[go: up one dir, main page]

JPH1034514A - 表面研磨加工方法及びその装置 - Google Patents

表面研磨加工方法及びその装置

Info

Publication number
JPH1034514A
JPH1034514A JP8194830A JP19483096A JPH1034514A JP H1034514 A JPH1034514 A JP H1034514A JP 8194830 A JP8194830 A JP 8194830A JP 19483096 A JP19483096 A JP 19483096A JP H1034514 A JPH1034514 A JP H1034514A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tape
holding
holding member
plate
pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8194830A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobukazu Hosogai
信和 細貝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanshin Co Ltd
Original Assignee
Sanshin Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanshin Co Ltd filed Critical Sanshin Co Ltd
Priority to JP8194830A priority Critical patent/JPH1034514A/ja
Priority to TW086108187A priority patent/TW350805B/zh
Priority to US08/882,468 priority patent/US6068542A/en
Priority to KR1019970034471A priority patent/KR100259702B1/ko
Publication of JPH1034514A publication Critical patent/JPH1034514A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/04Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding plane surfaces
    • B24B21/06Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding plane surfaces involving members with limited contact area pressing the belt against the work, e.g. shoes sweeping across the whole area to be ground

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 テープ基材を受圧パッドとすると共に粒体を
転動する際の引っ掛かりとする遊離砥粒により研磨加工
がなされることになり、それだけ板状部材の表面とパッ
ドテープとの間において、遊離砥粒の良好な転動がなさ
れ、板状部材の表面を良好に研磨加工することができ
る。 【解決手段】 板状部材を保持可能な保持部材12と、
板状部材Wの表面に対向位置し、テープ基材T1の表面
に粒体T2を固着してなるパッドテープTをもつテープ
保持機構20と、保持部材及び又はテープ保持機構を回
転させる回転機構13と、板状部材の表面とパッドテー
プとの間に遊離砥粒Gを供給する研磨材供給機構29と
を備えてなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は例えばメモリ、ロジ
ックデバイス等のデバイス化途中の層間膜の表面やシリ
コンウエハ又は液晶フィルタのガラス基板、プラズマデ
イスプレー基板などの板状部材の表面研磨加工に用いら
れる表面研磨加工方法及びその装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】例えば、この種の板状部材Wとしてのデ
バイスウエハは、図12の如く、板状に形成され、例え
ば図13の如く、シリコンウエハa上にアルミニュウー
ム等の導電性金属からなる第一層の配線パターンbを形
成し、図14の如く、この配線パターンb上にSiO2
系等の高誘電体金属からなる層間膜cを形成し、図15
の如く、層間膜cの表面を平坦化研磨加工すると共にコ
ンタクトホールdを形成し、図16の如く、第二層の配
線パターンeを形成し、以下同様に第二層の配線パター
ンe上に層間膜を形成したのち、層間絶縁膜cの表面を
平坦化研磨加工し、順次四層、五層或いは六層等に積層
し、高度な多層配線構造を実現したものである。
【0003】ところで、これら板状部材の表面研磨加工
装置としては、ラップ盤が用いられ、わずかな研磨歪み
やスクラッチの発生を避けるため、硬軟度が選択された
パッドを用いたり、ラップ定盤又はパッドの表面に凹凸
部分をパターン形成し、ラップ定盤又はパッドと板状部
材の表面との間に研磨材としての遊離砥粒を供給し、回
転モードで板状部材の表面を研磨加工するように構成さ
れている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
構造の場合、例えばデバイスウエハ表面の研磨加工にあ
っては、デバイスパターンの大小、粗密の下地の状態に
かかわらず、凸部のみを優先的に、かつ表面全面を凹凸
のない平面に均一に除去しなければならないとされ、加
工マージンが極めて少ないことも相俟って、ラップ盤の
加工条件は極めて厳しく、又、デバイスウエハ自体の径
大化傾向に伴い、ラップ盤が大型化すると共にこれによ
りデバイスウエハ自体の取り扱いも困難となり易く、そ
れだけ作業性が低下することがあり、又、更には、ラッ
プ定盤又はパッドの表面に凹凸部分をパターン形成する
構造の場合には、装置の製造コストが非常に高価なもの
となり、耐久性に欠けることもあって、経済性及び高速
加工性が低下しているという不都合を有している。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決することを目的とし、本発明のうち、請求項1記
載の方法の発明は、板状部材を保持部材に保持し、該保
持部材にテープ基材の表面に粒体を固着してなるパッド
テープを対向位置し、該保持部材と該パッドテープとの
間に遊離砥粒を供給し、該保持部材及び又は該テープ保
持機構を回転させることにより遊離砥粒によって板状部
材の表面を研磨加工することを特徴とする表面研磨加工
方法にある。
【0006】又、請求項2記載の装置の発明は、板状部
材を保持可能な保持部材と、該板状部材の表面に対向位
置し、テープ基材の表面に粒体を固着してなるパッドテ
ープをもつテープ保持機構と、該保持部材及び又はテー
プ保持機構を回転させる回転機構と、該板状部材の表面
と該パッドテープとの間に遊離砥粒を供給する研磨材供
給機構とを具備したことを特徴とするものである。
【0007】又、請求項3記載の発明は、パッドテープ
を間欠的に移送させるテープ移送機構を具備したことを
特徴とするものであり、又、請求項4記載の発明は、上
記保持部材又はテープ保持機構を揺振運動させる揺振機
構を具備したことを特徴とするものであり、又、請求項
5記載の発明は、上記回転機構として、上記保持部材を
偏心回転運動又は遊星回転運動させるように構成したこ
とを特徴とするものである。
【0008】
【発明の実施の形態】図1乃至図11は本発明の実施の
形態例を示し、図1乃至図6は第一形態例、図7、図8
は第二形態例、図9乃至図11は第三形態例である。
【0009】図1乃至図6は本発明の実施の第一形態例
であって、1は機台であって、この場合機台1の両側位
置に供給割出テ−ブル2及び取出割出テ−ブル3が配置
され、この機台1の後部にはコラム4が立設され、この
コラム4に支持台5が進退機構6により上下動作自在に
配設されている。
【0010】この場合進退機構6は、上記コラム4に支
持台5を軸受部6aにより上下動作自在に取付け、コラ
ム4に上下動用モータ6bを取付け、上下動用モータ6
bによりボールネジ機構6cの作用を介して支持台5を
上下動作させるように構成したものである。
【0011】7は加工ヘッドであって、上記支持台5に
供給取出機構8によって供給割出テ−ブル2上の板状部
材Wの供給位置Kと取出割出テ−ブル3上の板状部材W
の取出位置Lとの間を加工位置Nを介して往復移動自在
に設けられ、かつ揺振機構9により左右方向に揺振運動
自在に配設されている。
【0012】この場合供給取出機構8は、上記支持台5
に移動台10を軸受部8aにより左右移動自在に取付
け、移動台10移動用モータ8bを取付け、移動用モー
タ8bによりボールネジ機構8cの作用を介して移動台
10を左右移動させるように構成され、又、揺振機構9
は上記移動台10に揺振台11を軸受部9aにより左右
揺振運動自在に取付け、揺振台11に揺振用モータ9b
を取付け、揺振用モータ9bの主軸に偏心カム9cを取
付け、移動台10に偏心カム9cをに対向接触する対向
一対のガイド板9dを取付け、揺振台11に加工ヘッド
7を取付けて構成している。
【0013】12は保持部材、13は回転機構であっ
て、この場合加工ヘッド7に主軸14を軸受筒15によ
り回転自在に縦設し、加工ヘッド7に主軸14をベルト
機構15を介して回転させる回転用モータ16を配置
し、主軸14の下部に支持盤17を取付け、支持盤17
に保持部材12を取り付け、保持部材12に負圧吸着機
構からなる保持機構18が組み込まれて構成している。
【0014】この保持機構18としての負圧吸着機構
は、上記保持部材12の下面に吸着穴19が複数個形成
され、各々の吸着穴19に図外の切替弁を介して図外の
負圧発生源に接続され、負圧の作用により板状部材Wの
保持又は釈放を行うように構成されている。
【0015】20はテープ保持機構、21はテープ移送
機構であって、この場合機台1上に取付筒体22を取付
け、取付筒体22に枠体23を取付け、枠体23の中程
部に受面部材24を形成し、枠体23の両側部にポリエ
ステルフィルム、メタル、クロス等からなるテープ基材
1に、酸化アルミニュウム、酸化クロム、シリコンカ
ーバイド、ダイヤモンド等の所定粒度の粒体T2を不規
則又は所定パターンに則って規則的に、図5又は図6状
態で、バインダによりコーティング又は結合してなるパ
ッドテープTを掛回した実巻リール25及び空リール2
6を軸架し、かつ枠体23に一対の送りロール27を横
設し、一方の送りロール27を間欠的に送り回転させる
送り用モータ28を取付け、実巻リール25から引き出
したパッドテープTを受面部材24上及び送りロール2
7間を介して空リール26に掛回し、送りロール27の
回転によりパッドテープTを研磨回数や研磨時間によ
り、粒体T2の状況に応じて、パッドテープTの新たな
部分をパッド部分として用いるために、随時、間欠的に
移送させるように構成している。
【0016】29は研磨材供給機構であって、この場合
遊離砥粒Gとしては、例えば、酸化アルミニウーム
(A、WA、コランダム)、炭化ケイ素(C、GC)、
ダイヤモンド、その他のラップ剤として採用される粉粒
体が用いられ、図外の容器から吐出ノズル30を介し
て、遊離砥粒Gを、乾式の場合はそのまま、湿式の場合
には軽油、スピンドル油、種油、マシン油等の混合液か
らなる工作液、又は、CMP加工と称する研磨液、例え
ば板状部材Wの表面を軟化させる化学液を含む研磨液と
共にパッドテープT上に給送し、この給送された遊離砥
粒Gを回収して再びノズル30より吐出するように構成
されている。
【0017】この実施の第一形態例は上記構成であるか
ら、例えば、デバイス化途中のデバイスウエハとしての
板状部材Wの層間膜の表面の研磨加工に際し、供給位置
Kにおいて、進退機構6により加工ヘッド7は下降し、
供給割出テ−ブル2上には板状部材Wが回転移送されて
配置され、加工ヘッド7の下降により保持部材12は板
状部材Wに当接し、保持機構18としての負圧吸着機構
の作用により板状部材Wは保持部材12に吸着保持さ
れ、進退機構6により加工ヘッド7及び保持部材12は
上昇し、次いで供給取出機構8により加工ヘッド7は供
給位置Kから加工位置Nへと図中右方向に移動すること
になる。
【0018】この加工位置Nにおいて、加工条件に応じ
て乾式状態又は加工部位に工作液若しくは研磨液、例え
ば表面を軟化させる化学液を含む研磨液を供給する湿式
状態の雰囲気において、研磨材供給機構29により、吐
出ノズル30から遊離砥粒GがパッドテープT上に給送
されると共に進退機構6の駆動により加工ヘッド7が下
降し、保持部材12に吸着保持された板状部材Wは主軸
14の軸線Oを中心として上記パッドテープT上の研磨
砥粒Gに回転接触して研磨加工が行われることになる。
【0019】この研磨加工が所定時間行われて完了する
と、進退機構6により加工ヘッド7は上昇し、上昇限に
おいて、保持部材12により保持されたまま板状部材W
は供給取出機構8により加工位置Nから取出位置Lまで
移送され、取出位置Lにおいて、加工ヘッド7及び保持
部材12は進退機構6により下降し、下降限で保持機構
18による負圧吸着作用が解除され、板状部材Wは保持
部材12から釈放され、取出割出テ−ブル3上に板状部
材Wが載置され、この取出割出テ−ブル3により取出移
送されることになる。
【0020】この際、上記研磨加工において、板状部材
Wの表面はテープ基材T1の表面に粒体T2を固着してな
るパッドテープT上に供給された遊離砥粒Gにより回転
研磨され、よって、テープ基材T1を受圧パッドとする
と共に粒体T2上を転動する際の引っ掛かりとする遊離
砥粒Gにより研磨加工がなされることになり、それだけ
板状部材Wの表面とパッドテープTとの間において、遊
離砥粒Gの良好な転動がなされ、板状部材Wの表面を良
好に研磨加工することができ、しかも、この際、テープ
基材T1の軟硬の材質選択及び粒体T2の材質及び粒度の
選択により一層研磨加工が良好となる。
【0021】又、この場合上記パッドテープTを間欠的
に移送させるテープ移送機構21を備えているので、研
磨回数や研磨時間により、粒体T2の状況に応じて、パ
ッドテープTを随時間欠的に移送させることにより、こ
の新たなテープ基材T1をパッド部分を用いることがで
きると共に新たな粒体T2を用いることができ、それだ
け良好な研磨加工を行うことができる。
【0022】又、この場合保持部材12を揺振運動させ
る揺振機構9を具備しているから、保持部材12は図中
S方向に揺振運動し、この揺振運動による研磨作用が付
加され、それだけ良好に研磨加工を行うことができる。
【0023】図7、図8の実施の第二形態例は回転機構
13の別例構造を示し、この場合上記加工機体7に上記
主軸14の軸線Oから偏心した位置の軸線Pを中心とし
て回転する保持部材12を配置し、保持部材12に上記
同様に板状部材Wを保持し、軸線Oを中心として保持部
材12を回転させると共に軸線Oより偏心した軸線Pを
中心として保持部材2を回転させ、これにより一枚の板
状部材Wを公転自転の偏心回転運動させるように構成し
たもである。
【0024】図9乃至図11の実施の第三形態例は別例
構造を示し、この場合回転機構3として、上記加工機体
7に上記主軸14の軸線Oから偏心した位置の軸線Pを
中心として回転する保持部材12を四個配置し、各保持
部材12に上記同様に板状部材Wを保持し、軸線Oを中
心として保持部材12を回転させると共に軸線Oより偏
心した軸線Pを中心として各々の保持部材12を回転さ
せ、これにより四枚の板状部材Wを公転自転の遊星回転
運動させるように構成されている。
【0025】更に、この場合他の回転機構31が備えら
れ、この場合機台1上に取り付けた取付筒体22に旋回
軸32を軸受33により水平旋回自在に縦設し、機台1
内に旋回軸32をベルト機構34を介して旋回させる旋
回用モータ35を取付け、旋回軸32の上端部に上記同
様な枠体23を取付け、この回転機構31によりテープ
保持機構20を水平旋回回動させるように構成してい
る。
【0026】この第二及び第三形態例にあっては、上記
第一形態例において、回転研磨のうちの、板状部材Wの
回転において、板状部材Wを公転自転の偏心回転運動又
は遊星回転運動を伴って研磨加工することができ、良好
な研磨加工を行うことができ、更に、第三形態例にあっ
ては、テープ保持機構20の回転も相俟って、一層良好
な研磨加を行うことができる。
【0027】尚、本発明は上記実施の形態例に示す回転
機構、テープ移送機構、揺振機構、旋回機構等の構造に
