JPH10209801A - Surface wave device - Google Patents
Surface wave deviceInfo
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- JPH10209801A JPH10209801A JP1394097A JP1394097A JPH10209801A JP H10209801 A JPH10209801 A JP H10209801A JP 1394097 A JP1394097 A JP 1394097A JP 1394097 A JP1394097 A JP 1394097A JP H10209801 A JPH10209801 A JP H10209801A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、表面波装置に関
し、より詳細には、シリコン基板上に直接または間接に
圧電薄膜を形成してなる構造を有する表面波装置の改良
に関する。The present invention relates to a surface acoustic wave device, and more particularly to an improvement of a surface acoustic wave device having a structure in which a piezoelectric thin film is formed directly or indirectly on a silicon substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、共振子や帯域フィルタなどを構成
する素子として、種々の表面波を利用した表面波装置が
知られている。表面波装置では、電気機械結合係数が大
きく、従って、圧電性に優れた材料を用いることが求め
られる。そこで、圧電性に優れた圧電基板上にインター
デジタル電極を形成してなる表面波装置や、絶縁基板上
に圧電薄膜を形成し、該圧電薄膜に接するようにインタ
ーデジタル電極を形成してなる表面波装置などが用いら
れている。2. Description of the Related Art Conventionally, surface wave devices utilizing various surface waves have been known as elements constituting a resonator, a bandpass filter, and the like. In the surface acoustic wave device, it is required to use a material having a large electromechanical coupling coefficient and therefore excellent in piezoelectricity. Therefore, a surface acoustic wave device in which an interdigital electrode is formed on a piezoelectric substrate having excellent piezoelectricity, or a surface in which an interdigital electrode is formed so as to contact a piezoelectric thin film on an insulating substrate. Wave devices and the like are used.
【０００３】ところで、後者、すなわち絶縁基板上に圧
電薄膜を形成してなる表面波装置として、シリコン基板
上に、ＺｎＯ薄膜のような圧電薄膜を形成し、該圧電薄
膜に接するようにインターデジタル電極を形成してなる
表面波フィルタが知られている。この種の表面波フィル
タでは、上記シリコン基板としては、絶縁性に優れた材
料、すなわち比抵抗が１００Ω・ｃｍ〜１ｋΩ・ｃｍで
あるシリコン基板が用いられており、該シリコン基板上
にＺｎＯ薄膜及びインターデジタル電極が形成されてい
る。また、シリコン基板上にＺｎＯ薄膜を形成した上記
ＳＡＷフィルタでは、充分な圧電性を得るには、シリコ
ン基板とＺｎＯ薄膜との間にＳｉＯ2 層を形成し、かつ
ＺｎＯ薄膜の下面に短絡電極を、上面にインターデジタ
ル電極を形成することが必要であるとされていた。In the latter case, that is, as a surface acoustic wave device in which a piezoelectric thin film is formed on an insulating substrate, a piezoelectric thin film such as a ZnO thin film is formed on a silicon substrate, and an interdigital electrode is contacted with the piezoelectric thin film. Are known. In this type of surface acoustic wave filter, a material having excellent insulation properties, that is, a silicon substrate having a specific resistance of 100 Ω · cm to 1 kΩ · cm is used as the silicon substrate, and a ZnO thin film and a ZnO thin film are formed on the silicon substrate. Interdigital electrodes are formed. In the above SAW filter having a ZnO thin film formed on a silicon substrate, in order to obtain sufficient piezoelectricity, a SiO 2 layer is formed between the silicon substrate and the ZnO thin film, and a short-circuit electrode is formed on the lower surface of the ZnO thin film. It has been said that it is necessary to form an interdigital electrode on the upper surface.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記の通り、従来のシ
リコン基板を用いた表面波装置では、短絡電極及びＳｉ
Ｏ2 層を形成しなければ、電気機械結合係数を高めるこ
とができなかった。また、励振された表面波の減衰も無
視できない大きさであった。As described above, in the conventional surface acoustic wave device using a silicon substrate, the short-circuit electrode and the Si
Without forming the O 2 layer, the electromechanical coupling coefficient could not be increased. Further, the attenuation of the excited surface wave was not negligible.
【０００５】よって、本発明の目的は、シリコン基板及
び圧電薄膜を用いて構成された表面波装置において、電
気機械結合係数が大きく、かつ利用する表面波の伝搬に
伴う減衰が少ない、新規な表面波装置を提供することに
ある。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a novel surface acoustic wave device using a silicon substrate and a piezoelectric thin film, which has a large electromechanical coupling coefficient and little attenuation due to the propagation of a surface wave to be used. Wave device.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された
圧電薄膜と、前記圧電薄膜に接するように形成されたイ
ンターデジタル電極とを備え、前記シリコン基板の比抵
抗が２Ω・ｃｍ以下とされていることを特徴とする、表
面波装置である。The invention according to claim 1 comprises a silicon substrate, a piezoelectric thin film formed on the silicon substrate, and an interdigital electrode formed so as to be in contact with the piezoelectric thin film. A surface acoustic wave device, wherein the silicon substrate has a specific resistance of 2 Ω · cm or less.
【０００７】また、請求項２に記載の発明は、シリコン
基板と、前記シリコン基板上に形成されたＳｉＯ2 層
と、前記ＳｉＯ2 層上に形成された圧電薄膜と、前記圧
電薄膜に接するように形成されたインターデジタル電極
とを備え、前記シリコン基板の比抵抗が２Ω・ｃｍ以下
とされていることを特徴とする、表面波装置である。According to a second aspect of the present invention, there is provided a silicon substrate, a SiO 2 layer formed on the silicon substrate, a piezoelectric thin film formed on the SiO 2 layer, and a contact with the piezoelectric thin film. And a specific resistance of the silicon substrate is set to 2 Ω · cm or less.
【０００８】請求項３に記載の発明は、励振される表面
波としてセザワ波を利用するものであり、従って、セザ
ワ波が励振されるように構成されていることを特徴とす
る。また、請求項４に記載の発明では、上記圧電薄膜と
して、ＺｎＯ薄膜が用いられる。According to a third aspect of the present invention, a Sezawa wave is used as a surface wave to be excited. Therefore, the invention is characterized in that the configuration is such that the Sezawa wave is excited. In the invention according to claim 4, a ZnO thin film is used as the piezoelectric thin film.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る表面波装置の
非限定的な実施例を、図面を参照しつつ説明することに
より、本発明を明らかにする。なお、図１には表面波装
置として表面波フィルタを示すが、本発明は、表面波共
振子などの表面波装置一般に適用し得る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be clarified by describing non-limiting embodiments of a surface acoustic wave device according to the present invention with reference to the drawings. Although a surface acoustic wave filter is shown in FIG. 1 as the surface acoustic wave device, the present invention can be generally applied to a surface acoustic wave device such as a surface acoustic wave resonator.
【００１０】図１は、本発明が適用される表面波装置の
一例としての表面波フィルタを示す模式的平面図であ
る。表面波フィルタ１は、圧電性基板２上に、インター
デジタル電極３，４を所定距離を隔てて形成した構造を
有する。インターデジタル電極３，４は、それぞれ、１
本以上の電極指を有する一対のくし歯電極３ａ，３ｂ及
び４ａ，４ｂにより構成されている。FIG. 1 is a schematic plan view showing a surface acoustic wave filter as an example of a surface acoustic wave device to which the present invention is applied. The surface acoustic wave filter 1 has a structure in which interdigital electrodes 3 and 4 are formed on a piezoelectric substrate 2 at a predetermined distance. The interdigital electrodes 3 and 4 are 1
It is composed of a pair of comb electrodes 3a, 3b and 4a, 4b having at least two electrode fingers.
【００１１】本実施例では、上記圧電性基板２が、図２
に部分切欠断面図で示すように、シリコン基板２ａ上に
ＺｎＯ薄膜２ｂを形成することにより構成されている。
また、本実施例の特徴は、比抵抗が２Ω・ｃｍ以下のシ
リコン基板２ａが用いられていることにあり、それによ
って電気機械結合係数が高く、かつ表面波としてのセザ
ワ波の伝搬に伴う減衰が小さくされている。これを、具
体的な実験例に基づき説明する。In the present embodiment, the piezoelectric substrate 2 is formed as shown in FIG.
As shown in a partially cutaway sectional view of FIG. 1, a ZnO thin film 2b is formed on a silicon substrate 2a.
The present embodiment is characterized in that a silicon substrate 2a having a specific resistance of 2 Ω · cm or less is used, thereby having a high electromechanical coupling coefficient and attenuating due to the propagation of a Sezawa wave as a surface wave. Has been reduced. This will be described based on specific experimental examples.
