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JPH10275369A - 情報記録媒体の製造方法および該方法による情報記録媒体 - Google Patents

情報記録媒体の製造方法および該方法による情報記録媒体

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Publication number
JPH10275369A
JPH10275369A JP10003379A JP337998A JPH10275369A JP H10275369 A JPH10275369 A JP H10275369A JP 10003379 A JP10003379 A JP 10003379A JP 337998 A JP337998 A JP 337998A JP H10275369 A JPH10275369 A JP H10275369A
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JP
Japan
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recording
recording medium
film
information
information recording
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10003379A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Shiratori
力 白鳥
Kazuoki Motomiya
一興 本宮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP10003379A priority Critical patent/JPH10275369A/ja
Priority to US09/016,323 priority patent/US6180208B1/en
Publication of JPH10275369A publication Critical patent/JPH10275369A/ja
Priority to US09/693,877 priority patent/US6454915B1/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザー駆動による記録補償なしに所望の記
録マークが形成可能で良好な再生特性が得られ、記録マ
ークの前方境界部の磁壁と後方境界部の磁壁とを分離独
立して形成可能でコストアップせずに超高密度再生特性
を向上させる情報記録媒体の製造方法、および該方法に
よる情報記録媒体の提供。 【解決手段】 情報記録媒体を製造する方法において、
情報記録媒体の情報トラックの両側に、該情報トラック
面に対して非平行な面を有する傾斜部が設けられてなる
基板上に、成膜速度の基板面に対する非等方性が大きな
成膜方法を用いて前記傾斜部には実質的に記録膜を堆積
させずに、前記情報トラック上に所定膜厚の記録膜を成
膜することを特徴とする情報記録媒体の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報記録媒体の製
造方法、および該方法により得られる情報記録媒体に関
する。
【０００２】
【従来の技術】基板上に記録膜を形成してなる情報記録
媒体として、種々の光記録媒体や磁気記録媒体が知られ
ている。光で検出可能な光学的状態の変化に対応させて
情報を記録する光記録媒体は高密度化が可能であり、光
ディスクや光カードとして実用化されている。光記録媒
体上に形成される光学的状態の変化としては、凹凸のビ
ット、反射膜の有無・変形、屈折率変化、磁化反転等が
ある。このうち、磁化反転は、反射光の偏光状態の変化
として検出され、その他の形態では、反射光量の変化と
して検出される。
【０００３】また、このような光検出方式の場合、記録
や再生時に光を所定の場所に導くためにトラッキングと
フォーカスという機構が採用されている。その仕組みを
構成する要素として通常媒体上に案内溝と呼ばれる溝が
形成されている。この溝は通常記録には使われない。し
かし、近年高密度化するために特開平６-３４９０７３
に開示されているように、この溝（グループと呼ぶ）に
も記録をすること（ランド／グルーブ記録方式と呼ぶ）
が提案されている。この場合、グルーブの底面はランド
表面および基板表面に対して平行な平面である。溝は情
報トラックが形成されている側から見て凹となっている
部分をいう。さらに高密度化を図るために、トラックピ
ッチを小さくして狭トラックを図ることが考えられる
が、その際、隣接するトラックのデータを破壊しないた
めの工夫として、特開平９-１６１３２１に開示されて
いるように、ランド部と溝部の段差すなわち溝探さを深
くすることが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような光学的状態
の変化を、レーザービームの照射加熱により生起させる
記録モードにおいては、形成される状態変化領域（記録
マーク）の大きさや形状は、局所的な加熱によって記録
膜上に誘起される温度分布によって決まる。記録膜上に
誘起される温度分布は膜面方向の熱拡散の影響を受ける
ため、単位時間当たりの入射熱量を一定にして定線速で
加熱領域を移動させた場合でも、移動距離や直前に加熱
した領域からの距離の違いによって、形成される温度分
布は複雑な変化の仕方をする。
【０００５】このため、単純に情報に対応させた加熱操
作を行うと、情報パターンによって形成されるマークの
幅が変動してしまう。このようなマーク列を光ビームの
走査によって時系列的に読み出すと、マーク検出のタイ
ミングジッターが増大するため、元の情報を正しく再生
できない危険性がある。この問題を回避するため、単位
時間当たりの入射熱量や、加熱時間等を情報パターンに
応じて調整する記録補償方式が種々提案されているが、
この場合、記録手段が複雑化するという問題がある。
【０００６】また、高密度化のために情報トラック間の
間隔を狭めた基板上に、従来知られているマグネトロン
スパッタ法を用いて記録膜を成膜して媒体を作製する
と、図１４（ａ）,（ｂ）に示すように、膜面方向には
概ね一様な記録膜が形成されるため、当該トラック上で
レーザービームの照射加熱によって記録もしくは消去を
行ったときに隣接するトラックへの膜面を通しての熱拡
散によって、隣接するトラック上に保存されていた情報
ビットを破壊してしまうという、クロスライトもしくは
クロスイレーズの問題が生じる。また、情報トラックの
両側のサーボ用の案内溝をも情報トラックとして使用す
る方式（ランド／グルーブ記録方式）の適用が、図１４
（ｃ）に示すように溝幅が狭く、溝深さが深くなるほど
溝底部への膜の付着量が少なくなり、案内溝にランドと
同等な特性を有する記録膜を形成できないため困難であ
るという問題があった。
【０００７】さらに本発明者は特開平６-２９０４９６
において、第１の磁性層、第２の磁性層、および第３の
磁性層が順次積層され、第１の磁性層は、第３の磁性層
に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく、第２の磁性層は
第１の磁性層および第３の磁性層よりもキュリー温度の
低い光磁気記録媒体、およびこの光磁気記録媒体を用い
て記録マークの境界部に存在する第１の磁性層の磁壁を
温度勾配によって移動させて、この磁壁移動に伴う磁化
反転を、反射光の偏光状態の変化として検出する高密度
記録再生方法を提案している。この方法においては、記
録マークの前方境界部の磁壁と後方境界部の磁壁とが分
離独立して形成されていることが、磁壁の移動を安定化
し再生特性を向上させる上で望ましい。
【０００８】しかし、従来の基板上に記録膜を成膜して
この媒体を作製すると、膜面方向には概ね一様な記録膜
が形成されるため、前後の磁壁が完全に分離しているよ
うな記録マークを形成することは困難であった。このよ
うに膜面方向に一様な記鎖膜が形成される理由は、蒸発
源から飛び出した分子や原子が、基板に到達するまでに
お互いに衝突したり、蒸発させる際に使用する不活性ガ
ス原子と衝突するために、飛行する方向がランダムにな
り、色々な角度で基板に入射するためである。このた
め、記録膜の成膜後にトラックの両側を高出力のレーザ
ービームでアニールするなどしてトラック側部の磁性膜
を変質もしくは消失させる処理を行い、この処理部に跨
るように記録マークを形成することにより前後の磁壁を
分離させるようにしていた。また、案内溝をアニールす
るため情報トラックの両側のサーボ用の案内溝をも情報
トラックとして使用する方式（ランド／グルーブ記録方
式）の適用が、困難であるという問題があった。この理
由は、図１３、図１４（ｂ）,（ｃ）に示すように前述
の基板に入射する原子の方向がランダムであることによ
り、溝へ到達する前にランド部分に付着して溝底部に付
着する原子や分子の数が減少するためにランド上と同じ
特性および膜厚が得られないからである。
【０００９】本発明は上記の諸問題に鑑みてなされたも
のであり、単純な記録方式でヒートモードによる記録を
行っても、形成されるマーク列の幅が情報パターンによ
らず一定となり、再生エラーレートを低減させることが
可能な情報記録媒体およびその製造方法の提供をその目
的とする。また、情報トラック間の間隔を狭めても、ク
ロスライトやクロスイレーズを生じにくい情報記録媒体
およびその製造方法の提供をもその目的とする。
【００１０】さらに本発明は、特開平６-２９０４９６
等に提案されている超高密度記録再生方法において、媒
体の製造工程を複雑化することなく再生特性を向上させ
ること、また、ランド(Land)／グルーブ(Groove)記録方
式の適用を可能にしてトラック密度を向上させることを
他の目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段および作用】上記の目的は
下記に示す本発明の情報記録媒体の製造方法、ならびに
該製造方法により作成された情報記録媒体によって達成
される。すなわち本発明は、情報記録媒体を製造する方
法において、情報記録媒体の情報トラックの両側に、該
情報トラック面に対して非平行な面を有する傾斜部が設
けられてなる基板上の前記傾斜部には実質的に記録膜を
堆積させずに、前記情報トラック上に所定膜厚の記録膜
を形成することを特徴とする情報記録媒体の製造方法を
開示するものである。
【００１２】そして、本発明の情報記録媒体の製造方法
は、成膜速度の基板面に対する非等方性が大きな成膜方
法を用いて行なうことを特徴とし、また前記傾斜部に堆
積された記録膜を、エッチングにより除去する工程を含
むことを特徴とし、また前記傾斜部の傾斜角が、７０な
いし９０度の範囲であることを特徴とし、さらに前記成
膜に際して、蒸発源から蒸発した記録膜を構成する分子
を、前記情報トラック面に実質的に垂直に入射するよう
制御することを特徴とし、また前記情報トラック面に実
質的に垂直に入射するよう制御する方法が、前記蒸発源
と基板間距離ＳＴが平均自由行程Ｌより短く、蒸発物質
流の方向に対して基板を直交するように配置する方法で
あることを特徴とし、さらに前記情報トラック面に実質
的に垂直に入射するよう制御する方法が、前記基板にバ
イアス電位を印加して基板表面に均一な電界を生じさ
せ、蒸発物質流を蒸発源と基板の間でイオン化する方法
であることを特徴とするものである。
【００１３】また、前記情報記録媒体の隣接する情報ト
ラック間の段差が、情報トラック上に記録された信号を
再生する際に、該情報トラックに隣接する情報トラック
からの該再生信号への漏れ込みが小さくなるような段差
であることを特徴とする情報記録媒体の製造方法を開示
するものである。
【００１４】そして前記情報トラック上に所定膜厚の記
録膜を成膜する工程が、イオンビームスパッタ法である
ことを特徴とし、また前記イオンビームスパッタ法が、
静止対向枚葉スパッタ法であることを特徴とし、さらに
前記情報トラック上に所定膜厚の記録膜を成膜する工程
が、マグネトロンスパッタ法と同時に電子のみを放出す
る電子ビーム発生源から電子を放出しながら、少なくと
も記録層を形成することを特徴とするものである。
【００１５】またさらに、本発明は上記本発明の製造方
法によって得られることを特徴とする情報記録媒体を開
示するものであり、そして前記情報記録媒体における記
録層が少なくとも第１および第２の磁性層からなり、該
第１の磁性層は、周囲温度近傍において該第２の磁性層
に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度の大き
な垂直磁化膜からなり、第２の磁性層は垂直磁化膜であ
り、第１の磁性層および第２の磁性層は磁気的に結合し
ている情報記録媒体であって、少なくとも該第１の磁性
層が、前記製造方法により作成されたことを特徴とする
ものである。
【００１６】本発明の情報記録媒体によれば、情報トラ
ック間の傾斜部には、ほとんど記録膜が付着していない
か、あるいは、情報トラック上の記録膜とは著しく特性
の異なる膜が付着している。このため、両側の傾斜部に
はみ出して情報トラックへの記録を行っても、傾斜部に
は実質的に記録が行われないようにすることができる。
したがって、単純に情報に対応させた加熱操作によって
記録を行った場合であっても、情報のパターンに関わら
ず、形成されるマークの幅を情報トラック上に限定し、
一定幅のマーク列にすることができる。
【００１７】また、記録・消去時の熱は主として記録膜
中を伝導して膜面方向に拡散して行くが、本発明の情報
記録媒体によれば、情報トラック間の傾斜部で記録膜中
の熱伝導が著しく抑制されるため、隣接トラックが昇温
しにくく、クロスイレーズ／ライトが防止されることに
なる。
【００１８】さらに、本発明を特開平６-２９０４９６
に提案されている記録媒体に適用した場合、傾斜部の磁
性層は磁壁エネルギーを蓄積するような磁性を呈さない
膜にすることが可能であり、情報トラックとその両側の
傾斜部にまたがる形で記録時の加熱領域を形成すれば、
磁区の側部に磁壁が存在せず前後の磁壁が実質的に分離
している磁区として記録マークを形成することができ
る。
【００１９】本発明の情報記録媒体の製造方法、および
その製法により作製された情報記録媒体によれば、情報
トラック間の傾斜部には、ほとんど記録膜が付着してい
ないか、あるいは、情報トラック上の記録膜とは著しく
特性の異なる膜が付着している。このような情報記録媒
体を作製するためには、情報トラック間の傾斜部の面と
情報トラック面のなす角度α、β（９０°より小さい方
を表す）が、７０°〜９０°が望ましく、より好ましく
は９０°に近い方がよい。
【００２０】このため、両側の傾斜部にはみ出して情報
トラックへの記録を行っても、傾斜部には実質的に記録
が行われないようにすることができる。従って、単純に
情報に対応させた加熱操作によって記録を行った場合で
あっても、情報のパターンに関わらず、形成されるマー
クの幅を情報トラック上に限定し、一定幅のマーク列に
することができる。また、記録・消去時の熱は主として
記録膜中を伝導して膜面方向に拡散していくが、本発明
の製法による情報記録媒体によれは、情報トラック間の
傾斜部で記録膜中の熱伝導が著しく抑制されるため、隣
接トラックが昇温しにくく、クロスライト／イレースが
防止される。
【００２１】さらに、本発明を特開平６-２９０４９６
に提案されている記録媒体に適用した場合、傾斜部の磁
性層は磁壁エネルギーを蓄積するような磁性を呈さない
膜にすることが可能であり、情報トラックとその両側の
傾斜部に跨る形で記録時の加熱領域を形成すれば、磁区
の側部に磁壁が存在せず前後の磁壁が実質的に分離して
いる磁区として記録マークを形成することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した実施態様
を具体的に図面に基づいて説明する。図１は、本発明の
一実施例における情報記録媒体を示す概略断面図であ
る。基板は、たとえば円形のディスク状であり、その表
面にグルーブがスパイラル状または同心円状に形成され
ている。グルーブ間には基板表面に平行な平面を有する
ランド部が存在し、このランド部を情報トラックとして
使用する。また、グルーブの底面を基板表面に平行な平
面にして、このグルーブ部をも情報トラックとして使用
してもよい。いずれの場合にも、情報トラックの両側に
は基板表面に対して非平行な傾斜部が存在する。この基
板表面上に、光磁気記録材料や相変化記録材料等からな
る記録層が積層される。記録層の前後に誘電体材料や金
属材料等からなる保護層や反射層、放熱層等を積層して
もよい。これらの層は、たとえばマグネトロンスパッタ
装置による連続スパッタリング、あるいは連続蒸着等に
よって被着形成する。
【００２３】図５に示す蒸発源としては、従来のプレー
ナーマグネトロンスパッタに使われている平板、ホロー
カソードマグネトロンに使われる円筒形、従来の真空蒸
着に使われる加熱ポートや坩堝等の公知のものが使用で
きる。図５に示す蒸発物質流を作製する方法としては、
従来のマグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ
法、ホローカソードマグネトロン法、抵抗加熱や電子ビ
ーム加熱法、高真空でも放電させることが可能な電子放
出源の採用等の公知の方法が使用できる。基板に入射す
る蒸発物質流の方向を揃え基板に垂直に入射させる方法
は、前述の蒸発源と基板間距離ＳＴが平均自由行程Ｌよ
り短く、蒸発物質流の方向に対して基板を直交するよう
に配置すること等により可能である。
【００２４】さらに基板にバイアス電位を印加して基板
表面に均一な電界を生じさせ、蒸発物質流を蒸発源と基
板の間でイオン化するという公知の方法も使用できる。
情報記録媒体の記録層のみに本発明の製法を適用しても
よいし、構成する層すべてに本発明の製法を適用しても
よい。蒸発物質としては、情報記録媒体を構成する誘電
体材料、アルミ等の金属材料、希土類-遷移金属に代表
される光磁気材料、ＧeＳbＴeに代表される相変化材料
等公知の材料が使用できる。
【００２５】基板としては、ＰＣ等のプラスチック材料
やガラス、ガラスの上にフォトポリマーを形成したもの
が使用できる。溝幅や溝深さは再生時や記録時に使用す
るレーザービームの波長、情報記録媒体の記憶容量、ク
ロスイレース／クロスライトのパワーマージン、クロス
トークのマージン、基板の製造マージン等を考慮して決
められる。
【００２６】
【実施例】以下、本発明の詳細を実施例により図面に基
づいて説明する。
【００２７】［実施例１］グルーブのピッチを１.２ｕ
ｍ、深さを０.２ｕｍとし、グルーブ間のランドとグル
ーブの底面部とに、それぞれ０.５ｕｍの幅の基板表面
に平行な平面を有するフラット部を設け、このランドと
グルーブとの間の傾斜部の基板表面に対する傾斜角度が
約６３度になるように成形した基板を作製した。この基
板上に後述するスパッタリング工程により記録層を成膜
した。
【００２８】本実施例における記録層は光磁気記録材料
で構成した。光磁気記録材料としては種々考えられる
が、たとえばＰr,Ｎd,Ｓm,Ｇd,Ｔb,Ｄy,Ｈo等の希土類
金属元素の一種あるいは二種以上が１０〜５０ａｔ％
と、Ｆe,Ｃo,Ｎi等の鉄族元素の一種あるいは二種以上
が９０〜５０ａｔ％とで構成される希土類-鉄族非晶質
合金によって構成し得る。
【００２９】また、耐食性向上等のために、これにＣr,
Ｍn,Ｃu,Ｔi,Ａl,Ｓi,Ｐt,Ｉn等の元素を少量添加して
もよい。希主類-鉄族非晶質合金の飽和磁化は、希土類
元素と鉄族元素との組成比により制御することが可能で
ある。
【００３０】保磁力は、飽和磁化の調整によっても制御
できるが、本質的には材料元素の選択により、垂直磁気
異方性を調整する。一般に、Ｔb,Ｄy等の系の材料は垂
直磁気異方性が大きく保磁力も大きいのに対し、Ｇd系
の材料は異方性が小さく保磁力も小さい。また、非磁性
元素の添加により垂直磁気異方性は低下する。
【００３１】キュリー温度も組成比により制御すること
が可能であるが、飽和磁化と独立に制御するためには、
鉄族元素としてＦeの一部をＣoで置き換えた材料を用
い、置換量を制御する方法がより好ましく利用できる。
すなわち、Ｆeの１ａｔ％をＣoで置換することにより、
６℃程度のキュリー温度上昇が見込めるので、この関係
を用いて所望のキュリー温度となるようにＣoの添加量
を調整する。またＣr,Ｔi等の非磁性元素を微量添加す
ることにより、逆にキュリー温度を低下させることも可
能である。あるいは、二種以上の希土類元素を用いてそ
れらの組成比を調整することによってもキュリー温度の
制御が可能である。
【００３２】本実施例における記録層の具体的な成膜工
程は以下の通りである。直流マグネトロンスパッタリン
グ装置に、ＢドープしたＳiターゲット、Ｔb0.22（Ｆe
Ｃo0.05）の合金ターゲット、およびＡlターゲットを取
り付け、前述のごとく成形された基板を、基板表面がタ
ーゲット表面に対して平行に対向するように基板ホルダ
ーに固定した後、１×１０-5Ｐａ以下の高真空になるま
でチャンバー内をクライオポンプで真空排気した。
【００３３】真空排気をしたままＡrガスをチャンバー
内に導入して、基板を回転させながら、各ターゲットに
電力を投入してスパッタし、基板上にＳiＮ層を膜厚８
０ｎｍ、ＴbＦeＣo層を膜厚５０ｎｍとなるように順次
成膜した。
【００３４】ＳiＮ層成膜時にはＡrガスに加えてＮ2ガ
スを導入し、直流反応性スパッタにより成膜した。ま
た、ＴbＦeＣo層成膜時のＡrガス圧は０.５Ｐａ、ター
ゲットへの投入パワーは５００Ｗとした。上記の膜厚
は、ターゲット表面に対して平行に配置された基板上の
ランドおよびグルーブのフラット部における膜厚であ
る。
【００３５】一般的にスパッタによる成膜速度は非等方
的であり基板の傾きに依存する。予備試験の結果、基板
表面に対して約６３度に傾斜している傾斜部において
は、フラット部の約５５％の膜厚になることが確認され
た。すなわち、上記の成膜により、傾斜部には約２７.
５ｕｍの記録膜が付着していることになる。そこで次
に、基板側に３００Ｗの電力を投入して逆スパッタし、
記録膜のエッチングを行った。
【００３６】一般的に逆スパッタによる成膜速度は概ね
等方的であり基板の傾きにあまり依存しない。予備試験
の結果、基板表面に対して約６３度に傾斜している傾斜
部におけるエッチング速度は、フラット部におけるエッ
チング速度と測定上の有意差が見られず、共に３ｎｍ／
ｍｉｎ程度であった。そこで、上記のエッチングを１０
分間行って、傾斜部の記録膜を除去し、フラット部には
約２０ｕｍの記録膜を残存させた。
【００３７】次にＳiＮ層を膜厚２０ｎｍ、最後にＡl層
を膜厚５０ｎｍとなるように順次成膜した。このディス
クを真空チャンバーから取り出して膜面上にＵＶ樹脂を
コートした。
【００３８】［比較例１］比較例として、ＴbＦeＣo層
を膜厚２０ｎｍとなるように成膜した後、エッチングを
行わずに、ＳiＮ層およびＡl層を引き続き成膜した他は
実施例１と同様にしてサンプルを作製した。
【００３９】このようにして作製した本発明の実施例お
よび比較例の各サンプルを、レーザー波長６８０ｎｍ・
対物レンズＮＡ０.５５の光学ヘッドを持つドライブ装
置にセットし、５０Ｈｚの一定周期で回転させ、ランド
上にトラッキングサーボをかけて、半径３０ｎｍの位置
で記録特性の測定を行なった。
【００４０】記録バイアス磁界を３００Ｏｅとし、記録
パワーを変えて、（１-７）ＲＬＬランダムデータをマ
ークエッジ記録した。レーザーの駆動波形は、入力信号
に対して立ち上がりを１Ｔ遅らせて、ｎＴの幅の信号に
対して（ｎ-１）Ｔの幅のレーザーパルスを照射するよ
うにした。クロック周波数は２５ＭＨｚとし、最短マー
ク長が０.７５ｕｍになるようにした。
【００４１】このランダムデータを再生パワー１.５ｍ
Ｗで再生し、得られたアナログ信号波形をＤＣレベルで
スライスし二値化して、立ち上がりエッジのインターバ
ルを測定した。そして、全てのデータパターンに対する
１０5サンプルでの相対ジッタ分布を導出し、ジッタマ
ージンの記録パワー依存性を各サンプルについて比較し
た。
【００４２】この結果を図２に示す。実施例１のサンプ
ルでは、広い記録パワー範囲で十分な大きさのジッター
マージンが得られたのに対し、比較例１のサンプルで
は、ジッターマージンの記録パワー依存性が強い上に、
最適な記録パワーにおいても十分な大きさのジッターマ
ージンが得られなかった。
【００４３】次に、クロスイレーズ／ライトに対する効
果を調べた。まずランド上にマーク長０.７５ｕｍの繰
り返しパターンを記録して初期のキャリアレベルを測定
し、次いで隣接するグルーブ上にトラッキングサーボを
かけてＤＣレーザーを照射した後、ランド上にトラッキ
ングを戻して再びキャリアレベルを測定した。このとき
のキャリアレベルの初期レベルからの変化の、隣接グル
ーブ上で照射したＤＣレーザーパワーに対する依存性を
図３に示す。実施例１のサンプルは、比較例１のサンプ
ルと比較して、クロスイレーズ／ライト耐性が大幅に向
上していることがわかる。
【００４４】（他の実施例）実施例１の工程において、
生産性を向上させるためには、エッチングに要する時間
はできるだけ短い方がよい。望ましくはエッチングをし
なくても傾斜部に記録膜が積層しないような成膜工程に
するのがよい。
【００４５】そのためには、できるだけ成膜速度の非等
方性が大きく、指向性の強い成膜方法を採用するのがよ
い。たとえば、蒸着法等のように基本的に高真空中で成
膜可能な成膜法は、源を出た粒子が直進するので指向性
が強い。また、スパッタ法を用いる場合でも、低圧スパ
ッタしたり、ターゲットへの印加電圧を高くすることに
より、回り込み率を低下させ、指向性を高めることがで
きる。
【００４６】さらに、成膜チャンバー内に基板面に対し
て垂直な方向に格子状のコリメート電極を配置するコリ
メートスパッタ法を用いることも可能である。この方法
は、基板に対し斜め方向に飛来するスパッタ粒子をコリ
メータに付着させ、基板面に垂直成分を多く持つ粒子の
みを基板に到達させる成膜法である。
【００４７】また基板面に垂直成分を多く持つ粒子のみ
を基板に到達させる他の方法としては、蒸発源と基板間
距離ＳＴが平均自由行程Ｌより短く、蒸発物質流の方向
に対して基板を直交するように配置することにより可能
である。
【００４８】さらに図５、図６（ａ）,（ｂ）を用いて
詳細に説明する。不活性ガスによるスパッタや加熱によ
り蒸発源から蒸発した蒸発物質は、蒸発源と基板間距離
ＳＴが、よく知られている蒸発物質流が形成する雰囲気
の圧力における蒸発分子や原子の平均自由行程Ｌ（下記
式Ｉ）より短いと、ほとんど互いに衝突しないで基板に
あるエネルギーをもって到達する。
【００４９】 平均自由行程Ｌ(cm)＝５×１０-3／Ｐ(Torr) （式Ｉ） 蒸発物質流は通常、蒸発源からある広がりを有して基板
方向に飛んでいくが、蒸発源の大きさ、蒸発源と基板の
配置、蒸発源と基板のなす角度、蒸発源と基板間距離、
蒸発させる方法、蒸発雰囲気の圧力、蒸発物質流を平行
に揃える開口部を有したコリメータの使用等の条件を選
択することにより、蒸発物質流をほとんど基板に垂直に
入射させることができる。以上のように回り込み率を低
下させ蒸発物質を基板に垂直に入射させる成膜法によ
り、図６（ａ）,（ｂ）に示すように、傾斜部への膜の
付着量を大幅に低減することができる。また、溝幅が狭
く、溝探さが深い、すなわちアスペクト比（溝探さ／溝
幅）の大きい溝底部への膜の付着量をランド部と同じに
できるので、ランド部と溝底部の膜厚、組成、膜質が同
等となる。また、傾斜部への成膜を抑制するためには、
基板表面に対する傾斜部の傾斜角度を大きくしておくこ
とも有効である。
【００５０】エッチング方法としては、エッチングの非
等法性がなるべく小さく、エッチング速度が速く、高速
イオンによる表面の照射損傷や昇温等の少ない方法が望
ましい。実施例１に示した逆スパッタ法の他、反応性ガ
スを用いるリアクティブイオンエッチング法や各種のプ
ラズマエッチング法が好ましく利用できる。また、ドラ
イエッチングに限らず、ディッピング等のウェットなエ
ッチング法を適用してもよい。
【００５１】［実施例２］グルーブのピッチを１.１ｕ
ｍとし、傾斜部の基板表面に対する傾斜角度を約７６度
とした他は実施例１と同様の基板を用いた。ＴbＦeＣo
層成膜時のＡrガス圧を０.１Ｐａ、ターゲットへの投入
パワーを１５００Ｗとし、膜厚が２０ｎｍとなるように
成膜した後、エッチングを行わずに、ＳiＮ層およびＡl
層を引き続き成膜した他は実施例１と同様にしてサンプ
ルを作製した。
【００５２】このサンプルでは、基板の傾斜部の基板表
面に対する傾斜角度が大きく、またＴbＦeＣo層成膜時
の回り込み率が低下し指向性が高くなっているため、エ
ッチングを行わなくても、傾斜部には記録膜が僅かしか
付着していない。
【００５３】このサンプルを実施例１と同様の方法で評
価したところ、ジッターマージンの大きさや、所定のジ
ッターマージンの得られる記録パワーマージン、および
クロスイレーズ／ライト耐性について、実施例１には劣
るものの、比較例１に対しては充分な効果が認められ
た。
【００５４】［実施例３］実施例２において、最後に成
膜するＡ１層を膜厚１００ｎｍ程度に成膜した後、反応
性ガスとしてＣＣl4を導入してプラズマエッチング法に
よりＡl層が膜厚５０ｎｍ程度になるまでエッチングし
た。このエッチングにより傾斜部におけるＡl膜は完全
に除去され、直前に成膜したＳiＮ層が露出した。次
に、反応性ガスとしてＣＦ4を導入してプラズマエッチ
ング法によりこのＳiＮ層を除去した。この結果、傾斜
部に僅かに付着していたＴbＦeＣo記録膜が露出した。
本実施例では、この記録膜を物理的に除去せずに、反応
性ガスに所定時間曝すことにより、化学的に変質させて
磁性を消失させ、記録膜として機能しないようにした。
このようにして作製したサンプルを実施例１と同様の方
法で評価したところ、実施例１と同等の効果が認められ
た。
【００５５】本実施例の方法は、エッチングプロセスが
高速であり生産性がよい。また、記録トラックとして利
用するフラット部の記録層を直接プラズマに曝さないた
め、記録層が全く損傷を受けない。さらに、記録層や光
学的干渉層等膜厚の管理を厳密に行う必要のある層の膜
厚は、成膜プロセスのみで高精度に管理することがで
き、エッチングプロセスでのバラツキの影響を受けない
等のメリットがある。
【００５６】なお、このサンプルは、傾斜部において保
護膜として機能する層が除去されているので、この部分
から記録層の腐食が進行する可能性がある。これを回避
するために、上記のエッチングプロセス終了後にＳiＮ
等からなる保護層を改めて付加してもよい。
【００５７】［実施例４］実施例２において、ＴbＦeＣ
o層成膜時に、基板に電圧を印加してバイアススパッタ
を行った。バイアス電圧を調整して、傾斜部において、
スパッタによる付着速度とバイアススパッタによるエッ
チング速度が等しくなるようにして、フラット部の膜厚
が２０ｎｍとなるまで成膜した。他は実施例２と同様に
してサンプルを作製した。このようにして作製したサン
プルを実施例１と同様の方法で評価したところ、実施例
１と同等の効果が認められた。
【００５８】次に、本発明を特開平６-２９０４９６に
提案されている記録媒体に適用した場合について述べ
る。この場合、記録膜として、少なくとも、第１、第
２、および第３の磁性層が順次積層されている磁性多層
膜を用いる。第１の磁性層は、周囲温度近傍の温度にお
いて第３の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力の小さな
磁性膜からなり、第２の磁性層は、第１の磁性層および
第３の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性膜からな
り、第３の磁性層は垂直磁化膜からなっている。第１の
磁性層には、第２の磁性層側の構成部でキュリー温度が
低下するように膜厚方向にキュリー温度の勾配を付与し
てもよい。
【００５９】［実施例５］実施例１で用いた基板上に、
以下のような成膜工程で記録膜を成膜した。直流マグネ
トロンスパッタリング装置に、ＢドープしたＳi、およ
びＧd,Ｔb,Ｆe,Ｃo,Ｃrの各ターゲットを取ち付け、前
述の基板を基板ホルダーに固定した後、１×１０ー5Ｐａ
以下の高真空になるまでチャンバー内をクライオポンプ
で真空排気した。
【００６０】真空排気をしたままＡrガスをチャンバー
内に導入し、基板を回転させながらＳiＮ層を９０ｎ
ｍ、第１の磁性層としてＧdＦeＣr層を３０ｎｍ、第２
の磁性層としてＴbＦeＣr層を１０ｎｍ、第３の磁性層
としてＴbＦeＣoＣr層を８０ｎｍｍ、次にＳiＮ層を６
０ｎｍｍ順次成膜した。
【００６１】ここで、反応性ガスとしてＣＦ4を導入し
プラズマエッチング法によりＳiＮ層が膜厚３０ｎｍ程
度になるまでエッチングした。このエッチングにより傾
斜部におけるＳiＮ膜は完全に除去され、直前に成膜し
た磁性層が露出した。次に、反応性ガスとしてＮＨ3-Ｃ
Ｏ混合ガスを導入してプラズマエッチング法によりこの
部分の磁性層を除去した。最後に放熱層兼保護層として
Ａl層を４０ｎｍ成膜した。
【００６２】ＳiＮ層成膜時にはＡrガスに加えてＮ2ガ
スを導入し、直流反応性スパッタにより成膜した。上記
の膜厚は、ターゲット表面に対して平行に配置された基
板上のランドおよびグルーブのフラット部における膜厚
である。
【００６３】各磁性層は、各ターゲットに投入するパワ
ーの配分を調整することにより、全て補償組成近傍にな
るように希土類元素と鉄族元素との組成比を調整した。
キュリー温度は、第１の磁性層が２１０℃、第２の磁性
層が１６０℃、第３の磁性層が２９０℃になるように、
ＣoおよびＣrの添加量を調整した。
【００６４】周囲温度近傍の温度において、第１の磁性
層の磁壁抗磁力は１００Ｏｅ以下、第３の磁性層の磁壁
抗磁力は２０ｋＯｅ以上である。このディスクを真空チ
ャンバーから取り出して膜面上にＵＶ樹脂をコートし
た。
【００６５】［比較例２］磁性層成膜後、ＳiＮ層を３
０ｎｍ、Ａl層を４０ｎｍ順次成膜し、エッチングを行
わなかった他は、実施例５と同様のサンプルを作製し
た。
【００６６】このようにして作製した各サンプルを、レ
ーザー波長６８０ｎｍ・対物レンズＮＡ０.５５の光学ヘ
ッドを持つドライブ装置にセットし、７.５で回転さ
せ、半径３１.８ｍｍの位置で記録特性の測定を行なっ
た。
【００６７】摺動型の磁気ヘッドにより、磁界を７.５
ＭＨｚで変調しながら、記録用のＤＣレーザーを照射し
て、マーク長０.１ｕｍの繰り返しパターンを磁界変調
記録した。
【００６８】この信号を再生パワー２.５ｍＷで再生
し、Ｃ／Ｎの記録パワー依存性を各サンプルについて比
較した結果を、図４に示す。ここでは、通常の１ビーム
光学系で評価し、再生ビーム自身による加熱で、磁壁を
移動させるための温度勾配を形成した。
【００６９】図４から明らかなように、実施例５のサン
プルは、記録パワーを４ｍＷ程度以上にしたとき、比較
例２のサンプルに比べて、Ｃ／Ｎが５ｄＢ以上向上し
た。
【００７０】実施例５のサンプルは、所定のパワー以上
の記録パワーを照射して、記録トラックとその両側の傾
斜部にまたがる形で記録時の加熱領域を形成すれば、磁
区の側部に磁壁が存在せず、記録トラック上の前後の磁
壁が実質的に分離している磁区として記録マークを形成
することができる。このため、記録トラック上の磁壁を
温度勾配によってトラック方向に安定に移動させること
ができる。
【００７１】これに対し、比較例２のサンプルでは、記
録トラックとその両側の傾斜部にまたがる形で記録時の
加熱領域を形成しても、傾斜部にも磁壁が形成されるた
め、磁区の側部に磁壁が存在し、記録トラック上の前後
の磁壁が側部の磁壁を介して繋がって閉じている磁区と
して記録マークが形成される。このため、記録トラック
上の磁壁を温度勾配によってトラック方向に移動させる
ときに、その移動方向が磁区を拡大させる方向か、ある
いは縮小させる方向かによって、磁壁移動のし易さが変
化するので、磁壁が安定に移動せず、ノイズが大きくな
る。
【００７２】上述の効果は、第１の磁性層に関わる再生
時の効果であるが、さらに本発明は第３の磁性層の記録
トラック上の前後の磁壁を分離させることにより、以下
に述べるように、微小磁区の保存性を向上させる効果も
ある。
【００７３】変調周波数を変えて、マーク長０.１ｕｍ
から０.０５ｕｍまでの繰り返しパターンを磁界変調記
録した。この結果、実施例５のサンプルは、マーク長
０.０５ｕｍまで記録パターンが確認できたが、比較例
２のサンプルでは、０.０８ｕｍ以下のマーク長では磁
区がシュリンクしてしまい、記録パターンがほとんど確
認できなかった。
【００７４】なお、実施例１の場合と同様に、ジッター
マージンの大きさや、所定のジッターマージンの得られ
る記録パワーマージン、およびクロスイレーズ／ライト
耐性についても、実施例５のサンプルは、比較例２のサ
ンプルに対して充分な効果が認められた。
【００７５】［実施例６］本発明の製造方法を特開平６
-２９０４９６に提案されている記録媒体に適用した例
について説明する。この場合、記録膜として少なくと
も、第１、第２、第３の磁性層が順次積層されている磁
性多層膜を用いる。第１の磁性層は、周囲温度近傍の温
度において、第３の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力
が小さい磁性膜からなり、第２の磁性層は、第１および
第３の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性膜からな
り、第３の磁性層は垂直磁化膜からなっている。第１の
磁性層には第２の磁性層側に構成部でキュリー温度が低
下するように膜厚方向にキュリー温度の勾配を付与して
もよい。
【００７６】グルーブのピッチを１.０μｍ、段差（深
さ）を０.２μｍとし、グルーブ間のランド部とグルー
ブ部の底面部とに、それそれ０.４３μｍ幅の基板表面
に平行な平面を有するフラット部を設け、このランドと
グルーブとの間の傾斜部の基板表面に対する傾斜角度が
約７０°になるように成形した直径８６ｍｍの基板を、
図７の模式図に示すようなイオンビームスパッタ装置の
基板ホルダーに取り付けた。ターゲットと基板ホルダー
の距離は約２０ｃｍである。 装置内を到達真空度:５.０×１０-7Torr（６.６５×１
０-5Ｐａ）以下に真空排気した後、真空排気をしたまま
シリコンターゲットに窒素を含むアルゴンイオンビーム
を照射し、１×１０-4Torr（０.０１３３Ｐａ）の動作
圧力で干渉層であるＳiＮ膜を基板を回転させながら、
９０ｎｍ成膜した。この圧力における平均自由行程は式
Ｉより、約５０ｃｍである。引き続き真空を破らないで
ターゲットを変えて各磁性層の構成元素からなる合金タ
ーゲットを用いて磁性膜を成膜した。
【００７７】第１の磁性層として、ＧdＦeＣoＣr層を３
０ｎｍ、第２の磁性層として、ＴbＦeＣr層を１０ｎ
ｍ、第３の磁性層として、ＴbＦeＣoＣr層を８０ｎｍと
して順次成膜した。最後に、保護層として前述と同様に
ＳiＮ層を８０ｎｍ成膜した。上記膜厚は、ランド部上
の膜厚である。各磁性層の組成は、全て補償組成近傍に
なるようにＣoおよびＣrの量を調整し、キュリー温度
は、第１の磁性層が２１０℃、第の磁性層が１２０℃、
第３の磁性層が２９０℃程度となるように設定した。タ
ーゲットとイオンビームのなす角度は４５°である。タ
ーゲットと基板ホルダーのなす角度、イオンビーム電
圧、イオンビーム電流、動作圧力はそれぞれの各層に最
適になるように調整して成膜した。このディスクを成膜
チャンバーから取り出して膜面上にＵＶ硬化樹脂保護コ
ートを形成した。
【００７８】［比較例３］イオンビームスパッタ法を用
いず、従来のマグネトロンスパッタ法により、スパッタ
圧力０.３Ｐａ、ターゲット-基板間距離約１８ｃｍで、
実施例６と同様のサンプルを作製した。
【００７９】このようにして作製した各サンプルをレー
ザー波長６８０ｎｍ、対物レンズＮＡ０.５５の光学ヘ
ッドを持つドライブ装置にセットし、７.５Ｈｚの一定
周期で回転させ、半径３１ｍｍの位置で記録特性の測定
を行った。摺動型磁気ヘッドにより磁界を７.５ＭＨｚ
で変調しながら、ランド上に記録用にＤＣレーザーを照
射して、マーク長０.１μｍの繰り返しパターンを磁界
変調記録した。この信号を再生パワー２.５ｍＷで再生
し、Ｃ／Ｎの記録パワー依存性を各サンプルについて比
較した。ここでは、通常の１ビーム光学系で評価し、再
生ビーム自身による加熱で、磁壁を移動させるための温
度勾配を形成した。
【００８０】実施例６のサンプルでは、記録パワーを４
ｍＷ以上にしたとき、比較例３のサンプルに比べてＣ／
Ｎが５ｄＢ以上向上した。実施例６のサンプルは、所定
パワー以上の記録パワーを照射して、記録トラックとそ
の両側の傾斜部にまたがる形で記録時の加熱領域を形成
すれは、前述したように傾斜部にも多少膜が堆積して磁
性層が繋がってしまうが、他の部分と比較して膜厚が非
常に薄くなるため、傾斜都での磁気的結合は無視できる
ので、磁区の側壁に磁壁が存在せす、記録トラック上の
前後の磁壁が実質杓に分離している磁区として記録マー
クを形成することができる。このために、記録トラック
上の磁壁を温度勾配によってトラック方向に安定に移動
させることができる。
【００８１】これに対して、比較例３のサンプルでは、
記録トラックとその両側の傾斜部に跨る形で記録時の加
熱領域を形成しても、傾斜部にも磁壁が形成されるた
め、磁区の側部に磁壁が存在し、記録トラック上の前後
の磁壁が側部の磁壁を介して繋がって閉じた磁区として
記録マークが形成される。このため、記録トラック上の
磁壁を温度勾配によってトラック方向に移動させるとき
に、その移動方向が磁区を拡大させる方向か、あるいは
縮小させる方向かによって、磁壁移動のし易さが変化す
るので、磁壁が安定に移動せず、ノイズが大きくなり、
Ｃ／Ｎ比が悪くなる。上述の結果はランド上に記録し、
再生したものであるが、グルーブ上に記録して再生して
も同様な結果であった。
【００８２】上述の効果は、第１磁性層に関わる再生時
の効果であるが、さらに本発明には第３の磁性層の記録
トラック上の前後の磁壁を分離させることにより、以下
に述べるように、微小磁区の保存性を向上させる効果も
ある。変調周波数を変えて、マーク長０.１μｍから０.
０１μｍ置きに０.０５μｍまでの繰り返しパターンを
磁界変調記録した。この結果、実施例６のサンプルは、
マーク長０.０５μｍまで記録パターン詳確認できた
が、比較例３のサンプルでは、０.０８μｍ以下のマー
ク長で磁区がシュリンクしてしまい、記録パターンが確
認できなかった。なお、ジッターマージンの大きさや所
定のジッターマージンの得られる記録パワーマージン、
およびクロスライト／クロスイレース、クロストークに
ついて、実施例６のサンプルは比較例３のサンプルに対
して十分な効果があることが認められた。
【００８３】［実施例７、比較例４］実施例６におい
て、特開平２-２４０８４５に開示されているような磁
性層が単層でＴbＦeＣoからなり、磁性層の厚さが約２
５ｎｍで、ＳiＮ膜の上に反射膜としてアルミ層を有す
る光磁気記録媒体とした以外は、実施例６と同様な製造
方法で実施例７のサンプルを作製した。比較例４として
比較例３と同様に従来のマグネトロンスパッタ法を用い
てサンプルを作製した。
【００８４】これらのサンプルをレーザー波長６８０ｎ
ｍ、対物レンズＮＡ０.５５の光学ヘッドを持つドライ
ブ装置にセットし、５.０Ｈｚの一定周期で回転させ、
ランド上にトラッキングサーボをかけ、半径３０ｍｍの
位置で記録特性の測定を行った。記録バイアス磁界を３
０００ｅとし、記録パワーを変えて、（１-７）ＲＬＬ
ランダムデータをマークエッジ記録した。レーザーの駆
動波形は、入力信号に対して立ち上がりを１Ｔ遅らせ
て、ｎＴの幅の信号に対して（ｎ-１）Ｔの幅のレーザ
ーパルスを照射するようにした。クロック周波数は２５
ＭＨｚとし、最短マーク長が０.７５μｍになるように
した。このランダム信号を再生パワー１.５ｍＷで再生
し、得られたアナログ信号波形をＤＣレベルでスライス
して２値化して、立ち上がりエッジのインターバルを測
定した。そして、すべてのデータパターンに対する１０
5サンプルでの相対ジッター分布を導出し、ジッターマ
ージンの記録パワー依存性を各サンプルについて比較し
た。
【００８５】実施例６では広い記録パワー範囲で十分な
大きさのジッターマージンが得られたのに対し、比較例
４のサンプルではジッターマージンの記録パワー依存性
が大きい上に、最適な記録パワーにおいても十分な大き
さのジッターマージンが得られなかった。次にクロスラ
イト／イレースに対する効果を調べた。まずランド上に
マーク長０.７５μｍの繰り返しパターンを記録して初
期のキャリアレベルを測定し、その後、隣接するグルー
ブ上にトラッキングサーボをかけてＤＣレーザーを照射
した後、ランド上にトラッキングサーボを戻してキャリ
アレベルを測定した。このときのキャリアレベルの初期
レベルからの変化の、隣接するグルーブ上で照射したＤ
Ｃレーザーパワーに対する依存性を調べた。実施例７の
サンプルは比較例４のサンプルと比較して、クロスライ
ト／クロスイレースに対する耐性が大幅に向上した。ま
た、グルーブ上にランド部と同様な記録を行って、ジッ
ターマージンやクロスライト／クロスイレース、隣接ト
ラックからのクロストークを調べたが、ランドと同等で
問題ないレベルであった。
【００８６】［実施例８］実施例６における光磁気記録
媒体の代わりに、誘電体保護層としてＺnＳ・ＳiＯ2、記
録層としてＧeＳbＴe、反射層としてＡuを用いた相変化
記録媒体を用いた以外は、実施例６と同様な製造方法で
サンプルを作製した。実施例７と同様にドライブ装置で
このサンプルを評価した結果、ランド部およびグルーブ
部で実用的な特性を示し、クロスライト／クロスイレー
ス、隣接トラックからのクロストークについても従来の
マグネトロンスパッタ法により作製されたサンプルに比
較して改善された特性を示した。
【００８７】［実施例９］実施例６において、イオンビ
ームスパッタ法に代えて、図８に示すような従来のマグ
ネトロンスパッタ装置に電子放出源を設け、従来のマグ
ネトロンスパッタでは放電できなかった実施例６と同じ
程度の圧力で放電可能にした以外は、実施例６と同様な
サンプルを作製した。電子放出源として、市販されてい
るイオンテック社のホローカソードニュートライザーな
どを用いることができる。このようにして作製されたサ
ンプルを実施例６と同様な方法で評価したところ、実施
例６と同等な効果が認められた。
【００８８】［実施例１０］実施例６において、イオン
ビームスパッタ法に代えて、図９に示すようなコリメー
タを従来のマグネトロンスパッタ装置のターゲットと基
板ホルダーの間に設け、コリメータのアスペクト比（開
口部の長さ／開口の穴径）２とし、スパッタ圧力を０.
１Ｐａとした以外は、実施例６と同様な基板上に同様な
光磁気記録層を形成したサンプルを作製した。このコリ
メータはターゲットからスパッタされた粒子を平行にす
る役割を有したもので基板に垂直にスパッタ粒子が入射
するように配置され、市販されている米国 Eldim Inc.
社のハニカムコリメータ等を用いることができる。この
ようにして作製されたサンプルを実施例６と同様な方法
で評価したところ、実施例６と同等な効果が認められ
た。なお、このコリメータを実施例６に適用してもよ
い。
【００８９】［実施例１１］実施例６において、イオン
ビームスパッタ法に代えて、図１０に示すようなターゲ
ットからスパッタされたスパッタ粒子をイオン化するＲ
Ｆコイルを、ターゲットと基板の間に設け、且つ、基板
にＲＦバイアスを印加した状態で０.３Ｐａの圧力でス
パッタする方法を用いた以外は、実施例６と同様な基板
上に同様な光磁気記録層を形成したサンプルを作製し
た。このようにして作製したサンプルを実施例６と同様
な方法で評価したところ、実施例６と同等な効果が認め
られた。
【００９０】［実施例１２］実施例６において、イオン
ビームスパッタ法に代えて、図１１に示すようなホロー
カソードターゲットを用いたホローカソードマグネトロ
ンスパッタ法により磁性層をスパッタする方法を用い、
誘電体層は従来のマグネトロンスパッタ法により作製し
た以外は、実施例６と同様な基板上に同様な動作圧力で
同様な光磁気記録層を形成したサンプルを作製した。こ
のようにして作製したサンプルを実施例６と同様な方法
で評価したところ、実施例６と同等な効果が認められ
た。
【００９１】［実施例１３］実施例６において、イオン
ビームスパッタ法に代えて、図１２に示すようなシート
プラズマを用いたスパッタ法により作製した以外は、実
施例６と同様な基板上に同様な動作圧力で同様な光磁気
記録層を形成したサンプルを作製した。このようにして
作製したサンプルを実施例６と同様な方法で評価したと
ころ、実施例６と同等な効果が認められた。なお、シー
トプラズマ発生源にはアルゴンガス等の不活性ガスや窒
化物作成用の反応ガスとして窒素ガスが用いられる。シ
ートプラズマを大面積に安定に維持させるためにプラズ
マ源と対向する位置にアノード電極が設けられる。
【００９２】［実施例１４］実施例６において、イオン
ビームスパッタ法に代えて、基板を１枚ずつ成膜する枚
葉式静止対向マグネトロンスパッタ法を用い、ターゲッ
トと基板間距離が約５ｃｍで動作圧力が０.１Ｐａとな
るようにマグネトロンのマグネットを強力にした以外
は、実施例６と同様な基板上に同様な光磁気記録層を形
成したサンプルを作製した。０.１Ｐａにおける平均自
由行程は式Ｉより約６.７ｃｍである。このようにして
作製したサンプルを実施例６と同様な方法で評価したと
ころ、実施例６と同等な効果が認められた。ここでいう
静止対向とは基板中心とターゲット中心が同軸上にある
ことを指す。但し、基板は基板中心を軸にして自転して
もよい。
【００９３】［実施例１５］実施例７において、イオン
ビームスパッタ法に代えて、基板を１枚ずつ成膜する枚
葉式静止対向マグネトロンスパッタ法を用い、ターゲッ
トと基板間距離が約５ｃｍで動作圧力が０.１Ｐａとな
るようにマグネトロンのマグネットを強力にした以外
は、実施例６と同様な基板上に同様な光磁気記録層を形
成したサンプルを作製した。このようにして作製したサ
ンプルを実施例７と同様な方法で評価したところ、実施
例６と同等な効果が認められた。
【００９４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１の効
果は、複雑なレーザー駆動により記録補償を行うことな
しに、望ましい記録マークが形成可能となり、良好な再
生特性が得られることにある。特に、マークエッジ記録
を行った場合、検出されるエッジ信号のジッターが抑制
され、動作マージンが拡大する。また、トラック間での
動作時の熱的干渉が抑制される。この結果として、高密
度化が可能となり、また、媒体ならびに記録装置を低コ
スト化することができる。
【００９５】本発明の第２の効果は、特開平６-２９０
４９６に開示されている光磁気記録媒体と組み合わせた
場合において、単純な媒体製造方法により、記録マーク
の前方境界部の磁壁と後方境界部の磁壁とを分離独立し
て形成されることが可能となり、コストアップすること
なく、超高密度再生特性を向上させることである。
【００９６】本発明の第３の効果は微少磁区の保存性を
向上させ、超高密度記録が可能な媒体を提供することが
できることである。本発明は例示した媒体に限定される
ものではない。特に前記第１の効果は、相変化型記録媒
体やその他の追記記録型媒体等、ヒートモードによる記
録を行う媒体であれば、どのようなものについても適用
可能である。また、第３の効果は磁気記録媒体等にも適
用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例における情報記録媒体を示す
概略断面図。
【図２】ジッタマージンの記録ノヤワー依存性を示すグ
ラフ図。
【図３】ランド上におけるキャリアレベルの変化の、隣
接するグルーブ上で照射したＤＣレーザーパワーに対す
る依存性を示すグラフ図。
【図４】Ｃ／Ｎの記録パワー依存性を示すグラフ図。
【図５】本発明の製法を示す模式図。
【図６】本発明の製法により作製されたランドとグルー
ブを有する情報記録媒体における膜の付き方を示す模式
断面図。
【図７】本発明の実施例に用いたイオンビームスパッタ
法を示す模式図。
【図８】本発明の実施例に用いた電子放出源を具備した
マグネトロンスパッタ法を示す模式図。
【図９】本発明の実施例に用いたコリメータを具備した
マグネトロンスパッタ法を示す模式図。
【図１０】本発明の実施例に用いたイオン化金属プラズ
マバイアススパッタ法を示す模式図。
【図１１】本発明の実施例に用いた、ホローカソードマ
グネトロンスパッタ法を示す模式図。
【図１２】本発明の実施例に用いたシートプラズマスパ
ッタ法を示す模式図。
【図１３】従来のマグネトロンスパッタ法におけるスパ
ッタ粒子の飛び方を示す模式図。
【図１４】従来のマグネトロンスパッタ法により作製さ
れたランドとグルーブを有する情報記録媒体における膜
の付き方を示す模式断面図。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 11/10 ５４１ Ｇ１１Ｂ 11/10 ５４１Ｂ

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 情報記録媒体を製造する方法において、
    情報記録媒体の情報トラックの両側に、該情報トラック
    面に対して非平行な面を有する傾斜部が設けられてなる
    基板上の前記傾斜部には実質的に記録膜を堆積させず
    に、前記情報トラック上に所定膜厚の記録膜を形成する
    ことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記記録膜の形成は、成膜速度の基板面
    に対する非等方性が大きな成膜方法を用いて行なうこと
    を特徴とする、請求項１記載の情報記録媒体の製造方
    法。
  3. 【請求項３】 前記傾斜部に堆積された記録膜を、エッ
    チングにより除去する工程を含むことを特徴とする、請
    求項１記載の情報記録媒体の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記傾斜部の傾斜角が、７０ないし９０
    度の範囲であることを特徴とする、請求項１記載の情報
    記録媒体の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記成膜に際して、蒸発源から蒸発した
    記録膜を構成する分子を、前記情報トラック面に実質的
    に垂直に入射するよう制御することを特徴とする、請求
    項２記載の情報記録媒体の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記情報トラック面に実質的に垂直に入
    射するよう制御する方法が、前記蒸発源と基板間距離Ｓ
    Ｔが平均自由行程Ｌより短く、蒸発物質流の方向に対し
    て基板を直交するように配置する方法であることを特徴
    とする、請求項５記載の情報記録媒体の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記情報トラック面に実質的に垂直に入
    射するよう制御する方法が、前記基板にバイアス電位を
    印加して基板表面に均一な電界を生じさせ、蒸発物質流
    を蒸発源と基板の間でイオン化する方法であることを特
    徴とする、請求項５記載の情報記録媒体の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記情報記録媒体の隣接する情報トラッ
    ク間の段差が、情報トラック上に記録された信号を発生
    する際に、該情報トラックに隣接する情報トラックから
    の該再生信号への漏れ込みが小さくなるような段差であ
    ることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体の製造
    方法。
  9. 【請求項９】 前記情報トラック上に所定膜厚の記録膜
    を成膜する工程が、イオンビームスパッタ法であること
    を特徴とする、請求項２記載の情報記録媒体の製造方
    法。
  10. 【請求項１０】 前記イオンビームスパッタ法が、静止
    対向枚葉スパッタ法であることを特徴とする、請求項９
    記載の情報記録媒体の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記情報トラック上に所定膜厚の記録
    膜を成膜する工程が、マグネトロンスパッタ法と同時に
    電子のみを放出する電子ビーム発生源から電子を放出し
    ながら、少なくとも記録層を形成することを特徴とす
    る、請求項２記載の情報記録媒体の製造方法。
  12. 【請求項１２】 情報記録媒体が、請求項１ないし１１
    のいずれかに記載の製造方法により作成されたことを特
    徴とする情報記録媒体。
  13. 【請求項１３】 前記情報記録媒体における記録層が少
    なくとも第１および第２の磁性層からなり、該第１の磁
    性層は、周囲温度近傍において該第２の磁性層に比べて
    相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度の大きな垂直磁
    化膜からなり、第２の磁性層は垂直磁化膜であり、第１
    の磁性層および第２の磁性層は磁気的に結合している情
    報記録媒体であって、少なくとも該第１の磁性層が、請
    求項１２記載の製造方法により作成されたことを特徴と
    する情報記録媒体。
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