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JPH10339953A - Support for lithographic printing plate, photosensitive lithographic printing plate and manufacture of support for lithographic printing plate - Google Patents

Support for lithographic printing plate, photosensitive lithographic printing plate and manufacture of support for lithographic printing plate

Info

Publication number
JPH10339953A
JPH10339953A JP16355097A JP16355097A JPH10339953A JP H10339953 A JPH10339953 A JP H10339953A JP 16355097 A JP16355097 A JP 16355097A JP 16355097 A JP16355097 A JP 16355097A JP H10339953 A JPH10339953 A JP H10339953A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
treatment
amount
lithographic printing
printing plate
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16355097A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takahiro Mori
孝博 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP16355097A priority Critical patent/JPH10339953A/en
Publication of JPH10339953A publication Critical patent/JPH10339953A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance adhesion the a photosensitive layer and to improve printing resistance and to reduce the occurrence of sludge in development and to eliminate residual films and dyes in development. SOLUTION: This support to be used for the lithographic printing plate is obtained by roughening an aluminum plate on the surface and treating it by an anodic oxidation process and further treating the surface with an aqueous solution of a metal silicate and an aqueous solution of a zirconium potassium fluoride so as to control it to an amount of 10-100 mg Si in terms of SiO2 , 0.01-15 mg F, and 5-50 mg Zr each per 1 m<2> of the surface of the support.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、感光性平版印刷版に用
いる平版印刷版用支持体及び平版印刷版用支持体の製造
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lithographic printing plate support used for a photosensitive lithographic printing plate and a method for producing the lithographic printing plate support.

【0002】[0002]

【発明の背景】感光性平版印刷版は、親水性支持体上に
感光層を設けたもので、支持体上にポジ型感光性組成物
の層を設けてなるポジ型感光性平版印刷版、支持体上に
ネガ型感光性組成物の層を設けてなるネガ型感光性平版
印刷版がある。
BACKGROUND OF THE INVENTION A photosensitive lithographic printing plate has a photosensitive layer provided on a hydrophilic support, and is provided with a layer of a positive photosensitive composition on the support. There is a negative-working photosensitive lithographic printing plate in which a layer of a negative-working photosensitive composition is provided on a support.

【0003】従来、これら感光性平版印刷版に用いる支
持体には、陽極酸化処理後、感光層との接着性の制御
や、現像時の現像液中への陽極酸化皮膜の溶解の制御
(溶解量が多いとスラツジが生成する)、印刷時の汚れ
改善等の目的で、封孔処理、後処理等さまざまな表面処
理を行うことが提案されている。
[0003] Conventionally, the support used in these photosensitive lithographic printing plates has, after anodizing treatment, control of adhesiveness to a photosensitive layer and control of dissolution of an anodized film in a developing solution during development (dissolution). It has been proposed to perform various surface treatments such as sealing treatment and post-treatment for the purpose of improving stains at the time of printing or the like, if the amount is large.

【0004】例えば、特開昭55-81346号公報には、ケイ
酸塩水溶液処理後、コロイダルシリカを分散含有する親
水性高分子化合物層を設けることにより、非画像部の汚
れを解消することが提案され、特開昭63-99992号公報に
は、ケイ酸塩後処理後、水蒸気もしくは60〜100℃の希
薄アルカリ溶液で処理することにより、耐刷性を低下さ
せることなく非画像部の汚れを解消することがことが提
案されている。
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 55-81346 discloses that a hydrophilic polymer compound layer containing colloidal silica dispersed therein is provided after a silicate aqueous solution treatment, thereby eliminating stains on a non-image area. Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-99992 proposes that, after silicate post-treatment, by treating with steam or a dilute alkali solution at 60 to 100 ° C., the stain on the non-image area is not reduced without reducing the printing durability. It has been proposed to eliminate.

【0005】しかし、これらの処理をした支持体でポジ
型感光性平版印刷版を作成した場合、現像液中への陽極
酸化皮膜の溶解量が低減し、スラッジの発生が減少され
るものの、現像後に感光層が残留したり、色素残りが発
生したりして汚れの原因となるという問題が生じる。さ
らに、支持体に対する感光層の接着性も低下し、耐刷性
も不十分であった。また、酸を含むプレートクリーナー
でのクリーニングにより、陽極酸化皮膜が侵されて白変
し、耐刷性がさらに低下するといった問題も見られた。
[0005] However, when a positive photosensitive lithographic printing plate is prepared on the support subjected to these treatments, the amount of the anodic oxide film dissolved in the developer is reduced, and the generation of sludge is reduced. There is a problem that the photosensitive layer is left later, or a dye remains, which causes stain. Further, the adhesiveness of the photosensitive layer to the support was reduced, and the printing durability was insufficient. Further, there was also a problem that the anodic oxide film was corroded and whitened by cleaning with a plate cleaner containing an acid, and the printing durability was further reduced.

【0006】また、特公昭53-131102号公報には、フッ
化ジルコニウムカリウム水溶液で処理した後、ケイ酸ナ
トリウム水溶液処理を行うことにより、非画像部の親水
性、耐刷性を向上させることが提案されているが、実施
例1に示されているように、76.7℃の1%フッ化ジルコ
ニウムカリウム水溶液で30秒間処理した後、76.7℃の5
%のケイ酸Na水溶液で30秒間処理した場合には、陽極
酸化皮膜表面が多量のフッ化ジルコニウムカリウムで被
覆され、その後、ケイ酸ナトリウム水溶液処理で処理し
てもケイ酸の吸着はほとんど起らず、また、該支持体を
用いて作成した感光性平版印刷版をケイ酸塩を含む現像
液によって現像を行った場合にも同様にケイ酸の吸着が
起らないため、砂目表面の親水性が低下し、汚れ易くな
ってしまう。
Japanese Patent Publication No. 53-131102 discloses that the hydrophilicity and printing durability of the non-image area can be improved by treating with an aqueous solution of potassium zirconium fluoride and then with an aqueous solution of sodium silicate. As suggested in Example 1, after treatment with a 1% aqueous solution of potassium zirconium fluoride at 76.7 ° C. for 30 seconds, 56.7 ° C.
% Sodium silicate aqueous solution for 30 seconds, the surface of the anodic oxide film is coated with a large amount of potassium zirconium fluoride. Also, when a photosensitive lithographic printing plate prepared using the support is developed with a developer containing a silicate, the adsorption of silicic acid does not similarly occur, so that the hydrophilicity of the grain surface is increased. The property is reduced, and it becomes easy to become dirty.

【0007】特公昭53-131102号公報には、実施例4
で、上記の処理の順序を逆にした場合、すなわち、76.7
℃の5%のケイ酸ナトリウム水溶液で60秒間処理した
後、76.7℃の1%フッ化ジルコニウムカリウム水溶液で
60秒間処理した場合には、該支持体を用いて作成した感
光性平版印刷版は、経時による感度の安定性と耐刷力が
劣るということが記載されている。
Japanese Patent Publication No. 53-131102 discloses Example 4
In the case where the above processing order is reversed, that is, 76.7
After treatment with a 5% aqueous sodium silicate solution at 60 ° C for 60 seconds, a 7% aqueous 1% potassium zirconium fluoride solution at 76.7 ° C
It is described that, when treated for 60 seconds, a photosensitive lithographic printing plate prepared using the support is inferior in sensitivity stability and printing durability over time.

【0008】上記支持体を用いて作成した感光性平版印
刷版が経時による感度の安定性と耐刷力が劣る理由につ
いて本発明者らが検討したところ、ケイ酸ナトリウム水
溶液処理によるケイ酸の付量及びフッ化ジルコニウムカ
リウム水溶液処理によるフッ素とジルコニウムとの付量
が適性な範囲に入っていないためであることが判明し
た。
The inventors of the present invention have studied the reason why the photosensitive lithographic printing plate prepared using the above-mentioned support is inferior in sensitivity stability and printing durability over time, and found that the addition of silicic acid by treatment with an aqueous solution of sodium silicate. It was found that the amount and the amount of fluorine and zirconium by the treatment with the aqueous potassium zirconium fluoride solution were not within the appropriate ranges.

【0009】そこで、陽極酸化処理をした支持体にケイ
酸塩水溶液処理をした後、さらに、フッ化ジルコニウム
カリウム水溶液処理を行い感光性平版印刷版用支持体を
得る場合に、ケイ酸塩水溶液処理でのSiO2付量およ
びフッ化ジルコニウムカリウム水溶液処理でのフッ素と
ジルコニウムの付量とについてさまざまな検討を行なっ
た結果、これらを特定の付量とすることにより、支持体
に高親水性が付与され、印刷での汚れ改善が図られると
ともに、感光層との接着性が優れ、さらに、耐刷性が良
好で、現像でのスラツジの発生が少なく、現像での残膜
・色素残りがなく、かつ、プレートクリーナー耐性も優
れている感光性平版印刷版用支持体が得られ、上記問題
を解決することができることが判明した。
[0009] Therefore, when the support subjected to the anodizing treatment is treated with an aqueous silicate solution, and further treated with an aqueous potassium zirconium fluoride solution to obtain a support for a photosensitive lithographic printing plate, the silicate aqueous treatment is used. Of the amount of SiO 2 and the amount of fluorine and zirconium in the aqueous solution of potassium zirconium fluoride in water treatment, a high hydrophilicity was imparted to the support by using these specific amounts. In addition to improving stains in printing, excellent adhesion with the photosensitive layer, excellent printing durability, less sludge in development, no residual film / dye in development, In addition, a support for a photosensitive lithographic printing plate having excellent plate cleaner resistance was obtained, and it was found that the above problem could be solved.

【0010】[0010]

【発明の目的】従って、本発明の目的は、支持体に高親
水性を付与し、印刷での汚れ改善を図るとともに、感光
層との接着性が優れ、耐刷性が良好で、現像でのスラツ
ジの発生が少なく、さらに、現像での残膜・色素残りが
なく、かつ、プレートクリーナー耐性も優れている感光
性平版印刷版が得られる感光性平版印刷版用支持体及び
その製造方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to impart high hydrophilicity to a support, improve stains in printing, and have excellent adhesion to a photosensitive layer, good printing durability, and good development. A photosensitive lithographic printing plate support capable of obtaining a photosensitive lithographic printing plate having a low occurrence of sludge, having no residual film and no dye residue during development, and having excellent plate cleaner resistance, and a method for producing the same. To provide.

【0011】[0011]

【発明の構成】本発明の上記目的は、 (1)アルミニウム板を粗面化し、陽極酸化処理した平
版印刷版用支持体であって、支持体表面が、シリコン量
がSiO2換算で10mg/m2以上、100mg/m2以下、フッ素
量が0.01mg/m2以上、15mg/m2以下、ジルコニウム量が
5mg/m2以上、50mg/m2以下になるように処理されてい
ることを特徴とする平版印刷版用支持体。 (2)上記(1)記載の平版印刷版用支持体に感光層を
設けたことを特徴とする感光性平版印刷版。 (3)アルミニウム板を粗面化し、陽極酸化処理し、次
いで、金属ケイ酸塩水溶液で処理し、さらに、フッ化ジ
ルコニウムカリウム水溶液で処理する方法において、支
持体表面のシリコン量がSiO 2換算で10mg/m2以上、1
00mg/m2以下、フッ素量が0.01mg/m2以上、15mg/m2
下、ジルコニウム量が5mg/m2以上、50mg/m2以下とな
るように、金属ケイ酸塩水溶液処理およびフッ化ジルコ
ニウムカリウム水溶液処理を行うことを特徴とする上記
(1)に記載の平版印刷版用支持体の製造方法。 (4)アルミニウム板を粗面化し、陽極酸化処理し、次
いで、金属ケイ酸塩水溶液で処理し、さらに、フッ化ジ
ルコニウムカリウム水溶液で処理し、次いで、酸または
アルカリ水溶液で処理する方法において、支持体表面の
シリコン量がSiO 2換算で10mg/m2以上、100mg/m2
下、フッ素量が0.01mg/m2以上、15mg/m2以下、ジルコ
ニウム量が5mg/m2以上、50mg/m2以下となるように、
金属ケイ酸塩水溶液処理、フッ化ジルコニウムカリウム
水溶液処理および酸またはアルカリ水溶液処理を行うこ
とを特徴とする上記(1)に記載の平版印刷版用支持体
の製造方法。 (5)陽極酸化処理の直前にアルカリでの溶解処理を行
うことを特徴とする上記(3)または(4)に記載の平
版印刷版用支持体の製造方法。 (6)陽極酸化の直前のアルカリでの溶解処理において
の表面溶解量が1.0〜3.0g/m2であることを特徴とする
上記(5)に記載の平版印刷版用支持体の製造方法。に
よって達成される。
The objects of the present invention are as follows: (1) A flat aluminum plate having a roughened surface and anodized
A support for a printing plate, wherein the surface of the support has a silicon content.
Is SiOTwo10mg / m in conversionTwoAbove, 100mg / mTwoBelow, fluorine
The amount is 0.01mg / mTwoMore than 15mg / mTwoBelow, the amount of zirconium
5mg / mTwoMore than 50mg / mTwoIs processed to be
A support for a lithographic printing plate. (2) A photosensitive layer is provided on the lithographic printing plate support described in (1) above.
A photosensitive lithographic printing plate characterized by being provided. (3) Roughening the aluminum plate, anodizing it,
Treatment with an aqueous solution of metal silicate,
In the method of treating with an aqueous solution of potassium ruconium,
The amount of silicon on the surface of the carrier is SiO Two10mg / m in conversionTwoAbove, 1
00mg / mTwoBelow, the amount of fluorine is 0.01 mg / mTwoMore than 15mg / mTwoLess than
Below, the amount of zirconium is 5mg / mTwoMore than 50mg / mTwoBelow
As in metal silicate aqueous treatment and zirconium fluoride
The above-mentioned, characterized in that an aqueous solution of potassium potassium is performed.
The method for producing a lithographic printing plate support according to (1). (4) Roughening the aluminum plate, anodizing it,
Treatment with an aqueous solution of metal silicate,
Treatment with aqueous potassium ruconium solution, then acid or
In the method of treating with an aqueous alkali solution,
Silicon content is SiO Two10mg / m in conversionTwoAbove, 100mg / mTwoLess than
Below, the amount of fluorine is 0.01mg / mTwoMore than 15mg / mTwoBelow, zircon
The amount of nickel is 5mg / mTwoMore than 50mg / mTwoSo that
Metal silicate aqueous solution treatment, potassium zirconium fluoride
Perform aqueous solution treatment and acid or alkali aqueous solution treatment.
The support for a lithographic printing plate as described in (1) above,
Manufacturing method. (5) Immediately before the anodic oxidation treatment, perform a dissolution treatment with alkali.
The flat panel according to the above (3) or (4),
A method for producing a printing plate support. (6) In the dissolution treatment with alkali just before anodic oxidation
1.0 to 3.0 g / mTwoIs characterized by
The method for producing a lithographic printing plate support according to the above (5). To
Is achieved.

【0012】以下、本発明を詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail.

【0013】先ず、本発明に使用されるアルミニウム板
ついて説明する。
First, the aluminum plate used in the present invention will be described.

【0014】本発明に使用されるアルミニウム板には、
純アルミニウム板ばかりでなく、アルミニウム合金より
なる板も含まれる。アルミニウム合金としては種々のも
のが使用でき、例えば、珪素、銅、マンガン、マグネシ
ウム、クロム、亜鉛、鉛、ビスマス、ニッケル、チタ
ン、ナトリウム、鉄等の金属とアルミニウムの合金が用
いられる。
The aluminum plate used in the present invention includes:
Not only a pure aluminum plate but also a plate made of an aluminum alloy is included. Various aluminum alloys can be used. For example, an alloy of aluminum with a metal such as silicon, copper, manganese, magnesium, chromium, zinc, lead, bismuth, nickel, titanium, sodium, or iron is used.

