JPH10330633A - サブフタロシアニン化合物及びそれを用いた光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 波長５２０〜６９０ｎｍのレ−ザ−で良好な
高密度記録及び再生が可能な追記型光記録媒体及びこれ
に使用される新規なサブフタロシアニン化合物を提供す
る。 【解決手段】 下記一般式（１）で示されるサブフタロ
シアニン化合物を記録層に含有してなる光記録媒体。 【化１】 〔式中、Ｒはアルキル基またはアルコキシ基を示し、Ｘ
は炭素数７以上のアルコキシ基、アルコキシアルコキシ
基、アルキルチオアルコキシ基またはジアルキルアミノ
アルコキシ基を示し、Ｙはハロゲン原子を示し、ｍ、ｎ
は０〜４の整数を示し、且つｍ＋ｎは０〜４である。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規なサブフタロ
シアニン化合物、及びこれを用いた、従来に比較して高
密度に記録及び再生可能な光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】コンパクトディスク（以下、ＣＤと略
す）規格に対応した追記型光記録媒体としてＣＤ−Ｒ
（CD-Recordable）が提案・開発されている［例えば、
日経エレクトロニクス Ｎｏ． ４６５， Ｐ．１０
７， １９８９年１月２３日号、OPTICAL DATA STORAGE
DIGEST SERIES vol.1 P45, 1989等］。このＣＤ−Ｒは
図１に示すように透明樹脂基板１上に記録層２、反射層
３、保護層４がこの順で積層されており、該記録層に高
パワーのレーザー光を照射することにより、記録層が物
理的あるいは化学的変化を起こし、ピットの形で情報を
記録する。形成されたピット部位に低パワーのレーザー
光を照射し、反射率の変化を検出することによりピット
の情報を再生することができる。このような光記録媒体
の記録・再生には一般に波長７７０〜８３０ｎｍの近赤
外半導体レーザーを用いており、レッドブックやオレン
ジブック等のＣＤの規格に準拠しているため、ＣＤプレ
ーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤーと互換性を有するとい
う特徴を有する。

【０００３】しかし、上記の従来の媒体の記録容量は６
５０ＭＢ程度であり、動画の記録を考慮すると容量が十
分でなく、情報量の飛躍的増加に伴い情報記録媒体に対
する高密度化・大容量化の要求は高まっている。

【０００４】また、光ディスクシステムに利用される短
波長半導体レーザーの開発が進み、波長６８０ｎｍ、６
５０ｎｍ及び６３５ｎｍのの赤色半導体レーザーが実用
化されている［例えば、日経エレクトロニクス、Ｎｏ．
５９２、Ｐ．６５、１９９３年１０月１１日号］。記録
・再生用レーザーの短波長化及び対物レンズの開口数を
大きくすることによりビームスポットを小さくすること
ができ、高密度な光記録媒体が可能になる。実際に半導
体レーザーの短波長化、対物レンズの開口数大化、デー
タ圧縮技術などにより動画を長時間記録できる大容量の
光記録媒体が開発されてきている〔例えば、日経エレク
トロニクス、Ｎｏ．５９２、Ｐ．６５、１９９３年１０
月１１日、Ｎｏ．５９４、Ｐ．１６９、１９９３年１１
月８日号］。最近では、２時間以上の動画をデジタル記
録したデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）が開発されて
きた。ＤＶＤは４．７ＧＢの記録容量を有する再生専用
の媒体であり、この容量に合った記録可能な光ディスク
の開発がさらに要望されている。

【０００５】また、ＹＡＧレーザーの高調波変換による
５３２ｎｍのレーザーも実用可されている。

【０００６】５３２ｎｍよりさらに短波長の４９０ｎｍ
の青／緑色半導体レーザーも研究されているが、まだ実
用化の段階まで至っていない［例えば、Applied Physic
s Letter, P.1272-1274, Vol. 59 (1991)や『日経エレ
クトロニクス』No.552, P.90,1992年４月２７日号]。

【０００７】短波長レーザーを使用した場合、光ディス
クの線記録密度と半径方向記録密度は理論的には同等に
高密度化できるが、現状では、半径方向の記録密度は線
記録密度ほど大きくすることは困難である。レーザー光
は溝又はランドにより回折散乱されるため、トラックピ
ッチを狭くするほど信号検出光量が低下する。また、十
分なトラッキング信号が得られる深さを保ったままトラ
ックピッチを狭くするにも成形上限界がある。また溝が
深く狭いと、記録層を均一に成膜することが困難であ
る。さらに、溝とランドのエッジ部分は平滑ではなく微
小凹凸があるため、ノイズの原因となる。このような悪
影響はある程度トラックピッチが狭くなったところで急
激に生じる。これらのことを考慮すると、波長５２０ｎ
ｍで対物レンズの開口数が０．６では溝ピッチの限界は
約０．５μｍと考えられる。

【０００８】追記型光記録媒体の色素層にレーザー光を
照射し、物理変化又は化学変化を生じさせることでピッ
トを形成させる際、色素の光学定数、分解挙動が良好な
ピットができるかの重要な要素となる。分解しづらいも
のは感度が低下し、分解が激しいか又は、変化しやすい
ものはピット間及び半径方向のランド部への影響が大き
くなり、信頼性のあるピット形成が困難になる。従来の
ＣＤ−Ｒ媒体では、高密度で用いられているレーザー波
長では色素層の屈折率も低く、消衰係数も適度な値では
ないため、反射率が低く変調度が取れなかった。さらに
は、絞られたビームで小さいピットを開けるべきところ
が、周りへの影響が大きく分布の大きいピットになった
り、半径方向へのクロストークが悪化した。逆にピット
が極端に小さくなり変調度が取れない場合もあった。従
って、記録層に用いる色素の光学的性質、分解挙動の適
切なものを選択する必要がある。

【０００９】例えば、特開平６−１９９０４５号公報
は、波長６８０ｎｍの半導体レーザーで記録再生可能な
光記録媒体が提案されている。この媒体は、記録層にシ
アニン色素を用いており高密度の記録再生の可能性は示
しているものの、実際に高密度に記録した記述はない。

【００１０】また、イギリス特許公開公報２２９０４８
９号にサブフタロシアニン化合物を用いた光記録媒体が
記載されている。ここで開示されているサブフタロシア
ニン化合物はホウ素原子に炭素数６以下のアルコキシ基
が配位したもので有機溶剤に対する溶解性が不十分であ
る。また、具体的に開示されている化合物は、長波長対
応の光記録媒体に適応した化合物であり、吸収波長が本
発明の光記録媒体に適さない。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、新規
なサブフタロシアニン化合物、及びこれを含有する、波
長５２０〜６９０ｎｍの短波長レーザーでの記録及び再
生が可能な高密度記録に適した光記録媒体を提供するこ
とにある

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明は、 下記一般式（１）で示されるサブフタロシアニン化
合物。

【００１３】

【化２】

【００１４】〔式中、Ｒはアルキル基又はアルコキシ基
を示し、Ｘは炭素数７以上のアルコキシ基、アルコキシ
アルコキシ基、アルキルチオアルコキシ基又はジアルキ
ルアミノアルコキシ基を示し、Ｙはハロゲン原子を示
し、ｍ、ｎは０〜４の整数を示し、且つｍ＋ｎは０〜４
である。〕

【００１５】 基板上に少なくとも記録層及び反射層
を有する光記録媒体において、該記録層中に、記載の
サブフタロシアニン化合物を含有する光記録媒体。

【００１６】 波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選
択されるレーザー光に対して記録及び再生が可能である
記載の光記録媒体。

【００１７】 レーザー波長において、記録層の屈折
率が１．８以上、且つ、消衰係数が０．０４〜０．４０
である記載の光記録媒体。

【００１８】 波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選
択されるレーザー光に対して、基板側から測定した反射
率が２０％以上である〜のいずれかに記載の光記録
媒体、に関するものである。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の一般式（１）で示される
サブフタロシアニン化合物において、Ｒがアルキル基で
あるものとしては、特に限定されるものではないが、炭
素数１〜１２の直鎖、分岐或いは環状のアルキル基が好
ましく、炭素数１〜８の直鎖、分岐或いは環状のアルキ
ル基が特に好ましい。

【００２０】Ｒがアルキル基であるものの具体例として
は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル
基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチ
ル基、iso-ペンチル基、2-メチルブチル基、1-メチルブ
チル基、neo-ペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、1,
1-ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、n-ヘキシル
基、シクロヘキシル基、4-メチルペンチル基、3-メチル
ペンチル基、2-メチルペンチル基、1-メチルペンチル
基、3,3-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基、2,
3-ジメチルブチル基、1,3-ジメチルブチル基、2,2-ジメ
チルブチル基、1,2-ジメチルブチル基、1,1-ジメチルブ
チル基、3-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-エチ
ルブチル基、1,2,2-トリエチルブチル基、1,1,2-トリエ
チルブチル基、1-エチル-2-メチルプロピル基、n-ヘプ
チル基、2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、4-
メチルヘキシル基、5-メチルヘキシル基、4-メチルシク
ロヘキシル基、2,4-ジメチルペンチル基、n-オクチル
基、t-オクチル基、2-エチルヘキシル基、2,5-ジメチル
ヘキシル基、2,5,5-トリメチルペンチル基、2,4-ジメチ
ルヘキシル基、2,2,4-トリメチルペンチル基、3,5,5-ト
リメチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基、4-エチ
ルオクチル基、4-エチル-4,5-メチルヘキシル基、n-ウ
ンデシル基、n-ドデシル基、1,3,5,7-テトラエチルオク
チル基、4-ブチルオクチル基、6,6-ジエチルオクチル
基、n-ペンタデシル基、3,5-ジメチルヘプチル基、2,6-
ジメチルヘプチル基、2,4-ジメチルヘプチル基、2,2,5,
5-テトラメチルヘキシル基、1-シクロヘキシル-2,2-ジ
メチルプロピル基等が挙げられる。

【００２１】Ｒがアルコキシ基であるものとしては、炭
素数１〜１２の直鎖、分岐或いは環状のアルコキシ基が
好ましく、炭素数１〜８の直鎖、分岐或いは環状のアル
コキシ基が特に好ましい。

【００２２】これらの具体例としては、メトキシ基、エ
トキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブト
キシ基、iso-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ
基、n-ペントキシ基、iso-ペントキシ基、t-ペントキシ
基、neo-ペントキシ基、n-ヘキシルオキシ基、3-メチル
ペンタン-2-イルオキシ基、3-メチルペンタン-3-イルオ
キシ基、4-メチルペントキシ基、4-メチルペンタン-2-
イルオキシ基、3,3-ジメチルブトキシ基、3,3-ジメチル
ブタン-2-イルオキシ基、2-メチルヘキサン-2-イルオキ
シ基、2,4-ジメチルペンタン-3-イルオキシ基、1,1-ジ
メチルペンタン-1-イルオキシ基、2,2-ジメチルヘキサ
ン-3-イルオキシ基、2,3-ジメチルヘキサン-2-イルオキ
シ基、2,5-ジメチルヘキサン-2-イルオキシ基、2,5-ジ
メチルヘキサン-3-イルオキシ基、3,4-ジメチルヘキサ
ン-3-イルオキシ基、3,5-ジメチルヘキサン-3-イルオキ
シ基、2-エチルヘキシルオキシ基、2-メチルヘプトキシ
基、2-メチルヘプタン-2-イルオキシ基、3-メチルヘプ
タン-3-イルオキシ基、4-メチルヘプタン-3-イルオキシ
基、4-メチルヘプタン-4-イルオキシ基、2-メチルオク
タン-3-イルオキシ基、n-ドデシルオキシ基、シクロヘ
キシルオキシ基、4-メチルシクロヘキシルオキシ基、4-
エチルシクロヘキシルオキシ基、2-n-プロピルシクロヘ
キルオキシ基、4-t-ブチルシクロヘキルオキシ基、アダ
マンタン-1-イルオキシ基、ボルネオル基等が挙げられ
る。

【００２３】Ｘは炭素数７以上のアルコキシ基である
が、炭素数７〜１２の直鎖、分岐或いは環状のアルコキ
シ基が特に好ましい。

【００２４】アルコキシ基の具体例として2-メチルヘキ
サン-2-イルオキシ基、2,4-ジメチルペンタン-3-イルオ
キシ基、1,1-ジメチルペンタン-1-イルオキシ基、2,2-
ジメチルヘキサン-3-イルオキシ基、2,3-ジメチルヘキ
サン-2-イルオキシ基、2,5-ジメチルヘキサン-2-イルオ
キシ基、2,5-ジメチルヘキサン-3-イルオキシ基、3,4-
ジメチルヘキサン-3-イルオキシ基、3,5-ジメチルヘキ
サン-3-イルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、2-
メチルヘプトキシ基、2-メチルヘプタン-2-イルオキシ
基、3-メチルヘプタン-3-イルオキシ基、4-メチルヘプ
タン-3-イルオキシ基、4-メチルヘプタン-4-イルオキシ
基、2-メチルオクタン-3-イルオキシ基、n-ドデシルオ
キシ基、シクロヘキシルオキシ基、4-メチルシクロヘキ
シルオキシ基、4-エチルシクロヘキシルオキシ基、2-n-
プロピルシクロヘキルオキシ基、4-t-ブチルシクロヘキ
ルオキシ基、アダマンタン-1-イルオキシ基、ボルネオ
ル基等が挙げられる。

