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JPH1050912A - Semiconductor device, method of manufacturing the same, and lead frame used therein - Google Patents

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and lead frame used therein

Info

Publication number
JPH1050912A
JPH1050912A JP8223027A JP22302796A JPH1050912A JP H1050912 A JPH1050912 A JP H1050912A JP 8223027 A JP8223027 A JP 8223027A JP 22302796 A JP22302796 A JP 22302796A JP H1050912 A JPH1050912 A JP H1050912A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
tab
group
frame
resin sealing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8223027A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshiyuki Namita
俊幸 波多
Toru Nagamine
徹 長峰
Kuniharu Muto
邦治 武藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP8223027A priority Critical patent/JPH1050912A/en
Publication of JPH1050912A publication Critical patent/JPH1050912A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W72/536
    • H10W72/5363
    • H10W72/5475
    • H10W72/884
    • H10W90/736
    • H10W90/756

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂封止体のサイズの増加を抑制しつつタブ
下げする。 【解決手段】 パワートランジスタ28はスモール・ア
ウトライン・パッケージを備え、ペレット24がボンデ
ィングされたタブ15と、タブに連結のインナリード兼
用タブ吊りリード19と、兼用タブ吊りリードに連結の
第1群アウタリード18と、ペレットにワイヤ25で接
続のインナリード21と、インナリードに連結の第2群
アウタリード20と、ペレット、兼用タブ吊りリード、
インナリード、ワイヤを樹脂封止する樹脂封止体27と
を備えている。第1群アウタリード18は第2群アウタ
リード20よりもペレット厚さ分だけ下げられている。 【効果】 樹脂封止体の外部でタブ下げが実施されるた
め、樹脂封止体の内部にタブ下げ代を確保しなくて済
み、樹脂封止体のサイズを小さくでき、同一サイズの樹
脂封止体の場合には樹脂封止可能なペレットのサイズを
大きくできる。
(57) [Problem] To lower a tab while suppressing an increase in the size of a resin sealing body. A power transistor includes a small outline package, a tab to which a pellet is bonded, an inner lead / tab suspension lead connected to the tab, and a first group outer lead connected to the tab suspension lead. 18, an inner lead 21 connected to the pellet by a wire 25, a second group outer lead 20 connected to the inner lead, a pellet, a combined tab suspension lead,
And a resin sealing body 27 for resin-sealing the inner lead and the wire. The first group outer leads 18 are lower than the second group outer leads 20 by the thickness of the pellet. [Effect] Since the tab is lowered outside the resin sealing body, there is no need to secure a tab lowering allowance inside the resin sealing body, the size of the resin sealing body can be reduced, and the same size resin sealing is performed. In the case of a stationary body, the size of the pellet that can be sealed with resin can be increased.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術、特に、樹脂封止パッケージを備えている半導体装
置の製造技術に関し、例えば、樹脂封止パッケージを備
えているパワートランジスタ(以下、パワートランジス
タという。)の製造に利用して有効なものに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technology for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a technology for manufacturing a semiconductor device having a resin-sealed package. Transistor).

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のこの種のパワートランジスタとし
て、スモール・アウトライン・パッケージ(以下、SO
Pという。)を備えているパワートランジスタがある。
すなわち、SOPは半導体ペレット(以下、ペレットと
いう。)を樹脂封止した長方形平盤形状の樹脂封止体に
おける一対の長辺から複数本のアウタリードが同一平面
内で整列されてそれぞれ突出されており、各アウタリー
ドはガル・ウイング形状に屈曲されている。そして、樹
脂封止体の内部において、ペレットはタブにボンディン
グされており、タブはインナリードを兼ねたタブ吊りリ
ードを介して一方の辺に配列されたアウタリード群に連
結されている。また、ペレットには複数本のインナリー
ドがワイヤを介して電気的に接続されており、各インナ
リードは他方の辺に配列されたアウタリード群にそれぞ
れ連結されている。
2. Description of the Related Art As a conventional power transistor of this type, a small outline package (hereinafter referred to as SO
It is called P. ).
That is, in the SOP, a plurality of outer leads are aligned and protruded from a pair of long sides in a rectangular flat resin molded body in which a semiconductor pellet (hereinafter, referred to as a pellet) is resin-sealed. Each outer lead is bent in a gull wing shape. The pellet is bonded to a tab inside the resin sealing body, and the tab is connected to a group of outer leads arranged on one side via a tab suspension lead also serving as an inner lead. Also, a plurality of inner leads are electrically connected to the pellet via wires, and each inner lead is connected to an outer lead group arranged on the other side.

【0003】一般に、SOPを備えているパワートラン
ジスタにおいては、ペレットとインナリードとを電気的
に接続するワイヤを短距離かつ低ループに架橋するため
に、所謂タブ下げが実施されている。すなわち、樹脂封
止体の内部において、タブ吊りリードを屈曲させてタブ
をペレットの厚さ分だけ下げることにより、ペレットの
ワイヤボンディング面をインナリードのワイヤボンディ
ング面と一致させて、ワイヤを短距離かつ低ループに架
橋する構造が採用されている。
Generally, in a power transistor having an SOP, a so-called tab lowering is carried out in order to bridge a wire for electrically connecting a pellet and an inner lead to a short distance and a low loop. That is, by bending the tab suspension lead inside the resin sealing body and lowering the tab by the thickness of the pellet, the wire bonding surface of the pellet coincides with the wire bonding surface of the inner lead, and the wire is short-distanced. In addition, a structure that bridges into a low loop is employed.

【0004】なお、SOPを述べてある例としては、株
式会社日経BP社1993年5月31日発行「VLSI
パッケージング技術(上)」P80〜P84、がある。
[0004] As an example describing the SOP, see "VLSI," published on May 31, 1993 by Nikkei BP Co., Ltd.
Packaging technology (above) "P80 to P84.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記タ
ブ下げが採用されたSOPを備えているパワートランジ
スタにおいては、樹脂封止体の内部にタブ下げ代が必要
になるため、タブ下げ代の分だけSOPが大きくなり、
また、ペレットのサイズが大きくなると、SOPのサイ
ズを大きくしなければ搭載することができないという問
題点があることが、本発明者によって明らかにされた。
However, in a power transistor having an SOP adopting the above-mentioned tab lowering, a tab lowering margin is required inside the resin sealing body. The SOP gets bigger,
In addition, the present inventor has clarified that when the size of the pellet is increased, the SOP cannot be mounted unless the size of the SOP is increased.

