JPH10303123A - 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents
投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法Info
- Publication number
- JPH10303123A JPH10303123A JP9126335A JP12633597A JPH10303123A JP H10303123 A JPH10303123 A JP H10303123A JP 9126335 A JP9126335 A JP 9126335A JP 12633597 A JP12633597 A JP 12633597A JP H10303123 A JPH10303123 A JP H10303123A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- exposure apparatus
- projection exposure
- optical axis
- light amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70133—Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
エハ面上に高い解像力で容易に露光転写することができ
る投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法を
得ること。 【解決手段】 光源から放射した光束で照明系を介して
被照射面上のパターンを照明し、該パターンを投影光学
系により基板面上に投影し露光する投影露光装置におい
て、該照明系は複数の微小レンズを2次元的に所定のピ
ッチで配列したオプティカルインテグレータと、該オプ
ティカルインテグレータの複数の微小レンズのうちの少
なくとも1つに入射する光量を制限する光量調整部を有
した光量制御手段と、該光量制御手段を光軸と直交する
方向に又は光軸に対して所定角度の方向に駆動制御する
為の駆動機構とを有し、これらの各要素を利用して被照
射面上の照度分布を制御していること。
Description
れを用いたデバイスの製造方法に関し、特に第1物体面
上のパターンを均一な照度分布の光束で照明し、該第1
物体面上のパターンを第2物体面上にステップアンドリ
ピート方式又はステップアンドスキャン方式を利用して
投影露光し、IC,LSI,CCD,液晶パネル等のサ
ブミクロン又はクオーターミクロン以下の高集積度のデ
バイス(半導体素子)を製造する際に好適なものであ
る。
は、照明系からの光束で電子回路パターンを形成したレ
チクルを照射し、該パターンを投影光学系でウエハー面
上に投影露光する。この際、高解像力化を図る為の一要
件としてウエハー面上を均一に照射することがある。
では、照射面(レチクル面又はウエハ面)を均一に照射
するための種々の方法がとられている。例えば、ステッ
パーと呼ばれる投影露光装置では、コリメータレンズと
複数の微小レンズを所定のピッチで配列したオプティカ
ルインテグレータとを組み合わせた照明系を用いて、被
照射面を均一に照射している。
グレータを用いることにより、微小レンズの個数に相当
するだけの複数の2次光源を形成し、該2次光源からの
光束で被照射面を複数の方向から重畳して照明して、照
度分布の均一化を図っている。
示す値として、照度ムラSを、被照射面での照度値の最
大値をSmax、最小値をSminとして、 S=(Smax -Smin)/(Smax+ Smin) で表現している。
射面での不均一性を数パーセント以内にするようにして
いる。
面における不均一な照度分布を補正するために、例えば
コンデンサーレンズでディストーションを調整したりす
る方法が行なわれている。又、特開昭64−42821
号公報では、オプティカルインテグレータの微小レンズ
群の複数の入射面に遮光部材を配置して被照射面の照度
分布の均一化を図っている。
集積化を図った半導体素子の製造には、回路パターンの
焼き付けの際に要求される照度分布の均一性は極めて高
いものとなっている。
NA、使用波長をλとしたとき、解像度RPと焦点深度
DOFは一般に次の式で表されることが知られている。
従来の一般的な照明方法では投影光学系の開口数をNA
po、照明光学系の開口数をNAilとしたとき、次の
ようなパラメータが解像度の指標となっている。
照度ムラもある照明条件でのみ低減できれば所望の解像
力が得られた。
影露光装置にこれまで以上に高解像度が要求されるよう
になってきている。
度RPを高めようとするにはλを小さくし(短波長
化)、投影光学系の開口数NApoを大きくすればよい
が、そうすると焦点深度DOFが小さくなってしまう。
入射照明や位相シフトマスクと呼ばれる超解像結像技術
が提案されている。このような照明法では、照明光学系
の開口絞りを変更することでσ値を小さくしたり、所謂
輪帯形状や四重極形状のような特殊な形状の2次光源を
形成している。
投影露光装置ではある標準的な照明モードA で照度ムラ
が最小になるように照明系の各要素の位置を調整してい
る。しかしながら、斜入射照明法や小σ値等の照明モー
ドB に変えたときには、照明系の各要素が照明モードA
と同じでは必ずしも照度ムラが最小とはならなかった。
案されている方法では、例えばある照明モードAでは照
度ムラを小さくできるものの、照明モードBでは照度ム
ラが発生して露光装置の実力を十分発揮することができ
ないという問題があった。
面、レチクル面、投影光学系、照明光学系の間で生じる
反射によってフレアが生じ、被照射面に不均一な照度分
布を発生させる場合もある。このフレアの量は使用する
レチクルの透過率やウエハーの反射率などによって変化
するが、これを補正することも従来の投影露光装置では
困難であった。
変更しても被照射面上の照度ムラを最小とし、レチクル
面上の各種のパターンをウエハー面上に高い解像力で投
影できる投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造
方法の提供を目的とする。
は、 (1-1) 光源から放射した光束で照明系を介して被照射面
上のパターンを照明し、該パターンを投影光学系により
基板面上に投影し露光する投影露光装置において、該照
明系は複数の微小レンズを2次元的に所定のピッチで配
列したオプティカルインテグレータと、該オプティカル
インテグレータの複数の微小レンズのうちの少なくとも
1つに入射する光量を制限する光量調整部を有した光量
制御手段と、該光量制御手段を光軸と直交する方向に又
は光軸に対して所定角度の方向に駆動制御する為の駆動
機構とを有し、これらの各要素を利用して被照射面上の
照度分布を制御していることを特徴としている。
垂直な平面に沿って移動させて、前記被照射面の光軸に
対して非対称な不均一の照度分布を補正していること。
