JPH10233471A - 赤外線データ通信モジュール及びその製造方法 - Google Patents
赤外線データ通信モジュール及びその製造方法Info
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- JPH10233471A JPH10233471A JP4958897A JP4958897A JPH10233471A JP H10233471 A JPH10233471 A JP H10233471A JP 4958897 A JP4958897 A JP 4958897A JP 4958897 A JP4958897 A JP 4958897A JP H10233471 A JPH10233471 A JP H10233471A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードフレームの上面側のみ実装のため小型
化に限界があった。 【解決手段】 基板１４の上下面に形成した導電パター
ンをスルーホール１２のスルーホール電極１２ａを介し
て接続する。基板１４の側面に外部接続用電極１３ａを
形成し、基板１４の上面側に発光素子３、受光素子４、
ＩＣチップ５及びコンデンサ８等の電子部品の中、少な
くとも発光素子３及び受光素子４を実装し、下面側にそ
れ以外の電子部品を実装し、上面側の発光素子３及び受
光素子４の上面を半球レンズ部６ａ、６ｂで覆うように
透光性樹脂６で樹脂封止すると共に、下面側の電子部品
を半田付けして固着する。更に、半球レンズ部６ａ、６
ｂと外部接続用電極面を除く全ての面をシールドケース
で覆い、外部からのノイズの影響を防ぐ。基板に両面実
装するため超小型化が図れる。多数個生産のためコスト
ダウンが可能である。
化に限界があった。 【解決手段】 基板１４の上下面に形成した導電パター
ンをスルーホール１２のスルーホール電極１２ａを介し
て接続する。基板１４の側面に外部接続用電極１３ａを
形成し、基板１４の上面側に発光素子３、受光素子４、
ＩＣチップ５及びコンデンサ８等の電子部品の中、少な
くとも発光素子３及び受光素子４を実装し、下面側にそ
れ以外の電子部品を実装し、上面側の発光素子３及び受
光素子４の上面を半球レンズ部６ａ、６ｂで覆うように
透光性樹脂６で樹脂封止すると共に、下面側の電子部品
を半田付けして固着する。更に、半球レンズ部６ａ、６
ｂと外部接続用電極面を除く全ての面をシールドケース
で覆い、外部からのノイズの影響を防ぐ。基板に両面実
装するため超小型化が図れる。多数個生産のためコスト
ダウンが可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パーソナルコンピ
ューター、プリンター、ＰＤＡ、ファクシミリ、ページ
ャー、携帯電話等の電子機器に使用される赤外線データ
通信モジュール及びその製造方法に関する。
ューター、プリンター、ＰＤＡ、ファクシミリ、ページ
ャー、携帯電話等の電子機器に使用される赤外線データ
通信モジュール及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信機能を搭載したノート型パ
ソコン、ＰＤＡ、携帯電話等の携帯機器で赤外線データ
通信モジュールの小型化がより強く要求されている。Ｌ
ＥＤからなる発光素子、フォトダイオードからなる受光
素子、アンプ、ドライブ回路等が組み込まれたＩＣから
なる回路部をリードフレームに直接ダイボンド及びワイ
ヤーボンドし、可視光カットエボキシ樹脂によるレンズ
一体の樹脂モールドで、送信部と受信部を一パッケージ
化した赤外線データ通信モジュールが開発されている。
従来の一般的な赤外線データ通信モジュールの構造につ
いて、図１３〜図１７でその概要を説明する。図１３は
赤外線データ通信モジュールの外観を示す正面図、図１
４は図１３を上面から透視した平面図、図１５は図１４
の内部構成を示す断面図、図１６は従来の他の赤外線デ
ータ通信モジュールを上面から透視した平面図、図１７
は従来の赤外線データ通信モジュールをマザーボードに
実装した状態を示す斜視図である。
ソコン、ＰＤＡ、携帯電話等の携帯機器で赤外線データ
通信モジュールの小型化がより強く要求されている。Ｌ
ＥＤからなる発光素子、フォトダイオードからなる受光
素子、アンプ、ドライブ回路等が組み込まれたＩＣから
なる回路部をリードフレームに直接ダイボンド及びワイ
ヤーボンドし、可視光カットエボキシ樹脂によるレンズ
一体の樹脂モールドで、送信部と受信部を一パッケージ
化した赤外線データ通信モジュールが開発されている。
従来の一般的な赤外線データ通信モジュールの構造につ
いて、図１３〜図１７でその概要を説明する。図１３は
赤外線データ通信モジュールの外観を示す正面図、図１
４は図１３を上面から透視した平面図、図１５は図１４
の内部構成を示す断面図、図１６は従来の他の赤外線デ
ータ通信モジュールを上面から透視した平面図、図１７
は従来の赤外線データ通信モジュールをマザーボードに
実装した状態を示す斜視図である。
【０００３】図１３〜図１５において、赤外線データ通
信モジュール１は、リードフレーム２の上面側のみに、
発光素子３、受光素子４及びＩＣチップ５をダイボンド
及びワイヤーボンディングして接続されている。前記電
子部品を保護すると共に、発光素子３及び受光素子４の
上面を可視光線カット剤入りエポキシ系樹脂等の透光性
樹脂６で、赤外線光を照射及び集光する機能を持つ、半
球レンズ部６ａ及び６ｂを形成するように樹脂封止す
る。前記リードフレーム２の端子２ａは、プンリト基板
等のマザーボード７の配線パターン７ａ（図１７）に実
装するために赤外線データ通信モジュール１の本体より
外部に飛び出している。
信モジュール１は、リードフレーム２の上面側のみに、
発光素子３、受光素子４及びＩＣチップ５をダイボンド
及びワイヤーボンディングして接続されている。前記電
子部品を保護すると共に、発光素子３及び受光素子４の
上面を可視光線カット剤入りエポキシ系樹脂等の透光性
樹脂６で、赤外線光を照射及び集光する機能を持つ、半
球レンズ部６ａ及び６ｂを形成するように樹脂封止す
る。前記リードフレーム２の端子２ａは、プンリト基板
等のマザーボード７の配線パターン７ａ（図１７）に実
