JPH10253701A - 半導体試験装置 - Google Patents
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- JPH10253701A JPH10253701A JP9054804A JP5480497A JPH10253701A JP H10253701 A JPH10253701 A JP H10253701A JP 9054804 A JP9054804 A JP 9054804A JP 5480497 A JP5480497 A JP 5480497A JP H10253701 A JPH10253701 A JP H10253701A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 49
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/30—Marginal testing, e.g. by varying supply voltage
- G01R31/3004—Current or voltage test
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電源端子および接地端子間に容量を有する半
導体装置の電源電流を短時間で測定することが可能な半
導体試験装置を提供する。 【解決手段】 バイパスコンデンサ５０と同じ容量値の
ダミーコンデンサ１に電源電圧Ｖｃｃを印加して過渡電
流Ｉ３を生成する。ＩＣ４０およびバイパスコンデンサ
５０に流れる電流Ｉ１から電流Ｉ３を減算してＩＣ４０
の電源電流Ｉｃｃを求める。バイパスコンデンサ５０の
過渡電流Ｉ２＝Ｉ３の減衰を待つ必要がないので、電源
電流Ｉｃｃの測定時間が短くてすむ。
導体装置の電源電流を短時間で測定することが可能な半
導体試験装置を提供する。 【解決手段】 バイパスコンデンサ５０と同じ容量値の
ダミーコンデンサ１に電源電圧Ｖｃｃを印加して過渡電
流Ｉ３を生成する。ＩＣ４０およびバイパスコンデンサ
５０に流れる電流Ｉ１から電流Ｉ３を減算してＩＣ４０
の電源電流Ｉｃｃを求める。バイパスコンデンサ５０の
過渡電流Ｉ２＝Ｉ３の減衰を待つ必要がないので、電源
電流Ｉｃｃの測定時間が短くてすむ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体試験装置に
関し、特に、その電源端子と接地端子との間に容量を有
する半導体装置に電源電圧を印加して電源電流を測定す
る半導体試験装置に関する。
関し、特に、その電源端子と接地端子との間に容量を有
する半導体装置に電源電圧を印加して電源電流を測定す
る半導体試験装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の半導体試験装置の構成を
示す回路ブロック図である。
示す回路ブロック図である。
【０００３】図４を参照して、この半導体試験装置で
は、被試験半導体集積回路装置（以下、ＩＣと称す）４
０の電源端子４１と接地端子４２の間にバイパスコンデ
ンサ５０（容量）が接続される。パイパスコンデンサ５
０は、ノイズ除去および発振防止のために設けられる。
図のバイパスコンデンサ５０は、ＩＣ４０の外部に試験
用に接続されるものとＩＣ４０の内部に予め設けられて
いるものとの両方を表すものとする。
は、被試験半導体集積回路装置（以下、ＩＣと称す）４
０の電源端子４１と接地端子４２の間にバイパスコンデ
ンサ５０（容量）が接続される。パイパスコンデンサ５
０は、ノイズ除去および発振防止のために設けられる。
図のバイパスコンデンサ５０は、ＩＣ４０の外部に試験
用に接続されるものとＩＣ４０の内部に予め設けられて
いるものとの両方を表すものとする。
【０００４】半導体試験装置は、コントローラ３０、Ｄ
／Ａコンバータ３１、抵抗素子３２，３３，３５、オペ
アンプ３４，３６およびＡ／Ｄコンバータ３７を備え
る。コントローラ３０は、たとえばパーソナルコンピュ
ータで構成され、Ｄ／Ａコンバータ３１にデジタルコー
ドを与えてＩＣ４０に電源電圧Ｖｃｃを印加させた後、
予め定められた時間が経過してＩＣ４０の電源電流Ｉｃ
ｃが安定するのを待って、Ａ／Ｄコンバータ３７からの
デジタルコードに基づいてＩＣ４０の電源電流Ｉｃｃを
求める。
／Ａコンバータ３１、抵抗素子３２，３３，３５、オペ
アンプ３４，３６およびＡ／Ｄコンバータ３７を備え
る。コントローラ３０は、たとえばパーソナルコンピュ
ータで構成され、Ｄ／Ａコンバータ３１にデジタルコー
ドを与えてＩＣ４０に電源電圧Ｖｃｃを印加させた後、
予め定められた時間が経過してＩＣ４０の電源電流Ｉｃ
ｃが安定するのを待って、Ａ／Ｄコンバータ３７からの
デジタルコードに基づいてＩＣ４０の電源電流Ｉｃｃを
求める。
【０００５】Ｄ／Ａコンバータ３１は、コントローラ３
０からのデジタルコードをアナログ電圧に変換する。オ
ペアンプ３４および抵抗素子３２，３３は増幅器を構成
し、Ｄ／Ａコンバータ３１からのアナログ電圧を増幅し
てＩＣ４０の電源電圧Ｖｃｃを生成する。抵抗素子３５
はオペアンプ３４からＩＣ４０の電源端子４１に流入す
る電流Ｉ１を電圧に変換するために設けられる。すなわ
ち、抵抗素子３２はＤ／Ａコンバータ３１の出力端子と
オペアンプ３４の反転入力端子との間に接続され、抵抗
素子３３はオペアンプ３４の反転入力端子とＩＣ４０の
電源端子４１の間に接続され、抵抗素子３５はオペアン
プ３４の出力端子とＩＣ４０の電源端子４１との間に接
続される。オペアンプの非反転入力端子およびＩＣ４０
の接地端子４２は接地される。
０からのデジタルコードをアナログ電圧に変換する。オ
ペアンプ３４および抵抗素子３２，３３は増幅器を構成
し、Ｄ／Ａコンバータ３１からのアナログ電圧を増幅し
てＩＣ４０の電源電圧Ｖｃｃを生成する。抵抗素子３５
はオペアンプ３４からＩＣ４０の電源端子４１に流入す
る電流Ｉ１を電圧に変換するために設けられる。すなわ
ち、抵抗素子３２はＤ／Ａコンバータ３１の出力端子と
オペアンプ３４の反転入力端子との間に接続され、抵抗
素子３３はオペアンプ３４の反転入力端子とＩＣ４０の
電源端子４１の間に接続され、抵抗素子３５はオペアン
プ３４の出力端子とＩＣ４０の電源端子４１との間に接
続される。オペアンプの非反転入力端子およびＩＣ４０
の接地端子４２は接地される。
【０００６】オペアンプ３６は、抵抗素子３５の電極間
すなわちＩＣ４０の電源端子４１とオペアンプ３４の出
力端子との間の電圧を増幅する。Ａ／Ｄコンバータ３７
は、オペアンプ３６の出力電圧Ｖ１をデジタルコードに
変換してコントローラ３０に与える。
すなわちＩＣ４０の電源端子４１とオペアンプ３４の出
力端子との間の電圧を増幅する。Ａ／Ｄコンバータ３７
は、オペアンプ３６の出力電圧Ｖ１をデジタルコードに
変換してコントローラ３０に与える。
【０００７】次に、この半導体試験装置の動作について
説明する。半導体試験装置にＩＣ４０がセットされる
と、コントローラ３０からＤ／Ａコンバータ３１にデジ
タルコードが与えられ、オペアンプ３４から抵抗素子３
５を介してＩＣ４０の電源端子４１に電源電圧Ｖｃｃが
印加される。オペアンプ３４からＩＣ４０に流れる電流
Ｉ１は、抵抗素子３５によって電圧に変換され、この電
圧はオペアンプ３６によって増幅される。オペアンプ３
６の出力電圧Ｖ１がＡ／Ｄコンバータ３７によってデジ
タルコードに変換されてコントローラ３０に与えられ
る。このデジタルコードに基づきコントローラ３０によ
ってＩＣ４０の電源電流Ｉｃｃが求められ、ＩＣ４０の
電源電流Ｉｃｃがコントローラ３０の表示画面３０ａに
表示される。
説明する。半導体試験装置にＩＣ４０がセットされる
と、コントローラ３０からＤ／Ａコンバータ３１にデジ
タルコードが与えられ、オペアンプ３４から抵抗素子３
５を介してＩＣ４０の電源端子４１に電源電圧Ｖｃｃが
印加される。オペアンプ３４からＩＣ４０に流れる電流
Ｉ１は、抵抗素子３５によって電圧に変換され、この電
圧はオペアンプ３６によって増幅される。オペアンプ３
６の出力電圧Ｖ１がＡ／Ｄコンバータ３７によってデジ
タルコードに変換されてコントローラ３０に与えられ
る。このデジタルコードに基づきコントローラ３０によ
ってＩＣ４０の電源電流Ｉｃｃが求められ、ＩＣ４０の
電源電流Ｉｃｃがコントローラ３０の表示画面３０ａに
表示される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
試験装置では、ＩＣ４０の電源端子４１に電源電圧Ｖｃ
ｃを印加するとバイパスコンデンサ５０に過渡電流Ｉ２
が流れて電流Ｉ１＝Ｉｃｃ＋Ｉ２が変動するので、電源
電圧Ｖｃｃを印加してから過渡電流Ｉ２が減衰してＩＣ
４０の電源電流Ｉｃｃの測定が可能となるまで長時間を
要していた。このため、ＩＣ４０のテスト時間が長くな
り、テストコストの高コスト化、ひいてはＩＣ４０の高
価格化を招いていた。
試験装置では、ＩＣ４０の電源端子４１に電源電圧Ｖｃ
ｃを印加するとバイパスコンデンサ５０に過渡電流Ｉ２
が流れて電流Ｉ１＝Ｉｃｃ＋Ｉ２が変動するので、電源
電圧Ｖｃｃを印加してから過渡電流Ｉ２が減衰してＩＣ
４０の電源電流Ｉｃｃの測定が可能となるまで長時間を
要していた。このため、ＩＣ４０のテスト時間が長くな
り、テストコストの高コスト化、ひいてはＩＣ４０の高
価格化を招いていた。
【０００９】それゆえに、この発明の主たる目的は、電
源端子および接地端子間に容量を有する半導体装置の電
源電流を短時間で測定することが可能な半導体試験装置
を提供することである。
源端子および接地端子間に容量を有する半導体装置の電
源電流を短時間で測定することが可能な半導体試験装置
を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
その電源端子と接地端子の間に容量を有する半導体装置
に電源電圧を印加して電源電流を測定する半導体試験装
置であって、ダミーコンデンサ、第１の電源、第２の電
源、第１の電流測定手段、第２の電流測定手段、および
演算手段を備える。ダミーコンデンサは、半導体装置の
電源端子と接地端子の間の容量と同じ容量値を有する。
第１の電源は、半導体装置の電源端子と接地端子の間に
電源電圧を印加する。第２の電源は、ダミーコンデンサ
の電極間に第１の電源の出力電圧と同じ電圧を第１の電
源と同時に印加する。第１の電流測定手段は、第１の電
源から半導体装置に流れる電流を測定する。第２の電流
測定手段は、第２の電源からダミーコンデンサに流れる
電流を測定する。演算手段は、第１の電流測定手段の測
定値から第２の電流測定手段の測定値を減算して半導体
装置の電源電流を求める。
その電源端子と接地端子の間に容量を有する半導体装置
に電源電圧を印加して電源電流を測定する半導体試験装
置であって、ダミーコンデンサ、第１の電源、第２の電
源、第１の電流測定手段、第２の電流測定手段、および
演算手段を備える。ダミーコンデンサは、半導体装置の
電源端子と接地端子の間の容量と同じ容量値を有する。
第１の電源は、半導体装置の電源端子と接地端子の間に
電源電圧を印加する。第２の電源は、ダミーコンデンサ
の電極間に第１の電源の出力電圧と同じ電圧を第１の電
源と同時に印加する。第１の電流測定手段は、第１の電
源から半導体装置に流れる電流を測定する。第２の電流
測定手段は、第２の電源からダミーコンデンサに流れる
電流を測定する。演算手段は、第１の電流測定手段の測
定値から第２の電流測定手段の測定値を減算して半導体
装置の電源電流を求める。
【００１１】請求項２に係る発明では、請求項１に係る
発明に、演算手段によって求められた半導体装置の電源
電流が予め定められた範囲内にあるか否かを判定する判
定手段がさらに設けられる。
発明に、演算手段によって求められた半導体装置の電源
電流が予め定められた範囲内にあるか否かを判定する判
定手段がさらに設けられる。
【００１２】
【発明の実施の形態】実施の形態について説明する前
に、まずこの発明の原理について説明する。バイパスコ
ンデンサ５０が設けられたＩＣ４０に電源電圧Ｖｃｃを
印加すると、図１に示すように、オペアンプ３４からＩ
Ｃ４０自体に電源電流Ｉｃｃが流入すると同時に、オペ
アンプ３４からバイパスコンデンサ５０へ過渡電流Ｉ２
が流入する。過渡電流Ｉ２の安定には長時間ｔ２を要す
るが、電源電流Ｉｃｃ自体は比較的短時間ｔ１で安定す
る。
に、まずこの発明の原理について説明する。バイパスコ
ンデンサ５０が設けられたＩＣ４０に電源電圧Ｖｃｃを
印加すると、図１に示すように、オペアンプ３４からＩ
Ｃ４０自体に電源電流Ｉｃｃが流入すると同時に、オペ
アンプ３４からバイパスコンデンサ５０へ過渡電流Ｉ２
が流入する。過渡電流Ｉ２の安定には長時間ｔ２を要す
るが、電源電流Ｉｃｃ自体は比較的短時間ｔ１で安定す
る。
【００１３】したがって、バイパスコンデンサ５０の過
渡電流Ｉ２と同じ電流Ｉ３を別途生成し、オペアンプ３
４からＩＣ４０へ流入する全電流Ｉ１から電流Ｉ３を減
算すれば電源電流Ｉｃｃを得ることができ、短時間で電
源電流Ｉｃｃを測定できる。電流Ｉ３を生成するには、
バイパスコンデンサ５０と同種で同容量値のダミーコン
デンサ１を別途設け、コンデンサ５０と１に同時に電源
電圧Ｖｃｃを印加すればよい。ダミーコンデンサ１の過
渡電流が電流Ｉ３となる。以下、図に基づいて、この発
明を詳細に説明する。
渡電流Ｉ２と同じ電流Ｉ３を別途生成し、オペアンプ３
４からＩＣ４０へ流入する全電流Ｉ１から電流Ｉ３を減
算すれば電源電流Ｉｃｃを得ることができ、短時間で電
源電流Ｉｃｃを測定できる。電流Ｉ３を生成するには、
バイパスコンデンサ５０と同種で同容量値のダミーコン
デンサ１を別途設け、コンデンサ５０と１に同時に電源
電圧Ｖｃｃを印加すればよい。ダミーコンデンサ１の過
渡電流が電流Ｉ３となる。以下、図に基づいて、この発
明を詳細に説明する。
【００１４】［実施の形態１］図２は、この発明の実施
の形態１による半導体試験装置の構成を示す回路ブロッ
ク図である。
の形態１による半導体試験装置の構成を示す回路ブロッ
ク図である。
【００１５】図２を参照して、この半導体試験装置が従
来の半導体試験装置と異なる点は、ダミーコンデンサ
１、抵抗素子２，３，５、オペアンプ４，６，７が新た
に設けられている点である。ダミーコンデンサ１は、バ
イパスコンデンサ５０と同種類で同じ容量値を有するコ
ンデンサである。抵抗素子２，３，５は、それぞれ抵抗
素子３２，３３，３５と同じ抵抗値を有する。オペアン
プ６は、オペアンプ３６と同じ特性を有する。
来の半導体試験装置と異なる点は、ダミーコンデンサ
１、抵抗素子２，３，５、オペアンプ４，６，７が新た
に設けられている点である。ダミーコンデンサ１は、バ
イパスコンデンサ５０と同種類で同じ容量値を有するコ
ンデンサである。抵抗素子２，３，５は、それぞれ抵抗
素子３２，３３，３５と同じ抵抗値を有する。オペアン
プ６は、オペアンプ３６と同じ特性を有する。
【００１６】オペアンプ４および抵抗素子２，３は増幅
器を構成し、Ｄ／Ａコンバータ３１の出力電圧を増幅し
てＩＣ４０の電源電圧Ｖｃｃと同じ電圧を生成しダミー
コンデンサ１の電極間に印加する。抵抗素子５は、オペ
アンプ４からダミーコンデンサ１の一方電極に流入する
電流Ｉ３を電圧に変換するために設けられる。すなわ
ち、抵抗素子２はＤ／Ａコンバータ３１の出力端子とオ
ペアンプ４の反転入力端子との間に接続され、抵抗素子
３はオペアンプ４の反転入力端子とダミーコンデンサ１
の一方電極の間に接続され、抵抗素子５はオペアンプ４
の出力端子とダミーコンデンサ１の一方電極との間に接
続される。オペアンプ４の非反転入力端子およびダミー
コンデンサ１の他方電極はともに接地される。
器を構成し、Ｄ／Ａコンバータ３１の出力電圧を増幅し
てＩＣ４０の電源電圧Ｖｃｃと同じ電圧を生成しダミー
コンデンサ１の電極間に印加する。抵抗素子５は、オペ
アンプ４からダミーコンデンサ１の一方電極に流入する
電流Ｉ３を電圧に変換するために設けられる。すなわ
ち、抵抗素子２はＤ／Ａコンバータ３１の出力端子とオ
ペアンプ４の反転入力端子との間に接続され、抵抗素子
３はオペアンプ４の反転入力端子とダミーコンデンサ１
の一方電極の間に接続され、抵抗素子５はオペアンプ４
の出力端子とダミーコンデンサ１の一方電極との間に接
続される。オペアンプ４の非反転入力端子およびダミー
コンデンサ１の他方電極はともに接地される。
【００１７】オペアンプ６は、抵抗素子５の電極間すな
わちダミーコンデンサ１の一方電極とオペアンプ４の出
力端子との間の電圧を増幅する。オペアンプ７は、オペ
アンプ３６の出力電圧Ｖ１とオペアンプ６の出力電圧Ｖ
２との差の電圧Ｖ４＝Ｖ１−Ｖ３を生成してＡ／Ｄコン
バータ３７に与える。他の構成は従来の半導体試験装置
と同じであるので、その説明は繰返さない。
わちダミーコンデンサ１の一方電極とオペアンプ４の出
力端子との間の電圧を増幅する。オペアンプ７は、オペ
アンプ３６の出力電圧Ｖ１とオペアンプ６の出力電圧Ｖ
２との差の電圧Ｖ４＝Ｖ１−Ｖ３を生成してＡ／Ｄコン
バータ３７に与える。他の構成は従来の半導体試験装置
と同じであるので、その説明は繰返さない。
【００１８】次に、この半導体試験装置の動作について
説明する。半導体試験装置にＩＣ４０がセットされる
と、コントローラ３０からＤ／Ａコンバータ３１にデジ
タルコードが与えられ、オペアンプ３４から抵抗素子３
５を介してＩＣ４０の電源端子４１に電源電圧Ｖｃｃが
印加されるとともに、オペアンプ４から抵抗素子５を介
してダミーコンデンサ１の一方電極にＩＣ４０の電源電
圧Ｖｃｃと同じ電圧が印加される。このとき、バイパス
コンデンサ５０とダミーコンデンサ１は全く同じもので
あり、しかも同じ電圧Ｖｃｃが同時に印加されるので、
バイパスコンデンサ５０の過渡電流Ｉ２とダミーコンデ
ンサ１の過渡電流Ｉ３とは全く同じ電流となる。
説明する。半導体試験装置にＩＣ４０がセットされる
と、コントローラ３０からＤ／Ａコンバータ３１にデジ
タルコードが与えられ、オペアンプ３４から抵抗素子３
５を介してＩＣ４０の電源端子４１に電源電圧Ｖｃｃが
印加されるとともに、オペアンプ４から抵抗素子５を介
してダミーコンデンサ１の一方電極にＩＣ４０の電源電
圧Ｖｃｃと同じ電圧が印加される。このとき、バイパス
コンデンサ５０とダミーコンデンサ１は全く同じもので
あり、しかも同じ電圧Ｖｃｃが同時に印加されるので、
バイパスコンデンサ５０の過渡電流Ｉ２とダミーコンデ
ンサ１の過渡電流Ｉ３とは全く同じ電流となる。
【００１９】オペアンプ３４からＩＣ４０に流れる電流
Ｉ１は、抵抗素子３５によって電圧に変換され、この電
圧はオペアンプ３６によって増幅される。オペアンプ４
からダミーコンデンサ１に流れる電流Ｉ３は、抵抗素子
５によって電圧に変換され、この電圧はオペアンプ６に
よって増幅される。オペアンプ３６の出力電圧Ｖ１とオ
ペアンプ６の出力電圧Ｖ３との差の電圧Ｖ４＝Ｖ１−Ｖ
３がオペアンプ７で生成される。
Ｉ１は、抵抗素子３５によって電圧に変換され、この電
圧はオペアンプ３６によって増幅される。オペアンプ４
からダミーコンデンサ１に流れる電流Ｉ３は、抵抗素子
５によって電圧に変換され、この電圧はオペアンプ６に
よって増幅される。オペアンプ３６の出力電圧Ｖ１とオ
ペアンプ６の出力電圧Ｖ３との差の電圧Ｖ４＝Ｖ１−Ｖ
３がオペアンプ７で生成される。
【００２０】オペアンプ３６，６の出力電圧Ｖ１，Ｖ３
はそれぞれ電流Ｉ１，Ｉ３に比例したものであるから、
電圧Ｖ４＝Ｖ１−Ｖ３は電流Ｉ１とＩ３の差の電流Ｉ１
−Ｉ３＝Ｉｃｃに比例したものとなる。したがって、図
１で説明したように、電圧Ｖ４は電圧Ｖ１，Ｖ３よりも
短時間で安定する。
はそれぞれ電流Ｉ１，Ｉ３に比例したものであるから、
電圧Ｖ４＝Ｖ１−Ｖ３は電流Ｉ１とＩ３の差の電流Ｉ１
−Ｉ３＝Ｉｃｃに比例したものとなる。したがって、図
１で説明したように、電圧Ｖ４は電圧Ｖ１，Ｖ３よりも
短時間で安定する。
【００２１】オペアンプ７の出力電圧Ｖ４はＡ／Ｄコン
バータ３７によってデジタルコードに変換され、コント
ローラ３０に与えられる。デジタルコードは、コントロ
ーラ３０によってＩＣ４０の電源電流Ｉｃｃに変換さ
れ、電源電流Ｉｃｃはコントローラ３０の表示画面３０
ａに表示される。
バータ３７によってデジタルコードに変換され、コント
ローラ３０に与えられる。デジタルコードは、コントロ
ーラ３０によってＩＣ４０の電源電流Ｉｃｃに変換さ
れ、電源電流Ｉｃｃはコントローラ３０の表示画面３０
ａに表示される。
【００２２】この実施の形態では、ＩＣ４０およびバイ
パスコンデンサ５０に流入する電流Ｉ１＝Ｉｃｃ＋Ｉ２
からダミーコンデンサ１の過渡電流Ｉ３すなわちバイパ
スコンデンサ５０の過渡電流Ｉ２を減算してＩＣ４０の
電源電流Ｉｃｃを求めるので、バイパスコンデンサ５０
の過渡電流Ｉ２が減衰するのを待つ必要がない。このた
め、過渡電流Ｉ２の減衰を待ってＩＣ４０の電源電流Ｉ
ｃｃを測定していた従来に比べ、測定時間の短縮化を図
ることができ、テストコストの低コスト化、ひいてはＩ
Ｃ４０の低価格化を図ることができる。
パスコンデンサ５０に流入する電流Ｉ１＝Ｉｃｃ＋Ｉ２
からダミーコンデンサ１の過渡電流Ｉ３すなわちバイパ
スコンデンサ５０の過渡電流Ｉ２を減算してＩＣ４０の
電源電流Ｉｃｃを求めるので、バイパスコンデンサ５０
の過渡電流Ｉ２が減衰するのを待つ必要がない。このた
め、過渡電流Ｉ２の減衰を待ってＩＣ４０の電源電流Ｉ
ｃｃを測定していた従来に比べ、測定時間の短縮化を図
ることができ、テストコストの低コスト化、ひいてはＩ
Ｃ４０の低価格化を図ることができる。
【００２３】また、ＩＣ４０の動作に伴って発生する接
地電位ＧＮＤのラインのノイズもコンデンサ５０，１の
過渡電流と同様に差し引かれるので、測定精度の向上も
図られる。
地電位ＧＮＤのラインのノイズもコンデンサ５０，１の
過渡電流と同様に差し引かれるので、測定精度の向上も
図られる。
【００２４】［実施の形態２］図３は、この発明の実施
の形態２による半導体試験装置の構成を示す回路ブロッ
ク図である。
の形態２による半導体試験装置の構成を示す回路ブロッ
ク図である。
【００２５】図３を参照して、この半導体試験装置が実
施の形態１の半導体試験装置と異なる点は、Ａ／Ｄコン
バータ３７が除去され、Ｄ／Ａコンバータ８，９、コン
パレータ１０，１１および判定回路１２が新たに設けら
れている点である。
施の形態１の半導体試験装置と異なる点は、Ａ／Ｄコン
バータ３７が除去され、Ｄ／Ａコンバータ８，９、コン
パレータ１０，１１および判定回路１２が新たに設けら
れている点である。
【００２６】Ｄ／Ａコンバータ８は、コントローラ３０
からのデジタルコードをアナログ基準電圧ＶＲＨに変換
してコンパレータ１０に与える。基準電圧ＶＲｈは、Ｉ
Ｃ４０の電源電流Ｉｃｃの正常範囲の上限値をオペアン
プ７の出力電圧に換算した電圧である。Ｄ／Ａコンバー
タ９は、コントローラ３０からのデジタルコードをアナ
ログ基準電圧ＶＲＬに変換してコンパレータ１１に与え
る。基準電圧ＶＲＬは、ＩＣ４０の電源電流Ｉｃｃの正
常範囲の下限値をオペアンプアンプ７の出力電圧に換算
した電圧である。
からのデジタルコードをアナログ基準電圧ＶＲＨに変換
してコンパレータ１０に与える。基準電圧ＶＲｈは、Ｉ
Ｃ４０の電源電流Ｉｃｃの正常範囲の上限値をオペアン
プ７の出力電圧に換算した電圧である。Ｄ／Ａコンバー
タ９は、コントローラ３０からのデジタルコードをアナ
ログ基準電圧ＶＲＬに変換してコンパレータ１１に与え
る。基準電圧ＶＲＬは、ＩＣ４０の電源電流Ｉｃｃの正
常範囲の下限値をオペアンプアンプ７の出力電圧に換算
した電圧である。
【００２７】コンパレータ１０は、オペアンプ７の出力
電圧Ｖ４と基準電圧ＶＲＨとを比較し、オペアンプアン
プ７の出力電圧Ｖ４が基準電圧ＶＲＨよりも高くなった
とき「Ｈ」レベルの信号を判定回路１２に出力する。コ
ンパレータ１１は、オペアンプ７の出力電圧Ｖ４と基準
電圧ＶＲＬとを比較し、オペアンプ７の出力電圧Ｖ４が
基準電圧ＶＲＬよりも低くなったとき「Ｈ」レベルの信
号を判定回路１２に出力する。
電圧Ｖ４と基準電圧ＶＲＨとを比較し、オペアンプアン
プ７の出力電圧Ｖ４が基準電圧ＶＲＨよりも高くなった
とき「Ｈ」レベルの信号を判定回路１２に出力する。コ
ンパレータ１１は、オペアンプ７の出力電圧Ｖ４と基準
電圧ＶＲＬとを比較し、オペアンプ７の出力電圧Ｖ４が
基準電圧ＶＲＬよりも低くなったとき「Ｈ」レベルの信
号を判定回路１２に出力する。
【００２８】判定回路１２は、コンパレータ１０または
１１から「Ｈ」レベルの信号が入力されたことに応じ
て、ＩＣ４０が不良品であることを示す信号をコントロ
ーラ３０に出力する。他の構成は実施の形態１の半導体
試験装置と同じであるので、その説明は繰返さない。
１１から「Ｈ」レベルの信号が入力されたことに応じ
て、ＩＣ４０が不良品であることを示す信号をコントロ
ーラ３０に出力する。他の構成は実施の形態１の半導体
試験装置と同じであるので、その説明は繰返さない。
【００２９】次に、この半導体試験装置の動作について
説明する。半導体試験装置にＩＣ４０がセットされる
と、コントローラ３０からＤ／Ａコンバータ３１にデジ
タルコードが与えられ、オペアンプ３４，４からＩＣ４
０およびダミーコンデンサ１に同じ電圧Ｖｃｃが同時に
印加される。オペアンプ３４，４の出力電流Ｉ１，Ｉ３
は、それぞれ抵抗素子３５，５およびオペアンプ３６，
６によって電圧Ｖ１，Ｖ３に変換され２つの電圧の差の
電圧Ｖ４＝Ｖ１−Ｖ３がオペアンプ７から出力される。
オペアンプ７の出力電圧Ｖ４が基準電圧ＶＲＬ〜ＶＲＨ
の範囲内にないときはコンパレータ１０または１１の出
力が「Ｈ」レベルとなり、判定回路１２はＩＣ４０を不
良品と判定する。判定回路１２の判定結果は、コントロ
ーラ３０の表示画面３０ａに表示される。
説明する。半導体試験装置にＩＣ４０がセットされる
と、コントローラ３０からＤ／Ａコンバータ３１にデジ
タルコードが与えられ、オペアンプ３４，４からＩＣ４
０およびダミーコンデンサ１に同じ電圧Ｖｃｃが同時に
印加される。オペアンプ３４，４の出力電流Ｉ１，Ｉ３
は、それぞれ抵抗素子３５，５およびオペアンプ３６，
６によって電圧Ｖ１，Ｖ３に変換され２つの電圧の差の
電圧Ｖ４＝Ｖ１−Ｖ３がオペアンプ７から出力される。
オペアンプ７の出力電圧Ｖ４が基準電圧ＶＲＬ〜ＶＲＨ
の範囲内にないときはコンパレータ１０または１１の出
力が「Ｈ」レベルとなり、判定回路１２はＩＣ４０を不
良品と判定する。判定回路１２の判定結果は、コントロ
ーラ３０の表示画面３０ａに表示される。
【００３０】この実施の形態では、実施の形態１と同じ
効果が得られる他、判定回路１２などを設けたので、Ｉ
Ｃ４０が良品であるか不良品であるかを容易かつ迅速に
判定できる。
効果が得られる他、判定回路１２などを設けたので、Ｉ
Ｃ４０が良品であるか不良品であるかを容易かつ迅速に
判定できる。
【００３１】
【発明の効果】以上のように、請求項１に係る発明で
は、半導体装置の電源端子と接地端子の間の容量と同じ
容量値のダミーコンデンサに半導体装置の電源電圧と同
じ電圧を印加して過渡電流Ｉ３を生成し、半導体装置に
流れる電流Ｉ１からダミーコンデンサの過渡電流Ｉ３を
減算して半導体装置の電源電流Ｉｃｃ＝Ｉ１−Ｉ３を求
める。したがって、従来のように半導体装置の容量に流
れる電流Ｉ２＝Ｉ３が減衰するのを待つ必要がないの
で、半導体装置の電源電流Ｉｃｃを短時間で測定でき
る。
は、半導体装置の電源端子と接地端子の間の容量と同じ
容量値のダミーコンデンサに半導体装置の電源電圧と同
じ電圧を印加して過渡電流Ｉ３を生成し、半導体装置に
流れる電流Ｉ１からダミーコンデンサの過渡電流Ｉ３を
減算して半導体装置の電源電流Ｉｃｃ＝Ｉ１−Ｉ３を求
める。したがって、従来のように半導体装置の容量に流
れる電流Ｉ２＝Ｉ３が減衰するのを待つ必要がないの
で、半導体装置の電源電流Ｉｃｃを短時間で測定でき
る。
【００３２】また、請求項２に係る発明では、請求項１
に係る発明で測定した電源電流Ｉｃｃが予め定められた
範囲内にあるか否かを判定する判定手段が設けられる。
したがって、半導体装置が良品であるか不良品であるか
を容易かつ確実に判定することができる。
に係る発明で測定した電源電流Ｉｃｃが予め定められた
範囲内にあるか否かを判定する判定手段が設けられる。
したがって、半導体装置が良品であるか不良品であるか
を容易かつ確実に判定することができる。
【図１】 この発明に係る半導体試験装置の原理を説明
するための波形図である。
するための波形図である。
【図２】 この発明の実施の形態１による半導体試験装
置の構成を示す回路ブロック図である。
置の構成を示す回路ブロック図である。
【図３】 この発明の実施の形態２による半導体試験装
置の構成を示す回路ブロック図である。
置の構成を示す回路ブロック図である。
【図４】 従来の半導体試験装置の構成を示す回路ブロ
ック図である。
ック図である。
１ ダミーコンデンサ、２，３，５，３２，３３，３５
抵抗素子、４，６，７，３４，３６ オペアンプ、
８，９，３１ Ｄ／Ａコンバータ、１０，１１コンパレ
ータ、１２ 判定回路、３０ コントローラ、３７ Ａ
／Ｄコンバータ、４０ ＩＣ、４１ 電源端子、４２
接地端子、５０ バイパスコンデンサ。
抵抗素子、４，６，７，３４，３６ オペアンプ、
８，９，３１ Ｄ／Ａコンバータ、１０，１１コンパレ
ータ、１２ 判定回路、３０ コントローラ、３７ Ａ
／Ｄコンバータ、４０ ＩＣ、４１ 電源端子、４２
接地端子、５０ バイパスコンデンサ。
Claims (2)
- 【請求項１】 その電源端子と接地端子の間に容量を有
する半導体装置に電源電圧を印加して電源電流を測定す
る半導体試験装置であって、 前記半導体装置の前記容量と同じ容量値を有するダミー
コンデンサ、 前記半導体装置の前記電源端子と前記接地端子の間に前
記電源電圧を印加するための第１の電源、 前記ダミーコンデンサの電極間に前記第１の電源の出力
電圧と同じ電圧を前記第１の電源と同時に印加するため
の第２の電源、 前記第１の電源から前記半導体装置に流れる電流を測定
するための第１の電流測定手段、 前記第２の電源から前記ダミーコンデンサに流れる電流
を測定するための第２の電流測定手段、および前記第１
の電流測定手段の測定値から前記第２の電流測定手段の
測定値を減算して前記半導体装置の電源電流を求める演
算手段を備える、半導体試験装置。 - 【請求項２】 さらに、前記演算手段によって求められ
た前記半導体装置の電源電流が予め定められた範囲内に
あるか否かを判定する判定手段を備える、請求項１に記
載の半導体試験装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9054804A JPH10253701A (ja) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | 半導体試験装置 |
| US08/939,701 US5959463A (en) | 1997-03-10 | 1997-09-29 | Semiconductor test apparatus for measuring power supply current of semiconductor device |
| DE19744651A DE19744651C2 (de) | 1997-03-10 | 1997-10-09 | Halbleitertestvorrichtung zum Messen des Versorgungsstromes einer Halbleitereinrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9054804A JPH10253701A (ja) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | 半導体試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10253701A true JPH10253701A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=12980933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9054804A Pending JPH10253701A (ja) | 1997-03-10 | 1997-03-10 | 半導体試験装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5959463A (ja) |
| JP (1) | JPH10253701A (ja) |
| DE (1) | DE19744651C2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012198113A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Ulvac Japan Ltd | 漏洩電流測定方法および漏洩電流測定装置 |
| US10905320B2 (en) | 2009-06-18 | 2021-02-02 | Endochoice, Inc. | Multi-camera endoscope |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3684802B2 (ja) * | 1997-05-09 | 2005-08-17 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の抵抗測定装置 |
| JP2007526772A (ja) * | 2004-02-27 | 2007-09-20 | プレジデント・アンド・フェロウズ・オブ・ハーバード・カレッジ | インサイチュー配列決定用ポロニー蛍光ビーズ |
| JP4735976B2 (ja) * | 2006-05-24 | 2011-07-27 | 横河電機株式会社 | 電源装置およびこれを用いた半導体試験システム |
| KR100800489B1 (ko) * | 2006-12-21 | 2008-02-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 집적 회로의 기준 전압 제공 장치 |
| US20100047876A1 (en) * | 2008-08-08 | 2010-02-25 | President And Fellows Of Harvard College | Hierarchical assembly of polynucleotides |
| JP2011027453A (ja) * | 2009-07-22 | 2011-02-10 | Renesas Electronics Corp | 半導体試験装置及び半導体試験方法 |
| GB2512213B (en) | 2010-10-08 | 2015-02-11 | Harvard College | High-throughput single cell barcoding |
| US8456338B2 (en) * | 2011-06-06 | 2013-06-04 | National Instruments Corporation | Compliance methods for source measure units operating with digital control loops |
| US10501791B2 (en) | 2011-10-14 | 2019-12-10 | President And Fellows Of Harvard College | Sequencing by structure assembly |
| WO2014163886A1 (en) | 2013-03-12 | 2014-10-09 | President And Fellows Of Harvard College | Method of generating a three-dimensional nucleic acid containing matrix |
| US9914967B2 (en) | 2012-06-05 | 2018-03-13 | President And Fellows Of Harvard College | Spatial sequencing of nucleic acids using DNA origami probes |
| CN108875312A (zh) | 2012-07-19 | 2018-11-23 | 哈佛大学校长及研究员协会 | 利用核酸存储信息的方法 |
| US9476089B2 (en) | 2012-10-18 | 2016-10-25 | President And Fellows Of Harvard College | Methods of making oligonucleotide probes |
| EP4050353A1 (en) * | 2021-02-25 | 2022-08-31 | Infineon Technologies AG | An apparatus and a method for measuring a device current of a device under test |
| KR20230030436A (ko) * | 2021-08-25 | 2023-03-06 | 삼성전자주식회사 | 모니터링 회로, 모니터링 회로를 포함하는 집적 회로 및 모니터링 회로의 동작 방법 |
| CN119968468A (zh) | 2022-07-12 | 2025-05-09 | 拓扑基因股份有限公司 | Dna芯片亚微米精度大规模复制方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0320682A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Matsushita Electron Corp | 半導体集積回路検査装置 |
| DE68908892T2 (de) * | 1989-12-12 | 1994-01-20 | Advantest Corp | Einrichtung zur Prüfung von IC-Bausteinen. |
| JPH05107297A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | Ｌｓｉ試験装置 |
| JP3181736B2 (ja) * | 1992-12-25 | 2001-07-03 | 三菱電機株式会社 | Ｉｃ機能試験装置及び試験方法 |
| DE69325277T2 (de) * | 1993-12-31 | 2000-01-20 | Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza | Schaltung zur Erkennung eines Versorgungsspannungsabfalls |
| US5731700A (en) * | 1994-03-14 | 1998-03-24 | Lsi Logic Corporation | Quiescent power supply current test method and apparatus for integrated circuits |
| US5519335A (en) * | 1995-03-13 | 1996-05-21 | Unisys Corporation | Electronic tester for testing Iddq in an integrated circuit chip |
| JP3457091B2 (ja) * | 1995-03-17 | 2003-10-14 | アジレント・テクノロジー株式会社 | 電圧電流特性測定装置 |
| US5773990A (en) * | 1995-09-29 | 1998-06-30 | Megatest Corporation | Integrated circuit test power supply |
-
1997
- 1997-03-10 JP JP9054804A patent/JPH10253701A/ja active Pending
- 1997-09-29 US US08/939,701 patent/US5959463A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-09 DE DE19744651A patent/DE19744651C2/de not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19744651C2 (de) | 2003-10-16 |
| US5959463A (en) | 1999-09-28 |
| DE19744651A1 (de) | 1998-09-24 |
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|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050927 |