JPH10339638A - Angular speed sensor - Google Patents
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- JPH10339638A JPH10339638A JP9149450A JP14945097A JPH10339638A JP H10339638 A JPH10339638 A JP H10339638A JP 9149450 A JP9149450 A JP 9149450A JP 14945097 A JP14945097 A JP 14945097A JP H10339638 A JPH10339638 A JP H10339638A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車などの移動
体に搭載して、その回転角速度を検出する圧電型の角速
度センサに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a piezoelectric angular velocity sensor which is mounted on a moving body such as an automobile and detects the rotational angular velocity.
【0002】[0002]
【従来の技術】この種の従来の角速度センサとして、特
開平7−113643号公報に開示されている片持梁振
動体よりなる構造を図11に示す。シリコン基板31か
ら一方に伸びる片持梁振動体32を形成する。この片持
梁振動体32の上には酸化シリコン層33が形成され、
この酸化シリコン層33の上に3つの細長い分割電極3
6a、37a、38aが、長手方向に形成されている。
これらの分割電極36a、37a、38aなどの上に
は、圧電体34が形成されている。また、この圧電体3
4の上には共通電極35が形成されている。そして、圧
電体34を介在して、共通電極35と分割電極36a、
37a、38aとにより、それぞれ検出振動部36、駆
動振動部37、検出振動部38が構成される。2. Description of the Related Art As a conventional angular velocity sensor of this type, FIG. 11 shows a structure including a cantilever vibrator disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-113463. A cantilever vibrator 32 extending from the silicon substrate 31 to one side is formed. A silicon oxide layer 33 is formed on the cantilever vibrator 32,
On this silicon oxide layer 33, three elongated divided electrodes 3
6a, 37a, 38a are formed in the longitudinal direction.
A piezoelectric body 34 is formed on these divided electrodes 36a, 37a, 38a and the like. Also, this piezoelectric body 3
A common electrode 35 is formed on 4. Then, with the piezoelectric body 34 interposed, the common electrode 35 and the split electrode 36a,
The detection vibration unit 36, the drive vibration unit 37, and the detection vibration unit 38 are configured by 37a and 38a, respectively.
【0003】従来の角速度センサは以上のような構造よ
りなり、つぎに動作について説明する。中央の駆動振動
部37の下部の分割電極37aと上部の共通電極35と
の間に交流電圧を印加して、片持梁振動体32をZ軸方
向に振動させる。このように片持梁振動体32が振動し
ているときに、角速度センサ(片持梁振動体32)がX
軸回りに回転すると、コリオリ力により片持梁振動体3
2はY軸方向にも振動するようになる。そして、両側の
検出振動部36と38に、圧縮応力と引っ張り応力が交
互に発生して、検出振動部36と38には、それぞれ逆
極性の電圧が発生する。この発生電圧を差動増幅するこ
とにより、回転角速度を求めるものである。A conventional angular velocity sensor has the above-described structure, and the operation will be described next. An AC voltage is applied between the lower divided electrode 37a of the center driving vibration section 37 and the upper common electrode 35 to vibrate the cantilever vibrator 32 in the Z-axis direction. When the cantilever vibrator 32 is vibrating in this way, the angular velocity sensor (cantilever vibrator 32)
When rotated about the axis, the cantilever vibrator 3
2 comes to vibrate also in the Y-axis direction. Then, compressive stress and tensile stress are alternately generated in the detection vibration portions 36 and 38 on both sides, and voltages of opposite polarities are generated in the detection vibration portions 36 and 38, respectively. The rotational angular velocity is obtained by differentially amplifying the generated voltage.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図11
に示す従来の角速度センサは、片持梁振動体32の圧電
体34が全体として薄い場合は、片持梁振動体32の駆
動振動部37による駆動変位は大きくなるが、検出振動
部36、38の検出電圧は低くなる。一方、片持梁振動
体32の圧電体34が全体として厚い場合は、片持梁振
動体32の駆動振動部37による駆動変位は小さくなる
が、検出振動部36、38の検出電圧は高くなる。However, FIG.
In the conventional angular velocity sensor shown in FIG. 5, when the piezoelectric body 34 of the cantilever vibrator 32 is thin as a whole, the drive displacement of the cantilever vibrator 32 by the drive vibrator 37 increases, but the detection vibrators 36 and 38 Are lower. On the other hand, when the piezoelectric body 34 of the cantilever vibrating body 32 is thick as a whole, the driving displacement of the cantilever vibrating body 32 by the driving vibrating section 37 is small, but the detection voltage of the detecting vibrating sections 36 and 38 is high. .
【0005】いずれの場合も、駆動振動部37と検出駆
動部36、38との出力特性を見てみると、一方がよけ
れば他方が悪く、他方がよければ一方が悪くなって、角
速度センサの検出感度(1゜/sに対する出力電圧)を
低下させていた。In any case, looking at the output characteristics of the driving vibration section 37 and the detection driving sections 36 and 38, if one is good, the other is bad, and if the other is good, one is bad, and the angular velocity sensor The detection sensitivity (output voltage for 1 ° / s) was reduced.