【0015】アルミニウム板は、粗面化に先立ってアル
ミニウム表面の圧延油等を除去するために脱脂処理を施
すことが好ましい。脱脂処理としては、トリクレン、シ
ンナー等の溶剤を用いた脱脂処理、ケシロン、トリエタ
ノール等のエマルジョンを用いたエマルジョン脱脂処理
等が用いられる。また、脱脂処理には、苛性ソーダ等の
アルカリの水溶液を用いることもできる。脱脂処理に苛
性ソーダ等のアルカリ水溶液を用いた場合、前記脱脂処
理のみでは除去できない汚れや酸化皮膜も除去すること
ができる。
The aluminum plate is preferably subjected to a degreasing treatment prior to roughening to remove rolling oil and the like on the aluminum surface. Examples of the degreasing treatment include a degreasing treatment using a solvent such as trichlene and thinner, and an emulsion degreasing treatment using an emulsion such as kesilon and triethanol. In the degreasing treatment, an aqueous solution of an alkali such as caustic soda can be used. When an alkaline aqueous solution such as caustic soda is used for the degreasing treatment, dirt and oxide films that cannot be removed by the above degreasing treatment alone can also be removed.

【0016】脱脂処理に苛性ソーダ等のアルカリ水溶液
を用いた場合には、燐酸、硝酸、塩酸、硫酸、クロム酸
等の酸、あるいは、それらの混酸に浸漬し中和処理を施
すことが好ましい。中和処理した後に、電気化学的粗面
化を行なう場合は、中和に使用する酸を電気化学的粗面
化に使用する酸に合わせることが特に好ましい。
When an alkaline aqueous solution such as caustic soda is used for the degreasing treatment, it is preferable to immerse it in an acid such as phosphoric acid, nitric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, chromic acid, or a mixed acid thereof to perform a neutralization treatment. When performing electrochemical surface roughening after the neutralization treatment, it is particularly preferable to match the acid used for neutralization with the acid used for electrochemical surface roughening.

【0017】支持体の粗面化には種々の方法が用いられ
粗面化方法の種類は問わないが、粗面化には、例えば、
化学的粗面化方法、機械的粗面化方法、電気化学的粗面
化方法及びこれら粗面化方法を適宜組み合わせて用いる
ことができる。
Various methods are used for the surface roughening of the support, and the type of the surface roughening method is not limited.
A chemical surface roughening method, a mechanical surface roughening method, an electrochemical surface roughening method, and these surface roughening methods can be appropriately combined and used.

【0018】化学的粗面化方法には、苛性ソーダ等のア
ルカリの水溶液を用いることができる。アルカリの水溶
液を用いて化学的粗面化を行った後には、燐酸、硝酸、
塩酸、硫酸、クロム酸等の酸、あるいは、それらの混酸
に浸漬し中和処理を施すことが好ましい。中和処理した
後に、更に電気化学的粗面化を行なう場合には、中和に
使用する酸を電気化学的粗面化に使用する酸に合わせる
ことが特に好ましい。
In the chemical surface roughening method, an aqueous solution of an alkali such as caustic soda can be used. After chemical surface roughening using an aqueous alkali solution, phosphoric acid, nitric acid,
It is preferable to immerse in an acid such as hydrochloric acid, sulfuric acid, and chromic acid, or a mixed acid thereof to perform neutralization. When electrochemical surface roughening is further performed after the neutralization treatment, it is particularly preferable to match the acid used for neutralization with the acid used for electrochemical surface roughening.

【0019】機械的粗面化方法には種々の方法が用いら
れ特に限定されないが、ブラシ研磨、ホーニング研磨が
好ましい。ブラシ研磨による粗面化は、例えば、毛径0.
2〜1mmのブラシ毛を植毛した円筒状ブラシを回転し、
接触面に研磨材を水に分散させたスラリーを供給しなが
ら支持体表面に押しつけて行われる。ホーニング研磨に
よる粗面化は、例えば、研磨材を水に分散させたスラリ
ーをノズルより圧力をかけて射出し、支持体表面に斜め
から衝突させて行われる。これら粗面化方法に用いられ
る研磨材としては、火山灰、アルミナ、炭化珪素等の一
般に研磨に使用されるものが挙げられる。研磨剤は、通
常#200〜#2000の粒度のものが用いられるが、好まし
くは#400〜#800である。
Various methods are used for the mechanical surface roughening method and are not particularly limited, but brush polishing and honing polishing are preferred. The surface roughening by brush polishing is performed, for example, with a hair diameter of 0.
Rotate a cylindrical brush with 2 to 1 mm brush bristles,
This is performed by pressing against the surface of the support while supplying a slurry in which the abrasive is dispersed in water to the contact surface. The surface roughening by the honing polishing is performed, for example, by injecting a slurry in which an abrasive is dispersed in water by applying pressure from a nozzle and colliding the surface of the support obliquely. Examples of abrasives used in these surface roughening methods include those commonly used for polishing, such as volcanic ash, alumina, and silicon carbide. The abrasive usually has a particle size of # 200 to # 2000, but preferably has a particle size of # 400 to # 800.

【0020】機械的に粗面化したとき、アルミニウム板
の表面に食い込んだ研磨剤、アルミニウム屑等を取り除
いたり、ピット形状をコントロールしたりする等のため
に、酸またはアルカリの水溶液に浸漬して表面をエッチ
ングすることが好ましい。酸としては、例えば、硫酸、
過硫酸、弗酸、燐酸、硝酸、塩酸等が用いられ、塩基と
しては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等
が用いられる。これらの中でもアルカリの水溶液を用い
るのが好ましい。
When the surface is mechanically roughened, it is immersed in an aqueous solution of an acid or alkali to remove abrasives and aluminum debris that have penetrated the surface of the aluminum plate and to control the pit shape. Preferably, the surface is etched. As the acid, for example, sulfuric acid,
Persulfuric acid, hydrofluoric acid, phosphoric acid, nitric acid, hydrochloric acid and the like are used, and as the base, for example, sodium hydroxide, potassium hydroxide and the like are used. Among these, it is preferable to use an aqueous alkali solution.

【0021】上記処理をアルカリの水溶液に浸漬して行
った場合には、燐酸、硝酸、硫酸、クロム酸等の酸、あ
るいは、それらの混酸に浸漬し中和処理を施すことが好
ましい。中和処理した後に、電気化学的粗面化を行なう
場合には、中和に使用する酸を電気化学的粗面化に使用
する酸に合わせることが特に好ましく、また、中和処理
した後に、陽極酸化処理を行なう場合には、中和に使用
する酸を陽極酸化処理に使用する酸に合わせることが特
に好ましい。
When the above treatment is carried out by immersion in an aqueous alkali solution, it is preferable to carry out a neutralization treatment by immersion in an acid such as phosphoric acid, nitric acid, sulfuric acid or chromic acid, or a mixed acid thereof. After the neutralization treatment, when performing electrochemical surface roughening, it is particularly preferable to match the acid used for the neutralization with the acid used for the electrochemical surface roughening, and after the neutralization treatment, When performing anodizing treatment, it is particularly preferable to match the acid used for neutralization with the acid used for the anodizing treatment.

【0022】電気化学的粗面化方法には、一般に行われ
ている酸性電解液中で交流電流を用いて粗面化する方法
を用いることができる。本発明において、酸性電解液と
しては、通常、電気化学的粗面化法に用いられている酸
性電解液が使用できるが、塩酸系または硝酸系電解液を
用いるのが好ましい。電気化学的粗面化方法には、種々
の電流波形、例えば、矩形波、台形波、のこぎり波等を
用いることができるが、正弦波を用いることが好まし
い。電気化学的粗面化処理は、処理に必要な全電気量を
一工程で連続的に通電して行ってもよが、適度な休止時
間をおいたり、電流密度を下げた期間を設けて電解処理
の進行を遅くした時間を配して、数回に分割して行うこ
ともできる。分割して電気化学的粗面化を行う場合は、
分割した一工程での正の電気量を100C/dm2以下とし、
かつ、休止時間もしくは電解処理の進行を遅らせた時間
を0.6〜5秒とすることが好ましい。また、分割して電
気化学的粗面化を行う場合には、塩酸系電解液を用いる
ことが好ましく、これにより均一な砂目を形成すること
ができる。
As the electrochemical surface roughening method, a commonly used method of roughening the surface using an alternating current in an acidic electrolyte can be used. In the present invention, as the acidic electrolytic solution, an acidic electrolytic solution usually used for an electrochemical surface roughening method can be used, but a hydrochloric acid-based or nitric acid-based electrolytic solution is preferably used. For the electrochemical surface roughening method, various current waveforms, for example, a rectangular wave, a trapezoidal wave, a sawtooth wave, and the like can be used, but a sine wave is preferably used. The electrochemical surface roughening treatment may be performed by continuously supplying the entire amount of electricity required for the treatment in one step. The processing may be divided into several times with a delay in the progress of the processing. If you want to split and perform electrochemical surface roughening,
The amount of positive electricity in one divided process should be 100 C / dm 2 or less,
In addition, it is preferable to set the pause time or the time for delaying the progress of the electrolytic treatment to 0.6 to 5 seconds. In the case of performing electrochemical surface roughening by dividing, it is preferable to use a hydrochloric acid-based electrolytic solution, whereby uniform grain can be formed.

【0023】硝酸系電解液を用いて行う電気化学的粗面
化において印加される電圧は、1〜50Vが好ましく、5
〜30Vが更に好ましい。電流密度(ピーク値)は、10〜
200A/dm2が好ましく、20〜150A/dm2が更に好まし
い。電気量は全処理工程を合計して、100〜2000C/d
m2、好ましくは200〜1500C/dm2、より好ましくは200
〜1000C/dm2である。温度は、10〜50℃が好ましく、1
5〜45℃が更に好ましい。硝酸濃度は0.1〜5重量%が好
ましく、0.5〜2.0重量%が特に好ましい。
The voltage applied in the electrochemical graining using a nitric acid-based electrolyte is preferably 1 to 50 V,
~ 30V is more preferred. Current density (peak value) is 10 ~
200 A / dm 2 is preferred, and 20 to 150 A / dm 2 is more preferred. The amount of electricity is 100 to 2000 C / d in total for all processing steps.
m 2 , preferably 200 to 1500 C / dm 2 , more preferably 200
10001000 C / dm 2 . The temperature is preferably from 10 to 50 ° C, 1
5-45C is more preferred. The nitric acid concentration is preferably 0.1 to 5% by weight, particularly preferably 0.5 to 2.0% by weight.

【0024】電解液には、必要に応じて、硝酸塩、塩化
物、アミン類、アルデヒド類、燐酸、クロム酸、ホウ
酸、酢酸、蓚酸等を加えることができる。
If necessary, nitrates, chlorides, amines, aldehydes, phosphoric acid, chromic acid, boric acid, acetic acid, oxalic acid and the like can be added to the electrolytic solution.

【0025】塩酸系電解液を用いて行う電気化学的粗面
化において印加される電圧は、1〜50Vが好ましく、5
〜30Vが更に好ましい。電流密度(ピーク値)は、10〜
200A/dm2が好ましく、20〜150A/dm2が更に好まし
い。電気量は全処理工程を合計して、100〜2000C/dm2
が好ましく、200〜1000C/dm2が更に好ましい。温度
は、10〜50℃が好ましく、15〜45℃が更に好ましい。塩
酸濃度は0.1〜5重量%が好ましく、0.5〜2.0重量%が
特に好ましい。
The voltage applied in the electrochemical graining using a hydrochloric acid-based electrolyte is preferably 1 to 50 V,
~ 30V is more preferred. Current density (peak value) is 10 ~
200 A / dm 2 is preferred, and 20 to 150 A / dm 2 is more preferred. The amount of electricity is 100 to 2000 C / dm 2 in total for all processing steps.
Is preferable, and 200 to 1000 C / dm 2 is more preferable. The temperature is preferably from 10 to 50C, more preferably from 15 to 45C. The hydrochloric acid concentration is preferably from 0.1 to 5% by weight, particularly preferably from 0.5 to 2.0% by weight.

【0026】電解液には、必要に応じて、硝酸塩、塩化
物、アミン類、アルデヒド類、燐酸、クロム酸、ホウ
酸、酢酸、蓚酸等を加えることができるが、酢酸を0.1
〜5重量%加えることが特に好ましい。
If necessary, nitrate, chloride, amines, aldehydes, phosphoric acid, chromic acid, boric acid, acetic acid, oxalic acid, etc. can be added to the electrolytic solution.
It is particularly preferred to add ~ 5% by weight.

【0027】電気化学的に粗面化された支持体は、表面
のスマット等を取り除いたり、ピット形状をコントロー
ルしたりする等のために、酸またはアルカリの水溶液に
浸漬して表面をエッチングすることが好ましい。酸とし
ては、例えば、硫酸、過硫酸、弗酸、燐酸、硝酸、塩酸
等が用いられ、塩基としては、例えば、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム等が用いられる。これらの中でもア
ルカリの水溶液を用いるのが好ましい。
The surface of an electrochemically roughened support is immersed in an acid or alkali aqueous solution to remove the surface smut and the like and control the pit shape, and the surface is etched. Is preferred. As the acid, for example, sulfuric acid, persulfuric acid, hydrofluoric acid, phosphoric acid, nitric acid, hydrochloric acid and the like are used, and as the base, for example, sodium hydroxide, potassium hydroxide and the like are used. Among these, it is preferable to use an aqueous alkali solution.

【0028】エッチング量は、スマットを含めた重量減
少量として1.0〜3.0g/m2が特に好ましい。上記処理を
アルカリの水溶液に浸漬して行った場合には、燐酸、硝
酸、硫酸、クロム酸等の酸、あるいは、それらの混酸に
浸漬し中和処理を施すことが好ましい。中和処理した後
に、陽極酸化処理を行なう場合には、中和に使用する酸
を陽極酸化処理に使用する酸に合わせることが特に好ま
しい。
The amount of etching is particularly preferably 1.0 to 3.0 g / m 2 in terms of weight loss including smut. When the above treatment is performed by dipping in an aqueous alkali solution, it is preferable to perform a neutralization treatment by dipping in an acid such as phosphoric acid, nitric acid, sulfuric acid, or chromic acid, or a mixed acid thereof. When anodizing is performed after the neutralization, it is particularly preferable that the acid used for the neutralization is matched with the acid used for the anodization.

【0029】粗面化処理された後に、アルミニウム板に
は陽極酸化処理がなされ、陽極酸化皮膜が形成される。
After the surface roughening treatment, the aluminum plate is subjected to anodizing treatment to form an anodized film.

【0030】本発明で用いられる陽極酸化処理の方法は
特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。陽
極酸化処理により支持体上には酸化皮膜が形成される。
陽極酸化処理は、一般的には、電解液として、硫酸また
はリン酸または両者の混合水溶液を用い、直流電解する
ことにより行われる。本発明においては、陽極酸化処理
は、電解液として硫酸を用いて行うことが好ましい。硫
酸の濃度は、5〜50重量%が好ましく、15〜35重量%が
特に好ましい。温度は10〜50℃が好ましい。処理電圧は
18V以上であることが好ましく、20V以上であることが
更に好ましい。電流密度は1〜30A/dm2が好ましい。
電気量は100〜300C/dm2が好ましい。
The method of the anodic oxidation treatment used in the present invention is not particularly limited, and a known method can be used. An oxide film is formed on the support by the anodic oxidation treatment.
The anodizing treatment is generally performed by direct current electrolysis using sulfuric acid or phosphoric acid or a mixed aqueous solution of both as an electrolytic solution. In the present invention, the anodic oxidation treatment is preferably performed using sulfuric acid as the electrolytic solution. The concentration of sulfuric acid is preferably 5 to 50% by weight, particularly preferably 15 to 35% by weight. The temperature is preferably from 10 to 50 ° C. The processing voltage is
The voltage is preferably 18 V or more, more preferably 20 V or more. The current density is preferably 1 to 30 A / dm 2 .
The quantity of electricity is preferably 100 to 300 C / dm 2 .