限られるものではなく、又、上記実施の形態例とは逆
に、テープ保持機構18を揺振運動させる揺振機構を採
用したり、保持部材12を回転させずにテープ保持機構
18を回転運動させる回転機構を採用することもあり、
又、パッドテープTのテープ基材T1の材質や粒体T2
材質、遊離砥粒Gの材質等は適宜変更して設計される。
【0028】
【発明の効果】本発明は上述の如く、請求項1又は2記
載の発明にあっては、板状部材の表面の研磨加工におい
て、板状部材の表面はテープ基材の表面に粒体を固着し
てなるパッドテープ上に供給された遊離砥粒により回転
研磨され、よって、テープ基材を受圧パッドとすると共
に粒体を転動する際の引っ掛かりとする遊離砥粒により
研磨加工がなされることになり、それだけ板状部材の表
面とパッドテープとの間において、遊離砥粒の良好な転
動がなされ、板状部材の表面を良好に研磨加工すること
ができ、テープ基材の軟硬の材質選択及び粒体の材質及
び粒度の選択により一層研磨加工が良好となる。
【0029】又、請求項3記載の発明にあっては、パッ
ドテープを間欠的に移送させるテープ移送機構を備えて
いるので、研磨回数や研磨時間により、粒体の状況に応
じて、パッドテープを随時間欠的に移送させることによ
り、新たなテープ基材をパッド部分として用いることが
できると共に新たな粒体を用いることができ、それだけ
良好な研磨加工を行うことができ、又、請求項4記載の
発明にあっては、保持部材又はテープ保持機構を揺振運
動させる揺振機構を具備しているから、この揺振運動に
よる研磨作用が付加され、それだけ良好に研磨加工を行
うことができ、又、請求項5記載の発明にあっては、回
転研磨のうちの、板状部材の回転において、板状部材を
公転自転の偏心回転運動又は遊星回転運動を伴って研磨
加工することができ、良好な研磨加工を行うことができ
る。
【0030】以上、所期の目的を充分達成することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の第一形態例の全体側断面図であ
る。
【図2】本発明の実施の第一形態例の全体正面図であ
る。
【図3】本発明の実施の第一形態例の説明斜視図であ
る。
【図4】本発明の実施の第一形態例の説明平面図であ
る。
【図5】本発明の実施の第一形態例のパッドテープの部
分拡大断面図である。
【図6】本発明の実施の第一形態例の他のパッドテープ
の部分拡大断面図である。
【図7】本発明の実施の第二形態例の説明平面図であ
る。
【図8】本発明の実施の第二形態例の説明斜視図であ
る。
【図9】本発明の実施の第三形態例の全体側断面図であ
る。
【図10】本発明の実施の第三形態例の説明平面図であ
る。
【図11】本発明の実施の第三形態例の説明斜視図であ
る。
【図12】デバイスウエハの斜視図である。
【図13】デバイスウエハの製作工程図である。
【図14】デバイスウエハの製作工程図である。
【図15】デバイスウエハの製作工程図である。
【図16】デバイスウエハの製作工程図である。
【符号の説明】
W 板状部材 G 遊離砥粒 T パッドテープ T1 テープ基材 T2 粒体 9 揺振機構 12 保持部材 13 回転機構 20 テープ保持機構 21 テープ移送機構 29 研磨材供給機構
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成9年5月12日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 板状部材を保持部材に保持し、該保持部
    材にテープ基材の表面に粒体を固着してなるパッドテー
    プを対向位置し、該保持部材と該パッドテープとの間に
    遊離砥粒を供給し、該保持部材及び又は該テープ保持機
    構を回転させることにより遊離砥粒によって板状部材の
    表面を研磨加工することを特徴とする表面研磨加工方
    法。
  2. 【請求項2】 板状部材を保持可能な保持部材と、該板
    状部材の表面に対向位置し、テープ基材の表面に粒体を
    固着してなるパッドテープをもつテープ保持機構と、該
    保持部材及び又はテープ保持機構を回転させる回転機構
    と、該板状部材の表面と該パッドテープとの間に遊離砥
    粒を供給する研磨材供給機構とを具備したことを特徴と
    する表面研磨加工装置。
  3. 【請求項3】 上記パッドテープを間欠的に移送させる
    テープ移送機構を具備したことを特徴とする請求項2記
    載の表面研磨加工装置。
  4. 【請求項4】 上記保持部材又はテープ保持機構を揺振
    運動させる揺振機構を具備したことを特徴とする請求項
    2又は3記載の表面研磨加工装置。
  5. 【請求項5】 上記回転機構として、上記保持部材を偏
    心回転運動又は遊星回転運動させるように構成したこと
    を特徴とする請求項2乃至4記載の表面研磨加工装置。
JP8194830A 1996-07-24 1996-07-24 表面研磨加工方法及びその装置 Pending JPH1034514A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8194830A JPH1034514A (ja) 1996-07-24 1996-07-24 表面研磨加工方法及びその装置
TW086108187A TW350805B (en) 1996-07-24 1997-06-13 Surface polishing method and apparatus
US08/882,468 US6068542A (en) 1996-07-24 1997-06-25 Pad tape surface polishing method and apparatus
KR1019970034471A KR100259702B1 (ko) 1996-07-24 1997-07-23 표면연마가공방법 및 그 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8194830A JPH1034514A (ja) 1996-07-24 1996-07-24 表面研磨加工方法及びその装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1034514A true JPH1034514A (ja) 1998-02-10

Family

ID=16330975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8194830A Pending JPH1034514A (ja) 1996-07-24 1996-07-24 表面研磨加工方法及びその装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6068542A (ja)
JP (1) JPH1034514A (ja)
KR (1) KR100259702B1 (ja)
TW (1) TW350805B (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1025955A2 (en) * 1999-02-04 2000-08-09 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing with a moving polishing sheet
JP2000349056A (ja) * 1999-04-30 2000-12-15 Applied Materials Inc 固定研磨部材のコンディショニング
JP2002154041A (ja) * 2000-11-17 2002-05-28 I M T Kk 研磨装置
EP1227912A1 (en) * 1999-07-20 2002-08-07 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for planarizing microelectronic substrate assemblies
US7104875B2 (en) 1999-02-04 2006-09-12 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with rotating belt
JP2011502055A (ja) * 2007-11-05 2011-01-20 ヴェテンシャッペリュク エン テクニシュ オンデルツォエクスセントルム フォール ディアマント、インリッヒティング エルケント ビッジ トエパッシング ファン デ ベスルイトウェト ファン 30 ヤヌ ダイヤモンドを機械的に加工するための方法及びデバイス
CN111515811A (zh) * 2019-02-01 2020-08-11 株式会社荏原制作所 基板处理装置和基板处理方法

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6634935B2 (en) * 1998-12-01 2003-10-21 Nutool, Inc. Single drive system for a bi-directional linear chemical mechanical polishing apparatus
US6464571B2 (en) 1998-12-01 2002-10-15 Nutool, Inc. Polishing apparatus and method with belt drive system adapted to extend the lifetime of a refreshing polishing belt provided therein
US6468139B1 (en) * 1998-12-01 2002-10-22 Nutool, Inc. Polishing apparatus and method with a refreshing polishing belt and loadable housing
US7425250B2 (en) * 1998-12-01 2008-09-16 Novellus Systems, Inc. Electrochemical mechanical processing apparatus
US6589105B2 (en) * 1998-12-01 2003-07-08 Nutool, Inc. Pad tensioning method and system in a bi-directional linear polisher
US6244935B1 (en) 1999-02-04 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for chemical mechanical polishing with an advanceable polishing sheet
US6491570B1 (en) 1999-02-25 2002-12-10 Applied Materials, Inc. Polishing media stabilizer
IL131197A (en) * 1999-08-01 2009-12-24 Assaf Dekel Apparatus for spinal procedures
US6273800B1 (en) * 1999-08-31 2001-08-14 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for supporting a polishing pad during chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6244944B1 (en) 1999-08-31 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for supporting and cleaning a polishing pad for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6273796B1 (en) 1999-09-01 2001-08-14 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for planarizing a microelectronic substrate with a tilted planarizing surface
US6413152B1 (en) * 1999-12-22 2002-07-02 Philips Electronics North American Corporation Apparatus for performing chemical-mechanical planarization with improved process window, process flexibility and cost
US6562184B2 (en) * 2000-02-29 2003-05-13 Applied Materials, Inc. Planarization system with multiple polishing pads
US6428394B1 (en) * 2000-03-31 2002-08-06 Lam Research Corporation Method and apparatus for chemical mechanical planarization and polishing of semiconductor wafers using a continuous polishing member feed
US6706139B1 (en) * 2000-04-19 2004-03-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for cleaning a web-based chemical mechanical planarization system
US6626736B2 (en) * 2000-06-30 2003-09-30 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6500056B1 (en) 2000-06-30 2002-12-31 Lam Research Corporation Linear reciprocating disposable belt polishing method and apparatus
US6520841B2 (en) 2000-07-10 2003-02-18 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for chemical mechanical polishing with an incrementally advanceable polishing sheet
US6419559B1 (en) 2000-07-10 2002-07-16 Applied Materials, Inc. Using a purge gas in a chemical mechanical polishing apparatus with an incrementally advanceable polishing sheet
US6488565B1 (en) 2000-08-29 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Apparatus for chemical mechanical planarization having nested load cups
US6561884B1 (en) * 2000-08-29 2003-05-13 Applied Materials, Inc. Web lift system for chemical mechanical planarization
US6482072B1 (en) 2000-10-26 2002-11-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for providing and controlling delivery of a web of polishing material
US6592439B1 (en) 2000-11-10 2003-07-15 Applied Materials, Inc. Platen for retaining polishing material
US6612914B2 (en) * 2000-12-14 2003-09-02 Applied Materials Inc. Platen with lateral web tensioner
US6887136B2 (en) * 2001-05-09 2005-05-03 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for multi-step chemical mechanical polishing
US6503131B1 (en) 2001-08-16 2003-01-07 Applied Materials, Inc. Integrated platen assembly for a chemical mechanical planarization system
US6939203B2 (en) * 2002-04-18 2005-09-06 Asm Nutool, Inc. Fluid bearing slide assembly for workpiece polishing
DE10354767B4 (de) * 2002-05-24 2013-06-20 FIP Forschungsinstitut für Produktionstechnik GmbH Braunschweig Feinschleifmaschine
DE10222956B4 (de) * 2002-05-24 2009-01-29 FIP Forschungsinstitut für Produktionstechnik GmbH Braunschweig Feinschleifmaschine
DE502004004754D1 (de) * 2003-08-22 2007-10-04 Kuendig Ag Steuerung einer schleifvorrichtung mit schleifmittelrollen auf wickelwellen
US7648622B2 (en) * 2004-02-27 2010-01-19 Novellus Systems, Inc. System and method for electrochemical mechanical polishing
KR100780090B1 (ko) 2006-08-23 2007-11-30 서영정밀주식회사 브레이크시스템용 솔레노이드밸브의 밸브시트 가공방법 및그 지그시스템
CN114310632A (zh) * 2022-02-17 2022-04-12 广东丰泰智能设备有限公司 一种全自动片材3d抛光机及工作方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3668814A (en) * 1970-03-30 1972-06-13 Minnesota Mining & Mfg Surface grinding device
US3906678A (en) * 1972-09-14 1975-09-23 Buehler Ltd Automatic specimen polishing machine and method
EP0486696B1 (en) * 1990-06-09 1995-11-22 Bando Kiko Co. Ltd. Surface grinder for glass plate
US5575707A (en) * 1994-10-11 1996-11-19 Ontrak Systems, Inc. Polishing pad cluster for polishing a semiconductor wafer
US5593344A (en) * 1994-10-11 1997-01-14 Ontrak Systems, Inc. Wafer polishing machine with fluid bearings and drive systems
US5722877A (en) * 1996-10-11 1998-03-03 Lam Research Corporation Technique for improving within-wafer non-uniformity of material removal for performing CMP

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7104875B2 (en) 1999-02-04 2006-09-12 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with rotating belt
US7303467B2 (en) 1999-02-04 2007-12-04 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with rotating belt
EP1025955A2 (en) * 1999-02-04 2000-08-09 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing with a moving polishing sheet
EP1025955A3 (en) * 1999-02-04 2003-05-02 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing with a moving polishing sheet
JP2000349056A (ja) * 1999-04-30 2000-12-15 Applied Materials Inc 固定研磨部材のコンディショニング
EP1227912A1 (en) * 1999-07-20 2002-08-07 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for planarizing microelectronic substrate assemblies
US6881127B2 (en) 1999-07-20 2005-04-19 Micron Technology, Inc. Method and apparatuses for planarizing microelectronic substrate assemblies
US6903018B2 (en) 1999-07-20 2005-06-07 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for planarizing microelectronic substrate assemblies
US7083700B2 (en) 1999-07-20 2006-08-01 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for planarizing microelectronic substrate assemblies
EP1227912A4 (en) * 1999-07-20 2003-07-23 Micron Technology Inc METHOD AND DEVICE FOR PLANARIZING MICROELECTRONIC SUBSTRATE STRUCTURE
US7138072B2 (en) 1999-07-20 2006-11-21 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for planarizing microelectronic substrate assemblies
JP2002154041A (ja) * 2000-11-17 2002-05-28 I M T Kk 研磨装置
JP2011502055A (ja) * 2007-11-05 2011-01-20 ヴェテンシャッペリュク エン テクニシュ オンデルツォエクスセントルム フォール ディアマント、インリッヒティング エルケント ビッジ トエパッシング ファン デ ベスルイトウェト ファン 30 ヤヌ ダイヤモンドを機械的に加工するための方法及びデバイス
US8591288B2 (en) 2007-11-05 2013-11-26 Wetenschappelijk En Technisch Onderzoekscentrum Voor Diamant, Inrichting Erkend Bij Toepassing Van De Besluitwet Van 30 Januari 1947 Method and device for mechanically processing diamond
CN111515811A (zh) * 2019-02-01 2020-08-11 株式会社荏原制作所 基板处理装置和基板处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6068542A (en) 2000-05-30
KR100259702B1 (ko) 2000-11-01
TW350805B (en) 1999-01-21
KR980008451A (ko) 1998-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1034514A (ja) 表面研磨加工方法及びその装置
KR100524054B1 (ko) 폴리싱 장치와 이에 사용되는 대상물 홀더 및 폴리싱 방법 및 웨이퍼제조방법
CN102941522B (zh) 抛光装置
US20020007840A1 (en) Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method and substrate processing apparatus
JP2002305168A (ja) 研磨方法及び研磨装置および半導体装置の製造方法
JP2007173487A (ja) ウエーハの加工方法および装置
TWI765125B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法、及儲存有程式之儲存媒介
TW380084B (en) Modular wafer polishing apparatus and method
JP2004031674A (ja) コンタミネーション除去装置
JP3997480B2 (ja) 板状部材研磨方法及びその装置
JP2539753B2 (ja) 半導体基板の鏡面研磨装置
TW411298B (en) Wafer polishing machine
JP3979451B2 (ja) ポリッシング装置
JPH09277159A (ja) 研磨方法及び研磨装置
JPH08150559A (ja) 半導体ウエハ研磨装置
JP2000061830A (ja) ポリッシング装置
JPH09248752A (ja) デバイスウエハ表面平坦化研磨加工方法及びその装置
JP2001191249A (ja) ワークの研磨方法
JP2000061832A (ja) ポリッシング装置のロードカセットチルト機構
JP2000061833A (ja) ポリッシング装置
JP4284707B2 (ja) 4軸のスピンドル軸を備えた半導体ウエハの全自動研磨装置
JPH09248753A (ja) デバイスウエハ表面平坦化研磨加工方法及びその装置
JP2000061831A (ja) ポリッシング装置のウエハ供給機構
JP2020059095A (ja) ウェハの研磨装置および研磨方法
JP2000061821A (ja) ポリッシング装置における外気連通機構