の照度分布測定値をフィードバックすること。を特徴と
している。
を光軸方向に移動させて、前記被照射面と光学的に共役
な面から所定距離だけ離して該被照射面上の照度分布を
制御していること。
を、光軸方向に移動させて、前記被照射面上の光軸に対
して対称な不均一照度分布を補正していること。
の照度分布測定値をフィードバックすることで最適化さ
れること。
の照度分布測定値をフィードバックするフィードバック
制御を共に行うこと。等を特徴としている。
化された際の、前記光量制御手段の駆動位置を検出する
機構と記憶する機構を有し、必要に応じて前記光量制御
手段を記憶された最適な位置へ駆動させること。
カルインテグレータの中心に位置する微小レンズあるい
は中心に対して回転対称な正方形の頂点に位置する4つ
の微小レンズのうちの少なくとも一方を透過する光量を
制御していること。
透過光量を制御するNDフィルターまたは遮光部材より
なっていること。
状の異なるNDフィルターまたは遮光部材等の複数種よ
り成り、前記光量制御手段はこのうちの1つの光量調整
部を選択して光路中に装着可能としていること。等を特
徴としている。
面上のパターンを投影光学系によりウエハ面上に投影露
光した後、該ウエハを現像処理工程を介してデバイスを
製造していることを特徴としている。
概略図である。本実施形態ではサブミクロンやクオータ
ーミクロン以下のリソグラフィー用のステップアンドリ
ピート方式又はステップアンドスキャン方式の投影露光
装置に適用した場合を示している。
の発光管であり、紫外線及び遠紫外線等を放射する高輝
度の発光部1aを有している。発光部1aは楕円鏡2の
第1焦点又はその近傍に配置している。3はコールドミ
ラーであり、多層膜より成り、大部分の赤外光を透過す
ると共に大部分の紫外光を反射させている。楕円鏡2は
コールドミラー3を介して第2焦点又はその近傍4に発
光部1aの発光部像(光源像)1bをを形成している。
コリメーターレンズそしてズームレンズ等から成り、第
2焦点又はその近傍4に形成した発光部像1bを通過光
量を制限する光量制御手段17を介してオプティカルイ
ンテグレータ6の入射面6aに結像させている。オプテ
ィカルインテグレータ6は断面が4角形状の複数の微小
レンズ(ハエの眼レンズ)6−i(i=1〜N)を2次
元的に所定のピッチで配列して構成しており、その射出
面6b近傍に2次光源像を形成している。
レータ6の入射面6a近傍に配置しており、光学系5
(照明系)の光軸Laに垂直な平面(XY平面)及び光
軸La方向、そして光軸Laに対して所定角度方向に移
動可能となっている。
レータ6の複数の微小レンズのうちの少なくとも1つの
微小レンズを透過する光量をNDフィルターや遮光部材
から成る光量調整部により制御している。18は駆動機
構であり、後述するマスキングブレード10又はレチク
ル12又はウエハ15面上の照度を測定する照度分布測
定手段(不図示)からの信号に基づいて光量制御手段1
7を光軸上に垂直な平面、光軸方向、そして光軸に対し
て所定角度方向に移動させて被照射面(マスキングブレ
ード)10上の照度分布を調整している。
ている。絞り7は照明条件に応じて絞り交換機構(アク
チュエータ)16によって種々の絞り7a,7bが光路
中に位置するように切り替え可能となっている。絞り7
としては、例えば通常の円形開口の絞りや、後述する投
影レンズ13の瞳面14上の光強度分布を変化させる輪
帯照明用絞りや、4重極照明用絞り、小σ値照明用絞り
等を有し、これらのうちの1つを選択して光路中に配置
している。
により、集光レンズ8に入射する光束を種々と変えて投
影光学系13の瞳面14上の光強度分布を適切に制御し
ている。集光レンズ8はオプティカルインテグレータ6
の射出面6b近傍の複数の2次光源から射出し、絞り7を
透過した複数の光束を集光し、ミラー9で反射させて被
照射面としてのマスキングブレード10面を重畳させ
て、その面上を均一に照射している。マスキングブレー
ド10は複数の可動の遮光板より成り、任意の開口形状が
形成されるようにしている。
ード10の開口形状を被照射面としてのレチクル12面
に転写し、レチクル12面上の必要な領域を均一に照明
している。
レチクル12面上の回路パターンをウエハチャックに載
置したウエハ(基板)15面上に縮小投影している。1
4は投影光学系13の瞳面である。
aと第2焦点4とオプティカルインテグレータ6の入射
面6aとマスキングブレード10とレチクル12とウエ
ハ15が互いに共役関係となっている。又、絞り7aと
投影光学系13の瞳面14とが略共役関係となってい
る。
レチクル12面上のパターンをウエハ15面上に縮小投
影露光している。そして所定の現像処理過程を経て、デ
バイス(半導体素子)を製造している。
−47626号公報や特開平5−47640号公報で提
案しているように、レチクル12面上のパターン形状に
応じて開口形状の異なった絞りを選択して用いて、投影
光学系13の瞳面14上に形成される光強度分布を種々
と変えている。
的作用の特徴について説明する。
量調整部21としてNDフィルター(または遮光部材)
を用い、光学フィルターとして構成したときの光入射側
から見た概略図、図2(B)は図1の光量制御手段(光
学フィルター)17とオプティカルインテグレータ6の
要部側面図である。
ィカルインテグレータ6を構成する複数の微小レンズ6
c(同図では点線で示す69個の微小レンズ)に各々対
応していて、複数の領域の透過光量が調整できる光量調
整部21を有している。図2(A)ではオプティカルイ
ンテグレータ6の微小レンズのうち13個の微小レンズ
に対応して、入射光量を減少させる円形状のNDフィル
ター31を含む13個の光量調整部21を示している。
一般にガラス基板面上にCr等の金属膜や誘電体多層膜
を蒸着したり、または基板そのものに色素を混ぜたりし
て所望の透過率が得られるように構成している。尚、N
Dフィルターと同様の光学的性質を有するものであれ
ば、他の光学部材を用いても良い。
インテグレータ6を構成する複数の微小レンズである。
微小レンズ6cの光入射側のレンズ面6aの後側焦点は光
射出側のレンズ面6bの位置にある。また、微小レンズ6
cの光射出側のレンズ面6bの前側焦点は光入射側のレン
ズ面6aの位置にある。この為、光学系5で微小レンズ
6cのレンズ面6aに集光した光束はレンズ面6bより
平行光束として射出している。そしてレンズ面6bから
射出した平行光束は絞り7aを介し、集光レンズ8で集
光されミラー9で反射してマスキングブレード10上に
集光している。このようにしてオプティカルインテグレ
ータ6の光入射面6aとマスキングブレード10とを共
役関係になるようにしている。
される照度分布は、理想的には各微小レンズ6cの入射
面での照度分布を重ね合わせたものであり、光軸対称な
系であれば照度ムラは発生しない。しかしながら実際に
は、レンズ系のフレアー、偏心、レンズのコーティング
