JPH10261636A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH10261636A JPH10261636A JP9064505A JP6450597A JPH10261636A JP H10261636 A JPH10261636 A JP H10261636A JP 9064505 A JP9064505 A JP 9064505A JP 6450597 A JP6450597 A JP 6450597A JP H10261636 A JPH10261636 A JP H10261636A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】アルミ配線層の上に形成されたハレーション防
止層をエッチングして形成されるボンディングパッド部
について、このボンディングパッド部のボンディング材
料との密着性を向上する。 【解決手段】アルミ配線層１とハレーション防止層２と
の間に共晶層３が存在するため、ハレーション防止層２
のエッチングによりボンディングパッド部５を形成した
後に、（ｅ）に示すように、ウエハをアルカリ性処理液
６に浸漬してボンディングパッド部５の共晶層３を除去
する。
止層をエッチングして形成されるボンディングパッド部
について、このボンディングパッド部のボンディング材
料との密着性を向上する。 【解決手段】アルミ配線層１とハレーション防止層２と
の間に共晶層３が存在するため、ハレーション防止層２
のエッチングによりボンディングパッド部５を形成した
後に、（ｅ）に示すように、ウエハをアルカリ性処理液
６に浸漬してボンディングパッド部５の共晶層３を除去
する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、リード線接着用に
好適なボンディングパッド部を有する半導体装置の製造
方法に関する。
好適なボンディングパッド部を有する半導体装置の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置の配線は、Ａ１層ま
たはＡｌ合金層の上部に金属シリサイドまたは金属ナイ
トライド層を有する積層構造である。Ａｌ層またはＡｌ
合金層の上部に金属シリサイドまたは金属ナイトライド
層を備える理由は以下の通りである。
たはＡｌ合金層の上部に金属シリサイドまたは金属ナイ
トライド層を有する積層構造である。Ａｌ層またはＡｌ
合金層の上部に金属シリサイドまたは金属ナイトライド
層を備える理由は以下の通りである。
【０００３】つまり、一般的にフォトリソグラフィー技
術を利用して配線を加工しようとする場合、マスクパタ
ーンの形成時に被加工膜の反射率が大きいと、ハレーシ
ョンと呼ばれるマスクパターンの欠陥を発生することが
ある。ハレーションの発生は配線の断線や細りを引き起
こし、半導体装置の性能や信頼性を低下させる。そこ
で、このハレーションを防止するために、配線の上面
に、低反射率の金属シリサイド層または金属ナイトライ
ド層をハレーション防止層として形成している。
術を利用して配線を加工しようとする場合、マスクパタ
ーンの形成時に被加工膜の反射率が大きいと、ハレーシ
ョンと呼ばれるマスクパターンの欠陥を発生することが
ある。ハレーションの発生は配線の断線や細りを引き起
こし、半導体装置の性能や信頼性を低下させる。そこ
で、このハレーションを防止するために、配線の上面
に、低反射率の金属シリサイド層または金属ナイトライ
ド層をハレーション防止層として形成している。
【０００４】しかしながら、前記金属シリサイド層およ
び金属ナイトライド層は、ボンディング材料との密着性
が悪いことや高抵抗であること等により、その上に直接
ボンディング材料が接続できない。そのため、配線形成
後からボンディングまでの間に、フォトリソグラフィー
工程およびエッチング工程を行って、ハレーション防止
層として形成されている金属シリサイド層または金属ナ
イトライド層を部分的に除去することにより、ボンディ
ングパッド部を形成している。
び金属ナイトライド層は、ボンディング材料との密着性
が悪いことや高抵抗であること等により、その上に直接
ボンディング材料が接続できない。そのため、配線形成
後からボンディングまでの間に、フォトリソグラフィー
工程およびエッチング工程を行って、ハレーション防止
層として形成されている金属シリサイド層または金属ナ
イトライド層を部分的に除去することにより、ボンディ
ングパッド部を形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにして形成されたボンディングパット部に対するボン
ディングでは、必要とされるボンディングパワーが比較
的高く、ボンディングパット部とボンディング材料との
密着性の点において改善の余地があった。
うにして形成されたボンディングパット部に対するボン
ディングでは、必要とされるボンディングパワーが比較
的高く、ボンディングパット部とボンディング材料との
密着性の点において改善の余地があった。
【０００６】本発明は、このような従来技術の問題点に
着目してなされたものであり、前述のようにして形成さ
れたボンディングパット部のボンディング材料との密着
性を向上させることを課題とする。
着目してなされたものであり、前述のようにして形成さ
れたボンディングパット部のボンディング材料との密着
性を向上させることを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
を解決するために鋭意検討した結果、従来の方法でボン
ディングパッド部を形成した場合、ボンディングパッド
部の表面は、アルミニウムと金属（金属シリサイドまた
は金属ナイトライドに含まれる金属）との共晶になって
いることを見いだして本発明を完成させた。
を解決するために鋭意検討した結果、従来の方法でボン
ディングパッド部を形成した場合、ボンディングパッド
部の表面は、アルミニウムと金属（金属シリサイドまた
は金属ナイトライドに含まれる金属）との共晶になって
いることを見いだして本発明を完成させた。
【０００８】すなわち、従来の方法では、図４（ａ）に
示すように、Ａ１層またはＡｌ合金層からなるアルミ配
線層１を形成した後、図４（ｂ）に示すように、アルミ
配線層１の上に、金属シリサイドまたは金属ナイトライ
ドからなるハレーション防止層２を形成するが、この時
点でアルミ配線層１とハレーション防止層２との間に共
晶層３が存在する。そのため、フォトリソグラフィ工程
によるフォトレジスト層４へのマスクパターン転写（図
４（ｃ））とその後のエッチング工程によってハレーシ
ョン防止層２に形成されたボンディングパッド部５は、
図４（ｄ）に示すように、共晶層３が表面に露出した状
態になる。
示すように、Ａ１層またはＡｌ合金層からなるアルミ配
線層１を形成した後、図４（ｂ）に示すように、アルミ
配線層１の上に、金属シリサイドまたは金属ナイトライ
ドからなるハレーション防止層２を形成するが、この時
点でアルミ配線層１とハレーション防止層２との間に共
晶層３が存在する。そのため、フォトリソグラフィ工程
によるフォトレジスト層４へのマスクパターン転写（図
４（ｃ））とその後のエッチング工程によってハレーシ
ョン防止層２に形成されたボンディングパッド部５は、
図４（ｄ）に示すように、共晶層３が表面に露出した状
態になる。
【０００９】この共晶は、アルミ配線層１のハレーショ
ン防止層２との境界にあるＡｌ結晶の粒界に、ハレーシ
ョン防止層２に含まれる金属（例えばＭｏ）が共存する
状態であり、このような共晶は、化学的に活性な状態に
あるＡｌ表面に金属シリサイド（例えばモリブデンシリ
サイド）等をスパッタリングすることにより生じる。こ
の共晶は、元素分折機能付透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ−
ＥＤＸ）やオージェ分析によって確認でき、ボンディン
グパッド表面から約２０００Ａの深さまで分布してい
る。そして、この共晶層４の表面は、ＡｌおよびＡｌ合
金からなるアルミ配線層の表面と比較して、ボンディン
グ材料との密着性が悪い。
ン防止層２との境界にあるＡｌ結晶の粒界に、ハレーシ
ョン防止層２に含まれる金属（例えばＭｏ）が共存する
状態であり、このような共晶は、化学的に活性な状態に
あるＡｌ表面に金属シリサイド（例えばモリブデンシリ
サイド）等をスパッタリングすることにより生じる。こ
の共晶は、元素分折機能付透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ−
ＥＤＸ）やオージェ分析によって確認でき、ボンディン
グパッド表面から約２０００Ａの深さまで分布してい
る。そして、この共晶層４の表面は、ＡｌおよびＡｌ合
金からなるアルミ配線層の表面と比較して、ボンディン
グ材料との密着性が悪い。
【００１０】このような知見から、本発明は、ウエハ上
にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミ
配線層を形成し、このアルミ配線層の上に金属シリサイ
ドまたは金属ナイトライドからなるハレーション防止層
を形成し、このハレーション防止層をエッチングしてボ
ンディングパット部を形成する半導体装置の製造方法に
おいて、ハレーション防止層をドライエッチングするこ
とによりボンディングパッド部を形成した後に、このボ
ンディングパッド部にアルカリ性処理液を作用させて、
当該ボンディングパッド部の共晶層を除去する共晶層除
去工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法を
提供する。
にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミ
配線層を形成し、このアルミ配線層の上に金属シリサイ
ドまたは金属ナイトライドからなるハレーション防止層
を形成し、このハレーション防止層をエッチングしてボ
ンディングパット部を形成する半導体装置の製造方法に
おいて、ハレーション防止層をドライエッチングするこ
とによりボンディングパッド部を形成した後に、このボ
ンディングパッド部にアルカリ性処理液を作用させて、
当該ボンディングパッド部の共晶層を除去する共晶層除
去工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法を
提供する。
【００１１】前述のように、アルミ配線層とハレーショ
ン防止層との間の共晶層は、Ａｌ結晶の粒界にＭｏ等が
共存する状態であり、この共晶層にアルカリ性処理液が
作用すると、下記の（１）式により、アルミニウムはア
ルカリ性処理液に溶解するため、アルミニウムの粒界に
存在するＡｌ以外の金属もＡｌと一緒に除去される。
ン防止層との間の共晶層は、Ａｌ結晶の粒界にＭｏ等が
共存する状態であり、この共晶層にアルカリ性処理液が
作用すると、下記の（１）式により、アルミニウムはア
ルカリ性処理液に溶解するため、アルミニウムの粒界に
存在するＡｌ以外の金属もＡｌと一緒に除去される。
【００１２】 Ａｌ3+＋３ＯＨ- →Ａｌ（ＯＨ）3 ‥‥（１） これにより、ボンディングパッド部の表面にアルミ配線
層が露出するため、ボンディング材料との密着性が向上
する。
層が露出するため、ボンディング材料との密着性が向上
する。
【００１３】また、半導体装置の製造方法においては、
ドライエッチング工程の後にアニール工程を行うことが
一般的であり、前記共晶層は、このアニール工程によっ
て２００℃〜４５０℃に加熱され成長およぴ拡散する。
そのため、ハレーション防止層をドライエッチングした
後にアニール工程を行う場合には、前記共晶層除去工程
を前記アニール工程の前に行うことが好ましい。
ドライエッチング工程の後にアニール工程を行うことが
一般的であり、前記共晶層は、このアニール工程によっ
て２００℃〜４５０℃に加熱され成長およぴ拡散する。
そのため、ハレーション防止層をドライエッチングした
後にアニール工程を行う場合には、前記共晶層除去工程
を前記アニール工程の前に行うことが好ましい。
【００１４】また、前記共晶層除去工程を明るいところ
で行うと、ｐｎ接合部の光起電力効果により、Ａ１とア
ルカリ性処理液との反応が加速され、ボンディングパッ
ド部が変色したり腐食したりすることがある。すなわ
ち、ｐｎ接合部に光が吸収されると、基礎励起によって
電子と正孔が生成する。そして、電子と正孔はそれぞれ
エネルギーの低い側へ流れようとするため、図２に示す
ように、ｎ型領域には電子ｅがＰ型領域には正孔ｈが蓄
積される。
で行うと、ｐｎ接合部の光起電力効果により、Ａ１とア
ルカリ性処理液との反応が加速され、ボンディングパッ
ド部が変色したり腐食したりすることがある。すなわ
ち、ｐｎ接合部に光が吸収されると、基礎励起によって
電子と正孔が生成する。そして、電子と正孔はそれぞれ
エネルギーの低い側へ流れようとするため、図２に示す
ように、ｎ型領域には電子ｅがＰ型領域には正孔ｈが蓄
積される。
【００１５】そのため、外部回路を接続すると、図３に
示すように、ｐ型側が正、ｎ型側が負である電池が形成
される。そして、陽極となるｐ型領域にＡｌが接続され
ると、下記の（２）式で表される電気分解反応が生じ、
ボンディングパッド部の表面のＡｌがアルカリ性処理液
６中に溶解するため、変色や腐食を生じる。
示すように、ｐ型側が正、ｎ型側が負である電池が形成
される。そして、陽極となるｐ型領域にＡｌが接続され
ると、下記の（２）式で表される電気分解反応が生じ、
ボンディングパッド部の表面のＡｌがアルカリ性処理液
６中に溶解するため、変色や腐食を生じる。
【００１６】Ａｌ→Ａｌ3+＋３ｅ- ‥‥（２） ここで、Ｓｉのバンドギャップの値は約１．ｌｅＶであ
るため、前記共晶層除去工程を、波長１１００ｎｍ以下
の光が入らない環境下で行うことにより、理論的には光
起電力を０にして、前記電気分解反応が生じないように
することができるため、ボンディングパッド部の変色や
腐食が防止できる。
るため、前記共晶層除去工程を、波長１１００ｎｍ以下
の光が入らない環境下で行うことにより、理論的には光
起電力を０にして、前記電気分解反応が生じないように
することができるため、ボンディングパッド部の変色や
腐食が防止できる。
【００１７】しかしながら、波長１１００ｎｍ以下の光
が入らない環境で人間が作業することは実用上困難であ
るため、前記共晶層除去工程を暗室の環境下で行うこと
により、ｐｎ接合部に吸収される光量を低減して、前記
電気分解反応を抑制することができる。これにより、ボ
ンディングパッド部の変色や腐食が抑制できる。ここ
で、暗室の環境下とは、例えば通常の写真現像用の暗室
内を示し、このような暗室内で処理を行うか、またはア
ルカリ性処理液を作用させる装置内を前記暗室と同じ環
境となるようにして、前記共晶層除去工程を行う。
が入らない環境で人間が作業することは実用上困難であ
るため、前記共晶層除去工程を暗室の環境下で行うこと
により、ｐｎ接合部に吸収される光量を低減して、前記
電気分解反応を抑制することができる。これにより、ボ
ンディングパッド部の変色や腐食が抑制できる。ここ
で、暗室の環境下とは、例えば通常の写真現像用の暗室
内を示し、このような暗室内で処理を行うか、またはア
ルカリ性処理液を作用させる装置内を前記暗室と同じ環
境となるようにして、前記共晶層除去工程を行う。
【００１８】なお、本発明で使用するアルカリ性処理液
としては、例えば、テトラメチルアンモニウムハイドラ
イド（ＴＭＡＨ）水溶液、アンモニア水、またはモノメ
チルアミン、モノエチルアミン、モノブチルアミン等の
ようなモノアルキルアミンの水溶液、またはトリメチル
アミン、ジメチルモノメチルアミン、モノメチルジメチ
ルアミン、トリエチルアミン、メチルエチルブチルアミ
ン等のようなトリアルキルアミンの水溶液、または水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム等のようなアルカリ金属
の水酸化物の水溶液、もしくはこれらの混合物が挙げら
れ、これらの水溶液および混合物に有機溶媒が混合され
ているものであってもよい。
としては、例えば、テトラメチルアンモニウムハイドラ
イド（ＴＭＡＨ）水溶液、アンモニア水、またはモノメ
チルアミン、モノエチルアミン、モノブチルアミン等の
ようなモノアルキルアミンの水溶液、またはトリメチル
アミン、ジメチルモノメチルアミン、モノメチルジメチ
ルアミン、トリエチルアミン、メチルエチルブチルアミ
ン等のようなトリアルキルアミンの水溶液、または水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム等のようなアルカリ金属
の水酸化物の水溶液、もしくはこれらの混合物が挙げら
れ、これらの水溶液および混合物に有機溶媒が混合され
ているものであってもよい。
【００１９】このなかで好ましいものは、ＴＭＡＨ水溶
夜、アンモニア水、モノアルキルアミンの水溶液、また
はトリアルキルアミンの水溶液であり、最も好ましいも
のはＴＭＡＨ溶液またはアンモニア水である。
夜、アンモニア水、モノアルキルアミンの水溶液、また
はトリアルキルアミンの水溶液であり、最も好ましいも
のはＴＭＡＨ溶液またはアンモニア水である。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、具体的な実施例を用いて説明する。 ［実施例１］図１に示すように、（ａ）ウエハ上にアル
ミ配線層１として、Ａｌ−０．５％Ｃｕ−１．０％Ｓｉ
合金層を形成し、（ｂ）その上にハレーション防止層２
としてモリブデンシリサイド層を形成した。このサンプ
ルをＴＥＭ−ＥＤＸにかけて両層の界面部分を観察した
ところ、Ａ１とＭｏとの共晶層３が存在していた。
て、具体的な実施例を用いて説明する。 ［実施例１］図１に示すように、（ａ）ウエハ上にアル
ミ配線層１として、Ａｌ−０．５％Ｃｕ−１．０％Ｓｉ
合金層を形成し、（ｂ）その上にハレーション防止層２
としてモリブデンシリサイド層を形成した。このサンプ
ルをＴＥＭ−ＥＤＸにかけて両層の界面部分を観察した
ところ、Ａ１とＭｏとの共晶層３が存在していた。
【００２１】このサンプルに対して、（ｃ）フォトレジ
スト層４にマスクパターンを転写するフォトリソグラフ
ィ工程、およびフォトレジスト層４をマスクとしたドラ
イエッチング工程を行うことによって、（ｄ）ハレーシ
ョン防止層２にボンディングパッド部５を形成した。
スト層４にマスクパターンを転写するフォトリソグラフ
ィ工程、およびフォトレジスト層４をマスクとしたドラ
イエッチング工程を行うことによって、（ｄ）ハレーシ
ョン防止層２にボンディングパッド部５を形成した。
【００２２】次に、（ｅ）写真現像用の一般的な暗室
で、アルカリ性処理液として用意した２．４体積％ＴＭ
ＡＨ水溶液６中に、１０秒間、３０秒間、６０秒間浸漬
した後水洗する共晶層除去工程を行った。この共晶層除
去工程によって、ボンディングパッド部５にアルカリ性
処理液が浸透し、共晶層３のＡｌとその粒界に存在する
Ｍｏ等がアルカリ性処理液に溶解する。これにより、
（ｆ）ボンディングパッド部５の共晶層３が除去され
て、アルミ配線層１のＡｌがボンディングパッド部５の
表面に露出した状態になる。
で、アルカリ性処理液として用意した２．４体積％ＴＭ
ＡＨ水溶液６中に、１０秒間、３０秒間、６０秒間浸漬
した後水洗する共晶層除去工程を行った。この共晶層除
去工程によって、ボンディングパッド部５にアルカリ性
処理液が浸透し、共晶層３のＡｌとその粒界に存在する
Ｍｏ等がアルカリ性処理液に溶解する。これにより、
（ｆ）ボンディングパッド部５の共晶層３が除去され
て、アルミ配線層１のＡｌがボンディングパッド部５の
表面に露出した状態になる。
【００２３】その後、超音波法により金のワイヤーボン
ディングを実施したところ、全数１０００個がボンディ
ングされるのに必要なボンディングパワー（相対値）
は、浸漬時間が１０秒間のもので２５、３０秒間のもの
で２０、６０秒間のもので１５であった。なお、前述の
共晶層除去工程を行わない場合には、ボンディングパワ
ーを３０以上に上げないと全数１０００個のボンディン
グがなされなかった。
ディングを実施したところ、全数１０００個がボンディ
ングされるのに必要なボンディングパワー（相対値）
は、浸漬時間が１０秒間のもので２５、３０秒間のもの
で２０、６０秒間のもので１５であった。なお、前述の
共晶層除去工程を行わない場合には、ボンディングパワ
ーを３０以上に上げないと全数１０００個のボンディン
グがなされなかった。
【００２４】ボンディングパワーが低くてもボンディン
グが可能であることはボンディングパッド部の表面状態
が良好である（ボンディング材料との密着性が高い）こ
とを意味し、２．４体積％ＴＭＡＨ水溶液に１０秒間以
上浸漬することにより、共晶層除去工程の効果が発揮さ
れていることが分かる。 ［実施例２］（ｅ）の共晶層除去工程において、アルカ
リ性処理液として２．４％ＴＭＡＨ水溶液に代えて０．
０ｌｍｏｌ／ｌアンモニア水を用いた以外は、前記実施
例１と同様にして、ボンディングパッド部５の形成と金
のワイヤーボンディングを行った。
グが可能であることはボンディングパッド部の表面状態
が良好である（ボンディング材料との密着性が高い）こ
とを意味し、２．４体積％ＴＭＡＨ水溶液に１０秒間以
上浸漬することにより、共晶層除去工程の効果が発揮さ
れていることが分かる。 ［実施例２］（ｅ）の共晶層除去工程において、アルカ
リ性処理液として２．４％ＴＭＡＨ水溶液に代えて０．
０ｌｍｏｌ／ｌアンモニア水を用いた以外は、前記実施
例１と同様にして、ボンディングパッド部５の形成と金
のワイヤーボンディングを行った。
【００２５】その結果、全数１０００個がボンディング
されるのに必要なボンディングパワー（相対値）は、浸
漬時間が１０秒間のもので２７、３０秒間のもので２
３、６０秒間のもので１８であった。 ［実施例３］ハレーション防止層２のエッチング後であ
って（ｅ）の共晶層除去工程を行う前に、４２０℃での
水素アニールを行った以外は、前記実施例１と同様にし
て、ボンディングパッド部５の形成と金のワイヤーボン
ディングを行った。
されるのに必要なボンディングパワー（相対値）は、浸
漬時間が１０秒間のもので２７、３０秒間のもので２
３、６０秒間のもので１８であった。 ［実施例３］ハレーション防止層２のエッチング後であ
って（ｅ）の共晶層除去工程を行う前に、４２０℃での
水素アニールを行った以外は、前記実施例１と同様にし
て、ボンディングパッド部５の形成と金のワイヤーボン
ディングを行った。
【００２６】その結果、全数１０００個がボンディング
されるのに必要なボンディングパワー（相対値）は、浸
漬時間が１０秒間のもので２７、３０秒間のもので２
３、６０秒間のもので１８であった。 ［実施例４］（ｅ）の共晶層除去工程を行った後に、４
２０℃での水素アニールを行った以外は、前記実施例１
と同様にして、ボンディングパッド部５の形成と金のワ
イヤーボンディングを行った。
されるのに必要なボンディングパワー（相対値）は、浸
漬時間が１０秒間のもので２７、３０秒間のもので２
３、６０秒間のもので１８であった。 ［実施例４］（ｅ）の共晶層除去工程を行った後に、４
２０℃での水素アニールを行った以外は、前記実施例１
と同様にして、ボンディングパッド部５の形成と金のワ
イヤーボンディングを行った。
【００２７】その結果、全数１０００個がボンディング
されるのに必要なボンディングパワー（相対値）は、浸
漬時間が１０秒間のもので２５、３０秒間のもので２
０、６０秒間のもので１５であった。
されるのに必要なボンディングパワー（相対値）は、浸
漬時間が１０秒間のもので２５、３０秒間のもので２
０、６０秒間のもので１５であった。
【００２８】これらの実施例から分かるように、アルカ
リ性処理液に浸漬する共晶層除去工程により、ボンディ
ングパッド部とボンディング材料との密着性は向上す
る。そして、この効果は、例えば２．４％ＴＭＡＨ水溶
液および０．０ｌｍｏｌ／ｌアンモニア水へ１０秒間以
上浸漬することで容易に得られる。
リ性処理液に浸漬する共晶層除去工程により、ボンディ
ングパッド部とボンディング材料との密着性は向上す
る。そして、この効果は、例えば２．４％ＴＭＡＨ水溶
液および０．０ｌｍｏｌ／ｌアンモニア水へ１０秒間以
上浸漬することで容易に得られる。
【００２９】また、実施例３と実施例４との比較によ
り、水素アニール工程を行う場合には、共晶層除去工程
を水素アニール工程の前に行った方が、ボンディングパ
ッド部とボンディング材料との密着性向上の効果が高い
ことが分かる。
り、水素アニール工程を行う場合には、共晶層除去工程
を水素アニール工程の前に行った方が、ボンディングパ
ッド部とボンディング材料との密着性向上の効果が高い
ことが分かる。
【００３０】また、前記各実施例では、共晶層除去工程
を暗室で行ったため、ボンディングパッド部の表面に変
色や腐食は生じなかった。なお、本発明の方法は、共晶
層除去工程を暗室で行うことに限定されず、通常の明る
さの室内で行ってもよいが、暗室で行った方がボンディ
ングパッド部の表面に変色や腐食が生じ難いため好まし
い。また、この共晶層除去工程は、波長１１００ｎｍ以
下の光が入らない環境下で行うと、理論的にボンディン
グパッド部の表面に変色や腐食が生じないためさらに好
ましい。
を暗室で行ったため、ボンディングパッド部の表面に変
色や腐食は生じなかった。なお、本発明の方法は、共晶
層除去工程を暗室で行うことに限定されず、通常の明る
さの室内で行ってもよいが、暗室で行った方がボンディ
ングパッド部の表面に変色や腐食が生じ難いため好まし
い。また、この共晶層除去工程は、波長１１００ｎｍ以
下の光が入らない環境下で行うと、理論的にボンディン
グパッド部の表面に変色や腐食が生じないためさらに好
ましい。
【００３１】また、前記各実施例では、共晶層除去工程
を、アルカリ性処理液中に所定時間浸漬させた後に水洗
することで行っているが、アルカリ処理液をボンディン
グパッド部５の上にスピンコートした後に水洗すること
で行っても良い。
を、アルカリ性処理液中に所定時間浸漬させた後に水洗
することで行っているが、アルカリ処理液をボンディン
グパッド部５の上にスピンコートした後に水洗すること
で行っても良い。
【００３２】なお、前記各実施例では、ハレーション防
止層２をモリブデンシリサイトで形成しているが、ハレ
ーション防止層２はこれに限定されず、金属ナイトライ
ドである窒化チタン素や、その他のハレーション防止層
２としての効果がある金属シリサイトおよび金属ナイト
ライドであっても、前記と同様の効果が得られる。
止層２をモリブデンシリサイトで形成しているが、ハレ
ーション防止層２はこれに限定されず、金属ナイトライ
ドである窒化チタン素や、その他のハレーション防止層
２としての効果がある金属シリサイトおよび金属ナイト
ライドであっても、前記と同様の効果が得られる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
れば、共晶層除去工程を行うことにより、ボンディング
パッド部の表面とボンディング材料との密着性が向上す
るため、ボンディングパワーを低く抑えることができ
る。
れば、共晶層除去工程を行うことにより、ボンディング
パッド部の表面とボンディング材料との密着性が向上す
るため、ボンディングパワーを低く抑えることができ
る。
【００３４】特に、請求項２によれば、共晶層がアニー
ル工程によって成長およぴ拡散する前に除去されるた
め、共晶層除去工程による共晶層の除去が容易に行われ
る。特に、請求項３によれば、共晶層除去工程によりボ
ンディングパッド部に変色や腐食が全く生じないように
することができる。
ル工程によって成長およぴ拡散する前に除去されるた
め、共晶層除去工程による共晶層の除去が容易に行われ
る。特に、請求項３によれば、共晶層除去工程によりボ
ンディングパッド部に変色や腐食が全く生じないように
することができる。
【００３５】特に、請求項４によれば、共晶層除去工程
によりボンディングパッド部に変色や腐食を生じ難くす
ることができる。
によりボンディングパッド部に変色や腐食を生じ難くす
ることができる。
【図１】ハレーション防止層にボンディングパット部を
形成する本発明の方法の一例を示す工程図であり、
（ａ）はアルミ配線層の形成工程後のウエハを、（ｂ）
はハレーション防止層形成工程後のウエハを、（ｃ）は
フォトリソグラフィ工程後のウエハを、（ｄ）はエッチ
ング工程後のウエハを、（ｅ）は共晶層除去工程を、
（ｆ）は共晶層除去工程後のウエハを、それぞれ示して
いる。
形成する本発明の方法の一例を示す工程図であり、
（ａ）はアルミ配線層の形成工程後のウエハを、（ｂ）
はハレーション防止層形成工程後のウエハを、（ｃ）は
フォトリソグラフィ工程後のウエハを、（ｄ）はエッチ
ング工程後のウエハを、（ｅ）は共晶層除去工程を、
（ｆ）は共晶層除去工程後のウエハを、それぞれ示して
いる。
【図２】共晶層除去工程におけるｐｎ接合部の光起電力
効果を示す説明図である。
効果を示す説明図である。
【図３】前記光起電力効果による等価回路を示す概略図
である。
である。
【図４】ハレーション防止層にボンディングパット部を
形成する従来の方法を示す工程図であり、（ａ）はアル
ミ配線層の形成工程後のウエハを、（ｂ）はハレーショ
ン防止層形成工程後のウエハを、（ｃ）はフォトリソグ
ラフィ工程後のウエハを、（ｄ）はエッチング工程後の
ウエハをそれぞれ示している。
形成する従来の方法を示す工程図であり、（ａ）はアル
ミ配線層の形成工程後のウエハを、（ｂ）はハレーショ
ン防止層形成工程後のウエハを、（ｃ）はフォトリソグ
ラフィ工程後のウエハを、（ｄ）はエッチング工程後の
ウエハをそれぞれ示している。
１ アルミ配線層 ２ ハレーション防止層 ３ 共晶層 ４ フォトレジスト層 ５ ボンディングパッド部 ６ アルカリ性処理液
Claims (4)
- 【請求項１】 ウエハ上にアルミニウムまたはアルミニ
ウム合金からなるアルミ配線層を形成し、このアルミ配
線層の上に金属シリサイドまたは金属ナイトライドから
なるハレーション防止層を形成し、このハレーション防
止層をエッチングしてボンディングパット部を形成する
半導体装置の製造方法において、 ハレーション防止層をドライエッチングすることにより
ボンディングパッド部を形成した後に、このボンディン
グパッド部にアルカリ性処理液を作用させて、当該ボン
ディングパッド部の共晶層を除去する共晶層除去工程を
行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 ハレーション防止層をドライエッチング
した後にアニール工程を行う請求項１記載の半導体装置
の製造方法において、前記共晶層除去工程は前記アニー
ル工程の前に行うことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】 前記共晶層除去工程は、波長１１００ｎ
ｍ以下の光が入らない環境下で行うことを特徴とする請
求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記共晶層除去工程は暗室の環境下で行
うことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06450597A JP3485752B2 (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06450597A JP3485752B2 (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261636A true JPH10261636A (ja) | 1998-09-29 |
| JP3485752B2 JP3485752B2 (ja) | 2004-01-13 |
Family
ID=13260137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06450597A Expired - Fee Related JP3485752B2 (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3485752B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01302724A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-12-06 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0349231A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-04 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04731A (ja) * | 1989-01-27 | 1992-01-06 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH08144075A (ja) * | 1994-11-18 | 1996-06-04 | Mitsubishi Electric Corp | メタル上の異物の除去方法およびその装置 |
| JPH08186121A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-16 | Nkk Corp | 配線の形成方法 |
-
1997
- 1997-03-18 JP JP06450597A patent/JP3485752B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01302724A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-12-06 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04731A (ja) * | 1989-01-27 | 1992-01-06 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH0349231A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-04 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH08144075A (ja) * | 1994-11-18 | 1996-06-04 | Mitsubishi Electric Corp | メタル上の異物の除去方法およびその装置 |
| JPH08186121A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-16 | Nkk Corp | 配線の形成方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3485752B2 (ja) | 2004-01-13 |
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