【0031】形成される陽極酸化皮膜の厚さは、0.5〜
5.0μmが好ましく、1.5〜3.5μmが更に好ましい。陽極
酸化皮膜にはマイクロポアが生成されるが、マイクロポ
アの密度は、400〜700個/μm2が好ましく、400〜600
個/μm2が更に好ましい。
The thickness of the formed anodic oxide film is 0.5 to
5.0 μm is preferred, and 1.5 to 3.5 μm is more preferred. Micropores are generated in the anodized film, and the density of the micropores is preferably 400 to 700 / μm 2 , and 400 to 600
Particles / μm 2 are more preferred.

【0032】本発明の平版印刷版用支持体は、表面のS
i量がSiO2換算で10mg/m2以上、100mg/m2以下、F
量が0.01mg/m2以上、15mg/m2以下、Zr量が5mg/m2
以上、50mg/m2以下となっている。
The support for a lithographic printing plate of the present invention has a surface S
i amount is 10 mg / m 2 or more and 100 mg / m 2 or less in terms of SiO 2 ,
The amount is 0.01 mg / m 2 or more and 15 mg / m 2 or less, and the Zr amount is 5 mg / m 2
As described above, the dose is 50 mg / m 2 or less.

【0033】平版印刷版用支持体表面のSi量をSiO
2換算で10mg/m2以上、100mg/m2以下、F量を0.01mg/
m2以上、15mg/m2以下、Zr量を5mg/m2以上、50mg/
m2以下とするために、粗面化し、陽極酸化処理したアル
ミニウム板は、最終的に、Si量をSiO2換算で10mg
/m2以上、100mg/m2以下とする処理、例えば、ケイ酸
塩水溶液での処理が行われ、次いで、F量を0.01mg/m2
以上、15mg/m2以下、Zr量を5mg/m2以上、50mg/m2
以下とする処理、例えば、フッ化ジルコニウムカリウム
水溶液での処理が行われる。
The amount of Si on the surface of the lithographic printing plate support was determined as SiO
10 mg / m 2 or more, 100 mg / m 2 or less in 2 conversion, F content 0.01 mg / m 2
m 2 or more, 15 mg / m 2 or less, Zr amount 5 mg / m 2 or more, 50 mg /
In order to make m 2 or less, the roughened and anodically oxidized aluminum plate finally has a Si content of 10 mg in terms of SiO 2.
/ M 2 or more and 100 mg / m 2 or less, for example, a treatment with an aqueous silicate solution, and then the amount of F is reduced to 0.01 mg / m 2.
Above, 15 mg / m 2 or less, Zr amount 5 mg / m 2 or more, 50 mg / m 2
The following treatment, for example, treatment with an aqueous solution of potassium zirconium fluoride is performed.

【0034】陽極酸化皮膜を形成したアルミニウム板を
ケイ酸塩水溶液で処理することにより、陽極酸化皮膜に
SiO2が吸着し、親水性及び耐アルカリ性が付与され
る。
By treating the aluminum plate having the anodic oxide film formed thereon with an aqueous silicate solution, SiO 2 is adsorbed on the anodic oxide film to impart hydrophilicity and alkali resistance.

【0035】最終的に、Si量をSiO2換算で10mg/
m2以上、100mg/m2以下とするためには、このケイ酸塩
水溶液での処理によって吸着させるSi量は、次の処理
によって除去されるSi量を勘案して、SiO2換算で1
5〜105mg/m2としておくことが好ましい。しかし、より
好ましい範囲は、35〜105mg/m2であり、さらに好まし
くは55〜105mg/m2である。ケイ酸塩水溶液での第1の
処理で吸着されたSiは、次に行われるF量を0.01mg/
m2以上、15mg/m2以下、Zr量を5mg/m2以上、50mg/
m2以下とする第2の処理を適性に行うことにより一部除
去される。通常の場合、除去されるSi量は5mg/m2
度である。
Finally, the amount of Si was converted to 10 mg / SiO 2 equivalent.
In order to make the amount of m 2 or more and 100 mg / m 2 or less, the amount of Si adsorbed by the treatment with the silicate aqueous solution is 1 in terms of SiO 2 in consideration of the amount of Si removed by the next treatment.
It is preferable to set it to 5 to 105 mg / m 2 . However, a more preferred range is 35-105 mg / m 2 , even more preferably 55-105 mg / m 2 . The Si adsorbed in the first treatment with the silicate aqueous solution reduces the amount of F subsequently performed to 0.01 mg /
m 2 or more, 15 mg / m 2 or less, Zr amount 5 mg / m 2 or more, 50 mg /
It is partially removed by appropriately performing the second processing to reduce the size to m 2 or less. Normally, the amount of Si removed is about 5 mg / m 2 .

【0036】処理に用いるケイ酸塩としては、ケイ酸ナ
トリウム、例えば、オルトケイ酸ナトリウム,メタケイ
酸ナトリウム,1号ケイ酸ナトリウム,2号ケイ酸ナト
リウム,3号ケイ酸ナトリウム,4号ケイ酸ナトリウム
及びこれらの2種以上の混合物、ケイ酸カリウム、例え
ば、2Kケイ酸カリウム,Aケイ酸カリウム,Bケイ酸
カリウム,Cケイ酸カリウム,1Kケイ酸カリウム及び
これらの2種以上の混合物が挙げられる。また、上記の
ケイ酸ナトリウムとケイ酸カリウムとの混合物も用いる
ことができる。
Examples of the silicate used in the treatment include sodium silicate, for example, sodium orthosilicate, sodium metasilicate, sodium silicate No. 1, sodium silicate No. 3, sodium silicate No. 3, sodium silicate No. 4, and sodium silicate. Mixtures of two or more of these, potassium silicate, for example, 2K potassium silicate, potassium A silicate, potassium B silicate, potassium C silicate, 1K potassium silicate, and a mixture of two or more of these. Further, a mixture of the above sodium silicate and potassium silicate can also be used.

【0037】また、ケイ酸塩としては、上記のケイ酸ナ
トリウム、ケイ酸カリウム以外のケイ酸塩も用いること
ができ、これらケイ酸塩としては、例えば、ケイ酸バリ
ウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸ストオロンチウムが挙げ
られる。
As the silicate, silicates other than the above-mentioned sodium silicate and potassium silicate can be used. Examples of these silicates include barium silicate, lithium silicate and silicate. Stolonium is mentioned.

【0038】使用するケイ酸塩水溶液の濃度としては、
0.05〜5.0重量%が好ましく、さらに好ましくは0.5〜2.
0重量%である。ケイ酸塩水溶液のpHとしては、10〜1
3が好ましく、さらに好ましくは11〜13である。
The concentration of the aqueous silicate solution used is
0.05 to 5.0% by weight is preferred, and more preferably 0.5 to 2.
0% by weight. The pH of the aqueous silicate solution is 10 to 1
3 is preferred, and more preferably 11-13.

【0039】ケイ酸塩水溶液での処理は、10〜90℃で行
うのが好ましく、さらに好ましくは30〜70℃で行うこと
である。処理時間としては、1〜120秒が好ましい。
The treatment with the silicate aqueous solution is preferably performed at 10 to 90 ° C., more preferably at 30 to 70 ° C. The processing time is preferably from 1 to 120 seconds.

【0040】ケイ酸塩水溶液での砂目表面の処理は、上
記処理条件での処理に限られるものではなく、砂目表面
のシリコン量が本発明の範囲になるように処理すること
ができる方法であれば、いずれの処理方法であっても用
いることができる。
The treatment of the grain surface with the silicate aqueous solution is not limited to the treatment under the above-mentioned treatment conditions, but a method capable of treating the grain surface such that the silicon amount on the grain surface is within the range of the present invention. Then, any processing method can be used.

【0041】ケイ酸塩水溶液での処理によって吸着させ
るSi量がSiO2換算で15mg/m2未満であると、次い
でフッ化ジルコニウムカリウム水溶液による処理を行う
ことを前提とした場合、フッ化ジルコニウムカリウム水
溶液による処理によってSiO2が除去され、Si量が
SiO2換算で10mg/m2未満となってしまうので親水性
が不十分となってしまう。また、SiO2換算で105mg/
m2よりも多くのSiO2を吸着させようとして高濃度、
高温、高pHで処理した場合には、処理中における陽極
酸化皮膜の溶解量が多く、陽極酸化皮膜のマイクロポア
径が広がり、空隙が増加し、陽極酸化皮膜が軟らかくな
り、摩耗し易くなって耐刷性が低下するばかりか、印刷
時に印刷汚れが発生し易くなる。
If the amount of Si adsorbed by the treatment with the aqueous silicate solution is less than 15 mg / m 2 in terms of SiO 2 , assuming that the treatment with the aqueous solution of potassium zirconium fluoride is performed next, potassium zirconium fluoride The treatment with the aqueous solution removes SiO 2 , and the amount of Si becomes less than 10 mg / m 2 in terms of SiO 2 , resulting in insufficient hydrophilicity. In addition, 105mg in terms of SiO 2 /
high concentration in an attempt to adsorb many SiO 2 than m 2,
When treated at high temperature and high pH, the dissolution amount of the anodic oxide film during the treatment is large, the micropore diameter of the anodic oxide film is widened, the voids are increased, and the anodic oxide film becomes soft and easily wears. Not only is the printing durability reduced, but printing stains are more likely to occur during printing.

【0042】また、粗面化された表面が複雑な鋭い凹凸
を有していたり、陽極酸化皮膜のポア密度が高かったり
して陽極酸化皮膜の比表面積が極端に高かった場合に
は、比較的弱い処理条件で処理しても、SiO2吸着量
がSiO2換算で105mg/m2よりも多くなる場合がある
が、この場合には、印刷時に支持体表面の過剰な凹凸に
インキが付着し印刷汚れの原因となる。また、ポア密度
が高いということは陽極酸化皮膜の空隙が多いというこ
とであり、陽極酸化皮膜が軟らかく、摩耗し易くなって
耐刷性が低下する。
In the case where the roughened surface has complicated sharp irregularities or the specific surface area of the anodic oxide film is extremely high due to the high pore density of the anodic oxide film, the relative surface area is relatively small. be treated with a weak process conditions, there is a case where SiO 2 adsorption amount is more than 105 mg / m 2 in terms of SiO 2, in this case, the ink adheres to the excessive unevenness of the support surface during printing It causes printing stains. Further, a high pore density means that there are many voids in the anodic oxide film, and the anodic oxide film is soft, easily worn, and deteriorates printing durability.

【0043】陽極酸化皮膜のポア密度が高かったり、陽
極酸化皮膜の比表面積が極端に高かった場合にもたらさ
れる上記の問題点を避けるためには、陽極酸化処理をす
る前にアルカリ剤で、例えば、表面溶解量(スマットが
ある場合はスマットを含めた溶解量)が1.0〜3.0g/m2
となるように処理して滑らかにし、表面の過剰で複雑な
凹凸を適性な凹凸とし、適正な比表面積とするすればよ
い。
In order to avoid the above-mentioned problems caused when the pore density of the anodic oxide film is high or the specific surface area of the anodic oxide film is extremely high, it is necessary to use an alkaline agent before the anodizing treatment, for example, The surface dissolution amount (dissolution amount including smut, if smut is present) is 1.0 to 3.0 g / m 2
The surface may be smoothed by treating so that excessive and complicated irregularities on the surface are formed into appropriate irregularities and have an appropriate specific surface area.

【0044】陽極酸化皮膜のポア密度は、400〜700個/
μm2が適性である。このポア密度は、硫酸を主に含む電
解液を使用し、直流電解での電圧を18V以上、好ましく
は20V以上になるように制御して陽極酸化処理をするこ
とで得ることができる。
The pore density of the anodic oxide film is 400 to 700 / pore.
μm 2 is appropriate. This pore density can be obtained by using an electrolytic solution mainly containing sulfuric acid and performing anodizing treatment by controlling the voltage in DC electrolysis to be 18 V or more, preferably 20 V or more.

【0045】陽極酸化皮膜を設けた支持体を、ケイ酸塩
水溶液で処理しただけでは、ポジ型感光層との接着性が
悪く、低い耐刷力しか得られない。しかも、感光層との
接着性が悪いにもかかわらず、現像時に残膜や色素残り
を生じてしまい、接着性のバランスが悪い。さらに、酸
を含むプレートクリーナー液に対する耐性もない。
If the support provided with the anodized film is simply treated with an aqueous silicate solution, the adhesion to the positive photosensitive layer is poor, and only low printing durability can be obtained. In addition, despite the poor adhesion to the photosensitive layer, a residual film or a dye residue occurs during development, and the adhesion balance is poor. Furthermore, there is no resistance to a plate cleaner solution containing an acid.

【0046】そこで、本発明においては、F量を0.01mg
/m2以上、15mg/m2以下、Zr量を5mg/m2以上、50mg
/m2以下とする第2の処理が行われる。
Therefore, in the present invention, the amount of F is 0.01 mg
/ M 2 or more, 15 mg / m 2 or less, Zr content 5 mg / m 2 or more, 50 mg
/ M 2 or less is performed.

【0047】上記の処理には、フッ化ジルコニウムカリ
ウム(K2ZrF6)水溶液を用いることができる。フッ
化ジルコニウムカリウム水溶液処理により、どのようか
形態で陽極酸化皮膜にF、Zrが吸着されるのか今のと
ころ明らかとはなっていない。
For the above treatment, an aqueous solution of potassium zirconium fluoride (K 2 ZrF 6 ) can be used. At present, it is not clear how F and Zr are adsorbed to the anodic oxide film by the treatment with the potassium zirconium fluoride aqueous solution.

【0048】フッ化ジルコニウムカリウム水溶液には、
硫酸、酢酸、リン酸等の酸を加えることができる。
In the aqueous solution of potassium zirconium fluoride,
Acids such as sulfuric acid, acetic acid and phosphoric acid can be added.

【0049】使用する処理剤の濃度としては、0.01〜0.
2重量%が好ましく、さらに好ましくは0.02〜0.1重量%
である。処理剤のpHとしては、3〜5が好ましい。
The concentration of the treating agent used is from 0.01 to 0.1.
Preferably 2% by weight, more preferably 0.02 to 0.1% by weight
It is. The pH of the treating agent is preferably from 3 to 5.

【0050】処理は、10〜90℃で行うのが好ましく、さ
らに好ましくは30〜70℃で行うことである。処理時間と
しては、1〜120秒が好ましい。
The treatment is preferably performed at 10 to 90 ° C., more preferably at 30 to 70 ° C. The processing time is preferably from 1 to 120 seconds.

【0051】砂目表面にF、Zrを吸着させるための処
理は、上記処理条件での処理に限られるものではなく、
砂目表面のF量、Zr量が本発明の範囲になるように処
理することができる方法であれば、いずれの処理方法で
あっても用いることができる。
The treatment for adsorbing F and Zr on the grain surface is not limited to the treatment under the above treatment conditions.
Any treatment method can be used as long as it can be treated so that the F content and the Zr content of the grain surface are within the range of the present invention.

【0052】陽極酸化皮膜のF量を0.01mg/m2以上、15
mg/m2以下、Zr量を5mg/m2以上、50mg/m2以下とす
ることにより、接着性のバランスが改善され、現像時に
残膜や色素残りを生じることなく、感光層との接着性を
良好にし、耐刷力を向上させるという特性を付与するこ
とができる。さらに、酸を含むプレートクリーナー液に
対する耐性も付与される。
When the F content of the anodic oxide film is 0.01 mg / m 2 or more,
mg / m 2 or less, a Zr amount 5 mg / m 2 or more, by a 50 mg / m 2 or less, balance between adhesiveness is improved, without causing residual film and the dye-remaining during development, adhesion of the photosensitive layer Properties such as improved printability and improved printing durability. Further, resistance to a plate cleaner solution containing an acid is also provided.