装するために赤外線データ通信モジュール１の本体より
外部に飛び出している。
【０００４】図１６は、前記リードフレーム２の上面側
に、前述した発光素子３、受光素子４及びＩＣチップ５
以外に、更にコンデンサ８を実装したものである。他の
構成は前述と同様であるので説明は省略する。
に、前述した発光素子３、受光素子４及びＩＣチップ５
以外に、更にコンデンサ８を実装したものである。他の
構成は前述と同様であるので説明は省略する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た赤外線データ通信モジュールには次のような問題点が
ある。即ち、リードフレームを使用した実装構造では、
赤外線データ通信モジュールの構成部品である発光素
子、受光素子、ＩＣチップ及びコンデンサ等をリードフ
レームの上面側だけに配設するために、実装スペースが
そのまま構成部品の面積に効き、平面的にサイズを小さ
くするのに限界があった。また、リードフレームのリー
ド端子が本体の外側に飛び出しているので実装スペース
が広くなり、高密度実装を妨げる等の様々な問題があっ
た。
た赤外線データ通信モジュールには次のような問題点が
ある。即ち、リードフレームを使用した実装構造では、
赤外線データ通信モジュールの構成部品である発光素
子、受光素子、ＩＣチップ及びコンデンサ等をリードフ
レームの上面側だけに配設するために、実装スペースが
そのまま構成部品の面積に効き、平面的にサイズを小さ
くするのに限界があった。また、リードフレームのリー
ド端子が本体の外側に飛び出しているので実装スペース
が広くなり、高密度実装を妨げる等の様々な問題があっ
た。
【０００６】本発明は上記従来の課題に鑑みなされたも
のであり、その目的は、スルーホール付き回路基板を使
用して、回路基板の表側及び裏側の両面に電子部品の搭
載を可能にする。更に、回路基板の側面に外部接続用電
極を形成して、プリント基板等との実装を可能にし、実
装スペースも小さくする。多数個取り生産を行い、超小
型で安価な赤外線データ通信モジュール及びその製造方
法を提供するものである。
のであり、その目的は、スルーホール付き回路基板を使
用して、回路基板の表側及び裏側の両面に電子部品の搭
載を可能にする。更に、回路基板の側面に外部接続用電
極を形成して、プリント基板等との実装を可能にし、実
装スペースも小さくする。多数個取り生産を行い、超小
型で安価な赤外線データ通信モジュール及びその製造方
法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における赤外線データ通信モジュールは、平
面が略長方形形状の基板の上面及び下面に形成した導電
パターンと、前記基板の平面上に形成したスルーホール
のスルーホール電極を介して電気的に接続すると共に、
少なくとも前記基板の一方の側面に、プリント基板等の
配線パターンと接続する外部接続用電極とを形成した回
路基板と、前記回路基板の上面側に、発光素子、受光素
子、ＩＣチップ及びコンデンサ等の電子部品の中、少な
くとも発光素子及び受光素子を実装し、下面側に、前記
発光素子及び受光素子以外の電子部品を実装し、上面側
の発光素子及び受光素子の上面を半球レンズ部で覆うよ
うに透光性樹脂で樹脂封止すると共に、下面側の電子部
品を樹脂封止又は半田付け等の固着手段で固着したこと
を特徴とするものである。
に、本発明における赤外線データ通信モジュールは、平
面が略長方形形状の基板の上面及び下面に形成した導電
パターンと、前記基板の平面上に形成したスルーホール
のスルーホール電極を介して電気的に接続すると共に、
少なくとも前記基板の一方の側面に、プリント基板等の
配線パターンと接続する外部接続用電極とを形成した回
路基板と、前記回路基板の上面側に、発光素子、受光素
子、ＩＣチップ及びコンデンサ等の電子部品の中、少な
くとも発光素子及び受光素子を実装し、下面側に、前記
発光素子及び受光素子以外の電子部品を実装し、上面側
の発光素子及び受光素子の上面を半球レンズ部で覆うよ
うに透光性樹脂で樹脂封止すると共に、下面側の電子部
品を樹脂封止又は半田付け等の固着手段で固着したこと
を特徴とするものである。
【０００８】また、前記回路基板の上面側に、発光素子
及び受光素子を、下面側に、ＩＣチップをそれぞれ実装
し、前記発光素子及び受光素子の上面を半球レンズ部で
覆うように透光性樹脂で樹脂封止すると共に、前記ＩＣ
チップを樹脂封止したことを特徴とするものである。
及び受光素子を、下面側に、ＩＣチップをそれぞれ実装
し、前記発光素子及び受光素子の上面を半球レンズ部で
覆うように透光性樹脂で樹脂封止すると共に、前記ＩＣ
チップを樹脂封止したことを特徴とするものである。
【０００９】また、前記回路基板の上面側に、発光素
子、受光素子及びＩＣチップを、下面側に、コンデンサ
をそれぞれ実装し、上面側はＩＣチップを含み、前記発
光素子及び受光素子の上面を半球レンズ部で形成するよ
うに透光性樹脂で樹脂封止し、下面側は半田付け等の固
着手段で固着したことを特徴とするものである。
子、受光素子及びＩＣチップを、下面側に、コンデンサ
をそれぞれ実装し、上面側はＩＣチップを含み、前記発
光素子及び受光素子の上面を半球レンズ部で形成するよ
うに透光性樹脂で樹脂封止し、下面側は半田付け等の固
着手段で固着したことを特徴とするものである。
【００１０】また、前記発光素子及び受光素子の上面に
形成した半球レンズ部に対応する位置に透孔部を有し、
前記回路基板の側面に形成した外部接続用電極面に対応
する位置に開口部を有するシールドケースで、前記モジ
ュール本体を覆ったことを特徴とするものである。
形成した半球レンズ部に対応する位置に透孔部を有し、
前記回路基板の側面に形成した外部接続用電極面に対応
する位置に開口部を有するシールドケースで、前記モジ
ュール本体を覆ったことを特徴とするものである。
【００１１】また、本発明の赤外線データ通信モジュー
ルの製造方法は、集合基板の各列毎に、所定の位置に複
数個の上下面導電パターン接続用スルーホールと、前記
各列間の直線上に複数個の外部接続用電極スルーホール
を形成するスルーホール加工工程と、メッキ処理により
前記スルーホールの内面を含む集合基板の全表面にメッ
