agency For Science Technology And Research | Wideband monolithic tunable high-Q notch filter for image rejection in RF application |
| US7738853B2 (en) * | 2004-10-29 | 2010-06-15 | Antone Wireless Corporation | Low noise figure radiofrequency device |
| US9419586B2 (en) * | 2012-08-07 | 2016-08-16 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Device for negative group delay |
| DE102012022433A1 (de) | 2012-11-15 | 2014-05-15 | Kathrein-Austria Gmbh | Hochfrequenzfilter |
| JP6177952B1 (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-09 | 株式会社フジクラ | フィルタ及びそのフィルタの設計方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3516024A (en) * | 1968-12-30 | 1970-06-02 | Texas Instruments Inc | Interdigitated strip line coupler |
| US3694765A (en) * | 1971-02-08 | 1972-09-26 | Bell Telephone Labor Inc | Signal coupling circuit |
| DE2807813C2 (de) * | 1978-02-23 | 1980-02-07 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Schaltungsanordnung zur Erreichung von Leistungsanpassung bei rauschangepaBten Hochfrequenz-Verstärkern |
| US4740765A (en) * | 1985-09-30 | 1988-04-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter |
| JPH07105644B2 (ja) * | 1988-10-18 | 1995-11-13 | 沖電気工業株式会社 | 有極型誘電体フィルタ |
| JPH03209901A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体フィルタ |
| JPH04801A (ja) * | 1990-04-17 | 1992-01-06 | Murata Mfg Co Ltd | バンドパスフィルタ |
| US5101171A (en) * | 1990-11-23 | 1992-03-31 | Advanced Systems Research, Inc. | Extended bandwidth RF amplifier |
| US5402138A (en) * | 1991-05-30 | 1995-03-28 | Conifer Corporation | Integrated MMDS/MDS antenna and dual band down converter |
| US5374910A (en) * | 1991-11-29 | 1994-12-20 | Kyocera Corporation | Dielectric filter having coupling means disposed on a laminated substrate |
| JPH0621701A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体共振器を含むフィルタ装置 |
| JPH06216671A (ja) * | 1993-01-18 | 1994-08-05 | Nippon Dengiyou Kosaku Kk | 高周波増幅装置 |
| US5712604A (en) * | 1994-09-27 | 1998-01-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter including at least one band elimination filter |
-
1996
- 1996-08-22 JP JP8220940A patent/JPH1065467A/ja active Pending
-
1997
- 1997-08-15 US US08/912,122 patent/US6072376A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-08-19 EP EP97114267A patent/EP0825710A1/en not_active Withdrawn
- 1997-08-22 CN CNB971206341A patent/CN1149702C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030037332A (ko) * | 2001-11-01 | 2003-05-14 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치의 아날로그 비디오 신호 노이즈 보상 방법및 그 회로 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1180943A (zh) | 1998-05-06 |
| EP0825710A1 (en) | 1998-02-25 |
| US6072376A (en) | 2000-06-06 |
| CN1149702C (zh) | 2004-05-12 |
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|---|---|---|---|
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