特性等により、被照射面10に照度ムラが生じてくる。
図3はウエハー面15上での照度ムラの一例の説明図で
ある。
の補正方法として、通常の照明方法を用いたときに、2
次元的に見ると図3(A)、像高別断面で見ると図3
(B)のような照度ムラが生じた場合の補正方法につい
て述べる。
照度分布差が3.8%、オプティカルインテグレータ6
を構成する微小レンズの数が図2(A)のごとく69個
とする。このとき照度ムラを補正する為に光量調整部21
に透過光量を80%に減少させる円形状より成るNDフ
ィルター31を13個設けている。
理想的には透過率調整部と共役な面上で {13×(1−(80/100))/69}×100≒
3.8(%) の照度低下が起こる。
インテグレータ6の入射面6aから所定の距離Dだけ離
れた位置に配置されており、距離Dが大きくなるに従っ
てNDフィルターによる照度低下部分とそうでない部分
との境界が不鮮明になり、被照射面上(ウエハー15)
での照度分布変化の断面は矩形ではなく、図3(C)の
斜線部で示したような、なだらかな形状で照度低下を起
こす。
光量を調整しているのでテレセン度(テレセントリック
度)のズレがほとんど生じない。このようにNDフィル
ターの透過率調整部の形状、大きさ、透過率、距離D等
を適切に決めることによって、被照射面10全域に渡っ
て照度分布を均一にしている。
ルインテグレータ6を構成する微小レンズ群の内少なく
とも1つの微小レンズにおいて、被照射面10と共役な
入射面6aの一部の光量を調整している。今、光量調整部
21の数をn、透過率をT、オプティカルインテグレー
タを構成する微小レンズの数をN、照射面上での照度を
Wとする。このとき光量制御手段17の光量調整部21
の形状部分は(1−T)* nの光が被照射面に到達しな
くなる。
ルターの形状に略対応領域において、 W* n* (1−T)/N という微小量の照度を低下させている。
見ると図4(A)、像高別断面で見ると図4(B)のよ
うな照度ムラが生じたときの照度ムラの補正方法につい
て述べる。
近辺の照度が高いのは通常照明と同様であるものの、最
も高い部分は被照射面の軸上から距離d1離れており、
周辺部の低い部分との差が3.8%、簡単のために輪帯
照明を行う際に絞り7aにより遮光されるのは図5のよ
うになっており、オプティカルインテグレータ6の微小
レンズで使用するのは換算で42個とする。
7を用いて次のように照度ムラを補正している。この輪
帯照明でNDフィルター17を用いたときの照度補正量
は理想的には {8×(1−(80/100))/42}×100=
3.8(%) である。
に示された被照射面10上の距離d1に対応したオプテ
ィカルインテグレータ6の入射面上での距離d2だけ駆
動機構18により駆動させる(図4(D))。すると、
このときの被照射面10上の照度分布変化は図4(C)
に示したように軸上からずれたものとなり、図4
(A),(B)のような照度ムラを効果的に補正でき
る。
ラの補正手順を図6(A)のフローチャートで示す。図
7(A)はNDフィルター17の移動方向を示してい
る。
面10の最周辺部の4点の照度を予め測定し、基礎デー
タとして用いる(図7(B)の網掛け部)。図7(A)
のように光軸に垂直な平面に沿ってX座標およびY座標
を取る。NDフィルター17をX方向、Y方向に所定距
離d0移動させて照度ムラ測定を行い、被照射面での最
大照度の位置座標と画面最周辺部の4点の照度の変化量
を装置の演算装置(不図示)によって計算し、NDフィ
ルター17を移動させたときの変化量の効き率を装置の
記憶装置(不図示)に記憶させる。この効き量をもとに
NDフィルター17を動かすべき方向と量を装置の演算
装置(不図示)によって計算する。
りフィルター17を所定方向へ所定量駆動させる。駆動
後に再度照度ムラの測定を行い、最適値になっていたら
終了、さらに最適にする余地がある場合には、上記の作
業を繰り返して非対称ムラを最適に補正する。この手順
における照度ムラ補正範囲の変化の例を図7(C),
(D)に示している。
モードに変更したときに生じた非対称ムラに限らず、一
般的な照明方法で非対称ムラが生じたときにも同様に用
いることができる。
場合の調整方法として、NDフィルター(または遮光部
材)とオプティカルインテグレータ6の入射面6aとの
距離Dを大きくして被照射面10上での照度低下の割合
を小さくすることを可能としている。またNDフィルタ
ー(または遮光部材)17とオプティカルインテグレー
タ6の入射面6aとの距離Dを調整することにより、光
量調整部分の形状をぼかして照度調整範囲の大きさを調
整するようにしている。
させる手順を図8(A)のフローチャートで示す。図9
(A)はNDフィルター17の移動方向を示している。
心から最周辺部の例えば50%部の4点の照度を予め測
定し、基礎データとして用いる(図9(B)の網掛け
部)。
ルター17を光軸方向に所定距離D0移動させて照度ム
ラを測定し、被照射面の最周辺部の4点の照度と中心か
ら最周辺部の50%部の4点の照度の変化量を装置の演
算装置(不図示)によって計算し、NDフィルター17
を移動させたときの変化量の効き率を装置の記憶装置
(不図示)に記憶させる。この効き量をもとにNDフィ
ルター17を光軸方向に動かすべき方向と量を装置の演
算装置(不図示)によって計算する。補正する範囲を大
きくしたい場合は距離Dを増加させる方向に、小さくし
たい場合は距離Dを小さくすればよい。
りフィルター17を所定方向へ所定量駆動させ、補正範
囲の調整を行う。駆動後再度照度ムラ測定を行い、最適
値になっていたら終了、さらに最適にする余地がある場
合には、上記の作業を繰り返して照度ムラを最適に補正
する。この手順における照度ムラ補正範囲の変化の例を
図9(C),(D)に示している。
直な平面内に沿っている場合と、光軸方向である場合の
両方について説明したが、これらを両方行うことによっ
てより細やかな補正ができる。この場合は図6と図8で
示したフローチャートを直列的に実行したり、並列的に
実行するようにすればよい。
する手順を説明したが、NDフィルターの駆動位置を検
出する機構(不図示)を設け、照明モード毎に照度ムラ
補正が最適化されたときのNDフィルターの位置を装置
の記憶装置(不図示)に記憶させておくと良い。既に照
度ムラの最適化を行っている照明モードが選択された場
合、記憶装置に記憶されているNDフィルターの位置を
呼び出してきて、所定位置にNDフィルターを駆動すれ
ばよい。このようにすることで、図6及び図8で示した
ような手順を行うことなく、すみやかに照度ムラ補正を
最適に行える。この手順のフローチャートを図14に示
す。
の間での照度ムラ分布がずれている場合を示したが、図
2や図10に示すように、NDフィルターの透過率を最
適化しつつ、光量調整部を多数配置すれば、通常照明と
輪帯照明だけでなく、4重極照明あるいは位相シフトマ
スクの際に用いられるσ値が小さい照明条件に関しても
同様の効果を持たせることができる。
合、テレセン度のずれを極小にするため、光量調整部は
中心あるいは中心軸に対する回転対称に正方形の4つの
頂点に位置するように設けてあり、さらに中心から同一
距離にある光量調整部の透過率は等しくなるようにして
いる。
常照明に比較して、重畳されるオプティカルインテグレ
ータ6からの光束は少なくなる。このことからオプティ
カルインテグレータ6の微小レンズ1つあたりの被照射
面での寄与率が大きくなるため、NDフィルターの透過
率の選定には注意を要する。
る。NDフィルターの形状は照度分布の補正形状に応じ
て種々の形状が考えられる。図10にこれらの例を図2
(A)と同様に示した。図10(A)はNDフィルター
の中心に円形の光量調整部が形成されている。この形状
は被照射面の中心部ホットスポットを修正するのに適し
ている。図10(B)はNDフィルター17に輪帯の光
量調整部が形成されており、被照射面が輪帯形状に照度
が高くなっている場合の補正に有効である。図10
(C)は微小レンズの大きさに合わせた四角形に穴のあ
いたような形状の光量調整部が形成されており、被照射
面での周辺部の照度が高い場合に有効である。図10
(D)は正方形の領域のうち対角線上の2つの隅に光量
調整部が形成されており、非対称な照度ムラを補正する
場合のフィルター形状を示している。このように照度ム
ラの形状に合わせて光量調整部の形状を最適化すれば被
照射面上で均一な照度を得ることができる。
照度不均一部分が被照射面に分布している場合は、各々
の透過率調整部の形状が異なっていたり、透過率が異な
ることもあり得る。図11に示すのは図10(A)と図
10(D)の光量調整部を組み合わせた光学フィルター
17とそれにより補正される照度分布の2 次元表示の一
例である。
に行くにつれて照度が低くなっている照度ムラを補正す
るNDフィルターとして、図15(A)に示すように大
きさの異なる円形の光量調整部を配置するとともに、オ
プティカルインテグレータ6の微小レンズ6cの光入射
側6aからの距離を適切にすることで、各部分に図15
(B),(C)のような効果を持たせ、これらの効果の
総和で補正するタイプも考えられる。この方法を用いれ
ば、各円形光量調整部の径や透過率を適宜調整する(図
15(B),(C)に示す各々の効果範囲や補正量を変
える)ことで、被照射面中心部と再周辺部の照度分布補
正だけでなく、被照射面中心部から再周辺部への間を含
めた被照射面全域での補正効果をより最適化させること
が可能になる。
分布補正形状に対しても、駆動機構18を用いてNDフ
ィルター17を光軸に垂直な平面上あるいは光軸に平行
移動させれば、各照明条件の間の照度分布形状や照度補
正量の違いに対して最適な補正ができる。
は、例えば図6のフローチャートにおいて照度最大値の
位置ではなく、最小値の位置をデータとして用いたり、
図8のフローチャートで像高50%部分の照度をデータ
として使用しているのを、像高30%や70%等での照
度をデータとして用いる等して、補正手順を最適化す
る。
水銀ランプによるものを図示しているが、レーザー等に
よる有効光源形成も本実施形態と何ら機構的に異なるも
のではない。
半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。
の半導体チップ、或は液晶パネルやCCD等)の製造の
フローチャートである。
では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ2
(マスク製作)では設計した回路パターンを形成したマ
スクを製作する。
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4
(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
れ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシ
ング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封
入)等の工程を含む。
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷(ステップ7)される。
の詳細なフローチャートである。まずステップ11(酸
化)ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12(C
VD)ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。
電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打
込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
を現像する。ステップ18(エッチング)では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ19(レジス
ト剥離)ではエッチングがすんで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
の半導体デバイスを容易に製造することができる。
定することによって、照明モードや照明条件を種々と変
更しても被照射面上の照度ムラを最小とし、レチクル面
上の各種のパターンをウエハー面上に高い解像力で投影
できる投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方
法を達成することができる。
ルインテグレータを用いた投影露光装置において被照射
面を均一に優れて照明することが可能になり、さらに照
明モードを変更しても最適な照明条件を維持することが
できる。
ンテグレータの位置関係
化特性例を示す説明図
の変化特性例を示す説明図
光例を示す説明図
面に沿って移動させたときの照度ムラ補正手順を示すフ
ローチャート
面に沿って移動させたときの照度ムラ補正手順を示す説
明図
動させたときの照度ムラ補正手順を示すフローチャート
動させたときの照度ムラ補正手順を示す説明図
す説明図
とその補正形状を示す説明図
ト
ト
タの説明図
Claims (12)
- 【請求項1】 光源から放射した光束で照明系を介して
被照射面上のパターンを照明し、該パターンを投影光学
系により基板面上に投影し露光する投影露光装置におい
て、該照明系は複数の微小レンズを2次元的に所定のピ
ッチで配列したオプティカルインテグレータと、該オプ
ティカルインテグレータの複数の微小レンズのうちの少
なくとも1つに入射する光量を制限する光量調整部を有
した光量制御手段と、該光量制御手段を光軸と直交する
方向に又は光軸に対して所定角度の方向に駆動制御する
為の駆動機構とを有し、これらの各要素を利用して被照
射面上の照度分布を制御していることを特徴とする投影
露光装置。 - 【請求項2】 前記駆動機構は前記光量制御手段を光軸
方向に垂直な平面に沿って移動させて、前記被照射面の
光軸に対して非対称な不均一の照度分布を補正している
ことを特徴とする請求項1の投影露光装置。 - 【請求項3】 前記不均一照度分布の補正は被照射面の
照度分布測定値をフィードバックすることで最適化され
ることを特徴とする請求項2の投影露光装置。 - 【請求項4】 前記駆動機構は前記光量制御手段を光軸
方向に移動させて、前記被照射面と光学的に共役な面か
ら所定距離だけ離して該被照射面上の照度分布を制御し
ていることを特徴とする請求項1の投影露光装置。 - 【請求項5】 前記駆動機構は前記光量制御手段を、光
軸方向に移動させて、前記被照射面上の光軸に対して対
称な不均一照度分布を補正していることを特徴とする請
求項4の投影露光装置。 - 【請求項6】 前記不均一照度分布の補正は被照射面の
照度分布測定値をフィードバックすることで最適化され
ることを特徴とする請求項5の投影露光装置。 - 【請求項7】 前記不均一照度分布の補正は被照射面の
照度分布測定値をフィードバックするフィードバック制
御を共に行うことを特徴とする請求項5の投影露光装
置。 - 【請求項8】 前記不均一照度分布の補正が最適化され
た際の、前記光量制御手段の駆動位置を検出する機構と
記憶する機構を有し、必要に応じて前記光量制御手段を
記憶された最適な位置へ駆動させることを特徴とする請
求項3,6又は7の投影露光装置。 - 【請求項9】 前記光量制御手段は前記オプティカルイ
ンテグレータの中心に位置する微小レンズあるいは中心
に対して回転対称な正方形の頂点に位置する4つの微小
レンズのうちの少なくとも一方を透過する光量を制御し
ていることを特徴とする請求項1の投影露光装置。 - 【請求項10】 前記光量制御手段の光量調整部は透過
光量を制御するNDフィルターまたは遮光部材よりなっ
ていることを特徴とする請求項1の投影露光装置。 - 【請求項11】 前記光量調整部は透過率および形状の
異なるNDフィルターまたは遮光部材等の複数種より成
り、前記光量制御手段はこのうちの1つの光量調整部を
選択して光路中に装着可能としていることを特徴とする
請求項1の投影露光装置。 - 【請求項12】 請求項1〜11のいずれか1項記載の
投影露光装置を用いてレチクル面上のパターンを投影光
学系によりウエハ面上に投影露光した後、該ウエハを現
像処理工程を介してデバイスを製造していることを特徴
とするデバイスの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12633597A JP3259657B2 (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
US09/066,840 US6281964B1 (en) | 1997-04-30 | 1998-04-28 | Projection exposure apparatus and device manufacturing method |
US09/482,028 US6339467B1 (en) | 1997-04-30 | 2000-01-13 | Projection exposure apparatus and device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12633597A JP3259657B2 (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10303123A true JPH10303123A (ja) | 1998-11-13 |
JP3259657B2 JP3259657B2 (ja) | 2002-02-25 |
Family
ID=14932640
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12633597A Expired - Fee Related JP3259657B2 (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6281964B1 (ja) |
JP (1) | JP3259657B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001135564A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-05-18 | Canon Inc | 投影露光装置 |
FR2805351A1 (fr) * | 2000-02-18 | 2001-08-24 | Fuji Photo Optical Co Ltd | Systeme optique d'eclairage et dispositif d'affichage du type a projection utilisant le systeme |
EP1220037A2 (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method of manufacturing an exposure apparatus |
US6704095B2 (en) | 1999-07-30 | 2004-03-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Control of a distribution of illumination in an exit pupil of an EUV illumination system |
US7009681B2 (en) | 2002-02-13 | 2006-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method, and device fabricating method using the same |
US7333178B2 (en) | 2002-03-18 | 2008-02-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2008294442A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Asml Holding Nv | フィールドに依存する楕円度および均一性の補正のための光減衰フィルタ |
US7697116B2 (en) | 2002-03-18 | 2010-04-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20190040294A (ko) * | 2016-08-30 | 2019-04-17 | 캐논 가부시끼가이샤 | 조명 광학계, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2746799A (en) * | 1998-03-09 | 1999-09-27 | Nikon Corporation | Scanning exposure method, scanning exposure apparatus and its manufacturing method, and device and its manufacturing method |
US6947124B2 (en) | 1998-05-05 | 2005-09-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
US20070030948A1 (en) * | 1998-05-05 | 2007-02-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system with field mirrors for producing uniform scanning energy |
US7142285B2 (en) * | 1998-05-05 | 2006-11-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
US7329886B2 (en) * | 1998-05-05 | 2008-02-12 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV illumination system having a plurality of light sources for illuminating an optical element |
US7126137B2 (en) * | 1998-05-05 | 2006-10-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system with field mirrors for producing uniform scanning energy |
US6858853B2 (en) * | 1998-05-05 | 2005-02-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
USRE42065E1 (en) | 1998-05-05 | 2011-01-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
DE19935404A1 (de) | 1999-07-30 | 2001-02-01 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem mit mehreren Lichtquellen |
DE19903807A1 (de) * | 1998-05-05 | 1999-11-11 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie |
US7186983B2 (en) * | 1998-05-05 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
USRE41667E1 (en) * | 1998-05-05 | 2010-09-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
US20050002090A1 (en) * | 1998-05-05 | 2005-01-06 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV illumination system having a folding geometry |
US7006595B2 (en) | 1998-05-05 | 2006-02-28 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Illumination system particularly for microlithography |
US7109497B2 (en) * | 1998-05-05 | 2006-09-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
US6947120B2 (en) * | 1998-05-05 | 2005-09-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
JP5159027B2 (ja) | 2004-06-04 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 照明光学系及び露光装置 |
US20060087634A1 (en) * | 2004-10-25 | 2006-04-27 | Brown Jay M | Dynamic illumination uniformity and shape control for lithography |
JP5020662B2 (ja) | 2006-05-26 | 2012-09-05 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
NL1036469A1 (nl) * | 2008-02-27 | 2009-08-31 | Asml Netherlands Bv | Optical element, lithographic apparatus including such an optical element, device manufacturing method, and device manufactured thereby. |
JP2009302354A (ja) * | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Canon Inc | 露光装置、デバイス製造方法及び開口絞りの製造方法 |
EP2182412A1 (en) * | 2008-11-04 | 2010-05-05 | ASML Netherlands B.V. | Radiation source and lithographic apparatus |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5825638A (ja) | 1981-08-08 | 1983-02-15 | Canon Inc | 露光装置 |
US5262822A (en) * | 1984-11-09 | 1993-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method and apparatus |
JPS6442821A (en) | 1987-08-10 | 1989-02-15 | Nikon Corp | Lighting device |
EP0342061B1 (en) * | 1988-05-13 | 1995-11-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
US5305054A (en) | 1991-02-22 | 1994-04-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging method for manufacture of microdevices |
JPH0547640A (ja) | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Canon Inc | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
JPH0547626A (ja) | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Canon Inc | 像投影方法及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
US5530518A (en) * | 1991-12-25 | 1996-06-25 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JP2946950B2 (ja) * | 1992-06-25 | 1999-09-13 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた露光装置 |
JP3208863B2 (ja) | 1992-09-04 | 2001-09-17 | 株式会社ニコン | 照明方法及び装置、露光方法、並びに半導体素子の製造方法 |
US5392149A (en) * | 1992-10-20 | 1995-02-21 | E-Systems, Inc. | Polygonal mirror optical scanning system |
US5815248A (en) * | 1993-04-22 | 1998-09-29 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and method having a wavefront splitter and an optical integrator |
US5552856A (en) * | 1993-06-14 | 1996-09-03 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JP3093528B2 (ja) * | 1993-07-15 | 2000-10-03 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置 |
JPH0737798A (ja) | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 投影露光装置 |
US5777724A (en) * | 1994-08-24 | 1998-07-07 | Suzuki; Kazuaki | Exposure amount control device |
JP3275575B2 (ja) | 1993-10-27 | 2002-04-15 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及び該投影露光装置を用いたデバイスの製造方法 |
JP2661536B2 (ja) | 1993-12-21 | 1997-10-08 | 日本電気株式会社 | 露光装置 |
JP3456597B2 (ja) * | 1994-04-14 | 2003-10-14 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JPH0936026A (ja) | 1995-07-14 | 1997-02-07 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
-
1997
- 1997-04-30 JP JP12633597A patent/JP3259657B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-04-28 US US09/066,840 patent/US6281964B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-01-13 US US09/482,028 patent/US6339467B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6704095B2 (en) | 1999-07-30 | 2004-03-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Control of a distribution of illumination in an exit pupil of an EUV illumination system |
JP2001135564A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-05-18 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JP4545854B2 (ja) * | 1999-11-05 | 2010-09-15 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置 |
FR2805351A1 (fr) * | 2000-02-18 | 2001-08-24 | Fuji Photo Optical Co Ltd | Systeme optique d'eclairage et dispositif d'affichage du type a projection utilisant le systeme |
EP1220037A2 (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method of manufacturing an exposure apparatus |
EP1220037A3 (en) * | 2000-12-28 | 2006-02-01 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method of manufacturing an exposure apparatus |
US7092071B2 (en) | 2002-02-13 | 2006-08-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method, and device fabricating method using the same |
US7009681B2 (en) | 2002-02-13 | 2006-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method, and device fabricating method using the same |
US7333178B2 (en) | 2002-03-18 | 2008-02-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7697116B2 (en) | 2002-03-18 | 2010-04-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8279405B2 (en) | 2002-03-18 | 2012-10-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2008294442A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Asml Holding Nv | フィールドに依存する楕円度および均一性の補正のための光減衰フィルタ |
JP4719772B2 (ja) * | 2007-05-23 | 2011-07-06 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | フィールドに依存する楕円度および均一性の補正のための光減衰フィルタ |
KR20190040294A (ko) * | 2016-08-30 | 2019-04-17 | 캐논 가부시끼가이샤 | 조명 광학계, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6281964B1 (en) | 2001-08-28 |
JP3259657B2 (ja) | 2002-02-25 |
US6339467B1 (en) | 2002-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3259657B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
JP3232473B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
JP5626433B2 (ja) | 照明光学系、露光装置、光学素子およびその製造方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP3817365B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
JP2003243276A (ja) | 露光装置、露光方法、及びそれを用いたデバイス製造方法 | |
JP3057998B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
JP3576685B2 (ja) | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
JP4392879B2 (ja) | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 | |
KR19990083636A (ko) | 투영노광장치와이것을사용한디바이스제조방법 | |
JP3200244B2 (ja) | 走査型露光装置 | |
JP4474121B2 (ja) | 露光装置 | |
WO1999036832A1 (fr) | Dispositif d'eclairement et appareil de sensibilisation | |
US7130024B2 (en) | Exposure apparatus | |
JP4684563B2 (ja) | 露光装置及び方法 | |
JP2004055856A (ja) | 照明装置、それを用いた露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2002110529A (ja) | 投影露光装置及び該装置を用いたマイクロデバイス製造方法 | |
JP4545854B2 (ja) | 投影露光装置 | |
JP3008744B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
US7242457B2 (en) | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method using the same | |
JPH0936026A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
JP3376043B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
JP2000114163A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
JP3563888B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
JP2009290243A (ja) | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 | |
JP3459826B2 (ja) | 投影露光装置及び半導体素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081214 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081214 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091214 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091214 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111214 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121214 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131214 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |