JPH10232284A - 波長シフト型放射線センサおよび放射線検出装置 - Google Patents
波長シフト型放射線センサおよび放射線検出装置Info
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- JPH10232284A JPH10232284A JP3536997A JP3536997A JPH10232284A JP H10232284 A JPH10232284 A JP H10232284A JP 3536997 A JP3536997 A JP 3536997A JP 3536997 A JP3536997 A JP 3536997A JP H10232284 A JPH10232284 A JP H10232284A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】薄型化、小型化可能、感度向上、位置依存性低
減等により、特にβ線を高精度で検出する。 【解決手段】波長シフトファイバ22をシンチレータ2
1の周縁部に沿って対称的に配置される複数のもので構
成する。各波長シフトファイバ22の長さ方向一端面に
光検出器23を装着するとともに他端面に光をその波長
シフトファイバ内に戻すための反射体24を設ける。波
長シフトファイバ22の対シンチレータ非接触の外側面
と、波長シフトファイバの配備されないシンチレータ周
縁の外表面とに、シンチレータの内側方に向かって光を
反射する反射体22a,25を設ける。シンチレータの
平坦な面に、屈折率がシンチレータに比べて小さい物質
を配備し、さらにその面の外側に、シンチレータから出
た光をそのシンチレータの内側方に反射するとともに外
部からの光を遮ることができる反射・遮光材料を被せ
る。
減等により、特にβ線を高精度で検出する。 【解決手段】波長シフトファイバ22をシンチレータ2
1の周縁部に沿って対称的に配置される複数のもので構
成する。各波長シフトファイバ22の長さ方向一端面に
光検出器23を装着するとともに他端面に光をその波長
シフトファイバ内に戻すための反射体24を設ける。波
長シフトファイバ22の対シンチレータ非接触の外側面
と、波長シフトファイバの配備されないシンチレータ周
縁の外表面とに、シンチレータの内側方に向かって光を
反射する反射体22a,25を設ける。シンチレータの
平坦な面に、屈折率がシンチレータに比べて小さい物質
を配備し、さらにその面の外側に、シンチレータから出
た光をそのシンチレータの内側方に反射するとともに外
部からの光を遮ることができる反射・遮光材料を被せ
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は原子力関連施設等に
おいて例えば表面汚染用として適用される放射線検出技
術に係り、特に発光現象を利用して放射線を検出する波
長シフト型放射線センサおよびそのセンサを用いた放射
線検出装置に関する。
おいて例えば表面汚染用として適用される放射線検出技
術に係り、特に発光現象を利用して放射線を検出する波
長シフト型放射線センサおよびそのセンサを用いた放射
線検出装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来この種の放射線検出装置としては種
々の構成のものが知られており、特に飛程の大きいβ線
の検出装置としては、プラスチック製の大面積のシンチ
レータを用いる場合が多い。
々の構成のものが知られており、特に飛程の大きいβ線
の検出装置としては、プラスチック製の大面積のシンチ
レータを用いる場合が多い。
【0003】図36〜図40は、このような大面積β線
検出センサの各種従来例を示しており、原子力関連施設
における表面汚染検査用として多く用いられているもの
である。
検出センサの各種従来例を示しており、原子力関連施設
における表面汚染検査用として多く用いられているもの
である。
【0004】図36に示した放射線センサは箱形のもの
で、集光箱1の1つの面(図の上面)が集光面、他の5
つの内面がすべて光を反射するように処置した反射面と
されている。この集光箱1の上蓋部分を薄いプラスチッ
クシンチレータ2で構成しており、プラスチックシンチ
レータ2の上部(集光箱内面に対して外側)は、β線が
透過可能で、かつ内側へ光を反射することのできる図示
しないシートで覆われている。
で、集光箱1の1つの面(図の上面)が集光面、他の5
つの内面がすべて光を反射するように処置した反射面と
されている。この集光箱1の上蓋部分を薄いプラスチッ
クシンチレータ2で構成しており、プラスチックシンチ
レータ2の上部(集光箱内面に対して外側)は、β線が
透過可能で、かつ内側へ光を反射することのできる図示
しないシートで覆われている。
【0005】そして、β線の入射によりシンチレータ2
内に発生した光が集光箱1の内部で反射しながら充満
し、集光箱1内部に据え付けられた光検出器3により検
出される。
内に発生した光が集光箱1の内部で反射しながら充満
し、集光箱1内部に据え付けられた光検出器3により検
出される。
【0006】また、図37に示したものは、ガスフロー
型センサで構成した大面積β線用検出装置である。この
装置はβ線がガス中に作るイオン対を収集する一般的な
比例計数管の1つである。この場合は箱型の容器4の上
面を、β線入射が可能でかつガスを封入保持可能なシー
トで構成した入光窓5とし、ガスパイプ6を介してゆっ
くりと電離用ガスを容器4内に流し続けるものである。
型センサで構成した大面積β線用検出装置である。この
装置はβ線がガス中に作るイオン対を収集する一般的な
比例計数管の1つである。この場合は箱型の容器4の上
面を、β線入射が可能でかつガスを封入保持可能なシー
トで構成した入光窓5とし、ガスパイプ6を介してゆっ
くりと電離用ガスを容器4内に流し続けるものである。
【0007】また、図38および39に示したものは、
シンチレーションカロリメータで用いられている放射線
センサである。図38の例では、平板状のプラスチック
製シンチレータ2の平坦部に、波長シフトファイバ7を
渦巻状に密着させ、その波長シフトファイバ7の長さ方
向一端面に伝送用光ファイバ8を接続し、図示しない光
検出器まで信号伝送するようになっている。即ち、シン
チレータ2で発生するシンチレーション光が波長シフト
ファイバ7に遭遇して蛍光変換され、この蛍光パルスを
透明な伝送用ファイバ8で伝送するものである。
シンチレーションカロリメータで用いられている放射線
センサである。図38の例では、平板状のプラスチック
製シンチレータ2の平坦部に、波長シフトファイバ7を
渦巻状に密着させ、その波長シフトファイバ7の長さ方
向一端面に伝送用光ファイバ8を接続し、図示しない光
検出器まで信号伝送するようになっている。即ち、シン
チレータ2で発生するシンチレーション光が波長シフト
ファイバ7に遭遇して蛍光変換され、この蛍光パルスを
透明な伝送用ファイバ8で伝送するものである。
【0008】さらに、図39に示したセンサも同様の機
能を有しており、四角形板状のプラスチック製のシンチ
レータ2の外周縁に蛍光体を含んだ1対のL字形の樹脂
製の角柱ライトガイド(以下、波長シフトバーと称す
る)9を配置し、この各波長シフトバー9が出会う角部
分を、さらに第2の波長シフトバー10を介して光検出
器11に接続している。シンチレータ2に接している第
1の波長シフトバー9はシンチレーション波長により励
起されて蛍光を放出するものであるが、第2の波長シフ
トバー10は第1の波長シフトバー9が放出した蛍光に
より励起され、さらに長い波長の光を放出するものであ
る。
能を有しており、四角形板状のプラスチック製のシンチ
レータ2の外周縁に蛍光体を含んだ1対のL字形の樹脂
製の角柱ライトガイド(以下、波長シフトバーと称す
る)9を配置し、この各波長シフトバー9が出会う角部
分を、さらに第2の波長シフトバー10を介して光検出
器11に接続している。シンチレータ2に接している第
1の波長シフトバー9はシンチレーション波長により励
起されて蛍光を放出するものであるが、第2の波長シフ
トバー10は第1の波長シフトバー9が放出した蛍光に
より励起され、さらに長い波長の光を放出するものであ
る。
【0009】なお、図38、39に示したいずれのセン
サも、図40に示すように、鉛板12等とシンチレータ
2とが交互に多層に積み重ねられて使用されることを想
定している。
サも、図40に示すように、鉛板12等とシンチレータ
2とが交互に多層に積み重ねられて使用されることを想
定している。
【0010】そして、これらのセンサでは、GeVオー
ダの荷電粒子の入射の結果、電子(β線)とγ線とのカ
スケードシャワーが発生し、多層構造のシンチレータ2
の中をこのシャワーが透過していく。従って、一度に多
量に発生する電子により、各層のシンチレータ2が発光
するようになっているものであり、集光量が多少低くと
も十分実用になるものであった。
ダの荷電粒子の入射の結果、電子(β線)とγ線とのカ
スケードシャワーが発生し、多層構造のシンチレータ2
の中をこのシャワーが透過していく。従って、一度に多
量に発生する電子により、各層のシンチレータ2が発光
するようになっているものであり、集光量が多少低くと
も十分実用になるものであった。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】ところで、原子力関連
施設等の表面汚染検査では、広い範囲の汚染を一時に測
定したり、測定対象物の周囲を包囲するようにセンサを
多数配置したり、あるいはこれらのセンサを駆動機構で
動かしたりする必要がある。このため、センサ自体の薄
型化、小型軽量化が重要な課題となっている。
施設等の表面汚染検査では、広い範囲の汚染を一時に測
定したり、測定対象物の周囲を包囲するようにセンサを
多数配置したり、あるいはこれらのセンサを駆動機構で
動かしたりする必要がある。このため、センサ自体の薄
型化、小型軽量化が重要な課題となっている。
【0012】図36、37に示したセンサは現在実用化
されており、図38、39に示したものも分野は異なる
が、電子線の検出に使用されている。これらについて上
記目的に照らし、適用の際に解決すべき課題を述べると
以下の通りである。
されており、図38、39に示したものも分野は異なる
が、電子線の検出に使用されている。これらについて上
記目的に照らし、適用の際に解決すべき課題を述べると
以下の通りである。
【0013】図36のセンサでは、まず集光量を確保す
るためには光検出器3の受感部面積を大きくとることが
必要である。したがって、実用的な性能を得るためには
直径2インチ程度の光電子増倍管等を用いる必要があ
る。このため必然的に集光箱1の深さが大きくなり、全
体が大型化すると共に重量面でも増大する。また、大型
の光電子増倍管を用いるほど受光確率は高まるが、光電
面が大きいことに起因して暗電流雑音も大きくなるとい
った相反する条件も存在した。
るためには光検出器3の受感部面積を大きくとることが
必要である。したがって、実用的な性能を得るためには
直径2インチ程度の光電子増倍管等を用いる必要があ
る。このため必然的に集光箱1の深さが大きくなり、全
体が大型化すると共に重量面でも増大する。また、大型
の光電子増倍管を用いるほど受光確率は高まるが、光電
面が大きいことに起因して暗電流雑音も大きくなるとい
った相反する条件も存在した。
【0014】このため、この方式では現状以上の薄型
化、小型化は困難であった。また受感面から離れた位置
での検出感度が低く、均一な感度を実現するのが困難で
あった。
化、小型化は困難であった。また受感面から離れた位置
での検出感度が低く、均一な感度を実現するのが困難で
あった。
【0015】図37のセンサも表面汚染検査装置で使用
することがある。このタイプのセンサは感度も高く、薄
く製作することも可能であるが、薄膜でガスを封じるこ
とから構造的に脆弱であり、またガスを流すためのガス
パイプ6や図示しないガスボンベ等を備える必要から、
広い設置スペースが必要であり、動きのある部分に適用
するためには複雑な構造を必要とし、さらには保守性が
悪いという大きな欠点があった。
することがある。このタイプのセンサは感度も高く、薄
く製作することも可能であるが、薄膜でガスを封じるこ
とから構造的に脆弱であり、またガスを流すためのガス
パイプ6や図示しないガスボンベ等を備える必要から、
広い設置スペースが必要であり、動きのある部分に適用
するためには複雑な構造を必要とし、さらには保守性が
悪いという大きな欠点があった。
【0016】図38、39に示したものは、先の2つの
例とは分野が異なり、高エネルギー物理学実験における
シンチレーションカロリメータである。先の汚染検査装
置は通常のβ線検出器として微弱な放射性核種から放出
されるβ線のひとつひとつを計数していくものであった
が、このカロリメータは電子とγ線とのカスケードシャ
ワーの浸透、透過状態を調べるものであり、同時に数多
くの電子(β線)がバースト状に発生したものを検出す
ることを目的として設計されている。このため、発生す
る光量が桁違いに大きく、検出面での感度の位置依存性
やβ線1個の計数漏れなどはあまり問題にされず、それ
よりも多層化する場合の構造的な観点からの検討が加え
られてきた。
例とは分野が異なり、高エネルギー物理学実験における
シンチレーションカロリメータである。先の汚染検査装
置は通常のβ線検出器として微弱な放射性核種から放出
されるβ線のひとつひとつを計数していくものであった
が、このカロリメータは電子とγ線とのカスケードシャ
ワーの浸透、透過状態を調べるものであり、同時に数多
くの電子(β線)がバースト状に発生したものを検出す
ることを目的として設計されている。このため、発生す
る光量が桁違いに大きく、検出面での感度の位置依存性
やβ線1個の計数漏れなどはあまり問題にされず、それ
よりも多層化する場合の構造的な観点からの検討が加え
られてきた。
【0017】図38のセンサでは、シンチレータ2の外
表面が空気層に接しているため、発生した光の半分以上
はシンチレータ2の内部に捕獲される。このため、シン
チレータ2の表面に渦巻き状に配置した波長シフトファ
イバ7に光子が遭遇する確率はシンチレータの面積に対
して接触面積相当でしかないため極めて低く、従って集
光効率が低い。
表面が空気層に接しているため、発生した光の半分以上
はシンチレータ2の内部に捕獲される。このため、シン
チレータ2の表面に渦巻き状に配置した波長シフトファ
イバ7に光子が遭遇する確率はシンチレータの面積に対
して接触面積相当でしかないため極めて低く、従って集
光効率が低い。
【0018】また、図39のセンサではシンチレータ2
の内部に捕獲されて外周縁に到達した光を波長シフトバ
ー9で蛍光変換しているため、ここまでの効率は良い
が、さらに第2の波長シフトバー10を導入して光の伝
送方向を変えているため、蛍光変換効率と伝送効率とが
自乗される。このため、元来微弱な光がさらに減弱し、
結果的には極めて低い集光量しか得られない。したがっ
て、実際には図40に示すように、積層体系で使用する
ことになるが、この場合に2の波長シフトバー10の配
置が交差状であるため多層化の際に問題となる。実用化
のためには第2の波長シフトバー10をファイバ化する
ことが考えられるが、この結果さらに集光量が低下する
ことになる。
の内部に捕獲されて外周縁に到達した光を波長シフトバ
ー9で蛍光変換しているため、ここまでの効率は良い
が、さらに第2の波長シフトバー10を導入して光の伝
送方向を変えているため、蛍光変換効率と伝送効率とが
自乗される。このため、元来微弱な光がさらに減弱し、
結果的には極めて低い集光量しか得られない。したがっ
て、実際には図40に示すように、積層体系で使用する
ことになるが、この場合に2の波長シフトバー10の配
置が交差状であるため多層化の際に問題となる。実用化
のためには第2の波長シフトバー10をファイバ化する
ことが考えられるが、この結果さらに集光量が低下する
ことになる。
【0019】以上のように、従来のセンサを通常のβ線
検出器として使用する場合には集光量が不足するため、
検査装置として必要な感度が得られない。また、光学的
な対称性が考慮されておらず、このため集光量が不足
し、発光位置によっては光の検出が不能となる。このよ
うに、面全体に対して一様な集光効率が達成できないた
め、特にβ線の検出感度の位置依存性が大きくなってし
まうという問題があった。
検出器として使用する場合には集光量が不足するため、
検査装置として必要な感度が得られない。また、光学的
な対称性が考慮されておらず、このため集光量が不足
し、発光位置によっては光の検出が不能となる。このよ
うに、面全体に対して一様な集光効率が達成できないた
め、特にβ線の検出感度の位置依存性が大きくなってし
まうという問題があった。
【0020】本発明は以上の問題点に鑑みてなされたも
のであり、蛍光変換による集光技術を応用し、薄型化、
小型化が可能で、かつ光学的な対称性等を考慮した配置
設計によって従来以上の感度が得られ、しかも位置依存
性が小さく、特にβ線検出用としての実用化が有効的に
図れる波長シフト型放射線センサおよび放射線検出装置
を提供するものである。
のであり、蛍光変換による集光技術を応用し、薄型化、
小型化が可能で、かつ光学的な対称性等を考慮した配置
設計によって従来以上の感度が得られ、しかも位置依存
性が小さく、特にβ線検出用としての実用化が有効的に
図れる波長シフト型放射線センサおよび放射線検出装置
を提供するものである。
【0021】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、請求項1の発明では、平板状のシンチレータと、
このシンチレータの周縁部に少なくとも一部が光学的に
密着して接続され、シンチレーション光を吸収して波長
の長い光を放出する波長シフトファイバとを有する波長
シフト型放射線センサにおいて、前記波長シフトファイ
バを前記シンチレータの周縁部に沿って対称的に配置さ
れる複数のもので構成し、その各波長シフトファイバの
長さ方向一端面に光検出器を装着するとともに他端面に
光をその波長シフトファイバ内に戻すための反射体を設
け、かつ前記波長シフトファイバの対シンチレータ非接
触の外側面と、前記波長シフトファイバの配備されない
シンチレータ周縁の外表面とに、前記シンチレータの内
側方に向かって光を反射する反射体を設ける一方、前記
シンチレータの平坦な面に、屈折率が前記シンチレータ
に比べて小さい物質を配備し、さらにその面の外側に、
前記シンチレータから出た光をそのシンチレータの内側
方に反射するとともに外部からの光を遮ることができる
反射・遮光材料を被せ、この反射・遮光材料は前記シン
チレータの少なくとも放射線入射側で測定対象の放射線
が透過可能であることを特徴とする波長シフト型放射線
センサを提供する。
めに、請求項1の発明では、平板状のシンチレータと、
このシンチレータの周縁部に少なくとも一部が光学的に
密着して接続され、シンチレーション光を吸収して波長
の長い光を放出する波長シフトファイバとを有する波長
シフト型放射線センサにおいて、前記波長シフトファイ
バを前記シンチレータの周縁部に沿って対称的に配置さ
れる複数のもので構成し、その各波長シフトファイバの
長さ方向一端面に光検出器を装着するとともに他端面に
光をその波長シフトファイバ内に戻すための反射体を設
け、かつ前記波長シフトファイバの対シンチレータ非接
触の外側面と、前記波長シフトファイバの配備されない
シンチレータ周縁の外表面とに、前記シンチレータの内
側方に向かって光を反射する反射体を設ける一方、前記
シンチレータの平坦な面に、屈折率が前記シンチレータ
に比べて小さい物質を配備し、さらにその面の外側に、
前記シンチレータから出た光をそのシンチレータの内側
方に反射するとともに外部からの光を遮ることができる
反射・遮光材料を被せ、この反射・遮光材料は前記シン
チレータの少なくとも放射線入射側で測定対象の放射線
が透過可能であることを特徴とする波長シフト型放射線
センサを提供する。
【0022】本発明において、シンチレータ内で発生し
た光の半分以上は、シンチレータと空気との屈折率の違
いにより全反射モードでシンチレータ内に捕獲される。
捕獲されたシンチレーション光は側面まで伝搬するた
め、側面で高密度のシンチレーション光が得られる。こ
の側面の一部に1本あるいは複数本束ねた波長シフトフ
ァイバを2組配置しておき、ここにシンチレーション光
が照射されると、その結果波長シフトファイバの内部で
蛍光変換が生じ、その蛍光は波長シフトファイバの中を
全反射モードで捕獲され、ファイバ端面まで到達する。
た光の半分以上は、シンチレータと空気との屈折率の違
いにより全反射モードでシンチレータ内に捕獲される。
捕獲されたシンチレーション光は側面まで伝搬するた
め、側面で高密度のシンチレーション光が得られる。こ
の側面の一部に1本あるいは複数本束ねた波長シフトフ
ァイバを2組配置しておき、ここにシンチレーション光
が照射されると、その結果波長シフトファイバの内部で
蛍光変換が生じ、その蛍光は波長シフトファイバの中を
全反射モードで捕獲され、ファイバ端面まで到達する。
【0023】シンチレータの辺のなかで波長シフトファ
イバを装着していない辺については反射体を設けておく
ことで、シンチレータ内部に光を反射し波長シフトファ
イバに遭遇する確率を高める。また光検出器の接続され
ていない波長シフトファイバ端面に装着される反射体
は、光検出器に接続された片端に光を反射することで集
光量を増大させる働きを持つ。波長シフトファイバのシ
ンチレータに接していない部分に装着する反射体は、波
長シフトファイバで吸収、蛍光変換されずに透過してし
まったシンチレーション光を再度波長シフトファイバ側
に反射することで蛍光変換効率を高める働きを持つ。
イバを装着していない辺については反射体を設けておく
ことで、シンチレータ内部に光を反射し波長シフトファ
イバに遭遇する確率を高める。また光検出器の接続され
ていない波長シフトファイバ端面に装着される反射体
は、光検出器に接続された片端に光を反射することで集
光量を増大させる働きを持つ。波長シフトファイバのシ
ンチレータに接していない部分に装着する反射体は、波
長シフトファイバで吸収、蛍光変換されずに透過してし
まったシンチレーション光を再度波長シフトファイバ側
に反射することで蛍光変換効率を高める働きを持つ。
【0024】また、シンチレータ表面を覆う反射・遮光
材料は外部から侵入する光を遮断するとともに放射線の
入射窓ともなり、さらにシンチレータ内で全反射されず
に空気中に放射された光に対しても、シンチレータ側に
反射することで波長シフトファイバに遭遇する確率を高
める働きをもつ。
材料は外部から侵入する光を遮断するとともに放射線の
入射窓ともなり、さらにシンチレータ内で全反射されず
に空気中に放射された光に対しても、シンチレータ側に
反射することで波長シフトファイバに遭遇する確率を高
める働きをもつ。
【0025】請求項2の発明では、平板状のシンチレー
タと、このシンチレータの周縁部に少なくとも一部が光
学的に密着して接続され、シンチレーション光を吸収し
て波長の長い光を放出する波長シフトファイバとを有す
る波長シフト型放射線センサにおいて、前記波長シフト
ファイバは2本以上としてそれらにより前記シンチレー
タの全周縁全体を包囲するものとし、その各波長シフト
ファイバの長さ方向一端面に光検出器を装着するととも
に他端面に光をその波長シフトファイバ内に戻すための
反射体を設け、かつ前記波長シフトファイバの対シンチ
レータ非接触の外側面に、前記シンチレータの内側方に
向かって光を反射する反射体を設ける一方、前記シンチ
レータの平坦な面に、屈折率が前記シンチレータに比べ
て小さい物質を配備し、さらにその面の外側に、前記シ
ンチレータから出た光をそのシンチレータの内側方に反
射するとともに外部からの光を遮ることができる反射・
遮光材料を被せ、この反射・遮光材料は前記シンチレー
タの少なくとも放射線入射側で測定対象の放射線が透過
可能であることを特徴とする波長シフト型放射線センサ
を提供する。
タと、このシンチレータの周縁部に少なくとも一部が光
学的に密着して接続され、シンチレーション光を吸収し
て波長の長い光を放出する波長シフトファイバとを有す
る波長シフト型放射線センサにおいて、前記波長シフト
ファイバは2本以上としてそれらにより前記シンチレー
タの全周縁全体を包囲するものとし、その各波長シフト
ファイバの長さ方向一端面に光検出器を装着するととも
に他端面に光をその波長シフトファイバ内に戻すための
反射体を設け、かつ前記波長シフトファイバの対シンチ
レータ非接触の外側面に、前記シンチレータの内側方に
向かって光を反射する反射体を設ける一方、前記シンチ
レータの平坦な面に、屈折率が前記シンチレータに比べ
て小さい物質を配備し、さらにその面の外側に、前記シ
ンチレータから出た光をそのシンチレータの内側方に反
射するとともに外部からの光を遮ることができる反射・
遮光材料を被せ、この反射・遮光材料は前記シンチレー
タの少なくとも放射線入射側で測定対象の放射線が透過
可能であることを特徴とする波長シフト型放射線センサ
を提供する。
【0026】本発明では、例えば平板状シンチレータの
側面全周を包囲するように、2本以上の波長シフトファ
イバを用い、各ファイバの全てあるいは一部分を光学的
に密着させて配備する。そして、各波長シフトファイバ
の1端面には光検出器を装着し、残る片端面には光を波
長シフトファイバ内に戻すための反射体を設け、波長シ
フトファイバのシンチレータ側面に密着していない外側
にはシンチレータ内側方向に向かって光を反射する反射
体を設け、さらにシンチレータの上下面(広い面)に
は、屈折率がシンチレータに比べて小さい物質を配備す
る。さらに、その外側ではシンチレータから出た光をシ
ンチレータ側に反射するとともに、外部からの光を遮る
ことのできる反射・遮光材料で覆う。
側面全周を包囲するように、2本以上の波長シフトファ
イバを用い、各ファイバの全てあるいは一部分を光学的
に密着させて配備する。そして、各波長シフトファイバ
の1端面には光検出器を装着し、残る片端面には光を波
長シフトファイバ内に戻すための反射体を設け、波長シ
フトファイバのシンチレータ側面に密着していない外側
にはシンチレータ内側方向に向かって光を反射する反射
体を設け、さらにシンチレータの上下面(広い面)に
は、屈折率がシンチレータに比べて小さい物質を配備す
る。さらに、その外側ではシンチレータから出た光をシ
ンチレータ側に反射するとともに、外部からの光を遮る
ことのできる反射・遮光材料で覆う。
【0027】本発明は、1本ずつあるいは複数本ずつ束
ねた2組の波長シフトファイバを使用するものであり、
請求項1と異なり、平板状シンチレータの全側面に先の
2組の波長シフトファイバが接するようにし、波長シフ
トされていない側面がないようにした構成である。その
作用および機能については請求項1に準じる。
ねた2組の波長シフトファイバを使用するものであり、
請求項1と異なり、平板状シンチレータの全側面に先の
2組の波長シフトファイバが接するようにし、波長シフ
トされていない側面がないようにした構成である。その
作用および機能については請求項1に準じる。
【0028】請求項3の発明では、平板状のシンチレー
タと、このシンチレータの周縁部に少なくとも一部が光
学的に密着して接続され、シンチレーション光を吸収し
て波長の長い光を放出する波長シフトファイバとを有す
る波長シフト型放射線センサにおいて、前記波長シフト
ファイバを1本として、それにより前記シンチレータの
周縁全体を包囲するものとし、その波長シフトファイバ
の長さ方向両端面に光検出器を装着し、かつ前記波長シ
フトファイバの対シンチレータ非接触の外側面に、前記
シンチレータの内側方に向かって光を反射する反射体を
設ける一方、前記シンチレータの平坦な面に、屈折率が
前記シンチレータに比べて小さい物質を配備し、さらに
その面の外側に、前記シンチレータから出た光をそのシ
ンチレータの内側方に反射するとともに外部からの光を
遮ることができる反射・遮光材料を被せ、この反射・遮
光材料は前記シンチレータの少なくとも放射線入射側で
測定対象の放射線が透過可能であることを特徴とする波
長シフト型放射線センサを提供する。
タと、このシンチレータの周縁部に少なくとも一部が光
学的に密着して接続され、シンチレーション光を吸収し
て波長の長い光を放出する波長シフトファイバとを有す
る波長シフト型放射線センサにおいて、前記波長シフト
ファイバを1本として、それにより前記シンチレータの
周縁全体を包囲するものとし、その波長シフトファイバ
の長さ方向両端面に光検出器を装着し、かつ前記波長シ
フトファイバの対シンチレータ非接触の外側面に、前記
シンチレータの内側方に向かって光を反射する反射体を
設ける一方、前記シンチレータの平坦な面に、屈折率が
前記シンチレータに比べて小さい物質を配備し、さらに
その面の外側に、前記シンチレータから出た光をそのシ
ンチレータの内側方に反射するとともに外部からの光を
遮ることができる反射・遮光材料を被せ、この反射・遮
光材料は前記シンチレータの少なくとも放射線入射側で
測定対象の放射線が透過可能であることを特徴とする波
長シフト型放射線センサを提供する。
【0029】本発明では、平板状シンチレータの側面全
周を包囲するように、1本以上からなる一組の波長シフ
トファイバのすべてあるいは一部分を光学的に密着して
配備し、波長シフトファイバの両端面には光検出器を装
着する。波長シフトファイバのシンチレータ側面に密着
していない外側にはシンチレータ内側方向に向かって光
を反射する反射体を設け、さらにシンチレータの上下面
(広い面)には、屈折率がシンチレータに比べて小さい
物質を配備し、さらにその外側をシンチレータから出た
光をシンチレータ側に反射するとともに、外部からの光
を遮ることのできる反射・遮光材料で覆う。
周を包囲するように、1本以上からなる一組の波長シフ
トファイバのすべてあるいは一部分を光学的に密着して
配備し、波長シフトファイバの両端面には光検出器を装
着する。波長シフトファイバのシンチレータ側面に密着
していない外側にはシンチレータ内側方向に向かって光
を反射する反射体を設け、さらにシンチレータの上下面
(広い面)には、屈折率がシンチレータに比べて小さい
物質を配備し、さらにその外側をシンチレータから出た
光をシンチレータ側に反射するとともに、外部からの光
を遮ることのできる反射・遮光材料で覆う。
【0030】したがって、本発明は、1本あるいは複数
本を束ねた1組の波長シフトファイバを使用するもので
あり、平板状シンチレータの全周に接するようにした構
造である。このため、光検出器は1組の波長シフトファ
イバの両端にそれぞれ装着され、請求項1および2のよ
うな片端での反射処置は不要である。その他の作用およ
び機能については請求項1に準じる。
本を束ねた1組の波長シフトファイバを使用するもので
あり、平板状シンチレータの全周に接するようにした構
造である。このため、光検出器は1組の波長シフトファ
イバの両端にそれぞれ装着され、請求項1および2のよ
うな片端での反射処置は不要である。その他の作用およ
び機能については請求項1に準じる。
【0031】請求項4の発明では、平板状のシンチレー
タと、このシンチレータの周縁部に少なくとも一部が光
学的に密着して接続され、シンチレーション光を吸収し
て波長の長い光を放出する波長シフトファイバとを有す
る波長シフト型放射線センサにおいて、前記波長シフト
ファイバは2本として、前記シンチレータの周縁の対向
する部分に配置し、その各波長シフトファイバの長さ方
向両端面に光検出器を装着し、かつ前記波長シフトファ
イバの対シンチレータ非接触の外側面と、前記波長シフ
トファイバの配備されないシンチレータ周縁の外表面と
に、前記シンチレータの内側方に向かって光を反射する
反射体を設ける一方、前記シンチレータの平坦な面に、
屈折率が前記シンチレータに比べて小さい物質を配備
し、さらにその面の外側に、前記シンチレータから出た
光をそのシンチレータの内側方に反射するとともに外部
からの光を遮ることがてきる反射・遮光材料を被せ、こ
の反射・遮光材料は前記シンチレータの少なくとも放射
線入射側で測定対象の放射線が透過可能であることを特
徴とする波長シフト型放射線センサを提供する。
タと、このシンチレータの周縁部に少なくとも一部が光
学的に密着して接続され、シンチレーション光を吸収し
て波長の長い光を放出する波長シフトファイバとを有す
る波長シフト型放射線センサにおいて、前記波長シフト
ファイバは2本として、前記シンチレータの周縁の対向
する部分に配置し、その各波長シフトファイバの長さ方
向両端面に光検出器を装着し、かつ前記波長シフトファ
イバの対シンチレータ非接触の外側面と、前記波長シフ
トファイバの配備されないシンチレータ周縁の外表面と
に、前記シンチレータの内側方に向かって光を反射する
反射体を設ける一方、前記シンチレータの平坦な面に、
屈折率が前記シンチレータに比べて小さい物質を配備
し、さらにその面の外側に、前記シンチレータから出た
光をそのシンチレータの内側方に反射するとともに外部
からの光を遮ることがてきる反射・遮光材料を被せ、こ
の反射・遮光材料は前記シンチレータの少なくとも放射
線入射側で測定対象の放射線が透過可能であることを特
徴とする波長シフト型放射線センサを提供する。
【0032】即ち、平板状シンチレータの側面の一部分
に、波長シフトファイバ2本以上を用い、各ファイバの
それぞれすべてあるいは一部分を光学的に密着させて配
備し、各波長シフトファイバの両端面に光検出器を装着
し、波長シフトファイバのシンチレータ側面に密着して
いない外側には、シンチレータ内側方向に向かって光を
反射する反射体を設ける。さらに、シンチレータの上下
面(広い面)には、屈折率がシンチレータに比べて小さ
い物質を配備し、さらにその外側をシンチレータから出
た光をシンチレータ側に反射するとともに、外部からの
光を遮ることのできる反射・遮光材料で覆う。
に、波長シフトファイバ2本以上を用い、各ファイバの
それぞれすべてあるいは一部分を光学的に密着させて配
備し、各波長シフトファイバの両端面に光検出器を装着
し、波長シフトファイバのシンチレータ側面に密着して
いない外側には、シンチレータ内側方向に向かって光を
反射する反射体を設ける。さらに、シンチレータの上下
面(広い面)には、屈折率がシンチレータに比べて小さ
い物質を配備し、さらにその外側をシンチレータから出
た光をシンチレータ側に反射するとともに、外部からの
光を遮ることのできる反射・遮光材料で覆う。
【0033】本発明は、1本あるいは複数本を束ねた2
組の波長シフトファイバを使用するものであり、請求項
1と同様にシンチレータに対して波長シフトファイバを
配置するが、2組の波長シフトファイバの両端にそれぞ
れ2つ、合計4個の光検出器を装着して使用する。ファ
イバ片端で反射作用を行う代わり、直接光を検出するも
のである。その他の作用および機能については請求項1
に準じる。
組の波長シフトファイバを使用するものであり、請求項
1と同様にシンチレータに対して波長シフトファイバを
配置するが、2組の波長シフトファイバの両端にそれぞ
れ2つ、合計4個の光検出器を装着して使用する。ファ
イバ片端で反射作用を行う代わり、直接光を検出するも
のである。その他の作用および機能については請求項1
に準じる。
【0034】請求項5の発明は、平板状のシンチレータ
と、このシンチレータの周縁部に少なくとも一部が光学
的に密着して接続され、シンチレーション光を吸収して
波長の長い光を放出する波長シフトファイバとを有する
波長シフト型放射線センサにおいて、前記シンチレータ
を多角形とし、その各縁辺毎に前記波長シフトファイバ
をそれぞれ配置し、その各波長シフトファイバの長さ方
向一端面にそれぞれ光検出器を装着するとともに他端面
に光をその波長シフトファイバ内に戻すための反射体を
それぞれ設け、かつ前記各波長シフトファイバの対シン
チレータ非接触の外側面に、前記シンチレータの内側方
に向かって光を反射する反射体を設ける一方、前記シン
チレータの平坦な面に、屈折率が前記シンチレータに比
べて小さい物質を配備し、さらにその面の外側に、前記
シンチレータから出た光をそのシンチレータの内側方に
反射するとともに外部からの光を遮ることができる反射
・遮光材料を被せ、この反射・遮光材料は前記シンチレ
ータの少なくとも放射線入射側で測定対象の放射線が透
過可能であることを特徴とする波長シフト型放射線セン
サを提供する。
と、このシンチレータの周縁部に少なくとも一部が光学
的に密着して接続され、シンチレーション光を吸収して
波長の長い光を放出する波長シフトファイバとを有する
波長シフト型放射線センサにおいて、前記シンチレータ
を多角形とし、その各縁辺毎に前記波長シフトファイバ
をそれぞれ配置し、その各波長シフトファイバの長さ方
向一端面にそれぞれ光検出器を装着するとともに他端面
に光をその波長シフトファイバ内に戻すための反射体を
それぞれ設け、かつ前記各波長シフトファイバの対シン
チレータ非接触の外側面に、前記シンチレータの内側方
に向かって光を反射する反射体を設ける一方、前記シン
チレータの平坦な面に、屈折率が前記シンチレータに比
べて小さい物質を配備し、さらにその面の外側に、前記
シンチレータから出た光をそのシンチレータの内側方に
反射するとともに外部からの光を遮ることができる反射
・遮光材料を被せ、この反射・遮光材料は前記シンチレ
ータの少なくとも放射線入射側で測定対象の放射線が透
過可能であることを特徴とする波長シフト型放射線セン
サを提供する。
【0035】即ち、平板状シンチレータの側面の一部分
に、辺の数の整数倍に対応した本数の波長シフトファイ
バのそれぞれすべてあるいは一部分を光学的に密着させ
て配備し、各波長シフトファイバの片端面に光検出器を
装着し、残る片端面には光を波長シフトファイバ内に戻
すための反射体を設ける。波長シフトファイバのシンチ
レータ側面に密着していない外側には、シンチレータ内
側方向に向かって光を反射する反射体を設け、さらにシ
ンチレータの上下面(広い面)には、屈折率がシンチレ
ータに比べて小さい物質を配備する。さらに、その外側
をシンチレータから出た光をシンチレータ側に反射する
とともに、外部からの光を遮ることのできる反射・遮光
材料で覆う。
に、辺の数の整数倍に対応した本数の波長シフトファイ
バのそれぞれすべてあるいは一部分を光学的に密着させ
て配備し、各波長シフトファイバの片端面に光検出器を
装着し、残る片端面には光を波長シフトファイバ内に戻
すための反射体を設ける。波長シフトファイバのシンチ
レータ側面に密着していない外側には、シンチレータ内
側方向に向かって光を反射する反射体を設け、さらにシ
ンチレータの上下面(広い面)には、屈折率がシンチレ
ータに比べて小さい物質を配備する。さらに、その外側
をシンチレータから出た光をシンチレータ側に反射する
とともに、外部からの光を遮ることのできる反射・遮光
材料で覆う。
【0036】本発明は、1本あるいは複数本を束ねた4
組の波長シフトファイバを使用するものであり、平板状
シンチレータの全側面すべてに4組の波長シフトファイ
バと光検出器とを装着し、波長シフトファイバのそれぞ
れの片端には反射体を取り付けて光検出器への集光量を
高めている。その他の作用および機能については請求項
1に準じる。
組の波長シフトファイバを使用するものであり、平板状
シンチレータの全側面すべてに4組の波長シフトファイ
バと光検出器とを装着し、波長シフトファイバのそれぞ
れの片端には反射体を取り付けて光検出器への集光量を
高めている。その他の作用および機能については請求項
1に準じる。
【0037】請求項6の発明では、請求項1から5まで
のいずれかに記載の波長シフト型放射線センサにおい
て、波長シフトファイバと光検出器とは、透明な光ファ
イバ、ライトガイド、またはライトパイプからなる光伝
送用の手段によって接続し、かつ前記光検出器は前記波
長シフトファイバからの光信号を個々に受ける独立した
構成、または一括して受ける共通な構成としたことを特
徴とする波長シフト型放射線センサを提供する。
のいずれかに記載の波長シフト型放射線センサにおい
て、波長シフトファイバと光検出器とは、透明な光ファ
イバ、ライトガイド、またはライトパイプからなる光伝
送用の手段によって接続し、かつ前記光検出器は前記波
長シフトファイバからの光信号を個々に受ける独立した
構成、または一括して受ける共通な構成としたことを特
徴とする波長シフト型放射線センサを提供する。
【0038】即ち、請求項1〜5で述べたセンサにおい
て、波長シフトファイバ端と光検出器との間に光伝送用
の透明な光ファイバ、あるいはライトガイド、ライトパ
イプが介在しており、波長シフトファイバ端からの光信
号が個々の独立したあるいは共通の光検出器に伝送され
る構造を付加している。
て、波長シフトファイバ端と光検出器との間に光伝送用
の透明な光ファイバ、あるいはライトガイド、ライトパ
イプが介在しており、波長シフトファイバ端からの光信
号が個々の独立したあるいは共通の光検出器に伝送され
る構造を付加している。
【0039】請求項1においては波長シフトファイバ端
に直接光検出器を装着していたが、本発明ではその間に
上記のような光伝送路となり得る部品を介在させ、光伝
送するものである。その他の作用および機能については
請求項1〜5に準じる。
に直接光検出器を装着していたが、本発明ではその間に
上記のような光伝送路となり得る部品を介在させ、光伝
送するものである。その他の作用および機能については
請求項1〜5に準じる。
【0040】請求項7の発明では、請求項1、4または
5記載の波長シフト型放射線センサにおいて、波長シフ
トファイバに代えて、前記波長シフトファイバと同等の
蛍光機能を有する角柱状または円柱状の透明樹脂あるい
はガラスからなる波長シフトバーを備えたことを特徴と
する波長シフト型放射線センサを提供する。
5記載の波長シフト型放射線センサにおいて、波長シフ
トファイバに代えて、前記波長シフトファイバと同等の
蛍光機能を有する角柱状または円柱状の透明樹脂あるい
はガラスからなる波長シフトバーを備えたことを特徴と
する波長シフト型放射線センサを提供する。
【0041】即ち、請求項1、4、5で述べたセンサに
おいて、波長シフトファイバの代りとして、波長シフト
ファイバに含まれる蛍光体と同等の作用を持つ蛍光体を
含有する角柱状、あるいは円柱状の樹脂やガラスででき
た波長シフトバーを用いる。
おいて、波長シフトファイバの代りとして、波長シフト
ファイバに含まれる蛍光体と同等の作用を持つ蛍光体を
含有する角柱状、あるいは円柱状の樹脂やガラスででき
た波長シフトバーを用いる。
【0042】本発明では、波長シフトファイバはコアに
対して1つ以上のクラッド層を有するが、クラッド層を
周囲の空気で代替させたクラッドなしのファイバを使用
することができる。また蛍光体(波長シフタ)を樹脂や
ガラスで固化し、ライトガイド、ライトパイプ状に加工
した波長シフトバーを波長シフトファイバの代わりとし
て使用することができる。
対して1つ以上のクラッド層を有するが、クラッド層を
周囲の空気で代替させたクラッドなしのファイバを使用
することができる。また蛍光体(波長シフタ)を樹脂や
ガラスで固化し、ライトガイド、ライトパイプ状に加工
した波長シフトバーを波長シフトファイバの代わりとし
て使用することができる。
【0043】請求項8の発明では、請求項5記載の波長
シフト型放射線センサにおいて、波長シフトファイバに
代えて、前記波長シフトファイバと同等の蛍光機能を有
する角柱状または円柱状の透明樹脂あるいはガラスから
なる波長シフトバーを備え、かつ2以上の前記波長シフ
トバーからの光を合流させて光検出器に導く構成とした
ことを特徴とする波長シフト型放射線センサを提供す
る。
シフト型放射線センサにおいて、波長シフトファイバに
代えて、前記波長シフトファイバと同等の蛍光機能を有
する角柱状または円柱状の透明樹脂あるいはガラスから
なる波長シフトバーを備え、かつ2以上の前記波長シフ
トバーからの光を合流させて光検出器に導く構成とした
ことを特徴とする波長シフト型放射線センサを提供す
る。
【0044】即ち、請求項5で述べたセンサにおいて、
波長シフトファイバの代りとして、波長シフトファイバ
に含まれる蛍光体と同等の作用を持つ蛍光体を含有する
角柱状、あるいは円柱状の樹脂やガラスでできた波長シ
フトバーを用い、さらに2つ以上の波長シフトバーから
の光を合流させて光検出器に導く機能を有するライトガ
イドを備える。
波長シフトファイバの代りとして、波長シフトファイバ
に含まれる蛍光体と同等の作用を持つ蛍光体を含有する
角柱状、あるいは円柱状の樹脂やガラスでできた波長シ
フトバーを用い、さらに2つ以上の波長シフトバーから
の光を合流させて光検出器に導く機能を有するライトガ
イドを備える。
【0045】本発明では、波長シフトファイバの代わり
にクラッドなしのファイバあるいは波長シフトバーを使
用することができる。ライトガイドは自由な形状に切
削、研磨等の加工が可能であるため、2つの波長シフト
バーからの光を共通の光検出器に導くようなライトガイ
ドを装着する。あるいは波長シフトバーの端部自体を合
流用ライトガイドの形状に加工しておくこともできる。
にクラッドなしのファイバあるいは波長シフトバーを使
用することができる。ライトガイドは自由な形状に切
削、研磨等の加工が可能であるため、2つの波長シフト
バーからの光を共通の光検出器に導くようなライトガイ
ドを装着する。あるいは波長シフトバーの端部自体を合
流用ライトガイドの形状に加工しておくこともできる。
【0046】請求項9の発明では、請求項1から8まで
のいずれかに記載の波長シフト型放射線センサを用いた
放射線検出装置であって、2系統の光検出器から得られ
る検出信号が同時に検出された場合に放射線による信号
とみなし、それ以外の信号を光検出器のノイズ等の信号
として識別する識別手段を備えたことを特徴とする放射
線検出装置を提供する。
のいずれかに記載の波長シフト型放射線センサを用いた
放射線検出装置であって、2系統の光検出器から得られ
る検出信号が同時に検出された場合に放射線による信号
とみなし、それ以外の信号を光検出器のノイズ等の信号
として識別する識別手段を備えたことを特徴とする放射
線検出装置を提供する。
【0047】即ち、請求項1〜8で述べたセンサにおい
て、2系統の光検出器から得られる検出信号が同時に検
出される場合に放射線による信号とみなし、それ以外の
信号を光検出器のノイズ等の信号として識別する装置を
合わせ持つ。
て、2系統の光検出器から得られる検出信号が同時に検
出される場合に放射線による信号とみなし、それ以外の
信号を光検出器のノイズ等の信号として識別する装置を
合わせ持つ。
【0048】光検出器で観測される放射線によるパルス
信号は極めて微弱であり、場合によっては光検出器のノ
イズと波高値と同程度のものもある。本発明は、2系統
の検出器の出力信号について、ノイズも含むシングルフ
ォトン以上の信号全てを検出し、これらの同時計数を行
う。2系統の光検出器のノイズは無相関、ランダムであ
るのに対し、シンチレーション光は検出器内で捕獲、拡
散し2系統の波長シフトファイバにほぼ同時に到達し、
2系統の光検出器で同時に検出されることになる。この
ため同時性が成立したものだけが放射線の入射による信
号でそれ以外の信号は無相関信号、即ち検出器ノイズと
判断することができる。光検出器を4個使用する場合に
はいずれかの2つ、いずれかの3つ、いずれかの4つの
同時計数をとることができる。これらの同時計数回路と
組み合わせて使用する。
信号は極めて微弱であり、場合によっては光検出器のノ
イズと波高値と同程度のものもある。本発明は、2系統
の検出器の出力信号について、ノイズも含むシングルフ
ォトン以上の信号全てを検出し、これらの同時計数を行
う。2系統の光検出器のノイズは無相関、ランダムであ
るのに対し、シンチレーション光は検出器内で捕獲、拡
散し2系統の波長シフトファイバにほぼ同時に到達し、
2系統の光検出器で同時に検出されることになる。この
ため同時性が成立したものだけが放射線の入射による信
号でそれ以外の信号は無相関信号、即ち検出器ノイズと
判断することができる。光検出器を4個使用する場合に
はいずれかの2つ、いずれかの3つ、いずれかの4つの
同時計数をとることができる。これらの同時計数回路と
組み合わせて使用する。
【0049】請求項10の発明では、請求項1から8ま
でのいずれかに記載の波長シフト型放射線センサを用い
た放射線検出装置であって、各光検出器の出力信号のパ
ルス波高値としきい値となる参照電圧値とを比較する比
較手段と、しきい値以下の信号はノイズとみなし、しき
い値を超える信号は放射線検出信号として識別する識別
手段を備えたことを特徴とする放射線検出装置を提供す
る。
でのいずれかに記載の波長シフト型放射線センサを用い
た放射線検出装置であって、各光検出器の出力信号のパ
ルス波高値としきい値となる参照電圧値とを比較する比
較手段と、しきい値以下の信号はノイズとみなし、しき
い値を超える信号は放射線検出信号として識別する識別
手段を備えたことを特徴とする放射線検出装置を提供す
る。
【0050】即ち、請求項1〜8で述べたセンサにおい
て、各光検出器の出力信号のパルス波高値としきい値と
なる参照電圧値とを比較し、しきい値以下の信号はノイ
ズとみなし、しきい値を越える信号は放射線検出信号と
して識別する装置を合わせ持つ。
て、各光検出器の出力信号のパルス波高値としきい値と
なる参照電圧値とを比較し、しきい値以下の信号はノイ
ズとみなし、しきい値を越える信号は放射線検出信号と
して識別する装置を合わせ持つ。
【0051】本発明では、各光検出器の出力パルス信号
を必要なレベルまで電圧増幅した後、これに対して電圧
比較回路等による参照電圧値をしきい値として比較す
る。そして、一定レベル以上の波高値を持つパルスは放
射線による信号として計算し、レベルに満たない場合は
光検出器および回路系統のノイズとして計数しない。
を必要なレベルまで電圧増幅した後、これに対して電圧
比較回路等による参照電圧値をしきい値として比較す
る。そして、一定レベル以上の波高値を持つパルスは放
射線による信号として計算し、レベルに満たない場合は
光検出器および回路系統のノイズとして計数しない。
【0052】請求項11の発明は、請求項1から8まで
のいずれかに記載の波長シフト型放射線センサを上下2
層に密着させ、これら上下のセンサから出力される独立
した信号の有無の組み合わせにより、入射した放射線の
種類をその飛程の長短に基づいて識別する手段を有する
ことを特徴とする放射線検出装置を提供する。
のいずれかに記載の波長シフト型放射線センサを上下2
層に密着させ、これら上下のセンサから出力される独立
した信号の有無の組み合わせにより、入射した放射線の
種類をその飛程の長短に基づいて識別する手段を有する
ことを特徴とする放射線検出装置を提供する。
【0053】即ち、請求項1〜8の構造を持つセンサを
上下2層に密着させた構成とし、上下独立した信号の有
無の組み合わせにより入射した放射線の種類を識別する
装置を合わせ持つ。
上下2層に密着させた構成とし、上下独立した信号の有
無の組み合わせにより入射した放射線の種類を識別する
装置を合わせ持つ。
【0054】本発明では、放射線の入射面側(上)を第
1の層、その下を第2の層とする。第1の層は飛程の短
いα線が全エネルギーあるいはそれに近い量のエネルギ
ーを失うときに必要な厚さとする。このためα線が入射
した場合には第1層のみが発光する。β線はα線より平
均的に透過力が高いため第1の層でもエネルギーを一部
失いながら第2の層にも侵入し、この第2の層で残り全
てのエネルギーを失う。第2の層の厚さは入射するβ線
が第1と第2の層で全エネルギーを失うように決定して
おく。また光学的には第1の層と第2の層とを分離し
て、互いの層での発光の影響を受けないようにしてお
く。
1の層、その下を第2の層とする。第1の層は飛程の短
いα線が全エネルギーあるいはそれに近い量のエネルギ
ーを失うときに必要な厚さとする。このためα線が入射
した場合には第1層のみが発光する。β線はα線より平
均的に透過力が高いため第1の層でもエネルギーを一部
失いながら第2の層にも侵入し、この第2の層で残り全
てのエネルギーを失う。第2の層の厚さは入射するβ線
が第1と第2の層で全エネルギーを失うように決定して
おく。また光学的には第1の層と第2の層とを分離し
て、互いの層での発光の影響を受けないようにしてお
く。
【0055】この構成によれば、第1の層だけで信号が
出力された場合、あるいはさらに条件を付加して大きな
(−定波高値以上の)信号が検出された場合にはα線に
よる信号、その他の場合にはβ線の信号として識別する
ことが可能である。
出力された場合、あるいはさらに条件を付加して大きな
(−定波高値以上の)信号が検出された場合にはα線に
よる信号、その他の場合にはβ線の信号として識別する
ことが可能である。
【0056】請求項12の発明では、請求項1、2、
4、5、6、7または8に記載の波長シフト型放射線セ
ンサを上下2層に密着させ、これらの各センサを構成す
る複数の波長シフトファイバの一部は上下2層のシンチ
レータいずれからの光も受光して蛍光変換できるように
各シンチレータと接触する構成とし、この共通な波長シ
フトファイバからの検出信号と、上下の各センサから出
力される独立した信号との有無の組み合わせにより、入
射した放射線の種類をその飛程の長短に基づいて識別す
る手段を有することを特徴とする放射線検出装置を提供
する。
4、5、6、7または8に記載の波長シフト型放射線セ
ンサを上下2層に密着させ、これらの各センサを構成す
る複数の波長シフトファイバの一部は上下2層のシンチ
レータいずれからの光も受光して蛍光変換できるように
各シンチレータと接触する構成とし、この共通な波長シ
フトファイバからの検出信号と、上下の各センサから出
力される独立した信号との有無の組み合わせにより、入
射した放射線の種類をその飛程の長短に基づいて識別す
る手段を有することを特徴とする放射線検出装置を提供
する。
【0057】即ち、請求項1、2、4、5、6、7、8
で述べた作用により波長シフトファイバを装着した検出
器を上下2層に密着させた構成とし、しかも使用してい
る複数組の波長シフトファイバの一部は上下2層のシン
チレータいずれからの光も受光し蛍光変換できるように
シンチレータと接するように配置し、この共通化した部
分からの検出信号と上下独立した信号の有無の組み合わ
せにより入射した放射線の種類を識別する装置を合わせ
持つ。
で述べた作用により波長シフトファイバを装着した検出
器を上下2層に密着させた構成とし、しかも使用してい
る複数組の波長シフトファイバの一部は上下2層のシン
チレータいずれからの光も受光し蛍光変換できるように
シンチレータと接するように配置し、この共通化した部
分からの検出信号と上下独立した信号の有無の組み合わ
せにより入射した放射線の種類を識別する装置を合わせ
持つ。
【0058】この場合には請求項11と同様の考え方で
第1の層と第2の層の厚さを決めることができる。請求
項11では第1、第2の層で独立した集光、信号検出系
を用いたが、ここでは、1層分のシンチレータに対して
2組の波長シフトファイバあるいは波長シフトバーを備
え、そのうちの片方は2つの層のシンチレータの両方と
接するように配置されている。この共通の波長シフトフ
ァイバあるいは波長シフトバーで光が検出された時、残
された2層の独立した波長シフトファイバあるいは波長
シフトバーからの光の検出信号との同時性を調べ、同時
性が成立した場合、該当する層で放射線が検出されたも
のと考える。
第1の層と第2の層の厚さを決めることができる。請求
項11では第1、第2の層で独立した集光、信号検出系
を用いたが、ここでは、1層分のシンチレータに対して
2組の波長シフトファイバあるいは波長シフトバーを備
え、そのうちの片方は2つの層のシンチレータの両方と
接するように配置されている。この共通の波長シフトフ
ァイバあるいは波長シフトバーで光が検出された時、残
された2層の独立した波長シフトファイバあるいは波長
シフトバーからの光の検出信号との同時性を調べ、同時
性が成立した場合、該当する層で放射線が検出されたも
のと考える。
【0059】この構成によれば、第1の層だけで信号が
出力された場合、あるいはさらに条件を付加して大きな
(一定波高値以上の)信号が検出された場合にはα線に
よる信号、その他の場合にはβ線の信号として識別する
ことが可能である。
出力された場合、あるいはさらに条件を付加して大きな
(一定波高値以上の)信号が検出された場合にはα線に
よる信号、その他の場合にはβ線の信号として識別する
ことが可能である。
【0060】請求項13の発明では、請求項1から8ま
でのいずれかに記載の波長シフト型放射線センサを用い
た放射線検出装置であって、シンチレータの放射線入射
面側の表面に、荷電粒子との反応によって発光する層を
光学的に密着させて形成し、光検出器からの出力信号を
増幅する増幅手段と、増幅した信号を一定のしきい値を
超える間だけ出力する比較手段と、この比較手段からの
出力信号とその信号の遅延回路による遅延出力信号との
同時性弁別により全放射線の計数値および放射線の種類
毎の計数値を調べる手段を備えたことを特徴とする放射
線検出装置を提供する。
でのいずれかに記載の波長シフト型放射線センサを用い
た放射線検出装置であって、シンチレータの放射線入射
面側の表面に、荷電粒子との反応によって発光する層を
光学的に密着させて形成し、光検出器からの出力信号を
増幅する増幅手段と、増幅した信号を一定のしきい値を
超える間だけ出力する比較手段と、この比較手段からの
出力信号とその信号の遅延回路による遅延出力信号との
同時性弁別により全放射線の計数値および放射線の種類
毎の計数値を調べる手段を備えたことを特徴とする放射
線検出装置を提供する。
【0061】即ち、請求項1〜8で述べたセンサにおい
て、シンチレータの放射線入射面側の表面に密着させ
て、荷電粒子と反応して発光する層を設け、出力信号を
増幅し一定しきい値を超える間信号を出力する電圧比較
回路の出力と、その信号を時間的に遅らせる遅延回路の
遅延出力との同時性を調べる手段を備える機能を合わせ
持つ。
て、シンチレータの放射線入射面側の表面に密着させ
て、荷電粒子と反応して発光する層を設け、出力信号を
増幅し一定しきい値を超える間信号を出力する電圧比較
回路の出力と、その信号を時間的に遅らせる遅延回路の
遅延出力との同時性を調べる手段を備える機能を合わせ
持つ。
【0062】請求項11、12の発明はα、β線の弁別
を行うために2層の検出器構造としたが、本発明は基本
構造は1層のみとし、その代わりにシンチレータの放射
線入射面側にα線に反応するシンチレータを塗布する。
塗布する厚さはα線が十分エネルギーを失うが、β線は
透過可能なように決める。塗布したシンチレータや母体
となるシンチレータでの発光はいずれも波長シフトファ
イバ、あるいは波長シフトバーで蛍光変換される。この
ため光検出器の出力には2種類の発光による信号が混合
された状態で観測されるが、シンチレータの種類を変え
ておくことで発光減衰時間に違いが出てくる。
を行うために2層の検出器構造としたが、本発明は基本
構造は1層のみとし、その代わりにシンチレータの放射
線入射面側にα線に反応するシンチレータを塗布する。
塗布する厚さはα線が十分エネルギーを失うが、β線は
透過可能なように決める。塗布したシンチレータや母体
となるシンチレータでの発光はいずれも波長シフトファ
イバ、あるいは波長シフトバーで蛍光変換される。この
ため光検出器の出力には2種類の発光による信号が混合
された状態で観測されるが、シンチレータの種類を変え
ておくことで発光減衰時間に違いが出てくる。
【0063】光検出器の出力信号を一定範囲内の波高値
まで増幅して、電圧比較器で論理出力に変換した場合、
パルス幅には発光減衰時間に応じて長短ができる。パル
ス幅はある程度波高値にも依存するが、減衰時間の差が
大きい場合には減衰時間がパルス幅を決める主要因とな
るため、パルス幅から減衰時間の長短を識別することが
できる。この識別により発光したシンチレータが分か
り、塗布面での発光か母体シンチレータでの発光かが分
かり、αとβ線の識別が可能である。
まで増幅して、電圧比較器で論理出力に変換した場合、
パルス幅には発光減衰時間に応じて長短ができる。パル
ス幅はある程度波高値にも依存するが、減衰時間の差が
大きい場合には減衰時間がパルス幅を決める主要因とな
るため、パルス幅から減衰時間の長短を識別することが
できる。この識別により発光したシンチレータが分か
り、塗布面での発光か母体シンチレータでの発光かが分
かり、αとβ線の識別が可能である。
【0064】請求項14の発明では、請求項1から8ま
でのいずれかに記載の波長シフト型放射線センサにおい
て、波長シフトファイバまたは波長シフトバーのシンチ
レータへの非接触面に、反射体に代えて他の平板状のシ
ンチレータの周縁部を密着させたことを特徴とする波長
シフト型放射線センサでを提供する。
でのいずれかに記載の波長シフト型放射線センサにおい
て、波長シフトファイバまたは波長シフトバーのシンチ
レータへの非接触面に、反射体に代えて他の平板状のシ
ンチレータの周縁部を密着させたことを特徴とする波長
シフト型放射線センサでを提供する。
【0065】即ち、請求項1〜8においてシンチレータ
に接していない面に設けた反射体の代わりに、別のシン
チレータを密着させた構造を持つ。
に接していない面に設けた反射体の代わりに、別のシン
チレータを密着させた構造を持つ。
【0066】本発明は、複数のシンチレータを合わせ、
それらの境界および端面を波長シフトファイバもしくは
波長シフトバーで構成し、受感面積を拡大した検出器で
ある。
それらの境界および端面を波長シフトファイバもしくは
波長シフトバーで構成し、受感面積を拡大した検出器で
ある。
【0067】請求項15の発明では、請求項14記載の
波長シフト型放射線検出センサを用いた放射線検出装置
であって、複数の光検出信号の内、2系統の光検出器か
ら得られる検出信号が同時に検出される場合に放射線に
よる信号とみなし、それ以外の信号を光検出器のノイズ
等の信号として識別する識別手段を備えたことを特徴と
する放射線検出装置を提供する。
波長シフト型放射線検出センサを用いた放射線検出装置
であって、複数の光検出信号の内、2系統の光検出器か
ら得られる検出信号が同時に検出される場合に放射線に
よる信号とみなし、それ以外の信号を光検出器のノイズ
等の信号として識別する識別手段を備えたことを特徴と
する放射線検出装置を提供する。
【0068】即ち、請求項14において2個を超える複
数個の光検出信号のうち、2系統の光検出器から得られ
る検出信号が同時に検出される場合に放射線による信号
とみなし、それ以外の信号を光検出器のノイズ等の信号
として識別する装置を合わせ持つ。
数個の光検出信号のうち、2系統の光検出器から得られ
る検出信号が同時に検出される場合に放射線による信号
とみなし、それ以外の信号を光検出器のノイズ等の信号
として識別する装置を合わせ持つ。
【0069】本発明は、複数のシンチレータから構成さ
れるにもかかわらず、全体をひとつのセンサとみなし、
いずれかのシンチレータに放射線が入射した場合に信号
を出力するようなロジックを使用する。
れるにもかかわらず、全体をひとつのセンサとみなし、
いずれかのシンチレータに放射線が入射した場合に信号
を出力するようなロジックを使用する。
【0070】請求項16の発明では、請求項14記載の
波長シフト型放射線検出センサを用いた放射線検出装置
であって、複数の光検出信号のうち、2系統の光検出器
から得られる検出信号が同時に検出される場合に放射線
による信号とみなし、それ以外の信号を光検出器のノイ
ズ等の信号として識別するとともに、信号検出された波
長シフトファイバの組み合わせにより、放射線が入射し
たシンチレータを識別する機能を有することを特徴とす
る放射線検出装置を提供する。
波長シフト型放射線検出センサを用いた放射線検出装置
であって、複数の光検出信号のうち、2系統の光検出器
から得られる検出信号が同時に検出される場合に放射線
による信号とみなし、それ以外の信号を光検出器のノイ
ズ等の信号として識別するとともに、信号検出された波
長シフトファイバの組み合わせにより、放射線が入射し
たシンチレータを識別する機能を有することを特徴とす
る放射線検出装置を提供する。
【0071】即ち、請求項14において2個を超える複
数個の光検出信号のうち、2系統以上の光検出器から得
られる検出信号が同時に検出される場合に放射線による
信号とみなし、それ以外の信号を光検出器のノイズ等の
信号として識別するとともに、信号検出された波長シフ
トファイバの組み合わせにより、放射線が入射したシン
チレータを識別する機能を合わせ持つ。
数個の光検出信号のうち、2系統以上の光検出器から得
られる検出信号が同時に検出される場合に放射線による
信号とみなし、それ以外の信号を光検出器のノイズ等の
信号として識別するとともに、信号検出された波長シフ
トファイバの組み合わせにより、放射線が入射したシン
チレータを識別する機能を合わせ持つ。
【0072】本発明では、複数のシンチレータから構成
される請求項15と同様の構造を持つが、全体をひとつ
の検出器としてはみなさず、個々のンチレータに放射線
が入射した場合にシンチレータ別に独立した信号を出力
するようなロジックを使用する。
される請求項15と同様の構造を持つが、全体をひとつ
の検出器としてはみなさず、個々のンチレータに放射線
が入射した場合にシンチレータ別に独立した信号を出力
するようなロジックを使用する。
【0073】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【0074】第1実施形態(図1〜図6) 図1は本実施形態による波長シフト型放射線センサの全
体構成を示す斜視図であり、図2はその側面図である。
図3〜図6はシンチレータと波長シフトファイバとの接
続部の複数の異る構成例を示す拡大図である。
体構成を示す斜視図であり、図2はその側面図である。
図3〜図6はシンチレータと波長シフトファイバとの接
続部の複数の異る構成例を示す拡大図である。
【0075】本実施形態は請求項1に対応するものであ
り、図1および図2に示すように、四角形平板状のシン
チレータ21と、このシンチレータ21の周縁部に光学
的に密着して接続され、シンチレーション光を吸収して
波長の長い光を放出する波長シフトファイバ22とを有
する。そして、波長シフトファイバ22はシンチレータ
21の周縁部に沿って対称的に配置される複数のもので
構成され、その各波長シフトファイバ22の長さ方向一
端面に光検出器23が装着されるとともに、他端面に光
をその波長シフトファイバ22内に戻すための反射体2
4が設けられている。波長シフトファイバ22の対シン
チレータ非接触面である外側面と、波長シフトファイバ
22の配備されないシンチレータ周縁の外表面とに、シ
ンチレータの内側方に向かって光を反射する反射体22
a,25が設けられている。また、シンチレータ21の
平坦な面に、屈折率がシンチレータ21に比べて小さい
物質が配備され、さらにその面の外側に、シンチレータ
21から出た光をそのシンチレータの内側方に反射する
とともに外部からの光を遮ることができる反射・遮光材
料26が被せてある。この反射・遮光材料26はシンチ
レータ21の少なくとも放射線入射側(上面側)で測定
対象の放射線が透過可能である。
り、図1および図2に示すように、四角形平板状のシン
チレータ21と、このシンチレータ21の周縁部に光学
的に密着して接続され、シンチレーション光を吸収して
波長の長い光を放出する波長シフトファイバ22とを有
する。そして、波長シフトファイバ22はシンチレータ
21の周縁部に沿って対称的に配置される複数のもので
構成され、その各波長シフトファイバ22の長さ方向一
端面に光検出器23が装着されるとともに、他端面に光
をその波長シフトファイバ22内に戻すための反射体2
4が設けられている。波長シフトファイバ22の対シン
チレータ非接触面である外側面と、波長シフトファイバ
22の配備されないシンチレータ周縁の外表面とに、シ
ンチレータの内側方に向かって光を反射する反射体22
a,25が設けられている。また、シンチレータ21の
平坦な面に、屈折率がシンチレータ21に比べて小さい
物質が配備され、さらにその面の外側に、シンチレータ
21から出た光をそのシンチレータの内側方に反射する
とともに外部からの光を遮ることができる反射・遮光材
料26が被せてある。この反射・遮光材料26はシンチ
レータ21の少なくとも放射線入射側(上面側)で測定
対象の放射線が透過可能である。
【0076】以上の第1実施形態において、シンチレー
タ21内で発生した光の半分以上は、シンチレータ21
と空気との屈折率の違いにより、全反射モードでシンチ
レータ21内に捕獲される。捕獲されたシンチレーショ
ン光はシンチレータ21の周縁部の側面まで伝搬するた
め、側面で高密度のシンチレーション光が得られる。こ
の側面の一部に1本あるいは複数本束ねた波長シフトフ
ァイバ22を2組配置してあることから、ここにシンチ
レーション光が照射されると、その結果波長シフトファ
イバ22の内部で蛍光変換が生じ、その蛍光は波長シフ
トファイバ22の中を全反射モードで捕獲され、ファイ
バ端面まで到達する。
タ21内で発生した光の半分以上は、シンチレータ21
と空気との屈折率の違いにより、全反射モードでシンチ
レータ21内に捕獲される。捕獲されたシンチレーショ
ン光はシンチレータ21の周縁部の側面まで伝搬するた
め、側面で高密度のシンチレーション光が得られる。こ
の側面の一部に1本あるいは複数本束ねた波長シフトフ
ァイバ22を2組配置してあることから、ここにシンチ
レーション光が照射されると、その結果波長シフトファ
イバ22の内部で蛍光変換が生じ、その蛍光は波長シフ
トファイバ22の中を全反射モードで捕獲され、ファイ
バ端面まで到達する。
【0077】シンチレータ21の周縁部の辺のなかで、
波長シフトファイバ22を装着していない辺について
は、反射体25を設けておくことで、シンチレータ21
内部に光が反射され、波長シフトファイバ22に遭遇す
る確率を高めることができる。
波長シフトファイバ22を装着していない辺について
は、反射体25を設けておくことで、シンチレータ21
内部に光が反射され、波長シフトファイバ22に遭遇す
る確率を高めることができる。
【0078】また、光検出器23の接続されていない波
長シフトファイバ22の端面に装着される反射体24
は、光検出器23に接続された片端に光を反射すること
で、集光量を増大させることができる。
長シフトファイバ22の端面に装着される反射体24
は、光検出器23に接続された片端に光を反射すること
で、集光量を増大させることができる。
【0079】また、波長シフトファイバ22のシンチレ
ータ21に接していない部分に装着する反射体22a
は、波長シフトファイバ22で吸収、蛍光変換されずに
透過してしまったシンチレーション光を再度波長シフト
ファイバ22側に反射することで、蛍光変換効率を高め
ることができる。
ータ21に接していない部分に装着する反射体22a
は、波長シフトファイバ22で吸収、蛍光変換されずに
透過してしまったシンチレーション光を再度波長シフト
ファイバ22側に反射することで、蛍光変換効率を高め
ることができる。
【0080】さらに、シンチレータ21の表面を覆う反
射・遮光材料26は外部から侵入する光を遮断するとと
もに放射線の入射窓ともなり、さらにシンチレータ21
内で全反射されずに空気中に放射された光に対しても、
シンチレータ21側に反射することで、波長シフトファ
イバ22に遭遇する確率を高めることができる。
射・遮光材料26は外部から侵入する光を遮断するとと
もに放射線の入射窓ともなり、さらにシンチレータ21
内で全反射されずに空気中に放射された光に対しても、
シンチレータ21側に反射することで、波長シフトファ
イバ22に遭遇する確率を高めることができる。
【0081】詳述すると、本実施形態のセンサは、四角
形平板状のシンチレータ21の4辺のうち、2辺に波長
シフトファイバ22を配置し、残る2辺には反射体
が装着してあり、波長シフトファイバ22とシンチレー
タ21との境界は光学的に連続している。波長シフトフ
ァイバ22の端面に接続される光検出器23の取り付け
位置は、シンチレータ21の対角位置とすることで、光
学的な対称性が得られ、位置に依存しない感度を実現で
きる。
形平板状のシンチレータ21の4辺のうち、2辺に波長
シフトファイバ22を配置し、残る2辺には反射体
が装着してあり、波長シフトファイバ22とシンチレー
タ21との境界は光学的に連続している。波長シフトフ
ァイバ22の端面に接続される光検出器23の取り付け
位置は、シンチレータ21の対角位置とすることで、光
学的な対称性が得られ、位置に依存しない感度を実現で
きる。
【0082】また、図2に示したように、センサの全体
は反射・遮光材料26により覆われており、外部からの
遮光の役割に加えて、シンチレータ21から放射された
光をシンチレータ21側に戻し、波長シフトファイバ2
2に遭遇する確率を高める役割もあわせ持つ。
は反射・遮光材料26により覆われており、外部からの
遮光の役割に加えて、シンチレータ21から放射された
光をシンチレータ21側に戻し、波長シフトファイバ2
2に遭遇する確率を高める役割もあわせ持つ。
【0083】全体を覆う反射・遮光材料26は、シンチ
レータ21の上部側では放射線の入射窓でもあるため、
透過力の弱い放射線を測定対象とする場合には透過可能
な膜状のものとする必要がある。シンチレータ21の外
周縁の側面や、波長シフトファイバ22の端面に装着す
る反射体25,22aは、こういった膜厚等の制限はな
いため、乱反射体、鏡面反射体等の装着または塗布する
ことにより構成できる。従って、反射体22a,25は
ひとつのセンサの複数箇所に設けられるが、かならずし
も同じ材料であるとはかぎらない。
レータ21の上部側では放射線の入射窓でもあるため、
透過力の弱い放射線を測定対象とする場合には透過可能
な膜状のものとする必要がある。シンチレータ21の外
周縁の側面や、波長シフトファイバ22の端面に装着す
る反射体25,22aは、こういった膜厚等の制限はな
いため、乱反射体、鏡面反射体等の装着または塗布する
ことにより構成できる。従って、反射体22a,25は
ひとつのセンサの複数箇所に設けられるが、かならずし
も同じ材料であるとはかぎらない。
【0084】また、波長シフトファイバ22に含まれる
蛍光体の吸収波長は、最も効率の良い蛍光変換がなされ
るように、シンチレータ21の発光波長と適合したもの
を使用する。また波長のみならず、シンチレータ21の
側面に集められた光を取りこぼしなく波長シフトファイ
バ22に遭遇させる幾何学条件も必要である。この実例
を図3〜図6に示している。
蛍光体の吸収波長は、最も効率の良い蛍光変換がなされ
るように、シンチレータ21の発光波長と適合したもの
を使用する。また波長のみならず、シンチレータ21の
側面に集められた光を取りこぼしなく波長シフトファイ
バ22に遭遇させる幾何学条件も必要である。この実例
を図3〜図6に示している。
【0085】波長シフトファイバ22の断面形状として
は、丸型、角型等が適用でき、また直径もさまざまであ
り、使用するシンチレータ21に応じて異なる装着方法
が考えられる。以下、角、丸型には無関係に、波長シフ
トファイバ22の太さ(直径または1辺の長さ)とシン
チレータの厚さとの相対関係から説明する。
は、丸型、角型等が適用でき、また直径もさまざまであ
り、使用するシンチレータ21に応じて異なる装着方法
が考えられる。以下、角、丸型には無関係に、波長シフ
トファイバ22の太さ(直径または1辺の長さ)とシン
チレータの厚さとの相対関係から説明する。
【0086】図3の例では、シンチレータ21の厚さよ
り波長シフトファイバ22が細い場合の例を示してい
る。この場合、厚み部分全てを覆うように波長シフトフ
ァイバ22を装着することもできるが、これより少ない
本数で集光することもできる。集光効率を高めるため複
数本の波長シフトファイバ22を相互に密着させ、ある
いは離間させて、シンチレータ21の側面に密着させ
る。波長シフトファイバ22のシンチレータ21に密着
していない後方側には反射体24を装着しておき、吸収
を逃れた光を再度戻すことで蛍光変換効率を高める。反
射体24と波長シフトファイバ22の間には、波長シフ
トファイバ22の構成材料と屈折率の類似した透明媒質
27を充填しておく。
り波長シフトファイバ22が細い場合の例を示してい
る。この場合、厚み部分全てを覆うように波長シフトフ
ァイバ22を装着することもできるが、これより少ない
本数で集光することもできる。集光効率を高めるため複
数本の波長シフトファイバ22を相互に密着させ、ある
いは離間させて、シンチレータ21の側面に密着させ
る。波長シフトファイバ22のシンチレータ21に密着
していない後方側には反射体24を装着しておき、吸収
を逃れた光を再度戻すことで蛍光変換効率を高める。反
射体24と波長シフトファイバ22の間には、波長シフ
トファイバ22の構成材料と屈折率の類似した透明媒質
27を充填しておく。
【0087】図4の例では、シンチレータ21の厚さと
波長シフトファイバ22との太さが同じで波長シフトフ
ァイバ22を1本としている。図5の例では、図4の例
と同様の波長シフトファイバ22を横方向に複数本並べ
て装着してある。これらの場合も波長シフトファイバ2
2の後方には反射体22を装着しておく。
波長シフトファイバ22との太さが同じで波長シフトフ
ァイバ22を1本としている。図5の例では、図4の例
と同様の波長シフトファイバ22を横方向に複数本並べ
て装着してある。これらの場合も波長シフトファイバ2
2の後方には反射体22を装着しておく。
【0088】図6の例では、シンチレータ21の厚さに
対し、波長シフトファイバ22の太さが大きい場合であ
り、複数本束ねた結果、実効的な波長シフトファイバ2
2の厚さがシンチレータ21の厚さを超える構成として
ある。勿論、図示しないが1本の波長シフトファイバ2
2でシンチレータ21の厚さを超えるものとしてもよ
い。
対し、波長シフトファイバ22の太さが大きい場合であ
り、複数本束ねた結果、実効的な波長シフトファイバ2
2の厚さがシンチレータ21の厚さを超える構成として
ある。勿論、図示しないが1本の波長シフトファイバ2
2でシンチレータ21の厚さを超えるものとしてもよ
い。
【0089】第2実施形態(図7) 本実施形態は請求項2の発明に対応すものである。
【0090】本実施形態が第1実施形態と異る点は、波
長シフトファイバ22は2本以上とし、それらによりシ
ンチレータ21の全周縁全体を包囲する点ある。各波長
シフトファイバ22の長さ方向一端面には、それぞれ光
検出器23が装着されるとともに、他端面には光をその
波長シフトファイバ22内に戻すための反射体24が設
けられている。また、波長シフトファイバ22の対シン
チレータ非接触の外側面には、シンチレータ21の内側
方に向かって光を反射する反射体22aが設けられてい
る。なお、本実施形態ではシンチレータの全周囲に波長
シフトファイバ22が設けてあるので、シンチレータ2
1の周縁には反射面が設けられていない。その他の点は
第1実施形態と略同様である。なお、図7においては、
シンチレータ21の平坦な面を覆う反射・遮光材料(図
1,2の26)の図示を省略してある。この点は以下の
各実施形態でも同様である。
長シフトファイバ22は2本以上とし、それらによりシ
ンチレータ21の全周縁全体を包囲する点ある。各波長
シフトファイバ22の長さ方向一端面には、それぞれ光
検出器23が装着されるとともに、他端面には光をその
波長シフトファイバ22内に戻すための反射体24が設
けられている。また、波長シフトファイバ22の対シン
チレータ非接触の外側面には、シンチレータ21の内側
方に向かって光を反射する反射体22aが設けられてい
る。なお、本実施形態ではシンチレータの全周囲に波長
シフトファイバ22が設けてあるので、シンチレータ2
1の周縁には反射面が設けられていない。その他の点は
第1実施形態と略同様である。なお、図7においては、
シンチレータ21の平坦な面を覆う反射・遮光材料(図
1,2の26)の図示を省略してある。この点は以下の
各実施形態でも同様である。
【0091】即ち、第2実施形態においては、1本ず
つ、あるいは複数本ずつ束ねた2組の波長シフトファイ
バ22を使用して、シンチレータ21の全周縁に2組の
波長シフトファイバ22が接するようにし、波長シフト
されていない側面がないようにしてある。なお、四角形
状のシンチレータ21の2つの角部は波長シフトファイ
バ22の許容曲げ半径以上の曲率で丸めてあり、波長シ
フトファイバ22を配置している。
つ、あるいは複数本ずつ束ねた2組の波長シフトファイ
バ22を使用して、シンチレータ21の全周縁に2組の
波長シフトファイバ22が接するようにし、波長シフト
されていない側面がないようにしてある。なお、四角形
状のシンチレータ21の2つの角部は波長シフトファイ
バ22の許容曲げ半径以上の曲率で丸めてあり、波長シ
フトファイバ22を配置している。
【0092】このような第2実施形態によっても、第1
実施形態と同様の作用効果が奏される。なお、1組の波
長シフトファイバ22が2辺を占めることになるが、光
検出器23を対角位置側に装着することで、光学的な対
称性性が達成できるため、良好な感度と、その一様性が
得られる。
実施形態と同様の作用効果が奏される。なお、1組の波
長シフトファイバ22が2辺を占めることになるが、光
検出器23を対角位置側に装着することで、光学的な対
称性性が達成できるため、良好な感度と、その一様性が
得られる。
【0093】第3実施形態(図8) 本実施形態は請求項3の発明に対応するものである。
【0094】本実施形態が第1,第2実施形態と異る点
は、波長シフトファイバ22を1本として、それにより
シンチレータ21の周縁全体を包囲するものとした点、
および波長シフトファイバ22の長さ方向両端面に共に
光検出器23を装着した点にある。
は、波長シフトファイバ22を1本として、それにより
シンチレータ21の周縁全体を包囲するものとした点、
および波長シフトファイバ22の長さ方向両端面に共に
光検出器23を装着した点にある。
【0095】即ち、本実施形態は、四角形のシンチレー
タ1の4つの角部を波長シフトファイバ22の許容曲げ
半径以上の曲率の円形とし、1本(あるいは複数本を束
ねた1組)の波長シフトファイバ22を平板状シンチレ
ータ21の全周に接するように一周させて配置したもの
である。このため、光検出器23は1組の波長シフトフ
ァイバ22の両端にそれぞれ装着され、第1,第2実施
形態のような片端での反射処置は不要となっている。
タ1の4つの角部を波長シフトファイバ22の許容曲げ
半径以上の曲率の円形とし、1本(あるいは複数本を束
ねた1組)の波長シフトファイバ22を平板状シンチレ
ータ21の全周に接するように一周させて配置したもの
である。このため、光検出器23は1組の波長シフトフ
ァイバ22の両端にそれぞれ装着され、第1,第2実施
形態のような片端での反射処置は不要となっている。
【0096】本実施形態によれば、波長シフトファイバ
22のいずれかの部分で発生した蛍光が高い確率で両端
に到達し、これを検出することができる。また、シンチ
レータ21内を伝播して波長シフトファイバ22の至る
ところに光が到達することで、複数箇所での蛍光変換が
生じる確率もある。これらは極めて短い時間に発生する
ため、光の総量が高められ、その結果、一様で高い感度
が得られる。
22のいずれかの部分で発生した蛍光が高い確率で両端
に到達し、これを検出することができる。また、シンチ
レータ21内を伝播して波長シフトファイバ22の至る
ところに光が到達することで、複数箇所での蛍光変換が
生じる確率もある。これらは極めて短い時間に発生する
ため、光の総量が高められ、その結果、一様で高い感度
が得られる。
【0097】第4実施形態(図9) 本実施形態は請求項4の発明に対応するものである。
【0098】本実施形態が第1〜第3実施形態と異る点
は、波長シフトファイバ22は2本として、四角板状の
シンチレータ21の周縁の対向する2つの辺に配置し、
その各波長シフトファイバ22の長さ方向両端面にそれ
ぞれ光検出器23を装着し、波長シフトファイバ22の
対シンチレータ非接触の外側面と、波長シフトファイバ
22の配備されないシンチレータ21周縁の辺の外表面
とに、シンチレータ21の内側方に向かって光を反射す
る反射体22a,24を設けた点にある。
は、波長シフトファイバ22は2本として、四角板状の
シンチレータ21の周縁の対向する2つの辺に配置し、
その各波長シフトファイバ22の長さ方向両端面にそれ
ぞれ光検出器23を装着し、波長シフトファイバ22の
対シンチレータ非接触の外側面と、波長シフトファイバ
22の配備されないシンチレータ21周縁の辺の外表面
とに、シンチレータ21の内側方に向かって光を反射す
る反射体22a,24を設けた点にある。
【0099】即ち、本実施形態は、1本(あるいは複数
本を束ねた2組)の波長シフトファイバ22を使用する
ものであり、第1実施形態と同様に、シンチレータ21
に対して波長シフトファイバ22を配置するが、2組の
波長シフトファイバ22の両端にそれぞれ2つ、合計4
個の光検出器を装着し、直接光を検出するものである。
他の構成および機能については、第1実施形態と略同様
である。
本を束ねた2組)の波長シフトファイバ22を使用する
ものであり、第1実施形態と同様に、シンチレータ21
に対して波長シフトファイバ22を配置するが、2組の
波長シフトファイバ22の両端にそれぞれ2つ、合計4
個の光検出器を装着し、直接光を検出するものである。
他の構成および機能については、第1実施形態と略同様
である。
【0100】本実施形態によれば、波長シフトファイバ
22の両端に光検出器23を装着することで、光量を増
大させながら光学的な対称性性が達成できるため感度と
その一様性を更に高めることができる。
22の両端に光検出器23を装着することで、光量を増
大させながら光学的な対称性性が達成できるため感度と
その一様性を更に高めることができる。
【0101】第5実施形態(図10) 本実施形態は請求項6の発明に対応するものである。
【0102】本実施形態が前記各実施形態と異る点は、
シンチレータを多角形、例えば四角形とし、そのシンチ
レータ21の各縁辺毎に波長シフトファイバ22をそれ
ぞれ配置し、その各波長シフトファイバ22の長さ方向
一端面にそれぞれ光検出器23を装着するとともに他端
面に光をその波長シフトファイバ22内に戻すための反
射体24をそれぞれ設けた点にある。
シンチレータを多角形、例えば四角形とし、そのシンチ
レータ21の各縁辺毎に波長シフトファイバ22をそれ
ぞれ配置し、その各波長シフトファイバ22の長さ方向
一端面にそれぞれ光検出器23を装着するとともに他端
面に光をその波長シフトファイバ22内に戻すための反
射体24をそれぞれ設けた点にある。
【0103】特に本実施形態では、各光検出器23が四
角形状のシンチレータ21の各コーナ位置に配置され、
光学的な対称特性が達成できるようになっている。他の
構成については、前記各実施形態と略同様である。
角形状のシンチレータ21の各コーナ位置に配置され、
光学的な対称特性が達成できるようになっている。他の
構成については、前記各実施形態と略同様である。
【0104】本実施形態によれば、例えば四角形のシン
チレータ21の4辺すべてに波長シフトファイバ22を
装着することにより、第3実施形態と同様に高い感度が
得られるとともにそれぞれの光検出器23はシンチレー
タ21の各コーナに1個ずつ配置される位置関係とする
ことで、光学的な対称性性が達成でき、それにより良好
な感度およびその一様性がの向上が図られる。
チレータ21の4辺すべてに波長シフトファイバ22を
装着することにより、第3実施形態と同様に高い感度が
得られるとともにそれぞれの光検出器23はシンチレー
タ21の各コーナに1個ずつ配置される位置関係とする
ことで、光学的な対称性性が達成でき、それにより良好
な感度およびその一様性がの向上が図られる。
【0105】第6実施形態(図11〜図13) 本実施形態は請求項6の発明に対応するものである。波
長シフト型放射線センサにおいて、波長シフトファイバ
22と光検出器23とが、透明な光ファイバ、ライトガ
イド、またはライトパイプからなる光伝送用の手段によ
って接続されている。そして、光検出器23は波長シフ
トファイバ22からの光信号を個々に受ける独立した構
成、または一括して受ける共通な構成とされている。
長シフト型放射線センサにおいて、波長シフトファイバ
22と光検出器23とが、透明な光ファイバ、ライトガ
イド、またはライトパイプからなる光伝送用の手段によ
って接続されている。そして、光検出器23は波長シフ
トファイバ22からの光信号を個々に受ける独立した構
成、または一括して受ける共通な構成とされている。
【0106】即ち、前記の各実施形態では、光検出器2
3は波長シフトファイバ22の端面に直接装着されてい
る。しかしながら、センサの厚みや設置スペース等の制
限、あるいは光検出器23を何かの理由により放射線感
応部から離す必要がある場合には、光検出器23と波長
シフトファイバ22との間に光伝送路となる手段を介入
させることが有効である。
3は波長シフトファイバ22の端面に直接装着されてい
る。しかしながら、センサの厚みや設置スペース等の制
限、あるいは光検出器23を何かの理由により放射線感
応部から離す必要がある場合には、光検出器23と波長
シフトファイバ22との間に光伝送路となる手段を介入
させることが有効である。
【0107】図11〜図13は、波長シフトファイバ2
2と光検出器23との間に介在する伝送用光ファイバの
接続構造を各種示している。
2と光検出器23との間に介在する伝送用光ファイバの
接続構造を各種示している。
【0108】図11の例は、同一仕様の波長シフトファ
イバ22と伝送用ファイバ28とを接続したものであ
り、これらは同一の屈折率、開口数を有する。なお、同
一またはそれ以上のコア径を持つ伝送用光ファイバ28
の場合には、最も低損失の接続が可能である。全く同一
の仕様のものが得られない場合は、その近傍の値を持つ
ものも使用できる。
イバ22と伝送用ファイバ28とを接続したものであ
り、これらは同一の屈折率、開口数を有する。なお、同
一またはそれ以上のコア径を持つ伝送用光ファイバ28
の場合には、最も低損失の接続が可能である。全く同一
の仕様のものが得られない場合は、その近傍の値を持つ
ものも使用できる。
【0109】また、図12の例は、複数本の波長シフト
ファイバ22を使用する場合では、伝送用光ファイバ2
8と1対1で結合させたものである。
ファイバ22を使用する場合では、伝送用光ファイバ2
8と1対1で結合させたものである。
【0110】図13の例は波長シフトファイバ22のコ
ア径より太い伝送用光ファイバ28を使用する場合であ
り、複数本の波長シフトファイバ22をまとめて太径の
伝送用光ファイバ28に接続させてある。
ア径より太い伝送用光ファイバ28を使用する場合であ
り、複数本の波長シフトファイバ22をまとめて太径の
伝送用光ファイバ28に接続させてある。
【0111】図14〜図16は、伝送用光ファイバ28
と光検出器23との接続構成を示している。
と光検出器23との接続構成を示している。
【0112】図14は、波長シフトファイバ22の端面
と光検出器23の受光部29とが1対1で接続された場
合を示し、図15は複数本の伝送用光ファイバ28をま
とめて1つの光検出器23の受光部29に接続する場合
を示している。
と光検出器23の受光部29とが1対1で接続された場
合を示し、図15は複数本の伝送用光ファイバ28をま
とめて1つの光検出器23の受光部29に接続する場合
を示している。
【0113】検出される信号の相互の時間同時性を検証
するような測定の場合には、2系統以上の光検出器23
の出力が必要となるが、信号とノイズとの区別を光量で
行う場合には、光検出器23の出力は最低1系統でも処
理が可能であるため、複数本の伝送用光ファイバ28を
まとめて光量を増大させることが有効である。
するような測定の場合には、2系統以上の光検出器23
の出力が必要となるが、信号とノイズとの区別を光量で
行う場合には、光検出器23の出力は最低1系統でも処
理が可能であるため、複数本の伝送用光ファイバ28を
まとめて光量を増大させることが有効である。
【0114】図16は、1つの光検出器23の中でも複
数の受光部29を持つ場合を示している。即ち、光検出
器23は内部に複数個相当の光検出器エレメントを組み
込んでいたり(マルチアノード光電子増倍管)、受光部
自体が位置検出が可能(位置検出型光電子増倍管)であ
ったりする。このような光検出器を利用する場合、1つ
の光検出器23の複数の受光部29に、それぞれ伝送用
光ファイバ28を接続すれば、機能、作用面では図14
の場合と同等であるが、接続する光検出器23の台数を
少なくすることができ、装置のコンパクト化等に有効で
ある。
数の受光部29を持つ場合を示している。即ち、光検出
器23は内部に複数個相当の光検出器エレメントを組み
込んでいたり(マルチアノード光電子増倍管)、受光部
自体が位置検出が可能(位置検出型光電子増倍管)であ
ったりする。このような光検出器を利用する場合、1つ
の光検出器23の複数の受光部29に、それぞれ伝送用
光ファイバ28を接続すれば、機能、作用面では図14
の場合と同等であるが、接続する光検出器23の台数を
少なくすることができ、装置のコンパクト化等に有効で
ある。
【0115】第7実施形態(図17,18) 本実施形態は、前記各実施形態の波長シフトファイバ2
2に代えて、その波長シフトファイバ22と同等の蛍光
機能を有する角柱状(図17)または円柱状(図18)
の透明樹脂あるいはガラスからなる波長シフトバー30
を備えた波長シフト型放射線センサについてのものであ
る。
2に代えて、その波長シフトファイバ22と同等の蛍光
機能を有する角柱状(図17)または円柱状(図18)
の透明樹脂あるいはガラスからなる波長シフトバー30
を備えた波長シフト型放射線センサについてのものであ
る。
【0116】即ち、波長シフトファイバ22はコアに対
して1つ以上のクラッド層を有するが、クラッド層を周
囲の空気で代替させたクラッドなしのファイバ、また蛍
光体(波長シフタ)を樹脂やガラスで固定または固化し
てライトガイド、ライトパイプ状に加工した波長シフト
バー30を、波長シフトファイバ22の代わりとして使
用することができる。
して1つ以上のクラッド層を有するが、クラッド層を周
囲の空気で代替させたクラッドなしのファイバ、また蛍
光体(波長シフタ)を樹脂やガラスで固定または固化し
てライトガイド、ライトパイプ状に加工した波長シフト
バー30を、波長シフトファイバ22の代わりとして使
用することができる。
【0117】このような波長シフトバー30はコアだけ
の状態、すなわち樹脂やガラス中に波長シフタとなる蛍
光体を入れたものを円柱、角柱、板状に加工したもので
ある。これらはファイバと異なり、任意の太さ、厚さ、
形状に加工できるため蛍光変換に必要な充分な厚みを簡
単につくることができる。ただし、クラッディングがな
いため周囲は空気層とする工夫が必要である。また、太
くなる場合には可とう性は失われるため、可とう性がな
い状態でも可能な配置で使用することが望ましい。
の状態、すなわち樹脂やガラス中に波長シフタとなる蛍
光体を入れたものを円柱、角柱、板状に加工したもので
ある。これらはファイバと異なり、任意の太さ、厚さ、
形状に加工できるため蛍光変換に必要な充分な厚みを簡
単につくることができる。ただし、クラッディングがな
いため周囲は空気層とする工夫が必要である。また、太
くなる場合には可とう性は失われるため、可とう性がな
い状態でも可能な配置で使用することが望ましい。
【0118】なお、図17,18の例ではシンチレータ
21の側面に波長シフトバー30を装着し、そのまわり
に反射体24を配置したセンサの部分的な構造を示す。
波長シフトバー30を使用する場合には、全反射条件を
成立させるため周囲に空気層の存在が必要である。しか
しながら、シンチレータ21からの光は波長シフトバー
30に密着している方が入射しやすい。この相反する条
件を解決するために、波長シフトバー30をシンチレー
タ21の厚みよりも大きく(太く)、かつ、シンチレー
タ21側から侵入した光のほとんど全てを吸収するのに
必要な厚さをもつ角柱、あるいは円柱とするのが効果的
である。角柱は円柱に比べて内部で発生した蛍光の捕獲
効率が高いためより効率のよい集光ができる。
21の側面に波長シフトバー30を装着し、そのまわり
に反射体24を配置したセンサの部分的な構造を示す。
波長シフトバー30を使用する場合には、全反射条件を
成立させるため周囲に空気層の存在が必要である。しか
しながら、シンチレータ21からの光は波長シフトバー
30に密着している方が入射しやすい。この相反する条
件を解決するために、波長シフトバー30をシンチレー
タ21の厚みよりも大きく(太く)、かつ、シンチレー
タ21側から侵入した光のほとんど全てを吸収するのに
必要な厚さをもつ角柱、あるいは円柱とするのが効果的
である。角柱は円柱に比べて内部で発生した蛍光の捕獲
効率が高いためより効率のよい集光ができる。
【0119】シンチレータ21と波長シフトバー30と
は空気を境界として接するか、あるいは波長シフトバー
30の太さおよび直径が明らかにシンチレータ21の厚
みより大きい場合には密着して接合しても良い。空気を
境界として接する場合には、波長シフトバー30の一部
に溝状の切り込みを入れて接着剤等を使わずに溝部分に
シンチレータ21を挟み込む等の組み合わせも可能であ
る。
は空気を境界として接するか、あるいは波長シフトバー
30の太さおよび直径が明らかにシンチレータ21の厚
みより大きい場合には密着して接合しても良い。空気を
境界として接する場合には、波長シフトバー30の一部
に溝状の切り込みを入れて接着剤等を使わずに溝部分に
シンチレータ21を挟み込む等の組み合わせも可能であ
る。
【0120】波長シフトバー30は太い場合には可とう
性はないが、クラッディングに相当する空気との屈折率
の差が大きいため、捕獲効率が高く集光量が多い。この
ため第1、4、5実施形態で述べた波長シフトファイバ
22を曲げて配置する必要のないセンサについては、波
長シフトファイバ22の代わりとして効果的に適用する
ことができる。
性はないが、クラッディングに相当する空気との屈折率
の差が大きいため、捕獲効率が高く集光量が多い。この
ため第1、4、5実施形態で述べた波長シフトファイバ
22を曲げて配置する必要のないセンサについては、波
長シフトファイバ22の代わりとして効果的に適用する
ことができる。
【0121】第8実施形態(図19) 本実施形態は波長シフトファイバ22と同等の蛍光機能
を有する角柱状または円柱状の透明樹脂あるいはガラス
からなる波長シフトバー30を備え、この波長シフトバ
ー30は2個所からの光を合流させて光検出器23に導
く構成となっている。
を有する角柱状または円柱状の透明樹脂あるいはガラス
からなる波長シフトバー30を備え、この波長シフトバ
ー30は2個所からの光を合流させて光検出器23に導
く構成となっている。
【0122】図19に示す例では、波長シフトバー30
を2本のものが出会う形状に予め加工して、シンチレー
タ21の4辺にこの波長シフトバー30の2組を装着し
ておき、合流部に光検出器23をそれぞれ装着する構成
となっている。
を2本のものが出会う形状に予め加工して、シンチレー
タ21の4辺にこの波長シフトバー30の2組を装着し
ておき、合流部に光検出器23をそれぞれ装着する構成
となっている。
【0123】本実施形態の構成によれば、集光量が高
く、しかも光学的対称性を兼ね備えたセンサが実現でき
る。
く、しかも光学的対称性を兼ね備えたセンサが実現でき
る。
【0124】第9実施形態(図20,21) 本実施形態は、前述した第1〜第8実施形態のいずれか
に記載の波長シフト型放射線センサを用いた放射線検出
装置であり、2系統の光検出器から得られる検出信号が
同時に検出された場合に放射線による信号とみなし、そ
れ以外の信号を光検出器のノイズ等の信号として識別す
る識別手段を備えたものである。
に記載の波長シフト型放射線センサを用いた放射線検出
装置であり、2系統の光検出器から得られる検出信号が
同時に検出された場合に放射線による信号とみなし、そ
れ以外の信号を光検出器のノイズ等の信号として識別す
る識別手段を備えたものである。
【0125】即ち、本実施形態の装置では、例えば2系
統の光検出器から出力される信号を同時計数装置に取り
込み、その信号の同時性のあるものは放射線による信号
であり、同時性がないものはランダムに発生している光
検出器23や回路のノイズとして識別するものである。
統の光検出器から出力される信号を同時計数装置に取り
込み、その信号の同時性のあるものは放射線による信号
であり、同時性がないものはランダムに発生している光
検出器23や回路のノイズとして識別するものである。
【0126】図20に示した装置は、前述した光検出器
23からノイズであれ放射線によるパルスであれ、信号
が出力たことを検出して論理信号A,Bを出力する信号
検出装置31と、2系統以上の論理信号A,Bの論理積
をとることで同時性を検証する同時計数装置32と、そ
の出力を計数する計数装置33とを備えて構成される。
23からノイズであれ放射線によるパルスであれ、信号
が出力たことを検出して論理信号A,Bを出力する信号
検出装置31と、2系統以上の論理信号A,Bの論理積
をとることで同時性を検証する同時計数装置32と、そ
の出力を計数する計数装置33とを備えて構成される。
【0127】また、図21に示した装置は、4個の光検
出器23を使用する場合の構成を示している。図20の
ものと同様に、信号検出装置31と、同時計数装置32
と、計数装置33とを備え、同時計数装置9には4つの
論理信号A,B,C,Dの入力がなされる。この場合、
論理演算の種類としては4信号A,B,C,Dのうち、
いずれか2つ、いずれか3つ、4つ全ての同時計数の成
立というような選択肢がある。そこで、ノイズが弁別で
き、放射線による信号の高い検出確率を達成するために
は、通常の場合、いずれか2つの同時計数の成立という
条件が適当である。光検出器23のノイズ計数率が高い
場合等には、3つ同時、4つ同時という論理演算が有効
な場合もあり得る。いずれの場合でも、この論理演算出
力を計数装置13で計数することで、高精度の放射線検
出が行える。
出器23を使用する場合の構成を示している。図20の
ものと同様に、信号検出装置31と、同時計数装置32
と、計数装置33とを備え、同時計数装置9には4つの
論理信号A,B,C,Dの入力がなされる。この場合、
論理演算の種類としては4信号A,B,C,Dのうち、
いずれか2つ、いずれか3つ、4つ全ての同時計数の成
立というような選択肢がある。そこで、ノイズが弁別で
き、放射線による信号の高い検出確率を達成するために
は、通常の場合、いずれか2つの同時計数の成立という
条件が適当である。光検出器23のノイズ計数率が高い
場合等には、3つ同時、4つ同時という論理演算が有効
な場合もあり得る。いずれの場合でも、この論理演算出
力を計数装置13で計数することで、高精度の放射線検
出が行える。
【0128】第10実施形態(図22) 本実施形態は、前記の波長シフト型放射線センサを用い
た放射線検出装置であって、各光検出器の出力信号のパ
ルス波高値としきい値となる参照電圧値とを比較する比
較手段と、しきい値以下の信号はノイズとみなし、しき
い値を超える信号は放射線検出信号として識別する識別
手段を備えたものである。
た放射線検出装置であって、各光検出器の出力信号のパ
ルス波高値としきい値となる参照電圧値とを比較する比
較手段と、しきい値以下の信号はノイズとみなし、しき
い値を超える信号は放射線検出信号として識別する識別
手段を備えたものである。
【0129】即ち、図22に示すように、各光検出器の
出力パルス信号は増幅装置34で必要なレベルまで電圧
増幅され、電圧パルス出力が得られる。この信号Vが比
較手段としての比較装置35に入力され、参照電圧Vre
f と比較される。パルス波高値がVref より大きい間だ
け、論理出力がなされ、これにより識別手段としての機
能が果される。そして、この論理出力が計数装置36に
よって計数する。
出力パルス信号は増幅装置34で必要なレベルまで電圧
増幅され、電圧パルス出力が得られる。この信号Vが比
較手段としての比較装置35に入力され、参照電圧Vre
f と比較される。パルス波高値がVref より大きい間だ
け、論理出力がなされ、これにより識別手段としての機
能が果される。そして、この論理出力が計数装置36に
よって計数する。
【0130】Vref を、光検出器および回路ノイズのレ
ベルより僅かに高く設定しておくことで、これを超える
信号はすべて放射線による信号とみなすことができる。
ベルより僅かに高く設定しておくことで、これを超える
信号はすべて放射線による信号とみなすことができる。
【0131】波長シフトファイバ22の出力を伝送用光
ファイバ28でまとめて1つの光検出器3に導くような
場合には、同時性を検証できないが、逆に全ての光出力
を加算するため大きな信号が得られる。従って、本実施
形態はこのような構成の場合に特に有効な手段として適
用することができる。
ファイバ28でまとめて1つの光検出器3に導くような
場合には、同時性を検証できないが、逆に全ての光出力
を加算するため大きな信号が得られる。従って、本実施
形態はこのような構成の場合に特に有効な手段として適
用することができる。
【0132】第11実施形態(図23,24) 本実施形態は、前述した波長シフト型放射線センサを上
下2層に密着させ、これら上下のセンサから出力される
独立した信号の有無の組み合わせにより、入射した放射
線の種類をその飛程の長短に基づいて識別する手段を有
する放射線検出装置についてのものである。
下2層に密着させ、これら上下のセンサから出力される
独立した信号の有無の組み合わせにより、入射した放射
線の種類をその飛程の長短に基づいて識別する手段を有
する放射線検出装置についてのものである。
【0133】即ち、図23に示すように、シンチレータ
21が2層備えられ、その各シンチレータ21に波長シ
フトファイバ22が第1〜第5実施形態のいずれかの方
式で独立して装着されている。
21が2層備えられ、その各シンチレータ21に波長シ
フトファイバ22が第1〜第5実施形態のいずれかの方
式で独立して装着されている。
【0134】このように、放射線の入射面側(上側)の
センサを第1の層(U)、その下側のセンサを第2の層
(L)とした場合、第1の層(U)は飛程の短いα線が
全エネルギーあるいはそれに近い量のエネルギーを失う
ときに必要な厚さとする。このためα線が入射した場合
には第1層(U)のみが発光する。β線はα線より平均
的に透過力が高いため第1の層(U)でもエネルギーを
一部失いながら第2の層(L)にも侵入し、この第2の
層(L)で残り全てのエネルギーを失う。第2の層
(L)の厚さは入射するβ線が第1と第2の層で全エネ
ルギーを失うように決定しておく。また光学的には第1
の層と第2の層とを分離して、互いの層での発光の影響
を受けないようにしておく。
センサを第1の層(U)、その下側のセンサを第2の層
(L)とした場合、第1の層(U)は飛程の短いα線が
全エネルギーあるいはそれに近い量のエネルギーを失う
ときに必要な厚さとする。このためα線が入射した場合
には第1層(U)のみが発光する。β線はα線より平均
的に透過力が高いため第1の層(U)でもエネルギーを
一部失いながら第2の層(L)にも侵入し、この第2の
層(L)で残り全てのエネルギーを失う。第2の層
(L)の厚さは入射するβ線が第1と第2の層で全エネ
ルギーを失うように決定しておく。また光学的には第1
の層と第2の層とを分離して、互いの層での発光の影響
を受けないようにしておく。
【0135】この構成によれば、第1の層だけで信号が
出力された場合、あるいはさらに条件を付加して大きな
(−定波高値以上の)信号が検出された場合にはα線に
よる信号、その他の場合にはβ線の信号として識別する
ことが可能である。
出力された場合、あるいはさらに条件を付加して大きな
(−定波高値以上の)信号が検出された場合にはα線に
よる信号、その他の場合にはβ線の信号として識別する
ことが可能である。
【0136】図24は上段のセンサをU、下段のセンサ
をLと表現した場合の、信号検出有り(Τ)、検出無し
(F)の状態の組み合わせの真理値表である。4つの組
み合わせに状態として番号の0〜4を割り振り、この中
で何らかの信号検出がなされた1〜3場合の判定を考え
る。状態1の場合はα線入射、状態2、3の場合にはβ
線入射として識別することができる。
をLと表現した場合の、信号検出有り(Τ)、検出無し
(F)の状態の組み合わせの真理値表である。4つの組
み合わせに状態として番号の0〜4を割り振り、この中
で何らかの信号検出がなされた1〜3場合の判定を考え
る。状態1の場合はα線入射、状態2、3の場合にはβ
線入射として識別することができる。
【0137】状態1として、想定したエネルギーを下回
るβ線が入射する場合も考えられる場合には、上段
(U)での波高値を識別し、波高値が一定以上の信号を
有する場合α線、それに満たない小さな信号はβ線とい
う識別方法を付加することも有効である。
るβ線が入射する場合も考えられる場合には、上段
(U)での波高値を識別し、波高値が一定以上の信号を
有する場合α線、それに満たない小さな信号はβ線とい
う識別方法を付加することも有効である。
【0138】第12実施形態(図25) 本実施形態は前記第11実施形態の変形例であり、上下
2層に密着した各センサを構成する複数の波長シフトフ
ァイバの一部は上下2層のシンチレータいずれからの光
も受光して蛍光変換できるように各シンチレータと接触
する構成とし、この共通な波長シフトファイバからの検
出信号と、上下の各センサから出力される独立した信号
との有無の組み合わせにより、入射した放射線の種類を
その飛程の長短に基づいて識別する手段を有する構成の
放射線検出装置についてのものである。
2層に密着した各センサを構成する複数の波長シフトフ
ァイバの一部は上下2層のシンチレータいずれからの光
も受光して蛍光変換できるように各シンチレータと接触
する構成とし、この共通な波長シフトファイバからの検
出信号と、上下の各センサから出力される独立した信号
との有無の組み合わせにより、入射した放射線の種類を
その飛程の長短に基づいて識別する手段を有する構成の
放射線検出装置についてのものである。
【0139】図25に示すように、波長シフトファイバ
22(波長シフトバー30でもよい)が1部上下段共通
であり(22A)、残る片方が独立とされている(22
B)。
22(波長シフトバー30でもよい)が1部上下段共通
であり(22A)、残る片方が独立とされている(22
B)。
【0140】この場合には第11実施形態と同様の考え
方で第1の層(U)と第2の層(L)の厚さを決めるこ
とができる。即ち、1層分のシンチレータ21に対して
2組の波長シフトファイバ22を備え、そのうち片方は
2つの層のシンチレータの両方と接するように配置され
ているので、この共通の波長シフトファイバあるいは波
長シフトバーで光が検出された時、残された2層の独立
した波長シフトファイバあるいは波長シフトバーからの
光の検出信号との同時性を調べ、同時性が成立した場
合、該当する層で放射線が検出されたものと考えられ
る。
方で第1の層(U)と第2の層(L)の厚さを決めるこ
とができる。即ち、1層分のシンチレータ21に対して
2組の波長シフトファイバ22を備え、そのうち片方は
2つの層のシンチレータの両方と接するように配置され
ているので、この共通の波長シフトファイバあるいは波
長シフトバーで光が検出された時、残された2層の独立
した波長シフトファイバあるいは波長シフトバーからの
光の検出信号との同時性を調べ、同時性が成立した場
合、該当する層で放射線が検出されたものと考えられ
る。
【0141】この構成によれば、第1の層(U)だけで
信号が出力された場合、あるいはさらに条件を付加して
大きな(一定波高値以上の)信号が検出された場合には
α線による信号、その他の場合にはβ線の信号として識
別することが可能である。つまり、共通側と上段側の同
時計数があった場合、上段での信号検出とみなし、図2
4でいうU(上段)がTと考える。このようにすると、
線種判定ロジックは第11実施形態と同様となる。
信号が出力された場合、あるいはさらに条件を付加して
大きな(一定波高値以上の)信号が検出された場合には
α線による信号、その他の場合にはβ線の信号として識
別することが可能である。つまり、共通側と上段側の同
時計数があった場合、上段での信号検出とみなし、図2
4でいうU(上段)がTと考える。このようにすると、
線種判定ロジックは第11実施形態と同様となる。
【0142】状態1として、想定したエネルギーを下回
るβ線が入射する場合も考えられる場合には、上段
(U)のみ独立して配置されている系統から得られる信
号の波高値を識別し、波高値が一定以上の信号を有する
場合α線、それに満たない小さな信号はβ線という識別
方法を付加することも有効である。
るβ線が入射する場合も考えられる場合には、上段
(U)のみ独立して配置されている系統から得られる信
号の波高値を識別し、波高値が一定以上の信号を有する
場合α線、それに満たない小さな信号はβ線という識別
方法を付加することも有効である。
【0143】第13実施形態(図26〜図28) 本実施形態は、シンチレータの放射線入射面側の表面
に、荷電粒子との反応によって発光する層を光学的に密
着させて形成し、光検出器からの出力信号を増幅する増
幅手段と、増幅した信号を一定のしきい値を超える間だ
け出力する比較手段と、この比較手段からの出力信号と
その信号の遅延回路による遅延出力信号との同時性弁別
により全放射線の計数値および放射線の種類毎の計数値
を調べる手段を備えた放射線検出装置についてのもので
ある。
に、荷電粒子との反応によって発光する層を光学的に密
着させて形成し、光検出器からの出力信号を増幅する増
幅手段と、増幅した信号を一定のしきい値を超える間だ
け出力する比較手段と、この比較手段からの出力信号と
その信号の遅延回路による遅延出力信号との同時性弁別
により全放射線の計数値および放射線の種類毎の計数値
を調べる手段を備えた放射線検出装置についてのもので
ある。
【0144】図26、27、28に基づいて説明する。
シンチレータ21に波長シフトファイバ22がこれまで
述べてきたいずれかの方式で装着されているものとす
る。シンチレータ21には発光減衰時間の極めて短い
(10ns)プラスチックシンチレータを適用し、その
放射線入射面には荷電粒子検出用として、例えばα線等
で発光し、かつ発光減衰時間の極端に長いシンチレータ
21A、例えばZnS(Ag)(発光減衰時間10μ
s)を塗布しておく。α線が入射した場合はこのZnS
(Ag)層のシンチレータ21Aで発光し、β線やγ線
が入射した場合にはプラスチックシンチレータ21で発
光するようになっている。
シンチレータ21に波長シフトファイバ22がこれまで
述べてきたいずれかの方式で装着されているものとす
る。シンチレータ21には発光減衰時間の極めて短い
(10ns)プラスチックシンチレータを適用し、その
放射線入射面には荷電粒子検出用として、例えばα線等
で発光し、かつ発光減衰時間の極端に長いシンチレータ
21A、例えばZnS(Ag)(発光減衰時間10μ
s)を塗布しておく。α線が入射した場合はこのZnS
(Ag)層のシンチレータ21Aで発光し、β線やγ線
が入射した場合にはプラスチックシンチレータ21で発
光するようになっている。
【0145】波長シフトファイバ22からの光はまとめ
て最大限の光量で光検出器23に送り込まれる。増幅装
置34により、波高値が一定範囲の電圧レベルになるよ
うに増幅される。ここで増幅装置34のゲインは小さな
信号に対しては大きく、大きな信号に対しては小さくは
たらくような動作をするものであり、結果的に出力信号
は一定範囲内のパルス波高を持った信号aとなる。この
信号aを比較装置35に入力し、参照電圧値を超える間
だけ論理出力bを得る。この論理出力パルスのパルス幅
は波高値がほぼ一定範囲内にあるため、プラスチックシ
ンチレータからの光によるものは短く、ΖnS(Αg)
からの光によるものは著しく長い。
て最大限の光量で光検出器23に送り込まれる。増幅装
置34により、波高値が一定範囲の電圧レベルになるよ
うに増幅される。ここで増幅装置34のゲインは小さな
信号に対しては大きく、大きな信号に対しては小さくは
たらくような動作をするものであり、結果的に出力信号
は一定範囲内のパルス波高を持った信号aとなる。この
信号aを比較装置35に入力し、参照電圧値を超える間
だけ論理出力bを得る。この論理出力パルスのパルス幅
は波高値がほぼ一定範囲内にあるため、プラスチックシ
ンチレータからの光によるものは短く、ΖnS(Αg)
からの光によるものは著しく長い。
【0146】そこで、図27に示すように、パルス幅識
別装置37により論理出力パルス(b)と、これを遅延
装置37を介して時間Tdだけ遅らせたもの(c)との
論理積を弁別装置39でとる。この時のタイミングチャ
ートを示したものが図28である。
別装置37により論理出力パルス(b)と、これを遅延
装置37を介して時間Tdだけ遅らせたもの(c)との
論理積を弁別装置39でとる。この時のタイミングチャ
ートを示したものが図28である。
【0147】図28において、遅れ時間Tdはプラスチ
ックシンチレータの減衰時間(10ns)より大きくZ
nS(Ag)のそれより小さい値とする。もしパルス幅
が短い場合、遅延したパルスとの論理積はFALSEで
あるが、幅の広いパルスである場合は論理積出力はTR
UEとなる。
ックシンチレータの減衰時間(10ns)より大きくZ
nS(Ag)のそれより小さい値とする。もしパルス幅
が短い場合、遅延したパルスとの論理積はFALSEで
あるが、幅の広いパルスである場合は論理積出力はTR
UEとなる。
【0148】従って、比較装置35の出力を計数してお
き、この論理積出力をα線計数値として差し引くこと
で、全計数、α線、β線の計数値が得られる。パルスの
立ち上がり時間弁別の専用回路は従来から実用化されて
はいたが、複雑かつ高価であり、しかも充分な光量を持
つパルスにしか適用できなかった。
き、この論理積出力をα線計数値として差し引くこと
で、全計数、α線、β線の計数値が得られる。パルスの
立ち上がり時間弁別の専用回路は従来から実用化されて
はいたが、複雑かつ高価であり、しかも充分な光量を持
つパルスにしか適用できなかった。
【0149】しかしながら本実施形態においては、目的
が2種類の大きく異なる立ち上がり時間を持つパルスの
弁別をするだけであるため、このような極めて簡素な回
路構成の装置により弁別が可能になる。
が2種類の大きく異なる立ち上がり時間を持つパルスの
弁別をするだけであるため、このような極めて簡素な回
路構成の装置により弁別が可能になる。
【0150】第14実施形態(図29〜図31) 本実施形態は、波長シフトファイバまたは波長シフトバ
ーのシンチレータへの非接触面に、反射体に代えて他の
平板状のシンチレータの周縁部を密着させた波長シフト
型放射線センサについてのものである。即ち、複数のシ
ンチレータ21を合わせ、それらの境界および端面を波
長シフトファイバ22(もしくは波長シフトバー30)
で構成し、受感面積を拡大してある。
ーのシンチレータへの非接触面に、反射体に代えて他の
平板状のシンチレータの周縁部を密着させた波長シフト
型放射線センサについてのものである。即ち、複数のシ
ンチレータ21を合わせ、それらの境界および端面を波
長シフトファイバ22(もしくは波長シフトバー30)
で構成し、受感面積を拡大してある。
【0151】図29に示したように、長方形の平板状シ
ンチレータ1を3枚接合し、それらの間に波長シフトフ
ァイバ22を挟み込み込むとともに両側の2辺にも装着
する。各波長シフトファイバ22の片端には反射体24
を、もう片方の端面には光検出器23を装着する。光検
出器23をこの場合4個(a,b,c,d)使用し、相
対する位置にそれぞれ装着するようにすることで光学的
対称性を得る。
ンチレータ1を3枚接合し、それらの間に波長シフトフ
ァイバ22を挟み込み込むとともに両側の2辺にも装着
する。各波長シフトファイバ22の片端には反射体24
を、もう片方の端面には光検出器23を装着する。光検
出器23をこの場合4個(a,b,c,d)使用し、相
対する位置にそれぞれ装着するようにすることで光学的
対称性を得る。
【0152】場合によっては、図中破線で示すようにさ
らにシンチレータ1を分割し、縦方向にも波長シフトフ
ァイバ22を挟み込み、それらに別に4個の光検出器2
3(e,f,g,h)を設ける構成とすることもでき
る。このようにして、必要とする受感面積分、この構造
を拡張していくことができる。これによれば感度と、そ
の位置依存生を損なうことなく大面積化が可能である。
図30および図31に示すように、この場合にも波長シ
フトファイバ22と光検出器23の間を伝送用光ファイ
バ30で接続することが可能てある。特に大型の検出器
では重量が重くなるため電子回路を遠隔化するメリット
は大きい。
らにシンチレータ1を分割し、縦方向にも波長シフトフ
ァイバ22を挟み込み、それらに別に4個の光検出器2
3(e,f,g,h)を設ける構成とすることもでき
る。このようにして、必要とする受感面積分、この構造
を拡張していくことができる。これによれば感度と、そ
の位置依存生を損なうことなく大面積化が可能である。
図30および図31に示すように、この場合にも波長シ
フトファイバ22と光検出器23の間を伝送用光ファイ
バ30で接続することが可能てある。特に大型の検出器
では重量が重くなるため電子回路を遠隔化するメリット
は大きい。
【0153】第15実施形態(図32,33) 本実施形態は、第14実施形態の波長シフト型放射線検
出センサを用いた放射線検出装置であって、複数の光検
出信号のうち、2系統の光検出器から得られる検出信号
が同時に検出される場合に放射線による信号とみなし、
それ以外の信号を光検出器のノイズ等の信号として識別
する識別手段を備えた放射線検出装置についてのもので
ある。
出センサを用いた放射線検出装置であって、複数の光検
出信号のうち、2系統の光検出器から得られる検出信号
が同時に検出される場合に放射線による信号とみなし、
それ以外の信号を光検出器のノイズ等の信号として識別
する識別手段を備えた放射線検出装置についてのもので
ある。
【0154】本実施形態では複数のシンチレータ21か
ら構成されるにもかかわらず、全体をひとつのセンサと
みなし、いずれかのシンチレータ21に放射線が入射し
た場合に信号を出力するようなロジックを使用する。
ら構成されるにもかかわらず、全体をひとつのセンサと
みなし、いずれかのシンチレータ21に放射線が入射し
た場合に信号を出力するようなロジックを使用する。
【0155】即ち、図32に示したように、本実施形態
では識別手段としての論理演算装置40および計数装置
41を備え、センサ中で、光検出器23がa,b,c,
d部分相当からの光をそれぞれ観測している場合に、隣
合う2つの波長シフトファイバ21の論理積の和を識別
し、計数するものである。
では識別手段としての論理演算装置40および計数装置
41を備え、センサ中で、光検出器23がa,b,c,
d部分相当からの光をそれぞれ観測している場合に、隣
合う2つの波長シフトファイバ21の論理積の和を識別
し、計数するものである。
【0156】図33は、論理演算装置40で、隣合う3
つの論理積の和を識別するものである。
つの論理積の和を識別するものである。
【0157】このように、論理装置40を使用すること
で、複数のシンチレータ21を組み合わせた状態でも、
全面があたかも連続した1つの面と考えた測定が行え
る。
で、複数のシンチレータ21を組み合わせた状態でも、
全面があたかも連続した1つの面と考えた測定が行え
る。
【0158】第16実施形態(図34,35) 本実施形態は、第14実施形態の波長シフト型放射線検
出センサを用い、複数の光検出信号のうち、2系統の光
検出器から得られる検出信号が同時に検出される場合に
放射線による信号とみなし、それ以外の信号を光検出器
のノイズ等の信号として識別するとともに、信号検出さ
れた波長シフトファイバの組み合わせにより、放射線が
入射したシンチレータを識別する機能を有する放射線検
出装置についてのものである。
出センサを用い、複数の光検出信号のうち、2系統の光
検出器から得られる検出信号が同時に検出される場合に
放射線による信号とみなし、それ以外の信号を光検出器
のノイズ等の信号として識別するとともに、信号検出さ
れた波長シフトファイバの組み合わせにより、放射線が
入射したシンチレータを識別する機能を有する放射線検
出装置についてのものである。
【0159】本実施形態では、複数のシンチレータ21
から構成されるセンサについて、全体をひとつの検出器
としてはみなさず、個々のンチレータに放射線が入射し
た場合にシンチレータ別に独立した信号を出力するよう
なロジックを使用する。
から構成されるセンサについて、全体をひとつの検出器
としてはみなさず、個々のンチレータに放射線が入射し
た場合にシンチレータ別に独立した信号を出力するよう
なロジックを使用する。
【0160】即ち、図34および図35に示すように、
