JPH10208216A - 磁気抵抗効果ヘッドおよびその初期化方法 - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドおよびその初期化方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 上下シールドおよび上下ポールの磁化容易軸
を乱さずに第２の強磁性層の磁化方向を再初期化するこ
と。 【解決手段】 非磁性金属層を介して積層された第１の
強磁性層及び第２の強磁性層と、第２の強磁性層の磁化
方向を信号磁界と平行にピン止めするための手段として
当該第２の強磁性層に隣接して積層された反強磁性層と
を備えて成る感磁部を有する。この感磁部に流す検出電
流により第１の強磁性層に生じる電流磁界の方向を、第
２の強磁性層によって第１の強磁性層に生じる静磁界の
方向とは逆方向となるように予め設定する。そして、感
磁部に、該感磁部に流す検出電流と逆方向に、検出電流
より大なるパルス波高値を有するパルス状の初期化電流
を供給する初期化電流供給手段を併設したこと。
を乱さずに第２の強磁性層の磁化方向を再初期化するこ
と。 【解決手段】 非磁性金属層を介して積層された第１の
強磁性層及び第２の強磁性層と、第２の強磁性層の磁化
方向を信号磁界と平行にピン止めするための手段として
当該第２の強磁性層に隣接して積層された反強磁性層と
を備えて成る感磁部を有する。この感磁部に流す検出電
流により第１の強磁性層に生じる電流磁界の方向を、第
２の強磁性層によって第１の強磁性層に生じる静磁界の
方向とは逆方向となるように予め設定する。そして、感
磁部に、該感磁部に流す検出電流と逆方向に、検出電流
より大なるパルス波高値を有するパルス状の初期化電流
を供給する初期化電流供給手段を併設したこと。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果ヘッ
ドおよびその初期化方法に係り、特に、磁気記録媒体の
磁化の向きにより情報を保存し且つ磁気ヘッドにより記
録再生を行う磁気ディスク装置に装備され、再生出力の
高出力化および動作の安定性向上を図った磁気抵抗効果
ヘッドおよびその初期化方法に関するものである。
ドおよびその初期化方法に係り、特に、磁気記録媒体の
磁化の向きにより情報を保存し且つ磁気ヘッドにより記
録再生を行う磁気ディスク装置に装備され、再生出力の
高出力化および動作の安定性向上を図った磁気抵抗効果
ヘッドおよびその初期化方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気センサの高感度化および磁気
記録における高密度化が進められており、これに伴い磁
気抵抗効果型磁気センサ（以下、ＭＲセンサという）お
よび磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドとい
う）の開発が盛んに進められている。
記録における高密度化が進められており、これに伴い磁
気抵抗効果型磁気センサ（以下、ＭＲセンサという）お
よび磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドとい
う）の開発が盛んに進められている。
【０００３】ＭＲセンサもＭＲヘッドも、磁性材料から
なる読み取りセンサ部の抵抗変化により、外部磁界信号
を読みだす訳であるが、ＭＲセンサおよびＭＲヘッド
は、記録媒体との相対速度が再生出力に依存しないこと
から、ＭＲセンサでは高感度が、ＭＲヘッドでは高密度
磁気記録においても高い出力が得られるという特長があ
る。
なる読み取りセンサ部の抵抗変化により、外部磁界信号
を読みだす訳であるが、ＭＲセンサおよびＭＲヘッド
は、記録媒体との相対速度が再生出力に依存しないこと
から、ＭＲセンサでは高感度が、ＭＲヘッドでは高密度
磁気記録においても高い出力が得られるという特長があ
る。
【０００４】最近、非磁性薄膜を介した磁性人工格子に
よる多層膜において、スピン依存散乱による、より顕著
な磁気抵抗効果が観測されている（フィジカル レビュ
ーレターズ（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔｅｒｓ）第６
１巻、２４７２頁、１９８８年）。
よる多層膜において、スピン依存散乱による、より顕著
な磁気抵抗効果が観測されている（フィジカル レビュ
ーレターズ（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔｅｒｓ）第６
１巻、２４７２頁、１９８８年）。
【０００５】この磁気抵抗効果は巨大磁気抵抗効果（Ｇ
ＭＲ効果）と呼ばれ、従来の磁気抵抗効果に比べ桁違い
に大きな抵抗変化を示すという特徴がある。
ＭＲ効果）と呼ばれ、従来の磁気抵抗効果に比べ桁違い
に大きな抵抗変化を示すという特徴がある。
【０００６】一方、スピン依存散乱による磁気抵抗効果
について開示したものとして、特開平２−６１５７２号
公報では、中間層により分離される少なくとも二層の強
磁性層からなる磁場センサが記載されており、境界面で
スピン方向に依存する電子散乱が生じる作用を及ぼす材
料から構成されることが示されている。
について開示したものとして、特開平２−６１５７２号
公報では、中間層により分離される少なくとも二層の強
磁性層からなる磁場センサが記載されており、境界面で
スピン方向に依存する電子散乱が生じる作用を及ぼす材
料から構成されることが示されている。
【０００７】また、非磁性金属層を介して積層された少
なくとも二層の強磁性層を有しており、一方の強磁性層
に反強磁性層を隣接して設けることで抗磁力を与え、非
磁性金属層を介して隣接した他方の強磁性層を外部磁界
で磁化回転させることによって抵抗変化させる巨大磁気
抵抗効果膜（又は「スピンバルブ」と呼ばれる）が、フ
ィジカル レビューＢ（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ）第４３
巻、１２９７頁、１９９１年、又は特開平４−３５８３
１０号公報に開示されている。
なくとも二層の強磁性層を有しており、一方の強磁性層
に反強磁性層を隣接して設けることで抗磁力を与え、非
磁性金属層を介して隣接した他方の強磁性層を外部磁界
で磁化回転させることによって抵抗変化させる巨大磁気
抵抗効果膜（又は「スピンバルブ」と呼ばれる）が、フ
ィジカル レビューＢ（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ）第４３
巻、１２９７頁、１９９１年、又は特開平４−３５８３
１０号公報に開示されている。
【０００８】図３に、従来のＧＭＲ効果を用いた磁気ヘ
ッドの一例を示す。この図３において装備された信号磁
界を感知する感磁部５０は、非磁性金属層５２によって
分離された第１の強磁性層５１及び第２の強磁性層５３
と、この第２の強磁性層５３の磁化を交換結合によりピ
ン止めするための反強磁性層５４とを備えている。
ッドの一例を示す。この図３において装備された信号磁
界を感知する感磁部５０は、非磁性金属層５２によって
分離された第１の強磁性層５１及び第２の強磁性層５３
と、この第２の強磁性層５３の磁化を交換結合によりピ
ン止めするための反強磁性層５４とを備えている。
【０００９】そして、ピン止めされていない自由な第１
の強磁性層５１の磁化方向は、ピン止めされた第２の強
磁性層５３の磁化方向Ａと直交するように設定される。
の強磁性層５１の磁化方向は、ピン止めされた第２の強
磁性層５３の磁化方向Ａと直交するように設定される。
【００１０】線形応答が最も大きく、ダイナミックレン
ジが最も広いのは、ピン止めされた第２の強磁性層５３
の磁化方向Ａが信号磁界の方向Ｂに平行であり、自由な
第１の強磁性層５１の磁化方向が信号磁界の方向Ｂに直
角なものである。このとき、第１の強磁性層５１の磁化
のみが自由に回転し、二層の磁化の間の角度が変化し、
これが抵抗変化として感知される。
ジが最も広いのは、ピン止めされた第２の強磁性層５３
の磁化方向Ａが信号磁界の方向Ｂに平行であり、自由な
第１の強磁性層５１の磁化方向が信号磁界の方向Ｂに直
角なものである。このとき、第１の強磁性層５１の磁化
のみが自由に回転し、二層の磁化の間の角度が変化し、
これが抵抗変化として感知される。
【００１１】また、図には示していないが、第１の強磁
性層５１を単磁区化するための縦バイアス磁界を生じさ
せる手段として、永久磁石層あるいは反強磁性層が端部
に設けられる。
性層５１を単磁区化するための縦バイアス磁界を生じさ
せる手段として、永久磁石層あるいは反強磁性層が端部
に設けられる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従来のＧＭＲ効果を用
いた磁気ヘッドにおける第１の問題点は、信号磁界と平
行な方向にピン止めされている第２の強磁性層５３の磁
化が、磁気ヘッドを構成する他の磁性層の磁化方向と直
交することである。
いた磁気ヘッドにおける第１の問題点は、信号磁界と平
行な方向にピン止めされている第２の強磁性層５３の磁
化が、磁気ヘッドを構成する他の磁性層の磁化方向と直
交することである。
【００１３】図４は、記録にインダクティブ部を，再生
にＧＭＲ効果を示す感磁部を用いた磁気ヘッドの感磁部
５０の一例を示す。通常、磁気ヘッドは、磁気抵抗効果
を示す感磁部５０のほかに、ビット方向の記録密度を向
上するための下シールド５７及び上シールド５８、およ
び記録媒体に信号を記録するための下ポール５９及び上
ポール６１を、更には第１の強磁性層５１の磁区安定化
のために設けられる永久磁石層５６から構成されてい
る。ここで、この図４では、上シールド５８は下ポール
５９を兼用した共通型ヘッドが示されている。
にＧＭＲ効果を示す感磁部を用いた磁気ヘッドの感磁部
５０の一例を示す。通常、磁気ヘッドは、磁気抵抗効果
を示す感磁部５０のほかに、ビット方向の記録密度を向
上するための下シールド５７及び上シールド５８、およ
び記録媒体に信号を記録するための下ポール５９及び上
ポール６１を、更には第１の強磁性層５１の磁区安定化
のために設けられる永久磁石層５６から構成されてい
る。ここで、この図４では、上シールド５８は下ポール
５９を兼用した共通型ヘッドが示されている。
【００１４】高周波において、記録媒体に信号を記録し
又は信号の再生に際しては、これら上下シールドおよび
上下ポールの磁化容易軸は、信号磁界の方向Ｂに対して
直交している必要がある。従って、これらの磁性層は、
通常、磁界中成膜，或いは磁界中熱処理等によって磁気
異方性が制御され、望ましい方向の磁化容易軸を有す
る。
又は信号の再生に際しては、これら上下シールドおよび
上下ポールの磁化容易軸は、信号磁界の方向Ｂに対して
直交している必要がある。従って、これらの磁性層は、
通常、磁界中成膜，或いは磁界中熱処理等によって磁気
異方性が制御され、望ましい方向の磁化容易軸を有す
る。
【００１５】また、第１の強磁性層５１の磁区安定化の
ために設けられた永久磁石層５６に関しても、その磁気
異方性も信号磁界の方向Ｂと直交する方向である。
ために設けられた永久磁石層５６に関しても、その磁気
異方性も信号磁界の方向Ｂと直交する方向である。
【００１６】このように、上下シールド５８，５７、上
下ポール６１，５９の磁化容易軸方向、第１の強磁性層
５１の磁区安定化のために設けられた永久磁石層５６の
磁化方向、また、第１の強磁性層５１の磁化容易軸方向
が、すべて信号磁界の方向Ｂと直交する方向であるのに
対し、第２の強磁性層５３の磁化方向Ａは、信号磁界の
方向Ｂと平行になるようにピン止めされている必要があ
る。
下ポール６１，５９の磁化容易軸方向、第１の強磁性層
５１の磁区安定化のために設けられた永久磁石層５６の
磁化方向、また、第１の強磁性層５１の磁化容易軸方向
が、すべて信号磁界の方向Ｂと直交する方向であるのに
対し、第２の強磁性層５３の磁化方向Ａは、信号磁界の
方向Ｂと平行になるようにピン止めされている必要があ
る。
【００１７】反強磁性層を用いて第２の強磁性層５３を
ピン止めするためには、磁界中，成膜或いは反強磁性層
のネール温度近くまで昇温することによって着磁する必
要がある。しかしながら、かかる処理をＧＭＲ膜全膜の
成膜時に行った場合、下シールド５７の磁化容易軸が乱
される可能性があり、また、ＧＭＲ膜成膜後の上シール
ド５８、上下ポール６１，５９の磁気異方性の制御プロ
セスによって逆に第２の強磁層５３のピン止めが乱され
る可能性がある。
ピン止めするためには、磁界中，成膜或いは反強磁性層
のネール温度近くまで昇温することによって着磁する必
要がある。しかしながら、かかる処理をＧＭＲ膜全膜の
成膜時に行った場合、下シールド５７の磁化容易軸が乱
される可能性があり、また、ＧＭＲ膜成膜後の上シール
ド５８、上下ポール６１，５９の磁気異方性の制御プロ
セスによって逆に第２の強磁層５３のピン止めが乱され
る可能性がある。
【００１８】一方、磁気ヘッドの全層成膜後に、第２の
強磁性層５３のピン止めのための昇温および着磁プロセ
スを行った場合には、上下シールド５８，５７、上下ポ
ール６１，５９、永久磁石層５６等、磁気ヘッドを構成
する他の部分の磁化容易軸および磁気特性等に、悪影響
を及ぼすことが知られている。
強磁性層５３のピン止めのための昇温および着磁プロセ
スを行った場合には、上下シールド５８，５７、上下ポ
ール６１，５９、永久磁石層５６等、磁気ヘッドを構成
する他の部分の磁化容易軸および磁気特性等に、悪影響
を及ぼすことが知られている。
【００１９】更に、磁気ヘッドの加工途中において、磁
気ヘッドを構成する磁性材料の磁気特性が変わる場合が
あるが、第２の強磁性層５３のみ、他の磁性層の磁化方
向と異なるため、最終的な磁気ヘッドの状態で再初期設
定を行うことは、非常に困難であった。
気ヘッドを構成する磁性材料の磁気特性が変わる場合が
あるが、第２の強磁性層５３のみ、他の磁性層の磁化方
向と異なるため、最終的な磁気ヘッドの状態で再初期設
定を行うことは、非常に困難であった。
【００２０】従来のＧＭＲ効果を用いた磁気ヘッドにお
ける第２の問題点は、磁気抵抗効果膜に流す検出電流に
よって生じる電流磁界が、ピン止めされている第２の強
磁性層５３の磁化を弱める方向となることである。
ける第２の問題点は、磁気抵抗効果膜に流す検出電流に
よって生じる電流磁界が、ピン止めされている第２の強
磁性層５３の磁化を弱める方向となることである。
【００２１】図４に示すように、磁気抵抗効果膜には信
号磁界を検出するため、検出電流を流すための一対の電
極５５が配されるが、この検出電流を流す方向によって
再生波形の対称性は大きく左右される。
号磁界を検出するため、検出電流を流すための一対の電
極５５が配されるが、この検出電流を流す方向によって
再生波形の対称性は大きく左右される。
【００２２】これは、まず、第２の強磁性層５３の磁化
が反強磁性層５４によってピン止めされた状態であるた
め、第１の強磁性層５１との間に静磁結合が生じ、第１
の強磁性層５１の磁化方向は、信号磁界の方向Ｂと直交
した方向からずれ、信号磁界に対するダイナミックレン
ジが狭くなっている。
が反強磁性層５４によってピン止めされた状態であるた
め、第１の強磁性層５１との間に静磁結合が生じ、第１
の強磁性層５１の磁化方向は、信号磁界の方向Ｂと直交
した方向からずれ、信号磁界に対するダイナミックレン
ジが狭くなっている。
【００２３】ここで、検出電流の方向Ｃを、検出電流に
よって第１の強磁性層５１に生じる電流磁界の方向を、
反強磁性層５４によってピン止めされた第２の強磁性層
５３によって第１の強磁性層５１に生じる静磁界の方向
と、逆方向になるように設定することにより、第２の強
磁性層５３による静磁界を弱めることができ、再生波形
対称性の改善に効果を発揮する。
よって第１の強磁性層５１に生じる電流磁界の方向を、
反強磁性層５４によってピン止めされた第２の強磁性層
５３によって第１の強磁性層５１に生じる静磁界の方向
と、逆方向になるように設定することにより、第２の強
磁性層５３による静磁界を弱めることができ、再生波形
対称性の改善に効果を発揮する。
【００２４】しかしながら、この検出電流による電流磁
界は、逆に第２の強磁性層５３のピン止めを弱める方向
となり、信号磁界の再生中に、徐々に第２の強磁性層５
３の磁化が乱される可能性が生じる。
界は、逆に第２の強磁性層５３のピン止めを弱める方向
となり、信号磁界の再生中に、徐々に第２の強磁性層５
３の磁化が乱される可能性が生じる。
【００２５】
【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、とくに最終的な磁気ヘッドの状態で上下シー
ルドおよび上下ポールの磁化容易軸を乱さずに第２の強
磁性層の磁化方向を再初期化することが可能な、磁気抵
抗効果ヘッドおよびその初期化方法を提供することを、
その目的とする。
を改善し、とくに最終的な磁気ヘッドの状態で上下シー
ルドおよび上下ポールの磁化容易軸を乱さずに第２の強
磁性層の磁化方向を再初期化することが可能な、磁気抵
抗効果ヘッドおよびその初期化方法を提供することを、
その目的とする。
【００２６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１乃至請求項８記載の発明では、非磁性金属
層を介して積層された第１の強磁性層および第２の強磁
性層と、この第２の強磁性層の磁化方向を信号磁界と平
行にピン止めするための手段として当該第２の強磁性層
に隣接して積層された反強磁性層とを備え且つこれによ
って巨大磁気抵抗効果素子としての機能を備えた感磁部
を有する。
め、請求項１乃至請求項８記載の発明では、非磁性金属
層を介して積層された第１の強磁性層および第２の強磁
性層と、この第２の強磁性層の磁化方向を信号磁界と平
行にピン止めするための手段として当該第２の強磁性層
に隣接して積層された反強磁性層とを備え且つこれによ
って巨大磁気抵抗効果素子としての機能を備えた感磁部
を有する。
【００２７】感磁部に流す検出電流によって第１の強磁
性層に生じる電流磁界の方向を、前述した第２の強磁性
層によって第１の強磁性層に生じる静磁界の方向とは逆
方向となるように予め設定する。
性層に生じる電流磁界の方向を、前述した第２の強磁性
層によって第１の強磁性層に生じる静磁界の方向とは逆
方向となるように予め設定する。
【００２８】そして、感磁部に、当該感磁部に流す検出
電流と逆方向に、当該検出電流より大なるパルス波高値
を有するパルス状の初期化電流を供給する初期化電流供
給手段を併設する、という構成を採っている。
電流と逆方向に、当該検出電流より大なるパルス波高値
を有するパルス状の初期化電流を供給する初期化電流供
給手段を併設する、という構成を採っている。
【００２９】このため、この請求項１乃至請求項８記載
の発明では、図１に示すように、第２の強磁性層３の磁
化方向Ａは、信号磁界の方向Ｂに沿った方向に反強磁性
層４によってピン止めされた状態であるため、相互間に
は静磁結合が生じている。このため、検出電流の方向Ｃ
は、検出電流によって第１の強磁性層１に生じる電流磁
界の方向を、反強磁性層４によってピン止めされた第２
の強磁性層３によって、第１の強磁性層１に生じている
静磁界の方向と逆方向になるように設定され、これによ
って第１の強磁性層１の磁化は信号磁界の方向Ｂと直交
し、ダイナミックレンジの広い線形応答が得られる。
の発明では、図１に示すように、第２の強磁性層３の磁
化方向Ａは、信号磁界の方向Ｂに沿った方向に反強磁性
層４によってピン止めされた状態であるため、相互間に
は静磁結合が生じている。このため、検出電流の方向Ｃ
は、検出電流によって第１の強磁性層１に生じる電流磁
界の方向を、反強磁性層４によってピン止めされた第２
の強磁性層３によって、第１の強磁性層１に生じている
静磁界の方向と逆方向になるように設定され、これによ
って第１の強磁性層１の磁化は信号磁界の方向Ｂと直交
し、ダイナミックレンジの広い線形応答が得られる。
【００３０】一方、この検出電流の方向Ｃは、第２の強
磁性層３の磁化のピン止めを弱める方向でもある。ここ
で、初期化電流の方向Ｅとして、検出電流とは逆方向に
パルス状の初期化電流ｅを供給することによって、第２
の強磁性層３には、ピン止めされた磁化方向と同一の方
向に電流磁界が印加される。この方向に検出電流より値
の大なる初期化電流ｅを供給することにより、磁気ヘッ
ドを構成する磁性材料の成膜やプロセス中，或いは磁気
ヘッドの加工中に乱された第２の強磁性層の磁化方向Ａ
を再初期化することが可能となる。即ち、この請求項１
乃至請求項８記載の発明では、初期化電流供給手段が有
効に機能し、初期化電流を印加せずに検出電流を供給し
た場合と、初期化電流印加後に検出電流を印加した場合
の記録再生実験を行ったところ、初期化電流を印加した
場合の方が、安定性に優れ、かつ、高出力で対称性の良
い再生波形が得られた。
磁性層３の磁化のピン止めを弱める方向でもある。ここ
で、初期化電流の方向Ｅとして、検出電流とは逆方向に
パルス状の初期化電流ｅを供給することによって、第２
の強磁性層３には、ピン止めされた磁化方向と同一の方
向に電流磁界が印加される。この方向に検出電流より値
の大なる初期化電流ｅを供給することにより、磁気ヘッ
ドを構成する磁性材料の成膜やプロセス中，或いは磁気
ヘッドの加工中に乱された第２の強磁性層の磁化方向Ａ
を再初期化することが可能となる。即ち、この請求項１
乃至請求項８記載の発明では、初期化電流供給手段が有
効に機能し、初期化電流を印加せずに検出電流を供給し
た場合と、初期化電流印加後に検出電流を印加した場合
の記録再生実験を行ったところ、初期化電流を印加した
場合の方が、安定性に優れ、かつ、高出力で対称性の良
い再生波形が得られた。
【００３１】又、前述した初期化電流供給手段として
は、その出力電流である初期化電流のパルス波高値を検
出電流の３倍以上とし、且つその通電パルスの時間幅を
１秒以下とすると、高出力で対称性の良い再生波形を確
実に且つ安定して得ることができる点で、都合がよい。
ここで、パルス波高値とは、パルス状の初期化電流の各
パルスの最大値のことである。
は、その出力電流である初期化電流のパルス波高値を検
出電流の３倍以上とし、且つその通電パルスの時間幅を
１秒以下とすると、高出力で対称性の良い再生波形を確
実に且つ安定して得ることができる点で、都合がよい。
ここで、パルス波高値とは、パルス状の初期化電流の各
パルスの最大値のことである。
【００３２】更に、前述した反強磁性層としては、Ｆｅ
Ｍｎ，ＮｉＭｎ，ＰｔＭｎ，ＣｒＭｎ，ＩｒＭｎを主成
分とする群、或いはＮｉ，Ｃｏ，Ｆｅの酸化物を主成分
とする群から選択された材料で成膜してもよい。
Ｍｎ，ＮｉＭｎ，ＰｔＭｎ，ＣｒＭｎ，ＩｒＭｎを主成
分とする群、或いはＮｉ，Ｃｏ，Ｆｅの酸化物を主成分
とする群から選択された材料で成膜してもよい。
【００３３】前述した第１の強磁性層及び第２の強磁性
層としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ並びにＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ
の合金からなる群から選択された材料で成膜してもよ
い。
層としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ並びにＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ
の合金からなる群から選択された材料で成膜してもよ
い。
【００３４】前述した非磁性金属層としては、Ｃｕ，Ａ
ｇ，Ａｕ並びにＣｕ，Ａｇ，Ａｕの合金からなる群から
選択された材料で成膜してもよい。
ｇ，Ａｕ並びにＣｕ，Ａｇ，Ａｕの合金からなる群から
選択された材料で成膜してもよい。
【００３５】また、前述した第１の強磁性層を単磁区化
するために十分な縦バイアス磁界を印加するための縦バ
イアス印加手段を設けてもよい。この場合、前述した縦
バイアス印加手段については、永久磁石層や反強磁性層
で形成してもよい。
するために十分な縦バイアス磁界を印加するための縦バ
イアス印加手段を設けてもよい。この場合、前述した縦
バイアス印加手段については、永久磁石層や反強磁性層
で形成してもよい。
【００３６】更に又、請求項９乃至１０記載の発明に示
すたように、上述した初期化電流は、検出電流の供給に
先立って供給すると、出力の安定した磁気抵抗効果ヘッ
ドを提供することができる。更に、初期化電流について
は、定期的に供給するようにしてもよい。このようにす
ると、経時的にも、磁気抵抗効果ヘッドの出力の安定性
向上が期待できる。
すたように、上述した初期化電流は、検出電流の供給に
先立って供給すると、出力の安定した磁気抵抗効果ヘッ
ドを提供することができる。更に、初期化電流について
は、定期的に供給するようにしてもよい。このようにす
ると、経時的にも、磁気抵抗効果ヘッドの出力の安定性
向上が期待できる。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
１乃至図３に基づいて説明する。この図１乃至図３に示
す実施形態は、記録にインダクティブ部を，再生にＧＭ
Ｒ効果を示す感磁部を用いた磁気ヘッドの感磁部１０の
一例を示す。
１乃至図３に基づいて説明する。この図１乃至図３に示
す実施形態は、記録にインダクティブ部を，再生にＧＭ
Ｒ効果を示す感磁部を用いた磁気ヘッドの感磁部１０の
一例を示す。
【００３８】通常、磁気ヘッドは、磁気抵抗効果を示す
感磁部１０のほかに、ビット方向の記録密度を向上する
ための下シールド７及び上シールド８、および記録媒体
に信号を記録するための下ポール９及び上ポール１１
を、更には第１の強磁性層１の磁区安定化のために設け
られる永久磁石層６から構成されている。ここで、この
図１乃至図２では、上シールド８は下ポール９を兼用し
た共通型ヘッドが示されている。
感磁部１０のほかに、ビット方向の記録密度を向上する
ための下シールド７及び上シールド８、および記録媒体
に信号を記録するための下ポール９及び上ポール１１
を、更には第１の強磁性層１の磁区安定化のために設け
られる永久磁石層６から構成されている。ここで、この
図１乃至図２では、上シールド８は下ポール９を兼用し
た共通型ヘッドが示されている。
【００３９】図１において、感磁部１０は、図１の下方
から上方に向けて順に積層された反強磁性層４，第２の
強磁性層３，非磁性金属層２，および第１の強磁性層１
によって構成されている。ここで、第２の強磁性層３
は、反強磁性層４との交換結合により信号磁界の方向Ｂ
と平行な方向にピン止め磁界を受ける。
から上方に向けて順に積層された反強磁性層４，第２の
強磁性層３，非磁性金属層２，および第１の強磁性層１
によって構成されている。ここで、第２の強磁性層３
は、反強磁性層４との交換結合により信号磁界の方向Ｂ
と平行な方向にピン止め磁界を受ける。
【００４０】第１の強磁性層１，非磁性金属層２および
第２の強磁性層３としては、前述したＧＭＲ効果を示す
いくつかの材料の組み合わせを用いることができる。
第２の強磁性層３としては、前述したＧＭＲ効果を示す
いくつかの材料の組み合わせを用いることができる。
【００４１】第１の強磁性層１および第２の強磁性層３
としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，並びにＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ
の合金からなる群から選択することができる。又、非磁
性金属層２としては、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，並びにＣｕ，
Ａｇ，Ａｕの合金からなる群から選択することができ
る。
としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，並びにＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ
の合金からなる群から選択することができる。又、非磁
性金属層２としては、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，並びにＣｕ，
Ａｇ，Ａｕの合金からなる群から選択することができ
る。
【００４２】反強磁性層４としては、ＦｅＭｎ，ＮｉＭ
ｎ，ＰｔＭｎ，ＣｒＭｎ，ＩｒＭｎからなる群，或いは
Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅの酸化物からなる群から選択すること
ができる。
ｎ，ＰｔＭｎ，ＣｒＭｎ，ＩｒＭｎからなる群，或いは
Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅの酸化物からなる群から選択すること
ができる。
【００４３】上記感磁部１０を構成する磁気抵抗効果膜
には、信号磁界検出のため、検出電流を流すための一対
の電極５が併設されている。また、検出電流の方向Ｃ
は、検出電流によって第１の強磁性層１に生じる電流磁
界の方向が、第２の強磁性層３によって第１の強磁性層
１に生じる静磁界の方向とは逆方向となるように設定さ
れている。
には、信号磁界検出のため、検出電流を流すための一対
の電極５が併設されている。また、検出電流の方向Ｃ
は、検出電流によって第１の強磁性層１に生じる電流磁
界の方向が、第２の強磁性層３によって第１の強磁性層
１に生じる静磁界の方向とは逆方向となるように設定さ
れている。
【００４４】このとき、検出電流の方向Ｃと逆方向に、
検出電流の３倍以上のパルス波高値と１秒以下のパルス
幅値を有するパルス状の初期化電流を供給する。この初
期化電流は、図３に示す初期化電流供給手段２０によっ
て供給されるようになっている。ここで、符号２０Ａは
オン／オフスイッチを示す。このオン／オフスイッチ２
０Ａは外部操作によって任意にオン／オフ可能に装備し
ても、或いは一定時間経過後に所定のタイミングでオン
／オフしてもよい。
検出電流の３倍以上のパルス波高値と１秒以下のパルス
幅値を有するパルス状の初期化電流を供給する。この初
期化電流は、図３に示す初期化電流供給手段２０によっ
て供給されるようになっている。ここで、符号２０Ａは
オン／オフスイッチを示す。このオン／オフスイッチ２
０Ａは外部操作によって任意にオン／オフ可能に装備し
ても、或いは一定時間経過後に所定のタイミングでオン
／オフしてもよい。
【００４５】又、第１の強磁性層１を単磁区化するため
に縦バイアスを印加する手段として、永久磁石層６が、
図１に示すように感磁部１０の両端部に設けられてい
る。
に縦バイアスを印加する手段として、永久磁石層６が、
図１に示すように感磁部１０の両端部に設けられてい
る。
【００４６】次に、上記実施形態の動作について説明す
る。
る。
【００４７】図１に示すように、第２の強磁性層３の磁
化方向Ａは、信号磁界の方向Ｂに沿った方向に反強磁性
層４によってピン止めされた状態であるため、第１の強
磁性層１との間には静磁結合が生じている。
化方向Ａは、信号磁界の方向Ｂに沿った方向に反強磁性
層４によってピン止めされた状態であるため、第１の強
磁性層１との間には静磁結合が生じている。
【００４８】このため、検出電流の方向Ｃは、検出電流
によって第１の強磁性層１に生じる電流磁界の方向を、
反強磁性層４によってピン止めされた第２の強磁性層３
によって、第１の強磁性層１に生じている静磁界の方向
と逆方向になるように設定され、これによって第１の強
磁性層１の磁化は信号磁界の方向Ｂと直交し、ダイナミ
ックレンジの広い線形応答が得られる。
によって第１の強磁性層１に生じる電流磁界の方向を、
反強磁性層４によってピン止めされた第２の強磁性層３
によって、第１の強磁性層１に生じている静磁界の方向
と逆方向になるように設定され、これによって第１の強
磁性層１の磁化は信号磁界の方向Ｂと直交し、ダイナミ
ックレンジの広い線形応答が得られる。
【００４９】一方、この検出電流の方向Ｃは、第２の強
磁性層３の磁化のピン止めを弱める方向でもある。
磁性層３の磁化のピン止めを弱める方向でもある。
【００５０】ここで、初期化電流の方向Ｅとして、検出
電流とは逆方向にパルス状の初期化電流ｅを供給するこ
とによって、第２の強磁性層３には、ピン止めされた磁
化方向と同一の方向に電流磁界が印加される。この方向
に検出電流より大なる初期化電流ｅを供給することによ
り、磁気ヘッドを構成する磁性材料の成膜やプロセス
中，或いは磁気ヘッドの加工中に乱された第２の強磁性
層の磁化方向Ａを再初期化することが可能となる。
電流とは逆方向にパルス状の初期化電流ｅを供給するこ
とによって、第２の強磁性層３には、ピン止めされた磁
化方向と同一の方向に電流磁界が印加される。この方向
に検出電流より大なる初期化電流ｅを供給することによ
り、磁気ヘッドを構成する磁性材料の成膜やプロセス
中，或いは磁気ヘッドの加工中に乱された第２の強磁性
層の磁化方向Ａを再初期化することが可能となる。
【００５１】この場合、上下シールド８，７、上下ポー
ル１１，９の磁気特性に影響を与えることがないため、
これらの再初期化とは独立に行うことが可能である。
ル１１，９の磁気特性に影響を与えることがないため、
これらの再初期化とは独立に行うことが可能である。
【００５２】また、初期化電流ｅは、例えばそのパルス
波高値が検出電流の３倍以上に設定され、又パルス幅値
として１秒以下とされている。これは、繰り返し実験的
にて求めた値であり、かかる場合に電流磁界と同時に瞬
間的な熱処理効果が加わり、再初期化に有効なものとし
て効果を発揮することが見いだされた。
波高値が検出電流の３倍以上に設定され、又パルス幅値
として１秒以下とされている。これは、繰り返し実験的
にて求めた値であり、かかる場合に電流磁界と同時に瞬
間的な熱処理効果が加わり、再初期化に有効なものとし
て効果を発揮することが見いだされた。
【００５３】ただし、パルス幅値１秒以上では発熱の影
響が現れるため、１秒以下とすることが望ましい。
響が現れるため、１秒以下とすることが望ましい。
【００５４】これらの処理は、最終的な磁気ヘッドの状
態で可能であり、信号磁界の再生中に、検出電流によっ
て徐々に乱された第２に強磁性層の磁化方向を定期的に
再初期化することも可能である。
態で可能であり、信号磁界の再生中に、検出電流によっ
て徐々に乱された第２に強磁性層の磁化方向を定期的に
再初期化することも可能である。
【００５５】
【実施例】次に、本発明の実施例（具体例）について図
面を参照して詳細に説明する。
面を参照して詳細に説明する。
【００５６】図２において、まず、セラミック製の非磁
性基板（図示せず）上に、厚さ２〔μｍ〕のＮｉＦｅを
用いた下シールド７がメッキ法により成膜され、イオン
ミリングにより幅６０〔μｍ〕にパターン化される。そ
の上に、厚さ０．１〔μｍ〕のＡｌ2 Ｏ3 を用いた下シ
ールド間ギャップ７Ａがスパッタリング法により成膜さ
れる。
性基板（図示せず）上に、厚さ２〔μｍ〕のＮｉＦｅを
用いた下シールド７がメッキ法により成膜され、イオン
ミリングにより幅６０〔μｍ〕にパターン化される。そ
の上に、厚さ０．１〔μｍ〕のＡｌ2 Ｏ3 を用いた下シ
ールド間ギャップ７Ａがスパッタリング法により成膜さ
れる。
【００５７】次に、反強磁性層４として厚さ３０〔ｎ
ｍ〕のＮｉＭｎ膜，第２の強磁性層３として厚さ３〔ｎ
ｍ〕のＮｉＦｅ，非磁性金属層２として厚さ２．５〔ｎ
ｍ〕のＣｕ層，および第１の強磁性層１として厚さ６
〔ｎｍ〕のＮｉＦｅ層が、スパッタリング法によって順
次成膜される。
ｍ〕のＮｉＭｎ膜，第２の強磁性層３として厚さ３〔ｎ
ｍ〕のＮｉＦｅ，非磁性金属層２として厚さ２．５〔ｎ
ｍ〕のＣｕ層，および第１の強磁性層１として厚さ６
〔ｎｍ〕のＮｉＦｅ層が、スパッタリング法によって順
次成膜される。
【００５８】ここで、１０〔ｋＯｅ〕の磁界を信号磁界
方向Ｂに印加しながら２７０度で熱処理することによ
り、第２の強磁性層３の磁化が、磁化方向Ａにピン止め
されるように交換磁界をかける。
方向Ｂに印加しながら２７０度で熱処理することによ
り、第２の強磁性層３の磁化が、磁化方向Ａにピン止め
されるように交換磁界をかける。
【００５９】その後、ステンシル型のレジストを付けた
後、第１の強磁性層１，非磁性金属層２，第２の強磁性
層３，反強磁性層４は、イオンミリングによって幅１．
５〔μｍ〕にパターン化される。
後、第１の強磁性層１，非磁性金属層２，第２の強磁性
層３，反強磁性層４は、イオンミリングによって幅１．
５〔μｍ〕にパターン化される。
【００６０】更に、第１の強磁性層１に縦バイアス磁界
を加えるための永久磁石層６として、厚さ１５〔ｎｍ〕
のＣｏＣｒＰｔが、また電極５として厚さ０．２〔μ
ｍ〕のＡｕ層が、それぞれスパッタリングされ、レジス
トが除去される。ここで、永久磁石層６を着磁するため
に、１０〔ｋＯｅ〕の磁界を信号磁界方向１２と直交す
る方向に常温で印加する。
を加えるための永久磁石層６として、厚さ１５〔ｎｍ〕
のＣｏＣｒＰｔが、また電極５として厚さ０．２〔μ
ｍ〕のＡｕ層が、それぞれスパッタリングされ、レジス
トが除去される。ここで、永久磁石層６を着磁するため
に、１０〔ｋＯｅ〕の磁界を信号磁界方向１２と直交す
る方向に常温で印加する。
【００６１】次に、この上に厚さ０．１〔μｍ〕のＡｌ
2 Ｏ3 を用いた上シールド間ギャップがスパッタリング
法により成膜される。そして、その上に厚さ２〔μｍ〕
のＮｉＦｅを用いた上シールド８がメッキ法により成膜
され、イオンミリングにより幅６０〔μｍ〕にパターン
化される。
2 Ｏ3 を用いた上シールド間ギャップがスパッタリング
法により成膜される。そして、その上に厚さ２〔μｍ〕
のＮｉＦｅを用いた上シールド８がメッキ法により成膜
され、イオンミリングにより幅６０〔μｍ〕にパターン
化される。
【００６２】更に、記録ギャップ層として厚さ０．３
〔μｍ〕のＡｌ2 Ｏ3 、コイル（図示せず）、また上ポ
ール１１として厚さ４〔μｍ〕のＮｉＦｅが成膜され、
これによって記録部の記録領域が設定される。
〔μｍ〕のＡｌ2 Ｏ3 、コイル（図示せず）、また上ポ
ール１１として厚さ４〔μｍ〕のＮｉＦｅが成膜され、
これによって記録部の記録領域が設定される。
【００６３】以上のように作成された磁気ヘッドにおい
て、信号磁界は、検出電流を電流方向Ｃに流すことによ
って検出されるが、検出電流の供給に先立って、初期化
電流供給手段２０を作動させ（オン／オフスイッチ２０
Ａをオンし）て検出電流の３倍以上のパルス波高値、且
つ１秒以下のパルス幅値を有するパルス状の初期化電流
が方向１４に印加する。
て、信号磁界は、検出電流を電流方向Ｃに流すことによ
って検出されるが、検出電流の供給に先立って、初期化
電流供給手段２０を作動させ（オン／オフスイッチ２０
Ａをオンし）て検出電流の３倍以上のパルス波高値、且
つ１秒以下のパルス幅値を有するパルス状の初期化電流
が方向１４に印加する。
【００６４】ここで、初期化電流を印加せずに検出電流
を供給した場合と、初期化電流印加後に検出電流を印加
した場合の記録再生実験を行ったところ、初期化電流を
印加した場合の方が、安定性に優れ、かつ、高出力で対
称性の良い再生波形が得られた。
を供給した場合と、初期化電流印加後に検出電流を印加
した場合の記録再生実験を行ったところ、初期化電流を
印加した場合の方が、安定性に優れ、かつ、高出力で対
称性の良い再生波形が得られた。
【００６５】
【発明の効果】以上のように本発明によると、信号磁界
検出のための検出電流供給と同様の方法を用いた初期化
電流の供給によって行うことができるため、磁気ヘッド
を構成する磁性材料の成膜やプロセス中，或いは磁気ヘ
ッドの加工中に乱された第２の強磁性層の磁化方向を、
最終的な磁気ヘッドの状態において再初期化することが
可能となり、同時に初期化電流を感磁部（即ち磁気抵抗
効果素子）に直接供給するようにしたので、最終的な磁
気ヘッドの状態で上下シールドおよび上下ポールの磁化
容易軸を乱さずに第２の強磁性層の磁化方向を再初期化
することができ、かかる点において従来経時的に生じて
いた感度低下等の経時的な劣化を有効に抑制することが
できるという従来にない優れた磁気抵抗効果ヘッドおよ
びその初期化方法を提供することができる。
検出のための検出電流供給と同様の方法を用いた初期化
電流の供給によって行うことができるため、磁気ヘッド
を構成する磁性材料の成膜やプロセス中，或いは磁気ヘ
ッドの加工中に乱された第２の強磁性層の磁化方向を、
最終的な磁気ヘッドの状態において再初期化することが
可能となり、同時に初期化電流を感磁部（即ち磁気抵抗
効果素子）に直接供給するようにしたので、最終的な磁
気ヘッドの状態で上下シールドおよび上下ポールの磁化
容易軸を乱さずに第２の強磁性層の磁化方向を再初期化
することができ、かかる点において従来経時的に生じて
いた感度低下等の経時的な劣化を有効に抑制することが
できるという従来にない優れた磁気抵抗効果ヘッドおよ
びその初期化方法を提供することができる。
【図１】本発明にかかる磁気抵抗効果ヘッドの主要部で
ある感磁部の一実施の形態を示す部分斜視図である。
ある感磁部の一実施の形態を示す部分斜視図である。
【図２】図１の開示した感磁部を含む磁気抵抗効果ヘッ
ドの例を示す断面図である。
ドの例を示す断面図である。
【図３】図１に示す感磁部に併設された初期化電流供給
手段を示すブロック図である。
手段を示すブロック図である。
【図４】従来例における磁気抵抗効果ヘッドの基本構成
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図５】図４に示す従来例の一形態を示す概略断面図で
ある。
ある。
１ 第１の強磁性層 ２ 非磁性金属層 ３ 第２の強磁性層 ４ 反強磁性層 ５ 電極 ６ 永久磁石層 １０ 感磁部 ２０ 初期化電流供給手段 Ａ 第２の強磁性層の磁化方向 Ｂ 信号磁界の方向 Ｃ 検出電流の方向 Ｅ 初期化電流の方向
Claims (10)
- 【請求項１】 非磁性金属層を介して積層された第１の
強磁性層および第２の強磁性層と、この第２の強磁性層
の磁化方向を信号磁界と平行にピン止めするための手段
として当該第２の強磁性層に隣接して積層された反強磁
性層とを備え且つこれによって巨大磁気抵抗効果素子と
しての機能を備えた感磁部を有し、 前記感磁部に流す検出電流によって前記第１の強磁性層
に生じる電流磁界の方向を、前記第２の強磁性層によっ
て第１の強磁性層に生じる静磁界の方向とは逆方向とな
るように予め設定し、 前記感磁部に、当該感磁部に流す検出電流と逆方向に、
当該検出電流より大なるパルス波高値を有するパルス状
の初期化電流を供給する初期化電流供給手段を併設した
ことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項２】 前記初期化電流供給手段は、その出力電
流である初期化電流のパルス波高値を検出電流の３倍以
上とし、且つその通電パルスの時間幅を１秒以下とした
ことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項３】 前記反強磁性層が、ＦｅＭｎ，ＮｉＭ
ｎ，ＰｔＭｎ，ＣｒＭｎ，ＩｒＭｎを主成分とする群、
或いはＮｉ，Ｃｏ，Ｆｅの酸化物を主成分とする群から
選択された材料であることを特徴とする請求項１又は２
記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項４】 前記第１の強磁性層および第２の強磁性
層が、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ並びにＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの合金
からなる群から選択された材料であることを特徴とする
請求項１又は２記載の磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項５】 前記非磁性金属層が、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ
並びにＣｕ，Ａｇ，Ａｕの合金からなる群から選択され
た材料であることを特徴とした請求項１又は２記載の磁
気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項６】 前記第１の強磁性層を単磁区化するため
に十分な縦バイアス磁界を印加するための縦バイアス印
加手段を有することを特徴とした請求項１又は２記載の
磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項７】 前記縦バイアス印加手段が、永久磁石層
からなることを特徴とした請求項６記載の磁気抵抗効果
ヘッド。 - 【請求項８】 前記縦バイアス印加手段が、第１の強磁
性層に感磁部以外のところで直接接触する反強磁性層か
らなることを特徴とした請求項６記載の磁気抵抗効果ヘ
ッド。 - 【請求項９】 非磁性金属層を介して積層された第１の
強磁性層および第２の強磁性層と、この第２の強磁性層
の磁化方向を信号磁界と平行にピン止めするための手段
として当該第２の強磁性層に隣接して積層された反強磁
性層とを備え且つこれによって巨大磁気抵抗効果素子と
しての機能を備えた感磁部を有し、 前記感磁部に流す検出電流によって前記第１の強磁性層
に生じる電流磁界の方向を、前記第２の強磁性層によっ
て第１の強磁性層に生じる静磁界の方向とは逆方向とな
るように予め設定し、 前記感磁部に、当該感磁部に流す検出電流と逆方向に、
当該検出電流より大なるパルス波高値を有するパルス状
の初期化電流を供給する初期化電流供給手段を併設する
と共に、 前記初期化電流を、前記検出電流の供給に先立って供給
することを特徴とした磁気抵抗効果ヘッドの初期化方
法。 - 【請求項１０】 非磁性金属層を介して積層された第１
の強磁性層および第２の強磁性層と、この第２の強磁性
層の磁化方向を信号磁界と平行にピン止めするための手
段として当該第２の強磁性層に隣接して積層された反強
磁性層とを備え且つこれによって巨大磁気抵抗効果素子
としての機能を備えた感磁部を有し、 前記感磁部に流す検出電流によって前記第１の強磁性層
に生じる電流磁界の方向を、前記第２の強磁性層によっ
て第１の強磁性層に生じる静磁界の方向とは逆方向とな
るように予め設定し、 前記感磁部に、当該感磁部に流す検出電流と逆方向に、
当該検出電流より大なるパルス波高値を有するパルス状
の初期化電流を供給する初期化電流供給手段を併設する
と共に、 前記初期化電流を定期的に繰り返し供給するようにした
ことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドの初期化方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9009656A JP2937237B2 (ja) | 1997-01-22 | 1997-01-22 | 磁気抵抗効果ヘッドおよびその初期化方法 |
| US09/012,055 US6028730A (en) | 1997-01-22 | 1998-01-22 | Method and apparatus for initializing a magnetoresistive head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9009656A JP2937237B2 (ja) | 1997-01-22 | 1997-01-22 | 磁気抵抗効果ヘッドおよびその初期化方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10208216A true JPH10208216A (ja) | 1998-08-07 |
| JP2937237B2 JP2937237B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=11726266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9009656A Expired - Fee Related JP2937237B2 (ja) | 1997-01-22 | 1997-01-22 | 磁気抵抗効果ヘッドおよびその初期化方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6028730A (ja) |
| JP (1) | JP2937237B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008249556A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 磁気センサ |
| JP2009036770A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-02-19 | Magic Technologies Inc | 磁気センサおよびその製造方法 |
| JP2009192429A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Tdk Corp | 磁気センサ及び磁場強度測定方法 |
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| US6185078B1 (en) * | 1998-08-21 | 2001-02-06 | International Business Machines Corporation | Spin valve read head with antiferromagnetic oxide film as longitudinal bias layer and portion of first read gap |
| US20020118475A1 (en) * | 2001-02-26 | 2002-08-29 | David Ng | System and method providing programmable GMR head pin layer reset in conjunction with high density drive read/write preamplifiers |
| JP4016857B2 (ja) * | 2002-10-18 | 2007-12-05 | ヤマハ株式会社 | 磁気センサ及びその製造方法 |
| JP5590349B2 (ja) * | 2012-07-18 | 2014-09-17 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁気センサシステム |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3820475C1 (ja) * | 1988-06-16 | 1989-12-21 | Kernforschungsanlage Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De | |
| US5206590A (en) * | 1990-12-11 | 1993-04-27 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect |
| TW211617B (en) * | 1992-05-26 | 1993-08-21 | Philips Electronics Nv | System for recording and/or reproducing signals, and reset cassette suitable for use in the system |
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| FR2729790A1 (fr) * | 1995-01-24 | 1996-07-26 | Commissariat Energie Atomique | Magnetoresistance geante, procede de fabrication et application a un capteur magnetique |
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-
1997
- 1997-01-22 JP JP9009656A patent/JP2937237B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-01-22 US US09/012,055 patent/US6028730A/en not_active Expired - Fee Related
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| US7956609B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-06-07 | Tdk Corporation | Magnetic sensor including a spin-valve GMR device |
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| JP2009192429A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Tdk Corp | 磁気センサ及び磁場強度測定方法 |
| US8164330B2 (en) | 2008-02-15 | 2012-04-24 | Tdk Corporation | Magnetic sensor and magnetic field strength measurement method saturating magnetization of magnetization-free layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6028730A (en) | 2000-02-22 |
| JP2937237B2 (ja) | 1999-08-23 |
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