【0006】本発明の目的は、樹脂封止体のサイズの増
加を抑制しつつタブ下げ可能な半導体装置の製造技術を
提供することにある。
An object of the present invention is to provide a technique for manufacturing a semiconductor device capable of lowering a tab while suppressing an increase in the size of a resin sealing body.

【0007】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
[0007] The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
The outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application is as follows.

【0009】すなわち、この半導体装置の製造技術にお
いては、樹脂封止体の外部でタブ下げが実施される。
That is, in the semiconductor device manufacturing technique, the tab is lowered outside the resin sealing body.

【0010】タブ下げが樹脂封止体の外部で実施される
ことにより、樹脂封止体の内部にタブ下げ代を確保しな
くて済むため、その分、樹脂封止体のサイズを小さくす
ることができる。
Since the tab lowering is performed outside the resin sealing body, it is not necessary to secure a tab lowering allowance inside the resin sealing body, so that the size of the resin sealing body is reduced accordingly. Can be.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施形態である
SOPを備えているパワートランジスタを示しており、
(a)は一部切断平面図、(b)は(a)のb−b線に
沿う側面断面図である。図2以降は本発明の一実施形態
であるSOPを備えているパワートランジスタの製造方
法の各工程を説明するための図である。
FIG. 1 shows a power transistor including an SOP according to an embodiment of the present invention.
(A) is a partial cut-away plan view, and (b) is a side sectional view taken along line bb of (a). FIG. 2 and subsequent figures are diagrams for explaining each step of the method for manufacturing a power transistor having an SOP according to an embodiment of the present invention.

【0012】本実施形態において、本発明に係る半導体
装置は、SOPを備えているパワートランジスタとして
図1に示されているように構成されている。このパワー
トランジスタ28は、パワートランジスタ素子(図示せ
ず)が作り込まれたペレット24と、ペレット24がボ
ンディングされたタブ15と、タブ15に電気的かつ機
械的に接続されたインナリードを兼ねる複数本のタブ吊
りリード19と、各兼用タブ吊りリード19にそれぞれ
一体的に連結された第1群としてのアウタリード18群
と、ペレット24にワイヤ25を介して電気的に接続さ
れた複数本のインナリード21と、各インナリード21
にそれぞれ一体的に連結された第2群としてのアウタリ
ード20と、ペレット24、各兼用タブ吊りリード1
9、インナリード21、ワイヤ25を樹脂封止する長方
形平盤形状の樹脂封止体27とを備えている。第1群の
アウタリード18群は樹脂封止体27の一方の長辺から
突出されてガル・ウイング形状に屈曲成形され、第2群
のアウタリード20群は他方の長辺から突出されてガル
・ウイング形状に屈曲されている。そして、第1群のア
ウタリード18群は第2群のアウタリード20群よりも
ペレット24の厚さ分だけ下がった位置に整列されてい
る。
In the present embodiment, the semiconductor device according to the present invention is configured as shown in FIG. 1 as a power transistor having an SOP. The power transistor 28 includes a pellet 24 in which a power transistor element (not shown) is formed, a tab 15 to which the pellet 24 is bonded, and a plurality of inner leads electrically and mechanically connected to the tab 15. Tab hanging leads 19, outer leads 18 as a first group integrally connected to each of the dual-purpose tab hanging leads 19, and a plurality of inner leads electrically connected to the pellets 24 via wires 25. Lead 21 and each inner lead 21
The outer lead 20 as a second group, the pellet 24, and the common tab suspension lead 1 which are integrally connected to the
9, an inner lead 21, and a rectangular flat disk-shaped resin sealing body 27 for resin-sealing the wire 25. The first group of outer leads 18 protrudes from one long side of the resin sealing body 27 and is bent and formed into a gull wing shape, and the second group of outer leads 20 protrudes from the other long side and forms gull wings. It is bent into a shape. The first group of outer leads 18 is arranged at a position lower than the second group of outer leads 20 by the thickness of the pellet 24.

【0013】以下、本発明の一実施形態であるSOPを
備えているパワートランジスタの製造方法を説明する。
この説明により、前記SOPを備えているパワートラン
ジスタの構成の詳細が共に明らかにされる。
Hereinafter, a method of manufacturing a power transistor having an SOP according to an embodiment of the present invention will be described.
This description clarifies the details of the configuration of the power transistor including the SOP.

【0014】このSOPを備えているパワートランジス
タの製造方法には、図2に示されている本発明の一実施
形態に係る多連リードフレームが使用される。図2に示
されている多連リードフレーム11は42アロイ等の鉄
系材料や無酸素銅等の銅系材料(銅または銅合金)のよ
うな導電性の良好な板材が使用されて、プレス加工によ
って長方形の薄板形状に一体成形されている。多連リー
ドフレーム11は単位リードフレーム12が複数、一列
横隊に連結されて構成されている。但し、以下の説明お
よび図面においては、原則として一単位のみが示されて
いる。
In the method of manufacturing a power transistor having the SOP, a multiple lead frame according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 2 is used. The multiple lead frame 11 shown in FIG. 2 uses a plate material having good conductivity such as an iron-based material such as 42 alloy or a copper-based material (copper or copper alloy) such as oxygen-free copper. It is integrally formed into a rectangular thin plate shape by processing. The multiple lead frame 11 is configured by connecting a plurality of unit lead frames 12 in a single row. However, in the following description and drawings, only one unit is shown in principle.

