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JPH10294277A - Heat treatment equipment and method - Google Patents

Heat treatment equipment and method

Info

Publication number
JPH10294277A
JPH10294277A JP5137698A JP5137698A JPH10294277A JP H10294277 A JPH10294277 A JP H10294277A JP 5137698 A JP5137698 A JP 5137698A JP 5137698 A JP5137698 A JP 5137698A JP H10294277 A JPH10294277 A JP H10294277A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat treatment
substrate
treatment chamber
gas
gas inlet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
JP5137698A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Kise
一夫 木瀬
Hisaaki Matsui
久明 松井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP5137698A priority Critical patent/JPH10294277A/en
Publication of JPH10294277A publication Critical patent/JPH10294277A/en
Abandoned legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To quickly perform ventilation and heat evacuation for a heat treatment chamber after heat treatment, by providing a control means which evacuate the gas in the heat treatment chamber by a gas evacuating means under the condition that an open/close means is opening a gas flow inlet. SOLUTION: A shutter 5 is brought down to open a substrate passing port 4, a substrate 1 is carried into a heat treatment chamber 2 and placed on a hot plate 3 by a substrate transfer arm, and the shutter 5 is lifted to close the substrate passing port 4. Then, the substrate 1 is heated by the hot plate 3 and heat treatment is performed. After heat treatment, the shutter 5 is brought down to open the substrate passing port 4, and at the same time, an electromagnetic valve 8 is opened to eject the gas in the heat treatment chamber 2 to the atmosphere through a tube path 7 by operation of a blower 9. At that time, the gas in the heat treatment chamber 2 is quickly ejected through the tube path 7, and fresh outside air enters through the substrate passing port 4. Thus, ventilation and heat evacuation can be quickly performed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用
マスク基板等の基板を加熱して処理するための熱処理装
置および熱処理方法に関する。
The present invention relates to a heat treatment apparatus and a heat treatment method for heating and processing a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display panel, or a mask substrate for a semiconductor manufacturing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、液晶表示パネル用ガラス基板製
造時のフォトリソグラフィー工程においては、基板表面
に塗布されたレジストを乾燥するため、基板を外部とは
密閉された熱処理室内に搬送し、この基板をホットプレ
ート等の基板加熱手段により加熱することにより基板に
熱処理を施している。
2. Description of the Related Art For example, in a photolithography process at the time of manufacturing a glass substrate for a liquid crystal display panel, a substrate is conveyed to a heat treatment chamber which is sealed from the outside in order to dry a resist applied to the substrate surface. Is heated by a substrate heating means such as a hot plate to heat-treat the substrate.

【0003】このような熱処理を行う熱処理装置におい
ては、従来、熱処理室内の換気と熱排気とを目的とし
て、熱処理室内の気体を外部に排気する構成が採用され
ている。すなわち、従来の熱処理装置においては、例え
ば特開平7−29869号公報に記載されているよう
に、熱処理室内に収容した基板をホットプレートにより
加熱する加熱作業と並行して、ホットプレートの周囲に
基板を取り囲むように穿設されたスリット状の吸引孔か
ら熱処理室内の気体を常時吸引して大気中に放出するこ
とにより、上述した熱処理室内の換気と熱排気とを行っ
ている。
[0003] In a heat treatment apparatus for performing such heat treatment, a configuration in which gas in the heat treatment chamber is exhausted to the outside for the purpose of ventilation and heat exhaustion in the heat treatment chamber has been conventionally adopted. That is, in a conventional heat treatment apparatus, as described in, for example, JP-A-7-29869, a substrate accommodated in a heat treatment chamber is heated by a hot plate, and the substrate is placed around the hot plate. The above-described ventilation and heat exhaust of the heat treatment chamber are performed by constantly sucking the gas in the heat treatment chamber through a slit-shaped suction hole formed so as to surround the heat treatment chamber and releasing the gas into the atmosphere.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このような従来の熱処
理装置において、熱処理すべき基板のサイズが大型化し
た場合には、熱処理されるべき基板の温度分布特性が劣
化するという問題が発生する。すなわち、上述した従来
の熱処理装置において、特に大型の基板を熱処理した場
合においては、スリット状の吸引口に近接した基板の端
縁付近において基板の温度が低下する一方、基板の中央
部付近においては基板の温度が上昇することとなる。こ
のため、基板の全面を均一に熱処理することが不可能と
なり、熱処理後の基板により製造される製品の歩留まり
が低下するという問題が発生していた。
In such a conventional heat treatment apparatus, when the size of the substrate to be heat-treated becomes large, there arises a problem that the temperature distribution characteristic of the substrate to be heat-treated is deteriorated. That is, in the above-described conventional heat treatment apparatus, particularly when a large-sized substrate is heat-treated, the temperature of the substrate decreases near the edge of the substrate close to the slit-shaped suction port, while the temperature near the center of the substrate decreases. The temperature of the substrate will increase. For this reason, it is impossible to uniformly heat-treat the entire surface of the substrate, and there has been a problem that the yield of products manufactured from the substrate after the heat treatment is reduced.

【0005】これは、基板の中央部付近の気体の排気流
速が小さくなってその付近の雰囲気が停滞し、時間が経
過しても雰囲気の置換が良好に行われないためと考えら
れる。すなわち、基板の端縁付近においてはほぼよどみ
なく雰囲気の置換が行われるのに対し、基板の中央部付
近においては気体が停滞して雰囲気の置換が行われない
ことから、基板の中央部付近のみ温度が上昇してしまう
のである。
[0005] This is considered to be because the exhaust flow velocity of the gas near the center of the substrate becomes small and the atmosphere in the vicinity stagnates, and the atmosphere is not sufficiently replaced even after a lapse of time. In other words, the atmosphere is replaced almost without stagnation near the edge of the substrate, whereas the gas is stagnated near the center of the substrate and the atmosphere is not replaced. The temperature rises.

【0006】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、基板を均一に熱処理することのでき、
また、熱処理室内の換気と熱排気とを迅速に実行するこ
とができる熱処理装置および熱処理方法を提供すること
を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and can uniformly heat-treat a substrate.
It is another object of the present invention to provide a heat treatment apparatus and a heat treatment method capable of quickly performing ventilation and heat exhaust in a heat treatment chamber.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、熱処理すべき基板を収容する熱処理室と、前記熱処
理室内に配設された基板加熱手段と、前記熱処理室に配
設され、前記熱処理室内に気体を流入させるための気体
流入口と、前記気体流入口を開閉するための開閉手段
と、前記熱処理室内の気体を排気するための排気手段
と、前記開閉手段が前記気体流入口を開放した状態にお
いて前記気体排気手段により前記熱処理室内の気体を排
気させる制御手段とを備えたことを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a heat treatment chamber for accommodating a substrate to be heat-treated, substrate heating means disposed in the heat treatment chamber, and disposed in the heat treatment chamber; A gas inlet for allowing a gas to flow into the heat treatment chamber, an opening / closing means for opening / closing the gas inlet, an exhaust means for exhausting the gas in the heat treatment chamber, and the opening / closing means comprising the gas inlet Control means for exhausting the gas in the heat treatment chamber by the gas exhaust means in a state in which the gas is opened.

【0008】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の発明において、前記気体流入口は前記熱処理室に基板
を搬入または搬出するため前記熱処理室の一端に形成さ
れた基板通過口から構成されるとともに、前記開閉手段
は前記基板通過口を開閉するシャッターから構成され、
さらに、前記気体排気手段は前記熱処理室における前記
基板通過口とは逆側の端部に形成された気体排出口を備
えている。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the gas inlet is provided with a substrate passage formed at one end of the heat treatment chamber for loading or unloading a substrate into or from the heat treatment chamber. And the opening and closing means comprises a shutter for opening and closing the substrate passage opening,
Further, the gas exhaust means includes a gas exhaust port formed at an end of the heat treatment chamber opposite to the substrate passage port.

【0009】請求項3に記載の発明は、熱処理すべき基
板を収容する熱処理室と、前記熱処理室内に配設された
基板加熱手段と、前記熱処理室に配設され、前記熱処理
室内に気体を流入させるための気体流入口と、前記処理
室における、前記熱処理室に収容された基板の主面側か
ら見た状態で基板の少なくとも一部を挟んで前記気体流
入口と対向する位置に配設され、前記熱処理室内から気
体を排気するための気体排出口とを備えたことを特徴と
する。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a heat treatment chamber for accommodating a substrate to be heat-treated, a substrate heating means disposed in the heat treatment chamber, and a gas disposed in the heat treatment chamber. A gas inlet for inflow, and a processing chamber provided at a position opposed to the gas inlet across at least a part of the substrate when viewed from a main surface side of the substrate housed in the heat treatment chamber; And a gas outlet for exhausting gas from the heat treatment chamber.

【0010】請求項4に記載の発明は、請求項3に記載
の発明において、前記気体排出口は、前記熱処理室に収
容された基板の主面側から見た状態で、基板の中央部を
挟んで前記気体流入口と対向する位置に配設されてい
る。
According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect of the present invention, the gas outlet is provided at a central portion of the substrate as viewed from a main surface side of the substrate accommodated in the heat treatment chamber. It is disposed at a position facing the gas inlet with the sandwiched therebetween.

【0011】請求項5に記載の発明は、請求項3または
請求項4いずれかに記載の発明において、前記気体流入
口は、前記熱処理室に基板を搬入または搬出するため前
記熱処理室の一端に形成された基板通過口から構成され
ている。
According to a fifth aspect of the present invention, in the third aspect of the present invention, the gas inlet is provided at one end of the heat treatment chamber for loading or unloading a substrate into or from the heat treatment chamber. It is composed of the formed substrate passage opening.

【0012】請求項6に記載の発明は、請求項3または
請求項4いずれかに記載の発明において、前記熱処理室
は、その一端に基板を搬入または搬出するための基板通
過口を備えるとともに、前記気体流入口は前記基板通過
口とは逆側の端部に配設されている。
According to a sixth aspect of the present invention, in the third aspect of the present invention, the heat treatment chamber has a substrate passage at one end thereof for loading or unloading a substrate. The gas inlet is disposed at an end opposite to the substrate passage.

【0013】請求項7に記載の発明は、熱処理室におけ
る基板通過口のシャッターを開放して前記熱処理室内に
基板を搬入または搬出する基板搬送工程と、前記シャッ
ターを閉鎖して基板を前記熱処理室内に配設された基板
加熱手段により加熱する加熱工程とを備える熱処理方法
において、前記基板搬送工程における前記シャッターの
開放時に、前記熱処理室内の気体を排気する排気手段に
より、前記熱処理室内の気体を換気することを特徴とす
る。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a substrate transfer step of opening a shutter of a substrate passage opening in a heat treatment chamber and carrying a substrate into or out of the heat treatment chamber, and closing the shutter to move a substrate into the heat treatment chamber. A heating step of heating by a substrate heating means disposed in the heat treatment chamber, wherein the gas in the heat treatment chamber is ventilated by exhaust means for exhausting the gas in the heat treatment chamber when the shutter is opened in the substrate transfer step. It is characterized by doing.

【0014】請求項8に記載の発明は、熱処理室内に配
設された加熱手段により、この熱処理室内に収容される
基板を加熱する熱処理方法において、前記熱処理室に配
設された気体流入口から前記熱処理室内に気体を流入さ
せるとともに、前記処理室における、前記熱処理室に収
容された基板の主面側から見た状態で基板の少なくとも
一部を挟んで前記気体流入口と対向する位置に配設され
た気体排出口から前記熱処理室内の気体を排気すること
により、前記熱処理室内の気体を換気することを特徴と
する。
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a heat treatment method for heating a substrate accommodated in a heat treatment chamber by a heating means disposed in the heat treatment chamber. A gas is caused to flow into the heat treatment chamber, and the gas is disposed in the processing chamber at a position facing the gas inlet with at least a part of the substrate interposed therebetween when viewed from the main surface side of the substrate housed in the heat treatment chamber. The gas in the heat treatment chamber is ventilated by exhausting the gas in the heat treatment chamber from the provided gas discharge port.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図1はこの発明の第1実施形態
に係る熱処理装置の構成を示す側断面概要図であり、図
2はその要部を示す平断面図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic side sectional view showing a configuration of a heat treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan sectional view showing a main part thereof.

【0016】この熱処理装置はレジストが塗布された基
板1を加熱して処理するものであり、熱処理すべき基板
1を収容する熱処理室2と、熱処理室2内に配設された
ホットプレート3と、熱処理室2の一方の端部に形成さ
れた基板通過口4と、この基板通過口4を開閉するシャ
ッター5と、熱処理室2における基板通過口4とは逆側
の端部に形成された気体排出口6と、気体排出口6とブ
ロアー9とを電磁弁8を介して流路接続する管路7とを
備える。
This heat treatment apparatus heats and processes a substrate 1 on which a resist is applied. The heat treatment chamber 2 accommodates a substrate 1 to be heat treated, and a hot plate 3 provided in the heat treatment chamber 2 A substrate passage opening 4 formed at one end of the heat treatment chamber 2, a shutter 5 for opening and closing the substrate passage opening 4, and an end opposite to the substrate passage opening 4 in the heat treatment chamber 2. A gas outlet 6 and a pipe 7 that connects the gas outlet 6 and the blower 9 to each other through a solenoid valve 8 are provided.

【0017】ホットプレート3は、その内部にヒータを
備え、その表面に吸着保持された状態あるいは微少距離
(プロキシミティーギャップ)だけ離隔した状態で載置
された基板1を加熱するものである。このホットプレー
ト3の内部には、基板1を昇降させて図示を省略した基
板搬送アームに受け渡すための図示を省略した昇降ピン
が配設されている。
The hot plate 3 has a heater inside, and heats the substrate 1 placed on the surface thereof while being held by suction or separated by a minute distance (proximity gap). Inside the hot plate 3, a lift pin (not shown) for raising and lowering the substrate 1 and transferring it to a substrate transfer arm (not shown) is provided.

【0018】シャッター5は、後述するモータ10の駆
動により上下移動することにより、図示を省略した基板
搬送アームによって基板1を基板通過口4を介して熱処
理室2内に搬入し、または、基板通過口4を介して熱処
理室2内より搬出する際に、当該基板通過口4を開放す
る一方、ホットプレート3により基板1を加熱して熱処
理する際に、基板通過口4を気密状態で閉鎖するよう構
成されている。
The shutter 5 is moved up and down by the drive of a motor 10 to be described later, so that the substrate 1 is carried into the heat treatment chamber 2 through the substrate passage port 4 by a substrate transfer arm (not shown), or The substrate passage opening 4 is opened when the substrate 1 is carried out of the heat treatment chamber 2 through the opening 4, and the substrate passage opening 4 is closed in an airtight state when the substrate 1 is heated by the hot plate 3 and heat-treated. It is configured as follows.

【0019】気体排出口6は熱処理室2内の気体を排気
するためのものであり、電磁弁8を開放することによ
り、ブロアー9の作用により熱処理室2内に存在する気
体を管路7を介して大気中に放出するよう構成されてい
る。なお、基板1を加熱することにより、熱処理室2内
にレジスト中の有機溶媒などが蒸発して有害ガスが発生
するような場合には、熱処理室2内の気体を気体処理装
置を介して大気中に放出する。
The gas discharge port 6 is for exhausting the gas in the heat treatment chamber 2. When the solenoid valve 8 is opened, the gas present in the heat treatment chamber 2 is passed through the pipe 7 by the action of the blower 9. Through the atmosphere. In the case where heating the substrate 1 evaporates an organic solvent or the like in the resist into the heat treatment chamber 2 to generate a harmful gas, the gas in the heat treatment chamber 2 is removed from the atmosphere through a gas processing apparatus. Release into.

【0020】図3は、この熱処理装置の主要な電気的構
成を示すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing a main electrical configuration of the heat treatment apparatus.

【0021】この熱処理装置は、ROM21、RAM2
2およびCPU23よりなる制御部20を有する。この
制御部20はインターフェース24を介して上述した電
磁弁8およびモータ10と電気的に接続されており、電
磁弁8およびモータ10は、制御部20の指令により後
述する動作を実行するよう構成されている。
This heat treatment apparatus includes a ROM 21 and a RAM 2
2 and a control unit 20 including a CPU 23. The control unit 20 is electrically connected to the above-described solenoid valve 8 and the motor 10 via the interface 24. The solenoid valve 8 and the motor 10 are configured to execute an operation described later according to a command from the control unit 20. ing.

【0022】次に上述した熱処理装置の動作について説
明する。
Next, the operation of the above-described heat treatment apparatus will be described.

【0023】先ず、モータ10の駆動によりシャッター
5を図1において実線で示す位置から二点鎖線で示す位
置まで下降させ、基板通過口4を開放する。そして、図
示を省略した基板搬送アームにより、基板1を基板通過
口4を介して熱処理室2内に搬入してホットプレート3
上に載置した後、シャッター5を再度上昇させ、基板通
過口4を閉鎖する。
First, the shutter 5 is lowered from the position indicated by the solid line in FIG. 1 to the position indicated by the two-dot chain line by driving the motor 10, and the substrate passage opening 4 is opened. Then, the substrate 1 is loaded into the heat treatment chamber 2 through the substrate passage port 4 by a substrate transfer arm (not shown), and the hot plate 3
After being placed on the upper side, the shutter 5 is raised again, and the substrate passage opening 4 is closed.

【0024】この状態を所定時間維持することにより、
ホットプレート3により基板1を加熱して、基板1を熱
処理する。このとき、基板1は熱処理室2とシャッター
5とにより形成された密閉空間内でホットプレート3に
より加熱されることから、基板1はその全面において均
一に加熱されることとなる。従って、従来のように、基
板1の端縁付近において温度が低下し中央部付近におい
て温度が上昇するようなことはない。
By maintaining this state for a predetermined time,
The substrate 1 is heated by the hot plate 3 to heat-treat the substrate 1. At this time, since the substrate 1 is heated by the hot plate 3 in the enclosed space formed by the heat treatment chamber 2 and the shutter 5, the substrate 1 is uniformly heated over its entire surface. Therefore, unlike the related art, the temperature does not decrease near the edge of the substrate 1 and does not increase near the center.

【0025】基板1に対し必要な熱処理が終了すれば、
モータ10の駆動によりシャッター5を下降させ、基板
通過口4を開放する。また、これと同時に電磁弁8を開
放し、ブロアー9の作用により熱処理室2内に存在する
気体を管路7を介して大気中に放出する。このとき、基
板通過口4が開放されていることから、熱処理室2内の
気体は速やかに管路7を通って排出され、熱処理室2内
には基板通過口4より新鮮な外気が進入する。従って、
熱処理室2内に存在するレジスト液からの蒸発成分等の
換気と熱処理室2内の熱排気とが迅速に行われる。
When the necessary heat treatment for the substrate 1 is completed,
The shutter 5 is lowered by driving the motor 10, and the substrate passage 4 is opened. At the same time, the solenoid valve 8 is opened, and the gas present in the heat treatment chamber 2 is released to the atmosphere through the pipe 7 by the action of the blower 9. At this time, since the substrate passage port 4 is open, the gas in the heat treatment chamber 2 is quickly discharged through the pipe 7, and fresh outside air enters the heat treatment chamber 2 from the substrate passage port 4. . Therefore,
Ventilation of evaporative components from the resist solution present in the heat treatment chamber 2 and heat exhaust in the heat treatment chamber 2 are quickly performed.

【0026】このとき、気体の排気方向が一定の方向に
定められることから、基板1近傍の雰囲気の停滞が防止
され、熱処理室2内に存在するレジスト液からの蒸発成
分等の換気と熱処理室2内の熱排気とを特に迅速に実行
することが可能となる。また、熱処理室の複数箇所から
排気する場合のように各排気のバランスを考慮する必要
がなく、排気機構を簡素化することが可能となる。
At this time, since the exhaust direction of the gas is determined to be constant, the stagnation of the atmosphere near the substrate 1 is prevented, and the ventilation of the evaporation component from the resist solution present in the heat treatment chamber 2 and the heat treatment chamber 2 can be carried out particularly quickly. Further, it is not necessary to consider the balance of each exhaust as in the case of exhausting from a plurality of locations in the heat treatment chamber, and the exhaust mechanism can be simplified.

【0027】特に、熱処理室2内に気体を流入させるた
めの気体流入口として機能する基板通過口4と熱処理室
2から気体を排出するための気体排出口6とは、ホット
プレート3上に載置された基板1の主面側から見た状態
で基板1の中央部を挟んで互いに対向して配置されてい
るため、基板1中央部の雰囲気の停滞が防止でき、基板
1の中央部の温度が端縁付近に比べて高くなるという現
象を有効に防止することが可能となる。
In particular, the substrate passing port 4 functioning as a gas inlet for flowing gas into the heat treatment chamber 2 and the gas discharge port 6 for discharging gas from the heat treatment chamber 2 are mounted on the hot plate 3. Since the substrates 1 are placed opposite to each other with the central portion of the substrate 1 interposed therebetween when viewed from the main surface side of the substrate 1, the stagnation of the atmosphere in the central portion of the substrate 1 can be prevented, and the central portion of the substrate 1 can be prevented. It is possible to effectively prevent the phenomenon that the temperature is higher than that near the edge.

【0028】また、特にこの実施の形態においては、熱
処理室2の一方の端部に形成された比較的大サイズの基
板通過口4と熱処理室2における基板通過口4とは逆側
の端部に形成された気体排出口6とを利用して熱処理室
2内の気体の換気を行うことから、基板1の熱処理終了
時に熱処理室2内に存在する全ての気体を、数秒程度で
熱処理室2内から排気することが可能となる。
In this embodiment, in particular, a relatively large-sized substrate passage opening 4 formed at one end of the heat treatment chamber 2 and an end opposite to the substrate passage opening 4 in the heat treatment chamber 2. Since the gas in the heat treatment chamber 2 is ventilated by using the gas discharge port 6 formed in the heat treatment chamber 2, all the gas existing in the heat treatment chamber 2 at the end of the heat treatment of the substrate 1 is removed in about several seconds. It is possible to exhaust from inside.

【0029】上述した換気動作と並行して、図示を省略
した基板搬送アームにより、基板通過口4を介して、熱
処理を終了した基板1を熱処理室2より搬出すると共
に、次に熱処理を行う基板1を熱処理室内に搬入する。
そして、シャッター5を閉鎖し、上述した動作を繰り返
すことにより基板1の熱処理を継続する。
In parallel with the above-mentioned ventilation operation, the substrate 1 subjected to the heat treatment is carried out of the heat treatment chamber 2 through the substrate passage port 4 by a substrate transfer arm (not shown), and the substrate to be subjected to the next heat treatment is carried out. 1 is carried into the heat treatment room.
Then, the shutter 5 is closed, and the heat treatment of the substrate 1 is continued by repeating the above operation.

【0030】なお、上述した実施の形態においては、基
板1に対する熱処理が終了し、シャッター5を開放する
と同時に電磁弁8を開放し、基板1の搬出・搬入動作と
並行して換気動作を実行する場合について説明したが、
シャッター5が開放されている状態であれば、基板1の
搬出前、基板1の搬出後搬入前、あるいは基板1の搬入
後のいずれの時点においても換気動作を実行することは
可能である。
In the above-described embodiment, the heat treatment of the substrate 1 is completed, the shutter 5 is opened, the solenoid valve 8 is opened at the same time, and the ventilation operation is executed in parallel with the unloading and loading operations of the substrate 1. I explained the case,
If the shutter 5 is open, the ventilation operation can be performed at any time before the substrate 1 is carried out, before the substrate 1 is carried out, and before the substrate 1 is carried in, or after the substrate 1 is carried in.

【0031】次に、この発明の他の実施の形態について
説明する。図4は、この発明の第2実施形態に係る熱処
理装置の構成を示す側断面概要図である。なお、上述し
た第1実施形態と同一の部材については、同一の符号を
付して詳細な説明を省略する。
Next, another embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a schematic side sectional view showing a configuration of a heat treatment apparatus according to a second embodiment of the present invention. The same members as those in the above-described first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.

【0032】上述した第1実施形態においては、熱処理
室2に基板1を搬入または搬出するための基板通過口4
を熱処理室2内に気体を流入させるための気体流入口と
して使用するとともに、この基板通過口4とホットプレ
ート3上に載置された基板1の主面側から見た状態で基
板1の中央部を挟んで対向する位置に、熱処理室2から
気体を排出するための気体排出口6を配設している。一
方、この第2実施形態においては、熱処理室2における
基板通過口4側の端部に熱処理室2から気体を排出する
ための気体排出口46を配設するとともに、この気体排
出口46とホットプレート3上に載置された基板1の主
面側から見た状態で基板1の中央部を挟んで対向する位
置に、熱処理室2内に気体を流入させるための気体流入
口44を配設した点が上述した第1実施形態と異なる。
In the first embodiment described above, the substrate passage 4 for carrying the substrate 1 into or out of the heat treatment chamber 2 is provided.
Is used as a gas inlet for flowing gas into the heat treatment chamber 2, and the center of the substrate 1 when viewed from the substrate passing port 4 and the main surface side of the substrate 1 placed on the hot plate 3. A gas discharge port 6 for discharging a gas from the heat treatment chamber 2 is provided at a position opposed to each other with the portion interposed therebetween. On the other hand, in the second embodiment, a gas discharge port 46 for discharging gas from the heat treatment chamber 2 is disposed at an end of the heat treatment chamber 2 on the substrate passage port 4 side, and the gas discharge port 46 is connected to the hot port. A gas inlet 44 for allowing gas to flow into the heat treatment chamber 2 is provided at a position opposed to the central portion of the substrate 1 when viewed from the main surface side of the substrate 1 placed on the plate 3. This is different from the first embodiment described above.

【0033】すなわち、この第2実施形態に係る基板処
理装置においては、熱処理室2の側壁における基板通過
口4およびシャッター5の上方に、熱処理室2から気体
を排出するための気体排出口46が形成されている。こ
の気体排出口46は、第1実施形態と同様、管路7を介
して電磁弁8およびブロアー9と流路接続されている。
一方、熱処理室2における基板通過口4およびシャッタ
ー5とは逆側の側壁には、熱処理室2内に気体を流入さ
せるための気体流入口44が形成されている。この気体
流入口44は、管路47を介して電磁弁48と接続され
ている。
That is, in the substrate processing apparatus according to the second embodiment, a gas discharge port 46 for discharging gas from the heat treatment chamber 2 is provided above the substrate passage port 4 and the shutter 5 on the side wall of the heat treatment chamber 2. Is formed. The gas outlet 46 is connected to the solenoid valve 8 and the blower 9 through the pipe 7 in the same manner as in the first embodiment.
On the other hand, on the side wall of the heat treatment chamber 2 opposite to the substrate passage opening 4 and the shutter 5, a gas inlet 44 for allowing gas to flow into the heat treatment chamber 2 is formed. The gas inlet 44 is connected to a solenoid valve 48 via a pipe line 47.

【0034】この第2実施形態に係る熱処理装置により
基板1の熱処理を実行する場合においては、上述した第
1実施形態の場合と同様、図3に示すモータ10の駆動
によりシャッター5を図4において実線で示す位置から
二点鎖線で示す位置まで下降させ、基板通過口4を開放
する。そして、図示を省略した基板搬送アームにより、
基板1を基板通過口4を介して熱処理室2内に搬入して
ホットプレート3上に載置した後、シャッター5を再度
上昇させ、基板通過口4を閉鎖する。
When the heat treatment of the substrate 1 is performed by the heat treatment apparatus according to the second embodiment, the shutter 5 is driven by the motor 10 shown in FIG. The substrate is lowered from the position indicated by the solid line to the position indicated by the two-dot chain line to open the substrate passage opening 4. Then, by a substrate transfer arm (not shown),
After the substrate 1 is carried into the heat treatment chamber 2 via the substrate passage 4 and placed on the hot plate 3, the shutter 5 is raised again and the substrate passage 4 is closed.

【0035】この状態を所定時間維持することにより、
ホットプレート3により基板1を加熱して、基板1を熱
処理する。このとき、基板1は熱処理室2とシャッター
5とにより形成された密閉空間内でホットプレート3に
より加熱されることから、基板1はその全面において均
一に加熱されることとなる。従って、従来のように、基
板1の端縁付近において温度が低下し中央部付近におい
て温度が上昇するようなことはない。
By maintaining this state for a predetermined time,
The substrate 1 is heated by the hot plate 3 to heat-treat the substrate 1. At this time, since the substrate 1 is heated by the hot plate 3 in the enclosed space formed by the heat treatment chamber 2 and the shutter 5, the substrate 1 is uniformly heated over its entire surface. Therefore, unlike the related art, the temperature does not decrease near the edge of the substrate 1 and does not increase near the center.

【0036】基板1に対し必要な熱処理が終了すれば、
モータ10の駆動によりシャッター5を下降させ、基板
通過口4を開放する。また、これと同時に電磁弁48を
開放することにより気体流入口44を管路47を介して
大気と連通させる。さらに、電磁弁8を開放し、ブロア
ー9の作用により熱処理室2内に存在する気体を、基板
通過口4の上方に形成された気体排出口46から管路7
を介して大気中に放出する。これにより、熱処理室2内
の気体は速やかに管路7を通って排出され、熱処理室2
内には気体流入口44より新鮮な外気が進入する。従っ
て、熱処理室2内に存在するレジスト液からの蒸発成分
等の換気と熱処理室2内の熱排気とが迅速に行われる。
When the necessary heat treatment for the substrate 1 is completed,
The shutter 5 is lowered by driving the motor 10, and the substrate passage 4 is opened. At the same time, by opening the electromagnetic valve 48, the gas inlet 44 is communicated with the atmosphere via the pipe 47. Further, the electromagnetic valve 8 is opened, and the gas present in the heat treatment chamber 2 is caused to flow by the action of the blower 9 from the gas discharge port 46 formed above the substrate passage port 4 to the pipeline 7.
Release to the atmosphere through. Thereby, the gas in the heat treatment chamber 2 is quickly discharged through the pipe 7 and
Fresh outside air enters the inside through the gas inlet 44. Therefore, ventilation of evaporative components and the like from the resist solution present in the heat treatment chamber 2 and heat exhaust in the heat treatment chamber 2 are quickly performed.

【0037】このとき、第1実施形態の場合と同様、気
体の排気方向が一定の方向に定められることから、基板
1近傍の雰囲気の停滞が防止され、熱処理室2内に存在
するレジスト液からの蒸発成分等の換気と熱処理室2内
の熱排気とを特に迅速に実行することが可能となる。ま
た、熱処理室の複数箇所から排気する場合のように各排
気のバランスを考慮する必要がなく、排気機構を簡素化
することが可能となる。
At this time, as in the case of the first embodiment, since the gas exhaust direction is determined to be constant, the stagnation of the atmosphere near the substrate 1 is prevented, and the resist solution existing in the heat treatment chamber 2 is removed. In particular, the ventilation of the evaporation component and the heat exhaust in the heat treatment chamber 2 can be performed particularly quickly. Further, it is not necessary to consider the balance of each exhaust as in the case of exhausting from a plurality of locations in the heat treatment chamber, and the exhaust mechanism can be simplified.

【0038】また、熱処理室2内に気体を流入させるた
めの気体流入口44と熱処理室2から気体を排出するた
めの気体排出口46とは、ホットプレート3上に載置さ
れた基板1の主面側から見た状態で基板1の中央部を挟
んで互いに対向して配置されているため、基板1中央部
の雰囲気の停滞が防止でき、基板1の中央部の温度が端
縁付近に比べて高くなるという現象を有効に防止するこ
とが可能となる。
The gas inlet 44 for flowing gas into the heat treatment chamber 2 and the gas discharge port 46 for discharging gas from the heat treatment chamber 2 are connected to the substrate 1 placed on the hot plate 3. Since they are arranged facing each other across the central portion of the substrate 1 when viewed from the main surface side, the stagnation of the atmosphere in the central portion of the substrate 1 can be prevented, and the temperature of the central portion of the substrate 1 becomes close to the edge. It is possible to effectively prevent the phenomenon of being higher than the above.

【0039】さらに、特にこの実施形態においては、熱
処理室2の奥側、すなわち基板通過口4の逆側から外気
を流入させるので、基板処理室2における基板通過口4
付近の過度の温度低下を防止することができる。
Furthermore, in this embodiment, since the outside air flows from the back side of the heat treatment chamber 2, that is, from the opposite side of the substrate passage 4, the substrate passage 4 in the substrate processing chamber 2 is formed.
Excessive temperature drop in the vicinity can be prevented.

【0040】なお、この第2実施形態に係る基板処理装
置においては、基板1に対する熱処理が終了した後に換
気動作を実行するかわりに、基板1に対する熱処理と並
行して換気動作を実行するようにしてもよい。すなわ
ち、基板1に対して熱処理を実行する過程において、電
磁弁48を開放するとともに電磁弁8を開放し、ブロア
ー9を弱い駆動力をもって動作させて、熱処理室2内に
存在する気体を、気体排出口46から管路7を介して少
しずつ大気中に放出する。これにより、熱処理室2内の
気体は徐々に管路7を通って排出され、熱処理室2内に
は気体流入口44より新鮮な外気が進入する。従って、
熱処理室2内に存在するレジスト液からの蒸発成分等の
換気と熱処理室2内の熱排気とを熱処理動作と並行して
実行することが可能となる。
In the substrate processing apparatus according to the second embodiment, instead of performing the ventilation operation after the heat treatment on the substrate 1 is completed, the ventilation operation is performed in parallel with the heat treatment on the substrate 1. Is also good. That is, in the process of performing the heat treatment on the substrate 1, the solenoid valve 48 is opened and the solenoid valve 8 is opened, the blower 9 is operated with a weak driving force, and the gas existing in the heat treatment chamber 2 is removed. The gas is gradually discharged from the discharge port 46 to the atmosphere via the pipe 7. As a result, the gas in the heat treatment chamber 2 is gradually discharged through the pipe 7, and fresh outside air enters the heat treatment chamber 2 from the gas inlet 44. Therefore,
Ventilation of the evaporated components from the resist solution present in the heat treatment chamber 2 and heat exhaustion in the heat treatment chamber 2 can be performed in parallel with the heat treatment operation.

【0041】次に、この発明のさらに他の実施の形態に
ついて説明する。図5は、この発明の第3実施形態に係
る熱処理装置の構成を示す平断面概要図である。なお、
上述した第1または第2実施形態と同一の部材について
は、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
Next, still another embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is a schematic plan sectional view showing the configuration of the heat treatment apparatus according to the third embodiment of the present invention. In addition,
The same members as those in the first or second embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0042】この第3実施形態に係る基板処理装置にお
いては、図5に示すように、熱処理室2における基板通
過口4と直交する側の側壁に熱処理室2から気体を排出
するための気体排出口56を配設するとともに、この気
体排出口56とホットプレート3上に載置された基板1
の主面側から見た状態で基板1の中央部を挟んで対向す
る位置に、熱処理室2内に気体を流入させるための気体
流入口54を配設している。そして、この気体排出口5
6は、上述した実施形態と同様、管路7を介して電磁弁
8およびブロアー9と流路接続されており、気体流入口
54は、管路57を介して電磁弁58と接続されてい
る。
In the substrate processing apparatus according to the third embodiment, as shown in FIG. 5, a gas exhaust for exhausting gas from the heat treatment chamber 2 is provided on a side wall of the heat treatment chamber 2 on a side orthogonal to the substrate passage opening 4. An outlet 56 is provided, and the gas outlet 56 and the substrate 1 placed on the hot plate 3 are placed.
A gas inlet 54 for allowing gas to flow into the heat treatment chamber 2 is provided at a position facing the center of the substrate 1 when viewed from the main surface of the substrate 1. And this gas outlet 5
6 is connected to the solenoid valve 8 and the blower 9 through the pipe 7 in the same manner as in the above-described embodiment, and the gas inlet 54 is connected to the solenoid valve 58 through the pipe 57. .

【0043】この第3実施形態に係る熱処理装置におい
ても、上述した第1、第2実施形態に係る基板処理装置
と同様、気体の排気方向が一定の方向に定められること
から、熱処理室2内に存在するレジスト液からの蒸発成
分等の換気と熱処理室2内の熱排気とを特に迅速に実行
することが可能となり、また、各排気のバランスを考慮
する必要がなく排気機構を簡素化することが可能とな
る。また、熱処理室2内に気体を流入させるための気体
流入口44と熱処理室2から気体を排出するための気体
排出口46とは、ホットプレート3上に載置された基板
1の主面側から見た状態で基板1の中央部を挟んで互い
に対向して配置されているため、基板1の中央部の温度
が端縁付近に比べて高くなるという現象を有効に防止す
ることが可能となる。
In the heat treatment apparatus according to the third embodiment, as in the substrate processing apparatus according to the above-described first and second embodiments, the gas exhaust direction is determined to be a fixed direction. It is possible to particularly quickly execute the ventilation of the evaporation component and the like from the resist solution existing in the heat treatment and the heat exhaust in the heat treatment chamber 2, and simplify the exhaust mechanism without having to consider the balance of each exhaust. It becomes possible. The gas inlet 44 for allowing gas to flow into the heat treatment chamber 2 and the gas outlet 46 for discharging gas from the heat treatment chamber 2 are provided on the main surface side of the substrate 1 placed on the hot plate 3. When viewed from the side, they are arranged to face each other with the central portion of the substrate 1 interposed therebetween, so that it is possible to effectively prevent the phenomenon that the temperature of the central portion of the substrate 1 becomes higher than that near the edge. Become.

【0044】次に、この発明のさらに他の実施の形態に
ついて説明する。図6は、この発明の第4実施形態に係
る熱処理装置の構成を示す平断面概要図である。なお、
上述した第1乃至第3実施形態と同一の部材について
は、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
Next, still another embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 is a schematic plan sectional view showing a configuration of a heat treatment apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. In addition,
The same members as those in the above-described first to third embodiments are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.

【0045】この第4実施形態に係る基板処理装置にお
いては、図6に示すように、基板通過口4とホットプレ
ート3上に載置された基板1の主面側から見た状態で基
板1の中央部を挟んで対向する位置に、熱処理室2から
気体を排出するための気体排出口66を配設するととも
に、熱処理室2における基板通過口4と直交する側の側
壁の基板通過口4に近接した位置に、熱処理室2内に気
体を流入させるための一対の気体流入口64を互いに対
向する状態で配設している。そして、上記気体排出口6
6は、上述した各実施形態と同様、管路7を介して電磁
弁8およびブロアー9と流路接続されており、気体流入
口64は、管路67を介して電磁弁68と接続されてい
る。
In the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment, as shown in FIG. 6, the substrate 1 is viewed from the main surface side of the substrate 1 placed on the substrate passage port 4 and the hot plate 3. A gas discharge port 66 for discharging gas from the heat treatment chamber 2 is disposed at a position opposed to the central portion of the heat treatment chamber 2, and the substrate passage port 4 on a side wall of the heat treatment chamber 2 on a side orthogonal to the substrate passage port 4. A pair of gas inlets 64 for allowing gas to flow into the heat treatment chamber 2 are disposed at positions close to the heat treatment chamber 2 so as to face each other. And the gas outlet 6
6 is connected to the electromagnetic valve 8 and the blower 9 via the pipe 7 in the same manner as in the above-described embodiments, and the gas inlet 64 is connected to the electromagnetic valve 68 via the pipe 67. I have.

【0046】この第4実施形態に係る熱処理装置におい
ても、上述した第1乃至第3実施形態に係る基板処理装
置と同様、基板1を均一に熱処理することができ、ま
た、熱処理室2内の換気と熱排気とを迅速に実行するこ
とが可能となる。
In the heat treatment apparatus according to the fourth embodiment, similarly to the substrate processing apparatus according to the first to third embodiments, the substrate 1 can be uniformly heat-treated. Ventilation and heat exhaust can be performed quickly.

【0047】次に、この発明のさらに他の実施の形態に
ついて説明する。図7は、この発明の第5実施形態に係
る熱処理装置の構成を示す側断面概要図である。なお、
上述した第1乃至第4実施形態と同一の部材について
は、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
Next, still another embodiment of the present invention will be described. FIG. 7 is a schematic side sectional view showing a configuration of a heat treatment apparatus according to a fifth embodiment of the present invention. In addition,
The same members as those in the above-described first to fourth embodiments are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.

【0048】この第5実施形態に係る基板処理装置にお
いては、図7に示すように、基板通過口4とホットプレ
ート3上に載置された基板1の主面側から見た状態で基
板1の中央部を挟んで対向する位置に、熱処理室2から
気体を排出するための気体排出口76を配設するととも
に、熱処理室2におけるホットプレート3上に載置され
た基板1の上方に、熱処理室2内に気体を流入させるた
めの複数の気体流入口74を平面視で格子状に配設して
いる。そして、上記気体排出口76は、上述した各実施
形態と同様、管路7を介して電磁弁8およびブロアー9
と流路接続されており、気体流入口74は、管路77を
介して電磁弁78と接続されている。なお、気体排出口
76は、ホットプレート3上に載置された基板1の主面
側から見た状態で、図7の側断面図における複数の気体
流入口74のうち最も基板通過口4に近い気体流入口7
4に対して、基板1の中央部を挟んで対向する位置に配
設されているといえる。
In the substrate processing apparatus according to the fifth embodiment, as shown in FIG. 7, the substrate 1 is viewed from the main surface side of the substrate 1 placed on the substrate passage port 4 and the hot plate 3. A gas outlet 76 for discharging gas from the heat treatment chamber 2 is disposed at a position facing the center of the heat treatment chamber 2, and above the substrate 1 placed on the hot plate 3 in the heat treatment chamber 2, A plurality of gas inlets 74 for allowing gas to flow into the heat treatment chamber 2 are arranged in a lattice shape in plan view. The gas outlet 76 is connected to the solenoid valve 8 and the blower 9 through the pipe 7 similarly to the above-described embodiments.
The gas inlet 74 is connected to a solenoid valve 78 via a pipe 77. In addition, the gas discharge port 76 is the closest to the substrate passage port 4 among the plurality of gas inflow ports 74 in the side sectional view of FIG. 7 when viewed from the main surface side of the substrate 1 placed on the hot plate 3. Close gas inlet 7
4 can be said to be disposed at a position facing the substrate 1 with the central portion of the substrate 1 interposed therebetween.

【0049】この第5実施形態に係る熱処理装置におい
ても、上述した第1乃至第4実施形態に係る基板処理装
置と同様、基板1を均一に熱処理することができ、ま
た、熱処理室2内の換気と熱排気とを迅速に実行するこ
とが可能となる。
In the heat treatment apparatus according to the fifth embodiment, as in the substrate processing apparatuses according to the first to fourth embodiments, the substrate 1 can be uniformly heat-treated. Ventilation and heat exhaust can be performed quickly.

【0050】なお、上述した第2乃至第5実施の形態に
おいては、熱処理室2内に外気を流入させるための気体
流入口44、54、64、74を、管路47、57、6
7、77および電磁弁48、58、68、78を介して
大気と連通させているが、管路47、57、67、77
中にフィルター等を配設し、このフィルター等を介して
熱処理室2の内部と外部とを流路接続する構成としても
よい。このような構成を採用することにより、熱処理室
2内に大気中のパーティクルが侵入することを防止する
ことが可能となる。
In the second to fifth embodiments described above, the gas inlets 44, 54, 64, 74 for allowing outside air to flow into the heat treatment chamber 2 are connected to the pipes 47, 57, 6, 6.
7, 77 and the solenoid valves 48, 58, 68, 78 communicate with the atmosphere, but the pipes 47, 57, 67, 77
A filter or the like may be provided inside, and the inside and outside of the heat treatment chamber 2 may be connected to each other through the filter or the like. By adopting such a configuration, it is possible to prevent particles in the atmosphere from entering the heat treatment chamber 2.

【0051】また、上述した実施の形態においては、い
ずれも、排気手段に電磁弁8とブロアー9とを利用した
場合について説明したが、電磁弁8に換えて、エア弁等
の他の弁や開閉機能を有するダンパーを使用してもよ
く、また、ブロアー9に換えて工場排気や真空ポンプを
利用してもよい。
In each of the above-described embodiments, the case where the electromagnetic valve 8 and the blower 9 are used as the exhaust means has been described. However, instead of the electromagnetic valve 8, another valve such as an air valve or the like may be used. A damper having an opening and closing function may be used, and a factory exhaust or a vacuum pump may be used instead of the blower 9.

【0052】また、上述した実施の形態においては、い
ずれも、この発明をレジストが塗布された基板1を加熱
して処理する熱処理装置に適用した場合について説明し
たが、この発明は、例えばレジスト塗布前のHMDSの
基板表面への塗布装置など、熱処理室内に基板を収容し
て高温状態で処理し、熱排気等を実行する必要のある各
種の熱処理装置に適用することが可能である。
In each of the above-described embodiments, a case has been described in which the present invention is applied to a heat treatment apparatus for heating and processing a substrate 1 coated with a resist. The present invention can be applied to various heat treatment apparatuses that need to accommodate a substrate in a heat treatment chamber, process the substrate in a high temperature state, and perform heat exhaust or the like, such as an apparatus for applying a HMDS to the surface of a substrate.

【0053】さらに、上述した実施の形態においては、
いずれも、角形の基板1を角形のホットプレート3によ
り加熱して処理する場合について説明したが、例えば半
導体ウエハのような略円形の基板を略円形のホットプレ
ートにより加熱して処理するようにしてもよい。
Further, in the above-described embodiment,
In each case, the case where the rectangular substrate 1 is heated and processed by the rectangular hot plate 3 has been described. For example, a substantially circular substrate such as a semiconductor wafer is heated and processed by the substantially circular hot plate. Is also good.

【0054】[0054]

【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、開閉手
段が気体流入口を開放した状態において気体排気手段に
より熱処理室内の気体を排気させる制御手段を備えるこ
とから、基板全面を均一に加熱して熱処理した後、熱処
理室内の気体を速やかに排気して熱処理室内の換気と熱
排気とを迅速に実行することが可能となる。
According to the first aspect of the present invention, since the opening / closing means is provided with the control means for exhausting the gas in the heat treatment chamber by the gas exhaust means when the gas inlet is opened, the entire surface of the substrate is made uniform. After the heating and the heat treatment, the gas in the heat treatment chamber is quickly exhausted, and the ventilation and the heat exhaust in the heat treatment chamber can be quickly performed.

【0055】請求項2に記載の発明によれば、気体流入
口として基板通過口を利用し、開閉手段としてシャッタ
ーを利用することから、熱処理装置の構成を簡易なもの
とすることができる。また、基板通過口が熱処理室の一
端に形成され、気体排出口が熱処理室における基板通過
口とは逆側の端部に形成されることから、基板の熱処理
終了時に熱処理室内に存在する全ての気体を特に迅速に
熱処理室内から排気することが可能となる。
According to the second aspect of the present invention, since the substrate passage is used as the gas inlet and the shutter is used as the opening / closing means, the structure of the heat treatment apparatus can be simplified. In addition, since the substrate passage is formed at one end of the heat treatment chamber and the gas discharge port is formed at the end opposite to the substrate passage in the heat treatment chamber, all the gas existing in the heat treatment chamber at the end of the heat treatment of the substrate. The gas can be exhausted from the heat treatment chamber particularly quickly.

【0056】請求項3に記載の発明によれば、熱処理室
に収容された基板の主面側から見た状態で基板の少なく
とも一部を挟んで気体流入口と対向する位置に配設さ
れ、熱処理室内から気体を排気するための気体排出口を
備えることから、気体を一定の方向に排気することが可
能となり、基板全面に対する均一な加熱と熱処理室内の
迅速な換気および熱排気とを実行することが可能とな
る。
According to the third aspect of the present invention, the substrate is disposed at a position facing the gas inlet with at least a part of the substrate interposed therebetween when viewed from the main surface side of the substrate accommodated in the heat treatment chamber, Since a gas outlet for exhausting gas from the heat treatment chamber is provided, the gas can be exhausted in a certain direction, and uniform heating over the entire surface of the substrate and rapid ventilation and heat exhaust in the heat treatment chamber are performed. It becomes possible.

【0057】請求項4に記載の発明によれば、気体排出
口が、熱処理室に収容された基板の主面側から見た状態
で、基板の中央部を挟んで気体流入口と対向する位置に
配設されていることから、基板中央部の雰囲気の停滞を
確実に防止することができ、基板をより均一に熱処理す
ることが可能となる。
According to the fourth aspect of the present invention, the position where the gas exhaust port faces the gas inlet with the central portion of the substrate therebetween when viewed from the main surface side of the substrate accommodated in the heat treatment chamber. , The stagnation of the atmosphere in the center of the substrate can be reliably prevented, and the substrate can be more uniformly heat-treated.

【0058】請求項5に記載の発明によれば、気体流入
口が熱処理室に基板を搬入または搬出するため熱処理室
の一端に形成された基板通過口から構成されていること
から、熱処理装置の構成を簡易なものとすることがで
き、また、熱処理室内に迅速に気体を流入させることが
できる。
According to the fifth aspect of the present invention, since the gas inlet is constituted by the substrate passage opening formed at one end of the heat treatment chamber for loading or unloading the substrate into or out of the heat treatment chamber, The configuration can be simplified, and the gas can be quickly flowed into the heat treatment chamber.

【0059】請求項6に記載の発明によれば、熱処理室
がその一端に基板を搬入または搬出するための基板通過
口を備えるとともに、気体流入口は基板通過口とは逆側
の端部に配設されていることから、熱処理室における基
板通過口側での温度の低下を緩和することができる。
According to the sixth aspect of the present invention, the heat treatment chamber has at one end thereof a substrate passage for loading or unloading a substrate, and the gas inlet is formed at an end opposite to the substrate passage. Since it is provided, it is possible to alleviate a decrease in temperature on the substrate passage opening side in the heat treatment chamber.

【0060】請求項7に記載の発明によれば、基板搬送
工程におけるシャッターの開放時に、熱処理室内の気体
を排気する排気手段により、熱処理室内の気体を換気す
ることから、基板全面を均一に加熱して熱処理した後、
熱処理室内の気体を速やかに排気して熱処理室内の換気
と熱排気とを迅速に実行することが可能となる。
According to the seventh aspect of the present invention, when the shutter is opened in the substrate transfer step, the gas in the heat treatment chamber is ventilated by the exhaust means for exhausting the gas in the heat treatment chamber, so that the entire surface of the substrate is uniformly heated. And heat-treated,
It is possible to quickly exhaust the gas in the heat treatment chamber and quickly perform ventilation and heat exhaust in the heat treatment chamber.

【0061】請求項8に記載の発明によれば、熱処理室
に配設された気体流入口から熱処理室内に気体を流入さ
せるとともに、処理室における、熱処理室に収容された
基板の主面側から見た状態で基板の少なくとも一部を挟
んで気体流入口と対向する位置に配設された気体排出口
から熱処理室内の気体を排気することから、気体を一定
の方向に排気することが可能となり、基板全面に対する
均一な加熱と熱処理室内の迅速な換気および熱排気とを
実行することが可能となる。
According to the eighth aspect of the present invention, a gas flows into the heat treatment chamber from the gas inlet provided in the heat treatment chamber, and the gas flows from the main surface side of the substrate accommodated in the heat treatment chamber in the processing chamber. Since the gas in the heat treatment chamber is exhausted from the gas outlet arranged at a position facing the gas inlet with at least a part of the substrate interposed therebetween in the state in which the substrate is seen, the gas can be exhausted in a certain direction. In addition, uniform heating over the entire surface of the substrate and rapid ventilation and heat exhaustion in the heat treatment chamber can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の第1実施形態に係る熱処理装置の構
成を示す側断面概要図である。
FIG. 1 is a schematic side sectional view showing a configuration of a heat treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】この発明の第1実施形態に係る熱処理装置の要
部を示す平断面図である。
FIG. 2 is a plan sectional view showing a main part of the heat treatment apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図3】この発明に係る熱処理装置の主要な電気的構成
を示すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing a main electrical configuration of a heat treatment apparatus according to the present invention.

【図4】この発明の第2実施形態に係る熱処理装置の構
成を示す側断面概要図である。
FIG. 4 is a schematic side sectional view showing a configuration of a heat treatment apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図5】この発明の第3実施形態に係る熱処理装置の構
成を示す平断面概要図である。
FIG. 5 is a schematic plan sectional view showing a configuration of a heat treatment apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図6】この発明の第4実施形態に係る熱処理装置の構
成を示す平断面概要図である。
FIG. 6 is a schematic plan sectional view showing a configuration of a heat treatment apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図7】この発明の第5実施形態に係る熱処理装置の構
成を示す側断面概要図である。
FIG. 7 is a schematic side sectional view showing a configuration of a heat treatment apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 熱処理室 3 ホットプレート 4 基板通過口 5 シャッター 6 気体排出口 7 管路 8 電磁弁 9 ブロアー 10 モータ 20 制御部 44、54、64、74 気体流入口 46、56、66、76 気体排出口 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Heat treatment room 3 Hot plate 4 Substrate passage 5 Shutter 6 Gas discharge port 7 Pipe line 8 Solenoid valve 9 Blower 10 Motor 20 Control part 44, 54, 64, 74 Gas inlet 46, 56, 66, 76 Gas discharge Exit

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 熱処理すべき基板を収容する熱処理室
と、 前記熱処理室内に配設された基板加熱手段と、 前記熱処理室に配設され、前記熱処理室内に気体を流入
させるための気体流入口と、 前記気体流入口を開閉するための開閉手段と、 前記熱処理室内の気体を排気するための排気手段と、 前記開閉手段が前記気体流入口を開放した状態において
前記気体排気手段により前記熱処理室内の気体を排気さ
せる制御手段と、 を備えたことを特徴とする熱処理装置。
1. A heat treatment chamber for accommodating a substrate to be heat-treated, a substrate heating means disposed in the heat treatment chamber, and a gas inlet disposed in the heat treatment chamber for flowing gas into the heat treatment chamber. Opening / closing means for opening / closing the gas inlet; exhaust means for exhausting gas in the heat treatment chamber; and the gas exhaust means in the heat treatment chamber with the opening / closing means opening the gas inlet. And a control means for exhausting the gas.
【請求項2】 請求項1に記載の熱処理装置において、 前記気体流入口は前記熱処理室に基板を搬入または搬出
するため前記熱処理室の一端に形成された基板通過口か
ら構成されるとともに、前記開閉手段は前記基板通過口
を開閉するシャッターから構成され、さらに、前記気体
排気手段は前記熱処理室における前記基板通過口とは逆
側の端部に形成された気体排出口を備える熱処理装置。
2. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the gas inlet comprises a substrate passage formed at one end of the heat treatment chamber for carrying a substrate into or out of the heat treatment chamber. A heat treatment apparatus, wherein the opening / closing means comprises a shutter for opening / closing the substrate passage opening, and the gas exhaust means further comprises a gas discharge port formed at an end of the heat treatment chamber opposite to the substrate passage opening.
【請求項3】 熱処理すべき基板を収容する熱処理室
と、 前記熱処理室内に配設された基板加熱手段と、 前記熱処理室に配設され、前記熱処理室内に気体を流入
させるための気体流入口と、 前記処理室における、前記熱処理室に収容された基板の
主面側から見た状態で基板の少なくとも一部を挟んで前
記気体流入口と対向する位置に配設され、前記熱処理室
内から気体を排気するための気体排出口と、 を備えたことを特徴とする熱処理装置。
3. A heat treatment chamber for accommodating a substrate to be heat-treated, a substrate heating means disposed in the heat treatment chamber, and a gas inlet disposed in the heat treatment chamber for flowing gas into the heat treatment chamber. And disposed in the processing chamber at a position facing the gas inlet with at least a part of the substrate interposed therebetween when viewed from the main surface side of the substrate housed in the heat treatment chamber, A heat treatment apparatus, comprising: a gas outlet for exhausting gas.
【請求項4】 請求項3に記載の熱処理装置において、 前記気体排出口は、前記熱処理室に収容された基板の主
面側から見た状態で、基板の中央部を挟んで前記気体流
入口と対向する位置に配設されている熱処理装置。
4. The heat treatment apparatus according to claim 3, wherein the gas outlet is the gas inlet with a central portion of the substrate interposed therebetween when viewed from a main surface side of the substrate accommodated in the heat treatment chamber. A heat treatment apparatus disposed at a position facing the above.
【請求項5】 請求項3または請求項4いずれかに記載
の熱処理装置において、 前記気体流入口は、前記熱処理室に基板を搬入または搬
出するため前記熱処理室の一端に形成された基板通過口
から構成される熱処理装置。
5. The heat treatment apparatus according to claim 3, wherein said gas inlet is a substrate passage opening formed at one end of said heat treatment chamber for carrying a substrate into or out of said heat treatment chamber. Heat treatment device composed of:
【請求項6】 請求項3または請求項4いずれかに記載
の熱処理装置において、 前記熱処理室は、その一端に基板を搬入または搬出する
ための基板通過口を備えるとともに、前記気体流入口は
前記基板通過口とは逆側の端部に配設されている熱処理
装置。
6. The heat treatment apparatus according to claim 3, wherein the heat treatment chamber has a substrate passage at one end thereof for carrying in or out a substrate, and the gas inlet is provided with the gas inlet. A heat treatment apparatus provided at the end opposite to the substrate passage port.
【請求項7】 熱処理室における基板通過口のシャッタ
ーを開放して前記熱処理室内に基板を搬入または搬出す
る基板搬送工程と、前記シャッターを閉鎖して基板を前
記熱処理室内に配設された基板加熱手段により加熱する
加熱工程とを備える熱処理方法において、 前記基板搬送工程における前記シャッターの開放時に、
前記熱処理室内の気体を排気する排気手段により、前記
熱処理室内の気体を換気することを特徴とする熱処理方
法。
7. A substrate transfer step of opening and closing a shutter of a substrate passage opening in a heat treatment chamber to load or unload a substrate into and from the heat treatment chamber, and heating the substrate disposed in the heat treatment chamber by closing the shutter. A heating step of heating by means, wherein at the time of opening the shutter in the substrate transfer step,
A heat treatment method, wherein the gas in the heat treatment chamber is ventilated by exhaust means for exhausting the gas in the heat treatment chamber.
【請求項8】 熱処理室内に配設された加熱手段によ
り、この熱処理室内に収容される基板を加熱する熱処理
方法において、 前記熱処理室に配設された気体流入口から前記熱処理室
内に気体を流入させるとともに、前記処理室における、
前記熱処理室に収容された基板の主面側から見た状態で
基板の少なくとも一部を挟んで前記気体流入口と対向す
る位置に配設された気体排出口から前記熱処理室内の気
体を排気することにより、前記熱処理室内の気体を換気
することを特徴とする熱処理方法。
8. A heat treatment method for heating a substrate accommodated in a heat treatment chamber by a heating means disposed in the heat treatment chamber, wherein a gas flows into the heat treatment chamber from a gas inlet provided in the heat treatment chamber. And in the processing chamber,
The gas in the heat treatment chamber is exhausted from a gas outlet disposed at a position facing the gas inlet with at least a part of the substrate interposed therebetween as viewed from the main surface side of the substrate accommodated in the heat treatment chamber. Thereby ventilating the gas in the heat treatment chamber.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6764741B2 (en) 2000-12-27 2004-07-20 Mitsui Chemicals, Inc. Laminated product having surface protection layer
JP2007235094A (en) * 2006-01-31 2007-09-13 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Vacuum drying processing equipment

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