本実施形態では論理演算装置41を備え、光検出器23
がa,b,c,d,e,f,g,h部分相当からの光を
それぞれ観測している場合に、分割された1つのシンチ
レータ21の周囲の光検出器23が同時計数した場合に
は、その当該面での信号であると認識し、シンチレータ
21の分割数と同数の独立した位置別信号として、放射
線の入射位置の識別をすることができる。
本実施形態では論理演算装置41を備え、光検出器23
がa,b,c,d,e,f,g,h部分相当からの光を
それぞれ観測している場合に、分割された1つのシンチ
レータ21の周囲の光検出器23が同時計数した場合に
は、その当該面での信号であると認識し、シンチレータ
21の分割数と同数の独立した位置別信号として、放射
線の入射位置の識別をすることができる。
【0161】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、小型で
薄く軽量であり、しかも光学的に対称とすることで感度
が高く、その位置依存性が小さい放射線、特にβ線の検
出装置を実現することができる。
薄く軽量であり、しかも光学的に対称とすることで感度
が高く、その位置依存性が小さい放射線、特にβ線の検
出装置を実現することができる。
【図1】本発明の第1実施形態による波長シフト型放射
線センサを示す斜視図。
線センサを示す斜視図。
【図2】図1に示す波長シフト型放射線センサの側面
図。
図。
【図3】前記第1実施形態における波長シフトファイバ
部の一構成例を示す拡大図。
部の一構成例を示す拡大図。
【図4】前記第1実施形態における波長シフトファイバ
部の他の構成例を示す拡大図。
部の他の構成例を示す拡大図。
【図5】前記第1実施形態における波長シフトファイバ
部のさらに他の構成例を示す拡大図。
部のさらに他の構成例を示す拡大図。
【図6】前記第1実施形態における波長シフトファイバ
部の別の構成例を示す拡大図。
部の別の構成例を示す拡大図。
【図7】本発明の第2実施形態における波長シフト型放
射線センサを示す斜視図。
射線センサを示す斜視図。
【図8】本発明の第3実施形態における波長シフト型放
射線センサを示す斜視図。
射線センサを示す斜視図。
【図9】本発明の第4実施形態における波長シフト型放
射線センサを示す斜視図。
射線センサを示す斜視図。
【図10】本発明の第5実施形態における波長シフト型
放射線センサを示す斜視図。
放射線センサを示す斜視図。
【図11】本発明に係る波長シフト型放射線センサの第
6実施形態としてのファイバ接続構造の一例を示す図。
6実施形態としてのファイバ接続構造の一例を示す図。
【図12】本発明に係る波長シフト型放射線センサの第
6実施形態としてのファイバ接続構造の他の例を示す
図。
6実施形態としてのファイバ接続構造の他の例を示す
図。
【図13】本発明に係る波長シフト型放射線センサの第
6実施形態としてのファイバ接続構造の別の例を示す
図。
6実施形態としてのファイバ接続構造の別の例を示す
図。
【図14】本発明に係る波長シフト型放射線センサの第
6実施形態としてのファイバと光検出器との接続構造の
一例を示す図。
6実施形態としてのファイバと光検出器との接続構造の
一例を示す図。
【図15】本発明に係る波長シフト型放射線センサの第
6実施形態としてのファイバと光検出器との接続構造の
他の例を示す図。
6実施形態としてのファイバと光検出器との接続構造の
他の例を示す図。
【図16】本発明に係る波長シフト型放射線センサの第
6実施形態としてのファイバと光検出器との接続構造の
別の例を示す図。
6実施形態としてのファイバと光検出器との接続構造の
別の例を示す図。
【図17】本発明に係る波長シフト型放射線センサの第
7実施形態としての波長シフトバーの接続構造の一例を
示す図。
7実施形態としての波長シフトバーの接続構造の一例を
示す図。
【図18】本発明に係る波長シフト型放射線センサの第
7実施形態としての波長シフトバーの接続構造の他の例
を示す図。
7実施形態としての波長シフトバーの接続構造の他の例
を示す図。
【図19】本発明に係る波長シフト型放射線センサの第
8実施形態としての波長シフトバーの接続構造を示す
図。
8実施形態としての波長シフトバーの接続構造を示す
図。
【図20】本発明に係る放射線検出装置についての第9
実施形態の一構成例を示す図。
実施形態の一構成例を示す図。
【図21】本発明に係る放射線検出装置についての第9
実施形態の他の構成例を示す図。
実施形態の他の構成例を示す図。
【図22】本発明に係る放射線検出装置についての第1
0実施形態を示す系統図。
0実施形態を示す系統図。
【図23】本発明に係る放射線検出装置についての第1
1実施形態を示す構成図。
1実施形態を示す構成図。
【図24】図23に示す系統の作用説明図。
【図25】本発明に係る放射線検出装置についての第1
2実施形態を示す構成図。
2実施形態を示す構成図。
【図26】本発明に係る放射線検出装置についての第1
3実施形態を示す系統図。
3実施形態を示す系統図。
【図27】図26の信号系統の続きを示す図。
【図28】図25および図26に示した系統の作用説明
図。
図。
【図29】本発明に係る波長シフト型放射線センサにつ
いての第14実施形態を示す構成図。
いての第14実施形態を示す構成図。
【図30】図29のファイバ接続構造を示す図。
【図31】図29のファイバ接続構造を示す図。
【図32】本発明に係る放射線検出装置についての第1
5実施形態による一系統例を示す図。
5実施形態による一系統例を示す図。
【図33】本発明に係る放射線検出装置についての第1
5実施形態による他の系統例を示す図。
5実施形態による他の系統例を示す図。
【図34】本発明に係る放射線検出装置についての第1
6実施形態による一系統例を示す図。
6実施形態による一系統例を示す図。
【図35】本発明に係る放射線検出装置についての第1
6実施形態による他の系統例を示す図。
6実施形態による他の系統例を示す図。
【図36】従来の一構成例を示す図。
【図37】従来の他の構成例を示す図。
【図38】従来の別の構成例を示す図。
【図39】従来のさらに別の構成例を示す図。
【図40】従来例の使用状態を説明するための図。
21 シンチレータ 22 波長シフトファイバ 22a,24,25 反射体 23 光検出器 26 反射・遮光材料 27 透明媒質 28 伝送用光ファイバ 29 受光部 30 波長シフトバー 31 信号検出装置 32 同時計数装置 33 計数装置 34 増幅装置 35 比較装置 36 計数装置 37 パルス幅識別装置 39 弁別装置 40 論理演算装置 41 計数装置
Claims (16)
- 【請求項1】 平板状のシンチレータと、このシンチレ
ータの周縁部に少なくとも一部が光学的に密着して接続
され、シンチレーション光を吸収して波長の長い光を放
出する波長シフトファイバとを有する波長シフト型放射
線センサにおいて、前記波長シフトファイバを前記シン
チレータの周縁部に沿って対称的に配置される複数のも
ので構成し、その各波長シフトファイバの長さ方向一端
面に光検出器を装着するとともに他端面に光をその波長
シフトファイバ内に戻すための反射体を設け、かつ前記
波長シフトファイバの対シンチレータ非接触の外側面
と、前記波長シフトファイバの配備されないシンチレー
タ周縁の外表面とに、前記シンチレータの内側方に向か
って光を反射する反射体を設ける一方、前記シンチレー
タの平坦な面に、屈折率が前記シンチレータに比べて小
さい物質を配備し、さらにその面の外側に、前記シンチ
レータから出た光をそのシンチレータの内側方に反射す
るとともに外部からの光を遮ることができる反射・遮光
材料を被せ、この反射・遮光材料は前記シンチレータの
少なくとも放射線入射側で測定対象の放射線が透過可能
であることを特徴とする波長シフト型放射線センサ。 - 【請求項2】 平板状のシンチレータと、このシンチレ
ータの周縁部に少なくとも一部が光学的に密着して接続
され、シンチレーション光を吸収して波長の長い光を放
出する波長シフトファイバとを有する波長シフト型放射
線センサにおいて、前記波長シフトファイバは2本以上
としてそれらにより前記シンチレータの全周縁全体を包
囲するものとし、その各波長シフトファイバの長さ方向
一端面に光検出器を装着するとともに他端面に光をその
波長シフトファイバ内に戻すための反射体を設け、かつ
前記波長シフトファイバの対シンチレータ非接触の外側
面に、前記シンチレータの内側方に向かって光を反射す
る反射体を設ける一方、前記シンチレータの平坦な面
に、屈折率が前記シンチレータに比べて小さい物質を配
備し、さらにその面の外側に、前記シンチレータから出
た光をそのシンチレータの内側方に反射するとともに外
部からの光を遮ることができる反射・遮光材料を被せ、
この反射・遮光材料は前記シンチレータの少なくとも放
射線入射側で測定対象の放射線が透過可能であることを
特徴とする波長シフト型放射線センサ。 - 【請求項3】 平板状のシンチレータと、このシンチレ
ータの周縁部に少なくとも一部が光学的に密着して接続
され、シンチレーション光を吸収して波長の長い光を放
出する波長シフトファイバとを有する波長シフト型放射
線センサにおいて、前記波長シフトファイバを1本とし
て、それにより前記シンチレータの周縁全体を包囲する
ものとし、その波長シフトファイバの長さ方向両端面に
光検出器を装着し、かつ前記波長シフトファイバの対シ
ンチレータ非接触の外側面に、前記シンチレータの内側
方に向かって光を反射する反射体を設ける一方、前記シ
ンチレータの平坦な面に、屈折率が前記シンチレータに
比べて小さい物質を配備し、さらにその面の外側に、前
記シンチレータから出た光をそのシンチレータの内側方
に反射するとともに外部からの光を遮ることができる反
射・遮光材料を被せ、この反射・遮光材料は前記シンチ
レータの少なくとも放射線入射側で測定対象の放射線が
透過可能であることを特徴とする波長シフト型放射線セ
ンサ。 - 【請求項4】 平板状のシンチレータと、このシンチレ
ータの周縁部に少なくとも一部が光学的に密着して接続
され、シンチレーション光を吸収して波長の長い光を放
出する波長シフトファイバとを有する波長シフト型放射
線センサにおいて、前記波長シフトファイバは2本とし
て、前記シンチレータの周縁の対向する部分に配置し、
その各波長シフトファイバの長さ方向両端面に光検出器
を装着し、かつ前記波長シフトファイバの対シンチレー
タ非接触の外側面と、前記波長シフトファイバの配備さ
れないシンチレータ周縁の外表面とに、前記シンチレー
タの内側方に向かって光を反射する反射体を設ける一
方、前記シンチレータの平坦な面に、屈折率が前記シン
チレータに比べて小さい物質を配備し、さらにその面の
外側に、前記シンチレータから出た光をそのシンチレー
タの内側方に反射するとともに外部からの光を遮ること
がてきる反射・遮光材料を被せ、この反射・遮光材料は
前記シンチレータの少なくとも放射線入射側で測定対象
の放射線が透過可能であることを特徴とする波長シフト
型放射線センサ。 - 【請求項5】 平板状のシンチレータと、このシンチレ
ータの周縁部に少なくとも一部が光学的に密着して接続
され、シンチレーション光を吸収して波長の長い光を放
出する波長シフトファイバとを有する波長シフト型放射
線センサにおいて、前記シンチレータを多角形とし、そ
の各縁辺毎に前記波長シフトファイバをそれぞれ配置
し、その各波長シフトファイバの長さ方向一端面にそれ
ぞれ光検出器を装着するとともに他端面に光をその波長
シフトファイバ内に戻すための反射体をそれぞれ設け、
かつ前記各波長シフトファイバの対シンチレータ非接触
の外側面に、前記シンチレータの内側方に向かって光を
反射する反射体を設ける一方、前記シンチレータの平坦
な面に、屈折率が前記シンチレータに比べて小さい物質
を配備し、さらにその面の外側に、前記シンチレータか
ら出た光をそのシンチレータの内側方に反射するととも
に外部からの光を遮ることができる反射・遮光材料を被
せ、この反射・遮光材料は前記シンチレータの少なくと
も放射線入射側で測定対象の放射線が透過可能であるこ
とを特徴とする波長シフト型放射線センサ。 - 【請求項6】 請求項1から5までのいずれかに記載の
波長シフト型放射線センサにおいて、波長シフトファイ
バと光検出器とは、透明な光ファイバ、ライトガイド、
またはライトパイプからなる光伝送用の手段によって接
続し、かつ前記光検出器は前記波長シフトファイバから
の光信号を個々に受ける独立した構成、または一括して
受ける共通な構成としたことを特徴とする波長シフト型
放射線センサ。 - 【請求項7】 請求項1、4または5記載の波長シフト
型放射線センサにおいて、波長シフトファイバに代え
て、前記波長シフトファイバと同等の蛍光機能を有する
角柱状または円柱状の透明樹脂あるいはガラスからなる
波長シフトバーを備えたことを特徴とする波長シフト型
放射線センサ。 - 【請求項8】 請求項5記載の波長シフト型放射線セン
サにおいて、波長シフトファイバに代えて、前記波長シ
フトファイバと同等の蛍光機能を有する角柱状または円
柱状の透明樹脂あるいはガラスからなる波長シフトバー
を備え、かつ2以上の前記波長シフトバーからの光を合
流させて光検出器に導く構成としたことを特徴とする波
長シフト型放射線センサ。 - 【請求項9】 請求項1から8までのいずれかに記載の
波長シフト型放射線センサを用いた放射線検出装置であ
って、2系統の光検出器から得られる検出信号が同時に
検出された場合に放射線による信号とみなし、それ以外
の信号を光検出器のノイズ等の信号として識別する識別
手段を備えたことを特徴とする放射線検出装置。 - 【請求項10】 請求項1から8までのいずれかに記載
の波長シフト型放射線センサを用いた放射線検出装置で
あって、各光検出器の出力信号のパルス波高値としきい
値となる参照電圧値とを比較する比較手段と、しきい値
以下の信号はノイズとみなし、しきい値を超える信号は
放射線検出信号として識別する識別手段を備えたことを
特徴とする放射線検出装置。 - 【請求項11】 請求項1から8までのいずれかに記載
の波長シフト型放射線センサを上下2層に密着させ、こ
れら上下のセンサから出力される独立した信号の有無の
組み合わせにより、入射した放射線の種類をその飛程の
長短に基づいて識別する手段を有することを特徴とする
放射線検出装置。 - 【請求項12】 請求項1、2、4、5、6、7または
8に記載の波長シフト型放射線センサを上下2層に密着
させ、これらの各センサを構成する複数の波長シフトフ
ァイバの一部は上下2層のシンチレータいずれからの光
も受光して蛍光変換できるように各シンチレータと接触
する構成とし、この共通な波長シフトファイバからの検
出信号と、上下の各センサから出力される独立した信号
との有無の組み合わせにより、入射した放射線の種類を
その飛程の長短に基づいて識別する手段を有することを
特徴とする放射線検出装置。 - 【請求項13】 請求項1から8までのいずれかに記載
の波長シフト型放射線センサを用いた放射線検出装置で
あって、シンチレータの放射線入射面側の表面に、荷電
粒子との反応によって発光する層を光学的に密着させて
形成し、光検出器からの出力信号を増幅する増幅手段
と、増幅した信号を一定のしきい値を超える間だけ出力
する比較手段と、この比較手段からの出力信号とその信
号の遅延回路による遅延出力信号との同時性弁別により
全放射線の計数値および放射線の種類毎の計数値を調べ
る手段を備えたことを特徴とする放射線検出装置。 - 【請求項14】 請求項1から8までのいずれかに記載
の波長シフト型放射線センサにおいて、波長シフトファ
イバまたは波長シフトバーのシンチレータへの非接触面
に、反射体に代えて他の平板状のシンチレータの周縁部
を密着させたことを特徴とする波長シフト型放射線セン
サ。 - 【請求項15】 請求項14記載の波長シフト型放射線
検出センサを用いた放射線検出装置であって、複数の光
検出信号の内、2系統の光検出器から得られる検出信号
が同時に検出される場合に放射線による信号とみなし、
それ以外の信号を光検出器のノイズ等の信号として識別
する識別手段を備えたことを特徴とする放射線検出装
置。 - 【請求項16】 請求項14記載の波長シフト型放射線
検出センサを用いた放射線検出装置であって、複数の光
検出信号の内、2系統の光検出器から得られる検出信号
が同時に検出される場合に放射線による信号とみなし、
それ以外の信号を光検出器のノイズ等の信号として識別
するとともに、信号検出された波長シフトファイバの組
み合わせにより、放射線が入射したシンチレータを識別
する機能を有することを特徴とする放射線検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3536997A JPH10232284A (ja) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | 波長シフト型放射線センサおよび放射線検出装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP3536997A JPH10232284A (ja) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | 波長シフト型放射線センサおよび放射線検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10232284A true JPH10232284A (ja) | 1998-09-02 |
Family
ID=12439995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3536997A Pending JPH10232284A (ja) | 1997-02-19 | 1997-02-19 | 波長シフト型放射線センサおよび放射線検出装置 |
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