キ層を形成するメッキ工程と、メッキレジストをラミネ
ートし、露光現像後パターンマスクを形成し、パターン
エッチングを行い、前記集合基板の上面及び下面に導電
パターンと、前記スルーホールにスルーホール電極を形
成して電気的に接続して回路基板集合体を形成するエッ
チング工程と、前記回路基板集合体の上面側に、発光素
子、受光素子、ＩＣチップ及びコンデンサ等の電子部品
の中、少なくとも発光素子及び受光素子を実装し、下面
側に、前記発光素子及び受光素子以外の電子部品を実装
する電子部品実装工程と、上面側の発光素子及び受光素
子の上面を半球レンズ部で覆うように透光性樹脂で樹脂
封止すると共に、下面側の電子部品を樹脂封止又は半田
等の固着手段で固着して赤外線データ通信モジュール集
合体を形成する封止工程と、前記赤外線データ通信モジ
ュール集合体を直交する２つのカットラインに沿って切
断して単体の赤外線データ通信モジュールに分割する切
断工程とからなることを特徴とするものである。
ルの製造方法は、集合基板の各列毎に、所定の位置に複
数個の上下面導電パターン接続用スルーホールと、前記
各列間の直線上に複数個の外部接続用電極スルーホール
を形成するスルーホール加工工程と、メッキ処理により
前記スルーホールの内面を含む集合基板の全表面にメッ
キ層を形成するメッキ工程と、メッキレジストをラミネ
ートし、露光現像後パターンマスクを形成し、パターン
エッチングを行い、前記集合基板の上面及び下面に導電
パターンと、前記スルーホールにスルーホール電極を形
成して電気的に接続して回路基板集合体を形成するエッ
チング工程と、前記回路基板集合体の上面側に、発光素
子、受光素子、ＩＣチップ及びコンデンサ等の電子部品
の中、少なくとも発光素子及び受光素子を実装し、下面
側に、前記発光素子及び受光素子以外の電子部品を実装
する電子部品実装工程と、上面側の発光素子及び受光素
子の上面を半球レンズ部で覆うように透光性樹脂で樹脂
封止すると共に、下面側の電子部品を樹脂封止又は半田
等の固着手段で固着して赤外線データ通信モジュール集
合体を形成する封止工程と、前記赤外線データ通信モジ
ュール集合体を直交する２つのカットラインに沿って切
断して単体の赤外線データ通信モジュールに分割する切
断工程とからなることを特徴とするものである。
【００１２】また、前記発光素子及び受光素子の上面に
形成した半球レンズ部に対応する位置に透孔部を有し、
前記回路基板の側面に形成した外部接続用電極面に対応
する位置に開口部を有するシールドケースで、単体の赤
外線データ通信モジュール本体を覆うシールド工程とか
らなることを特徴とするものである。
形成した半球レンズ部に対応する位置に透孔部を有し、
前記回路基板の側面に形成した外部接続用電極面に対応
する位置に開口部を有するシールドケースで、単体の赤
外線データ通信モジュール本体を覆うシールド工程とか
らなることを特徴とするものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明にお
ける赤外線データ通信モジュール及びその製造方法につ
いて説明する。図１、図２、図８、図９及び図１０は本
発明の第１の実施の形態である赤外線データ通信モジュ
ール及びその製造方法に係わり、図１は赤外線データ通
信モジュールの断面図、図２は図１の赤外線データ通信
モジュールをマザーボードに実装する状態を示す斜視
図、図８は赤外線データ通信モジュールの製造方法を説
明する回路基板集合体の上面側の部分斜視図、図９は図
８の下面側の部分斜視図、図１０は樹脂封止した赤外線
データ通信モジュール集合体の部分斜視図である。図に
おいて、従来技術と同一部材は同一符号で示す。
ける赤外線データ通信モジュール及びその製造方法につ
いて説明する。図１、図２、図８、図９及び図１０は本
発明の第１の実施の形態である赤外線データ通信モジュ
ール及びその製造方法に係わり、図１は赤外線データ通
信モジュールの断面図、図２は図１の赤外線データ通信
モジュールをマザーボードに実装する状態を示す斜視
図、図８は赤外線データ通信モジュールの製造方法を説
明する回路基板集合体の上面側の部分斜視図、図９は図
８の下面側の部分斜視図、図１０は樹脂封止した赤外線
データ通信モジュール集合体の部分斜視図である。図に
おいて、従来技術と同一部材は同一符号で示す。
【００１４】図１及び図２において、１１はガラスエポ
キシ樹脂等よりなる平面が略長方形形状の絶縁性を有す
る樹脂基板で、その上面及び下面に形成した導電パター
ン（図示せず）が、前記樹脂基板１１の平面上に形成し
たスルーホール１２のスルーホール電極１２ａを介して
電気的に接続する。また、前記樹脂基板１１の一方の側
面に形成した複数個のスルーホール１３のスルーホール
電極が、プリント基板等のマザーボード７の配線パター
ン７ａと接続する外部接続用電極１３ａとなる。前記樹
脂基板１１に導電パターンが形成された回路基板１４が
構成される。前記スルーホール１３のスルーホール電極
である外部接続用電極１３ａはその一部が回路基板１４
の下面まで延びて外部接続用電極１３ｂを形成して、側
面実装を可能にしている。尚、本実施の形態において
は、回路基板１４は、ガラスエポキシ基板を使用した
が、アルミナセラミック基板、ポリエステルやポリイミ
ド等のプラスチックフィルム基板等を使用しても良い。
キシ樹脂等よりなる平面が略長方形形状の絶縁性を有す
る樹脂基板で、その上面及び下面に形成した導電パター
ン（図示せず）が、前記樹脂基板１１の平面上に形成し
たスルーホール１２のスルーホール電極１２ａを介して
電気的に接続する。また、前記樹脂基板１１の一方の側
面に形成した複数個のスルーホール１３のスルーホール
電極が、プリント基板等のマザーボード７の配線パター
ン７ａと接続する外部接続用電極１３ａとなる。前記樹
脂基板１１に導電パターンが形成された回路基板１４が
構成される。前記スルーホール１３のスルーホール電極
である外部接続用電極１３ａはその一部が回路基板１４
の下面まで延びて外部接続用電極１３ｂを形成して、側
面実装を可能にしている。尚、本実施の形態において
は、回路基板１４は、ガラスエポキシ基板を使用した
が、アルミナセラミック基板、ポリエステルやポリイミ
ド等のプラスチックフィルム基板等を使用しても良い。
