JPH10239675A - Manufacturing method of liquid crystal display device - Google Patents
Manufacturing method of liquid crystal display deviceInfo
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- JPH10239675A JPH10239675A JP4440097A JP4440097A JPH10239675A JP H10239675 A JPH10239675 A JP H10239675A JP 4440097 A JP4440097 A JP 4440097A JP 4440097 A JP4440097 A JP 4440097A JP H10239675 A JPH10239675 A JP H10239675A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】薄く、明るく、色ズレのない液晶表示装置の製
造方法を提供する。
【解決手段】耐熱性を有する耐熱性基板10に、照明光
の照射により剥離を生ずる剥離層11を形成し、剥離層
11に、薄膜素子を設けた薄膜素子層12を形成し、剥
離層11に対し、前記耐熱性基板10側から照射光を照
射して当該剥離層11に剥離を生じさせ、剥離された前
記薄膜素子層12を、前記耐熱性基板10より薄い第1
の透明基板14に接着し、該第1の透明基板14と薄膜
素子が設けられていない第2の透明基板20との間にゲ
ストホスト液晶層を挟持して液晶デバイスを形成する。
そして、色の異なる複数の上記ゲストホスト液晶デバイ
スを積層し貼り合わせることによりカラー液晶表示装置
を製造する。
(57) [Problem] To provide a method of manufacturing a liquid crystal display device which is thin, bright, and free from color shift. A release layer (11) which is separated by irradiation of illumination light is formed on a heat-resistant substrate (10) having heat resistance, and a thin film element layer (12) provided with a thin film element is formed on the release layer (11). In response to this, irradiation light is irradiated from the heat resistant substrate 10 side to cause peeling of the peeling layer 11, and the peeled thin film element layer 12 is formed into a first thinner than the heat resistant substrate 10.
A liquid crystal device is formed by adhering a guest-host liquid crystal layer between the first transparent substrate 14 and the second transparent substrate 20 on which no thin film element is provided.
Then, a color liquid crystal display device is manufactured by laminating and bonding a plurality of the guest host liquid crystal devices having different colors.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶を用いた表示
装置に係り、特に、薄く、明るく、また、色ズレを生ず
ることがないカラーの液晶表示装置の製造方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device using a liquid crystal, and more particularly to a method of manufacturing a color liquid crystal display device which is thin, bright, and does not cause color shift.
【0002】[0002]
【従来の技術】低消費電力で、明るいカラー画像表示が
可能な反射型カラー液晶表示装置を求めて、従来から種
々の方式が提案されてきた。その中でも、文献(SID
96DIGEST、p103〜106)に示された方式
が、表示面を暗くする偏光板やカラーフィルター層を使
用しないため最もカラー表示画質(明るさ、色純度、コ
ントラスト比)が優れている方式として期待されてい
る。2. Description of the Related Art Various systems have been proposed in the past in order to provide a reflection type color liquid crystal display device capable of displaying a bright color image with low power consumption. Among them, literature (SID
96DIGEST, pp. 103-106) is expected to be the most excellent color display image quality (brightness, color purity, contrast ratio) because it does not use a polarizing plate or a color filter layer for darkening the display surface. ing.
【0003】上記方式に於いては、シアン、マゼンダ、
イエローの各原色を示す二色性色素を各々含む複数のゲ
ストホスト液晶セルを用意し、それら複数の液晶セルを
積み重ね、垂直な方向から観察した時に全てのセルに於
いて各原色の対応する画素が重なり合うように位置を合
わせて貼り合わされる。しかる後、各ゲストホスト液晶
セルを独立して駆動すれば、3原色が合成されてカラー
表示が行われる。In the above method, cyan, magenta,
Prepare a plurality of guest-host liquid crystal cells each containing a dichroic dye showing each primary color of yellow, stack these liquid crystal cells, and observe the pixels corresponding to each primary color in all cells when observed from a vertical direction Are aligned and bonded so that they overlap. Thereafter, if each guest-host liquid crystal cell is driven independently, the three primary colors are combined and color display is performed.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、シアン、マゼ
ンダ、イエロー各色のゲストホスト液晶セルを用いた表
示装置を製造する際、各セルを重ねてカラー表示用液晶
表示装置を構成すると、色ズレを生ずる可能性があっ
た。However, when manufacturing a display device using guest-host liquid crystal cells of cyan, magenta, and yellow colors, when each cell is overlapped to constitute a liquid crystal display device for color display, the color shift is reduced. Could have occurred.
【0005】ゲストホスト液晶セルを構成する透明電極
基板上にTFT等の素子を形成するには、基板を400
℃以上の高温の雰囲気下におかなければならない。この
高い温度に耐えるために、基板には厚いガラスを用いる
必要がある。このため、この厚いガラス基板を用いた各
原色からなるゲストホスト液晶セルを重ね合わせて、カ
ラー表示用液晶表示装置を製造すると、ゲストホスト液
晶層間にガラス基板が入り込むため、ゲストホスト液晶
層間の距離が大きくなる。In order to form an element such as a TFT on a transparent electrode substrate constituting a guest-host liquid crystal cell, the substrate must be 400
It must be placed in a high temperature atmosphere of at least ℃. To withstand this high temperature, it is necessary to use thick glass for the substrate. For this reason, when a guest-host liquid crystal cell of each primary color using this thick glass substrate is overlaid to manufacture a liquid crystal display device for color display, the glass substrate enters between the guest-host liquid crystal layers, so that the distance between the guest-host liquid crystal layers is reduced. Becomes larger.
【0006】該カラー表示用液晶表示装置をまったく垂
直な方向から観察すれば、各原色の対応する画素は重な
って見えるため、適正なカラー表示が行われる。ところ
が、わずかでもずれた方向から観察すると、各原色の見
える位置も異なってくる。このため、カラー表示に色ズ
レが生じてしまうのである。When the liquid crystal display device for color display is observed from a completely vertical direction, the pixels corresponding to the respective primary colors appear to be overlapped, so that an appropriate color display is performed. However, when observed from a slightly deviated direction, the positions where the primary colors can be seen also differ. For this reason, a color shift occurs in the color display.
【0007】高品質のカラー表示を提供するためには、
見る角度によって色ズレの生じない表示装置を製造する
必要がある。In order to provide a high quality color display,
It is necessary to manufacture a display device in which color shift does not occur depending on the viewing angle.
【0008】また、ガラス基板を用いてTFT等の素子
を形成する限り、素子を設けた駆動基板は常に一定の厚
さを有することになる。このことは軽く、薄いフィルム
状の表示装置を製造する上で妨げになる。In addition, as long as an element such as a TFT is formed using a glass substrate, the driving substrate provided with the element always has a constant thickness. This hinders the manufacture of light, thin film display devices.