【0006】そこで、本発明は、圧電振動部の圧電体の
厚みを検出振動部の圧電体の厚みより薄く形成すること
により、検出感度を向上させた角速度センサを提供する
ことを目的とする。Accordingly, an object of the present invention is to provide an angular velocity sensor having improved detection sensitivity by forming the thickness of the piezoelectric body of the piezoelectric vibrating section smaller than the thickness of the piezoelectric body of the detecting vibrating section.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、基体から伸びる片持梁振動体上に、該片持梁振動体
の根元部から中央部にかけて梁幅方向に2分割された一
対の検出電極、圧電体および共通電極の層からなる一対
の検出振動部が形成され、かつ、前記片持梁振動体の中
央部から先端部にかけて、駆動電極、圧電体および共通
電極の層からなる駆動振動部が形成され、前記一対の検
出電極から配線パターンが前記基体の圧電体上に形成し
た一対の検出用パッドにそれぞれ導出され、前記駆動電
極から配線パターンが前記一対の検出電極の間を通して
前記基体の圧電体上に形成した駆動用パッドに導出さ
れ、前記駆動電極と共通電極との間に介在する圧電体の
厚みが、前記一対の検出電極と共通電極との間に介在す
る圧電体の厚みより薄く形成されているものである。According to the first aspect of the present invention, a cantilever vibrator extending from a base is divided into two in the beam width direction from the root to the center of the cantilever vibrator. A pair of detection vibrators are formed from a pair of detection electrodes, a layer of a piezoelectric body and a common electrode, and from the center of the cantilever vibrator to a tip thereof, from the layer of the drive electrode, the piezoelectric body and the common electrode. A driving vibration portion is formed, and a wiring pattern is led out from the pair of detection electrodes to a pair of detection pads formed on the piezoelectric body of the base, and a wiring pattern is formed between the driving electrode and the pair of detection electrodes. Through the drive pad formed on the piezoelectric body of the base, and the thickness of the piezoelectric body interposed between the drive electrode and the common electrode is increased by the piezoelectric intervening between the pair of detection electrodes and the common electrode. Thinner than body thickness Are those formed.
【0008】この発明は、駆動用パッド(駆動電極)と
共通電極との間に、例えば、5〜50kHzの交流電圧
を印加する。そして、圧電体の面積振動により片持梁振
動体を上下方向に屈曲振動させる。このように、片持梁
振動体が屈曲振動しているときに、角速度センサがその
片持梁振動体の軸回りに回転したとすると、片持梁振動
体はコリオリ力により水平方向にも振動するようにな
る。この水平方向の振動により、一対の検出振動部の検
出電極には、それぞれ逆極性の電圧が発生する。この逆
極性の電圧を、差動増幅することにより、コリオリ力に
基づく回転角速度を検出することができる。According to the present invention, for example, an AC voltage of 5 to 50 kHz is applied between the driving pad (driving electrode) and the common electrode. Then, the cantilever vibrating body is vertically vibrated by the area vibration of the piezoelectric body. Thus, if the angular velocity sensor rotates around the axis of the cantilever vibrator while the cantilever vibrator is bending and vibrating, the cantilever vibrator also vibrates in the horizontal direction due to Coriolis force. I will be. Due to the horizontal vibration, voltages of opposite polarities are generated on the detection electrodes of the pair of detection vibrators. By differentially amplifying the voltage of the opposite polarity, the rotational angular velocity based on the Coriolis force can be detected.
【0009】特に、この発明においては、駆動振動部の
圧電体の厚みを、検出振動部の圧電体の厚みより1/2
以下に薄く形成すると共に、支持梁の厚みの1/10〜
1/20の値に選定して、片持梁振動体の駆動振幅を大
きくしている。また、検出振動部の検出電圧は、圧電体
の厚みが厚くなった分だけ高くなる。これにより、角速
度センサの検出感度が向上する。In particular, according to the present invention, the thickness of the piezoelectric body of the drive vibrating section is set to 1 / of the thickness of the piezoelectric body of the detecting vibrating section.
In addition to being formed thin below, 1/10 of the thickness of the support beam
By selecting a value of 1/20, the drive amplitude of the cantilever vibrator is increased. In addition, the detection voltage of the detection vibrating portion increases as the thickness of the piezoelectric body increases. Thereby, the detection sensitivity of the angular velocity sensor is improved.
【0010】請求項2に記載の発明は、4つの支持梁に
より屈曲振動の2つの節部を支持された両持梁振動体上
の該節間に、梁幅方向に2分割された一対の検出電極、
圧電体および共通電極の層からなる一対の検出振動部が
形成され、かつ、前記両持梁振動体上の2つの節部の外
側に、それぞれ駆動電極、圧電体および共通電極の層か
らなる駆動振動部が形成され、前記一対の検出電極およ
び2つの駆動電極からは、前記支持梁を通して配線パタ
ーンが外部に導出され、前記2つの駆動電極と共通電極
との間に介在する圧電体の厚みが、前記一対の検出電極
と共通電極との間に介在する圧電体の厚みより薄く形成
されているものである。According to a second aspect of the present invention, a pair of bifurcated beam vibrators, each of which has two nodes of bending vibration supported by four supporting beams, are divided into two in the beam width direction between the nodes. Detection electrode,
A pair of detection vibrating portions each formed of a piezoelectric body and a common electrode layer are formed, and a driving electrode formed of a driving electrode, a piezoelectric body, and a common electrode layer are provided outside the two nodes on the doubly supported vibrating body. A vibrating portion is formed, a wiring pattern is led out from the pair of detection electrodes and the two drive electrodes through the support beam, and the thickness of the piezoelectric body interposed between the two drive electrodes and the common electrode is reduced. , Formed thinner than the thickness of the piezoelectric body interposed between the pair of detection electrodes and the common electrode.
【0011】この発明は、2つの駆動電極と共通電極と
の間に、例えば、5〜50kHzの交流電圧を印加す
る。そして、両持梁振動体を圧電体の面積振動により2
つの節を支点にして上下方向に屈曲振動させる。このよ
うに、両持梁振動体が屈曲振動しているときに、角速度
センサがその両持梁振動体の軸回りに回転したとする
と、両持梁振動体はコリオリ力により水平方向にも屈曲
振動するようになる。この水平方向の屈曲振動により、
一対の検出振動部の検出電極には、それぞれ逆極性の電
圧が発生する。この逆極性の電圧を、差動増幅すること
により、コリオリ力に基づく回転角速度を検出すること
ができる。According to the present invention, for example, an AC voltage of 5 to 50 kHz is applied between the two drive electrodes and the common electrode. Then, the cantilever vibrator is moved by the area vibration of the piezoelectric body to 2
Bending vibration is performed in the vertical direction with two nodes as fulcrums. Thus, if the angular velocity sensor is rotated around the axis of the doubly supported beam vibrator while the doubly supported beam vibrator is bending and vibrating, the doubly supported beam vibrator is also bent horizontally by Coriolis force. It starts to vibrate. Due to this horizontal bending vibration,
Voltages of opposite polarities are generated on the detection electrodes of the pair of detection vibrators, respectively. By differentially amplifying the voltage of the opposite polarity, the rotational angular velocity based on the Coriolis force can be detected.
【0012】また、この発明は、請求項1に記載の発明
と同様に、駆動振動部の圧電体の厚みを検出振動部の圧
電体の厚みより薄く形成しており、その作用についても
請求項1に記載の発明と同様となる。Further, in the present invention, the thickness of the piezoelectric body of the drive vibrating section is formed smaller than the thickness of the piezoelectric body of the detecting vibrating section, similarly to the first aspect of the present invention. This is the same as the invention described in 1.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】以下に、図1を参照して、本発明
の第1実施例として片持梁振動体の構造よりなる圧電型
の角速度センサ10について説明する。1はシリコンな
どの基体で、この基体1の一部からシリコンの片持梁振
動体2が直角方向に伸びている。そして、基体1の表裏
面と片持梁振動体2の上には、絶縁膜、例えばシリコン
酸化膜3が形成される。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a piezoelectric angular velocity sensor 10 having a cantilever vibrator structure will be described as a first embodiment of the present invention with reference to FIG. Reference numeral 1 denotes a base made of silicon or the like, and a cantilever vibrator 2 made of silicon extends from a part of the base 1 at right angles. An insulating film, for example, a silicon oxide film 3 is formed on the front and back surfaces of the base 1 and the cantilever vibrator 2.
【0014】基体1および片持梁振動体2の根元から中
央部のシリコン酸化膜3上には、後述する一対の検出振
動部の下部電極となる共通電極4aが形成される。そし
て、この共通電極4aと片持梁振動体2の先端側のシリ
コン酸化膜3上には、圧電体、例えば酸化亜鉛層(Zn
O)5が形成される。片持梁振動体2の先端側におい
て、圧電体5の底面から1/2以上の上層部には、後述
する駆動振動部の下部電極となる共通電極4bが埋設さ
れる。そして、共通電極4aと4bとは、片持梁振動体
2の中央部で、例えばバイアホール4cなどで接続され
る。なお、圧電体としては、PZT(チタン酸ジルコン
酸鉛)系材料も使用可能である。On the silicon oxide film 3 from the base to the center of the base 1 and the cantilever vibrator 2, a common electrode 4a serving as a lower electrode of a pair of detection vibrators described later is formed. A piezoelectric material, for example, a zinc oxide layer (Zn) is formed on the common electrode 4a and the silicon oxide film 3 on the tip side of the cantilever vibrator 2.
O) 5 is formed. On the tip side of the cantilever vibrating body 2, a common electrode 4b serving as a lower electrode of a driving vibrating unit, which will be described later, is buried in an upper layer portion that is at least 1/2 from the bottom surface of the piezoelectric body 5. The common electrodes 4a and 4b are connected to each other at a central portion of the cantilever vibrator 2, for example, via holes 4c. In addition, a PZT (lead zirconate titanate) -based material can be used as the piezoelectric body.
【0015】片持梁振動体2の根元部から中央部にかけ
て、圧電体5の上には、梁幅方向に2分割されて梁軸方
向に長い、共通電極4aに対抗する一対の検出電極6
a、7aが形成される。これらの一対の検出電極6a、
7aは、基体1の上に形成された圧電体5上に設けたパ
ッド6b、7bまで配線パターンにより導出される。そ
して、これらの一対の検出電極6a、7a、圧電体5お
よび下部電極4aからなる層は、一対の検出振動部6、
7を構成する。From the root to the center of the cantilever vibrating body 2, on the piezoelectric body 5, a pair of detection electrodes 6 which are divided into two in the beam width direction and are long in the beam axis direction and opposed to the common electrode 4a.
a and 7a are formed. These pair of detection electrodes 6a,
7a is led out by a wiring pattern to pads 6b and 7b provided on the piezoelectric body 5 formed on the base 1. The layer composed of the pair of detection electrodes 6a, 7a, the piezoelectric body 5, and the lower electrode 4a forms a pair of the detection vibrator 6,
7 is constituted.
【0016】また、片持梁振動体2の中央部から先端部
にかけて、圧電体5の上には、共通電極4bに対抗する
駆動電極8aが形成される。この駆動電極8aは、一対
の検出電極6a、7aの間隙に形成された配線パターン
8bを経由して、基体1の圧電体5b上に設けたパッド
8cに導出される。そして、駆動電極8a、圧電体5お
よび共通電極4bからなる層は駆動振動部8を構成す
る。A drive electrode 8a opposing the common electrode 4b is formed on the piezoelectric body 5 from the center to the tip of the cantilever vibrator 2. The drive electrode 8a is led to a pad 8c provided on the piezoelectric body 5b of the base 1 via a wiring pattern 8b formed in a gap between the pair of detection electrodes 6a, 7a. The layer including the drive electrode 8a, the piezoelectric body 5, and the common electrode 4b constitutes the drive vibration unit 8.
【0017】ここに、一対の検出振動部6、7の圧電体
5の厚みt1は3〜8μmに形成され、駆動振動部5の
圧電体5の厚みt2は、圧電体5の厚みt1に対し、1
〜3μmと薄く形成される。Here, the thickness t1 of the piezoelectric body 5 of the pair of detection vibrators 6 and 7 is formed to be 3 to 8 μm, and the thickness t2 of the piezoelectric body 5 of the drive vibration section 5 is larger than the thickness t1 of the piezoelectric body 5. , 1
薄 く 3 μm.
【0018】つぎに、図1に示す角速度センサ10の動
作について説明する。パッド8c(駆動電極8a)と共
通電極4b(4a)との間に5〜50kHzの交流電圧
を印加する。すると、駆動振動部8は、その薄手の圧電
体5の厚みが伸縮すると同時に面積が縮小拡大して片持
梁振動体2の根元を支点として片持梁振動体2をZ軸方
向に振動させる。このように、片持梁振動体2が振動し
ているときに、角速度センサ10がY軸回りに回転する
と、支持梁2はコリオリ力により、X軸方向にも振動す
るようになる。すると、一対の検出振動部6、7は引っ
張り応力と圧縮応力を交互に受けて、検出電極6a、7
aには逆極性の電圧がそれぞれ発生し、これらの逆極性
の電圧を差動増幅することによりコリオリ力に基づく回
転角速度を検出することができる。Next, the operation of the angular velocity sensor 10 shown in FIG. 1 will be described. An AC voltage of 5 to 50 kHz is applied between the pad 8c (drive electrode 8a) and the common electrode 4b (4a). Then, the drive vibrating unit 8 vibrates the cantilever vibrator 2 in the Z-axis direction with the base of the cantilever vibrator 2 as a fulcrum, as the thickness of the thin piezoelectric body 5 expands and contracts and at the same time the area is reduced and expanded. . As described above, when the angular velocity sensor 10 rotates around the Y axis while the cantilever vibrator 2 is vibrating, the support beam 2 also vibrates in the X axis direction due to Coriolis force. Then, the pair of detection vibrators 6 and 7 alternately receive the tensile stress and the compressive stress, and the detection electrodes 6a and 7
Voltages of opposite polarities are generated at a, and the rotational angular velocity based on the Coriolis force can be detected by differentially amplifying these voltages of opposite polarities.
【0019】つぎに、図2を参照して、本発明の第2実
施例として両持梁振動体の構造よりなる圧電型の角速度
センサ20について説明する。11はシリコンなどより
なる両持梁振動体で、その屈曲振動の一つの節n1を支
持梁11a、11bにより、もう一つの節n2を支持梁
11c、11dによりそれぞれ支持される。4つの支持
梁11a〜11dの端面は、図示しない基体の凹部側壁
にそれぞれ結合している。これらの両持梁振動体11と
4つの支持梁11a〜11d上には、絶縁膜、例えばシ
リコン酸化膜12が形成される。Next, with reference to FIG. 2, a description will be given of a piezoelectric angular velocity sensor 20 having a structure of a doubly supported vibrator as a second embodiment of the present invention. Reference numeral 11 denotes a doubly supported beam vibrator made of silicon or the like. One node n1 of the bending vibration is supported by support beams 11a and 11b, and the other node n2 is supported by support beams 11c and 11d. The end faces of the four support beams 11a to 11d are respectively connected to the concave side walls of the base (not shown). An insulating film, for example, a silicon oxide film 12 is formed on the doubly supported beam vibrator 11 and the four support beams 11a to 11d.
【0020】両持梁振動体11の節n1とn2間におい
て、シリコン酸化膜12の上には、共通電極13が形成
される。この共通電極13は配線パターン13aによ
り、例えば一つの支持梁11aに導出される。A common electrode 13 is formed on the silicon oxide film 12 between the nodes n1 and n2 of the cantilever vibrating body 11. The common electrode 13 is led out to, for example, one support beam 11a by the wiring pattern 13a.
【0021】この共通電極13を含むシリコン酸化膜1
2の上には、酸化亜鉛層(ZnO)14が形成される。
両持梁振動体11の節n1とn2間において、酸化亜鉛
層14の上には、梁幅方向に2分割され梁軸方向に長い
一対の検出電極15a、16aが形成される。そして、
この一対の検出電極15a、16a、酸化亜鉛層14お
よび共通電極13とにより、一対の検出振動部15、1
6が構成される。The silicon oxide film 1 including the common electrode 13
2, a zinc oxide layer (ZnO) 14 is formed.
Between the nodes n1 and n2 of the doubly-supported vibrator 11, a pair of detection electrodes 15a and 16a which are divided into two in the beam width direction and long in the beam axis direction are formed on the zinc oxide layer. And
The pair of detection electrodes 15a, 16a, the zinc oxide layer 14, and the common electrode 13 form a pair of detection vibrators 15, 1
6 are configured.
【0022】また、両持梁振動体11の節n1、n2の
外側において、酸化亜鉛層14の厚みの1/2以上の上
層部には、それぞれ共通電極17a、7bが埋設され
る。この共通電極17a、17bは、図1に示すような
態様で、共通電極13とバイヤホールなどにより接続さ
れる。また、この共通電極17a、7bの上部の酸化亜
鉛層14の上には、共通電極17a、17bに対抗する
駆動電極18a、19aがそれぞれ形成される。そし
て、駆動電極18a、酸化亜鉛層14および共通電極1
7aにより、駆動振動部18が構成される。また、駆動
電極19a、酸化亜鉛層14および共通電極17bによ
り、駆動振動部19が構成される。Outside the nodes n1 and n2 of the cantilever vibrating body 11, common electrodes 17a and 7b are embedded in upper layers of the zinc oxide layer 14 at a half or more of the thickness thereof. The common electrodes 17a and 17b are connected to the common electrode 13 via via holes and the like in the manner shown in FIG. Driving electrodes 18a and 19a opposing the common electrodes 17a and 17b are formed on the zinc oxide layer 14 above the common electrodes 17a and 7b, respectively. Then, the drive electrode 18a, the zinc oxide layer 14, and the common electrode 1
The drive vibration unit 18 is constituted by 7a. Further, the driving vibration section 19 is constituted by the driving electrode 19a, the zinc oxide layer 14, and the common electrode 17b.
【0023】ここに、一対の検出振動部15、16の酸
化亜鉛層14の厚みt1は3〜8μmに形成され、駆動
振動部18、19の酸化亜鉛層14の厚みt2は、酸化
亜鉛層14の厚みt1に対し、1〜3μmと薄く形成さ
れる。Here, the thickness t1 of the zinc oxide layer 14 of the pair of detection vibrating portions 15 and 16 is formed to be 3 to 8 μm, and the thickness t2 of the zinc oxide layer 14 of the driving vibrating portions 18 and 19 is Is formed as thin as 1 to 3 μm with respect to the thickness t1.
【0024】また、駆動電極18a、19a、一対の検
出電極15a、16aは、最寄りの支持梁11a〜11
d上に形成した配線パターンを介して外部に導出され
る。The drive electrodes 18a and 19a and the pair of detection electrodes 15a and 16a are connected to the nearest support beams 11a to 11a.
It is led out through a wiring pattern formed on d.
【0025】つぎに、図2に示す角速度センサ20の動
作について説明する。共通電極13(17a、17b)
と駆動電極18a、19aとの間に5〜50kHzの交
流電圧を印加する。すると、駆動振動部18、19は、
その薄手の圧電体14の厚みが伸縮すると同時に面積が
縮小拡大して両持梁振動体11の2つの節n1、n2を
支点にして両持梁振動体11をZ軸方向に屈曲振動させ
る。このように、両持梁振動体11が屈曲振動している
ときに、角速度センサ20がY軸回りに回転すると、両
持梁振動体11はコリオリ力により、X軸方向にも屈曲
振動するようになる。すると、一対の検出振動部15、
16は引っ張り応力と圧縮応力を交互に受けて、検出電
極15a、16aには逆極性の電圧がそれぞれ発生し、
これらの逆極性の電圧を差動増幅することによりコリオ
リ力に基づく回転角速度を検出することができる。Next, the operation of the angular velocity sensor 20 shown in FIG. 2 will be described. Common electrode 13 (17a, 17b)
An AC voltage of 5 to 50 kHz is applied between the driving electrodes 18a and 19a. Then, the driving vibration units 18 and 19
At the same time as the thickness of the thin piezoelectric body 14 expands and contracts, the area is reduced and expanded, and the two-sided beam vibrating body 11 bends and vibrates in the Z-axis direction with the two nodes n1 and n2 of the doubly supported beam vibrating point as fulcrums. As described above, when the angular velocity sensor 20 rotates around the Y axis while the doubly supported beam vibrator 11 is bending and vibrating, the doubly supported beam vibrator 11 also bends and vibrates in the X axis direction due to Coriolis force. become. Then, the pair of detection vibrators 15,
16 alternately receives a tensile stress and a compressive stress, and generates voltages of opposite polarities on the detection electrodes 15a and 16a, respectively.
The rotational angular velocity based on the Coriolis force can be detected by differentially amplifying these voltages of opposite polarities.
【0026】つぎに、図1に示す角速度センサの製造方
法について図3〜図10を参照して説明する。図3にお
いて、シリコン基板1の両面に、熱酸化、スパッタ、C
VD(化学気相成長)などにより、シリコン酸化膜3
a、3bをそれぞれ形成する。Next, a method of manufacturing the angular velocity sensor shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. In FIG. 3, thermal oxidation, sputtering, and C
The silicon oxide film 3 is formed by VD (chemical vapor deposition) or the like.
a and 3b are respectively formed.
【0027】図4において、フォトリソグラフィ技術を
用いて、酸化膜3a、3bの上にフォトレジストを塗布
し、表面の酸化膜3aの全面にレジストマスクm1を形
成し、裏面の酸化膜3bの4辺にレジストマスクm2を
形成する。Referring to FIG. 4, a photoresist is applied on oxide films 3a and 3b using a photolithography technique, and a resist mask m1 is formed on the entire surface of oxide film 3a on the front surface. A resist mask m2 is formed on the side.
【0028】そして、レジストマスクm1、m2を用
い、BHF(バファ・フッ酸)のエッチング液にシリコ
ン基板1を浸漬して、シリコン基板1の裏面中央部の酸
化膜3bをエッチングして除去する。Then, using the resist masks m1 and m2, the silicon substrate 1 is immersed in an etching solution of BHF (buffer / hydrofluoric acid), and the oxide film 3b at the center of the back surface of the silicon substrate 1 is removed by etching.
【0029】図5において、レジストマスクm1、m2
を剥離して、シリコン基板1をTMAH(テトラ・メチル・アンモニ
ウム・ハイト゛ロオキサイト゛)のエッチング液に浸漬し、シリコン酸
化膜3a、3bをマスクとして、シリコン基板1の裏面
中央部をエッチング除去して、厚みが50〜100μm
のメンブレン2aを形成する。In FIG. 5, resist masks m1, m2
, The silicon substrate 1 is immersed in an etching solution of TMAH (tetramethylammonium hydroxide), and the silicon oxide films 3a and 3b are used as masks to etch away the center of the back surface of the silicon substrate 1; The thickness is 50-100 μm
Is formed.
【0030】図6において、フォトリソグラフィ技術を
用い、シリコン基板1をBHFのエッチング液に浸漬し
て、表面のシリコン酸化膜3aを図1に示す平面形状に
パターニングしてシリコン酸化膜3とする。そして、全
面にアルミニウム(Al)、金(Au)/クロム(C
r)等の金属を蒸着し、共通電極4aの対応箇所にレジ
ストマスクを形成する。ついで、このレジストマスクを
用いて、Auを王水で、Crをクロムエッチャントで、
Alを50℃の温リン酸でそれぞれウエットエッチング
して共通電極4aを形成する。In FIG. 6, the silicon substrate 1 is immersed in a BHF etchant using photolithography technology, and the silicon oxide film 3a on the surface is patterned into the planar shape shown in FIG. Then, aluminum (Al), gold (Au) / chromium (C
A metal such as r) is deposited, and a resist mask is formed at a position corresponding to the common electrode 4a. Then, using this resist mask, Au is aqua regia and Cr is a chrome etchant.
Al is wet-etched with 50 ° C. hot phosphoric acid to form a common electrode 4a.
【0031】図7において、共通電極4aを含むシリコ
ン酸化膜3aなどの全面に、厚みが2〜5μmの酸化亜
鉛層5aをRFマグネトロンスパッタ法を用いて形成す
る。そして、塩酸、硝酸などの酸性水などによるウエッ
トエッチングまたはドライエッチングを用いて酸化亜鉛
層5aをシリコン酸化膜3の形状にパターニングすると
共に、共通電極4aの先端部に至るバイアホール用の開
口5aを酸化亜鉛層5aに形成する。In FIG. 7, a zinc oxide layer 5a having a thickness of 2 to 5 μm is formed on the entire surface of the silicon oxide film 3a including the common electrode 4a by using the RF magnetron sputtering method. Then, the zinc oxide layer 5a is patterned into the shape of the silicon oxide film 3 by wet etching or dry etching with an acidic water such as hydrochloric acid or nitric acid, and an opening 5a for a via hole reaching the tip of the common electrode 4a is formed. It is formed on the zinc oxide layer 5a.
【0032】図8において、酸化亜鉛層5aなどの上
に、アルミニウム(Al)、金(Au)/クロム(C
r)等の金属を蒸着し、レジストマスクを用いて、共通
電極4aに接続する共通電極4bを形成する。そして、
図7と同様な工程により、厚みが1〜3μmの酸化亜鉛
層5bを全体に成膜する。In FIG. 8, aluminum (Al), gold (Au) / chromium (C) are formed on the zinc oxide layer 5a and the like.
r) or the like, and a common electrode 4b connected to the common electrode 4a is formed using a resist mask. And
By a process similar to that of FIG. 7, a zinc oxide layer 5b having a thickness of 1 to 3 μm is entirely formed.
【0033】図9において、酸化亜鉛層5b上に、アル
ミニウム(Al)、金(Au)/クロム(Cr)等の金
属を蒸着し、レジストマスクを用いて、図1に示すよう
に、一対の検出電極6a、7a、駆動電極8a、配線パ
ターン8b、パッド6b、7b、8cを形成する。In FIG. 9, a metal such as aluminum (Al), gold (Au) / chromium (Cr) is vapor-deposited on the zinc oxide layer 5b, and as shown in FIG. The detection electrodes 6a, 7a, the drive electrode 8a, the wiring pattern 8b, and the pads 6b, 7b, 8c are formed.
【0034】図10において、電極8aなどを含む酸化
亜鉛層5bの上に、図1に示す平面形状のレジストマス
クを形成し、このマスクを用いて、シリコン基板1のメ
ンブレン2aをドライエッチングにより垂直加工して、
不要部分を除去し、図1に示す角速度センサ10を製造
する。In FIG. 10, a planar resist mask shown in FIG. 1 is formed on a zinc oxide layer 5b including an electrode 8a and the like, and the membrane 2a of the silicon substrate 1 is vertically etched by dry etching using the mask. Process it,
Unnecessary portions are removed to manufacture the angular velocity sensor 10 shown in FIG.
【0035】[0035]
【発明の効果】請求項1に記載の発明は、片持梁振動体
の構造よりなる角速度センサにおいて、駆動振動部の圧
電体の厚みを検出振動部の圧電体の厚みよりも薄く形成
しているので、駆動振動部の駆動変位が大きくなり、か
つ、検出振動部の検出電圧が高くなって、両方あいまっ
て検出感度を向上させることができる。According to the first aspect of the present invention, in the angular velocity sensor having the structure of the cantilever vibrating body, the thickness of the piezoelectric body of the driving vibrating section is formed smaller than the thickness of the piezoelectric body of the detecting vibrating section. Therefore, the driving displacement of the driving vibrating part becomes large and the detection voltage of the detecting vibrating part becomes high, so that both can improve the detection sensitivity.
【0036】また、発生する応力の大きい片持梁振動体
の根元側に一対の検出振動部を形成するので、微小なコ
リオリ力に基づく変位を検出することができ、検出感度
を向上させることができる。Further, since a pair of detection vibrating portions are formed at the base of the cantilever vibrating body having a large generated stress, a displacement based on a minute Coriolis force can be detected, and the detection sensitivity can be improved. it can.
【0037】請求項2に記載の発明は、両持梁振動体の
構造よりなる角速度センサにおいて、請求項1に記載の
発明と同様に、駆動振動部の圧電体の厚みを検出振動部
の圧電体の厚みよりも薄く形成しているので、駆動振動
部の駆動変位が大きくなり、かつ、検出振動部の検出電
圧が高くなって、両方あいまって検出感度を向上させる
ことができる。According to a second aspect of the present invention, there is provided an angular velocity sensor having a structure of a cantilever vibrating body, wherein the thickness of the piezoelectric body of the driving vibrating section is detected similarly to the first aspect of the invention. Since it is formed thinner than the thickness of the body, the driving displacement of the driving vibrating part is increased, and the detection voltage of the detecting vibrating part is increased, and together with this, the detection sensitivity can be improved.
【図1】 本発明の角速度センサの第1実施例の斜視図FIG. 1 is a perspective view of a first embodiment of an angular velocity sensor according to the present invention.
【図2】 本発明の角速度センサの第2実施例の斜視図
図FIG. 2 is a perspective view of a second embodiment of the angular velocity sensor of the present invention.
【図3】 図1に示す本発明の第1実施例に係る角速度
センサの製造方法を示すもので、シリコン基板の両面に
酸化膜を形成する工程図FIG. 3 is a view showing a method of manufacturing the angular velocity sensor according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1 and showing a process of forming oxide films on both surfaces of a silicon substrate.
【図4】 シリコン基板の裏面のシリコン酸化膜をエッ
チング除去する工程図FIG. 4 is a process diagram for etching and removing a silicon oxide film on the back surface of the silicon substrate.
【図5】 シリコン基板の裏面中央部をエッチングして
メンブレンを形成する工程図FIG. 5 is a process diagram of forming a membrane by etching the center of the back surface of the silicon substrate.
【図6】 シリコン基板の表面のシリコン酸化膜をパタ
ーニングし、かつ、共通電極を形成する工程図FIG. 6 is a process diagram of patterning a silicon oxide film on the surface of a silicon substrate and forming a common electrode.
【図7】 酸化亜鉛層をスパッタリングしてパターニン
グする工程図FIG. 7 is a process diagram of patterning by sputtering a zinc oxide layer.
【図8】 共通電極用の金属を蒸着してパターニんグ
し、かつ、酸化亜鉛層をスパッタリングする工程図FIG. 8 is a process diagram of depositing and patterning a metal for a common electrode and sputtering a zinc oxide layer.
【図9】 金属を蒸着して検出電極、駆動電極などを形
成する工程図FIG. 9 is a process diagram of forming a detection electrode, a drive electrode, and the like by depositing a metal.
【図10】 シリコン基板をエッチングして不要部分を
除去する工程図FIG. 10 is a process diagram of removing unnecessary portions by etching a silicon substrate.
【図11】 従来の角速度センサの斜視図FIG. 11 is a perspective view of a conventional angular velocity sensor.
1、11 基板 2 片持梁振動体 2a メンブレン 3、12 シリコン酸化
膜 4a、4b、13、17a、17b 共通電極 5、14 酸化亜鉛層 5a 第一層酸化亜鉛層 5b 第2層酸化亜鉛層 6、7、15、16 検出振動部 6a、7a、15a、16a 検出電極 8、18、19 駆動振動部 8a、18a、19a 駆動電極 10、20 角速度センサ 11a〜11d 支持梁DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 11 Substrate 2 Cantilever vibrator 2a Membrane 3, 12 Silicon oxide film 4a, 4b, 13, 17a, 17b Common electrode 5, 14 Zinc oxide layer 5a First zinc oxide layer 5b Second zinc oxide layer 6 , 7, 15, 16 Detecting vibrating parts 6a, 7a, 15a, 16a Detecting electrodes 8, 18, 19 Driving vibrating parts 8a, 18a, 19a Driving electrodes 10, 20 Angular velocity sensors 11a to 11d Supporting beams
Claims (2)
持梁振動体の根元部から中央部にかけて梁幅方向に2分
割された一対の検出電極、圧電体および共通電極の層か
らなる一対の検出振動部が形成され、かつ、前記片持梁
振動体の中央部から先端部にかけて、駆動電極、圧電体
および共通電極の層からなる駆動振動部が形成され、 前記一対の検出電極から配線パターンが前記基体の圧電
体上に形成した一対の検出用パッドにそれぞれ導出さ
れ、前記駆動電極から配線パターンが前記一対の検出電
極の間を通して前記基体の圧電体上に形成した駆動用パ
ッドに導出され、 前記駆動電極と共通電極との間に介在する圧電体の厚み
が、前記一対の検出電極と共通電極との間に介在する圧
電体の厚みより薄く形成されている角速度センサ。1. A cantilever vibrator extending from a base is provided with a pair of a detection electrode, a piezoelectric body, and a common electrode divided in two in a beam width direction from a root portion to a center portion of the cantilever vibrator. A pair of detection vibrating portions are formed, and a driving vibrating portion including a layer of a driving electrode, a piezoelectric body, and a common electrode is formed from a central portion to a tip portion of the cantilever vibrating member, and the pair of detecting electrodes A driving pad formed on the piezoelectric body of the base from the drive electrode, wherein a wiring pattern is respectively led out to a pair of detection pads formed on the piezoelectric body of the base. An angular velocity sensor wherein a thickness of a piezoelectric body interposed between the drive electrode and the common electrode is formed smaller than a thickness of a piezoelectric body interposed between the pair of detection electrodes and the common electrode.
部を支持された両持梁振動体上の該節間に、梁幅方向に
2分割された一対の検出電極、圧電体および共通電極の
層からなる一対の検出振動部が形成され、かつ、前記両
持梁振動体上の2つの節部の外側に、それぞれ駆動電
極、圧電体および共通電極の層からなる駆動振動部が形
成され、 前記一対の検出電極および2つの駆動電極からは、前記
支持梁を通して配線パターンが外部に導出され、 前記2つの駆動電極と共通電極との間に介在する圧電体
の厚みが、前記一対の検出電極と共通電極との間に介在
する圧電体の厚みより薄く形成されている角速度セン
サ。2. A pair of a detection electrode, a piezoelectric body, and a common electrode divided into two in the beam width direction, between two nodes of a doubly supported vibrator in which two nodes of bending vibration are supported by four support beams. A pair of detection vibrating portions formed of an electrode layer are formed, and a driving vibrating portion formed of a driving electrode, a piezoelectric body, and a common electrode layer is formed outside each of the two nodes on the doubly supported beam vibrating body. A wiring pattern is led out from the pair of detection electrodes and the two drive electrodes through the support beam, and the thickness of the piezoelectric body interposed between the two drive electrodes and the common electrode is reduced by the pair of the drive electrodes and the common electrode. An angular velocity sensor formed to be thinner than the thickness of the piezoelectric body interposed between the detection electrode and the common electrode.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9149450A JPH10339638A (en) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | Angular speed sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9149450A JPH10339638A (en) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | Angular speed sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10339638A true JPH10339638A (en) | 1998-12-22 |
Family
ID=15475393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9149450A Pending JPH10339638A (en) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | Angular speed sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10339638A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002329899A (en) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Sony Corp | Piezoelectric thin-film element and manufacturing method therefor |
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-
1997
- 1997-06-06 JP JP9149450A patent/JPH10339638A/en active Pending
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