【0015】単位リードフレーム12は外枠(フレー
ム)13を備えており、外枠13はトップレール13
a、ボトムレール13b、第1サイドレール13cおよ
び第2サイドレール13dが長方形の枠形状に一体的に
組まれて構成されている。トップレール13aおよびボ
トムレール13bには位置決め孔13eがそれぞれ開設
されている。第1サイドレール13cと第2サイドレー
ル13dとには一対の専用タブ吊りリード14、14が
それぞれ直角方向内向きに突設されており、両専用タブ
吊りリード14、14間には長方形の平板形状に形成さ
れたタブ15が吊持されている。タブ15はペレット2
4よりも所定サイズだけ大き目の長方形に形成されてい
る。
The unit lead frame 12 has an outer frame (frame) 13.
a, the bottom rail 13b, the first side rail 13c, and the second side rail 13d are integrally assembled in a rectangular frame shape. Positioning holes 13e are formed in the top rail 13a and the bottom rail 13b, respectively. A pair of dedicated tab suspension leads 14, 14 are respectively provided on the first side rail 13c and the second side rail 13d so as to project inward at right angles, and a rectangular flat plate is provided between the two dedicated tab suspension leads 14, 14. A tab 15 formed in a shape is suspended. Tab 15 is pellet 2
It is formed in a rectangle larger by a predetermined size than 4.

【0016】第1サイドレール13cと第2サイドレー
ル13dとの間には、第1タイバー16および第2タイ
バー17がトップレール13a側とボトムレール13b
側にそれぞれ配されてタブ15と平行に架設されてい
る。第1タイバー16のトップレール13a側端辺には
第1群としてのアウタリード(以下、第1群アウタリー
ドという。)18が4本、長さ方向に等間隔に配されて
直角方向に突設されており、各第1群アウタリード18
の先端はトップレール13aに一体的に連結されてい
る。第1タイバー16の反対側端辺にはインナリードを
兼ねるタブ吊りリード(以下、兼用リードという。)1
9が4本、各第1群アウタリード18にそれぞれ対向し
て一体的に連続するように突設されており、各兼用リー
ド19の先端はタブ15に一体的に連結されている。な
お、第1タイバー16における隣合う第1群アウタリー
ド18、18間の部分は、後記する樹脂封止体成形工程
においてレジンの流出をせき止めるダム16aをそれぞ
れ構成している。
Between the first side rail 13c and the second side rail 13d, a first tie bar 16 and a second tie bar 17 are provided on the top rail 13a side and the bottom rail 13b.
The tabs 15 are arranged in parallel with the tabs 15, respectively. Four outer leads 18 as a first group (hereinafter, referred to as a first group outer lead) 18 are arranged at equal intervals in the length direction and protrude in the right-angle direction at the end of the first tie bar 16 on the top rail 13a side. And each first group outer lead 18
Is integrally connected to the top rail 13a. A tab suspension lead (hereinafter, also referred to as a dual-purpose lead) 1 serving as an inner lead is provided at the opposite end of the first tie bar 16.
Four 9 are protruded from each of the first group outer leads 18 so as to be opposed to each other and integrated with each other. The tips of the dual-purpose leads 19 are integrally connected to the tabs 15. The portion of the first tie bar 16 between the adjacent first group outer leads 18 constitutes a dam 16a for damping outflow of the resin in a resin sealing body molding step described later.

【0017】第2タイバー17のボトムレール13b側
端辺には第2群としてのアウタリード(以下、第2群ア
ウタリードという。)20が4本、長さ方向に等間隔に
配されて直角方向に突設されており、各第2群アウタリ
ード20の先端はボトムレール13bに一体的に連結さ
れている。第2タイバー17の反対側端辺にはインナリ
ード21が4本、各第2群アウタリード20にそれぞれ
対向して一体的に連続するように突設されており、各イ
ンナリード21の先端はタブ15から電気的に絶縁する
ように切り離されている。なお、第2タイバー17にお
ける隣合う第2群アウタリード20、20間の部分は、
後記する樹脂封止体成形工程においてレジンの流出をせ
き止めるダム17aをそれぞれ構成している。
Four outer leads 20 as a second group (hereinafter, referred to as a second group outer lead) 20 are arranged at equal intervals in the length direction on the bottom rail 13b side end side of the second tie bar 17, and are arranged at right angles to each other. The second group of outer leads 20 is integrally connected to the bottom rail 13b. Four inner leads 21 are provided at opposite ends of the second tie bar 17 so as to be opposed to the second group outer leads 20 so as to be integrally continuous with each other, and the tip of each inner lead 21 is a tab. 15 so as to be electrically insulated therefrom. The portion between the adjacent second group outer leads 20 in the second tie bar 17 is
Dams 17a for damping outflow of the resin in a resin sealing body molding step described later are respectively formed.

【0018】第1サイドレール13cと第2サイドレー
ル13dとには、タブ下げのための一対の屈曲部22、
22が第2タイバー17の近傍に配されてクランク形状
になるようにそれぞれ形成されている。これにより、外
枠13は両屈曲部22、22を結ぶ線を境にしてトップ
レール13a側がボトムレール13b側よりも下がった
状態になっている。その結果、トップレール13a側に
突設された専用タブ吊りリード14、タブ15および第
1群アウタリード18は、ボトムレール13b側に吊持
されたインナリード21群および第2群アウタリード2
0が構成する平面よりも、ペレット24の厚さ分だけ下
がった状態になっている。
The first side rail 13c and the second side rail 13d have a pair of bent portions 22 for tab lowering,
Numerals 22 are arranged in the vicinity of the second tie bar 17 and formed so as to have a crank shape. Thus, the outer frame 13 is in a state where the top rail 13a side is lower than the bottom rail 13b side with respect to the line connecting the both bent portions 22 and 22 as a boundary. As a result, the dedicated tab suspension lead 14, tab 15 and first group outer lead 18 protruding from the top rail 13a are connected to the inner lead 21 group and the second group outer lead 2 suspended from the bottom rail 13b.
0 is lower than the plane constituted by 0 by the thickness of the pellet 24.

【0019】以上のように構成された各単位リードフレ
ーム12にはペレットボンディング工程において、タブ
15にペレット24がボンディング部23を介して図3
に示されているようにボンディングされる。ペレット2
4は半導体装置の製造工程における所謂前工程において
MOS形のパワートランジスタ素子を作り込まれてい
る。ボンディング部23は半田や銀(Ag)ペースト、
金−シリコン共晶層等から形成されている。この状態に
おいて、ペレット24はタブ15および兼用リード19
を介して第1群アウタリード18に電気的に接続された
状態になっており、ペレット24のドレインが第1群ア
ウタリード18に電気的に引き出された状態になってい
る。
In the pellet bonding step, the pellets 24 are formed on the tabs 15 via the bonding portions 23 in the unit lead frames 12 configured as described above.
Are bonded as shown in FIG. Pellet 2
Reference numeral 4 shows a so-called pre-process in a manufacturing process of a semiconductor device, in which a MOS power transistor element is built. The bonding part 23 is made of solder or silver (Ag) paste,
It is formed from a gold-silicon eutectic layer or the like. In this state, the pellet 24 includes the tab 15 and the dual-purpose lead 19.
Are electrically connected to the first group outer leads 18 via the first group, and the drains of the pellets 24 are electrically drawn out to the first group outer leads 18.

【0020】このようにしてタブ15にペレット24が
ボンディングされた単位リードフレーム12には、ワイ
ヤボンディング工程において、ペレット24の各電極パ
ッド24aと各インナリード21との間に各ワイヤ25
が図3に示されているように橋絡される。この際、タブ
15はペレット24の厚さ分だけインナリード21より
も下がった状態になっているため、ワイヤ25は短距離
かつ低ループに架橋された状態になる。ペレット24に
作り込まれたパワートランジスタ素子のゲートおよびソ
ースは、ペレット24の各電極パッド24a、各ワイヤ
25、各インナリード21および第2群アウタリード2
0を通じて外部に電気的に引き出された状態になる。
In the wire bonding step, each wire 25 is placed between each electrode pad 24a of the pellet 24 and each inner lead 21 in the unit lead frame 12 having the pellet 24 bonded to the tab 15 in this manner.
Are bridged as shown in FIG. At this time, since the tab 15 is lower than the inner lead 21 by the thickness of the pellet 24, the wire 25 is in a state of being bridged into a short distance and a low loop. The gate and the source of the power transistor element formed in the pellet 24 include the respective electrode pads 24a, the respective wires 25, the respective inner leads 21 and the second group outer leads 2 of the pellet 24.
0, it is in a state of being electrically drawn to the outside.

【0021】以上のように構成された図3に示されてい
る組立体26には、樹脂封止体成形工程において図4に
示されているトランスファ成形装置30が使用されて、
樹脂封止体27が図5に示されているように成形され
る。
In the assembly 26 shown in FIG. 3 configured as described above, the transfer molding apparatus 30 shown in FIG.
The resin sealing body 27 is formed as shown in FIG.

【0022】図4に示されているトランスファ成形装置
30は、シリンダ装置(図示せず)によって互いに型締
めされる上型31および下型32を備えており、上型3
1と下型32との合わせ面には上型キャビティー凹部3
3aと下型キャビティー凹部33bとが、互いに協働し
てキャビティー33を形成するようにそれぞれ複数組没
設されている。各キャビティー33は隣合うキャビティ
ー33、33にレジンが順次充填されて行く所謂スルー
モールド構造に構成されている。但し、以下の説明およ
び図示においては、原則として一単位のみが示されてい
る。
The transfer molding apparatus 30 shown in FIG. 4 includes an upper mold 31 and a lower mold 32 which are clamped by a cylinder device (not shown).
The upper mold cavity recess 3
A plurality of sets 3a and lower cavity recesses 33b are respectively provided so as to form the cavities 33 in cooperation with each other. Each cavity 33 has a so-called through mold structure in which the adjacent cavities 33, 33 are sequentially filled with resin. However, in the following description and illustration, only one unit is shown in principle.

【0023】下型32の合わせ面にはポット34が開設
されており、ポット34にはシリンダ装置(図示せず)
によって進退されるプランジャ35がレジンを送給し得
るように挿入されている。他方の上型31の合わせ面に
はカル36がポット34との対向位置に配されて没設さ
れているとともに、ランナ37がポット34に接続する
ように没設されている。ランナ37の他端部は上型キャ
ビティー凹部33aに接続されており、接続部にはゲー
ト38がレジンをキャビティー33内に注入し得るよう
に形成されている。上型キャビティー凹部33aにおけ
るゲート38に対向する位置にはスルーゲート39が没
設されており、スルーゲート39は隣合う上型キャビテ
ィー凹部33aに接続されている。
A pot 34 is opened on the mating surface of the lower mold 32, and the pot 34 has a cylinder device (not shown).
The plunger 35 which is moved forward and backward is inserted so that the resin can be fed. On the mating surface of the other upper mold 31, a cull 36 is disposed at a position facing the pot 34 and is submerged, and a runner 37 is submerged so as to be connected to the pot 34. The other end of the runner 37 is connected to the upper cavity recess 33a, and a gate 38 is formed at the connection so that the resin can be injected into the cavity 33. At a position facing the gate 38 in the upper cavity recess 33a, a through gate 39 is buried, and the through gate 39 is connected to the adjacent upper cavity recess 33a.

【0024】上型31と下型32との合わせ面における
外枠13の両屈曲部22、22に対応する位置には段差
が、外枠13が両屈曲部22、22を結ぶ線を境にして
トップレール13a側がボトムレール13b側よりも下
がった状態になっているのに対応して形成されている。
A step is formed at a position corresponding to the two bent portions 22 of the outer frame 13 on the mating surface of the upper die 31 and the lower die 32, and a step is formed between the line connecting the outer frame 13 and the two bent portions 22. It is formed so that the top rail 13a side is lower than the bottom rail 13b side.

