JPH10233029A - Optical pickup device and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、レーザ素子や光検出素子を高精度に
搭載でき、かつその製造プロセスもより簡便にする。
【解決手段】配線パターン11の形成された光透過性の
ガラス基板10上にヒートシンク12を搭載し、このヒ
ートシンク12の垂直面にレーザ素子15を接合し、レ
ーザ素子15から出力されたレーザ光Qを、ガラス基板
10及びホログラム素子19を透過して光ディスク20
の表面に照射し、この光ディスク20の表面からの反射
レーザ光を、ホログラム素子19で回折してガラス基板
10を透過して第1の光検出素子17の光検出面に入射
する。
(57) [Summary] The present invention enables a laser element and a photodetector to be mounted with high accuracy, and also makes the manufacturing process simpler. A heat sink is mounted on a light-transmitting glass substrate on which a wiring pattern is formed, and a laser element is bonded to a vertical surface of the heat sink, and a laser beam output from the laser element is provided. Through the glass substrate 10 and the hologram element 19
The laser beam reflected from the surface of the optical disc 20 is diffracted by the hologram element 19, passes through the glass substrate 10, and is incident on the light detection surface of the first light detection element 17.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ素子から出
力されたレーザ光を光ディスク等の対象物に照射するこ
とによって光ディスクの情報を読み取る光ピックアップ
装置及びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical pickup device for reading information on an optical disk by irradiating a laser beam output from a laser element onto an object such as an optical disk and a method of manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、CDやLD等の光記録媒体の普及
には目覚ましいものがあり、それに伴って光ピックアッ
プ装置の重要性が増している。最近においては、DVD
等の大容量かつ高密度な記録媒体も登場し、従来にも増
して高精度な光ピックアップ装置が要求され、かかる光
ピックアップ装置におけるレーザ素子や光検出素子の実
装精度には高精度なものが要求されている。2. Description of the Related Art In recent years, the spread of optical recording media such as CDs and LDs has been remarkable, and accordingly, the importance of optical pickup devices has increased. Recently, DVD
High-capacity and high-density recording media have also appeared, and higher-precision optical pickup devices have been required than ever before, and high-precision laser pickup devices and photo-detection device mounting accuracy in such optical pickup devices have been required. Has been requested.
【0003】又、これらの光記録媒体は、単純に音声や
動画の再生だけでなく、パーソナルコンピュータのRO
M等としても用いられ、様々な機器に組み込まれるよう
になり、光ピックアップ装置の小型化、薄型化が要求さ
れている。[0003] These optical recording media are not only used for reproducing sound and moving images, but also for the RO of personal computers.
It is also used as M, etc., and is incorporated in various devices, and there is a demand for a smaller and thinner optical pickup device.
【0004】図6はかかる光ピックアップ装置の構成図
である。配線基板1は、セラミック等に配線パターンを
形成したものである。この配線基板1の中央部には、C
uなどにより形成されたヒートシンク2が搭載されてい
る。FIG. 6 is a configuration diagram of such an optical pickup device. The wiring board 1 has a wiring pattern formed on ceramic or the like. In the center of the wiring board 1, C
A heat sink 2 made of u or the like is mounted.
【0005】このヒートシンク2の垂直面には、AlN
やSiC等により形成されたサブマウント基板3が接合
され、かつこのサブマウント基板3に半導体レーザ等の
レーザ素子4が搭載されている。このレーザ素子4の動
作時に発生する熱は、ヒートシンク2を通して放熱され
る。The vertical surface of the heat sink 2 has AlN
A submount substrate 3 formed of, for example, SiC or the like is bonded, and a laser element 4 such as a semiconductor laser is mounted on the submount substrate 3. The heat generated during the operation of the laser element 4 is radiated through the heat sink 2.
【0006】このレーザ素子4の搭載精度は、装置への
組み込み精度が要求されるために、例えば配線基板1の
外形基準等に対して、XY方向で±100μmの精度が
要求される。The mounting accuracy of the laser element 4 is required to be ± 100 μm in the XY directions with respect to the outer shape standard of the wiring board 1, for example, since the mounting accuracy in the device is required.
【0007】これはレーザ素子4の搭載精度だけでな
く、配線基板1の外形精度やヒートシンク2の外形及び
搭載精度全てが積算された精度で、これを実現するには
配線基板1やヒートシンク2の高度な製造技術が必要と
なる。This is not only the mounting accuracy of the laser element 4 but also the integrated accuracy of the outer shape of the wiring board 1 and the outer shape and mounting accuracy of the heat sink 2. Advanced manufacturing technology is required.
【0008】ヒートシンク2の上面には、第1の光検出
素子5が接合されている。この第1の光検出素子5は、
レーザ素子4から上方に出力され、光ディスク表面で反
射してきたレーザ光を受光するものである。A first light detecting element 5 is joined to the upper surface of the heat sink 2. This first light detection element 5
It receives laser light output upward from the laser element 4 and reflected on the optical disk surface.
【0009】これらレーザ素子4と第1の光検出素子5
との相対的な搭載位置は、光ディスクからの情報読み出
し精度に係わるため、かなり高精度が要求される。例え
ば、Z方向では±40μm、Y方向では±10μmなど
である。The laser element 4 and the first light detecting element 5
Since the relative mounting position is related to the accuracy of reading information from the optical disk, a considerably high accuracy is required. For example, it is ± 40 μm in the Z direction and ± 10 μm in the Y direction.
【0010】このZ方向の精度は、レーザ素子4の搭載
精度と同様に、配線基板1の外形精度やヒートシンク2
の外形及び搭載精度全てが積算されるために、配線基板
1やヒートシンク2の高度な製造技術が必要となる。
又、Y方向の±10μmの精度は、通常のダイボンダで
は困難な精度である。[0010] The accuracy in the Z direction is the same as the mounting accuracy of the laser element 4 and the external accuracy of the wiring board 1 and the heat sink 2.
In order to integrate all of the outer shape and mounting accuracy of the device, an advanced manufacturing technique for the wiring board 1 and the heat sink 2 is required.
Further, the accuracy of ± 10 μm in the Y direction is difficult with a normal die bonder.
【0011】又、ヒートシンク2におけるレーザ素子4
の下方の面には、第2の光検出素子6が搭載されてい
る。この第2の光検出素子6は、レーザ素子4から下方
に出力されたレーザ光をモニタするものである。この第
2の光検出素子6は、レーザ光の上方への反射を防ぐた
めに水平に対して10°程度の傾斜面上に搭載されてい
る。The laser element 4 in the heat sink 2
The second photodetecting element 6 is mounted on the lower surface of the photodetector. The second light detection element 6 monitors the laser light output downward from the laser element 4. The second light detecting element 6 is mounted on an inclined surface of about 10 ° with respect to the horizontal in order to prevent the laser light from being reflected upward.
【0012】これらレーザ素子4と第2の光検出素子6
との相対位置精度は、第1の光検出素子5とのものより
も低く、XY方向で±70μm程度である。これらレー
ザ素子4、第1の光検出素子5、第2の光検出素子6の
各素子をヒートシンク2の面上に搭載の後、これらの素
子は、ワイヤボンディング法等により配線基板1との電
気的接続が行われる。この場合、レーザ素子4は、配線
基板1に対して垂直に配置されており、通常は中継ピン
7などを介してワイヤボンディングが行われる。The laser element 4 and the second light detecting element 6
Is lower than that of the first photodetector 5 and is about ± 70 μm in the XY directions. After each of the laser element 4, the first light detection element 5, and the second light detection element 6 is mounted on the surface of the heat sink 2, these elements are electrically connected to the wiring board 1 by a wire bonding method or the like. Connection is made. In this case, the laser element 4 is arranged perpendicular to the wiring board 1, and usually wire bonding is performed via the relay pin 7 or the like.
【0013】[0013]
【発明が解決しようとする課題】以上のようにレーザ素
子4、第1の光検出素子5、第2の光検出素子6の各素
子の各搭載面は、全て異なったところである。このた
め、これら素子の搭載時には、配線基板1を固定するス
テージ治具を回転するか、又は各素子ごとに専用のステ
ージ治具を容易しなければならない。As described above, the mounting surfaces of the laser element 4, the first light detecting element 5, and the second light detecting element 6 are all different from each other. For this reason, when mounting these elements, it is necessary to rotate the stage jig for fixing the wiring board 1 or to use a dedicated stage jig for each element.
【0014】又、各素子は高精度に配置しなければなら
ないが、現行のダイボンダでは上記精度をだすことは困
難なところもあり、配線基板1、ヒートシンク2などの
部材にも高精度なものが要求され、製造プロセスが困難
なものとなっている。Although each element must be arranged with high precision, it is difficult for the current die bonder to achieve the above-mentioned precision, and high-precision components such as the wiring board 1 and the heat sink 2 are also required. Required and the manufacturing process is difficult.
【0015】一方、ワイヤボンディング工程において
は、第2の光検出素子6が配線基板1に対して10°程
度の傾斜面上に搭載されているので、ファースト(1st)
ボンディングとセカンド(2nd)ボンディングとの間で、
配線基板1を固定するステージを10°傾けるなどの工
夫が必要である。On the other hand, in the wire bonding step, the second photodetecting element 6 is mounted on an inclined surface of about 10 ° with respect to the wiring board 1, so that the first (1st)
Between the bonding and the second (2nd) bonding,
It is necessary to take measures such as tilting the stage for fixing the wiring board 1 by 10 °.
【0016】第1の光検出素子5では、ヒートシンク2
上面に搭載されているので、段差が2mm程度となり、
ワイヤボンディングのループ距離も2mm程度となる。
このため、段差が大きく、かつループ距離の短いもので
は、安定したワイヤボンディングが困難である。In the first light detecting element 5, the heat sink 2
Because it is mounted on the upper surface, the step is about 2 mm,
The loop distance of the wire bonding is also about 2 mm.
Therefore, if the step is large and the loop distance is short, stable wire bonding is difficult.
【0017】そして、各素子の配線基板1へのワイヤボ
ンディングでも、3次元的なワイヤボンディングが必要
となり、プロセスも煩雑なものとなる。そこで本発明
は、レーザ素子や光検出素子を高精度に搭載でき、かつ
その製造プロセスもより簡便にできる光ピックアップ装
置及びその製造方法を提供することを目的とする。[0017] Even in the wire bonding of each element to the wiring board 1, three-dimensional wire bonding is required, and the process becomes complicated. Therefore, an object of the present invention is to provide an optical pickup device and a method of manufacturing the same that can mount a laser element and a photodetector with high accuracy and can simplify the manufacturing process.
【0018】[0018]
【課題を解決するための手段】請求項1によれば、透光
性部分を有する基板と、この基板を介して対象物にレー
ザ光を出力するレーザ素子と、対象物からの反射レーザ
光を回折する回折素子と、この回折素子の回折光を前記
基板を介して受光する光検出素子と、を備えた光ピック
アップ装置である。According to the first aspect, a substrate having a light-transmitting portion, a laser element for outputting a laser beam to an object through the substrate, and a laser beam reflected from the object are provided. An optical pickup device includes: a diffractive element that diffracts light; and a photodetector that receives diffracted light from the diffractive element via the substrate.
【0019】請求項2によれば、配線パターンが形成さ
れた基板と、この基板上に装着されたヒートシンクと、
このヒートシンクの垂直面に設けられ、基板を介して対
象物にレーザ光を出力するレーザ素子と、対象物からの
反射レーザ光を回折する回折素子と、基板上に装着さ
れ、回折素子により回折された回折光を、基板を介して
受光する光検出素子と、を備えた光ピックアップ装置で
ある。According to the second aspect, a substrate on which a wiring pattern is formed, a heat sink mounted on the substrate,
A laser element is provided on the vertical surface of the heat sink and outputs laser light to an object via the substrate, a diffraction element diffracts reflected laser light from the object, and is mounted on the substrate and diffracted by the diffraction element. And a photodetector that receives the diffracted light via a substrate.
【0020】請求項3によれば、請求項1又は2記載の
光ピックアップ装置において、基板は、透光性のガラス
基板である。請求項4によれば、請求項1又は2記載の
光ピックアップ装置において、基板には、レーザ素子か
ら出力されたレーザ光及び回折素子からの回折光の各光
路上に各貫通孔が形成されている。According to a third aspect, in the optical pickup device according to the first or second aspect, the substrate is a translucent glass substrate. According to the fourth aspect, in the optical pickup device according to the first or second aspect, each through hole is formed in the substrate on each optical path of the laser light output from the laser element and the diffracted light from the diffraction element. I have.
【0021】請求項5によれば、請求項2記載の光ピッ
クアップ装置において、基板は、透光性のガラス基板で
あるとともに、このガラス基板上にはレーザ光及び回折
光を通過させる貫通孔が形成された遮光性の絶縁基板が
接着され、かつ配線パターンは絶縁基板を介して基板に
形成されている。According to a fifth aspect of the present invention, in the optical pickup device according to the second aspect, the substrate is a translucent glass substrate, and a through-hole through which laser light and diffracted light pass is formed on the glass substrate. The formed light-shielding insulating substrate is adhered, and the wiring pattern is formed on the substrate via the insulating substrate.
【0022】請求項6によれば、請求項2記載の光ピッ
クアップ装置において、ヒートシンクには、レーザ素子
から出力されたモニタ用レーザ光を基板に対して斜めに
反射する反射面が形成されているとともに、基板には、
モニタ用レーザ光を受光するモニタ用光検出素子が装着
されている。According to a sixth aspect of the present invention, in the optical pickup device of the second aspect, the heat sink is provided with a reflecting surface that obliquely reflects the monitoring laser light output from the laser element with respect to the substrate. Along with the board,
A monitoring light detecting element for receiving the monitoring laser light is mounted.
