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JPH10308383A - Vacuum processor and driving method for vacuum processor - Google Patents

Vacuum processor and driving method for vacuum processor

Info

Publication number
JPH10308383A
JPH10308383A JP11542097A JP11542097A JPH10308383A JP H10308383 A JPH10308383 A JP H10308383A JP 11542097 A JP11542097 A JP 11542097A JP 11542097 A JP11542097 A JP 11542097A JP H10308383 A JPH10308383 A JP H10308383A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure gauge
vacuum processing
pressure
processing chamber
comparative
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11542097A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoru Niifuku
悟 新福
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP11542097A priority Critical patent/JPH10308383A/en
Publication of JPH10308383A publication Critical patent/JPH10308383A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vacuum processor capable of preventing the damage on a pressure gage and improving a working rate. SOLUTION: In a vacuum processor 1 provided with a vacuum processing chamber 11 and a pressure gage 12 for measuring a pressure inside the vacuum processing chamber 11, a comparison pressure gage 13 is provided in the vacuum processing chamber 11 through a stop valve 17, a leakage means 19 is provided between the stop valve 17 and the comparison pressure gage 13, and an inert gas introduction pipe 20 is connected between the stop valve 17 and the comparison pressure gage 13. To the pressure gage 12 and the comparison pressure gage 13, an alarm part such as an alarm lamp 14d and an alarm buzzer 14e, etc., for annunciating an alarm in the case that the difference pressure of the pressure measured by the pressure gage 12 and the pressure measured by the comparison pressure gage 13 exceeds a set value is connected.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、真空処理装置及び
真空処理装置の駆動方法に関する。
The present invention relates to a vacuum processing apparatus and a method for driving the vacuum processing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の製造に使用するエッチング
装置では、真空処理室内に導入するガス種、ガス流量、
真空処理室内のガス圧力、及び印加電圧等のパラメータ
を最適化することによって非処理基体の定量的なエッチ
ング加工を行なっている。特に、再現性の良いエッチン
グ加工を行うには、真空処理室内のガス圧力の制御が重
要なパラメータになっている。
2. Description of the Related Art In an etching apparatus used for manufacturing a semiconductor device, the kind of gas introduced into a vacuum processing chamber, the gas flow rate,
Quantitative etching of the non-processed substrate is performed by optimizing parameters such as gas pressure and applied voltage in the vacuum processing chamber. In particular, control of gas pressure in a vacuum processing chamber is an important parameter for performing etching with good reproducibility.

【0003】そこで、上記エッチング装置のように、真
空処理室内の正確な圧力制御が必要な真空処理装置に
は、真空処理室内の圧力を測定する圧力計が設けられて
いる。そして、真空処理室内の正確な圧力制御を行うに
は、この圧力計の定期的な点検が不可欠である。このた
め、上記真空処理装置を駆動する場合には、上記圧力計
を用いて所定圧力の真空状態に保たれた真空処理室内に
おいて非処理基体を処理する工程の他に、真空処理室内
を大気開放した状態で上記圧力計を点検する工程を行っ
ている。
[0003] Therefore, in a vacuum processing apparatus such as the above-mentioned etching apparatus which requires accurate pressure control in a vacuum processing chamber, a pressure gauge for measuring the pressure in the vacuum processing chamber is provided. In order to perform accurate pressure control in the vacuum processing chamber, periodic inspection of the pressure gauge is indispensable. Therefore, when driving the vacuum processing apparatus, in addition to the step of processing the non-processed substrate in the vacuum processing chamber maintained in a vacuum state at a predetermined pressure using the pressure gauge, the vacuum processing chamber is opened to the atmosphere. The process of checking the above pressure gauge is performed in a state where the pressure gauge is kept.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記真空処
理装置においては、上記圧力計の点検を行う都度に、真
空処理室内が真空状態から大気圧状態に変動する。この
ため、圧力計には大きな気圧変動の負担が掛かり、これ
が圧力計の故障を引き起こす要因になっている。特に、
真空処理室内で反応性ガスを使用する上記エッチング装
置のような真空処理装置では、反応性ガスによる腐食の
影響を受けにくいキャパシタンス・マノメータを圧力計
として用いている。このキャパシタンス・マノメータ
は、他の圧力計と比較して上記気圧変動の影響を受けや
すくまた高価である。したがって、エッチング装置にお
いては、圧力計の保守管理に多大な費用が掛かる。
However, in the vacuum processing apparatus, every time the pressure gauge is checked, the vacuum processing chamber changes from a vacuum state to an atmospheric pressure state. For this reason, the pressure gauge is subjected to a large pressure fluctuation, which is a factor that causes a failure of the pressure gauge. Especially,
In a vacuum processing apparatus such as the above-described etching apparatus using a reactive gas in a vacuum processing chamber, a capacitance manometer which is hardly affected by corrosion by the reactive gas is used as a pressure gauge. This capacitance manometer is more susceptible to the above-mentioned pressure fluctuation and more expensive than other pressure gauges. Therefore, in the etching apparatus, a large cost is required for maintenance and management of the pressure gauge.