【0025】トランスファ成形に際して、前記構成に係
る組立体26は多連リードフレーム11が下型32の上
に載置されて、各単位リードフレーム13のタブ15、
インナリード21群およびワイヤ25群が下型キャビテ
ィー凹部33b内に収容される。この状態において、外
枠13のトップレール13a側の部分は下型32におけ
る段差の下段部40aに載置された状態になり、そのボ
トムレール13b側の部分は下型32における段差の上
段部40bに載置された状態になる。下型キャビティー
凹部33bに収容された状態において、トップレール1
3a側に吊持されたタブ15は、ボトムレール13b側
に吊持されたインナリード21群および第2群アウタリ
ード20群が構成する平面よりもペレット24の厚さ分
だけ下がった状態になっている。
At the time of transfer molding, the assembly 26 according to the above-described configuration is configured such that the multiple lead frames 11 are placed on the lower mold 32 and the tabs 15 of the unit lead frames 13 are formed.
The group of inner leads 21 and the group of wires 25 are accommodated in the lower cavity recess 33b. In this state, the portion of the outer frame 13 on the top rail 13a side is placed on the lower step portion 40a of the step in the lower die 32, and the portion on the bottom rail 13b side is the upper step portion 40b of the step in the lower die 32. It will be in a state of being placed on. When the top rail 1 is housed in the lower cavity recess 33b,
The tab 15 hung on the 3a side is lower than the plane formed by the inner lead 21 group and the second group outer lead 20 group hung on the bottom rail 13b by the thickness of the pellet 24. I have.

【0026】続いて、上型31と下型32とが型締めさ
れると、各単位リードフレーム12の外枠13、第1群
アウタリード18群および第2群アウタリード20群が
上型31と下型32との合わせ面間に挟み込まれるとと
もに、各単位リードフレーム13のタブ15、インナリ
ード21群およびワイヤ25群がキャビティー33内に
収容される。キャビティー33内に収容された状態にお
いて、ワイヤ25群は同一平面に位置するペレット24
と各インナリード21との間に短距離かつ低いループで
架橋されているため、上型キャビティー凹部33aの天
井面から充分に離間した状態になっている。
Subsequently, when the upper die 31 and the lower die 32 are clamped, the outer frame 13, the first group of outer leads 18 and the second group of outer leads 20 of each unit lead frame 12 are connected to the upper die 31 and the lower die 31. The tab 15 of each unit lead frame 13, the group of inner leads 21 and the group of wires 25 are housed in the cavity 33 while being sandwiched between the mating surfaces with the mold 32. In the state accommodated in the cavity 33, the group of wires 25 is the pellet 24 located on the same plane.
And each inner lead 21 is bridged by a short distance and a low loop, so that it is sufficiently separated from the ceiling surface of the upper cavity recess 33a.

【0027】その後、ポット34からプランジャ35に
よってレジン41がランナ37、ゲート38またはスル
ーゲート39を通じてキャビティー33に送給されて注
入される。注入後、レジン41が熱硬化されて樹脂封止
体27が成形されると、上型31および下型32は型開
きされるとともに、エジェクタピン(図示せず)によっ
て樹脂封止体27が離型される。
Thereafter, the resin 41 is fed from the pot 34 by the plunger 35 to the cavity 33 through the runner 37, the gate 38 or the through gate 39, and injected. After the injection, when the resin 41 is thermally cured to form the resin sealing body 27, the upper mold 31 and the lower mold 32 are opened, and the resin sealing body 27 is separated by an ejector pin (not shown). Typed.

【0028】以上のようにして樹脂成形された樹脂封止
体27の内部には、図5に示されているように、ペレッ
ト24、タブ15、インナリード21群、ワイヤ25
群、専用タブ吊りリード14の一部および兼用リード1
9群が樹脂封止された状態になり、第1群アウタリード
18、第2群アウタリード20および専用タブ吊りリー
ド14の一部が樹脂封止体27から外部に突出した状態
になる。この状態において、第1群アウタリード18、
専用タブ吊りリード14および外枠13のトップレール
13a側部分が構成する平面は、第2群アウタリード2
0および外枠13のボトムレール13b側部分が構成す
る平面よりもペレット24の厚さ分だけ下がった状態に
なっている。また、樹脂封止体27の内部において、低
ループに架橋されたワイヤ25群は樹脂封止体27の上
面から充分な距離を保った状態になっている。
As shown in FIG. 5, the inside of the resin molded body 27 molded as described above contains pellets 24, tabs 15, inner leads 21 and wires 25.
Group, part of dedicated tab suspension lead 14 and dual-purpose lead 1
The ninth group is in a resin-sealed state, and a part of the first group outer lead 18, the second group outer lead 20, and a part of the dedicated tab suspending lead 14 project from the resin sealing body 27 to the outside. In this state, the first group outer lead 18,
The plane formed by the dedicated tab suspension lead 14 and the top rail 13a side portion of the outer frame 13 is the second group outer lead 2
0 and the outer frame 13 are lower than the plane formed by the bottom rail 13b side by the thickness of the pellet 24. Further, inside the resin sealing body 27, the group of wires 25 cross-linked into a low loop is in a state of keeping a sufficient distance from the upper surface of the resin sealing body 27.

【0029】樹脂封止体27が成形された後に、多連リ
ードフレーム11はリード切断成形工程(図示せず)に
おいて外枠13、第1タイバー16の各ダム16aおよ
び第2タイバー17の各ダム17aを切り落とされ、ま
た、第1群アウタリード18および第2群アウタリード
20がガル・ウイング形状にそれぞれに屈曲成形され
る。これにより、図1に示されているSOPを備えてい
るパワートランジスタ28が製造されたことになる。
After the resin sealing body 27 is formed, the multiple lead frame 11 is subjected to the outer frame 13, the dams 16a of the first tie bar 16 and the dams of the second tie bar 17 in a lead cutting and forming step (not shown). 17a is cut off, and the first group of outer leads 18 and the second group of outer leads 20 are each bent and formed into a gull-wing shape. Thus, the power transistor 28 including the SOP shown in FIG. 1 is manufactured.

【0030】前記実施形態によれば次の効果が得られ
る。 SOPを備えているパワートランジスタの製造方法
において樹脂封止体の外部でタブ下げを実施することに
より、樹脂封止体の内部にタブ下げ代を確保しなくて済
むため、その分、樹脂封止体のサイズを小さくすること
ができ、同一サイズの樹脂封止体の場合には樹脂封止可
能なペレットのサイズを大きく設定することができる。
According to the above embodiment, the following effects can be obtained. In the method for manufacturing a power transistor having an SOP, by performing tab lowering outside the resin sealing body, it is not necessary to secure a tab lowering allowance inside the resin sealing body. The size of the body can be reduced, and in the case of resin-sealed bodies of the same size, the size of pellets that can be resin-sealed can be set large.

【0031】 タブ下げを確保することにより、ペレ
ットのワイヤボンディング面とインナリードのワイヤボ
ンディングとを一致させることができるため、ワイヤを
ペレットおよびインナリードから離間させつつ、短距離
かつ低ループに架橋することができる。
By securing the tab lowering, the wire bonding surface of the pellet and the wire bonding of the inner lead can be matched, so that the wire is bridged into a short distance and a low loop while separating the wire from the pellet and the inner lead. be able to.

【0032】 前記により、ワイヤのペレットおよ
びインナリードに対する絶縁性能を確保することができ
るとともに、ワイヤのループの頂点を樹脂封止体の上面
から充分に離間させることができるため、樹脂封止体の
ワイヤに関する絶縁性能を高めることができる。
According to the above, the insulation performance of the wire against the pellet and the inner lead can be ensured, and the apex of the wire loop can be sufficiently separated from the upper surface of the resin sealing body. The insulation performance of the wire can be improved.

【0033】図6は本発明の実施形態2であるSOPを
備えているパワートランジスタを示しており、(a)は
一部切断平面図、(b)は(a)のb−b線に沿う側面
断面図である。
FIGS. 6A and 6B show a power transistor having an SOP according to a second embodiment of the present invention. FIG. 6A is a partially cutaway plan view, and FIG. 6B is a sectional view taken along line bb of FIG. It is a side sectional view.

【0034】本実施形態2が前記実施形態1と異なる点
は、専用タブ吊りリードが省略されている点である。本
実施形態2において、ペレット24がボンディングされ
たタブ15は兼用リード19によって吊持されており、
兼用リード19に連結された第1群アウタリード18が
第2群アウタリード20よりも下げられているため、前
記実施形態1と同様の効果を得ることができる。
The second embodiment differs from the first embodiment in that the dedicated tab suspension lead is omitted. In the second embodiment, the tab 15 to which the pellet 24 is bonded is suspended by the dual-purpose lead 19,
Since the first group outer lead 18 connected to the dual-purpose lead 19 is lower than the second group outer lead 20, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

【0035】図7は本発明の実施形態3であるSOPを
備えている半導体集積回路装置を示しており、(a)は
一部切断平面図、(b)は一部切断側面図である。
FIGS. 7A and 7B show a semiconductor integrated circuit device having an SOP according to a third embodiment of the present invention. FIG. 7A is a partially cutaway plan view, and FIG. 7B is a partially cutaway side view.

【0036】本実施形態3が前記実施形態1と異なる点
は、SOPを備えている半導体装置がパワー半導体集積
回路装置(以下、パワーSOP・ICという。)28A
として構成されているとともに、兼用リードが専用のイ
ンナリード19Aとして構成されてペレット24にワイ
ヤ25を介して電気的に接続されている点である。この
パワーSOP・ICにおいては、第1群アウタリード1
8と第2群アウタリード20とは同一平面内に位置して
おり、一対の専用タブ吊りリード14、14の切断痕
が、第1群アウタリード18および第2群アウタリード
20を含む平面に対してペレット24の厚さ分だけ樹脂
封止体27の厚さ方向にずれている。
The third embodiment is different from the first embodiment in that a semiconductor device having an SOP is a power semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as a power SOP IC) 28A.
And the dual-purpose lead is configured as a dedicated inner lead 19 </ b> A and is electrically connected to the pellet 24 via a wire 25. In this power SOP IC, the first group outer lead 1
8 and the second group outer lead 20 are located in the same plane, and the cutting traces of the pair of dedicated tab suspension leads 14, 14 are pellets with respect to the plane including the first group outer lead 18 and the second group outer lead 20. It is shifted in the thickness direction of the resin sealing body 27 by the thickness of 24.

【0037】本実施形態3において、ペレット24がボ
ンディングされたタブ15は一対の専用タブ吊りリード
14、14のみによって吊持されており、両専用タブ吊
りリード14、14が樹脂封止体27の外部で第1群ア
ウタリード18および第2群アウタリード20よりも下
げられているため、前記実施形態1と同様の効果を得る
ことができる。
In the third embodiment, the tab 15 to which the pellet 24 has been bonded is suspended only by the pair of dedicated tab suspension leads 14, 14. Since it is lower than the first group outer leads 18 and the second group outer leads 20 outside, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

【0038】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention. Needless to say.

【0039】例えば、成形装置における上型と下型との
合わせ面はタブの平面と平行に形成するに限らず、第1
群アウタリードと第2群アウタリードとを結ぶ線分を含
む傾斜面に形成してもよい。
For example, the mating surface of the upper mold and the lower mold in the molding apparatus is not limited to being formed parallel to the plane of the tab, but may be the first mold.
It may be formed on an inclined surface including a line connecting the group outer lead and the second group outer lead.

【0040】アウタリードの本数は8本に限らないし、
専用タブ吊りリードも2本に限らず、さらに、兼用リー
ドも4本に限らない。
The number of outer leads is not limited to eight,
The number of dedicated tab suspension leads is not limited to two, and the number of combined leads is not limited to four.

【0041】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるSOP
を備えているパワートランジスタおよびパワーSOP・
ICに適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、通常のSOP・ICやトランジスタ
・アレー、さらに、デュアル・インライン・パッケー
ジ、スモール・アウトライン・Jリーリッド・パッケー
ジ、シングル・インライン・パッケージ、シングル・ア
ウトライン・パッケージ等の樹脂封止パッケージを備え
ている半導体装置全般に適用することができる。特に、
本発明は大きなサイズのペレットが小さな樹脂封止体に
よって樹脂封止される半導体装置の製造技術に適用して
優れた効果が得られる。
In the above description, the invention made mainly by the present inventor is based on the SOP, which is the field of application behind the invention.
Power transistor and power SOP
The description has been given of the case where the present invention is applied to an IC. However, the present invention is not limited to this, and is not limited to a normal SOP IC or a transistor array. The present invention can be applied to all semiconductor devices having a resin-sealed package such as a single outline package. Especially,
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is applicable to a semiconductor device manufacturing technique in which a large-sized pellet is resin-sealed by a small resin-sealed body, and excellent effects can be obtained.

【0042】[0042]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
The effects obtained by typical aspects of the invention disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0043】樹脂封止パッケージを備えている半導体装
置の製造において樹脂封止体の外部でタブ下げを実施す
ることにより、樹脂封止体の内部にタブ下げ代を確保し
なくて済むため、その分、樹脂封止体のサイズを小さく
することができ、同一サイズの樹脂封止体の場合には樹
脂封止可能なペレットのサイズを大きく設定することが
できる。
In the manufacture of a semiconductor device having a resin-sealed package, the tab is lowered outside the resin-sealed body, so that there is no need to secure a tab-down allowance inside the resin-sealed body. Accordingly, the size of the resin sealing body can be reduced, and in the case of the same size of the resin sealing body, the size of the resin sealable pellet can be set large.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態であるSOPを備えている
パワートランジスタを示しており、(a)は一部切断平
面図、(b)は(a)のb−b線に沿う側面断面図であ
る。
1A and 1B show a power transistor including an SOP according to an embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a partially cutaway plan view, and FIG. 1B is a side cross-sectional view taken along line bb of FIG. FIG.

【図2】本発明の一実施形態であるSOPを備えている
パワートランジスタの製造方法に使用される多連リード
フレームを示しており、(a)は一部省略平面図、
(b)は(a)のb−b矢視断面端面図、(c)は
(a)のc−c矢視断面端面図、(d)は一部省略正面
図である。
FIG. 2 shows a multiple lead frame used in a method of manufacturing a power transistor having an SOP according to an embodiment of the present invention, wherein (a) is a partially omitted plan view,
(B) is a cross-sectional end view taken along arrow bb in (a), (c) is a cross-sectional end view taken along arrow c-c in (a), and (d) is a partially omitted front view.

【図3】本発明の一実施形態であるSOPを備えている
パワートランジスタの製造方法におけるペレット・ボン
ディング工程およびワイヤ・ボンディング工程後を拡大
して示しており、(a)は一部省略平面図、(b)は
(a)のb−b矢視断面図である。
FIG. 3 is an enlarged plan view showing a state after a pellet bonding step and a wire bonding step in a method of manufacturing a power transistor having an SOP according to an embodiment of the present invention, and FIG. (B) is a cross-sectional view taken along the line bb in (a).

【図4】同じく樹脂封止体成形工程を示しており、
(a)は一部省略正面断面図、(b)は(a)のb−b
線に沿う側面断面図である。
FIG. 4 also shows a resin sealing body molding step,
(A) is a partially omitted front sectional view, and (b) is bb in (a).
It is a side sectional view along a line.

【図5】同じく樹脂封止体成形工程後を示しており、
(a)は一部省略一部切断平面図、(b)は(a)のb
−b矢視断面図、(c)は(a)のc−c矢視断面図、
(d)は一部省略一部切断正面図である。
FIG. 5 also shows a state after the resin sealing body molding step;
(A) is a partially cutaway plan view with a part omitted, and (b) is b in (a).
-B arrow sectional view, (c) is cc arrow sectional view of (a),
(D) is a partially omitted front view partially omitted.

【図6】本発明の実施形態2であるSOPを備えている
パワートランジスタを示しており、(a)は一部切断平
面図、(b)は(a)のb−b線に沿う側面断面図であ
る。
6A and 6B show a power transistor including an SOP according to a second embodiment of the present invention, in which FIG. 6A is a partially cut-away plan view, and FIG. 6B is a side sectional view taken along line bb of FIG. FIG.

【図7】本発明の実施形態2であるSOPを備えている
半導体集積回路装置を示しており、(a)は一部切断平
面図、(b)は一部切断側面図である。
7A and 7B show a semiconductor integrated circuit device including an SOP according to a second embodiment of the present invention, wherein FIG. 7A is a partially cut-away plan view, and FIG. 7B is a partially cut-away side view.

【符合の説明】[Description of sign]

11…多連リードフレーム、12…単位リードフレー
ム、13…外枠(フレーム)、13a…トップレール、
13b…ボトムレール、13c…第1サイドレール、1
3d…第2サイドレール、13e…位置決め孔、14…
専用タブ吊りリード、15…タブ、16…第1タイバ
ー、16a…ダム、17…第2タイバー、17a…ダ
ム、18…第1群アウタリード、19…インナリード兼
用タブ吊りリード(兼用リード)、20…第2群アウタ
リード、21…インナリード、22…屈曲部、23…ボ
ンディング部、24…ペレット(半導体ペレット)、2
4a…電極パッド、25…ワイヤ、26…組立体、27
…樹脂封止体、28…SOPを備えているパワートラン
ジスタ(半導体装置)、30…トランスファ成形装置、
31…上型、32…下型、33…キャビティー、33a
…上型キャビティー凹部、33b…下型キャビティー凹
部、34…ポット、35…プランジャ、36…カル、3
7…ランナ、38…ゲート、39…スルーゲート、40
a…下段部、40b…上段部、41…レジン、19A…
専用のインナリード、28A…パワーSOP・IC(半
導体装置)。
11: multiple lead frame, 12: unit lead frame, 13: outer frame (frame), 13a: top rail,
13b: bottom rail, 13c: first side rail, 1
3d: second side rail, 13e: positioning hole, 14:
Dedicated tab suspension lead, 15 ... tab, 16 ... first tie bar, 16a ... dam, 17 ... second tie bar, 17a ... dam, 18 ... first group outer lead, 19 ... inner lead / tab suspension lead (shared lead), 20 ... Second group outer lead, 21 ... Inner lead, 22 ... Bent part, 23 ... Bonding part, 24 ... Pellet (semiconductor pellet), 2
4a: electrode pad, 25: wire, 26: assembly, 27
... resin sealing body, 28 ... power transistor (semiconductor device) provided with SOP, 30 ... transfer molding device,
31 upper mold, 32 lower mold, 33 cavity, 33a
... Upper cavity recess, 33b Lower cavity recess, 34 Pot, 35 plunger, 36 Cal, 3
7 ... runner, 38 ... gate, 39 ... through gate, 40
a: Lower part, 40b: Upper part, 41: Resin, 19A ...
Dedicated inner lead, 28A Power SOP IC (semiconductor device).