【0023】請求項7によれば、請求項1又は2記載の
光ピックアップ装置において、回折素子は、ホログラム
素子である。請求項8によれば、レーザ素子をヒートシ
ンクに接合する第1の工程と、レーザ素子の接合された
ヒートシンクを、透過性部分を有する平坦状の基板上に
装着する第2の工程と、基板上の所定位置に光検出素子
を装着する第3の工程と、レーザ素子から出力され基板
を透過して対象物に照射されるレーザ光の光路上に、対
象物からの反射レーザ光を回折してこの回折光を光検出
素子側に伝播させる回折素子を設ける第4の工程と、を
有する光ピックアップ装置の製造方法である。According to the seventh aspect, in the optical pickup device according to the first or second aspect, the diffraction element is a hologram element. According to claim 8, a first step of bonding the laser element to the heat sink, a second step of mounting the bonded heat sink of the laser element on a flat substrate having a transparent portion, A third step of mounting the light detecting element at a predetermined position, and diffracting the reflected laser light from the object on the optical path of the laser light output from the laser element and transmitted through the substrate to irradiate the object. And a fourth step of providing a diffractive element for propagating the diffracted light to the light detecting element side.
【0024】請求項9によれば、請求項8記載の光ピッ
クアップ装置の製造方法において、ヒートシンクには、
レーザ素子から出力されたモニタ用レーザ光を基板に対
して斜めに反射する反射面が形成されているとともに、
基板には、モニタ用レーザ光を受光するモニタ用光検出
素子が装着されている。According to a ninth aspect, in the method for manufacturing an optical pickup device according to the eighth aspect, the heat sink includes:
A reflection surface that obliquely reflects the monitor laser light output from the laser element with respect to the substrate is formed,
The substrate is provided with a monitoring light detecting element for receiving the monitoring laser light.
【0025】[0025]
(1) 以下、本発明の第1の実施の形態について図面を参
照して説明する。図1は光ピックアップ装置の側面から
見た構成図であり、図2はヒートシンク周辺の拡大図で
ある。(1) Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram of the optical pickup device as viewed from a side, and FIG. 2 is an enlarged view of the vicinity of a heat sink.
【0026】ガラス基板10は、例えば10mm×5m
m程度の大きさに形成され、かつその表面には配線パタ
ーン11が形成されている。なお、この配線パターン1
1は、薄膜や厚膜などで形成することが可能である。The glass substrate 10 is, for example, 10 mm × 5 m
The wiring pattern 11 is formed on the surface thereof. Note that this wiring pattern 1
1 can be formed of a thin film, a thick film, or the like.
【0027】このガラス基板10上には、ヒートシンク
12が搭載されている。このヒートシンク12は、Cu
製で、例えば3mm×3mm×3mm程度の大きさの立
方体形状に形成され、かつその上部にはレーザ光反射面
13が形成されている。A heat sink 12 is mounted on the glass substrate 10. This heat sink 12 is made of Cu
For example, it is formed in a cubic shape having a size of about 3 mm × 3 mm × 3 mm, and a laser light reflecting surface 13 is formed on an upper portion thereof.
【0028】このヒートシンク12の垂直面には、Al
NやSiC等により形成されたサブマウント基板14を
介してレーザ素子15が搭載されている。なお、サブマ
ウント基板14の大きさは、例えば1mm×1mm×
0.25mm程度である。On the vertical surface of the heat sink 12, Al
A laser element 15 is mounted via a submount substrate 14 made of N, SiC, or the like. The size of the submount substrate 14 is, for example, 1 mm × 1 mm ×
It is about 0.25 mm.
【0029】レーザ素子15は、例えば半導体レーザで
あり、0.6mm×0.3mm×0.1mm程度の大き
さである。このレーザ素子15の搭載精度は、ガラス基
板10のXY方向に対して±100μmであるが、ヒー
トシンク12はレーザ素子15をヒートシンク12に接
続した後にガラス基板10に位置合わせ・搭載できるの
で、ガラス基板10及びヒートシンク12の精度が少々
悪くても±100μmの精度におさめることができる。The laser element 15 is, for example, a semiconductor laser and has a size of about 0.6 mm × 0.3 mm × 0.1 mm. The mounting accuracy of the laser element 15 is ± 100 μm with respect to the XY directions of the glass substrate 10. However, since the heat sink 12 can be positioned and mounted on the glass substrate 10 after connecting the laser element 15 to the heat sink 12, Even if the accuracy of the heat sink 10 and the heat sink 12 is slightly poor, the accuracy can be kept within ± 100 μm.
【0030】なお、レーザ素子15から発生する熱は、
ヒートシンク12の上面から筐体へと放熱される。上記
ヒートシンク12には、図2に示すようにレーザ素子1
5の搭載面と同一面にフレキシブル基板16が貼り付け
られている。このフレキシブル基板16は、ヒートシン
ク12をガラス基板10に搭載の後に、ガラス基板10
と半田付等で簡便に電気的接続ができる。The heat generated from the laser element 15 is
Heat is radiated from the upper surface of the heat sink 12 to the housing. The heat sink 12 has a laser element 1 as shown in FIG.
The flexible substrate 16 is adhered to the same surface as the mounting surface of No. 5. The flexible substrate 16 is mounted on the glass substrate 10 after the heat sink 12 is mounted on the glass substrate 10.
Electrical connection can be easily made by soldering.
【0031】又、このフレキシブル基板16は、配線パ
ターン11と電気的に接続され、かつサブマウント基板
14及びレーザ素子15との間でワイヤボンディングさ
れている。The flexible substrate 16 is electrically connected to the wiring pattern 11 and wire-bonded between the submount substrate 14 and the laser device 15.
【0032】このワイヤボンディング工程は、ヒートシ
ンク12をガラス基板10上にマウントする前に行うこ
とで、同一面上でのボンディングができる。一方、第1
の光検出素子17は、その光検出面がガラス基板10に
対向して、ガラス基板10上に装着されている。この第
1の光検出素子17は、ガラス基板10に対し、例えば
フリップチップ実装法などによりバンプ18を介して直
接実装されている。なお、第1の光検出素子17の大き
さは、例えば1.5mm×1.2mm×0.4mm程度
である。By performing this wire bonding step before mounting the heat sink 12 on the glass substrate 10, bonding can be performed on the same surface. Meanwhile, the first
The light detecting element 17 is mounted on the glass substrate 10 with its light detecting surface facing the glass substrate 10. The first light detecting element 17 is directly mounted on the glass substrate 10 via a bump 18 by, for example, a flip chip mounting method. The size of the first light detection element 17 is, for example, about 1.5 mm × 1.2 mm × 0.4 mm.
【0033】又、レーザ素子15から出力されたレーザ
光Qの光路上には、ホログラム素子19が配置されてい
る。このホログラム素子19は、レーザ素子15から出
力され、ガラス基板10からホログラム素子19を透過
して光ディスク20に照射され、この光ディスク20か
らの反射レーザ光を回折して、その回折光Qa を第1の
光検出素子17側に伝播させるものである。A hologram element 19 is arranged on the optical path of the laser light Q output from the laser element 15. The hologram element 19 is output from the laser element 15, the glass substrate 10 passes through the hologram element 19 is applied to the optical disk 20, and diffracts the reflected laser beam from the optical disk 20, the diffracted light Q a first The light is propagated to the first light detection element 17 side.
【0034】なお、このホログラム素子19は、ホログ
ラムホルダ21によってガラス基板10に固定配置され
ている。ここで、レーザ素子15と第1の光検出素子1
7との相対位置は、ホログラム素子19などの特性にも
よるが、レーザ素子15のレーザ発光点〜第1の光検出
素子17の受光部センタ間が2mm程度であれば、フリ
ップチップボンダによりXY方向において±5μm程度
の相対精度を出すことができる。The hologram element 19 is fixed to the glass substrate 10 by a hologram holder 21. Here, the laser element 15 and the first light detection element 1
The position relative to the hologram element 19 depends on the characteristics of the hologram element 19, but if the distance between the laser emission point of the laser element 15 and the center of the light receiving section of the first light detection element 17 is about 2 mm, the XY position is determined by the flip chip bonder. A relative accuracy of about ± 5 μm can be obtained in the direction.
【0035】又、Z方向の精度±40μmはガラス基板
10の平坦度により決定されるが、ガラス基板10の基
板サイズが大きくても10mm×5mm程度であること
から±40μmの平坦度は十分出すことができる。The accuracy of ± 40 μm in the Z direction is determined by the flatness of the glass substrate 10. Even if the size of the glass substrate 10 is large, it is about 10 mm × 5 mm, so that the flatness of ± 40 μm can be sufficiently provided. be able to.
【0036】又、ガラス基板10上には、第2の光検出
素子22が搭載されている。この第2の光検出素子22
は、例えば0.8mm×0.8mm×0.3mm程度の
大きさに形成されたもので、ガラス基板10に対して光
検出面が上面になるように搭載されている。Further, on the glass substrate 10, a second light detecting element 22 is mounted. This second light detecting element 22
Has a size of, for example, about 0.8 mm × 0.8 mm × 0.3 mm, and is mounted on the glass substrate 10 such that the light detection surface is on the upper surface.
【0037】従って、この第2の光検出素子22は、レ
ーザ素子15の後方から出力され、ヒートシンク12の
レーザ光反射面13で反射したレーザ光Qb をモニタす
るものとなっている。なお、ヒートシンク12としてC
u製のものにAuメッキを施したものを使用すれば、レ
ーザ光反射面13としてレーザ反射光Qb の光量を十分
にとることができる。[0037] Therefore, the second light detecting element 22 is output from the rear of the laser element 15, which is intended to monitor the laser light Q b reflected by the laser light reflecting surface 13 of the heat sink 12. Note that the heat sink 12 is C
Using those subjected to Au plating made of u, the amount of laser light reflected Q b can be taken sufficiently as a laser light reflecting surface 13.
【0038】ここで、第2の光検出素子22とレーザ素
子15との相対位置は、レーザ光反射面13からのレー
ザ反射光Qb 〜第2の光検出素子22ての受光部エッジ
(XY方向)の位置精度±70μmとレーザ光の反射角
により決定される。Here, the relative position between the second light detecting element 22 and the laser element 15 is determined by the relationship between the laser reflected light Q b from the laser light reflecting surface 13 and the light receiving portion edge (XY) of the second light detecting element 22. Direction) is determined by the positional accuracy of ± 70 μm and the reflection angle of the laser beam.
【0039】又、第2の光検出素子22は、レーザ素子
15から離れて配置されるので、第2の光検出素子22
からのレーザ反射光がレーザ素子15から出力されるレ
ーザ光Qと干渉することがない。Further, since the second light detecting element 22 is disposed apart from the laser element 15, the second light detecting element 22
The laser reflected light from the laser device does not interfere with the laser light Q output from the laser element 15.
【0040】次に上記の如く構成される光ピックアップ
装置の製造方法について図3に示す製造フローチャート
を参照して説明する。先ず、サブマウントの工程、ヒー
トシンクの工程、ガラス基板の工程があり、このうちサ
ブマウントの工程では、レーザ素子15がサブマウント
基板14に対してAuSn半田等により、N2+10%
H2雰囲気中で280℃程度まで加熱されて接合され
る。Next, a method of manufacturing the optical pickup device configured as described above will be described with reference to a manufacturing flowchart shown in FIG. First, there are a submount process, a heat sink process, and a glass substrate process. In the submount process, the laser element 15 is attached to the submount substrate 14 by AuSn solder or the like so that N2 + 10%
It is heated to about 280 ° C. in an H2 atmosphere and joined.
【0041】又、ヒートシンクの工程では、ヒートシン
ク12上にフレキシブル基板16がエポキシ樹脂等によ
り接着される。そうして、レーザ素子15の接合された
サブマウント基板14がヒートシンク12に対して共晶
半田等で、N2+10%H2雰囲気中で200℃程度に
加熱して接合され、ワイヤボンディングによりサブマウ
ント基板14上のレーザ素子15とブレキシブル基板1
6との電気的接続がとられる。このとき、サブマウント
基板14上のレーザ素子15のボンディング面とブレキ
シブル基板16のボンディング面とは平行であるので、
容易にボンディングができる。In the heat sink process, the flexible substrate 16 is bonded onto the heat sink 12 with an epoxy resin or the like. Then, the submount substrate 14 to which the laser element 15 is bonded is bonded to the heat sink 12 by heating at about 200 ° C. in an N 2 + 10% H 2 atmosphere using eutectic solder or the like, and the submount substrate 14 is bonded by wire bonding. Upper laser element 15 and flexible substrate 1
6 is electrically connected. At this time, since the bonding surface of the laser device 15 on the submount substrate 14 and the bonding surface of the flexible substrate 16 are parallel,
Easy bonding.
【0042】一方、ガラス基板の工程では、ガラス基板
10上に無電解Auメッキ等により配線パターン11が
形成される。そうして、ガラス基板10上に対し、先の
工程でレーザ素子15の接合されたサブマウント基板1
4が接合されたヒートシンク12がダイボンダ等を用い
て搭載される。この場合、ヒートシンク12を電気的な
接続(例えば接地する等)が必要な場合は、Agペース
トや異性性導電ペースト等を用いて150℃程度でペー
ストを軟化する。On the other hand, in the glass substrate process, a wiring pattern 11 is formed on the glass substrate 10 by electroless Au plating or the like. Then, the sub-mount substrate 1 on which the laser element 15 has been bonded in the previous step is placed on the glass substrate 10.
The heat sink 12 to which the heat sink 4 is bonded is mounted using a die bonder or the like. In this case, when electrical connection (for example, grounding) of the heat sink 12 is required, the paste is softened at about 150 ° C. using an Ag paste, an isotropic conductive paste, or the like.
【0043】又、第1の光検出素子17は、その接続パ
ッドにメッキ法やワイヤボンテング法等によりバンプ1
8が形成される。次に、この第1の光検出素子17は、
ガラス基板10上にフェイスダウンで搭載される。この
搭載での電気的接続には、ペーストや異方性導電ペース
ト等が用いられ、150℃程度でペーストを軟化する。The first photodetector 17 has bumps formed on its connection pads by plating or wire bonding.
8 are formed. Next, the first light detection element 17
It is mounted face down on the glass substrate 10. Paste, anisotropic conductive paste, or the like is used for electrical connection in this mounting, and the paste is softened at about 150 ° C.
【0044】このとき、レーザ素子15の発光点に対す
る搭載精度は、Z方向で±40μm、Y方向で±10μ
mであるが、高精度なフリップチップボンダを用いれば
十分搭載可能である。At this time, the mounting accuracy of the laser element 15 with respect to the light emitting point is ± 40 μm in the Z direction and ± 10 μm in the Y direction.
m, but can be mounted sufficiently using a high-precision flip chip bonder.
【0045】続いて、第2の光検出素子22がガラス基
板10上に対し、Agペースト等によりフェイスアップ
で搭載される。このとき、レーザ素子15の発光点に対
する搭載精度は、XY方向で±70μmであり、ダイボ
ンダでも十分搭載可能である。Agペーストの硬化温度
は150℃程度のものを使用する。Subsequently, the second photodetector 22 is mounted face-up on the glass substrate 10 using an Ag paste or the like. At this time, the mounting accuracy of the laser element 15 with respect to the light emitting point is ± 70 μm in the X and Y directions, and a die bonder can be sufficiently mounted. The curing temperature of the Ag paste is about 150 ° C.
【0046】次に、第2の光検出素子22は、ワイヤボ
ンディングによりガラス基板10の配線パターン11と
の間で電気的接続が取られる。このワイヤボンディング
工程は、第2の光検出素子22とガラス基板10との間
に10°程度の角度が生じないので、容易にボンディン
グができる。すなわち、従来では第2の光検出素子22
を10°程度傾斜させて設けていたが、このような複雑
な構造をとる必要がなく、又ワイヤボンディング法によ
って配線パターン11との接続を行う場合でもステージ
を傾けたりする必要がなく、通常の方法で簡便に接続で
きる。Next, the second photodetector 22 is electrically connected to the wiring pattern 11 of the glass substrate 10 by wire bonding. In this wire bonding step, since an angle of about 10 ° does not occur between the second light detection element 22 and the glass substrate 10, bonding can be easily performed. That is, conventionally, the second light detecting element 22
Are inclined at about 10 °, but it is not necessary to take such a complicated structure, and even when the connection with the wiring pattern 11 is performed by the wire bonding method, the stage does not need to be inclined. Easy connection by the method.
【0047】最後に、レーザ素子15から出力されるレ
ーザ光Qの光路上に、光ディスク20からの反射レーザ
光を回折するためのホログラム素子19がホログラムホ
ルダ21に設けられる。Finally, a hologram element 19 for diffracting the reflected laser light from the optical disk 20 is provided on the hologram holder 21 on the optical path of the laser light Q output from the laser element 15.
【0048】このような光ピックアップ装置の構成であ
れば、レーザ素子15からレーザ光Qが出力されると、
このレーザ光Qは、ガラス基板10を透過し、次にホロ
グラム素子19を透過して光ディスク20の表面に照射
される。With such a configuration of the optical pickup device, when the laser beam Q is output from the laser element 15,
The laser beam Q passes through the glass substrate 10 and then passes through the hologram element 19 and irradiates the surface of the optical disc 20.
【0049】そして、この光ディスク20の表面からの
反射レーザ光は、再びホログラム素子19に入射し、こ
こで回折光Qa としてガラス基板10を透過して第1の
光検出素子17の光検出面に入射する。[0049] Then, the reflected laser light from the surface of the optical disk 20 is again incident on the hologram element 19 is transmitted through the glass substrate 10 light detection surface of first light-detecting element 17 as diffracted light Q a, where Incident on.
【0050】このように第1の光検出素子17で光ディ
スク20の表面からの反射レーザ光を検出することによ
り、光ディスク20の記録された情報を読み取ることが
できる。As described above, the information recorded on the optical disk 20 can be read by detecting the reflected laser light from the surface of the optical disk 20 with the first light detecting element 17.
【0051】なお、ガラス基板10においてレーザ光Q
の光路の屈折が生じるが、ガラス基板10の屈折特性を
考慮にいれた光学設計を行えば、何等問題はない。一
方、レーザ素子15の後方から出力されたレーザ光Qb
は、ヒートシンク12のレーザ光反射面13で反射し、
第2の光検出素子22の光受光面に入射する。これによ
り、レーザ素子15のレーザ出力がモニタできる。The laser light Q on the glass substrate 10
This optical path is refracted, but there is no problem if an optical design is performed in consideration of the refraction characteristics of the glass substrate 10. On the other hand, the laser light Q b output from behind the laser element 15
Is reflected by the laser light reflecting surface 13 of the heat sink 12,
The light enters the light receiving surface of the second light detecting element 22. Thereby, the laser output of the laser element 15 can be monitored.
【0052】このように上記第1の実施の形態において
は、配線パターンの形成された光透過性のガラス基板1
0上にヒートシンク12を搭載し、このヒートシンク1
2の垂直面にレーザ素子15を接合し、レーザ素子15
から出力されたレーザ光Qを、ガラス基板10及びホロ
グラム素子19を透過して光ディスク20の表面に照射
し、この光ディスク20の表面からの反射レーザ光を、
ホログラム素子19で回折してガラス基板10を透過し
て第1の光検出素子17の光検出面に入射するようにし
たので、レーザ素子や光検出素子を高精度に搭載でき、
かつその製造プロセスもより簡便にできる。As described above, in the first embodiment, the light-transmitting glass substrate 1 on which the wiring pattern is formed
The heat sink 12 is mounted on the
The laser device 15 is bonded to the vertical surface of
The laser light Q output from the optical disk 20 passes through the glass substrate 10 and the hologram element 19 and irradiates the surface of the optical disk 20 with the laser light Q reflected from the surface of the optical disk 20.
Since the light is diffracted by the hologram element 19 and transmitted through the glass substrate 10 to be incident on the light detection surface of the first light detection element 17, a laser element or a light detection element can be mounted with high accuracy.
In addition, the manufacturing process can be simplified.
【0053】すなわち、ヒートシンク12を、レーザ素
子15をヒートシンク12に接続した後にガラス基板1
0に位置合わせ・搭載するので、ガラス基板10及びヒ
ートシンク12の精度が少々悪くてもレーザ素子15の
搭載精度をガラス基板10のXY方向に対して±100
μmの精度に収めることができる。That is, the heat sink 12 is connected to the glass substrate 1 after the laser element 15 is connected to the heat sink 12.
0, the mounting accuracy of the laser element 15 is set to ± 100 with respect to the XY direction of the glass substrate 10 even if the accuracy of the glass substrate 10 and the heat sink 12 is slightly poor.
Accuracy of μm can be achieved.
【0054】又、レーザ素子15と第1の光検出素子1
7との相対位置を、レーザ素子15のレーザ発光点〜第
1の光検出素子17の受光部センタ間が2mm程度であ
れば、フリップチップボンダによりXY方向において±
5μm程度の相対精度を出すことができる。The laser element 15 and the first light detecting element 1
If the distance from the laser emitting point of the laser element 15 to the center of the light receiving section of the first light detecting element 17 is about 2 mm, the flip chip bonder sets the relative position to ± 7 in the XY directions.
A relative accuracy of about 5 μm can be obtained.
【0055】又、Z方向の精度0±40μmは、ガラス
基板10の基板サイズが大きくても10mm×5mm程
度であることから±40μmの平坦度は十分出すことが
できる。Further, since the accuracy in the Z direction of 0 ± 40 μm is about 10 mm × 5 mm even if the substrate size of the glass substrate 10 is large, a flatness of ± 40 μm can be sufficiently obtained.
【0056】又、レーザ素子15の発光点に対する搭載
精度は、Z方向で±40μm、Y方向で±10μmであ
るが、高精度なフリップチップボンダを用いれば十分搭
載可能であり、レーザ素子15の発光点に対する搭載精
度は、XY方向で±70μmであり、ダイボンダでも十
分搭載可能である。The mounting accuracy of the laser element 15 with respect to the light emitting point is ± 40 μm in the Z direction and ± 10 μm in the Y direction. However, if a high-precision flip chip bonder is used, it can be mounted sufficiently. The mounting accuracy with respect to the light emitting point is ± 70 μm in the X and Y directions, and a die bonder can be mounted sufficiently.
【0057】以上のようにレーザ素子15をヒートシン
ク12に接続した後に、ガラス基板10に搭載するよう
にしたので、高精度な光ピックアップ装置を得ることが
でき、又平坦なガラス基板10への実装を行うことから
製造プロセスも簡便にできる。 (2) 以下、本発明の第2の実施の形態について説明す
る。なお、図1と同一部分には同一符号を付してその詳
しい説明は省略する。As described above, since the laser element 15 is mounted on the glass substrate 10 after being connected to the heat sink 12, a high-precision optical pickup device can be obtained, and mounting on the flat glass substrate 10 can be achieved. , The manufacturing process can be simplified. (2) Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described. The same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【0058】図4は光ピックアップ装置の側面から見た
構成図である。非光透過性絶縁基板30上には、レーザ
素子15から出力されたレーザ光Qを通過させるための
貫通孔31、及びホログラム素子19からの回折光Qa
を通過させるための貫通孔32が形成されている。FIG. 4 is a structural view of the optical pickup device as viewed from the side. On the non-light-transmitting insulating substrate 30, a through-hole 31 for passing the laser light Q output from the laser element 15 and the diffracted light Q a from the hologram element 19 are provided.
Is formed in the through hole 32 for letting through.
【0059】この非光透過性絶縁基板30は、樹脂性基
板、セラミック基板、メタルコア基板などが用いられ
る。この非光透過性絶縁基板30上には、ヒートシンク
12が搭載され、かつその上部にはレーザ光反射面13
が形成されている。このヒートシンク12の垂直面に
は、サブマウント基板14を介してレーザ素子15が搭
載されている。As the non-light-transmitting insulating substrate 30, a resin substrate, a ceramic substrate, a metal core substrate, or the like is used. A heat sink 12 is mounted on the non-light-transmitting insulating substrate 30 and a laser light reflecting surface 13
Are formed. A laser element 15 is mounted on a vertical surface of the heat sink 12 via a submount substrate 14.
【0060】このレーザ素子15の搭載精度は、非光透
過性絶縁基板30のXY方向に対して±100μmであ
るが、ヒートシンク12はレーザ素子15をヒートシン
ク12に接続した後に非光透過性絶縁基板30に位置合
わせ・搭載できるので、非光透過性絶縁基板30及びヒ
ートシンク12の精度が少々悪くても±100μmの精
度に収めることができる。The mounting accuracy of the laser element 15 is ± 100 μm with respect to the XY direction of the non-light-transmitting insulating substrate 30. However, after the laser element 15 is connected to the heat sink 12, Since the positioning and mounting can be performed on the non-light-transmitting insulating substrate 30 and the heat sink 12, the accuracy can be kept within ± 100 μm even if the accuracy of the heat sink 12 is slightly low.
【0061】又、第1の光検出素子17は、その光検出
面が非光透過性絶縁基板30に対向して、非光透過性絶
縁基板30上に装着されている。又、レーザ素子15か
ら出力されたレーザ光Qの光路上には、ホログラム素子
19がホログラムホルダ21によって非光透過性絶縁基
板30に固定配置されている。The first light detecting element 17 is mounted on the non-light-transmitting insulating substrate 30 with its light detecting surface facing the non-light-transmitting insulating substrate 30. On the optical path of the laser light Q output from the laser element 15, the hologram element 19 is fixedly arranged on the non-light-transmitting insulating substrate 30 by the hologram holder 21.
【0062】ここで、レーザ素子15と第1の光検出素
子17との相対位置は、レーザ素子15のレーザ発光点
〜第1の光検出素子17の受光部センタ間が2mm程度
であれば、フリップチップボンダによりXY方向におい
て±5μm程度の相対精度を出すことができる。Here, the relative position between the laser element 15 and the first light detecting element 17 is such that the distance between the laser emission point of the laser element 15 and the light receiving center of the first light detecting element 17 is about 2 mm. With the flip chip bonder, a relative accuracy of about ± 5 μm can be obtained in the XY directions.
【0063】又、Z方向の精度±40μmは非光透過性
絶縁基板30の平坦度により決定されるが、非光透過性
絶縁基板30の基板サイズが大きくても10mm×5m
m程度であることから±40μmの平坦度は十分出すこ
とができる。The accuracy of ± 40 μm in the Z direction is determined by the flatness of the non-light-transmitting insulating substrate 30. Even if the size of the non-light-transmitting insulating substrate 30 is large, it is 10 mm × 5 m
m, a flatness of ± 40 μm can be sufficiently obtained.
【0064】又、非光透過性絶縁基板30上には、第2
の光検出素子22が搭載されている。この第2の光検出
素子22とレーザ素子15との相対位置は、レーザ光反
射面13からのレーザ反射光Qb 〜第2の光検出素子2
2での受光部エッジ(XY方向)の位置精度±70μm
とレーザ光の反射角により決定される。Further, on the non-light-transmitting insulating substrate 30, the second
Are mounted. The relative position between the second light detecting element 22 and the laser element 15 is determined by the value of the laser reflected light Q b from the laser light reflecting surface 13 to the second light detecting element 2.
Position accuracy of light-receiving part edge (XY direction) at 2 ± 70 μm
And the reflection angle of the laser beam.
【0065】このように上記第2の実施の形態によれ
ば、上記第1の実施の形態と同様の効果、すなわちレー
ザ素子や光検出素子を高精度に搭載でき、かつその製造
プロセスもより簡便にできる。 (3) 以下、本発明の第3の実施の形態について説明す
る。なお、図1と同一部分には同一符号を付してその詳
しい説明は省略する。As described above, according to the second embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained, that is, a laser element and a photodetector can be mounted with high accuracy, and the manufacturing process thereof is simpler. Can be. (3) Hereinafter, a third embodiment of the present invention will be described. The same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【0066】図5は光ピックアップ装置の側面から見た
構成図である。ガラス基板10上には、回路パターンを
形成した絶縁基板40が搭載されている。この絶縁基板
40には、レーザ素子15から出力されたレーザ光Qを
通過させるための貫通孔41、及びホログラム素子19
からの回折光Qa を通過させるための貫通孔42が形成
されている。FIG. 5 is a structural view of the optical pickup device as viewed from the side. An insulating substrate 40 on which a circuit pattern is formed is mounted on the glass substrate 10. The insulating substrate 40 has a through hole 41 for passing the laser light Q output from the laser element 15 and a hologram element 19.
Through holes 42 are formed for passing the diffracted light Q a from.
【0067】この絶縁基板40は、例えば樹脂製基板、
セラミック基板、メタルコア基板などのリジッドな基
板、その他TABテープやフレキシブル基板などの屈曲
性の基板を用いてもよい。The insulating substrate 40 is, for example, a resin substrate,
A rigid substrate such as a ceramic substrate or a metal core substrate, or a flexible substrate such as a TAB tape or a flexible substrate may be used.
【0068】この絶縁基板40上には、ヒートシンク1
2が搭載され、かつその上部にはレーザ光反射面13が
形成されている。このヒートシンク12の垂直面には、
サブマウント基板14を介してレーザ素子15が搭載さ
れている。On the insulating substrate 40, a heat sink 1
2 is mounted thereon, and a laser light reflecting surface 13 is formed on the upper surface thereof. On the vertical surface of the heat sink 12,
A laser element 15 is mounted via a submount substrate 14.
【0069】このレーザ素子15の搭載精度は、上記実
施の形態と同様に、絶縁基板40のXY方向に対して±
100μmであるが、ヒートシンク12はレーザ素子1
5をヒートシンク12に接続した後に絶縁基板40に位
置合わせ・搭載できるので、絶縁基板40及びヒートシ
ンク12の精度が少々悪くても±100μmの精度に収
めることができる。The mounting accuracy of the laser element 15 is ±± with respect to the XY directions of the insulating substrate 40, as in the above embodiment.
Although the heat sink 12 is 100 μm,
5 can be positioned and mounted on the insulating substrate 40 after being connected to the heat sink 12, so that the accuracy of the insulating substrate 40 and the heat sink 12 can be kept within ± 100 μm even if the accuracy is a little poor.
【0070】又、第1の光検出素子17は、その光検出
面が絶縁基板40に対向して、絶縁基板40上に装着さ
れている。又、レーザ素子15から出力されたレーザ光
Qの光路上には、ホログラム素子19がホログラムホル
ダ21によってガラス基板10に固定配置されている。The first light detecting element 17 is mounted on the insulating substrate 40 with its light detecting surface facing the insulating substrate 40. A hologram element 19 is fixedly arranged on the glass substrate 10 by a hologram holder 21 on the optical path of the laser light Q output from the laser element 15.
【0071】ここで、レーザ素子15と第1の光検出素
子17との相対位置は、上記実施の形態と同様に、レー
ザ素子15のレーザ発光点〜第1の光検出素子17の受
光部センタ間が2mm程度であれば、フリップチップボ
ンダによりXY方向において±5μm程度の相対精度を
出すことができる。Here, the relative position between the laser element 15 and the first light detecting element 17 is, as in the above-described embodiment, between the laser emission point of the laser element 15 and the light receiving section center of the first light detecting element 17. If the distance is about 2 mm, relative accuracy of about ± 5 μm can be obtained in the XY directions by the flip chip bonder.
【0072】又、Z方向の精度±40μmは絶縁基板4
0の平坦度により決定されるが、ガラス基板10の基板
サイズが大きくても10mm×5mm程度であることか
ら±40μmの平坦度は十分出すことができる。Also, the accuracy in the Z direction ± 40 μm is
Although determined by the flatness of 0, even if the substrate size of the glass substrate 10 is large, the flatness of ± 40 μm can be sufficiently obtained because it is about 10 mm × 5 mm.
【0073】又、絶縁基板40上には、第2の光検出素
子22が搭載されている。この第2の光検出素子22と
レーザ素子15との相対位置は、レーザ光反射面13か
らのレーザ反射光Qb 〜第2の光検出素子22での受光
部エッジ(XY方向)の位置精度±70μmとレーザ光
の反射角により決定される。The second light detecting element 22 is mounted on the insulating substrate 40. The relative position between the second light detecting element 22 and the laser element 15 is determined by the positional accuracy of the laser reflected light Q b from the laser light reflecting surface 13 to the light receiving portion edge (XY direction) at the second light detecting element 22. It is determined by ± 70 μm and the reflection angle of the laser beam.
【0074】このように上記第3の実施の形態によれ
ば、上記第1の実施の形態と同様の効果、すなわちレー
ザ素子や光検出素子を高精度に搭載でき、かつその製造
プロセスもより簡便にできる。As described above, according to the third embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained, that is, a laser element and a photodetector can be mounted with high accuracy, and the manufacturing process can be simplified. Can be.
【0075】なお、本発明は、上記第1乃至第3の実施
の形態に限定されるものでなく次の通り変形してもよ
い。例えば、基板としては、光透過性のガラス基板10
や非光透過性絶縁基板30に各貫通孔31、32を形成
しているが、非光透過性絶縁基板30とガラス基板を組
み合わせたりしてもよい。The present invention is not limited to the first to third embodiments, but may be modified as follows. For example, as the substrate, a light-transmitting glass substrate 10
Although the through holes 31 and 32 are formed in the non-light-transmitting insulating substrate 30, the non-light-transmitting insulating substrate 30 and the glass substrate may be combined.
【0076】[0076]
【発明の効果】以上詳記したように本発明の請求項1〜
7によれば、レーザ素子や光検出素子を高精度に搭載で
き、かつその製造プロセスもより簡便にできる光ピック
アップ装置を提供できる。As described in detail above, claims 1 to 5 of the present invention.
According to 7, it is possible to provide an optical pickup device in which a laser element and a photodetector can be mounted with high accuracy and the manufacturing process thereof can be further simplified.
【0077】又、本発明の請求項3によれば、ガラス基
板の平坦度でも充分な搭載精度を得ることができる光ピ
ックアップ装置を提供できる。又、本発明の請求項7に
よれば、ホログラム素子を用いることによりレーザ素子
と第1の光検出素子との相対位置の充分な精度を得るこ
とができる光ピックアップ装置を提供できる。Further, according to the third aspect of the present invention, it is possible to provide an optical pickup device capable of obtaining sufficient mounting accuracy even with the flatness of the glass substrate. Further, according to the seventh aspect of the present invention, it is possible to provide an optical pickup device capable of obtaining a sufficient accuracy of the relative position between the laser element and the first light detection element by using the hologram element.
【0078】又、本発明の請求項8及び9によれば、レ
ーザ素子や光検出素子を高精度に搭載でき、かつその製
造プロセスもより簡便にできる光ピックアップ装置の製
造方法を提供できる。According to the eighth and ninth aspects of the present invention, it is possible to provide a method of manufacturing an optical pickup device in which a laser element and a photodetector can be mounted with high accuracy and the manufacturing process can be simplified.
【0079】又、本発明の請求項8によれば、ヒートシ
ンクはレーザ素子をヒートシンクに接続した後に光透光
性を有する基板に位置合わせ・搭載するので、この基板
及びヒートシンクの精度が少々悪くても所定の搭載精度
に収めることができる光ピックアップ装置の製造方法を
提供できる。According to the eighth aspect of the present invention, since the heat sink is positioned and mounted on the light-transmitting substrate after the laser element is connected to the heat sink, the accuracy of the substrate and the heat sink is slightly deteriorated. Also, it is possible to provide a method of manufacturing an optical pickup device that can be set within a predetermined mounting accuracy.
【図1】本発明に係わる光ピックアップ装置の第1の実
施の形態を示す構成図。FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of an optical pickup device according to the present invention.
【図2】同装置におけるヒートシンク周辺の拡大図。FIG. 2 is an enlarged view around a heat sink in the device.
【図3】同装置の製造フローチャート。FIG. 3 is a manufacturing flowchart of the same device.
【図4】本発明に係わる光ピックアップ装置の第2の実
施の形態を示す構成図。FIG. 4 is a configuration diagram showing a second embodiment of the optical pickup device according to the present invention.
【図5】本発明に係わる光ピックアップ装置の第3の実
施の形態を示す構成図。FIG. 5 is a configuration diagram showing a third embodiment of the optical pickup device according to the present invention.
【図6】従来の光ピックアップ装置の構成図。FIG. 6 is a configuration diagram of a conventional optical pickup device.
10…ガラス基板、 12…ヒートシンク、 14…サブマウント基板、 15…レーザ素子、 17…第1の光検出素子、 19…ホログラム素子、 20…光ディスク、 22…第2の光検出素子、 30…非光透過性絶縁基板、 31,32,41,42…貫通孔、 40…絶縁基板。 Reference Signs List 10: glass substrate, 12: heat sink, 14: submount substrate, 15: laser element, 17: first light detection element, 19: hologram element, 20: optical disk, 22: second light detection element, 30: non- Light-transmitting insulating substrate, 31, 32, 41, 42 ... through-hole, 40 ... insulating substrate.
フロントページの続き (72)発明者 荒川 雅之 東京都港区新橋3丁目3番9号 東芝エ ー・ブイ・イー株式会社内Continuation of the front page (72) Inventor Masayuki Arakawa 3-3-9, Shimbashi, Minato-ku, Tokyo Inside Toshiba AV EE Co., Ltd.
Claims (9)
子と、 前記対象物からの反射レーザ光を回折する回折素子と、 この回折素子の回折光を前記基板を介して受光する光検
出素子と、を具備したことを特徴とする光ピックアップ
装置。A substrate having a light-transmitting portion; a laser element for outputting laser light to an object through the substrate; a diffraction element for diffracting reflected laser light from the object; An optical pickup device, comprising: a photodetector that receives diffracted light via the substrate.
て対象物にレーザ光を出力するレーザ素子と、 前記対象物からの反射レーザ光を回折する回折素子と、 前記基板上に装着され、前記回折素子により回折された
回折光を、前記基板を介して受光する光検出素子と、を
具備したことを特徴とする光ピックアップ装置。2. A substrate on which a wiring pattern is formed, a heat sink mounted on the substrate, a laser element provided on a vertical surface of the heat sink and outputting laser light to an object via the substrate, A diffraction element that diffracts the reflected laser light from the object, and a light detection element that is mounted on the substrate and receives the diffracted light diffracted by the diffraction element through the substrate. An optical pickup device characterized by the following.
ことを特徴とする請求項1又は2記載の光ピックアップ
装置。3. The optical pickup device according to claim 1, wherein the substrate is a translucent glass substrate.
されたレーザ光及び前記回折素子からの回折光の各光路
上に各貫通孔が形成されたことを特徴とする請求項1又
は2記載の光ピックアップ装置。4. The substrate according to claim 1, wherein each of the through holes is formed in each of the optical paths of the laser light output from the laser element and the diffracted light from the diffraction element. Optical pickup device.
とともに、このガラス基板上にはレーザ光及び回折光を
通過させる貫通孔が形成された遮光性の絶縁基板が接着
され、かつ前記配線パターンは前記絶縁基板を介して前
記基板に形成されていることを特徴とする請求項2記載
の光ピックアップ装置。5. The substrate is a light-transmitting glass substrate, and a light-shielding insulating substrate having a through-hole through which laser light and diffracted light are formed is adhered on the glass substrate, and 3. The optical pickup device according to claim 2, wherein the wiring pattern is formed on the substrate via the insulating substrate.
から出力されたモニタ用レーザ光を前記基板に対して斜
めに反射する反射面が形成されているとともに、前記基
板には、前記モニタ用レーザ光を受光するモニタ用光検
出素子が装着されていることを特徴とする請求項2記載
の光ピックアップ装置。6. The heat sink is provided with a reflection surface for obliquely reflecting the monitor laser light output from the laser element with respect to the substrate, and the monitor laser light is provided on the substrate. 3. An optical pickup device according to claim 2, further comprising a monitoring light detecting element for receiving the light.
ことを特徴とする請求項1又は2記載の光ピックアップ
装置。7. The optical pickup device according to claim 1, wherein the diffraction element is a hologram element.
1の工程と、 前記レーザ素子の接合された前記ヒートシンクを、透過
性部分を有する平坦状の基板上に装着する第2の工程
と、 前記基板上の所定位置に光検出素子を装着する第3の工
程と、 前記レーザ素子から出力され前記基板を透過して対象物
に照射されるレーザ光の光路上に、前記対象物からの反
射レーザ光を回折してこの回折光を前記光検出素子側に
伝播させる回折素子を設ける第4の工程と、を有するこ
とを特徴とする光ピックアップ装置の製造方法。8. A first step of bonding the laser element to a heat sink, a second step of mounting the heat sink to which the laser element is bonded on a flat substrate having a transparent portion, and the substrate A third step of mounting a photodetector at a predetermined position on the upper side, and reflected laser light from the object on an optical path of laser light output from the laser element and transmitted through the substrate to irradiate the object. Providing a diffractive element for diffracting the diffracted light and propagating the diffracted light toward the photodetector. 4. A method for manufacturing an optical pickup device, comprising:
から出力されたモニタ用レーザ光を前記基板に対して斜
めに反射する反射面が形成されているとともに、前記基
板には、前記モニタ用レーザ光を受光するモニタ用光検
出素子が装着されていることを特徴とする請求項8記載
の光ピックアップ装置の製造方法。9. The heat sink has a reflection surface that obliquely reflects the monitor laser light output from the laser device with respect to the substrate, and the monitor laser light is provided on the substrate. 9. The method for manufacturing an optical pickup device according to claim 8, further comprising a monitoring light detecting element for receiving light.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9035031A JPH10233029A (en) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | Optical pickup device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9035031A JPH10233029A (en) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | Optical pickup device and method of manufacturing the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10233029A true JPH10233029A (en) | 1998-09-02 |
Family
ID=12430701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9035031A Pending JPH10233029A (en) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | Optical pickup device and method of manufacturing the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10233029A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001261444A (en) * | 2000-03-24 | 2001-09-26 | Toshiba Corp | Aluminum nitride substrate and method for producing the same |
JP2002341113A (en) * | 2001-05-14 | 2002-11-27 | Sony Corp | Composite optical device and method of manufacturing the same |
-
1997
- 1997-02-19 JP JP9035031A patent/JPH10233029A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001261444A (en) * | 2000-03-24 | 2001-09-26 | Toshiba Corp | Aluminum nitride substrate and method for producing the same |
JP2002341113A (en) * | 2001-05-14 | 2002-11-27 | Sony Corp | Composite optical device and method of manufacturing the same |
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