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JPH10217275A - Resin sealing method for semiconductor apparatus - Google Patents

Resin sealing method for semiconductor apparatus

Info

Publication number
JPH10217275A
JPH10217275A JP2166597A JP2166597A JPH10217275A JP H10217275 A JPH10217275 A JP H10217275A JP 2166597 A JP2166597 A JP 2166597A JP 2166597 A JP2166597 A JP 2166597A JP H10217275 A JPH10217275 A JP H10217275A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
mold
cavity
pot
reduced pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2166597A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Naoto Takebe
直人 武部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2166597A priority Critical patent/JPH10217275A/en
Publication of JPH10217275A publication Critical patent/JPH10217275A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin sealing method of a semiconductor apparatus constituted so as to suppress the generation of void inferiority when a molten resin is extruded into a cavity in a reduced pressure atmosphere to enhance the reliability of a resin sealing type semiconductor apparatus. SOLUTION: In a semiconductor apparatus, cavities 131, 132 are mutually formed to lower and upper molds 11, 12 and a semiconductor element 14 is arranged in the cavity 131. A pot 15 is formed to the lower mold 11 and resin pellets 16 are charged in the pot 15 to be extruded to flow passages 181, 182 by a plunger 17. An air vent 19 is formed to the upper mold 12 so as to communicate with the cavities 131, 132 and a groove 20 reducing exhaust resistance at the time of pressure reduction is formed to the air vent 19. By the reduction of exhaust resistance at a time when a resin is extruded into the cavity in a reduced pressure atmosphere, the generation of void inferiority is suppressed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、樹脂封止型半導
体装置を製造する方法に係るものであり、例えばリード
フレーム上に半導体チップの搭載された半導体素子部を
保護樹脂で封止する半導体装置の樹脂封止方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, for example, a semiconductor device in which a semiconductor element portion having a semiconductor chip mounted on a lead frame is sealed with a protective resin. A resin sealing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】通常、半導体装置を樹脂封止するには、
上下の金型に成形面に連通するポット内に円筒状の樹脂
タブレットを投入し、上下の金型を型締めした後にプラ
ンジャによって樹脂をポットから押し出す。この場合、
樹脂タブレットは金型の熱によって溶解されており、こ
の溶解樹脂が予め半導体チップを搭載したリードフレー
ムを配置したキャビティに移送させる。その後所定の時
間その状態を保持して硬化させ、その後金型から取り出
して樹脂封止型の半導体装置が完成される。
2. Description of the Related Art Generally, a semiconductor device is sealed with a resin.
A cylindrical resin tablet is put into a pot communicating with the molding surface in the upper and lower molds, and after the upper and lower molds are clamped, the resin is pushed out of the pot by a plunger. in this case,
The resin tablet is melted by the heat of the mold, and the melted resin is transferred to a cavity in which a lead frame on which a semiconductor chip is mounted is arranged in advance. Thereafter, the state is maintained and cured for a predetermined time, and then the resin-molded semiconductor device is completed by taking it out of the mold.

【0003】この様な樹脂封止型の樹脂封止工程におい
て、ポットからキャビティに移送される流動中におい
て、この流動通路内の空気を巻き込みながらキャビティ
内に移送されるようになり、ボイド不良を形成する。
In such a resin-sealing-type resin-sealing process, during the flow from the pot to the cavity, the air in the flow passage is transferred into the cavity while being entrained, thereby causing void defects. Form.

【0004】例えば特開平5−41396号公報で示さ
れる減圧下での樹脂封止方法にあっては、樹脂タブレッ
トをポット内に投入した後に、金型を完全型締めする手
前で金型成形面を密封し、排気するようにしている。こ
の様にすれば、小さな抵抗で効率よく金型成形面を排気
することができる。
For example, in a resin sealing method under reduced pressure disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-41396, after a resin tablet is put into a pot, a molding surface of the mold is formed just before the mold is completely closed. Is sealed and evacuated. In this case, the mold surface can be efficiently exhausted with a small resistance.

【0005】具体的には、樹脂タブレットをポット内に
投入した後に上下金型を完全型締めせずに、その直前の
間隔0.3〜20mmの所で型締めの停止もしくは微速
型締めの状態とし、この段階で少なくともポットと金型
成形面を含む空間を、シール材料等によって密封し、真
空ポンプ等を用いて空間を排気する。
More specifically, after the resin tablet is put into the pot, the upper and lower molds are not completely clamped, but the mold is stopped at a distance of 0.3 to 20 mm immediately before the mold or the mold is closed at a very low speed. At this stage, at least the space including the pot and the mold forming surface is sealed with a sealing material or the like, and the space is exhausted using a vacuum pump or the like.

【0006】この様な排気状態において、上下の金型に
は0.3〜20mmの間隔が維持されているものである
ため、排気抵抗が充分に小さな状態に保持され、ごく短
時間で減圧状態とすることができる。この様な減圧状態
とされた後は、所定の硬化時間を経て金型を開き、樹脂
封止された半導体装置である成形品を取り出す。この様
に減圧状態の下に樹脂成形を行うことにより、溶解樹脂
の流動中にこの樹脂中に空気の巻き込みを防止するのみ
ではなく、流動樹脂中の揮発成分の排出もできて、ボイ
ド不良の発生が低減できるようになる。
In such an exhaust state, since the upper and lower dies are maintained at a distance of 0.3 to 20 mm, the exhaust resistance is kept sufficiently small, and the pressure is reduced in a very short time. It can be. After being set in such a reduced pressure state, the mold is opened after a predetermined curing time, and a molded product, which is a semiconductor device sealed with resin, is taken out. By performing resin molding under a reduced pressure state in this way, it is possible not only to prevent the entrainment of air into the resin during the flow of the melted resin, but also to discharge volatile components in the flowable resin and to reduce void defects. Occurrence can be reduced.

【0007】しかしながらこの様な樹脂封止方法では、
上下の金型を完全に型締めすることなく、その手前で型
締め停止もしくは微速型締めし、この段階では効率よく
排気できる。しかし、型閉じ後は上下金型の隙間が極端
に小さくなるので、排気効率が必然的に低下する。した
がって、この型締め後に生じた樹脂の硬化反応によって
生成される揮発成分の排気が損なわれるようになり、ボ
イド不良の大きな要因となる。
However, in such a resin sealing method,
Without completely clamping the upper and lower molds, the mold clamping is stopped or the mold is clamped at a very low speed before the mold is completely clamped. At this stage, the exhaust can be efficiently performed. However, after the mold is closed, the gap between the upper and lower molds becomes extremely small, so that the exhaust efficiency is necessarily reduced. Therefore, the exhaustion of volatile components generated by the curing reaction of the resin generated after the mold clamping is impaired, which is a major cause of void defects.

【0008】図3および図4は従来の半導体装置の樹脂
封止方法の一例を説明するもので、まず図3の(A)で
示すように下方に設定されて下金型される第1の金型51
と、その上方に設定されて上金型とされる第2の金型52
が設定される。第1の金型51には、第1のキャビティ53
1 が設定され、また第2の金型52には第1のキャビティ
531 に対設される第2のキャビティ532 が凹みとして形
成されるもので、第1のキャビティ531 にはリードフレ
ームに半導体チップが搭載され、所定の導出リードにワ
イヤでボンディグ接続された半導体素子54が設置されて
いる。
FIGS. 3 and 4 illustrate an example of a conventional resin sealing method for a semiconductor device. First, as shown in FIG. Mold 51
And a second mold 52 set thereabove to be an upper mold.
Is set. The first mold 51 includes a first cavity 53.
1 is set, and the second mold 52 has the first cavity
A second cavity 532 opposed to 531 is formed as a recess. In the first cavity 531, a semiconductor chip mounted on a lead frame and bonded to predetermined lead-out leads by wire bonding is provided. Is installed.

【0009】ここで、第1の金型51には例えば円筒状の
開口によるポット55が形成され、このポット55内に封止
樹脂のペレット56が設置され、プランジャ57によって押
し出されるようになっているもので、この押し出された
樹脂は金型51および52の間に形成される樹脂流動通路58
1 、582 を介して第1および第2のキャビティ531 およ
び532 で構成されるキャビティ53に導かれるようにす
る。59はこのキャビティ53に連通される排気のためのエ
アベントである。
Here, a pot 55 having a cylindrical opening, for example, is formed in the first mold 51, and a pellet 56 of a sealing resin is set in the pot 55 and pushed out by a plunger 57. In this case, the extruded resin flows into a resin flow passage 58 formed between the molds 51 and 52.
1 and 582 to the cavity 53 composed of the first and second cavities 531 and 532. Numeral 59 denotes an air vent for exhaust, which communicates with the cavity 53.

【0010】この第1の金型51と第2の金型52は、第1
のキャビティ53部分に半導体素子55を設定した状態
で、同図の(B)で示すように相互に接近させる。この
場合、第1および第2の金型51および52を完全に型締
めすることなく、その手前0.5〜20mmの所で型締
め停止もしくは微速型締めを行う。
[0010] The first mold 51 and the second mold 52 are provided in the first mold 51.
In a state where the semiconductor element 55 is set in the cavity 53, the two are brought close to each other as shown in FIG. In this case, the first and second molds 51 and 52 are not completely clamped, but are stopped at 0.5 to 20 mm before the clamping or performed at a very low speed.

【0011】ここで、第1および第2の金型51および52
の相互間には、シール部材60が介在設定されているもの
で、例えば第1および第2の金型51と52との間にシール
部材60が挟まれる状態にまで型締めする。すなわち、こ
の状態において金型の成形面を含む空間がシール部材60
によって気密にされるもので、この状態で真空ポンプ等
によって気密にされた空間を排気する。この段階にあっ
ては、排気抵抗が小さいものであるため充分な真空度が
得られる。
Here, first and second molds 51 and 52 are provided.
A seal member 60 is interposed between the first and second molds 51 and 52, for example, until the seal member 60 is sandwiched between the first and second molds 51 and 52. That is, in this state, the space including the molding surface of the mold is
The space hermetically sealed by a vacuum pump or the like is exhausted in this state. At this stage, a sufficient degree of vacuum can be obtained because the exhaust resistance is small.

【0012】この様に第1の段階の型締めが行われる
と、図4の(A)で示すように第1の金型51と第2の金
型52とが互いに接触されるまで型締めし、この様に型閉
じされた後にプランシャ57によって封止用の樹脂ペレッ
ト56を押し出す。この場合、このペレット56は投入当初
において固形化した状態にあるが、下金型51が加熱され
た状態にあるため、ポット55に投入された後に下金型51
の熱によって溶解されており、押し出された樹脂は樹脂
流動通路581 および582 によって形成された通路58内部
に導かれ、第1および第2のキャビティ531 および532
によって形成されるキャビティ53に導かれる。
When the mold clamping at the first stage is performed as described above, the mold clamping is performed until the first mold 51 and the second mold 52 come into contact with each other as shown in FIG. After the mold is closed in this way, the sealing resin pellets 56 are extruded by the plunger 57. In this case, the pellets 56 are in a solidified state at the beginning of the injection, but are in a heated state, so that the lower
And the extruded resin is guided into the passage 58 formed by the resin flow passages 581 and 582, and the first and second cavities 531 and 532.
To the cavity 53 formed by

【0013】この様にして樹脂の流動が始まると、この
樹脂の硬化反応等によって揮発分が生成される。このと
き、樹脂流動部分の雰囲気は減圧の状態であるため、沸
点の降下によって揮発分の気化量が増大する。また、型
閉じ後の第1および第2の金型51および52の隙間が極端
に小さくなるものであるため、必然的に排気抵抗が増大
し、キャビティ53に連通するエアベント59から揮発分の
排出が損なわれる状態となり、同図の(B)で示すよう
に樹脂中の気泡が残りボイド不良となる。
When the flow of the resin starts in this manner, volatile components are generated by a curing reaction of the resin. At this time, since the atmosphere in the resin flowing portion is in a decompressed state, the amount of vaporized volatile components increases due to a decrease in the boiling point. Further, since the gap between the first and second molds 51 and 52 after the mold is closed becomes extremely small, the exhaust resistance inevitably increases, and the volatile matter is discharged from the air vent 59 communicating with the cavity 53. Is impaired, and air bubbles in the resin remain to cause void defects as shown in FIG.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記のよ
うな点に鑑みなされたもので、減圧された雰囲気内にお
いて溶解された樹脂を押し出した場合において、溶解さ
れている樹脂の硬化反応等によって揮発分が生成された
としても、その揮発分が効果的に排出され、硬化樹脂中
のボイド不良が発生されず、信頼性に富む樹脂封止型の
半導体装置が構成されるようにする半導体装置の樹脂封
止方法を提供しようとするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and has been made in consideration of the above circumstances. When a melted resin is extruded in a reduced-pressure atmosphere, a curing reaction of the melted resin is performed. Even if volatile components are generated by the semiconductor, the volatile components are effectively discharged, and a void defect in the cured resin is not generated, so that a highly reliable resin-encapsulated semiconductor device can be configured. An object of the present invention is to provide a method of sealing a device with a resin.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置の樹脂封止方法は、予め加熱設定されたモールドの金
型内のポット内に樹脂タブレットを投入し、モールド金
型の上下金型を接近させた状態で少なくともポットと金
型の成形面を含む空間を減圧し、その後上下金型の型締
めして溶融された樹脂を押し出し、この溶融樹脂を前記
ポットに連通する、半導体素子を設置したキャビティに
充填させて硬化させるようにした半導体装置の製造方法
において、金型の樹脂成形面に外部に連通される溝を形
成し、この溝が前記キャビティに設けられたエアベント
に連結されて、溶融樹脂がキャビティ内に充填されるに
際してエアペント方向に吸引されるようにする。
According to the present invention, there is provided a resin sealing method for a semiconductor device, wherein a resin tablet is put into a pot in a mold of a preheated mold, and upper and lower molds of the mold are set. At least, the space including the molding surface of the pot and the mold is decompressed in the approached state, and then the upper and lower molds are clamped and the molten resin is extruded, and the molten resin is communicated with the pot. In the method for manufacturing a semiconductor device in which the cavity is filled and cured, a groove is formed on the resin molding surface of the mold to communicate with the outside, and the groove is connected to an air vent provided in the cavity, When the molten resin is filled into the cavity, it is sucked in the air pent direction.

【0016】この様な半導体装置の樹脂封止方法によれ
ば、半導体素子の設定されるキャビティが、例えば断面
5mm以上に構成される溝を介して減圧状態の外部に連
通され、したがってキャビティ内に押し出された封止樹
脂が吸引された状態でキャビティ内部に充填される。こ
の場合、排気抵抗が溝の存在によって充分に小さなもの
とされるものであるため、溶解樹脂中に含まれる気泡ま
でも強制的に排出されるようになり、硬化樹脂のボイド
不良の発生が防止される。
According to such a resin sealing method for a semiconductor device, the cavity in which the semiconductor element is set is communicated with the outside under reduced pressure through a groove having a cross section of, for example, 5 mm or more. The extruded sealing resin is filled into the cavity while being sucked. In this case, since the exhaust resistance is made sufficiently small due to the presence of the groove, even bubbles contained in the melted resin are forcibly discharged, and the occurrence of void defects in the cured resin is prevented. Is done.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
一実施の形態を実施例に基づき説明する。まず、図1の
(A)で示すように下金型11と上金型12とが対向する状
態で設定される。ここで、下金型11には凹みにより第1
のキャビティ131 が形成され、上金型12にはこの第1の
キャビティ131 に対向される状態で同じく凹みによる第
2のキャビティ132 が形成される。そして、第1のキャ
ビティ131 には、リードフレームに半導体チップを搭載
した半導体素子14が設置される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. First, as shown in FIG. 1A, the lower mold 11 and the upper mold 12 are set to face each other. Here, the lower mold 11 has the first
Is formed, and a second cavity 132 is also formed in the upper mold 12 in a state of being opposed to the first cavity 131. In the first cavity 131, the semiconductor element 14 having a semiconductor chip mounted on a lead frame is installed.

【0018】下金型11には、円筒状の開口によるポット
15が形成され、このポット15には封止樹脂によるペレッ
ト16が投入されるもので、このペレット16はプランジャ
17によって上金型12の方向に押し出されるようになって
いる。ここで、下金型11には第1の流動通路181 が形成
され、また上金型12には第2の流動通路182 が形成され
るもので、下金型11の成形面に上金型12が対設された状
態で、樹脂流動通路18が形成されるようにする。
The lower mold 11 has a pot with a cylindrical opening.
A pellet 16 made of a sealing resin is put into the pot 15 and the pellet 16 is placed in a plunger.
17 pushes in the direction of the upper mold 12. Here, a first flow passage 181 is formed in the lower mold 11, and a second flow passage 182 is formed in the upper mold 12. The resin flow passage 18 is formed in a state where the resin flow passage 18 is opposed to the resin flow passage 12.

【0019】また、下金型11の成形面に上金型12が対設
された状態で、第1および第2のキャビティ131 および
132 によってキャビティ13が形成されるもので、上金形
12にはこのキャビティ13に連通される状態で排気口を形
成するエアベント19が形成されている。そして、さらに
このエアベント19に連続するようにして、上金形12に溝
20が形成され、エアベント19からの排気抵抗が小さくさ
れるようにしている。21は下金形11に上金形12が対設さ
れたときに成形面を気密に保つためのシール部材であ
る。
In a state where the upper mold 12 is opposed to the molding surface of the lower mold 11, the first and second cavities 131 and
The cavity 13 is formed by 132.
An air vent 19 which forms an exhaust port in a state where the air vent communicates with the cavity 13 is formed in the cavity 12. Then, a groove is formed in the upper mold 12 so as to continue to the air vent 19.
20 is formed so that the exhaust resistance from the air vent 19 is reduced. Reference numeral 21 denotes a seal member for keeping the molding surface airtight when the upper mold 12 is opposed to the lower mold 11.

【0020】この様に下金形11および上金形12が設定さ
れた状態で、従来例で説明したと同様に同図の(B)で
示すように相互に接近させる。この場合、下および上金
型11および12を完全に型締めすることなく、その手前
0.5〜20mmの所で型締め停止し、または微速型締
めを行う。第1および第2の金型51および52の相互間に
は、シール部材21が介在された状態で型締めするもの
で、金型の成形面を含む空間がシール部材21によって気
密にされ、真空ポンプ等によって気密にされた空間を排
気する。
With the lower mold 11 and the upper mold 12 set in this way, they are brought close to each other as shown in FIG. In this case, the lower and upper dies 11 and 12 are not completely clamped, but are stopped at a position 0.5 to 20 mm before the mold clamping, or the mold is clamped at a very low speed. The mold is clamped between the first and second molds 51 and 52 with the seal member 21 interposed therebetween. The space including the molding surface of the mold is made airtight by the seal member 21 and the vacuum The space made airtight by a pump or the like is exhausted.

【0021】次に、図2の(A)で示すように下金型11
と上金型12とが互いに接触されるまで型締めし、型閉じ
された後にプランシャ17によって封止用の樹脂ペレット
16を押し出す。この場合、このペレット16は投入当初に
おいて固形化した状態にあるが、下金型51の熱によって
溶解されており、プランジャ17によって押し出された樹
脂は、樹脂流動通路181 および182 によって形成された
通路18内部に導かれ、第1および第2のキャビティ131
および132 によって形成されるキャビティ13に導かれ
る。
Next, as shown in FIG.
And the upper mold 12 are clamped until they come into contact with each other, and after the mold is closed, a resin pellet for sealing is
Extrude 16. In this case, the pellets 16 are in a solidified state at the beginning of charging, but are melted by the heat of the lower mold 51, and the resin extruded by the plunger 17 passes through the passages formed by the resin flow passages 181 and 182. 18 and the first and second cavities 131
And 132 into a cavity 13 formed by

【0022】この様にして樹脂の流動が始まると、この
樹脂の硬化反応等によって揮発分が生成され、このとき
樹脂流動部分の雰囲気は減圧の状態であるため、沸点の
降下によって揮発分の気化量が増大する。この場合、通
常では型閉じ後の金型11および12の隙間が極端に小さく
て排気抵抗が増大し、キャビティ13に連通するエアベン
ト19からの揮発分の排出が損なわれる状態となるが、エ
アベント19に対応して溝20が形成されているものである
ため、金型11と12とが接合された状態であっても排気抵
抗の増大はない。
When the resin starts to flow in this manner, volatile components are generated by the curing reaction of the resin and the like. At this time, since the atmosphere in the resin flowing portion is in a reduced pressure state, the volatile components are vaporized by a decrease in the boiling point. The amount increases. In this case, usually, the gap between the molds 11 and 12 after the mold is closed is extremely small, the exhaust resistance increases, and the discharge of the volatile matter from the air vent 19 communicating with the cavity 13 is impaired. Since the grooves 20 are formed corresponding to the above, the exhaust resistance does not increase even when the molds 11 and 12 are joined.

【0023】すなわち、エアベント19に対応して溝20が
形成されることにより、型締め後の排気抵抗の増大が防
止できるものであり、樹脂の流動中に気化した揮発分の
排出が効果的に可能とされるようになり、ボイド不良の
ない樹脂成型品が得られるようになる。
That is, by forming the groove 20 corresponding to the air vent 19, it is possible to prevent an increase in the exhaust resistance after the mold is clamped, and it is possible to effectively discharge the volatile components vaporized during the flow of the resin. As a result, a resin molded product free from void defects can be obtained.

【0024】ここで、ボイド不良の発生を確実に阻止す
るためには、溝20の断面積が少なくとも5mm2 以上で
あることが好ましく、また減圧状態とされる金型11およ
び12の成形面を含む空間の体積変化率が、型締めの前後
で50%以下であることが好ましい。さらに、減圧状態
とされる金型11および12の成形面を含む空間のコンダク
タンス(排気抵抗)の変化率が、型締めの前後で50%
以下であることが好ましい。
Here, in order to reliably prevent the occurrence of void defects, it is preferable that the cross-sectional area of the groove 20 is at least 5 mm 2 or more, and the molding surfaces of the dies 11 and 12 to be reduced in pressure are formed. It is preferable that the volume change rate of the space including the space is 50% or less before and after the mold clamping. Furthermore, the rate of change of the conductance (exhaust resistance) of the space including the molding surfaces of the molds 11 and 12 which are in a reduced pressure state is 50% before and after the mold clamping.
The following is preferred.

【0025】また、封止樹脂として揮発分の特に多い樹
脂が用いられた場合、キャビティ13への樹脂充填完了ま
で減圧状態を保つと、揮発分の排出効果が得られないほ
ど、沸点降下による気化を助長してしまうことが確認さ
れている。この様な状態を防止するため、移送された樹
脂が流動通路18からキャビティ13に流入した際に減圧状
態を解き、大気圧に戻すことによって樹脂に含まれる揮
発分の気化が抑制されるようにして、ボイド不良の発生
を抑制することができる。
When a resin having a particularly high volatile content is used as the sealing resin, if the reduced pressure is maintained until the filling of the cavity 13 with the resin is completed, the vaporization due to the decrease in the boiling point is so large that the effect of discharging the volatile content cannot be obtained. Has been confirmed to promote In order to prevent such a state, when the transferred resin flows into the cavity 13 from the flow passage 18, the reduced pressure state is released, and by returning to the atmospheric pressure, the vaporization of the volatile components contained in the resin is suppressed. Thus, occurrence of void defects can be suppressed.

【0026】この場合、エアベント19に連続した溝10が
設けられることによって、型締め状態でも減圧状態から
大気圧への戻りが速くなり、ボイド不良の発生がより効
果的に得られる。また、この溝20は上金型12に対して形
成することによって、粉塵の堆積を防止するためにも効
果を発揮する。
In this case, since the continuous groove 10 is provided in the air vent 19, the return from the reduced pressure state to the atmospheric pressure becomes faster even in the mold clamping state, and the occurrence of void defects can be more effectively obtained. Further, since the groove 20 is formed in the upper mold 12, it is effective in preventing accumulation of dust.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上のようにこの発明に係る半導体装置
の樹脂封止方法によれば、上下の金型の型締め後におい
ても、樹脂を設定するポットと金型成形面を含む空間を
効率的に排気することができるものであり、流動する樹
脂中に生成された揮発分を効率よく排出できるようにな
り、封止樹脂におけるボイド不良の発生を確実に低減で
きる。
As described above, according to the resin sealing method for a semiconductor device according to the present invention, even after the upper and lower molds are clamped, the space including the pot for setting the resin and the mold molding surface can be efficiently used. It is possible to efficiently exhaust the volatile components generated in the flowing resin, and it is possible to reliably reduce the occurrence of void defects in the sealing resin.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(A)および(B)はこの発明の一実施の形態
に係る樹脂封止方法の実施例を順次説明するための図。
FIGS. 1A and 1B are diagrams for sequentially explaining examples of a resin sealing method according to an embodiment of the present invention.

【図2】(A)および(B)は図1の(B)に続く樹脂
封止方法を説明するための図。
FIGS. 2A and 2B are diagrams for explaining a resin sealing method following FIG. 1B.

【図3】(A)および(B)は従来の樹脂封止方法を順
次説明する図。
FIGS. 3A and 3B are diagrams for sequentially explaining a conventional resin sealing method.

【図4】(A)および(B)は図3の(B)に続く樹脂
封止方法を順次説明する図。
FIGS. 4A and 4B are diagrams sequentially illustrating a resin sealing method following FIG. 3B.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…下金型、12…上金型、13、131 、132 …キャビテ
ィ、14…半導体素子、15…ポット、17…樹脂ペレット、
18…プランジャ、19…エアベント、20…溝、21…シール
部材。
11 ... lower mold, 12 ... upper mold, 13, 131, 132 ... cavity, 14 ... semiconductor element, 15 ... pot, 17 ... resin pellet,
18… plunger, 19… air vent, 20… groove, 21… seal member.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 予め加熱設定されたモールドの金型内の
ポット内に樹脂タブレットを投入し、前記モールド金型
の上下金型を接近させた状態で少なくとも前記ポットと
金型の成形面を含む空間を減圧し、その後前記上下金型
の型締めおよび前記金型の熱で溶融された前記樹脂を押
し出して、この溶融樹脂を前記ポットに連通する、半導
体素子を設置したキャビティに充填させ、この樹脂を硬
化させるようにした半導体装置の製造方法において、 前記金型の樹脂成形面に外部に連通される溝を形成し、
この溝が前記キャビティに設けられたエアベントに連結
されて、溶融樹脂が前記キャビティ内に充填されるに際
して前記エアベント方向に吸引されるようにしたことを
特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。
1. A resin tablet is put into a pot in a mold of a mold that has been set in advance and includes at least a molding surface of the pot and the mold in a state where upper and lower molds of the mold are close to each other. The space is decompressed, then the resin melted by the mold clamping of the upper and lower molds and the heat of the mold is extruded, and the molten resin communicates with the pot, and is filled in a cavity in which a semiconductor element is installed. In a method of manufacturing a semiconductor device in which a resin is cured, a groove is formed on a resin molding surface of the mold so as to communicate with the outside,
The groove is connected to an air vent provided in the cavity so that the molten resin is sucked in the direction of the air vent when filling the cavity with the molten resin.
【請求項2】 前記減圧の状態は、前記樹脂が前記キャ
ビティに流入して充填が完了されるまで設定されるよう
にした請求項1記載の半導体装置の樹脂封止方法。
2. The resin sealing method for a semiconductor device according to claim 1, wherein said reduced pressure state is set until said resin flows into said cavity and filling is completed.
【請求項3】 前記減圧の状態は、前記封止樹脂として
揮発分の多い樹脂が用いられた場合に、前記樹脂が前記
キャビティに流入した際に解除されるようにした請求項
1記載の半導体装置の樹脂封止方法。
3. The semiconductor according to claim 1, wherein the reduced pressure state is released when the resin flows into the cavity when a resin having a high volatile content is used as the sealing resin. The method of resin sealing of the device.
【請求項4】 前記溝は少なくともその断面積が5mm
2 以上に設定されるようにした請求項1記載の半導体装
置の樹脂封止方法。
4. The groove has a sectional area of at least 5 mm.
2. The resin sealing method for a semiconductor device according to claim 1, wherein the number is set to two or more.
【請求項5】 前記減圧状態とされる前記樹脂の投入さ
れるポットと金型成形面を含む空間の体積変化率が、型
締めの前後で50%以下とされるようにした請求項1記
載の半導体装置の樹脂封止方法。
5. The method according to claim 1, wherein a volume change rate of the space including the pot and the mold forming surface where the resin is put into the reduced pressure state is 50% or less before and after the mold clamping. Resin sealing method for a semiconductor device.
【請求項6】 前記金型の成形面を含む空間を減圧状態
にするに際して、前記金型の成形面を含む空間の排気抵
抗の変化率が、型締めの前後で50%以下とされるよう
にした請求項1記載の半導体装置の樹脂封止方法。
6. When the space including the molding surface of the mold is decompressed, the rate of change of the exhaust resistance of the space including the molding surface of the mold is 50% or less before and after the mold clamping. 2. The method according to claim 1, wherein the resin is sealed.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011111391A (en) * 2009-11-24 2011-06-09 Yokoi Seisakusho:Kk Method for manufacturing metallic soap block or metallic soap bar and apparatus therefor
KR101482871B1 (en) * 2013-07-29 2015-01-14 세메스 주식회사 Apparatus for molding semiconductor devices

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