JPH10233741A - 光受信器 - Google Patents
光受信器Info
- Publication number
- JPH10233741A JPH10233741A JP9049609A JP4960997A JPH10233741A JP H10233741 A JPH10233741 A JP H10233741A JP 9049609 A JP9049609 A JP 9049609A JP 4960997 A JP4960997 A JP 4960997A JP H10233741 A JPH10233741 A JP H10233741A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical receiver
- pin photodiode
- photodiode module
- transformer
- potential point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 57
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 17
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】振幅周波数特性を低い周波数から高い周波数ま
で平坦化し、また、受信感度を上げることによりＣ／Ｎ
比を向上させる。 【解決手段】ＰＩＮフォトダイオードモジュール４のア
ノード側及びカソード側にそれぞれコイル３及び５を設
けて、ＰＩＮフォトダイオードモジュール４の容量等と
共振回路を構成して、高周波領域で前記容量等によりる
光電流の振幅周波数特性が低下するのを補償する。ま
た、光電流をトランス６を介して増幅器で増幅すること
によりトランスの電流増倍効果を利用して受信感度を向
上させる。
で平坦化し、また、受信感度を上げることによりＣ／Ｎ
比を向上させる。 【解決手段】ＰＩＮフォトダイオードモジュール４のア
ノード側及びカソード側にそれぞれコイル３及び５を設
けて、ＰＩＮフォトダイオードモジュール４の容量等と
共振回路を構成して、高周波領域で前記容量等によりる
光電流の振幅周波数特性が低下するのを補償する。ま
た、光電流をトランス６を介して増幅器で増幅すること
によりトランスの電流増倍効果を利用して受信感度を向
上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光信号を受信する
光受信器に関し、特に、ＲＦ（無線周波数）信号をＦＤ
Ｍ（周波数分割多重）多重を行い光信号で伝送する光Ｓ
ＣＭ（Sub Carrier Multiplex：サブキャリア マルチ
プレクス）伝送に使用できる光受信器に関する。
光受信器に関し、特に、ＲＦ（無線周波数）信号をＦＤ
Ｍ（周波数分割多重）多重を行い光信号で伝送する光Ｓ
ＣＭ（Sub Carrier Multiplex：サブキャリア マルチ
プレクス）伝送に使用できる光受信器に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザダイオード等を用いてアナログ信
号を光伝送するシステムでは、光受信器として広帯域、
低雑音特性を有するものが必要とされている。
号を光伝送するシステムでは、光受信器として広帯域、
低雑音特性を有するものが必要とされている。
【０００３】図５は、従来の光受信器の構成を示す図で
ある。同図の光受信器は、光信号を受信する光コネクタ
に接続されたＰＩＮフォトダイオードモジュール４を有
し、前記ＰＩＮフォトダイオードモジュール４のカソー
ド側には、逆バイアス電圧をかけるための電源（ＶB）
１と、前記カソードと基準電位点（グランド）との間に
パスコンとしてのコンデンサ２が接続されている。ま
た、ＰＩＮフォトダイオードモジュール４のアノード側
には、基準電位点との間に抵抗６が接続され、更に、前
記ＰＩＮフォトダイオードモジュール４のアノードと抵
抗６の接続点にはコンデンサ７の一端が接続され、その
他端は増幅器８の入力部に接続され、増幅器８の出力部
はコンデンサ９の一端が接続され、その他端は出力端子
１０に接続されている。
ある。同図の光受信器は、光信号を受信する光コネクタ
に接続されたＰＩＮフォトダイオードモジュール４を有
し、前記ＰＩＮフォトダイオードモジュール４のカソー
ド側には、逆バイアス電圧をかけるための電源（ＶB）
１と、前記カソードと基準電位点（グランド）との間に
パスコンとしてのコンデンサ２が接続されている。ま
た、ＰＩＮフォトダイオードモジュール４のアノード側
