JPH10221278A - Sims specimen evaluating method - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、二次イオン質量
分析装置（以下「ＳＩＭＳ（Secondary Ion MassSpectr
oscopy）装置」と称す）を用いた分析における試料表面
の不純物分布濃度の定量評価を行うためのＳＩＭＳ試料
評価方法に関する。The present invention relates to a secondary ion mass spectrometer (hereinafter referred to as "SIMS").
The present invention relates to a SIMS sample evaluation method for quantitatively evaluating the impurity distribution concentration on a sample surface in an analysis using an “oscopy) apparatus”.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１１は、従来のＳＩＭＳ試料評価方法
における、深さ−二次イオン強度特性を示すグラフであ
る。試料表面からの深さがある深さよりも浅い場合で
は、深さが深くなるとともに二次イオン強度比も増大す
る（遷移領域４０）。一方、試料表面からの深さがある
深さよりも深い場合では、深さに依存せず二次イオン強
度比は一定である（飽和領域４１）。2. Description of the Related Art FIG. 11 is a graph showing depth-secondary ion intensity characteristics in a conventional SIMS sample evaluation method. When the depth from the sample surface is smaller than a certain depth, the secondary ion intensity ratio increases as the depth increases (transition region 40). On the other hand, when the depth from the sample surface is deeper than a certain depth, the secondary ion intensity ratio is constant regardless of the depth (saturation region 41).
【０００３】一次イオンが試料表面をスパッタによりエ
ッチングするので、一次イオンが注入（入射イオン効
果）される分布のピークとなる平均飛程は試料表面から
深さ方向へと移動する。よって、二次イオンの生成効率
が増大し続けるために遷移領域４０が呈される。しかし
ある程度の深さに平均飛程が達した後は、一次イオンの
濃度が飽和し、二次イオンの生成効率も一定となって飽
和領域４１が呈される。[0003] Since the primary ions etch the sample surface by sputtering, the average range, which is the peak of the distribution in which the primary ions are implanted (incident ion effect), moves from the sample surface to the depth direction. Therefore, the transition region 40 is provided in order to keep increasing the generation efficiency of the secondary ions. However, after the average range reaches a certain depth, the concentration of the primary ions is saturated, the generation efficiency of the secondary ions becomes constant, and a saturated region 41 is exhibited.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従来のＳＩＭＳ試料評
価方法では、試料表面下の深さの浅い部分は遷移領域４
０にあり、その不純物濃度の定量評価が困難であるとい
う問題点があった。In the conventional SIMS sample evaluation method, the shallow portion below the sample surface is defined as the transition region 4.
0, which makes it difficult to quantitatively evaluate the impurity concentration.
【０００５】本発明は、この問題点を解決するためにな
されたものであり、ＳＩＭＳ装置を用いた試料の評価に
おいて、試料表面の評価が容易なＳＩＭＳ試料評価方法
を得ることを目的とする。An object of the present invention is to solve this problem, and an object of the present invention is to provide a SIMS sample evaluation method that allows easy evaluation of a sample surface in evaluation of a sample using a SIMS apparatus.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
課題解決手段は、深さ−二次イオン強度特性における遷
移領域の発生を抑制させるための抑制物質を有する膜を
試料表面に形成する第１のステップと、前記第１のステ
ップの後、当該試料表面に一次イオンが入射するように
二次イオン分析装置の所定の位置に前記試料を設置し、
二次イオン分析装置を用いて、当該試料表面の評価を行
う第２のステップとを備える。Means for Solving the Problems According to a first aspect of the present invention, a film having an inhibitory substance for suppressing the generation of a transition region in the depth-secondary ionic strength characteristics is formed on a sample surface. A first step to perform, after the first step, placing the sample at a predetermined position of a secondary ion analyzer so that primary ions are incident on the surface of the sample,
A second step of evaluating the surface of the sample using a secondary ion analyzer.
【０００７】本発明の請求項２に係る課題解決手段にお
いて、前記抑制物質を有する膜は、前記試料表面に存在
する不純物を取り込む。In the means for solving problems according to claim 2 of the present invention, the film having the suppressing substance takes in impurities present on the surface of the sample.
【０００８】本発明の請求項３に係る課題解決手段にお
いて、前記抑制物質を有する膜は、前記試料表面に対し
て加熱を行い形成された酸化膜である。[0008] In the means for solving problems according to claim 3 of the present invention, the film having the suppressing substance is an oxide film formed by heating the sample surface.
【０００９】本発明の請求項４に係る課題解決手段にお
いて、前記第１のステップは、前記酸化膜上に、当該酸
化膜を保護するための酸化膜を前記加熱の温度より低い
温度で堆積して形成するステップを備える。According to a fourth aspect of the present invention, in the first step, an oxide film for protecting the oxide film is deposited on the oxide film at a temperature lower than the heating temperature. Forming.
【００１０】本発明の請求項５に係る課題解決手段にお
いて、前記抑制物質を有する膜は、前記試料表面上に存
在する不純物を覆う。[0010] In the means for solving problems according to claim 5 of the present invention, the film having the suppressing substance covers impurities present on the surface of the sample.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】図１０は、本発明に係るＳＩＭＳ
試料評価方法において用いられるＳＩＭＳ装置の概念図
であり、従来の装置を転用できる。ＳＩＭＳ装置の動作
は次のとおりである。すなわち、セシウムイオン源１、
デュオプラズマトロンイオン源（酸素イオン源）２、一
次イオンマスフィルタ３、一次イオンカラム４により生
成されて引き出された一次イオンを試料３０に入射させ
ることで、試料３０から二次イオンが発生する。二次イ
オンは、トランスファレンズ７及び静電アナライザ８を
介してラミネートマグネット９へ導かれる。同マグネッ
ト９は二次イオンの種類の選別を行う。選別された二次
イオンは、二次電子増信管とファラデーカップ１０に導
かれ、電流に変換される。この電流値をモニターするこ
とで、二次イオン強度を求めることができる。FIG. 10 shows a SIMS according to the present invention.
It is a conceptual diagram of the SIMS apparatus used in a sample evaluation method, and can use the conventional apparatus. The operation of the SIMS device is as follows. That is, the cesium ion source 1,
The primary ions generated and extracted by the duoplasmatron ion source (oxygen ion source) 2, the primary ion mass filter 3, and the primary ion column 4 are incident on the sample 30, whereby secondary ions are generated from the sample 30. The secondary ions are guided to a laminated magnet 9 via a transfer lens 7 and an electrostatic analyzer 8. The magnet 9 sorts the types of secondary ions. The selected secondary ions are guided to the secondary electron intensifier tube and the Faraday cup 10, and are converted into current. By monitoring this current value, the secondary ion intensity can be determined.
【００１２】一次イオンは試料３０をスパッタしてエッ
チングするので、スパッタ速度を求めることにより、測
定時間は試料３０表面からの深さに換算される。また、
試料３０から得られた二次イオン強度は、既知の不純物
分布濃度の標準サンプルから得られた二次イオン強度と
比較することにより、試料３０中の不純物分布濃度を求
めることができる。Since the primary ions are sputtered on the sample 30 and etched, the measurement time is converted into the depth from the surface of the sample 30 by calculating the sputter rate. Also,
By comparing the secondary ion intensity obtained from the sample 30 with the secondary ion intensity obtained from a standard sample having a known impurity distribution concentration, the impurity distribution concentration in the sample 30 can be obtained.
【００１３】実施の形態１．まず、本発明の実施の形態
１におけるＳＩＭＳ試料評価方法を説明する。まず、図
１を参照して、Ｓｉ基板２０を準備する。ここで、Ｓｉ
基板２０の表面はＳｉが露出した状態である。また、Ｓ
ｉ基板２０表面上やＳｉ基板２０表面下には不純物（例
えばアルミ元素等）５０が存在しているとする。Embodiment 1 FIG. First, a SIMS sample evaluation method according to the first embodiment of the present invention will be described. First, referring to FIG. 1, a Si substrate 20 is prepared. Where Si
The surface of the substrate 20 is in a state where Si is exposed. Also, S
It is assumed that an impurity (for example, an aluminum element) 50 exists on the surface of the i-substrate 20 or below the surface of the Si substrate 20.
【００１４】次に、Ｓｉ基板２０表面を約８５０度で加
熱することにより、Ｓｉ基板２０表面を酸化する。その
結果、図２を参照して、Ｓｉ基板２０表面に酸化膜（Ｓ
ｉＯ2 ）２１が形成される。ここで、約８５０度で加熱
したため、酸化膜２１は不純物５０を取り込んでいる。Next, the surface of the Si substrate 20 is oxidized by heating the surface of the Si substrate 20 at about 850 degrees. As a result, referring to FIG. 2, an oxide film (S
iO 2 ) 21 is formed. Here, the oxide film 21 has taken in the impurities 50 because it was heated at about 850 degrees.
【００１５】酸化膜２１の膜厚は、１０００オングスト
ローム程度が好ましい。この理由は、図１１の遷移領域
４０と飽和領域４１との境界の深さは、通常、数百オン
グストローム程度であるため、１０００オングストロー
ムであれば、後に求める酸化膜２１中に含まれる不純物
濃度を精度良く求めることができるからである。The thickness of oxide film 21 is preferably about 1000 angstroms. The reason is that the depth of the boundary between the transition region 40 and the saturation region 41 in FIG. 11 is usually about several hundred angstroms. This is because it can be obtained with high accuracy.
【００１６】本実施の形態では、試料とはＳｉ基板２０
であり、抑制物質とは酸化膜２１中の酸素元素であり、
抑制物質を有する膜とは酸化膜２１である。In the present embodiment, the sample is the Si substrate 20
And the suppressing substance is an oxygen element in the oxide film 21,
The film containing the suppressing substance is the oxide film 21.
【００１７】次に、図２の酸化膜２１を形成したＳｉ基
板２０を試料３０として図１０に示す試料ホルダ３１に
取り付ける。そして、試料３０を取り付けた試料ホルダ
３１を図１０の所定の位置（試料室６内）に設置する。
次に、不純物分布濃度を求める。すなわち、図１０に示
すＳＩＭＳ装置を用いて、試料ホルダ３１に取り付けら
れた試料の酸化膜２１の表面に一次イオンを入射するこ
とに基づき二次イオン強度が得られる。また、スパッタ
速度を求めることにより測定時間は、試料表面からの深
さに換算される。得られた二次イオン強度は、既知の不
純物分布濃度の標準サンプルから測定された二次イオン
強度比と比較することにより、試料３０中の不純物分布
濃度を求めることができる。Next, the Si substrate 20 on which the oxide film 21 of FIG. 2 is formed is mounted as a sample 30 on a sample holder 31 shown in FIG. Then, the sample holder 31 to which the sample 30 is attached is set at a predetermined position (in the sample chamber 6) in FIG.
Next, the impurity distribution concentration is determined. That is, the secondary ion intensity is obtained based on the incidence of primary ions on the surface of the oxide film 21 of the sample attached to the sample holder 31 using the SIMS apparatus shown in FIG. The measurement time is converted to a depth from the surface of the sample by obtaining the sputtering speed. By comparing the obtained secondary ion intensity with a secondary ion intensity ratio measured from a standard sample having a known impurity distribution concentration, the impurity distribution concentration in the sample 30 can be obtained.
【００１８】本実施の形態では、次の効果がある。すな
わち、Ｓｉ基板２０表面に、酸素を含む酸化膜２１を形
成したことにより、注入される一次イオン（酸素イオ
ン）の影響が抑制されるため、従来の技術で説明した入
射イオン効果が低減される。このため、試料表面下の二
次イオン強度比の精度が高くなり（遷移領域の発生が抑
制され）、この試料表面下の深さの浅い部分の不純物５
０の評価が容易に行える。This embodiment has the following effects. That is, since the oxide film 21 containing oxygen is formed on the surface of the Si substrate 20, the influence of the injected primary ions (oxygen ions) is suppressed, and the incident ion effect described in the related art is reduced. . For this reason, the accuracy of the secondary ion intensity ratio below the sample surface is increased (the occurrence of transition regions is suppressed), and impurities 5 in the shallow portion below the sample surface are reduced.
Evaluation of 0 can be easily performed.
【００１９】また、酸化膜２１に評価対象の不純物５０
を取り込ませたため、酸化膜２１を評価することによ
り、不純物分布濃度を容易に評価できる。The oxide film 21 has an impurity 50 to be evaluated.
Therefore, by evaluating the oxide film 21, the impurity distribution concentration can be easily evaluated.
【００２０】また、上述の本実施の形態の効果は、一次
イオンが酸素イオンの場合に特に効果がある。The above-described effects of the present embodiment are particularly effective when the primary ions are oxygen ions.
【００２１】実施の形態２．次に、本発明の実施の形態
２におけるＳＩＭＳ試料評価方法を説明する。まず、図
３を参照して、図１と同様にして、Ｓｉ基板２０を準備
する。次に、図４を参照して、図２と同様にして、Ｓｉ
基板２０表面に酸化膜２１が形成される。次に、酸化膜
２１表面に約４００度で酸化膜を堆積する。その結果、
図５を参照して、酸化膜２１表面に酸化膜２２が形成さ
れる。ここで、酸化膜２１の膜厚は、１０００オングス
トローム程度である。また、約４００度で堆積した理由
は、酸化膜２１中に取り込まれている不純物５０を酸化
膜２２中に取り込ませないためである。その他は、実施
の形態１と同様である。Embodiment 2 FIG. Next, a SIMS sample evaluation method according to the second embodiment of the present invention will be described. First, referring to FIG. 3, a Si substrate 20 is prepared in the same manner as in FIG. Next, referring to FIG. 4, in the same manner as in FIG.
An oxide film 21 is formed on the surface of the substrate 20. Next, an oxide film is deposited on the surface of the oxide film 21 at about 400 degrees. as a result,
Referring to FIG. 5, oxide film 22 is formed on oxide film 21 surface. Here, the thickness of the oxide film 21 is about 1000 angstroms. Further, the reason why the deposition is performed at about 400 degrees is that the impurity 50 taken in the oxide film 21 is not taken into the oxide film 22. Others are the same as the first embodiment.
【００２２】本実施の形態では、試料とはＳｉ基板２０
であり、抑制物質とは酸化膜２１及び２２中の酸素元素
であり、抑制物質を有する膜とは酸化膜２１及び２２で
ある。In the present embodiment, the sample is the Si substrate 20
Where the suppressing substance is the oxygen element in the oxide films 21 and 22, and the film having the suppressing substance is the oxide films 21 and 22.
【００２３】本実施の形態では、実施の形態１の効果に
加え、次の効果がある。例えば、実施の形態１では、図
１１の試料ホルダ３１に試料を取り付けるために、ピン
セットやダイヤモンドカッター等の工具を用いて、試料
の切断等を行う。そのとき、酸化膜２２を設けない場合
には工具に付着している不純物が酸化膜２１に付着する
可能性がある。この場合、工具に付着している不純物と
評価対象の不純物５０とが混合してしまう。一方、本実
施の形態では、不純物５０を取り込んでいない酸化膜２
２が酸化膜２１を保護しているため、上述の混合を防止
できる。さらに、酸化膜２１及び２２からなる酸化膜
は、Ｓｉ基板２０表面をまず高い温度で加熱した後低い
温度で酸化膜を堆積するという容易な方法で形成でき
る。The present embodiment has the following effects in addition to the effects of the first embodiment. For example, in the first embodiment, the sample is cut or the like using a tool such as tweezers or a diamond cutter in order to attach the sample to the sample holder 31 shown in FIG. At this time, when the oxide film 22 is not provided, impurities adhering to the tool may adhere to the oxide film 21. In this case, the impurities adhering to the tool and the impurities 50 to be evaluated are mixed. On the other hand, in the present embodiment, the oxide film 2 not incorporating the impurity 50 is used.
Since 2 protects oxide film 21, the above-described mixing can be prevented. Further, the oxide film composed of the oxide films 21 and 22 can be formed by an easy method of first heating the surface of the Si substrate 20 at a high temperature and then depositing the oxide film at a low temperature.
【００２４】実施の形態３．次に、本発明の実施の形態
３におけるＳＩＭＳ試料評価方法を説明する。まず、図
６を参照して、酸化膜（ＳｉＯ2 ）２３が形成されたＳ
ｉ基板２０を準備する。ここで、酸化膜２３表面上には
不純物（例えばアルミ元素等）５０が存在しているとす
る。Embodiment 3 FIG. Next, a SIMS sample evaluation method according to the third embodiment of the present invention will be described. First, referring to FIG. 6, S on which oxide film (SiO 2 ) 23 is formed is formed.
An i-substrate 20 is prepared. Here, it is assumed that an impurity (for example, an aluminum element) 50 exists on the surface of the oxide film 23.
【００２５】次に、酸化膜２３表面に約４００度で酸化
膜を堆積する。その結果、図７を参照して、酸化膜２３
表面に、酸化膜（ＳｉＯ2 ）２４が形成される。ここ
で、酸化膜２４の膜厚は、１０００オングストローム程
度である。また、約４００度で堆積した理由は、酸化膜
２３表面上の不純物５０を酸化膜２４中に取り込ませず
に、酸化膜２３が不純物５０を覆うようにするためであ
る。また、２４として酸化膜を形成した理由は、下に形
成されている膜２３と構成元素を同じにすることによ
り、酸化膜２３及び２４の界面の二次イオン比が不連続
に変動させず、以てこの界面の評価の精度を向上させる
ためである。その他は、実施の形態１と同様である。Next, an oxide film is deposited on the surface of the oxide film 23 at about 400 degrees. As a result, referring to FIG.
An oxide film (SiO 2 ) 24 is formed on the surface. Here, the thickness of the oxide film 24 is about 1000 angstroms. The reason why the deposition is performed at about 400 degrees is that the oxide film 23 covers the impurity 50 without taking the impurity 50 on the surface of the oxide film 23 into the oxide film 24. The reason why the oxide film is formed as 24 is that by making the constituent elements the same as the film 23 formed below, the secondary ion ratio at the interface between the oxide films 23 and 24 does not fluctuate discontinuously. This is to improve the accuracy of the evaluation of the interface. Others are the same as the first embodiment.
【００２６】本実施の形態では、試料とはＳｉ基板２０
及び酸化膜２３であり、抑制物質とは酸化膜２４中の酸
素元素であり、抑制物質を有する膜とは酸化膜２４であ
る。In the present embodiment, the sample is the Si substrate 20
And the oxide film 23, the suppressing substance is an oxygen element in the oxide film 24, and the film having the suppressing substance is the oxide film 24.
【００２７】本実施の形態では、次の効果がある。すな
わち、酸化膜２４を形成したことにより、従来の技術で
説明した入射イオン効果が低減される。このため、酸化
膜２３及び酸化膜２４の界面の二次イオン強度比の精度
が高くなり、この界面の評価が容易に行える。さらに、
酸化膜２４が不純物５０を覆っている。このため、実施
の形態２と同様に、不純物５０を取り込まない酸化膜２
４が酸化膜２３を保護しているため、実施の形態２で説
明した混合を防止できる。This embodiment has the following effects. That is, the formation of the oxide film 24 reduces the incident ion effect described in the related art. Therefore, the accuracy of the secondary ion intensity ratio at the interface between the oxide film 23 and the oxide film 24 is increased, and this interface can be easily evaluated. further,
Oxide film 24 covers impurity 50. Therefore, similarly to the second embodiment, oxide film 2 that does not
Since 4 protects oxide film 23, the mixing described in the second embodiment can be prevented.
【００２８】実施の形態４．次に、本発明の実施の形態
４におけるＳＩＭＳ試料評価方法を説明する。まず、図
８を参照して、窒化膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）２５が形成された
Ｓｉ基板２０を準備する。ここで、窒化膜２５表面上に
は不純物（例えばアルミ元素等）５０が存在していると
する。Embodiment 4 Next, a SIMS sample evaluation method according to Embodiment 4 of the present invention will be described. First, referring to FIG. 8, a Si substrate 20 on which a nitride film (Si 3 N 4 ) 25 is formed is prepared. Here, it is assumed that an impurity (for example, an aluminum element) 50 exists on the surface of the nitride film 25.
【００２９】次に、窒化膜２５表面に約４００度で窒化
膜を堆積する。図９を参照して、窒化膜２５表面に、窒
化膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）２６が形成される。ここで、窒化膜
２６の膜厚は、１０００オングストローム程度である。
また、約４００度で堆積した理由は、窒化膜２５表面上
の不純物５０を窒化膜２６中に不純物５０を取り込ませ
ずに、窒化膜２６が不純物５０を覆うようにするためで
ある。また、２６として窒化膜を形成した理由は、下に
形成されている膜２５と構成元素を同じにすることによ
り、窒化膜２５及び２６の界面の二次イオン比が不連続
に変動させず、以てこの界面の評価の精度を向上させる
ためである。その他は、実施の形態１と同様である。Next, a nitride film is deposited on the surface of the nitride film 25 at about 400 degrees. Referring to FIG. 9, a nitride film (Si 3 N 4 ) 26 is formed on the surface of nitride film 25. Here, the thickness of the nitride film 26 is about 1000 angstroms.
Further, the reason why the deposition is performed at about 400 degrees is to prevent the impurity 50 on the surface of the nitride film 25 from covering the impurity 50 without taking the impurity 50 into the nitride film 26. The reason for forming the nitride film as 26 is that by making the constituent elements the same as those of the film 25 formed below, the secondary ion ratio at the interface between the nitride films 25 and 26 does not fluctuate discontinuously, This is to improve the accuracy of the evaluation of the interface. Others are the same as the first embodiment.
【００３０】本実施の形態では、試料とはＳｉ基板２０
及び窒化膜２５であり、抑制物質とは窒化膜２６中の窒
素元素であり、抑制物質を有する膜とは窒化膜２６であ
る。In the present embodiment, the sample is the Si substrate 20
And the nitride film 25, wherein the suppressing substance is a nitrogen element in the nitride film 26, and the film having the suppressing substance is the nitride film 26.
【００３１】本実施の形態では、次の効果がある。すな
わち、窒化膜２６を形成したことにより、従来の技術で
説明した入射イオン効果が低減される。これは、遷移領
域４０が一般に数１００オングストロームと言われてお
り、評価対象である界面が表面より１０００オングスト
ローム程度のところに位置することから、飽和領域での
測定となるためである。窒化膜２５及び窒化膜２６の同
種の膜を用いることで、界面での二次イオン強度比の精
度が高くなり、この界面の評価が容易に行える。さら
に、窒化膜２６が不純物５０を覆っている。このため、
実施の形態２と同様に、不純物５０を取り込まない窒化
膜２６が窒化膜２５を保護しているため、実施の形態２
で説明した混合を防止できる。The present embodiment has the following effects. That is, the formation of the nitride film 26 reduces the incident ion effect described in the related art. This is because the transition region 40 is generally referred to as several hundred angstroms, and the interface to be evaluated is located at about 1,000 angstroms from the surface, so that the measurement is performed in the saturation region. By using the same kind of film of the nitride film 25 and the nitride film 26, the accuracy of the secondary ion intensity ratio at the interface is increased, and the evaluation of the interface can be easily performed. Further, the nitride film 26 covers the impurity 50. For this reason,
As in the second embodiment, since the nitride film 26 that does not take in the impurity 50 protects the nitride film 25, the second embodiment
Can be prevented.