【００１５】３は高速赤外ＬＥＤからなる発光素子であ
り、４はフォトダイオードからなる受光素子である。両
者はそれぞれ回路基板１４の上面側に実装されており、
導電パターンにダイボンド及びワイヤーボンドされ接続
されている。５は高速アンプ、ドライブ回路等が組み込
まれた回路部を有するＩＣチップであり、回路基板１４
の下面側の導電パターンにダイボンド及びワイヤーボン
ドされ、前記スルーホール１２のスルーホール電極１２
ａを介して接続されている。
り、４はフォトダイオードからなる受光素子である。両
者はそれぞれ回路基板１４の上面側に実装されており、
導電パターンにダイボンド及びワイヤーボンドされ接続
されている。５は高速アンプ、ドライブ回路等が組み込
まれた回路部を有するＩＣチップであり、回路基板１４
の下面側の導電パターンにダイボンド及びワイヤーボン
ドされ、前記スルーホール１２のスルーホール電極１２
ａを介して接続されている。
【００１６】６は、従来と同様に発光素子３及び受光素
子４を樹脂封止する可視光カット剤入りエボキシ系の透
光性樹脂である。該透光性樹脂６により、発光素子３及
び受光素子４の上面に半球型レンズ部６ａ及び６ｂを形
成して、赤外線光の照射及び集光の機能を持たせると同
時に両素子の保護を行う。回路基板１４の下面に実装し
たＩＣチップ５の封止は、前記透光性樹脂６に限らず、
他の熱硬化性の樹脂で封止しても良い。
子４を樹脂封止する可視光カット剤入りエボキシ系の透
光性樹脂である。該透光性樹脂６により、発光素子３及
び受光素子４の上面に半球型レンズ部６ａ及び６ｂを形
成して、赤外線光の照射及び集光の機能を持たせると同
時に両素子の保護を行う。回路基板１４の下面に実装し
たＩＣチップ５の封止は、前記透光性樹脂６に限らず、
他の熱硬化性の樹脂で封止しても良い。
【００１７】図７は、前述した回路基板１４の側面に形
成した複数個の外部接続用電極１３ａ及び１３ｂを示す
部分拡大図である。前記外部接続用電極１３ａは後述す
る回路基板集合体のカットライン上に形成した複数個の
スルーホール１３を、切断した時にできる半円形状のス
ルーホール電極である。
成した複数個の外部接続用電極１３ａ及び１３ｂを示す
部分拡大図である。前記外部接続用電極１３ａは後述す
る回路基板集合体のカットライン上に形成した複数個の
スルーホール１３を、切断した時にできる半円形状のス
ルーホール電極である。
【００１８】以上の構成からなる赤外線データ通信モジ
ュール１０を、各種機器のプリント基板等のマザーボー
ド７に実装するには、図２に示すように、赤外線データ
通信モジュール１０側の外部接続用電極１３ａ（スルー
ホール電極）を、マザーボード７の配線パターン７ａに
位置合わせした後、リフロー半田付け等の固着手段によ
り接続する。前記発光素子３及び受光素子４の発光・受
光の方向がマザーボード７の表面に対して平行になるよ
うに側面実装することができる。
ュール１０を、各種機器のプリント基板等のマザーボー
ド７に実装するには、図２に示すように、赤外線データ
通信モジュール１０側の外部接続用電極１３ａ（スルー
ホール電極）を、マザーボード７の配線パターン７ａに
位置合わせした後、リフロー半田付け等の固着手段によ
り接続する。前記発光素子３及び受光素子４の発光・受
光の方向がマザーボード７の表面に対して平行になるよ
うに側面実装することができる。
【００１９】以上の構成により、図８、図９及び図１０
によりその製造方法について説明する。先ず、図８にお
いて、スルーホール加工工程は、ガラスエポキシ樹脂等
よりなる多数個取りする集合樹脂基板１１ａの各列毎
に、所定の位置に複数個の上下面導電パターン接続用の
スルーホール１２と、隔列間（後述するＸ方向のカット
ラインでＸ２、Ｘ４・・・）の直線上に複数個の外部接
続用電極のスルーホール１３を形成するスルーホール加
工を、切削又はプレス等の加工手段により形成する。
によりその製造方法について説明する。先ず、図８にお
いて、スルーホール加工工程は、ガラスエポキシ樹脂等
よりなる多数個取りする集合樹脂基板１１ａの各列毎
に、所定の位置に複数個の上下面導電パターン接続用の
スルーホール１２と、隔列間（後述するＸ方向のカット
ラインでＸ２、Ｘ４・・・）の直線上に複数個の外部接
続用電極のスルーホール１３を形成するスルーホール加
工を、切削又はプレス等の加工手段により形成する。
【００２０】次に、メッキ工程において、前記２種類の
スルーホール１２、１３の壁面を含む集合樹脂基板１１
ａの全表面を洗浄した後、前記集合樹脂基板１１ａの全
表面を無電解メッキにより銅メッキ層を形成し、その上
に電解メッキによりニッケルメッキ層を形成し、更に、
その上に電解メッキにより金メッキ層を形成する。
スルーホール１２、１３の壁面を含む集合樹脂基板１１
ａの全表面を洗浄した後、前記集合樹脂基板１１ａの全
表面を無電解メッキにより銅メッキ層を形成し、その上
に電解メッキによりニッケルメッキ層を形成し、更に、
その上に電解メッキにより金メッキ層を形成する。
【００２１】更に、エッチング工程において、メッキレ
ジストをラミネートし、露光現像してパターンマスクを
形成し、前記集合樹脂基板１１ａの上面及び下面に導電
パターンを形成し、前記スルーホール１２の壁面に、上
下の導電パターンを接続する縦パターン１２ａと、スル
ーホール１３の壁面に外部接続用電極１３ａと、その一
部が回路基板１４の下面まで延びて外部接続用電極１３
ｂを形成して、回路基板集合体１４ａが形成される。
ジストをラミネートし、露光現像してパターンマスクを
形成し、前記集合樹脂基板１１ａの上面及び下面に導電
パターンを形成し、前記スルーホール１２の壁面に、上
下の導電パターンを接続する縦パターン１２ａと、スル
ーホール１３の壁面に外部接続用電極１３ａと、その一
部が回路基板１４の下面まで延びて外部接続用電極１３
ｂを形成して、回路基板集合体１４ａが形成される。
【００２２】次に、電子部品実装工程において、図８に
示すように、前記回路基板集合体１４ａの上面側の所定
の位置に、高速赤外ＬＥＤよりなる発光素子３と、フォ
トダイオードよりなる受光素子４を、導電パターンに接
着剤又は半田等の固着手段で、ダイボンド及びワイヤー
ボンド実装される。更に、図９に示すように、前記回路