には、基準電位点との間に抵抗６が接続され、更に、前
記ＰＩＮフォトダイオードモジュール４のアノードと抵
抗６の接続点にはコンデンサ７の一端が接続され、その
他端は増幅器８の入力部に接続され、増幅器８の出力部
はコンデンサ９の一端が接続され、その他端は出力端子
１０に接続されている。
【０００４】図５の光受信器の動作を説明すると、ＰＩ
Ｎフォトダイオードモジュール４は光コネクタから入力
された光信号を電気信号に変換して出力し、その出力は
負荷としての抵抗６から増幅器８に入力され増幅されて
出力端子１０から出力される。ここでコンデンサ２は高
周波電流路を形成するものであり、また、２つのコンデ
ンサ７及び９は直流をカットする機能を果たすものであ
る。
Ｎフォトダイオードモジュール４は光コネクタから入力
された光信号を電気信号に変換して出力し、その出力は
負荷としての抵抗６から増幅器８に入力され増幅されて
出力端子１０から出力される。ここでコンデンサ２は高
周波電流路を形成するものであり、また、２つのコンデ
ンサ７及び９は直流をカットする機能を果たすものであ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の光受信器は、ケ
ーブルテレビ等で必要とされてきた１０ＭＨｚ〜２００
ＭＨｚの周波数帯域の光伝送用の光受信器としては充分
な特性を有していた。
ーブルテレビ等で必要とされてきた１０ＭＨｚ〜２００
ＭＨｚの周波数帯域の光伝送用の光受信器としては充分
な特性を有していた。
【０００６】しかし、ＰＩＮフォトダイオードモジュー
ルの外部回路が抵抗を主体とした回路構成を採用してい
るために、周波数帯域が２００ＭＨｚ以上になるとＰＩ
Ｎダイオードの出力インピーダンスや端子間及び端子接
地間の容量によるインピーダンスが低下するために図６
のように振幅周波数特性が高周波領域において劣化す
る。したがって、ビデオ・オン・デマンドやデジタル映
像信号の伝送システムに使用するためには周波数帯域が
狭く必要な伝送特性を実現することはできなかった。
ルの外部回路が抵抗を主体とした回路構成を採用してい
るために、周波数帯域が２００ＭＨｚ以上になるとＰＩ
Ｎダイオードの出力インピーダンスや端子間及び端子接
地間の容量によるインピーダンスが低下するために図６
のように振幅周波数特性が高周波領域において劣化す
る。したがって、ビデオ・オン・デマンドやデジタル映
像信号の伝送システムに使用するためには周波数帯域が
狭く必要な伝送特性を実現することはできなかった。
【０００７】また、光受信器のＣ／Ｎ比（信号対雑音
比）はＰＩＮフォトダイオードモジュールと増幅器を合
わせた光受信器の雑音で全てが決定される。これは光受
信器の入力換算雑音電流密度という形で表すことができ
その数値は小さいほどよい。ところが従来の光受信器
は、増幅器の出力端で高い周波数になるほど雑音レベル
が増加し、一方、信号レベルは一定であるために相対的
にＣ／Ｎ比は悪くなる。
比）はＰＩＮフォトダイオードモジュールと増幅器を合
わせた光受信器の雑音で全てが決定される。これは光受
信器の入力換算雑音電流密度という形で表すことができ
その数値は小さいほどよい。ところが従来の光受信器
は、増幅器の出力端で高い周波数になるほど雑音レベル
が増加し、一方、信号レベルは一定であるために相対的
にＣ／Ｎ比は悪くなる。
【０００８】即ち、従来の光受信器は、受信感度が低い
ためＣ／Ｎ比は向上しないという問題点がある。
ためＣ／Ｎ比は向上しないという問題点がある。
【０００９】（発明の目的）本発明の目的は、振幅周波
数特性を低い周波数から高い周波数までの広い帯域にお
いて平坦化することが可能な光受信器を提供することに
ある。
数特性を低い周波数から高い周波数までの広い帯域にお
いて平坦化することが可能な光受信器を提供することに
ある。
【００１０】本発明の他の目的は、受信感度を上げるこ
とにより光受信器のＣ／Ｎ（信号対雑音比）比を向上で
きる光受信器を提供することにある。
とにより光受信器のＣ／Ｎ（信号対雑音比）比を向上で
きる光受信器を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の光受信器は、Ｐ
ＩＮフォトダイオードモジュールと、前記ＰＩＮフォト
ダイオードモジュールのカソードと電源電位点の間に接
続された第１の共振用コイルと、前記ＰＩＮフォトダイ
オードモジュールのアノードと基準電位点の間に直列接
続された第２の共振用コイル及び電流増倍用トランスの
一次巻線と、前記電流増倍用トランスの二次巻線に接続
した増幅器とを有する。