【0009】そこで、本発明は、薄く、明るく、また、
色ズレの生じないカラーの液晶表示装置の製造方法を提
供することを課題とする。Therefore, the present invention provides a thin, bright,
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a color liquid crystal display device in which color shift does not occur.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の液晶表
示装置の製造方法は、(a) 耐熱性を有する耐熱性基板
に、照明光の照射により剥離を生ずる剥離層を形成する
剥離層形成工程と、(b) 前記剥離層形成工程により形
成された剥離層に、薄膜素子を設けた薄膜素子層を形成
する薄膜素子形成工程と、(c) 前記薄膜素子形成工程
により形成された薄膜素子層に、前記耐熱性基板より厚
みの薄い薄厚基板を形成する薄厚基板形成工程と、(d)
前記剥離層に対し、前記耐熱性基板側から照射光を照
射して当該剥離層に剥離を生じさせ、前記薄厚基板が形
成された薄膜素子層を分離する照射分離工程と、(e)
分離された前記薄膜素子層の薄膜素子により駆動される
二色性色素を含むゲストホスト液晶デバイスを製造する
液晶デバイス製造工程と、を備える。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising the steps of: (a) forming a release layer on a heat-resistant substrate having heat resistance, which is separated by irradiation of illumination light; A forming step, (b) a thin film element forming step of forming a thin film element layer provided with a thin film element on the peeling layer formed by the peeling layer forming step, and (c) a thin film formed by the thin film element forming step Element layer, a thin substrate forming step of forming a thin substrate thinner than the heat-resistant substrate, (d)
Irradiation separation step of irradiating the release layer with irradiation light from the heat-resistant substrate side to cause the release layer to separate, and separating the thin film element layer on which the thin substrate is formed, (e)
A liquid crystal device manufacturing step of manufacturing a guest-host liquid crystal device including a dichroic dye driven by the thin film element of the separated thin film element layer.
【0011】請求項2に記載の液晶表示装置の製造方法
では、前記薄膜素子形成工程は、薄膜素子自体を形成す
る工程と、当該薄膜素子に樹脂層を形成する工程と、を
備える。According to a second aspect of the present invention, in the method of manufacturing a liquid crystal display device, the thin film element forming step includes a step of forming the thin film element itself and a step of forming a resin layer on the thin film element.
【0012】請求項3に記載の液晶表示装置の製造方法
では、前記液晶デバイス製造工程は、(a)前記薄厚基
板が形成された薄膜素子層と透明基板とを、所定の間隙
をおいて接着する接着工程と、(b)前記接着工程で接
着された前記薄膜素子層と透明基板との間隙に、液晶お
よび二色性色素の混合液を充填する充填工程と、を備え
る。According to a third aspect of the present invention, in the liquid crystal display device manufacturing method, the liquid crystal device manufacturing step includes the steps of: (a) bonding the thin film element layer on which the thin substrate is formed and the transparent substrate with a predetermined gap. And (b) filling a gap between the thin film element layer and the transparent substrate bonded in the bonding step with a liquid mixture of a liquid crystal and a dichroic dye.
【0013】請求項4に記載の液晶表示装置の製造方法
は、前記液晶デバイス製造工程により複数の原色に対応
するゲストホスト液晶デバイスを各々製造し、さらに各
前記複数のゲストホスト液晶デバイスを貼り合わせて液
晶表示装置を製造する液晶表示装置製造工程を備える。According to a fourth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a liquid crystal display device, guest host liquid crystal devices corresponding to a plurality of primary colors are manufactured by the liquid crystal device manufacturing process, and the plurality of guest host liquid crystal devices are further bonded. And a liquid crystal display device manufacturing process for manufacturing a liquid crystal display device.
【0014】上記発明によれば、高い形成温度を必要と
する薄膜素子層の形成時には、耐熱基板上で薄膜素子の
形成が行われた後、厚みが耐熱性基板より薄い透明基板
に貼り替えられる。この薄い透明基板ともう一つの透明
基板との間に、シアン、マゼンダ、又はイエロー等から
なる各原色毎の二色性色素と液晶とからなるゲストホス
ト液晶層を挟持して貼り合わせれば、各原色毎に薄いゲ
ストホスト液晶デバイスが製造できる。According to the above invention, when a thin film element layer requiring a high forming temperature is formed, the thin film element is formed on a heat-resistant substrate, and then is replaced with a transparent substrate having a smaller thickness than the heat-resistant substrate. . Between this thin transparent substrate and another transparent substrate, a guest-host liquid crystal layer composed of a liquid crystal and a dichroic dye for each primary color such as cyan, magenta, or yellow is sandwiched and bonded. A thin guest-host liquid crystal device can be manufactured for each primary color.
【0015】このようにして、さらに上記各原色のゲス
トホスト液晶デバイスを積層してカラー表示用の液晶表
示装置を構成した場合、デバイス間はより薄い透明基板
により隔てられる。この液晶表示装置を斜めの方向から
観察しても、各デバイス間の距離が短いため、色ズレが
生じない。また、透明基板を薄くできるので薄型、軽量
化が図れる他、反射光の光量を多くでき、明るいカラー
表示が行える。In this way, when the guest-host liquid crystal devices of the respective primary colors are further laminated to form a liquid crystal display device for color display, the devices are separated by a thinner transparent substrate. Even if the liquid crystal display device is observed from an oblique direction, no color shift occurs because the distance between the devices is short. In addition, since the transparent substrate can be made thinner, it can be made thinner and lighter, and the amount of reflected light can be increased, and a bright color display can be performed.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】次に、本発明の好適な実施の形態
を、図面を参照して説明する。Next, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0017】<実施形態>図1乃至図3に、本実施形態
の製造方法の各工程における層構造の断面図を示す。本
実施形態の製造方法を概説すれば、最初に耐熱性のある
基板に剥離層を介してトランジスタ薄膜層を形成した
後、当該剥離層に剥離を生じさせてトランジスタ薄膜層
を分離し、これを薄い透明基板に張り替えてから、液晶
表示装置を形成するものである。以下、これを具体的に
説明する。<Embodiment> FIGS. 1 to 3 show sectional views of the layer structure in each step of the manufacturing method of this embodiment. To summarize the manufacturing method of the present embodiment, first, after a transistor thin film layer is formed on a heat-resistant substrate via a release layer, the release layer is separated to separate the transistor thin film layer. The liquid crystal display device is formed after the substrate is replaced with a thin transparent substrate. Hereinafter, this will be described in detail.
【0018】剥離層形成工程(図1(a)): まず、ガ
ラス基板10に剥離層11を形成する。薄膜素子である
薄膜トランジスタを形成するには、少なくとも400度
以上の高温の雰囲気が必要とされる。このトランジスタ
を形成する基台である基板10としては、このような高
温に耐え、物理的、化学的変性が生ぜず、変形はもとよ
り、ある程度の機械的強度を有する材料であることが望
まれる。光透過性は10%以上あることが好ましい。光
透過率が低すぎると、後に述べる照射光の減衰が大きく
なるからである。ただし、この基板は、分離後は再利用
されるものなので、価格を考慮する必要もない。このよ
うな材料としては、石英ガラス、ソーダガラス、耐熱ガ
ラス等があげられる。基板厚としては、0.1mm〜5
mm程度、好ましくは0.5mm〜1.5mm程度とす
る。基板が厚すぎると剥離のための照射光の減衰が多く
なり、薄すぎると、十分な機械的強度が保てなくなるか
らである。Release Layer Forming Step (FIG. 1A): First, a release layer 11 is formed on a glass substrate 10. In order to form a thin film transistor which is a thin film element, a high-temperature atmosphere of at least 400 ° C. is required. It is desired that the substrate 10 as a base on which the transistor is formed be made of a material that can withstand such high temperatures, does not undergo physical and chemical denaturation, and has some degree of mechanical strength as well as deformation. The light transmittance is preferably 10% or more. This is because if the light transmittance is too low, the attenuation of the irradiation light described later increases. However, since this substrate is reused after separation, there is no need to consider the price. Examples of such a material include quartz glass, soda glass, heat-resistant glass and the like. The substrate thickness is 0.1 mm to 5 mm.
mm, preferably about 0.5 mm to 1.5 mm. If the substrate is too thick, the attenuation of irradiation light for peeling increases, and if it is too thin, sufficient mechanical strength cannot be maintained.
【0019】剥離層は、レーザ光等の照射光により当該
層内や界面において剥離を生ずるものである。すなわ
ち、一定の強度の光を照射することにより、構成物質の
原子間または分子間の結合力が消失しまたは減少し、ア
ブレーション(ablation)等を生じ、剥離を起こ
す。このような剥離層11の組成としては、以下が考え
られる。The peeling layer causes peeling in the layer or at the interface by irradiation light such as laser light. That is, by irradiating light of a certain intensity, the bonding force between atoms or molecules of a constituent substance is lost or reduced, ablation or the like is caused, and peeling is caused. The following can be considered as the composition of the release layer 11.
【0020】1) 水素を2〜10at%程度含有した
非結晶シリコン(a−Si) 2) 酸化ケイ素若しくはケイ酸化合物、酸化チタン若
しくはチタン酸化合物、酸化ジルコニウム若しくはジル
コン酸化合物、酸化ランタン若しくはランタン酸化合物
等の各種酸化物セラミックス、または誘電体あるいは半
導体 3) ジルコン酸チタン(PZT)、PLZT、PLLZ
T、PBZT等のセラミックスまたは誘電体 4) 窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物
セラミックス 5) ―CH2―、―CO−,−CONH−、−NH−
等の有機高分子材料 6) Al、Li、Ti、Mn,In,Sn,Y,L
a,Ce,Nd,Pr,Gd若しくはSm、またはこれ
らのうち少なくとも一種を含む合金 剥離層11の厚さとしては、通常1nm〜10μm程
度、より好ましくは40nm〜1μm程度にする。膜厚
が薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われ、膜厚
が厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワーを上
げる必要があったり、また、剥離後に剥離層の残渣を除
去するのに時間を要したりするからである。1) Amorphous silicon (a-Si) containing about 2 to 10 at% of hydrogen 2) Silicon oxide or silicate compound, titanium oxide or titanate compound, zirconium oxide or zirconate compound, lanthanum oxide or lanthanic acid Various oxide ceramics such as compounds, or dielectrics or semiconductors 3) Titanium zirconate (PZT), PLZT, PLLZ
Ceramics or dielectrics such as T and PBZT 4) Nitride ceramics such as silicon nitride, aluminum nitride and titanium nitride 5) -CH2-, -CO-, -CONH-, -NH-
6) Al, Li, Ti, Mn, In, Sn, Y, L
The thickness of a, Ce, Nd, Pr, Gd or Sm, or the alloy release layer 11 containing at least one of them is usually about 1 nm to 10 μm, more preferably about 40 nm to 1 μm. If the film thickness is too thin, the uniformity of the formed film thickness is lost, and if the film thickness is too thick, it is necessary to increase the power of irradiation light required for peeling, or the peeling layer after peeling. This is because it takes time to remove the residue.
【0021】剥離層11の形成方法は、CVD法、特に
低圧CVDやプラズマCVDにより成膜するのが好まし
い。この他、MOCVD、ECR−CVD、蒸着、分子
線蒸着、スパッタリング法、イオンプレーティング法、
PVD法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッ
キ、無電解メッキ法、ラングミュア・ブロジェット法、
スピンコート、スプレーコート、ロールコート法等の塗
布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジ
ェット法等に適用できる。これらのうち2種以上の方法
を組み合わせてもよい。The release layer 11 is preferably formed by a CVD method, in particular, a low pressure CVD or a plasma CVD. In addition, MOCVD, ECR-CVD, evaporation, molecular beam evaporation, sputtering, ion plating,
Various vapor deposition methods such as PVD method, electroplating, immersion plating, electroless plating, Langmuir-Blodgett method,
It can be applied to coating methods such as spin coating, spray coating and roll coating, various printing methods, transfer methods, ink jet methods, powder jet methods and the like. Two or more of these methods may be combined.
【0022】なお、図1乃至図3には図示しないが、剥
離層11の上に酸化ケイ素等の絶縁層を設けてもよい。
絶縁層は、剥離層11に照射光照射時の断熱を行う。Although not shown in FIGS. 1 to 3, an insulating layer such as silicon oxide may be provided on the release layer 11.
The insulating layer performs heat insulation when the irradiation light is irradiated to the peeling layer 11.
【0023】薄膜素子(トランジスタ薄膜)層形成(図1
(b)): 剥離層11の形成後、薄膜トランジスタ(TF
T)121の形成を行う。薄膜トランジスタは、画素ご
とに一つ形成される。そのドレインには、透明電極12
2が形成される。薄膜トランジスタ121および透明電
極122各一個で、一つの画素要素120を構成する。
画素要素120を形成した層をトランジスタ薄膜層12
とする。ガラス基板10は十分な耐熱性があるため、高
温下でトランジスタ薄膜の形成が行える。Formation of a thin film element (transistor thin film) layer (FIG. 1)
(b)): After forming the release layer 11, the thin film transistor (TF)
T) 121 is formed. One thin film transistor is formed for each pixel. The drain is a transparent electrode 12
2 are formed. One pixel element 120 is constituted by one thin film transistor 121 and one transparent electrode 122.
The layer on which the pixel element 120 is formed is referred to as the transistor thin film layer 12.
And Since the glass substrate 10 has sufficient heat resistance, a transistor thin film can be formed at a high temperature.
【0024】なお、薄膜トランジスタの代わりに、MI
M等の液晶表示装置を駆動するに足りる能動素子が適用
可能である。薄膜素子は、耐熱性のあるガラス基板10
上で形成されるため、通常の成膜方法で形成できる素子
なら適用が可能である。透明電極122としては、ある
程度の光透過性のある材料であることが必要とされる。
このような材料としてITO膜が挙げられる。膜厚は、
光透過性を損なわず、かつ表示駆動に足る導電性を確保
するため、例えば900Å程度とする。Note that instead of the thin film transistor, MI
An active element sufficient to drive a liquid crystal display device such as M can be applied. The thin film element is a heat-resistant glass substrate 10
Since it is formed above, any element that can be formed by a normal film forming method can be applied. The transparent electrode 122 is required to be a material having a certain degree of light transmittance.
Such a material includes an ITO film. The film thickness is
In order to ensure conductivity sufficient for display driving without impairing light transmittance, for example, it is set to about 900 °.
【0025】透明電極122は、レジスト塗布、マス
ク、露光、現像およびエッチング等の公知のパターン成
形技術を用いて行う。The transparent electrode 122 is formed by using a known pattern forming technique such as resist coating, masking, exposure, development and etching.
【0026】樹脂層形成工程(図1(c)): トランジス
タ薄膜層12の上に樹脂層13を形成する。この樹脂層
は、プラスチック基板14を貼り合わせ易くするため
に、トランジスタ薄膜層12の凹凸を吸収し、かつ、プ
ラスチック基板14の接合が可能な表面とするため用い
る。樹脂層13の組成としては、すでにトランジスタ薄
膜層が設けられ、高温化にさらされることがないので、
絶縁性を有し、良好な光透過性を備えたものならばよ
い。例えば、2Pモノマー樹脂等を使用できる。又、樹
脂層13としてホットメルト接着性を有する樹脂材を使
用すれば次工程であるプラスチック基板の接着がより容
易になる。Resin Layer Forming Step (FIG. 1C): A resin layer 13 is formed on the transistor thin film layer 12. This resin layer is used for absorbing the irregularities of the transistor thin film layer 12 and for making the surface of the plastic substrate 14 capable of bonding, in order to facilitate the bonding of the plastic substrate 14. As the composition of the resin layer 13, the transistor thin film layer is already provided, and the resin layer 13 is not exposed to a high temperature.
Any material may be used as long as it has insulating properties and good light transmittance. For example, a 2P monomer resin or the like can be used. Further, if a resin material having hot-melt adhesiveness is used as the resin layer 13, the next step of bonding the plastic substrate becomes easier.
【0027】プラスチック基板接着工程(図1(d)):
樹脂層13の表面にプラスチック基板14を貼りつけ
る。この基板14は、表示デバイスのゲストホスト液晶
層を挟み込む基板の一方となる。すでにトランジスタ薄
膜層12の形成が終わっているので、可能な限り厚みの
薄い基板を用いることができる。すなわち、トランジス
タ薄膜層を形成するには組成や機械的強度の点で問題が
あり、使用できなかった基板であっても、ここで使用す
ることができる。なお、プラスチック基板の代わりに、
ガラス等の組成であっても極力厚みを薄くしたもの、さ
らには可撓性のあるプラスチックフィルム等に貼り合わ
せが可能である。例えば、プラスチックフィルムは耐熱
が200度程度であるが、これでも十分使用が可能であ
る。Plastic substrate bonding step (FIG. 1 (d)):
A plastic substrate 14 is attached to the surface of the resin layer 13. This substrate 14 is one of the substrates that sandwiches the guest host liquid crystal layer of the display device. Since the formation of the transistor thin film layer 12 has already been completed, a substrate as thin as possible can be used. That is, there is a problem in terms of composition and mechanical strength in forming a transistor thin film layer, and a substrate that cannot be used can be used here. In addition, instead of a plastic substrate,
Even if the composition is glass or the like, it can be bonded to a material having a thickness as small as possible, or a flexible plastic film or the like. For example, a plastic film has a heat resistance of about 200 degrees, but can be used satisfactorily.
【0028】この基板は、むろん光透過性を良好に有す
るものである必要がある。その膜厚は、5μm〜0.4
mm程度が好ましい。膜厚が厚すぎると光透過性が悪く
なるとともに、本発明の目的である色ズレの防止ができ
なくなり、膜厚が薄すぎると製造工程で必要とされる最
低限の機械的強度を担保できないからである。This substrate must of course have good light transmittance. The film thickness is 5 μm to 0.4
mm is preferable. When the film thickness is too large, the light transmittance is deteriorated, and it is impossible to prevent the color shift as the object of the present invention. When the film thickness is too thin, the minimum mechanical strength required in the manufacturing process cannot be secured. Because.
【0029】剥離工程(図2(a)): プラスチック基板
14が貼り合わせられたら、ガラス基板10側からレー
ザ光40等を照射する。レーザ光40は基板10を透過
し、剥離層11に照射される。剥離層11は、これによ
り、基板との界面あるいはその層内において、原子間あ
るいは分子間の結合力が減少あるいは消滅する。レーザ
光40の照射時、剥離層11の組成にはアブレーション
が生じ、また剥離層内部のガスの放出、レーザ光40に
よる融解、蒸散等の相変化が生じていると推測される。Peeling Step (FIG. 2A): After the plastic substrate 14 is bonded, the glass substrate 10 is irradiated with a laser beam 40 or the like. The laser light 40 passes through the substrate 10 and irradiates the peeling layer 11. Thus, the bonding force between atoms or molecules at the interface with the substrate or in the layer thereof is reduced or eliminated. At the time of irradiation with the laser beam 40, it is presumed that the composition of the peeling layer 11 undergoes ablation, and that a phase change such as release of gas inside the peeling layer, melting and evaporation by the laser beam 40 has occurred.
【0030】照射光としては、剥離層11に効率よく剥
離を生じさせるものであればよい。特にアブレーション
を生じさせ易いという点で、波長248nmまたは30
8nmのエキシマーレーザ(excimer lase
r)光を用いるのが好ましい。照射されるレーザ光のエ
ネルギー密度は、上記エキシマーレーザ光の場合、10
〜5000mJ/cm2程度、照射時間は、1〜1000ns
ec程度、好ましくは10〜100nsec程度とす
る。エネルギー密度が低すぎたり短かすぎたりすれば十
分なアブレーションを生じさせることができず、エネル
ギー密度が高すぎたり照射時間が長すぎたりすれば、剥
離層ばかりかトランジスタ薄膜層12に悪影響を与えた
り、破壊したりするからである。As the irradiation light, any light may be used as long as it can cause the peeling layer 11 to peel efficiently. In particular, the wavelength of 248 nm or 30
Excimer laser of 8 nm
r) Preferably, light is used. The energy density of the irradiated laser light is 10 in the case of the excimer laser light.
~ 5000mJ / cm2, irradiation time is 1 ~ 1000ns
ec, preferably about 10 to 100 nsec. If the energy density is too low or too short, sufficient ablation cannot be generated, and if the energy density is too high or the irradiation time is too long, not only the peeling layer but also the transistor thin film layer 12 is adversely affected. Or destroy it.
【0031】なお、剥離層11の全域に照射するため
に、複数回に分けて照射光を照射したり同一個所に2回
以上照射してもよい。さらに、照射光におけるレーザ光
の種類、その波長等を異ならせてもよい。Incidentally, in order to irradiate the entire area of the peeling layer 11, the irradiation light may be irradiated a plurality of times or may be irradiated more than once to the same location. Further, the type, wavelength, and the like of the laser beam in the irradiation light may be different.
【0032】また、剥離層11の剥離により分離したガ
ラス基板10およびトランジスタ薄膜層12には剥離層
11の残渣が付着しているので、洗浄、エッチング、ア
ッシング、研磨等の方法でこれを除去する。分離したガ
ラス基板10は再利用に回される。Since the residue of the peeling layer 11 adheres to the glass substrate 10 and the transistor thin film layer 12 separated by the peeling of the peeling layer 11, it is removed by a method such as cleaning, etching, ashing, or polishing. . The separated glass substrate 10 is recycled.
【0033】基板貼り合わせ(接着)工程(図2(b)):
トランジスタ薄膜層12に貼り合わせられたプラスチッ
ク基板14は、透明電極21が設けられた他のプラスチ
ック基板20と、所定の間隙をおいて貼り合わせられ
る。貼り合わせは、エポキシ樹脂等の接着剤を用いる。
この接着剤は、両基板を接着する他、後に形成するゲス
トホスト液晶層の厚みを保持すると共に、水分、気泡、
その他各種汚染物が侵入するのを防止する役割を果たす
周囲シール部33となる。Substrate bonding (adhesion) step (FIG. 2B):
The plastic substrate 14 bonded to the transistor thin film layer 12 is bonded to another plastic substrate 20 provided with the transparent electrode 21 with a predetermined gap. For bonding, an adhesive such as an epoxy resin is used.
This adhesive not only bonds the two substrates but also maintains the thickness of the guest-host liquid crystal layer to be formed later, as well as moisture, air bubbles,
In addition, the peripheral seal portion 33 serves to prevent various contaminants from entering.
【0034】ゲストホスト液晶注入工程(図2
(c)):シアン、マゼンダ、イエロー等の各二色性色
素と液晶材との混合物からなる各原色毎のゲストホスト
液晶を各々用意し、上記貼り合せ工程により接着された
両基板の間隙に上記ゲストホスト液晶34Aを各々注入
し各色のゲストホスト液晶デバイスを作成する。ゲスト
ホスト液晶デバイス貼り合わ工程(図3(a)(b)):
上記工程により、マゼンダ色液晶デバイス61、シアン
色液晶デバイス62およびイエロー色液晶デバイス63
を形成したら、これらをそれぞれ貼り合わせる。この貼
り合せは、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の接着剤70
により行う。貼り合せにあたって、当該液晶デバイスの
層面に垂直な方向から見て、各液晶デバイスに設けられ
た同一アドレスに係る画素要素120が互いに同一直線
上に並ぶように注意して貼り合わせる。その後で、貼り
合わされた液晶デバイスの最下面に白色反射板100
(白色紙、白布、酸化マグネシウム、酸化アルミニウ
ム、又はアルミニウム、銀等からなる鏡面上に光散乱板
を配したものなどが良い)を配置する。Guest-host liquid crystal injection step (FIG. 2)
(C)): A guest-host liquid crystal for each primary color, which is a mixture of a dichroic dye such as cyan, magenta, and yellow, and a liquid crystal material, is prepared, and is provided in the gap between the two substrates bonded in the bonding step. The guest-host liquid crystal 34A is injected to form a guest-host liquid crystal device of each color. Guest host liquid crystal device bonding process (Fig. 3 (a) (b)):
By the above steps, the magenta liquid crystal device 61, the cyan liquid crystal device 62, and the yellow liquid crystal device 63
After forming, these are bonded together. This bonding is performed using an adhesive 70 such as an acrylic resin or an epoxy resin.
Performed by At the time of bonding, when viewed from a direction perpendicular to the layer surface of the liquid crystal device, the bonding is performed with care so that the pixel elements 120 provided for each liquid crystal device and having the same address are arranged on the same straight line. Thereafter, a white reflector 100 is placed on the lowermost surface of the bonded liquid crystal device.
(A white paper, a white cloth, magnesium oxide, aluminum oxide, or a light scattering plate is preferably disposed on a mirror surface made of aluminum, silver, or the like).
【0035】以上の工程により、図3(b)に示すような
液晶表示装置60が完成する。この液晶表示装置60に
対し、各液晶デバイスの透明電極21を共通電極として
電気的に接続し、各液晶デバイスの薄膜トランジスタ1
21のゲートに各画素の各原色の制御出力端子を接続す
れば、液晶表示が行えるようになる。Through the above steps, a liquid crystal display device 60 as shown in FIG. 3B is completed. The transparent electrode 21 of each liquid crystal device is electrically connected to the liquid crystal display device 60 as a common electrode, and the thin film transistor 1 of each liquid crystal device is connected.
If the control output terminals of each primary color of each pixel are connected to the gate 21, liquid crystal display can be performed.
【0036】図4に、本実施形態の製造方法によって製
造したゲストホスト液晶デバイスの断面図を示し表示原
理を説明する。符号はいづれも共通部材については前図
面と共通の符号を使用している。14は前述した方法に
より形成された薄厚基板で内面に透明電極122および
薄膜トランジスタ121を有する。20は同様にプラス
チック基板で、やはり内面に透明電極21を有する。3
4Aは、シアン、マゼンダ、又はイエロー等のゲストホ
スト液晶層で、液晶分子98及び二色性色素99を少な
くとも含む混合物からなる。ここでは領域55は無電圧
(V0)(すなわち、電位差がゼロ)の領域であり、領
域54は、電圧(V1)が印加されている領域である。
まず、無電圧領域55に於いては基板近傍を除く大部分
の液晶分子98はラセン構造を取り、液晶分子の長軸は
両基板14及び20の面に略平行な方位を取る。従っ
て、二色性色素99も同様にゲストホスト効果に従い略
平行な方位を取る。この結果、入射光51は該二色性色
素99により光吸収される。ここで今、該二色性色素9
9がシアン色の場合には、シアン色を呈する波長光のみ
が透過し、他の波長光は吸収される。透過したシアン色
の波長光は下部に配置された白色反射板100によって
反射され前面に戻る。従って、該領域55に於いてはシ
アン色の外観が得られる。同様に、二色性色素99がイ
エロー色の場合にはイエロー色が、マゼンダ色の場合に
はマゼンダ色の外観が得られる。FIG. 4 is a cross-sectional view of a guest-host liquid crystal device manufactured by the manufacturing method of the present embodiment, and the display principle will be described. Regarding the common members, the same reference numerals as those in the previous drawings are used. Reference numeral 14 denotes a thin substrate formed by the above-described method and having a transparent electrode 122 and a thin film transistor 121 on the inner surface. A plastic substrate 20 also has a transparent electrode 21 on the inner surface. 3
Reference numeral 4A denotes a guest host liquid crystal layer of cyan, magenta, yellow, or the like, which is a mixture containing at least liquid crystal molecules 98 and a dichroic dye 99. Here, the region 55 is a region where no voltage (V0) (that is, the potential difference is zero), and the region 54 is a region where the voltage (V1) is applied.
First, in the non-voltage region 55, most of the liquid crystal molecules 98 except for the vicinity of the substrate have a helical structure, and the major axes of the liquid crystal molecules are oriented substantially parallel to the surfaces of the substrates 14 and 20. Accordingly, the dichroic dye 99 also takes a substantially parallel orientation according to the guest-host effect. As a result, the incident light 51 is absorbed by the dichroic dye 99. Here, the dichroic dye 9
When 9 is cyan, only the light having the wavelength of cyan is transmitted, and the other light is absorbed. The transmitted cyan wavelength light is reflected by the white reflector 100 disposed below and returns to the front surface. Accordingly, a cyan appearance is obtained in the area 55. Similarly, when the dichroic dye 99 is yellow, an appearance of yellow is obtained, and when the dichroic dye 99 is magenta, an appearance of magenta is obtained.
【0037】一方、電圧印加領域54では、電圧V1が
印加されている。ここで液晶分子98の誘電異方性(△
ε)を正にしておけば液晶分子98は前記両基板14、
20の面に対して略垂直に配向する。従ってゲストホス
ト効果により二色性色素99も同様に略垂直に配向する
ため入射光50に対して光吸収性が殆ど失われ入射光5
0はそのまま白色反射板100に達しそこで反射されて
前面に戻るため略白色の外観が得られる。このようにし
て二色性色素の方位を電圧の有無により変えることによ
って色素の色と白色とを切り替えて表示することができ
る。On the other hand, in the voltage application area 54, the voltage V1 is applied. Here, the dielectric anisotropy of the liquid crystal molecules 98 (△
If ε) is made positive, the liquid crystal molecules 98 are
Orientation is substantially perpendicular to the 20 plane. Accordingly, the dichroic dye 99 is also oriented substantially vertically by the guest-host effect, so that the light absorption of the incident light 50 is almost lost and the incident light 5
0 directly reaches the white reflector 100, is reflected there, and returns to the front surface, so that a substantially white appearance is obtained. In this manner, by changing the direction of the dichroic dye depending on the presence or absence of a voltage, the color of the dye and white can be switched and displayed.
【0038】以上がゲストホスト液晶デバイスの動作原
理であるが、液晶分子の基板面近傍の配向、中間部のラ
セン状の液晶分子配列の方法等、さらに詳しい説明につ
いては文献(液晶デバイスハンドブック、日本学術振興
会、第142委員会編、日刊工業新聞社発行、p315
〜329)等に記されている。The above is the principle of operation of the guest-host liquid crystal device. For further details, such as the alignment of liquid crystal molecules near the substrate surface and the method of helical liquid crystal molecule alignment in the middle, refer to the literature (Liquid Crystal Device Handbook, Japan). Japan Society for the Promotion of Science, 142nd Committee, published by Nikkan Kogyo Shimbun, p.315
329).
【0039】又、ここではゲストホスト液晶層34Aは
液晶材料98と二色性色素99との混合物からなるとし
たが、電圧無印加時に液晶分子がラセン配向を取るよう
に0.1〜3%程度のコレステリック液晶も加えた方が
よい。また更に、光硬化性樹脂のモノマーも適量加え、
上記ゲストホスト液晶を注入した後、光硬化させたもの
をゲストホスト液晶層34Aとして用いれば、表示駆動
電圧が低減できる他、0N,OFF切替時におけるヒス
テリシス現象の発生を押さえる効果もある。Although the guest-host liquid crystal layer 34A is made of a mixture of the liquid crystal material 98 and the dichroic dye 99 here, about 0.1 to 3% so that the liquid crystal molecules take a helical orientation when no voltage is applied. Cholesteric liquid crystal should be added. Furthermore, an appropriate amount of a monomer of the photocurable resin is also added,
If the light-cured material after the injection of the guest host liquid crystal is used as the guest host liquid crystal layer 34A, the display drive voltage can be reduced, and the effect of suppressing the occurrence of the hysteresis phenomenon at the time of switching between 0N and OFF is also obtained.
【0040】図5に、本実施形態の製造方法によって製
造した各色のゲストホスト液晶デバイスを積層した反射
型カラー液晶表示装置動作原理を説明する断面図を示
す。FIG. 5 is a sectional view for explaining the principle of operation of a reflection type color liquid crystal display device in which guest-host liquid crystal devices of respective colors manufactured by the manufacturing method of this embodiment are stacked.
【0041】同図では、液晶表示装置60のうち、各液
晶デバイスの2つの画素要素120について拡大してあ
る。領域54における各液晶デバイスの透明電極122
および透明電極21間には、所定の電圧V1が印加して
ある。電圧印加領域54では、前述したように液晶分子
が基板面に略垂直に配向する。このため、同様に二色性
色素も略垂直に配向する。よって、入射光58は、二色
性色素に殆ど吸収されること無く、すべての液晶デバイ
スを透過し、最下面の白色反射板100に達し、そこで
反射されて再度、前面に反射光56となって戻ってく
る。よって、この領域54では液晶表示装置60の表示
面は明るく(白く)見える。In the figure, two pixel elements 120 of each liquid crystal device in the liquid crystal display device 60 are enlarged. Transparent electrode 122 of each liquid crystal device in region 54
A predetermined voltage V1 is applied between the transparent electrodes 21. In the voltage application region 54, the liquid crystal molecules are aligned substantially perpendicular to the substrate surface as described above. For this reason, the dichroic dye is also oriented substantially vertically. Therefore, the incident light 58 passes through all the liquid crystal devices without being absorbed by the dichroic dye, reaches the white reflector 100 on the lowermost surface, is reflected there, and becomes the reflected light 56 again on the front surface. Come back. Therefore, the display surface of the liquid crystal display device 60 looks bright (white) in this region 54.
【0042】一方、領域55における各液晶デバイスの
透明電極122および透明電極21間の電位差は、無電
圧V0(すなわち、電位差がゼロ)に設定されている。電
圧が印加されないため、液晶分子及び二色性色素が前述
したようにラセン構造をとり層面にほぼ水平に配向す
る。このため、入射光57は、それぞれの液晶デバイス
の二色性色素により各色素に対応する波長光が吸収され
る。(緑色光53はマゼンダ色の二色性色素を含むゲス
トホスト液晶デバイス61で吸収され、赤色光52はシ
アン色の二色性色素を含むゲストホスト液晶デバイス6
2で吸収され、青色光51はイエロー色の二色性色素を
含むゲストホスト液晶デバイス63で吸収される。)よ
って、すべての原色光(51、52、53)が吸収される
のであるから、この状態では液晶表示装置60の表示面
は暗く(黒く)見える。On the other hand, the potential difference between the transparent electrode 122 and the transparent electrode 21 of each liquid crystal device in the region 55 is set to no voltage V0 (that is, the potential difference is zero). Since no voltage is applied, the liquid crystal molecules and the dichroic dye have a helical structure as described above, and are oriented substantially horizontally on the layer surface. For this reason, the incident light 57 absorbs the wavelength light corresponding to each dye by the dichroic dye of each liquid crystal device. (The green light 53 is absorbed by the guest host liquid crystal device 61 containing the magenta dichroic dye, and the red light 52 is absorbed by the guest host liquid crystal device 6 containing the cyan dichroic dye.
2 and the blue light 51 is absorbed by the guest-host liquid crystal device 63 containing a yellow dichroic dye. Therefore, all the primary color lights (51, 52, 53) are absorbed, and in this state, the display surface of the liquid crystal display device 60 looks dark (black).
【0043】マゼンダ色のゲストホスト液晶デバイス6
1のみ無電圧V0とし、他のゲストホスト液晶デバイス
62、63には電圧V1を印加した場合には、マゼンダ
色のみ透過し他の色波長光は吸収されるためマゼンダ色
の表示外観を呈する。同様にシアン色のゲストホスト液
晶デバイス62のみ無電圧V0とし、他のゲストホスト
液晶デバイス61、63には電圧V1を印加した場合に
は、シアン色のみ透過し他の色波長光は吸収されるため
シアン色の表示外観を呈する。更に同様に、イエロー色
のゲストホスト液晶デバイス63のみ無電圧V0とし、
他のゲストホスト液晶デバイス61、62には電圧V1
を印加した場合には、イエロー色のみ透過し他の色波長
光は吸収されるためイエロー色の表示外観を呈する。す
なわち、液晶デバイスごとに駆動電圧の有無を制御すれ
ば、カラー表示ができる。Magenta guest host liquid crystal device 6
When only 1 is set to no-voltage V0 and a voltage V1 is applied to the other guest-host liquid crystal devices 62 and 63, only the magenta color is transmitted and the other color wavelength light is absorbed, so that the display appearance of the magenta color is exhibited. Similarly, when only the cyan guest-host liquid crystal device 62 is set to the non-voltage V0 and the voltage V1 is applied to the other guest-host liquid crystal devices 61 and 63, only the cyan color is transmitted and other color wavelength light is absorbed. Therefore, it exhibits a cyan display appearance. Similarly, only the yellow guest host liquid crystal device 63 is set to no voltage V0,
The voltage V1 is applied to the other guest host liquid crystal devices 61 and 62.
Is applied, only the yellow color is transmitted, and light of other color wavelengths is absorbed, so that a yellow display appearance is exhibited. That is, if the presence or absence of the drive voltage is controlled for each liquid crystal device, color display can be performed.
【0044】このとき、液晶表示装置60を構成する各
液晶デバイスの基板の厚さを従来より薄くしているの
で、液晶表示装置全体の膜厚が薄くなっているととも
に、各ゲストホスト液晶層間の基板が薄くなっているた
め該層間の間隔が狭くなっている。このため、明るいば
かりか、垂直方向からややずれた方向から観察しても、
色ズレが生じにくい。実際に表示装置として使用する際
には、見る角度が浅くなる画面の周辺においても色ズレ
が生じにくくなる。At this time, since the thickness of the substrate of each liquid crystal device constituting the liquid crystal display device 60 is made thinner than before, the film thickness of the entire liquid crystal display device becomes thinner and the liquid crystal layer between the guest host liquid crystal layers is formed. Since the substrate is thin, the distance between the layers is narrow. For this reason, not only is it bright, but even when observed from a direction slightly deviated from the vertical direction,
Color shift is less likely to occur. When actually used as a display device, color shift hardly occurs even around the screen where the viewing angle is shallow.
【0045】以上のべたように、本実施形態によれば、
ガラス基板上にトランジスタ薄膜を形成した後、これを
剥離し、代わりに厚みの薄いプラスチック基板を接着
し、これを用いて各色ゲストホスト液晶デバイスを積み
重ねて液晶表示装置を製造するので、厚みが薄く明る
く、また、色ズレの生じにくいカラー液晶表示装置を提
供できる。As described above, according to the present embodiment,
After a transistor thin film is formed on a glass substrate, it is peeled off, a thin plastic substrate is bonded instead, and a guest-host liquid crystal device for each color is stacked using this to manufacture a liquid crystal display device. It is possible to provide a color liquid crystal display device that is bright and hardly causes color shift.
【0046】〈変形例〉本発明は、上記実施形態にこだ
わらず種々に適用可能なものである。例えば、上記実施
形態では、ゲストホスト液晶を用いた液晶表示装置につ
いて説明したが、他の液晶表示装置に適用することもで
きる。<Modifications> The present invention can be applied variously without being limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, the liquid crystal display device using the guest host liquid crystal has been described, but the present invention can be applied to other liquid crystal display devices.
【0047】すなわち、本発明によれば、耐熱性基板上
に薄膜素子を形成した後、これを剥離し、厚みの薄い薄
厚基板を形成するので、他の製造方法で製造された駆動
素子を設けた基板に比べ、厚みの薄い駆動基板を製造で
きる。従って、この駆動基板によって駆動される公知の
液晶表示機構を有する液晶表示装置を製作すれば、従来
より軽く、薄い液晶表示装置を提供できることになる。That is, according to the present invention, a thin-film element is formed on a heat-resistant substrate and then peeled off to form a thin substrate having a small thickness. Therefore, a driving element manufactured by another manufacturing method is provided. It is possible to manufacture a drive substrate having a smaller thickness as compared with a substrate that has been thinned. Therefore, if a liquid crystal display device having a known liquid crystal display mechanism driven by the driving substrate is manufactured, a lighter and thinner liquid crystal display device than the conventional one can be provided.
【0048】特に、この発明によれば、フィルム状の表
示装置を製造する際に有効な液晶表示装置の製造方法を
提供できる。In particular, according to the present invention, it is possible to provide a method of manufacturing a liquid crystal display device which is effective in manufacturing a film display device.
【0049】[0049]
【発明の効果】本発明の液晶表示装置の製造方法によれ
ば、耐熱性を有する耐熱性基板に剥離層を形成し、該剥
離層上に薄膜素子を設けた薄膜素子層を形成し、該薄膜
素子層上に更に厚みの薄い薄厚基板を形成した後、耐熱
性基板側から照射光を照射して剥離層に剥離を生じさせ
るので、薄膜素子製造に使用できないような耐熱性の低
い薄い基板を薄膜素子層の基台にできる。According to the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, a release layer is formed on a heat-resistant substrate having heat resistance, and a thin-film element layer provided with a thin-film element is formed on the release layer. After forming a thinner and thinner substrate on the thin-film element layer, the irradiation layer is irradiated from the heat-resistant substrate side to cause peeling of the peeling layer. Can be used as a base for the thin film element layer.
【0050】従って、従来の表示装置よりも薄い液晶表
示装置を製造できる。そして明るく、かつ特に、複数の
原色のカラー液晶デバイスを重ねたカラー液晶表示装置
の色ズレを生じさせないものである。Therefore, a liquid crystal display device thinner than a conventional display device can be manufactured. In addition, the color liquid crystal display device which is bright and in particular, does not cause a color shift of a color liquid crystal display device in which a plurality of primary color liquid crystal devices are overlapped.
【0051】また、本発明の液晶表示装置の製造方法で
は、薄膜素子に樹脂層を形成するので、薄膜素子形成
後、薄膜基板との貼り合せが容易であり、従来より薄い
液晶表示装置を製造できる。これは、フィルム状の液晶
表示装置を製造する時に有利である。In the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, since a resin layer is formed on a thin film element, it is easy to bond the thin film element to a thin film substrate after the thin film element is formed, and a liquid crystal display device thinner than the conventional one is manufactured. it can. This is advantageous when manufacturing a liquid crystal display device in the form of a film.
【0052】以上、本発明の液晶表示装置の製造方法に
より、より薄い、複数の、原色のゲストホスト液晶デバ
イスを貼り合せてカラー液晶表示装置を製造するため、
全体として従来より薄い液晶表示装置が製造できる。こ
れにより、薄く、軽く、明るく、かつ特に、色ズレを生
じさせない美しいカラー表示画像が得られるカラー液晶
表示装置が実現できる。As described above, according to the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, a color liquid crystal display device is manufactured by laminating a plurality of thin guest guest liquid crystal devices of primary colors.
As a whole, a liquid crystal display device thinner than the conventional one can be manufactured. As a result, a color liquid crystal display device that is thin, light, bright, and in particular can provide a beautiful color display image that does not cause color shift can be realized.
【図1】 実施形態の液晶デバイスの製造工程断面図
(前半)。FIG. 1 is a sectional view (first half) of a manufacturing process of a liquid crystal device according to an embodiment.
【図2】 実施形態の液晶デバイスの製造工程断面図
(後半)。FIG. 2 is a sectional view (second half) of a manufacturing process of the liquid crystal device according to the embodiment.
【図3】 実施形態の液晶デバイスの製造工程断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the liquid crystal device according to the embodiment.
【図4】 実施形態のゲストホスト液晶デバイスの動作
原理説明図。FIG. 4 is an explanatory view of the operation principle of the guest-host liquid crystal device of the embodiment.
【図5】 実施形態の液晶表示装置の動作原理説明図。FIG. 5 is an explanatory view of the operation principle of the liquid crystal display device of the embodiment.
10・・・ガラス基板 11・・・剥離層 12・・・トランジスタ薄膜層(薄膜素子層) 13・・・樹脂層 14・・・プラスチック基板(透明基板) 20・・・プラスチック基板(透明基板) 30・・・液晶+二色性色素混合液 34A・・・ゲストホスト液晶層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Glass substrate 11 ... Release layer 12 ... Transistor thin film layer (thin film element layer) 13 ... Resin layer 14 ... Plastic substrate (transparent substrate) 20 ... Plastic substrate (transparent substrate) 30: liquid crystal + dichroic dye mixture liquid 34A: guest-host liquid crystal layer
Claims (4)
射により剥離を生ずる剥離層を形成する剥離層形成工程
と、 前記剥離層形成工程により形成された剥離層に、薄膜素
子を設けた薄膜素子層を形成する薄膜素子形成工程と、 前記薄膜素子形成工程により形成された薄膜素子層に、
前記耐熱性基板より厚みの薄い薄厚基板を形成する薄厚
基板形成工程と、 前記剥離層に対し、前記耐熱性基板側から照射光を照射
して当該剥離層に剥離を生じさせ、前記薄板基板が形成
された薄膜素子層を分離する照射分離工程と、 分離された前記薄膜素子層の薄膜素子により駆動される
二色性色素を含むゲストホスト液晶デバイスを製造する
液晶デバイス製造工程と、を備えたことを特徴とする液
晶表示装置の製造方法。An exfoliation layer forming step of forming an exfoliation layer which is exfoliated by irradiation of illumination light on a heat resistant substrate having heat resistance, and a thin film element is provided on the exfoliation layer formed in the exfoliation layer forming step. A thin film element forming step of forming a thin film element layer, and the thin film element layer formed by the thin film element forming step,
A thin substrate forming step of forming a thin substrate having a thickness smaller than the heat-resistant substrate, and the peeling layer is irradiated with irradiation light from the heat-resistant substrate side to cause peeling of the peeling layer; An irradiation separation step of separating the formed thin film element layer; and a liquid crystal device manufacturing step of manufacturing a guest-host liquid crystal device containing a dichroic dye driven by the thin film element of the separated thin film element layer. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising:
形成する工程と、当該薄膜素子に樹脂層を形成する工程
と、を備えたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表
示装置の製造方法。2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the thin film element forming step includes a step of forming the thin film element itself and a step of forming a resin layer on the thin film element. Manufacturing method.
所定の間隙をおいて接着する接着工程と、 前記接着工程で接着された前記薄膜素子層と透明基板と
の間隙に、液晶および二色性色素の混合液を充填する充
填工程と、を備えたことを特徴とする請求項1に記載の
液晶表示装置の製造方法。3. The method of manufacturing a liquid crystal device according to claim 1, wherein the thin film element layer on which the thin substrate is formed and a transparent substrate are:
A bonding step of bonding at a predetermined gap; and a filling step of filling a gap between the thin-film element layer and the transparent substrate bonded in the bonding step with a liquid mixture of a liquid crystal and a dichroic dye. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein:
数の原色に対応するにゲストホスト液晶デバイスを各々
製造し、 さらに各前記複数のゲストホスト液晶デバイスを貼り合
わせて液晶表示装置を製造する液晶表示装置製造工程を
備えたこと、を特徴とする請求項3に記載の液晶表示装
置の製造方法。4. A liquid crystal display device in which, in the liquid crystal device forming step, a guest host liquid crystal device corresponding to each of a plurality of primary colors is manufactured, and each of the plurality of guest host liquid crystal devices is bonded to manufacture a liquid crystal display device. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 3, further comprising a manufacturing process.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4440097A JP4146526B2 (en) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | Manufacturing method of liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4440097A JP4146526B2 (en) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | Manufacturing method of liquid crystal display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10239675A true JPH10239675A (en) | 1998-09-11 |
JP4146526B2 JP4146526B2 (en) | 2008-09-10 |
Family
ID=12690471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4440097A Expired - Lifetime JP4146526B2 (en) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | Manufacturing method of liquid crystal display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4146526B2 (en) |
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- 1997-02-27 JP JP4440097A patent/JP4146526B2/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP4146526B2 (en) | 2008-09-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060214 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060417 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060516 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060713 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060726 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080620 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130627 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130627 Year of fee payment: 5 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |