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JPH10214911A - Substrate for mounting semiconductor device - Google Patents

Substrate for mounting semiconductor device

Info

Publication number
JPH10214911A
JPH10214911A JP1400397A JP1400397A JPH10214911A JP H10214911 A JPH10214911 A JP H10214911A JP 1400397 A JP1400397 A JP 1400397A JP 1400397 A JP1400397 A JP 1400397A JP H10214911 A JPH10214911 A JP H10214911A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
land
lands
mounting
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1400397A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hidekazu Hosomi
英一 細美
Tomoaki Takubo
知章 田窪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP1400397A priority Critical patent/JPH10214911A/en
Publication of JPH10214911A publication Critical patent/JPH10214911A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/11Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3431Leadless components
    • H05K3/3436Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3452Solder masks

Landscapes

  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the height unevenness of solder bumps and improve the peeling strength of lands and, at the same time, to shorten the mutual distance between the lands. SOLUTION: Insulating layers 13 are provided on a substrate 1 on which rectangular lands 11 are provided and openings 12 which have the same shape as those the lands 11 have are formed through the layers 13 so that the longer sides of the openings 12 can become perpendicular to those of the lands 11 and the central parts of the lands 11 can be exposed. Therefore, the machining accuracy of the lands 11 and openings 12 can be improved and the height unevenness of solder bumps can be suppressed. In addition, the mutual distance between the lands 11 can be shortened. Moreover, since the insulating layers 13 retain both end sections of the lands 11 in the longitudinal directions of the lands 11, the peeling strengths of the lands 11 can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置を搭載
する基板に係わり、例えばボールグリッドアレイ(Ball
Grid Array) (以下、BGAと称す)パッケージに適用
される基板や、このBGAパッケージが実装される実装
基板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate on which a semiconductor device is mounted, for example, a ball grid array (Ball grid array).
The present invention relates to a substrate applied to a Grid Array (hereinafter, referred to as BGA) package and a mounting substrate on which the BGA package is mounted.

【0002】[0002]

【従来の技術】BGAパッケージは、パッケージの底面
に半田バンプが二次元的に配列されている。図8は、B
GAパッケージの裏面を示し、図9はその断面図を示し
ている。回路基板1の一方面には複数の配線2、及びパ
ッド4が形成され、パッド4にはバンプ5が形成されて
いる。前記半田バンプ5以外の配線2、及びパッド4は
絶縁層3によって覆われている。絶縁層3は配線を保護
するために形成され、基板1が樹脂系の場合、例えばエ
ポキシ系樹脂が使用される。また、基板1がセラミック
系の場合、絶縁層3はアルミナ等により形成される。前
記半田バンプ5は鉛−錫系の合金によって構成される。
回路基板1の他方面には前記配線2、及びパッド4に接
続されたICチップ6が配設され、このICチップ6は
樹脂7によって封止されている。
2. Description of the Related Art In a BGA package, solder bumps are two-dimensionally arranged on the bottom surface of the package. FIG.
The back surface of the GA package is shown, and FIG. 9 is a sectional view thereof. A plurality of wirings 2 and pads 4 are formed on one surface of the circuit board 1, and bumps 5 are formed on the pads 4. The wiring 2 and the pads 4 other than the solder bumps 5 are covered with the insulating layer 3. The insulating layer 3 is formed to protect the wiring. When the substrate 1 is made of a resin, for example, an epoxy resin is used. When the substrate 1 is made of a ceramic material, the insulating layer 3 is formed of alumina or the like. The solder bump 5 is made of a lead-tin alloy.
An IC chip 6 connected to the wiring 2 and the pad 4 is disposed on the other surface of the circuit board 1, and the IC chip 6 is sealed with a resin 7.

【0003】図10乃至図12は、上記半田バンプ5を
形成する場合の工程を示している。図10は、パッド4
にフラックス8を塗布する工程を示している。図10に
おいて、絶縁層3には前記パッド4をそれぞれ露出する
開口部3aが形成され、この開口部3aから露出された
各パッド4にはフラックス8が塗布されている。フラッ
クス8は、パッド4や後述する半田ボール9の表面の酸
化膜を除去し、パッド上での半田の濡れ性を向上させ
る。フラックス8は、ディスペンス、印刷、転写などの
方法により、パッド上に転写される。
FIGS. 10 to 12 show steps for forming the solder bumps 5. FIG.
4 shows a step of applying the flux 8 to the substrate. In FIG. 10, an opening 3a for exposing the pad 4 is formed in the insulating layer 3, and a flux 8 is applied to each pad 4 exposed from the opening 3a. The flux 8 removes an oxide film on the surface of the pad 4 and the solder ball 9 described later, and improves the wettability of the solder on the pad. The flux 8 is transferred onto the pad by a method such as dispensing, printing, or transferring.

【0004】図11は、半田ボール9をパッド上に配列
する工程を示している。図11において、半田ボール9
は図示せぬ配列治具に配列され、この状態で、前記フラ
ックス8上に転写される。
FIG. 11 shows a process of arranging the solder balls 9 on the pads. In FIG. 11, the solder balls 9
Are arranged on an arrangement jig (not shown), and are transferred onto the flux 8 in this state.

【0005】図12は、半田ボール9を溶融させ、半田
バンプ5を形成する工程を示している。図12におい
て、半田ボール9を融点以上に加熱し溶融して、半田ボ
ール9をパッド4に固着させる。このとき、半田の表面
張力により、半田バンプ5は球状となる。
FIG. 12 shows a process of melting the solder balls 9 and forming the solder bumps 5. In FIG. 12, the solder ball 9 is heated to a temperature higher than the melting point and melted to fix the solder ball 9 to the pad 4. At this time, the solder bump 5 becomes spherical due to the surface tension of the solder.

【0006】図13は、BGAパッケージを実装基板に
装着した状態を示している。実装基板80には、回路基
板1に配置されたパッド4と対応して、複数のパッド8
1が配置され、これらパッド81は絶縁層3によって覆
われている。この絶縁層3には前記パッド81の表面を
露出する開口部82が設けられている。前記回路基板1
に実装された半田バンプ5は、実装基板80のパッド8
1に位置合わせされ、この後、半田バンプ5を溶融し
て、パッド81に固着される。
FIG. 13 shows a state in which a BGA package is mounted on a mounting board. The mounting board 80 has a plurality of pads 8 corresponding to the pads 4 arranged on the circuit board 1.
1 are arranged, and these pads 81 are covered with the insulating layer 3. The insulating layer 3 has an opening 82 exposing the surface of the pad 81. The circuit board 1
The solder bumps 5 mounted on the mounting board 80
After that, the solder bumps 5 are melted and fixed to the pads 81.

【0007】BGAパッケージは、端子がパッケージの
周囲にしか配設できないQFP(Quad Flat Package) に
比べて、より広いピッチでより多くの端子を配設でき、
且つ、実装歩留まりが高いという特徴を有している。従
来、BGAのピッチは、1.27mmが主流であった。
しかし、現在では、ピッチの微細化が進行しており、
0.5mmピッチのBGAも報告されている。
In a BGA package, more terminals can be arranged at a wider pitch than a QFP (Quad Flat Package) in which terminals can be arranged only around the package.
Moreover, it has a feature that the mounting yield is high. Conventionally, the pitch of BGA has been mainly 1.27 mm.
However, at present, the pitch is getting finer,
A 0.5 mm pitch BGA has also been reported.

【0008】半田バンプの高さは、半田バンプ5の体積
及びパッド4の面積により決定される。半田バンプ5
は、前述したように、半田バンプ9をパッド上で溶融さ
せて形成される。このとき、パッド4の面積が大きくな
れば、半田ボール9は溶融して広がるため、半田バンプ
5の最終的な高さが低くなる。また、半田ボール9の体
積が大きくなった場合、半田バンプ5の最終的な高さは
高くなる。
[0008] The height of the solder bump is determined by the volume of the solder bump 5 and the area of the pad 4. Solder bump 5
Is formed by melting the solder bumps 9 on the pads as described above. At this time, if the area of the pad 4 increases, the solder ball 9 melts and spreads, so that the final height of the solder bump 5 decreases. In addition, when the volume of the solder ball 9 increases, the final height of the solder bump 5 increases.

【0009】BGAにおいて、半田バンプ5の高さのば
らつきは、実装歩留まりに大きく影響する。また、実装
基板11に接続後、前記半田バンプ5の高さのばらつき
は、長期信頼性に影響を与える。この場合も、半田ボー
ル9の体積のばらつき及びパッド4の面積のばらつきが
接続後の半田バンプの高さのばらつきに影響する。
[0009] In the BGA, variations in the height of the solder bumps 5 greatly affect the mounting yield. Further, after connection to the mounting board 11, the variation in the height of the solder bumps 5 affects long-term reliability. Also in this case, the variation in the volume of the solder ball 9 and the variation in the area of the pad 4 affect the variation in the height of the solder bump after connection.

【0010】半田ボール9の大きさのばらつきはおよそ
±10μmである。また、パッド4の面積のばらつき
は、その構造により異なる。図14乃至図17に、従来
用いられているパッドの構造を示す。
The size variation of the solder balls 9 is about ± 10 μm. The variation in the area of the pad 4 differs depending on the structure. 14 to 17 show the structure of a conventionally used pad.

【0011】図14、図15において、絶縁層3には開
口部91が形成され、開口部91からランド92全体が
露出されている。この構成において、パッド93の面積
はランド92(ここでは、ランド92の大きさと等し
い)の面積で規定され、そのばらつきは、ランド92の
寸法ばらつきの影響を受ける。すなわち、パッド93の
大きさをDとした場合、パッド93の面積のばらつきΔ
Sは(1)式により表される。
In FIG. 14 and FIG. 15, an opening 91 is formed in the insulating layer 3, and the entire land 92 is exposed from the opening 91. In this configuration, the area of the pad 93 is defined by the area of the land 92 (here, the size of the land 92), and the variation is affected by the dimensional variation of the land 92. That is, if the size of the pad 93 is D, the variation Δ
S is represented by equation (1).

【0012】 ΔS=2D・ΔD1 …(1) ここで、ΔD1 はランド92の加工精度であり、通常±
20μmである。図16、図17は、従来のパッド構造
の他の例を示すものであり、図14、図15と同一部分
には同一符号を付す。この例の場合、ランド92の表面
は開口部91から一部分のみが露出し、基板1は開口部
91から全く露出しない。このような構成の場合、パッ
ド93の面積は開口部91の面積によって規定され、そ
のばらつきは、開口部91の加工精度の影響を受ける。
すなわち、パッド93の大きさ(ここでは、開口部91
の大きさと等しくなる)をDとした場合、パッドの面積
のばらつきΔSは、(2)式により表される。
ΔS = 2D · ΔD 1 (1) where ΔD 1 is the processing accuracy of the land 92 and is usually ±
20 μm. 16 and 17 show another example of the conventional pad structure, and the same parts as those in FIGS. 14 and 15 are denoted by the same reference numerals. In the case of this example, only a part of the surface of the land 92 is exposed from the opening 91, and the substrate 1 is not exposed at all from the opening 91. In the case of such a configuration, the area of the pad 93 is defined by the area of the opening 91, and its variation is affected by the processing accuracy of the opening 91.
That is, the size of the pad 93 (here, the opening 91
Is equal to D), the variation ΔS of the area of the pad is represented by the equation (2).

【0013】 ΔS=2D・ΔD2 …(2) ここで、ΔD2 は開口部91の加工精度であり、通常±
50μmである。通常、ランド92の加工精度の方が開
口部91の加工精度よりも小さい。したがって、パッド
構造を図14に示す構成とした方が、半田バンプ5の高
さのばらつきを低く抑えることができる。上記説明で
は、パッド93及び開口部91を円形として説明した
が、正方形とした場合でも同様である。
ΔS = 2D · ΔD 2 (2) where ΔD 2 is the processing accuracy of the opening 91 and is usually ±
50 μm. Normally, the processing accuracy of the land 92 is smaller than the processing accuracy of the opening 91. Therefore, when the pad structure is configured as shown in FIG. 14, variation in the height of the solder bumps 5 can be reduced. In the above description, the pad 93 and the opening 91 have been described as circular, but the same applies to a case where the pad 93 and the opening 91 are square.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】前述したように、BG
Aの半田バンプのピッチは、微細化が進行しており、ラ
ンドの形状も小さくなっている。ランドが小さくなるに
従って、ランドと基板との間の密着強度が低下し、半田
バンプの信頼性が低下する。したがって、パッドの大き
さを例えば250μm以下とした場合、パッドの構造を
図16に示すようにする必要がある。この場合、パッド
93の大きさとは開口部91の大きさを示す。このよう
な場合、ランド92の大きさは、(3)式により表され
る。
As described above, the BG
The pitch of the solder bumps of A is becoming finer, and the shape of the lands is becoming smaller. As the land becomes smaller, the adhesion strength between the land and the substrate decreases, and the reliability of the solder bump decreases. Therefore, when the size of the pad is, for example, 250 μm or less, the structure of the pad needs to be as shown in FIG. In this case, the size of the pad 93 indicates the size of the opening 91. In such a case, the size of the land 92 is represented by Expression (3).

【0015】 DL =DP +ΔD1 +2Δx …(3) ここで、DL はランド92の大きさ、DP は開口部91
の大きさ、ΔD1 は開口部91の加工精度、Δxは開口
部91の中心とランド92の中心とのずれである。前述
した値を用いた場合、ΔD1 =50μmである。また、
通常Δx=50μmである。したがって、上記(3)式
は(4)式に示すように表せる。
D L = D P + ΔD 1 + 2Δx (3) where D L is the size of the land 92 and D P is the opening 91.
ΔD 1 is the processing accuracy of the opening 91, and Δx is the deviation between the center of the opening 91 and the center of the land 92. When the above values are used, ΔD 1 = 50 μm. Also,
Usually, Δx = 50 μm. Therefore, the above equation (3) can be expressed as shown in equation (4).

【0016】 DL =DP +150(μm) …(4) 例えばDP =200μmとした場合、DL =350μm
となる。ところで、配線94の幅は微細化が進行してい
る。しかし、配線94の幅は太いほど加工が容易である
ため不良が少なく、また、低コストで基板を製造するこ
とができる。配線94とランド92との最小間隔につい
ても同様である。現在主流となっている配線幅100μ
m、配線間隔100μmの設計ルールを適用した場合、
ランド92の間隔は最低でも300μm必要となる。し
たがって、前述したDP =200μmの場合の最小パッ
ドピッチは650μmとなる。この寸法を500μmに
しようとした場合、ランド92の間隔は150μmとな
るため、配線幅50μm、配線間隔50μmの設計ルー
ルで初めて可能となる。
D L = D P +150 (μm) (4) For example, when D P = 200 μm, D L = 350 μm
Becomes By the way, the width of the wiring 94 is miniaturized. However, the larger the width of the wiring 94 is, the easier it is to process, so that there are few defects and the substrate can be manufactured at low cost. The same applies to the minimum distance between the wiring 94 and the land 92. Wiring width 100μ which is currently mainstream
m, when the design rule of 100 μm wiring interval is applied,
The distance between the lands 92 must be at least 300 μm. Therefore, the minimum pad pitch in the case of D P = 200 [mu] m described above becomes 650 .mu.m. If this dimension is to be set to 500 μm, the interval between the lands 92 is 150 μm, and this is possible only with a design rule of a wiring width of 50 μm and a wiring interval of 50 μm.

【0017】また、上記構造の場合、前述したように、
半田バンプの高さのばらつきが大きくなってしまう。半
田バンプの高さのばらつきを抑えるためには、図14に
示す構造を採用すべきである。しかし、この場合、ラン
ドのピール強度が低下し、ランドが剥離しやすくなる。
In the case of the above structure, as described above,
Variations in the height of the solder bumps increase. In order to suppress the variation in the height of the solder bump, the structure shown in FIG. 14 should be adopted. However, in this case, the peel strength of the land is reduced, and the land is easily peeled.

【0018】さらに、これまでの説明は、BGAのパッ
ド構造について説明した。しかし、BGAを搭載する実
装基板のパッド構造についても同様のことが言える。本
発明は、上記課題を解決するためになされたものであ
り、その目的とするところは、半田バンプの高さのばら
つきを抑えることができ、しかも、ランドのピール強度
が高く、且つランド相互間のピッチを狭めることが可能
な半導体装置搭載用回路基板を提供しようとするもので
ある。
Further, in the above description, the pad structure of the BGA has been described. However, the same can be said for the pad structure of the mounting board on which the BGA is mounted. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to suppress variations in the height of solder bumps, and furthermore, the land has a high peel strength and a land-to-land space. It is an object of the present invention to provide a circuit board for mounting a semiconductor device capable of reducing the pitch of the semiconductor device.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、基板と、前記基板上に設けられ、直交する
長軸と短軸とを含む面を有する導体からなるランドと、
前記基板上に設けられ、前記ランドと同一形状で、長軸
が前記ランドの長軸と直交して配置され、前記ランドの
中央部を露出する開口部を有し、前記ランドの長軸方向
両端部を押える絶縁層とを有している。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a substrate, a land provided on the substrate and comprising a conductor having a surface including a major axis and a minor axis orthogonal to each other;
The lands are provided on the substrate, have the same shape as the lands, and a major axis is disposed orthogonal to the major axes of the lands, and have openings that expose central portions of the lands. And an insulating layer for holding the portion.

【0020】また、ランドは、基板上にその長軸が互い
に平行して複数個配置され、これら隣接するランドの長
軸相互間に配線が配設される。さらに、この発明は、基
板と、前記基板上に設けられ、直交する軸の長さが互い
に等しい面を有し、周囲に複数の突起部を有する導体か
らなるランドと、前記基板上に設けられ、前記ランドの
面と同一形状で、前記面を露出する開口部を有するとと
もに、前記ランドの突起部を押える絶縁層とを有してい
る。また、ランドは基板上に複数個配置され、隣接する
各ランドは隣接する一対の突起部が互いに対向され、隣
接する一対の突起部相互間に配線が配設される。
A plurality of lands are arranged on the substrate with their major axes parallel to each other, and wiring is arranged between the major axes of these adjacent lands. Furthermore, the present invention provides a substrate, a land provided on the substrate, having a surface having orthogonal axes having the same length, and a land made of a conductor having a plurality of protrusions around the substrate, and a land provided on the substrate. And an insulating layer that has the same shape as the surface of the land, has an opening exposing the surface, and presses the protrusion of the land. In addition, a plurality of lands are arranged on the substrate, and a pair of adjacent lands are opposed to each other in each adjacent land, and wiring is provided between the pair of adjacent lands.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図1、図2は、本発明の第
1の実施例を示すものであり、本発明を回路基板に適用
した場合を示している。回路基板1の一方面には、長軸
と短軸が互いに直交した面を有する形状、例えば長方体
状の複数のランド11が配設されている。これらランド
11は各長辺が互いに平行に配置されている。これらラ
ンド11の例えば長手方向一端部には配線11aが設け
られている。これらランド11の長辺の相互間には、図
示せぬ他のランドに接続された配線11bが配置されて
いる。これら配線11a、11bの幅はエッチングによ
り製造可能な範囲で任意に設定可能であり、同一の幅と
する必要はない。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 and 2 show a first embodiment of the present invention, and show a case where the present invention is applied to a circuit board. On one surface of the circuit board 1, a plurality of lands 11 having a shape in which the major axis and the minor axis are orthogonal to each other, for example, a rectangular parallelepiped are provided. These lands 11 are arranged with their long sides parallel to each other. For example, a wiring 11a is provided at one end of the lands 11 in the longitudinal direction. Between the long sides of the lands 11, wirings 11b connected to other lands (not shown) are arranged. The widths of these wirings 11a and 11b can be arbitrarily set as long as they can be manufactured by etching, and need not be the same.

【0022】回路基板1の一方面、例えば表面は絶縁層
13によって覆われている。この絶縁層13には前記ラ
ンド11の一部を露出する複数の開口部12が設けられ
ている。これら開口部12は、前記ランド11と同一サ
イズの長方形状であり、その長辺が前記ランド11の長
辺と直交方向に配置されている。したがって、この開口
部12からランド11の中央部分と、この中央部分の両
側に位置する前記基板11の一方面が露出されている。
前記ランド11のうち、開口部12から露出された部分
がパッド4として機能する。
One surface, for example, the surface of the circuit board 1 is covered with an insulating layer 13. The insulating layer 13 has a plurality of openings 12 exposing a part of the land 11. These openings 12 have a rectangular shape of the same size as the lands 11, and the long sides thereof are arranged in a direction orthogonal to the long sides of the lands 11. Therefore, the central portion of the land 11 and one surface of the substrate 11 located on both sides of the central portion are exposed from the opening 12.
The portion of the land 11 exposed from the opening 12 functions as the pad 4.

【0023】具体的には、前記パッド4の表面を一辺の
長さLaが200μmの正方形と仮定した場合、前記
(2)式よりランド11の長辺の長さLbは350μm
となる。また、開口部12の長辺の長さも(2)式より
350μmとなる。図1において、ランド11は500
μmのピッチで格子状に配列される。ランド11相互間
の最短距離Lcは、図1のx方向で300μm、y方向
で150μmとなる。また、前記配線11bの幅を10
0μmとした場合、配線11bとランド11の最短距離
Ldは100μmとなる。
Specifically, assuming that the surface of the pad 4 is a square having a side length La of 200 μm, the length Lb of the long side of the land 11 is 350 μm according to the above equation (2).
Becomes Further, the length of the long side of the opening 12 is also 350 μm from the equation (2). In FIG. 1, the land 11 is 500
They are arranged in a grid at a pitch of μm. The shortest distance Lc between the lands 11 is 300 μm in the x direction and 150 μm in the y direction in FIG. The width of the wiring 11b is set to 10
In the case of 0 μm, the shortest distance Ld between the wiring 11b and the land 11 is 100 μm.

【0024】上記のように、この実施例によれば、ラン
ド相互間のピッチを従来に比べて狭めることが可能であ
り、しかも、配線幅及び配線間隔を従来に比べて2倍と
することができる。したがって、エッチングにより、容
易に製造することができるとともに、エッチング残渣に
よるショートを防止できる。
As described above, according to this embodiment, the pitch between the lands can be narrowed as compared with the conventional case, and the wiring width and the wiring interval can be doubled as compared with the conventional case. it can. Therefore, it can be easily manufactured by etching, and a short circuit due to an etching residue can be prevented.

【0025】また、ランド11の長手方向両端は、絶縁
層3によって被覆されている。したがって、ランド11
のピール強度を向上でき、ランド11の剥離を防止でき
る。さらに、パッド4の面積は、x方向はランド11の
加工精度に依存し、y方向は開口部12の加工精度に依
存する。したがって、パッド4の面積のばらつきΔSは
(5)式によって表される。
Both ends of the land 11 in the longitudinal direction are covered with the insulating layer 3. Therefore, land 11
The peel strength of the land 11 can be prevented. Further, the area of the pad 4 depends on the processing accuracy of the land 11 in the x direction, and depends on the processing accuracy of the opening 12 in the y direction. Therefore, the variation ΔS of the area of the pad 4 is expressed by the equation (5).

【0026】 ΔS=D(ΔD1 +ΔD2 ) …(5) (5)式と(2)式を比較した場合、ΔD1 <ΔD2
ある。ため、この実施例のほうが、従来よりもパッド4
の面積のばらつきを小さくすることができる。したがっ
て、半田バンプを溶融し、パッド4に固着する場合、半
田バンプの高さのばらつきを抑えることができる。尚、
半田バンプは図2に破線で示すように、パッド4の上面
及び側面に被着する。
ΔS = D (ΔD 1 + ΔD 2 ) (5) When the expressions (5) and (2) are compared, ΔD 1 <ΔD 2 . Therefore, in this embodiment, the pad 4
Can be reduced. Therefore, when the solder bump is melted and fixed to the pad 4, variation in the height of the solder bump can be suppressed. still,
The solder bumps are attached to the top and side surfaces of the pad 4 as shown by the broken lines in FIG.

【0027】図3は、本発明の第2の実施例を示すもの
であり、図1、図2と同一部分には同一符号を付す。こ
の実施例において、回路基板上には長円形(楕円形)の
ランド31が設けられ、絶縁層3には長円形の開口部3
2が設けられている。ランド31及び開口部32は、長
軸が互いに直交して配設されている。
FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention, and the same parts as those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals. In this embodiment, an oblong (elliptical) land 31 is provided on a circuit board, and an oblong opening 3 is formed in an insulating layer 3.
2 are provided. The land 31 and the opening 32 are disposed such that their long axes are orthogonal to each other.

【0028】この実施例は、ランド31、及び開口部3
2の長軸、及び短軸の長さを第1の実施例と同一とした
場合、第1の実施例に比べてパッド4の面積を小さくす
ることができる。したがって、このパッド4に半田バン
プ5を溶融し、固着した場合、半田バンプの高さを高く
することができる。
In this embodiment, the land 31 and the opening 3
When the lengths of the major axis and the minor axis are the same as those of the first embodiment, the area of the pad 4 can be smaller than that of the first embodiment. Therefore, when the solder bump 5 is melted and fixed to the pad 4, the height of the solder bump can be increased.

【0029】図4、本発明の第3の実施例を示すもので
あり、図1、図2と同一部分には同一符号を付す。この
実施例において、回路基板上には円形のランド41が設
けられ、絶縁層3には円形の開口部42が設けられてい
る。ランド41は開口部42から露出されている。円形
のランド41には複数方向に突起部43が設けられてい
る。これら突起部43は配線11bに対して45度の方
向に延出されている。各突起部43の先端は絶縁層3に
覆われている。したがって、ランド41のピール強度
は、突起部43の先端部により確保される。ランド41
の中心から突起部43の先端までの長さLeは、(6)
式によって与えられる。
FIG. 4 shows a third embodiment of the present invention, and the same parts as those in FIG. 1 and FIG. In this embodiment, a circular land 41 is provided on the circuit board, and a circular opening 42 is provided in the insulating layer 3. The land 41 is exposed from the opening 42. The circular land 41 is provided with protrusions 43 in a plurality of directions. These projections 43 extend in a direction of 45 degrees with respect to the wiring 11b. The tip of each projection 43 is covered with the insulating layer 3. Therefore, the peel strength of the land 41 is ensured by the tip of the projection 43. Land 41
The length Le from the center of the projection to the tip of the projection 43 is (6)
Given by the expression.

【0030】 Le=(Do−DL )/2+Δx …(6) ここで、Doは開口部42の直径、DL はランド41の
直径、Δxは開口部42とランド41の中心のずれであ
る。DL =200μmとした場合、(4)式よりDo=
350μmとなる。また、Δx=50μmとした場合、
Le=225μmとなる。この場合、突起部43同士の
最小間隔は次のようになる。
Le = (Do−D L ) / 2 + Δx (6) where Do is the diameter of the opening 42, D L is the diameter of the land 41, and Δx is the deviation between the center of the opening 42 and the land 41. . When D L = 200 μm, Do =
It becomes 350 μm. When Δx = 50 μm,
Le = 225 μm. In this case, the minimum distance between the protrusions 43 is as follows.

【0031】500−225×21/2 =180μm突起
部43同士の最小間隔が上記のようであるため、この実
施例の場合、第1、第2の実施例に比べて、配線11b
の幅及び配線11bと突起部43の先端の間隔を狭める
必要がある。この場合、配線11bの幅及び配線11b
と突起部43の先端の幅をそれぞれ例えば60μmとす
ればよい。従来技術の場合、これらの幅はそれぞれ50
μmとする必要があった。したがって、従来技術に比べ
ると、この実施例は製造が容易となる。
Since the minimum distance between the projections 43 is 500-225 × 2 1/2 = 180 μm as described above, in this embodiment, compared to the first and second embodiments, the wiring 11 b
And the distance between the wiring 11b and the tip of the protrusion 43 need to be reduced. In this case, the width of the wiring 11b and the wiring 11b
And the width of the tip of the projection 43 may be, for example, 60 μm. In the prior art, each of these widths is 50
μm was required. Therefore, as compared with the prior art, this embodiment is easier to manufacture.

【0032】尚、上記第3の実施例では、ランドを円形
としたが、これに限らず、ランドを直交する軸の長さが
互いに等しい例えば正方形とし、この正方形の各辺に突
起部を形成してもよい。
In the third embodiment, the land is circular. However, the present invention is not limited to this. For example, the land may be square, for example, in which axes perpendicular to each other have the same length, and protrusions are formed on each side of the square. May be.

【0033】図5は、この発明の第4の実施例を示すも
のである。ランド及び開口部の形状は第1の実施例と同
様である。したがって、図1、図2と同一部分には同一
符号を付す。
FIG. 5 shows a fourth embodiment of the present invention. The shapes of the land and the opening are the same as in the first embodiment. Therefore, the same parts as those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals.

【0034】回路基板1上には複数のランド11が所定
のピッチで配列されている。各ランド11に接続された
配線11aは隣接する開口部12の相互間に配置され
る。同図において、一点破線51、52により囲まれた
範囲内のランド及び開口部の配置方向は他のものと90
度回転されている。このような配置とすることにより、
ランド間に配線を容易に配置できる。
On the circuit board 1, a plurality of lands 11 are arranged at a predetermined pitch. The wirings 11a connected to the lands 11 are arranged between the adjacent openings 12. In the figure, the arranging directions of the lands and the openings in the range surrounded by the dashed lines 51 and 52 are 90
Has been rotated degrees. With such an arrangement,
Wiring can be easily arranged between lands.

【0035】上記回路基板1をBGAパッケージに適用
する場合、図6に示すように、各ランド11上に半田ボ
ール61を載置し、半田バンプを形成する。また、回路
基板1の他方面に配置されるICチップ62と各ランド
との電気的接続は、例えば回路基板11に各ランドの配
線に対応してスルーホール63を形成し、このスルーホ
ール63内の導体メッキ64を介して配線とICチップ
の電極とを接続する。65はICチップ62を覆う樹脂
である。
When the circuit board 1 is applied to a BGA package, as shown in FIG. 6, a solder ball 61 is placed on each land 11 to form a solder bump. For electrical connection between the IC chip 62 disposed on the other surface of the circuit board 1 and each land, for example, a through hole 63 is formed on the circuit board 11 corresponding to the wiring of each land. The wiring and the electrodes of the IC chip are connected via the conductor plating 64 of FIG. Reference numeral 65 denotes a resin that covers the IC chip 62.

【0036】さらに、上記回路基板1をBGAパッケー
ジの実装基板に適用する場合、各ランド11にパッケー
ジに設けられた半田バンプを位置合わせし、半田バンプ
を溶融してBGAを搭載する。
Further, when the circuit board 1 is applied to a mounting board of a BGA package, the solder bumps provided on the package are aligned with each land 11, and the solder bumps are melted to mount the BGA.

【0037】図7は、図5の変形例を示すものである。
図5に示す構成はランドをフルマトリクス状に配置して
いる。これに対して、図6に示す構成は、図5に示す構
成から中央部に位置する複数のランドを除去している。
このような構成とすることにより、フルマトリクス以外
のBGAに本発明を適用できる。尚、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、種々変形実施可能なこと
は勿論である。
FIG. 7 shows a modification of FIG.
In the configuration shown in FIG. 5, the lands are arranged in a full matrix. On the other hand, in the configuration shown in FIG. 6, a plurality of lands located at the center are removed from the configuration shown in FIG.
With such a configuration, the present invention can be applied to a BGA other than a full matrix. It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it is needless to say that various modifications can be made.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、半田バンプの高さのばらつきを抑えることができ、
しかも、ランドのピール強度が高く、且つランド相互間
のピッチを狭めることが可能な半導体装置搭載用回路基
板を提供できる。
As described above, according to the present invention, the variation in the height of the solder bumps can be suppressed,
In addition, it is possible to provide a circuit board for mounting a semiconductor device, in which the peel strength of the lands is high and the pitch between the lands can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の2−2線に沿った断面図。FIG. 2 is a sectional view taken along the line 2-2 in FIG. 1;

【図3】本発明の第2の実施例を示す平面図。FIG. 3 is a plan view showing a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3の実施例を示す平面図。FIG. 4 is a plan view showing a third embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第4の実施例を示す平面図。FIG. 5 is a plan view showing a fourth embodiment of the present invention.

【図6】図5をBGAの実装基板に適用した場合を示す
断面図。
FIG. 6 is a sectional view showing a case where FIG. 5 is applied to a BGA mounting board;

【図7】図5の変形例を示す平面図。FIG. 7 is a plan view showing a modification of FIG. 5;

【図8】BGAパッケージの裏面を示す平面図。FIG. 8 is a plan view showing the back surface of the BGA package.

【図9】図8の9−9線に沿った断面図。FIG. 9 is a sectional view taken along line 9-9 in FIG. 8;

【図10】半田バンプの形成工程を示す断面図。FIG. 10 is a sectional view showing a step of forming a solder bump.

【図11】図10に続く工程を示す断面図。FIG. 11 is a sectional view showing a step following FIG. 10;

【図12】図11に続く工程を示す断面図。FIG. 12 is a sectional view showing a step following FIG. 11;

【図13】BGAパッケージを実装基板に装着した状態
を示す断面図。
FIG. 13 is a sectional view showing a state in which the BGA package is mounted on a mounting board.

【図14】従来のパッドの構造を示す平面図。FIG. 14 is a plan view showing the structure of a conventional pad.

【図15】図14の15−15線に沿った断面図。FIG. 15 is a sectional view taken along the line 15-15 in FIG. 14;

【図16】従来のパッドの構造の他の例を示す平面図。FIG. 16 is a plan view showing another example of the structure of a conventional pad.

【図17】図16の17−17線に沿った断面図。FIG. 17 is a sectional view taken along the line 17-17 in FIG. 16;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…回路基板、 11、31、41…ランド、 12、32、42…開口部、 11a、11b…配線、 43…突起部、 ボール61…半田、 62…ICチップ、 63…スルーホール。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Circuit board, 11, 31, 41 ... Land, 12, 32, 42 ... Opening, 11a, 11b ... Wiring, 43 ... Projection, Ball 61 ... Solder, 62 ... IC chip, 63 ... Through hole.

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板と、 前記基板上に設けられ、直交する長軸と短軸とを含む面
を有する導体からなるランドと、 前記基板上に設けられ、前記ランドと同一形状で、長軸
が前記ランドの長軸と直交して配置され、前記ランドの
中央部を露出する開口部を有し、前記ランドの長軸方向
両端部を押える絶縁層とを具備することを特徴とする半
導体装置搭載用基板。
A land provided on the substrate and having a surface including an orthogonal major axis and a minor axis; and a land provided on the substrate and having the same shape as the land and having a major axis. And an insulating layer disposed perpendicular to the major axis of the land, having an opening exposing a central part of the land, and pressing both ends in the major axis direction of the land. Mounting substrate.
【請求項2】 前記ランドは、その一部に配線を有する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置搭載用基
板。
2. The substrate for mounting a semiconductor device according to claim 1, wherein the land has a wiring in a part thereof.
【請求項3】 前記ランドは、前記基板上にその長軸が
互いに平行して複数個配置され、これら隣接するランド
の長軸相互間に前記配線が配設されることを特徴とする
請求項2記載の半導体装置搭載用基板。
3. The land according to claim 1, wherein a plurality of the lands are arranged on the substrate such that their major axes are parallel to each other, and the wiring is arranged between the major axes of the adjacent lands. 3. The substrate for mounting a semiconductor device according to item 2.
【請求項4】 前記ランドは、長方形又は長円形である
ことを特徴とする請求項3記載の半導体装置搭載用基
板。
4. The semiconductor device mounting substrate according to claim 3, wherein said lands are rectangular or oval.
【請求項5】 基板と、 前記基板上に設けられ、直交する軸の長さが互いに等し
い面を有し、周囲に複数の突起部を有する導体からなる
ランドと、 前記基板上に設けられ、前記ランドの面と同一形状で、
前記面を露出する開口部を有するとともに、前記ランド
の突起部を押える絶縁層とを具備することを特徴とする
半導体装置搭載用基板。
5. A substrate, a land provided on the substrate, having a surface having orthogonal axes having the same length, and a land made of a conductor having a plurality of protrusions around the substrate; and a land provided on the substrate; With the same shape as the surface of the land,
A substrate for mounting a semiconductor device, comprising: an opening that exposes the surface; and an insulating layer that presses the protrusion of the land.
【請求項6】 前記突起部の1つは、配線に接続されて
いることを特徴とする請求項5記載の半導体装置搭載用
基板。
6. The substrate for mounting a semiconductor device according to claim 5, wherein one of the protrusions is connected to a wiring.
【請求項7】 前記ランドは前記基板上に複数個配置さ
れ、隣接する前記各ランドは隣接する一対の前記突起部
が互いに対向され、前記隣接する一対の突起部相互間に
前記配線が配設されることを特徴とする請求項5記載の
半導体装置搭載用基板。
7. A plurality of lands are arranged on the substrate, and each adjacent land has a pair of adjacent protrusions opposed to each other, and the wiring is arranged between the pair of adjacent protrusions. 6. The substrate for mounting a semiconductor device according to claim 5, wherein:
【請求項8】 前記ランドは、円形又は正方形であるこ
とを特徴とする請求項7記載の半導体装置搭載用基板。
8. The semiconductor device mounting substrate according to claim 7, wherein said lands are circular or square.
【請求項9】 前記基板は、ボールグリッドアレイを配
置するための基板であることを特徴とする請求項1又は
5記載の半導体装置搭載用基板。
9. The substrate for mounting a semiconductor device according to claim 1, wherein the substrate is a substrate on which a ball grid array is arranged.
【請求項10】 前記基板は、ボールグリッドアレイパ
ッケージを搭載する実装基板であることを特徴とする請
求項1又は5記載の半導体装置搭載用基板。
10. The substrate for mounting a semiconductor device according to claim 1, wherein the substrate is a mounting substrate on which a ball grid array package is mounted.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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