ＩＮフォトダイオードモジュールと、前記ＰＩＮフォト
ダイオードモジュールのカソードと電源電位点の間に接
続された第１の共振用コイルと、前記ＰＩＮフォトダイ
オードモジュールのアノードと基準電位点の間に直列接
続された第２の共振用コイル及び電流増倍用トランスの
一次巻線と、前記電流増倍用トランスの二次巻線に接続
した増幅器とを有する。
【００１２】また、本発明の光受信器は、ＰＩＮフォト
ダイオードモジュールと、前記ＰＩＮフォトダイオード
モジュールのカソードと電源電位点との間に直列接続さ
れた第１の共振用コイル及び電流増倍用トランスの一次
巻線と、前記電流増倍用トランスの二次巻線に接続した
増幅器と、前記ＰＩＮフォトダイオードモジュールのア
ノードと基準電位点の間に接続された第２の共振用コイ
ルとを有する。
ダイオードモジュールと、前記ＰＩＮフォトダイオード
モジュールのカソードと電源電位点との間に直列接続さ
れた第１の共振用コイル及び電流増倍用トランスの一次
巻線と、前記電流増倍用トランスの二次巻線に接続した
増幅器と、前記ＰＩＮフォトダイオードモジュールのア
ノードと基準電位点の間に接続された第２の共振用コイ
ルとを有する。
【００１３】更に、本発明の光受信器は、電源電位点は
ＰＩＮフォトダイオードモジュールに逆バイアスを供給
する電位であり、前記電源電位点と前記基準電位点との
間に接続したコンデンサ及び前記増幅器の入力部及び出
力部に接続した直流カット用のコンデンサを有し、前記
第１及び第２の共振用コイルは高周波領域の異なる周波
数で共振する。
ＰＩＮフォトダイオードモジュールに逆バイアスを供給
する電位であり、前記電源電位点と前記基準電位点との
間に接続したコンデンサ及び前記増幅器の入力部及び出
力部に接続した直流カット用のコンデンサを有し、前記
第１及び第２の共振用コイルは高周波領域の異なる周波
数で共振する。
【００１４】（作用）ＰＩＮフォトダイオードモジュー
ルやトランスの寄生容量等と２つのコイルによる共振効
果とトランスによる電流増倍効果とにより、振幅周波数
特性を低い周波数から高い周波数帯域まで平坦化すると
ともに、光受信器の感度を上げＣ／Ｎ比を向上させるこ
とを可能にする。
ルやトランスの寄生容量等と２つのコイルによる共振効
果とトランスによる電流増倍効果とにより、振幅周波数
特性を低い周波数から高い周波数帯域まで平坦化すると
ともに、光受信器の感度を上げＣ／Ｎ比を向上させるこ
とを可能にする。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、本発明の第一の実施の形態
について図面を参照して説明する。
について図面を参照して説明する。
【００１６】図１は、本発明の光受信器の実施の形態を
示す図である。同図において、光受信器は、光信号を受
信する能動素子として、光コネクタ１１に接続されたＰ
ＩＮフォトダイオードモジュール４を有し、前記ＰＩＮ
フォトダイオードモジュール４のカソード側には、コイ
ル３の一端が接続されその他端には前記ＰＩＮフォトダ
イオードモジュール４に逆バイアス電圧を印加するため
の電源（ＶB）１と、コイル３と電源１との接続点と基
準電位点（グランド）との間にパスコンとしてのコンデ
ンサ２が接続されている。また、前記ＰＩＮフォトダイ
オードモジュール４のアノード側には、前記アノードと
基準電位点との間にコイル５と電流増倍用トランス６の
一次巻線が直列に接続されている。そして、前記トラン
スの二次巻線にはコンデンサ７の一端が接続されその他
端は増幅器８の入力部に接続され、増幅器８の出力部は
コンデンサ９の一端が接続され、その他端は出力端子１
０に接続されている。
示す図である。同図において、光受信器は、光信号を受
信する能動素子として、光コネクタ１１に接続されたＰ
ＩＮフォトダイオードモジュール４を有し、前記ＰＩＮ
フォトダイオードモジュール４のカソード側には、コイ
ル３の一端が接続されその他端には前記ＰＩＮフォトダ
イオードモジュール４に逆バイアス電圧を印加するため
の電源（ＶB）１と、コイル３と電源１との接続点と基
準電位点（グランド）との間にパスコンとしてのコンデ
ンサ２が接続されている。また、前記ＰＩＮフォトダイ
オードモジュール４のアノード側には、前記アノードと
基準電位点との間にコイル５と電流増倍用トランス６の
一次巻線が直列に接続されている。そして、前記トラン
スの二次巻線にはコンデンサ７の一端が接続されその他
端は増幅器８の入力部に接続され、増幅器８の出力部は
コンデンサ９の一端が接続され、その他端は出力端子１
０に接続されている。