基板集合体１４ａの下面側の所定の位置に、前記発光素
子３及び受光素子４以外の他の電子部品、例えば、ＩＣ
チップ５を同様にダイボンド及びワイヤーボンド実装さ
れる。上面側及び下面側に実装された電子部品はスルー
ホール１２のスルーホール電極１２ａを介して接続され
ている。
示すように、前記回路基板集合体１４ａの上面側の所定
の位置に、高速赤外ＬＥＤよりなる発光素子３と、フォ
トダイオードよりなる受光素子４を、導電パターンに接
着剤又は半田等の固着手段で、ダイボンド及びワイヤー
ボンド実装される。更に、図９に示すように、前記回路
基板集合体１４ａの下面側の所定の位置に、前記発光素
子３及び受光素子４以外の他の電子部品、例えば、ＩＣ
チップ５を同様にダイボンド及びワイヤーボンド実装さ
れる。上面側及び下面側に実装された電子部品はスルー
ホール１２のスルーホール電極１２ａを介して接続され
ている。
【００２３】更に、樹脂封止工程において、図１０に示
すように、前記回路基板集合体１４ａの上面側を、エポ
キシ系樹脂等の透光性樹脂６で、トランスファーモール
ド等のモールド手段で、発光素子３及び受光素子４の上
面を半球レンズ部６ａ及び６ｂで覆うように樹脂封止す
る。下面側のＩＣチップ５も同様に、前記透光性樹脂６
又は熱硬化性の封止樹脂により封止する。以上により、
赤外線データ通信モジュール集合体１０ａが形成され
る。
すように、前記回路基板集合体１４ａの上面側を、エポ
キシ系樹脂等の透光性樹脂６で、トランスファーモール
ド等のモールド手段で、発光素子３及び受光素子４の上
面を半球レンズ部６ａ及び６ｂで覆うように樹脂封止す
る。下面側のＩＣチップ５も同様に、前記透光性樹脂６
又は熱硬化性の封止樹脂により封止する。以上により、
赤外線データ通信モジュール集合体１０ａが形成され
る。
【００２４】次に、切断工程において、前記赤外線デー
タ通信モジュール集合体１０ａを、直交するＸ方向カッ
トライン１５、Ｙ方向カットライン１６に沿って、ダイ
シング又はスライシングマシン等で切断して単体の赤外
線データ通信モジュール１０に分割する。図１０に示す
ように、Ｘ方向カットライン１５の中、カットラインＸ
２の列上には外部接続用電極１３ａとなる複数個のスル
ーホール電極が形成されており、スルーホール１３上を
切断することにより、単体の赤外線データ通信モジュー
ル１０の一方の側面には半円形状のスルーホール電極で
ある外部接続用電極１３ａが形成されることになる。前
記スルーホール１３は隔列毎（Ｘ２、Ｘ４・・・）に形
成したが、必要により各列毎（Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３・・
・）に形成して、切断後に回路基板１４の両サイドに外
部接続用電極１３ａを形成しても良い。
タ通信モジュール集合体１０ａを、直交するＸ方向カッ
トライン１５、Ｙ方向カットライン１６に沿って、ダイ
シング又はスライシングマシン等で切断して単体の赤外
線データ通信モジュール１０に分割する。図１０に示す
ように、Ｘ方向カットライン１５の中、カットラインＸ
２の列上には外部接続用電極１３ａとなる複数個のスル
ーホール電極が形成されており、スルーホール１３上を
切断することにより、単体の赤外線データ通信モジュー
ル１０の一方の側面には半円形状のスルーホール電極で
ある外部接続用電極１３ａが形成されることになる。前
記スルーホール１３は隔列毎（Ｘ２、Ｘ４・・・）に形
成したが、必要により各列毎（Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３・・
・）に形成して、切断後に回路基板１４の両サイドに外
部接続用電極１３ａを形成しても良い。
【００２５】図３、図１１及び図１２は本発明の第２の
実施の形態である赤外線データ通信モジュール及びその
製造方法に係わり、図３は赤外線データ通信モジュール
の断面図、図１１は赤外線データ通信モジュールの製造
方法を説明する回路基板集合体の上面側の部分斜視図、
図１２は図１１の下面側の部分斜視図である。
実施の形態である赤外線データ通信モジュール及びその
製造方法に係わり、図３は赤外線データ通信モジュール
の断面図、図１１は赤外線データ通信モジュールの製造
方法を説明する回路基板集合体の上面側の部分斜視図、
図１２は図１１の下面側の部分斜視図である。
【００２６】図３において、前記回路基板１４の上面側
には、前述と同様に、高速赤外ＬＥＤからなる発光素子
３、フォトダイオードからなる受光素子４と、それ以外
に、回路部を構成するＩＣチップ５が実装され、導電パ
ターンにダイボンド及びワイヤーボンドされ接続されて
いる。回路基板１４の下面側には、コンデンサ８が高融
点半田１８により半田付けされている。高融点半田１８
は、例えばＰｂ：９０％、Ｓｎ：１０％、融点２５０°
Ｃを使用するが、これは完成された本モジュールがセッ
トメーカーでマウント、リフロー工程で処理されるた
め、リフローで半田が溶解するのを防ぐためである。
には、前述と同様に、高速赤外ＬＥＤからなる発光素子
３、フォトダイオードからなる受光素子４と、それ以外
に、回路部を構成するＩＣチップ５が実装され、導電パ
ターンにダイボンド及びワイヤーボンドされ接続されて
いる。回路基板１４の下面側には、コンデンサ８が高融
点半田１８により半田付けされている。高融点半田１８
は、例えばＰｂ：９０％、Ｓｎ：１０％、融点２５０°
Ｃを使用するが、これは完成された本モジュールがセッ
トメーカーでマウント、リフロー工程で処理されるた
め、リフローで半田が溶解するのを防ぐためである。
【００２７】第１の実施の形態で説明したと同様に、上
面側は、透光性樹脂６によりＩＣチップ５を保護すると
同時に、発光素子３及び受光素子４の上面に半球型レン
ズ部６ａ及び６ｂを形成する。下面側に実装したコンデ
ンサ８は封止樹脂で封止してもしなくても良い。赤外線
データ通信モジュール２０が構成される。
面側は、透光性樹脂６によりＩＣチップ５を保護すると
同時に、発光素子３及び受光素子４の上面に半球型レン
ズ部６ａ及び６ｂを形成する。下面側に実装したコンデ
ンサ８は封止樹脂で封止してもしなくても良い。赤外線
データ通信モジュール２０が構成される。