【0053】本発明においては、支持体表面のF量が0.
01mg/m2以上、15mg/m2以下、Zr量が5mg/m2以上、
50mg/m2以下とされるが、好ましくは、F量が0.01mg/
m2以上、10mg/m2以下、Zr量が5mg/m2以上、20mg/
m2以下である。F量が0.01mg/m2未満であったり、Zr
量が5mg/m2未満であったりすると、残膜や色素残りを
改善する効果が得られず、また、耐刷性や耐プレートク
リーナー性も向上しない。また、F量が15mg/m2を越え
たり、Zr量が50mg/m2を越えたりすると、残膜や色素
残りが改善され、耐プレートクリーナー性も付与するこ
とはできるが、感光層との接着性が低下し、耐刷力が低
下する。さらに、前記Si量をSiO2換算で10mg/m2
以上、100mg/m2以下としたためにもたらされる親水性
も損なわれ、印刷時に印刷汚れが発生し易くなる。
In the present invention, the amount of F on the surface of the support is 0.1%.
01mg / m 2 or more, 15 mg / m 2 or less, Zr amount is 5 mg / m 2 or more,
Although it is 50 mg / m 2 or less, preferably, the amount of F is 0.01 mg / m 2.
m 2 or more, 10 mg / m 2 or less, Zr amount is 5 mg / m 2 or more, 20 mg /
m 2 or less. F content is less than 0.01 mg / m 2 or Zr
When the amount is less than 5 mg / m 2 , the effect of improving the residual film and the residual dye is not obtained, and the printing durability and the plate cleaning resistance are not improved. When the amount of F exceeds 15 mg / m 2 or the amount of Zr exceeds 50 mg / m 2 , the residual film and the dye residue are improved, and plate cleaner resistance can be imparted. Adhesion decreases and printing durability decreases. Further, 10 mg of the Si content in terms of SiO 2 / m 2
As described above, the hydrophilicity provided by setting the content to 100 mg / m 2 or less is also impaired, and printing stains are likely to occur during printing.

【0054】第2のF、Zrを吸着させる処理で、陽極
酸化皮膜のF量が15mg/m2、Zr量が50mg/m2を越える
量で吸着させた場合には、その後にアルカリまたは酸に
よる表面洗浄処理をすることによってF、Zrの過剰分
を除去し、本発明の範囲の吸着量とすれば、本発明の効
果を奏させることができる。
In the second treatment for adsorbing F and Zr, when the F amount of the anodic oxide film exceeds 15 mg / m 2 and the Zr amount exceeds 50 mg / m 2 , the alkali or acid is then added. If the excess amount of F and Zr is removed by performing the surface cleaning treatment according to (1) and the amount of adsorption is within the range of the present invention, the effect of the present invention can be exhibited.

【0055】第2のF、Zrを吸着させる処理でのF、
Zrの吸着量は前記SiO2量と同様に、陽極酸化皮膜
の比表面積の影響を受けるが、比表面積が大きいことに
よってF及びZrの吸着量が本発明の範囲の上限を超え
るような場合は、前記と同様の理由で汚れ易くなるか、
あるいは皮膜が摩耗し易くなって耐刷力が低下する。
F, Z in the second F, Zr adsorption process
The adsorption amount of Zr is affected by the specific surface area of the anodic oxide film as in the case of the SiO 2 amount, but when the adsorption amount of F and Zr exceeds the upper limit of the range of the present invention due to the large specific surface area, , For the same reason as above,
Alternatively, the coating is liable to be worn and the printing durability is reduced.

【0056】本発明の感光性平版印刷版においては、上
記のようにして得られた支持体上に感光性組成物よりな
る感光層が設けられている。
In the photosensitive lithographic printing plate of the present invention, a photosensitive layer made of a photosensitive composition is provided on the support obtained as described above.

【0057】本発明において用いられる感光性組成物は
特に限定されるものではなく、本発明においては、通
常、感光性平版印刷版に用いられている感光性組成物を
用いることができる。本発明において用いることができ
る感光性組成物としては、例えば、下記のものを挙げる
ことができる。 1)光架橋系感光性樹脂組成物 光架橋系感光性樹脂組成物における感光成分は、分子中
に不飽和二重結合を有する感光性樹脂からなるもので、
例えば、米国特許第3,030,208号明細書、同第3,435,237
号明細書及び同第3,622,320号明細書等に記載されてい
る如き、重合体主鎖中に感光基として
The photosensitive composition used in the present invention is not particularly limited. In the present invention, a photosensitive composition usually used for a photosensitive lithographic printing plate can be used. Examples of the photosensitive composition that can be used in the present invention include the following. 1) Photocrosslinkable photosensitive resin composition The photosensitive component in the photocrosslinkable photosensitive resin composition comprises a photosensitive resin having an unsaturated double bond in a molecule,
For example, U.S. Pat.Nos. 3,030,208 and 3,435,237
No. 3,622,320, etc., as a photosensitive group in the polymer main chain.

【0058】[0058]

【化1】 を含む感光性樹脂及び重合体の側鎖に感光基を有するポ
リビニルシンナメート等が挙げられる。 2)光重合系感光性樹脂組成物 付加重合性不飽和化合物を含む光重合成性組成物であっ
て、二重結合を有する単量体または二重結合を有する単
量体と高分子バインダーとからなり、このような組成物
の代表的なものは、例えば、米国特許第2,760,863号明
細書及び同第2,791,504号明細書等に記載されている。
Embedded image And polyvinyl cinnamate having a photosensitive group on the side chain of the polymer. 2) Photopolymerizable photosensitive resin composition A photopolymerizable composition containing an addition-polymerizable unsaturated compound, comprising a monomer having a double bond or a monomer having a double bond, and a polymer binder. Representative examples of such a composition are described in, for example, US Pat. Nos. 2,760,863 and 2,791,504.

【0059】光重合成性組成物としては、例えば、メタ
クリル酸メチルを含む組成物、メタクリル酸メチル及び
ポリメチルメタクリレートを含む組成物、メタクリル酸
メチル、ポリメチルメタクリレート及びポリエチレング
リコールメタクリレートモノマーを含む組成物、メタク
リル酸メチル、アルキッド樹脂とポリエチレングリコー
ルジメタクリレートモノマーを含む組成物等の光重合性
組成物が挙げられる。
Examples of the photopolymerizable composition include a composition containing methyl methacrylate, a composition containing methyl methacrylate and polymethyl methacrylate, and a composition containing methyl methacrylate, polymethyl methacrylate and a polyethylene glycol methacrylate monomer. And a photopolymerizable composition such as a composition containing methyl methacrylate, an alkyd resin and a polyethylene glycol dimethacrylate monomer.

【0060】これら光重合系感光性樹脂組成物には、こ
の技術分野で通常知られている光重合開始剤(例えば、
べンゾインメチルエーテル等のべンゾイン誘導体、ベン
ゾフェノン等のべンゾフェノン誘導体、チオキサントン
誘導体、アントラキノン誘導体、アクリドン誘導体等)
が添加される。 3)ジアゾ化合物を含む感光性組成物 感光性組成物に用いられるジアゾ化合物の好ましい例と
しては、芳香族ジアゾニウム塩とホルムアルデヒドまた
はアセトアルデヒドとの縮合物で代表されるジアゾ樹脂
が挙げられる。特に好ましくは、p−ジアゾフェニルア
ミンとホルムアルデヒドまたはアセトアルデヒドとの縮
合物の塩、例えば、へキサフルオロ燐酸塩、テトラフル
オロホウ酸塩、過塩素酸塩または過ヨウ素酸塩と前記縮
合物との反応生成物であるジアゾ樹脂無機塩や、米国特
許第3,300,309号明細書中に記載されている、前記縮合
物とスルホン酸類との反応生成物であるジアゾ樹脂有機
塩等が挙げられる。
These photopolymerizable photosensitive resin compositions contain a photopolymerization initiator generally known in this technical field (for example,
Benzoin derivatives such as benzoin methyl ether, benzophenone derivatives such as benzophenone, thioxanthone derivatives, anthraquinone derivatives, acridone derivatives, etc.)
Is added. 3) Photosensitive composition containing diazo compound Preferred examples of the diazo compound used in the photosensitive composition include diazo resins represented by condensates of an aromatic diazonium salt with formaldehyde or acetaldehyde. Particularly preferably, a salt of a condensate of p-diazophenylamine with formaldehyde or acetaldehyde, for example, a reaction product of the above condensate with hexafluorophosphate, tetrafluoroborate, perchlorate or periodate. Diazo resin inorganic salts, and diazo resin organic salts, which are reaction products of the condensate and sulfonic acids described in US Pat. No. 3,300,309.

【0061】ジアゾ樹脂は、好ましくは結合剤と共に使
用される。かかる結合剤としては種々の高分子化合物を
使用することができるが、好ましくは、特開昭54-98613
号公報に記載されている芳香族性水酸基を有する単量
体、例えば、N−(4−ヒドロキシフェニル)アクリル
アミド、N−(4−ヒドロキシフェニル)メタクリルア
ミド、o−、m−またはp−ヒドロキシスチレン、o
−、m−またはp−ヒドロキシフェニルメタクリレート
等と他の単量体との共重合体、米国特許第4,123,276号
明細書に記載されているヒドロキシエチルアクリレート
単位またはヒドロキシエチルメタクリレート単位を主な
繰り返し単位として含むポリマー、シェラック、ロジン
等の天然樹脂、ポリビニルアルコール、米国特許第3,75
1,257号明細書に記載されている線状ポリウレタン樹
脂、ポリビニルアルコールのフタレート化樹脂、ビスフ
ェノールAとエピクロルヒドリンとの縮合物であるエポ
キシ樹脂、酢酸セルロース、セルロースアセテートフタ
レート等のセルロース誘導体が挙げられる。 4)o−キノンジアジド化合物を含む感光性組成物 o−キノンジアジド化合物とは、分子中にo−キノンジ
アジド基を有する化合物であって、本発明で使用するこ
とができるo−キノンジアジド化合物としては、例え
ば、o−ナフトキノンジアジド化合物、例えば、o−ナ
フトキノンジアジドスルホン酸とフェノール類及びアル
デヒド又はケトンとの重縮合樹脂とのエステル化合物等
が挙げられる。
The diazo resin is preferably used with a binder. As such a binder, various polymer compounds can be used, and preferably, a polymer is disclosed in JP-A-54-98613.
Monomer having an aromatic hydroxyl group, for example, N- (4-hydroxyphenyl) acrylamide, N- (4-hydroxyphenyl) methacrylamide, o-, m- or p-hydroxystyrene , O
-, A copolymer of m- or p-hydroxyphenyl methacrylate and the like and another monomer, a hydroxyethyl acrylate unit or a hydroxyethyl methacrylate unit described in U.S. Pat.No. 4,123,276 as a main repeating unit Containing polymers, natural resins such as shellac, rosin, polyvinyl alcohol, U.S. Pat.
Examples thereof include a linear polyurethane resin, a phthalated resin of polyvinyl alcohol, an epoxy resin which is a condensate of bisphenol A and epichlorohydrin, and cellulose derivatives such as cellulose acetate and cellulose acetate phthalate described in 1,257. 4) Photosensitive composition containing o-quinonediazide compound The o-quinonediazide compound is a compound having an o-quinonediazide group in a molecule. Examples of the o-quinonediazide compound that can be used in the present invention include: o-Naphthoquinonediazide compounds, for example, ester compounds of o-naphthoquinonediazidesulfonic acid with phenols and polycondensation resins with aldehydes or ketones.

【0062】上記フェノール類及びアルデヒドまたはケ
トンとの重縮合樹脂におけるフェノール類としては、例
えば、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、
p−クレゾール、3,5−キシレノール、カルバクロー
ル、チモール等の一価フェノール、カテコール、レゾル
シン、ヒドロキノン等の二価フェノール、ピロガロー
ル、フロログルシン等の三価フェノール等が挙げられ
る。アルデヒドとしては、例えば、ホルムアルデヒド、
ベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、クロトンアルデ
ヒド、フルフラール等が挙げられる。これらのうちで好
ましいものはホルムアルデヒド及びベンズアルデヒドで
ある。ケトンとしては、例えば、アセトン、メチルエチ
ルケトン等が挙げられる。
Examples of the phenol in the polycondensation resin with the phenol and aldehyde or ketone include, for example, phenol, o-cresol, m-cresol,
Examples include monohydric phenols such as p-cresol, 3,5-xylenol, carvacrol, and thymol; dihydric phenols such as catechol, resorcinol, and hydroquinone; and trihydric phenols such as pyrogallol and phloroglucin. As the aldehyde, for example, formaldehyde,
Examples include benzaldehyde, acetaldehyde, crotonaldehyde, furfural and the like. Preferred among these are formaldehyde and benzaldehyde. Examples of the ketone include acetone, methyl ethyl ketone, and the like.

【0063】フェノール類及びアルデヒドまたはケトン
との重縮合樹脂の具体的な例としては、フェノール・ホ
ルムアルデヒド樹脂、m−クレゾール・ホルムアルデヒ
ド樹脂、m−,p−混合クレゾール・ホルムアルデヒド
樹脂、レゾルシン・ベンズアルデヒド樹脂、ピロガロー
ル・アセトン樹脂等が挙げられる。
Specific examples of polycondensation resins with phenols and aldehydes or ketones include phenol-formaldehyde resins, m-cresol-formaldehyde resins, m-, p-mixed cresol-formaldehyde resins, resorcin-benzaldehyde resins, Pyrogallol / acetone resin;

【0064】前記o−ナフトキノンジアジド化合物にお
いて、フェノール類のOH基に対するo−ナフトキノン
ジアジドスルホン酸の縮合率(OH基1個に対する反応
率)は、15%〜80%が好ましく、より好ましくは20%〜
45%である。
In the above-mentioned o-naphthoquinonediazide compound, the condensation rate of o-naphthoquinonediazidesulfonic acid to OH groups of phenols (reaction rate for one OH group) is preferably 15% to 80%, more preferably 20%. ~
45%.

【0065】更に本発明に用いられるo−キノンジアジ
ド化合物としては、特開昭58-43451号公報に記載の以下
の化合物も挙げることができる。即ち、例えば、1,2
−ベンゾキノンジアジドスルホン酸エステル、1,2−
ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、1,2−ベ
ンゾキノンジアジドスルホン酸アミド、1,2−ナフト
キノンジアジドスルホン酸アミドなどの公知の1,2−
キノンジアジド化合物、更に具体的には、ジェイ・コサ
ール(J.Kosar)著「ライト−センシティブ・システム
ズ」(Light-Sensitive Systems)第339〜352頁(1965
年)、ジョン・ウィリー・アンド・サンズ(John Wille
y & Sons)社(ニューヨーク)やダブリュー・エス・デ
ィ・フォレスト(W.S.De Forest)著「フォトレジス
ト」(Photoresist)第50巻(1975年)、マックローヒ
ル(McGraw Hill)社(ニューヨーク)に記載されてい
る1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸フェ
ニルエステル、1,2,1′,2′−ジ−(ベンゾキノ
ンジアジド−4−スルホニル)−ジヒドロキシビフェニ
ル、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−(N−エチル
−N−β−ナフチル)−スルホンアミド、1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホン酸シクロヘキシルエス
テル、1−(1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホニル)−3,5−ジメチルピラゾール、1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホン酸−4′−ヒドロキシ
ジフェニル−4′−アゾ−β−ナフトールエステル、
N,N−ジ−(1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホニル)−アニリン、2′−(1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホニルオキシ)−1−ヒドロキシ−
アントラキノン、1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸−2,4−ジヒドロキシベンゾフェノンエス
テル、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
−2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンエステ
ル、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸ク
ロリド2モルと4,4′−ジアミノベンゾフェノン1モ
ルとの縮合物、1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸クロリド2モルと4,4′−ジヒドロキシ−
1,1′−ジフェニルスルホン酸1モルとの縮合物、
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリ
ド1モルとプルプロガリン1モルとの縮合物、1,2−
ナフトキノンジアジド−5−(N−ジヒドロアビエチ
ル)−スルホンアミドなどの1,2−キノンジアジド化
合物を例示することができる。また、特公昭37-1953
号、同37-3627号、同37-13109号、同40-26126号、同40-
3801号、同45-5604号、同45-27345号、同51-13013号、
特開昭48-96575号、同48-63802号、同48-63803号各公報
に記載された1,2−キノンジアジド化合物も挙げるこ
とができる。
Further, as the o-quinonediazide compound used in the present invention, the following compounds described in JP-A-58-43451 can be exemplified. That is, for example,
-Benzoquinonediazidesulfonic acid ester, 1,2-
Known 1,2- such as naphthoquinonediazidosulfonic acid ester, 1,2-benzoquinonediazidosulfonic acid amide, and 1,2-naphthoquinonediazidosulfonic acid amide
Quinonediazide compounds, more specifically, "Light-Sensitive Systems" by J. Kosar, 339-352 (1965)
Year), John Wille and Sands
y & Sons, Inc. (New York) and WSDe Forest, Photoresist, Vol. 50 (1975); McGraw Hill, New York 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid phenyl ester, 1,2,1 ', 2'-di- (benzoquinonediazide-4-sulfonyl) -dihydroxybiphenyl, 1,2-benzoquinonediazide-4- (N- Ethyl-N-β-naphthyl) -sulfonamide, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid cyclohexyl ester, 1- (1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl) -3,5-dimethylpyrazole, 2-Naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid-4'-hydroxydiphenyl-4'-azo-β-naphthol Tel,
N, N-di- (1,2-naphthoquinonediazido-5-sulfonyl) -aniline, 2 '-(1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyloxy) -1-hydroxy-
Anthraquinone, 1,2-naphthoquinonediazide-5
Sulfonic acid-2,4-dihydroxybenzophenone ester, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid-2,3,4-trihydroxybenzophenone ester, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride 2 mol and 4 mol Condensate with 1 mol of 4,4'-diaminobenzophenone, 2 mol of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride and 4,4'-dihydroxy-
A condensate with 1 mol of 1,1'-diphenylsulfonic acid,
Condensate of 1 mol of 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride with 1 mol of purprogalin, 1,2-
Examples thereof include 1,2-quinonediazide compounds such as naphthoquinonediazide-5- (N-dihydroabiethyl) -sulfonamide. In addition, Japanese Patent Publication No. 37-1953
Nos. 37-3627, 37-13109, 40-26126, 40-
No. 3801, No. 45-5604, No. 45-27345, No. 51-13013,
1,2-quinonediazide compounds described in JP-A-48-96575, JP-A-48-63802, and JP-A-48-63803 can also be mentioned.

【0066】上記o−キノンジアジド化合物のうち、
1,2−ベンゾキノンジアジドスルホニルクロリド又は
1,2−ナフトキノンジアジドスルホニルクロリドをピ
ロガロール・アセトン縮合樹脂又は2,3,4−トリヒ
ドロキシベンゾフェノンと反応させて得られるo−キノ
ンジアジドエステル化合物が特に好ましい。
Of the above o-quinonediazide compounds,
An o-quinonediazide ester compound obtained by reacting 1,2-benzoquinonediazidosulfonyl chloride or 1,2-naphthoquinonediazidosulfonylchloride with a pyrogallol-acetone condensed resin or 2,3,4-trihydroxybenzophenone is particularly preferred.

【0067】本発明において、o−キノンジアジド化合
物は、上記化合物を各々単独で用いてもよいし、2種以
上を組合せて用いてもよい。
In the present invention, as the o-quinonediazide compound, the above compounds may be used alone or in combination of two or more.

【0068】o−キノンジアジド化合物の感光性組成物
中に占める割合は、5〜60重量%が好ましく、特に好ま
しいのは、10〜50重量%である。
The proportion of the o-quinonediazide compound in the photosensitive composition is preferably from 5 to 60% by weight, particularly preferably from 10 to 50% by weight.

【0069】o−キノンジアジド化合物を含む感光性組
成物には、さらにアルカリ可溶性樹脂を添加することが
好ましい。
It is preferable to further add an alkali-soluble resin to the photosensitive composition containing the o-quinonediazide compound.

【0070】本発明において、o−キノンジアジド化合
物と併用することが好ましいアルカリ可溶性樹脂として
は、例えば、ノボラック樹脂、フェノール性水酸基を有
するビニル系重合体、特開昭55-57841号公報に記載され
ている多価フェノールとアルデヒド又はケトンとの縮合
樹脂等が挙げられる。
In the present invention, examples of the alkali-soluble resin which is preferably used in combination with the o-quinonediazide compound include, for example, a novolak resin, a vinyl polymer having a phenolic hydroxyl group, and those described in JP-A-55-57841. And condensation resins of polyhydric phenols and aldehydes or ketones.

【0071】上記ノボラック樹脂としては、例えば、フ
ェノール・ホルムアルデヒド樹脂、クレゾール・ホルム
アルデヒド樹脂、特開昭55-57841号公報に記載されてい
るようなフェノール・クレゾール・ホルムアルデヒド共
重合体樹脂、特開昭55-127553号公報に記載されている
ようなp−置換フェノールとフェノールもしくはクレゾ
ールとホルムアルデヒドとの共重合体樹脂等が挙げられ
る。
Examples of the novolak resin include phenol-formaldehyde resin, cresol-formaldehyde resin, phenol-cresol-formaldehyde copolymer resin described in JP-A-55-57841, and JP-A-55-57841. And copolymer resins of p-substituted phenol and phenol or cresol and formaldehyde as described in JP-A-127553.

【0072】ノボラック樹脂の分子量(ポリスチレン標
準)は、好ましくは数平均分子量Mnが3.00×102〜7.5
0×103、重量平均分子量Mwが1.00×103〜3.00×104
より好ましくはMnが5.00×102〜4.00×103、Mwが3.
00×103〜2.00×104である。
The molecular weight (polystyrene standard) of the novolak resin preferably has a number average molecular weight Mn of 3.00 × 10 2 to 7.5.
0 × 10 3 , weight average molecular weight Mw is 1.00 × 10 3 to 3.00 × 10 4 ,
More preferably, Mn is 5.00 × 10 2 to 4.00 × 10 3 , and Mw is 3.
00 × 10 3 to 2.00 × 10 4 .

【0073】上記ノボラック樹脂は単独で用いてもよい
し、2種以上を組合せて用いてもよい。
The above novolak resins may be used alone or in combination of two or more.

【0074】ノボラック樹脂を併用する場合、ノボラッ
ク樹脂は感光性組成物中に5〜95重量%含有させるのが
好ましい。
When a novolak resin is used in combination, it is preferred that the novolak resin be contained in the photosensitive composition in an amount of 5 to 95% by weight.

【0075】また、フェノール性水酸基を有するビニル
系重合体とは、該フェノール性水酸基を有する単位を分
子構造中に有する重合体であり、下記一般式[I]〜
[V]で表される構造単位を少なくとも1つの含む重合
体が好ましい。
The vinyl polymer having a phenolic hydroxyl group is a polymer having a unit having the phenolic hydroxyl group in its molecular structure, and has the following general formula [I] to
A polymer containing at least one structural unit represented by [V] is preferable.

【0076】[0076]

【化2】 Embedded image

【0077】一般式[I]〜一般式[V]において、R
1およびR2は、それぞれ水素原子、アルキル基又はカル
ボキシル基を表し、好ましくは水素原子である。R
3は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表し、
好ましくは水素原子又はメチル基、エチル基等のアルキ
ル基である。R4、R5は、水素原子、アルキル基、アリ
ール基又はアラルキル基を表し、好ましくは水素原子で
ある。Aは、窒素原子又は酸素原子と芳香族炭素原子と
を連結する、置換基を有していてもよいアルキレン基を
表し、mは、0〜10の整数を表し、Bは、置換基を有し
ていてもよいフェニレン基又は置換基を有してもよいナ
フチレン基を表す。
In the general formulas [I] to [V], R
1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group or a carboxyl group, preferably a hydrogen atom. R
3 represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group,
Preferred is a hydrogen atom or an alkyl group such as a methyl group or an ethyl group. R 4 and R 5 represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or an aralkyl group, and are preferably a hydrogen atom. A represents an optionally substituted alkylene group connecting a nitrogen atom or an oxygen atom to an aromatic carbon atom, m represents an integer of 0 to 10, and B represents a substituent. Represents a phenylene group which may be substituted or a naphthylene group which may have a substituent.

【0078】本発明に用いる上記フェノール性水酸基を
有するビニル系重合体は、前記一般式[I]〜一般式
[V]でそれぞれ表される構造単位を有する共重合体型
の構造を有するものが好ましく、共重合させる単量体と
しては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブチレ
ン、ブタジエン、イソプレン等のエチレン系不飽和オレ
フィン類、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、p
−メチルスチレン、p−クロロスチレン等のスチレン
類、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のアクリル酸
類、例えば、イタコン酸、マレイン酸、無水マレイン酸
等の不飽和脂肪族ジカルボン酸類、例えば、アクリル酸
メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸−n−ブチル、
アクリル酸イソブチル、アクリル酸ドデシル、アクリル
酸−2−クロロエチル、アクリル酸フェニル、α−クロ
ロアクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、メタクリル
酸エチル、エタクリル酸エチル等のα−メチレン脂肪族
モノカルボン酸のエステル類、例えば、アクリロニトリ
ル、メタアクリロニトリル等のニトリル類、例えば、ア
クリルアミド等のアミド類、例えば、アクリルアニリ
ド、p−クロロアクリルアニリド、m−ニトロアクリル
アニリド、m−メトキシアクリルアニリド等のアニリド
類、例えば、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、ベンゾ
エ酸ビニル、酢酸ビニル等のビニルエステル類、例え
ば、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、イ
ソブチルビニルエーテル、β−クロロエチルビニルエー
テル等のビニルエーテル類、塩化ビニル、ビニリデンク
ロライド、ビニリデンシアナイド、例えば、1−メチル
−1−メトキシエチレン、1,1−ジメトキシエチレ
ン、1,2−ジメトキシエチレン、1,1−ジメトキシ
カルボニルエチレン、1−メチル−1−ニトロエチレン
等のエチレン誘導体類、例えば、N−ビニルピロール、
N−ビニルカルバゾール、N−ビニルインドール、N−
ビニルピロリデン、N−ビニルピロリドン等のN−ビニ
ル系単量体がある。これらの単量体は、不飽和二重結合
が開裂した構造で高分子化合物中に存在する。
The vinyl polymer having a phenolic hydroxyl group used in the present invention preferably has a copolymer type structure having the structural units represented by the general formulas [I] to [V]. Examples of the monomer to be copolymerized include, for example, ethylenically unsaturated olefins such as ethylene, propylene, isobutylene, butadiene, and isoprene, for example, styrene, α-methylstyrene,
Styrenes such as -methylstyrene and p-chlorostyrene; for example, acrylic acids such as acrylic acid and methacrylic acid; for example, unsaturated aliphatic dicarboxylic acids such as itaconic acid, maleic acid, and maleic anhydride; for example, methyl acrylate , Ethyl acrylate, n-butyl acrylate,
Esters of α-methylene aliphatic monocarboxylic acids such as isobutyl acrylate, dodecyl acrylate, 2-chloroethyl acrylate, phenyl acrylate, α-methyl methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate and ethyl ethacrylate For example, nitriles such as acrylonitrile and methacrylonitrile, for example, amides such as acrylamide, for example, anilides such as acrylanilide, p-chloroacrylanilide, m-nitroacrylanilide, and m-methoxyacrylanilide, for example, acetic acid Vinyl esters such as vinyl, vinyl propionate, vinyl benzoate, and vinyl acetate, for example, vinyl ethers such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, isobutyl vinyl ether, and β-chloroethyl vinyl ether , Vinyl chloride, vinylidene chloride, vinylidene cyanide, for example, 1-methyl-1-methoxyethylene, 1,1-dimethoxyethylene, 1,2-dimethoxyethylene, 1,1-dimethoxycarbonylethylene, 1-methyl-1- Ethylene derivatives such as nitroethylene, for example, N-vinylpyrrole,
N-vinyl carbazole, N-vinyl indole, N-
There are N-vinyl monomers such as vinylpyrrolidene and N-vinylpyrrolidone. These monomers are present in the polymer compound in a structure in which the unsaturated double bond is cleaved.

【0079】上記の単量体のうち脂肪族モノカルボン酸
のエステル類、ニトリル類が本発明の目的に対して優れ
た性能を示し、好ましい。
Among the above-mentioned monomers, esters and nitriles of aliphatic monocarboxylic acids exhibit excellent performance for the purpose of the present invention and are preferred.

【0080】これらの単量体は、本発明に用いられる重
合体中にブロックまたはランダムのいずれかの状態で結
合していてもよい。
These monomers may be bonded to the polymer used in the present invention in either a block or random state.

【0081】フェノール性水酸基を有するビニル系重合
体を併用する場合、フェノール性水酸基を有するビニル
系重合体は感光性組成物中に0.5〜70重量%含有させる
のが好ましい。
When a vinyl polymer having a phenolic hydroxyl group is used in combination, the content of the vinyl polymer having a phenolic hydroxyl group is preferably 0.5 to 70% by weight in the photosensitive composition.

【0082】フェノール性水酸基を有するビニル系重合
体は、上記重合体を単独で用いてもよいし、又2種以上
を組合せて用いてもよい。又、他の高分子化合物等と組
合せて用いることもできる。
As the vinyl polymer having a phenolic hydroxyl group, the above polymers may be used alone or in combination of two or more. Further, it can be used in combination with another polymer compound or the like.

【0083】アルカリ可溶性樹脂を併用する場合、o−
キノンジアジド化合物の感光性組成物中に占める割合
は、5〜60重量%が好ましく、特に好ましいのは、10〜
50重量%である。
When an alkali-soluble resin is used in combination, o-
The proportion of the quinonediazide compound in the photosensitive composition is preferably 5 to 60% by weight, particularly preferably 10 to 60% by weight.
50% by weight.

【0084】o−キノンジアジド化合物を含む感光性組
成物には、さらに包接化合物を添加することが好まし
い。
It is preferable to further add an inclusion compound to the photosensitive composition containing the o-quinonediazide compound.

【0085】包接化合物は、化学種を取り込む(包接す
る)ことができる化合物であれば特に限定されないが、
組成物の調製に用いる溶剤に可溶な有機系化合物が好ま
しい。そのような有機系化合物の例としては、例えば、
「ホストゲストケミストリー」(平岡道夫ら著、講談社
1984年、東京)などの成書や「テトラヘドロンレポー
ト」(No.226(1987)P5725A.Colletら)、「化学工
業4月号」((1991)P278新海ら)、「化学工業4月
号」((1991)P288平岡ら)などに示されているもの
が挙げられる。
The clathrate compound is not particularly limited as long as it is a compound that can take in (clathrate) a chemical species.
Organic compounds soluble in the solvent used for preparing the composition are preferred. Examples of such organic compounds include, for example,
"Host Guest Chemistry" (Michio Hiraoka et al., Kodansha
1984, Tokyo) and "Tetrahedron Report" (No.226 (1987) P5725A. Collet et al.), "Chemical Industry April Issue" ((1991) P278 Shinkai et al.), "Chemical Industry April Issue" (1991) P288 Hiraoka et al.).

【0086】本発明において好ましく使用することがで
きる包接化合物としては、例えば、環状D−グルカン
類、シクロファン類、中性ポリリガンド、環状ポリアニ
オン、環状ポリカチオン、環状ペプチド、スフェランド
(SPHERANDS)、キャビタンド(CAVITANDS)およびそれ
らの非環状類縁体が挙げられる。これらの中でも、環状
D−グルカン類及びその非環状類縁体、シクロファン
類、中性ポリリガンドが更に好ましい。
The inclusion compounds preferably used in the present invention include, for example, cyclic D-glucans, cyclophanes, neutral polyligands, cyclic polyanions, cyclic polycations, cyclic peptides, SPHERANDS, CAVITANDS and their acyclic analogs. Among these, cyclic D-glucans and their non-cyclic analogs, cyclophanes, and neutral polyligands are more preferred.