【００２５】Ｘがアルコキシアルコキシ基であるものと
しては総炭素数２〜１２の直鎖或いは分岐のアルコキシ
アルコキシ基が好ましく、総炭素数２〜８の直鎖或いは
分岐のアルコキシアルコキシ基が特に好ましい。

【００２６】これらアルコキシアルコキシ基の具体例と
しては2-メトキシエトキシ基、1-メトキシブタン-2-イ
ルオキシ基、1-メトキシブタン-1-イルオキシ基、1-メ
トキシプロパン-2-イルオキシ基、2-（2-メトキシエト
キシ)エトキシ基、2-エトキシエトキシ基、2-（エトキ
シエトキシ)エトキシ基、2-エトキシプロパン-2-イルオ
キシ基、2-iso-プロポキシエトキシ基、2-ブトキシエト
キシ基、2-iso-ブトキシエトキシ基、2-t-ブトキシエト
キシ基、2-（2-ブトキシエトキシ)エトキシ基等が挙げ
られる。

【００２７】Ｘがアルキルチオアルコキシ基であるもの
としては総炭素数２〜１２の直鎖或いは分岐のアルキル
チオアルコキシ基が好ましく、総炭素数２〜８の直鎖或
いは分岐のアルキルチオアルコキシ基が特に好ましい。

【００２８】これらアルキルチオアルコキシ基の具体例
としては2-メチルチオエトキシ基、2-エチルチオエトキ
シ基、2-n-プロピルチオエトキシ基、2-iso-プロピルチ
オエトキシ基、2-n-ブチルチオエトキシ基、2-iso-ブチ
ルチオエトキシ基、3-メチルチオプロポキシ基、4-エチ
ルチオブトキシ基、4-ブチルチオブトキシ基等が挙げら
れる。

【００２９】Ｘがジアルキルアミノアルコキシ基である
ものとしては総炭素数３〜１２の直鎖或いは分岐のジア
ルキルアミノアルコキシ基が好ましく、総炭素数３〜８
の直鎖或いは分岐のジアルキルアミノアルコキシ基が特
に好ましい。

【００３０】これらジアルキルアミノアルコキシ基の具
体例としては2-ジメチルアミノエトキシ基、2-（2-ジメ
チルアミノエトキシ)エトキシ基、4-ジメチルアミノブ
トキシ基、1-ジメチルアミノプロパン-2-イルオキシ
基、2-ジエチルアミノエトキシ基、2-（2-ジエチルアミ
ノエトキシ)エトキシ基、3-ジエチルアミノプロポキシ
基、1-ジエチルアミノプロポキシ基、2-ジ-iso-プロピ
ルアミノエトキシ基、2-ジ-n-ブチルアミノエトキシ基
が挙げられる。

【００３１】Ｙの具体例としては塩素原子、臭素原子、
沃素原子、フッ素原子等が挙げられる。好ましくは、臭
素原子、沃素原子、フッ素原子が挙げられる。

【００３２】一般式（１）で示されるサブフタロシアニ
ン化合物の具体例としては、表−１に示す置換基を有す
る化合物が挙げられる。

【００３３】

【表１】

【００３４】

【表２】

【００３５】

【表３】

【００３６】

【表４】

【００３７】

【表５】

【００３８】

【表６】

【００３９】

【表７】

【００４０】

【表８】

【００４１】

【表９】

【００４２】本発明の一般式（１）で示されるサブフタ
ロシアニン化合物は、例えば以下のような２段階反応に
て製造することができる。

【００４３】

【化３】

【００４４】〔式中、Ｒはアルキル基又はアルコキシ基
を示し、Ｘは炭素数７以上のアルコキシ基、アルコキシ
アルコキシ基、アルキルチオアルコキシ基又はジアルキ
ルアミノアルコキシ基を示し、Ｙはハロゲン原子を示
し、ｍ、ｎは０〜４の整数を示し、且つｍ＋ｎは０〜４
である。〕

【００４５】まず第一段階では下記一般式（２）で示さ
れるフタロニトリル化合物とホウ素ハロゲン化物とを適
当な溶媒中で反応して、下記一般式（３）で示されるホ
ウ素原子にハロゲン原子が配位したサブフタロシアニン
化合物を得る。次いで第二段階では一般式（３）のサブ
フタロシアニン化合物と一般式（４）で示されるアルコ
−ル類とを反応させて、ホウ素原子にＸが配位した一般
式（１）で表されるサブフタロシアニン化合物を得る。

【００４６】

【化４】

【００４７】

【化５】

【００４８】

【化６】Ｘ−ＯＨ （４） 〔式（２）、式（３）、式（４）において、Ｒ、Ｘ、
Ｙ、ｍ、ｎは前記と同じであり、Ｚはハロゲン原子を示
す。〕

【００４９】第一段階において、ホウ素ハロゲン化物と
しては、三臭化ホウ素、三塩化ホウ素、三フッ化ホウ
素、三ヨウ化ホウ素がある。ホウ素ハロゲン化物の使用
量はフタロニトリル化合物に対して０．３〜２倍モル、
好ましくは、０．３５〜１倍モルである。

【００５０】溶媒としてはトリクロロベンゼン、ジクロ
ロベンゼン、クロロナフタレン、ニトロベンゼン、スル
フォラン、キノリン等の高沸点溶媒がある。

【００５１】反応温度は１００〜３００℃、好ましくは
１５０〜２５０℃である。反応時間は、３０分〜１０時
間が好ましい。

【００５２】第一段階のサブフタロシアニン化合物の形
成の反応を促進させるために塩基を使用することも可能
である。塩基としては、ピリジン、ピコリン、トリエチ
ルアミン、Ｎ−メチルピロリドン、１，５−ジアザビシ
クロ〔５，４，０〕ウンデセン（ＤＢＵ）等の有機塩基
が挙げられる。

【００５３】次いで第二段階では第一段階の反応混合物
をそのまま使用することができる。第二段階において、
アルコ−ル類としては、2-メチル-2-ヘキサノ-ル、2,4-
ジメチル-3-ペンタノール、1,1-ジメチル-1-ペンタノー
ル、2,2-ジメチル-3-ヘキサノール、2,5-ジメチル-2-ヘ
キサノール、2,5-ジメチル-3-ヘキサノール、2-エチル-
1-ヘキサノール、2-メチルヘプタノール、2-メチル-2-
ヘプタノール、3-メチル-3-ヘプタノール、4-メチル-4-
ヘプタノール、2-メチル-3-オクタノール、2-メトキエ
タノール、1-メトキ-2-ブタノール、1-メトキ-1-ブタノ
ール、1-メトキ-2-プロパノール、2-（2-メトキシエト
キシ)エタノール、2-エトキシエタノール、2-（エトキ
シエトキシ)エタノール、1-エトキ-2-プロパノール、2-
iso-プロピルオキシエタノール、2-ブトキシエタノー
ル、2-iso-ブトキシエタノール、2-tert-ブトキシエタ
ノール、2-（2-ブトキシエトキシ)エタノール、2-ジメ
チルアミノエタノール、2-（2-ジメチルアミノエトキ
シ)エタノール、4-ジメチルアミノ-1-ブタノール、1-ジ
メチルアミノ-2-プロパノール、3-ジメチルアミノ-1-プ
ロパノール、2-ジメチルアミノ-2-メチル-1-プロパノー
ル、2-ジエチルアミノエタノール、2-（2-ジエチルアミ
ノエトキシ)エタノール、3-ジエチルアミノプロパノー
ル、1-ジエチルアミノプロパノール、2-ジ-iso-プロピ
ルアミノエタノール、2-ジ-n-ブチルアミノエタノー
ル、2-メチルチオエタノール、2-エチルチオエタノー
ル、2-n-プロピルチオエタノール、2-iso-プロピルチオ
エタノール、2-n-ブチルチオエタノール、2-iso-ブチル
チオエタノール、1-アダマンタノール、2-アダマンタノ
ール、テトラハイドロフルフリルアルコール、ボルネオ
ール、1-メチルシクロヘキサノール、2-メチルシクロヘ
キサノール、3-メチルシクロヘキサノール、4-メチルシ
クロヘキサノール、2-エチルシクロヘキサノール、4-エ
チルシクロヘキサノール、2-n-プロピルシクロヘキサノ
ール、4-tert-ブチルシクロヘキサノール等が使用でき
る。

【００５４】またアルコールを反応して一般式（１）で
示されるサブフタロシアニン化合物を得る場合はベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素を溶媒とし
て併用してもよい。溶媒の使用量はフタロニトリル化合
物に対して０．１〜１００倍重量、好ましくは１〜５０
倍重量である。

【００５５】反応温度は５０〜１５０℃、好ましくは６
０〜１２０℃である。反応時間は、３０分〜２０時間が
好ましい。

【００５６】反応後、反応液より溶媒を溜去し、残渣を
再結晶或いはカラムクロマトグラフィーにより精製する
ことにより高純度の目的物を得ることができる。

【００５７】本発明の記録媒体の具体的構成について以
下に説明する。

【００５８】光記録媒体とは予め情報を記録されている
再生専用の光再生専用媒体及び情報を記録して再生する
ことのできる光記録媒体の両方を示すものである。但
し、ここでは適例として後者の情報を記録して再生ので
きる光記録媒体、特に基板上に記録層、反射層を有する
光記録媒体に関して説明する。この光記録媒体は図１に
示すような基板、記録層、反射層及び保護層が順次積層
している４層構造を有しているか、図２に示すような貼
り合わせ構造を有している。即ち、基板１’上に記録層
２’が形成されており、その上に密着して反射層３’が
設けられており、さらにその上に接着層４’を介して基
板５’が貼り合わされている。ただし、記録層２’の下
又は上に別の層があってもよく、反射層の上に別の層が
あってもかまわない。

【００５９】基板の材質としては、基本的には記録光及
び再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカー
ボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチ
ル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂
等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。こ
れらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成
形される。必要に応じて、基板表面に案内溝やピットを
形成することもある。このような案内溝やピットは、基
板の成形時に付与することが好ましいが、基板の上に紫
外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。通常Ｃ
Ｄとして用いる場合は、厚さ１．２ｍｍ程度、直径８０
ないし１２０ｍｍ程度の円盤状であり、中央に直径１５
ｍｍ程度の穴が開いている。

【００６０】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、λmaxが４５０〜６３０ｎｍ
付近に存在する一般式（１）で示されるサブフタロシア
ニン化合物を含有する。中でも、５２０ｎｍ〜６９０ｎ
ｍから選択される記録及び再生レーザー波長に対して適
度な光学定数（光学定数は複素屈折率（ｎ＋ｋｉ）で表
現される。式中のｎ，ｋは、実数部ｎと虚数部ｋに相当
する係数である。ここでは、ｎを屈折率、ｋを消衰係数
とする。）を有する必要がある。

【００６１】一般に有機色素は、波長λに対し、屈折率
ｎと消衰係数ｋが大きく変化する特徴がある。ｎが１．
８より小さい値になると正確な信号読み取りに必要な反
射率と信号変調度は得られず、ｋが０．４０を越えても
反射率が低下して良好な再生信号が得られないだけでな
く、再生光により信号が変化しやすくなり実用に適さな
い。この特徴を考慮して、目的とするレーザー波長にお
いて好ましい光学定数を有する有機色素を選択し記録層
を成膜することで、高い反射率を有し、且つ、感度の良
い媒体とすることができる。

【００６２】本発明の一般式（１）で表される化合物
は、通常の有機色素に比べ、吸光係数が高く、また置換
基の選択により吸収波長域を任意に選択できるため、前
記レーザー光の波長において記録層に必要な光学定数
（ｎが１．８以上、且つ、ｋが０．０４〜０．４０であ
り、好ましくは、ｎが２．０以上で、且つ、ｋが０．０
４〜０．２０）を満足する極めて有用な化合物である。

【００６３】本発明の光記録媒体を５２０ｎｍ〜６９０
ｎｍから選択されるレーザー光で再生する場合、基本的
には、反射率が２０％以上であれば一応可能ではある
が、３０％以上の反射率が好ましい。

【００６４】また、記録特性などの改善のために、波長
４５０〜６３０ｎｍに吸収極大を有し、５２０〜６９０
ｎｍでの屈折率が大きい前記以外の色素と混合してもよ
い。具体的には、シアニン色素、スクアリリウム系色
素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、ポル
フィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系色素、イ
ンドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チオピリリ
ウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニルメタン
系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色素、イン
ジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニン系色
素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系
色素等があり、複数の色素の混合であってもよい。これ
らの色素の混合割合は、０．１〜３０％程度である。

【００６５】記録層を成膜する際に、必要に応じて前記
の色素に、クエンチャー、色素分解促進剤、紫外線吸収
剤、接着剤等を混合するか、あるいは、そのような効果
を有する化合物を前記色素の置換基として導入すること
も可能である。

【００６６】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系等のビスジチオール系、チオカテコ
ール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビスフェ
ノレート系等の金属錯体が好ましい。また、アミン系も
好適である。

【００６７】熱分解促進剤としては、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナート系金属錯体等の金属化合物が挙げられる。

【００６８】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤等を併用することもできる。好ましい
バインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケ
トン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタン
樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリ
オレフィン等が挙げられる。

【００６９】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度等を向上させるために、基
板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良い。
ここで、記録層における一般式（１）で示されるサブフ
タロシアニン化合物の含有量は、３０％以上、好ましく
は６０％以上である。尚、実質的に１００％であること
も好ましい。

【００７０】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法等の塗布法、
スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる
が、スピンコート法が簡便で好ましい。

【００７１】スピンコート法等の塗布法を用いる場合に
は、一般式（１）で示されるサブフタロシアニン化合物
を１〜４０重量％、好ましくは３〜３０重量％となるよ
うに溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用いるが、
この際、溶媒は基板にダメージを与えないものを選ぶこ
とが好ましい。例えば、メタノール、エタノール、イソ
プロピルアルコール、オクタフルオロペンタノール、ア
リルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブ、テトラフルオロプロパノール等のアルコール系溶
媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘ
キサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサ
ン、ジメチルシクロヘキサン等の脂肪族又は脂環式炭化
水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族
炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラク
ロロエタン、ジブロモエタン等のハロゲン化炭化水素系
溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプ
ロピルエーテル、ジオキサン等のエーテル系溶媒、アセ
トン、3-ヒドロキシ-3-メチル-2-ブタノン等のケトン系
溶媒、酢酸エチル、乳酸メチル等のエステル系溶媒、水
などが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、或
いは、複数混合して用いてもよい。

【００７２】なお、必要に応じて、記録層の色素を高分
子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。

【００７３】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。

【００７４】色素層の膜厚は、特に限定するものではな
いが、好ましくは５０〜３００ｎｍである。色素層の膜
厚を５０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きいため記録
出来ないか、記録信号に歪みが発生する上、信号振幅が
小さくなる。また、膜厚が３００ｎｍより厚い場合は反
射率が低下し、再生信号特性が悪化する。

【００７５】次に記録層の上に、好ましくは、厚さ５０
〜３００ｎｍの反射層を形成する。反射層の材料として
は、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａ
ｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔ
ａ、Ｃｒ及びＰｄの金属を単独あるいは合金にして用い
ることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反
射率が高く反射層の材料として適している。これ以外で
も下記のものを含んでいてもよい。例えば、Ｍｇ、Ｓ
ｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金
属を挙げることができる。また、Ａｕを主成分としてい
るものは反射率の高い反射層が容易に得られるため好適
である。ここで主成分というのは含有率が５０％以上の
ものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率
薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として
用いることも可能である。

【００７６】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーテイング法、化学蒸着法、真
空蒸着法等が挙げられる。また、基板の上や反射層の下
に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上等のた
めに公知の無機系又は有機系の中間層、接着層を設ける
こともできる。

【００７７】さらに、反射層の上の保護層の材料として
は反射層を外力から保護するものであれば特に限定しな
い。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げることがで
きる。また、無機物質としては、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ₄、Ｍ
ｇＦ₂、ＳｎＯ₂等が挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂などは適当な溶剤に溶解して塗布液を塗布し、乾
燥することによって形成することができる。ＵＶ硬化性
樹脂は、そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布液
を調製した後にこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して
硬化させることによって形成することができる。ＵＶ硬
化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エ
ポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどの
アクリレート樹脂を用いることができる。これらの材料
は単独であるいは混合して用いてもよいし、１層だけで
なく多層膜にして用いてもよい。

【００７８】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、この中でも
スピンコート法が好ましい。

【００７９】保護層の膜厚は、一般には０．１〜１００
μｍの範囲であるが、本発明においては、３〜３０μｍ
であり、好ましくは５〜２０μｍがより好ましい。

【００８０】保護層の上に更にレーベル等の印刷を行う
こともできる。

【００８１】また、反射層面に保護シート又は基板を貼
り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向させ
光記録媒体２枚を貼り合わせる等の手段を用いてもよ
い。基板鏡面側に、表面保護やゴミ等の付着防止のため
に紫外線硬化樹脂、無機系薄膜等を成膜してもよい。

【００８２】本発明でいう波長５２０〜６９０ｎｍのレ
ーザーは、特に限定はないが、例えば、可視領域の広範
囲で波長選択のできる色素レーザーや波長６３３ｎｍの
ヘリウムネオンレーザー、最近開発されている波長６８
０、６５０、６３５ｎｍ付近の高出力半導体レーザー、
波長５３２ｎｍの高調波変換ＹＡＧレーザーなどが挙げ
られる。本発明では、これらから選択される一波長又は
複数波長において高密度記録及び再生が可能となる。

【００８３】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらの実施例により何ら限定されるものではない。

【００８４】実施例１ サブフタロシアニン化合物（表
−１に於ける化合物（２））の合成 フタロニトリル１０．２ｇと1-クロロナフタレン２４ｍ
ｌを混合した後、これに臭化ホウ素のn-ヘキサン溶液
（０．１Ｍ)４１ｍｌを−５〜−３℃にて１時間を要し
て滴下し、更に同温にて３０分間攪拌した。次いでn-ヘ
キサンを溜去しながら昇温し、１５５〜１６５℃にて２
時間攪拌した。冷却後、n-オクタノール３０ｍｌ及びト
ルエン５０ｍｌを添加し、３０分間攪拌還流した。更に
トルエン３００ｍｌを加え、抽出した後、濾過し、濾液
より溶媒を溜去した。残渣をカラムクロマトグラフィー
（シリカゲル／トルエン）にて精製し、１．２ｇの下記
構造式で示されるサブフタロシアニン化合物を赤色粉末
として得た。

【００８５】

【化７】

【００８６】下記分析結果より目的物であることを確認
した。

【００８７】

【表１０】元素分析値（Ｃ₃₂Ｈ₂₉Ｎ₆ＯＢ）：

【００８８】このようにして得られた化合物はトルエン
溶液中にて５６１ｎｍ極大吸収を示し、グラム吸光係数
は１．７２×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍを示した。

【００８９】実施例２ サブフタロシアニン化合物（表
−１に於ける化合物（３））の合成 フタロニトリル１０．２ｇと1-クロロナフタレン２４ｍ
ｌを混合した後、これに臭化ホウ素のn-ヘキサン溶液
（０．１Ｍ)４１ｍｌを−５〜−３℃にて１時間を要し
て滴下し、更に同温にて３０分間攪拌した。次いでn-ヘ
キサンを溜去しながら昇温し、１５５〜１６５℃にて２
時間攪拌した。冷却後、2,4-ジメチル-3-ペンタノール
３０ｍｌ及びトルエン５０ｍｌを添加し、３０分間攪拌
還流した。更にトルエン３００ｍｌを加え、抽出した
後、濾過し、濾液より溶媒を溜去した。残渣をカラムク
ロマトグラフィー（シリカゲル／トルエン）にて精製
し、２．１ｇの下記構造式で示されるサブフタロシアニ
ン化合物を赤色粉末として得た。

【００９０】

【化８】

【００９１】下記分析結果より目的物であることを確認
した。

【００９２】

【表１１】元素分析値（Ｃ₃₁Ｈ₂₇Ｎ₆ＯＢ）：

【００９３】実施例３ サブフタロシアニン化合物（表
−１に於ける化合物（２５））の合成 フタロニトリル
１０．２ｇと1-クロロナフタレン２４ｍｌを混合した
後、これに臭化ホウ素のn-ヘキサン溶液（０．１Ｍ)４
１ｍｌを−５〜−３℃にて１時間を要して滴下し、更に
同温にて３０分間攪拌した。次いでn-ヘキサンを溜去し
ながら昇温し、１５５〜１６５℃にて２時間攪拌した。
冷却後、1-アダマンタノール２４．４ｇ及びトルエン５
０ｍｌを添加し、３０分間攪拌還流した。更にトルエン
３００ｍｌを加え、抽出した後、濾過し、濾液より溶媒
を溜去した。残渣をカラムクロマトグラフィー（シリカ
ゲル／トルエン）にて精製し、２．５ｇの下記構造式で
示されるサブフタロシアニン化合物を赤色粉末として得
た。

【００９４】

【化９】

【００９５】下記分析結果より目的物であることを確認
した。

【００９６】

【表１２】元素分析値（Ｃ₃₄Ｈ₂₇Ｎ₆ＯＢ）：

【００９７】このようにして得られた化合物はトルエン
溶液中にて５６１ｎｍ極大吸収を示し、グラム吸光係数
は１．６５×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍを示した。

【００９８】実施例４ サブフタロシアニン化合物（表
−１に於ける化合物（３９））の合成 4-メチルフタロ
ニトリル１１．４ｇと1-クロロナフタレン２４ｍｌを混
合した後、これに臭化ホウ素のn-ヘキサン溶液（０．１
Ｍ)４１ｍｌを−５〜−３℃にて１時間を要して滴下
し、更に同温にて３０分間攪拌した。次いでn-ヘキサン
を溜去しながら昇温し、１５５〜１６５℃にて２時間攪
拌した。冷却後、2-エチルヘキサノール３０ｍｌ及びト
ルエン５０ｍｌを添加し、３０分間攪拌還流した。更に
トルエン３００ｍｌを加え、抽出した後、濾過し、濾液
より溶媒を溜去した。残渣をカラムクロマトグラフィー
（シリカゲル／トルエン）にて精製し、１．８ｇの下記
構造式で示されるサブフタロシアニン化合物及びその異
性体を赤色粉末として得た。

【００９９】

【化１０】

【０１００】下記分析結果より目的物であることを確認
した。

【０１０１】

【表１３】元素分析値（Ｃ₃₅Ｈ₃₅Ｎ₆ＯＢ）：

【０１０２】このようにして得られた化合物はトルエン
溶液中にて５６５ｎｍ極大吸収を示し、グラム吸光係数
は１．７６×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍを示した。

【０１０３】実施例５ サブフタロシアニン化合物（表
−１に於ける化合物（７９））の合成 4-tert-ブチル
フタロニトリル１４．７ｇと1-クロロナフタレン２４ｍ
ｌを混合した後、これに臭化ホウ素のn-ヘキサン溶液
（０．１Ｍ)４１ｍｌを−５〜−３℃にて１時間を要し
て滴下し、更に同温にて３０分間攪拌した。次いでn-ヘ
キサンを溜去しながら昇温し、１５５〜１６５℃にて２
時間攪拌した。冷却後、n-ヘプタノール３０ｍｌ及びト
ルエン５０ｍｌを添加し、３０分間攪拌還流した。更に
トルエン３００ｍｌを加え、抽出した後、濾過し、濾液
より溶媒を溜去した。残渣をカラムクロマトグラフィー
（シリカゲル／トルエン）にて精製し、３．６ｇの下記
構造式で示されるサブフタロシアニン化合物及びその異
性体を赤色粉末として得た。

【０１０４】

【化１１】

【０１０５】下記分析結果より目的物であることを確認
した。

【０１０６】

【表１４】元素分析値（Ｃ₄₃Ｈ₅₁Ｎ₆ＯＢ）：

【０１０７】このようにして得られた化合物はトルエン
溶液中にて５６５ｎｍ極大吸収を示し、グラム吸光係数
は２．０６×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍを示した。

【０１０８】実施例６ サブフタロシアニン化合物（表
−１に於ける化合物（１３６))の合成） 4-n-ブトキシフタロニトリル１６．０ｇと1-クロロナフ
タレン２４ｍｌを混合した後、これに臭化ホウ素のn-ヘ
キサン溶液（０．１Ｍ)４１ｍｌを−５〜−３℃にて１
時間を要して滴下し、更に同温にて３０分間攪拌した。
次いでn-ヘキサンを溜去しながら昇温し、１５５〜１６
５℃にて２時間攪拌した。冷却後、2-オクタノール３０
ｍｌ及びトルエン５０ｍｌを添加し、３０分間攪拌還流
した。更にトルエン３００ｍｌを加え、抽出した後、濾
過し、濾液より溶媒を溜去した。残渣をカラムクロマト
グラフィー（シリカゲル／トルエン）にて精製し、２．
８ｇの下記構造式で示されるサブフタロシアニン化合物
及びその異性体を赤色粉末として得た。

【０１０９】

【化１２】

【０１１０】下記分析結果より目的物であることを確認
した。

【０１１１】

【表１５】元素分析値（Ｃ₄₄Ｈ₅₃Ｎ₆ＯＢ）：

【０１１２】このようにして得られた化合物はトルエン
溶液中にて５７４ｎｍ極大吸収を示し、グラム吸光係数
は１．３６×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍを示した。

【０１１３】実施例７ サブフタロシアニン化合物（表
−１に於ける化合物（１５６))の合成 3-（2,4-ジメチ
ルペンチル-3-イル)オキシフタロニトリル１９．３ｇと
1-クロロナフタレン２４ｍｌを混合した後、これに臭化
ホウ素のn-ヘキサン溶液（０．１Ｍ)４１ｍｌを−５〜
−３℃にて１時間を要して滴下し、更に同温にて３０分
間攪拌した。次いでn-ヘキサンを溜去しながら昇温し、
１５５〜１６５℃にて２時間攪拌した。冷却後、n-オク
タノール３０ｍｌ及びトルエン５０ｍｌを添加し、３０
分間攪拌還流した。更にトルエン３００ｍｌを加え、抽
出した後、濾過し、濾液より溶媒を溜去した。残渣をカ
ラムクロマトグラフィー（シリカゲル／トルエン）にて
精製し、１．１ｇの下記構造式で示されるサブフタロシ
アニン化合物及びその異性体を赤色粉末として得た。

【０１１４】

【化１３】

【０１１５】下記分析結果より目的物であることを確認
した。

【０１１６】

【表１６】元素分析値（Ｃ₅₄Ｈ₇₃Ｎ₆ＯＢ）：

【０１１７】このようにして得られた化合物はトルエン
溶液中にて５９６ｎｍ極大吸収を示し、グラム吸光係数
は１．５３×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍを示した。

【０１１８】実施例８ サブフタロシアニン化合物（表
−１に於ける化合物（１２））の合成 フタロニトリル
１０．２ｇと1-クロロナフタレン２４ｍｌを混合した
後、これに臭化ホウ素のn-ヘキサン溶液（０．１Ｍ)４
１ｍｌを−５〜−３℃にて１時間を要して滴下し、更に
同温にて３０分間攪拌した。次いでn-ヘキサンを溜去し
ながら昇温し、１５５〜１６５℃にて２時間攪拌した。
冷却後、2-n-ブトキシエタノール３０ｍｌ及びトルエン
５０ｍｌを添加し、３０分間攪拌還流した。更にトルエ
ン３００ｍｌを加え、抽出した後、濾過し、濾液より溶
媒を溜去した。残渣をカラムクロマトグラフィー（シリ
カゲル／トルエン）にて精製し、２．２ｇの下記構造式
で示されるサブフタロシアニン化合物を赤色粉末として
得た。

【０１１９】

【化１４】

【０１２０】下記分析結果より目的物であることを確認
した。

【０１２１】

【表１７】元素分析値（Ｃ₃₀Ｈ₂₅Ｎ₆ＯＢ）：

【０１２２】このようにして得られた化合物はトルエン
溶液中にて５６１ｎｍ極大吸収を示し、グラム吸光係数
は１．８３×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍを示した。

【０１２３】実施例９ サブフタロシアニン化合物（表
−１に於ける化合物（１４））の合成 フタロニトリル
１０．２ｇと1-クロロナフタレン２４ｍｌを混合した
後、これに臭化ホウ素のn-ヘキサン溶液（０．１Ｍ)４
１ｍｌを−５〜−３℃にて１時間を要して滴下し、更に
同温にて３０分間攪拌した。次いでn-ヘキサンを溜去し
ながら昇温し、１５５〜１６５℃にて２時間攪拌した。
冷却後、2-ジメチルアミノエタノール３０ｍｌ及びトル
エン５０ｍｌを添加し、３０分間攪拌還流した。更にト
ルエン３００ｍｌを加え、抽出した後、濾過し、濾液よ
り溶媒を溜去した。残渣をカラムクロマトグラフィー
（シリカゲル／トルエン）にて精製し、３．１ｇの下記
構造式で示されるサブフタロシアニン化合物を赤色粉末
として得た。

【０１２４】

【化１５】

【０１２５】下記分析結果より目的物であることを確認
した。

【０１２６】

【表１８】元素分析値（Ｃ₂₈Ｈ₂₂Ｎ₆ＯＢ）：

【０１２７】このようにして得られた化合物はトルエン
溶液中にて５６１ｎｍ極大吸収を示し、グラム吸光係数
は１．７３×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍを示した。

【０１２８】実施例１０サブフタロシアニン化合物（表
−１に於ける化合物（１９))の合成 フタロニトリル１０．２ｇと1-クロロナフタレン２４ｍ
ｌを混合した後、これに臭化ホウ素のn-ヘキサン溶液
（０．１Ｍ)４１ｍｌを−５〜−３℃にて１時間を要し
て滴下し、更に同温にて３０分間攪拌した。次いでn-ヘ
キサンを溜去しながら昇温し、１５５〜１６５℃にて２
時間攪拌した。冷却後、2-メチルチオエタノール３０ｍ
ｌ及びトルエン５０ｍｌを添加し、３０分間攪拌還流し
た。更にトルエン３００ｍｌを加え、抽出した後、濾過
し、濾液より溶媒を溜去した。残渣をカラムクロマトグ
ラフィー（シリカゲル／トルエン）にて精製し、３．１
ｇの下記構造式で示されるサブフタロシアニン化合物を
赤色粉末として得た。

【０１２９】

【化１６】

【０１３０】下記分析結果より目的物であることを確認
した。

【０１３１】

【表１９】元素分析値（Ｃ₂₇Ｈ₁₉Ｎ₆ＯＳＢ）：

【０１３２】このようにして得られた化合物はトルエン
溶液中にて５６１ｎｍ極大吸収を示し、グラム吸光係数
は１．８１×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍを示した。

【０１３３】実施例１１ サブフタロシアニン化合物（２）０．２ｇをジメチルシ
クロヘキサン１０ｍｌに溶解し、色素溶液を調製した。
基板は、ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（ト
ラックピッチ：０．８μｍ）を有する直径１２０ｍｍ
φ、厚さ１．２ｍｍの円盤状のものを用いた。

【０１３４】この基板上に色素溶液を回転数１５００ｒ
ｐｍでスピンコートし、７０℃にて３時間乾燥して、記
録層を形成した。この記録層の吸収極大は５６８ｎｍで
あり、光学定数は、６８０ｎｍではｎが２．２、ｋは
０．０３であり、６５０ｎｍではｎが２．１、ｋは０．
０５であり、６３５ｎｍではｎが２．５、ｋは０．０６
である。

【０１３５】この記録層の上にバルザース社製スパッタ
装置（ＣＤＩ−９００）を用いてＡｕをスパッタし、厚
さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスには、
アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワ
ー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．０×１０^-2Ｔｏｒｒ
で行った。

【０１３６】さらに反射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−
１７（大日本インキ化学工業製）をスピンコートした
後、紫外線照射して厚さ６μｍの保護層を形成し、光記
録媒体を作製した。

【０１３７】得られた光記録媒体に、波長６３５ｎｍで
レンズの開口数が０．６の半導体レーザーヘッドを搭載
したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−
１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを
用いて、線速度３．５ｍ／ｓ、レーザーパワー８ｍＷで
最短ピット長０．４４μｍになるように記録した。記録
後、６５０ｎｍ及び６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッ
ド（レンズの開口数は０．６）を搭載した評価装置を用
いて信号を再生し、反射率、エラーレート及び変調度を
測定した結果、いずれも良好な値を示した。

【０１３８】次に６８０ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭
載したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ
−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダー
を用いて、線速度１．４ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍ
Ｗで最短ピット長０．６０μｍになるように記録した。
この記録した媒体を６８０ｎｍ、６５０ｎｍ及び６３５
ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック
工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）を用い
て信号を再生し、反射率、エラーレート及び変調度を測
定した。いずれも良好な値を示した。

【０１３９】このように、この媒体は複数のレーザー波
長で記録及び再生を良好に行うことが出来た。

【０１４０】なお、エラーレートはケンウッド社製ＣＤ
デコーダー（ＤＲ３５５２）を用いて計測し、変調度は
以下の式により求めた。

【０１４１】変調度＝｛（信号の最大強度）−（信号の
最小強度）｝／（信号の最大強度）

【０１４２】実施例１２ 基板にポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラ
ックピッチ：０．８μｍ）を有する直径１２０ｍｍφ、
厚さ０．６ｍｍの円盤状のものを用いる以外は実施例１
１と同様にして塗布及び反射層を形成した。

【０１４３】さらに反射層上に紫外線硬化性接着剤ＳＤ
−３０１（大日本インキ化学工業製）をスピンコート
し、その上にポリカーボネート樹脂製で直径１２０ｍｍ
φ、厚さ０．６ｍｍの円盤状基板を乗せた後、紫外線照
射して貼り合わせした光記録媒体を作製した。

【０１４４】作製した媒体に、０．６ｍｍ厚に対応した
６３５ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載している以外は
実施例１１と同様にパルステック工業製光ディスク評価
装置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭ
エンコーダーを用いて記録した。記録後、６５０ｎｍ及
び６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価
装置を用いて信号を再生し、反射率、エラーレート及び
変調度を測定した結果、いずれも良好な値を示した。

【０１４５】実施例１３〜２１ 表−１に記載したサブフタロシアニン化合物〔（３）、
（１２）、（１４）、（１９）、（２５）、（３９）、
（７９）、（１３６）、（１５６）〕を用いる以外は、
実施例１２と同様にして光記録媒体を作製した。作製し
た媒体に実施例１２と同様に６３５ｎｍ半導体レーザー
ヘッドを搭載したパルステック工業製光ディスク評価装
置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエ
ンコーダーを用いて記録した。記録後、６５０ｎｍ及び
６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装
置を用いて信号を再生し、反射率、エラーレート及び変
調度を測定した結果、いずれも良好な値を示した。

【０１４６】実施例２２ 化合物（１４）と塗布溶媒にジアセトンアルコールを用
いる以外は実施例１２と同様に６３５ｎｍ半導体レーザ
ーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディスク評価
装置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭ
エンコーダーを用いて記録した。記録後、６５０ｎｍ及
び６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価
装置を用いて信号を再生し、反射率、エラーレート及び
変調度を測定した結果、いずれも良好な値を示した。

【０１４７】比較例１ 実施例１２において、サブフタロシアニン化合物の代わ
りに、ペンタメチンシアニン色素ＮＫ−２９２９［1,3,
3,1',3',3'-ヘキサメチル-2',2'-（4,5,4',5'-ジベン
ゾ)インドジカルボシアニンパークロレート、日本感光
色素研究所製］を用いること以外は同様にして光記録媒
体を作製した。作製した媒体に実施例１２と同様に６３
５ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工
業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥ
ＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度３．
５ｍ／ｓ、レーザーパワー７ｍＷで記録した。記録後、
６５０ｎｍ及び６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを
搭載した評価装置を用いて信号を再生した結果、反射率
は低く、エラーレートは大きく、変調度も小さかった。
更に長時間再生していると信号が劣化した。

【０１４８】比較例２ 比較例１において、ＮＫ２９２９の代わりにトリメチン
シアニン色素ＮＫ７９［1,3,3,1',3',3'-ヘキサメチル-
2',2'-インドジカルボシアニンアイオダイド、日本感光
色素研究所製］を用いたこと以外は同様にして光記録媒
体を作製した。作製した媒体に実施例１２と同様に６３
５ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工
業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥ
ＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速度３．
５ｍ／ｓ、レーザーパワー７ｍＷで記録した。記録後、
６５０ｎｍ及び６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを
搭載した評価装置を用いて信号を再生した結果、波形が
歪み、エラーレートは大きく、変調度も小さかった。更
に長時間再生していると信号が劣化した。以上の実施例
１１〜２１及び比較例１〜２において、記録層の光学定
数及び各媒体を６３５ｎｍで記録して、６５０ｎｍ及び
６３５ｎｍで再生した時の反射率、エラーレート、変調
度を表−２にまとめて示す。

【０１４９】

【表２０】 *1 n; 屈折率 *2 k;消衰係数

【０１５０】

【表２１】 *1 n; 屈折率 *2 k;消衰係数

【０１５１】

【発明の効果】本発明のサブフタロシアニン化合物を記
録層中に用いることにより、高密度光記録媒体として非
常に注目されている波長５２０〜６９０ｎｍのレーザー
で記録再生が可能な追記型光記録媒体を提供することが
可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の光記録媒体及び本発明の層構成を示す模
式的断面構造図である。

【図２】本発明の光記録媒体の層構成を示す模式的断面
構造図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 記録層 ３ 反射層 ４ 保護層 １’基板 ２’記録層 ３’反射層 ４’接着層 ５’基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 澤野 文二 大阪府八尾市弓削町南一丁目43番地 山本 化成株式会社内 (72)発明者 熊谷 洋二郎 大阪府八尾市弓削町南一丁目43番地 山本 化成株式会社内 (72)発明者 西本 泰三 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 三沢 伝美 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）で示されるサブフタロ
   シアニン化合物。 【化１】 〔式中、Ｒはアルキル基又はアルコキシ基を示し、Ｘは
   炭素数７以上のアルコキシ基、アルコキシアルコキシ
   基、アルキルチオアルコキシ基又はジアルキルアミノア
   ルコキシ基を示し、Ｙはハロゲン原子を示し、ｍ、ｎは
   ０〜４の整数を示し、且つｍ＋ｎは０〜４である。〕
2. 【請求項２】 基板上に少なくとも記録層及び反射層を
   有する光記録媒体において、該記録層中に、請求項１記
   載のサブフタロシアニン化合物を含有する光記録媒体。
3. 【請求項３】 波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選択
   されるレーザー光に対して記録及び再生が可能である請
   求項２記載の光記録媒体。
4. 【請求項４】 レーザー波長において、記録層の屈折率
   が１．８以上、且つ、消衰係数が０．０４〜０．４であ
   る請求項２記載の光記録媒体。
5. 【請求項５】 波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選択
   されるレーザー光に対して、基板側から測定した反射率
   が２０％以上である請求項２〜４のいずれかに記載の光
   記録媒体。