JPH10508987A - 光検出器素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 光検出器素子はアクティブ領域を有し、２つの相異なるキャリアを備えた層構造の２つの互に区画された層領域の間に形成されておりかつその内方で入射した電磁波の電気信号への変換が行われるアクティブ領域を有する。区画された両表面に対するアクティブ領域の位置は、評価回路への検出器素子の接続のための少なくとも２つの層領域が、入射光線が現れる感光面の反対側の面に組付け、実装可能である

Description

【発明の詳細な説明】 光検出器素子及びその製造方法 本発明は、光検出器素子及びその製造方法に関する。 公知の光検出器素子、特に光電素子は電磁波信号の電気信号への変換のために 使用される。そのような検出器素子について多くの使用可能性が存在する。これ に関連して光電位置測定装置の走査ユニットへの使用が挙げられる。そこでは検 出器素子は、測定尺目盛と走査板との間で相対的ずれを生じた振幅変調された光 線信号の検出に使用される。走査ユニットのできる限りコンパクトな構成が必要 とされ、即ち使用される光検出器素子への特定の条件が生じる。その上使用され る構成要素、特に検出器素子のできる限り簡単な製造が要請される。 通常の光検出器素子は相異なるキャリア濃度を有する層、例えば相違してドー ピングされた半導体層が隣接して配設されているアクティブ領域を有する。その 際ｐｎ接合が対象とされ、ｐｎ接合においてはアクティブ領域の内方又は形成さ れた空間電荷領域の内方に入射する電磁波によって自由なキャリアが発生する。 そのようにして、その表面にｐ形にドーピングされた薄いシリコン層が拡散され たｎ形にドーピングされたシリコンから成るシリコンベース上の光電素子が生じ る。光の入射の際にキャリア分離が行われる前記アクティブ領域が感光面の直ぐ 下方に位置する。このように形成された電気信号を評価回路に伝達するために、 検出器素子に接触要素又は電極が必要である。 そのように形成された光検出器素子は走査ユニットにおいて例えば導体板に内 蔵され、導体板上には後続の評価電子装置が配設されている。それによっていわ ゆるＳＭＤ素子（表面実装素子＝Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｄｅｖｉｃ ｅｓ）の構成が提供される。このことから導体板又は他の基板の表面に直接組み つけられることができるミニアチュア化された構成要素が把握される。しかし光 検出器素子のそのような構成では特に接触部に対する一定の条件が生じる。検出 器素子が各面に、感光面と反対側の面に好適な接続端子を備えることは有利であ る。そのような裏面の接触部は太陽電池では、例えば米国特許明細書４８９７１ ２３号又はヨーロッパ特許明細書０４５２５８８号から基本的に公知である。米 国特許明細書４８９７１２３号において両接点をクリップ状結合部を介して感光 面と反対側の方向に、即ち裏面に案内することが提案される。第２の接点は反対 側の面上にあり、その結果構成要素の裏面の接触が可能である。構成要素の表面 及び裏面の間のクリップ状結合部の形成のための製造技術的なコストは不利であ ることが実証された。ヨーロッパ特許明細書０４５２５８８号からアクティブ領 域を通る好適な寸法の開口によって裏面の接触を可能にすることが公知である。 そのような裏面接触では所定の開口に基づいて相異なる半導体層の境界組織が不 所望に影響され又は阻害される。 裏面に配設された接触電極を備えた光電素子又はＩＲ検出器素子は更に１９８ ５年７月発行の刊行物Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ＬｅｔｔｅｒｓＶｏｌ．２１、 Ｎｏ．１４、５９３〜５９５頁のＲ．Ｓ．Ｓｕｓｓｍａｎｎの「長波長高データ ・レート・フアイバ光学システムのための超低容量フリップ−チップ−ボンデッ ド ＧａｌｎＡｓ ＰＩＮ光検出器」並びに１９８６年１月発行のＰｈｏｔｏｎ ｉｃｓ Ｓｐｅｃｔｒａ、８６、８８頁の「ＳＤＩは古い検出器の役割を必要と する」から公知である。しかしそのような検出器素子の製造のための詳細はこの 刊行物には記載されていない。 本発明の課題は、ＳＭＤ技術を介して組付けられかつ簡単又はコスト安く製造 される光検出器素子及びその製造方法を案出することである。その際特に入射光 線が現れる表面にと反対側の面上への接触のための可能性が要求される。 この課題は、請求の範囲第１項の特徴部に記載された光検出器素子によって解 決される。 本発明による光検出器素子の有利な実施形態は請求の範囲第１項に従属する請 求の範囲から得られる。 光検出器素子の製造方法は請求の範囲第１５項に記載された構成によって得ら れる。 本発明による製造方法の多くの実施形態は請求の範囲第１５項に従属する請求 の範囲に記載された構成から得られる。 光検出器素子の本発明による構成は導体板上のＳＭＤ組立を可能にする、その わけは検出器素子の接触は裏面から可能にされ、即ち感光面と反対側の面から可 能であるからである。光電位置測定装置の走査ユニットの内方における検出要素 の使用の場合所望の僅かなスペース要求に関する前記条件は充足される。更に、 構成要素が半導体製造に類似するいわゆるバッチプロセスにおいて製造されるこ とができる場合には、そのような構成要素は量産に有利である。 本発明による解決の他の利点及び詳細を次に添付図面に基づいて複数の実施例 の次の記載から明らかにする。 図１は本発明による光検出器素子の第１実施形態を示す図である。 図２は図１の光検出器素子の製造のための方法ステップを示す図である。 図３は本発明による光検出器素子の第２実施形態を示す図である。 図４は本発明による光検出器素子の第３実施形態を示す図である。 図５ａは本発明による光検出器素子の第４実施形態を示す図である。 図５ｂは図５ａの実施形態の接触部の実施例を示す図である。 図６は本発明による光検出器素子の第５実施形態を示す図である。 図７ａ〜７ｆは、図６の検出器素子の製造のための方法ステップを示す図であ る。 図１は本発明による光検出器素子１の第１実施形態の側面断面図を示す。光検 出器素子は支持構造２を有し、支持構造２上に複数の相異なる層を備えた１つの 層構造３が重ねられ、図示の実施例においては２つの相異なる層５及び６がある 。検出器素子１の表面は２つの接触要素８ａ、８ｂを備える。接触要素８ａ、８ ｂの材料として図示の例では金が使用されている。その結果検出されるべき電磁 波ｈｖは図１においては検出器素子１の下面に入射し、即ち該下面は固有の感光 面として機能する。これに対して図式的に示された後続する評価回路１００と検 出器素子との接続のための接触要素８ａ、８ｂは、感光面と反対側の面に設けら れている。この構成は、既に説明したように導体板上の構成要素の所望のＳＭＤ 組立に好適でありかつ次に記載する本発明による構成によって可能にされる。 支持構造２上にある層構造は２つの相互に隣接した層５、６又は層領域を有し 、層５、６又は層領域には相異なるキャリアがそれぞれ特定された濃度で存在す る。下方の層としてｎ形にドーピングされたシリコン半導体層５が設けられてお り、その上にｐ形にドーピングされたシリコン半導体層６がある。両層５、６の 間の境界に阻止層が形成されており、阻止層は以下アクティブ領域７と称されか つ図１において拡大して表されている。層構造３のアクティブ領域７には電磁波 ｈｖの入射の際にキャリア対９ａ、９ｂが発生し、キャリア対は更に電気信号と して後続の評価回路１００で検出されることができる。このために両半導体層５ 、６は表面に既に述べた接触要素８ａ、８ｂを備える。相違してドーピングされ た両層５、６を備えた層構造３の下方には他の層４が設けられている、層４はＳ ｉＯ₂層として形成されておりかつその機能は後で詳しく説明する。ここではこ の層４は検出されるべき光線ｈｖの入射方向に基づいて、勿論各光線波長λを透 過しなければならない。公知の光検出器素子又は光電素子では入射光ｈｖは通常 の方法で反対側から構成要素上に、即ち一般に両半導体層の薄い方６の側に現れ 、従って裏面からの接触従って所望のＳＭＤ組立は不可能である。 従って本発明によれば、層構造３を、検出器素子１が固有の「裏面」から検出 されるべき光線ｈｖを当てられるような寸法にされている。従って電磁波ｈｖは 、アクティブ領域７においてキャリア９ａ、９ｂの発生が行われる前に、先ずｐ ｎ接合の両半導体層の厚い方５に現れる。このために特に光検出器素子１のアク ティブ領域７の位置が感光面に対して特定されて調整されなければならない。区 画される表面に対する立体的膨張又はアクティブ領域７の位置の特定された調整 のために、好適な方法で両区画される層５、６におけるドーピング濃度が変えら れる。選択された濃度に従ってアクティブ領域７が好適に形成される。従って検 出されるべき光線ｈｖの進入深さは、先ず両半導体層５、６の厚い方５が透過さ れる場合でも、即ちこの方向から光の入射が行われる場合でも、アクティブ領域 ７におけるキャリア分離を可能にするために充分でなければなければならない。 そのためにアクティブ領域７はこの実施形態においては層構造３の略全厚さを占 める。層構造３の下方に設けられた層４は入射光線ｈｖに対して透明に形成され ているので、その厚さはその点で重要ではない。 ８３０ｎｍの検出されるべき波長では、選択された材料に基づいて両半導体層 ５、６の層厚さｄは２〜５μmのオーダである。アクティブ領域７はそのために この実施形態においては図１による図形に相応して殆ど全層構造３に亘って形成 されている。 勿論これに類似して選択されるべきパラメータは他の波長又は他の材料によっ て変わる。アクティブ領域が全層厚さではなく、感光面に対して波長に依存して 適当に調整されるような厚い層構造を使用することも可能である。アクティブ領 域に又は形成されるべき阻止層に又は隣接して配設された層の空間電荷領域へ厚 い層を通って達するために、いかなる場合にも検出されるべき光線の進入深さが 充分であることが重要である。 層構造のアクティブ領域の好適な位置又は厚さの検出のために、他の場合にこ の材料の波長に依存する吸収特性を関連づけることができる。この関係において 、１９８１年ニュヨークで発行されたＳ．Ｍ．Ｓｚｅ著、Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、第２版、７５０頁、第５図が、種々の好適な材 料のためのこの関係の相応したグラフィック図面が参照される。 この開示は勿論光検出器素子における他の種類の接合のためにも、即ち純粋な 半導体−半導体接合のみならず、例えば金属−半導体接合を備えたショットキー 接点にも通用する。同様に勿論、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等のような他の半導体要素も 選択されることができる。 層構造３の厚さ又は両半導体層５、６の厚さを、そのように選択することがで きるために、図１に示す実施例のために特定された製造技術的措置が有利である ことが実証された。両半導体５、６又はアクティブ領域７が分離層４によって支 持構造２から分離されることが考えられる。既に述べてように、分離層はＳｉＯ₂ 層として形成されており、ＳｉＯ₂層は検出されるべき８３０ｎｍの波長を透過 する。 次に図２ａ〜図２ｄに基づいて説明される本発明による光検出器素子１では、 この分離層４は腐食停止層として機能する。この層の形成はいわゆるＳＩＭＯＸ 法（酸素注入による分離＝Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ）によって行われる。この方法の更に詳細のために例えば刊行物Ｓ ＥＮＳＥＲ ９３、Ｋｏｎｇｒｅｓｓｂａｎｄ ＩＩＩの２３８〜２４５頁のＡ ．Ｍｕｅｌｌｅｒの「センサ及びマイクロシステムの製造のためのＳＩＭＯＸ基 板の使用のための例としての熱電気赤外線センサ」なる記事が参照される。 図２ａにおいて、製造プロセスの第１の方法ステップが示され、その際ｎ形にド ーピングされた単結晶のシリコン基板への酸素注入が行われる。図２ｂの第２の 方法ステップにおいて表面の直ぐ下方に注入された酸素は数時間のプロセスにお いて略１３００°Ｃの高い温度で焼鈍される。その際光損傷は治癒されかつ注入 された酸素は隣接したシリコン基板に対するシャープな接合を有するＳｉＯ₂層 に対するシリコンと結合される。ＳｉＯ₂層の代表的な厚さは数１００ｎｍのオ ーダである。表面から層付け層までの距離は同様に２００〜３００ｎｍである。 図２ｃの次の方法ステップにおいてＳｉＯ₂層は腐食プロセスの間分離層として 使用され、その際苛性カリ溶液ＫＯＨによってシリコン基板の下方部分はＳｉＯ₂ 分離層又は腐食停止層まで選択的に腐食して除去され、その結果図１において 認識可能で、複雑な検出器素子１を機械的に安定化させる支持構造２が得られる 。検出器素子１の円形の実施形態の場合に、支持構造２は円筒状に形成されてお り、しかし勿論他の形態でも実現可能である。中央の区画されたＳｉＯ₂層を備 えた自由に腐食された領域は、次に感光面として機能する。その上にある凹部の 領域において追加的に−図示しない−充填材料が層付けされることができ、充填 材料は検出されるべき光線に対して透明でありかつ検出器素子１に追加的な機械 的安定性を付与する。図２ｄのプロセスステップにおいて、結局公知の拡散技術 によって分離層の上方にある薄いシリコン層へ小さい厚さの空間的に、区画され てｐ形にドーピングされた領域６が形成され、その結果既に図１に基づいて記載 した層構造の構成が得られる。この層の代表的な厚さは略数１００ｎｍの範囲に ある。接触電極と表面の閉鎖する接触部は示されていない、このことはスパッタ の形の公知の接着方法又は蒸着方法に基づいて行われる。 ＳｉＯ₂層の分離層又は腐食停止層としての使用の他に本発明による検出要素 において、酸素注入と交互に硼素注入が行われることができ、その結果相応した シリコン−硼素化合物の形の相応した分離層が表面の直ぐ下方に形成される。好 適に選択された硼素濃度では、即ち１０²⁰の濃度領域の原子数／ｃｍ³では、こ の層は同様に腐食停止層として作用しかつ本発明による検出器素子の製造は図２ ａ〜図２ｄにおける製造ステップと類似して可能である。 使用される波長に関する本発明による検出器素子の最適化の可能性は、酸素注 入又は硼素注入後の別個の方法ステップ及び後続の焼鈍プロセスにおいて、特定 の厚さのシリコン層が腐食停止層上にエピタキシャル成長において行われること にある。そのように層構造の厚さ従って感光面に対するアクティブ領域の位置も 所望の方法で調整される。このことは特に使用された電磁波の進入深さへの層構 造の厚さの適合のために有利である、そのわけは波長に最適の寸法のための簡単 な可能性が得られるからである。層構造の内方のアクティブ領域は常に波長に依 存した進入深さに適合する感光面からの距離に位置する。両層の必要なｐ形及び ｎ形へのドーピングは、層構造の空間的に分離された領域において、相異なるキ ャリアが特定されて付けられる、相応した拡散方法によるエピタキシャルプロセ スによって行われる。 その上赤外線のスペクトル領域の検出されるべき光線での本発明による検出器 素子の最適化は、エピタキシャル成長したシリコン層において追加的にゲルマニ ウム原子が特定された濃度で注入されることによっても達成され、その結果Ｓｉ −Ｇｅ接合が得られる。このスペクトル領域において検出器素子−感度は、注入 されたゲルマニウムの相応する濃度によって有利に影響される。 本発明による光検出器素子３１の第２の実施形態を次に図３に基づいて記載す る。第１の実施例と類似して、相違してドーピングされた両半導体層３５、３６ とアクティブ領域３７とを備えた層構造３３の厚さは、検出器素子３１の感光面 が接触電極の形の接触要素３８ａ、３８ｂが配設された面とは反対側に位置する ようにされている。しかし図１の実施例とは異なりアクティブ領域７を備えた層 構造３３は相応して薄い膜として形成されている。膜３３の必要なドーピング、 即ちｐ形及びｎ形にドーピングされた層又は領域の構成は既に条件に相応して製 造された膜３３に含まれる。そのような半導体膜を考慮して、１９９２年５月に 発行された、Ｆａ．Ｖｉｒｇｉｎｉａ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、Ｉｎｃ． の情報誌が参照され、この情報誌にはシリコン膜として形成された膜が記載され ている。有利に層構造のそのような構成には大きな面積従って半導体膜３３従っ て検出器素子の合理的な製造の可能性がある。根本的にそのような半導体材料の 使用も可能である。 検出器素子３１の入射光線ｈｖに面した側には、図３の実施例において透明な 不活性層３４が配設されている。この不活性層３４は膜３３又は構成要素の電気 的特性化、即ち種々の環境影響に対する保護のために役立つ。不活性層３４とし てそれぞれガス相から相応した表面上に析出されることができる例えばＳｉＯ₂ 又はＳｉ₃Ｎ₄が好適である。 機械的な安定化のために本発明による検出器素子３１のこの実施例において、 膜３３を不活性相３４も含めて例えば円筒状支持構造３２上に配列することも考 えられる。その際使用された支持構造３２が、加熱の際に同様に現れる機械的応 力を回避するために、膜３３と同様な熱膨張率を有する場合には好適である。シ リコン膜３２の場合同様な熱膨張率に関してシリコンから製造された支持構造３ ２が好適である。選択的にＰｙｒｅｘの使用も可能である。振動等に対する検出 器素子３１の安定化を補償するために、更に膜３３と支持構造３２との間のでき る限り安定化した機械的結合が有利である。このために特別に好適な結合技術は いわゆる「陽極結合」であり、その際特定の温度及び又は電界の影響の下に結晶 接合組織との結合が実現可能である。シリコン膜との結合のためのシリコンベー ス上の好適な支持構造材料は株式会社ＨＯＹＡから提供される。これに対してこ のために好適な支持構造材料が記載されている社内報の記事「ＳＤ−２Ｇｌａｓ ｓ ｆｏｒ Ａｎｏｄｉｃ Ｂｏｎｄｉｎｇ」が参照される。 これまでに記載した実施例では、アクティブ領域を備えた層構造中に他の電子 的構成要素、例えば増幅器要素又は温度センサ要素をを内蔵の形で組み込むこと も可能である。 本発明による光検出器素子４１の第３の可能な実施例は図４に表されている。 本発明によれば、相違してドーピングされた両半導体領域４５、４６及びアクテ ィブ領域４７６を備えた層構造４３を、光入射面の反対側の面上で接触が可能な ように形成することが提案される。検出されるべき光線ｈｖを透過する支持構造 基板４９、例えばガラス上に、厚さｄの層構造４３が付けられる。層構造４３の ための出発材料として図１で述べた単結晶又はアモルファスシリコンとは異なり 、いわゆるナノ−又はマイクロ−クリスタルシリコンが設けられ、このシリコン は両層４５、４６又は層領域において相違してドーピングされている。そのよう な材料は赤外線領域において高いスペクトル感度を有する。このために充分な寿 命を有する。特定された調整可能性に基づいて不活性結晶構造は製造プロセスで は所望のスペクトル感度が特定されて変えられる。マノ−又はマイクロ−クリス タルシリコンの支持構造基板４９上への成層は気相からの析出によって行われる 。この材料に関する詳細はアモルファス半導体についての国際会議（１９９５年 ９月に日本国神戸市で行われた）記念の議事録中のＳ．Ｋｏｙｎｏｗ の「Ｉｎ ｉｔｉａｌ ｓｔａｇｅｓ ｏｆ ｍｉｃｒｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｉｌ ｉｃｏｎ ｆｉｌｍ ｇｒｏｒｔｈ」が参照される。 図４に実施例においては支持構造基板４９は機械的安定化のために更に円筒状 支持構造４２上に配設されている。 両接触要素４８ａの１つは好適な結合技術を介して検出器素子の裏面で相違し てドーピングされた両層構造４６と結合している。他の層構造４５の接触のため に層構造４３と支持構造基板４９との間に導電性中間層構造４４が設けられてい る。その際中間層構造４４は検出されるべき光線ｈｖを透過する酸化インジウム 亜鉛層から成る。この中間層構造４４の代表的厚さは３０と２００ｎｍの間であ る。中間層構造４４はアクティブ領域４７を備えた層構造４３の隣接した面より も大きな面に渡って、図示の実施例においては支持構造基板４９の全面に渡って 拡がる。アクティブ領域４７を備えた層構造４３を越えて突出する中間層構造４ ４の接触領域上にはチタンから成る接着層４４．１を備えた酸化インジウム亜鉛 層が設けられている。接着層４４．１上には例えば金属バンド、チタン又はニッ ケルを蒸着された接触電極の形の第２の接触要素４８ｂが配設されている。 この方法で感光面とは反対側に向けられている表面からの検出器素子４１の接 触が可能となる。 本発明による光検出器素子の他の実施形態を図５ａ及び図５ｂが示す。図示の 変形は図３による実施形態とは接触部の選択された方式及び検出器素子５１の形 態についてのみ相違する。両接触要素５８ａ、５８ｂを横断面矩形に形成された 検出器素子５１上にそれぞれ大きな面で実施することが考えられる。その際光線 入射面と反対側の面上で矩形に形成された第１の接触電極５８ｂは相違してドー ピングされた両層領域５５、５６と結合している。第２接触電極５８ａは接触電 極５８ｂの周りにリング状に配設されているかつ第２層領域５５と結合している 。そのような大きな面積の接触によって検出器素子５１の場合によっては存在す る局部的に相違した感度が回避される。勿論大きな面積で実施される接触電極、 例えば回転対称に配設されている接触電極等の選択的な大きさが可能である。 本発明による光検出器素子の他の実施例は図６に示されている。その際支持構 造６２上に分離層６４が配設されている、分離層を介して層構造６３が相違して ドーピングされた２つの層領域６５、６６と境界領域に形成されたアクティブ領 域６７と結合している。２つの相違してドーピングされた２つの層領域６５、６ ６が設けられ、そのうち下方の層領域はＳｉＯ₂腐食停止層に直接隣接して配設 されおりかつドーピングされた他の層６６と同様な大きさの底面を有し、その結 果、上にある材料が除去された場合には後方に手の届く接触領域が使用される。 図示の例においてｐ形にドーピングされた層として形成された層領域６５は簡単 に接触されることができ、そのために図４の例に類似して伝導性の層領域６５と 接触電極６８ｂとの間に接着層６４が配設されている。必要な第２の接触要素６ ８ａは他の層領域６６と伝導的に結合している。層構造６３の厚さｄに基づいて 、裏面上の検出器素子６１の接触が可能であることが確保される。 図６に示された検出器素子６１の好適な製造方法を次に図７ａ〜７ｅに基づい て説明する。先ずｎ形にドーピングされた単結晶シリコン基板から出発して上記 のＳＩＭＯＸ法を介してＳｉＯ₂層が付けられる。続いて次のステップにおいて イオン打込みプロセスにおいてｐ形にドーピングされた層領域６５が、ＳｉＯ₂ 層上に位置する基板表面の下方に所定の深さに形成される。ＳｉＯ₂層６４は前 記のように次のプロセスステップにおいて腐食停止層の機能と一致し、即ち腐食 プロセスの領域において苛性カリ溶液ＫＯＨによって検出器素子６５の感光面領 域が自由に腐食される。縁領域には図２による実施例のように支持構造が存在し 、支持構造は構成要素の機械的安定性を高める。続いてのリゾグラフ−及び腐食 プロセスを介してｎ形にドーピングされたシリコンがｐ形にドーピングされた層 が生じるまで除去される。ｐ形にドーピングされ従って伝導層６４は好ましくは 実施形態において、好適な接触要素６８ｂが配設されることができる全面が接触 面として役立つ。本発明による検出器素子６１の好ましくは実施形態においても 感光面と反対側の面からの接触が可能である。 勿論本発明により寸法決めされた前記実施例の層構造のための種々の材料が相 異なる接触方法と組合される。同様なことが個々の実施例における前記の他の措 置にも通用する。それによって本発明による光検出器素子の一連の実施形態が得 られ、これらは明細書中に記載されていないが、本発明による認識の範囲内にあ る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．層構造（３；３３；４３；５３；６３）の２つの互いに区画された層領域（ ５、６；２５、２６；３５、３６；４５、４６；５５、５６；６５、６６）の間 に相異なるキャリアによって形成されたアクティブ領域（７；２７；３７；４７ ；５７；６７）を備え、かつその内方で入射する電磁波（ｈｖ）の電気信号への 変換が行われる、光検出器素子（１；３１；４１；５１；６１）にして、アクテ ィブ領域（７；２７；３７；４７；５７；６７）の位置が光線（ｈｖ）の進入深 さを考慮して区画された両表面に対して、少なくとも２つの接触要素（８ａ、８ ｂ；３８ａ、３８ｂ；４８ａ、４８ｂ；５８ａ、５８ｂ；６８ａ、６８ｂ）が評 価回路（１００）への検出器素子（１；３１；４１；５１；６１）の接続のため に、入射光線（ｈｖ）が射出する光感面と反対側に位置する表面上に組付可能で あることを特徴とする前記光検出器素子（１；３１；４１；５１；６１）。 ２．層構造（３；３３；４３；５３；６３）の厚さ（ｄ）が、いかなる場合でも 入射光線（ｈｖ）がアクティブ領域（７；２７；３７；４７；５７；６７）に達 するような寸法にされている、請求の範囲第１項記載の光検出器素子（１；３１ ；４１；５１；６１）。 ３．層構造（３；３３；４３；５３；６３）が入射光（ｈｖ）の方向に入射光（ ｈｖ）を透過する腐食停止層（４；４４；５４；６４）を備える、請求の範囲第 １項記載の光検出器素子（１；３１；４１；５１；６１）。 ４．腐食停止層（４；４４；５４；６４）がＳｉＯ₂層として形成されている、 請求の範囲第３項記載の光検出器素子（１；３１；４１；５１；６１）。 ５．層構造（３；３３；４３；５３；６３）が相違してドーピングされた少なく とも２つの層領域（５、６；２５、２６；３５、３６；４５、４６；５５、５６ ；６５、６６）を有するエピタキシャル成層されたシリコン層として形成された 、請求の範囲第１項記載の光検出器素子（１；３１；４１；５１；６１）。 ６．エピタキシャル成層されたシリコン層に特定された濃度のゲルマニウムイオ ンが打ち込まれている、請求の範囲第５項記載の光検出器素子（１；３１；４１ ；５１；６１）。 ７．層構造（３３）が相違してドーピングされた層領域（３５、３６）を有する 特定された厚さ（ｄ）の薄い半導体膜として形成されている、請求の範囲第１項 記載の光検出器素子（３１）。 ８．入射光（ｈｖ）に面した表面が電気的特性の安定化のための光透過層（３４ ）を備える、請求項１から７までのうちのいずれか一記載の光検出器素子（１； ３１；４１；５１；６１）。 ９．不活性化層（３４）がＳｉＯ₂又はＳｉ₃Ｎ₄として形成されている、請求の 範囲第８項記載の光検出器素子（１；３１；４１；５１；６１）。 １０．半導体膜（３３）が、半導体膜のような熱膨張率を有する支持構造基板（ ３２）上に配設されている、請求の範囲第７項記載の光検出器素子（３１）。 １１．支持構造基板（４２）上に配設されている層構造（４３）がマノ又はマイ クロ結晶シリコンの少なくとも１つの層を有する、請求の範囲第１項記載の光検 出器素子（４１）。 １２．接触要素（５８ａ、５８ｂ；６８ａ、６８ｂ）の少なくとも１つが大きな 面積の接触領域として形成されている、請求の範囲第１項記載の光検出器素子（ ５１；６１）。 １３．層構造（５３；６３）の両層領域（５６、５６；６５、６６）の１つがそ れぞれ他の層構造（５５、５６；６５、６６）よりも大きな底面を有しかつ大き な層領域（５５、５６；６５、６６）が、他の接触要素（５８ａ、５８ｂ；６８ ａ、６８ｂ）を介して後続の評価回路と接続している大きな面積の接触領域（５ ８ａ、５８ｂ；６８ａ、６８ｂ）を備える、請求の範囲第１２項記載の光検出器 素子（５１；６１）。 １４．光電位置測定装置の走査ユニットへの請求の範囲第１項記載の光検出器素 子（１；３１；４１；５１；６１）の使用方法。 １５．光検出器素子（１；４１；５１；６１）の製造のための方法において、次 のプロセスステップ、即ち、 ａ）区画された第１表面の直ぐ下方における特定されてドーピングされた半導体 基板における腐食停止層（４；４４；５４；６４）の形成、 ｂ）腐食停止層（４；４４；５４；６４）が区画された第２表面を形成するまで 、腐食停止層（４；４４；５４；６４）の下方に存在する基板材料の空間的に選 択的な除去腐食、 ｃ）半導体基板として相違してドーピングされた腐食停止層（４；４４；５４； ６４）の上方の空間的に区画された層領域（６；４６；５６；６６）の形成、 ｄ）第２表面の反対側に配設されている側で少なくとも２つの接触要素（８ａ； ８ｂ；４８ａ、４８ｂ；５８ａ、５８ｂ；６８ａ、６８ｂ）と検出要素（１；３ １；４１；５１；６１）の接触とを特徴とする前記方法。 １６．腐食停止層（４；４４；５４；６４）の形成は次の部分プロセスステップ を包含する、即ち ａ１）特定されてドーピングされた半導体基層中への酸素注入、 ａ２）半導体基層の表面の直ぐ下方に特定された境界を備えた腐食停止層（４； ４４；５４；６４）としての半導体酸素化合物の形成のための半導体基板の焼鈍 が行われる、請求の範囲第１５項記載の方法。 １７．空間的に区画された層領域（６５）が、直接腐食停止層（６４）で区画さ れた層とは別の半導体基板のようなドーピングによって半導体基板中に形成され る、請求の範囲第１５項記載の方法。 １８．接触のために、 ｄ１）半導体基板材料の一部分が接触領域における他のドーピングの層領域（６ ５）まで除去され、 ｄ２）接触領域に接着層（６４．１）が成層され、 ｄ３ 接着層（６４．１）上に接触要素（６８ｂ）が成層される、 請求の範囲第１７項記載の方法。 １９．腐食停止層上の基板材料上に特定の厚さの他の基板材料がエピタキシャル 成長により成層されている、請求の範囲第１５項記載の方法。