【００２８】図１１及び図１２において、図８及び図９
で説明した第１の実施の形態での製造方法と異なる点
は、上述したように回路基板集合体１４ａの上面側に、
発光素子３、受光素子４以外にＩＣチップ５を実装した
こと、及び下面側にコンデンサ８を半田付けして実装し
たことである。それ以外は第１の実施の形態での製造方
法と同様であるので説明は省略する。
で説明した第１の実施の形態での製造方法と異なる点
は、上述したように回路基板集合体１４ａの上面側に、
発光素子３、受光素子４以外にＩＣチップ５を実装した
こと、及び下面側にコンデンサ８を半田付けして実装し
たことである。それ以外は第１の実施の形態での製造方
法と同様であるので説明は省略する。
【００２９】図４は本発明の第３の実施の形態に係わる
赤外線データ通信モジュール３０の断面図である。図４
に示すように、前述の第１の実施の形態で説明した赤外
線データ通信モジュール１０において、発光素子３及び
受光素子４の上面に形成した半球レンズ部６ａ及び６ｂ
に対応する位置に透孔部３１ａを有し、マザーボード７
に側面実装する場合は、前記回路基板１４の側面に形成
した外部接続用電極面１３ａに対応する位置に開口部３
１ｂを有するステンレス、アルミ、銅等の部材よりなる
シールドケース３１で、前記モジュール本体を覆うこと
により、回路部等を囲っているので、電磁シールド対策
を採ることができ、外部からのノイズ等による影響を防
止するのに極めて有効である。従って、半球レンズ部６
ａ、６ｂ及びマザーボード７に実装される以外の面は、
前記シールドケース３１でカバーされていることにな
る。
赤外線データ通信モジュール３０の断面図である。図４
に示すように、前述の第１の実施の形態で説明した赤外
線データ通信モジュール１０において、発光素子３及び
受光素子４の上面に形成した半球レンズ部６ａ及び６ｂ
に対応する位置に透孔部３１ａを有し、マザーボード７
に側面実装する場合は、前記回路基板１４の側面に形成
した外部接続用電極面１３ａに対応する位置に開口部３
１ｂを有するステンレス、アルミ、銅等の部材よりなる
シールドケース３１で、前記モジュール本体を覆うこと
により、回路部等を囲っているので、電磁シールド対策
を採ることができ、外部からのノイズ等による影響を防
止するのに極めて有効である。従って、半球レンズ部６
ａ、６ｂ及びマザーボード７に実装される以外の面は、
前記シールドケース３１でカバーされていることにな
る。
【００３０】図５は本発明の第４の実施の形態に係わる
赤外線データ通信モジュール４０の断面図である。図５
に示すように、前述の第２の実施の形態で説明した赤外
線データ通信モジュール２０において、シールドケース
３１で上述したように、発光素子３及び受光素子４の上
面に形成した半球レンズ部６ａ及び６ｂに対応する位置
と、マザーボード７に実装する面を除く全ての面を、前
記シールドケース３１で覆うことより、ノイズ対策を採
ったものである。
赤外線データ通信モジュール４０の断面図である。図５
に示すように、前述の第２の実施の形態で説明した赤外
線データ通信モジュール２０において、シールドケース
３１で上述したように、発光素子３及び受光素子４の上
面に形成した半球レンズ部６ａ及び６ｂに対応する位置
と、マザーボード７に実装する面を除く全ての面を、前
記シールドケース３１で覆うことより、ノイズ対策を採
ったものである。
【００３１】図６は、図４又は図５で示したように、シ
ールドケース３１にてカバーした赤外線データ通信モジ
ュール３０又は４０をマザーボード７に実装する状態を
示す斜視図てあり、前述と同様に、モジュール本体側の
外部接続用電極１３ａを、マザーボード７の配線パター
ン７ａに位置合わせした後、半田付け等の固着手段によ
り接続する。前記発光素子３及び受光素子４の発光・受
光の方向がマザーボード７の表面に対して平行になるよ
うに側面実装することができる。
ールドケース３１にてカバーした赤外線データ通信モジ
ュール３０又は４０をマザーボード７に実装する状態を
示す斜視図てあり、前述と同様に、モジュール本体側の
外部接続用電極１３ａを、マザーボード７の配線パター
ン７ａに位置合わせした後、半田付け等の固着手段によ
り接続する。前記発光素子３及び受光素子４の発光・受
光の方向がマザーボード７の表面に対して平行になるよ
うに側面実装することができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
回路基板の上面側に、少なくとも発光素子及び受光素子
を実装し、下面側にＩＣチップ、コンデンサのいづれか
一方、又は両方を実装して、上面側と下面側をスルーホ
ール電極を介して接続することにより、従来のようにリ
ードフレームが本体から飛び出すこともなく、基板の上
下両面に実装することにより、実装スペースを小さくす
ることができた。また、多数個取りする回路基板集合体
のＸ方向のカットライン上のスルーホールに外部接続用
電極を形成して、モジュール本体をマザーボードに側面
実装を可能にし、更に、外部接続用電極の半田付け面積
が拡大されたので、マザーボードとの固定力が増大し、
信頼性が向上した。
回路基板の上面側に、少なくとも発光素子及び受光素子
を実装し、下面側にＩＣチップ、コンデンサのいづれか
一方、又は両方を実装して、上面側と下面側をスルーホ
ール電極を介して接続することにより、従来のようにリ
ードフレームが本体から飛び出すこともなく、基板の上
下両面に実装することにより、実装スペースを小さくす
ることができた。また、多数個取りする回路基板集合体
のＸ方向のカットライン上のスルーホールに外部接続用
電極を形成して、モジュール本体をマザーボードに側面
実装を可能にし、更に、外部接続用電極の半田付け面積
が拡大されたので、マザーボードとの固定力が増大し、
信頼性が向上した。
【００３３】また、半球型レンズ部に対応する位置と、
マザーボードに実装する面を除く全ての面を、シールド
ケースで覆うことより、外部からのノイズ等による影響
を防止することができた。
マザーボードに実装する面を除く全ての面を、シールド
ケースで覆うことより、外部からのノイズ等による影響
を防止することができた。
【００３４】また、多数個取りする回路基板集合体に、
電子部品を実装後、レンズ一体のトランスファーモール
ドで送信部と受信部を樹脂封止し、直交する２つのカッ
トラインに沿って切断、分離することにより、薄型で超
小型の赤外線データ通信モジュールを、多数個取り生産
方式により、容易、且つ極めて安価に製造することを可
能にした。
電子部品を実装後、レンズ一体のトランスファーモール
ドで送信部と受信部を樹脂封止し、直交する２つのカッ
トラインに沿って切断、分離することにより、薄型で超
小型の赤外線データ通信モジュールを、多数個取り生産
方式により、容易、且つ極めて安価に製造することを可
能にした。
【図１】本発明の第１の実施の形態を係わる赤外線デー
タ通信モジュールの断面図である。
タ通信モジュールの断面図である。
【図２】図１の赤外線データ通信モジュールをマザーボ
ードに実装する状態を示す斜視図である。
ードに実装する状態を示す斜視図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係わる赤外線デー
タ通信モジュールの断面図である。
タ通信モジュールの断面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態に係わる赤外線デー
タ通信モジュールの断面図である。
タ通信モジュールの断面図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態に係わる赤外線デー
タ通信モジュールの断面図である。
タ通信モジュールの断面図である。
【図６】図４又は図５の赤外線データ通信モジュールを
マザーボードに実装する状態を示す斜視図である。
マザーボードに実装する状態を示す斜視図である。
【図７】本発明の外部接続用電極を示す斜視図である。
【図８】図１の赤外線データ通信モジュールの製造方法
を説明する回路基板集合体の上面側の斜視図である。
を説明する回路基板集合体の上面側の斜視図である。
【図９】図８の下面側の斜視図である。
【図１０】図８の回路基板集合体の樹脂封止の状態を説
明する斜視図である。
明する斜視図である。
【図１１】図３の赤外線データ通信モジュールの製造方
法を説明する回路基板集合体の上面側の斜視図である。
法を説明する回路基板集合体の上面側の斜視図である。
【図１２】図１１の下面側の斜視図である。
【図１３】従来の赤外線データ通信モジュールの外観正
面図である。
面図である。
【図１４】図１３を上面から透視した平面図である。
【図１５】図１３の断面図である。
【図１６】従来の他の赤外線データ通信モジュールを上
面から透視した平面図である。
面から透視した平面図である。
【図１７】従来のモジュール本体をマザーボードに実装
した状態を示す斜視図である。
した状態を示す斜視図である。
３ 発光素子 ４ 受光素子 ５ ＩＣチップ ６ 透光性樹脂 ７ マザーボード ７ａ 配線パターン ８ コンデンサ １０、２０、３０、４０ 赤外線データ通信モジュール １０ａ 赤外線データ通信モジュール集合体 １１ 樹脂基板 １１ａ 集合樹脂基板 １２、１３ スルーホール １２ａ スルーホール電極 １３ａ、１３ｂ 外部接続用電極 １４ 回路基板 １４ａ 回路基板集合体 １５ Ｘ方向カットライン １６ Ｙ方向カットライン １８ 高融点半田 ３１ シールドケース ３１ａ 透光部 ３１ｂ 開口部
Claims (6)
- 【請求項１】 平面が略長方形形状の基板の上面及び下
面に形成した導電パターンを、前記基板の平面上に形成
したスルーホールのスルーホール電極を介して電気的に
接続すると共に、少なくとも前記基板の一方の側面に、
プリント基板等の配線パターンと接続する外部接続用電
極を形成した回路基板と、前記回路基板の上面側に、発
光素子、受光素子、ＩＣチップ及びコンデンサ等の電子
部品の中、少なくとも発光素子及び受光素子を実装し、
下面側に、前記発光素子及び受光素子以外の電子部品を
実装し、上面側の発光素子及び受光素子の上面を半球レ
ンズ部で覆うように透光性樹脂で樹脂封止すると共に、
下面側の電子部品を樹脂封止又は半田付け等の固着手段
で固着したことを特徴とする赤外線データ通信モジュー
ル。 - 【請求項２】 前記回路基板の上面側に、発光素子及び
受光素子を、下面側に、ＩＣチップをそれぞれ実装し、
前記発光素子及び受光素子の上面を半球レンズ部で覆う
ように透光性樹脂で樹脂封止すると共に、前記ＩＣチッ
プを樹脂封止したことを特徴とする請求項１記載の赤外
線データ通信モジュール。 - 【請求項３】 前記回路基板の上面側に、発光素子、受
光素子及びＩＣチップを、下面側に、コンデンサをそれ
ぞれ実装し、上面側はＩＣチップを含み、前記発光素子
及び受光素子の上面を半球レンズ部で覆うように透光性
樹脂で樹脂封止し、下面側は半田付け等の固着手段で固
着したことを特徴とする請求項１記載の赤外線データ通
信モジュール。 - 【請求項４】 前記発光素子及び受光素子の上面に形成
した半球レンズ部に対応する位置に透孔部を有し、前記
回路基板の側面に形成した外部接続用電極面に対応する
位置に開口部を有するシールドケースで、前記モジュー
ル本体を覆ったことを特徴とする請求項２又は３記載の
赤外線データ通信モジュール。 - 【請求項５】 集合基板の各列毎に、所定の位置に複数
個の上下面導電パターン接続用スルーホールと、前記各
列間の直線上に複数個の外部接続用電極スルーホールを
形成するスルーホール加工工程と、メッキ処理により前
記スルーホールの内面を含む集合基板の全表面にメッキ
層を形成するメッキ工程と、メッキレジストをラミネー
トし、露光現像後パターンマスクを形成し、パターンエ
ッチングを行い、前記集合基板の上面及び下面に導電パ
ターンと、前記スルーホールにスルーホール電極を形成
して電気的に接続して回路基板集合体を形成するエッチ
ング工程と、前記回路基板集合体の上面側に発光素子、
受光素子、ＩＣチップ及びコンデンサ等の電子部品の
中、少なくとも発光素子及び受光素子を実装し、下面側
に前記発光素子及び受光素子以外の電子部品を実装する
電子部品実装工程と、上面側の発光素子及び受光素子の
上面を半球レンズ部で覆うように透光性樹脂で樹脂封止
すると共に、下面側の電子部品を樹脂封止又は半田等の
固着手段で固着して赤外線データ通信モジュール集合体
を形成する封止工程と、前記赤外線データ通信モジュー
ル集合体を直交する２つのカットラインに沿って切断し
て単体の赤外線データ通信モジュールに分割する切断工
程とからなることを特徴とする赤外線データ通信モジュ
ールの製造方法。 - 【請求項６】前記発光素子及び受光素子の上面に形成し
た半球レンズ部に対応する位置に透孔部を有し、前記回
路基板の側面に形成した外部接続用電極面に対応する位
置に開口部を有するシールドケースで、単体の赤外線デ
ータ通信モジュール本体を覆うシールド工程とからなる
ことを特徴とする請求項５記載の赤外線データ通信モジ
ュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4958897A JP3786227B2 (ja) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | 赤外線データ通信モジュール及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4958897A JP3786227B2 (ja) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | 赤外線データ通信モジュール及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10233471A true JPH10233471A (ja) | 1998-09-02 |
| JP3786227B2 JP3786227B2 (ja) | 2006-06-14 |
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ID=12835397
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4958897A Expired - Fee Related JP3786227B2 (ja) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | 赤外線データ通信モジュール及びその製造方法 |
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| JP (1) | JP3786227B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1001561A2 (en) * | 1998-11-11 | 2000-05-17 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Infrared communication device |
| JP2001298200A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-10-26 | Agilent Technol Inc | 回路基板組立体 |
| KR100443906B1 (ko) * | 2000-10-02 | 2004-08-09 | 삼성전자주식회사 | 칩 스케일 패키지, 인쇄 회로 기판, 및 인쇄 회로 기판의설계 방법 |
| CN105556878A (zh) * | 2013-09-02 | 2016-05-04 | 飞利浦照明控股有限公司 | 透明计算机结构 |
| CN108281395A (zh) * | 2018-02-26 | 2018-07-13 | 苏州雷霆光电科技有限公司 | 一种贴片型irm高屏蔽结构及其制作工艺 |
| JP2019141470A (ja) * | 2018-02-23 | 2019-08-29 | 富士ゼロックス株式会社 | 生体情報測定装置 |
| WO2021153582A1 (ja) | 2020-01-30 | 2021-08-05 | 京セラ株式会社 | 測定装置 |
-
1997
- 1997-02-19 JP JP4958897A patent/JP3786227B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1001561A2 (en) * | 1998-11-11 | 2000-05-17 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Infrared communication device |
| EP1001561A3 (en) * | 1998-11-11 | 2003-12-03 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Infrared communication device |
| JP2001298200A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-10-26 | Agilent Technol Inc | 回路基板組立体 |
| KR100443906B1 (ko) * | 2000-10-02 | 2004-08-09 | 삼성전자주식회사 | 칩 스케일 패키지, 인쇄 회로 기판, 및 인쇄 회로 기판의설계 방법 |
| CN105556878A (zh) * | 2013-09-02 | 2016-05-04 | 飞利浦照明控股有限公司 | 透明计算机结构 |
| CN105556878B (zh) * | 2013-09-02 | 2019-09-24 | 飞利浦照明控股有限公司 | 透明计算机结构 |
| JP2019141470A (ja) * | 2018-02-23 | 2019-08-29 | 富士ゼロックス株式会社 | 生体情報測定装置 |
| CN108281395A (zh) * | 2018-02-26 | 2018-07-13 | 苏州雷霆光电科技有限公司 | 一种贴片型irm高屏蔽结构及其制作工艺 |
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| JP3786227B2 (ja) | 2006-06-14 |
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