JPH10335361A - Metallic mold for resin sealing and semiconductor device and manufacture thereof - Google Patents
Metallic mold for resin sealing and semiconductor device and manufacture thereofInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止用金型並
びに半導体装置及びその製造方法に関する。The present invention relates to a resin sealing mold, a semiconductor device, and a method for manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】封止樹脂によるパッケージを用いヒート
スプレッダーを備えた半導体装置の製造方法について図
6及び図7を用いて説明する。2. Description of the Related Art A method of manufacturing a semiconductor device having a heat spreader using a package made of a sealing resin will be described with reference to FIGS.
【0003】まず図6に示すように、キャビティー2A
を有する下金型1A内に、パッケージの放熱性を向上さ
せるためのヒートスプレッダー4を置き、この上に半導
体チップ6が固着されたリードフレームのアイランド5
を載せ、リードフレームの内部リード8と一体的に形成
された外部リード7を下金型1Aと上金型1Bとではさ
み、次いで樹脂10をキャビティー内に導入し封止す
る。[0003] First, as shown in FIG.
A heat spreader 4 for improving the heat radiation of the package is placed in a lower mold 1A having a lead frame, and a lead frame island 5 on which a semiconductor chip 6 is fixed is placed thereon.
The outer lead 7 formed integrally with the inner lead 8 of the lead frame is sandwiched between the lower mold 1A and the upper mold 1B, and then the resin 10 is introduced into the cavity and sealed.
【0004】次に図7に示すように、パッケージを金型
からはずし外部リード7にメッキを施し所望の形状に切
断し成形する。この半導体装置は実装基板11に搭載さ
れ、外部リード7は実装基板上の配線12に接続され
る。尚、図6、図7において9はワイヤーである。Next, as shown in FIG. 7, the package is removed from the mold, the external leads 7 are plated, cut into a desired shape, and formed. This semiconductor device is mounted on a mounting board 11, and the external leads 7 are connected to wirings 12 on the mounting board. In FIGS. 6 and 7, reference numeral 9 denotes a wire.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】第1の問題点は、パッ
ケージの放熱性が悪化することである。The first problem is that the heat radiation of the package deteriorates.
【0006】その理由は、パッケージに内蔵されるヒー
トスプレッダー4のパッケージ内での位置ずれが発生し
やすくなるからである。この位置ずれにより、半導体チ
ップ6上で発生した熱の放散が悪化し、あるいはその位
置ずれのバラツキにより、放熱性のバラツキが大きくな
ってしまう。この位置ずれの原因としては、まず樹脂封
止前にヒートスプレッダー4が下金型1A内に設置され
るときの位置精度、ヒートスプレッダー4が金型内に設
置されている間の金型の熱による変形、樹脂封止中の樹
脂の流動による位置ずれ等が考えられる。The reason is that the position of the heat spreader 4 incorporated in the package is likely to be shifted in the package. Due to the displacement, the dissipation of the heat generated on the semiconductor chip 6 is deteriorated, or the dispersion of the displacement causes a large variation in heat radiation. Causes of this displacement include the positional accuracy when the heat spreader 4 is installed in the lower mold 1A before resin sealing, and the heat of the mold while the heat spreader 4 is installed in the mold. Deformation, displacement due to resin flow during resin sealing, and the like.
【0007】第2の問題点は、パッケージの内部配線が
ショートすることである。[0007] The second problem is that the internal wiring of the package is short-circuited.
【0008】その理由は、樹脂封止中の樹脂流動により
ヒートスプレッダー4の位置ずれが発生するからであ
る。通常ヒートスプレッダー付きの樹脂封止型半導体装
置においては、放熱性を考慮してヒートスプレッダー4
はアイランド5よりも大きく形成されており、樹脂の流
動でパッケージ上方への位置ずれが発生した時には、ヒ
ートスプレッダーは容易に内部リード8と接触してしま
う。[0008] The reason is that the resin flow during the resin sealing causes the heat spreader 4 to be displaced. Normally, in a resin-sealed semiconductor device with a heat spreader, the heat spreader 4
Is formed larger than the island 5, and when the resin flows and the position of the package is shifted upward, the heat spreader easily comes into contact with the internal lead 8.