【0005】そして、圧力計の点検を行う際には、真空
処理室内において非処理基体の処理を行うことができな
い。また、大気圧に開放された真空処理室内を所定の真
空状態にまで再び減圧するにはある程度の時間を要す
る。これは、真空処理装置の稼働率を低下させる要因に
なっている。
[0005] When the pressure gauge is inspected, the non-processed substrate cannot be processed in the vacuum processing chamber. In addition, it takes a certain amount of time to reduce the pressure of the vacuum processing chamber opened to the atmospheric pressure again to a predetermined vacuum state. This causes a reduction in the operation rate of the vacuum processing apparatus.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の真空処理装置は、真空処理室と当該真空処理
室内の圧力を測定する圧力計とを有する真空処理装置に
おいて、比較圧力計を設けたことを特徴としている。上
記比較圧力計は、開閉弁を介して真空処理室に設けら
れ、開閉弁と比較圧力計との間にはリーク手段が備えら
れている。さらに、開閉弁と比較圧力計との間には、不
活性ガス導入管を接続させた。また、この真空処理装置
の圧力計と比較圧力計とには、それぞれで測定された圧
力の差圧が設定値を越えた場合に警報を発する警報部を
接続させた。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a vacuum processing apparatus comprising a vacuum processing chamber and a pressure gauge for measuring a pressure in the vacuum processing chamber. It is characterized by having provided. The comparative pressure gauge is provided in the vacuum processing chamber via an on-off valve, and a leak unit is provided between the on-off valve and the comparative pressure gauge. Further, an inert gas introduction pipe was connected between the on-off valve and the comparative pressure gauge. Further, the pressure gauge and the comparative pressure gauge of the vacuum processing apparatus were connected to an alarm unit for issuing an alarm when the pressure difference between the measured pressures exceeded a set value.

【0007】上記真空処理装置では、上記開閉弁が閉じ
られ上記リーク手段が開かれた状態では、上記圧力計が
設けられた真空処理室とは独立した状態で上記比較圧力
計が大気圧に開放される。このため、真空処理室内の圧
力を測定する圧力計に気圧変動の影響を及ぼすことな
く、大気圧中において比較圧力計の校正が行われる。ま
た、上記開閉弁が開かれた状態では、上記比較圧力計が
上記真空処理室内と同一の圧力状態に晒される。このた
め、上記圧力計と上記比較圧力計とによって真空処理室
内の圧力が測定される。したがって、正確に校正された
比較圧力計で測定された真空処理室内の圧力と、上記圧
力計で測定された真空処理室内の圧力とを比較すること
で、当該圧力計の点検が行われる。
In the vacuum processing apparatus, when the on-off valve is closed and the leak means is opened, the comparative pressure gauge is opened to the atmospheric pressure independently of the vacuum processing chamber provided with the pressure gauge. Is done. For this reason, the calibration of the comparative pressure gauge is performed at atmospheric pressure without affecting the pressure gauge for measuring the pressure in the vacuum processing chamber due to the fluctuation in atmospheric pressure. When the on-off valve is open, the comparative manometer is exposed to the same pressure as in the vacuum processing chamber. For this reason, the pressure in the vacuum processing chamber is measured by the pressure gauge and the comparative pressure gauge. Therefore, the pressure gauge is checked by comparing the pressure in the vacuum processing chamber measured by the accurately calibrated comparative pressure gauge with the pressure in the vacuum processing chamber measured by the pressure gauge.

【0008】さらに、開閉弁と比較圧力計との間に不活
性ガス導入管を接続させたことで、比較圧力計が不活性
ガスに晒される。また、上記開閉弁が開かれた状態では
この不活性ガス導入管から真空処理室内に不活性ガスが
導入される。このため、比較圧力計に真空処理室内のガ
スが影響を及ぼすことが防止される。そして、圧力計及
び比較圧力計で測定された各圧力の差圧が設定値を越え
た場合に警報を発する警報部を接続させたことで、圧力
計または比較圧力計の測定異常が警報される。
Further, by connecting the inert gas introduction pipe between the on-off valve and the comparative pressure gauge, the comparative pressure gauge is exposed to the inert gas. When the on-off valve is open, an inert gas is introduced into the vacuum processing chamber from the inert gas introduction pipe. This prevents the gas in the vacuum processing chamber from affecting the comparative pressure gauge. Then, by connecting an alarm unit that issues an alarm when the differential pressure of each pressure measured by the pressure gauge and the comparative pressure gauge exceeds a set value, a measurement abnormality of the pressure gauge or the comparative pressure gauge is alerted. .

【0009】また、本発明の真空処理装置の駆動方法は
上記構成の真空処理装置の駆動方法である。すなわち、
上記開閉弁を閉じた後に上記リーク手段を開くことによ
って上記比較圧力計を大気圧に開放し、当該比較圧力計
の校正を行う。また、上記開閉弁を開くことによって上
記比較圧力計を上記真空処理室と同一の圧力状態に晒
し、当該真空処理室内の圧力を上記圧力計と比較圧力計
とで測定する。そして、測定された各圧力を比較して当
該圧力計の点検を行う。
Further, a method for driving a vacuum processing apparatus according to the present invention is a method for driving a vacuum processing apparatus having the above configuration. That is,
By opening the leaking means after closing the on-off valve, the comparative pressure gauge is opened to the atmospheric pressure and the comparative pressure gauge is calibrated. By opening the on-off valve, the comparative pressure gauge is exposed to the same pressure state as the vacuum processing chamber, and the pressure in the vacuum processing chamber is measured by the pressure gauge and the comparative pressure gauge. Then, the pressure gauges are checked by comparing the measured pressures.

【0010】上記真空処理装置の駆動方法では、比較圧
力計の校正は、真空処理室内の圧力を測定する圧力計に
気圧変動の影響を及ぼすことなく大気圧中において行わ
れる。また、上記圧力計の点検は、比較圧力計との圧力
測定値の比較によって行われる。したがって、圧力計を
大気圧に開放することなく、当該圧力計の点検が行われ
る。
In the driving method of the vacuum processing apparatus, the calibration of the comparative pressure gauge is performed at the atmospheric pressure without affecting the pressure gauge for measuring the pressure in the vacuum processing chamber. Inspection of the pressure gauge is performed by comparing a measured pressure value with a comparative pressure gauge. Therefore, the pressure gauge is checked without releasing the pressure gauge to the atmospheric pressure.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明の真空処理装置及び
真空処理装置の駆動方法の実施の形態を図面に基づいて
説明する。図1は、半導体装置の製造工程で用いられる
エッチング装置に適用した本発明の真空処理装置の構成
を示す図である。尚、本発明は、エッチング装置への適
用に限定されるものではなく、成膜装置や半導体装置の
製造工程以外で用いられる他の真空処理装置で圧力計の
点検を必要とするものに広く適用できるものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a vacuum processing apparatus and a method of driving the vacuum processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a vacuum processing apparatus of the present invention applied to an etching apparatus used in a manufacturing process of a semiconductor device. Note that the present invention is not limited to application to an etching apparatus, but is widely applied to a vacuum processing apparatus used in a process other than a film forming apparatus or a semiconductor device manufacturing process that requires a pressure gauge to be inspected. You can do it.

【0012】図に示すように、この真空処理装置1は、
真空処理室11と、圧力計12と、比較圧力計13と、
点検パネル14とを備えている。
As shown in the figure, this vacuum processing apparatus 1
A vacuum processing chamber 11, a pressure gauge 12, a comparative pressure gauge 13,
An inspection panel 14 is provided.

【0013】上記真空処理室11は、その内部で被処理
基体のエッチングが行われるものであり、排気手段15
と反応性ガスの導入手段16とが接続されている。ま
た、ここでは図示を省略したが、真空処理室11内に上
記非処理基体を搬入するための予備排気室が接続されて
いる。
The vacuum processing chamber 11 is used for etching a substrate to be processed inside the vacuum processing chamber 11.
And the reactive gas introducing means 16 are connected. Although not shown here, a preliminary exhaust chamber for carrying the non-processed substrate into the vacuum processing chamber 11 is connected.

【0014】また、上記圧力計12は、真空処理室11
内の圧力を測定する状態で、真空処理室11と連通させ
て設けられている。この圧力計12としては、例えば反
応性ガスによる腐食の影響を受けにくいキャパシタンス
・マノメータが用いられている。そして、ここでは図示
を省略した真空処理装置1の制御部に、この圧力計12
で測定された圧力信号が送信されるように構成されてい
る。
The pressure gauge 12 is connected to the vacuum processing chamber 11.
It is provided in communication with the vacuum processing chamber 11 in a state where the internal pressure is measured. As the pressure gauge 12, for example, a capacitance manometer that is hardly affected by corrosion by a reactive gas is used. The control unit of the vacuum processing apparatus 1 not shown here is provided with the pressure gauge 12.
Is configured to be transmitted.

【0015】さらに、上記比較圧力計13は、真空処理
室11内の圧力を測定する状態で、開閉弁17を備えた
配管18を介して真空処理室11と連通する状態で設け
られている。この比較圧力計13としては、例えばピラ
ニゲージのような安価な圧力計やその他の圧力計が用い
られる。また、比較圧力計13と開閉弁17との間の配
管18には、開閉弁19を介して不活性ガス導入管20
が接続されている。この不活性ガス導入管20から導入
されるガスとしては、例えば窒素(N2 )ガスを用いる
こととする。
Further, the comparative pressure gauge 13 is provided in a state of measuring the pressure in the vacuum processing chamber 11 and communicating with the vacuum processing chamber 11 via a pipe 18 provided with an on-off valve 17. As the comparative pressure gauge 13, an inexpensive pressure gauge such as a Pirani gauge or another pressure gauge is used. In addition, a pipe 18 between the comparative pressure gauge 13 and the on-off valve 17 is provided with an inert gas introduction pipe 20 through an on-off valve 19.
Is connected. As the gas introduced from the inert gas introduction pipe 20, for example, a nitrogen (N 2 ) gas is used.

【0016】尚、真空処理室11内での処理に腐食性の
反応性ガスが用いられない場合には、必ずしも不活性ガ
ス導入管20を設ける必要はない。また、ここでは、上
記開閉弁19が請求項に示すリーク手段になっている。
そこで、ここでは開閉弁19をリーク手段19と記す。
ただし、このリーク手段19は、不活性ガス導入管20
の開閉弁19とは別に配管18に設けても良い。
When a corrosive reactive gas is not used for the processing in the vacuum processing chamber 11, it is not always necessary to provide the inert gas introduction pipe 20. Further, here, the on-off valve 19 is a leak means described in the claims.
Therefore, here, the on-off valve 19 is referred to as leak means 19.
However, this leak means 19 is provided with an inert gas introduction pipe 20.
May be provided in the pipe 18 separately from the on-off valve 19.