【0087】環状D−グルカン類およびその非環状類縁
体としては、例えば、α−D−グルコピラノースがグリ
コキシド結合によって連なった化合物が挙げられる。
The cyclic D-glucans and non-cyclic analogs thereof include, for example, compounds in which α-D-glucopyranose is linked by a glycooxide bond.

【0088】該化合物としては、デンプン、アミロー
ス、アミロペクチンなどのD−グルコピラノース基によ
り構成される糖質類、α−シクロデキストリン、β−シ
クロデキストリン、γ−シクロデキストリン、D−グル
コピラノース基の重合度が9以上のシクロデキストリン
などのシクロデキストリン及びSO364CH264
SO3基、NHCH2CH2NH基、NHCH2CH2NH
CH2CH2NH基、SC65基、N3基、NH2基、NE
2基、SC(NH + 2)NH2基、SH基、SCH2CH
2NH2基、イミダゾール基、エチレンジアミン基などの
置換基を導入した下記式
Examples of the compound include carbohydrates composed of D-glucopyranose groups such as starch, amylose and amylopectin, α-cyclodextrin, β-cyclodextrin, γ-cyclodextrin, and polymerization of D-glucopyranose groups. Cyclodextrin having a degree of 9 or more, such as cyclodextrin, and SO 3 C 6 H 4 CH 2 C 6 H 4
SO 3 group, NHCH 2 CH 2 NH group, NHCH 2 CH 2 NH
CH 2 CH 2 NH group, SC 6 H 5 group, N 3 group, NH 2 group, NE
t 2 group, SC (NH + 2 ) NH 2 group, SH group, SCH 2 CH
2 The following formula introducing a substituent such as NH 2 group, imidazole group, ethylenediamine group, etc.

【0089】[0089]

【化3】 で表されるD−グルカン類の修飾物が挙げられる。ま
た、下記一般式[VI]及び一般式[VII]で表され
るシクロデキストリン誘導体及び分岐シクロデキストリ
ン、シクロデキストリンポリマー等も挙げられる。
Embedded image And modified D-glucans. Further, there may be mentioned cyclodextrin derivatives, branched cyclodextrins, and cyclodextrin polymers represented by the following general formulas [VI] and [VII].

【0090】[0090]

【化4】 Embedded image

【0091】一般式[VI]において、R1〜R3は、そ
れぞれ同じでも異なっていてもよく、水素原子、アルキ
ル基または置換アルキル基を表す。特に、R 1〜R3が水
素原子あるいはヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピ
ル基であるものが好ましく、1分子中の置換アルキル基
の含有率が15%〜50%であるものが更に好ましい。
2は4〜10の正の整数を表す。
In the general formula [VI], R1~ RThreeIs
Each of which may be the same or different, a hydrogen atom, an alkyl
Or a substituted alkyl group. In particular, R 1~ RThreeBut water
Atom or hydroxyethyl group, hydroxypropyl
Preferably a substituted alkyl group in one molecule
Is more preferably 15% to 50%.
nTwoRepresents a positive integer of 4 to 10.

【0092】[0092]

【化5】 Embedded image

【0093】一般式[VII]において、Rは、水素原
子、−R2 −CO2H、−R2 −SO3H、−R2−NH2
たは−N−(R32(R2は、炭素数1〜5の直鎖また
は分岐鎖のアルキレン基を表し、R3は、炭素数1〜5
の直鎖または分岐鎖のアルキル基を表す。
In the general formula [VII], R represents a hydrogen atom
Child, -RTwo -COTwoH, -RTwo -SOThreeH, -RTwo-NHTwoMa
Or -N- (RThree)Two(RTwoIs a straight chain having 1 to 5 carbon atoms or
Represents a branched alkylene group;ThreeHas 1 to 5 carbon atoms
Represents a linear or branched alkyl group.

【0094】なお、シクロデキストリンの製造例は「Jo
unal of the American Chemical Society」第71巻 第3
54頁 1949年、「Cheimish Berichte」第90巻 第2561
頁 1949年,第90巻 第2561頁 1957年に記載されてい
るが、勿論これらに限定されるものではない。
The production example of cyclodextrin is described in "Jo
unal of the American Chemical Society, Vol. 71, No. 3
Page 54 1949, `` Cheimish Berichte '' Vol. 90, No. 2561
P. 1949, vol. 90, p. 2561, p. 1957, but of course is not limited thereto.

【0095】本発明に用いられる分岐シクロデキストリ
ンとは、公知のシクロデキストリンにグルコース、マル
トース、セロビオーズ、ラクトース、ショ糖、ガラクト
ース、グルコサミン等の単糖類や2糖類等の水溶性物質
を分岐付加ないし結合させたものであり、好ましくは、
シクロデキストリンにマルトースを結合させたマルトシ
ルシクロデキストリン(マルトースの結合分子数は1分
子、2分子、3分子等いずれでもよい)やシクロデキス
トリンにグルコースを結合させたグルコシルシクロデキ
ストリン(グルコースの結合分子数は1分子、2分子、
3分子等いずれでもよい)が挙げられる。
The term "branched cyclodextrin" used in the present invention means that a water-soluble substance such as a monosaccharide or disaccharide such as glucose, maltose, cellobiose, lactose, sucrose, galactose or glucosamine is added or bound to a known cyclodextrin. And preferably,
Maltosylcyclodextrin in which maltose is bound to cyclodextrin (the number of molecules bound to maltose may be one, two or three) or glucosylcyclodextrin in which glucose is bound to cyclodextrin (the number of molecules bound to glucose) Is one molecule, two molecules,
Or any of three molecules).

【0096】これら分岐シクロデキストリンの具体的な
合成方法は、例えば、澱粉化学、第33巻、第2号、119
〜126頁(1986)、同127〜132頁(1986)、澱粉化学、
第30巻、第2号、231〜239頁(1983)等に記載されてお
り、これら公知の方法を参照して合成可能であり、例え
ば、マルトシルシクロデキストリンは、シクロデキスト
リンとマルトースを原料とし、イソアミラーゼやプルラ
ナーゼ等の酵素を利用してシクロデキストリンにマルト
ースを結合させる方法で製造できる。グルコシルシクロ
デキストリンも同様の方法で製造できる。
Specific methods for synthesizing these branched cyclodextrins are described, for example, in Starch Chemistry, Vol. 33, No. 2, 119
-126 (1986), 127-132 (1986), starch chemistry,
Vol. 30, No. 2, pp. 231-239 (1983), etc., and can be synthesized with reference to these known methods. For example, maltosyl cyclodextrin can be prepared by using cyclodextrin and maltose as raw materials. And maltose by cyclodextrin using an enzyme such as isoamylase or pullulanase. Glucosylcyclodextrin can be produced in a similar manner.

【0097】本発明において、好ましく用いられる分岐
シクロデキストリンとしては、以下に示す具体的例示化
合物を挙げることができる。
In the present invention, examples of the preferably used branched cyclodextrin include the following specific compounds.

【0098】〔例示化合物〕 D−1 マルトースが1分子結合したα−シクロデキス
トリン D−2 マルトースが1分子結合したβ−シクロデキス
トリン D−3 マルトースが1分子結合したγ−シクロデキス
トリン D−4 マルト一スが2分子結合したα−シクロデキス
トリン D−5 マルトースが2分子結合したβ−シクロデキス
トリン D−6 マルトースが2分子結合したγ−シクロデキス
トリン D−7 マルトースが3分子結合したα−シクロデキス
トリン D−8 マルトースが3分子結合したβ−シクロデキス
トリン D−9 マルトースが3分子結合したγ−シクロデキス
トリン D−10 グルコースが1分子結合したα−シクロデキ
ストリン D−11 グルコースが1分子結合したβ−シクロデキ
ストリン D−12 グルコースが1分子結合したγ−シクロデキ
ストリン D−13 グルコースが2分子結合したα−シクロデキ
ストリン D−14 グルコースが2分子結合したβ−シクロデキ
ストリン D−15 グルコースが2分子結合したγ−シクロデキ
ストリン D−16 グルコースが3分子結合したα−シクロデキ
ストリン D−17 グルコースが3分子結合したβ−シクロデキ
ストリン D−18 グルコースが3分子結合したγ−シクロデキ
ストリン
[Exemplary Compounds] D-1 α-cyclodextrin having one molecule bonded with maltose D-2 β-cyclodextrin having one molecule bonded with maltose D-3 γ-cyclodextrin D-4 having one molecule bonded with maltose Α-cyclodextrin D-5 in which two molecules of maltose are bound β-cyclodextrin D-5 in which two molecules of maltose are bound D-6 γ-cyclodextrin in which two molecules of maltose are bound D-7 α-cyclodextrin in which three molecules of maltose are bound D-8 β-cyclodextrin in which three molecules of maltose are bound D-9 γ-cyclodextrin in which three molecules of maltose are bound D-10 α-cyclodextrin in which one molecule of glucose is bound D-11 β-in which one molecule of glucose is bound One molecule of cyclodextrin D-12 glucose bound γ-cyclodextrin D-13 α-cyclodextrin with two glucose molecules bonded D-14 β-cyclodextrin with two glucose molecules bonded D-15 Gamma-cyclodextrin with two glucose molecules bonded D-16 glucose three molecules Α-cyclodextrin D-17 bound to β-cyclodextrin with three molecules of glucose D-18 γ-cyclodextrin bound to three molecules of glucose

【0099】これら分岐シクロデキストリンの構造につ
いては、HPLC,NMR,TLC(薄層クロマトグラ
フィー)、INEPT法(Insensitive nuclei enhance
d bypolarization transfer)等の測定法で種々検討さ
れてきているが、現在の科学技術をもってしてもいまだ
確定されておらず推定構造の段階にある。しかしなが
ら、各単糖類又は2糖類等がシクロデキストリンに結合
していることは上記測定法で誤りのないことである。こ
の故に、本発明においては、単糖類や2糖類の多分子が
シクロデキストリンに結合している際には、例えば、下
図に示すようにシクロデキストリンの各ぶどう糖に個々
に結合している場合や、1つのぶどう糖に直鎖状に結合
しているものの両方を包含するものである。
Regarding the structure of these branched cyclodextrins, HPLC, NMR, TLC (thin layer chromatography), INEPT method (Insensitive nuclei enhance)
Various methods such as d bypolarization transfer have been studied, but they have not yet been determined even with the current technology, and are in the stage of estimation structure. However, the fact that each monosaccharide or disaccharide or the like is bound to cyclodextrin is that there is no error in the above measurement method. Therefore, in the present invention, when multiple molecules of monosaccharides and disaccharides are bonded to cyclodextrin, for example, as shown in the following figure, when they are individually bonded to each glucose of cyclodextrin, It includes both those linked linearly to one glucose.

【0100】[0100]

【化6】 Embedded image

【0101】これら分岐シクロデキストリンにおいて、
既存のシクロデキストリンの環構造はそのまま保持され
ているので、既存のシクロデキストリンと同様な包接作
用を示し、かつ、水溶性の高いマルトースないしグルコ
ースが付加し、水ヘの溶解性が飛躍的に向上しているの
が特徴である。
In these branched cyclodextrins,
Since the ring structure of the existing cyclodextrin is kept as it is, it shows the same inclusion function as the existing cyclodextrin, and the addition of highly water-soluble maltose or glucose dramatically increases the solubility in water. The feature is that it has improved.

【0102】本発明に用いられる分岐シクロデキストリ
ンは市販品としての入手も可能であり、例えば、マルト
シルシクロデキストリンは塩水港精糖社製イソエリート
(登録商標)として市販されている。
[0102] The branched cyclodextrin used in the present invention can be obtained as a commercial product. For example, maltosyl cyclodextrin is commercially available as Isoelite (registered trademark) manufactured by Shimizu Minato Seika.

【0103】次に、本発明に用いられるシクロデキスト
リンポリマーについて説明する。
Next, the cyclodextrin polymer used in the present invention will be described.

【0104】本発明に用いられるシクロデキストリンポ
リマーとしては、下記一般式[VIII]で表されるも
のが好ましい。
The cyclodextrin polymer used in the present invention is preferably a polymer represented by the following general formula [VIII].

【0105】[0105]

【化7】 本発明に用いられるシクロデキストリンポリマーは、シ
クロデキストリンを、例えば、エピクロルヒドリンによ
り架橋高分子化して製造できる。
Embedded image The cyclodextrin polymer used in the present invention can be produced by subjecting cyclodextrin to a cross-linking polymerization with, for example, epichlorohydrin.

【0106】前記シクロデキストリンポリマーは、その
水溶性すなわち水に対する溶解度が、25℃で水100ミリ
リットルに対し20g以上あることが好ましく、そのため
には上記一般式[VIII]における重合度n2を3〜
4とすればよく、この値が小さい程シクロデキストリン
ポリマー自身の水溶性および前記物質の可溶化効果が高
い。
The cyclodextrin polymer preferably has a water solubility, that is, a solubility in water of 20 g or more per 100 ml of water at 25 ° C., and for this purpose, the polymerization degree n 2 in the general formula [VIII] is 3 to 3.
The water solubility of the cyclodextrin polymer itself and the effect of solubilizing the substance are higher as this value is smaller.

【0107】これらシクロデキストリンポリマーは、例
えば、特開昭61-97025号公報やドイツ特許第3,544,842
号明細書等に記載された一般的な方法で合成できる。
These cyclodextrin polymers are described, for example, in JP-A-61-97025 and German Patent No. 3,544,842.
It can be synthesized by a general method described in the specification and the like.

【0108】該シクロデキストリンポリマーについて
も、前記の如くシクロデキストリンポリマーの包接化合
物として使用してもよい。
The cyclodextrin polymer may be used as an inclusion compound of the cyclodextrin polymer as described above.

【0109】シクロファン類とは、芳香環が種々の結合
によりつながった構造を有する環状化合物であって、多
くの化合物が知られてり、シクロファン類としては、こ
れら公知の化合物を挙げることができる。
Cyclophanes are cyclic compounds having a structure in which aromatic rings are linked by various bonds, and many compounds are known. Examples of cyclophanes include these known compounds. it can.

【0110】芳香環を結ぶ結合としては、例えば、単結
合、−(CR12m−結合、−O(CR12mO−結
合、−NH(CR12mNH−結合、−(CR12p
NR3(CR45q−結合、−(CR12p+34
(CR56q−結合、−(CR12p+3(CR4
5q−結合、−CO2−結合、−CONR−結合(こ
こで、R1、R2、R3、R4、R5およびR6は、同一でも
異なっていてもよく、水素原子または炭素数1〜3のア
ルキル基を示し、m、pおよびqは、同一でも異なって
いてもよく、1〜4の整数を示す。)などが挙げられ
る。
Examples of the bond connecting the aromatic rings include a single bond,-(CR 1 R 2 ) m -bond, -O (CR 1 R 2 ) m O-bond, and -NH (CR 1 R 2 ) m NH. -Bond,-(CR 1 R 2 ) p
NR 3 (CR 4 R 5 ) q -bond,-(CR 1 R 2 ) p N + R 3 R 4
(CR 5 R 6 ) q -bond,-(CR 1 R 2 ) p S + R 3 (CR 4
R 5 ) q -bond, -CO 2 -bond, -CONR-bond (where R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 and R 6 may be the same or different and a hydrogen atom Or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and m, p and q may be the same or different, and represent an integer of 1 to 4).

【0111】該化合物としては、例えば、下記式As the compound, for example, the following formula:

【0112】[0112]

【化8】 で表されるパラシクロファン類、トリ−o−テイモタイ
ド、シクロトリヴェラトリレンに代表される下記式
Embedded image The following formula represented by paracyclophanes, tri-o-tymotide, and cycloriveratrilene represented by

【0113】[0113]

【化9】 で表されるオルトシクロファン類、メタシクロフファ
ン、カリックスアレン、レゾルシノール−アルデヒド環
状オリゴマーなどに代表される下記式
Embedded image The following formula represented by orthocyclophanes, metacyclophphane, calixarene, resorcinol-aldehyde cyclic oligomers represented by

【0114】[0114]

【化10】 で表されるメタシクロファン類、あるいは下記式Embedded image Metacyclophanes represented by

【0115】[0115]

【化11】 で表されるパラ置換フェノール類非環状オリゴマーが挙
げられる。
Embedded image Para-substituted phenolic acyclic oligomers represented by

【0116】中性ポリリガンドとしては、クラウン化合
物、クリプタンド、環状ポリアミンおよびそれらの非環
状類縁体が挙げられる。該化合物は、金属イオンを有効
に取り込むことが知られているが、カチオン性有機分子
も有効に取り込むことができる。
The neutral polyligand includes crown compounds, cryptands, cyclic polyamines and their non-cyclic analogs. The compound is known to effectively incorporate metal ions, but can also effectively incorporate cationic organic molecules.