【0009】本発明の第1の目的は、樹脂封止工程にお
いて金型内に設置されたヒートスプレッダーを保持し、
パッケージに内蔵された時のヒートスプレッダーの位置
ずれを抑制できる樹脂封止用金型を提供することにあ
る。A first object of the present invention is to hold a heat spreader installed in a mold in a resin sealing step,
An object of the present invention is to provide a resin sealing mold capable of suppressing a displacement of a heat spreader when incorporated in a package.
【0010】本発明の第2の目的は、パッケージに内蔵
されるヒートスプレッダーの位置ずれをなくし、均一で
安定した放熱性を有する半導体装置及びその製造方法を
提供することにある。A second object of the present invention is to provide a semiconductor device having a uniform and stable heat dissipation property by eliminating the displacement of a heat spreader built in a package, and a method of manufacturing the same.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】第1の発明の樹脂封止型
用金型は、キャビティを有する下金型と上金型とからな
り、下金型のキャビティ内にヒートスプレッダーをお
き、半導体チップが固着されたリードフレームのアイラ
ンドをこのヒートスプレッダー上に載せ、リードフレー
ムの外部リードを前記下金型と上金型とではさみ樹脂を
導入する樹脂封止用金型において、前記下金型のキャビ
ティの底面部に前記ヒートスプレッダーの最下面部を固
定するための溝を設けたことを特徴とするものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a resin mold for a resin-sealing mold comprising a lower mold having a cavity and an upper mold, wherein a heat spreader is provided in a cavity of the lower mold, and a semiconductor is provided. An island of a lead frame to which a chip is fixed is placed on the heat spreader, and an external lead of the lead frame is sandwiched between the lower mold and the upper mold. A groove for fixing a lowermost portion of the heat spreader is provided on a bottom surface of the cavity.
【0012】第2の発明の半導体装置は、ヒートスプレ
ッダー上にアイランドを介して固着された半導体チップ
と、前記アイランドの周辺部に設けられ外部リードと一
体的に形成された内部リードと、この内部リードと前記
半導体チップとを接続するワイヤーと、前記ヒートスプ
レッダーと前記半導体チップと前記内部リードと前記ワ
イヤーとを封止する樹脂とを有する半導体装置に於い
て、前記ヒートスプレッダーの最下面部は露出し封止樹
脂面より突出していることを特徴とするものである。According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device, comprising: a semiconductor chip fixed on a heat spreader via an island; an internal lead provided at a peripheral portion of the island and integrally formed with an external lead; In a semiconductor device having a wire connecting a lead and the semiconductor chip, and a resin sealing the heat spreader, the semiconductor chip, the internal lead, and the wire, a lowermost portion of the heat spreader is exposed And protruding from the sealing resin surface.
【0013】第3の発明の半導体装置の製造方法は、下
金型のキャビティ内に設けられた溝内にヒートスプレッ
ダーの支持部を固定し、半導体チップが固着されたリー
ドフレームのアイランドをこのヒートスプレッダー上に
載せ、リードフレームの外部リードを前記下金型と上金
型とではさみ樹脂を導入し封止することを特徴とするも
のである。According to a third aspect of the invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: fixing a support portion of a heat spreader in a groove provided in a cavity of a lower mold; It is mounted on a spreader, and the external leads of the lead frame are sandwiched between the lower mold and the upper mold, and a resin is introduced and sealed.
【0014】樹脂封止工程において、下金型内にヒート
スプレッダーを設置する際、下金型内のヒートスプレッ
ダーの設置部に、ヒートスプレッダーの最下面の形状に
添う溝を形成しておき、その溝にあわせて設置すること
により、ヒートスプレッダーが溝により固定され、樹脂
封止工程中にヒートスプレッダーが位置ずれを起こすこ
とがなくなる。In the resin sealing step, when the heat spreader is installed in the lower mold, a groove is formed in the installation portion of the heat spreader in the lower mold so as to conform to the shape of the lowermost surface of the heat spreader. By installing the heat spreader along the groove, the heat spreader is fixed by the groove, and the heat spreader does not shift during the resin sealing step.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図1は本発明の第1の実施の形態を説明す
る為の半導体チップが固着されたリードフレームをセッ
トした場合の樹脂封止用金型の断面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of a resin-sealing mold when a lead frame to which a semiconductor chip is fixed is set for explaining the first embodiment of the present invention.
【0016】第1の実施の形態の樹脂封止用金型は、キ
ャビティ2Aを有する下金型1Aとキャビティ2Bを有
する上金型1Bとから構成されているが、特に下金型の
1Aのキャビティ2Aの底面部には、熱的特性を考慮し
銅系の金属からなるヒートスプレッダー4Aの支持部
(最下面)14を固定するための溝3Aが設けてある。
次にこの金型を用いて半導体チップを樹脂封止する場合
について説明する。The resin sealing mold of the first embodiment comprises a lower mold 1A having a cavity 2A and an upper mold 1B having a cavity 2B. A groove 3A for fixing a supporting portion (lowest surface) 14 of a heat spreader 4A made of a copper-based metal in consideration of thermal characteristics is provided in a bottom portion of the cavity 2A.
Next, a case where a semiconductor chip is sealed with a resin using this mold will be described.
【0017】まず下金型1Aのキャビティ2A内に設け
られた溝3A内にヒートスプレッダー4Aの支持部14
を固定し、次いで半導体チップ6が固定されたリードフ
レームのアイランド5をこのヒートスプレッダー4A上
に載せ、リードフレームの内部リード8と一体的に形成
された外部リード7を下金型1Aと上金型1Bではさ
み、樹脂10を導入し封止する。半導体チップ6を搭載
し外部との電気的接続を行うリードフレーム及び樹脂か
らなるパッケージの放熱効果を向上させるヒートスプレ
ッダー4Aは、熱的特性を考慮し銅系の金属を用いる。
リードフレーム及びヒートスプレッダー4Aは、所定の
形状にエッチング又はプレス加工により形成されてい
る。ヒートスプレッダー4Aに関して、まずその大きさ
は、熱特性を考慮すれば出来るだけ大きくした方が良い
が、大きくし過ぎた場合膨張係数差により生じる封止樹
脂との剥離が懸念されるため、例えば□28mmのパッ
ケージであればヒートスプレッダー4Aの大きさは□2
0〜24mm程度が望ましい。First, the support portion 14 of the heat spreader 4A is inserted into a groove 3A provided in the cavity 2A of the lower mold 1A.
Then, the lead frame island 5 to which the semiconductor chip 6 is fixed is placed on the heat spreader 4A, and the external lead 7 integrally formed with the internal lead 8 of the lead frame is connected to the lower mold 1A and the upper metal mold. With the mold 1B, the resin 10 is introduced and sealed. The heat spreader 4A for mounting the semiconductor chip 6 and improving the heat radiation effect of a package made of resin and a lead frame for making an electrical connection to the outside uses a copper-based metal in consideration of thermal characteristics.
The lead frame and the heat spreader 4A are formed in a predetermined shape by etching or pressing. Regarding the heat spreader 4A, first, it is better to make the size as large as possible in consideration of thermal characteristics. However, if the size is too large, there is a concern that the heat spreader 4A may be separated from the sealing resin due to a difference in expansion coefficient. For a 28mm package, the size of the heat spreader 4A is □ 2
About 0 to 24 mm is desirable.
【0018】またヒートスプレッダーの支持部14は、
ヒートスプレッダー4Aを支持し、樹脂封止工程時に下
金型に設置される時に保持され、かつパッケージ外部に
突出し成形された外部リードと同一平面になるような形
状を有しており、例えばその形状はL字型(ガルウィン
グ)に加工が施されている、。一方、樹脂封止工程で使
用される下金型1Aの底面には、ヒートスプレッダー4
Aの支持部14を保持するべく、支持部に適合した所定
の溝、例えば図5(a)に示すような4個の溝3A又は
図5(b)に示すような円状の溝(又は楕円状)3Bが
機械加工等により施されている。The support portion 14 of the heat spreader is
It has a shape that supports the heat spreader 4A, is held when installed in the lower mold during the resin sealing step, and is flush with the external lead formed by protruding outside the package. Is L-shaped (gull wing) processed. On the other hand, a heat spreader 4 is provided on the bottom surface of the lower mold 1A used in the resin sealing step.
In order to hold the support portion 14 of A, a predetermined groove adapted to the support portion, for example, four grooves 3A as shown in FIG. 5 (a) or a circular groove as shown in FIG. 5 (b) (or Oval) 3B is applied by machining or the like.
【0019】次に第2の実施の形態としてこの金型を用
いた半導体装置の製造方法について説明する。Next, a method of manufacturing a semiconductor device using this mold will be described as a second embodiment.
【0020】まず半導体チップ6がリードフレームのア
イランド5上に接着剤を介して搭載され、所定の半導体
チップ6上の電極パッドとリードフレームの内部リード
8のメッキを施された先端部とがAu等の金属配線を介
して接続される。次の樹脂封止工程において、図1に示
したように、まずヒートスプレッダー4Aの支持部14
の形状に合わせて溝3Aが形成された下金型1Aの底面
上に、ヒートスプレッダー4Aを溝3Aに合わせて設置
し、続いて半導体チップ6が搭載され内部リードと接続
された状態のリードフレームの外部リード7を上下の金
型ではさみ、次いで樹脂10を供給し封止成形を行う。
その後パッケージの外部リード7にメッキを施し、所望
の形状に切断成形する。このとき、下金型1Aの溝3A
内部に埋設されていたヒートスプレッダーの支持部14
は、パッケージの外部に突出した構造となっている。こ
うして本発明の樹脂封止型の半導体装置が得られる。First, the semiconductor chip 6 is mounted on the island 5 of the lead frame via an adhesive, and the electrode pads on the predetermined semiconductor chip 6 and the plated front ends of the internal leads 8 of the lead frame are Au. And so on. In the next resin sealing step, first, as shown in FIG.
The heat spreader 4A is set on the bottom surface of the lower mold 1A in which the groove 3A is formed in conformity with the shape of the groove 3A, and then the semiconductor chip 6 is mounted and the lead frame is connected to the internal lead. The outer leads 7 are sandwiched between upper and lower dies, and then resin 10 is supplied to perform sealing molding.
Thereafter, the external leads 7 of the package are plated and cut into a desired shape. At this time, the groove 3A of the lower mold 1A
Heat spreader support 14 buried inside
Has a structure protruding outside the package. Thus, the resin-sealed semiconductor device of the present invention is obtained.
【0021】このようにして製造された半導体装置は、
図2に示すように、実装基板11に実装される。この時
外部リード7は実装基板11上の配線12に接続され
る。さらにパッケージより露出した支持部14を実装基
板11上の放熱用パターン13Aに接続できる為、放熱
性は向上したものとなる。The semiconductor device manufactured in this manner is
As shown in FIG. 2, it is mounted on the mounting board 11. At this time, the external leads 7 are connected to the wirings 12 on the mounting board 11. Furthermore, since the support portion 14 exposed from the package can be connected to the heat radiation pattern 13A on the mounting substrate 11, heat radiation is improved.
【0022】このように本発明の金型を用いて半導体装
置を製造する場合、図1に示したように、樹脂封止工程
において、下金型1A内にヒートスプレッダー4Aを設
置する際に、ヒートスプレッダー4Aの支持部14は下
金型内に設けられた所定の溝3Aにはめ込まれるように
設置され保持されている為、まずヒートスプレッダー4
Aを供給するときの位置ずれ及びバラツキがなくなる。
また樹脂封止中に樹脂の流動によりヒートスプレッダー
4Aがスライドしたり、上方へ持ち上げられてしまうこ
とはなくなる為、樹脂10が硬化したときには、パッケ
ージに対するヒートスプレッダー4Aの位置ずれはなく
なり、当初設計された正規の位置に配置することが可能
となる。これにより、パッケージ内の半導体チップの熱
に対して、安定した放熱性を確保することが可能とな
る。、またヒートスプレッダーの位置ずれにより発生す
る、内部リードとの接触といった不具合も発生しなくな
る。さらには、ヒートスプレッダー4Aの支持部14が
パッケージ外部へ突出すること、またその突出した部分
を実装基板11に直接接合することにより、従来のパッ
ケージに内蔵された構造に比べ、□28mmパッケージ
で約10%程度の熱抵抗の低減を図れることが可能とな
った。When a semiconductor device is manufactured using the mold of the present invention, as shown in FIG. 1, when the heat spreader 4A is installed in the lower mold 1A in the resin sealing step, Since the support portion 14 of the heat spreader 4A is installed and held so as to fit into a predetermined groove 3A provided in the lower mold, first, the heat spreader 4A
Eliminates positional deviation and variation when supplying A.
In addition, since the heat spreader 4A does not slide or is lifted upward due to the flow of the resin during the resin sealing, when the resin 10 is cured, the position of the heat spreader 4A with respect to the package is eliminated, and the original design is achieved. It can be arranged at a regular position. As a result, it is possible to secure stable heat radiation for the heat of the semiconductor chip in the package. In addition, problems such as contact with internal leads caused by displacement of the heat spreader do not occur. Further, the support portion 14 of the heat spreader 4A protrudes outside the package, and the protruding portion is directly bonded to the mounting board 11, so that the □ 28mm package has a size smaller than that of the conventional package. It has become possible to reduce the thermal resistance by about 10%.
【0023】図3は、本発明の第3の実施の形態の半導
体装置の断面図である。この第3の実施の形態では、ヒ
ートスプレッダー4Bの平面がパッケージ10の表面に
露出するような形状のものを用いる。すなわち半導体装
置の下半分の樹脂厚分の厚みを有するヒートスプレッダ
ー4Bを用いる。この場合も図5(c)に示すように、
図1に示した実施の形態と同様に、パッケージの表面に
露出する形状に合わせた形状の溝3C(彫り込み)を下
金型1A表面のヒートスプレッダー4Bを設置する部分
に形成しておく。FIG. 3 is a sectional view of a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention. In the third embodiment, a heat spreader having a shape such that the plane of the heat spreader 4B is exposed on the surface of the package 10 is used. That is, the heat spreader 4B having the thickness of the lower half resin thickness of the semiconductor device is used. Also in this case, as shown in FIG.
As in the embodiment shown in FIG. 1, a groove 3C (carved) having a shape corresponding to the shape exposed on the surface of the package is formed in a portion of the surface of the lower mold 1A where the heat spreader 4B is installed.
【0024】これらを用い、第2の実施の形態と同様な
製造方法により得られる半導体装置の場合、第2の実施
の形態と同様に露出したヒートスプレッダー4Bを実装
基板11に接合する構造に加え、例えば図4に示す第4
の実施の形態のように、パッケージをキャビティダウン
構造にして、ヒートスプレッダー4B部をパッケージ表
面(上面)に露出し突出させ、この露出面にヒートシン
ク15を取り付けることで、さらなる低熱抵抗化が実現
できる。このようなパッケージ表面にヒートスプレッダ
ー4Bを露出し突出させた場合、従来の内蔵した構造に
比べ、約15〜20%の熱抵抗の低減が図られる。Using these, in the case of a semiconductor device obtained by a manufacturing method similar to that of the second embodiment, in addition to the structure of bonding the exposed heat spreader 4B to the mounting substrate 11 similarly to the second embodiment. For example, the fourth type shown in FIG.
As in the above embodiment, the package is formed in a cavity-down structure, the heat spreader 4B is exposed and protruded from the package surface (upper surface), and the heat sink 15 is attached to the exposed surface, thereby further reducing the thermal resistance. . When the heat spreader 4B is exposed and protruded on such a package surface, the heat resistance is reduced by about 15 to 20% as compared with the conventional built-in structure.
【0025】この他にも、円形のヒートスプレッダーを
使用する場合には、図5(b)に示したような円形状の
溝3Bを形成しておけば、常に一定な位置にヒートスプ
レッダーを設置することが可能となる。In addition, when a circular heat spreader is used, if the circular groove 3B as shown in FIG. 5B is formed, the heat spreader is always set at a fixed position. It is possible to do.
【0026】[0026]
【発明の効果】第1の効果は、半導体装置において安定
した放熱性が得られ、かつヒートスプレッダーの位置ず
れにより発生する配線ショート等の不具合が抑止される
ことである。The first effect is that a stable heat dissipation can be obtained in the semiconductor device, and problems such as short-circuiting of wiring caused by displacement of the heat spreader can be suppressed.
【0027】その理由は、ヒートスプレッダーが下金型
に設けられた溝で保持されている為、パッケージ内で常
に安定した位置にヒートスプレッダーが設置されるから
である。The reason is that the heat spreader is always held in a stable position in the package because the heat spreader is held by the groove provided in the lower mold.
【0028】第2の効果は、放熱性が向上することであ
る。The second effect is that heat dissipation is improved.
【0029】その理由は、ヒートスプレッダーが半導体
装置のパッケージの外部に露出し、実装基板及びヒート
シンク等の放熱部材に接続されることで、パッケージ内
で発生した熱が逃げ易くなるためである。The reason is that the heat spreader is exposed to the outside of the package of the semiconductor device and is connected to a heat radiating member such as a mounting board and a heat sink, so that the heat generated in the package is easily released.
【図1】本発明の第1の実施の形態を説明する為の金型
の断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view of a mold for explaining a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2の実施の形態を説明する為の半導
体装置の断面図。FIG. 2 is a sectional view of a semiconductor device for explaining a second embodiment of the present invention;
【図3】本発明の第3の実施の形態を説明する為の半導
体装置の断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view of a semiconductor device for describing a third embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第4の実施の形態を説明する為の半導
体装置の断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view of a semiconductor device for describing a fourth embodiment of the present invention.
【図5】本発明の下金型に形成する溝の形状を示す上図
面。FIG. 5 is an upper drawing showing a shape of a groove formed in a lower mold of the present invention.
【図6】従来の金型を説明する為の断面図。FIG. 6 is a sectional view for explaining a conventional mold.
【図7】従来の半導体装置の一例の断面図。FIG. 7 is a cross-sectional view of an example of a conventional semiconductor device.
1A 下金型 1A 上金型 2A,2B キャビティ 3A〜3C 溝 4,4A,4B ヒートスプレッダー 5 アイランド 6 半導体チップ 7 外部リード 8 内部リード 9 ワイヤー 10樹脂 11 実装基板 12 配線 13A,13B 放熱用パターン 14 支持部 15 ヒートシンク 1A Lower mold 1A Upper mold 2A, 2B Cavity 3A-3C Groove 4, 4A, 4B Heat spreader 5 Island 6 Semiconductor chip 7 External lead 8 Internal lead 9 Wire 10 Resin 11 Mounting board 12 Wiring 13A, 13B Heat radiation pattern 14 Support part 15 heat sink
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成10年8月28日[Submission date] August 28, 1998
【手続補正1】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【特許請求の範囲】[Claims]
【手続補正2】[Procedure amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0011[Correction target item name] 0011
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】第1の発明の樹脂封止用
金型は、キャビティを有する下金型と上金型とからな
り、下金型のキャビティ内にヒートスプレッダーをお
き、半導体チップが固着されたリードフレームのアイラ
ンドをこのヒートスプレッダー上に載せ、リードフレー
ムの外部リードを前記下金型と上金型とではさみ樹脂を
導入する樹脂封止用金型において、前記下金型のキャビ
ティの底面部に前記ヒートスプレッダーの支持部を固定
するための溝を設けたことを特徴とするものである。Means for Solving the Problems The first invention for resin sealing
The mold is composed of a lower mold having a cavity and an upper mold, a heat spreader is placed in the cavity of the lower mold, and an island of the lead frame to which the semiconductor chip is fixed is placed on the heat spreader, and the lead frame In the resin-sealing mold that introduces resin by sandwiching the external leads between the lower mold and the upper mold, a groove for fixing the support portion of the heat spreader is formed on the bottom surface of the cavity of the lower mold. It is characterized by having been provided.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 23/28 H01L 23/28 A 23/36 23/36 D // B29L 31:34 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification symbol FI H01L 23/28 H01L 23/28 A 23/36 23/36 D // B29L 31:34
Claims (8)
らなり、下金型のキャビティ内にヒートスプレッダーを
おき、半導体チップが固着されたリードフレームのアイ
ランドをこのヒートスプレッダー上に載せ、リードフレ
ームの外部リードを前記下金型と上金型とではさみ樹脂
を導入する樹脂封止用金型において、前記下金型のキャ
ビティの底面部に前記ヒートスプレッダーの最下面部を
固定するための溝を設けたことを特徴とする樹脂封止用
金型。1. A lower mold having a cavity and an upper mold, a heat spreader is placed in a cavity of the lower mold, and an island of a lead frame to which a semiconductor chip is fixed is placed on the heat spreader. An outer lead of a frame sandwiched between the lower mold and the upper mold, and a resin sealing mold for introducing a resin, for fixing a lowermost surface of the heat spreader to a bottom surface of a cavity of the lower mold. A resin sealing mold having a groove.
の樹脂封止用金型。2. The resin sealing mold according to claim 1, wherein a plurality of grooves are provided.
載の樹脂封止用金型。3. The resin sealing mold according to claim 1, wherein the groove is provided in a rectangular shape.
請求項1記載の樹脂封止用金型。4. The resin sealing mold according to claim 1, wherein the groove is provided in a circular or elliptical shape.
して固着された半導体チップと、前記アイランドの周辺
部に設けられ外部リードと一体的に形成された内部リー
ドと、この内部リードと前記半導体チップとを接続する
ワイヤーと、前記ヒートスプレッダーと前記半導体チッ
プと前記内部リードと前記ワイヤーとを封止する樹脂と
を有する半導体装置に於いて、前記ヒートスプレッダー
の最下面部は露出し封止樹脂面より突出していることを
特徴とする半導体装置。5. A semiconductor chip fixed on a heat spreader via an island, an internal lead provided at a peripheral portion of the island and integrally formed with an external lead, and the internal lead and the semiconductor chip. In a semiconductor device having a wire to be connected, and a resin for sealing the heat spreader, the semiconductor chip, the internal lead, and the wire, a lowermost portion of the heat spreader is exposed and protrudes from a sealing resin surface. A semiconductor device characterized in that:
項5記載の半導体装置。6. The semiconductor device according to claim 5, wherein the lowermost portion is formed in a rectangular shape.
ンクが接続されている請求項5または請求項6記載の半
導体装置。7. The semiconductor device according to claim 5, wherein a heat sink is connected to an exposed surface of the heat spreader.
にヒートスプレッダーの支持部を固定し、半導体チップ
が固着されたリードフレームのアイランドをこのヒート
スプレッダー上に載せ、リードフレームの外部リードを
前記下金型と上金型とではさみ樹脂を導入し封止するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。8. A heat spreader supporting portion is fixed in a groove provided in a cavity of a lower mold, an island of a lead frame to which a semiconductor chip is fixed is placed on the heat spreader, and an external lead of the lead frame is provided. A resin is introduced between the lower mold and the upper mold, and sealing is performed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9139996A JPH10335361A (en) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | Metallic mold for resin sealing and semiconductor device and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9139996A JPH10335361A (en) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | Metallic mold for resin sealing and semiconductor device and manufacture thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10335361A true JPH10335361A (en) | 1998-12-18 |
Family
ID=15258513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9139996A Pending JPH10335361A (en) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | Metallic mold for resin sealing and semiconductor device and manufacture thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10335361A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2012066925A1 (en) * | 2010-11-15 | 2014-05-12 | 日本電産サンキョー株式会社 | Electronics |
-
1997
- 1997-05-29 JP JP9139996A patent/JPH10335361A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2012066925A1 (en) * | 2010-11-15 | 2014-05-12 | 日本電産サンキョー株式会社 | Electronics |
JP5670447B2 (en) * | 2010-11-15 | 2015-02-18 | 日本電産サンキョー株式会社 | Electronics |
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---|---|---|---|
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