【００１７】次に、図１の光受信器の回路動作につい
て、図２、図３の等価回路及び振幅周波数特性を参照し
て説明する。
て、図２、図３の等価回路及び振幅周波数特性を参照し
て説明する。
【００１８】ＲＦ信号がＦＤＭ多重化された後に光信号
に変換された信号がＰＩＮフォトダイオードモジュール
４の光コネクタ１１に入力される。ＰＩＮフォトダイオ
ードモジュールは、逆バイアス電圧がかけられており、
光信号の入力により光電流を出力する。ＰＩＮフォトダ
イオードモジュール４を流れる光電流はトランスの一次
巻線を流れ、その二次巻線には巻数比に応じた電流が出
力される。出力巻線から出力された電流信号はコンデン
サ７において直流分がカットされ増幅器８に入力され
る。二次巻線の出力電流は増幅器８の入力インピーダン
スにより電圧に変換され増幅される。増幅器８で増幅さ
れた電圧信号はさらにコンデンサ９で直流分がカットさ
れ出力端子１０より出力される。
に変換された信号がＰＩＮフォトダイオードモジュール
４の光コネクタ１１に入力される。ＰＩＮフォトダイオ
ードモジュールは、逆バイアス電圧がかけられており、
光信号の入力により光電流を出力する。ＰＩＮフォトダ
イオードモジュール４を流れる光電流はトランスの一次
巻線を流れ、その二次巻線には巻数比に応じた電流が出
力される。出力巻線から出力された電流信号はコンデン
サ７において直流分がカットされ増幅器８に入力され
る。二次巻線の出力電流は増幅器８の入力インピーダン
スにより電圧に変換され増幅される。増幅器８で増幅さ
れた電圧信号はさらにコンデンサ９で直流分がカットさ
れ出力端子１０より出力される。
【００１９】ＰＩＮフォトダイオードモジュール４の出
力電流は、高周波領域におけるＰＩＮフォトダイオード
モジュール４の端子間容量、電極接地間容量及びトラン
スの巻線間の容量成分によるインピーダンスの低下によ
り減衰するので、図６のように高域の周波数特性が落ち
る傾向にあるが、本発明においては、ＰＩＮフォトダイ
オードモジュール４のアノード側及びカソード側に光信
号に基づく出力電流と直列のコイル３、５を接続してい
るので、コイル３、５がＰＩＮフォトダイオードモジュ
ール４の端子間容量、端子接地間の容量及びトランスの
巻線容量成分と直列共振回路を形成して振幅周波数特性
の高域特性を引き上げて前記周波数特性を改善すること
が可能である。
力電流は、高周波領域におけるＰＩＮフォトダイオード
モジュール４の端子間容量、電極接地間容量及びトラン
スの巻線間の容量成分によるインピーダンスの低下によ
り減衰するので、図６のように高域の周波数特性が落ち
る傾向にあるが、本発明においては、ＰＩＮフォトダイ
オードモジュール４のアノード側及びカソード側に光信
号に基づく出力電流と直列のコイル３、５を接続してい
るので、コイル３、５がＰＩＮフォトダイオードモジュ
ール４の端子間容量、端子接地間の容量及びトランスの
巻線容量成分と直列共振回路を形成して振幅周波数特性
の高域特性を引き上げて前記周波数特性を改善すること
が可能である。
【００２０】次に、本実施の形態の光受信器の高域周波
数における動作を説明する。
数における動作を説明する。
【００２１】図２は、図１の光受信器の高周波領域にお
ける等価回路を示す図である。同図において、ＩSはＰ
ＩＮフォトダイオードモジュール４の出力電流、容量Ｃ
K及びＣAはそれぞれＰＩＮフォトダイオードモジュール
４のカソード電極及びアノード電極と接地間の等価容量
であり、また容量ＣJはＰＩＮフォトダイオードモジュ
ール４のアノード及びカソード電極間の容量である。前
記等価回路において、コイル３と容量ＣA、コイル５と
容量ＣK及びコイル３、５と容量ＣJの各直列回路は何れ
も直列共振回路を構成しており、また、コイル３と容量
ＣK及びコイル５とＣAは並列共振回路を構成する。各々
の共振周波数を設定して電流増倍用トランス６の一次側
の受信出力を増大させる。
ける等価回路を示す図である。同図において、ＩSはＰ
ＩＮフォトダイオードモジュール４の出力電流、容量Ｃ
K及びＣAはそれぞれＰＩＮフォトダイオードモジュール
４のカソード電極及びアノード電極と接地間の等価容量
であり、また容量ＣJはＰＩＮフォトダイオードモジュ
ール４のアノード及びカソード電極間の容量である。前
記等価回路において、コイル３と容量ＣA、コイル５と
容量ＣK及びコイル３、５と容量ＣJの各直列回路は何れ
も直列共振回路を構成しており、また、コイル３と容量
ＣK及びコイル５とＣAは並列共振回路を構成する。各々
の共振周波数を設定して電流増倍用トランス６の一次側
の受信出力を増大させる。
【００２２】したがって、ＰＩＮフォトダイオードモジ
ュール４の各電極側に接続した前記コイル３、５を選定
して前記共振周波数を高域の振幅周波数特性の低下する
領域に設定することにより、高域の特性の低下を補償す
るようにすることができる。実際には共振周波数を適宜
ずらすことで高域の周波数特性を持ち上げ平坦化するよ
うに調整する。
ュール４の各電極側に接続した前記コイル３、５を選定
して前記共振周波数を高域の振幅周波数特性の低下する
領域に設定することにより、高域の特性の低下を補償す
るようにすることができる。実際には共振周波数を適宜
ずらすことで高域の周波数特性を持ち上げ平坦化するよ
うに調整する。
【００２３】また、ＰＩＮフォトダイオードモジュール
４は基本的に電流源として動作し電流増倍用トランス６
の一次側は電流駆動される。本発明においては、この電
流出力を増倍するように一次対二次の巻線比を２：１等
のように１より小さく設定する。電流増倍用トランスの
電流出力は直流カット用のコンデンサ７を介して汎用増
幅器に印加して増幅器の入力インピーダンスにより電圧
出力としてコンデンサ９を介して出力端子１０から出力
する。このように、電流増倍用トランス６を入れたこと
により増幅器８の入力電流信号が見かけ上大きくなって
出力信号も大きくなるのでＣ／Ｎ比も向上する。
４は基本的に電流源として動作し電流増倍用トランス６
の一次側は電流駆動される。本発明においては、この電
流出力を増倍するように一次対二次の巻線比を２：１等
のように１より小さく設定する。電流増倍用トランスの
電流出力は直流カット用のコンデンサ７を介して汎用増
幅器に印加して増幅器の入力インピーダンスにより電圧
出力としてコンデンサ９を介して出力端子１０から出力
する。このように、電流増倍用トランス６を入れたこと
により増幅器８の入力電流信号が見かけ上大きくなって
出力信号も大きくなるのでＣ／Ｎ比も向上する。
【００２４】図３は、コイル３、５の値を設定すること
により、周波数特性の高域部分を上げ振幅周波数特性が
高域までフラットな特性とし、また、トランスの巻線比
の設定により所望のＣ／Ｎ比を実現したものである。コ
イル３、５を最適な定数に選定することにより１ｄＢ以
内の平坦な振幅周波数特性を得ることができる。
により、周波数特性の高域部分を上げ振幅周波数特性が
高域までフラットな特性とし、また、トランスの巻線比
の設定により所望のＣ／Ｎ比を実現したものである。コ
イル３、５を最適な定数に選定することにより１ｄＢ以
内の平坦な振幅周波数特性を得ることができる。
【００２５】図４は、本発明の光受信器の第２の実施の
形態を示す図である。電流増加用の電流増倍用トランス
６をＰＩＮフォトダイオードモジュール４のカソード側
に設置する構成とするものである。この実施の形態で
は、特に、ＰＩＮフォトダイオードモジュール４のカソ
ード側の容量成分が小さい場合には振幅周波数特性の広
域をのばすことができる。
形態を示す図である。電流増加用の電流増倍用トランス
６をＰＩＮフォトダイオードモジュール４のカソード側
に設置する構成とするものである。この実施の形態で
は、特に、ＰＩＮフォトダイオードモジュール４のカソ
ード側の容量成分が小さい場合には振幅周波数特性の広
域をのばすことができる。
【００２６】
【発明の効果】本発明の光受信器によれば、ＰＩＮフォ
トダイオードモジュールの両端に接続したコイルを、Ｐ
ＩＮフォトダイオードモジュールの端子の等価容量等と
共振させることによって振幅周波数特性の高域を補正す
ることが可能となるため、光受信器の振幅周波数特性を
平坦にすることができる。
トダイオードモジュールの両端に接続したコイルを、Ｐ
ＩＮフォトダイオードモジュールの端子の等価容量等と
共振させることによって振幅周波数特性の高域を補正す
ることが可能となるため、光受信器の振幅周波数特性を
平坦にすることができる。
【００２７】また、トランスの電流増倍効果を利用する
ことによって増幅器の入力信号を大きくすることによ
り、増幅器の出力信号を大きくすることができるから、
従来の光受信器に比べ受信感度が向上する。これにより
光受信器の入力換算雑音電流密度が小さくなり、光受信
器のＣ／Ｎ比が良くなる。
ことによって増幅器の入力信号を大きくすることによ
り、増幅器の出力信号を大きくすることができるから、
従来の光受信器に比べ受信感度が向上する。これにより
光受信器の入力換算雑音電流密度が小さくなり、光受信
器のＣ／Ｎ比が良くなる。
【００２８】
【図１】本発明の光受信器の実施の形態を示す図であ
る。
る。
【図２】本実施の形態の光受信器の等価回路を示す図で
ある。
ある。
【図３】本実施の形態による振幅周波数特性を示す図で
ある。
ある。
【図４】本発明の光受信器の他の実施の形態を示す図で
ある。
ある。
【図５】従来例の光受信器を示す図である。
【図６】従来例の光受信器の振幅周波数特性を示す図で
ある。
ある。
１ 電源 ２ コンデンサ ３、５ コイル ４ ＰＩＮフォトダイオードモジュール ６ トランス ７、９ コンデンサ ８ 増幅器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 31/10 Ｈ０４Ｊ 14/00 14/04 14/06 Ｈ０４Ｂ 10/02
Claims (4)
- 【請求項１】 ＰＩＮフォトダイオードモジュールと、
前記ＰＩＮフォトダイオードモジュールのカソードと電
源電位点の間に接続された第１の共振用コイルと、前記
ＰＩＮフォトダイオードモジュールのアノードと基準電
位点の間に直列接続された第２の共振用コイル及び電流
増倍用トランスの一次巻線と、前記電流増倍用トランス
の二次巻線に接続した増幅器とを有することを特徴とす
る光受信器。 - 【請求項２】 ＰＩＮフォトダイオードモジュールと、
前記ＰＩＮフォトダイオードモジュールのカソードと基
準電位点との間に直列接続された第１の共振用コイル及
び電流増倍用トランスの一次巻線と、前記電流増倍用ト
ランスの二次巻線に接続した増幅器と、前記ＰＩＮフォ
トダイオードモジュールのアノードと電源電位点の間に
接続された第２の共振用コイルとを有することを特徴と
する光受信器。 - 【請求項３】 前記電源電位点はＰＩＮフォトダイオー
ドモジュールに逆バイアスを供給する電位点であり、前
記電源電位点と前記基準電位点との間に接続したコンデ
ンサと、前記増幅器の入力部及び出力部に接続した直流
カット用のコンデンサを有することを特徴とする請求項
１又は２記載の光受信器。 - 【請求項４】 前記第１及び第２の共振用コイルは高周
波領域の異なる周波数で共振することを特徴とする請求
項１、２又は３記載の光受信器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9049609A JPH10233741A (ja) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | 光受信器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9049609A JPH10233741A (ja) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | 光受信器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10233741A true JPH10233741A (ja) | 1998-09-02 |
Family
ID=12835985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9049609A Pending JPH10233741A (ja) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | 光受信器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10233741A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100975870B1 (ko) | 2008-10-17 | 2010-08-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 광 센싱 회로, 이의 구동 방법 및 광 센싱 회로를 포함하는터치 패널 |
| KR100975871B1 (ko) | 2008-10-17 | 2010-08-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 광 센싱 회로, 이를 포함하는 터치 패널, 및 광 센싱 회로의 구동 방법 |
| CN103367517A (zh) * | 2012-03-31 | 2013-10-23 | 青岛博光电子有限公司 | Si基GeMSM波导共振腔增强型光电探测器 |
-
1997
- 1997-02-19 JP JP9049609A patent/JPH10233741A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100975870B1 (ko) | 2008-10-17 | 2010-08-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 광 센싱 회로, 이의 구동 방법 및 광 센싱 회로를 포함하는터치 패널 |
| KR100975871B1 (ko) | 2008-10-17 | 2010-08-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 광 센싱 회로, 이를 포함하는 터치 패널, 및 광 센싱 회로의 구동 방법 |
| US8289298B2 (en) | 2008-10-17 | 2012-10-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Light sensing circuit, method of driving the same, and touch panel including the light sensing circuit |
| US8754875B2 (en) | 2008-10-17 | 2014-06-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Light sensing circuit, touch panel including the same, and method of driving the light sensing circuit |
| CN103367517A (zh) * | 2012-03-31 | 2013-10-23 | 青岛博光电子有限公司 | Si基GeMSM波导共振腔增强型光电探测器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003134051A (ja) | 光受信モジュール、光受信器及び光ファイバ通信機器 | |
| EP0372742B1 (en) | Broadband optical receiver | |
| EP0909044B1 (en) | Optical receiver | |
| US5471492A (en) | Broadband matching network | |
| US5907422A (en) | Universal optical signal receiver | |
| JPH10233741A (ja) | 光受信器 | |
| JPH05183318A (ja) | ループアンテナ | |
| US7030937B2 (en) | Simplified TV tuner intermediate frequency circuit | |
| US6665022B1 (en) | Input circuit of TV tuner | |
| JPH09307169A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| KR0180932B1 (ko) | 소비전력과 발열량을 감소시킬 수 있는 튜너 | |
| US3931576A (en) | Automatic gain control circuit for radio receiver | |
| JPH09307173A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| JPH05206765A (ja) | 増幅回路構成 | |
| JP3134127B2 (ja) | Ｆｍ用高周波増幅回路 | |
| JPH09130285A (ja) | テレビジョンチューナの入力回路 | |
| JPH1075003A (ja) | 内蔵整合ユニット付き半導体レーザモジュール | |
| JPH05145360A (ja) | 光受信回路および光送信回路 | |
| JP3138772B2 (ja) | 高周波増幅回路 | |
| JPH06284090A (ja) | 光受信器 | |
| US5270579A (en) | Circuit arrangement for generating an inverse voltage for switching diodes | |
| KR930004660Y1 (ko) | 슈퍼 헤테로다인 수신회로 | |
| KR19990049179A (ko) | 위상 보정 회로를 적용한 rf 스위치 | |
| JPH07283711A (ja) | 光受信装置 | |
| JPH09116497A (ja) | 光受信器 |