JPH10261907A - Manufacture of dielectric filter - Google Patents
Manufacture of dielectric filterInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、特にギガヘルツ
(GHz)帯の信号を扱う無線通信システムに用いて好
適な誘電体フィルタの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a dielectric filter suitable for use in a wireless communication system that handles signals in the gigahertz (GHz) band.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、誘電体フィルタは、焼成された誘
電体ブロックの全面にメッキ等によって導体を形成する
ことによって製造されていた。このような製造方法によ
って、例えばバンドパスフィルタを製造しようとする場
合、空洞が形成された誘電体ブロックの全面に導体を添
着することにより製造されていた。このような誘電体フ
ィルタは、減衰特性が緩やかな特性となる。2. Description of the Related Art Hitherto, a dielectric filter has been manufactured by forming a conductor on the entire surface of a fired dielectric block by plating or the like. When a band-pass filter is to be manufactured by such a manufacturing method, for example, a band-pass filter is manufactured by attaching a conductor to the entire surface of a dielectric block in which a cavity is formed. Such a dielectric filter has a moderate attenuation characteristic.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】このように誘電体ブロ
ックの全面に導体を添着して形成された誘電体フィルタ
では、十分な減衰量を有する誘電体フィルタを構成する
ことができなかったので本出願人は、特願平8−120
252号に、伝達特性に減衰極を有する誘電体フィルタ
について提案している。この誘電体フィルタは、伝達特
性に減衰極を持たせることにより減衰量を確保するもの
である。今回、このような伝達特性に減衰極を有する誘
電体フィルタの製造方法を開発したので、ここに出願す
る。In the dielectric filter formed by attaching a conductor to the entire surface of the dielectric block as described above, a dielectric filter having a sufficient attenuation could not be constructed. Applicant filed Japanese Patent Application No. 8-120
No. 252 proposes a dielectric filter having an attenuation pole in transfer characteristics. This dielectric filter secures the attenuation by giving the transmission characteristic an attenuation pole. This time, a method for manufacturing a dielectric filter having an attenuation pole with such transfer characteristics has been developed, and the present application is filed here.
【0004】本発明は、上述する問題点に鑑みてなされ
たもので、形状を大きくすることなく、容易かつ確実に
減衰量を確保することが可能な誘電体フィルタの製造方
法を提供することを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has as its object to provide a method of manufacturing a dielectric filter capable of easily and reliably securing an attenuation without increasing the size. The purpose is.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の手段として、共振線路を形成する空洞の開口端が臨む
特定面に前記開口端と他の面とを接続する溝が形成され
た誘電体ブロックを成型し、該誘電体ブロックの全面に
導体を形成し、前記溝の両側に誘電体面を露出させて溝
内面に導体からなる線路を形成するように前記特定面を
削るという手段が採用される。このような手段を採用す
ることにより、誘電体フィルタの伝達特性に減衰極を有
する誘電体フィルタを製造することができる。また、上
記手段において、特定面を削る際に、誘電体フィルタの
伝達特性に生じる減衰極の周波数が所望周波数となるよ
うに削る深さを調節するという手段が採用される。これ
によって、誘電体ブロックの原料である誘電体材料の誘
電率のばらつきあるいは誘電体ブロックの形状のばらつ
きに起因する上記減衰極の周波数のばらつきが是正され
る。さらに、上記所望周波数が0.4GHzないし10
GHzに設定されるという手段が採用される。In order to achieve the above-mentioned object, as a means for achieving the above object, a dielectric having a groove connecting the opening end and another surface is formed on a specific surface facing an opening end of a cavity forming a resonance line. Means for forming a body block, forming a conductor on the entire surface of the dielectric block, exposing the dielectric surface on both sides of the groove, and shaving the specific surface so as to form a line made of a conductor on the inner surface of the groove. Is done. By employing such means, a dielectric filter having an attenuation pole in the transfer characteristic of the dielectric filter can be manufactured. Further, in the above means, when the specific surface is cut, a means for adjusting the cut depth so that the frequency of the attenuation pole generated in the transfer characteristic of the dielectric filter becomes a desired frequency is adopted. As a result, the variation in the frequency of the attenuation pole caused by the variation in the dielectric constant of the dielectric material as the raw material of the dielectric block or the variation in the shape of the dielectric block is corrected. Further, the desired frequency is 0.4 GHz to 10 GHz.
Means of being set to GHz is adopted.
【0006】[0006]
【発明の実施の形態】以下、図1〜図4を参照して、本
発明に係わる誘電体フィルタの製造方法の一実施形態に
ついて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of a method for manufacturing a dielectric filter according to the present invention will be described below with reference to FIGS.
【0007】まず、図1は本実施形態に係わる誘電体フ
ィルタの斜視図である。この図において、符号1は直方
体形状の誘電体ブロックであり、例えばBa-Ti-Nd
系(比誘電率εr=90)のセラッミクス材料あるいは
CaTiO3系(比誘電率εr=45)等の誘電体材料か
ら形成されている。この誘電体ブロック1の前面a(特
定面)には、直方体形状の空洞2A,2Bが互いに平行
するように形成されている。FIG. 1 is a perspective view of a dielectric filter according to the present embodiment. In this figure, reference numeral 1 denotes a rectangular parallelepiped dielectric block, for example, Ba-Ti-Nd.
It is formed from a ceramic material of a relative (dielectric constant εr = 90) or a dielectric material such as a CaTiO 3 (dielectric constant of εr = 45). On the front surface a (specific surface) of the dielectric block 1, cavities 2A and 2B having a rectangular parallelepiped shape are formed so as to be parallel to each other.
【0008】誘電体ブロック1の各側面3A,3Bと空
洞2A,2Bとの間には連通孔4A,4Bが、また上記
前面aにおいて各側面3A,3Bと空洞2A,2Bとの
間には、断面がコ字状で一定幅かつ一定深さを有する溝
5A,5Bがそれぞれ形成されている。Communication holes 4A and 4B are provided between the side surfaces 3A and 3B of the dielectric block 1 and the cavities 2A and 2B, and between the side surfaces 3A and 3B and the cavities 2A and 2B on the front surface a. And grooves 5A and 5B having a U-shaped cross section and a constant width and a constant depth, respectively.
【0009】また、上記各側面3A,3Bには、底面b
に亘って連通孔4A,4Bを取り囲むように凸部6A,
6Bがそれぞれ形成されている。ここで、各空洞2A,
2Bと誘電体ブロック1の背面cとの間の寸法つまり各
空洞2A,2Bにおける前面aからの深さは、各空洞2
A,2Bによって形成される1/4λ(波長)空洞共振
器の共振周波数に応じて所望の寸法に設定されている。Further, a bottom surface b is provided on each of the side surfaces 3A and 3B.
Over the communication holes 4A, 4B,
6B are respectively formed. Here, each cavity 2A,
2B and the back surface c of the dielectric block 1, that is, the depth from the front surface a in each of the cavities 2A and 2B is
A desired size is set according to the resonance frequency of the λλ (wavelength) cavity resonator formed by A and 2B.
【0010】このような形状の誘電体ブロック1に対し
て、前面aと凸部6A,6Bの上面以外の表面部分に
は、例えば銅(Cu)や銀(Ag)等の導体が添着され
ている。ここで、各空洞2A,2Bの内面の導体は内導
体7A,7Bを構成し、側面3A,3Bと底面bと背面
c及び上面dに添着された導体は外導体8を構成し、側
面3A,3B及び底面bにおいて凸部6A,6Bによっ
て囲まれた部分の導体は入出力電極9A,9Bを構成
し、連通孔4A,4Bの内面の導体は接続導体10A,
10Bを構成している。また、上記溝5A,5Bの表面
に添着された導体は、短絡部接続導体11A,11Bを
構成している。With respect to the dielectric block 1 having such a shape, a conductor such as copper (Cu) or silver (Ag) is adhered to the front surface a and the surface portions other than the upper surfaces of the projections 6A and 6B. I have. Here, the conductors on the inner surfaces of the cavities 2A and 2B constitute inner conductors 7A and 7B, and the conductors attached to the side surfaces 3A and 3B, the bottom surface b and the back surface c, and the upper surface d constitute the outer conductor 8 and the side surface 3A , 3B and the bottom surface b of the conductor surrounded by the convex portions 6A, 6B constitute input / output electrodes 9A, 9B, and the conductors on the inner surfaces of the communication holes 4A, 4B are connection conductors 10A,
10B. The conductors attached to the surfaces of the grooves 5A and 5B constitute the short-circuit connection conductors 11A and 11B.
【0011】ここで、図2は、上記図1のA−A’線に
おける断面の拡大図である。この図2のうち(b)に示
すように、溝5Bにおいては、底面と深さ寸法h2に亘
る側面とに添着される導体とによって、空洞2Bの内導
体7Bと誘電体ブロック1の外面の外導体8とを電気的
に接続する短絡部接続導体11Bが形成されている。ま
た、溝5Aにおいても、上記溝5Bと同様に短絡部接続
導体11Aが形成されている。なお、このような短絡部
接続導体11Aと短絡部接続導体11Bとは、互いの電
磁的結合が粗結合となるよう前面a上に配置されてい
る。FIG. 2 is an enlarged view of a cross section taken along line AA 'in FIG. As shown in FIG. 2B, in the groove 5B, the inner conductor 7B of the cavity 2B and the outer surface of the dielectric block 1 are formed by the conductor attached to the bottom surface and the side surface extending over the depth h2. A short-circuit connection conductor 11B for electrically connecting the outer conductor 8 is formed. Also in the groove 5A, the short-circuit portion connection conductor 11A is formed similarly to the groove 5B. The short-circuit portion connection conductor 11A and the short-circuit portion connection conductor 11B are arranged on the front surface a such that their electromagnetic coupling is loosely coupled.
【0012】図3は、このように構成された誘電体フィ
ルタの等価回路である。この誘電体フィルタは、外導体
8が電気的に接地され、入出力電極9A,9Bの一方が
入力端20、他方が出力端21として外部回路に接続さ
れる。この図において、符号22A、22Bは上記空洞
2A,2Bの内導体7A,7Bによって形成される線路
インピーダンス(Z2)であり、23A、23Bは各内
導体7A,7Bと外導体8とによって形成されるコンデ
ンサの容量性インピーダンスであり、また24A、24
Bは各短絡部接続導体11A,11Bによって形成され
る線路インピーダンス(Z3)である。FIG. 3 is an equivalent circuit of the dielectric filter thus configured. In this dielectric filter, the outer conductor 8 is electrically grounded, and one of the input / output electrodes 9A and 9B is connected to an external circuit as an input terminal 20 and the other as an output terminal 21. In this figure, reference numerals 22A and 22B denote line impedances (Z2) formed by the inner conductors 7A and 7B of the cavities 2A and 2B, and 23A and 23B are formed by the inner conductors 7A and 7B and the outer conductor 8, respectively. 24A, 24A
B is a line impedance (Z3) formed by the short-circuit connection conductors 11A and 11B.
【0013】この誘電体フィルタは、図4に示すよう
に、バンドパスフィルタの伝達特性を有しており、その
伝達特性において線路インピーダンス24A、24Bの
値Z3によって規定される周波数ft1に減衰極q1を有す
る。As shown in FIG. 4, this dielectric filter has the transfer characteristics of a band-pass filter. In the transfer characteristics, the attenuation pole q1 is added to the frequency ft1 defined by the value Z3 of the line impedances 24A and 24B. Having.
【0014】次に、このような誘電体フィルタの製造方
法について説明する。まず、例えばBa-Ti-Nd系
(比誘電率εr=90)のセラッミクス材料あるいはC
aTiO3系(比誘電率εr=45)等の誘電体材料が、
射出成型の成型手法によって上記誘電体ブロック1の形
状に成型される。このように成型された誘電体ブロック
1は、炉によって焼成されて焼結体(セラミックス)と
され、最終的な誘電体ブロック1が形成される。Next, a method of manufacturing such a dielectric filter will be described. First, for example, a Ba-Ti-Nd-based (dielectric constant εr = 90) ceramic material or C
A dielectric material such as aTiO 3 (dielectric constant εr = 45)
It is molded into the shape of the dielectric block 1 by a molding technique of injection molding. The thus formed dielectric block 1 is fired in a furnace to form a sintered body (ceramics), and the final dielectric block 1 is formed.
【0015】続いて、このように焼結体とされた誘電体
ブロック1の表面に導体が添着される。例えば無電解メ
ッキの手法を用いて導体を添着する場合、導体としては
銅(Cu)が用いられ、導電性ペーストの焼き付けによ
って添着される場合には導体として銀(Ag)が用いら
れる。Subsequently, a conductor is attached to the surface of the dielectric block 1 formed into a sintered body as described above. For example, when the conductor is attached by using the electroless plating technique, copper (Cu) is used as the conductor. When the conductor is attached by baking a conductive paste, silver (Ag) is used as the conductor.
【0016】そして、不要導体つまり図2(a)に示す
ように誘電体ブロック1の前面aに添着された導体12
及び凸部6A,6Bの上面に添着された導体とが除去さ
れる。この場合、不要導体は平面研削盤等の回転状態に
ある砥石によって削り取られて除去される。この工程に
よって、上記内導体7A,7Bと外導体8と入出力電極
9A,9Bと接続導体10A,10B、及び短絡部接続
導体11A,11Bが電体ブロック1の表面に形成され
る。The unnecessary conductors, that is, the conductors 12 attached to the front surface a of the dielectric block 1 as shown in FIG.
In addition, the conductor attached to the upper surfaces of the protrusions 6A and 6B is removed. In this case, the unnecessary conductor is removed by being removed by a rotating grindstone such as a surface grinder. By this step, the inner conductors 7A and 7B, the outer conductor 8, the input / output electrodes 9A and 9B, the connection conductors 10A and 10B, and the short-circuit portion connection conductors 11A and 11B are formed on the surface of the electric block 1.
【0017】さらに、平面研削盤の砥石によって前面a
を研削することにより、溝5A,5Bの各側面に添着さ
れた短絡部接続導体11A,11Bの一部が除去され
る。すなわち、この研削工程において、研削前における
溝5A,5Bの深さ方向の寸法は図2(a)に示すよう
にh1であり、この寸法h1は、研削によって前面aの表
面の導体12が除去され、さらに研削が進められること
によってh2(h2<h1)とされる。例えば、この寸法
h2は、上記誘電体材料の標準比誘電率(設計値)に対
する偏差及び誘電体ブロック1の標準形状(設計値)に
対する偏差に応じて設定される。Furthermore, the front surface a
By grinding, a part of the short-circuit portion connection conductors 11A and 11B attached to each side surface of the grooves 5A and 5B is removed. That is, in this grinding step, the dimension in the depth direction of the grooves 5A and 5B before grinding is h1 as shown in FIG. 2A, and the dimension h1 is such that the conductor 12 on the surface of the front surface a is removed by grinding. And h2 (h2 <h1) by further grinding. For example, the dimension h2 is set according to the deviation from the standard relative permittivity (design value) of the dielectric material and the deviation from the standard shape (design value) of the dielectric block 1.
【0018】また、短絡部接続導体11A(11B)の
線路インピーダンスZ3が大きくなると磁界強度と電界
強度とが等しくなる周波数において位相が90゜となる
減衰極q1の周波数ft1は低い周波数に移動する。一
方、短絡部接続導体11A(11B)の線路インピーダ
ンスZ3が小さくなると磁界強度と電界強度とが等しく
なる周波数において位相が90゜となる減衰極q1の周
波数ft1は高い周波数に移動する。本実施形態では、こ
のことを利用して上記寸法h2が設定される。When the line impedance Z3 of the short-circuit connection conductor 11A (11B) increases, the frequency ft1 of the attenuation pole q1 having a phase of 90 degrees at a frequency at which the magnetic field intensity and the electric field intensity become equal shifts to a lower frequency. On the other hand, when the line impedance Z3 of the short-circuit connection conductor 11A (11B) decreases, the frequency ft1 of the attenuation pole q1 having a phase of 90 ° at a frequency at which the magnetic field intensity and the electric field intensity become equal shifts to a higher frequency. In the present embodiment, the dimension h2 is set by utilizing this fact.
【0019】すなわち、寸法h2と減衰極q1の周波数f
t1との関係を実験あるいはシミュレーションによって予
め求めておく。そして、この工程では、上述したように
射出成型の金型や誘電体材料のロットが変化した場合
に、以上に説明した工程を経て製造されたはじめの幾つ
かの誘電体フィルタ(サンプル)について寸法h2が設
計値である寸法h0となるように前面aを研削し、この
ときにサンプルの減衰極q1の周波数fa及び減衰量を計
測する。そして、この周波数faと設計値である周波数
ft1との偏差と上記実験あるいはシミュレーション結果
に基づいて当該ロットにおける寸法h2を決定する。That is, the dimension h2 and the frequency f of the attenuation pole q1
The relationship with t1 is obtained in advance by experiment or simulation. In this step, as described above, when the injection mold and the lot of the dielectric material change, the dimensions of the first few dielectric filters (samples) manufactured through the above-described steps are changed. The front surface a is ground so that h2 becomes the dimension h0, which is a design value. At this time, the frequency fa and the attenuation of the attenuation pole q1 of the sample are measured. Then, the dimension h2 in the lot is determined based on the deviation between the frequency fa and the design value frequency ft1 and the result of the experiment or simulation.
【0020】例えば、(fa=ft1)の場合は設計寸法
h0を当該ロットの寸法h2とし、(fa<ft1)の場合
には線路インピーダンスZ3を大きくする必要があるの
で、上記実験あるいはシミュレーション結果に基づいて
当該ロットの寸法h2を設計寸法h0よりも小さな値に設
定し、(fa>ft1)の場合には線路インピーダンスZ3
を小さくする必要があるので当該ロットの寸法h2を設
計寸法h0よりも大きな値に設定する。そして、以降の
誘電体フィルタに対する寸法h2は、上述したサンプル
によって決定された値とされる。For example, in the case of (fa = ft1), the design dimension h0 is set to the dimension h2 of the lot, and in the case of (fa <ft1), the line impedance Z3 needs to be increased. Based on this, the dimension h2 of the lot is set to a value smaller than the design dimension h0, and if (fa> ft1), the line impedance Z3
Therefore, the dimension h2 of the lot is set to a value larger than the design dimension h0. The subsequent dimension h2 for the dielectric filter is a value determined by the above-described sample.
【0021】このように前面aが研削されて減衰極の周
波数が調整された誘電体フィルタの伝達特性が抜き取り
計測されて、商品規格と比較される。そして、このよう
にして製造された誘電体フィルタのうち、上記商品規格
を満足するもののみが商品として出荷される。As described above, the transfer characteristic of the dielectric filter whose front surface a is ground and the frequency of the attenuation pole is adjusted is extracted and measured, and is compared with the product standard. Then, of the dielectric filters manufactured in this way, only those that satisfy the above product standard are shipped as products.
【0022】なお、上記実施形態では、前面aにおい
て、各空洞2A,2Bから誘電体ブロックの各側面3
A,3Bに向けて溝5A,5Bを各々設けて各短絡部接
続導体11A,11Bを形成する構成について説明した
が、本願発明はこれに限定されるものではない。すなわ
ち、各短絡部接続導体11A,11Bが電磁的に粗結合
となるように、例えば互いに離間するようにあるいは相
互間に電磁的シールド部材を介在させて短絡部接続導体
11A,11Bを配置する構成であれば他の構成でも良
い。例えば、短絡部接続導体11Aを空洞2Aから底面
bに向けて設け、短絡部接続導体11Bを空洞2Bから
上面dに向けて設けることが考えられる。In the above embodiment, each side surface 3 of the dielectric block is separated from each cavity 2A, 2B on the front surface a.
Although the configuration in which the grooves 5A and 5B are provided toward A and 3B to form the short-circuit portion connection conductors 11A and 11B has been described, the present invention is not limited to this. That is, the short-circuit connection conductors 11A and 11B are arranged so that the short-circuit connection conductors 11A and 11B are electromagnetically loosely coupled, for example, separated from each other or with an electromagnetic shield member interposed therebetween. Then, another configuration may be used. For example, it is conceivable that the short-circuit connection conductor 11A is provided from the cavity 2A to the bottom surface b, and the short-circuit connection conductor 11B is provided from the cavity 2B to the top surface d.
【0023】また、上記実施形態では、前面aの全体を
研削することによって減衰極の周波数を調整する製造方
法について説明したが、溝5A,5Bの各側面のみの短
絡部接続導体11A,11Bの一部を除去することも可
能である。この場合、溝5A,5Bは前面aに対して断
面コ字形状になっているので、溝5A,5Bの幅に相当
する砥石によって各側面5A1,5B1の短絡部接続導体
11A,11Bを研削することが考えられる。In the above embodiment, the manufacturing method for adjusting the frequency of the attenuation pole by grinding the entire front surface a has been described. However, the short-circuit connection conductors 11A and 11B only on the respective side surfaces of the grooves 5A and 5B are described. It is also possible to remove some. In this case, since the grooves 5A and 5B have a U-shaped cross section with respect to the front surface a, the short-circuit portion connection conductors 11A and 11B on the side surfaces 5A1 and 5B1 are ground by a grindstone corresponding to the width of the grooves 5A and 5B. It is possible.
【0024】[0024]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わる誘
電体フィルタの製造方法によれば、以下のような効果を
奏する。 (1)共振線路を形成する空洞の開口端が臨む特定面に
前記開口端と他の面とを接続する溝が形成された誘電体
ブロックを成型し、該誘電体ブロックの全面に導体を形
成し、前記溝の両側に誘電体面を露出させて溝内面に導
体からなる線路を形成するように前記特定面を削ること
によって減衰極を有する誘電体フィルタが製造される。
したがって、誘電体フィルタの形状を大きくすることな
く、減衰量の大きな誘電体フィルタを容易かつ確実に製
造することができる。 (2)特定面を削る際に、誘電体フィルタの伝達特性に
生じる減衰極の周波数が所望周波数となるように深さを
調節するので、誘電体ブロックの原料である誘電体材料
の誘電率のばらつきあるいは誘電体ブロックの形状のば
らつきに起因する減衰極の周波数のばらつきが是正され
る。As described above, according to the method of manufacturing a dielectric filter according to the present invention, the following effects can be obtained. (1) A dielectric block having a groove formed on a specific surface facing the opening end of the cavity forming the resonance line and connecting the opening end to another surface is formed, and a conductor is formed on the entire surface of the dielectric block. Then, a dielectric filter having an attenuation pole is manufactured by exposing the dielectric surface on both sides of the groove and shaving the specific surface so as to form a line formed of a conductor on the inner surface of the groove.
Therefore, a dielectric filter having a large attenuation can be easily and reliably manufactured without increasing the shape of the dielectric filter. (2) When shaving a specific surface, the depth is adjusted so that the frequency of the attenuation pole generated in the transfer characteristic of the dielectric filter becomes a desired frequency. Therefore, the dielectric constant of the dielectric material as a raw material of the dielectric block is adjusted. Variations in the frequency of the attenuation pole due to variations or variations in the shape of the dielectric block are corrected.
【図1】 本発明に係わる誘電体フィルタの製造方法の
一実施形態によって製造された誘電体フィルタの構成を
示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a dielectric filter manufactured by one embodiment of a method for manufacturing a dielectric filter according to the present invention.
【図2】 上記図1のA−A’線における断面の拡大図
である。FIG. 2 is an enlarged view of a cross section taken along line AA ′ of FIG. 1;
【図3】 本発明に係わる誘電体フィルタの製造方法の
一実施形態によって製造された誘電体フィルタの等価回
路である。FIG. 3 is an equivalent circuit of a dielectric filter manufactured by an embodiment of the method for manufacturing a dielectric filter according to the present invention.
【図4】 本発明に係わる誘電体フィルタの製造方法の
一実施形態によって製造された誘電体フィルタの伝達特
性を示す特性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing transfer characteristics of a dielectric filter manufactured by one embodiment of a method for manufacturing a dielectric filter according to the present invention.
1……誘電体ブロック 2A,2B……空洞 3A,3B……側面 4A,4B……連通孔 5A,5B……溝 6A,6B……凸部 7A,7B……内導体 8……外導体 9A,9B……入出力電極 10A,10B……接続導体 11A,11B……短絡部接続導体 a……前面(特定面) b……底面 c……背面 d……上面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Dielectric block 2A, 2B ... Cavity 3A, 3B ... Side surface 4A, 4B ... Communication hole 5A, 5B ... Groove 6A, 6B ... Convex part 7A, 7B ... Inner conductor 8 ... Outer conductor 9A, 9B... I / O electrodes 10A, 10B... Connection conductors 11A, 11B... Short-circuit connection conductors a... Front surface (specific surface) b.
Claims (3)
特定面に前記開口端と他の面とを接続する溝が形成され
た誘電体ブロックを成型し、該誘電体ブロックの全面に
導体を形成し、前記溝の両側に誘電体面を露出させて溝
内面に導体からなる線路を形成するように前記特定面を
削ることを特徴とする誘電体フィルタの製造方法。1. A dielectric block in which a groove for connecting the open end to another surface is formed on a specific surface facing an open end of a cavity forming a resonance line, and a conductor is formed on the entire surface of the dielectric block. Forming a dielectric surface on both sides of the groove and shaving the specific surface so as to form a line made of a conductor on the inner surface of the groove.
達特性に生じる減衰極の周波数が所望周波数となるよう
に削る深さを調節することを特徴とする請求項1記載の
誘電体フィルタの製造方法。2. The dielectric filter according to claim 1, wherein, when the specific surface is cut, a depth of the cut is adjusted so that a frequency of an attenuation pole generated in a transfer characteristic of the dielectric filter becomes a desired frequency. Manufacturing method.
0GHzであることを特徴とする請求項2記載の誘電体
フィルタの製造方法。3. The method according to claim 1, wherein the desired frequency ranges from 0.4 GHz to 1 GHz.
3. The method for manufacturing a dielectric filter according to claim 2, wherein the frequency is 0 GHz.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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