【0017】そして、上記点検パネル14は、圧力計1
2で測定された圧力と比較圧力計13で測定された圧力
とが受信されるように、圧力計12と比較圧力計13と
に接続されている。この点検パネル14には、受信され
た各圧力を表示する表示部14a,14bと、受信され
た各圧力間の差圧を表示する差圧表示部14cと、上記
差圧が所定値を越えた場合に警報を発する警報ランプ1
4d及び警報ブザー14eと、上記所定値を設定する差
圧設定ダイヤル14fとが設けられている。
The inspection panel 14 includes the pressure gauge 1
The pressure gauge 12 is connected to the pressure gauge 12 and the pressure gauge 13 so that the pressure measured by the pressure gauge 2 and the pressure measured by the pressure gauge 13 are received. The inspection panel 14 has display portions 14a and 14b for displaying the received pressures, a differential pressure display portion 14c for displaying the differential pressure between the received pressures, and a pressure difference exceeding a predetermined value. Alarm lamp 1 that issues an alarm in case
4d, an alarm buzzer 14e, and a differential pressure setting dial 14f for setting the predetermined value are provided.

【0018】尚、ここでは、上記警報ランプ14d及び
警報ブザー14eが、請求項に示す警報部になってい
る。この警報部は、上記警報ランプ14d及び警報ブザ
ー14eのうちの何方か一方のみでも良く、その他の警
報手段からなるものでも良い。
In this case, the alarm lamp 14d and the alarm buzzer 14e constitute an alarm section. This alarm unit may be only one of the alarm lamp 14d and the alarm buzzer 14e, or may be another alarm unit.

【0019】上記構成の真空処理装置1では、開閉弁1
7が閉じられリーク手段19が開かれた状態では、圧力
計12が設けられた真空処理室11とは独立した状態で
比較圧力計13が真空状態から開放される。このため、
真空処理室11内の圧力を測定する圧力計12に気圧変
動の影響を及ぼすことなく、比較圧力計13を取り外し
当該比較圧力計13の校正を行うことができる。また、
開閉弁17が開かれた状態では、比較圧力計13が真空
処理室11内と同一の圧力状態に晒される。このため、
圧力計12と比較圧力計13とによって真空処理室11
内の圧力が測定される。したがって、正確に校正された
比較圧力計13で測定された真空処理室11内の圧力
と、圧力計12で測定された真空処理室11内の圧力と
を比較することで、圧力計12の点検が行われる。
In the vacuum processing apparatus 1 having the above configuration, the on-off valve 1
When the pressure gauge 7 is closed and the leak means 19 is opened, the comparative pressure gauge 13 is released from the vacuum state independently of the vacuum processing chamber 11 in which the pressure gauge 12 is provided. For this reason,
The comparative pressure gauge 13 can be removed and the comparative pressure gauge 13 can be calibrated without affecting the pressure gauge 12 for measuring the pressure in the vacuum processing chamber 11 due to the fluctuation of the atmospheric pressure. Also,
When the on-off valve 17 is open, the comparative pressure gauge 13 is exposed to the same pressure as in the vacuum processing chamber 11. For this reason,
The vacuum processing chamber 11 is controlled by the pressure gauge 12 and the comparative pressure gauge 13.
The pressure inside is measured. Therefore, by comparing the pressure in the vacuum processing chamber 11 measured by the accurately calibrated comparative pressure gauge 13 with the pressure in the vacuum processing chamber 11 measured by the pressure gauge 12, the inspection of the pressure gauge 12 is performed. Is performed.

【0020】さらに、開閉弁17と比較圧力計13との
間に不活性ガス導入管20を接続させたことで、比較圧
力計13を真空処理室11内に導入された反応性ガスに
晒すことなく不活性ガスで保護することができる。この
ため、ピラニゲージのように反応性ガスによる腐食の影
響を受け易い圧力計をこの比較圧力計13として用いて
も、上記腐食を抑制することができる。そして、圧力計
12及び比較圧力計13で測定された各圧力の差圧が設
定値を越えた場合に警報を発する警報ランプ14dや警
報ブザー14e等の警報部を設けたことで、圧力計12
の測定異常が警報される。
Further, by connecting the inert gas introduction pipe 20 between the on-off valve 17 and the comparative pressure gauge 13, the comparative pressure gauge 13 is exposed to the reactive gas introduced into the vacuum processing chamber 11. And can be protected with an inert gas. For this reason, even if a pressure gauge, such as a Pirani gauge, which is easily affected by corrosion by a reactive gas is used as the comparative pressure gauge 13, the corrosion can be suppressed. An alarm unit such as an alarm lamp 14d or an alarm buzzer 14e for issuing an alarm when the differential pressure of each pressure measured by the pressure gauge 12 and the comparative pressure gauge 13 exceeds a set value is provided.
Is alarmed.

【0021】以下に、上記構成の真空処理装置の駆動方
法の一例を上記図1に基づいて説明する。先ず初期状態
においては、真空処理室11には、点検及び校正によっ
て正確な圧力の測定が可能であることが保証された圧力
計12と比較圧力計13とが設けられている。
Hereinafter, an example of a method of driving the vacuum processing apparatus having the above configuration will be described with reference to FIG. First, in the initial state, the vacuum processing chamber 11 is provided with a pressure gauge 12 and a comparison pressure gauge 13 which are verified to be capable of accurately measuring pressure by inspection and calibration.

【0022】次に、この真空処理装置1を用いた非処理
基体のエッチング処理を行う。この場合、先ず、排気手
段15によって真空処理室11内を真空状態にし、開閉
弁17を閉じた状態にしておく。そして、減圧状態の予
備排気室から非処理基体を真空処理室11内に導入す
る。次いで、必要に応じて、圧力計12を用いて真空処
理室11内の圧力を測定しながら真空処理室11内を所
定の真空状態にまでさらに減圧した後、反応性ガスの導
入手段16から真空処理室11内に反応性ガスを導入し
て非処理基体のエッチング処理を行う。この際、圧力計
12を用いて真空処理室11内の圧力を測定しながら、
当該真空処理室11内を所定の圧力状態に保つ。上記エ
ッチング処理が終了した後、非処理基体を真空処理室1
1から予備排気室に搬出する。
Next, the non-processed substrate is etched using the vacuum processing apparatus 1. In this case, first, the inside of the vacuum processing chamber 11 is evacuated by the exhaust means 15 and the on-off valve 17 is closed. Then, the non-processing substrate is introduced into the vacuum processing chamber 11 from the pre-evacuation chamber in a reduced pressure state. Next, if necessary, the inside of the vacuum processing chamber 11 is further depressurized to a predetermined vacuum state while measuring the pressure in the vacuum processing chamber 11 using the pressure gauge 12, and then the vacuum is supplied from the reactive gas introducing means 16. A reactive gas is introduced into the processing chamber 11 to etch the non-processed substrate. At this time, while measuring the pressure in the vacuum processing chamber 11 using the pressure gauge 12,
The inside of the vacuum processing chamber 11 is maintained at a predetermined pressure. After the etching process is completed, the non-processed substrate is removed from the vacuum processing chamber 1.
1 to the preliminary exhaust chamber.

【0023】次に、圧力計12の点検を行う。ここで
は、先ず、表示パネル14の差圧設定ダイヤル14f
で、警報ランプ14d及び警報ブザー14eで警報を発
生させる差圧の最低値(所定値)を設定する。例えば、
エッチング処理を行う際の設定圧力が10Paであり、
許容変動値が±1Paである場合、差圧設定ダイヤル1
4fで上記所定値を1Paに設定しておく。その後、開
閉弁17を開いて比較圧力計13を真空処理室11と同
一の圧力状態に晒すと共に、真空処理室11に接続され
た不活性ガスの導入管(ここでは図示を省略)から真空
処理室11内に不活性ガスを導入する。また、配管18
に接続させた不活性ガス導入管20からも、不活性ガス
を導入し、比較圧力計13に真空処理室11内の反応性
ガスが供給されないようにする。そして、不活性ガスの
導入量と排気手段15からの排気量を調節しながら、所
定の設定圧力状態における真空処理室11内の圧力を圧
力計12と比較圧力計13とによって測定する。
Next, the pressure gauge 12 is checked. Here, first, the differential pressure setting dial 14f of the display panel 14
Then, the minimum value (predetermined value) of the differential pressure at which an alarm is generated by the alarm lamp 14d and the alarm buzzer 14e is set. For example,
The set pressure for performing the etching process is 10 Pa,
When the allowable variation is ± 1 Pa, the differential pressure setting dial 1
The predetermined value is set to 1 Pa at 4f. Thereafter, the on-off valve 17 is opened to expose the comparative pressure gauge 13 to the same pressure state as that of the vacuum processing chamber 11, and the vacuum processing chamber 11 is connected to an inert gas introduction pipe (not shown) to perform vacuum processing. An inert gas is introduced into the chamber 11. In addition, piping 18
An inert gas is also introduced from an inert gas introduction pipe 20 connected to the above, so that the reactive gas in the vacuum processing chamber 11 is not supplied to the comparative pressure gauge 13. Then, the pressure in the vacuum processing chamber 11 at a predetermined set pressure state is measured by the pressure gauge 12 and the comparative pressure gauge 13 while adjusting the amount of the inert gas introduced and the amount of exhaust from the exhaust means 15.

【0024】そして、各設定圧力状態において、警報ラ
ンプ14d及び警報ブザー14eで警報が発せられない
場合、すなわち圧力計12と比較圧力計13との差圧が
所定値を越えなかった場合には、圧力計12は正常であ
り±1Pa以内の正確な圧力の測定が可能であると判断
する。
If the alarm lamp 14d and the alarm buzzer 14e do not generate an alarm in each set pressure state, that is, if the pressure difference between the pressure gauge 12 and the comparison pressure gauge 13 does not exceed a predetermined value, The pressure gauge 12 is normal and judges that accurate pressure measurement within ± 1 Pa is possible.

【0025】一方、警報ランプ14d及び警報ブザー1
4eで警報が発せられた場合、すなわち圧力計12と比
較圧力計13との差圧が所定値を越えた場合には、圧力
計12は異常であり±1Pa以内の正確な圧力の測定が
不可能であると判断する。この際、差圧表示部14cを
設けたことによって、どの圧力の場合にどの程度の測定
圧力のずれが生じているかが確認される。
On the other hand, the alarm lamp 14d and the alarm buzzer 1
If an alarm is issued at 4e, that is, if the pressure difference between the pressure gauge 12 and the comparison pressure gauge 13 exceeds a predetermined value, the pressure gauge 12 is abnormal and accurate pressure measurement within ± 1 Pa is not possible. Determine that it is possible. At this time, by providing the differential pressure display section 14c, it is confirmed which deviation of the measured pressure occurs at which pressure.

【0026】上記点検によって、圧力計12が正常であ
ると判断された場合には、引き続きこの圧力計12を用
いて真空処理室11内において非処理基体のエッチング
処理を行う。一方、上記点検によって圧力計12が異常
であると判断された場合には、圧力計12の校正を行
う。この場合には、真空処理室11内を大気圧に開放し
た後、この真空処理室11から圧力計12を取り外して
圧力計12の校正を行う。
If the pressure gauge 12 is determined to be normal by the above inspection, the non-processed substrate is etched in the vacuum processing chamber 11 using the pressure gauge 12. On the other hand, if the pressure gauge 12 is determined to be abnormal by the above inspection, the pressure gauge 12 is calibrated. In this case, after the inside of the vacuum processing chamber 11 is released to the atmospheric pressure, the pressure gauge 12 is removed from the vacuum processing chamber 11 and the pressure gauge 12 is calibrated.

【0027】次に、比較圧力計13の校正を行う。ここ
では先ず、開閉弁17を閉じた後にリーク手段19を開
くことによって比較圧力計13を大気圧に開放し、この
状態で比較圧力計13を取り外して当該比較圧力計13
の校正を行う。この際、必要に応じて比較圧力計13の
交換を行う。
Next, the comparative pressure gauge 13 is calibrated. Here, first, the comparison manometer 13 is opened to the atmospheric pressure by opening the leak means 19 after the on-off valve 17 is closed, and then the comparison manometer 13 is removed in this state.
Calibration of. At this time, the comparative pressure gauge 13 is replaced as needed.

【0028】上記真空処理装置の駆動方法では、比較圧
力計13の校正は、真空処理室11内の圧力を測定する
圧力計12に気圧変動の影響を及ぼすことなく大気圧中
において行われる。また、圧力計12の点検は、比較圧
力計13との圧力測定値の比較によって行われる。この
ため、大気圧に開放することなく圧力計12の点検が行
われ、気圧変動に晒されることによる当該圧力計12の
損傷を防止することができる。したがって、高価で気圧
変動に弱いキャパシタンスマノメータを用いた圧力計1
2の損傷を防止して、安価なピラニゲージを用いた比較
圧力計13のみが校正時に気圧変動に晒されることか
ら、圧力計12及び比較圧力計13の保守管理の費用を
低減することができる。
In the driving method of the vacuum processing apparatus, the calibration of the comparative pressure gauge 13 is performed at the atmospheric pressure without affecting the pressure gauge 12 for measuring the pressure in the vacuum processing chamber 11 due to the atmospheric pressure fluctuation. Inspection of the pressure gauge 12 is performed by comparing a measured pressure value with a comparative pressure gauge 13. For this reason, the pressure gauge 12 is inspected without opening to the atmospheric pressure, and the pressure gauge 12 can be prevented from being damaged due to exposure to atmospheric pressure fluctuation. Therefore, a pressure gauge 1 using a capacitance manometer, which is expensive and vulnerable to atmospheric pressure fluctuation,
2 can be prevented, and only the comparative pressure gauge 13 using an inexpensive Pirani gauge is exposed to the atmospheric pressure fluctuation at the time of calibration, so that the maintenance cost of the pressure gauge 12 and the comparative pressure gauge 13 can be reduced.

【0029】しかも、この比較圧力計13の校正を行う
工程では、真空処理室11内は真空状態に保たれてい
る。このことから、比較圧力計13の校正と平行して、
真空処理室11内においては非処理基体のエッチング処
理を行うことができる。また、真空処理室11内を大気
圧に開放する回数が減少するため、真空処理室11内を
真空状態に戻す時間が節約される。したがって、真空処
理装置1の稼働率を向上させることができる。
Further, in the step of calibrating the comparative pressure gauge 13, the inside of the vacuum processing chamber 11 is kept in a vacuum state. From this, in parallel with the calibration of the comparative pressure gauge 13,
In the vacuum processing chamber 11, the non-processed substrate can be etched. Further, since the number of times of opening the inside of the vacuum processing chamber 11 to the atmospheric pressure is reduced, the time for returning the inside of the vacuum processing chamber 11 to a vacuum state is saved. Therefore, the operation rate of the vacuum processing device 1 can be improved.

【0030】図2には、上記実施形態の変形例を示す。
この図に示す真空処理装置1’では、真空処理室11と
比較圧力計13との間の開閉弁17として電磁弁が用い
られている。また、表示パネル14にこの開閉弁17の
オン/オフスイッチ(図示省略)が設けられ、配管18
に接続された不活性ガス導入管20に流量制御手段(例
えば、マスフローコントローラ)21が設けられてい
る。そして、表示パネル14に、不活性ガス導入管20
からの不活性ガスの導入量と真空処理室11の排気手段
15からの排気量とを制御する制御部(図示省略)が設
けられている。
FIG. 2 shows a modification of the above embodiment.
In the vacuum processing apparatus 1 ′ shown in this figure, an electromagnetic valve is used as the on-off valve 17 between the vacuum processing chamber 11 and the comparative pressure gauge 13. An on / off switch (not shown) for the on-off valve 17 is provided on the display panel 14, and a pipe 18 is provided.
Is provided with a flow control means (for example, a mass flow controller) 21 in an inert gas introduction pipe 20 connected to the apparatus. Then, an inert gas introduction pipe 20 is provided on the display panel 14.
A control unit (not shown) is provided for controlling the amount of inert gas introduced from the vacuum chamber and the amount of exhaust from the exhaust means 15 of the vacuum processing chamber 11.

【0031】上記構成の真空処理装置1’においては、
上記表示パネル14のスイッチ一つで開閉弁17が自動
開閉されるようになっている。また、真空処理室11に
不活性ガスの導入管が設けられていない場合であって
も、圧力計12の点検の際に配管18に接続させた不活
性ガス導入管20から所定量の不活性ガスを導入して真
空処理室11内を所定の不活性ガス圧力にすることがで
きる。
In the vacuum processing apparatus 1 'having the above structure,
The on-off valve 17 is automatically opened and closed by one switch on the display panel 14. Even when the vacuum processing chamber 11 is not provided with an inert gas introduction pipe, a predetermined amount of inert gas is supplied from the inert gas introduction pipe 20 connected to the pipe 18 when the pressure gauge 12 is checked. The inside of the vacuum processing chamber 11 can be brought to a predetermined inert gas pressure by introducing a gas.

【0032】上記実施形態及びその変形例においては、
1つの真空処理室に1つの比較圧力計を設けた場合を説
明した。しかし、本発明の真空処理装置は、配管を繋げ
ることによって複数の真空処理室で1つの比較圧力計を
共有する構成にしても良い。
In the above embodiment and its modifications,
The case where one comparative pressure gauge is provided in one vacuum processing chamber has been described. However, the vacuum processing apparatus of the present invention may have a configuration in which one comparative pressure gauge is shared by a plurality of vacuum processing chambers by connecting pipes.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上、本発明の真空処理装置によれば、
真空処理室に圧力計とは別に開閉弁を介して比較圧力計
を設けたことで、圧力計を真空状態に保ったままで比較
圧力計を大気圧に開放したり、圧力計と比較圧力計とを
真空処理室の圧力状態に晒すことが可能になる。このた
め、この真空処理装置及びこの真空処理装置を用いた本
発明の真空処理装置の駆動方法によれば、圧力計を真空
状態に保ったままで比較圧力計を大気圧に開放して校正
を行い、この比較圧力計との比較によって大きな圧力変
動の負担を掛けずに圧力計の点検を行うことができる。
したがって、圧力計の寿命が向上し、圧力計よりも安価
な比較圧力計を用いることで圧力計の保守管理にかかる
費用を軽減することが可能になる。さらに、圧力計の点
検の際にも真空処理室内が真空状態に保たれて非処理基
体の処理を行えると共に、真空処理室内を大気圧状態か
ら真空状態にする時間を節約して真空処理装置の稼働率
を向上させることが可能になる。
As described above, according to the vacuum processing apparatus of the present invention,
By providing a comparative pressure gauge via an on-off valve separately from the pressure gauge in the vacuum processing chamber, the comparative pressure gauge can be opened to atmospheric pressure while the pressure gauge is kept in a vacuum state, or the pressure gauge and the comparative pressure gauge can be used together. Can be exposed to the pressure state of the vacuum processing chamber. Therefore, according to the vacuum processing apparatus and the method for driving the vacuum processing apparatus of the present invention using the vacuum processing apparatus, the calibration is performed by opening the comparative pressure gauge to the atmospheric pressure while the pressure gauge is kept in a vacuum state. By comparing with the comparative pressure gauge, the pressure gauge can be inspected without imposing a large load of pressure fluctuation.
Therefore, the life of the pressure gauge is improved, and the cost for maintenance and management of the pressure gauge can be reduced by using a comparative pressure gauge which is cheaper than the pressure gauge. Further, even when checking the pressure gauge, the vacuum processing chamber is kept in a vacuum state so that the processing of the non-processed substrate can be performed, and the time required to change the vacuum processing chamber from the atmospheric pressure state to the vacuum state can be saved, so that the vacuum processing apparatus is The operation rate can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の真空処理装置の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a vacuum processing apparatus of the present invention.

【図2】実施形態の変形例の構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of a modified example of the embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1’ 真空処理装置 11 真空処理室 12
圧力計 13 比較圧力計 14d 警報ランプ(警報部) 14e 警報ブザー(警報部) 17 開閉弁 1
9 リーク手段 20 導入管
1,1 'vacuum processing apparatus 11 vacuum processing chamber 12
Pressure gauge 13 Comparative pressure gauge 14d Alarm lamp (alarm unit) 14e Alarm buzzer (alarm unit) 17 On-off valve 1
9 Leakage means 20 Inlet pipe

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 真空処理室と、当該真空処理室内の圧力
を測定する圧力計とを有する真空処理装置において、 前記真空処理室には、開閉弁を介して比較圧力計が設け
られ、 前記開閉弁と前記比較圧力計との間にはリーク手段が設
けられたこと、 を特徴とする真空処理装置。
1. A vacuum processing apparatus comprising: a vacuum processing chamber; and a pressure gauge for measuring a pressure in the vacuum processing chamber, wherein the vacuum processing chamber is provided with a comparative pressure gauge via an on-off valve; A vacuum means provided between the valve and the comparative manometer.
【請求項2】 請求項1記載の真空処理装置において、 前記開閉弁と前記比較圧力計との間には不活性ガス導入
管が接続されたこと、 を特徴とする真空処理装置。
2. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein an inert gas introduction pipe is connected between the on-off valve and the comparative pressure gauge.
【請求項3】 請求項1記載の真空処理装置において、 前記圧力計と前記比較圧力計とに、当該圧力計で測定さ
れた圧力と当該比較圧力計で測定された圧力との差圧が
設定値を越えた場合に警報を発する警報部を接続させた
こと、 を特徴とする真空処理装置。
3. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein a differential pressure between a pressure measured by the pressure gauge and a pressure measured by the comparison pressure gauge is set in the pressure gauge and the comparative pressure gauge. A vacuum processing device, characterized in that an alarm unit for issuing an alarm when the value is exceeded is connected.
【請求項4】 真空処理室と、当該真空処理室内の圧力
を測定する圧力計と、前記真空処理室に開閉弁を介して
設けられた比較圧力計と、前記開閉弁と前記比較圧力計
との間に設けられたリーク手段と有する真空処理装置の
駆動方法であって、 前記開閉弁を閉じた後に前記リーク手段を開くことによ
って前記比較圧力計を大気圧に開放し、当該比較圧力計
の校正を行う工程と、 前記開閉弁を開くことによって前記比較圧力計を前記真
空処理室と同一の圧力状態に晒し、前記圧力計及び当該
比較圧力計で当該真空処理室内の圧力を測定する工程
と、 前記圧力計及び当該比較圧力計で測定された前記真空処
理室内の圧力を比較して当該圧力計の点検を行う工程
と、 を行うことを特徴とする真空処理装置の駆動方法。
4. A vacuum processing chamber, a pressure gauge for measuring a pressure in the vacuum processing chamber, a comparative pressure gauge provided in the vacuum processing chamber via an on-off valve, the on-off valve and the comparative pressure gauge. A method for driving a vacuum processing apparatus having a leak unit provided between the control unit, wherein the comparative manometer is opened to the atmospheric pressure by opening the leak unit after closing the on-off valve, Performing a calibration, exposing the comparative pressure gauge to the same pressure state as the vacuum processing chamber by opening the on-off valve, and measuring the pressure in the vacuum processing chamber with the pressure gauge and the comparative pressure gauge. A step of comparing the pressures in the vacuum processing chamber measured by the pressure gauge and the comparative pressure gauge to check the pressure gauge, and performing a check.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100537911B1 (en) * 2003-04-07 2005-12-21 장동복 Apparatus for displaying and controlling a measured value in fluid sensor
JP2009540117A (en) * 2006-06-08 2009-11-19 シデル パーティシペイションズ Plasma vessel processing machine with vacuum circuit
JP2009539683A (en) * 2006-06-05 2009-11-19 カブリコ コーポレイション Tire pressure monitoring method and apparatus
JP4595152B2 (en) * 2000-02-01 2010-12-08 パナソニック株式会社 Vacuum exhaust apparatus and method
JP2013530516A (en) * 2010-04-30 2013-07-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Twin chamber processing system
KR20150071123A (en) * 2013-12-18 2015-06-26 주식회사 케이씨텍 Gas supply device
JP2020148473A (en) * 2019-03-11 2020-09-17 東京エレクトロン株式会社 Method for calibrating multiple chamber pressure sensors and substrate processing system

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4595152B2 (en) * 2000-02-01 2010-12-08 パナソニック株式会社 Vacuum exhaust apparatus and method
KR100537911B1 (en) * 2003-04-07 2005-12-21 장동복 Apparatus for displaying and controlling a measured value in fluid sensor
JP2009539683A (en) * 2006-06-05 2009-11-19 カブリコ コーポレイション Tire pressure monitoring method and apparatus
JP2014073841A (en) * 2006-06-05 2014-04-24 Kavlico Corp Method and apparatus for tire pressure monitoring
JP2009540117A (en) * 2006-06-08 2009-11-19 シデル パーティシペイションズ Plasma vessel processing machine with vacuum circuit
JP2013530516A (en) * 2010-04-30 2013-07-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Twin chamber processing system
KR20150071123A (en) * 2013-12-18 2015-06-26 주식회사 케이씨텍 Gas supply device
JP2020148473A (en) * 2019-03-11 2020-09-17 東京エレクトロン株式会社 Method for calibrating multiple chamber pressure sensors and substrate processing system
CN111678640A (en) * 2019-03-11 2020-09-18 东京毅力科创株式会社 Method for calibrating a plurality of chamber pressure sensors and substrate processing system
KR20200108781A (en) * 2019-03-11 2020-09-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Method for calibrating plurality of chamber pressure sensors and substrate processing system
US11585717B2 (en) 2019-03-11 2023-02-21 Tokyo Electron Limited Method for calibrating plurality of chamber pressure sensors and substrate processing system

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