【００３２】[0032]
【発明の効果】本発明請求項１によると、抑制物質を有
する膜を試料表面に形成することにより、入射イオン効
果が低減される。このため、試料表面の二次イオン強度
比の精度が高くなり、この試料表面の評価が容易に行え
るという効果を奏す。According to the first aspect of the present invention, the incident ion effect is reduced by forming a film having an inhibitory substance on the sample surface. For this reason, the accuracy of the secondary ion intensity ratio on the sample surface is increased, and the effect of easily evaluating the sample surface can be obtained.
【００３３】本発明請求項２によると、抑制物質を有す
る膜に不純物を取り込ませて当該膜を評価することによ
り、不純物の評価が容易に行えるという効果を奏す。According to the second aspect of the present invention, by incorporating impurities into the film having the suppressing substance and evaluating the film, the effect of easily evaluating the impurities can be obtained.
【００３４】本発明請求項３によると、抑制物質を有す
る膜を加熱することにより容易に形成でき、また、酸化
膜が有する酸素元素は二次イオンの生成率が高いため、
二次イオン強度比の精度が高くなるという効果を奏す。According to the third aspect of the present invention, it is possible to easily form the film having the suppressing substance by heating, and the oxygen element of the oxide film has a high secondary ion generation rate.
This has the effect of increasing the accuracy of the secondary ion intensity ratio.
【００３５】本発明請求項４によると、保護するための
酸化膜をさらに形成するため、例えば試料をピンセット
で摘んだときに、不純物が抑制物質を有する膜中へと進
入しても、これと評価対象の不純物とが混合しない。ま
た、低い温度で保護するための酸化膜を形成するため、
評価対象の不純物が保護するための酸化膜中に取り込ま
れない。したがって、評価対象の不純物が精度良く評価
できるという効果を奏す。According to the fourth aspect of the present invention, in order to further form an oxide film for protection, even if impurities enter the film having the suppressing substance when the sample is picked up with tweezers, for example, Does not mix with impurities to be evaluated. Also, to form an oxide film for protection at low temperature,
The impurities to be evaluated are not taken into the oxide film for protection. Therefore, there is an effect that impurities to be evaluated can be accurately evaluated.
【００３６】本発明請求項５によると、抑制物質を有す
る膜が試料表面上に存在する評価対象の不純物を覆うた
め、抑制物質を有する膜中に評価対象の不純物が存在し
ない。このため、例えば試料をピンセットで摘んだとき
に、不純物が抑制物質を有する膜中へと進入しても、こ
れと評価対象の不純物とが混合しない。したがって、評
価対象の不純物が精度良く評価できるという効果を奏
す。According to the fifth aspect of the present invention, since the film having the inhibitory substance covers the impurity to be evaluated present on the sample surface, there is no impurity to be evaluated in the film having the inhibitory substance. Therefore, for example, when the sample is picked up with tweezers, even if the impurity enters the film having the suppressing substance, this does not mix with the impurity to be evaluated. Therefore, there is an effect that impurities to be evaluated can be accurately evaluated.
【図１】 本発明の実施の形態１におけるＳＩＭＳ試料
評価方法の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a SIMS sample evaluation method according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 本発明の実施の形態１におけるＳＩＭＳ試料
評価方法の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a SIMS sample evaluation method according to the first embodiment of the present invention.
【図３】 本発明の実施の形態２におけるＳＩＭＳ試料
評価方法の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a SIMS sample evaluation method according to a second embodiment of the present invention.
【図４】 本発明の実施の形態２におけるＳＩＭＳ試料
評価方法の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a SIMS sample evaluation method according to a second embodiment of the present invention.
【図５】 本発明の実施の形態２におけるＳＩＭＳ試料
評価方法の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a SIMS sample evaluation method according to a second embodiment of the present invention.
【図６】 本発明の実施の形態３におけるＳＩＭＳ試料
評価方法の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a SIMS sample evaluation method according to a third embodiment of the present invention.
【図７】 本発明の実施の形態３におけるＳＩＭＳ試料
評価方法の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of a SIMS sample evaluation method according to a third embodiment of the present invention.
【図８】 本発明の実施の形態４におけるＳＩＭＳ試料
評価方法の説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of a SIMS sample evaluation method according to a fourth embodiment of the present invention.
【図９】 本発明の実施の形態４におけるＳＩＭＳ試料
評価方法の説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of a SIMS sample evaluation method according to a fourth embodiment of the present invention.
【図１０】 ＳＩＭＳ装置の概念図である。FIG. 10 is a conceptual diagram of a SIMS device.
【図１１】 深さ−二次イオン強度特性を示すグラフで
ある。FIG. 11 is a graph showing depth-secondary ion intensity characteristics.
２０ Ｓｉ基板、２１〜２４ 酸化膜、２５，２６ 窒
化膜、５０ 不純物。20 Si substrate, 21 to 24 oxide film, 25, 26 nitride film, 50 impurities.
Claims (5)
領域の発生を抑制させるための抑制物質を有する膜を試
料表面に形成する第１のステップと、 前記第１のステップの後、当該試料表面に一次イオンが
入射するように二次イオン分析装置の所定の位置に前記
試料を設置し、二次イオン分析装置を用いて、当該試料
表面の評価を行う第２のステップと、を備えたＳＩＭＳ
試料評価方法。1. a first step of forming a film having an inhibitory substance for suppressing the generation of a transition region in the depth-secondary ionic strength characteristics on a surface of a sample; and after the first step, the sample Placing the sample at a predetermined position of a secondary ion analyzer so that primary ions are incident on the surface, and using a secondary ion analyzer, performing a second step of evaluating the surface of the sample. SIMS
Sample evaluation method.
載のＳＩＭＳ試料評価方法。2. The SIMS sample evaluation method according to claim 1, wherein the film having the suppressing substance takes in impurities present on the surface of the sample.
る、請求項２記載のＳＩＭＳ試料評価方法。3. The SIMS sample evaluation method according to claim 2, wherein the film having the inhibitory substance is an oxide film formed by heating the surface of the sample.
前記加熱の温度より低い温度で堆積して形成するステッ
プを備えた、請求項３記載のＳＩＭＳ試料評価方法。4. The method according to claim 3, wherein the first step includes forming an oxide film for protecting the oxide film at a temperature lower than the heating temperature on the oxide film. The described SIMS sample evaluation method.
のＳＩＭＳ試料評価方法。5. The SIMS sample evaluation method according to claim 1, wherein the film having the inhibitor covers an impurity present on the surface of the sample.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9022425A JPH10221278A (en) | 1997-02-05 | 1997-02-05 | Sims specimen evaluating method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9022425A JPH10221278A (en) | 1997-02-05 | 1997-02-05 | Sims specimen evaluating method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10221278A true JPH10221278A (en) | 1998-08-21 |
Family
ID=12082343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9022425A Pending JPH10221278A (en) | 1997-02-05 | 1997-02-05 | Sims specimen evaluating method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10221278A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010112821A (en) * | 2008-11-06 | 2010-05-20 | Fujitsu Ltd | Depth calibration sample for secondary ion mass spectrometry, production method of the same and secondary ion mass spectrometry |
-
1997
- 1997-02-05 JP JP9022425A patent/JPH10221278A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010112821A (en) * | 2008-11-06 | 2010-05-20 | Fujitsu Ltd | Depth calibration sample for secondary ion mass spectrometry, production method of the same and secondary ion mass spectrometry |
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