【0117】その他の包接化合物として、尿素、チオ尿
素、デオキシコール酸、ジニトロジフェニル、ヒドロキ
ノン、o−トリチモチド、オキシフラバン、ジシアノア
ンミンニッケル、ジオキシトリフェニルメタン、トリフ
ェニルメタン、メチルナフタリン、スピロクロマン、ぺ
ルヒドロトリフェニレン、粘度鉱物、グラファイト、ゼ
オライト(ホージャサイト、チャバザイト、モルデナイ
ト、レビーナイト、モンモリロナイト、ハロサイト
等)、セルロース、アミロース、タンパク質等が挙げら
れる。
Other clathrate compounds include urea, thiourea, deoxycholic acid, dinitrodiphenyl, hydroquinone, o-trithymotide, oxyflavan, dicyanamine nickel, dioxytriphenylmethane, triphenylmethane, methylnaphthalene, spirochroman, Perhydrotriphenylene, viscous mineral, graphite, zeolite (faujasite, chabazite, mordenite, levynite, montmorillonite, halosite, etc.), cellulose, amylose, protein and the like.

【0118】これらの包接化合物は、単体として添加し
てもよいが、包接化合物自身あるいは分子を取り込んだ
包接化合物の溶剤への溶解性、その他の添加剤との相溶
性を良好にするために包接能を有する置換基をポリマー
にペンダント置換基として懸垂させたポリマーを一緒に
添加してもよい。
These clathrates may be added as a simple substance. However, the solubility of the clathrate itself or the clathrate containing the molecule into the solvent and the compatibility with other additives are improved. For this purpose, a polymer in which a substituent having an inclusion function is suspended as a pendant substituent on the polymer may be added together.

【0119】該ポリマーは、例えば、特開平3-221501号
公報、特開平3-221502号公報、特開平3-221503号公報、
特開平3-221504号公報、特開平3-221505号公報に開示さ
れているような方法を用いて容易に得ることができる。
The polymer is described, for example, in JP-A-3-221501, JP-A-3-221502, JP-A-3-221503,
It can be easily obtained by using a method as disclosed in JP-A-3-221504 and JP-A-3-221505.

【0120】上記包接化合物のうち、環状および非環状
D−グルカン類、シクロファン類、および非環状シクロ
ファン類縁体が好ましい。更に具体的には、シクロデキ
ストリン、カリックスアレン、レゾルシノール−アルデ
ヒド環状オリゴマー、パラ置換フェノール類非環状オリ
ゴマーが好ましい。
Among the above inclusion compounds, cyclic and non-cyclic D-glucans, cyclophanes, and non-cyclic cyclophan analogs are preferable. More specifically, cyclodextrin, calixarene, resorcinol-aldehyde cyclic oligomer, and para-substituted phenols acyclic oligomer are preferred.

【0121】また、最も好ましいものとして、シクロデ
キストリン及びその誘導体が挙げられ、このうちβ−シ
クロデキストリン及びその誘導体が更に好ましい。
The most preferred are cyclodextrin and its derivatives, among which β-cyclodextrin and its derivatives are more preferred.

【0122】これらの包接化合物の感光性組成物に占め
る割合が0.01〜10重量%が好ましく、0.1%〜5重量%
がより好ましい。
The ratio of these clathrates to the photosensitive composition is preferably 0.01 to 10% by weight, and 0.1% to 5% by weight.
Is more preferred.

【0123】更に、本発明の感光性組成物には、露光に
より可視画像を形成させるプリントアウト材料を添加す
ることができる。プリントアウト材料は、露光により酸
もしくは遊離基を生成する化合物と該生成された酸もし
くは遊離基と相互作用することによってその色調を変え
る有機染料より成るもので、露光により酸もしくは遊離
基を生成する化合物としては、例えば、特開昭50-36209
号公報に記載のo−ナフトキノンジアジド−4−スルホ
ン酸ハロゲニド、特開昭53-36223号公報に記載のトリハ
ロメチル−2−ピロンやトリハロメチル−トリアジン、
特開昭55−6244号公報に記載のo−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホン酸クロライドと電子吸引性置換
基を有するフェノール類またはアニリンとのエステル化
合物またはアミド化合物、特開昭55-77742号公報、特開
昭57-148784号公報等に記載のハロメチルビニルオキサ
ジアゾール化合物及びジアゾニウム塩等を挙げることが
でき、また、有機染料としては、例えば、ビクトリアピ
ュアーブルーBOH(保土ヶ谷化学(株)製)、パテン
トピュアーブルー(住友三国化学(株)製)、オイルブ
ルー#603(オリエント化学工業(株)製)、スーダン
ブルーII(BASF製)、クリスタルバイオレット、
マラカイトグリーン、フクシン、メチルバイオレット、
エチルバイオレット、メチルオレンジ、ブリリアントグ
リーン、コンゴーレッド、エオシン、ローダミン66等を
挙げることができる。
Further, a printout material for forming a visible image upon exposure can be added to the photosensitive composition of the present invention. Printout materials consist of a compound that generates an acid or a free radical upon exposure to light and an organic dye that changes its color by interacting with the generated acid or a free radical. As the compound, for example, JP-A-50-36209
O-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid halogenide described in JP-A-53-36223, trihalomethyl-2-pyrone and trihalomethyl-triazine described in JP-A-53-36223,
JP-A 55-67772 discloses an ester compound or amide compound of o-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid chloride and a phenol or aniline having an electron-withdrawing substituent described in JP-A-55-6777. Examples thereof include halomethylvinyloxadiazole compounds and diazonium salts described in JP-A-57-148784 and the like. Organic dyes include, for example, Victoria Pure Blue BOH (manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.) , Patent Pure Blue (manufactured by Sumitomo Mikuni Chemical Co., Ltd.), Oil Blue # 603 (manufactured by Orient Chemical Industries, Ltd.), Sudan Blue II (manufactured by BASF), Crystal Violet,
Malachite green, fuchsin, methyl violet,
Ethyl violet, methyl orange, brilliant green, congo red, eosin, rhodamine 66 and the like can be mentioned.

【0124】また、本発明の感光性組成物には、上記の
素材の他、必要に応じて可塑剤、界面活性剤、有機酸、
酸無水物などを添加することができる。
Further, in addition to the above-mentioned materials, a plasticizer, a surfactant, an organic acid,
Acid anhydrides and the like can be added.

【0125】さらに、本発明の感光性組成物には、該感
光性組成物の感脂性を向上させるために、例えば、p−
tert−ブチルフェノールホルムアルデヒド樹脂、p−n
−オクチルフェノールホルムアルデヒド樹脂あるいはこ
れらの樹脂がo−キノンジアジド化合物で部分的にエス
テル化されている樹脂などを添加することもできる。
Further, in order to improve the oil sensitivity of the photosensitive composition, for example, p-
tert-butylphenol formaldehyde resin, pn
Octylphenol formaldehyde resins or resins in which these resins are partially esterified with an o-quinonediazide compound can also be added.

【0126】感光性組成物には必要に応じてマット剤を
付与することができる。
A matting agent can be added to the photosensitive composition as needed.

【0127】本発明の感光層は、これらの各成分よりな
る感光性組成物を溶媒に溶解又は分散した塗布液を、支
持体上に塗布し、乾燥することにより形成することがで
きる。
The photosensitive layer of the present invention can be formed by applying a coating solution obtained by dissolving or dispersing a photosensitive composition comprising each of these components in a solvent on a support and drying the coating.

【0128】感光性組成物を溶解する際に使用し得る溶
媒としては、例えば、メチルセロソルブ、メチルセロソ
ルブアセテート、エチルセロソルブ、エチルセロソルブ
アセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエ
ーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコール
モノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテ
ル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ギ
酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、ギ酸アミル、酢
酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プ
ロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、
酪酸エチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、ジアセトン
アルコール、アセチルアセトン、γ−ブチロラクトン等
が挙げられる。これらの溶媒は、単独であるいは2種以
上を混合して使用することができる。
Solvents that can be used when dissolving the photosensitive composition include, for example, methyl cellosolve, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl Ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol monoisopropyl ether, propylene glycol, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol methyl ethyl ether, ethyl formate, propyl formate , Butyl formate, amyl formate, methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, methyl propionate, ethyl propionate, methyl butyrate,
Examples include ethyl butyrate, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, dioxane, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methylcyclohexanone, diacetone alcohol, acetylacetone, and γ-butyrolactone. These solvents can be used alone or in combination of two or more.

【0129】感光性組成物を支持体表面に塗布する際に
用いる塗布方法としては、従来公知の方法、例えば、回
転塗布、ワイヤーバー塗布、ディップ塗布、エアーナイ
フ塗布、スプレー塗布、エアースプレー塗布、静電エア
ースプレー塗布、ロール塗布、ブレード塗布及びカーテ
ン塗布等の方法が用いられる。この際塗布量は用途によ
り異なるが、例えば,乾燥重量で0.05〜5.0g/m2の塗
布量が好ましく、さらに0.8〜1.8g/m2が好ましく、特
に1.2〜1.6g/m2とすることが好ましい。
As the coating method used for coating the photosensitive composition on the surface of the support, conventionally known methods such as spin coating, wire bar coating, dip coating, air knife coating, spray coating, air spray coating, and the like can be used. Methods such as electrostatic air spray coating, roll coating, blade coating, and curtain coating are used. In this case the coating amount varies depending on the use, for example, preferably the coating amount of 0.05 to 5.0 g / m 2 by dry weight, more preferably 0.8~1.8g / m 2, in particular the 1.2~1.6g / m 2 that Is preferred.

【0130】更に、感光性平版印刷版を重ねたときに感
光層に擦り傷が付くのを防ぐために、また、現像時に、
現像液中へのアルミニウム成分が溶出するのを防ぐため
に、支持体裏面に、特開昭50-151136号公報、特開昭57-
63293号公報、特開昭60-73538号公報、特開昭61-67863
号公報、特開平6-35174号公報等に記載されている保護
層を設ける処理を行うことができる。
Further, in order to prevent the photosensitive layer from being scratched when the photosensitive lithographic printing plates are superimposed,
In order to prevent the elution of the aluminum component into the developer, on the back surface of the support, JP-A-50-151136, JP-A-57-151136
No. 63293, JP-A-60-73538, JP-A-61-67863
And a process of providing a protective layer described in JP-A-6-35174.

【0131】本発明の感光性平版印刷版は、通常の方法
で露光、現像処理することにより製版することができ
る。例えば、線画像、網点画像などを有する透明原画を
感光面に密着して露光し、次いでこれを適当な現像液を
用いて感光性層を除去することによりレリーフ像が得ら
れる。
The photosensitive lithographic printing plate of the present invention can be made by exposing and developing by a usual method. For example, a transparent original image having a line image, a halftone image or the like is brought into close contact with a photosensitive surface and exposed, and then the photosensitive layer is removed using an appropriate developing solution to obtain a relief image.

【0132】露光に好適な光源としては、水銀灯、メタ
ルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、
カーボンアーク灯などが挙げられる。また、現像に使用
される現像液としては、例えば、珪酸ナトリウム、珪酸
カリウム等のアルカリ金属珪酸塩、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、第三リン酸ナトリウム、第二リン酸ナ
トリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の水溶液の
ようなアルカリ水溶液を用いることができる。このとき
のアルカリ水溶液の濃度は、感光性組成物及びアルカリ
の種類により異なるが、概して0.1〜10重量%の範囲が
適当である。また、アルカリ水溶液には必要に応じ界面
活性剤やアルコール等のような有機溶媒を加えることも
できる。
Light sources suitable for exposure include mercury lamps, metal halide lamps, xenon lamps, chemical lamps,
And carbon arc lamps. Further, as the developer used for development, for example, sodium silicate, alkali metal silicate such as potassium silicate, sodium hydroxide,
An alkaline aqueous solution such as an aqueous solution of potassium hydroxide, tribasic sodium phosphate, dibasic sodium phosphate, sodium carbonate, potassium carbonate and the like can be used. The concentration of the aqueous alkali solution at this time varies depending on the type of the photosensitive composition and the alkali, but is generally in the range of 0.1 to 10% by weight. Further, an organic solvent such as a surfactant or alcohol can be added to the aqueous alkali solution as needed.

【0133】[0133]

【実施例】以下に、本発明を実施例により具体的に説明
するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるも
のではない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0134】実施例1 《アルミニウム板1〜9の作成》 (1)厚さ0.24mmのアルミニウム板(材質1050、調質H
16)に、表1に示すように下記の前処理をした。 アルカリ処理(前処理Aという。) アルミニウム板を、50℃に保たれた1%水酸化ナトリウ
ム水溶液中に浸漬し、溶解量が2g/m2になるように溶
解処理を行い水洗した後、次に行う電解粗面化処理に用
いた電解液と同組成の25℃に保たれた処理液に10秒間浸
漬して中和処理した後水洗した。 ブラシ研磨処理(前処理Bという。) アルミニウム板を、#800のアルミナの15重量%スラリ
ーと円筒型回転ナイロンブラシを用いてブラシ研磨を行
った後、50℃に保たれた1%水酸化ナトリウム水溶液中
に浸漬し、溶解量が5g/m2になるように溶解処理を行
い水洗した後、次に行う電解粗面化処理に用いた電解液
と同組成の25℃に保たれた処理液に10秒間浸漬して中和
処理した後水洗した。 (2)得られたアルミニウム板を、表1に示した電解液
組成の電解液を用い、表1に示した電流密度で、1回の
電解粗面化処理に用いた電気量を表1に示した電気量と
し、表1に示した回数の電解粗面化処理を行なった。こ
の際、電極とアルミニウム板表面との距離は10mmとし
た。
Example 1 << Preparation of Aluminum Plates 1 to 9 >> (1) Aluminum plate having a thickness of 0.24 mm (material 1050, temper H
16), the following pretreatment was performed as shown in Table 1. Alkali treatment (referred to as pretreatment A) An aluminum plate was immersed in a 1% aqueous sodium hydroxide solution kept at 50 ° C., subjected to a dissolution treatment so that the dissolution amount was 2 g / m 2 , washed with water, and then washed with water. Was immersed for 10 seconds in a treatment solution having the same composition as the electrolyte used for the electrolytic surface roughening treatment and kept at 25 ° C. for neutralization, and then washed with water. Brush polishing (referred to as pre-treatment B) An aluminum plate was polished with a 15% by weight slurry of # 800 alumina and a cylindrical rotating nylon brush, and then 1% sodium hydroxide kept at 50 ° C. After being immersed in an aqueous solution and subjected to a dissolution treatment so that the dissolution amount becomes 5 g / m 2 and washed with water, a treatment solution maintained at 25 ° C. having the same composition as the electrolyte solution used for the next electrolytic surface roughening treatment For 10 seconds to neutralize, and then washed with water. (2) Table 1 shows the quantity of electricity used for one electrolytic surface-roughening treatment of the obtained aluminum plate using an electrolytic solution having the electrolytic solution composition shown in Table 1 at the current density shown in Table 1. The electrolytic surface roughening treatment was performed the number of times shown in Table 1 with the indicated amount of electricity. At this time, the distance between the electrode and the surface of the aluminum plate was 10 mm.

【0135】電解粗面化処理をした後、50℃に保たれた
1%水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬して、粗面化され
た面のスマット含めた溶解量が表1に示した量になるよ
うにアルカリエッチングし、次いで、25℃に保たれた10
%硫酸水溶液中に10秒間浸漬して中和処理した後水洗し
た。 (3)次いで、20%硫酸水溶液中で、20Vの定電圧条件
で電気量が150C/dm2となるように陽極酸化処理を行
い、アルミニウム板1〜9を得た。
After the electrolytic surface roughening treatment, it was immersed in a 1% aqueous solution of sodium hydroxide maintained at 50 ° C., and the amount of dissolution including the smut of the roughened surface was reduced to the amount shown in Table 1. Alkaline etching, and then kept at 25 ° C.
After immersion in a 10% aqueous sulfuric acid solution for 10 seconds for neutralization, the substrate was washed with water. (3) Next, anodizing was performed in a 20% sulfuric acid aqueous solution under a constant voltage condition of 20 V so that the amount of electricity became 150 C / dm 2, and aluminum plates 1 to 9 were obtained.

【0136】[0136]

【表1】 《支持体1〜25の作成》表2に示したアルミニウム板
1〜9を用い、表2に示した処理剤、濃度、pH(pH
はNaOHで調整した。)を有する処理液を用い、表2
に示した温度、時間で第1の処理をし、次いで、表2に
示した処理剤、濃度を有する処理液を用い、表2に示し
た温度、時間で第2の処理をした。次いで、表2に示す
ように洗浄を行い支持体1〜25を作成した。
[Table 1] << Preparation of Supports 1 to 25 >> Using the aluminum plates 1 to 9 shown in Table 2, the treatment agent, concentration, and pH shown in Table 2 (pH
Was adjusted with NaOH. Table 2
The first treatment was carried out at the temperature and time shown in Table 2, and then the second treatment was carried out at the temperature and time shown in Table 2 using the treatment solution and the treatment liquid having the concentration shown in Table 2. Next, washing was performed as shown in Table 2 to prepare Supports 1 to 25.

【0137】得られた支持体1〜25について、下記の
方法により支持体表面のSiO 2に換算したSi量、F
量、Zr量を測定した。測定結果を表2に示した。 〈SiO2量、F量、Zr量の測定〉蛍光X線測定によ
って行った。
The following supports 1 to 25 were obtained.
SiO 2 on the surface of the support by the method TwoSi amount converted to F
The amount and Zr amount were measured. Table 2 shows the measurement results. <SiOTwoOf F, F and Zr> by X-ray fluorescence measurement
I went.

【0138】ケイ酸ナトリウムを一定量塗布した試料及
びフッ化ジルコニウムカリウムを一定量塗布した試料を
用い、表面のSi量、F量、Zr量と蛍光X線測定での
測定強度との関係を求めて検量線を作成した。各支持体
の蛍光X線測定での測定強度から、検量線を用いてSi
量、F量、Zr量を算出した。
Using a sample coated with a fixed amount of sodium silicate and a sample coated with a fixed amount of potassium zirconium fluoride, the relationship between the amount of Si, F, and Zr on the surface and the measured intensity in the fluorescent X-ray measurement was determined. To create a calibration curve. From the measured intensity of each support in the fluorescent X-ray measurement, the Si
The amount, F amount, and Zr amount were calculated.

【0139】[0139]

【表2】 [Table 2]

【0140】《感光性平版印刷版1〜25の作成》得ら
れた支持体に、下記組成の感光性組成物塗布液をワイヤ
ーバーを用いて塗布し、80℃で乾燥し、感光性平版印刷
版を得た。このとき、感光性組成物塗布液の塗布量は、
乾燥重量として1.6g/m2となるようにした。
<< Preparation of photosensitive lithographic printing plates 1 to 25 >> A coating solution of a photosensitive composition having the following composition was applied to the obtained support using a wire bar, dried at 80 ° C., and subjected to photosensitive lithographic printing. Got a version. At this time, the coating amount of the photosensitive composition coating solution,
The dry weight was adjusted to 1.6 g / m 2 .

【0141】 〈感光性組成物塗布液〉 ノボラツク樹脂(フエノール/m−クレゾール/p−クレゾールのモル比が10/ 54/36でMwが4000) 6.70g ピロガロールアセトン樹脂(Mw:3000)とo−ナフトキノンジアジド−5−ス ルホニルクロリドの縮合物(エステル化率30%) 1.50g ポリエチレングリコール#2000 0.20g ビクトリアピュアブルーBOH(保土ヶ谷化学(株)製) 0.08g 2、4−ビス(トリクロロメチル)−6−(p−メトキシスチリル)−s−トリ アジン 0.15g FC−430(住友3M(株)製) 0.03g cis−1、2シクロヘキサンジカルボン酸 0.02g メチルセロソルブ 100ml 〈残膜、プレートクリーナー耐性、網点のカラミ難さ、
耐刷性の評価〉得られたそれぞれの感光性平版印刷版
に、網点及び細線を有するポジ原稿フィルムを密着し、
光源として4kWメタルハライドランプを使用し、8mW
/cm2で60秒間照射することにより露光した。この露光
済みの感光性平版印刷版を、市販されている現像液(S
DR−1、コニカ(株)製、6倍に希釈、現像時間20
秒、現像温度27℃)で現像した。このようにして得られ
た平版印刷版について、下記の方法により、残膜、プレ
ートクリーナー耐性、網点のカラミ難さ、耐刷性の評価
を行った。得られた結果を表3に示した。
<Photosensitive Composition Coating Solution> 6.70 g of pyrogallol acetone resin (Mw: 3000) and novolak resin (the molar ratio of phenol / m-cresol / p-cresol is 10/54/36 and Mw is 4000) Condensate of naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride (esterification rate 30%) 1.50 g Polyethylene glycol # 2000 0.20 g Victoria Pure Blue BOH (manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd.) 0.08 g 2,4-bis (trichloromethyl) -6 -(P-methoxystyryl) -s-triazine 0.15 g FC-430 (manufactured by Sumitomo 3M) 0.03 g cis-1,2-cyclohexanedicarboxylic acid 0.02 g methyl cellosolve 100 ml <residual film, plate cleaner resistance, halftone dot The difficulty of karami,
Evaluation of printing durability> A positive original film having a halftone dot and a fine line is adhered to each of the obtained photosensitive lithographic printing plates,
8mW using 4kW metal halide lamp as light source
/ Cm 2 for 60 seconds. The exposed photosensitive lithographic printing plate is converted to a commercially available developer (S
DR-1, manufactured by Konica Corporation, diluted 6 times, development time 20
For 2 seconds at a developing temperature of 27 ° C.). The lithographic printing plate thus obtained was evaluated for residual film, plate cleaner resistance, halftone dot blemishes, and printing durability by the following methods. Table 3 shows the obtained results.

【0142】・残膜 現像後の支持体表面の紫外線反射強度をSpectrophotome
ter U−3210(日立社製)を用いて測定した。280nm及
び500nmにおける測定値(abs)を求め、 Δabs=[280nmにおける測定値]−[500nmにおける
測定値] を算出し、得られた値(Δabs)を残膜の程度の指標
とした。この値が小さいほど残膜が少ないことを示して
いる。この値が0.05以下であれば問題がない。
-Residual film The ultraviolet reflection intensity of the surface of the support after development was measured by Spectrophotome.
ter U-3210 (manufactured by Hitachi, Ltd.). The measured values (abs) at 280 nm and 500 nm were determined, and Δabs = [measured value at 280 nm] − [measured value at 500 nm] was calculated, and the obtained value (Δabs) was used as an index of the degree of residual film. The smaller this value is, the smaller the remaining film is. If this value is 0.05 or less, there is no problem.

【0143】・プレートクリーナー耐性 ウルトラプレートクリーナー液中に10分間浸漬し、画像
表面の白変の程度を目視で観察して良好、不良を評価し
た。
Plate Cleaner Resistance The image was immersed in an ultraplate cleaner solution for 10 minutes, and the degree of whitening on the surface of the image was visually observed to evaluate good or bad.

【0144】・網点のカラミ難さ 得られた平版印刷版を、印刷機(三菱重工業(株)製D
AIYA1F−1)にかけ、コート紙、湿し水(東京イ
ンキ(株)製エッチ液SG−51、濃度1.5%)、インキ
(東洋インキ製造(株)製ハイプラスM紅)を使用して
印刷を行い、70%網点部分の印刷物のカラミを目視で評
価し、良好、不良を判断した。
-Difficulty of halftone dot coloration The obtained lithographic printing plate was used with a printing machine (D made by Mitsubishi Heavy Industries, Ltd.).
AIYA1F-1), and printing is performed using coated paper, dampening solution (etching liquid SG-51, Tokyo Ink Co., Ltd., concentration 1.5%), and ink (Hyplus M Moku, manufactured by Toyo Ink Mfg. Co., Ltd.). Then, the color of the printed matter in the 70% halftone dot portion was visually evaluated, and good or bad was judged.

【0145】・耐刷性の評価 得られた平版印刷版を、印刷機(三菱重工業(株)製D
AIYA1F−1)にかけ、コート紙、湿し水(東京イ
ンキ(株)製エッチ液SG−51濃度1.5%)、インキ
(東洋インキ製造(株)製ハイプラスM紅)を使用して
印刷を行い、印刷物の画像部にインキ着肉不良が現れる
か非画像部にインキが付着するまで印刷を行い、その時
までに印刷した印刷枚数を求め、耐刷性を評価した。
Evaluation of Printing Durability The obtained lithographic printing plate was placed on a printing machine (D manufactured by Mitsubishi Heavy Industries, Ltd.).
AIYA1F-1), and printing was performed using coated paper, fountain solution (Tokyo Ink Co., Ltd. etch solution SG-51 concentration 1.5%), and ink (Toyo Ink Mfg. Co., Ltd., Hiplus M Red). Printing was performed until ink deposition failure appeared in the image area of the printed matter or ink adhered to the non-image area, and the number of printed sheets up to that time was obtained to evaluate the printing durability.

【0146】・現像でのスラツジ適性(耐アルカリ性)
の評価 得られた支持体1〜25について、支持体表面に5倍濃
縮の現像液を滴下した。気泡の発生の程度でスラツジ適
性の良好、不良を評価した。得られた結果を表3に示し
た。
・ Sludge suitability in development (alkali resistance)
With respect to the obtained supports 1 to 25, a 5-fold concentrated developer was dropped on the support surface. Good and poor sludge suitability were evaluated based on the degree of bubble generation. Table 3 shows the obtained results.

【0147】[0147]

【表3】 [Table 3]

【0148】[0148]

【発明の効果】本発明は、支持体に高親水性を付与し、
印刷での汚れ改善を図るとともに、感光層との接着性が
優れ、耐刷性が良好で、現像でのスラツジの発生が少な
く、さらに、本発明の支持体を用いた感光性平版印刷版
は、現像での残膜・色素残りがなく、かつ、プレートク
リーナー耐性も優れている。
The present invention provides a support with high hydrophilicity,
Along with improving the stain on printing, the adhesiveness with the photosensitive layer is excellent, the printing durability is good, the occurrence of sludge in development is small, and the photosensitive lithographic printing plate using the support of the present invention is There is no residual film and no dye remaining during development and the plate cleaner resistance is excellent.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C25D 11/04 C25D 11/04 Z 11/16 301 11/16 301 11/18 11/18 A G03F 7/00 503 G03F 7/00 503 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI C25D 11/04 C25D 11/04 Z 11/16 301 11/16 301 11/18 11/18 A G03F 7/00 503 G03F 7 / 00 503

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 アルミニウム板を粗面化し、陽極酸化処
理した平版印刷版用支持体であって、支持体表面が、シ
リコン量がSiO2換算で10mg/m2以上、100mg/m2
下、フッ素量が0.01mg/m2以上、15mg/m2以下、ジル
コニウム量が5mg/m2以上、50mg/m2以下になるように
処理されていることを特徴とする平版印刷版用支持体。
1. A lithographic printing plate support obtained by roughening an aluminum plate and subjecting the plate to anodization treatment, wherein the surface of the support has a silicon content of 10 mg / m 2 or more and 100 mg / m 2 or less in terms of SiO 2 . A lithographic printing plate support characterized in that it has been treated so that the amount of fluorine is 0.01 mg / m 2 or more and 15 mg / m 2 or less, and the amount of zirconium is 5 mg / m 2 or more and 50 mg / m 2 or less.
【請求項2】 請求項1記載の平版印刷版用支持体に感
光層を設けたことを特徴とする感光性平版印刷版。
2. A photosensitive lithographic printing plate comprising a support for a lithographic printing plate according to claim 1 and a photosensitive layer provided thereon.
【請求項3】 アルミニウム板を粗面化し、陽極酸化処
理し、次いで、金属ケイ酸塩水溶液で処理し、さらに、
フッ化ジルコニウムカリウム水溶液で処理する方法にお
いて、支持体表面のシリコン量がSiO 2換算で10mg/m
2以上、100mg/m2以下、フッ素量が0.01mg/m2以上、15
mg/m2以下、ジルコニウム量が5mg/m2以上、50mg/m2
以下となるように、金属ケイ酸塩水溶液処理およびフッ
化ジルコニウムカリウム水溶液処理を行うことを特徴と
する請求項1に記載の平版印刷版用支持体の製造方法。
3. An aluminum plate is roughened and anodized.
And then treated with an aqueous solution of a metal silicate,
Treatment with aqueous potassium zirconium fluoride solution
And the amount of silicon on the surface of the support is SiO Two10mg / m in conversion
TwoAbove, 100mg / mTwoBelow, the amount of fluorine is 0.01 mg / mTwoOver 15
mg / mTwoHereinafter, the amount of zirconium is 5 mg / mTwoMore than 50mg / mTwo
Treatment with metal silicate aqueous solution and
It is characterized by performing potassium zirconium fluoride aqueous solution treatment
The method for producing a lithographic printing plate support according to claim 1.
【請求項4】 アルミニウム板を粗面化し、陽極酸化処
理し、次いで、金属ケイ酸塩水溶液で処理し、さらに、
フッ化ジルコニウムカリウム水溶液で処理し、次いで、
酸またはアルカリ水溶液で処理する方法において、支持
体表面のシリコン量がSiO 2換算で10mg/m2以上、100
mg/m2以下、フッ素量が0.01mg/m2以上、15mg/m2
下、ジルコニウム量が5mg/m2以上、50mg/m2以下とな
るように、金属ケイ酸塩水溶液処理、フッ化ジルコニウ
ムカリウム水溶液処理および酸またはアルカリ水溶液処
理を行うことを特徴とする請求項1に記載の平版印刷版
用支持体の製造方法。
4. An aluminum plate is roughened and anodized.
And then treated with an aqueous solution of a metal silicate,
Treated with an aqueous solution of potassium zirconium fluoride, and then
In the method of treating with an acid or alkali aqueous solution,
The amount of silicon on the body surface is SiO Two10mg / m in conversionTwoMore than 100
mg / mTwoBelow, the amount of fluorine is 0.01 mg / mTwoMore than 15mg / mTwoLess than
Below, the amount of zirconium is 5mg / mTwoMore than 50mg / mTwoBelow
As in metal silicate aqueous treatment, zirconium fluoride
Potassium aqueous solution treatment and acid or alkali aqueous solution treatment
Lithographic printing plate according to claim 1, wherein
Of manufacturing a support for a vehicle.
【請求項5】 陽極酸化処理の直前にアルカリでの溶解
処理を行うことを特徴とする請求項3または4に記載の
平版印刷版用支持体の製造方法。
5. The method for producing a lithographic printing plate support according to claim 3, wherein a dissolution treatment with an alkali is performed immediately before the anodic oxidation treatment.
【請求項6】 陽極酸化の直前のアルカリでの溶解処理
においての表面溶解量が1.0〜3.0g/m2であることを特
徴とする請求項5に記載の平版印刷版用支持体の製造方
法。
6. The method for producing a lithographic printing plate support according to claim 5, wherein the amount of surface dissolution in the dissolution treatment with an alkali immediately before anodic oxidation is 1.0 to 3.0 g / m 2. .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1170149A2 (en) * 2000-07-07 2002-01-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Preparation method for lithographic printing plate

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