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武藤 邦治 埼玉県入間郡毛呂山町大字旭台15番地 日 立東部セミコンダクタ株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Kuniharu Muto Inventor, 15 Asahidai, Moroyama-cho, Iruma-gun, Saitama

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ペレットを樹脂封止した四角形平
盤形状の樹脂封止体における少なくとも一辺から複数本
のアウタリードが同一平面内で整列されて突出されてい
る半導体装置において、 前記樹脂封止体における前記半導体ペレットがボンディ
ングされたタブを吊持するリードが前記アウタリード群
に対して樹脂封止体の厚さ方向にずらされていることを
特徴とする半導体装置。
1. A semiconductor device in which a plurality of outer leads are aligned and protruded in at least one side from at least one side in a rectangular flat resin molded body in which semiconductor pellets are molded with a resin. Wherein the lead for suspending the tab to which the semiconductor pellet is bonded is shifted from the outer lead group in the thickness direction of the resin sealing body.
【請求項2】 前記タブを吊持するリードが前記アウタ
リード群と別のアウタリードに連結されており、この別
のアウタリード群は前記樹脂封止体の四辺のうち前記ア
ウタリード群が配された辺と別の辺に配されていること
を特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
2. A lead for suspending the tab is connected to the outer lead group and another outer lead, and the other outer lead group is connected to a side on which the outer lead group is arranged among four sides of the resin sealing body. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is arranged on another side.
【請求項3】 前記タブを吊持するリードが専用のタブ
吊りリードであり、このタブ吊りリードが前記樹脂封止
体の四辺のうち前記アウタリード群が配された辺と別の
辺に配されているとともに、このタブ吊りリードの切断
痕が前記アウタリード群に対して樹脂封止体の厚さ方向
にずらされていることを特徴とする請求項1に記載の半
導体装置。
3. A lead for suspending the tab is a dedicated tab suspending lead, and the tab suspending lead is disposed on a side different from a side on which the outer lead group is disposed among four sides of the resin sealing body. 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein a cutting mark of the tab suspension lead is shifted in a thickness direction of the resin sealing body with respect to the outer lead group.
【請求項4】 請求項1に記載の半導体装置の製造方法
であって、 前記アウタリード群が四角形枠形状の外枠の少なくとも
一辺に突設されているとともに、前記タブを吊持するリ
ードが外枠の他の辺に突設されており、前記樹脂封止体
の成形エリアの外側が屈曲されてこのタブを吊持するリ
ードが前記アウタリード群に対して前記樹脂封止体の厚
さ方向にずらされているリードフレームが成形されるリ
ードフレーム成形工程と、 前記半導体ペレットが前記タブにボンディングされると
ともに、前記アウタリード群に電気的に接続される接続
工程と、 前記半導体ペレットが接続された前記リードフレームが
成形型の上型と下型との合わせ面に挟み込まれるととも
に、この合わせ面に形成されたキャビティー内に前記タ
ブが収容され、このキャビティー内に樹脂が充填されて
前記樹脂封止体が成形される樹脂封止体成形工程と、 を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the outer lead group is provided on at least one side of a rectangular frame-shaped outer frame, and a lead for suspending the tab is provided outside. The lead protruding from the other side of the frame, the outside of the molding area of the resin sealing body is bent, and the lead for suspending this tab is arranged in the thickness direction of the resin sealing body with respect to the outer lead group. A lead frame forming step in which the shifted lead frame is formed; a bonding step in which the semiconductor pellet is bonded to the tub; and a connection step in which the semiconductor pellet is electrically connected to the outer lead group; A lead frame is sandwiched between mating surfaces of an upper mold and a lower mold of a molding die, and the tab is accommodated in a cavity formed in the mating surface. A resin-sealed body molding step in which a resin is filled in a tee to form the resin-sealed body.
【請求項5】 請求項4に記載の半導体装置の製造方法
に使用されるリードフレームであって、 前記アウタリード群が四角形枠形状の外枠の少なくとも
一辺に突設されているとともに、前記タブを吊持するリ
ードが外枠の他の辺に突設されており、前記樹脂封止体
の成形エリアの外側が屈曲されてこのタブを吊持するリ
ードが前記アウタリード群に対して前記樹脂封止体の厚
さ方向にずらされていることを特徴とするリードフレー
ム。
5. A lead frame used in the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein the outer lead group is provided so as to project from at least one side of a rectangular frame-shaped outer frame, and the tab is formed. A lead to be suspended protrudes from the other side of the outer frame, and the outside of the molding area of the resin sealing body is bent, so that the lead for suspending the tab is formed by the resin sealing with respect to the outer lead group. A lead frame, which is displaced in a thickness direction of a body.
【請求項6】 前記タブを吊持するリードが前記アウタ
リード群と別のアウタリードに連結されており、この別
のアウタリード群は前記外枠の四辺のうち前記アウタリ
ード群が配された辺と別の辺に配されていることを特徴
とする請求項5に記載のリードフレーム。
6. A lead for suspending the tab is connected to the outer lead group and another outer lead, and the other outer lead group is different from a side of the outer frame on which the outer lead group is arranged. The lead frame according to claim 5, wherein the lead frame is arranged on a side.
【請求項7】 前記タブを吊持するリードが専用のタブ
吊りリードであり、このタブ吊りリードが前記外枠の四
辺のうち前記アウタリード群が配された辺と別の辺に配
されているとともに、このタブ吊りリードが前記アウタ
リード群に対して樹脂封止体の厚さ方向にずらされてい
ることを特徴とする請求項5に記載のリードフレーム。
7. The tab suspension lead is a dedicated tab suspension lead, and the tab suspension lead is disposed on a side different from the side on which the outer lead group is disposed among the four sides of the outer frame. 6. The lead frame according to claim 5, wherein the tab suspension leads are shifted from the outer lead group in the thickness direction of the resin sealing body.
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JP8223027A Pending JPH1050912A (en) 1996-08-06 1996-08-06 Semiconductor device, method of manufacturing the same, and lead frame used therein

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