【００１２】シリコン基板上にＺｎＯ薄膜を形成した構
造を有する表面波装置としては、インターデジタル電極
の形成位置及び短絡電極の有無により、図３（ａ），
（ｂ）及び図４（ａ），（ｂ）に示す四種類の構造が考
えられる。A surface acoustic wave device having a structure in which a ZnO thin film is formed on a silicon substrate depends on the formation position of an interdigital electrode and the presence or absence of a short-circuit electrode, as shown in FIG.
Four types of structures shown in FIG. 4B and FIGS. 4A and 4B can be considered.
【００１３】すなわち、図３（ａ）に示す表面波装置３
１では、シリコン基板３２上にＺｎＯ薄膜３３が形成さ
れており、ＺｎＯ薄膜３３上にインターデジタル電極３
４が形成されている。That is, the surface acoustic wave device 3 shown in FIG.
1, a ZnO thin film 33 is formed on a silicon substrate 32, and an interdigital electrode 3 is formed on the ZnO thin film 33.
4 are formed.
【００１４】図３（ｂ）に示す表面波装置３５では、シ
リコン基板３２上にインターデジタル電極３４が形成さ
れており、該インターデジタル電極３４を覆うようにシ
リコン基板３２上にＺｎＯ薄膜３３が形成されている。In the surface acoustic wave device 35 shown in FIG. 3B, an interdigital electrode 34 is formed on a silicon substrate 32, and a ZnO thin film 33 is formed on the silicon substrate 32 so as to cover the interdigital electrode 34. Have been.
【００１５】図４（ａ）に示す表面波装置３６では、シ
リコン基板３２上に短絡電極３７が形成されており、該
短絡電極３７上にＺｎＯ薄膜３３が形成されており、Ｚ
ｎＯ薄膜３３上にインターデジタル電極３４が形成され
ている。In the surface acoustic wave device 36 shown in FIG. 4A, a short-circuit electrode 37 is formed on a silicon substrate 32, and a ZnO thin film 33 is formed on the short-circuit electrode 37.
An interdigital electrode 34 is formed on the nO thin film 33.
【００１６】図４（ｂ）に示す表面波装置３８では、シ
リコン基板３２上に、インターデジタル電極３４を形成
し、さらにＺｎＯ薄膜３３を形成し、ＺｎＯ薄膜３３上
に短絡電極３７が形成されている。In a surface acoustic wave device 38 shown in FIG. 4B, an interdigital electrode 34 is formed on a silicon substrate 32, a ZnO thin film 33 is further formed, and a short-circuit electrode 37 is formed on the ZnO thin film 33. I have.
【００１７】いま、シリコン基板３２として、従来技術
の項で説明したように、比抵抗が１００ｋΩ・ｃｍのシ
リコン基板を用いると、表面波装置３１，３５，３６，
３８の電気機械結合係数ｋｓは、ＺｎＯ薄膜の膜厚によ
って図５に示すように変化することがわかっている。If a silicon substrate having a specific resistance of 100 kΩ · cm is used as the silicon substrate 32 as described in the section of the prior art, the surface acoustic wave devices 31, 35, 36,
It is known that the electromechanical coupling coefficient ks of 38 changes as shown in FIG. 5 depending on the thickness of the ZnO thin film.
【００１８】なお、図５において、横軸は、ＺｎＯ薄膜
の膜厚Ｈを励振されるセザワ波の波長λで規格化した相
対的な膜厚Ｈ／λを示す。図５から明らかなように、比
抵抗が１００ｋΩ・ｃｍと高いシリコン基板を用いた従
来の表面波装置では、大きな電気機械結合係数ｋｓを得
るには、図４（ａ）に示した表面波装置３６のように構
成することが必要であることがわかる。すなわち、Ｚｎ
Ｏ薄膜３３とシリコン基板３２との間に短絡電極３７を
介在させ、かつインターデジタル電極３４をＺｎＯ薄膜
３３の上面に形成しなければ、大きな電気機械結合係数
ｋｓを得ることができなかった。In FIG. 5, the horizontal axis represents the relative thickness H / λ normalized by the wavelength λ of the Sezawa wave to excite the thickness H of the ZnO thin film. As is clear from FIG. 5, in the conventional surface acoustic wave device using a silicon substrate having a specific resistance as high as 100 kΩ · cm, in order to obtain a large electromechanical coupling coefficient ks, the surface acoustic wave device shown in FIG. It is understood that the configuration as shown in FIG. That is, Zn
Unless the short-circuit electrode 37 is interposed between the O thin film 33 and the silicon substrate 32 and the interdigital electrode 34 is not formed on the upper surface of the ZnO thin film 33, a large electromechanical coupling coefficient ks cannot be obtained.
【００１９】これに対して、上述した図１及び図２に示
した実施例では、シリコン基板２ａの比抵抗が２Ω・ｃ
ｍ以下であるため、短絡電極を形成せずとも、大きな電
気機械結合係数を得ることができる。これを、図６を参
照して説明する。On the other hand, in the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the specific resistance of the silicon substrate 2a is 2Ω · c.
m or less, a large electromechanical coupling coefficient can be obtained without forming a short-circuit electrode. This will be described with reference to FIG.
【００２０】図６の○、●、▲、×は、それぞれ、下記
の構成の表面波装置における、電気機械結合係数と、Ｚ
ｎＯ薄膜の規格化された膜厚（ＺｎＯ薄膜の膜厚Ｈを励
振されるセザワ波の波長λで規格化した膜厚）との関係
を示す。In FIG. 6, ○, ●, ▲, × indicate the electromechanical coupling coefficient and Z, respectively, in the surface acoustic wave device having the following configuration.
4 shows the relationship with the normalized thickness of the nO thin film (the thickness normalized by the wavelength λ of the Sezawa wave that excites the thickness H of the ZnO thin film).
【００２１】 ○…インターデジタル電極／ＺｎＯ薄膜／短絡電極／シ
リコン基板の積層構造。シリコン基板の比抵抗はρ＝１
０Ω・ｃｍ。 ●…インターデジタル電極／ＺｎＯ薄膜／シリコン基板
の積層構造。シリコン基板の比抵抗はρ＝０．２Ω・ｃ
ｍ。 ▲…インターデジタル電極／ＺｎＯ薄膜／シリコン基板
の積層構造。シリコン基板の比抵抗ρ＝１．０Ω・ｃ
ｍ。 ×…インターデジタル電極／ＺｎＯ薄膜／シリコン基板
の積層構造。シリコン基板の比抵抗ρ＝１０Ω・ｃｍ。…: Laminated structure of interdigital electrode / ZnO thin film / short circuit electrode / silicon substrate The specific resistance of the silicon substrate is ρ = 1
0Ω · cm. ● ... Laminated structure of interdigital electrode / ZnO thin film / silicon substrate. The specific resistance of the silicon substrate is ρ = 0.2Ω · c
m. …: Laminated structure of interdigital electrode / ZnO thin film / silicon substrate. Specific resistance of silicon substrate ρ = 1.0Ω · c
m. ×: Laminated structure of interdigital electrode / ZnO thin film / silicon substrate. Specific resistance of silicon substrate ρ = 10Ω · cm.
【００２２】図６から明らかなように、シリコン基板の
比抵抗ρが１０Ω・ｃｍの場合には、短絡電極を設ける
と（○印）、大きな電気機械結合係数を得られるが、短
絡電極を設けなかった場合には（×印）、電気機械結合
係数を高くし得ないことがわかる。As is apparent from FIG. 6, when the specific resistance ρ of the silicon substrate is 10 Ω · cm, a large electromechanical coupling coefficient can be obtained by providing a short-circuit electrode (marked with ○). When there is no (x mark), it can be seen that the electromechanical coupling coefficient cannot be increased.
【００２３】これに対して、比抵抗が０．２Ω・ｃｍ及
び１．０Ω・ｃｍと低いシリコン基板を用いた場合に
は、短絡電極を設けずとも、ＺｎＯ薄膜の規格化された
膜厚Ｈ／λを選択することにより、０．２以上の大きな
電気機械結合係数ｋｓの得られることがわかる（●印及
び▲印の特性）。On the other hand, when a silicon substrate having a low specific resistance of 0.2 Ω · cm and 1.0 Ω · cm is used, the standardized thickness H of the ZnO thin film can be obtained without providing a short-circuit electrode. It can be seen that by selecting / λ, a large electromechanical coupling coefficient ks of 0.2 or more can be obtained (characteristics of ● and ▲).
【００２４】また、本願発明者の実験によれば、図８に
示すように、ＺｎＯ薄膜２ｂと、シリコン基板２ａとの
間にＳｉＯ2 層４を介在させた場合においても、図２に
示した構造の実施例の場合と同様に、短絡電極を用いず
とも、シリコン基板２ａの比抵抗を小さくすることによ
り、大きな電気機械結合係数ｋｓの得られることが確か
められた。According to the experiment conducted by the inventor of the present application, as shown in FIG. 8, even when the SiO 2 layer 4 is interposed between the ZnO thin film 2b and the silicon substrate 2a, the results are shown in FIG. As in the case of the structure example, it was confirmed that a large electromechanical coupling coefficient ks can be obtained by reducing the specific resistance of the silicon substrate 2a without using a short-circuit electrode.
【００２５】上記のように、シリコン基板の比抵抗が高
い場合には、その半導体のキャリアにより、表面波の減
衰が問題となる。そこで、励振されたセザワ波の波長で
規格化した相対的な減衰量（ｄＢ／λ）と、上記シリコ
ン基板の比抵抗との関係を調べた。結果を図７に示す。
図７において、実線Ａ、破線Ｂは、それぞれ、下記の構
成における結果を示す。As described above, when the specific resistance of the silicon substrate is high, the attenuation of the surface wave becomes a problem due to the carrier of the semiconductor. Therefore, the relationship between the relative attenuation (dB / λ) normalized by the wavelength of the excited Sezawa wave and the specific resistance of the silicon substrate was examined. FIG. 7 shows the results.
In FIG. 7, the solid line A and the broken line B show the results in the following configuration, respectively.
【００２６】実線Ａは、規格化膜厚Ｈ／λ０．２の時の
（１１０）面Ｓｉ基板上を＜００１＞方向に伝搬するセ
ザワ波の例である。破線Ｂは、規格化膜厚Ｈ／λ０．２
の時の（１００）面Ｓｉ基板上を＜０１１＞方向に伝搬
するセザワ波の例である。A solid line A is an example of a Sezawa wave propagating in the <001> direction on the (110) plane Si substrate when the normalized film thickness is H / λ0.2. The broken line B indicates the normalized film thickness H / λ0.2.
This is an example of a Sezawa wave propagating in the <011> direction on the (100) plane Si substrate at the time of (1).
【００２７】図示していないが、（００１）面Ｓｉ上を
＜１００＞方向伝搬するセザワ波も破線Ｂとほぼ同じ値
を示す。従って、図７から、ＺｎＯとＳｉの組み合わせ
では、シリコン基板の比抵抗をρを２Ω・ｃｍ以下とす
れば、表面波の減衰を０．０００７ｄＢ／λ以下と小さ
くし得ることがわかる。Although not shown, the Sezawa wave propagating in the <100> direction on the (001) plane Si also shows almost the same value as the broken line B. Accordingly, FIG. 7 shows that, in the combination of ZnO and Si, if the specific resistance of the silicon substrate is set to 2Ω · cm or less, the attenuation of the surface wave can be reduced to 0.0007 dB / λ or less.
【００２８】また、上記実施例では、圧電薄膜としてＺ
ｎＯ薄膜を用いたが、Ｔａ2 Ｏ5 、ＡｌＮ、ＣｄＳなど
の他の圧電性材料からなる薄膜を用いても同様に、電気
機械結合係数ｋｓが大きく、表面波の伝搬の減衰の小さ
い表面波装置を得ることができる。In the above embodiment, the piezoelectric thin film is made of Z
Although an nO thin film was used, a surface wave having a large electromechanical coupling coefficient ks and a small attenuation of the propagation of a surface wave is similarly used even when a thin film made of another piezoelectric material such as Ta 2 O 5 , AlN, or CdS is used. A device can be obtained.
【００２９】[0029]
【発明の効果】請求項１に記載の発明では、シリコン基
板上に圧電薄膜及びインターデジタル電極を形成してな
る表面波装置において、シリコン基板の比抵抗が２Ω・
ｃｍ以下とされているので、短絡電極を形成せずとも、
電気機械結合係数が高く、かつ表面波の減衰の小さい表
面波装置を確実に提供することが可能となる。According to the first aspect of the present invention, in a surface acoustic wave device in which a piezoelectric thin film and an interdigital electrode are formed on a silicon substrate, the specific resistance of the silicon substrate is 2Ω ·
cm or less, without forming a short-circuit electrode,
It is possible to reliably provide a surface acoustic wave device having a high electromechanical coupling coefficient and a small attenuation of a surface acoustic wave.
【００３０】同様に、請求項２に記載の発明において
も、シリコン基板上にＳｉＯ2 層を介して圧電薄膜を形
成し、圧電薄膜に接するようにインターデジタル電極を
形成してなる表面波装置において、シリコン基板とし
て、比抵抗が２Ω・ｃｍ以下のものを用いるため、電気
機械結合係数ｋｓが高く、表面波の伝搬に伴う減衰の小
さい表面波装置を提供することが可能となる。Similarly, in the invention according to claim 2, there is provided a surface acoustic wave device comprising a piezoelectric thin film formed on a silicon substrate via an SiO 2 layer, and an interdigital electrode formed so as to be in contact with the piezoelectric thin film. Since a silicon substrate having a specific resistance of 2 Ω · cm or less is used, it is possible to provide a surface acoustic wave device having a high electromechanical coupling coefficient ks and a small attenuation accompanying the propagation of the surface acoustic wave.
【図１】本発明が適用される表面波装置の一例としての
表面波フィルタを示す模式的平面図。FIG. 1 is a schematic plan view showing a surface acoustic wave filter as an example of a surface acoustic wave device to which the present invention is applied.
【図２】本発明の一実施例にかかる表面波装置の構造を
説明するための部分切欠断面図。FIG. 2 is a partially cutaway sectional view for explaining the structure of the surface acoustic wave device according to one embodiment of the present invention.
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、従来の表面波
装置の積層構造の例を説明するための各断面図。FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views illustrating an example of a laminated structure of a conventional surface acoustic wave device.
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、従来の表面波装置の積層
構造の例を説明するための各断面図。FIGS. 4A and 4B are cross-sectional views illustrating an example of a laminated structure of a conventional surface acoustic wave device.
【図５】図３及び図４に示した従来の表面波装置におけ
る電気機械結合係数ｋｓとＺｎＯ薄膜の規格化された膜
厚Ｈ／λとの関係を示す図。FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the electromechanical coupling coefficient ks and the normalized thickness H / λ of the ZnO thin film in the conventional surface acoustic wave device shown in FIGS. 3 and 4.
【図６】本発明の実施例及び比較例における電気機械結
合係数ｋｓとＺｎＯ薄膜の規格化された膜厚との関係を
示す図。FIG. 6 is a diagram showing a relationship between an electromechanical coupling coefficient ks and a normalized thickness of a ZnO thin film in Examples and Comparative Examples of the present invention.
【図７】本発明の実施例にかかるＺｎＯとＳｉの組み合
わせによる表面波装置についての表面波の減衰量と、シ
リコン基板の比抵抗との関係を示す図。FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the amount of attenuation of a surface wave and the specific resistance of a silicon substrate in a surface acoustic wave device using a combination of ZnO and Si according to an example of the present invention.
【図８】本発明の他の実施例に係る表面波装置を説明す
るための部分切欠断面図。FIG. 8 is a partially cutaway sectional view illustrating a surface acoustic wave device according to another embodiment of the present invention.
１…表面波フィルタ ２…圧電性基板 ２ａ…シリコン基板 ２ｂ…ＺｎＯ薄膜 ３，４…インターデジタル電極 ３ａ，３ｂ…くし歯電極 ４…ＳｉＯ2 層1 ... SAW filter 2 ... piezoelectric substrate 2a ... silicon substrate 2b ... ZnO thin 3,4 ... interdigital electrodes 3a, 3b ... comb electrode 4 ... SiO 2 layer
Claims (4)
ル電極とを備え、 前記シリコン基板の比抵抗が２Ω・ｃｍ以下とされてい
ることを特徴とする、表面波装置。A silicon substrate, a piezoelectric thin film formed on the silicon substrate, and an interdigital electrode formed to be in contact with the piezoelectric thin film, wherein the silicon substrate has a specific resistance of 2 Ω · cm or less. A surface acoustic wave device characterized in that:
ル電極とを備え、 前記シリコン基板の比抵抗が２Ω・ｃｍ以下とされてい
ることを特徴とする、表面波装置。2. A silicon substrate, an SiO 2 layer formed on the silicon substrate, a piezoelectric thin film formed on the SiO 2 layer, and an interdigital electrode formed so as to be in contact with the piezoelectric thin film. A surface acoustic wave device, wherein the silicon substrate has a specific resistance of 2 Ω · cm or less.
に構成されている、請求項１または２に記載の表面波装
置。3. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the surface acoustic wave device is configured to excite a Sezawa wave.
求項１〜３の何れかに記載の表面波装置。4. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein said piezoelectric thin film is a ZnO thin film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1394097A JPH10209801A (en) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | Surface wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1394097A JPH10209801A (en) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | Surface wave device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209801A true JPH10209801A (en) | 1998-08-07 |
Family
ID=11847210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1394097A Pending JPH10209801A (en) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | Surface wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209801A (en) |
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